TW201211179A - Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing thereof, and connecting method of circuit member - Google Patents

Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing thereof, and connecting method of circuit member Download PDF

Info

Publication number
TW201211179A
TW201211179A TW100120187A TW100120187A TW201211179A TW 201211179 A TW201211179 A TW 201211179A TW 100120187 A TW100120187 A TW 100120187A TW 100120187 A TW100120187 A TW 100120187A TW 201211179 A TW201211179 A TW 201211179A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit
electrode
film
connection
mass
Prior art date
Application number
TW100120187A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Mori
Kazuya Sato
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of TW201211179A publication Critical patent/TW201211179A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/412—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60015—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using plate connectors, e.g. layer, film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

201211179 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於—種電路連接用接著膜及其使用、電 路連接構造體及其製造方法以及電路構件的連接方法。 【先前技術】 先前，為了將半導體元件連接於基板，特別是液晶等 的平板顯示器（Flat Panel Display，卿）用的玻璃（細） 基板，使用因加熱而固化的熱固性的接著劑膜。 作為熱固性的接著劑膜，含有熱固性樹脂即環氧 (epoxy)樹脂的接著劑膜被廣泛使用，由於環氧樹脂因加 熱而固化之後，成為機械性強度高的聚合物，因此，藉由 上述接著劑膜來牢固土也將半導體元件肖》夜晶顯^器 (chsplay)予以連接，可獲得可靠性高的電氣裝置。近年 來，含有能夠以比環氧樹脂更低的溫度來固化的丙稀酸龍 的接著劑膜亦逐步被使用。 然而，於使用接著劑膜來將玻璃基板與半導體元件予 以連接的㈣T，#對歸麵騎加^時，自於半導體 元件有時因熱料_域之後發线賴，目此該半導 體兀件會伸展。因此，於加熱結束之後，若整體冷卻，則 伸展的半導體元件纽縮，树伴賴㈣，構成FPD的 玻璃基板會發生_等的變形。若玻璃基板發生變形，則 會導致位於已變形的部分的顯示器的顯示影像雜亂。、 至今為止’為了抑制龜曲等的變形，各種方法已為人 所知。例如，已提出有使膜介於加熱及加壓工具（t〇〇〇
Af 201211179 連接方法(曰本專利特開2_-_4 ，么幻、或於加熱及加好驟之後進行力 專利特開2004-200230號公報）。 …、的方法（日本 又，最近，將可緩和應力的材料使用於接 專隱277573 “^ 板的二料= 璃基板及半導體元件的厚度變薄，容向地即，隨著破 璃基板的變形）。 W者地產絲曲（玻 【發明内容】 膜及=用本如下的 體及其的電路， 用接著臈即便當用於將厚度比先連接 接可靠性且可抑制玻璃基L;r而=::異的連 树明者等為了解決上述問題；異。 内部應力過=== 電=接著膜的 ===中產生彈性率過低的部:= 下牛。亦已知：尤其於彈性率局部地過低的情形 201211179π 3接電極彼此難以使導電粒子保持扁平，因此， 連接可罪性有下降的傾向。 ，於上述見解而進—步進行研究，本發明者等 =使電路連接用接著膜含有規定量的具有規定的^ =的絶緣性錄子，可_高連接性 其材 的變形，從而完成了本發明。 门抑制基材 亦即’本發明提供—種電路連接 平均健A 1 (〇潛錄111化劑及⑷ Μ"1以下的絕緣性微粒子，相對於導電祕 ::層中所含的接著劑組成物的總質量心量:二生接 路連接用接著膜用於在使第‘二極路=電 :=::第〗電路構件與第二= 面上形成有上述第1電路電極，上:二電 路構件在厚度為0.3 mm ^弟2電 成有上述第2電路電極。第2電路基板的主面上形 著^述的電_接用接著膜’則由於導電性接 ==::丨組:物含有規定量的具有規定的= 精此，即便當使用上述電路連接用接著膜來將包括3為
S 6 201211179
Srrr 了的電路基板的電路構件彼辭以連接時，h 抑制電路構件的變形，並且可 卞，，，亦可 的接著劑組:物包含上二;又均 環氧樹(;)/_、⑴ r且具有優異的耐熱性及接二 絕緣==r接著膜包括導電性接著劑層及 好的連接可靠性。 罪性棱问。稭此，可獲得良 迭體二本ί明提供一種電路連接構造體，該電路連接構 電路基板的主面上__ 1 3t=3rr下的第2電路基板的主面上:成:第2 :====，連接部，介 電路連接用接著膜ΐ固^ 連接部為本發明的 若為如上所述的電路連接構造體，則由於 fa月的電路連接用接著膜的固化物構成，因此，可將 連接構造體__應力控縣低 可 產生彈性率過低的部分。因此，可抑制二制 並且可實現優異的連接可靠性。 电峪冊的交开/ 2〇1211179 此外 奉毛月徒i、一種電路連接構造體的製造方法， 該電路連接構造體的製造方法包括如下的步驟：使上述本 發明的電路連接用接著膜介於—對電路構件之間而獲得積 層體，上述一對電路構件包括第1電路構件與第2電路構 件’上述第1電路構件在厚度為0.3腿以下的第丨電路 上形成有第1電路電極，上述第2電路構件在 届度為〇_3 mm以下的第2電路基板的主面上形成有第2 電路電極，以及對積層體進行加熱及 接著膜固化’藉此來形成連接部，上述連接部 對向地配置的第1電路電極與第2 連接的方式，將一對電路構件彼此予以接著。 右為如上所述的製造方法， 接構造體，該電路連接槿、&心。 '電路連 且可實現優異的連體可抑制電路構件的變形，並 電路i極件的連接方法，在使第1 電路構件、第2電地配置的狀態下，對第1 電路構件之_^^配置於^ f崎件及第2 壓，將第1 f Mum連接祕行加熱及加 上述第電極予以電性連接， 電路電極，2電=: 第2電路電極。' 2電路基板的主面上形成有上述 若為如上所述的電路構件的連接方法，則由於使用本
S 8 201211179 的固化物來連接電路構件，因此 地麵 ==:=:r因:應力，亦可充分 形，並且具有良好的連接抑制電路構件的變 用，Ξ:著if:提丄共-種接著膜的用於電路連接的使 性接著劑有著劑組成物及導電粒子的導電 含“二所含的接著劑組成物包 著劑層二接二的::繼粒子，相對於導電性接 絕緣性微粒子的息質量⑽質量份而言， =用:電路連接的使用是在使路以 =::的電路構件與第2電= 二路構件在厚度為-:=二電;板 的主面上形成有上述第2電路電極。 尾路基板 膜來====路=用該連接 ==靠時性亦可抑制電路構件的，並且= 根據本發明，可提供如下的電路連接用接著膜及其使 201211179 ^ ^ - w.^ll n用有該電路連接用接著膜的電路連接構造體及盆製 k方法以及電_件的連接方法，上述電路連制接 即=當用於將厚度比先前的電路基板笑 ，半導體元件予以連接時，亦可維持優異=: ί:Γ= 反的變形，而且成膜性亦優異。尤其於本 &月中’可^供如下的電路連接用垃益尬 接著膜即便當將厚产為03 者膜，該電路連接用 隸昧每度為0_3職以下的電路構件彼此予以 連接時，亦可貫現上述效果。 易懂為it上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 明如下。’ 4佳實施例，並配合所附U式，作詳細說 【實施方式】 明據需要’―面參照圖式，〜面詳細地對本發 貫施形態進行說明，而，本發明並不限定於以 下的貫施形態。 <電路連接用接著膜> 10、隹首-ΐ，口參照圖1來對本實施形態的電路連接用接著膜 接用日。圖1是表示本發明的—個實施形態的電路連 有接剖面圖。電路連接用接著膜10包括:含 絕緣性接著：t層3b上且含有接著劑組成物4a的 、（導電性接著劑層） 導電性接著劑層外含有：包含（a)成膜材料（以下，
S 10 201211179 一〜叩j ，時稱為（a)成分」）、（b)環氧樹脂（以下，有時稱為 (b)成刀」）、（c)潛伏性固化劑（以下，有時稱為「（c) 成二」）及（d)平均粒徑為i μιη以下的絕緣性微粒子的 接著劑組成物4b與導電粒子5。 作為（a)成分的成膜材料是聚合物（p〇iymer)，該聚 合物具有使·_化_敝成_化的個。使成膜 材料包合於SI化性樹脂組成物，藉此，當使固化性樹脂組 成物成形為驗，可獲得不易㈣、不易碎裂及不易黏 連且易於使用的接著劑膜。 作為如上所述的成膜材料，例如可列舉選自包含苯氧 基樹脂、聚乙烯甲醛樹脂、聚笨乙烯樹脂、聚乙烯丁醛樹 脂、聚醋樹脂、聚臨胺樹脂、二曱苯樹脂及聚胺醋樹脂的 群組的至少-種聚合物。這_財，苯氧基樹脂、聚胺 酉旨樹月曰及聚乙細丁酸樹脂較佳。這此樹脂盘（b)成分之門 的相溶性優異，可使固化之 優異的接著性、耐熱性、以及機械強度。 使雙g此本紛類與表鹵代醇（epihal〇hydrin )發生反 應直至達到高分子量為止，或使雙官能環氧樹脂與雙官能 苯酚類發生加成聚合反應，藉此來獲得笨氧基樹脂。具體 而言，於存在鹼金屬氫氧化物等的觸媒的條件下，在非反 應性溶劑中，以40°C〜12(TC的溫度來使i莫耳的雙官能 苯酚類與0.985莫耳〜1.015莫耳的表鹵代醇發生反應， 此，可獲得上述苯氧基樹脂。 …" 較佳為將雙官能性環氧樹脂與雙官能性笨酚類的調配 11 Λ 201211179 f置3為環氧基/苯贿基=1/G.9〜1/1.1來進行獲得笨 氧的力Π成聚合反應。藉此，可使固化之後的電路連 接著臈10的機械特性及熱特性良好。又，較佳為於存 屬化合物、有機磷系化合物、以及環狀胺系化合物 條件下’在沸點為12。。。以上賴胺系喝系、 :巾内酉曰系、以及醇系等的有機溶劑中，將原料固含量 j 50質量份以下’加熱至5叱〜·。^來進行上述加成 永合反應。 作油轉得苯氧基魅的雙官能環氧獅，例如可 ::雙紛A型環氧樹脂、雙紛F型環氧樹脂、雙紛ad型 ^樹脂、㈣S型環氧_、聯苯二縮水甘蘭及經甲 :取代的聯苯二縮水甘_。作為雙官能苯醜，可列舉 二有兩個苯雜織的物質例如對笨二賴、雙紛A、雙 -一 F、雙盼AD、雙g分S、雙紛苐、經甲基取代的雙酚第、 -备基聯苯及”基取代的二聯料的雙驗類。 亦可藉由自由絲合_官能基、或其他反應性化合 ^對苯氧基齡進行改f。可單獨地使訂述各種苯氧 土树脂，或可組合地使用兩種以上的上述各種苯氧基樹脂。 聚胺醋樹脂是於分子鏈中具有胺基甲酸醋鍵結的彈性 且通¥疋大致以當量來使麵㈣樹賴活性氫基、 其、二異氰酸i旨化合物（甲苯二異氰_、二餘酸醋二苯 =甲燒、六亞甲基二異氰酸g旨、苯二亞甲基二異氮酸酿、 =二異氰_環己基W等）的二異氰酸絲發生反應 传的線性rfj分子’上述飽和聚g旨樹脂是多元酸（對苯二
S 12 201211179. 曱酸、間笨二曱酸、鄰笨二甲酸、琥珀酸、己二酸、壬二 酸、以及癸二酸等)、與二元醇（乙二醇、1，4-丁：醇、i 7 戊：醇、1，6-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、 以及丙二醇等）發生縮合反應祕得且具有末端經基。 上述聚胺酯樹脂容易溶解於有機溶劑例如酯系（乙萨 乙酯、乙酸丁醋等）、酮系（曱基乙基酮、環己_、以及丙 ，等）、芳香族系（曱苯、二曱笨、以及笨等）及氣系（三 氣乙烯、二氡曱烷等）的溶劑。 蝴聚乙烯丁醛樹脂是於分子鏈中具有乙烯縮醛單元的彈 性體’且通常是使乙酸乙_旨聚合，接著進行驗處理之後， ^與齡（甲駿、乙酸、秘、以及了料）發生反應而 巧=的線性高分子。對於本實施形態中所使用的聚乙烯丁 酿樹脂而言’聚合度較佳為·〜25GG，丁祕化度較佳 為65 mol%以上。 若聚合度不足700，則聚乙烯丁醛樹脂的凝聚力不 =^致成膜性下降。若聚合度超過25〇〇，則對樹脂進行 壓接時的樹脂流祕不足，無法糊地使導餘子介於被 ，接極之間，從而難讀得充分的連接可靠性。又， * &趁化度不足65 mol%，則經基或乙酿基的比例增 加，而難以獲得充分的連接可靠性。 「作為（a)成分的成膜材料的玻璃轉移溫度（以下稱為 。丁2」）並無特別的限定，但較佳為40°C〜70°C，更佳為 45C + 7〇C ’進而較佳為5(TC〜70°C。若為具有此種Tg 的成膜材料’則藉由彈性變形來將固化之後的電路連接用 13 201211179 接著膜10内產生的内部應力予以吸收’使電路構件的超曲 量減小’因此，可更確實地使連接可靠性提高。 相對於總質量為10 0質量份的接著劑組成物4 b而言， 成膜材料的調配量較佳為10質量份〜50質量份，更作 20質量份〜40質量份。使成膜材料的量處於上述範圍:笋 此，可進一步抑制基材的變形（翹曲量），從而提供電氣^ 接性更優異的電路連接用接著膜1〇。 ” 成膜材料的分子量越大，則越容易獲得成膜性，而且 ΙΐίΓΓ定對接著劑組成物4a的流動性產生影響的 膜材料的重量平均分子量(Mw)較佳為5〇〇〇 =0000，尤佳為Η)_〜δ_ 1該值為5_以上， 則存在易魏得良好的成難的 值為150000以下，則存在宏总猫/3 万面右上述 的相溶性的傾向。4_與其他成分之間的良好 1 Η ^ 卞叼77子量」，是指依照下述表
Lla! I "f (〇el Pennon
Uiromatography ’ GPC )，祐田描油 —準曲線 201211179
[表1] 裝置 東曹股份有限公司製造GPC-8020 '--- 檢測器 東曹股份有限公司製造RI-8020 ~~~--- 管柱 日立化成工業股份有限公司製造Gelpack ~--- GL-A-160-S + GL-A150-SG2000Hhr 試料濃度 120 mg/3 ml ------ 溶劑 四氫。夫喃 · ----- 注入量 60 μΐ "—---- 壓力 30 kg^cm^ ~~~~--- 流量 1.00 ml/min " ——-- ~—~~_J 作為（b)成分的環氧樹脂，可單獨或組合兩種以上地 使用自表氣醇與選自包含雙酚A、雙酚F及雙紛AD等的 群組的至少一種雙酚衍生出的雙酚型環氧樹脂、自表氣醇 與苯酚酚醛及甲酚醛中的一種酚醛或兩種酚醛衍生出的^ 醛環氧樹脂、具有包含萘環的骨架的萘系環氧樹脂、以及 縮水甘油胺、縮水甘油醚、聯苯、及脂環式等的於一個分 子内具有兩個以上的縮水甘油基的各種環氧化合物等。二 據防止電遷移（electromigrati〇n)的觀點， : 為使用使雜質離子（伽）（Na+、cl.等）或水解f生 至300 ppm以下的南純度品。
上述環氧樹脂中，由於可廣泛地獲得分子量不同的等 級’且可任意地對接著性或反紐料行設定， 因此’雙_環氧概較佳。雙㈣環氧樹脂巾，雔驗F 旨ί佳。雙酚?_氧樹脂的黏度低，藉“苯 氧基树月曰組合地使用，可宏总04_々' 疋又，雙酚F型環氧樹脂亦具 15 ^ 10 rll’ 201211179 有如下的優點，即，容易使電路連接用接著膜1〇 的黏著性。 ^ 相對於總質量為100質量份的接著劑組成物扑而+， 裱氧樹脂的調配量較佳為5質量份〜5〇質量份，更佳為°如 質量份〜4 0質量份。於環氧樹脂的調配量不足5質量严 情开^下，當對電路構件彼此進行壓接時，存在電路連^用 接著膜1G的流動性下降的傾向，於環氡樹㈣調配量 ;〇質：份的情形下’當進行長期保管時，存在 接者膜10發生變形的傾向。 伐用 作為（C)成分即潛伏性固化劑，例如可列舉σ米唑 匕醯亞胺及雙氰胺。可單獨地使用上述潛伏性 或可組合地使用兩種以上的上述潛伏性固化劑。而 人。再固化劑與分解促進劑、抑等加以組 的子物質等來將潛伏性固化劑予以包覆而實現 相對於100質量份的環氧招 調配量較佳為1Gf量份:=7#=性固化劑的 〜150質量份。藉此，於固化反Ί，更佳f質量份 :分的1Q質量份，則無法獲得 電阻的傾向。^獲侍良好的接著強度及連接 則存在如下量超過勘質量份， 降，連接⑽上升，轉連翻
S 16 201211179 life)縮短。 導電性接著劑層3b更含有（d)平均粒徑為i μιη以 下的絕緣性微粒子。藉此，膜固化之後的接著劑層内的内 部應力進一步被缓和。 作為如上所述的絕緣性微粒子，例如可列舉石夕土、氧 化銘等的無機粒子；或聚矽氧橡膠、曱基丙烯酸曱g旨-丁二 烯-本乙烯（Methylmethacrylate Butadiene Styrene，MBS )、 丙烯酸橡膠、聚曱基丙烯酸曱酯、及聚丁二烯橡膠等的有 機粒子。 又’作為絕緣性微粒子’除了上述粒子以外，例如亦 舉丙烯酸樹脂、聚酯、聚胺酯、聚乙烯丁醛、聚芳酯、 ，笨乙歸、丁腈橡膠（Nitrile Butadiene Rubber，NBR)、 ，乙烯'丁二烯橡膠（Styrene Butadiene Rubber，SBR)及 樹脂等以及含有包含這些物#作為成分的共聚 機微粉ίI絕緣性微粒子較佳為分子量為⑽萬以上的有 微粒2具有三維交聯構造的有機微好。此種絕緣性 有三唯交=性，，分散性高。再者’此處所謂「具 如，利2，」’聚合物鍵具有三維網狀構造，例 基的交㈣、丨^個以上的可與聚合物的反應賴結的官能 來獲得多個反應_聚合物進行處理，藉此 100 述的構造的絕緣性微粒子。分子量為 子較佳今對於二^粒子及具有三維交聯構造的有機微粒 上述劑解性低的 q者地獲得上述效果。又，根據更 2〇l2lii79 i-it 顯著地獲得上述效果的觀點，分子量為100萬以上的有機 微粒子及具有三維交聯構造有機微粒子較佳為包含(曱基) 丙稀酸烧基·㈣氧共聚物、聚魏_(曱基)丙烯酸共聚物或 上述共聚物的錯合物的絕緣性微粒子。又，例如亦可使用 如日本專利特開2齡15〇573公報所揭示的聚酿胺酸粒子 及聚醯亞胺粒子等的絕緣性微粒子作為⑷成分。 此外’亦可使帛具有核殼（⑽e shdl)型的構造且核 層的組成與殼層的組成不同的絕緣性微粒子作為⑷成 刀―作為核5；又型的絕緣性有機粒子，具體而言可列舉以聚 石夕氧-丙烯酸_作為核㈣__脂進行接枝所得的 津子及以丙烯&共聚物作為核來對丙稀酸樹脂進行接枝 所得的粒子等。又，亦可使用如國際專利公開第 2009/051067號小冊子所揭示的核殼型聚魏微粒子、如 國際專利公開第2G_2_5號小冊子所揭示的（甲基)丙 稀3夂烧基酉曰-丁一婦_苯乙婦共聚物或錯合物、（甲基)丙稀酸 焼基醋-聚石夕氧共聚物或錯合物及聚魏_(?基)丙稀酸共 聚物或錯合物等的絕緣性有機粒子、如日本專利特開 2002-256G37號公報所揭示的核殼構造聚合物粒子、以及 如日β本專利特開細4]細3號公報所揭示的核殼構造的 橡膠粒子等。可單獨地使用—種上频殼_絕緣性微粒 子，亦可組合地使用兩種以上的上述核殼型的絕緣性微粒 子。 (d)成分的絕緣性微粒子的平均粒徑為丨μΐΏ以下， 但較佳為0.01从爪〜！ μιη，更佳為〇 〇2 μπι〜〇 9 pm。
S 18 201211179 再者，上述「平均粒徑」是指以如下的方式所測定的 值。亦即，利用掃描型電子顯微鏡（SEM( Scanning Electr⑽
MiCroscope)，Hitachi，Ud·製造，產品名：s_8〇〇)來對任 意地選擇的絕緣性微粒子的一次粒子進行觀察（倍率：5〇〇〇 倍）’對該一次粒子的最大徑及最小徑進行測定。將該最大 徑及最小控的積的平方根設為上述粒子的一次粒徑。接 著，針對50個任意地選擇的絕緣性微粒子，以上述方式來 對一次粒徑進行測定，將一次粒徑的平均值設為平均粒 徑。再者，亦同樣地對後述的導電粒子的平均粒徑進行測 定。 相對於總質量為100質量份的接著劑組成物4b而言， (d)成分的調配量為1〇質量份〜5〇質量份，但較佳為u 質量份〜40質量份，更佳為15質量份〜35質量份以‘下。 f、（c〇成分的調配量不足10質量份，則無法獲得對翹曲 置進行抑制的效果，若（d)成分的調配量超過5〇質量份， 則存在成膜性及導電粒子5對於電極的密著力下降的傾 向。 、 於接著劑組成物4b中分散有導電粒子5。由於電路連 接用接著膜10含有導餘子5，因此，魏電極的位置或 南度的不均因導電粒子5的變形而被吸收，接觸面積增 加’故而可獲得更穩定的電性連接。又，由於電路連接用曰 接著膜1G含有導電好5 ’因此，導錄子5有時可衝破 電路電極表面的氧化層或減層而發生接觸，從而可使電 2〇l2lii79 -----x-ir
Cu、上所述的導電粒子5，可列舉Au、Ag、Ni、 適用期的= 3粒子等。根據獲得充分的 過、7^/ 導電的最外層並㈣Ni、Cu等的 =金，類’較佳為Au、Ag、以及姑金屬的貴金屬類， 類來將二更佳。又，導電粒子5可為利用Au等的貴金屬 子 1寺的過渡金屬類的表面予以包 二由包覆等來將上述金屬等的導通層形成於非 (⑽職)、以及塑膠(喊)等且 最卜層δ又為貴金屬類的導電粒子。 早使用藉由包覆等來將導通層形成於塑膠而成的 及，·，.、&融金胁子作為導妹子5。上述粒子因加敎 ^而具有變形性’因此，可使在連接時與電路電極發 生接觸的接觸面積增加，或可將電路構件的電路端子的严 度不均予以吸收，從而可使電路連接的可靠性提高。子 叹置於導電粒子5的最外層的貴金屬類的包覆 又較佳為100Α以上。藉此’可充分地使所連接的^路之 間的電阻減小。然而，於在Ni等的過渡金屬上設 類的包覆層的情形時，該包覆層的厚度·為3_ 理由在於：由於在導電粒子5混合分散時產生的貴 的包覆層的缺損等，Ni等的過渡金屬露出至接著劑膜中， 因此，由於該過渡金屬的氧化還原作用而產生游離、 基’從而使電路連接用接著膜10的保存穩定性下降。 方面’貴金屬類的包覆層的厚度的上限並無特 一 但根據製造成本的觀點，較佳為丨μηι以下。 、|，
S 20
201211179 _____r II 導電粒子5的平均粒徑必須比藉由電路連 =連接的電路構件的相鄰接 ,， 不足丄_，則存在如下均粒徑 的高度的不均且電路電極之間的導電=== 容:=二則存在相鄰接的電路電極之間的絕雜 =^_為⑽f量份的接著劑組成物处 ==子5的調配量較佳設為G1 f量份〜 佳设為O.i質詈份〜2〇暂旦 里切更 电拉子5引起的鄰接電路的短路等。 〒 劑二2用途，接著劑組成物牝例如亦可更含有軟化 ' F^；#1 (tootropie agent). 及夕院偶合劑（silanecouplingagent)等的添加劑。 (絕緣性接著劑層） ，緣性接著劑層3 a中所含的接著劑組成物4 &只要可 ^’、'、膜狀’且可於電路構件連接時抑制電路構件的變形 的1三該接著劑組錢4a可解接著_几中所含 =接者劑組成物4b㈣，亦可與該接著敝餘4b不同。 =，較佳為以使躲性接著_3a的流祕大於導電性 層3b的流動性的方式’對上述成分的種類及調 退仃調整。 21 2〇l2ll17?* /由於膜固化之後的接著劑層内的内部應力進 一步受到 缓和’纟，絕緣性接著劑層3a較佳為含有絕緣性粒子。 此種、、’&緣ϋ粒子只要為不會妨礙電路構件之間的電性連接 的知度即可’並無特別的限定，亦可使用與上述⑷成分 相同的絕緣性粒子。 於、、’邑緣!·生接著劑層％含有絕緣性粒子的情形時，相對 於總質量為100質量份的接著劑組成物如而言，絕緣性粒 子的調配量較佳為60質量份以下，更佳為40質量份以下。 若絕緣性粒子的調配量超過6〇質量份，則存在成膜性及導 電粒子5對於電極的密著力下降的傾向。 導電性接著劑層3b的厚度較佳為3柳〜12哗，更佳 為5 μπι〜10 μΓη。又，絕緣性接著劑層％的厚度較佳為 12 _〜20 _，更佳為14 _〜16㈣。由於各層具有如上 所j的厚度，因此’可使作業性、導電粒子捕捉性及連接 可罪性保持良好。 而且，電路連接用接著膜1G的厚度較佳為lGjiim〜40 μπι。若該厚度不足1G，，則存在如下的傾向，即，益法 ^地將被黏接體之間的空間予以填埋，接著力會下^， 若上述厚度超過40 μιη，則存在如下的傾向，即^ 壓接時，樹脂會溢出，從而污染周邊零件。 、 ^與導電性接著劑層3b相關的包含接著劑組成物牝 及f電粒子5騎合物、與絕緣性接著· 3“目 ，著劑組成物4a的混合物分別溶解或分散於有機溶劑來 貫現液狀化，調製出塗佈液，將該塗佈液例如塗佈於剝離
S 22 201211179 材（支持膜）上，以固化劑的活性溫度以下的严庚也 :/合劑予以除去，藉此，可形成導電性 ς续 性接著劑層3a。 f⑽3b及絕緣 盆他2形成導電性接著劑層3b及絕緣性接著劑層3a的 可列舉如下的方法，#’分別對導電性接著劑 i性之彳Γ緣性接著劑層的構成成分進行加熱以確保流 :添加溶劑來賴佈液’將該塗佈液塗佈於剝 以除^ 以固化劑的活性溫度以下的溫度來將溶劑予 提古接著劑組成物如及接著劑組成物4b的溶解性 = 點，此時使用的溶劑較佳為芳香族烴系溶劑與含 聚對為剝離性基材’例如可列舉 PET)、取μ ^ 巧性的I^乙婦'以及聚醋等的具有耐熱性及耐溶 iET膜^ 。尤佳使祕表面處理而具有脫模性的 足生:Γ旱度較佳為20_〜75_。若該厚度不 以進行摔作:傾向’，於進行臨時壓接時難 == 剝離性基材之間產生捲繞= 員向 述方切Γ㈣ί用接著膜10的製法，例如可採用對以上 ίίίΓ 接著劑層4b及絕緣性接著劑紗進 等的眾所ΓΓΓπΓ方法、或依序對各層進行塗佈的方法 23 20121117¾ ”態的電路連接用接著膜可 (〇nP〇nGlass ’ C〇G)等 $ 石更的^反與半導體元件予以接合的異向===比車父 例如，可於使電路連接 體元件等的電路構件之間㈣能_^，|於玻瑪基板及+導 者所具有的電路電極彼此二;力=加壓，將兩 其招㈣以η, 電連接。此處，當使用有 土板的尽度為G_3 mm以下的電路構 為問題，尤其於此種愔㈣叮士干T勉曲尤其會成 的電路連接用接著膜。7，有效果地使用本實施形態 ^即^可將如下的接著顧於電路連接用途，該接著 爲二：^接著触成物及導電粒子的導電性接著劑 層、>、含有接著劑組成物且不 劑層，導㈣^ 料絲子的絕緣性接著 =料/ 所含的接著劑組成物包含“)成 俨 （）¥氧樹脂、（c)潛伏性固化劑及⑷ jiirxT_緣性微粒子，相對於導紐接著劑層 中斤3的接者劑組成物的總質41〇〇質量份而古，二 微粒子的調配量為1〇質量 °'' 用途是於使第i電路雷㈣V,f 上述電路連接 下，將在广第電路電極相對向的狀態 ::在厗度為0.3 mm以下的第i電路基板的主面上形 成有第〗電路電極的第丨電路構件、與在厚度為Μ職 以下的第2電路基板駐面上形成有第2電路電極 電路構件予以電性連接。 再者，當使用有基板的厚度進而為〇2 mm以下的電 路構件時，翹曲的問題更顯著。可使用本實施形態的電路
S 24 201211179 膜的電路基板的厚度的下限只要可維持各自的 機械性強度’則無問題，該下限較佳為0.05聰以上，更 佳為0.08 mm以上。 通常’於玻璃基板或半導體元件等的電路構件中設置 有多個（有時亦可為單數）電路電極。相對向地對設置於 相對向地配置的電路構件的電路電極的至少—部分進行配 置，於使電路連接㈣麵介於相對向地配置的電路電極 之間的狀態下進行加熱及加壓，藉此，可將相對向地配置 的電路電極彼料以電性連接而獲得電路連接構造體。 β如此’藉由對相對向地配置的電路構件進行加熱及加 [相對向地配置的電路電極彼此藉由經由導電粒子的接 觸及直接接觸中的-雜觸方式或兩種_方式而電性 接。 <電路連接構造體> 圖2是表示於一對電路構件即基板丨與半導體元件2 之間插入有本實施形態的電路連接用接著膜1〇的積層體 2〇〇的模式剖面圖，圖3是表示對圖2所示的積層體曰2〇〇 進行加熱及加壓而獲得的本實施形態的電路連 1〇〇的模式剖面圖。 圖3所示的電路連接構造體1〇〇包括：於玻璃基板以 (第1電路基板）的主面上形成有配線圖案（p齡心ib (第1電路電極）的基板i (第！電路構件）、於積體電路 (Integrated Circuit，1C )晶片（chip ) 2a (第 2 電路基板） 的主面上形成有凸塊（bump)電極2b (第2電路電極）的 25 201211179r 半導體元件2 (第2電路構件）、以及介於基板丨及半導體 元件2之間的電路連接用接著膜10的固化物6a及固化物 6b (連接部）。於電路連接構造體100中，配線圖案化及 凸塊電極2b於相對向地配置的狀態下電性連接。 此處，配線圖案lb較佳為由透明導電性材料形成。典 型而言’將銦-錫氧化物（Indium Tin Oxide ’ ITO )用作透 明導電性材料。又，凸塊電極2b由具有可作為電極而發揮 功能的程度的導電性的材料（較佳為選自包含金、銀、錫、 鉑族的金屬及ITO的群組的至少一種材料）形成。 於黾峪逑接構造體 V , « 丨” 口J W、J 〇 现淨;極 線圖案lb彼此經由導電粒子5而電性連接。亦即 = 3 = 配線圖案1b均直接發生接觸，藉1 f龙電極2b及配線圖案lb予以電性連接。 接著膜:電:固=:10°而言’由於藉由電路細 件2予以接合因物此固化物他來將基板1與半怖 以下）時，亦=，即便當電路構件的厚度薄（0.3 im: 的連接可靠性°。刀地抑制基板1的㈣’且可獲得優| 製造。亦即，可辞由，接構造體刚可經由如下的步驟身 構造體_，該襄:ί:下的製造方法來製造上述電路連接 的電路連接用接‘八法包括如下的，驟：使本實施形態 體，該-對電路構件、^於—對電路構件之間而獲得積層 板h (第〗電料^括在厚度為α3咖以下的玻璃基 土的主面上形成有配線圖案】b (第1
S 26 201211179 電路電極）的基板i (苐丄電路構件）、及在 以下的1C晶片2a (第2雷路其缸、认七工為〇.3mm 電極2b(第2電路電極）的主、 上形成有凸塊 以及對積層體進行加二半;2電略構件); 化，藉此來形成連接部=二電=接著膜固 ^以餘料疏 塊電極2b (第2雷政& 电塔冤極）與凸 構件彼此予：著電路電極)電性連接的方式，將1電路 <電路構件的連接方法> 配線的方法錢得f料接構造體_，即，於 配綠圖案比及凸塊電極2h P ^ 玻璃基板la /對向置的狀態下，對在 曰# ? 、 开)成有配線圖案ib的基板1、t j 2a的主面上形成有凸塊電 :在〒 進行加熱及二=二=4的電路連接用接著膜】〇 連接。 …己線圖案1b及凸塊電極2b予以電性 即，在以如下的方式形成的積層體200， 於基板11㉟= 基材上的魏連翻接賴10貼合 膜】〇進行臨時上、，仃加熱及加塵’對電路連接用接著 準電路•極，^接，將剝離性基材予以_，接著一面對 後進行力:敎及一^將半導體元件2放置於該電路電極，然 _電路連翻接著膜料的接著劑組成物 4a及接 27 201211179 著劑組成物4b的固化性等，適當地調製對上述積層體2〇〇 進行加熱及加壓的條件，使得電路連接用接著膜1〇固化之 後獲得充分的接著強度。 根據使用有本實施形態的電路連接用接著膜的電路構 件的連接方法，即便當電路構件的厚度薄（〇 3mm以下） 時，亦可抑制電路構件的翹曲，且可獲得良好的連接可靠 性。 [實例] 以下，列舉實例來更具體地對本發明進行說明。然而， 本發明並不限定於這些實例。 (1)電路連接用接著膜的準備 如下所述’準備用以製作導電性接著劑層及絕緣性接 著劑層的各材料。又，稱量出約10 mg的成膜材料，利用 TA Instruments公司製造的DSC裝置（產品名·· qi〇〇〇) 且依據JIS K7121-1987的規定來對成膜材料的Tg進行測 定。 (a) 成分：成膜材料 「FX-316」（東都化成（Tohto Kasei)製造，產品名广 苯氧基樹脂（Tg : 66°C) (b) 成分：環氧樹脂 「EXA-4850-150」（DIC 製造，產品名） 「YL-980」（日本環氧樹脂（JaPan EP〇xy Resins)製 造’產品名） (c) :潛伏性固化劑
S 28 201211179 ^μ/1Ι 「Novacure」（旭化成化學（Asahi Kasei Chemicals) 製造，產品名） (d):平均粒徑為1 μιη以下的絕緣性微粒子 「Χ-52-7030」（信越石夕利光（Shin-Etsu Slicone )製 造，產品名）：平均粒徑為0.8 μιη 「ΒΤΑ751」（羅門哈斯（R〇hm and Haas )製造，產品 名）：平均粒徑為0.2 μιη〜0.3 μιη 「EXL-2655」（羅門哈斯製造，產品名）：平均粒徑為 0.2 μπι〜0.3 μιη (d) ' : (d)成分以外的絕緣性粒子 「KMP605」（信越矽利光製造，產品名）：平均粒徑 為 2 μπι 「ΚΜΡ701」（信越矽利光製造，產品名）：平均粒徑 為 3.5 μιη (導電粒子） 「Micropearl AU」（積水化學製造，產品名） (添加劑） 「SH6040」（東麗道康寧（Toray Dow Corning)製造， 產品名）.碎院偶合劑 (實例1) <導電性接著劑層> 將30質量份的苯氧基樹脂「fx_316」、分別為10質 量份的環氧樹脂「EXA-4850-150」及「YL-980」、20質量 份的潛伏性固化劑「Novacure」以及1質量份的石夕烧偶合 29 201211179 劑「SH6040」溶解於100質量份的曱苯之後，添加1〇質 量份的絕緣性微粒子「X-52-7030」及19質量份的導電粒 子「Micropearl Αϋ」，調製出導電性接著劑層形成用塗佈 液。 使用塗佈裝置（（股）康井精機公司製造，產品名：精 密塗佈機）來將上述塗佈液塗佈於單面（塗佈有塗佈液的 面）已被施以脫模處理（中剝離處理）的厚度為5〇卜111的 PET膜，以70 C來進行10分鐘的熱風乾燥，藉此，於ρΕΤ 膜上形成厚度為1〇 μιη的導電性接著劑層。 <絕緣性接著劑層> ^將50質量份的苯氧基樹脂「FX-316」、28質量份的環 軋樹脂「YL-980」、18質量份的潛伏性固化劑「N〇va_」 及1質量份的石夕烧偶合劑「SH6_」簡於刚質量 的甲苯之後’添加3質量份的絕緣性微粒子 …」，5周製出絕緣性接著劑層形成用塗佈液。 造，使用塗佈裳置（（股）康井精機公司製 被施以脫模處理的厚^ 城土佈於早面已 m，νλ 10〇c^ 的絕緣性接著舰，於PET膜上形麟度為 〈電路連接用接著膜〉 緣性接著劑層m上述所獲得的導電性接著劑層與絕 她r)來進行層^用輕層愿機（_er 又仵厚度為25 μιη的電路連接用
S 30 201211179r 接著膜。 (實例2〜實例5及比較例1〜比較例4) 以表2所示的調配比例（質量份）來添加各 製出導電性接著劑層形成用塗佈液，除此以外，们 同樣地進行操作來製作電路連接用接著膜。/、、 [表 2] ' 成分 ί丨J層 絕緣性接著劑 層 比較例 (a) "FX-316~ 1 30 2 3 30 4 ?0 5 l〇 1 30 2 3 4 (b) EXA-4850-150 YL-980 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 10 10 *-) u 10 1 Λ 30 15 30 15 50 (c) Novacure 20 20 20 20 10 20 1U 20 10 20 10 20 28 18 ⑷ X-52-7030 JO 10 - - - - - BTA751 - - 3 EXL-2655 10 - - — • —----- - 30 - - - - _ •, - 50 - - - • - - - - - 55 • . - - - - - - ⑷’ KMP605 - - - - - 10 — KMP701 - - - - • 10 - - - Micropearl AU 19 19 19 19 19 19 19' 19 19 SH6040 1 1 一 1 1 1 1 1 1 1 1 (2)電路連接構造體的製作 <基板及半導體元件的準備> 準備於玻璃基板（康寧（Corning) #1737，38 mmx28 mm 居度為 0.3 mm)的表面形成有 ιτ〇(τίη 〇xide) 的配線圖案（圖案寬度為50 μηι，電極之間的空間為5 μιη) 的基板。準備1C晶片（外形為17nim><17mm，厚度為0.3 mm，凸塊的大小為5〇 μηιχ5〇 μιη，凸塊之間的空間為5〇 31 201211179 . μπι，凸塊咼度马 , '-V I -^r ^JL /u IT ° <基板及半導體元件的連接〉 使用上述實例及比較例中所製作的電路連接用接著 膜’以如下所7F的方式來將IC晶片與玻璃基板予以連接。 再者將由包含陶:是加熱器（ceramicheater)的平台（啊e) (150 mmxl50 mm)万 τ 目 r、 件用於連接。）及工具（3咖心―構成的加熱 度電極面積換算壓力為7〇 ·最a 緣性接著劑層貝占附曰矛少的加熱及加璧，將絕 曰曰片與玻躲板進行主連接。 *者膜來對 (3)評價 (成膜性） 贿對已製作的電路連接_著_< 膜不ii:不 表示於表3中。裂、不易黏連。將成膜性的評價結果 A:可形成膜
S 32 2012111¾ B :無法形成膜 (龜曲） - 圖4是表示玻璃基板的翹曲的評價方法的模式刊面 圖。圖4所示的電路連接構造體⑽是由基板卜^ 元件2及將基板丨與半導體元件2付接合的已固化 路連接用接著膜1G構成4表示當將半導體元件2的中心 的基板1的下表_高度設為〇時，直续半導體 2中心相隔12.5 _處為止的基板i的下表面的高度中的 ，大值。以L為指標來脑錢行評價。L的值越小 表不纽曲越小。將L的值不足15 _的情料為「A」，將 ^值2，以上的情形設為4」，以兩個階段來進行 。將翹曲的評價結果表示於表3中。
曰片接構造體的製作過財的玻魅板及1C =的順序’❹上述實例及味_製作的電路連接用: 接2接合體。對所獲得的接合體_ 進仃砰彳貝之後，接合體的翹曲均不足15 μιη。 (連接可靠性） 半導路連接構造11來對破璃基板的電路與 卞導肢讀的電極之_電阻值進行顺。使 1Π5ΤΓ s1MLR215 ETAC ^51 ^} ^ 度马85C，濕度為85%RH的l〇00 |喊“. (Thermal Humidity Test，THT )之後進二、，、’、、、濕度測試
測試之後的電阻值且依據以下的基於THT 黍+从A或B該兩個階 33 2〇l2lii79 進行評價。將各電路連接構造體的測定 Α :不足10Ω Β : 10 Ω以上 [表3]
限定已以較佳實施例揭露如上，財並非用以 範圍*可作些許之更動與㈣，因此本發明之保ί ，，視後附之申請專利範圍所界定者為準。 L圖式簡單說明】 膜的本發明的一個實施形態的電路連接用接著 電心有本實施形態的
S 34 201211179t 圖3是表示本實施形態的電路連接構造體的模式剖面 圖。 圖4是表示玻璃基板的翹曲的評價方法的模式剖面 圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板 1 a .玻璃基板 lb :配線圖案 2:半導體元件 2a : 1C晶片 2b .凸塊電極 3a :絕緣性接著劑層 3b :導電性接著劑層 4a、4b :接著劑組成物 5:導電粒子 6a、6b :固化物 10 :電路連接用接著膜 100 :電路連接構造體 200 :積層體 L:高度的最大值 35

Claims (1)

  1. 201211179 七 *申請專利範圍： L 一種電路連接用接著膜，包括： 及 導電性接著劑層，含有接著劑組成物及 導電粒子；以 子 絕緣性接著劑層，含有接著劑組成物且不含有導電粒 平均粒徑為丨錄㈣劑及⑷ 相對於上述導電性接著劑層中所 的總質量100質量份而+， 、妾者Μ組成物 份〜5Λ=θ上桃錄錄子的調配量為 件予以電性連接，其中上述第！電^構件4在牛心第2電路構 以下的第1電路基板的主面上形成有上述ς為0.3 _ 上述第2電路構件在厚度為Μ _以 電路電極， 的主面上形成有上述第2電路電極。 2電路基板 2, 一種電路連接構造體，包括： 第1電路構件’在厚度為0,3 _以 板的主面上形成有第1電路電極； 』弟1電路基 第2電路構件，在厚度為〇3 _以下 板的主面上形成有第2電路電極，且上述；弟2電路基 置為與上述第1電路電極相對向，。電略電極配 返第2電略電極與上 Ο 36 201211179. 述第1電路電極電性連接；以及 之間 連接部，介於上述第i電路構件與上述第2電路構件 上述連接部為如申請專利範圍第 用接著膜的固化物。 $财之電路連接 驟：3. -種電路連接構造體的製造方法’包括如下的步 使如申請專利範圍第i項所述 於-對電路構件之間而獲得積層體，上述一== 度為〇.3 _以下的第1電路基板的主面上形成|第^ J 路電極，上述第2電路構件在厚产為〇 、 電 電路基板的主面上形成有第2電^電極.；:以下的第2 對上述積層體進行加熱及加壓上 =:之r來形成連接部’上述連接部== 2述第2電路電極電性連接的方式，將上述—2電:構 件彼此予以接著。 耵冤路構 4. 一種電路構件的連接方法，包括： 錢第丨電路電極與第2 極 f二f第1電路構件、第2電路構件以及配置於= 1電路構件及上述第2電路構件 二 :所述之電路連接用接著膜進行加熱及加壓'將二圍第第； 電路電極與上述第2電路電極予以電性連接，第1 37 20121117¾ 電路構件在厚度為Q 3 mm 形成有上述第丨㈣㈣L W電路基板的主面上 罘1電路電極，上述第2電路構件在厚卢A 随以下的第2電路基板的主苒午=度為〇·3 極。 4汉耵王甶上形成有上述第2電路電 括：5.—種接著膜的用於電路連接的使用，上述接著膜包 及 子 導電f生接著劑層，含有接著劑組成物及導電粒子丨以 彖随接著』層，含有接著劑組成物且不含有導電粒 ⑽ίϊ導電性ί著劑層中所含的接著劑組成物包含U) ;、、b)環氧樹脂、（C)潛伏性固化劑及⑷平 粒仏為1 μιη以下的絕緣性微粒子， 十 的總中所含有的接著劑組成物 1〇質量份〜5Gf量份，。 性雜子_配量為 上述接著膜的用於電路連接的使用是在使第 極及第2電路f極麵向的㈣下 第 =構件予以電性連接，其中上述第i電路構= 為0.3麵以下的第丨電路基板的主面 1 電路電極’上述第2電路構件在厚度為。3二= 電路基板的主面上形成有上述第2電路電極。的第2 S 38
TW100120187A 2010-06-14 2011-06-09 Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing thereof, and connecting method of circuit member TW201211179A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010135305 2010-06-14
JP2011111482A JP5206840B2 (ja) 2010-06-14 2011-05-18 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201211179A true TW201211179A (en) 2012-03-16

Family

ID=45777098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100120187A TW201211179A (en) 2010-06-14 2011-06-09 Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing thereof, and connecting method of circuit member

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP5206840B2 (zh)
KR (1) KR101380043B1 (zh)
TW (1) TW201211179A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015135878A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 デクセリアルズ株式会社 接続体、接続体の製造方法、接続方法、異方性導電接着剤
TW202307813A (zh) 2014-02-21 2023-02-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP2016072239A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、及び接続方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193883U (zh) * 1987-05-29 1988-12-14
JPH08148210A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材
JP3477367B2 (ja) * 1998-05-12 2003-12-10 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
JP2002256037A (ja) * 2001-02-27 2002-09-11 Kuraray Co Ltd コア・シェル構造重合体粒子および該粒子を含有するポリエチレンテレフタレート系樹脂組成物
JP2004018803A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4045945B2 (ja) * 2002-12-16 2008-02-13 日立化成工業株式会社 実装方法
JP2004277573A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Sony Chem Corp 接着剤及び電気装置
JP2006229124A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Canon Inc Ｉｃチップの接続方法および接続構造
JP4650456B2 (ja) * 2006-08-25 2011-03-16 日立化成工業株式会社 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法
KR101385391B1 (ko) * 2007-08-08 2014-04-14 히타치가세이가부시끼가이샤 접착제 조성물, 필름상 접착제 및 회로 부재의 접속 구조
KR101183317B1 (ko) * 2007-10-18 2012-09-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 회로 접속체
WO2010047374A1 (ja) * 2008-10-22 2010-04-29 日立化成工業株式会社 接着剤フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012023024A (ja) 2012-02-02
KR20130051463A (ko) 2013-05-20
JP2013110421A (ja) 2013-06-06
JP5206840B2 (ja) 2013-06-12
KR101380043B1 (ko) 2014-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI360386B (en) Electro-magnetic wave shielding adhesive sheet, pr
TWI321148B (zh)
TW201222568A (en) Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member
TW201028454A (en) Adhesive film
TW201142875A (en) Light-reflective, anisotropic, electroconductive adhesive, and light-emitting device
TW200908027A (en) Adhesive film, connecting method, and connected structure
TW200951201A (en) Circuit connection material, circuit member connection structure, and manufacturing method thereof
TW201035133A (en) Vinyl polymer powder, curable resin, composition and cured product
TW201000586A (en) Varnish for adhesive film, adhesive film for semiconductor device and semiconductor device using same
TW201241145A (en) Light-reflective anisotropic conductive adhesive and light-emitting device
TW201204801A (en) Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing method thereof, and connecting method of circuit member
TW200811262A (en) Adhesive sheet, and connecting structure for circuit member and semiconductor device which use the adhesive sheet
CN105017980A (zh) 各向异性导电膜的组成物、各向异性导电膜及半导体装置
TW201326336A (zh) 黏著劑組成物、黏著劑膜及電子構件
TW201030121A (en) Circuit connecting adhesive with anisotropic conductivity connecting method of circuit board and circuit connecting construction by using the adhesive
TW201211179A (en) Adhesion film for connecting circuit and usage thereof, circuit connection structure and manufacturing thereof, and connecting method of circuit member
TWI554162B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
CN102660201A (zh) 包括各向异性导电膜的光学元件
JPWO2008056773A1 (ja) 接着フィルム、並びに回路部材の接続構造及び接続方法
TWI452103B (zh) 電路連接用接著膜及其用途、電路連接構造體及其製造方法、以及電路構件的連接方法
CN102295893B (zh) 电路连接用粘接膜及用途、结构体及制造方法和连接方法
KR101313972B1 (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
KR101313939B1 (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
KR20110136734A (ko) 회로 접속용 접착 필름 및 그의 용도, 회로 접속 구조체 및 그의 제조 방법 및 회로 부재의 접속 방법
KR101447125B1 (ko) 이방성 도전 필름