201203643 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置之製造方法。 【先前技術】 顯示裝置雖有液晶顯示裝置或電漿顯示裝置等各種 裝置，惟在其中之一種裝置中，有使用有機EL(Electr〇 Luminescence，電致發光）元件作為像素之光源的顯示裝 置。 有L ^件係在顯示裝置中係整齊排列配置於基板 上也^上以條狀配置有用以晝分有機EL 二::八:二隔壁。換言之’在基板上係以條帶狀設有 :二於:數：對應之複數條凹壁。複數個有機EL元件仓 =7有將「凹部所延伸之方向」稱為列方向，及網 直之方向例如稱為行方向之情形^預定 有發顯示裝置中，為了表現出所預期的顏色，传# SI藉I::色及藍色中任-種光之3種有機^ 1有機 置於行方㈣實_色==冰重倾該順序配 置之=)發出紅色光之複數個有舰元件隔開預定間隔配 (ίί)發出綠色光之複數個有機Ε以件隔開預定間隔 322548 4 201203643 配置之列。 (ΠΙ)發出藍色光之複數個有機EL元件隔開預定間隔 配置之列。 有機EL元件之構成係包括一對電極、及設於該電極 間之複數個有機層。在有機EL元件中係設有至少一層發光 層作為複數層有機層。上述3種有機EL元件，係可藉由將 發出紅色、綠色及藍色任一種光之發光層，依據元件種類 形成來製作。此時，需依據有機EL元件之種類，在預定列 (凹部）形成發出預定顏色之發光層。例如形成發出紅色光 之發光層時，將包含成為發出紅色光之發光層之材料的墨 水（ink)，供給至用於形成該發光層之列（凹部），且進一步 將該墨水予以固化，藉此即可形成發出紅色光之發光層。 發出藍色或綠色光之發光層之形成方法亦相同。如此，將 3種發光層分別形成於預定列（凹部）時，需依形成各種發 光層之列（凹部）將各種墨水分開塗佈。 另一方面，對於發光色不太會造成影響的層，例如電 洞注入層及電洞傳輸層等，係可設置作為與3種所有有機 EL元件共通的層（以下有稱共通層之情形），而與有機EL 元件之發光色無關。在形成此種共通層時，不需依據預定 列（凹部）將包含成為共通層之材料的墨水予以分開塗佈。 因此，以例如旋塗（spi n coat)法方式將墨水塗佈於基板整 面，藉此亦可一次形成所有有機EL元件之共通層（參照例 如專利文獻1)。 (先前技術文獻） 5 322548 201203643 (專利文獻） 專利文獻1:日本特開2009-54522號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 形成共通層時若將墨水塗佈於基板整面，墨水不僅會 塗佈於分隔壁間（凹部），甚至會塗佈於分隔壁上。塗佈於 分隔壁上的墨水’大部分會隨著乾燥而流入於凹部，惟其 一部分亦會殘留於分隔壁上。因此會有將共通層形成於未 預期形成之分隔壁上之情形。 當連未預期之部位都形成有共通層時，形成於分隔壁 間（凹部）之共通層的膜厚’會有較預期之膜厚更薄之情形， 而且會有因為形成於分隔壁上之共通層導致在未預期的部 位產生電性導通，而產生電流洩漏的問題。 因此’為了解決上述問題，經檢討取代將墨水塗佈於 基板整面之方法’而藉由喷嘴塗佈（nozzle coat)法僅對相 鄰的刀隔壁間（凹部）供給墨水’以僅在分隔壁間（凹部）形 成共通層之方法後，發現此方法會產生以下的問題。 在噴嘴塗佈法中’係以所謂一筆劃方式將墨水供給至 狀。亦即’在從配置於基板上方之喷嘴喷出液
枉狀墨水之狀能T 啥面使喷嘴朝列方向往返移動，一面於 嗔嘴在返移動之折返 藉此將墨水供給至Μ使基板朝行方向僅移動一列量， 元件之區域，亦會朝5 Κ凹部）。喷嘴不僅在形成有機EL 分隔壁係設於將形^方向往返移動至超過該區域之處。 機EL元件之區域，惟由於於超過該 322548 6 201203643 區域之處並未設有分隔壁，因此在喷嘴塗佈法中，墨水會 塗佈至未設有分隔壁之區域。 塗佈於設有分隔壁之區域的墨水，其移動會受到凹部 的限制，而塗佈於未設有分隔壁之區域的墨水，亦即塗佈 於列方向之端部的墨水，其移動並無限制，因此會潤開於 基板上而與相鄰列的墨水相連，甚至有朝行方向相連的情 形。供給至分隔壁間（凹部）之墨水，於乾燥時會有一部分 被朝行方向相連之墨水吸引而移動之情形。結果，形成於 列方向之端部之有機EL元件之共通層的膜厚，相較於其他 有機EL元件之共通層，會有變薄之情形。此外，墨水雖不 致溢出相鄰的列，惟由於大量供給，因此供給至預定列的 墨水，會有在分隔壁上與供給至相鄰列之墨水相連之情 形，結果會有在分隔壁上形成共通層之情形。此時，會產 生與將墨水塗佈於基板整面之情形相同的問題。 因此，本發明之目的係在於提供一種具備複數個有機 EL元件之發光裝置之製造方法，該方法係使用將墨水塗佈 成液柱狀之方法，而可涵蓋複數個有機EL元件形成膜厚相 等的共通層。 [解決課題之手段] 本發明係關於一種具備複數個有機EL元件之發光裝 置之製造方法。在本發明之製造方法中，係在平面上於預 定的行方向隔開預定間隔，而設定有朝方向與前述行方向 不同之列方向延伸之複數個列，前述複數個有機EL元件係 在各前述列上於前述列方向隔開預定間隔而設置。前述複 7 322548 201203643 數個有機EL元件係分別包含一對電極、及設於該電極間且 與各有機EL元件共通而設之共通層所構成，且形成於不同 列之前述有機EL元件之前述共通層之膜厚係相等。 具備前述複數個有機EL元件之發光裝置之製造方法 係包含：形成一對電極中之一方電極的步驟；形成一對電 極中之另一方電極的步驟；及一面將包含成為共通層之材 料之液柱狀墨水供給至前述預定的列上，一面將墨水所供 給之位置朝前述列方向移動，藉此將預定列的共通層予以 塗佈成膜，而形成前述共通層的步驟。在形成前述共通層 之步驟中，係針對未形成有共通層之列，在前述行方向隔 開m列（記號「m」係表示自然數）間隔而將共通層塗佈成膜 的製程（process)進行（m+Ι)次。 在本發明之前述製造方法中，亦可將列方向每單位長 度之墨水之供給量依前述各製程調整，以使形成於不同列 之前述共通層的膜厚相等。 在本發明之前述製造方法中，列方向之每單位長度之 墨水的供給量亦可以使之後的製程較之前的製程為少。 在本發明之前述製造方法中，墨水之供給量的調整， 亦可藉由調整將墨水所供給之位置朝前述列方向移動時之 速度來進行。 在本發明之前述製造方法中，墨水之供給量的調整亦 可藉由調整墨水之每單位時間之供給量來進行。 在本發明之前述製造方法中，前述m係可為1。 此外，本發明係關於一種複數條薄膜之製造方法，在 8 322548 201203643 · . 前述製造方法中’係在預定的基板上於預定的行方向隔開 預疋間隔，設定有朝方向與前述行方向不同之列方向延伸 之複數個列，前述複數條薄膜係在各列分別形成，且彼此 膜厚相等。前述複數條薄膜之製造方法係包含：一面將含 有成為薄膜之材料之液柱狀的墨水供給至前述預定的列 ^，一面將供給墨水之位置朝前述列方向移動，藉此將預 疋列的薄膜予以塗佈成膜，而形成前述薄膜的步驟。在形 成前述薄膜之步驟中，係針對未形成有薄膜之列，在前述 行方向隔開m列（記號「m 现m」係表不自然數）間隔而將薄膜塗 佈成膜的製程進行（m+1)次。 [發明之功效] 在本^月中，係於行方向隔開爪列間隔而將共通層塗 ^成膜。此時，相較於不於行方向關間隔而將共通層塗 =成膜之情形’由於塗佈墨水之行方向的間隔變寬，因此 I防止在列方向之端部中墨水朝行方向相連。此外，由於 未對相鄰的列連續地塗佈墨水，因此可防止供給至預定列 ^墨水’在賴虹與供給至相鄰狀墨水相連。藉此， :使用將墨水塗佈成液柱狀之方法，涵蓋複數個有機此 几件而形成膜厚相等的共通層。 在本發明一實施形態之發光裝置之製造方法中，係在 二面上於預定行方向隔開預定間隔，料有朝方向與前述 仃方向不同之列方向延伸之複數個列。在此製造方法中， 各則述列上於前述列方向隔開預定間隔而設之複數個有 機EL π件係分別包含一對電極、及設於誘電極間且與各有 322548 9 201203643 機EL元件共通設置之共通層所構成。而形成於不同列之前 述有機EL元件之前述共通層之膜厚係相等。 具備前述複數個有機EL元件之發光裝置之製造方法 係包含：形成一對電極中之一方電極的步驟；形成一對電 極中之另一方電極的步驟；及一面將包含成為共通層之材 料之液柱狀的墨水供給至前述預定的列上，一面將墨水所 供給之位置朝前述列方向移動’藉此將預定列的共通層予 以塗佈成膜，而形成前述共通層的步驟。在形成此共通層 之步驟中，係針對未形成有共通層之列，在前述行方向隔 開m列（記號「m」係表示自然數）間隔而將共通層塗佈成膜 的製程（process)進行（m+Ι)次。 發光裝置係利用作為例如顯示裝置。在顯示裝置中， 主要有主動矩陣（active matrix)驅動型裝置、及被動矩陣 (passive matrix)驅動㈣置，惟在本實施形態中，係說 明主動矩陣驅動型之顯示裝置作為一個例子。 <發光裝置之構成> 首先說明發光裝置之椹士 ^1 實施形態之發光裝置！帛1圖係為示意性顯示本 發光裝置丄之剖面圖。發=第2圖係為示意性顯示 板2 ;複數個有機EL元=裝置1之構成為包括：支撑基 q v 件11，形成於該支撐基板2上；分 &壁3肖以如複數個 膜4，將各有機El元侏μ太騎11而5又置，及絕緣 在本實施形態 禮基板2上整齊排列/复數個有機EL元件11係分別在支
•己置成矩陣狀。亦即複數個有機EL 322548 10 201203643
το件11係分別於列方向χ隔開預定間隔，並且於行方向Y 隔開預定間隔而配置。在本實施形態中，列方向χ及行方 向Υ係彼此垂直，而且分別與支撐基板2之厚度方向ζ垂 直。 在本實施形態中，朝列方向χ延伸之複數條分隔壁3, 係設於支撐基板2上。此分隔壁3係設置成平面觀看為所 謂的條帶（stripe)狀。各分隔壁3係分別設於在行方向γ 相鄰之有機EL元件11之間。換言之，複數個有機乩元件 11係设於在行方向γ相鄰之分隔壁3之間，且在各分隔壁 3間’係於列方向χ隔開預定間隔配置。下文中，有將由 在行方向Y相鄰之-對分隔壁與支禮基板所規定之凹溝稱 為凹部5之情形，複數條凹部5係分別與預定的列對應。 在本實％形態中，係於支禮基板2與分隔壁3之間於 有將各有機EL元件11予以電性絕緣之格子狀絕緣膜^ 此絕緣膜4係由朝列方向X延伸之複數條板狀構件、、及 饤方向Y延伸之複數條板狀構件—體形成所構成。格子 絕緣膜4之開口 6在平面觀看時係形成於與有機虹元件 11重疊之位置。絕緣膜4之開口 6在平面觀看時係形成為 .㈣（QVal gQld)形、大致圓形、大致橢圓形及大致矩 形等。前述分隔壁3係設於朝構成絕緣膜4之—部分之列 方向X延伸之構件上。此絕_ 4係依其目的及視需要所 設。例如絕緣膜4係為了確保列方向X之有機EL元件之電 性絕緣而設置。 有機EL元件11之構成為包含：一對電極、及設於該 322548 201203643 電極間之1層以上的發光層。在本實施形態中，與各有機 EL元件11共通地設置之共通層，係設於一對電極間。在 此共通層中，係有例如與發光層不同之有機層、包含無機 物與有機物之層、及無機層等。具體而言，係設置所謂的 電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電 子傳輸層、及電子注入層等作為共通層。在第2圖中，係 顯示在一對電極12、13間設有1層共通層14與1層發光 層15之有機EL元件11作為一例。如後所述，有機虹元 件11係例如從支樓基板2侧依照相當於一對電極12、13 中之一方電極12之陽極、相當於共通層14之電洞注入層、 發光層15、相當於一對電極12、13中之另一方電極13之 陰極之順序疊層而構成。以下雖說明較發光層15更靠近一 方電極12配置共通層14之構成之有機EL元件，惟本發明 不限定於此構成，亦可較發光層15更靠近另一方電極13 配置共通層14，或亦可相對於發光層15在一方電極12 側、與另一方電極13侧兩方配置共通層14。 -對電極12、13係由陽極與陰極所構成。陽極及險 ，-方電極係作為一對電極12、13令之一方電極；; 罪近支揮基板2配置，而陽極及陰極中之另—方電極，係 作為-對電極12、13中之另一方電極13，較一方電極12 更綠開支揮基板2而配置。 由於本實施形態之發光裝置1係為主動矩陣型裝置， 匕方電極12係依母-有機EL元件Η❿個別設置。例 方電極12係為板狀，在平面觀看時形成為大致矩形 12 322548 201203643 狀。-方電極12係與設有各有機EL元件之位置對岸而呈 矩陣狀設於支樓基板2上，且分別於列方向χ隔開預 隔，並且於行方…隔開預定間隔而配置。亦即一方電極 12在平面觀看下係設於行方向γ相鄰之分隔壁3之間，而 在各分隔壁3間，於列方向X隔開預定間隔而配置。日’ 前述設成格子狀之絕緣膜4，在平面觀看時，主要形 成於-方電極12以外的區域，且其一部分係覆蓋一方電極 12周緣而形成。換言之，在絕緣膜4係於—方電極u上 形成有開口 6。藉由此開口 6，使—方電極12之表面㈣ 緣膜4露出。前述複數條分，3，係設於朝構成 之一部分之列方向X延伸之複數條板狀構件上 、 共通層U係在由分隔壁3所包 延伸配置中P，共通層14係於在行方向γ由相鄰之分隔 壁3所界疋之凹部5形絲板狀。共通層14_分別形成 為複數個列’惟在本實施形態巾係形成為所有狀膜厚為 相等。亦即，係、以使形成於不同列之前述共通層之膜厚成 為相專之方式形成共通層14。 發光層15係與共通層14相同，在由分隔壁3所包失 之區域朝列方向X延伸而配置。亦即發光層15係於在行方 向Υ由相鄰之分隔壁3所界定之凹部5形成為板狀。在本 實施形態中，發光層15係疊層設於共通層14上。 以彩色顯示裝置之情形而言，係需如上所述將發出例 如紅色、綠色及藍色任一種光之3種有機EL元件設於支撐 基板2上。具體而言，係依（I)發出紅色光之複數個有機 322548 13 201203643 EL元件隔開預定間隔而配置之列、（II)發出綠色光之複數 個有機el元件隔開預定間隔而配置之列、（ΙΠ)發出藍色 光之複數個有機EL元件隔開預定間隔而配置之列之順序 在行方向Y重複配置’藉此即可實現彩色顯示裝置用之發 光裝置。 在本實施形態中’係藉由使發光層種類不同之方式來 製作發出紅色、綠色及藍色任一種光之3種有機EL元件。 因此’依照（i)設有發出紅色光之發光層的列、（ii)設有發 出綠色光之發光層的列、（iii)設有發出藍色光之發光層的 列之3種列之順序，重複配置於行方向γ。亦即發出紅色 光之發光層、發出綠色光之發光層、及發出藍色光之發光 層’係依序疊層於共通層上而呈分別在行方向γ隔開2列 間隔且朝列方向X延伸之板狀層。 一對電極12、13中之另一方電極13係設於發光層15 上。在本實施形態中，另一方電極13係跨越複數個有機 EL元件而連續形成，且作為共通的電極而設於複數個有機 EL兀件ii。亦即，另一方電極13不僅形成在發光層15 上，亦形成於分隔壁3上，且形成於全面以使發光層15 上之電極與分隔壁3上之電極相連。 <發光裝置之製造方法> 接著說明顯示裝置之製造方法。 首先準備支撐基板2。以主動矩陣型顯示裝置之情形 而言’係可使用預先形成有將複數個有機EL元件丨丨予以 個別驅動之驅動電路的基板作為該支撐基板2。可使用例 322548 14 201203643 如TFT(Thin Film Transist〇i·，薄膜電晶體）基板作為支 樓基板。 (將-對電極中之—方電㈣成於切基板上之步驟） 接下來，在準備好的支撐基板2上，形成複數個一方 電極12成矩喊。—方電極12係藉由在例如支樓基板2 上全面形成導電性薄膜’再使用光微影（ph〇t〇丨i th〇graphy) 法將該導電性薄獏圖案化成矩陣狀來形成。此外，亦可將 與要形成-方電極12之圖案對應之部位形成有開口之遮 罩予以配置於支樓基板2上，再透過此遮罩將導電性材料 選擇性地堆積於支撐基板2上之預定部位，藉此將一方電 極12予以圖案形成。關於一方電極12之材料將於後陳述。 在本步驟中亦可準備預先形成有—方電極的支撐基板。 接著在本實施形態中係將絕緣膜4形成於支撑基板2 上成格子狀。絕緣膜4係由有機物或無機物所構成。以構 成”、邑緣，4之有機物而言’係有例如丙稀酸系（縱丫lic) 樹脂、笨紛（phenol)樹脂、及聚醯亞胺（p〇lyimide)樹脂等 樹脂。此外，以構成絕緣膜之無機物而言，可列舉如Si〇2、 SiN 等0 形成由有機物所構成之絕緣膜時，首先將例如正 (positive)型或負（nega1：ive)型感光性樹脂予以全面蜜 2 預疋部位於以曝光、顯影。藉由將此經曝光、顯 緣旨予以硬化，以形成在預定部⑽成有開口 ’、、、。以感光性樹脂而言，係可使用光阻劑 Ph S1St)。形成由無機物所構成之絕緣膜時，係藉由 322548 15 201203643 電漿CVD(化學氣相沉積）法錢鍍料將由錢物所 之薄膜予以全面形成。接著，在狀部位形成開口 6，$ 此形成絕緣膜4。開口 6係例如藉由光微影法來形成^ 由形成此開口 6而使一方電極12之表面露出。 场 接著在本實施形態中，係將複數條條帶狀分隔壁3形 成於絕_4上。分隨3係使關如作核緣膜材制 例不之材料’且以與形成絕緣膜4之方法同樣地形成為條 帶狀。 分隔壁3及絕緣膜4之形狀、以及該等配置，係依像 素數及解析度等之顯示裝置之規格、以及製造容易性等而 適當設定。例如分隔壁3之行方向Y之厚度L1係為10/zra 至l〇〇ym左右，而分隔壁3之高度L2係為〇 5/^至 左右’在行方向Y相鄰之分隔壁3間之間隔L3，亦即凹部 5之行方向Y之寬度L3，係為50/zra至30〇Um左右。形成 於絕緣膜4之開口 6之列方向X及行方向γ之寬度，係分 別為50心至300 //m左右。 (幵>成共通層之步驟） 接著，在本實施形態中，係於一方電極12上形成共 通層14。在本步驟中，係將包含成為共通層14之材料之 液柱狀墨水一面供給至前述預定列上，一面將墨水所供給 之位置朝前述列方向移動，藉此將預定列之共通層予以塗 佈成膜，而形成前述共通層14。亦即，藉由所謂的嗔嘴塗 佈法而形成共通層14。在本實施形態中，係藉由例如喷嘴 塗佈法將包含成為電洞注人層之材料之墨水，以形成於不 322548 16 201203643 同列之前述共通層14之膜厚相等之方式形成共通層14。 更具體而言，係針對未形成共通層14之列，在前述行方向 隔開m列（記號「m」係表示自然數）間隔而將共通層14塗 佈成膜之製程進行（m+1)次，藉此而形成各列的共通層 14。 m只要是自然數，並不限定於「1」，惟以下係針對m=l 之情形一面參照第3、4圖一面具體說明。M=1時，係將隔 開1列間隔而將共通層塗佈成膜之製程進行2次，藉以在 所有的列形成共通層14。換言之，係區分為偶數列與奇數 列將共通層14予以塗佈成膜。 在喷嘴塗佈法中，係以所謂的一筆劃方式將墨水供給 至各列（凹部）。由於在本實施形態中係為m=l，因此隔開1 列間隔，以所謂一筆劃之方式，將墨水供給至各列（凹部）， 分成2次製程將墨水供給至偶數列、奇數列。亦即，在從 配置於支撐基板2上方之喷嘴喷出液柱狀墨水之狀態下， 一面使喷嘴朝列方向X往返移動，一面於喷嘴往返移動之 折返時，使基板朝行方向僅移動2列量，藉此隔開1列間 隔來供給墨水。具體而言，係在從喷嘴喷出液柱狀墨水之 狀態下，依照：（1)在預定列上，使喷嘴從列方向X之一端 朝向另一端移動（往路徑）、（2)使支撐基板2朝行方向Y 僅移動2列量（折返）、（3)在預定列上，使喷嘴從列方向X 之另一端朝向一端移動（返路徑）、（4)使支撐基板2朝行方 向Y僅移動2列量（折返）之動作順序反覆上述（1)至（4)， 藉此隔開1列間隔來供給墨水。 17 322548 201203643 在第1次製程中，係在第1圖所示基板上，將墨水塗 佈於偶數列。第3、4圖係為顯示剛進行第1次製程後之狀 態之示意圖。在第3圖中，係對塗佈有墨水之區域施加上 陰影（hatching)。如第4圖所示，以與列方向X垂直之平 面切開之塗佈液之剖面雖係成為圓頂（dome)狀，惟由於在 相鄰的列（奇數列）未塗佈有墨水，因此在分隔壁3上，供 給至偶數列之墨水不會與相鄰列（奇數列）之墨水相連。此 外，與每一列塗佈墨水之情形相較，由於塗佈墨水之行方 向Y之間隔變寬，因此可防止墨水在列方向之端部中相連。 在第2次製程中，係在第1圖所示基板上，將墨水塗 佈於奇數列。在第2次製程中，係針對未形成有共通層14 之列，與第1次製程相同，以所謂一筆劃之方式將墨水供 給至各列（凹部）。亦即將墨水供給至在第1次製程中未塗 佈之奇數列。第5、6圖係為顯示剛進行第2次製程之後之 狀態之示意圖。如第5圖所示，進行2次隔開1列間隔將 共通層14塗佈成膜之製程，藉此將墨水塗佈於所有列。在 第5圖中，係對於在第2次製程中所塗佈之墨水亦施加上 陰影，而在第1次製程中所塗佈之墨水、與第2次製程中 所塗佈之墨水，係使陰影之斜線之傾斜不同。 如第6圖所示，在進行第2次製程時，於第1次製程 中所塗佈之墨水會退避於凹部5内。此係由於墨水會隨時 間蒸發其溶媒，且由於一部分乾燥而使體積收縮，而塗佈 於分隔壁上之墨水隨著體積的收縮而移動於凹部5内之 故。如此，在進行第2次製程時，由於在第1次製程中所 18 322548 201203643 塗佈之墨水不存在於分隔壁3上，因此即使在第2次製。 中墨水都塗佈於分隔壁上，亦可避免該分隔壁3上之黑= 與相鄰列之墨水相連。如此即不會與相鄰列之墨水相連， 只要是分離狀態，職佈於分隔壁3上之墨水就會隨著冰 媒之蒸發而收縮，不會被相_墨水牽引而收容 = 間之凹溝，因此可防止在分隔壁3上形成中間屬：以 之情:η在第5圖中，與未隔開間隔而依每列供給墨水 看起來傻上 丨i师之墨水 前所诚，户向X之兩端部於行方向接近。然而，如 a a，在第2次製程中將塗佈液進行塗佈時，由 次製程中4 = Ϊ 働，因此不易受到第1 第2- 欠製佈列方向Χ之端部之墨水的影響。因此，在 程中，藉由隔開1列間隔塗佈墨水，與第1次製 程相同，由於夺德 塗佈墨水之行方向Υ之間隔變寬，因此可防 墨:在列方向X之端部相連。 固化Ί層14係可藉由將供給至分隔壁3間之墨水予以 行^、々形成。薄膜之固化係可例如藉由將溶媒去除來進 等來合，之去除係可藉由自然、乾燥、加熱乾燥及真空乾燥 合之。此外，使用含有得藉由施加光或熱等能源來聚 ▲料的墨水時，亦可藉由在印刷墨水之後施加光或熱 寻之月b量而將薄膜固化。 成膜如^所述，在行方向隔開m列間隔將共通層14塗佈 相連^此即可在塗佈墨水時，防止墨水在列方向之端部 以及在分隔壁3上與供給至包炎該分隔壁3而相鄰 322548 19 201203643 之列的墨水相連，藉此即可形成膜厚涵蓋複數個列均相等 之共通層14。在本實施形態中膜厚係指在一方電極12上 最薄部位的膜厚。所謂膜厚相等，係指使用發光裝置時不 會察覺到因膜厚相異所產生之明亮度差異程度的相等。具 體而言，係指以全列膜厚之相加平均為基準時，各共通層 之膜厚落在（膜厚之相加平均）x0. 8至（膜厚之相加平均）x 1. 2範圍内。 在本實施形態中雖已說明m=l之情形，惟如前所述並 不限於m=；l，只要是自然數，亦可為2以上。如此，即使m 為2以上，藉由在行方向隔開m列間隔供給墨水，亦可與 m為1之情形相同，防止墨水在方向之端部相連、及在分 隔壁上與供給至相鄰列之墨水相連，藉此，即可形成膜厚 涵蓋複數個列均相等之共通層14。 m雖係只要是自然數即可，惟該數以較小為佳，且以 1為最佳。此係由於為了將墨水塗佈於所有列，雖需（m + 1)次製程，惟m數愈小則製程數愈少，而使形成所有共通 層所需時間縮短之故。 在本實施形態中，雖已說明使用1個喷嘴塗佈墨水之 步驟，惟不限於1個，亦可使用複數個喷嘴來塗佈墨水。 此時，可在行方向隔開m列間隔配置複數個喷嘴，亦可在 喷嘴之列方向X之往返移動之折返時，以在行方向隔開m 列間隔塗佈墨水之方式，與喷嘴個數對應而使支撐基板2 朝行方向Y僅移動預定距離。 在本實施形態中，雖係以喷嘴塗佈法形成1層共通層 20 322548 201203643 14’惟於1個有機a元件設置複數個共通層時，亦可將具 有複數層共通層巾之至少丨層共通層藉由上述之噴嘴塗佈 法來形成，或料將魏層共通層藉由上狀喷 來形成。 、&上所述，藉由在行方向隔開m列間隔將共通層14 塗佈成膜’即可形成膜厚涵蓋複數列均相等之共通層14。 惟如以下實驗例所*，即使在所有製財供給㈣量的墨 :、會有八通層14之膜厚雖在相等範圍内仍會依呈而 =微不同之㈣。糾㈣時，會有在第丨次製程中所 =之共通層14之膜厚、與在第2次製財所形成之共通 二之膜厚，雖為在相等範_，但有些微不同之情形。 程之轉_異，可推_由於墨水乾燥之環境 製料同所引起。在例如第2次製財，係於^ ==:的環境下塗佈墨水，且於此種環境下乾 氣體m二。之墨水相較環境中之溶媒氣化之 耗時==’因此第2次供給之墨水難以乾燥，會有 耗呀乾燥之傾向。此你由於 壁3表面而減少其體積，惟二速„而沿著分隔 通層14的形狀纽變，而成為最賴形成之共 可推測乾燥速度對於膜厚會產生㈣。、或研磨砵狀。結果’ (實驗例） 曰 薄膜在有:作為—方電極12而由職構成之 作為條緣膜4而由Si〇2所構成之絕緣膜、及 作為條帶狀分㈣3心_亞贿脂 322548 201203643 基板上，形成由聚（3, 4-伸乙基二氧基噻吩） (poly(3, 4-ethylenedioxythiophene))/聚對苯乙稀確酸 (poly(styrenesulfonate))(PEDOT/PSS)所構成之電洞注 入層作為共通層14。以m=l而隔開1列間隔依序形成共通 層，且分成2次製程形成共通層於所有的列。使用將pED()T /PSS溶解35重量％於水之墨水來形成電洞注入層。在各 製程中，係分別將相同量的墨水塗佈於偶數列、奇數列。 從所形成之複數列之共通層中，選擇在行方向Y連續之7 個列，來測量該7個列之共通層的膜厚。在測量中係彳吏肖 觸針式膜厚計（KLA-Tencor公司製、P-16+)。結果顯示於 第1表。在第1表中，偶數列係表示在第1次製程中所形 成之共通層的膜厚，而奇數列係表示在第2次製程中所形 成之共通層的膜厚。另外，每隔一列塗佈墨水時，可確認、 到在分隔壁上相鄰之列不會形成相連的共通層，以及墨< 在列方向X之端部中不會在行方向Y相連。 [表1 ] 列編號 1 2 3 4 5 6 7 膜厚（nm) 53. 9 45. 9 51. 7 45. 0 54. 2 46. 1 57.0 如表1所示，儘管在偶數列及奇數列分別塗佈相同量 的墨水，惟以在第1次製程中所形成之共通層，較在第2 次製程中所形成之共通層，更觀察到膜厚變薄的傾向。 因此在本實施形態中，係以依照每個製程調整其列方 向之每單位長度之墨水供給量，以使形成於不同列之前述 22 322548 201203643 * 共通層之膜厚相等為佳。再者，墨水的供給量係以後製程 少於前製程為佳。 例如，在實驗例中，於偶數列及奇數列分別塗佈相同 量的墨水時，由於在第1次製程中所形成之共通層，可觀 察到膜厚較在第2次製程中所形成之共通層為薄之傾向， 因此為使共通層之膜厚在偶數列與奇數列更為相等，係以 將相當於後製程之第2次製程時所供給之墨水量設為少量 為佳。 墨水之供給量的調整係以藉由（1)調整墨水所供給之 位置朝前述列方向移動時之速度來進行、或（2)調整墨水之 每單位時間之供給量來進行為佳。 將墨水所供給之位置朝前述列方向移動時之速度加 以調整之情形中，由於可藉由調整喷嘴之列方向X之移動 速度來調整墨水的供給量，因此相較於調整墨水之每單位 時間之噴出量之情形，可高精確度地調整墨水的供給量。 由於噴嘴之列方向X之移動速度有所限制，因此藉由 調整噴嘴之列方向X之移動速度進行墨水供給量的調整雖 有極限，然而在該情形下，由於仍可藉由調整墨水之每單 位時間之噴出量來調整墨水的供給量，因此亦有藉由調整 =水之每單位時間之供給量來調整墨水之供給量為佳的情 (形成發光層之步驟） 如前所述地製作彩色顯示裝置時，為了製作3種有機 EL元件，例如發光層之材料需分開塗佈。例如依每列形成 322548 23 201203643 發出ΐ光層時，需分別在行方向Y隔開2行間隔塗佈含有 紅色光之材料的紅墨水、含有發出綠色光之材料的綠 將：累及含有發出藍色光之材料的藍墨水。例如，可藉由 、綠墨水、藍墨水依序塗佈於預定列來將各發光 ^歹^切。以將紅墨水、綠墨水、藍墨水依序塗佈於預 嘴參法而言，係有例如印刷法、喷墨（ink⑽法、喷 法i怖等預定的塗佈法。在形成例如前述之共通層14之方 〆中，亦可以m為2的倍數，以與形成共 同的方法來職發光層。 方法相 =形成發光層之後，視需要藉㈣定的方法來形成預 、有機層等。此等亦可使用印刷法、嘴墨法 (等將預_定的塗佈法，甚且可使用預定的乾式法來形:嘴㈣ 對+電極中之另一方電極形成於有機層上之步驟） 係將形成另—方電極。如前所述’在本實施形態中， 個有㈣方電極形成於支撐基板上整面。藉此即可將複數 有機el元件形成於基板上。 說明Ϊ二述杜在有機乩元件中係有各種層構成。以下 法之—例。牛之層構造、各層之構成、及各層之形成方 電極門之lt件之構成為包含：―對電極、及配置於該 為複數個有機層m層以上的發光層作 固W數個有機層。在陽極與陰極之間 2之::設:與發光層不同的有機層，甚且亦二 乂下雖將說明設於陽極與陰極之間的層，惟 322548 24 201203643 此等層中含有有機物的層係相當於有機層。以構成有機層 之有機物而言’係可為低分子化合物或高分子化合物 ^ 可為低分子化合物與高分子化合物之混合物，惟以高分子 化合物為佳’且以聚笨乙烯（polystyrene)換算之數平均八 子量為10至10之高分子化合物為佳。此係由於藉由塗佈 法形成有機層時’雖以對於溶媒之溶解性良好的有機物為 佳，惟一般係以高分子化合物對於溶媒之溶解性較良好之 故。 以設於陰極與發光層之間的層而言，係有例如電子注 入層、電子傳輸層、電洞阻擋層等。在陰極與發光層之間 设有電子注入層與電子傳輸層之兩方層之情形下，將接近 陰極的層稱為電子注入層、及將接近發光層的層稱為電子 傳輸層。以設於陽極與發光層之間之層而言，係有例如電 洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層等。在設有電洞注入 層與電洞傳輸層之兩方層的情形下，將接近陽極的層稱為 電洞注入層、及將接近發光層的層稱為電洞傳輸層。此等 設於陰極與發光層之間的層、及設於陽極與發光層之間的 層，係可共通設於所有有機EL元件作為共通層。此等共通 層之中，可藉由塗佈法形成之共通層，係以前述藉由塗佈 本發明之液柱狀墨水之方法來形成為佳。 以下顯示有機EL元件之元件構成之一例。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 c) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 322548 25 201203643 d) 陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/陰極 e) 陽極/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/電子 注入層/陰極 Ο陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 g) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/陰極 h) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極 i) 陽極/電洞傳輪層/發光層/電子傳輸層/電子 注入層/陰極 j) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極 k) 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子 注入層/陰極 1)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子 傳輸層/陰極 m)陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子 傳輸層/電子注入層/陰極 η)陽極/發光層/電子注入層/陰極 〇)陽極/發光層/電子傳輸層/陰極 Ρ)陽極/發光層/電子傳輸層/電子注入層//陰極 再者，有機EL元件可具有2層以上發光層，亦可構 成具有2層以上發光層，使產生電荷之電荷產生層爽置於 發光層間之所s胃多光子（j^ltiphoton)型元件。 步由密封用之密封膜或密封板 有機EL元件亦可進一 等密封構件所覆蓋。 本實施形態之有機此元件，為了進—步提升與電極 322548 26 201203643 之被接性及改善來自電極之電荷注入性，亦可與電極鄰接 地a又置膜厚2nm以下的絕緣層。此外，為了提升界面處的 费接性及防止混合等，亦可在前述之各層間插入薄的緩衝 (buffer)層。 關於要層疊之層的順序、層數、及各層的厚度，可考 量發光效率及元件壽命來適當設定。此外，有機el元件在 陽極及陰極中，可將陽極配置於靠近支樓基板、及將陰極 配置於從支撐基板離開之位置，或反之，將陰極配置於靠 近支撐基板、及將陽極配置於從支撐基板離開之位置。具 體而言，係可在在上述a)至p)之構成中，將各層從左侧的
層依序疊層於支樓基板，亦可反之將各層從右側的層依序 疊層於支撐基板。 S 接著，更具體說明構成有機EL元件之各層材料及形 成方法。 <支撐基板> 在支撐基板，係使用例如玻璃、塑膠、及石夕美板以 及疊層有此等材質者。此外，以將有機EL元件形：於支二 基板上之支麟板而言，亦可使㈣絲成有電 ' 牙。 <陽極> 土 從發光層發出之光通過陽極而射出之構成的有機乩 元件之情形中，係在陽極使用顯示光穿透性之電極。以顯 不光穿透性之電極而言，係可使用電傳導度高的金屬氧化 物、金屬硫化物及金屬等薄膜，且以使用光穿透率高者為 佳。具體而言，係使用由氧化銦、氧化辞、氧化錫了⑽ 322548 27 201203643 銦鋅氧化物（Indium Zinc Oxide :簡稱IZO)、金、鉑、銀、 及銅等所構成之薄膜。在此等之中，尤以使用由ΙΤΟ、ΙΖ0、 或氧化錫所構成之薄膜為佳。以陽極之製作方法而言，係 有例如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍膜（ionplating)法、 鐘覆法等。亦可使用聚苯胺（polyaniline)或其衍生物、聚 嗟吩（polythiophen)或其衍生物等之有機的透明導電膜。 在陽極中可使用會反射光之材料，以此種材料而言， 係以工作函數為3. OeV以上之金屬、金屬氧化物、金屬硫 化物為佳。 1¼極之膜厚係可考慮光之穿透性與電傳導度而適當 選擇，例如為l〇nm至10#m，較佳為20nm至，尤佳 為 50nm 至 500nm。 【實施方式】 <電洞注入層> 作為構成電洞注入層之電洞注入材料，可列舉如氧化 飢、氧化銦、氧化釕、以及氧化紹等氧化物；苯胺系、星 爆（StarbUrSt)型胺系、、酞菁（PhthalQCyanine)g、非晶形 碳（amorphous carbon)、聚苯胺、以及聚噻吩衍生物^曰/
Jit層之成膜方法，可列舉如由含有電洞注 之讀進狀賴。料由溶液成财所使用之溶 媒。、要可使電洞注入材料溶解則無特 J仿:4甲烧、二氯乙院等氣系溶媒;四氣咬二 命媒’甲本、二甲苯等芳香族烴系溶媒、甲基乙基 乙酸乙3旨、乙酸丁酷、乙基赛璐蘇乙酉旨 322548 28 201203643 (ethyl cellosolve acetate)等酯系溶媒；以及水。 作為由溶液成膜之方法’可列舉如旋塗法、洗鎮法、 微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、輥塗佈法、線棒 塗佈法、浸潰塗佈法、喷灑塗佈法、網版印刷法、柔版印 刷法（flexographic printing method)、膠版（0ff_set) 印刷法、噴墨印刷法、喷嘴塗佈法等塗佈法，電洞注入層 以藉由上述之喷嘴塗佈法形成者為佳。 電洞注入層之膜厚係可考慮電性特性或成膜之容易 性等來適當設定，例如為1 nm至1 /zm，較佳為2nm至 500nm，尤佳為 5nm 至 200nm。 <電洞輸送層> 作為構成電洞輸送層之電洞輸送材料，可列舉如聚乙 烯咔唑（polyvinyl carbazole)或其衍生物、聚石夕烷 (polysilane)或其衍生物、侧鏈或主鏈具有芳香族胺之繁 矽氧烷（polysiloxane)衍生物、吡唑啉（pyrazoline)衍生 物、芳胺（arylamine)衍生物、二苯乙烯（stilbene)衍生物、 二苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯（p〇lypyrr〇le)或其衍生物、 聚（對伸本基伸乙稀基）（P〇ly(p-phenylenevinylene))或 其衍生物、或是聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基） (P〇ly(2,5-thienylene vinylene))或其衍生物等。 此專中，電洞輸送材料係以聚乙烯味哇或其衍生物、 聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈具有芳香族胺化合物基之 聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、 29 322548 201203643 聚芳胺或其衍生物、聚（對 吩基伸乙心或其衍:物 二其衍生物、‘： 中使用為佳輸送材枓以分散於高分子結合劑（binder) 乍為電/同輸送層之成膜方法秋 低分子電洞輸送材料而言，可列二:寺別限制，但以 與電洞輸送材料之混合液而成膜：以心向分子結合劑 料而言，可列舉如由含有電容==送材 作為由溶液成臈中所成膜。 輸送材料溶解者則無特別㈣7之祕’只要能使電洞 成膜而製成電、、同、、主二声拉、1列如可使用作為在由溶液 作為！ 使用之溶液之溶媒所列示者。 之成膜法;I：二、文、、膜之方法’可列舉如與前述電洞注入層 之成膜法相同之塗佈法，雪 佈法所形成者為佳。门輸运層以藉由上述之喷嘴塗 产阻之高分子結合劑’以不會對電荷輸送造成極 0 二’此外’適合使崎可見光吸收弱者 ’例如 Ζ牛聚碳酸酉旨、聚兩烯酸酯、聚丙婦酸甲酉旨、聚甲基兩 烯酉夂甲酯、聚苯乙稀、聚氣乙稀、㈣氧烧等。 電洞輸送層之膜厚係可考慮電性特性或成膜之容易 性等來適當設定’例如為1⑽至L，較佳為2nm至 500nm，尤佳為 5nm 至 2〇〇nm。 <發光層> 322548 30 201203643 發光層通常主要是由發 物可為低分子化合物亦;:::=長=。= =聚:广數平均分子量為二合 物為佳:作為構成發光層之發光㈣，可列舉如以下之色 素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻雜劑材 料。 (色素系材料y ,作為色素系材料’可列舉如環喷達明（cyclQpendamine) 街生物四本基丁一稀（tetraphenylbutadiene)衍生物化 合物、三苯基胺衍生物、噚二唑（〇xadiaz〇le)衍生物、吡 唑并喹啉（pyrazoloquinoline)衍生物、二（苯乙烯基）苯 (distyrylbenzene)衍生物、二（苯乙烯基）伸芳基 (distyrylarylene)衍生物、°比》各（pyrrole)衍生物、嗟吩 環化合物、吡啶（pyridine)環化合物、紫環酮（perinone) 衍生物、茈（perylene)衍生物、寡聚噻吩衍生物、曙二唑 二聚物、π比嗤淋二聚物、嗤吖咬酮（quinacridone)衍生物、 香豆素（coumalin)衍生物等。 (金屬錯合物系材料） 作為金屬錯合物系材料，可列舉如具有Tb、Eu、Dy 等稀土金屬或A1、Zn、Be、Ir、Pt等作為中心金屬，且具 有曙二唾、噻二《坐（thiadiazole)、苯基°比咬、苯基苯并咪 唑（phenyl benzimidazole)、喹啉（quinoline)構造等作為 31 322548 201203643 配位基之金屬錯合物，可列舉如銥錯合物、鉑錯合物等具 有由重激毛態之發光之金屬錯合物、喧琳朌紹（aluminum guinolinol)錯合物、苯并喹啉酚鈹（benz〇quin〇iin〇j berylium)錯合物、苯并嗜唑（benz〇xaz〇lyl)鋅錯合物、苯 并°塞唾辞錯合物、偶氮甲基（az〇methyl)辞錯合物卟琳 (porphyrin)鋅錯合物、♦淋銪（phenanthroline europium)錯合物等。 (向分子系材料） 作為高分子系材料，可列舉如聚（對伸笨基伸乙烯基） 衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生 物、聚乙炔（p〇lyacetyiene)衍生物、聚第（p〇lyflu〇rene) 衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、將上述色素系材料及金屬錯 合物系發光材料進行高分子化而成者等。 上述發光性材料中，作為發出藍色光之材料，可列舉 如一（本乙烯基）伸芳基衍生物、％二°坐衍生物、以及此等 之聚合物、聚乙烯咔唑衍生物、聚對伸笨基衍生物、聚第 衍生物等。其中尤以高分子材料之聚乙烯咔唑衍生物、聚 對伸苯基衍生物及聚苐衍生物等為佳。 作為發出綠色光之材料可列舉如啥°丫咬酮衍生物、 香豆素衍生物、以及此等之聚合物、聚（對伸苯基伸乙烯基） 衍生物、聚第衍生物等。其中尤以高分子材料之聚（對伸笨 基伸乙烯基）衍生物、聚葬衍生物等為佳。 作為發出紅色光之材料’可列舉如香豆素衍生物、嘆 吩環化合物、以及此等之聚合物、聚（對伸笨基伸乙烯基） 322548 32 201203643 街生物、聚°塞吩衍生物、聚第衍生物等。其中尤以高分子 材料之聚（對伸苯基伸乙烯基）衍生物、聚噻吩衍生物、聚 苐衍生物等為佳。 (摻雜劑材料） 作為摻雜劑材料，可列舉如茈衍生物、香豆素衍生物、 紅螢稀衍生物、喧。丫 α定酮衍生物、方酸内鏽（squary 1丨⑽） 竹生物、外琳衍生物、苯乙烯系色素、稠四苯（tetracene) 衍生物、π比唾酮（pyraz〇l〇ne)衍生物、十環稀（decaCyCiene)、 啡噚畊酮（phenoxazone)等。此種發光層之厚度通常約為 2nm 至 200nm。 作為發光材料之成膜方法，可列舉如印刷法、喷墨印 刷法、噴嘴塗佈法等。 <電子輸送層> 作為構成電子輸送層之電子輸送材料，可使用習知者， 例如可列舉：卩等二哇衍生物、蒽酿二曱烧（anthraqu i none dimethane)或其衍生物、苯醌（benzoquinone)或其衍生物、 萘酿（naphthoquinone)或其衍生物、蒽酿（anthraquinone) 或其衍生物、四氰蒽酿二曱烧（tetracyanoanthraquinone dimethane)或其衍生物、苐酮（fluorenone)衍生物、二苯 基二氰乙稀（diphenyl dicyanoethylene)或其衍生物、聯 苯酿（diphenoquinone)衍生物、或是8-經基啥淋 (8-hydroxyquinoline)或其衍生物之金屬錯合物、聚啥琳 或其衍生物、聚喹曙淋（polyquinoxaline)或其衍生物、聚 葬或其衍生物等。 33 322548 201203643 此等中，電子輸送材料係以曙二唾衍生物'笨酿或主 衍生物m其衍生物、或是8_縣料或其衍生狀 金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹吗啉或其衍生物、 聚苐或其衍生物為佳，以2-(4-聯苯基）~5〜（4—第1 丁某苯 基）-1，3, 4-噚二唑、苯醌、蒽醌、參（8、喹啉酚）鋁土本 (tris(8-quinolinol)aluniinum)、聚啥琳為更佳 以電子傳輸層之成膜法而言，雖無特別限制，惟以低 分子之電子傳輸材料而言，係例如有從粉末進行真空蒸鍍 法、或從溶液或熔融狀態進行成膜之方法。以高分子之電 子傳輸材料而言，例如有從溶液或熔融狀態進行成膜之方 法。在從溶液或熔融狀態進行成膜時，亦可併用高分子結 =劑（binder)。以從溶液進行成膜之方法而言，二二有二 刖述之電洞令注入層之成膜法相同的塗佈法。 電子傳輸層之膜厚可考量電性特性或成膜之容易性 等來適當設定，例如為111111至1/tzm，較佳為2nm至5〇〇nm， 尤佳為5nm至200nm。 <電子注入層> 以構成電子注入層之材料而言，係依發光層種類適當 選擇表佳材料，可例如有含驗金屬、驗土金屬、驗金屬及 鹼土金屬中之1種以上合金、鹼金屬或鹼土金屬之氧化 物、鹵化物、碳酸鹽、或此等物質之混合物等。以鹼金屬、 驗金屬之氧化物、齒化物、及碳酸鹽之例而言，可例如有 鐘、納、卸、麵、鎚、氧化鐘、氟化鐘、氧化納、氟化納、 氧化鉀、氟化鉀、氧化铷、氟化铷、氧化鉋、氟化鉋、碳 34 322548 201203643 酸裡等。 此外，以驗土金屬、驗土金屬之氧化物、鹵化物、碳 酸鹽之例而言，可例如有鎮、約、鋇、錯、氧化鎂、氟化 鎮、氧化妈、氟化|弓、氧化鋇、氟化鋇、氧化然、氟化然、 碳酸鎂等。電子注入層係可由疊層2層以上之疊層體所構 成，有例如L iF/ Ca等。電子注入層係藉由蒸鍵法、藏鑛 法、印刷法等所形成。以電子注入層之膜厚而言，係以lnm 至lym左右為佳。 <陰極> 以陰極之材料而言，係以工作函數小，易於注入電子 於發光層，且電性傳導度高的材料為佳。在從陽極側取出 光之有機EL元件中，為了將來自發光層之光藉由陰極反射 至陽極側，以陰極之材料而言，係以可視光反射率高的材 料為佳。在陰極中，係可使用例如驗金屬、驗土金屬、過 渡金屬及周期表13族金屬等。以陰極之材料而言，係可使 用例如链、納、钟、#〇、铯、鈹、鎂、J弓、鹤、鋇、I呂、 銃、鈒、鋅、紀、銦、飾、釤、銪、錢、鏡等之金屬、前 述金屬中之2種以上合金、前述金屬中之1種以上、與金、 銀、始、銅、猛、鈦、始、鎳、嫣、錫中之1種以上之合 金、或石墨或石墨層間化合物等。 以合金之例而言，係例如有鎂-銀合金、鎮-铜合金、 鎮-铭合金、銦-銀合金、裡-銘合金、裡-饍合金、链-銦合 金、#弓-I呂合金等。以陰極而言，係可使用由導電性金屬氧 化物及導電性有機物等所構成之透明導電性電極。具體而 35 322548 201203643 言，以導電性金屬氧化物而言，係例如有氧化銦、氧化辞、 氧化錫、ΙΤ0、及IZ〇，以導電性有機物而言，係有例如聚 笨胺（polyaniline)或其衍生物、聚噻吩（p〇lythi〇phen) 或其衍生物等。陰極係可為由層疊2層以上之疊層體所構 成。電子注入層亦有作為陰極使用的情形。 陰極之膜厚係考慮電性傳導度或耐久性而適當設定， 例如為1〇nm至1〇em，較佳為20nm至1 ，尤佳為50nm 至 500nm 〇 以陰極之製作方法而言，係有例如真空蒸鍍法、濺鍍 去、以及將金屬薄膜予以熱壓著之積層（laminate)法等。 <絕緣層> 以絕緣層之材料而言，係有例如金屬氟化物、金屬氧 化物、有機絕緣材料等。以設有膜厚2nm以下之絕緣層的 有機EL元件而言，係有例如與陰極鄰接而設有膜厚2njn 以下之絕緣層者、與陽極鄰接而設有膜厚2nm以下之絕緣 層者。 以上係針對將有機EL元件形成於基板上之發光裝置 之製造方法’尤其針對共通層之形成方法進行了說明，惟 上述之共通層之形成方法，並不限於共通層，亦可適用於 一般薄膜的圖案形成。 亦即’在執行薄膜之圖案形成之製造方法時，係可設 計成在預定的基板上於預定的行方向隔開預定間隔，先設 &朝方向與前述行方向不同之列方向延伸之複數個列，而 使複數條薄膜分別形成於各列，且彼此膜厚相等。此薄膜 36 322548 201203643 之製造方法係包含：一面將含有成為薄膜之材料之液桂狀 墨水供給至前述預定列上，一面使供給墨水之位置朝前述 列方向移動，藉此將預定列的薄膜予以塗佈成膜，而形成 月|J述薄膜之步驟。在形成此薄膜的步驟中，係針對未形成 薄膜之列，進行（m+1)次在前述行方向隔開㈣（記號「瓜」 係表示自然數）間隔而將薄膜塗佈成膜之製程。 」 【圖式簡單說明】 第1 ®係為*紐顯林實麵態之發光1置i之 曲圖β 第3圖係為示意性顯不 第2圖係為示意性顯示發光農置1之剖面圖。 平面圖。 第4圖係為示意性 剖面圖。 剛進行第1次製程後之狀態的 顯示剛進行第1次製程後之狀態的 平面圖 ^圖係為進行欠製程後之狀 態的 第6圖係為示意性 顯 剖面圖。 〜、不剛進行第2次製程後之狀態的 U要元件符號說明】 發光裝置 I ' 支撐基板 分隔壁 絕緣膜 凹部 322548 37 201203643 6 開口 11 有機EL元件 12 一方電極 13 另一方電極 14 共通層（有機層） 15 發光層（有機層） L1 至 L3 厚度 X 列方向 Y 行方向 Ζ 厚度方向 38 322548