TW201201431A - Side by side light emitting diode (LED) having separate electrical and heat transfer paths and method of fabrication - Google Patents

Description

201201431 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 基本上本發明係關於光電元件，且更特別是關於一種具有獨 立電傳和熱傳路控之並列式發光二極體(side by side light emitting diode)，以及關於此發光二極體(LED)之製造方法。 【先前技術】 一個光電系統，例如發光二極體(LED)顯示器，可包含由從數 百到數千個發光二極體(LED)所形成之陣列。發光二極體(LED)可 產生大置的熱，其必須被驅散。此外，與發光二極體(LED)聯結之 LED電路亦可產生熱。熱可負面地影響發光二極體(LED)和LED電 路兩者。例如，熱可縮短發光二極體(LED)和LE〇電路之生命週 期。熱亦可造成發光二極體(LED)的意外燒毁、以及LED電路 4吕號傳輸錯誤。 一光電系統中之散熱作用可包含導熱元件(例如導線架），以及散 熱凡件(例如散熱片）。然而，若導熱元件亦用於電傳路徑、或接近 於電傳路彳k之元件則可能產生問題。在這種狀況下，熱增益可為 累積的，進一步負面影響裝置可靠度。 ...... 有鑒於上述，本技藝中尚需要具有改良電傳和熱傳路徑之改 良發光二極體(LED)、以及此發光二極體(LED)之製造方法。然而， 2技藝及與其相關之局限的上述例子制以·而非用以嚴格 限制。熱悉本技藝者經由閱讀本說明書以及細察圖式，者 此相關技藝的其它局限。 田』了解 【發明内容】 列式發光二極體’包含一電傳路徑以及—熱傳路徑， -、具處上為彼此獨立的。此發光二極體，包含：導熱基板，豆呈 性隔離層，用以提供從導絲板之前側(第:_ΐΐ側 (弟一侧)而通過導熱基板之熱傳路徑。此發光二極體亦 通連接之陽極以及具有接通連接之陰極，其並列式地排列&美板 4 201201431 ⑼前:(第-側) (弟二侧)而通過陰極。熱傳路徑係從LED晶片通上二月側 之電性=層二並/從前侧(第-側赠; 孰其二極體之製造方法，包含以下步驟：提Ϊ導 ‘甘、，板，在基侧上朗式细彡成陽極财和陰極通孔了 。卩份穿過基板；形成電性絕緣隔離層於第一側上且於 ^陰極通孔中；形成陽極接通連接於陽極通孔中以及^極接= ίΓϊΐϊ孔中；將基板從第二側到陽極接通連接和^極接通ϊ $;以及將LED晶片固定於第-側上而與陰極接通連ί 和1¼極接通連接電性通訊。 文 【實施方式】 參照圖1A和1B，並列式發光二極體1〇A包含導埶基 以士固定於導熱基板12A上之LED晶片14A。導熱基板i2a 合刖侧20A、背側22A、矽基板24A以及電性絕緣隔離層38A。 =以下將進—步說明的，導熱基板12A提供了垂直電性 導熱之熱傳路徑。 發光一極體10A亦包含陽極16A，形式上有與led晶片14A電 性通訊之陽極接通連接3〇A ;以及陰極18A，形式上有與LED晶片 HA電性通訊之陰極接通連接32A。陽極16A和陰極18χ被並=式 地設置於導熱基板12Α上，因此發光二極體10Α被稱為並列式發光 二極體。此外，陽極接通連接30Α包含背側接觸點60Α，而陰極接 通連接32Α包含背侧接觸點62Α。背側接觸點60Α、62Α提供了往 來配合基板(圖中未示’例如PCB(印刷電路板）、主機板或模組基. 板)之電性接點。 ^ 如圖1Β所示，發光二極體ΐ〇Α亦包含與陰極接通連接32Α電性 通訊之陰極導體54Α，以及與陽極接通連接30Α電性通訊之陽極導 體56Α。此外，LE：D晶片14Α可包含η電極77Α，用以對陰極接通連 201201431 接32A做電性連接。陰極導體54A和陽極導體56A可包含部份之藉 由隔離層38A而與石夕基板24A電性絕緣的圖案化金屬化層48A。此 外，可按尺寸和形狀來形成陽極導體56A以提供安裝座，且在實施 例中將進一步說明LED晶片14A用之電性接觸座。 如圖1A所示，通過發光二極體i〇A之電傳路徑11A可從背侧接 觸點60A經過陽極接通連接3〇a與陽極16A、經過陽極導體56A、 經過UED晶片14Α、經過陰極接通連接32Α和陰極18Α，而到達背 側接觸點62Α。電傳路徑11Α亦可包含藉由打線接合到陰極導體 54Α和η電極77Α而形成之金屬線(圖中未示）、或藉由與陰極導體 54Α和η電極77Α電性接觸之導電材料的圖案化、截割、喷墨印刷 或網版印刷而形成之導體(圖中未示）。 亦如圖1Α所示，通過發光二極體10Α之熱傳路徑13Α可從led 晶片14A、經過隔離層38A且經過矽基板24A而到達背側22A。因 此電傳路徑11A和熱傳路徑13A係實質上獨立的，而不是沿著相同 路控’這樣保護了電傳路徑的可靠度。此外，可將LED晶片1仏直 接放置於隔離層38A之上，這樣提供了&LED晶片14A通過矽基 24A之直接熱傳路徑。 參=圖2A-2I ’其說明發光二極體1〇A (圖1A)之製造方法的步 驟。儘官為了說明之目的，此方法之步驟係展示為特定之順序， 此方法亦可依不同順序來實行。一開始，如圖2八所示，可提供矽 基板24A。在所說明之實施例中，矽基板24A包含矽。鋏而， 可用其它材料(例如GaAs、Sic、施、AO]、或藍寶石)來^代矽 基板24A。石夕基板24A可包含具有從％到45〇腿之標準直徑D斑從 約50到1_，之全厚度⑽半導體關嫩。半導體晶圓3&允 許標準晶圓製造設備被用以執行晶圓等級方法。例如，直徑15〇咖 晶圓具有約675阿之全厚度(T1);直徑·麵日日日圓具有約7 之全厚度(ΤΙ} ’以及直，3〇〇 mm晶圓具有約775 _之全厚度仰。 ’ Μ2Β所示’陰極和陽極通孔形成步驟可使用遮 中未示，例如氧化或氮化硬遮罩)以及適當之處理(例如濕式或乾式 蝕刻、或雷射鑽孔)來執行，以形成陰極通孔36Α和陽極通孔偷 201201431 於矽基板24A中。陰極和陽極通孔形成步驟的終點可為形成陰極通 孔36A和陽極通孔46A於前侧20A上而其部份穿過矽基板24A，例 如’具有與刖側20A距離1到500 μτη之深度X。例如，可使用以濕式 蝕刻劑(例如ΚΟΗ (44%)或ΤΜΑΗ (25%)溶液)所執行之結晶圖形蝕 刻處理來形成陰極通孔36Α和陽極通孔46Α。此濕式银刻劑可用以 依約1 μηι/ιηίη之速率來蝕刻<1〇〇> Si ’同時依< 之速率來蝕 刻Si#4以及依<20 A/min之速率來蝕刻Si〇2，而以慢得多的速率來 蝕刻<111> Si (即<1〇〇> Si蝕刻速率的ι/1〇〇)。可使用Hp、 ηνοκηκοοη和Ηβ之溶液來執行等向蝕刻處理。 如圖2B所示，藉由結晶圖形蝕刻處理，可較佳地蝕刻陰極通 子BA和陽極通孔46八’而具有與水平線(即平行於前侧胤平面之 線)成約54.7度角傾斜之侧壁。此外，陰極通孔规和陽極通孔似 具有所需直徑d2 (例如1-50。μπι)之平面底面’此直徑取決於 f中開π的尺寸以及_時間。除了濕式侧，可使用乾式钱 =理(例純0SCH侧)來形成陰極通孔36A和陽極。作 ^ =選擇’鑽孔處理(例如雷射鑽孔、機械鑽孔或切割鑽孔） 來形成陰極通孔36A和陽極通孔46A。如圖,當從上 Ϊί孔36A和陽極通孔46A可具有一般圓周形狀，或者 T具=何適當之週邊形狀，例如矩形、正方形、或多邊形。 於石夕圖，*，可執行隔離層形成步驟以形成隔離層38A f之前側2〇A上，以及於陰極通孔36A和陽極通孔46A 隔離層Μ較佳是具有小的厚_ Ϊ 似6Α和陽極通孔做維持敞開。隔離剌Α可包含電 例如氧化物(如撕2)或氮化物(如_4)，与 妓使用適當之沉積處理(例如cv 為其4錢乾式氧化處縣熱成細〇2。作 鑽石鑽;5佈^、、4J _當塗佈或沉積處理所形成之 子材^ ΐίί 積。作為另—選擇’隔離料A可包含高分 U赴亞胺(pdylmide) ’其可使用適當處理(例如經由 201201431 喷嘴沉積或電泳法)來沉積於前側20A上以及於陰極通孔36A和陽 極通孔46A中。作為再一選擇，隔離層38A可包含例如聚對二曱苯 (parylene)之高分子，其可使用CVD來氣相沉積於前側20A上以及 於陰極通孔36A和陽極通孔46A中。 接著，如圖2D所示’可執行導電層形成步驟以形成導電金屬 化層48A於隔離層38A上’位於前彳則20A上以及陰極通孔36A和陽 極通孔46A中。金屬化層48A可包含高導電金屬(例如Ti、Ta、Cu、 =、！^、册、八呂、八11或：^)之單一層，其係使用濺鍍、？^、(：:奶、 蒸鐘、電化學沉積、或無電化學沉積法來沉積。然而’除了單一 材料層，金屬化層48Α亦可包含多金屬疊層，例如由導電層和接合 層所構成之雙金屬疊層（如Ni/Cu、Ti/Cu、TiW/Cu)、或如 Ta/TaN/Cu/Ni/Au及這些金屬之合金的多層。可使用適當沉積處理 (即加成處理）’例如PVD、無電沉積、電鍍、或經由遮罩(圖中未 示)之PVD法來形成金屬化層48A。作為其它例子，可藉由金屬層 之全體沉積接著經由遮罩蝕刻（即減成處理）而形成金屬化層 =A。在賴明之實補巾，可執行導電層形成步取形成其厚度 未完全填滿陰極通孔36A和陽極通孔46a ^金屬化層_沿著通孔36A、46A之側』歹^非填滿= 36A、46A ° 接著，如圖2E所示’可將光阻層形成於石夕基板24A之前侧 52A网ίίΓί用光微影處理來形成具有所需尺寸和形狀之開口 。_2Α可用於利㈣當之濕式或乾式银刻 二δ ’屬a48A，以形成陰極導體54Α (圖1Β)和陽極導體 56Α (圖1Β)於前側20Α上。如圖2F所示，在形成開口52八之後 剝除處理來移除光罩職。陰極通孔36Α中之金屬化声 lilt f體ΜΑ (圖1Β)電性通訊，而陽極通孔46Α中ί金^ 化層48A係與陽極導體56A (圖1B)電性通訊。 通連’可執行接财飾齡_形成陽極接 ί 極通孔46Α巾以及陽極通孔似朋之前侧2〇t 上。接通連接形成步驟亦形成陰極接通連接32A於陰極通孔3 8 201201431 以及陰極通孔36A周圍之前側20A上。陽極接通連接3〇A和陰極 通連接32A可包含利用可流動金屬沉積於通孔36A、46A中而彤： 於金屬化層48A上之金屬(例如銲錫、鎳)球、凸塊或針。例如厂 沉積、或經由遮罩來網版印刷可流動金屬(如銲錫或金屬糊(历过 paste))，以填充通孔36A、46A並且形成接通連接3〇A、如金 凸塊。亦可利用球形銲接(ball ]5011出11§)處理或錫球凸塊stu bumping)處理來形成陽極接通連接3〇A和陰極接通連接。 =兩=處理(其中通孔逾、偷係由沉積或網版印刷法來填充， f進行凸塊(或球)形成步驟)來形成陽極接通連接3〇A和陰極 通連接32A。 夂 ^可使料？其它麟來形成陽極魏連接3GA和陰極接通

f 。修,球⑽雜(SGltobum—g，I =4中使轉麟⑽觸球直接放置 銲錫球被接合到銲接墊上。鋒錫線在凸塊 的卢ί 塾上，在此其可被迴辉。錫球凸塊銲接係一連串 向約細個的速率來一個接-個地產生凸塊。其優 j'ettt i ^^更触_£。#—_㈣觸侧_er 塊底#入^=控制炼融鲜錫之液滴流將銲錫凸塊放置於Ni_Au凸 ίίίΐίΓ bump metallization J ° , 噴黑印ίΐϊίϊ利用壓電或阻抗加熱來形成液滴，非常相似於 “用銲：液滴ΐ連了液滴放置。連續模式喷射系 在所說明之實 (例如銲錫，如SnPd、8πΑΛ r e似包含由可銲接金屬 所形成之金屬凸塊。全屬：二U; tgCU、NlSnAgCu、AuSn) 提供黏著性L直n = t A層 包含金屬（例如銅），其吸引且 代表性接通連讓、似之直徑的 薄化示’可從背側22A執行薄化脚皿㈣步驟以 用日步驟的終點可在接通連諷、二可使 -< f (例如研磨機)所執行之機械平坦化處理來執 201201431 频平域處理树_魏式_。一種適 VG502所製造’且被命名為型號 用之仆與子機械平坦化(CMP)設備來執行薄化步驟。適 sji订:j細處理、乾式钱刻處理或電聚 1 Γ 该者是與機械平坦化共同執行。亦可利 薄化麵，例如麵研磨、接練拋光步驟、 …、後CMP以及理步驟。石夕基板24A之厚度T2可選 以從35__〇_乍為代表。薄化背側似有平滑、拋絲面， 外，薄化步驟形成了具有平面背側接觸點60Α

Hi雄通連接30Α，以及具有平面侧接継62Α之陰極接通連 ^ ’如@21所示，可執行發光二極體固定步驟以固定哪 a曰片14A於前侧20A上而與陰極導體54A (圖1B)和陽極 (圖1B)電性接觸。LED晶片14A可包含使用習知處理所製造之習知 LED晶片。適用之LED晶片可購自SEMILEDS，取。，位於台灣苗 栗。利用銲錫迴銲(reflow)或凸塊處理所形成之接合層58a^led 晶片14A與導體54A、56A (圖1B)相接合。 參A?、圖3，一可供選擇之實施例，並列式發光二極體ι〇Β，係 大致相同於發光二極體10A (圖1A)，但亦包型半導體基板 24B内p+層26B、外n+層28B。如圖3A所示’ η型半導體基板24B、 Ρ+層26Β和η+層28Β形成了發光二極體10Β的積體稽納二極體 (zener diode) ’其作用來防止反向偏電壓或淺入電流。發光二極體 10B (圖3)可大致如同前述發光二極體1〇A (圖1A)來加以製造，但 用本技藝中眾所周知之適用處理(例如摻雜或離子植入)來形成 層26B和n+層28B。 如圖3所示，發光二極體10B亦包含固定於n型半導體基板24B 之LED晶片14B ’位於形成在n+層28B上之導電接合層58B上。發 光二極體10B亦包含與LED晶片14B電性通訊之陽極16B，以及^ 201201431 p+f 26B電性通訊之陰極mb。陽極16B和陰極18B並列式地位於n 型半導體基板24B上，因此發光二極體10B被稱為並列式發光二極 體。n型半導體基板245包含前側2〇B、背側22B、以及在前側20B 亡之電性絕緣隔離層38B。正如發光二極體10A (圖1A)，隔離層38b 提供I垂錢性隔離’以及通過_半導縣板24β之熱傳路3徑。 ，光二極體10B亦包含陽極接通連接30]3和陰極接通連接32B，並 提供了通過n型料體基板24B之電傳路徑。隔離層迎亦電性絕ς 陽極接通連接30Β和陰極接通連接32Β。 ' _發光二極體10Β (圖3)亦包含陰極導體54Β和陽極導體56Β於 腩離層38Β上，其提供從陽極16Β和陰極18Β到達LED晶月14Β之電 傳路徑。陰極導體54B與陰極接通連接32B電性接觸，且亦與一部 份的P+層26B電性接觸。陽極導體56B與陽極接通連接遞電性接 ，’且亦與一部份的n+層施電性接觸。LED晶片14B包含p電極， '、與n+層28B直接電性接觸。從陰極應和陽極16B通過n+層施 和P+層26B之電傳路徑作用為單向保護性稽納二極體，其只允許單 方i之電流。或者，稽納二極體可利用於半導體基板上適當排列 且电性連接之多n+/p+層來提供雙向保護。作為另一選擇，半導體 基板可包含p型半導體，p+層26B可變為n+，而n+層28B可變為p+。 參照圖4A-4C，另一可供選擇之實施例，發光二極體(LED) ，被用來固定於基板78C(例如印刷電路板(pCB)、主機板或模 組^板)上，具有形成於基板上之定位凸塊8〇c。如圖4A所示，發 ^二極體(LED) 10C包含固定於導熱基板12C之LED晶片Mc。導▲ 二板12C包含前側20C、背側22C以及具有陰極接通通孔36C與陽極 接通通孔46C之石夕基板24C。發光二極體(LED) 1〇c亦包含隔離層 jC、於相20C上沿著陰極通孔36C排列之陰極導體54C、以及於 :側20(:上沿|陽極通孔46c排列之陽極導體56C。對應於前述元 1之所有το件具有相同元件符號但有a_〇b之字尾。亦如圖仏所 不’陰極通孔36C和陽極通孔46C對齊基板78C上之定位凸塊80C。 如圖4B所示’可將發光二極體(LED) 1〇c藉由位於陰極通孔 36C和陽極通孔46C之定位凸塊，而放置於基板—上。接著，如 11 201201431 圖4C所示，將定位凸塊80C迴銲以填充陰極通孔36c和陽極通孔 46C，且電性接觸沿通孔36C、46C排列之陰極導體54C和陽極導體 56C。此外，迴銲之定位凸塊80C形成了發光二極體(LED) 1〇(：的 陰極接通連接32C和陽極接通連接3〇C。如另一例子，可藉由以下 方法來形成接通連接30C、32C :雷射鑽孔穿過部份的矽基板24C 以形成通孔36C、46C ;接著氧化沉積以形成隔離層38c ;金屬化 層之沉積和圖案化以形成導體54C、56C ;研磨以打開通孔36(：、 46C (其中通孔36C、46C係大於凸塊80C);選擇性地背侧金屬沉積 和圖案化；裝上LED晶粒14C以及迴銲凸塊80C。 因此本發明揭露一種改良的發光二極體(LED)以及此發光二 極體(LED)之改良的製程。儘管數個例示態樣和實施例已經說明如 上，熟悉本技藝者應當了解，可有某些修正、變更、添加和其次 組合。因此，以下隨附之申請專利範圍在其真實精神和範疇^内 應解釋為包含所有此等修正、變更、添加和次組合。 【圖式簡單說明】 、例不實施例係參照圖式而說明之。本案所揭露之實施例和圖 式應認定為例示用而非限制用。 圖1A為具有導熱基板之並列式發光二極體(LED橫剖面示 意圖； ” ，1B為圖1A之沿著截線1B-1B之並列式發光二極體(led)的 平面示意圖； 圖2A-2I為說明圖ία之並列式發光二極體(LED)之製造方法之 步驟的橫剖面示意圖； 圖3為具有稽納二極體結構和n型半導體基板並列式發光二 極體(LED)之可供選擇的實施_橫剖面示意圖； 圖3A為圖3之發光二極體(LED)的電性示意圖；以及 圖4A-4(^為說明另一可供選擇之並列式發光二極體(LED)實施 例的横剖面示賴，其用⑽定於具有定位放置之銲錫凸塊的基 板上。 . 12 201201431 【主要元件符號說明】 10A/10B/10C發光二極體 11A電傳路徑 12A/12C導熱基板 13A熱傳路徑 14A/14B/14C LED 晶片 16A/16B/ 陽極 18A/18B/ 陰極 20A/20B/20C 前側 22A/22B/22C 背侧 24A/24C矽基板 24B η型半導體基板 26Β ρ+層 28Β 11+層 30A/30B/30C 陽極接通連接 32A/32B/32C 陰極接通連接 34Α半導體晶圓 36A/36C 陰極通孔 38A/38B/38C 隔離層 46A/46C 陽極通孔 48Α金屬化層 50Α光罩 52Α 開口 54A/54B/54C 陰極導體 56A/56B/56C 陽極導體 58Α/58Β接合層 60Α背侧接觸點 62Α背侧接觸點 77Α電極 13 201201431 78C基板 80C 定位凸塊 D 直徑 d2 直徑 T1全厚度 T2厚度 X深度

Claims (1)

1. 201201431 七、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體，包含： 一導熱基板’具有至少一電性隔離層，用以提供從該基板 之一第一側到一第二侧而通過該基板之一熱傳路徑； 一 1%極接通連接’從該第一侧到該第二侧； 一陰極接通連接，從該第一側到該第二側，該陽極接通連 接和該陰極接通連接係並列式地位於該基板上；以及 一 led晶片，固定於該第一侧，與該陽極接通連接和該 陰極接通連接電性通訊。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，更包含：一陰極導 體、.吳該陰極接通連接電性通訊；以及一陽極導體，與該LED 晶粒電性接觸並且與該陽極接通連接電性通訊。〃 3. ，申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該陽極接通連 接和該陰極接通連接各自包含一通孔，該通孔位於該基板 至少部份填充有一金屬。 4. =申請專利範圍第1項所述之發光二極體’其中該導熱基板包 :一材料，該材料係選自於由GaAs、Sic、A1N、 以 監寶石所構成之群組。 ‘ 15 201201431 通訊之一 P+層’用以形成一稽納二極體。 如申.5月專利範圍第1項所述之發光二極體，更包含--基板，裝 在該導熱基板上，且其中該陽極接通連接和該陰極接^連接2 自包含一迴銲(reflowed)金屬凸塊於該基板上。 8· —種發光二極體，包含： 二一半導體基板，具有一第一侧；一第二側；一隔離層，位 於该第一侧上，用以提供垂直電性隔離；以及一熱傳路 該第一側到該第二側； %極接通連接’包含從該第一側到該第二側之一第一通 孔，該第一通孔至少部份填充有一第一金屬凸塊； 陰極接通連接，包含從該第一側到該第二側之一第二通 孔，該第二通孔至少部份填充有一第二金屬凸塊； 一 险搞曰片，、固定於該第一側，在該陽極接通連接和該 丢11接、連接之間並且與兩者電性通訊；以及 接縮Γ稽!^極體，包含在該第—侧上與該陰極接通連接電性 之—師—_層，以及在該第-側上與該陽極接通連接 該LED晶片電性接觸之一外第二型矽層。 9. 範圍第8項所述之發光二極體，其中該半導體基板 =η _ ’該内第—型砍層包含—ρ+層，且該外 包含一 η+層。 二/曰 Ia 包含一 p+層4 層包含一 n+層，且該外第二型石夕層 u. tliiS第】項f述之發光二極體，其中該稽納二極體 〇 3稷数個矽層，用以提供雙向保護。 16 201201431 12· —種發光二極體，包含： -導熱基板’具有至少—電性層 提供從該基板之-第-側到—笛m用以 路徑； 〗j弟一侧而通過該基板之一熱傳 -陽極接通孔，從該第—側_第 極導體而排列； ^ 1177/0 ^ 一陰極接通孔，從該第—側到該第二側，至少部份、产一 連接和缝減通連接係並列‘ =3 該第’，與該陽極導體電性通訊； 基板’裝在該―熱基板上，具有與該陰極通孔電性 之-苐-凸塊，以及與該陽極通孔電性接觸之一第二凸塊。 13.如申請專利範圍第12項所述之發光二極 和該第二凸塊包含一迴銲金屬。 /、丫 /弟凸塊 14·如申請專利範圍第12項所述之發光二極體 具有一拋光第二侧之一薄化基板。 土槪匕3 15·如申請專利範圍第12項所述之發光二極體 該 一印刷電路板(PCB)、—主機板或一模組基板。 仏s 16. —種發光二極體之製造方法，包含： 提供-導熱基板，該導熱基板具有__第—側、—第二側、 以及於a亥弟一側上之至少一電性隔離層； 形成-陽極通孔與-陰極通孔於該第—侧上，其穿 之該基板； 才、Μ刀 形成-電性絕緣隔離層於該第—側上以及於該陽極通孔 和該陰極通孔中； 17 201201431 在該第一側上並列式地形成一陽極接通連接贿陽極通 孔中以及一陰極接通連接於該陰極通孔中； 將该基板從該第二側到該陽極接通連接與該陰極接通連 接加以薄化；以及 將一 LED晶片固定於該第一側，與該陰極接通連接和該 陽極接通連接電性通訊。 17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體之製造方法，其中 該开>成該1¼極接通連接步驟包含一方法，該方法係選自於由經 了遮^沉積、錫球凸塊(3111(11)111111)111§)、球形銲接^汕1501^111§) 以及銲錫喷射(solderjetting)所構成之群組。 18. 如=晴專利範圍第16項所述之發光二極體之製造方法，其中 該薄化步驟包含一方法，該方法係選自於由研磨、化學機械平 坦化以及蝕刻所構成之群組。 19. ，申請專利範圍第16項所述之發光二極體之製造方法，其中 该形成該陽極接通連接和該陰極接通連接步驟包含提供金屬 凸塊於一基板上，以及迴輝該金屬凸塊於該陽極通孔和該陰極 通孔中。 申請專利範圍第16項所述之發光二極體之製造方法，其中 »亥導熱基板包含n型矽，且更包含：形成一 p+層於該導熱基板 上巧該陰極接通連接電性通訊、以及一 n+層於該導熱基板上與 該陽極接通連接電性通訊並且與該LED晶片電性接觸。 八、圖式： 18