TW201144474A - A method for producing a deposit and a deposit on a surface of a silicon substrate - Google Patents

Description

201144474 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於矽基板面上形成含有氧化鋁之澱積物之方 法，及關於石夕基板面上之澱積物。 【先前技術】 原子層澱積（ALD)為在各種形狀的基板上形成材料殿積物 的習知方法。在ALD方法中係將二種或更多種不同化學品（先 驅物）以依序、交替方式引入反應室中使該等化學品在該反應 室中吸附在表面，例如基板面。 將化學品或先驅物依序、交替引入之動作一般稱為化學品 或先驅物之“撥料(pulsing)或配料(dosing)” 。在每一化學品的 撥料期間通常有一沖洗期間（purging period)，在此期間氣體流 不與引入反應室内之化學品反應。此氣體通常稱為載體氣體 (carrier gas)或沖洗氣體，係對所用的化學品呈惰性而將反應室 沖洗去除剩餘之化學品及由表面與先前撥料化學品反應產生之 副產物。此沖洗亦可藉其他手段實行，另外上述之澱積方法亦 可稱為例如ALE (原子層磊晶法）、ALCVD (原子層化學蒸鍍 法）及循環蒸鍍法。這些方法的主要特徵為依序的使澱積表面 曝露於先驅物而在該澱積表面成長該先驅物的反應物 (reactions)。在本說明書中除非另有註明，這些方法將總括的稱 為ALD型方法。 所要的澱積厚度可藉ALD法反覆多次實行撥料程序（包括 前述之含有先驅物的撥料）及沖洗期間獲得。此程序之實施次 數稱為“ALD循環”，其係依目標厚度決定。 3 201144474 使用ALD法在半導體表面上實行表面重組時，會遭遇到― 個問題，因為該法包括使用光電池或發光二極體等半導體裝 置，導致表面重組時在例如半導體表面或其鄰近處產生特定能 量狀態的電荷載波(charge carriers)陷阱。此等一般常被稱為能 - 量狀態或表面狀態可能會由表面的不純物（雜物）等產生。 保護石夕表面，即減小石夕表面的重組的有用物質為氧化在呂。 . 在習知技術申可舉美國專利第7476420號，其建議在基板表面 之背面保護層（RSP)生長氧化鋁之ALD循環時，使用三甲基铭 (TMA)及臭氧(〇3)減小基板表面化重組製取具有良好保護層性 能的澱積物。但此法有依臭氧濃度及/或加工溫度改變生長速率 的問題。為了以合理的脈衝時間（pulse time)獲得均句的生長速 率及厚度輪廓(profile)，通常需在一脈衝中使用高濃度之臭氧。 再說，使用TMA及水，藉ALD法在矽表面生長氧化鋁一 事已為精於此項技術之人所熟習。依此習知法可使氧化鋁層均 勻的生長，但會使在矽表面產生之澱積物減低保護性能 (passivation properties)。 【發明内容】 本發明之目的在於藉提供新型的一種在石夕基板表面形成含 有氧化紅賴物解*上述習知技術之各㈣題，同時提 成於矽基板表面之澱積物。 ' - 本發明之方法的特徵如請求項（所示，而本發明之形 · 矽基板表面人澱積物的特徵如請求項13所示❹ 、 ' 下述在石夕基板表面形成含有氧化紹之殿積物係包含任何順序之： 4 201144474 a) 於反應室中引入水及臭氧（on之一者作為氧之先驅物， 使該氧之先驅物的至少一部分被吸收在矽基板的澱積面上； b) 於反應室中引入水及臭氧之另一者作為氧之先駆物，使 該氧之先驅物的至少一部分被吸收在矽基板的澱積面上； c) 於反應室中引入鋁的先驅物，使該鋁之先驅物的至少一 部分被吸收在矽基板的澱積面上，隨後沖洗該反應室； 假如，在步驟c)之前先實行步驟幻或b)，則在步驟c)之前 沖洗反應室，假如步驟a)比步驟b)先實行或步驟b)比步驟勾 先實行，則在步驟a)及步驟b)之間不實行反應室之沖洗。 依據本發明之在矽基板表面形成含有氧化鋁之澱積物之一 貫施例’係含有任何順序之下述步驟： a) 於反應室中引入水及臭氧(〇3)之一者作為氧之先驅物， 使該氧之先驅物的至少一部分被吸收在矽基板的澱積面上； b) 於反應室中.引入水及臭氧之另一者作為氧之先驅物，使 該氧之先驅物的至少一部分被吸收在石 夕基板的殿積面上； c) 於反應室中引入鋁的先驅物，使該鋁之先驅物的至少一 部分被吸收在石夕基板的澱積面上，隨後沖洗該反應室； 假如，在步驟C)之前先實行步驟幻或b),則在步驟C)之前 沖洗反應室。 依據本發明之一實施例，步驟b)及步驟c)係以交替方式實 行’即這些步驟在時間上不會明顯的重疊。因此依本發明實施 例，步驟a)、b)及c)係依序且分明的步驟實行。依本發明之 一實施例，步驟a)及b)在時間上不會重疊》 依本發明之一實施例，發明目的在於矽基板表面形成保護 201144474 性殿積物（passivating deposit)。在本文中“保護”、“表面保護” 或其他對應之詞（術語）應解作“保護表面減低表面重組”， 即減少被保護表面或鄰接該被保護表面（即矽基板表面）上之 電荷載波(charge carriers)的重組。 本發明之形成澱積物之方法係根據使用二種不同氧的先驅 物（即水及臭氧）及鋁的先驅物於同一 ALD-循環中而形.成含 有氧化鋁之澱積物。 依本發明之一實施例，步驟a)及b)可至少部分同時的實 行。換言之，可將水及臭氧至少部分且同時引入反應室中。又 依本發明之一實施例，氧之兩先驅物，即水及臭氧，可同時引 入反應室中。 依本發明之一實施例，步驟a)及b)係依任意順序實行。換 言之，氧之先驅物，即水及氧，可依任意順序引入反應室中。 依本發明之一實施例，步驟a)包括：在實行步驟b)(引入氧之 先驅物之臭氧）之前引入氧之先驅物之水。本發明不受限於任 何特定之機制，但可假設在引入水至反應室之後再引入臭氧， 該臭氧會去除因引入水可能殘存於反應室中之例如0H及C等 不純物。 依本發明，反應室在步驟a)及b)之間（不管步驟a)在先 或步驟b在先）係不被沖洗。此乃意味反應室在開始引入氧之 其他先驅物時會有先前引入反應室中之氧的先驅物之至少一部 分。 依本發明之方法包括一種安排，即步驟a)或b)在步驟c) 之先時需在步驟c)之前實行反應室之沖洗，此種安排可確保在 201144474 反應室中引入銘之先驅物之前沖洗其他化學品（chemicals)。 被引入之先驅物之至少-部分被吸收在⑦基板之殿積表 面。在此說明書中除非另有註明，“矽基板表面，，、“基板表面”、 “表面”或“殿積表面”等詞係用以指基板表面或在基板上已形成 之澱積物喊面。即表面，，ι應解作包含树露於任可 先驅物或已«於-或多種先驅物之基板表面。因此該“殿積表 面”在基板上由於化學品被該表㈣收而在基板上形成澱積物 期間發生變化。 依本發明之-實施例，石夕基板的表面係由單晶石夕構成。依 本發明之另-實施例’絲板之表面係由多㈣構^依本發 明之其他實施例’石夕基板之表面係由微晶矽構成。 依本發明之-實施例，澱積物係在反應室中藉ald型法形 成於矽基板表面。依另一實施例該澱積物在ALD型法中之生長 主要係藉減發。切基板表㈣ALD•魏形祕積物時可 使澱積物獲得優異之保形性及均勻性，同時若ald型法為主 由熱激發’即不用電«發時’更可增進所要之表面防護效果 (passivation effect)。 依本發明之-實施例，链的先驅物可從含紹之有機金屬化 學品之組中U ’即此㈣先驅物可選自三甲基及三乙基銘之 組中。在本發明之-實施例中，該鋁的先驅物為三甲基鋁。 再說，依本發明之-實施例，在石夕基板表面形成殿積物之 方法包括：反覆實行步驟a)、步驟b)及步驟幻之至少一步驟。 舉例而言，步驟a)、b)及步驟c)可依任何順序反覆實行至少 -次。由氧化銘構成之澱積物的厚度在本發明之—些實施例中 7 201144474 可藉反覆的引入先驅物至反應室中使其一部分被吸收於基板之 曝露面（即澱積面）而增加。依此方法可增進上述之表面防護 效果。 依本發明之一實施例，矽基板表面之澱積物為防護性澱積 物。此防護性澱積物鈍化（即減低）矽基板表面之表面重組， 即依本發明之一實施例，該方法包括在石夕基板的表面形成一種 防護性澱積物。 本發明亦涉及一種在矽基板表面形成之澱積物，此澱積物 係由氧化鋁構成，係依本發明之上述實施例方法形成於矽基板 的表面者。 上述澱積物為一種防護性澱積物。該防護性澱積物可鈍 化，即可減低，石夕基板表面之表面重組（surface recombination)。 發明人發現在同一 ALD-循環中同時使用氧的水及臭氧先 驅物以及鋁的先驅物時可驚奇的獲得良好之防護效果及厚度均 勻且組成均勻的澱積物。如此生成之殿積物的良好防護性及均 勻性的有利組合能應用於例如薄膜矽太陽電池等許多用途上。 上面所述之本發明實施例可以任意的互相組合應用，且可 將數個實施例組合一起成為另一實施例。另外，本發明之方法 及製品可含上面所述實施例之至少一實施例。 又，本發明方法的利點為具有良好的防護性質及優異之生 長均勻性的組合。 本發明方法之利點在於其形成之澱積物具有約1，2A°/C (每1 ALD-循環之A。數）之良好生長率及均勻厚度。 又，因為臭氧所需之沖洗時間較水為短，故在一相同ALD- 8 201144474 循環中，於水之後引入臭氧於反應室中作為氧的先驅物，不會 比使用水作為氧的唯一先驅物時增加總循環時間。 【實施方式】 兹參照附圖詳細說明本發明之實施例於下。 下面揭露之本發明實施例是足夠詳細地讓精於此項技術之 人根據其利用本發明。對實施例之各步驟雖無全部詳盡說明， 但足以讓精於此項技術之人根據本說明書瞭解。 圖1為在珍基板表面形成由氧化銘構成之殿積物之方法。 在配置矽基板於反應室前’可先將該矽基板的表面調理或 預處理（conditioning)。此項預處理可包括化學淨化去除石夕基板 表面之不純物（雜質）。此項預處理分為外部（ex_situ)及就地 (in-situ)預處理。外部預處理可包括先於1%1HF溶液中蝕刻1 分鐘後在脫離子水中清洗，而就地預處理可在ALD-型法所用 之器具中實行。去除矽膜表面之不純物的詳細方法為精於此項 技術之人所熟悉。 經預處理之矽基板被送至ALD-型法適用之典型反應器之 反應室中（步驟1)。 繼之使用真空泵等抽排反應室至適合形成澱積物之壓力； 若是大氣壓ALD系統及/或方法時，則通常設置流道(flows)來 保護澱積區免受大氣的影響。此外，在使用之方法中將基板加 熱至適合形成澱積物之溫度。矽基板可通過氣密式裝載閘門或 單純的通過裝載艙口引入反應室中。該基板可藉電阻加熱器加 熱（此時整個反應室亦被加熱）。 矽基板表面及反應室被加熱到目標溫度及適合澱積之其他 201144474 條件後開始使澱積表面曝露於各種化學品以直接在矽基板表面 形成由氧化紹構成之澱積物。 先驅物宜以其氣態引入反應室中。此可先使各該先驅物在 其容器内汽化（視先驅物化學品之性質加熱或不加熱），然後通 過管路將其必要之量送入反應室中。此必要量之汽體可藉配設 於管路之閥門或其他流量控制器控制。此等閥門在適合供ALD-型澱積使用之系統中通常被稱為脈衝閥（pulsing value)。使基板 在反應室中與化學品（先驅物）接觸之其他機制（mechanisms) 亦有，其中之一為使基板之表面（非汽化之化學品）在反應室 内移動，即使基板通過由氣態化學品佔據的區域。 適合ALD-型澱積所用之典型反應器為含有一用以引導氮 或氬等載體氣體進入反應.·室之裝置，使反應室（例如澱積室） 中之剩餘化學品及反應副產物在引導次一化學品進入反應室前 被沖洗掉。在實際操作時載體氣體流係在澱積程序之整個期間 連續而只有各種先驅物隨著載體氣體交替的引入反應室中。此 種反應室之沖洗並無需完全清除剩餘先驅物（化學品）或反應 副產物，可讓這些物質或其他物質稍些殘留於室中。 實行上面所述之各種準備及預處理步驟（圖1之步驟1 )) 之後實行圖1中所示之步驟a)及步驟b)。首先實行步驟a)，即 使基板之澱積表面曝露於作為氧的先驅物之一之水(H20)及臭 氧(03)。將澱積表面曝露於氧的先驅物時會使該引進之先驅物 的一部分被吸收於矽基板的表面。 繼之，實行步驟a)，即於反應室中引進（不預先實行反應 室之沖洗）水及臭氧之另一者作為氧的第2先驅物。此時，在 10 201144474 步驟a)形成之表面上會吸收該氧的第2先驅物之至少一部分。 隨後，在反應室中引入鋁的先驅物之前（步驟c)依本發 明沖洗反應室。該鋁的先驅物可為例如三曱基鋁（TMA)。 經上述步驟a)、b)及c)結果在矽基板表面即形成由氧化鋁 構成之澱積物。 依圖1所示實施例，在每一步驟a)、b)及c)中使澱積表面 曝露於先驅物時會因該先驅物與澱積表面之吸附反應結果，在 澱積表面形成附加之澱積物。反覆實行圖1流程圖所示步驟 a) 、b)及c)即可增大矽基板表面之澱積物的厚度。厚度到達目 標厚度後製程即告終結，結果在矽基板表面形成由氧化鋁構成 之厚度及組成均勻之澱積物。 圖2為本發明之用以在矽基板表面形成由氧化鋁構成之澱 積物之方法的流程。 此第二實施例與上述實施例同樣先將矽基板置於適於實行 ALD型法的典型反應器的反應室中（步驟1)。反應室、基板及 引入反應室中之化學品均如同上述準備使適合用於澱積。 在預處理（步驟1 ))之後實行圖2所示之步驟a)，即將矽 基板表面（即澱積表面）曝露於作為氧的第1先驅物之水及臭 氧之一。曝露矽基板表面於氧的第1先驅物時矽基板表面會吸 收引入之先驅物的一部分。 在引入水及臭氧之一者作為氧的先驅物且經過所定時間後 同時開始引入作為氧的第2先驅物之水及臭氧之另一者（步驟 b) )。此時氧的第2先驅物之一部分會與氧的第1先驅物一起被 吸收於澱積表面（基板表面），即水的至少一部分及臭氧的至少 11 201144474 一部分同時被吸收於澱積表面，在氧的第1先驅物引入終結時 氧的第2先驅物之引入仍繼續一所定時間。 在本發明之另一實施例中，在同時引入氧的第1及第2先 驅物之後停止氧的第2先驅物的引入而繼續引入氧的第1先驅 物一所定時間。隨後，在引入鋁的先驅物於反應室中前（步驟 c))沖洗反應室。鋁的先驅物可為三甲基鋁（TMA)。 經上述步驟a)、b)及c)結果在矽基板表面即形成由氧化鋁 構成之殿積物。 依圖2所示實施例，在每一步驟a)、b)及c)中使澱積表面 曝露於先驅物時會因該先驅物與澱積表面之吸附反應結果，在 澱積表面形成附加之澱積物。反覆實行圖2流程圖所示步驟 a)、b)及c)即可增大矽基板表面之澱積物的厚度。厚度到達目 標厚度後製程即告終結，結果在矽基板表面形成由氧化鋁構成 之厚度及組成均勻之澱積物。 圖3所示為本發明之一實施例的方法。在圖3中所示之方 法步驟a)、b)及c)係以時間⑴的函數表示。q時段表示兩不同 氧的先驅物，即水及臭氧，可在一前一後且其中間不沖洗反應 室之下或至少部分同時或同時引入反應室中。t2及t3分別代表 在步驟b)及c)之間及步驟c)結束時實行沖洗的設定時間。此等 時間t丨，t2及t3之長短可獨立的選定。步驟c)可以同樣方式啟 始製程，隨後實行步驟a)或步驟b)，此為熟悉此項技術之人根 據本說明書瞭解，而各製法步驟的期間（時間）可獨立的選定 一節亦為熟悉此項技術之人所知。 圖4顯示過剩載體使用期限（QSSPC)測定資料。使用脈衝 12 201144474 雷射照射矽的表面，及於雷射脈衝終止後測定電阻率（resistivity) 之變化率。然後由該測定值計算過剩載體使用期限（即使用壽 命）。上述之測定係使用不同的光強度而以形成之過剩載體之值 (過剩載體密度）表示。由圖4所示可知，壽命曲線愈高重組 愈慢，因而保護性能（passiviation properties)愈佳。 實施例1 此實施例為依圖2所示實施態樣在微晶矽基板表面形·成保 護性澱積物。 於放置基板於反應室前，對基板實施預處理。在此預處理 期間使用1%氟化氫(HF)溶液蝕刻微晶矽基板的露出表面30秒 去除雜質之後在脫離子水中漂洗。 預處理後將基板插置於P400 ALD批次或裝置（芬蘭Beneq 公司製）的反應室中並使插置於反應室中之基板的表面曝露於 反應環境(reaction environment) 〇 在送基板進入ALD裝置之準備工作完了後，將ALD裝置 之反應室抽氣成負壓狀態並灌入載體氣體（carrier gas)使室内 處理壓力達到約1毫巴（1 mbar)，然後藉電腦控制，將基板加 熱至處理溫度’即將反應室内之處理溫度穩定於2〇〇。(：，歷時6 小時。上述之載體氣體及用以沖洗反應室之氣為氮(n2)。 處理溫度穩定於所定溫度後，依圖2之步驟a)、將水作為 氧的第1先驅物引入反應室中使矽基板表面曝露於該氧的第1 先驅物。即引入該氧的第1先驅物（水)經所定時間後，同時引 入氧的第2先驅物（即臭氧(03))於反應室中（步驟b))，即步 驟a)及步驟b)在時間上有重疊。易言之，在所定時間期間，將 13 201144474 水及臭氧同時引入反應室中，然後停止引入水，繼續引入臭氧 一所定時間（步驟b))。繼之沖洗反應室。 以載體氣體將反應室中之剩餘氧的第1及第2先驅物及反 應副產物沖洗後，使基板表面同樣地曝露於鋁的先驅物，即三 甲基鋁（步驟c))。然後再度沖洗反應室《此沖洗程序包括步驟 a)、b)及c)。此程序實行一次後，在製程結束前反覆299 .次， 然後從ALD裝置之反應室取出基板。在反應室中經過總共300 次之“ALD循環”後在矽基板表面形成約30奈米（nm)厚之氧 化鋁澱積防護膜。經檢測，此防護膜保形且均勻覆蓋在廣大之 基板表面。 使基板表面曝露於特定之先驅物係藉打開P400 ALD裝置 之脈衝閥，控制流入反應室中之先驅化學品之流量來實行。反 應室之沖洗則藉關閉閥控制先驅物流入反應室中，只讓載體氣 體通過反應室流動而實行。在此實施例中反應室之清洗程序之 詳細如下：曝露0.5秒於水、曝露1.〇秒於水及臭氧、曝露1.〇 秒於臭氧、沖洗1·〇秒、曝露0.4秒於三曱基鋁、沖洗1.0秒。 此順序之曝露時間及沖洗時間分別代表特定之先驅物之特定脉 衝閥的打開時間及其他全部之脉衝閥的關閉時間。 膏施例2 此實施例為依圖1所示實施態樣在微晶矽基板表面形成保 護性澱積物。 於放置基板於反應室前，對基板實施預處理。在此預處理 期間使用1%氟化氫(HF)溶液蝕刻微晶矽基板的露出表面3〇秒 去除雜質之後在脫離子水中漂洗。 14 201144474 預處理後將基板插置於P400 ALD批次或裝置（芬蘭Beneq 公司製）的反應室中並使插置於反應室中之基板的表面曝露於 反應環境。 在送基板進入ALD裝置之準備工作完了後，將ALD裝置 之反應室抽氣成負壓狀態並灌入載體氣體（carrier gas)使室内 處理壓力達到約1毫巴（1 mbar)，然後藉電腦控制，將基板加 熱至處理溫度，即將反應室内之處理溫度穩定於200eC，歷時6 小時。上述之載體氣體及用以沖洗反應室之氣為氮(N2)。 處理溫度穩定於所定溫度後’依圖1之步驟a)、將水作為 氧的第1先驅物引入反應室中使矽基板表面曝露於該氧的第1 先驅物。即引入該氧的第1先驅物（水）經所定時間後停止引入 該第1先驅物進而引入氧的第2先驅物（即臭氧(〇3))於反應 室中（步驟a))，在時間上早於步驟b)臭氧的引入繼續所定時間 步驟b))後沖洗反應室。 以載體氣體將反應室中之剩餘氧的第1及第2先驅物及反 應副產物沖洗後，使基板表面同樣地曝露於鋁的先驅物，即三 甲基鋁（步驟c))。然後再度沖洗反應室。此沖洗程序包括步驟 a)、b)及c)。此程序實行一次後，在製程結束前反覆299次， 然後從ALD裝置之反應室取出基板。在反應室中經過總共300 次之“ALD循環”後在矽基板表面形成約30奈米（nm)厚之氧 化紹殿積防護膜。經檢測，此防護膜保形且均勻覆蓋在廣大之 基板表面。 使基板表面曝露於特定之先驅物係藉打開P400 ALD裝置 之脈衝閥，控制流入反應室中之先驅化學品之流量來實行。反 15 201144474 應室之沖洗則藉關閉閥控制先驅物流入反應室中，只讓載體氣 體通過反應室流動而實行。在此實施例中反應室之清洗程序之 詳細如下：曝露0.5秒於水、曝露1.0秒於臭氧、曝露0.4秒於 三甲基鋁、沖洗1.0秒。此順序之曝露時間及沖洗時間分別代 表特定之先驅物之特定脉衝閥的打開時間及其他全部之脉衝閥 的關閉時間。 精於此項技術之人可根據本發明之基本方案以各種方式實 行，因此本發明不受限於所示實施例，應擴及請求項所界定之 專利範圍内之各種改變。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明方法之一實施例的流程圖； 圖2為本發明方法之另一實施例的流程圖； 圖3為顯示本發明方法之一實施例之ALD循環之示意圖； 及 圖4為過剩載體使用期限測定（QSSPC-測定）數據。 【主要元件符號說明】 16

Claims (1)

1. 201144474 七、申請專利範圍： 1. 一種在矽基板表面形成由氧化鋁構成之澱積物的方法， 其特徵乃在該方法包括任何順序之下述交替步驟： a) 於反應室中引入水及臭氧(03)之一者作為氧之先驅物， 使該氧之先驅物的至少一部分被吸收在矽基板的澱積面上； b) 於反應室中引入水及臭氧之另一者作為氧之先驅物，使 該氧之先驅物的至少一部分被吸收在矽基板的澱積面上； c) 於反應室中引入鋁的先驅物，使該鋁之先驅物的至少一 部分被吸收在矽基板的澱積面上，隨後沖洗該反應室； 假如，在步驟c)之前先實行步驟a)或b)，則在步驟c)之前 沖洗反應室，假如步驟a)比步驟b)先實行或步驟b)比步驟a) 先實行，則在步驟a)及步驟b)之間不實行反應室之沖洗。 2. 請求項1之方法，其特徵在於步驟a)及步驟b)係依任何 順序依序實行。 3. 請求項1及2之任一之方法，其中鋁的先驅物係由含鋁 的有機金屬化學品之群中選出。 4. 請求項1〜3之任一之方法，其中鋁的先驅物係由三曱基 鋁及三乙基鋁之群中選出。 5. 請求項1〜4之任一之方法，其中該澱積物係在反應室中 藉ALD型方法形成於矽基板的表面。 17 201144474 6. 請求項5之方法，其中在ALD型方法中之澱積物的生長 係主靠熱活化作用。 7. 請求項1〜6之任一方法，其中該方法包括反覆實行步驟 a)、步驟b)及步驟c)之至少一步驟至少一次。 8·請求項1〜7之任一方法，其中該方法包括依任何順序以 連串方式反覆實行步驟a)、b)及c)至少一次。 9.請求項1〜8之任一方法，其中該矽基板表面含單晶矽。 10·請求項1〜8之任一方法，其中該矽基板表面含多晶矽。 11. 請求項1〜8之任一方法，其中該矽基板表面含微晶矽。 12. 請求項1〜11之任一方法，其中該矽基板表面之澱積物 為防護性澱積物。 13. —種矽基板表面之澱積物，其中該殿積物含有由上述請 求項1〜12的方法所獲得之氧化鋁。 H.請求項13之澱積物，其中該基板表面之澱積物為防護 性澱積物。 八、圖式： 18