TW201138029A - Light-reflecting substrate, substrate which can be mounted in light-emitting element, light-emitting device, and process for production of substrate which can be mounted in light-emitting element - Google Patents

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Ryokichi Ogata
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Description

201138029 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種具有用以反射光之金屬層之反光義 板、及使用反光基板製作之用以搭載發光二極體或半^ 雷射等發光元件之發光元件搭载用基板與發光元件 基板之製造方法。 用 【先前技術】 近年來，LED(Light Emitting Di〇de，發光二極體）或 Uvaser Diode，雷射二極體（半導體雷射））等發光元件於 照明、行動電話或大型液晶電視之背光源等多種領域中大 量用作光源。對使用此種發光元件之光源要求高可靠▲ 發光效率、低發熱量等特性。特別是要求可長時間維持: 尚之發光效率。 為滿足上述要求，且為了進行保護以應對來自外部之機 械性衝擊或化學性作用、或提高向印刷電路基板等外料 板之安褒性（電性連接之可靠性等）等，發光元件—: 搭載於發光元件搭載用基板，且 等密封之發光裝置而使用。3有勞“成分之樹脂 =元件搭載用基板係使用將反射光之金屬層點附於絕 之主表面而成之反光基板而製作。作為形成金屬層 孟屬材料’例如可使用作為光之反射率較高之物 可見^光之反射率為金屬材料中最大）之銀或以銀作為 主成分之合金等金屬材料。 "、 [專利文獻1】曰本專利特開2009-23 1440號公報 154429.doc 201138029 [專利文獻2]曰本專利特開2010-34487號公報 [專利文獻3]曰本專利特開2006-140360號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 於在反光基板中使用銀作為金屬層之情形時，由於銀為 發生硫化或氧化之物質，故而因疏化反應等金屬層之表面 會變色成黃色或黑色等，從而有可能使光之反射率下降。 又，於發光元件搭載用基板中，即便於將發光元件搭載於 絕緣基板後藉由樹脂密封發光元件及金屬層中被發光元件 所發出之光照射之部位之情形時，由於樹脂具有吸濕性， 故而金屬層對於空氣中之水分等之保護不充分，因此金屬 層亦有可能產生變色。 對於上述之問題，例如於專利文獻丨中所記載般，考慮 有如下方法：於形成銀系之配線導體（金屬層）後，以覆蓋 金屬層之表面之方式塗佈玻璃材料（玻璃膏）並燒成，形成 被覆金屬I之透明纟色之玻璃|，藉由該玻璃層可使光透 過並且抑制銀之硫化等化學變化。 然而，於此種發光元件搭載用基板之製造方法中，—旦 藉由燒成而形成㈣導體層（金屬層）後，則必需再次燒成 且以被覆金屬層之方式使玻璃層黏附，因此製程成本容易 變高。又，於要求使小型發光裝置或複數個發光元件搭載 於-個絕緣基板即所謂之多晶片化之情形時，於上述製造 方法中’對未燒成之玻璃陶:£材料進行—次燒成，於收縮 而尺寸變小之絕緣基板之主表面及金屬層上形成玻璃層， 154429.doc 201138029 =此以僅將金屬層準確被覆之方式形成玻璃I有可能變得 困難。 吾u包圍發光兀件之框狀反射部之情形時，反射 成為阻礙，而難以將成為玻璃層之玻璃膏塗佈於金屬層 之表面。 因此’考慮有藉由與絕緣基板之同時燒成而形成金屬層 層之兩者之製造方法，~以被覆未燒成之金屬層 A 等）之方式塗佈未燒成之玻璃材料（玻璃膏等），將 °亥寻與絕緣基板同時燒成之方法（例如，參照專利文獻2)。 “ ’若Η銀作為主成分之導電f上塗佈玻璃膏並同 時燒成’則燒成時銀與玻璃發生反應，銀容易於玻璃之露 出表面等擴散。並且’藉由擴散之銀成分之氧化或硫化而 使玻璃層著色(變成黃色）’玻璃層之透明度下降，自金屬 層至外部之光之反射率有可能下降。 本發明係#於上述先前之問題而完成’其目的在於提供 -種將銀或以銀作為主成分之金制黏附於絕緣基板之主、 表面而了抑制由金屬層之氧化或疏化所引起之變色之反 光基板及發光元件搭載用基板。又，本發明提供一種可製 造發光元件搭載用基板之製造方法’其將銀或以銀作為主 成分之金屬層在抑制銀向玻璃層之擴散且由玻璃層被覆之 狀態下藉由同時燒成而黏附於絕緣基板之主表面，可抑制 由金屬層之氧化或硫化所引起之變色，且可長時間維持較 向之光反射率。 [解決問題之技術手段] 154429.doc 201138029 本發明之反光基板之特徵在於包含絕緣基板、及黏附於 該絕緣基板之主表面之銀或以銀作為主成分之金屬層，上 述金屬層由軟化點低於銀之熔點之玻璃層所被覆，且於該 玻璃層之露出表面不存在銀。 又’本發明之反光基板之特徵在於：於上述構成中，上 述金屬層與上述玻璃層中之至少一者含有铯、铷及鳃中之 至少^一種。 又’本發明之反光基板之特徵在於：於上述構成中，上 述玻璃層含有氧化錯、氧化鋁、氧化鈦及氧化鈮中之至少 —種。 又’本發明之反光基板之特徵在於：於上述構成中，上 述絕緣基板包含玻璃陶瓷燒結體，該反光基板係同時燒成 上述絕緣基板、上述金屬層及上述玻璃層而形成；上述玻 璃層係將軟化點高於藉由上述同時燒成而成為上述玻璃陶 瓷燒結體之玻璃成分之第2玻璃材料之軟化點、且低於銀 之熔點之第1玻璃材料燒成而成。 本發明之發光元件搭載用基板之特徵在於包含：上述任 意構成之反光基板；及發光元件之搭載部，其係設置於上 述絕緣基板之黏附有上述金屬層之上述主表面。 本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之特徵在於： δ亥發光件搭載用I板係⑫包含玻璃m、㈣之絕緣基 板之主表面具有搭載有發光元件之部位，於上述絕緣基板 之上述主表面中被上述發光元件所發出之光照射之部位黏 附有金屬層，《光元件㈣用基板之製造方法包含：第 】54429.doc -6 - 201138029 1步驟’其係準備玻，並且將使銀或以銀作為 主成分之導體材料分散於有機溶劑製作而成之導電膏塗佈 ;上述玻璃陶瓷生片之主表面中至少被上述發光元件所發 出之光照射之部位； 第2步驟’其係使用軟化點高於上述玻璃陶竞生片中所 3之玻璃成》之軟化點、且低於銀之炫點之玻璃材料之粉 末製作玻璃膏，且以被覆塗佈於上述玻璃"生片之主表: 面之上述導電膏之方式塗佈該玻璃膏；及 第3步驟，其係對塗佈有上述導電膏及上述玻璃膏之上 述玻璃陶究生片進行加熱，使上述玻璃陶究生片燒結而製 成包含上述玻璃陶竟燒結體之絕緣基板’並且於該絕緣基 板之主表面使上述導電膏燒結而黏附銀或以銀作為主成^ 之上述金屬層’並且於使上述玻璃膏之上述玻璃材料之粉 末炫融後進行冷卻而製成透明之玻璃層，由該玻璃層被= 上述金屬層》 人’本發明之發光元件搭載 於.於藉由上述第1步驟而製作之上述導電膏及藉由上述 第2步驟而製作之上述玻璃膏之至少—者中添加绝、^ 鋼中之至少一種。 又，本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之特徵在 於：於藉由上述第2步驟製作之上述玻璃膏中添加氧化 錯、氧化鋁、氧化鈦及氧化鈮中之至少一種。 又，本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之特徵在 於：於對塗佈有上述導電膏及上述玻璃膏 用心上述破璃陶瓷 I54429.doc ” 201138029 生片進行加熱之步驟前’包含如下步驟：使用與上述玻璃 陶瓷生片巾所含之上述玻璃成分之玻璃轉移·點；f同之第2 玻璃成分製作約束用玻璃陶瓷生片或約束用玻璃陶瓷膏， 且使上述約束用玻螭陶瓷生片或上述約束用玻璃陶瓷膏之 ㈣附於上述玻璃㈣生片之與上述主表面為相反側之主 表面。 又，本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之特徵在 於：該發光元件搭載用基板係於上述絕緣基板之上述主表 面’進而積層包圍搭載上述發光元件之部位之框部且亦於 該框部之内側面黏附有金屬層， 於上述第1步驟令進而包含如下步驟：除上述玻璃陶究 生片外亦準備框狀之玻璃陶瓷生片，並且亦於該框狀之玻 璃陶瓷生片之内側面塗佈上述導電膏； 於上述第2步驟中進而包含如下步驟：以亦被覆塗佈於 上述框狀之玻璃陶瓷生片之内側面之上述導電膏之方式塗 佈上述玻璃膏，並且於上述玻璃陶瓷生片之上述主表面以 包圍搭載上述發光元件之部位之方式積層該框狀之玻璃陶 究生片而形成積層體。 [發明之效果] 根據本發明之反光基板，金屬層係藉由軟化點低於銀之 熔點之玻璃層而被覆，因此可抑制金屬層之銀成分之氧化 及硫化。又，由於該玻璃層之露出表面不存在銀，因此可 抑制由該露出之銀之氧化或硫化等而引起之玻璃層之著 色、及伴隨著色之光之透過性劣化。因此，可提供一種能 154429.doc 201138029 夠抑制由銀或以銀作為主成分之金屬層之氧化或硫化所引 起之變色之反光基板。 根據本發明之發光元件搭載用基板，可提供一種與上述 反光基板同樣地，能夠抑制金屬層之銀成分之氧化及硫化 之發光元件搭載用基板。 根據本發明之發光元件搭載用基板之製造方法，由於包 含上述各步驟，因此於所製作之發光元件搭載用基板中， 藉由玻璃層可防止由銀之硫化反應等化學變化所引起之變 色’並且可防止反射率之隨時間變化。 即，於上述製造方法中，由於玻璃材料之軟化點高於玻 璃陶瓷生片之玻璃成分之軟化點，因此於玻璃成分軟化而 銀及玻璃陶瓷燒結體大致燒結（玻璃成分之液相燒結）之 後，玻璃材料開始軟化。因此，可抑制銀向玻璃材料擴 散，且抑制由銀於玻璃材料中擴散而引起之玻璃材料、即 玻璃層之變色，從而可提高反射率。又，由於玻璃材料之 軟化點低於銀之熔點，因此於玻璃材料之軟化時銀不會熔 融。因此，抑制銀向玻璃層擴散，並且於由玻璃層被覆之 狀態下藉由同時燒成而可使銀或以銀作為主成分之金屬層 黏附於絕緣基板之主表面。並且，可提供一種能夠製造可 長時間維持金屬層中較高之光反射率之發光元件搭載用基 板0 【實施方式】 參妝隨附之圖式對本發明之反光基板及發光元件搭載用 基板進行說明。再者，於以下之說明中，有時將光（可見 154429.doc 201138029 光）之反射率僅稱為反射率。 圖1 (a)係表示本發明之反光基板之實施形態之一例的俯 視圖’圖1(b)係圖i(a)之a-A線之剖面圖，圖1(c)係模式性 表示進一步擴大圖1(b)之主要部分之剖面圖。由玻璃層3被 覆黏附於絕緣基板！之主表面（上表面）之金屬層2,基本形 成反光基板。 反光基板1可用於用以搭載發光元件之發光元件搭载用 基板或發光裝置中所使用之反射器（光反射板））等之反射光 之各種用途中。 絕緣基板1具有對應用途之形狀及尺寸，且藉由玻璃陶 瓷燒結體、氧化鋁質燒結體或富鋁紅柱石質燒結體等絕緣 材料而形成。例如，若於將反光基板用作發光元件搭載用 基板之情形時，則絕緣基板i係以具有對於將發光元件搭 載於主表面而言充分大之尺寸之四角板狀等形狀而形成。 —絕緣基板1例如可藉由將未燒成之玻璃陶瓷材料與有機 溶劑及黏合劑—併成形為特定之絕緣基板丨之形狀，並藉 由而製作。 金屬層2為用以反射光之部分’且以層狀黏附於絕緣基 板以主表面（圖以财為上表面）。為提高反射率，而藉 由銀或以銀作為主成分之金屬材料形成金屬層作為以 銀作為主成分之金屬材料，例 ^ , j J举出於銀中添加鹼金屬 或驗土金屬之金屬材料。作為 峨1屬或鹼土金屬，可舉出 絶、物或錯等。 金屬層2例如可藉由將於銀之粉末 禾中添加有機溶劑及黏 154429.doc •10· 201138029 合劑’混練製作而成之金屬膏塗佈於絕緣基板i之主表 面，並加熱燒結而形成，金屬層2亦可藉由與絕緣基板κ 同時燒成而形成。 玻璃層3係被覆金屬層2,且用以防止形成金屬層2之銀 之氧化及硫化者。^ 了使來自外部之光被金屬層2反射， 玻璃層3必需為透明且光之透過率較高者。 金屬層2係藉由軟化點低於銀之熔點(約96Γ〇之玻璃層 3被覆。目此，可抑制金屬層2之銀成分氧化或硫化。又γ 於該玻璃層3之露出表面不存在銀。因此，可抑制由露出 之銀之氧化或硫化等而引起之玻璃層3之著色、及伴隨著 色之光之透過性劣化H可提供—種能夠抑制由銀或 以銀作為主成分之金屬層2之氧化或硫化所引起之變色之 反光基板。 再者，所謂於玻璃層3之露出表面不存在銀，係指存在 於玻璃層3之表面之銀在藉由波長分散型χ射線顯微分析儀 (ΕΡΜΑ，Electron Probe Micr〇_Analysis)等測定中不易檢測 之程度的量，可視為實質上不存在之程度。於此情形時， 即便存在於玻璃層3之露出表面之微量（可視為實質上不存 在之程度）之銀產生氧化或硫化，玻璃層3之光之透過率亦 較高。 使玻璃層3之軟化點低於銀之炼點之原因在於：將成為 玻璃層3之玻璃材料之膏等塗佈於金屬層2之露出表面並加 熱而形成玻璃層3時，防止金屬層2之熔融。 :¾考慮防止上述金屬層2之熔融，或抑制銀向玻璃層3之 154429.doc •11- 201138029 路出表面擴散，則形成玻璃層3之玻璃材料之軟化點較理 想為約900。(：以下《作為此種玻璃材料，例如可舉出含有 CaO、SrO、Al2〇3、Mg0及Ba〇中之一種以上之硼矽酸系 之玻璃等。 例如，如圖1(c)所示，於玻璃層3中，金屬層2之銀成分 係根據使玻璃層3黏附時之熱等能量而分散若干。於此情 形時，只要將玻璃層3之軟化點如上所述抑制為較低，則 可抑制因擴散而於玻璃層3之露出表面存在銀。 金屬層2之銀成分向玻璃層3之擴散相對於玻璃層3之厚 度較理想為3 0%以下。例如於圖1 (c)所示之示例中，銀擴 散之範圍相當於相對於玻璃層3整體之厚度為3〇%之範 圍玻璃層3中所擴散之銀成分未必限定為如圖之圓形（球 形）狀，可成為亦包含不規則形狀之各種形狀。 再者，金屬層2及玻璃層3亦可藉由將成為金屬層2之金 屬膏與成為玻璃層3之玻璃膏同時加熱燒成之方法而形 成。 於上述反光基板之金屬層2及玻璃層3之至少一者包含 鉋、铷及锶中之至少一種之情形時，可更有效地抑制銀向 玻璃層3之擴散。故於此情形時，可提供一種更有效地抑 制玻璃層3之露出表面存在銀之反光基板。 鉋、铷及锶具有抑制金屬層2之銀擴散至玻璃層3之效 果。可涊為其原因在於：於用以使玻璃層3黏附之加熱時 上述铯等材料較銀更先擴散至玻璃層3中，且預先於玻璃 層3中含有上述鉋等材料，由此铯等阻礙銀向玻璃層3之擴 154429.doc 12 201138029 散。又，由於該等鉋等上述材料於玻璃層3中為無色透 明’因此不阻礙玻璃層3中之光之透過。 若使例如金屬層2中含有铯等上述材料之情形時，則藉 由以碳酸鹽或各種有機酸鹽等之形態添加至成為金屬層2 之金屬膏中，並與金屬層2(以及有時為玻璃層3)一併燒 成而可使金屬層2中含有鉋等材料。於使玻璃層3中含有 絶等材料之情形亦同樣地，只要以碳酸铯等之形態添加至 成為玻璃層3之玻璃膏中即可。 於將铯等材料以鹽之形態添加至金屬膏或玻璃膏之情形 時，較佳為藉由熱處理分解，而不殘留於金屬層2及玻璃 層3内之酸之鹽（例如上述碳酸鹽等）。 尸又，於上述反光基板之玻璃層3含有氧化錯、氧化銘、 氧化鈦及氧化銳中之至少一種之情形時，使透過玻璃们 亚朝向金屬層2之光之一部分適度於玻璃層3内（即於光之 ^之途中）反射，抑制藉由玻璃層3之光之吸收，從而可 提尚光之反射率。該氧化錯等材料較佳為以分散於玻璃層 3中之粒子之形式含有於玻璃層3中。 此時，於氧化錯等之含量較少之情形時，存在上述光之 反射率提高之效果變小之傾向，於含量較多之情形時，存 在藉由光反射率低於銀之氧化錯等之光之反射相對於藉由 金屬層2之光之反射變大，作為反光基板之光之反射率變 低之傾向。因此’玻璃層3中之氧化錯等之含量較佳為約 5〜15質量。/。左右之範圍。 再者玻璃層3中含有之材料為氧化錯之情形時，由於 154429.doc •13- 201138029 氧化錘中難以析出電鍍金屬，因此如將反光基板用作發光 元件搭載用基板時較有利。例如，如下所述於發光元件搭 載用基板中使鎳或金等之電鍍層黏附於金屬層2之露出表 面時，可進而確實地抑制存在於玻璃層3之露出表面之氧 化錯之粒子中附著電鑛金屬之類的異常。 又，於包含於玻璃層3之材料為氧化鋁之情形時，由於 氧化銘之導熱性相對較高’因此如將反光基板用作發光元 件搭載用基板時較有利。由於氧化鋁之導熱性相對較高， 因此可提高作為玻璃層3之導熱性，從而使來自發光元件 之散熱性提高。 上述反光基板之絕緣基板1包含玻璃陶瓷燒結體，且反 光基板係同時燒成絕緣基板1、金屬層2及玻璃層3而形 成，於玻璃層3係藉由燒成軟化點高於藉由同時燒成而成 為玻璃陶瓷燒結體之玻璃成分之第2玻璃材料之軟化點更 高、且低於銀之熔點之第1玻璃材料而形成之情形時，具 有如下之效果。 即’於此情形時，由於係藉由同時燒成絕緣基板丨、金 屬層2及玻璃層3而形成反光基板，因此可將製程成本抑制 為較低，且以僅將金屬層2準確被覆之方式容易形成玻璃 層3。又，由於玻璃層3係藉由上述第1玻璃材料而形成， 因此當同時燒成時’於形成絕緣基板丨之第2玻璃材料軟化 而成為玻璃陶瓷燒結體之玻璃成分之後，以低於銀之溶點 之溫度使第1玻璃材料軟化而成為形成被覆金屬層2之玻璃 層3者。因此，於此情形時，可提供一種有效抑制玻璃層3 154429.doc -14- 201138029 之露出表面上之銀之存在，且對製程成本或藉由玻璃層3 準確被覆金屬層2亦有效之反光基板。 再者，於此情形時，即便於絕緣基板丨之上表面設置用 以使光之反射會聚於同一方向之反射部（圖未圖示），亦 可容易地形成被覆金屬層2之表面之玻璃層3。 包含玻璃陶瓷燒結體之絕緣基板丨由於燒成溫度相對較 低（銀之熔點左右），因此可藉由與銀或以銀作為主成分之 金屬層2之同時燒成而形成。 絕緣基板1例如可藉由將以硼矽酸玻璃等玻璃材料及氧 化鋁作為主成分之原料粉末與有機溶劑及黏合劑等一併成 形並燒成為特定之絕緣基板丨之形態而製作。形成該絕緣 基板1之玻璃材料為上述第2玻璃材料，且藉由燒成而成為 作為玻璃陶瓷燒結體之主成分之玻璃成分。 於此情形時，必需使用如上所述包含除軟化點低於銀之 熔點以外，軟化點亦高於第2玻璃材料之軟化點之條件的 第1玻璃材料形成玻璃層3。第丨玻璃材料之軟化點例如為 900°C以下且只要為約87〇。(：以上即可。 作為第1玻璃材料，可舉出含有上述Ca〇、Sr〇、 Α1ζ〇3、Mg〇及BaO中之一種以上之添加材料之硼矽酸系玻 ㈤’且藉由調整該等添加材料相對於Si〇2及b2〇3之組成比 而將軟化點調整為上述範圍（87〇〜9〇〇°c)者。 圖2(a)係表示本發明之發光元件搭載用基板之實施形態 之一例的俯視圖，圖2(b)係圖2(a)之B-B線之剖面圖。圖2 中對與圖1相同之部位附加相同之符號。 s 154429.doc -15· 201138029 發光元件搭載用基板係藉由在上述反光基板上設置搭載 發光元件（圖2中未圖示）之部位即發光元件之搭載部la而形 成。發光7L件為LED(發光二極體）或LD(半導體雷射）等。 為了使發光元件發出之光向外部反射，而將發光元件之搭 載部la設置於絕緣基板丨之黏附有金屬層2之主表面。 再者’發光元件搭載用基板中實際與接合發光元件之部 位並非必需為絕緣基板丨之主表面本身（玻璃陶瓷燒結體等 之露出面），亦可為黏附於主表面之絕緣層之表面（例如玻 璃層3之露出表面）等。 該發光元件搭載用基板於玻璃層3之一部分具有開口（無 符號），於開口處露出金屬層2。該金屬層2之露出之部分 例如作為用以經由接線等電性連接搭載於搭載部la之發光 70件7之連接端子而發揮功能。於使金屬層2之一部分作為 連接端子而露出之情形時，藉由鎳或金等之電鍍層被覆該 露出面，而抑制氧化或硫化及提高接合性等。 以下對發光元件搭載用基板之詳細之製造方法進行說 月於以下之發光元件搭載用基板之製造方法之說明中， 舉出製作t實用之構造之發*元件搭載用基才反之情形為例 進行說明。 關於本發明之發光元件搭載用基板之製造方法，一面參 照添付之圖式一面進行說明。 圖3(a)〜圖3(d)分別係按步驟順序表示本發明之發光元件 搭载用基板之製造方法之—例的剖面圖。又，圖4(&)係表 不藉由本發明之製造方法而製作之發光元件搭載用基板之 154429.doc •16- 201138029 一例的剖面圖，圖4(b)係圖4(約之俯視圖。如圖4所示，發 光元件搭载用基板9係由如下各部而基本形成：絕緣基板 ^其係包含玻璃燒結體，且於主表面具有搭載:光 7C件7之部位la ;金屬層2，其係黏附於被由發光元件7所 發出之光照射之部位；及玻璃層3，其係被覆金屬層2。於 圖4所示之發光元件搭載用基板9上搭載發光元件7而形 發光裝置。 絕緣基板1為用以搭載並保護發光元件7之基體，且能夠 了下述之包含銀或以銀作為主成分之導體材料之金屬層2 同時燒成，因此係藉由玻璃陶竞燒結體而形成。為了搭载 毛光7L件7，絕緣基板〗例如形成為長方形等四角板狀，且 於主表面，所示之射僅為上表面）具有搭載發光元件之 部位1 a。 金屬層2為用以與搭載於絕緣基板丨之發光元件7電性連 接且向發光兀件7供給必要之電力之配線導體（無符號）、或 用以將發光S件7發出之光向外側（上方向）反射之反射層 (無符號)等。於將金屬層2用作配線導體之情形時，為了提 局作為發光裝置之發光效率’亦必需為有效反射發光元件 7發出之光者。因此，金屬層2係由金屬中光反射率最大之 銀或以銀作為主成分之導體材料而形成。 銀或以銀作為主成分之金屬層2係黏附於絕緣基板1之主 表面（上表面）中被發光元件7發出之光照射之部位者，其他 金屬層（例如黏附於絕緣基板1之下表面之其他金屬層㈣） 亦可為包含其他金屬材料者。再者，絕緣基板】之主表面 I54429.doc -17· 201138029 中破發光元件7發出之光照射之範圍於
緣基板〗之整個上表面。 ，、之例中為、‘S 破璃層3係用以抑制由銀或 而形成之金屬層2中之銀…— 成分之導體材料 玻璃声3銀之硫化或氧化等化學變化者。該 Γ因=可能不減弱由金屬層2反射之光而使其透 因此由無色透明之玻璃材料而形成。 再者，於圖4所示之例中，於玻璃層3之—部分設 孔（無符號）且由錄或金等之電錢層5填充該貫通孔。電:層 ^作為用以使金屬層2與發光元件7電性連接之連接塾而又^ Γ:此：由接線6等使發光元件7之電極連接於該電錢層 由此發光元件7與配線導體等之金屬層2電性連接。
板Γ之世&圖4所示之例中’形成於厚度方向上貫通絕緣基 4a。二二孔(無符唬”並且於該貫通孔内填充有貫通導體 貝、導體4a具有例如將黏附於絕緣基板R =2電性導出至絕緣基板1之下表面之功能。經由該ΐ 、導體4a，例如絕緣兵杯丨夕μ主工 緣基板R下夺而^ 金屬層2與黏附於絕 下表面之另一金屬層2b電性連接，只要將另一 心層2b與外部之電路（未圖示）電性連接，則發光元件7與 卜部之電路電性連接。 〃 細：對此種發光元件搭載用基板9之製造方法進行詳 (第1步驟） 3百先，如圖3(a)所示，準備玻璃陶瓷生片n，並且如圖 ()斤不，將使銀或以銀作為主成分之導體材料於有機溶 154429.doc 201138029 2中分散製作而成之導電膏22塗佈於玻璃陶莞生片u之主 表面中之至少被發光元件7發出之光照射之部位。 玻璃陶莞生片⑽藉由燒成财㈣、玻璃或鐘 石夕酸系玻璃等玻璃成分及4 &斗、产 氧化鋁或氧化鈣等陶瓷成分作為 主成分之玻璃陶莞燒結體者，例如，可藉由以該等玻璃成 分及陶究成分之粉末作為原料粉末，採用到刀法或唇式塗 佈法等片材成形技術將該原料粉末與有機溶劑及有機黏合 劑等-併混練製作而成之陶Μ成形為片材狀而準備。 玻璃陶究生片11之厚度例如為1〇〇〜3〇〇㈣左右，可準備 複數個玻璃陶竟生片’按下述步驟積層。於積層複數個玻 璃陶究生片（未圖示）而製作成為絕緣基板！之積層體之情形 時，只要將積層體設為例如厚度約3〇〇〜15〇〇 μηι左右，俯 視時之外邊之長度約2.5 mm〜1Q匪左右之長方形板狀或 正方形板狀即可。 導電賞22可藉由將銀或以銀作為主成分之導體之粉末與 有機溶劑及黏合劑一併混練而製作。作為以銀作為主成分 之導體材料’可舉出於銀之粉末中添加碳酸鉋、碳酸雜或 碳馱锶等鹼金屬元素或鹼土金屬元素之碳酸鹽之粉末者。 於此情形時，就提高金屬層2之光反射率之方面而言，較 佳為將以銀作為主成分之導體材料中之銀之含有率設為 95〜1〇〇質量％左右。 再者，於使用以銀作為主成分之導體材料之導電膏22 中’上述奴酸鹽等添加物於下述之包含燒成之步驟中，具 有抑制銀向玻璃膏33擴散之效果。該情形與上述本發明之 154429.doc -19- 201138029 反光基板及發光元件搭載用基板中之效果相同。即，上述 碳酸鹽等添加物於燒成時分解而容易離子化，且與銀相比 先於玻璃膏33中擴散，因此抑制銀於玻璃膏33中離子化並 擴散。於此情形時’由於上述之驗金屬元素或驗土金屬元 素之材料於燒成後之玻璃膏33(玻璃層3)内為無色透明，因 此不會阻礙玻璃層3中之光之透過。 再者’绝、铷及锶除碳酸鹽以外亦能夠以各種有機酸 (羧酸.)鹽之形式添加。又，鉋、铷及锶亦可添加至由下述 之第2步驟而製作之玻璃膏中。於此情形時，亦可同樣獲 得抑制銀之擴散之效果β 將該導電膏塗佈於22玻璃陶瓷生片u之主表面中至少被 發光tl件7發出之光照射之部位、即於該例中為玻璃陶瓷 生片11之上表面。於此情形時，導電膏22不必塗佈於玻璃 陶竟生片11之整個上表面，只要以特定之配線導體或反射 層之圖案進行塗佈即可。 #者’於圖3⑷所示之例中，對玻璃陶竟生片u實施 用杈’、之衝壓加工等打孔加工而形成貫通孔(無符號)， 該貫通孔内填充與上述導電f22不同之其他導電膏料。 :導電嘗44可為以銅、始或金等銀以外之金屬作為主成 二可為與導電膏22同樣地以銀作為主成分者。將埴 4所貝干二之其他導電膏44於下述步驟中燒成而成為例如 4所不之貫通導體4a。 (第2步驟） 繼而 如圖3(c)所示 ’使用軟化點高於玻璃陶瓷生片u 154429.doc •20· 201138029 中所含之玻璃成分之軟化點、且低於銀之熔點之玻璃材料 之粉末製作玻璃嘗33 ’並且以被覆塗佈於玻璃陶瓷生片^ 之主表面之導電膏22之方式塗佈該玻璃膏33。 作為軟化點高於玻璃陶瓷生片11中所含之玻璃成分之軟 化點、且低於銀之熔點（約961。〇之玻璃材料之組成，例如 可舉出含有Si02及Β2〇3 ’且含有CaO、SrO、Al2〇3、Mg〇 及BaO中之一種以上之硼矽酸系之玻璃等。 玻璃材料之軟化點之調整例如可藉由改變選自Ca〇、 SrO、Al2〇3、MgO及BaO中之材料相對於si〇2&B203之組 成比而進行。 該玻璃膏33於下一步驟中進行加熱而成為透明之玻璃層 3，且被覆金屬層2而用以抑制由銀之硫化等化學反應所引 起之金屬層2之變色。因此，必需以被覆塗佈於玻璃陶瓷 生片11之主表面之導電膏22之方式塗佈玻璃膏33。 如上所述，玻璃膏33係以碳酸鹽或有機酸鹽等之形態添 加鉋 '铷及锶，而可於下一步驟之燒成時更有效地抑制銀 於玻璃膏33中擴散。藉由預先添加至玻璃膏33之鉋等材料 而可阻礙銀向玻璃膏33(玻璃層3)之擴散。又’由於該等铯 等材料於玻璃層3中為無色透明，因此不阻礙玻璃層3中之 光之透過。 塗佈玻璃膏33時之厚度就抑制金屬層2之變色之方面而 言越厚越好，就使玻璃層3中之光之透過容易之方面而言 越薄越好。因此，實際之玻璃膏33之塗佈厚度可一方面考 慮必要之抑制金屬層2之變色之效果之大小（使用利用該發 154429.doc •21 - 201138029 二基板9而製作之發光裝置之環境等）、及玻璃 2要之光之透過性，一方面加以適當設定。例如， 右於如上所述之Si〇2_B2〇3.R〇(其中，尺為^〜^、 ^、Ba)系破缚之情形時，則以約i 〇〜3 〇师左右之厚度塗 佈即可。 、再者’ I電膏22及玻璃膏33之塗佈均可藉由網版印刷 凹版印刷法、平版印刷法或軟版印刷法等進行。 (第3步驟） 並且’如圖3⑷所示，對塗佈有導電㈣及玻璃膏似 玻璃陶瓷生片11進行加熱’使玻璃陶瓷生片u燒結而製成 包含玻璃陶瓷燒結體之絕緣基板丨，於該絕緣基板丨之主表 面使導電膏22燒、结而黏附銀或以銀作為主成分之金屬層 2,同時於使玻璃膏33之玻璃材料之粉末熔融後進行冷卻 而製成透明之玻璃層3,且由金屬層2被覆玻璃層3,藉此 可製作發光元件搭載用基板9。 根據本發明之發光元件搭載用基板之製造方法於包含 上述各步驟，由使用軟化點高於玻璃陶竟生片Η中所含之 玻璃成分之軟化點、且低於銀之熔點之玻璃材料之粉末製 作玻璃膏33，以被覆塗佈於玻璃陶瓷生片u之主表面之導 電膏22之方式塗佈該玻璃膏33而製作之發光元件搭載用基 板9中’藉由玻璃層3可防止由銀之硫化反應等化學變化而 引起之變色，且可防止反射率之隨時間變化。 即’於上述之製造方法中，由於玻璃材料之軟化點高於 玻璃陶曼生片11之玻璃成分之軟化點，故而於玻璃成分軟 154429.doc -22· 201138029 化且銀及玻璃陶瓷燒結體大致燒結（藉由玻璃成分之液相 燒結）之後，玻璃材料開始軟化。因此，可抑制銀向玻璃 材料擴散，且抑制由銀於玻璃材料中擴散而引起之玻璃材 料（玻璃層3)之變色，從而可提高反射率。又，由於玻璃材 料之軟化點低於銀之熔點，因此於玻璃材料之軟化時銀不 會熔融。因此，抑制銀向玻璃層3之擴散，並且於由玻璃 層3被覆之狀態下藉由同時燒成而使銀或以銀作為主成分 之金屬層2黏附於絕緣基板1之主表面。並且，可提供一種 能夠製造可長時間維持金屬層2中較高之光反射率之發光 元件搭載用基板9之製造方法。 於此情形時，就如上所述於銀與玻璃陶瓷燒結體之燒結 大致結束後必需使玻璃材料開始軟化之方面而言，玻璃膏 33中所含之玻璃材料之軟化點與玻璃陶瓷生片11之玻璃成 为之軟化點之差較佳為約7 5 〇 °c以上。 例如，若於玻璃陶瓷生片Η之玻璃成分為硼矽酸系玻璃 (軟化點為約800。〇之情形時，則玻璃膏33之玻璃材料只要 使用軟化點為約8 7 0 °C以上者即可。 又，於塗佈以上述銀作為主成分之導電膏22之步驟中， 較理想為以燒成後之銀之平均粒徑成為約2〜3 _之方式調 整銀等導體材料。 °° 若粒徑過大，則存在金屬層2之表面變祕之傾向，且 存在難以充分提高金屬層2本身之反射率之傾向，又，若 粒徑過小，則玻璃陶£生片u中所含之破璃成分有可能容 易擴散至銀之表面，玻璃層3之透明度有可能變低，且反 154429.doc -23- 201138029 射率有可能下降。 又，此種銀粉末例如可藉由霧化法或濕式還原法而製 作。藉由霧化法制作銀粉末可藉由如下方法等進行，即於 炫融之銀中噴塗喷流體，藉由該喷流體之能量使溶融之銀 依序粉化而成為液滴，使所生成之㈣冷卻而製成粉末。 藉由濕式還原法制作銀粉末可藉由如下方法進行，即利用 硝駄銀洛液與氨水而製造銀氨錯合物水溶液，並於其中添 加有機還原劑。 、 又，於上述製造方法中，亦可於玻璃膏33中添加氧化 鍅、氧化鋁、氧化鈦及氧化鈮中之至少一種。於此情形 時，燒成後之玻璃層3含有氧化鲒等材料，與上述反光基 板之情形同樣地可提高光之反射率。添加至玻璃膏”之氧 ，錘等之量例如與上述反光基板同樣地，以玻璃層3中之 氧化鍅等之含量成為5〜15質量％左右之方式設定即可。於 此情形時，氧化錯等較理想為以於玻璃層3中分散之粒子 之形式包含於玻璃層3之方式添加。 又，於玻璃膏33中添加例如5質量％左右之氧化鍅等 之情形時，可抑制燒成時之玻璃膏33之流動，從而以更高 之精度將玻璃層3形成為特定之圖案。 β 再者’與上述之反光基板之情形同樣地，於上述玻璃膏 中所添加之材料為氧化鍅之情形時’可更有效地抑制燒成 後之-电鍍金屬向發光元件搭載用基板9之玻璃層3之附著， 於所添加之材料為氧化鋁之情形時，可提高散熱性。 此處’列舉具體例對本發明之發光元件搭载用基板9之 154429.doc -24· 201138029 製造方法争之效果進行說明。於具體例中所製作之發光元 件搭載用基板9係於俯視時i邊之長度約為5mm，厚度約為 500 μιη之正方形板狀之絕緣基板丨之上表面的中央部具有 搭載發光元件7之部位la，於該上表面以外邊之尺寸約為 2x4.5 mm之長方形狀之圖案將包含銀之2層金屬層2按照約 0.1 mm之間隔並列配置者，並且由包含15 μιη玻璃材料之 厚度約為10 μηι之玻璃層3被覆該金屬層。 上述之發光元件搭載用基板9係藉由以下之步驟而製 作。 首先，製作含有以硼矽酸玻璃及氧化鋁作為主成分之陶 竞《，藉由到刀法將其成形為片材狀而製作玻璃陶兗生片 11。其後，於該玻璃陶瓷生片11之上表面，以上述金屬廣 2之圖案藉由網版印刷法塗佈將銀粉與有機溶劑及黏合劑 混練製作而成之導電膏22。 繼而，將軟化點約為8 7 0 °C，軟化點與玻璃陶竟生片11 中所含之玻璃成分（上述硼矽酸玻璃）之軟化點相比約高 70C之玻璃材料（Si〇2-B2〇3-RO(其中’ R為Sr及A1))之粉末 與有機溶劑及黏合劑混練而製作玻璃膏33，並且藉由網版 印刷法以被覆印刷於玻璃陶瓷生片11之上表面之導電膏22 之方式塗佈該玻璃膏33。 繼而’將塗佈有導電膏22及玻璃膏33之玻璃陶竟生片u 加熱至約915°C，而製作上述具體例之發光元件搭載用基 板9 〇 又，作為比較例，對導電膏（未圖示）塗佈並被覆先前技 154429.doc -25- 201138029 術之玻璃膏（未圖示），與上述之具體例之製造方法之情形 同樣地進行燒成而製作先前技術之發光元件搭載用基板 (未圖示）。於製作比較例之製造方法中所使用之玻璃膏之 步驟中’係使用與上述具體例之玻璃陶瓷生片丨丨中所含之 硼矽酸玻璃相同之硼矽酸玻璃而製作。 關於該等具體例之發光元件搭載用基板9及比較例之發 光元件搭載用基板，藉由Konica Minolta Sensing股份公司 製造之分光測色計CM-3700d測定透過玻璃層3之金屬層2 之表面之鏡面反射率’並比較鏡面反射率。 其結果’於作為本發明之製造方法之具體例而製作之發 光凡件搭載用基板中’反射率於可見光區域（36〇 nm〜74〇 nm)内平均為9〇〇/0以上而良好，與此相對，於比較例中平 均為90%以下。 再者，對具體例之發光元件搭載用基板9及比較例之發 光元件搭載用基板進行溫度循環試驗（_5(rc 〜2〇(rc )及高溫 高濕偏壓試驗（HHBT，High tempemure high humidity 福 bias teSt)(85°C、85% RH、5 v)，目視確認包含銀之金屬 層2之變色之有無，結果於藉由具體例及比較例之任一種 製造方法而製作之發光元件搭載用基板⑼巾均未確認到金 屬層2之變色。 又’根據本發明之發光元件搭载用基板之製造方法，包 括上述各步驟，且於對塗佈有導電膏22及玻璃膏33之玻璃 陶竞生片u進行加熱之步驟之前，例如，㈣所示玻璃包 含如下步驟之情形時十使用與玻璃陶瓷生片u中所含 154429.doc • 26 - 201138029 之玻璃成分之玻璃轉移點不同之第2玻璃成分製作約束用 玻璃陶究生片或約束用玻璃陶究膏12 ’使約束用玻璃陶究 生片或約束用玻璃陶瓷膏12黏附於玻璃陶瓷生片u之與主 表面（搭載發光元件7之主表面）相反側之主表面（於圖$之例 中為下表面）’可獲得如下之效果。再者，圖5係表示本發 明之發光元件搭載用基板之製造方法之其他例中之一步驟 的剖面圖。於圖5中，對與圖3相同之部位附加相同之符 號0 即，於玻璃陶瓷生片11之燒成溫度下，被覆並塗佈其主 表面之導電膏22之玻璃膏33(玻璃材料）幾乎未收縮，但藉 由使用玻璃轉移點不同之第2玻璃成分製作而成之约束用 玻璃陶瓷生片或約束用玻璃陶瓷膏12(約束層）抑制玻璃陶 瓷生片11之平面方向上之燒成收縮，藉此可抑制於玻璃陶 究燒結體與玻璃層3之間因收縮量之不同而產生之應力。 口此可抑制由因收縮量之不同而產生之應力所引起之絕 緣2板1之翹曲，並且可提高玻璃層3相對於絕緣基板1之 接合強度。因此’於此情形時’㊉了可抑制銀或以銀作為 主成分之金屬層2之化學變化以夕卜亦可更有效地抑制絕 ’彖基板1之翹曲、或由絕緣基板1之翹曲所引起之金屬層2 :離口此，可製作亦容易提高金屬層2之接合強度之 發光元件搭载用基板^ 又 又，若將複數個發光元件7搭載於1個絕緣基板！之主表 ST1之多晶片化進展’則發光元件7彼此間之距離(間 ,、父乍，對作為用以向發光元件7供給電力之配線導體之 154429.doc •27· 201138029 金屬層2要求較高之尺寸精度，&只要為該構成，則亦可 達成配線導體（金屬層2)之高尺寸精度。 、 考慮來自發光元件7之散熱性，於製造發光元件搭 載用基板9時该製造方法亦為有利。#，為了提高來自發 光70件7之熱擴散性，較佳為例如圖6所示，使用例如導電 性樹脂或低熔點焊材（無符號）等將發光元件7直接接合於金 屬層2上，但於此情形時，為了抑制金屬層2之化學變化， 較理想為藉由玻璃層3僅被覆搭載發光元件7之預定之部 位對此，根據上述之製造方法，可抑制絕緣基板丨之燒 成收縮，因此可提咼黏附於其主表面之金屬層2及玻璃層3 之尺寸精度。因此，以藉由玻璃層3僅被覆金屬層2中搭載 發光元件7之預定部位之方式亦可容易地製作發光元件搭 載用基板9。再者，圖6係表示藉由本發明之製造方法而製 作之發光元件搭載用基板9之其他例 '即藉由包含圖5所示 之步驟之製造方法而製作之發光元件搭載用基板9之一例 的剖面圖。於圖6中，對與圖4相同之部位附加相同之符 號。 於圖6所示之例中，對約束用玻璃陶瓷生片或約束用玻 璃陶究IM2進行燒成而形成之約束層1〇係形成於絕緣基板 1之内部。如此，藉由積層複數片玻璃陶瓷生片（未圖示）， 且於該層間配置約束用玻璃陶瓷生片或約束用玻璃陶瓷膏 12並進行燒成而製作於複數層絕緣層（無符號）之層間配置 有約束層10之絕緣基板1，可提高抑制包含複數層之玻璃 陶£生片之平面方向上之收縮之效果。於此情形時，使約 154429.doc •28· 201138029 束用玻璃陶瓷生片或約束用玻璃陶瓷膏12亦黏附於除主表 面具有搭載發光元件7之部位ia(即最上層）之玻璃陶瓷生片 11以外之玻璃陶瓷生片（即下層之）玻璃陶瓷生片（未圖示） 之主表面後，積層複數片玻璃陶瓷生片。 再者，於圖6所示之例中，於絕緣基板丨中搭載發光元件 7之部位1 a之下側配置有於厚度方向上貫通絕緣基板〗之貫 通導體4b。該等貫通導體仆例如係作為用以將由發光元件 7發出之熱向外部散熱之傳熱材而發揮功能。此種貫通導 體4b亦可使用與上述之貫通導體牦相同之材料、以相同之 方法而形成。 又，將利用本發明之製造方法而製作之發光元件搭載用 基板9之其他例示於圖7。再者，圖7係表示藉由本發明之 製造方法而製作之發光元件搭載用基板9之其他例的剖面 圖於圖7中，與圖4及圖6相同之部位附加相同之符 號。 於圖7所示之例中，於對塗佈有導電膏22及玻璃膏33之 玻璃陶瓷生片11進行加熱之前’於該玻璃陶瓷生片u之下 表面以層狀塗佈另-玻璃膏(未圖示)而製作發光元件搭載 用基板9。繼而’將該塗佈之玻璃膏熔融後進行冷卻而形 成之另一玻璃層3b黏附於絕緣基板丨之下表面。 "於在玻璃陶曼生片丄】之下表面塗佈另一玻璃膏，其後進 行加熱之情形時’可使伴隨藉由加熱之玻璃膏33之收縮之 應力與伴隨玻璃陶竟生片11之下表面侧之另-玻璃膏之收 力相互抵消’因此在抑制玻璃陶瓷生片u之加熱時 154429.doc •29- 201138029 方面有 >丈'^者，作為塗佈於玻璃陶莞生片11之下 表面之另-玻璃膏’例如可使用與被覆導電膏22之玻璃膏 目同者。又’若於在破璃陶莞生片η之下表面僅塗佈導 J及玻射33之情形時，則只要將心抑制上述之魅 曲之另-玻璃膏塗佈於玻璃陶究生以之上表面侧即可。 (發光元件搭載用基板之製造方法之其他例） 繼而，參照圖8對本發明之發光元件搭載用基板之製造 方法之其他例進行說明。再者，圖8⑷〜圖8⑷分別係按步 驟順序表*本發明之發光元件搭載用基板之製造方法之宜 他例的剖自圖。於圖8中’對與圖3及圖4相同之部位附加 相同之符號。 例如，如圖9所示，該其他例之製造方法中所製作之發 光疋件搭載用配線基板為如下發光元件搭載用基板9， ?於絕緣基板1之主表面，進而將包含玻璃陶瓷燒結體 之框部13包圍搭載發光元件7之部位la並積層，亦於該框 邛13之内側面黏附有金屬層2。再者，於以下之各步驟之 說明中，省略關於與上述之製造方法（無框部13之發光元 件搭載用基板9之製造方法）相同之部分。 如圖8所示之發光元件搭載用基板9藉由框部13之内側面 之金屬層2而可進一步增大使光反射之面，因此可更有效 地利用由發光元件7發出之光。於此情形時，框部13之内 側面之金屬層2亦由玻璃層3被覆，因此亦可於該框部丨3之 内側面之金屬層2抑制因銀之化學反應而引起之變色。 框部13於圖9所示之例中為將角部成形為圓弧狀之長方 154429.doc •30- 201138029 形狀，但亦可為四角形狀、橢圓形狀或圓形狀等。又，框 部13之内侧面係設為傾斜之面而可有效地進行向外側（上 方）之發光。 首先，於上述第1步驟中，如圖8(a)所示，除玻璃陶瓷生 月11以外亦製作框狀之玻璃陶瓷生片14，並且如圖8(15)所 示，亦於框狀之玻璃陶瓷生片14之内側面塗佈導電膏22。 框狀之玻璃陶瓷生片14可藉由使用與玻璃陶瓷生片u相 同之材料、以相同之方法製作平板狀之玻璃陶瓷生片（未 圖示），對該平板狀之玻璃陶瓷生片之中央部分使用模具 等實施衝壓加工成形為框狀而製作。 、八 塗佈於框狀之玻璃陶瓷生片M之内側面之導電膏u可使 用與塗佈於成為絕緣基板丨之玻璃陶瓷生片η之主表面之 導電膏22相同者。 再者’於該另—實施形態中之第1步驟中，除了準備框 狀之玻璃陶兗生片14’並於其内側面塗佈導電膏22之步驟 以外，與上述之第1步驟相同。 繼而，於上述第2步驟中，如圖8⑷所示，以亦被覆塗佈 於框狀之玻璃陶竟生片14之内側面之導電膏η之方式塗佈 玻璃膏33。 以被覆塗佈於框狀之破璃陶竟生片14之内側面之導電膏 22之方式進行塗佈之玻域喜u介叮杜扣匕 圾埤貧33亦可使用與上述之玻璃膏33 相同者。 於内側面依序塗佈導電膏22及玻璃膏33之框狀而成之玻 璃陶€生片14積層於玻璃陶竞生片1!之主表面(上表面)。 154429.doc 201138029 對於玻璃㈣生m，與上述之第2步驟之情形同樣地預 先完成導電膏22及玻璃膏33之塗佈。藉由將框狀之玻璃陶 莞生片Μ積層於玻璃陶究生片"之上表面而形成積層體 (無符號）。該積層體於玻璃陶瓷生片η之主表面具有搭載 發光元件7之部位la，並且於該主表面依序塗佈有導電膏 22及玻璃膏33，並且積層有包圍搭載發光元件7之部位h 之框狀之破璃陶吏生片14，於框狀之玻璃陶究生片Μ之内 側面亦依相时導電f22及玻璃f33。再者，於玻璃陶 瓷生片11之下表面黏附有成為另一金屬層几之導電膏（無 符號）。 於該第2步驟中，亦係除了於框狀之玻璃陶瓷生片丨斗之 内側面依序㈣導電膏22及料㈣，絲該框狀之玻璃 陶兗生片14積層於玻璃陶竞生片主表面之步驟以外， 與上述之第2步驟相同。 並且，於上述第3步驟中，將積層體與塗佈於玻璃陶瓷 生片11之主表面及框狀之玻璃陶瓷生片14之内側面之導電 膏22以及分別覆蓋該等導電膏22之玻璃膏》併加熱，使 絕緣基板1與框部13燒成成一體。 藉由該加熱，除了塗佈於玻璃陶瓷生片u之主表面之導 電膏22及玻璃膏33以外，塗佈於框狀之玻璃㈣生片^之 内側面之導電膏22及玻璃膏33亦分別成為金屬層2及被覆 金屬層2之玻璃層3。 此處’關於製作玻璃膏33之玻璃材料，只要使用其軟化 點接近燒成之峰值溫度者’則可抑制玻璃膏33過剩地軟化 -32- I54429.doc 201138029 流動’且更有效地抑制玻璃膏33(玻璃層3)自框部13之内側 面脫落。 又’由於玻璃膏33之軟化點高於玻璃陶瓷生片u及框狀 之玻璃陶瓷生片14之玻璃成分之軟化點，故而於玻璃成分 軟化而導電膏22之銀與玻璃陶瓷燒結體（積層體）大致燒結 (藉由玻璃成分之液相燒結）之後，玻璃膏33開始軟化。因 此’可抑制上述銀向玻璃膏3 3之玻璃材料擴散，且抑制由 銀於玻璃材料中擴散而引起之玻璃材料（燒成後之玻璃層3) 之變色，從而可提兩反射率。又，由於玻璃材料之軟化點 低於銀之炫點，因此於玻璃材料之軟化時銀不會熔融。因 此，抑制銀向玻璃層3之擴散，並且於由玻璃層3被覆之狀 態下藉由同時燒成而可使銀或以銀作為主成分之金屬層2 黏附於絕緣基板1之主表面及框部丨3之内側面。並且，於 該另一實施形態之情形時，亦可提供一種能夠製造可長時 間維持金屬層2中較高之光反射率之發光元件搭載用基板9 的製造方法。 於此情形時，就如上所述於銀與玻璃陶瓷燒結體之燒結 大致結束後必需使玻璃材料開始軟化之方面而言，玻璃膏 33所含之玻璃材料之軟化點與玻璃陶瓷生片u之玻璃成分 之軟化點之差亦較佳為約7501以上。 例如，若於玻璃陶竟生片11及框狀之玻璃陶竟生片Μ之 玻璃成分均為硼矽酸系玻璃（軟化點為約8〇(rc )之情形時， 則玻璃霄33之玻璃材料只要使用軟化點為約87〇。〇以上者 即可。 154429.doc -33- 201138029 再者，於將絕緣基板！之主表面上之金屬層2形成至框部 附:且由玻璃層3被覆之情形時，破璃層3之絕緣性不充 分而經由形成於框部13之整面之金屬層2，絕緣基板】之主 表面之電路（金屬層2彼此等）有可能產生短路。又，由於框 部13可提高發光元件7之反射效率，因此於設為傾斜之内 側面之情料，於絕緣基板i與框部13之連接區域（積層體 中之玻璃陶£生片U與框狀之玻璃陶竞生片14之框狀之接 合區域）之内周部，積層時之加壓容易變得不充分，故而 有可能產生密接不良。#產生密接丨（，則例如於燒成後 之電鍍步驟中，電鍍液進入至絕緣基板丨與框部13之間的 密接不I部，從而形成不必、要之電鑛金屬未圖示），而 使絕緣基板1之主表面之電路產生短路。 為防止上述之短路，將藉由本發明之製造方法而製作之 具有框部13之發光元件搭載用基板9之其他例示於圖1〇〜圖 12中。再者，於圖10〜圖12中，對與圖4及圖9相同之部位 附加相同之符號。 圖10係使金屬層2黏附至框部13之内側面之中途，且由 玻璃層3被覆該金屬層2之例>於此情形時，可使框部13之 内側面之金屬層2之下端部分與絕緣基板丨之上表面之金屬 層2彼此分離，從而可更有效地抑制框部丨3與絕緣基板J之 主表面上之金屬層2之間的電性短路。 圖11係於整個内側面黏附有金屬層2之框部丨3與絕緣基 板1之間不黏附金屬層2，且於框部13與絕緣基板1之間配 置内側面不傾斜之辅助框部13a之例。於此情形時，亦可 154429.doc •34- 201138029 較長地獲得自絕緣基板1之主表面上之金屬層2至框部13之 金屬層2之距離，從而容易防止短路。 圖12係於框部13與絕緣基板1之間配置内側面位於較框 部13之内侧面更靠絕緣基板1之争心側之輔助框部13 &，並 且將其内側面作為絕緣區域之例。於製造步驟中，於玻璃 膏331人化而自導電膏22之上表面脫落之情形時，可藉由輔 助框部13a之上表面部抑制脫落。 【圖式簡單說明】 圖1(a)係表示本發明之反光基板之實施形態之一例的俯 視圖，圖1(b)係圖1(a)之A_A線之剖面圖，圖〗⑷係模式性 表示進一步擴大圖1(b)之主要部分之剖面圖； 圖2⑷係表示本發明之發光元件搭載用基板之實施形態 之一例的俯視圖，圖2(b)係圖2(a)之B_B線之剖面圖；一 圖3⑷〜圖3(d)係分別以步驟順序表示本發明之發光元件 搭載用基板之製造方法之一例的剖面圖； 圖4⑷係表示藉由本發明之發光元件搭載用基板之製造 方法而製作之發光元件搭載用基板之一例的剖面圖，圖 4(b)係圖4(a)之俯視圖； 圖5係表示本發明之發光元件搭制基板之製造方法之 其他例中之一步驟的剖面圖； 圖6係表示藉由本發明之發光元件搭制基板之製造方 法而製作之發光元件搭载用基板之其他例的剖面圖，· 圖7係表示藉由本發明之菸# 之發先70件格载用基板之製造方 法而製作之發光元件搭載用其 叶拾戰用基板之其他例的剖面圖； I54429.doc •35· 201138029 圖8(a)〜圖8(c)係分別以步驟順序表示本發明之發光元件 搭載用基板之製造方法之其他例的剖面圖； 圖9(a)係表示藉由本發明之製造方法而製作之發光元件 搭載用基板之其他例之剖面圖，圖9(b)係圖9(a)之俯視 圖； 圖10係表示藉由本發明之發光元件搭載用基板之製造方 法而製作之發光元件搭載用基板之其他例的剖面圖； 圖11係表示藉由本發明之發光元件搭载用基板之製造方 法而製作之發光元件搭載用基板之其他例的剖面圖；及 圖12係表示藉由本發明之發光元件搭載用基板之製造方 法而製作之發光元件搭載用基板之其他例的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 絕緣基板 la 搭載發光元件之部位（搭載部） 2 金屬層 2b 另一金屬層 3 玻璃層 3b 另一破璃層 4a、4b 貫通導體 5 電鍍層 6 接線 7 發光元件 9 發光元件搭載用基板 10 約束層 154429.doc -36- 201138029 11 12 13 13a 14 22 33 44 玻璃陶瓷生片 約束用玻璃陶瓷生片或約束用玻璃陶瓷膏 框部 輔助框部 框狀之玻璃陶瓷生片 導電膏 玻璃膏 貫通導體用之導電膏
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Claims (1)

  1. 201138029 七、申請專利範圍： 1. -種反光基板’其特徵在⑨：其係包含絕緣基板、及黏 附於該絕緣基板之主表面之銀或以銀作為主成分之金屬 層，上述金屬層由軟化點低於銀之熔點之玻璃層所被 覆’於该玻璃層之露出表面不存在銀。 2. 如請求項丨之反光基板，其中上述金屬層及上述玻璃層 之至少一者含有絶、餘及錄中之至少一種。 3. 如請求項1之反光基板，其中上述玻璃層含有氧化锆、 乳化銘、氧化欽及氧化銳中之至少一種。 4. 如請求項1至3中任一項之反光基板，其中上述絕緣基板 包含玻璃陶瓷燒結體，該反光基板係同時燒成上述絕緣 基板、上述金屬層及上述玻璃層而形成； 上述玻璃層係將軟化點高於藉由上述同時燒成而成為 上述玻¥陶瓷燒結體之玻璃成分之第2玻璃材料之軟化 點、且低於銀之熔點之第1玻璃材料燒成而成。 5. —種發光元件搭載用基板，其特徵在於包含：如請求項 1至4中任一項之反光基板；及發光元件之搭載部，其係 叹置於上述絕緣基板之黏附有上述金屬層之上述主表 面。 6. —種發光元件搭載用基板之製造方法，其特徵在於：該 發光元件搭載用基板係於包含玻璃陶瓷燒結體之絕緣基 板之主表面具有搭載發光元件之部位，於上述絕緣基板 之上述主表面中被上述發光元件發出之光照射之部位點 附有金屬層，該發光元件搭載用基板之製造方法包含： 154429.doc 201138029 第1步驟’其係準備玻璃陶瓷生片，並且將使銀或以 銀作為主成分之導體材料分散於有機溶劑製作而成之導 電膏塗佈於上述玻璃陶瓷生片之主表面中至少被上述發 光元件發出之光照射之部位； 第2步驟，其係使用軟化點高於上述玻璃陶瓷生片中 所含之玻璃成分之軟化點、且低於銀之熔點之玻璃材料 之粉末製作玻璃膏，且以被覆塗佈於上述玻璃陶瓷生片 之主表面之上述導電膏之方式塗佈該玻璃膏；及 第3步驟，其係對塗佈有上述導電膏及上述玻璃膏之 上述玻璃陶瓷生片進行加熱，使上述玻璃陶瓷生片燒結 而製成包含上述玻璃陶瓷燒結體之絕緣基板，並且於該 絕緣基板之主表面使上述導電膏燒結而黏附銀或以銀作 為主成刀之上述金屬層，並且於使上述玻璃膏之上述玻 璃材料之粉末熔融後冷卻而製成透明之玻璃層，由該玻 璃層被覆上述金屬層。 7·=請求項6之發光元件搭載用基板之製造方法，其中於 精由上述第i步驟而製作之上述導電膏及藉由上述第2步 驟而製作之上述玻㈣之至少—者中添加铯、減錄中 之至少一種。 8·:請求項6之發光元件搭載用基板之製造方法，其中於 错由上述第2步驟而製作之上述玻璃膏中添加氧化銼、 氧化鋁、氧化鈦及氧化鈮中之至少一種。 :::求項6之發光元件搭載用基板之製造方法，其中於 對塗佈有上述導電膏及上述玻璃膏之上述玻璃陶瓷生片 154429.doc 201138029 進行加熱之步驟之前，包含如下步驟：使用與上述玻璃 η究生片t所含之上述玻璃成分之玻璃轉移點不同之第 2玻璃成分製作約束用玻璃陶完生片或約束用玻璃陶究 膏，且使上述約束用玻璃陶究生片或上述約束用玻璃陶 竞膏黏附於上述玻璃陶究生片之與上述主表面為相反側 之主表面。 10. 如請求項6之發光元件搭載用基板之製造方法，其中該 發光元件搭載用基板係於上述絕緣基板之上述主表面， 進而積層包圍搭載上述發光元件之部位之框部且亦於該 框部之内側面黏附有金屬層， 於上述第1步驟中， 陶竞生片外亦準備框狀 狀之玻璃陶瓷生片之内 進而包含如下步驟：除上述玻璃 之玻璃陶瓷生片，並且亦於該框 側面塗佈上述導電膏； 於上述第2步驟中，推而七人[ ㈣進而包含如下步驟：以亦被覆璧 佈於上核狀之玻璃陶竞生片之内側面之上述導電膏之 方式塗佈上述玻璃膏’並且於上述玻璃陶瓷生片之上过 Hi:包圍搭载上述發光元件之部位之方式積層該栺 璃陶瓷生片而形成積層體。 154429.doc
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