201137535 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影方法及裝置。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在該情況下，圖案化器件（其或者被稱作光 罩或比例光罩）可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束 賦予圖案，該圖案對應於待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此®案轉印至基板（例如，々晶圓）上之目標部分 (例如’包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常 經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）層上而 進行圖案之轉印。-般而言，單—基板將含有經順次圖案 化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步 、、器其中藉自-人性將整個圖案之—影像曝光至目標部 :亡來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器#中藉由在 、，疋方向（掃描」方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時 ^行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標 部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案 化器件轉印至基板。 在半導體製造H騎愈來愈小之純及增加密度 2㈣需求日益增加。臨界尺寸（CD)正快速地減小且正 仔極接近於目前先進技術之曝光工具(諸如上文所描述 之步進器及掃描II)的理論解析度極限。旨在增強解析度 151394.doc 201137535 且最小化可印刷CDU知技術包括：降低曝光輻射之波 長；增加微影裝置之投影系統之數值孔徑（NA);及/或在 圖案化器件圖案中包括小於曝光工具之解析度極限的特 徵，使得該等特徵將不印刷於基板上，但使得其將產生可 改良對比度且使精細特徵清晰之繞射效應。 為了確保施加至基板之圖案特徵按照意圖進行施加（例 如，為了確保滿足臨界尺寸極限、要求或均一性），可能 需要至少部分地校正微影裝置中之像差。像差可歸因於微 影裝置之投影系統之一或多個元件之加熱而出現，其可引 起該一或多個元件之失真或其類似者。先前，為了至少部 分地校正此等像差，可移動或重新定向投影系統之一或多 個元件（例如，透鏡元件或反射元件）。可快速地進行此等 元件之移動或重新定向，且因此，可至少部分地校正像差 (即使係時變的）。然而，在最近時期，已建議藉由改變傳 遞通過投影系統之輻射光束之一或多個部分的相位來校正 此等像差。可使用相位調整器來控制相位，相位調整器可 含有安置於投影系統之透鏡光瞳平面中的光學元件。可加 熱光學元件之一或多個部分，以便改變該部分之折射率， 且因此，在使用中調整傳遞通過該部分之輻射光束之部分 的相位。 與相位調整器（其使用熱作為可供控制相位之手段）之使 用相關聯的問通在於：不能以與像差相同的改變速率進行 經施加之加熱（或冷卻）之改變速率。此情形意謂在（例如） 光學元件之該部分之所要時間-溫度特性與光學元件之該 151394.doc 201137535 部分之所要時間-溫度特性之間存在顯著誤差。此誤差可 導致施加至基板之圖案特徵（亦即，未按照意圖施加之圖 案特徵）中的誤差。 【發明内容】 需要提供（例如）一種微影方法及/或裝置，其消除或減輕 無淪疋在本文中或是在別處所識別的先前技術之至少—問 題，或其提供一現存微影方法或裝置之一替代例。 根據本發明之—態樣，提供一種微影方法，#包括控制 微影裝置之一相位調整器，該相位調整器經建構及配置 以，整橫穿該相位調整器之一光學元件之一輻射光束之— 電場的-相位(例如，該光學元件安置於在該輻射光束傳 遞通過或將傳遞通過該微影裝置時的該輻射光束之一路徑 中），成方法包括：控制引起該光學元件之―部分之一實 際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之—信號，該信 號之該控制係使得該實際時間-溫度特性之一改變領先於 該光學元件之該部分之—所要時間·溫度特性之—相關改 該光學元件可安置於該微影裝置之—光瞳平面中或附 近’例如，安置於—投影系統之-光瞳平面中或附近。 該控制係參考該光學 干 邛刀之—所要時間-溫度 特性而進行。對該光學 卩分之該所要時間-溫度 特性的參考可包括參考 時間·溫度特性中在一未來 時間的该光學元件之—部 .s . r 所要時間溫度特性。或 者或另外，此參考」可祐;· 田迷為：引起該實際時間-溫 151394.doc 201137535 之該信號之該控制包括使用 中在一未來時間之該所要時 度特性的提供至該相位調整器 至少與該所要時間-溫度特性 間-溫度特性相關的資訊。 該所要時間-溫度特性及/或該實際時間_溫度特性之該改 變可為該所要時間-溫度特性自一 ^ ^ 曰正梯度至一負梯度的一 梯度之-改變，或自-負梯度至—正梯度的—梯度之一改 變，或自-零梯度至-負梯度的_梯度之—改變，或自一 零梯度至-正梯度的—梯度之—改變。該所要時間·溫度 特性之該梯度之該改變及該實際時間特性之該相關且領先 之改變可均為在同-方向或指向上（例如）自—正梯度至一 負梯度之改變’或自一負梯度至一正梯度之改變，或自一 零梯度至-負梯度之改變，&自—零梯度至—正梯度之改 變。該實際時間-溫度特性之該梯度之該改變可為該光學 元件之該部分自加熱至冷卻之一過渡的一後果或一結果， 或該光學元件之該部分自冷卻至加熱之一過渡的一後果或 一結果。 該所要時間-溫度特性之該改變可與該微影裝置之一投 影系統（例如，其一或多個元件）之一溫度改變相關。該投 影系統之該溫度改變可由橫穿該投影系統（例如，其一或 多個元件）之一輻射光束引起。該投影系統（例如，其一或 多個凡件）之該溫度改變可由該微影裝置自一間置狀態至 一操作狀態的狀態之一改變引起。該投影系統（例如，其 一或多個元件）之該溫度改變可由橫穿該投影系統（例如， 其一或多個元件）之一輻射光束之一劑量及/或分佈改變引 151394.doc 201137535 起。提供至該相位調整器之該信號可至少部分地校正由該 投影系統之該溫度改變引起的該投影系統（例如，其一或 多個元件）中之一或多個像差。該投影系統之該一或多個 元件可為或可包括該相位調整器之該光學元件。 提供至該相位調整器之該信號可引起該光學元件之該部 分之（例如’被動或主動）加熱或冷卻。 該方法可包括控制引起該光學元件之一或多個部分中每 者之實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器之一 或多個信號。 根據本發明之另一態樣，提供一種微影裝置，其包括： 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束；一圖案化器件 支撐件，其經組態以支撐一圖案化器件，該圖案化器件經 組態以在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖 案，一基板固持器，其經組態以固持一基板；一投影系 統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一 目松部分上，一相位調整器，其經建構及配置以調整橫穿 該相位調整器之-光學元件之一輻射光束之一電場的一相 位（例如，該光學元件安置於在該輻射光束傳遞通過或將 傳遞通過該微影裝置時的該輻射光束之一路徑中）；及一 控制盗’其㈣構及配置以在使用中控制引㈣光學元件 之二：f之一實際時間-溫度特性的提供至該相位調整器 之u該“號之該控制係使得該實際時間-溫度特性 之改艾項先於該光學元件之該部分之一所要時間-溫度 特性之一相關改變。 151394.doc 201137535 該光學元件可安置於該微影裝置之一光瞳平面中或附 近’例如’安置於—投影系統之—光曈平面中或附近。 。亥控制器可被進行以下各者中之—或多者··具備與該光 干兀件之5亥部分之該所要時間_溫度特性相關的資訊；及/ 或，1建構及置以接收與該光學元件之該部分之該所要時 間度特性相關的資訊；及/或經建構及配置以擷取與該 光學元件之該部分之該所要時間_溫度特性相關的資訊。 該控制器可經建構及配置以使用與該光學元件之該部分 之該所要時間-溫度特付j a + f生相關的该資訊來控制提供至該相 位調整器之該信號。 與該光學元件之該八+ VV .. _ 予凡1干之。亥口卜刀之該所#時間溫度特性相關的 該資§孔可包括與該所要時間_、'w疮杜k A + 文叮间/胤度特性中在一未來時間之 一所要時間-溫度特性相關的資訊。 該光學元件可包括複數個可批 仅却^ w j衩制部分。每一部分可且備 一加熱金屬絲或其他加熱元件。 5亥相位調整器可自_ t.* . s夕個雷射，該一或多個雷射經 組1、以提供在使用中經引導 τ上5丨等至或可引導至該光學元件之該 部分上的紅外線輻射。嗜相 T °亥相位調整器可具備一導引器或一 導引配置，該導引器或該導 〆 , 守Ή配置係用於將紅外線輻射導 引至S亥光學元件之—或多個部分上。 【實施方式】 —現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之 貫施例，在以圖式中，對應元件符號指示對應部分。 圖1示意性地描綠根據本發明之-實施例的微影裝置 151394.doc 201137535 裝置100包括： 〇照明系統（昭明 如，UV輻射，其經組態以調節輻射光束B(例 τ# # "八糸（例如）藉由在248奈米或193奈米之波長 下操作的準分早+ 立， 在約13.6奈米之Λ 或EUV韓射’其係（例如）藉由 丁 /、波長下刼作的雷射點火電漿源產生）； 〇圖案化$件支樓件或支標結構（例如，光罩台）MT，其 =:支擇圖案化器件(例如™，且連接至經組 =據特定參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位
口基板台（例如，晶圓A 圓D )WT，其經建構以固持基板（例 如，塗佈抗蝕劑之晶圓，且 數來準確㈣位該基板之第^位器二且;;以根據特定參 口投影系統（例如，折鼾浐 监γ丄 斤射技影透鏡系統）PS，其經組態以 將藉由圖案化器件ΜΑ賦予 ^ 卞至輻射先束B之圖案投影至基板 之目標部分c(例如，包括一或多個晶粒）上。 照明系統可包括用以引導、 塑形或控制輻射的各種類型 之光于組件，諸如折射、及私 ， 反射、磁性、電磁、靜電或其他 類f·之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件MT固持圖宰化g 樓件逍以取決於圖案化器件件。圖案化器件支 口系亿益件之疋向、微影裝置之設計及 =條件（諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中）的方 式來固持圖案化器件。圖案化器件支樓件肅可使用機 械、真空 '靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案 化器件支撑件町可為（例如）框架或台，其可根據需要而係 151394.doc 201137535 固定或可移動的。圖案化器件支撐件ΜΤ可確保圖案化器 件（例如）相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對 術°°比例光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術 語「圖案化器件」同義。 本文令所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為 才曰代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以 便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，例 如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔 助特徵則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中 :所要圖案。it常’被賦予至輻射光束之圖案將對應於目 才丁卩刀中所產生之器件（諸如積體電路）中的特定功能層。 圓案化裔件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板^光罩在 微影中係熟知的’ i包括諸如二元、交變相移及衰減相移 之光罩類型’以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者 可個別地傾斜’以便在不同方向上反射入射輕射光束。傾 斜鏡面將圖案料於藉由鏡面矩陣反射之輻射光束卜 本文中所使用之術5吾「投影系統」應被廣泛地解釋為涵 蓋任何類型之投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁 性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用 之曝光ϋ射，或適合於諸如浸潤液體之使用或真空之使用 的其他因素。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使 用均與更通用之術語「投影系統」同義。 151394.doc 201137535 處所彳田繪’裝置1 〇〇為透射類型（例如，使用透射光 )。，与古 τ^» ___ 展罝可為反射類型（例如，使用如上文所提及 之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。 微影裝置100可為具有兩個（雙載物台）或兩個以上基板 :(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台）的類型《在此等 「多載物台J機器中，可並行地使用額外台，或可在一或 夕個口上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝 光。 。微影裝置1GG亦可為如下類型：其中基板之至少一部分 可错由具有相對較高折射率之液體（例如，水）覆蓋，以便 填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至 微影裝置中之其他空間’例如，圖案化器件(例如，光罩） 與投影系統之間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加 投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不 意謂諸如基板之結構必須浸潰於液體中，而是僅意謂液體 在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參看圖1 ’照明器IL自輻射源s〇接收輻射光束。舉例而 言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影装置可為分 /離實體。在此等情況下’不認為輻射源形成微影裝置之部 为’且輪射光束係憑藉包括（例如）適當引導鏡面及/或光束 擴展器之光束傳送系統BD而自輻射源s〇傳遞至昭明写 江。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輕射源 Z為微影裝置之整體部分。輻射源s◦及照明器江連同光束 傳送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 I51394.doc 201137535 照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈的 調整器AD。通常’可調整照明器之光瞳平面化中之強度 分佈的至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被 稱作〇外部及0内部p此外，照明器乩可包括各種其他組 件，諸如積光器IN及聚光器C〇e照明器可用以調節輻射 光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件（例如，光 罩台）MT上之圖案化器件（例如，光罩）MA上，且係藉由該 圖案化件而圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光 束B傳遞通過投影系統PS，投影系統ps將該光束聚焦至基 板w之目標部分c上。憑藉第二定位器pw及位置感測器 IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器）， 基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分c定位 於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位SPM及另一位 置感測(其未在圖1中被明確地描繪）可用以（例如）在自光 罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路 徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成 第一定位器PM之部分的長衝程模組（粗略定位）及短衝程模 組（精細定位）來實現圖案化器件支撐件Μτ之移動。類似 地，可使用形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短 衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器（相對於掃描 器）之情況下，圖案化器件支撐件]^丁可僅連接至短衝程致 動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、 M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件ma及基板 151394.doc 12 201137535 w。儘#如所說明之基板對準標記㈣專用目標部分，但 '、j ;目‘。卩分之間的空間中（此等標記被稱為切割道 對準標記h類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件 退上之情形巾，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之 間。 所描繪裝置100可用於以下模式中之至少一者中： 在〆進枳式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次 ^又衫至目標部分c上時，使圖案化器件支樓件町及基板 台WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光卜接著，使基 在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分 c。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光 中所成像之目標部分C的大小。 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目 標部分C上時’同步地掃描圖案化器件支揮件府及基板台 WT(亦即’單次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 (縮小率）及影像反轉特性來判定基板台WT相董十於圖案化器 件支撐件Μ丁之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最 大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描 方向上），而掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描 方向上）。 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目 標部分C上時，使圖案化器件支撐件ΜΤ保持基本上靜止， 從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台 WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台 151394.doc -13· 201137535 w丁之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根 據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應 用於利用可程式化圖案化器件（諸如上文所提及之類型的 可程式化鏡面陣列）之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同的使用模式。 圖1之裝置之光學配置使用柯而勒照明（K〇ehler illumination)。在柯而勒照明的情況下，照明系統比中之 光曈平面pPi係與投影系統PS之光瞳平面pPp共軛。光瞳平 面PPp為經定位有圖案化器件MA之物件平面之傅立葉 (Fourier)變換平面。如所習知’可藉由參考照明系統之光 瞳平面PPi中光束B之輻射之強度分佈來描述此裝置之照明 模式。在圖案化器件MA之圖案之繞射效應的條件下，投 影系統PS之光瞳平面ppp中之強度分佈將與照明系統之光 曈平面PPi中之強度分佈實質上相同。 投影系統PS包括相位調整器110，相位調整器u〇經建構 及配置以調整橫穿該投影系統之光學輻射光束之電場的相 位。如圖2示意性地所展示，相位調整器11〇可包括由實質 上能透射光束B之輻射之材料製成的光學元件310〇在另一 實施例中，光學元件3 10可能反射光束B之輻射。相位調整 器110可進一步包括控制器340。橫穿元件310之波之光徑 長度可回應於藉由控制器340供應之信號加以調整。光學 元件310可（例如）實質上被安置於或可安置於諸如光瞳pPp 之傅立葉變換平面中，且使得在使用中，自圖案化器件發 151394.doc • 14· 201137535 出之繞射光束DB橫穿光學元件310。 圖3更詳細地說明相位調整器丨丨〇，且展示光學元件3 i 〇 之俯視圖（沿著Z軸）。橫穿元件3 10之光波之相位的調整可 藉由如下方式獲得：將熱施加至光學元件31〇之部分 320(亦即’加熱光學元件310之部分32〇)，或自光學元件 310之部分320移除熱（亦即，冷卻光學元件31〇之部分 320)，藉此引入該元件之材料之折射率相對於鄰近於部分 320之材料之折射率的局域改變。熱之施加可藉由（例如）將 電流傳輸通過金屬絲330實現，金屬絲330具有歐姆電阻， 且經配置成接觸元件之部分320且接觸經配置以將電流提 供至金屬絲330之控制器340。 光學元件之複數個鄰近部分可具備用於使任何部分獨立 於任何其他部分進行加熱之複數個對應金屬絲。舉例而 吕’如圖4示意性地所說明，鄰近部分320-1直至320-44安 置於鄰近列中，且自左至右及自上至下加以編號。部分 320-1直至320-44中之每一部分320具備對應編號之加熱金 屬絲330-1直至330-44(但圖4僅僅出於清楚起見而僅針對部 分320-4及320-37說明此情形）。控制器340經建構及配置成 使得每一金屬絲可獨立地被電流啟動。此情形使能夠根據 在X、Y平面中遍及元件3 10的溫度之空間分佈而將空間相 位分佈施加至橫穿元件310之光波。 或者或此外’光學元件3 10可包括經配置以含有冷卻流 體之一或多個通道。相位調整器11〇可包括冷卻流體供應 及擷取系統’該冷卻流體供應及擷取系統連接至該一或多 151394.doc -15- 201137535 個通道且經配置以使冷卻流體在受控溫度下循環通過該一 或多個通道。類似於金屬絲330，一冷卻通道可與每一部 分320相關聯；然而，或者，單一冷卻通道可經配置以用 於所有部分320。元件3 1 0之冷卻結合元件3 1 〇之部分320之 加熱可使能夠在延伸至低於及高於標稱溫度之溫度範圍内 調整部分320之溫度。標稱溫度可（例如）為裝置ι〇〇之規定 所要操作溫度，或投影系統PS之光學元件之材料之規定所 要操作溫度。 可自美國專利申請案第1 1/593,648號搜集到相位調整器 110之實施例。部分320之總數不限於44個《取而代之，一 般而言，總數可取決於溫度分佈之所要空間解析度。舉例 而§ ’部分320中每一者之面積相對於投影系統ps之光曈 平面PP;中之淨面積（clear area)之大小的比率可在與 1000之間。 應注意’本發明不限於相位調整器110之上述特定實施 例。本文中僅出於說明性目的而呈現此實施例。基於本文 中所含有之教示’額外實施例對於熟習相關技術者將係顯 而易見的。舉例而言，圖5揭示相位調整器400之替代實施 例。替代相位調整器400可包括一或多個紅外線雷射41〇， 紅外線雷射410經配置以選擇性地加熱安置於投影系統ps 之（透鏡）光瞳平面PPp中的光學元件43〇之部分42〇。紅外線 輻射440可藉由（例如）一或多個中空光纖、透鏡、反射元件 或藉由一或多個紅外線雷射41〇之適當定向而導引至光學 π件430之選定部分42〇。可自曰本專利申請公開案jp 151394.doc 16 201137535 = 073 17847 A搜集到此實施例之另外細節。在不存在冷卻 态的it況下，不同部分42〇之溫度可經配置以藉由將對應 相互不同量之紅外線輕射能量44G供應至對應不同部分42〇 而彼此相互不同。因而，可將標稱溫度規定為(例如)相互 不同舰度之平均溫度值。在另一實施例中，可使用不同於 雷射之ϋ射源來提供用於加熱光學元件之輻射。輻射可為 不同於紅外線韓射之輻射，且可為（例如）UV或DUV輕射。 可使用如上文所描述之相位調整器來（例如）至少部分地 杈正投影系統中之像差，該等像差可(例如)由投影系統之 溫度改變引起。投影系統之溫度改變可由橫穿投影系統之 輕射光束引起。舉例而t，溫度改變可為如下改變或可由 如下改變引起：微影|置自閒置狀態至操作狀態（亦即， 自輕射不橫穿投影线之狀態至輻射光束橫穿投影系統之 狀態)的狀態之改變。或者或另夕卜投影系統之溫度改變 可由橫穿投影系统之輻射之劑量及/或分佈（例如，角分佈 或強度分佈）改變引起。此等改變可歸因於施加至基2之 不同圖案而引起，或由用以將相同或不同圖案施加至基板 之不同區域之輻射光束之屬性改變引起。或者或另外溫 度改變可在基板之不同區域（例如，晶粒或目標部分）之曝 光之間引起’或藉由不同基板之曝光引起。 為了考量及至少部分地補償投影系統之温度改變（其可 涉及投影系統之一或多個元件之溫度改變）及所引起的像 差，可建立-模ϊί。可使用1¾模型來預測或提供相位調整 器之光學元件之一或多個部分之所要時間_溫度特性，該 151394.doc 17 201137535
所要時間-溫度特性將為至少部八仏ρ τ A 勺王/邛分地校正投影系統中之像 差所需要。舉例而言，圖6展示抱也丨。j 1 Μ氓不控制益34〇可如何將一信號 提供至包括光學元件31〇之相^ ° 诅碉整器，以便控制該光學 元件之一或多個部分320之時間_溫度特性。 圖7示意性地描繪如下曲線圖：其具有針對（例如）如上 文所描述之光學元件之-部分的所要時間（τι)_溫度（Μ)特 性D之標|圖。彳自模型化或其類似者判^此所要時間-溫 度特性D。在圖7及圖8中以任意單位提供溫度ΤΕβ在圖 7、圖8及圖9中以分鐘為單位提供時間丁工。 對於第-時間週期500 ’所要時間_溫度特性D不具有梯 度，此情形意謂：在此週期500期間，不存在對加熱或冷 卻光學元件之部分的期望或意圖。此週期5⑽可（例如）制 於如下情形：微影裝置在閒置且輻射光束不傳遞通過該裝 置之投影系統，且因此，在投影系統中不存在需要校正之 熱誘發性像差。 在此第一週期500之後，存在對應於微影裝置在操作之 週期的第二週期510 ^在此週期51〇期間，輻射光束可橫穿 微影裝置之投影系統，藉此加熱投影系統且引起需要校正 之像差。可藉由（例如）適當地加熱光學元件之一部分（或多 個部分）來校正此等像差。在此週期51〇期間，所要時間-溫 度特性D適當地且週期性地增加或減小。特性d之改變之 週期及量值可與投影系統之溫度改變之週期及量值相關。 為了能夠達成實際時間-溫度特性A，將控制信號以提 供至相位調整器，控制信號cs引起控制隨著時間推移的 151394.doc -18- 201137535 t學元件之該部分之實際溫度TE。自圖7可看出，此實際 時間-溫度特性A不匹配於所#時間_溫度特性叫亦即，在 該等特性之間存在誤差）。此情形可由於許多原因令之一 者，但通常係與相位調整器令之硬體限制相關聯。舉例而 言，與微影裝置之投影系統之加熱相關聯的時 將對應於所要時間-溫度特性D之改變速率的時間； ^低於相位調整器之時时數。此情形可能意謂相位調整 :之=改變不能匹配於(亦即’跟上)投影系統之溫度改 …或者或另外，相位調㈣可具有低 溫度特性所要操作極限的操作極限。舉1而1間/ 相位調整器可能不能夠達到 < 達 ° 要睥^達成由（例如’經模型化）所 要時間·▲度特性D所需求之特定高或低溫度。 因：實際時間-溫度特性林匹配於所要時 D，所以Μ紐想方式校正投影㈣中之像差 需：能夠改良相位調整器之控制，使得相 -件之-部分(或一或多個部分)之實際時間 = 度特性D。 （次以“分)之所要時間-溫 根據本發明之一實施例，可 習知控制相關制-或多個心^輕與相位調整器之 例，提供—種微影方法，Λ = °根據本發明之一實施 調整器。該相位調整器經建構及制一微影裝置之-相位 整器之-光學元件之該輕射光^配：以㈣橫穿該相位調 學元件安置於該微影裝置 電场的一相位，該光 直之—投影系統之一光瞳平面中 151394.doc -19. 201137535 (見（例如）上文所描述之實施例）。該方法包括控制引起該 光學元件之—部分之—實際時間·溫度特性的提供至該相 位調整器之-信號。該控制係參考該光學元件之—部分之 一所要時間-溫度特性而進行。與現存控制方法對^根 據本發明之一實施例’該信號之該控制係使得該實際時 間-溫度特性之-改變領先於該所要時間·溫度特性之二相 如上文所論述，光學元件之一部分之所要加熱速率盘另 學几件之該部分之實際加熱速率之間㈣間常數之差異^ 弓。I起實際時間溫度特性與所要時間·溫度特性之間的顯著 為差且因此引起由投影系統之加熱引起之像差的不良# 正。藉由使光學元件之該部分之實際時間_溫度特性之改 變在所要時間-溫度特性之相關改變之前，可至少部分地 考量或補償時間常數（及/或其他硬體限制）之差異。此情形 可引起(例如)所要時間-溫度特性與實際時間溫度特性之 間的平均誤差降低，或該等特性之㈣最大誤差降低。 之：：實際時間-溫度特性所需要的對所要時間·溫度特性 ^可包括參考該所要特性中在未來時間之所要時間_ &度特性。或者或另外，此 Μ ± 匕隋形了破描述為：該方法包括 使用至少與該所要時間_溫度特性尹在未來時間之所 要時間·溫度特性相關的資 性的提供至相位調整，之：二引起貫際時間-溫度特 留下足夠時間以使實際時間-溫 151394.doc •20· 201137535 度特性改變。舉例而言，取決於用以控制光學元件之溫度 之相位調整器的時間常數（及/或任何其他硬體效能值），$ 藉由在所要時間-溫度特性中提前預看10分鐘、20分鐘' 30分鐘、4G分鐘、5〇分鐘、6G分鐘或6()分鐘以上之時間來 建立實際時間-溫度特性。 上文所提及之改變可為光學元件之該部分之所要時間_ 溫度特性及/或實際時間-溫度特性之梯度改變。該等改變 很可能為顯著的，例如，自正梯度至負梯度，《自負梯度 至正梯度，或自零梯度至負梯度，或自零梯度至正梯度。 此外’所要時間_溫度特性之梯度之改變及實際時間-溫度 特性之領先改變很可能在同一方向或指向上。此情形意 °月.所要時間-溫度特性之改變及實際時間-溫度特性之領 先改隻將均為自正梯度至負梯度之改變，《自負梯度至正 梯度之改變’ $自零梯度至負梯度之改變，或自零梯度至 正梯度之改變。時間—溫度特性之梯度之改變可為光學元 件之忒部分自加熱至冷卻之過渡的後果，或光學元件之該 、"卩至加熱之過渡的後果。加熱或冷卻可為主動的 〆、動的舉例而言，可藉由加熱器來加熱光學元件之該 邛刀以增加其溫度，及藉由將冷卻流體或其類似者傳遞通 =或、4過该部分來冷卻該部分以降低其溫度。此情形可被 私作主動加熱及主動冷卻。在另一實例中，可停止該部分 ;力熱或5玄部分之冷卻且允許該部分之溫度達到平衡位 '舉例而言，此情形可分別被解釋為被動冷卻或被動加 熱。 151394.doc •21- 201137535 :::可理解，所要時間_溫度特性可與實際時間 丄例(例如，在-般形狀或其類似 - 言，實際時間-溫度特性之形狀可 ）舉例而 時間-溫度特性之形 夕 類似於所要 微偏移，使得如上文:貫際時間-溫度特性可一 上文所确述之梯度改變的發生時 所要時間-溫度特性之梯度改變的發生時間。 早於 二上文關於相位調整器之實施例所論述，控制光學元件 之一部分之溫度可引起對應地控制光學元件之該部分之折 射率。因此，或者或另夕卜，上文及下文所提及之時間_溫 度特性可被描述為或被解釋為時間-折射率特性。 現將參看圖8及圖9來描述本發明之一特定實施例。 圖8為如下曲線圖：其示意性地描繪相位調整器之光學 元件之。卩为之所要時間-溫度特性D。所要時間_溫度特 性D係與圖7所示且參看圖7所描述之所要時間-溫度特性相 同0 現以組合方式參看圖7及圖8。在圖8中，提供至相位調 整器之控制信號比其在圖7中被更早地提供（6〇〇)。控制信 號（或具體而言，「高」或「開啟」控制信號）之更早提供 600確保實際時間-溫度特性a在圖8中比在圖7中於更早時 間自零梯度改變至正梯度。在圖8中，此情形意謂實際時 間-溫度特性A之梯度改變領先於所要時間-溫度特性d之梯 度之相關改變。 當微影裝置針對在閒置週期500之後的週期51 〇在操作中 時，實際時間-溫度特性A之梯度之改變（例如，自正梯度 151394.doc -22- 201137535 2負梯度之改變’或自負梯度至正梯度之改變，及1類似 者）再次領先於所要時間_溫度特性D之相關改變。此情形 係藉由控制信號CS之改變之適當時序達成，該等改變亦領 先於所要時間-溫度特性D之突然梯度改變(亦即，自正梯 度至負梯度’或自負梯度至正梯度，或自零梯度至負梯 度，或自零梯度至正梯度）。此情形與圖7所示之習知控制 機制形成十分明顯的對比，在該習知控制機财，實際時 間-溫度特性A之梯度改變與所要時間·溫度特性d之相關改 變重合或發生在所要時間_溫度特性〇之相關改變之後。圖 =意性地描繪與圖8所示且參看圖8所描述之方法相關聯 的處。 圖9為如下曲線圖：其示意性地描繪根據圖7所示且參看 圖7所描述之習知控制的所要時間·溫度特性與實際時間-溫 度特性之間的誤差E1，且亦示意性地描緣使用根據本發明 之一實施例之控制方法（如圖8所描繪）的所要時間-溫度特 性與實際時間_溫度特性之間的誤差E2。在圖9中以任 位提供誤差E。 圖9說明：仍存在與使用根據本發明之一實施例之押制 方法相關聯的誤差E2，且在一些時期’關聯誤差E2大:在 相位調整器之習知控制之情況下的誤差E1。然而，對於微 影裝置之終端使用者而言有時或常常重要的並不是新控制 方法與現存控制方法之間的誤差改變，而是新方法與現存 方法之間的最大誤差之絕對降低（若適用）。此係因為：在 將容限建置至微影裝置之操作或使用該裝置所提供或製造 151394.doc •23- 201137535 之圖案特徵、器件式甘决 ^ 午戍其類似者之規格中時，正是此等最大 為差或極端誤差需要被考量。圖9展示：與習知控制相比 較，藉由使用根據本發明之一實施例之控制方法，將最大 控制誤差700降低約3〇%，此降低無疑為顯著降低。 如上文所論述，（例如）實際時間_溫度特性之梯度之改變 貝先於所要時間·溫度特性之梯度之相關改變。實際時間· 皿度特性之梯度之改變與所要時間溫度特性之梯度之改 變之間的a寺間可取決於許多因數’例如’投影系統被加熱 之持、·只時間、加熱速率、所供應之最大溫度或熱，及其類 似者。在（例如）藉由在所要時間_溫度特性處或中預看⑽ 如’在未來時間）以判定梯度改變之所需時序來判定實際 時間-盈度特性之梯度改變的時序時，控制方法或實施該 方法之控制器可考量此等因數（例如’使用-模型或其類 似者）。舉例而言’針對供控制器或控制方法預看以判定 所需梯度改變的週期’控制方法或控制器可經組態以考量 相位調整器之操作極限（例如’最大溫度、最小溫度、時 間常數、熱供應速率或排熱速率，及其類似者），且藉由 使用此等因數來判定將引起在該時間週期（或換言之，時 間窗）内所要時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之 差降低或最小的梯度。 ' 根據本發明之另一但相關之實施例，提供—種能夠進行 上文所描述之控制方法之微影裝置。該裝置包括—照 :’其用於調節一輻射光束。該裝置進一步包括一圖案化 益件’其用於在該輕射光束之橫截面中向該轄射光束職予 151394.doc •24- 201137535 一圖案。亦提供—基板固持器，I用於固持-基板。該裝 置進#。括奴影系統，其用於將該經圖案化輻射光束 投影至該基板之-目標部分上。進—步提供—相位調整器 (例如，如在上文所描述之實施例中之任何一或多者中所 描述的一相位調整器），其用於調整橫穿該相位調整器之 -光學兀件之-輻射光束之一電場的一相位。該光學元件 安置於該投影系統上之—光瞳平面中。亦提供—控制器， 其經建構及配置以在使用中控制提供至該相位調整器之— 信號。該控制器所提供之該信號引起該光學元件之一部分 之一貫際時間·溫度特性。如上文所描述，該控制係參考 該光學元件之一部分之一所要時間_溫度特性而進行。如 上文所論述，該控制信號係使得該實際時間-溫度特性之 一改變領先於該所要時間·溫度特性之一相關改變。 該控制器可為-計算器件或其類似者。該信號可採取許 多形式中之任ϋ例而t，該信號可為針對加熱器之 「開啟」《「關閉」信號’或該信號可藉由適當電流而促 成加熱或提供加熱。在另-實例中，該信號可控制一或多 個雷射或用於藉由該等雷射提供之輻射光束的導引器以 便控制經引導朝向光學元件之一或多個部分之輻射的量。 該控制盗可（例如）以一有線或無線方式（例如，自電腦記 憶體或其類似者)具備與該光學元件之該部分之該所要時 間·溫度特性相關的資訊。或者或另外，該控制器可經建 構及配置以（例如）以-有線或無線方式（例如，自電腦記憶 體或其類似者）接收與該料元件之該部分之該所要時間_ 151394.doc -25· 201137535 溫度特性相關的資訊。或者或另外，該控制器可經建構及 配置以（例如）以—有線或無線方式（例如，自電腦記憶體或 其類似者）龄與該光學4之該部分之該時間溫度特性 相關的資訊。與該所要時間·溫度特性相關的該資訊可為 呈數值或資料形式之所要時間·溫度特性本身，或可為表 示該時間-溫度特性之代碼或其類似者。與該所要時間-溫 度特性相關的該資訊可直+ π & ^ 礼了為或可包括該整個特性，或該特性 之一部分。 如上文所論述，該控制器經建構及配置（例如，經組離） 以使用與該所要時間-溫度特性相關的該資訊來控制提供 至該相位調整器之該信號。該控制器可具備或結合促進此 使用之硬體或軟體（例如，包括一模型化工具或其類似者 之硬體或軟體）。盥該所iB日、_ 要時間-溫度特性相關的該資訊可 包括與》亥特性中在一未來時間之該所要時間-溫度特性相 關的該資訊。以此方式，該控制器可於待在該實際時間· 溫度特性中進行或對該實際時間-溫度特性進行的該所要 時間-溫度特性之改變時預看。 -亥光子70件可包括一或多個可控制部分，例如，其中每 -部分具備-加熱金屬絲或其他形式之加熱元件。或者或 另外’該相位調整器可句接 , _ 益』匕栝—或多個雷射，該一或多個雷 提供在❹中經引導至或可引導至該光學元件 之或夕個部分上的紅外線輕射。可提供一導引器或導引 配置以將紅外線n射導引至該光學元件之一或多個部分 I51394.doc -26 - 201137535 已將該光學元件描述為安置於該投影系統之一光瞳平面 中。若不需要成像該光學元件之特徵，則使該光學元件位 於一光瞳平面中可為有益的。若該光學元件位於一光瞳平 面附近且未必安置於該光瞳平面中，則亦可達成相同益 處。若該光學元件之特徵之成像不為—問題，則該光學元 件可安置於一場平面中或附近。總之，該光學元件可位於 用以將一圖案施加至一基板之輻射光束之路徑中（該部位 無需在一光瞳平面附近或與該光瞳平面重合該部位可 能不在一投影系統中，但可在該投影系統上游或下游。 可使用遠光學元件之一或多個部分之折射率來校正像 差，例如，由該投影系統之一或多個元件之加熱或冷卻引 起的像差，如上文所描述。該相位調整器之該光學元件可 為經加熱或冷卻以引起該等像差之該等元件中之一者或該 兀件。可藉由適當地加熱或冷卻該光學元件之一或多個部 分（例如，相同或不同部分）來校正由該輻射光束橫穿該微 影裝置引起的該相位調整器之該光學元件之一或多個部分 的加熱。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在Ic製造中之使 用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應 用’諸如製造整合光學系統1於磁4記憶體之導引及偵 測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之内容背景 中’可認為本文中對術t吾「晶圓」或「晶粒」之任何使用 分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在 151394.doc •27· 201137535 曝光之則或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施 加至基板且顯影_光抗則彳之工具）、度量衡卫具及/或 檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文 中之揭不内容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可 將基板處理一次以f*，, a丨\ 上（例如）以便產生多層ic ,使得本文 中所使用之術語「其& lu 土板j亦可相代已經含有多個經處理層 之基板。 本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型 之電磁輻射’包括紫外線(uv)輻射(例如，具有為或為約 365奈米、355奈米、248奈米、⑼奈米、157奈米或126奈 未之波長)及極紫外線(㈣)輻射(例如，具有在為5奈米至 20奈米之祀圍内的波長）。 術語「透鏡」在内容背爭介 月京兄迕時可指代各種類型之光學 組件中之任一者或其組合， 匕括折射、反射、磁性、雷减 及靜電光學組件。 」上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 ”所輻述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 言，本發明可採取如下形式： . ^冤胳》転式，其含有描述上文 所揭示之方法之機器可讀指今 v的或多個序列，或資料儲 存媒體（例如，半導體記惜# 己隐體、磁碟或光碟）’其具有儲存 於其中之此電腦程式。 可使用以下條款來進一步描述本發明： 1· 一種微影方法，其包含：
控制一微影裝置之一h A _ U 相位调整器，該相位調整器經建 151394.doc •28- 201137535 構及配置以調整橫穿該相位調整器之一光學元 卞 < 一賴射 光束之一電場的一相位；及 控制引起該光學元件之一部分之一實際時間-溫度特性 的，供至該相位調整器之-信號，該信號之該控制係使得 該實際時間-溫度特性之一改變領先於該 〜予TL件之該部 分之一所要時間-溫度特性之一相關改變。 2.如條款1之微影方法，其中控制引起該實際時間-溫度 特性的提供至該相位調整器之該信號包含使用至少盥：： 要時I溫度特性中在-未來時間之該所要時間·溫度㈣ 相關的資訊。 •如條放1或2之微影方法，其中該 六r θ所要時間_溫度特性 及/或該實際時間-溫度特性之該改變為該所要時 正梯度至一負梯度的—梯度之一改變，$自一負梯 度的一梯度之-改變，^錢梯度至一負梯 之一改變。 次自—零梯度至-正梯度的-梯度 4 ·如條款3之微影方法，甘 凌其中該所要時間-溫度特性之兮 梯度之該改變及該實際# ρ 為自…5 Τ 之該相關且領先之改變均 為自一正梯度至一負梯度之 产之ό帝 變，或自一負梯度至一正梯 度之改變，或自一零梯度 ^, , 負梯度之改變，或自一零梯 度至—正梯度之改變。 5.如條款3或4之微寻彡古、、+ …去，其中該實際時間-溫度特性 之a玄梯度之該改變為該光取_ 一 @ ψ 予70件之該部分自加熱至冷卻之 過渡的一後果，或該光战_ 予疋件之該部分自冷卻至加熱之 151394.doc -29. 201137535 一過渡的一後果。 6. 如前述條款中任一項之微影方法，其中該所要時間_ 溫度特性之該改變係與該微影裝置之一投影系統之一溫度 改變相關。 7. 如條政6之微影方法，其中該投影系統之該溫度改變 係由橫穿該投影系統之一輻射光束引起。 8·如條款6或7之微影方法，其中該投影系統之該溫度改 邊係由該微影裝置自一閒置狀態至一操作狀態的一狀態之 一改變引起。 9.如條款6至8中任—項之微影方法，其中該投影系統之 該溫度改變係由橫穿該投影系統之一輻射光束之一劑量及 /或分佈改變引起。 1〇'如條款6至9中任一項之微影方法，其中提供至該 相位調整态之該信號至少部分地校正由該投影系統之該溫 度改變引起的該投影系統中之像差。 11. 如前述條款令任一項之微影方法，其中提供至該 相位調整器之該信號引起該光學元件之該部分之加熱或冷 卻。 12. 如前述條款中任一項之微影方法，其中該方法包 含控制引起該光學元件之一或多個部分中每—者之一實際 時間-溫度特性的提供至該相位調整^之―❹個信號。 13· 一種微影裝置，其包含： ， 一照明系統，其經組態以調節一輻射光束； 一圖案化器件支撐件，其經組態以支撐一圖案化器件， 151394.doc 201137535 該圖案化器件經組態以在該輻射光束之橫截面中向該輕射 光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束； 一基板固持器，其經組態以固持一基板； 一投影系統，其經組態以將該經圖案化輻射光束投影至 該基板之一目標部分上； 一相位調整器，其經建構及配置以調整橫穿該相位調整 器之一光學元件之該輻射光束之一電場的一相位；及 一控制器，其經建構及配置以在使用中控制引起該光學 元件之一部分之一實際時間_溫度特性的提供至該相位調 JE·器之彳。號，该k號之該控制係使得該實際時間-溫产 特性之一改變領先於該光學元件之該部分之一所要時間_ 溫度特性之一相關改變。 14·如條款13之微影裝置，其中該控制器被進行以下 各者中之一或多者： 具備與該光學元件之該部分之該所要時間·溫度特性相 關的資訊；及/或 經建構及配置以接收與該光學元件之該部分之該所要時 間-溫度特性相關的資訊；及/或 經建構及配置以擷取與該光學元件之該部分之該所要時 間-溫度特性相關的資訊。 15. 如條款Μ之微影裝置，其中該控制器經建構及配 置以使用與該光學元件之該部分之該所要時間·溫度特性 相關的該資訊來控制提供至該相位調整器之該信號^ 16. 如條款Μ或15之微影裝置，其中與該光學元件之 151394.doc •31 . 201137535 °亥为之該所要時間 要時間溫度特性中在 相關的資訊。 .溫度特性相關的該資訊包含與該所 一未來時間之一所要時間-溫度特性 -:二如條款13至16中任一項之微影裝置，其中該光學 70牛匕含複數個可控制部分。 、18·如條款13至17中任一項之微影裝置，其中每—部 分具備一加熱金屬絲。 ;19:。如條款13至18中任一項之微影裝置，其中該相位 调整""包含—雷射’該雷射經組態以提供在使用中經引導 至該光予元件之該部分上的紅外線輻射。 如條机19之微影裝置，其中該相位調整器具備— 導引器’該導引器經組態以將紅外線輻射導引至該光學元 件之一或多個部分上。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習 此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專 利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2示意性地描繪相位調整器，其經組態以改變橫穿微 影裝置之投影系統之電磁波的相位； 圖3示意性地描繪包括於相位調整器中之光學元件； 圖4示意性地描繪包括於相位調整器中之光學元件之溫 度可控制部分； 圖5示意性地描繪根據本發明之另一實施例的相位調整 151394.doc •32- 201137535 33. · 益， 圖6示意性地描繪相位調整器，其經組態以參考相位調 整器之光學元件之特定部分來改變橫穿微影裝置之投影系 統之電磁波的相位， 圖7為如下曲線圖：其示意性地描繪相位調整器之光學 元件之一部分之所要時間-溫度特性，連同光學元件之該 部分之實際時間-溫度特性，且亦示意性地描繪引起實際 時間-溫度特性的施加至相位調整器之控制信號； 圖8為根據本發明之一實施例的如下曲線圖：其示意性 地描繪相位調整器之光學元件之一部分之所要時間-溫度 特性，連同光學元件之該部分之實際時間-溫度特性，且 亦示意性地描繪引起實際時間-溫度特性的施加至相位調 整器之控制信號；及 圖9為如下曲線圖：其示意性地描繪圖7之所要時間-溫 度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差，連同圖8之所要 時間-溫度特性與實際時間-溫度特性之間的誤差。 【主要元件符號說明】 100 微影裝置 110 相位調整器 310 光學元件 320 光學元件之部分 320-1 光學元件之部分 320-4 光學元件之部分 320-37 光學元件之部分 151394.doc -33- 201137535 320-44 光學元件之部分 330 金屬絲 330-4 金屬絲 330-37 金屬絲 340 控制器 400 相位調整器 410 紅外線雷射 420 光學元件之部分 430 光學元件 440 紅外線輕射/紅外線賴射能量 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 DB 繞射光束 IF 位置感測器 IL 照明系統/照明器 IN 積光器 Ml 圖案化器件對準標記 M2 圖案化器件對準標記 MA 圖案化器件 MT 圖案化器件支撐件/支撐結構 PI 基板對準標記 151394.doc -34- 201137535 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PPi 照明器之光瞳平面/照明系統之光瞳平面 PPp 投影系統之光曈平面 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 151394.doc -35-