201135761 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種例如作為電源電路等之抗流線圈而使 用之積層電感器。 【先前技術】 例如，如圖12((a):立體圖，（b): (a)之L5_L5i之剖面圖） 所示，積層電感器29包括積層體晶片22、與形成於該積層 體晶片2 2之端面之一對外部電極2 7。積層體晶片2 2係例如 圖13中要素構成圖所示，包含平面形狀為四邊形且沿厚度 方向積層之複數個磁體層23、及分別配設於鄰接之磁體= 23與23之間之複數個線圈圖案213。將上述線圈圖案213相 互連接而形成螺旋狀線圈218。進而將到達磁體層23之緣部 之引出部連接於該線圈218之始端及終端從而形成線圈導 體。又’ 一對外部電極27係如圖12所示，形成於積層體晶 片22之彼此對向之端面，分別連接於線圈2丨8之始端引出部 2 8及終端引出部2 10。 伴隨可攜式電子設備或薄型電子設備需求之擴大，作為 該等電子設備之電源電路等之抗流線圈，使用積層電感器 之機會增加。然而’先前之積層電感器與繞組電感器相比， 存在直流重疊特性較差之問題。該積層電感器之直流重疊 特性之惡化’係指伴隨通電之直流電流值之增大，構成抗 流線圈之磁體上產生磁通密度之飽和而導致電感值大幅降 低之現象。 對此’為了解決此類積層電感器中之問題，提出有幾個 149620.doc 201135761 提案》 例如，專利文獻1中記載有：於積層電感器中，使包圍線 圈圖案外側區域的全部或一部分為非磁體。 又，專利文獻2中記載有：於積層電感器中，藉由使線圈 所包圍之磁路部分的至少一部分為非磁體以減少磁通，改 善電感之重疊特性，從而於高電流時具有高電感值。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2〇〇7·28ΐ379號公報 [專利文獻2]日本專利特開平ιι_97245號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，已知會存在如下之問題：於如專利文獻丨令所記載 般使線圈圖案外周之全部為非磁體之情形時，或如專利文 獻2中所圮載般使線圈所包圍之磁路部分為非磁體陶瓷之 情形時，會導致初始電感值大幅降低。又，若為了提高電 感值，如專利文獻丨所記載般除去一部分非磁體，則有時磁 通會集中於該除去區域而易於磁飽和，導致直流重叠特性 降低。 本發明係解決此類先前之積層電感器中之問題。亦即， 本發明之目的在於提供一種不會破壞直流重疊特性，便可 提南電感值、進而防止Q值之降低之積層電感器。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人，為了達成上述目的進行多次專心研究， 149620.doc 201135761 結果發現.如專利文獻1所記載般，於積層電感器之環繞之 線圈之整個外周申加人非磁體之狀態τ，積層體晶片中會 產生磁通密度較高之區域與較低之區域。為了提高專利文 獻1之電感值L，嘗試考慮將—部分之固定面積之非磁體除 去。若除去磁通密度較高之區域之非磁體，則該區域中磁 通密度會進一步集中而易於形成磁飽和狀態，使直流重疊 特性大為降低。而若除去磁通密度較低區域之非磁體則 該區域中不易產生磁飽和，因此不會減損直流重疊特性。 進而亦判明·藉由以使已除去非磁體之缺口部之區域與外 部電極接觸的方式而形成，可改善Q值。 本發月係基於该等之見解而完成者，根據本發明，提供 以下發明。 " []種積層電感器，其特徵在於：其係作為電源電路等 之抗流線圈而使用者，且包括： 積層體晶片；及 一對外部電極，形成於該積層體晶片之端面且分別連接 於線圈導體之始端及終端； · 上述積層體晶片包含： 複數個磁體層，其等係平面形狀為四邊形且沿厚度方向 積層； 線圈導體，其係將分別配設於鄰接之該磁體層間之複數 個線圈圖案相互連接而形成螺旋狀線圈，並於線圈之始端 及終端具有到達磁體層 之緣部之引出部；及 卜磁體層，其係於鄰接之上述磁體層配設有上述線圈圖 149620.doc 201135761 案之層間，且配設於螺旋狀線圈外側之區域，並於最外周 之4個角部形成有缺口部； 分別包含與上述磁體之積層方向平行之邊部且僅由磁體 層所構成之柱狀區域，係以不與線圈導體接觸之方式分別 配設於上述缺口部。 [2]如上述[1]之積層電感器’其中上述柱狀區域與外部 電極接觸。 [發明之效果] 藉由本發明之結構，僅由積層體晶片之4個角部之磁體層 所構成之柱狀區域容易產生磁通。亦即，可有效地利用積 層體晶片中此前最不易產生磁通之該柱狀區域的磁體特 性。其結果，與於線圈外周之全部配置有非磁體層之先前 之積層電感器相比，電感值提高，直流重疊特性幾乎不會 降低，進而可改善Q值。 【實施方式】 使用圖1〜圖4對本發明之實施形態之積層電感器進行說 明。 (第1實施形態） 本發明之第1實施形態示於圖i〜3。圖！係立體圖，圖2係 剖面圖，圖2(a)係圓1之U_L1，之剖面圖，圖2(b)係圖！之 L2-L2’之剖面圖。圖3係圖1所示之積層體晶片之要素構成 圖。 本發明之積層電感器之第丨實施形態如圖丨、圖3所示，包 括長方體形狀之積層體晶片12與形成於該積層體晶片之端 149620.doc 201135761 面之一對外部電極17。 具體而言’積層體晶片12包含平面形狀為四邊形且沿厚 度方向積層之複數個磁體層13、與分別配設於鄰接之磁體 層間之複數個線圈圖案113。該線圈圖案113相互連接而形 成螺旋狀線圈118。進而將到達磁體層之緣部之引出部18、 連接於該線圈118之始端及終端而形成線圈導體15。繼 而’於積層體晶片12内之鄰接之磁體層13配設有上述線圈 圖案113之層間，且於螺旋狀線圈118外側區域，配設有非 磁體層14。該非磁體層14具有與磁體層大致相同之外形尺 寸’並具有於外周之4個角部形成有四邊形缺口部ι15之環 狀形狀。此時，於缺口部115，如圖2b所示，形成有僅由磁 體層構成之柱狀區域112。 藉由對積層體晶片丨2之對向之2側面塗佈銀膏，將外部電 極1 7設置為分別與線圈之始端與終端導通。外部電極之表 面被施以2層電鍍。積層體晶片之主要部分為包含Ni-Zn-Cu 系鐵氧體等之磁體層，磁體層係將複數片四邊形狀之磁體 層之薄片疊合而形成。於積層體晶片内部形成螺旋狀線 圈’於線圈外周配設有包含材質Zn-Cu系鐵氧體等之非磁體 層。為了形成線圈，首先如圖3所示，將線圈圖案導體網版 印刷至磁體層之薄片上，該線圈圖案導體之形狀為對線圈 之環繞進行分割之形狀。繼而，使磁體薄片上之線圈圖案 經由通孔沿厚度方向導通而積層，藉此形成線圈。線圈係 環繞成大致為長方形。非磁體層係對磁體層之薄片上之線 圈圖案之外側區域進行網版印刷而形成。使非磁體層與線 149620.doc 201135761 ’非磁體層之外形尺寸與磁體層大致
層所構成之剖面為四邊形之柱狀區域112。為了改善q值， 減少通過外部電極之磁通為有效之手段，因此，該柱狀區 圈圖案之外周部接觸，」 相同。又，非磁體層中， 缺口部115，該缺口部11 域112形成為至少-個面與外部電極接觸ϋ使通過外部 電極之磁通導人至該柱狀區域。以此方式，為了改善⑽， 較佳為使該柱狀區域112與外部電極以更大之面積接觸而 形成。 (第2實施形態） 本發明之第2實施形態示於圖4。 本發明之積層電感器之第2實施形態如圖4所示，包括長 方體形狀之積層體晶片12與形成於該積層體晶片之端面之 一對外部電極1 7。 具體而言’積層體晶片12係具有平面形狀為四邊形且沿 厚度方向積層之複數個磁體層13、與分別配設於鄰接之磁 體層間之複數個線圈圖案113。該線圈圖案113相互連接而 形成螺旋狀線圈。進而，將到達至磁體層之緣部之引出部 18、11〇連接於該線圈之始端及終端而形成線圈導體。繼 而’於積層體晶片12内之鄰接之磁體層13配設有上述線圈 圖案113之層間’且為螺旋狀線圈外側之區域，配設有非磁 體層14«非磁體層14具有與磁體層大致相同之外形尺寸， 149620.doc 201135761 且具有環狀形狀，其於外周之4個 口部115。此時，別形成有三角形缺 部115形成有剖 區域16,其僅由磁體層構成。 角形之柱狀 藉由對積層體晶片之對向之2側面塗佈銀 17設置為分別與線圈之始端與終端導通。對外：雷:電極 no & it ^ m 對外部電極17施 電鑛。積層體晶片12之主要部分為包含鐵 ^體等之磁體層，磁體層係將複數片四邊形狀之磁體層之 薄片疊合而形成。積層|*曰y >咖合 Μ… 部形成有螺旋狀線圈， ，線圈之外周配設有包含心系鐵氧體等之非磁體声 4。首先如圖4般’將線圈圖案導體網版印刷至磁體薄片 上，該線圈圖案導體之形狀為對線圈之環繞進行分判之形 狀。繼而，使磁體薄片上之線圈圖案經由通孔沿厚度方向 導通而積層，藉此形成線圈。線圈係環繞成大致為長方形。 非磁體層Μ係對磁體層之薄片上之線圈圖案的外側區域進 行網版印刷而形成。使非磁體層與線圈圖案之外周部接 觸’非磁體層之外形尺寸與磁體層大致相同。非磁體層Μ 中，於外周之4個角部分別形成等腰三角形缺口部ιΐ5，其 面積與上述實施形態丨之正方形缺口部115相同。該缺口部 ⑴並不與線圈圖案接觸。χ，於形成於非磁體此缺口部 115,以包含與積層體晶片中之磁體層之積層方向平行之邊 部之方式形成有僅由磁體層所構成之剖面為三角形之柱狀 區域16。為了改善q值，減少通過外部電極之磁通為有效之 手^又，因此將該柱狀之區域1 6形成為至少一個面與外部電 極1 7接觸，而可使通過外部電極之磁通更多地導入至該柱 149620.doc 201135761 狀區域16。為了改善Q值，較佳為使該柱狀區域16與外部電 極17以更大面積接觸而形成。 (使用先前例之模擬） 為了證實本發明之效果機制，如專利文獻1所記載般，關 於將非磁體層插入至線圈外周之全部之積層電感器，利用 模擬調查積層體晶片内之磁通密度分佈。 用於模擬之先前例之積層電感器20示於圖5〜7。圖5係該 積層電感器20之立體圖，圖6係該積層電感器20之剖面圖， 圖7係該積層電感器20之要素構成圖。 該積層電感器20係如圖5、圖7所示，包括長方體形狀之 積層體晶片22與形成於該積層體晶片之端面之一對外部電 極27。 與上述之本發明之第1實施形態及第2實施形態相同，具 體而言，積層體晶片22包含平面形狀為四邊形且沿厚度方 向積層之複數個磁體層23、與分別配設於鄰接之磁體層間 之複數個線圈圖案213。該線圈圖案213相互連接而形成螺 旋狀線圈21 8。進而’將到達磁體層之緣部之引出部28、2 j 〇 連接於該線圈21 8之始端及終端而形成線圈導體25。繼而， 於積層體晶片22内之鄰接之磁體層23配設上述線圈圖案 213之層間’且於螺旋狀線圈2丨8外側之區域，配設有非磁 體層24。該非磁體層24係具有與磁體層大致相同之外形尺 寸並具有環狀形狀。與本發明不同之處在於，於該環狀非 磁體層24中，上述之本發明之第i實施形態及第2實施形態 所具有之外周的4個角部並未形成缺口部115，且並未形成 149620.doc •10· 201135761 僅由磁體層構成之柱狀區域112或16。 模擬之結果示於圖8。圖8係將圖7中使大致呈C字形之線 圈圖案213之全部外側區域為非磁體24的積層體晶片内的 具有一個線圈圖案213之積層面（圖7之積層面216)之磁通密 度的高低以亮度表示者。磁通密度越低之區域顯示為亮度 越高。再者’將磁體層之外形尺寸設為2.4x2.4 mm進行模 擬。 圖8中，標度之數值表示磁通密度，單位為τ。 由圖8明顯可知：與積層體晶片内之其他區域之磁通密度 相比’積層體晶片之4個角部之區域（圖8 A部分内）之磁通密 度較低。另一方面可知：與線圈導體B接觸之區域之磁通密 度較高。 如此可知：與積層體晶片内之其他區域之磁通密度相 比’圖8之積層體晶片<4個角部的磁通密度較低，因此積 層體晶片之4個角部之區域不易產生磁飽和。 與此相對，本發明係如下：於配設於積層體晶片之線圈 外側區域之非磁體層的最外周之4個角部形成缺口部丨丨5， 並於此處將僅由磁體層構成之柱狀區域112或16以不與線 圈導體接觸之方式配置。藉由該結構，積層體晶片之4個角 部區域容易產生磁通，可有效地利用迄今為止積層體晶片 中不易產生磁通之該區域之磁體特性。 結果，本發明可享有以下之便利：與將非磁體層插入至 線圈外周之全部之先前的積層電感器相比，電感值提高， 直流重疊特性幾乎不會降低。 149620.doc -11 - 201135761 此處，嘗試考慮如下構成：假設使非磁體層之缺口部形 成於圖8之模擬結果中磁通密度高之區域，例如與線圈導體 接觸之區域，而於該缺口部設置僅由磁體層構成之柱狀區 域。此時，若該柱狀區域電流上升，則因磁通密度進而提 高而易於磁飽和，故而使直流重疊特性大為降低。 又，當磁通通過外部電極時，外部電極產生渦電流，此 會成為損耗大之要因而使Q值降低。本發明之構成係使非磁 體層之缺口部形成於與外部電極接觸之區域，並於該缺口 部配設僅由磁體層所構成之柱狀區域。如圖7之先前之構成 中’因位於線圈整個周圍之非磁體層，磁通向積層體晶片 外側漏出而易於通過外部電極。另一方面，本發明中僅由 磁體層構成之柱狀區域與外部電極接觸，因而磁通易於自 外部電極通過該柱狀區域。如此一來，本發明中因通過外 部電極之磁通減少而使Q值得以改善。 [實施例] 以下使用本發明之實施例、比較例、及先前例進行說明， 但本發明並非限定於該等實施例。 (實施例1) 首先將乙基纖維素、松油醇添入至以Fe〇2、Cu〇、Zn〇、 Nl〇為主#料且經預燒粉碎後之Ni.Zn-Cu系鐵I體細粉末 中加以混煉而製成漿體。用刮刀將該漿體塗成一定厚度， 將經乾燥者切割成特定之印刷用尺寸而製成磁體薄片。對 i磁體薄片藉由模具打孔或雷射加工穿孔等方法而於特定 位置形成通孔。繼而使用具有線圈圖案之一部分形狀之網 149620.doc -12· 201135761 版將銀膏印刷至磁體薄片並進行乾燥。非磁體漿料係將乙 基纖维素、松油醇添入至以Fe〇2、Cu0、Zn〇為主材料且經 預燒粉碎後之Zn-Cu系鐵氧體細粉末中加以混煉而製成。以 將該非磁體漿料印刷至上述線圈圖案外側之特定位置的方 式進行疋位而進行網版印刷。此時非磁體之印刷圖案形狀 係佔有線圈圖案外側區域，並於最外周之4個角部分別形成 有正方形缺口部。藉由該缺口部，形成有積層時僅由磁體 層連續而成之柱狀區域。其次將磁體薄片積層，進行壓製 壓接以使鄰接之磁體薄片之線圈圖案藉由通孔導通而連 接。將其切割成特定尺寸後於500t下加熱丨hr進行脫脂處 理，於大氣爐令800〜900〇C下加熱煅燒2hr而得到積層體晶 片。對所獲得之積層體晶片之對向的2個側面藉由浸漬法等 塗佈銀膏以與線圈引出部相連接，於大氣中約6〇〇t下加熱 並進仃燒製處理1 hr而形成一對銀電極層。於該銀電極層上 施以鎳電解滾筒電鍍後’進行錫電解滾筒電鍍而形成二序 積層有銀電極層、鎮電鍵層、錫電鑛層之外部電極P，獲 得圖1所示之積層電感器10。 上述所獲得之實施例1之積層電感器試樣之主要各部分 之構成如下。 積層電感器外形尺寸：長3.2 磁體層：Ni-Zn-Cu系鐵氧體 ^mx£i.6mmx^K6mm 非磁體層：配設於線圈圖案 長〇.2mm之正方形缺口。 線圈：1周尺寸長邊2.0_χ短邊1〇_導體寬 149620.doc 201135761 面示於圖9a。 將圖3所示之積層面116作為實施例丨之代表 (實施例2) 首先將乙基纖維素、松油醇添入至以Fe〇2、、 NiO為主材料且經預燒粉碎後之^^⑽鐵氧體細粉末 中加以混煉，製成漿體。用刮刀將該漿體塗成一定厚度， 將經乾燥者切割成特定之印刷用尺寸而製成磁體薄片:對 該磁體薄片藉由模具打孔或雷射加工穿孔等方法而於特定 位置形成通孔。其次使用具有線圈圖案之一部分形狀之網 版將銀膏印刷至磁體薄片並進行乾燥。非磁體漿料係將乙 基纖維素、松油醇添人至以Fe〇2、㈤、〜◦為主材料且經 預燒粉碎後之Zn_Cu系鐵氧體細粉末中加以混煉而製成。以 將該非磁體漿料印刷至上述線圈圖案外側特定位置之方式 進行定位而進行網版印刷。此時非磁體之印刷圖案形狀係 佔有線圈圖案之外側區域，並於最外周之4個角部分別形成 有等腰三角形缺口部。該缺口部之面積與上述實施例1之面 積相同，藉由該缺口部，形成有積層時僅由磁體層連續而 成之柱狀區域。繼而將磁體薄片積層，進行壓製壓接以使 鄰接之磁體薄片之線圈圖案藉由通孔導通而連接。將其切 割成特定尺寸後於50(TC下加熱1 hr進行脫脂處理，於大氣 爐中800〜900。(：下加熱煅燒2 hr而得到積層體晶片。對所獲 得之積層體晶片之對向之2個側面藉由浸潰法等塗佈銀膏 以與線圈引出部相連接，於大氣中約6〇〇。〇下加熱並進行燒 製處理1 hr而形成一對銀電極層。於該銀電極層上施以鎳電 解滾筒電鍍後，進行錫電解滾筒電鍍而形成依序積層有銀 149620.doc 201135761 電極層、錄電錄層、錫電鑛層之外部電極，獲得圖4所示之 積層電感器11。 上述所獲得之實施例2之積層冑感器試樣之主要各部分 之構成如下。 積層電感器外形尺寸：長3.2_χ寬16_高16_ 磁體層：Ni-Zn-Cu系鐵氧體 非磁體層：配設於線圈圖案之外周，於4個角部分別形成 :形成直角且2邊分別約為0.28 _之直角等腰三角形缺口 部。再者，缺口部之面積與實施例丨相同。 線圈·1周尺寸長邊2.0mmx短邊1〇_導體寬 將圖4所示之積層面117作為實施例2之代表面示於圖外。 (比較例1) 首先將乙基纖維素、松油醇添入至以Fe〇2、Cu〇、、 NiO為主材料且經預燒粉碎後之Ni_Zn•⑽、鐵氧體細粉末 中加以混煉，製成漿體。用刮刀將該漿體塗成一定厚度， 將經乾燥者切割成特定之印刷用尺寸而製成磁體薄片。對 該磁體薄片藉由模具打礼或雷射加工穿孔等方法而於特定 位置形成通孔。其次使用具有線圈圖案之一部分形狀之網 版將銀膏印刷至磁體薄片並進行乾燥。非磁體漿料係將乙 基纖維素、松油醇添入至以Fe〇2、Cu〇、Zn〇為主材料且經 預燒粉碎後之Zn-Cu系鐵氧體細粉末中加以混煉而製成。以 將該非磁體漿料印刷至上述線圈圖案外側之特定位置之方 式進行定位而進行網版印刷。此時非磁體層之印刷圖案形 狀係佔有線圈圖案外側區域，於線圈之直線部4邊之約中央 149620.doc 15 201135761 部分別與上述實施例l、上述實施例2相同，存在有於煅燒 後形成0.04 mm2之面積之四邊形缺口部。該缺口部係配設 為内側與線圈圖案接觸，外側與磁體層之外周接觸以分割 線圈圖案外側區域。於缺口部，形成有積層時僅由磁體層 連續而成之柱狀區域。繼而將磁體薄片積層，進行壓製壓 接以使鄰接之磁體薄片之線圈圖案藉由通孔導通而連接。 將其切割成特定尺寸後於500。(：下加熱i hr進行脫脂處理， 於大氣爐中800〜90(TC下加熱煅燒2 hr而得到積層體晶片。 對所獲得之積層體晶片之對向的2個側面藉由浸潰法等塗 佈銀膏以與線圈引出部相連接，於大氣中約6〇〇t：下加熱並 進行燒製處理1 hr而形成一對銀電極層。於該銀電極層上施 以鎳電解滾筒電鍍後’進行錫電解滾筒電鍍而形成外部電 極’獲得比較例1之積層電感器2 1。 上述所獲得之比較例1之積層電感器試樣之主要各部分 之構成如下。 積層電感器外形尺寸：長3_2 111111><寬1.6111111><高1.6 111111 磁體材料：Ni-Zn-Cu系鐵氧體 非磁體層：配設於線圈圖案外周於線圈之4邊約中央部 分別形成0.04 mm2之缺口。再者，缺口部之面積與上述實 施例1、上述實施例2相同。 線圈：1周尺寸長邊2.0mmx短邊l.〇mm導體寬〇.3mm 比較例1之代表面示於圖9C。 (先前例1) 首先將乙基纖維素、松油醇添入至以Fe02、CuO、Zn〇、 149620.doc -16 - 201135761
NiO為主材料且經預燒粉碎後之Ni_Zn_Cu系鐵氧體細粉末 中加以混煉，製成漿體。用刮刀將該漿體塗成一定厚度， 將經乾燥者切割成特定之印刷用尺寸而製成磁體薄片。對 該磁體薄片藉由模具打孔或雷射加工穿孔等方法而於特定 位置形成通孔。其次使用具有線圈圖案之一部分形狀之網 版將銀膏印刷至磁體薄片並進行乾燥。非磁體漿料係將乙 基纖維素、松油醇添入至以Fe〇2、Cu〇、Zn〇為主材料且經 預燒粉碎後之Zn-Cu系鐵氧體細粉末中加以混煉而製成。以 將該非磁體漿料印刷至上述線圈圖案外側之特定位置之方 式進行定位而進行網版印刷。此時非磁體之印刷圖案形狀 係如圖7所不，無缺口部，且佔有線圈圖案外側區域之全 部。繼而將磁體薄片積層，進行定位並進行壓製壓接以使 鄰接之磁體薄片之線圈圖案藉由通孔導通而連接。將盆切 割成特^尺寸後於下加熱！ hr進行脫脂處理，於^氣 爐中800 9GG C下加熱炮燒2 hr而得到積層體晶片。對所獲 得之積層體晶片之對向的2個側面藉由浸潰法㈣佈銀膏 以與線圈引出部相連接，於大氣_約6_下加熱並進行燒 製處理1 hr而形成—對銀電極層。於該銀電極層上施以錄電 解滾筒電鍵後，進行錫電解滾筒電鑛而形成依序積層有銀 電㈣、鎳電鑛層、錫^層之外部電極，獲得圖Η所示 之先别例1之積層電感器2〇。 上述所獲仟之先則例!之積層電感器試樣之主 之構成如下。 文合口丨刀 積層電感器外形尺寸 長3.2 mmx寬 1.6 咖><高！ 6 _ 149620.doc -17· 201135761 磁體層：Ni-Zn-Cu系鐵氧體 非磁體層：配設於線圈圖案整個外周 線圈：1周尺寸長邊2.〇mmx短邊10mm導體寬〇3_ 將圖7所示之積層面21 7作為先前例1之代表面示於圖9d。 關於上述所獲得之本發明之實施例丨、實施例2之積層電 感器試樣、比較例1及先前例1之積層電感器試樣，使用 Agilent公司製造之4285A，對增大流經積層電感器之電流 時之電感值進行測定，算出相對於初始電感值之電感之變 也率並將所獲得之結果示於圖1〇。 圖10中，橫軸表示流經積層電感器試樣之電流值，縱軸 表示相對於初始電感值之電感之變化率。又，圖10中，分 別為：一點鏈線表示實施例丨，實線表示實施例2，2點鏈線 表示比較例1，虛線表示先前例1。 如圖所示，先前例1中非磁體層存在於線圈整個外周，因 此電感變化率最小。相對於電流值，電感變化率大致均一 地降低，表示有1200 mA下約-16%之電感變化率。與此相 對，具有於最外周之4個角部形成有缺口部之非磁體層之實 %例1及實施例2之積層電感器試樣中，電感變化率擴大。 相對於電流值之電感變化率直至200 mA左右為止降低率稍 大，其後相對於電流值，電感變化率係大致均一地降低。 實施例1之情形表示1200 mA下約-27%之電感變化率，實施 例2之情形表示12〇〇 mA下約_22%之電感變化率。另一方 f，具有於線圈之外周4邊之大致中央部形成有四邊形缺口 部之非磁體層的比較例1之積層電感器試樣中，電感變化率 149620.doc • 18 · 201135761 進而擴大。比較例1之積層電感器試樣表示電流值在〇至4〇〇 mA之間約-55%之電感變化率，其後，相對於電流值，大致 均一地降低’表示有1200 mA下約-60%之電感變化率。比 較例1中’因於磁通密度較高區域形成非磁體層之缺口部， 故而該區域之磁通至電流值400mA為止產生飽和而使直流 重疊特性降低’為不適於使用之水平。與此相對，實施例1、 實施例2於磁通岔度之最低區域形成有非磁體層之缺口 部，因此磁通相對於電流值不會產生飽和，亦即，不會使 直流重疊特性大為降低，達到可充分使用之水平。 圖11係關於上述所獲得之本發明之實施例丨、實施例2之 積層電感器試樣、以及先前例丨之積層電感器試樣，將流經 試樣之電流值示於橫軸，將此時之積層電感器試樣之電感 值示於縱軸。又，圖n中，分別為：一點鏈線表示實施例2， 實線表示實施例2，虛線表示先前例i。 已知·如圖11所示，本發明之實施例i之電感器試樣中， 流經試樣之電流值至300 mA為止之範圍内，又本發明之 實施例2之電感器試樣中，流經試樣之電流值至15〇心為止 之範圍内’各自之電感值與先前例1相比提高。實施例1、 實施例2中’藉由於4個角部形成有非磁體層之缺口部，會 使磁通導入至該4個角部之區域，即積層體晶片之磁通密度 :低之區域。其係因迄今為止將非磁體均一地配設、或配 、考慮之位置’故而將磁通導人至低磁通密度之區 域以：效地利用該部分之作為磁體之特性。 各實驗條件之Q值之結果示於表卜⑽係使用人叫⑽公 149620.doc •19- 201135761 司製造之4285A以頻率1 MHz進行測定。 根據表顯而易見：與先前例1相比，比較例i、實施例j、 實施例2之Q值提高。可推測：該等Q值之差異係取決於通 過外。卩電極之磁通量之大小。亦即，通過外部電極之磁通 量較多時，伴隨其磁通，因產生於外部電極之渦電流成為 損耗因素，故而Q值降低，反之，通過外部電極之磁通量較 '時，Q值&尚，成為更佳之特性值。先前例1中因線圈 之整個外周存在非磁體層，進而通過位於其外側之外部電 極之磁通量相對增多。另一方面，實施例丨、實施例2中， 積層體晶片内存在4處未設置非磁體之區域，均設置為與外 部電極接觸，因此，先前例1中通過外部電極之磁通的一部 分會通過實施例1、實施例2中未設置非磁體之區域。如此 一來，因實施例1、實施例2中通過外部電極之磁通較先前 例1減少，故而實施例1、實施例2之9值較先前例丨提高。 [表1] 先前例 比較例 實施例1 實施例2 Q值(以 1 MHz) 20 25 27 25 又’未設置非磁體之區域為2處且與外部電極接觸之比較 例1的Q值成為先前例1與實施例1、實施例2之間的值。 如上所述’若將本發明之實施例1、實施例2之結果與先 前例1、比較例1進行比較，則本發明不會破壞直流重疊特 性便可提高電感值L，進而改善Q值。 【圖式簡單說明】 圖1係作為本發明之第1實施形態之具有於最外周之4個 149620.doc •20· 201135761 角部形成有四邊形狀之缺口部之非磁體層的積層電感器之 立體圖； 圖2係圖1所示之積層電感器之剖面圖，圖2(a)係圖1之 Ll-Lr之剖面圖，圖2(b)係圖1之L2-L2·之剖面圖； 圖3係圖1所示之具有於非磁體層之最外周之4個角部形 成有正方形缺口之非磁體層的積層電感器之要素構成圖； 圖4係作為本發明之第2實施形態之具有於最外周之4個 角部形成有等腰三角形缺口之非磁體層的積層電感器之要 素構成圖； 圖5係作為相對於本發明之先前例之一例的於線圈之整 個外周配設有非磁體層之積層電感器之立體圖； 圖6係圖5所示之積層電感器之剖面圖，圖6(a)係圖5之 L3-L3'之剖面圖’圖6(b)係圖5之L4-L4,之剖面圖； 圖7係圖5所示之於線圈之整個外周配設有非磁體層之積 層電感器之要素構成圖； 圖8係表示模擬圖7所示之積層電感器之積層面216中之 磁通密度分佈之結果的圖； 圖9係將本發明之實施例、比較例、及先前例以代表各自 之形態之積層面表示者，圖9(a)係實施例1(圖3之積層面 116)，圖9(b)係實施例2(圖4之積層面117)，圖9(c)係比較例 1，圖9(d)係先前例1 ; 圖1 〇係表不對各形態例之積層電感器施加電流時之電感 變化率之圖； 圖11係表不對各形態例之積層電感器施加電流時之電感 149620.doc •21 - 201135761 值之圖； 圖12係表示作為相對於本發明之先前例之一例的未配5史 非磁體層之積層電感器之圖，圖l2(a)係立體圖，圖12(b)係 圖12(a)之L5-L5'之剖面圖；及 圖13係圖12所示之未配設非磁體層之積層體晶片之要素 構成圖。 【主要元件符號說明】 10、11 本發明之積層電感器 12 ' 22 積層體晶片 13、23 磁體層 14 ' 24 非磁體層 15 ' 25 線圈導體 16 、 112 柱狀區域 17 ' 27 外部電極 18 、 110 、 28 、 210 線圈導體引出部 20、21、29 先前之積層電感器 113 、 213 線圈圖案 114 、 214 通孔連接部 115 、 215 缺口部 116、117、216、217 積層面 118 、 218 線圈 A 4個角部之區域 B 線圈導體 22- 149620.doc