201133960 六、發明說明： 【發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於在安裝用基板上安裝有複數之 LED(Light Emitting Diode)晶片等之半導體發光元件之發 光模組。 t先前才支冬好;3 發明背景 作為安裝於各種照明器具上使用之光源裝置之光源， 近年來係使用在安裝用基板上安裝有LED(Light Emitting Diode)晶片等半導體發光元件之LED模組(發光模組）。 作為LED模組’例如以在絕緣性之安裝用基板之一主 面之表面（安裝面）上藉由Ag、Ag-Pt、Ag-Pd等形成配線圖 案’藉由配線圖案供給電流之方式安裝複數之LED晶片。 各LED晶片係由含有螢光體之樹脂而密封，藉由供給電 流，各LED晶片生成光，光由各LED晶片之與安裝面側成 相反側之發光面出射。出射之光通過含有螢光體之樹脂而 向外部照射。 作為LED模組之安裝用基板，大多使用〇.1 mm〜1.0mm 左右之厚度之氧化鋁基板。氧化鋁基板係散熱性優異，且 外面呈白色。由LED晶片出射之光之一部分係由含有螢光 體之樹脂反射、折射，而照射於氧化鋁基板之安裝面。又， 由LED晶片之與發光面成相反側之面出射之光，亦照射於 氧化銘基板之安裝面。 201133960 氧化鋁基板由於外面呈白色，故可將照射至未設有配 線圖案之安裝面之光之一部分予以反射，但其餘之光係入 射至氧化鋁基板之内部。此時，氧化紹基板之安裝面之配 線圖案之面積越小，入射於氧化鋁基板之内部之光量越增 加。 1.0mm以下厚度之氧化鋁基板，由於呈透光性，故入 射於氧化鋁基板之内部之光係由氧化鋁基板之背面出射。 由氧化鋁基板之背面出射之光’由於不會提供作為LED模 組之本來之照射光，故由LED模組整體照射之光之光量降 低0 如此問題不限於使用氧化鋁基板作為安裝用基板之情 形，即使其他材質之基板，只要呈透光性亦會產生。 為解決上述問題’於專利文獻1中揭示一種發光元件安 裝用基板，其係於由氧化鋁形成之陶瓷基板之與發光元件 之安裝面成相反側之背面，接合鋁板。如此構成之發光元 件安裝用基板，可將由安裝於安裝面之發光元件照射於陶 瓷基板之光藉由接合於陶瓷基板背面之鋁板而反射。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2009-206200號公報 Γ發明内容；| 發明概要 發明欲解決之課題 專利文獻1所揭示之發光元件安裝用基板，其構造係於 4 201133960 由氧化鋁形成之陶瓷基板上載置鋁板，加熱至鋁熔點以上 之第1溫度(660〜680。〇後，將鋁板壓抵於陶瓷基板，之後冷 卻至特定溫度，進而之後以較第i溫度低溫之第2溫度 (600〜650°C)進行熱處理，將鋁板與由氧化鋁形成之陶瓷基 板接合。 然而，接合於陶瓷基板之鋁板由於為〇2mm左右之厚 度，故存在發光元件安裝用基板變厚，且整體之重量增加 之問題。 又，s己載於專利文獻丨之發光元件安裝用基板之製造方 法，係準備與發光额之ΑλΜ目職之特定大小之陶竞基 板’於準備之各陶竟基板接合銘板之構成。因此必須於 成特定大小之m基板’分別接合銘板，亦存在無法 有效率地製造許錯光元件安制基板之問題。 並且，為使陶究基板與紹板成特定之接合狀態有必 要將紹板加熱至贿點以上之第1溫度後，-度冷卻，進而 之後加熱至低於崎點之第2溫度進行處理。因此必須精 密地官理溫度’即使如此亦有無法有效率地製造發光元件 安裝用基板之虞。 本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的係提供-種 發光模組及其製造方法，其可將由絲於基板之—主 +導體發光元件照射之光，於基板之另—主面有效率地反 射’且可抑龍輯度及重量增加，進μ產效率優異。 用以欲解決課題之手段 、 為達成上述目的，本發明之發光模組係於具有透光性 201133960 之安裝用基板之一主面上形成配線圖案，且搭載有與該配 線圖案電性連接之半導體發光元件者，其特徵在於：於前 述安裝用基板之另一主面設有反射膜，該反射膜係藉由塗 布或印刷漿料後加以燒製而構成，該漿料係將生成白色粉 末之物質之粉末與玻璃料混合或混練而成者。 為達成上述目的，本發明之前述發光模組之製造方法 其特徵在於包含以下步驟：於可分斷成複數之安裝用基板 之大小且具有透光性之主基板之一主面上，於與各安裝用 基板對應之各區域形成配線圖案，且於前述主基板之另一 主面之與各安裝用基板對應之各區域，藉由塗布或印刷將 生成白色粉末之物質之粉末與玻璃料混合或混練而成之漿 料後，使之乾燥後加以燒製而形成反射膜之步驟；接著， 將前述主基板分斷成複數之安裝用基板之步驟；及於各已 分斷之安裝用基板之表面搭載半導體發光元件，並與配線 圖案電性連接之步驟。 發明效果 本發明之發光模組中，由於設於具有透光性之安裝用 基板之另一主面之反射膜係藉由塗布或印刷將氧化鈦、氧 化鋅、氧化鋁等生成白色粉末之物質之粉末與玻璃料混合 或混練而成之漿料後加以燒製而構成，故可為薄且輕量， 並可有效率地反射光。因此，可抑制發光模組之厚度及重 量增加，且可有效率地反射入射於安裝用基板内之光。 本發明之發光模組之製造方法，可有效率地製造上述 發光模組，使生產性提高。 6 201133960 圖式簡單說明 第1圖係本發明之實施形態之LED模組之平面圖。 第2圖係沿第1圖之A-A線之剖面圖。 第3圖係用以說明本發明之實施形態之L E D模組之製 造方法之步驟圖。 第4圖係製造L E D模組時之步驟1結束時之安裝用基板 之平面圖。 第5圖係用以說明本實施形態之LED模組之製造方法 中配線圖案之加熱步驟之圖。 第6(a)〜(c)圖係分別製造LED模組時之步驟1〜步驟3結 束時之第4圖之B-B線之剖面圖。 第7圖係製造L E D模組時之步驟2結束時之安裝用基板 之背面圖。 第8圖係用以說明本實施形態之L E D模組之製造方法 中反射膜之加熱步驟之圖。 第9圖係按各波長顯示本實施形態之L E D模組之安裝 用基板之安裝面之反射率之圖。 t實方方式]3 用以實施發明之形態 以下，說明本發明之實施形態。第1圖係本發明之實施 形態之發光模組(LED模組）之平面圖。第2圖係沿第1圖之 A-A線之剖面圖。 如第1圖及第2圖所示，本實施形態之LED模組10具 備：沿一方向長延伸之帶板狀之安裝用基板11 ;搭載於安 201133960 裝用基板11之一主面之表面（安裝面）1 la上之複數個LED晶 片（半導體發光元件）12 ;及如第2圖所示，設置於安裝用基 板11之另一主面之背面lib之反射膜13。 安裝用基板11例如藉由陶瓷基板之氧化鋁基板，而形 成為長度54mm、寬度l〇mm、厚度0.8mm。於安裝用基板11 之安裝面11a上，例如以4個為1組，全部安裝有4組（16個） 之LED晶片（裸晶片）12。各組之4個LED晶片12，係沿長向 分別安裝於安裝用基板11中之除長向之一側端部以外的區 域。 又’於安裝用基板11之安裝面11a上，如第1圖所示， 設置有用以對全部LED晶片12供給電流之第1配線圖案14 及第2配線圖案15，且為串聯連接各組之4個LED晶片12， 於各組分別設有三個之第1焊墊圖案16a、第2焊墊圖案 16b、第3焊墊圖案16c。本實施形態中，全部配線圖案係由 Ag-Pt構成。 第1配線圖案14及第2配線圖案15係具有：沿安裝用基 板11之沿長向之各側緣部成直線狀形成之主配線部14a及 15a ;設於主配線部14a及15a之各自之一端部之端子部14b 及15b ;及由主配線部14a及15a分別向4個LED晶片12之各 組之安裝用基板11之寬度方向中央部各自延伸之分支部 14c及15c ° 第1配線圖案14及第2配線圖案I5之端子部14b及15b， 係配置於未安裝有LED晶片12之安裝用基板11之長向之端 部，分別形成為沿安裝用基板11之長向之長方形狀。於各 8 201133960 端子部Mb及丨财別連接有電力線(未圖示），藉由各電力線 對主配線部14a及15a供給電流。 由第1配線圖案14之主配線部14a向寬度方向中央部延 伸之各分支部14e，各自之接近於安制基板H之寬度方向 中央部之部分係讀主配線部14a平行之方式，朝遠離端子 部14c之方向f曲’其前端部之寬度大於主配線部刚則。 第2配線圖案15之各自之分支部…係一定寬度，相對 主配線部15a«直之狀態，各自之前端部接近於安裝用基 板11之寬度方向之中央部。 設置於4個LED晶片12之各級之各第【焊塾圖案i6a，係 相對於第他線圖案14之分支部l4c配置於遠離端子部⑽ 側，接近於分支部14e之部分之寬度較窄，㈣遠離分支部
He之側之部分之寬度大於安裝用基板r寬度方向中央 部側。 各組之第2焊塾圖案16b係相對以焊塾圖案i6a之寬度 較大之部分，配置於第2配線圖案15之主配線部W側，接 近於第1焊塾圖案16a之部分之寬度較窄，接近於主配線部 15a之部分之寬度大於第2配線圖案15之端子部⑽側。 各組之第3焊塾圖案16c係相對於第2焊塾圖案说之寬 度較大之部分’ _㈣料15側，絲置於與各組之第2 配線圖案丨5之分支部以之間。第3焊塾圖案W，其接近於 第2焊塾圖案16b之部分之寬度幸交窄，接近於分支部…之部 分之寬度大於安裝用基板11之寬度方向中央部側。 第1配線圖案14、第2配線圖案15、各組之第啤塾圖案 201133960 咖、第2焊塾圖案16b、第3焊墊圖案16c，分別例如將由
Ag-Pt構成之配線漿料藉由印刷塗布成特定圖案，使之乾燥 後加以燒製而形成，如第2圖所示，於其等之表面全面形成 有鍵金(AU)層1卜藉由形成有祕金層18，可使沿著配線 圖案流動之電流量增加，且可提高LED晶片12與配線之連 接之可靠性。 各組之4個LED晶片12分別配置於第丨配線圖案14之分 支。p 14c之則端部與第1焊塾圖案16a之間之位置、第1焊塾 圖案16a與第2焊墊圖案i6b之間之位置、第2焊墊圖案i6b與 第3焊塾圖案16c之間之位置、及相對第3焊塾圖案⑹之寬 度較大之部分鄰接於安裝用基板丨丨之寬度方向中央部側之 位置。 各LED晶片12分別藉由固晶劑（未圖示）黏晶於安裝用 基板11之安裝面11a上。 各LED晶片12例如係於透光性基板上形成有GaN系化 合物半導體層之發出藍色光之發光二極體，於各LED晶片 12之發光側之表面（發光面）’分別設有第1電極及第2電極 (未圖示）。 配置於第1配線圖案丨4之分支部14c之前端部與第1焊 墊圖案16a之間之位置的lED晶片12之第1電極及第2電 極，係藉由金線17分別與分支部14c及第1焊墊圖案16a電性 連接。配置於第1焊墊圖案16a與第2焊墊圖案i6b之間之 LED晶片12之第1電極及第2電極，係藉由金線π分別與第1 焊塾圖案16a及第2焊塾圖案16b電性連接。 10 201133960 配置於第2焊墊圖案16b與第3焊墊圖案16c之間之LED 晶片12之第1電極及第2電極’係藉由金線π分別與第2焊墊 圖案16b及第3焊墊圖案16c電性連接。又，鄰接於第3焊墊 圖案16c之寬度變大之部分而配置之LED晶片π之第1電極 及第2電極，係藉由金線17分別與第3焊墊圖案16c及第2配 線圖案15之主配線部15a電性連接。 如第1圖所示，安裝於安裝用基板11之全部LED晶片 12，係與除各端子部14b及15b外之第1配線圖案丨4及第2配 線圖案15、以及全部的金線17 —起’藉由含有螢光體之樹 脂19密封。含有螢光體之樹脂19例如於石夕樹脂等透光性材 料中分散有螢光體粒子而構成。 螢光體粒子，例如將藉由LED晶片12發出之藍色光之 一部分藉由螢光體粒子轉換成較前述藍色光更長波長側之 光。由螢光體粒子轉換後之長波長側之光，藉由與未由螢 光體粒子進行波長轉換之藍色光之混色而成為白色光，該 白色光由含有螢光體之樹脂19向外部照射。 再者，作為螢光體粒子，可列舉由矽氤化物構成之紅 色螢光體及綠色螢光體之混合物、YAG螢光體等。 °又置於安裝用基板11之背面Hb之反射臈13(參照第2 圖）’係藉由塗佈或印刷高反射材料之Μ後加以燒製而形 成。本實施形態中，係將氧化鈦(金紅石、銳鈦礦)與玻璃料 混合或混練而製造之漿料，藉由網版印刷於安裝用基板η 之背面lib整面塗布，使之乾燥後燒製，藉此以例如4一 左右之厚度形成，將背面lib整面塗覆。 201133960 如此構成之LED模組10，例如於由鋁構成之散熱器 上，將設於安裝用基板11之背面lib之反射膜13以接觸於散 熱器之方式進行搭載，由與第1配線圖案14及第2配線圖案 15各自之端子部14b及15b連接之電力線供給電流。藉此， 由安裝於安裝用基板11之安裝面11a之全部LED晶片12出 射光。 由各LED晶片12出射之光之大部分，由各LED晶片12 之發光面以特定之光束角度朝遠離安裝用基板11之方向照 射’光之一部分則朝安裝用基板11之安裝面11a表面及配線 圖案照射。又，光亦由LED晶片12之與安裝面11a相對之面 直接照射於安裝面11a。安裝用基板11由於藉由白色之氧化 銘基板構成，故照射於安裝面Ua之光之一部分係被反射， 但其餘之光則通過安裝面lla入射於安裝用基板丨丨之内部。 安裝用基板11由於厚度為〇.8mm薄，故成透光性，但由 於在安裝用基板11之背面lib設有反射膜13，故透過安裝用 基板11内部之光藉由反射膜13反射，由安裝用基板η之安 裝面11a中未形成有配線圖案之部分出射。 藉此，於藉由安裝用基板11之安裝面Ua反射之光之光 量上加上由反射膜13反射後由安裝用基板11之安裝面11a 出射之光之光量，由安裝面11 &照射之光之光量增加。因 此，可不使供給於各LED晶片12之電流量增加地，使由LED 模組10照射之光量增加。 藉由將氧化鈦與玻璃料混合或混練而成之漿料之燒製 而形成之反射膜13，即使為4〇μηι左右之厚度，亦可有效率 12 201133960 地反射光。而且，反射膜13由於塗覆於安裝用基板11之背 面11 b，故沒有與背面11 b之間存在空氣層之虞，藉此亦使 反射膜13之光反射效率提高。進而，由於反射膜13為薄且 輕量，故可抑制LED模組10整體之厚度及整體之重量增加。 第3圖係用以說明本實施形態之L E D模組之製造方法 之步驟圖。首先，準備可分斷成複數之安裝用基板11之氧 化鋁之主基板11A(參照第4圖）(參照第3圖之步驟S11，以下 相同）。主基板11A例如為縱120mm、橫125mm、厚度0.8mm 之大小，呈透光性。 又，準備成為配線圖案之配線漿料（步驟S12)。於本實 施形態中，配線漿料係Ag-Pt漿料。 準備主基板11A及配線漿料後，如第4圖所示，對於主 基板11A中對應於各安裝用基板11之各區域之表面，分別形 成第1配線圖案14、第2配線圖案15、4組之第1焊墊圖案 16a、第2焊墊圖案16b、第3焊墊圖案16c(步驟1)。 於該步驟1中，首先於主基板11A之一面中對應於各安 裝用基板11之區域（對應於各安裝用基板11之安裝面11a之 區域），各自網版印刷配線漿料，使成為分別對應第1配線 圖案14、第2配線圖案15、4組之第1焊墊圖案16a、第2焊墊 圖案16b、第3焊墊圖案16c之圖案（步驟S13)。再者，本實施 形態中，每一小時可網版印刷60片之安裝用基板11之配線 圖案。 藉由配線漿料之網版印刷結束時，將印刷之配線漿料 例如於150°C之溫度乾燥30分鐘（步驟S14)，進而之後例如如 13 201133960 第8圖所示，以於85(TC之溫度將配㈣料燒製1〇分鐘左右 之時間之方式’加熱-小時(步驟S15)。藉此，如第4圖所示， 於主基板11A中對應於各安裝用基板丨丨之各區域分別形成 特定形狀之第1配線圖案14、第2配線圖案15、4組之第1焊 墊圖案16a、第2焊墊圖案16b'第3焊墊圖案16c。再者，第 6(a)圖顯示沿著此時之第4圖之b_B線之剖面。 如此形成配線圖案後，實施藉由預先準備之反射材梁 料(步驟S16)之反射膜13之形成(步驟2)。反射材衆料係將氧 化鈦(金紅石、銳鈦礦）與玻璃料混合或混練而成之漿料。具 體而言，反射材漿料係相對平均粒.〇25μηι之金紅石氧化 鈦粉末100重量份，混合或混練軟化點62〇艽之 ZnO-B2〇3_Si〇2系玻璃料24重量份、乙基纖維素3重量份、 松油醇60重量份而成者。 於§亥步驟2中，如第7圖所示，於主基板11A之背面中對 應於各安裝用基板11之背面11b之區域之全面，藉由網版印 刷塗布反射材漿料13A(步驟S17)。再者，此時亦可每一小 時對60片之安裝用基板丨丨網版印刷反射材漿料。 反射材漿料之網版印刷結束時，將印刷之反射材漿料 例如於150°C之溫度乾燥3〇分鐘（步驟S18)，進而之後例如如 第8圖所示’以於7〇〇。〇之溫度將反射材漿料燒製約10分鐘 之方式，加熱一小時(步驟S19)。藉此，如沿第4圖之B-B線 之剖面之第6(b)圖所示，於主基板11A之背面中對應於全部 安裝用基板11之背面lib之區域全面形成反射膜13。 再者’形成配線圖案之步驟1與形成反射膜之步驟2， 201133960 亦可順序相反。又，亦可步驟1中不進行燒製，而僅進行乾 燥’接著於步驟2中在進行反射膜之印刷及乾燥後，以相同 溫度曲線一起燒製配線圖案及反射膜。 藉此’於主基板11A之背面lib形成反射膜13後，實施 於主基板11A之表面之第1配線圖案14、第2配線圖案15、4 組之第1焊墊圖案16a、第2焊墊圖案16b、第3焊墊圖案16c 之表面全面形成鍍金(Au)層18之步驟3(步驟S20)。該步驟3 中之鍍金層18之形成，係與通常之鍍金處理相同之處理。 藉此’如沿第4圖之B-B線之剖面之第6(c)圖所示，於第1配 線圖案14、第2配線圖案丨5、4組之第1焊墊圖案16a、第2焊 墊圖案16b、第3焊墊圖案16c之表面全面形成鍍金(Au)層 18。 再者’為使密著性、對2次安裝時之焊接之可靠性等提 高，亦可於鍍金之前，在配線圖案上鍍鎳等之構造。 成為如此狀態後，實施將主基板11A分斷為各安裝用基 板11之步驟4。於該步驟4,於主基板11A之表面或背面形成 對應於各安裝用基板11之大小之切斷槽11B(於第4圖以虛 線表示)(步驟S 21 )，並沿形成之切斷槽11B分斷主基板（步驟 S22)。 又，亦可於主基板預先設置用以分斷之槽，於步驟3後 以雷射切割等切斷。 此時，切斷槽11B由於對應形成於主基板11A之背面之 未形成有反射膜13之部分，故可容易將主基板11A分斷為各 個安裝用基板11。 15 201133960 藉此，可獲得複數之安裝用基板11，其等於安裝面lla 形成於各表面形成有鍍金層18之第1配線圖案14、第2配線 圖案15、4組之第1焊墊圖案16a、第2焊墊圖案16b、第3焊 墊圖案16c，於背面lib整面形成有反射膜13。 如此，於本實施形態中，由於可使用主基板11A同時製 造分別具有配線圖案及反射膜13之複數之安裝用基板11， 故可提高生產效率。 形成之各安裝用基板11係於檢查步驟，就配線圖案之 導電狀態等進行檢查（步驟S23)。 通過檢查步驟之檢查之之安裝用基板11，係提供於安 裝LED晶片12之步驟5(步驟S24)。於該步驟5，於安裝用基 板11之特定位置，藉由固晶劑分別黏晶LED晶片12，且藉 由金線17打線接合經黏晶之各L E D晶片12與如前所述特定 之配線圖案。 然後，藉由含有螢光體之樹脂19密封安裝用基板11表 面之全部的LED晶片12、金線17及配線圖案（除端子部14b 及15b外）。藉此，可獲得如第1圖及第2圖所示之LED模組 10。此時，使用經摻雜鈽之YAG作為螢光體，成為色溫度 6500K之LED模組。 第9圖係按各波長顯示本實施形態之LED模組10中，由 各LED晶片12照射光時安裝用基板11之安裝面lla之反射 率（包含於安裝用基板11之背面lib反射之光量）之圖。再 者，於第9圖之圖表中，點線係表示於安裝用基板11之背面 lib未設置反射膜13時之安裝面lla之反射率。 16 201133960 本實施形態之LED模組10,波長450nm以上之光之反射 率為90°/。以上，相對於此，未設有反射膜13之情形，波長 450nm以上之光之反射率為未達85%。因此，藉由於安裝用 基板11之背面lib設置反射膜13，可使作為通常之照明光源 使用之波長區域之光之安裝面11a的反射率提高。 再者’將以額定1.8W點亮本實施形態之LED模組10時 之總光束與於安裝用基板11之背面11b未設置本實施形態 之反射膜之先前構成之LED模組之總光束相比較時，未設 置反射膜之先前構成之LED模組係921m，相對於此，本發 明之LED模組係1 〇 1 lm，照射光量增加。 再者，於上述實施形態中，雖然說明使用〇.8mm厚度 之氧化鋁基板作為安裝用基板11之構成，但只要安裝用基 板11為透光性，則關於材質、厚度並無特別限定。例如， 使用氧化鋁基板作為安裝用基板U時，厚度可為 0.1mm〜l.〇mm。若為如此厚度，光可透過氧化鋁基板内。 又’作為安裝用基板11，不限於氧化鋁基板，亦可為 具有透光性之氮化鋁等之陶瓷基板、樹脂基板、玻璃基板、 軟性基板等。然而，藉由漿料之燒製形成設於安裝用基板 11之背面lib之反射膜13時，有必要具有對該燒製溫度之耐 熱性。 反射膜13亦只要為可獲得高反射率者，則關於材料等 並無特別限定。例如，藉由塗布或印刷將氧化鋅或氧化鋁 〃破壤料混合或在練而成之毁料後，使之乾燥後加以燒製 而形成反射膜13亦可。然而，如第9圖所示，由於藉由塗布 17 201133960 將氧化鈦與玻璃料混合或混練而製成之反射材漿料後，使 之乾燥後加以燒製而成反射膜13係高反射率，故尤佳。 反射膜13之居度亦無特別限定，但為抑制led模組1 〇 之厚度及重量之增加，越薄越好，若考量反射膜13之反射 率、經濟性等，則宜為15μηι〜ΙΟΟμιη之厚度。 又，反射膜13未必需要設於安裝用基板u之背面ub之 整面，亦可對於由安裝用基板11之安裝面Ua入射之光集中 照射之部分選擇性地設置之構成、或於由安裝用基板 安裝面11a入射之光之照射光量較少之部分不設置反射膜 13之構成。 進而，安裝於安裝用基板11之LED晶片12亦可為表面 安裝型（SMD)。 產業上之可利用性 本發明係於在安裝用基板之表面上形成配線圖案且安 裝有複數之半導體發光元件之發光模組中，作為使由安裝 用基板之表面照射之光之光量提高之技術為有用。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之實施形態之LED模組之平面圖。 第2圖係沿第1圖之A_A線之剖面圖。 第3圖係用以說明本發明之實施形態之led模組之製 造方法之步驟圖。 第4圖係製造LED模組時之步驟1結束時之安裝用基板 之平面圖。 第5圖係用以說明本實施形態之LED模組之製造方法 201133960 中配線圖案之加熱步驟之圖。 第6(a)~(c)圖係分別製造LED模組時之步驟1〜步驟3結 束時之第4圖之B-B線之剖面圖。 第7圖係製造L E D模組時之步驟2結束時之安裝用基板 之背面圖。 第8圖係用以說明本實施形態之L E D模組之製造方法 中反射膜之加熱步驟之圖。 第9圖係按各波長顯示本實施形態之L E D模組之安裝 用基板之安裝面之反射率之圖。 【主要元件符號說明】 10…LED模組 14c...分支部 11...安裝用基板 15...第2配線圖案 11a...安裝面 15a…主配線部 lib…背面 15b...端子部 11A...主基板 15c...分支部 11B.··切斷槽 16a...第1焊墊圖案 12…LED晶片 16b...第2焊墊圖案 13...反射膜 16c...第3焊墊圖案 13A...反射材漿料 17...金線 14...第1配線圖案 18...鑛金層 14a…主配線部 19…含有螢光體之樹脂 14b...端子部 S11-S24...步驟 19