CN101533884A - 发光二极管封装结构及其制作方法 - Google Patents

发光二极管封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101533884A
CN101533884A CN200910126536A CN200910126536A CN101533884A CN 101533884 A CN101533884 A CN 101533884A CN 200910126536 A CN200910126536 A CN 200910126536A CN 200910126536 A CN200910126536 A CN 200910126536A CN 101533884 A CN101533884 A CN 101533884A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
led
package structure
diode chip
backlight unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910126536A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101533884B (zh
Inventor
蔡曜骏
许镇鹏
李兆伟
胡鸿烈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority to CN2009101265367A priority Critical patent/CN101533884B/zh
Publication of CN101533884A publication Critical patent/CN101533884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101533884B publication Critical patent/CN101533884B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法。该发光二极管封装结构包括承载器、凸起部、发光二极管芯片以及粘着层。凸起部设置于承载器上，并具有开口以暴露出承载器，且凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器上并位于开口中。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与承载器。

Description

发光二极管封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，且特别是涉及一种高导热效率的发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术
近年来，由于发光二极管的发光效率不断提升，使得发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白炽灯泡，例如需要高速反应的扫描器灯源、液晶显示器的背光源或前光源汽车的仪表板照明、交通号志灯，以及一般的照明装置等。发光二极管的发光原理是将电能转换为光，也就是对上述的化合物半导体施加电流，透过电子、空穴的结合以光的型态释放出来，进而达到发光的效果。由于发光二极管具有反应速度快(约为10-9秒)、体积小、低用电量、低污染、高可靠度、适合量产等优点，所以发光二极管所能应用的领域十分广泛。
图1绘示为已知发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图1，已知的发光二极管封装结构100是由发光二极管芯片110、承载器120、两条导线132、134以及封装胶体140所构成。其中，发光二极管芯片110设置于承载器120上，而且两条导线132、导线134分别电性连接于发光二极管芯片110与承载器120之间。封装胶体140设置于承载器120上并包覆两条导线132、导线134。发光二极管芯片110主要是通过对两条导线132、导线134施加电压差以使发光二极管芯片110的发光层112发光，同时发光层112也会产生热量，当承载器120与封装胶体140的导热功能较差时，发光二极管芯片110的发光层112发光时所产生的热量无法有效排出，特别是在高电流驱使下，发光二极管芯片110往往容易因过热而损坏。
发明内容
本发明提出一种发光二极管封装结构包括承载器、第一凸起部、发光二极管芯片以及粘着层。第一凸起部设置于承载器上，并具有第一开口以暴露出承载器，且第一凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器上并位于第一开口中，且第一开口的宽度与发光二极管芯片的宽度比值为1，即为第一开口的内壁与发光二极管芯片的侧壁相贴合。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与承载器。
本发明提出一种发光二极管封装结构包括承载器、第一凸起部、发光二极管芯片以及粘着层。第一凸起部设置于承载器上，并具有第一开口以暴露出承载器，且第一凸起部的材料为导热材料。发光二极管芯片设置于承载器上并位于第一开口中，且第一开口的宽度与发光二极管芯片的宽度比值大于1且小于或等于1.5，即发光二极管芯片的侧壁与第一开口的内壁之间存有间隙。粘着层设置于发光二极管芯片与承载器之间，以接合发光二极管芯片与承载器。
本发明提出一种发光二极管封装结构的制作方法如下所述。首先，提供基板，基板具有第一表面。接着，配置粘着层与发光二极管芯片于基板的第一表面上，其中粘着层接合于发光二极管芯片与基板之间，且发光二极管芯片具有远离基板的第二表面。然后，形成第一导热材料层于第一表面上，第一导热材料层具有第一开口以暴露出发光二极管芯片，且第一开口的内壁与发光二极管芯片的侧壁相贴合。
本发明提出一种发光二极管封装结构的制作方法如下所述。首先，提供基板，且基板具有凹槽。然后，配置粘着层与发光二极管芯片于凹槽的底部，且粘着层接合于基板与发光二极管芯片之间，凹槽的宽度与发光二极管芯片的宽度比值大于1且小于或等于1.5，即发光二极管芯片的侧壁与凹槽的内壁之间存有间隙。
本发明的发光二极管封装结构还具有第一凸起部，而第一凸起部的材料为导热材料，且第一凸起部贴近发光二极管芯片的侧壁。故本发明的第一凸起部有助于增加发光二极管芯片的侧壁的导热效率。也因此，本发明的第一凸起部有助于使发光二极管封装结构避免因导热效率不佳而造成发光二极管芯片的发光效率降低或是损坏的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1绘示为已知发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2绘示本发明实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图3至图8为图2的发光二极管封装结构的多种变化的剖面示意图。
图9为本发明的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图10为本发明的再一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图11为本发明的又一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图12为图11的发光二极管封装结构的变化的剖面示意图。
图13A至图13D为本发明实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。
图14A至图14C为本发明另一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。
图15A至图15C为本发明实施例的发光二极管封装结构的工艺的剖面示意图。
图16A为本发明的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图16B、图16C、图17与图18为图16A的发光二极管封装结构的四种变化例。
图19A至图19D为本发明实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。
图20为本发明实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1600：发光二极管封装结构
110、230、830、1330、1540、1930：发光二极管芯片
112：发光层
120、210、810、1620：承载器
132、134：导线
140：封装胶体
212、812：基底
212a、612a、1512：凹槽
214、814：第一导电结构
216、816：第二导电结构
218：壳体
220、820、1630：第一凸起部
222、822、1342、1952：第一开口
222a、822a、872a、1342a、1512a、1952a：内壁
224、1340、1950、1950a：第一导热材料层
226、1350：第二导热材料层
232、832、1334、1624c、1932、G1、G2、G3：侧壁
234、1934：底面
240、840、1320、1530、1610、1920：粘着层
250：荧光材料层
260：光学透镜
270：封装胶体
612：第一导线架
614：第二导线架
850：第一光学材料层
860：第一荧光材料层
870：第二凸起部
872：第二开口
880：透明材料层
890：第二荧光材料层
1310、1510、1910：基板
1312：第一表面
1332：第二表面
1360、1940：遮蔽层
1512b：底部
1520：光学材料层
1550：荧光材料层
1622：本体
1624：垫高部
1624a：第一端
1624b：第二端
1632：延伸部
1634、T：顶面
1932：表面
1960、R：反射层
A：第一部份
A1、G1：间隙
B：第二部分
B1：第一导电凸块
B2：第二导电凸块
C：导线
C1：第一导线
C2：第二导线
D：间距
E1、E2：电极
F1：第一型半导体层
F2：第二型半导体层
F3：发光层
H1、H2：高度
I1：绝缘条
I2：绝缘层
K：基底
O：第二光学材料层
S1：第一半导体层
S2：第二半导体层
W1、W2、W3、W4：宽度
具体实施方式
图2绘示本发明实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图2，本实施例的发光二极管封装结构200包括承载器210、第一凸起部220、发光二极管芯片230以及粘着层240。其中，第一凸起部220设置于承载器210上并具有第一开口222以暴露出承载器210。第一凸起部220可具有一层导热材料层。此外，前述导热材料层的材料可以是选自金、银、铜、铟、钛、锌、铝、铅、锡、镍、铂、铬与其合金所构成的组。当然，在其他未绘示的实施例中，第一凸起部可具有多层相叠合的导热材料层。而且，前述多层相叠合的导热材料层的材料可以是选自金、银、铜、铟、钛、锌、铝、铅、锡、镍、铂、铬与其合金所构成的组。此外，承载器210可具有基底212、第一导电结构214与第二导电结构216，且第一导电结构214与第二导电结构216分别贯穿基底212。
发光二极管芯片230设置于承载器210上并位于第一开口222中，第一开口222的宽度W2与发光二极管芯片230的宽度W1比值为1，即第一开口222的内壁222a与发光二极管芯片230的侧壁232相贴合。在本实施例中发光二极管芯片230的宽度W1与第一开口222的宽度W2是指在同一剖面时，发光二极管芯片230的(最宽的部分的)宽度W1与第一开口222的宽度W2。
值得注意的是，本发明并不限定第一凸起部220与发光二极管芯片230的相对高度，也就是说发光二极管芯片230的高度H1可以是大于、小于或等于第一凸起部220的高度H2。此外，第一导电结构214及第二导电结构216分别与发光二极管芯片230电性连接。粘着层240设置于发光二极管芯片230与承载器210之间，以接合发光二极管芯片230与承载器210。粘着层240的材料例如是银胶、焊锡、玻璃以及合金或是其他适合的导热材料，因此，粘着层240可有助于提升发光二极管芯片230的导热效率。
承上所述，本实施例的发光二极管封装结构200具有第一凸起部220，而第一凸起部220的材料为导热材料，且第一凸起部220与发光二极管芯片230的侧壁232相贴合。此外，第一凸起部220较已知的承载器120(请参照图1)更接近发光二极管芯片230的发光层(未绘示)。故本实施例的第一凸起部220有助于增加发光二极管芯片230的侧壁232的导热效率，且可更快速地移除发光二极管芯片230的发光层在发光时所产生的热量。因此，本实施例的第一凸起部220有助于使发光二极管封装结构200避免因导热效率不佳而造成发光二极管芯片230的发光效率降低或损坏的问题。
简而言之，本实施例的精神在于通过与发光二极管芯片的侧壁相贴合的第一凸起部以移除发光二极管芯片的热量，进而提升发光二极管封装结构的导热效率，而本领域一般人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。此外，以下将介绍发光二极管封装结构200的多种变化。
本发明可视情况而采用绝缘基板、导线架或承载基座作为基底212。在本实施例中，基底212可为绝缘基板。绝缘基板的材料例如是陶瓷，然本实施例并不以此为限，亦即绝缘基板也可以是其他由适当的绝缘材料所构成的基板。
图3至图8为图2的发光二极管封装结构的多种变化的剖面示意图。请参照图3，在本实施例中，发光二极管封装结构300与发光二极管封装结构200相似，而两者的差异之处在于两者的承载器210不同。发光二极管封装结构300的承载器210可具有基底212、第一导电结构214与第二导电结构216，而发光二极管芯片230位于基底212上，且第一导电结构214与第二导电结构216分别位于发光二极管芯片230两侧的基底212上。
在本实施例中，基底212例如是绝缘体上硅基板(Silicon-On-Insulator，SOI)。基底212例如是具有第一半导体层S1、第二半导体层S2、绝缘条I1与位于第一与第二半导体层S1、S2之间的绝缘层I2。绝缘条I1配置于第二半导体层S2中以将第二半导体层S2分隔成第一部份A与第二部分B，且第一部份A与第一导电结构214电性连接，第二部分B与第二导电结构216电性连接。其中，第一半导体层S1与第二半导体层S2的材料例如是硅。绝缘条I1与绝缘层I2的材料例如是二氧化硅。此外，第一导电结构214与第二导电结构216分别通过第一导线C1及第二导线C2与发光二极管芯片230电性连接。此外，在其他实施例中，请参照图4，粘着层240可具有第一导电凸块B1及第二导电凸块B2，且第一导电结构214与第二导电结构216可分别通过第一导电凸块B1及第二导电凸块B2与发光二极管芯片230电性连接。
请参照图5，在本实施例中，发光二极管封装结构400与发光二极管封装结构200相似，而两者的差异之处在于两者的承载器210不同。在本实施例中，承载器210的基底212具有凹槽212a，而发光二极管芯片230配置于凹槽212a中并位于基底212上。此外，发光二极管封装结构200可还具有荧光材料层250，且荧光材料层250配置于凹槽212a中以覆盖发光二极管芯片230。
请参照图6，在本实施例中，发光二极管封装结构500与发光二极管封装结构400相似，而两者的差异之处在于两者的承载器210不同。在本实施例中，承载器210还具有壳体218，而第一导电结构214与第二导电结构216分别贯穿壳体218。
在本实施例中，基底212的材料为导电材料，而壳体218的材料为绝缘材料。前述导电材料例如铜、铝或是其他适合的导电材料。发光二极管芯片230通过粘着层240与基底212电性连结，且基底212通过第二导线C2与第二导电结构216电性连接。此外，发光二极管芯片230通过第一导线C1与第一导电结构214电性连接。另外，发光二极管封装结构500还可具有光学透镜260，且光学透镜260配置于凹槽212a上。
请参照图7，在其他实施例中，发光二极管封装结构600的承载器例如是第一导线架612，且第一导线架612具有凹槽612a。发光二极管芯片230配置于凹槽612a中并与第一导线架612电性连接。此时，发光二极管封装结构600还具有第二导线架614、导线C、封装胶体270以及荧光材料层250。其中，发光二极管芯片230可通过导线C电性连接至第二导线架614。荧光材料层250配置于凹槽612a中以覆盖发光二极管芯片230。此外，封装胶体270包覆导线C。
图8为本发明的再一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图8，在其他实施例中，发光二极管封装结构700可视情况而还具有反射层R，且反射层R设置于第一凸起部220上。第一凸起部220包括第一导热材料层224与位于第一导热材料层224与反射层R之间的第二导热材料层226，其中第一导热材料层224设置于承载器210上。反射层R可反射发光二极管芯片230所产生的光线以提高光线的利用率。此外，第一导热材料层224的材料例如是铜，而第二导热材料层226的材料例如是镍，且反射层R的材料例如是银。此外，本实施例并不限定第一凸起部220所包含的导热材料层的层数，也就是说第一凸起部220可包含一层或多层导热材料层。
图9为本发明的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图9，本实施例的发光二极管封装结构800包括承载器810、第一凸起部820、发光二极管芯片830以及粘着层840。第一凸起部820设置于承载器810上，且第一凸起部820具有第一开口822以暴露出承载器810。第一凸起部820的材料为导热材料。发光二极管芯片830设置于承载器810上并位于第一开口822中。而且，第一开口822的宽度W2与发光二极管芯片830的宽度W1比值大于1且小于或等于1.5，即发光二极管芯片830的侧壁832与第一开口822的内壁822a之间存有间隙A1。粘着层840设置于发光二极管芯片830与承载器810之间，以接合发光二极管芯片830与承载器810。
在本实施例中，第一凸起部820与承载器810例如为一体成形，且第一凸起部820的材料与承载器810的材料可以是相同的(例如皆为导热材料)。由于第一凸起部820与承载器810可为一体成形且两者材料相同，因此发光二极管芯片830的热量可由第一凸起部820快速地传递至承载器810，进而使发光二极管封装结构800具有较高的散热速率。
此外，在本实施例中，部分粘着层840可视情况而设置于间隙A1内。因此，粘着层840不但接合于发光二极管芯片830与承载器810之间还可接合于发光二极管芯片830与第一凸起部820之间，故发光二极管芯片830与第一凸起部820之间可接合的更加稳固。而且，发光二极管芯片830可通过粘着层840将热量传递至第一凸起部820。
此外，发光二极管封装结构800还可视情况所需而具有第一光学材料层850，且第一光学材料层850设置于第一开口822的内壁822a以及由第一开口822所暴露出的承载器810。第一光学材料层850可以是反射层或吸光层。当第一光学材料层850为反射层时，反射层可反射发光二极管芯片830照射至第一开口822的内壁822a以及由第一开口822所暴露出的承载器810的光线，以提升发光二极管芯片830的光线利用率。当第一光学材料层850为吸光层时，吸光层可吸收发光二极管芯片830照射至第一开口822的内壁822a以及由第一开口822所暴露出的承载器810的光线，以使发光二极管封装结构800的出光方向统一。以下则将介绍发光二极管封装结构800的多种变化。
图10为本发明的再一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图10，发光二极管封装结构900可视情况需要而还具有第一荧光材料层860，而且第一荧光材料层860设置于第一开口822内。此外，在其他未绘示的实施例中，发光二极管封装结构还包括透明材料层，而且透明材料层设置于第一凸起部的第一开口内。
图11为本发明的又一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。请参照图11，发光二极管封装结构1000还可具有第二凸起部870，第二凸起部870设置于第一凸起部820上。第二凸起部870具有第二开口872，而且第二开口872与第一开口822相通且第二开口872的宽度W3大于第一开口822的宽度W2。值得注意的是，在本实施例中第一开口822的宽度W2与第二开口872的宽度W3是指于同一剖面时，第一开口822的宽度W2与第二开口872的宽度W3。
在本实施例中，承载器810、第一凸起部820与第二凸起部870可为一体成形且材料相同。此外，发光二极管封装结构1000可还具有第二荧光材料层890，而且第二荧光材料层890设置于第二开口872内。由于第二荧光材料层890的厚度均匀，因此由发光二极管封装结构1000所发出的光线的颜色较为均匀。
在本实施例中，发光二极管封装结构1000可还具有透明材料层880，而且透明材料层880可设置于第一开口822内。其中，透明材料层880的材料可为环氧树脂或硅树脂等适当的透明材料。发光二极管封装结构1000还可具有第二光学材料层O，而且第二光学材料层O可设置于第二开口872的内壁872a。第二光学材料层O可为反射层或吸光层。当第二光学材料层O为反射层时，反射层可反射发光二极管芯片830照射至第二开口872的内壁872a的光线，以提升发光二极管芯片830的光线利用率。当第二光学材料层O为吸光层时，吸光层可吸收发光二极管芯片830照射至第二开口872的内壁872a的光线，以使发光二极管封装结构1000的出光方向统一。
图12为图11的发光二极管封装结构的变化的剖面示意图。请参照图12，本实施例的发光二极管封装结构1100与图11的发光二极管封装结构1000相似。两者的差异之处在于本实施例的承载器810具有基底812、第一导电结构814与第二导电结构816，且第一导电结构814与第二导电结构816分别贯穿基底812与第一凸起部820。在本实施例中，基底812与第一凸起部820的材料为绝缘材料。发光二极管芯片830分别通过第一导线C1及第二导线C2与第一导电结构814及第二导电结构816电性连接。
图13A至图13D为本发明实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。首先，请参照图13A，提供基板1310，且基板1310具有第一表面1312。此时，还可以对基板1310的第一表面1312进行表面处理工艺。前述表面处理工艺例如是有助于之后在第一表面1312上形成第一导热材料层或者是增加之后形成的第一导热材料层与基板1310之间的接合性。
然后，请参照图13B，配置粘着层1320与发光二极管芯片1330于基板1310的第一表面1312上。其中，粘着层1320接合于发光二极管芯片1330与基板1310之间，且发光二极管芯片1330具有远离基板1310的第二表面1332。
之后，请参照图13C，形成第一导热材料层1340于第一表面1312上。第一导热材料层1340具有第一开口1342以暴露出发光二极管芯片1330，且第一开口1342的内壁1342a与发光二极管芯片1330的侧壁1332相贴合。在本实施例中，形成第一导热材料层1340的方法包括无电镀法、电镀法、电泳、电沉积法或前述的组合。此外，在本发明的未绘示的实施例中，形成第一导热材料层的方法还包括提供接合层与导热件于基板的第一表面上，其中接合层接合于基板与导热件之间。
在本实施例中，在形成第一导热材料层1340之后，还可以形成第二导热材料层1350于第一导热材料层1340上。此外，在本实施例中，在形成第二导热材料层1350之后，还包括形成反射层R于第二导热材料层1350上。其中，第一导热材料层1340的材料例如是铜，而第二导热材料层1350的材料例如是镍，且反射层R的材料例如是银。
图14A至图14C为本发明另一实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。本实施例的发光二极管封装结构的制作方法与图13A至图13D的发光二极管封装结构的制作方法相似。
请参照图14A，在本实施例中，两者的差异之处在于，在配置粘着层1320与发光二极管芯片1330于基板1310的第一表面1312上之后，且在形成第一导热材料层之前，还包括在发光二极管芯片1330的第二表面1332以及发光二极管芯片1330的部分侧壁1334上形成遮蔽层1360。然后，请参照图14B，在第一表面1312上形成第一导热材料层1340。之后，请参照图14C，移除遮蔽层1360。
图15A至图15C为本发明实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。首先，请参照图15A，提供基板1510，且基板1510具有凹槽1512。在本实施例中，此时，还可形成光学材料层1520于凹槽1512的内壁1512a。光学材料层1520例如是反射层、吸光层或者是其他适合的光学材料层。
然后，请参照图15B，配置粘着层1530与发光二极管芯片1540于凹槽1512的底部1512b，且粘着层1530接合于基板1510与发光二极管芯片1540之间。凹槽1512的宽度W1与发光二极管芯片1540的宽度W2比值大于1且小于或等于1.5，即发光二极管芯片1540的侧壁1542与凹槽1512的内壁1512a之间存有间隙A1。此外，请参照图15C，在本实施例中，还可以在凹槽1512中形成荧光材料层1550。
图16A为本发明的实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图16B、图16C、图17与图18为图16A的发光二极管封装结构的四种变化例。请参照图16A，本实施例的发光二极管封装结构1600与图2的发光二极管封装结构200相似，两者的差异之处在于发光二极管封装结构1600的粘着层1610于承载器1620上的投影面积小于发光二极管芯片230于承载器1620上的投影面积，且发光二极管芯片230与承载器1620之间存在间隙G1，第一凸起部1630还具有填满间隙G1的延伸部1632。在本实施例中，延伸部1632与芯片230的底面234相贴合。
值得注意的是，由于第一凸起部1630的延伸部1632填入间隙G1中，因此，本实施例的第一凸起部1630除了有助于增加发光二极管芯片230的侧壁232的导热效率之外，还有助于增加发光二极管芯片230的底面234的导热效率，进而可更快速地移除发光二极管芯片230的发光层于发光时所产生的热量。
另外，请参照图16B，本实施例的发光二极管芯片230为平面型的发光二极管芯片，发光二极管芯片230具有一第一型半导体层F1、一第二型半导体层F2、一发光层F3、二电极E1、E2与一基底K，且发光层F3位于第一型半导体层F1与第二型半导体层F2之间，第一型半导体层F1配置于基底K上，且基底K与粘着层1610相连。第一型半导体层F1可为P型半导体层与N型半导体层其中之一，第二型半导体层F2可为P型半导体层与N型半导体层其中之另一。电极E1、E2分别配置于第一型半导体层F1与第二型半导体层F2上。在本实施例中，第二型半导体层F2的侧壁G2与发光层F3的侧壁G3切齐，且侧壁G2、G3与第一型半导体层F1的部分侧壁G1不切齐。详言而言，第二型半导体层F2与发光层F3的边缘与第一型半导体层F1的边缘构成一阶梯状的结构，以利于制作第一凸起部1630。在本实施例中，第一凸起部1630的顶面1634可实质上齐平于第一型半导体层F1的顶面T。再者，请参照图16C，在本实施例中，粘着层1610可为多个，且分别配置于发光二极管芯片230与承载器1620之间。
此外，请参照图17，为增加发光二极管芯片230与承载器1620的本体1622的间距D，承载器1620可具有突出于其本体1622的垫高部1624，且发光二极管芯片230可配置于垫高部1624上。垫高部1624的宽度W4小于发光二极管芯片230的宽度W1，且粘着层1610设置于垫高部1624与发光二极管芯片230之间。
另外，请参照图18，为增加发光二极管芯片230的底面234与延伸部1632的接触面积，垫高部1624可具有第一端1624a与第二端1624b，其中第一端1624a与本体1622连接，第二端1624b朝向发光二极管芯片230延伸，垫高部1624的宽度由第一端1624a向第二端1624b递减。垫高部1624可具有连接第一端1624a与第二端1624b的侧壁1624c，且侧壁1624c为斜面，垫高部1624例如为截切的锥状体。
由前述可知，本实施例是通过减少垫高部1624的第二端1624b的面积，来减少粘着层1610与发光二极管芯片230的接触面积，以增加发光二极管芯片230与延伸部1632的接触面积，进而提高发光二极管芯片230的底面234的导热效率。
图19A至图19D为本发明实施例的发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。图20为本发明实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。图19A至图19D的工艺为图16的发光二极管封装结构1600的其中一种制作方法。
首先，请参照图19A，提供基板1910、粘着层1920与发光二极管芯片1930，其中粘着层1920配置于基板1910上并连接于基板1910与发光二极管芯片1930之间。在本实施例中，粘着层1920于基板1910上的投影面积小于发光二极管芯片1930于基板1910上的投影面积，且发光二极管芯片1930与基板1910之间存在间隙G1。
接着，请参照图19B，在发光二极管芯片1930上形成遮蔽层1940，其覆盖发光二极管芯片1930的表面1932，表面1932朝向远离基板1910的方向。然后，请参照图19C，形成第一导热材料层1950于基板1910上。第一导热材料层1950具有第一开口1952以暴露出发光二极管芯片1930，且第一开口1952的内壁1952a与发光二极管芯片1930的侧壁1932相贴合。值得注意的是，在本实施例中，第一导热材料层1950几乎填满间隙G1，换言之，第一导热材料层1950与发光二极管芯片1930的底面1934相贴合。之后，可选选择性地在第一导热材料层1950上形成反射层1960。
然后，请参照图19D，移除遮蔽层1940，以暴露出发光二极管芯片1930。此外，在本实施例中，第一导热材料层1950是部分覆盖发光二极管芯片1930的侧壁1932。相对地，在其他实施例中，第一导热材料层1950a也可以是全部覆盖发光二极管芯片1930的侧壁1932(请参照图20)。
综上所述，本发明的发光二极管封装结构至少具有以下优点：
一、本发明的发光二极管封装结构具有第一凸起部，而第一凸起部的材料为导热材料，且第一凸起部贴近发光二极管芯片的侧壁。故本发明的第一凸起部有助于增加发光二极管芯片的侧壁的导热效率。也因此，本发明的第一凸起部有助于使发光二极管封装结构避免因导热效率不佳而造成发光二极管芯片的发光效率降低或损坏的问题。
二、本发明的第一凸起部较已知的承载器更接近发光二极管芯片的发光层，因此本发明的第一凸起部可更快速地移除发光二极管芯片的发光层在发光时所产生的热量。
三、本发明的第一凸起部与承载器可为一体成形，而且第一凸起部的材料与承载器的材料可以是相同的。因此，发光二极管芯片的热量可由第一凸起部快速地传递至承载器，进而使发光二极管封装结构具有较高的散热速率。
四、本发明的粘着层不但接合于发光二极管芯片与承载器之间还可接合于发光二极管芯片与第一凸起部之间，故发光二极管芯片与第一凸起部之间可接合的更加稳固。而且，发光二极管芯片可透过粘着层将热量传递至第一凸起部与承载器。
五、本发明的第二荧光材料层的厚度均匀，因此由发光二极管封装结构所发出的光线的颜色较为均匀。
六、本发明的第一凸起部具有与芯片底面相贴合的延伸部，因此，本发明的第一凸起部不但可增加发光二极管芯片的侧壁的导热效率，还可增加发光二极管芯片的底面的导热效率。
虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (35)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
承载器；
第一凸起部，设置于所述承载器上，并具有第一开口以暴露出所述承载器；
发光二极管芯片，设置于所述承载器上并位于所述第一开口中，且所述第一开口的宽度与所述发光二极管芯片的宽度比值为1，即为所述第一开口的内壁与所述发光二极管芯片的侧壁相贴合；以及
粘着层，设置于所述发光二极管芯片与所述承载器之间，以接合所述发光二极管芯片与所述承载器。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一凸起部包括一层导热材料层。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述导热材料层的材料为选自金、银、铜、铟、钛、锌、铝、铅、锡、镍、铂、铬与其合金所构成的组。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一凸起部包括多层相叠合的导热材料层。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述导热材料层的材料为选自金、银、铜、铟、钛、锌、铝、铅、锡、镍、铂、铬与其合金所构成的组。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，还包括反射层，所述反射层设置于所述第一凸起部上，且所述第一凸起部包括第一导热材料层与位于所述第一导热材料层与所述反射层之间的第二导热材料层，其中所述第一导热材料层设置于所述承载器上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一导热材料层的材料为铜，而所述第二导热材料层的材料为镍，且所述反射层的材料为银。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述粘着层于所述承载器上的投影面积小于所述发光二极管芯片于所述承载器上的投影面积，所述发光二极管芯片与所述承载器之间存在一间隙，且所述第一凸起部还具有填满所述间隙的延伸部。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述承载器包括本体以及突出于所述本体的垫高部，所述发光二极管芯片配置于所述垫高部上，且所述垫高部的宽度小于所述发光二极管芯片的宽度，所述粘着层设置于所述垫高部与所述发光二极管芯片之间。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述垫高部具有第一端与第二端，其中所述第一端与所述本体连接，所述第二端朝向所述发光二极管芯片延伸，所述垫高部的宽度由所述第一端向所述第二端递减。
11.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
承载器；
第一凸起部，设置于所述承载器上，并具有第一开口以暴露出所述承载器；
发光二极管芯片，设置于所述承载器上并位于所述第一开口中，且所述第一开口的宽度与所述发光二极管芯片的宽度比值大于1且小于或等于1.5，即所述发光二极管芯片的侧壁与所述第一开口的内壁之间存有间隙；以及
粘着层，设置于所述发光二极管芯片与所述承载器之间，以接合所述发光二极管芯片与所述承载器。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一凸起部与所述承载器为一体成形，且所述第一凸起部的材料与所述承载器的材料相同。
13.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中部分所述粘着层设置于所述间隙内。
14.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括第一光学材料层，且所述第一光学材料层设置于所述第一开口的内壁以及由所述第一开口所暴露出的所述承载器。
15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第一光学材料层为反射层或吸光层。
16.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括第一荧光材料层，所述第一荧光材料层设置于所述第一开口内。
17.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括透明材料层，所述透明材料层设置于所述第一开口内。
18.如权利要求11所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括第二凸起部，所述第二凸起部设置于所述第一凸起部上，且所述第二凸起部具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相通且所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。
19.如权利要求18所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述承载器、所述第一凸起部与所述第二凸起部为一体成形且材料相同。
20.如权利要求18所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述发光二极管封装结构还包括第二荧光材料层，所述第二荧光材料层设置于所述第二开口内。
21.如权利要求18所述的发光二极管封装结构，还包括第二光学材料层，所述第二光学材料层设置于所述第二开口的内壁。
22.如权利要求21所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中所述第二光学材料层为反射层或吸光层。
23.一种发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板具有第一表面；
配置粘着层与发光二极管芯片于所述基板的所述第一表面上，其中所述粘着层接合于所述发光二极管芯片与所述基板之间，且所述发光二极管芯片具有远离所述基板的第二表面；以及
形成第一导热材料层于所述第一表面上，所述第一导热材料层具有第一开口以暴露出所述发光二极管芯片，且所述第一开口的内壁与所述发光二极管芯片的侧壁相贴合。
24.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在形成所述第一导热材料层之前，还包括在所述发光二极管芯片的所述第二表面以及所述发光二极管芯片的部分侧壁上形成遮蔽层，并在形成所述第一导热材料层之后移除所述遮蔽层。
25.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中形成所述第一导热材料层的方法包括无电镀法、电镀法、电泳、电沉积法或前述的组合。
26.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中形成所述第一导热材料层的方法还包括提供接合层与导热件于所述基板的所述第一表面上，其中所述接合层接合于所述基板与所述导热件之间。
27.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在配置所述粘着层与所述发光二极管芯片于所述基板的所述第一表面上之前，还包括对所述基板的所述第一表面进行表面处理工艺。
28.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在形成所述第一导热材料层之后，还包括形成第二导热材料层于所述第一导热材料层上。
29.如权利要求28所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在形成所述第二导热材料层之后，还包括形成反射层于所述第二导热材料层上。
30.如权利要求23所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中所述粘着层于所述基板上的投影面积小于所述发光二极管芯片于所述基板上的投影面积，所述发光二极管芯片与所述基板之间存在间隙，其中在形成所述第一导热材料层时，所述第一导热材料层还填满所述间隙。
31.如权利要求30所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在形成所述第一导热材料层时，所述第一导热材料层完全或部分包覆所述发光二极管芯片的侧壁。
32.一种发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板，且所述基板具有凹槽；以及
配置粘着层与发光二极管芯片于所述凹槽的底部，且所述粘着层接合于所述基板与所述发光二极管芯片之间，所述凹槽的宽度与所述发光二极管芯片的宽度比值大于1且小于或等于1.5，即所述发光二极管芯片的侧壁与所述凹槽的内壁之间存有间隙。
33.如权利要求32所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中在配置所述粘着层与所述发光二极管芯片于所述凹槽的底部之前，还包括形成光学材料层于所述凹槽的内壁。
34.如权利要求33所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，其中所述光学材料层为反射层或吸光层。
35.如权利要求32所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，还包括形成荧光材料层于所述凹槽中。
CN2009101265367A 2008-03-12 2009-03-12 发光二极管封装结构及其制作方法 Active CN101533884B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009101265367A CN101533884B (zh) 2008-03-12 2009-03-12 发光二极管封装结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200810083769 2008-03-12
CN200810083769.9 2008-03-12
CN2009101265367A CN101533884B (zh) 2008-03-12 2009-03-12 发光二极管封装结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101533884A true CN101533884A (zh) 2009-09-16
CN101533884B CN101533884B (zh) 2012-08-29

Family

ID=41062049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101265367A Active CN101533884B (zh) 2008-03-12 2009-03-12 发光二极管封装结构及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7923746B2 (zh)
CN (1) CN101533884B (zh)
TW (1) TWI466317B (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102130277A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 昆山琉明光电有限公司 一种发光二极管封装
CN101728469B (zh) * 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
CN102804419A (zh) * 2010-03-25 2012-11-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于发光器件的载体
CN102867818A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102034905B (zh) * 2009-09-30 2013-02-13 陈一璋 发光二极管散热基板及其制作方法
CN103579443A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 华夏光股份有限公司 发光二极管装置及其制作方法
CN104282830A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
CN110265532A (zh) * 2011-07-05 2019-09-20 迪睿合电子材料有限公司 照明装置
CN113675125A (zh) * 2020-05-15 2021-11-19 台湾爱司帝科技股份有限公司 芯片承载结构、芯片置放系统与芯片置放方法
US20220199873A1 (en) * 2019-02-21 2022-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663607B2 (en) 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
EP3805907A1 (en) 2006-06-09 2021-04-14 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN102804334A (zh) * 2009-06-04 2012-11-28 三美电机株式会社 半导体基板及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法
KR101055081B1 (ko) * 2010-01-15 2011-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛
KR101091304B1 (ko) * 2010-01-20 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
CN103107273B (zh) * 2010-01-22 2016-03-02 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管封装
US8900893B2 (en) * 2010-02-11 2014-12-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Vertical LED chip package on TSV carrier
KR101637581B1 (ko) * 2010-03-09 2016-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US8486761B2 (en) 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
CN102270725A (zh) * 2010-06-01 2011-12-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR101824011B1 (ko) * 2011-07-29 2018-01-31 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8878221B2 (en) * 2011-08-19 2014-11-04 Lg Innotex Co., Ltd. Light emitting module
CN104054189B (zh) * 2011-11-17 2018-06-26 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
TWI497655B (zh) * 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
JP6680670B2 (ja) * 2013-04-11 2020-04-15 ルミレッズ ホールディング ベーフェー トップエミッション型半導体発光デバイス
WO2014189221A1 (ko) * 2013-05-23 2014-11-27 엘지이노텍주식회사 발광 모듈
CN103400927B (zh) * 2013-07-25 2016-04-27 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性led支架及其led器件
US9660151B2 (en) * 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
WO2016142258A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device cooling
US9466776B1 (en) * 2015-12-30 2016-10-11 Wei-Lin Hsu Light emitting light string with enhanced heat dissipating efficiency
JP7148292B2 (ja) * 2017-08-25 2022-10-05 ローム株式会社 光学装置
TWI658611B (zh) * 2018-01-24 2019-05-01 欣興電子股份有限公司 發光二極體結構、發光二極體結構的製造方法及微顯示器的畫素結構
CN112786642B (zh) * 2018-03-20 2023-08-11 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件、微发光二极管及其转印方法
CN110880497B (zh) * 2019-11-21 2024-01-26 东莞市中麒光电技术有限公司 小间距显示屏及其制作方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528474A (en) * 1994-07-18 1996-06-18 Grote Industries, Inc. Led array vehicle lamp
JPH09325221A (ja) * 1996-04-04 1997-12-16 Hitachi Cable Ltd 照明装置
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
WO2003034508A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
CA2427559A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting device
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
US6869812B1 (en) * 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
US7061022B1 (en) * 2003-08-26 2006-06-13 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Lateral heat spreading layers for epi-side up ridge waveguide semiconductor lasers
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
US7402842B2 (en) * 2004-08-09 2008-07-22 M/A-Com, Inc. Light emitting diode package
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
KR100658303B1 (ko) * 2005-07-04 2006-12-14 엘지전자 주식회사 메탈지지층을 포함하는 수직형 구조의 발광 다이오드
TWI256745B (en) 2005-08-31 2006-06-11 Univ Nat Chunghsing Light-emitting diode with reflection mirror face and manufacturing method thereof
TW200721408A (en) * 2005-11-30 2007-06-01 Chun-Liang Lin Light-emitting device and process for manufacturing the same
CN200972865Y (zh) 2006-11-23 2007-11-07 宁波安迪光电科技有限公司 大功率发光二极管封装结构
US7791096B2 (en) * 2007-06-08 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mount for a semiconductor light emitting device
US7985980B2 (en) * 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
US8067787B2 (en) * 2008-02-07 2011-11-29 The Furukawa Electric Co., Ltd Semiconductor electronic device
US8115218B2 (en) * 2008-03-12 2012-02-14 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
US7948076B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and vertical signal routing
US8212279B2 (en) * 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101728469B (zh) * 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
CN102034905B (zh) * 2009-09-30 2013-02-13 陈一璋 发光二极管散热基板及其制作方法
CN102804419B (zh) * 2010-03-25 2016-03-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于发光器件的载体
CN102804419A (zh) * 2010-03-25 2012-11-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于发光器件的载体
CN102130277B (zh) * 2010-12-31 2013-06-05 昆山琉明光电有限公司 一种发光二极管封装
CN102130277A (zh) * 2010-12-31 2011-07-20 昆山琉明光电有限公司 一种发光二极管封装
CN110265532A (zh) * 2011-07-05 2019-09-20 迪睿合电子材料有限公司 照明装置
CN102867818A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN103579443A (zh) * 2012-07-19 2014-02-12 华夏光股份有限公司 发光二极管装置及其制作方法
CN104282830B (zh) * 2013-07-12 2018-01-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
CN104282830A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
US20220199873A1 (en) * 2019-02-21 2022-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
CN113675125A (zh) * 2020-05-15 2021-11-19 台湾爱司帝科技股份有限公司 芯片承载结构、芯片置放系统与芯片置放方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090230417A1 (en) 2009-09-17
US20110092002A1 (en) 2011-04-21
TW200950155A (en) 2009-12-01
TWI466317B (zh) 2014-12-21
US8349627B2 (en) 2013-01-08
CN101533884B (zh) 2012-08-29
US7923746B2 (en) 2011-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101533884B (zh) 发光二极管封装结构及其制作方法
EP2418702B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
JP4817845B2 (ja) 発光装置の製造方法
US8304798B2 (en) Light-emitting diode module and manufacturing method thereof
KR20120014390A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
WO2013121708A1 (ja) 発光装置およびその製造方法
CN102315208A (zh) 带有镶嵌陶瓷板的led光源封装结构
KR100699161B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20070252167A1 (en) Surface mounting optoelectronic device
CN101231975B (zh) 晶片封装体及其制造方法
CN100585890C (zh) 发光芯片封装体及其制造方法
CN112242473A (zh) 一种led灯丝光源及其制作方法、灯具
CN101504938A (zh) 发光二极管封装结构与发光二极管封装方法
CN201243024Y (zh) 发光二极管的无打线封装结构
TWI407546B (zh) 側向發光之半導體元件封裝結構
CN104282671A (zh) 发光二极管组件及制作方法
KR101976547B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN206619611U (zh) 一种裸晶封装光引擎
CN101110407A (zh) 发光二极管模组
CN213184340U (zh) 一种led灯丝光源及灯具
CN210485318U (zh) 一种led光源组件和led车灯
CN100510522C (zh) 光源组件
CN203562424U (zh) 一种系统级led封装器件
CN102287672A (zh) 镀陶瓷层基板led光源模组
KR102042465B1 (ko) 광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200402

Address after: Hsinchu City, Taiwan, China

Patentee after: EPISTAR Corp.

Address before: Hsinchu County, Taiwan, China

Patentee before: Industrial Technology Research Institute

TR01 Transfer of patent right