TW201130399A - Plasma processing device, and plasma processing method - Google Patents

Description

201130399 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種電漿處理裝置及電漿處理方法。 【先前技術】 利用電漿之乾燥製程活用於半導體裝置之製造、金屬零 件之表面硬化、塑膠零件之表面活化、無藥劑殺菌等廣泛 之技術領域中。例如，於製造半導體裝置或液晶顯示器等 時進行灰化處理、蝕刻處理、薄膜沈積（成膜）處理或表 面改貝處理等各種電漿處理。利用電毁之乾燥製程之成本 低、速度快且不使用藥劑，因此於可降低環境污染之方面 亦有利。 於此種電衆處理中，藉由所產生之電漿使製程氣體受到 激發/¾•化而生成中性活性種或離子等電聚產物。繼而， 藉由該生成之中性活性種或離子等對被處理物進行電漿處 理（例如蝕刻處理或灰化處理等）。 ^ 近年來，對電漿處理之穩定性之要求變得嚴格。 =如^電毅處理之處理精度（例如則處理之尺寸精度 寻)—之穩疋性之要求變得嚴格。於此情料，電聚處理之 穩定性會因電艰卢丨田#职 及處理裝置之狀態而發生變動。例如，會因 電漿處理裝 处谷器等要素之溫度、沈積於處理容器 内邛之沈積物之量等而發生變動。 者：二於反覆對被處理物進行電漿處理之情形等時，適 :沈積:等要素之溫度之「暖機處理」、去 态内。卩之沈積物之「清洗處理」等「預處 149955.doc 201130399 理」。 此處，提出有於對被處理物進行電漿處理之前，在預先 設定之時間内產生電漿來對處理容器之内壁面加熱而控制 内壁面溫度之技術（參照專利文獻1)。 根據該專利文獻1所揭示之技術，由於可於對被處理物 進行電漿處理之前控制處理容器之内壁面溫度，因此可使 電漿處理裝置之溫度狀態穩定。其結果，可使電漿處理之 穩定性提高。 然而，於專利文獻1所揭示之技術中係基於預先設定之 時間而間接地控制處理容器之内壁面溫度。因此，於更準 確地進行電漿處理裝置或電漿處理之溫度狀態之管理之方 面尚有待改善之餘地。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2006-21 0948號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明提供一種可更準確地進行溫度狀態之管理之電聚 處理裝置及電漿處理方法。 [解決問題之技術手段] 根據本發明之一態樣，提供一種電漿處理裝置，其特徵 在於包括：處理容器，其可維持經減壓為小於大氣壓之氣 體裒楗，減壓部，其將上述處理容器之内部減壓至特定壓 力，載置部，其載置設置於上述處理容器内部之被處理 149955.doc 201130399 物；放電管，其於内部具有產生電漿之區域，且設置於自 上述處理容器隔開之位置；導入波導管，其使自微波產生 部放射之微波傳播，且將微波導入上述產生電漿之區域； 氣體供給部，其對上述產生電漿之區域供給製程氣體；輸 送&，其使上述放電管與上述處理容器連通；及第丨溫度 檢測部，其檢測上述放電管之溫度。 又根據本發明之另一態樣，提供一種電漿處理裝置， 其特徵在於包括：處理容器，其於内部具有產生電敷之區 域且可維持經減壓為小於大氣壓之氣體環境；減壓部， 其將上述處理容器之内部減壓至蚊壓力；載置部，其載 置设置於上述處理容器内部之被處理物；電漿產生部，其 藉由對上述產生電漿之區域供給電磁能量而使該區域產生 電m氣體供給部’其對上述產生電漿之區域供給製程氣 體；及第2溫度檢測部，其檢測設置於面向上述產生電聚 之區域之位置之構件的溫度。 入，很像本發明 心水恢伢一種電漿處段力—冼 其特徵在於：其係於經減壓為小於大氣壓之氣體環境中 生電衆’使向上述電漿供給之製程氣體激發而生成電漿 物，且使用上述電漿產物對被處理物進行錢處理之電 處理方法：其包括：第1處理步驟，根據設置於面向產 電4之區域之位置之構件的溫度而控制電漿之產生 控制上述構件之溫度，·及第2處理步驟，使用上述電浆〉 物對被處理物進行電漿處理。 [發明之效果] 149955.doc 201130399 根據本發明’提供一種可更準確地進行溫度狀態之管理 之電漿處理裝置及電漿處理方法。 【實施方式】 以下’一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行例 示。再者，於各圖式中，對相同之構成要素附上同一符號 而適當地省略詳細之說明。 圖1係用以例示本發明之第1實施形態之電漿處理裝置之 模式剖面圖。 圖1中所例示之電漿處理裝置丨係通常被稱為「CDE (Chemical Dry Etehing;化學乾式姓刻）裝置」之微波激發 型之電漿處理裝置。㈣，該電漿處理裝置1#使用藉由 微波”發、產生之電漿自製程氣體生成電漿產物來對被 處理物進行處理之電漿處理裝置之一例。 部2、減遷部 、溫度檢測部 如圖1所示，電漿處理裝置〗包括電漿產生 3、氣體供給部4、微波產生部5、處理容器6 7及控制部8等。 電漿產生部2中設置有放電管9、導入波導管1〇。 放電管9係於内部具有產生電激之區域，且設置於 理容器6隔開之位置。又，放電管9呈管狀，其包含對於微 波Μ之透過率較高且不易被蝕 、Λ 其^入 ^爻材科。例如，可將放電 g 9 6又為包含氧化鋁或石英等介電質者。 以覆蓋放電管9之外周面之 】8。於虽1a 式°又置有官狀之屏蔽部 於屏蔽邛18之内周面與放電管 姓令門® s y之外周面之間設置有 特疋間隙，屏蔽部18與放電管 ^ 係U成為大致同軸之方$ 149955.doc 201130399 進行設置。再者，將該間隙設為微波Μ不會洩漏之程度之 尺寸。因此，藉由屏蔽部18可抑制微波Μ洩漏。 又’於屏蔽部18上以與放電管9大致正交之方式連接有 導入波導管10。於導入波導管10之終端設置有終端整合器 11 a。又’於導入波導管丨〇之入口側（微波μ之導入側）設置 有短管調諧器1 lb。導入波導管10使自下述之微波產生部5 放射之微波Μ傳播並將微波μ導入產生電漿p之區域。 於導入波導管10與屏蔽部丨8之連接部分設置有環狀之狹 縫12。狹縫12係用以使在導入波導管丨〇之内部導波而來之 微波Μ向放電管9放射者。如下所述，於放電管9之内部產 生電漿Ρ，與狹縫12對向之部分成為產生電漿ρ之區域之大 致中心。 於放電管9之外部’與產生電漿ρ之區域對向設置有溫度 檢測部7。料溫度檢測部7並無特別限$，例 >，既可設 為使用熱電偶、測溫電阻器、熱阻器等之接觸式者亦可 5又為如放射溫度計般之非接觸式者。再者，於圖1中，作 為一例，對非接觸式者進行例示。 之可檢測有可能影響對被處理物 部7。亦… 部分之溫度的方式配置溫度檢測 ,、 交好的是以可檢測設置於面向產生電漿ρ之區 β之位置、且具有某種程度之熱容量之構件的溫/的方； 配置溫度檢測部7。因此，的-度的方式 管一方式配置溫度檢:部…… 右將’皿度檢測部7設置於放電管9之内部，則有可 149955.doc 201130399 能因電漿p而導致溫度檢測部7損壞，或者引起金屬污染 等。因此，於本實施形態中將溫度檢測部7設置於放電管9 之外部來檢測放電管9之溫度。 又，亦可根據需要對藉由溫度檢測部7而檢測出之放電 管9之溫度進行修正。亦即，亦可考慮到對相對於被處理 物W之電E處理所造成之影響，而修正為最佳之溫度，例 如與產生電漿P之區域更近之放電管9之内壁面溫度或放電 管9之平均溫度等。由於檢測位置之溫度與該等溫度之間 存在-：的相關關係’因此可預先藉由實驗等求出該相關 關係’猎此求出修正值。 又，使溫度檢測部7與產生電漿p之區域對向設置。因 此，溫度檢測部7設置於設置有屏蔽部18之區域。於此情 形時，可於屏蔽部18之内周面與放9之外周面之間^ 設置之間隙中設置溫度檢測部7、或溫度檢測部7之探針部 分。然而’如上所述，由於將該間隙設為微波_會茂漏 之私度之尺寸’因此若非小型之溫度檢測部7、或小型之 探針部分則難以設置。 因此，於本實施形態中’將溫度檢測部7設置於屏蔽部 18之外側。繼而，由於將溫度檢測部7設置於屏蔽部此 外側，因此於屏蔽部18之面向溫度檢測部7之部分設置有 檢測用之孔部】8a。於此情形時’亦可設置有用以進行孔 = 之開閉之開閉部19。於該開閉部㈣接有未圖示之 :驅動部。而且，可藉由未圖示之驅動部使開閉部19於屏蔽 邛18之軸方向移動。因& ’可藉由使開閉部Η移動而進行 149955.doc 201130399 孔部18a之開閉。 若設置有開閉部19，則可於不隹〜 於不進仃溫度檢測時堵住孔部 18a。因此，可抑制微波自孔部丨8 u 口丨洩漏。再者，已例示了

於屏蔽部18之内壁面側設置有開M 開閉部19之情形，但亦可將 開閉部19設置於屏蔽部18之外壁面側。又 閉部19於屏蔽部1 8之軸方向移動之情形， 19沿屏蔽部1 8之圓周方向移動。 ’已例示了使開 但亦可使開閉部 再者’於溫度檢測部7為接觸式去々运/ 伐蜩式者之情形時，亦可於屏 蔽部1 8中保持探針部分。若如此丨 此則可藉由所保持之探針 部分堵住孔’由此不需要開閉部19。 於導入波導& 1G之-端设置有微波產生部$。該微波產 生部5可產生特定頻率（例如2.75 GHz)之微波m並向導入波 導管10放射。 於放電管9之一端經由流量控制部（μ^ fi〇w Control : MFC，質量流量控制器）13連接有氣體供給部 4。而且，可經由流量控制部13自氣體供給部彳對放電管9 内之產生電榮之區域供給製程氣體G。又，藉由控制部8控 制流量控制部1 3，藉此可調整製程氣體G之供給量。 於放電f 9之另一端連接有輸送管14之一端，輸送管μ 之另一端連接於處理容器6。亦即，輸送管14使放電管9與 處理容器6連通。輸送管14包含可經得起中性活性種之腐 蝕之材料，例如石英、不鏽鋼、陶瓷、碳氟樹脂等。 處理容器6呈有底之大致圓筒形狀，其上端由頂板以堵 塞。於處理容器6之内部設置有内藏著未圖示之靜電吸盤 I49955.doc 201130399 之載置部15，可於該載置部15之上表面（載置面）載置、保 持被處理物W(例如半導體晶圓或玻璃基板等）。 於處理容器6之底面經由壓力控制部（Aut〇 pressure C〇ntr〇ller: APC，自動壓力控制器）16連接有渴輪分子泵 (TMP，Turbo M〇iecuiar Pump)等減壓部3。減壓部3將處理 容器6之内部減壓至特定壓力。壓力控制部16根據檢測處 里今器6之内部壓力之未圓示之真空計的輸出進行控制以 使處理容器6之内部壓力成為特定壓力。亦即，處理容器6 收谷半導體晶圓或玻璃基板等被處理物冒並可維持經減壓 為小於大氣壓之氣體瓌境。 於較與輸送管14之連接部分更下方且載置部15之上方， 乂 /、載置。卩15之上表面（載置面）對向之方式設置有整流板 17。整流板17係用以對自輸送管14導入之包含令性活性種 之氣體流進行整流而使被處理物W之處理面上之中性活性 種的量成為大致均勻者。整流板17係設置有多個孔部17a 之大致圓形之柘壯機，〇 m k _

面（載置面）之間之區域成 間20。又，處理容器6之 為對被處理物進行處理之處理空 内壁。而 内壁面、整流板17之表面由不易與中性活性種反應之材料 (例如四氟化樹脂（PTFE ’ p〇lytetraflu削，聚四敦乙 稀）或氧化鋁等陶瓷材料等）覆蓋。

149955.doc 201130399 9之溫度狀態（電漿處理裝置丨之溫度狀態）。而且，根據來 自溫度檢測部7之檢測信號而控制電漿p之產生，藉此控制 放電管9之脈度。於此情形時，放電管9之溫度之控制可於 對被處理物W之電漿處理之前進行。 再者，於電性連接於控制部8之未圖示之顯示裝置中顯 不有溫度資訊，作業人員可根據該顯示而判定放電管9之 溫度狀態（電榮·處理裝置1之溫度狀態）。 放電官9之溫度狀態（電漿處理裝置丨之溫度狀態）之判 定，可根據預先藉由實驗等所求出之閥值（例如，與蝕刻 速率之穩定性相關之溫度之臨界值等）等進行判定。 其次，對電漿處理裝置1之作用及本實施形態之電漿處 理方法進行例示。 首先，於對被處理物W之電漿處理之前進行「預處 理」。再者，於本實施形態中，作為「預處理」，列舉說 明控制放電管9之溫度之「暖機處理」。 暖機處理」可於未將被處理物W搬入處理容器6内之 狀態下進行。於此情形時，亦可使所謂虛設晶圓載置、保 持於載置部15之上表面（載置面）以使該載置部15之上表面 不受到損害。 首先，藉由溫度檢測部7檢測放電管9之溫度，並將來自 溫度檢測部7之檢測信號（溫度之檢測值）發送至控制部8。 再者’於a又置有上述之開閉部1 9之情形時，將開閉部1 9打 開，經由孔部18a檢測放電管9之溫度。 控制部8根據來自溫度檢測部7之檢測信號（溫度之檢測 149955.doc •12· 201130399 值）而判定放電管9之溫度狀態（電漿處理裝置1之溫度狀 態）。於此情形時，放電管9之溫度狀態（電漿處理裳置J之 溫度狀態）之判定’可根據預先藉由實驗等所求出之闊值 (例如，與蝕刻速率之穩定性相關之溫度之臨界值等）等進 行判定。 於判定為放電管9之溫度較低之情形時，產生電聚p使放 電管9之溫度上升。首先’藉由減壓部3將處理容器6内滅 壓至特定壓力。此時，藉由壓力控制部16調整處理容器6 内之壓力。又’亦對與處理容器6連通之放電管9之内部進 行減壓。 繼而，藉由電漿產生部2而使放電管9内產生電聚p，以 所產生之電漿P之熱使放電管9之溫度上升。於此情形時， 亦可自氣體供給部4經由流量控制部13將特定流量之氣體 (例如’下述之對被處理物W之電漿處理中所使用之製程氣 體G、Ar(氬）氣等惰性氣體等）供給至放電管9内。再者， 與電漿P之產生相關之詳細情況將於下文敍述。 於藉由控制部8而判定為放電管9之溫度處於適當範圍内 之情形時’使電漿P之產生停止而結束「暖機處理」。再 者’於電性連接於控制部8之未圖示之顯示裝置中顯示有 溫度資訊’作業人員亦可根據該顯示判定放電管9之溫度 狀態（電漿處理裝置1之溫度狀態）。於此情形時，作業人員 向控制部8輸入用以使電漿p之產生停止之指令。 另一方面’於判定為放電管9之溫度較高之情形時，町 藉由自氣體供給部4向放電管9内供給氣體而對放電管9進 M9955.doc •13- 201130399 行冷部。或者’亦可藉由在纏繞於放電管9之外周壁之未 圖不之冷部管的内部流過冷卻介質而冷卻放電管9。 以上係預處理」為控制放電管9之溫度之「暖機處 理」之情形。於進行「清洗處理」作為「預處理」之情形 時亦可設為相同之程序◊於此情形時，將供給至放電管9 内之乳體设為清洗氣體（例如，含氧之氣體、Ar(氬）等惰性 乳體等）。又，亦可設置未圖示之分光器等進行「清洗處 理」之終點判定。亦即，亦可根據特定波長之光之發光強 度進仃「清洗處理」之終點判定。然而，即便「預處理」 之主要目的為「清洗處理」亦必需使放電管9之溫度狀態 (電漿處理裝置1之溫度狀態）處於適當範圍内。因此，即便 於根據特定波長之光之發光強度判定為「清洗處理」已結 束之情形時’於放電管9之溫度低於特定溫度之情形時， 持續產生電漿p至放電管9之溫度處於適當範圍内為止。而 且’於藉由控制部8判定為放電管9之溫度已處於適當範圍 内之情形時，使電漿P之產生停止而結束「清洗處理」。 再者’當於「清洗處理」結束時放電管9之溫度高於特定 凰度之清形時’使「清洗處理」結束而等到放電管9之溫 度處於適當範圍内後結束「預處理」。於此情形時，亦可 自氣體供給部4向放電官9内供給氣體而進行放電管9 之冷卻。或者，亦可藉由在纏繞於放電管9之外周壁之未 圖示之冷卻管之内部流過冷卻介質而冷卻放電管9。 其次’對被處理物W進行電漿處理。 於對被處理物W進行之電漿處理中，首先，藉由未圖示 149955.doc • 14- 201130399 之輸送裝置將被處理物w(例如半導體晶圓或玻璃基板等） 搬入處理容器6内，並載置、保持於載置部15上。 繼而，藉由減壓部3將處理容器6内減壓至特定壓力。此 時，藉由壓力控制部16調整處理容器6内之壓力。又，亦 對與處理容器6連通之放電管9之内部進行減壓。 其次，藉由電漿產生部2生成包含争性活性種之電漿產 物亦即，首先，自軋體供給部4經由流量控制部13將特 定流量之製程氣體G(例如CL等）供給至放電管9内。另一 方面，自微波產生部5向導入波導管1〇内放射特定功率之 微波Μ。所放射之微波M於導入波導管1〇内受到導波並經 由狹縫12向放電管9放射。 向放電管9放射之微波μ傳送過放電管9之表面而放射至 放電管9内。藉由如此放射至放電管9内之微波河之能量而 產生電襞Ρ。而且，若所產生之錢ρ中之電子密度達到可 屏蔽經由放電管9所供給之微波Μ之密度（截止密度）以上， 則微波Μ會於自放電管9之内壁面向放電管9内之空間僅深 入一定距離（趨膚深度）之期間進行反射。 .，反射面與狹縫12之下表面之間形成有微波歡=波 其結果，微波Μ之反射面成為電黎激發面，於該 面令穩定地激發、產生電漿ρ。於該電漿激發面中激發、 產生之電漿Ρ中，製程氣體G受到激S、活化而生成中性活 性種、離子等電漿產物。 包3所生成之電漿產物之氣體經由輸送管14輸送至處理 谷益6内。此時’壽命較短之離子等無法到達處理容器6， I49955.doc 15 201130399 僅哥命較長之中姓、，壬, 理容琴6^ & /種到達處理容器6。對包含導入處 埋今益6内之中μ、主从你 # if ^ w *丨 之氣體，由整流板17整流後到達 被處理物W之表面進行蝕 仃關處理#電漿處理。於本實施形 'Si二要進行藉由中性活性種之等向性處理(例如等向 # ☆ I束叙被處理物W藉由未®示之輸送裝置搬出至 合益6外其後’視需要反覆對被處理物W進行電喂 處理。再者，上述之「預處理」彳於電漿 始 運轉時、批次切捸眸笪、> 山… 換時4進打。又’亦可於生產過程中適當 土進仃「預處理」。於此情形時，既可定期地進行「預處 理」，亦可根據來自溫度檢測部7或未圖示之分光器等之 仏號判定「預處理」之必要性。 如以上所例示’本實施形態之電衆處理方法係於經減壓 為小於大氣壓之氣體環境中產生電疲P，使向上述電聚p所 供給之製程氣體G激發而生成電漿產物，且使用所生成之 電漿產物對被處理物w進行電漿處理者；其包括：第^處 理步驟（「預處理」步驟），根據設置於面向產生電漿p之 區域之位置之構件（放電管9)的溫度而控制電漿p之產生， 藉此控制上述構件之溫度；及第2處理步驟，使用所生成 之電漿產物對被處理物W進行電漿處理。 根據本實施形態，藉由設置溫度檢測部7，可直接地檢 測影響對被處理物之電漿處理之穩定性之部分之溫度。因 此’與藉由時間管理等推測電漿處理裝置丨之溫度狀雜之 情形等相比可更準確地知道電漿處理裝置1之溫度狀能。 149955.doc 16 201130399 而且，由於可進行更適當之「預處理」，因此可更準確地 進行電漿處理裝置1之溫度狀態管理。 於此情形時，對被處理物w進行之電漿處理之穩定性會 因電漿處理裝置1之溫度狀態而發生變動。因此，藉由更 準確地進行電漿處理裝置丨之溫度狀態管理，可實現生產 率、良率、質量等之提高。 圖2係用以例示本發明之第2實施形態之電漿處理裝置之 模式剖面圖。 又，圖3係沿圖2之A-A箭頭方向觀察之剖面圖。 圖2中所例示之電漿處理裝置3〇係通常被稱為 「SWP(SUrfaCe Wave Piasma:表面波電漿）裝置」之微波 激發型之電職理裝置。亦即，該„處理裝置％係使用 .藉由微波而激發、產生之電衆自製程氣體生成電漿產物來 對被處理物進行處理之電漿處理裝置之一例。 士圖2所示’电聚處理裝置3〇包括電焚產生部3^、減壓 部3、氣體供給部4、微波產生部5、處理容器32、溫度檢 測部7及控制部33等。 電衆產生部31係藉由向產生電聚？之區域供給微波（電磁 能量）而產生電漿ρβ /毁產生部31中設置有透過窗34、導入波導管35。透過 窗呈平板狀，其包含對微波Μ之透過率較高且不易被敍 刻之材料。例如，可將透過窗34設為包含氧化紹或石英等 介電質者。將透過窗34以成為氣密之方式設置於處理容器 32之上端。 I49955.doc ·】7. 201130399 於處理容器32之外側，即透過窗34之上表面設置有導入 波導管35。再者，雖然省略圖示，但亦可適當地設置終端 整合器或短線調諧器。導入波導管35將自微波產生部5放 射之微波Μ向透過窗34導波。 於導入波導管35與透過窗34之連接部分設置有狹縫36。 狹縫36係用以將於導入波導管35之内部導波而來之微波μ 向透過窗34放射者。 如上所述’較好的是以可檢測有可能影響對被處理物W 之電漿處理之穩定性之部分之溫度的方式配置溫度檢測部 7 °亦即’較好的是以可檢測設置於面向產生電漿ρ之區域 之位置、且具有某種程度之熱容量之構件之溫度的方式配 置溫度檢測部7。因此，於本實施形態中以可檢測透過窗 34之溫度之方式配置有溫度檢測部7。再者，亦可以能夠

如圖2、圖3所示 ’於導入波導管3 5之側方，以與產生電 漿Ρ之區域對向之方式設置有溫度檢測部7。

一定的相關關係，因 此可預先藉由實驗等求出該相關關 149955.doc -18- 201130399

係’相此求出修正值D 又亦可與圖1所例示者相同地設置如下構件，即設置 於透過1¾ 34之外側而抑制微波河之洩漏之屏蔽部28 ;設置 於屏蔽部28之面向溫度檢測部7之部分之孔部28a ;及進行 孔部28a之開閉之開閉部29。 於導入波導管35之一端設置有微波產生部5。該微波產 生部5可產生特定頻率（例如2 75 GHz)之微波M並向導入波 導管35放射。 於處理容器32之側壁上部經由流量控制部（Mass Flow

Controller · MFC) 13連接有氣體供給部4。而且，可經由流 里控制部13自氣體供給部4向處理容器32内之產生電漿p之 區域供給製程氣體G。又，藉由控制部33控制流量控制部 I3’藉此可調整製程氣體G之供給量。 處理谷器32呈有底之大致圓筒形狀，於其内部設置有内 藏著未圖示之靜電吸盤之載置部15。而且，可於載置部15 之上表面（載置面）載置、保持被處理物W(例如半導體晶圓 或玻璃基板等）。 於處理容器32之底面經由壓力控制部（Auto Pressure Contiroller : APC)16連接有渦輪分子泵（TMP)等減壓部3。 減壓部3將處理容器32之内部減壓至特定壓力。壓力控制 部16根據檢測處理容器32之内部壓力之未圖示之真空計之 輸出進行控制以使處理容器32之内部壓力成為特定壓力。 亦即，處理容器32於内部具有產生電漿P之區域，可維持 經減壓為小於大氣壓之氣體環境。 149955.doc •19· 201130399 於與氣體供給部4之連接部分更下方且載置部15之上 方以與載置部15之上表面（載置面）對向之方式設置有整 ⑽板1 7。整流板丨7係用以對包含產生電漿p之區域中所生 成之電聚產物之氣體流進行整流而使被處理物w之處理面 上之電漿產物的量成為大致均勻者。 又，整流板17係設置有多個孔部17a之大致圓形之板狀 體八固疋於處理谷器32之内壁。而且，整流板17與載置 P15之上表面（載置面）之間之區域成為對被處理物進行處 理之處理空間20。χ，處理容器32之内壁面、整流板以 表面由不易與中性活性種反應之材料（例如四氟化樹脂 (PTFE)或氧化鋁等陶瓷材料等）覆蓋。 控制部33對減壓部3、氣體供給部4、微波產生部5、壓 力控制部16、流量控制部13等進行控制。又，根據來自溫 度檢測部7之檢測信號（溫度之檢測值）而判定透過窗34之溫 度狀態（電漿處理裝置30之溫度狀態）。繼而，根據來自溫 度檢測部7之檢測信號而控制電漿ρ之產生，藉此控制透過 窗34之溫度。於此情形時，透過窗34之溫度之控制可於對 被處理物W之電漿處理之前進行。 再者’於電性連接於控制部33之未圖示之顯示裝置中顯 不有溫度資訊’作業人員亦可根據該顯示判定透過窗34之 溫度狀態（電漿處理裝置3〇之溫度狀態）。 於此情形時’透過窗34之溫度狀態（電漿處理裝置3〇之 溫度狀態）之判定’可根據預先藉由實驗等所求出之閥值 (例如’與触刻速率之穩定性相關之溫度之臨界值等）等進 149955.doc -20- 201130399 行判定- 其次，對電漿處理裝置30之作用及本實施形態之電漿處 理方法進行例示。 於本實施形態中亦於對被處理物W之電漿處理之前進行 「預處理」。再者’於本實施形態中，作為「預處理」舉 例說明有控制透過窗34之溫度之「暖機處理」。 「暖機處理」可於未將被處理物W搬入處理容器32内之 狀態下進行。於此情形時，亦可使所謂虛設晶圓載置、保 持於載置部15之上表面（載置面）以使該載置部15之上表面 不受到損害。 首先，藉由溫度檢測部7檢測透過窗34之溫度，將來自 溫度檢測部7之檢測信號（溫度之檢測值）發送至控制部33。 再者，於設置有上述之開閉部29之情形時，將開閉部29打 開，經由孔部28a檢測透過窗34之溫度。 控制部33根據來自溫度檢測部7之檢測信號（溫度之檢測 值）而判定透過窗34之溫度狀態（電漿處理裝置3〇之溫度狀 態）。於此情形時，透過窗34之溫度狀態（電漿處理裝置3〇 之溫度狀態）之判定，可根據預先藉由實驗等所求出之閥 值（例如，與蝕刻速率之穩定性相關之溫度之臨界值等）等 進行判定。 於判定為透過窗34之溫度較低之情形時，產生電漿Μ 使透過窗34之溫度上升。首先，藉由減壓部3將處理容器 3二減壓至特定壓力。此時’藉由壓力控制部“調整處理 容器32内之壓力。 149955.doc 201130399 之 繼而，藉由電漿產生部31產生電漿P，以所產生之電漿P 熱使透過窗34、整流板17、處理容器32之壁面等之溫度 上升。於此情形時，亦可自氣體供給部4經由流量控制部 I3將特定流量之氣體（例如，下述之對被處理物W之電漿處 理中所使用之製程氣體G、Ar(氬）氣等惰性氣體等）供給至 處理容器32内之產生電漿p之區域。再者，關於電漿p之產 生之詳細情況將於下文敍述。 於藉由控制部33判定為透過窗34之溫度處於適當範圍内 之情形時，使電漿P之產生停止而結束「暖機處理」。再 者，於電性連接於控制部33之未圖示之顯示裝置中顯示有 溫度資tfi ’作業人M亦可根據該顯示而判线過窗34之溫 度狀態（電漿處理裝置3〇之溫度狀態）。於此情形時，作業 人員向控制部33輸人用以使電漿？之產生停止之指令。〃 广方面，於判定為透過窗34之溫度較高之情形時，可 糟由自氣體供給部4向處理交μ ^ 令裔32内供給氣體而對透 34進行冷卻。 』囪 以上係「預處理」為控制锈 理，^ 制透過肉34之溫度之「暖機處 理」之情形。於進行「清洗 处 時亦可設為相同之程戽P 為預處理」之情形 32内之Η · 此情形時，將供給至處理容写 電漿Ρ之區域之氣體設 / 氣體、Ar(氬)等惰性氣體等 …體(例如含氧之 器等進行「清洗處 亦可設置未圖示之分光 ί尤爽理」之終點 波長之光之發光強度料「卜、、二#即，亦可根據特定 而’即便「預處理」之主要二'、广「理」之終點判定。然 為「清洗處理」亦必需使 149955.doc -22· 201130399 透過窗34之溫度狀態（電漿處理裝置30之溫度狀態）處於適 當範圍内。因此，即便於根據特定波長之光之發光強度判 定為「清洗處理」已結束之情形時，於透過窗34之溫度低 於特定溫度之情形時，持續產生電漿P至透過窗34之溫度 處於適當範圍内為止。繼而，於藉由控制部33判定為透過 窗34之溫度已處於適當範圍内之情形時，使電漿p之產生 停止而結束「清洗處理」。再者，當於「清洗處理」結束 時透過窗34之溫度高於特定溫度之情形時，使「清洗處 理」結束而等到透過窗3 4之溫度處於適當範圍内後結束 「預處理」。於此情形時，亦可藉由自氣體供給部4向處 理容器32内供給氣體而對透過窗34進行冷卻。 其次，對被處理物W進行電漿處理。 於對被處理物W之電漿處理中，首先，藉由未圖示之輸 送裝置將被處理物W(例如半導體晶圓或玻璃基板等）搬入 處理容器32内並載置、保持於載置部15上。 其次，藉由減壓部3將處理容器32内減壓至特定壓力。 此時，藉由壓力控制部16調整處理容器32内之壓力。 繼而，藉由電漿產生部31生成包含中性活性種之電漿產 物亦即，首先，自氣體供給部4經由流量控制部13將特 定量之製程氣體G(例如CF4等）供給至處理容器32内之產生 電漿P之區域。另一方面，自微波產生部5向導入波導管35 内放射特疋功率之微波Μ ^所放射之微波μ於導入波導管 35内被導波並經由狹縫36向透過窗34放射。 向透過窗34所放射之微波Μ傳送過透過窗34之表面而向 149955.doc -23- 201130399 處理容器32内放射。藉由如此放射至處理容器32内之微波 Μ之能量而產生電漿P。而且，若所產生之電漿p中之電子 密度達到可屏蔽經由透過窗34所供給之微波Μ之密度（截止 密度）以上，則微波Μ會於自透過窗34之下表面向處理容器 32内之空間僅深入一定距離（趨膚深度）為止之期間進行反 射。因此，於該微波Μ之反射面與狹縫36之下表面之間形 成有微波Μ之駐波。其結果，微波Μ之反射面成為電漿激 發面，於該電漿激發面中穩定地激發、產生電漿ρ。 於該電漿激發面中所激發、產生之電漿ρ中，製程氣體 G受到激發、活化而生成中性活性種、離子等電漿產物。 包含所生成之電漿產物之氣體藉由整流板17進行整流而到 達被處理物W之表面進行蝕刻處理等電漿處理。 本實施形態中，於包含電漿產物之氣體通過整流板17 時：將離子或電子去除。因&，主要進行藉由中性活性種 之等向性處理(例如等向性蝕刻等”再者，由於施加偏壓 電壓而使離子可通過整流板17，因此亦可進行異向性處理 (例如異向性蝕刻等）。 處理結束後之被處理物|藉由未圖示之輸送裝置搬出互 處理容器32外。其後’視需要反覆對被處理物％進行電鸾 處理。再者，上述「預處理」可於電談處理I置3〇開始驾 轉時 '批次切換時等進行。又，亦可於生產過程中適當却 進仃「預處理」。於此情形時，既可定期地進行「預肩 理」，亦可根據來自溫度檢測部7或未圖示 信號判定「預處理」之必要性。 刀光… M9955.doc •24· 201130399 如以上所例示，本實施形態之電漿處理方法係於經減麼 為小於大氣壓之氣體環境中產生電漿P，使向上述電漿p所 供給之製程氣體G激發而生成電漿產物，且使用所生成之 電漿產物對被處理物w進行電漿處理者；且其包括.第i 處理步驟（「預處理」步驟），根據設置於面向產生電漿p 之區域之位置之構件（例如透過窗34等）的溫度而控制電聚 P之產生，藉此控制上述構件之溫度；及第2處理步驟，使 用所生成之電漿產物對被處理物w進行電漿處理。 根據本實施形態，藉由設置溫度檢測部7，可直接地檢 測影響到對被處理物之電漿處理之穩定性之部分之溫产f 因此，與藉由時間管理等推測電漿處理裝置3〇之溫度狀熊 之情形等相比可更準確地知道電漿處理裝置3〇之溫度狀 態。而且，由於可進行更適當之「預處理」，因此準 確地進行電漿處理裝置30之溫度狀態管理。 於此情形時，對被處理物W之電漿處理之穩定性會因電 锻處理裝置3G之溫度狀態而發生變動。因此，藉由更準確 地進行電漿處理裝置30之溫度狀態管理，可實現生產率、 良率、質量等之提高。 圖4係用以例示本發明之第3實施形態之電毁處理裝置之 模式剖面圖。 圖4中所例示之電漿處理裝置4〇係通常被稱為「平行平 板型RiE(Reactive Ion Etching)裝置」之電容&合型電蒙 (CCP : Capacitively Coupled Plasma)處理骏置。亦艮，汐 電毁處理裝置40係使用藉由對平行平板電極施加^電^ 149955.doc -25· 201130399 而產生之電漿自製帛氣體G生成電漿產物來對被處理物進 行處理之電漿處理裝置之一例。 如圖4所示’電漿處理裝置40包括電漿產生部43、減壓 °P 3、就體供給部4、電源部44、處理容器42、溫度檢測部 4 7及控制部41等。 處理容器4 2呈兩端閉塞之大致圓筒形狀而成為可維持減 壓氣體環境之氣密結構。 於處理容器42之内部設置有產生電衆P之電聚產生部 電漿羞生部43中設置有下部電極48、上部電極49。 下部電極48設置於處理容器42内之產生電聚P之區域之 下方。下部電極48中設置有用以保持被處理物…之未圖示 ' 未圖示之保持部可設為例如靜電吸盤等。因 此’下部電極48亦成為於上表面(載置面)載置 理物W之载置部β τ|& 上部電極49係以與下部電極觸向之方式設置。而且， 於下部電極48經由阻隔電容器46而連接有電源“，上部電 η接ώ因此，電浆產生部们可藉由對產生電聚p之區 域供給電磁能量而產生電漿Ρ。 =處’較好的是以可檢測有可能影響到對被處理物^之 電/處理之穩定性之部分之溫度的方式配置溫度檢測部 /亦即，較好的是以可檢測設置於面向產生電漿Ρ之區 =位置、且具有某種程度之熱容量之構件之溫度的方式 度檢測部47。以下，對檢測上部電極49之温度之情 149955.doc -26- 201130399 形進行例示。 、上部電極49中内藏有溫度檢測部47。作為溫度檢測部47 並無特別限定，例如，既可為使用熱電偶、測溫電阻器、 熱阻器等之接觸式者，亦可為如放射溫度計般之非接觸式 者再者，於本實施形態中，由於使溫度檢測部47内藏於 上部電極49，因此使用接觸式者。 此處，若將溫度檢測部47以露出於處理容器42之内部之 弋進行。又置，則有可能會因電漿p而導致溫度檢測部Ο 損壞或者引起金屬污染等。因此’於本實施形態中使溫度 才欢測邛47内藏於上部電極49。再者，既可使溫度檢測部〇 内藏於下部電極Μ，亦可使溫度檢測部47内藏於處理容器 42之壁面。 又，亦可將溫度檢測部47設置於處理容器42之外部以檢 ’則處理谷窃42之壁面溫度等。χ，既可將溫度檢測部設 為接觸式者，亦可與上述溫度檢測部7相同地設為非接觸 式者。 又，亦可根據需要對藉由溫度檢測部47所檢測之上部電 極49之溫度進行修正。亦即’可考慮到對相對於被處理物 W之電漿處理所造成之影響，而修正為最適佳溫度，例如 與產生電渡Ρ之區域更近之上部電極49之表面溫度或上部 電極49之平均溫度等。由於檢測位置之溫度與該等溫度之 間存在—定之相關關係’因此可預先藉由實驗等求出該相 關關係’藉此求出修正值。 電源部44中設置有電源45、阻隔電容器46。 149955.doc -27- 201130399 電源45將100 KHz〜100 MHz左右之高頻電力施加至下部 電極48。阻隔電容器46係用以阻止於電漿P中產生之到達 下部電極48之電子之遷移而設置。 於處理容器42之底面經由壓力控制部（Auto Pressure Controller : APC) 16連接有渦輪分子泵（TMP)等減壓部3。 減壓部3將處理容器42之内部減壓至特定壓力。壓力控制 部1 6根據檢測處理容器π之内部壓力之未圖示之真空計之 輸出進行控制以使處理容器42之内部壓力成為特定壓力。 亦即，處理容器42於内部具有產生電漿p之區域，且可維 持經減壓為小於大氣壓之氣體環境。 於處理容器42之側壁上部經由流量控制部（Mass Flow

Controller: MFC)13而連接有氣體供給部4。而且，可經由 流$控制部1 3自氣體供給部4對處理容器42内之產生電聚p 之區域供給製程氣體G。又，藉由控制部41控制流量控制 部13 ’藉此可調整製程氣體G之供給量。 控制部41對減壓部3、氣體供給部4、電源45、壓力控制 部16、流量控制部丨3等進行控制。 又，根據來自溫度檢測部47之檢測信號（溫度之檢測值） 而判定上部電極49之溫度狀態（電漿處理裝置4〇之溫度狀 心）繼，而，根據來自溫度檢測部47之檢測信號而控制電 敷p之產生’藉此控制上部電極49之溫度。於此情形時， 上。卩電極49之溫度之控制可於對被處理物w之電漿處理之 前進行。 再者於電性連接於控制部41之未圖示之顯示裝置中顯 149955.doc -28- 201130399 示有/jdl度資afl，作業人員亦可根據該顯示而判定上部電極 49之溫度狀態（電衆處理裝置4 〇之溫度狀態）。 於此情形時，上部電極49之溫度狀態（電漿處理裝置仂 之溫度狀態）之判定，可根據預先藉由實驗等所求出之閥 值（例如，與蝕刻速率之穩定性相關之溫度之臨界值等）等 進行判定。 其次，對電漿處理裝置40之作用及本實施形態之電漿處 理方法進行例示。 於本實施形態中亦於對被處理物W之電漿處理之前進行 「預處理」。再者，於本實施形態中，作為「預處理」舉 例說明有控制上部電極49之溫度之「暖機處理」。 「暖機處理」可於未將被處理物w搬入處理容器Ο内之 狀態下進行。於此情形時，亦可使所謂虛設晶圓載置、保 持於下部電極48之上表面（載置面）以使該下部電極“之上 表面不受到損害。 首先，藉由溫度檢測部47檢測上部電極49之溫度，將來 自溫度檢測部4 7之檢測信號（溫度之檢測值）發送至控制部 41。 。 控制部4丨根據來自溫度檢測部47之檢測信號（溫度之檢 測值）判定上部電極49之溫度狀態（電漿處理裝置川之溫度 狀態）。於此情形時，上部電極49之溫度狀g (電漿處理裝 置之溫度狀態）之判定，可根據預先藉由實驗等所求出' 之閥值（例如，與融刻速率之穩定性相關之溫度之臨界值 等）等進行判定。 149955.doc •29- 201130399 於判定為上部電極49之溫度較低之情形時’產生電漿p 而使上部電極49之溫度上升。首先，藉由減壓部3將處理 容器42内減壓至特定壓力。此時，藉由壓力控制部16調整 處理容器42内之壓力。 繼而，藉由電漿產生部43產生電漿p，以所產生之電 之熱使上部電極49、下部電極48、處理容器42之壁面等之 溫度上升。於此情形時，亦可自氣體供給部4經由流量控 制部13將特定流量之氣體（例如，下述之對被處理物〜之^ 毁處理中所使用之製程氣體G、Ar(氬）氣等惰性氣體等）供 給至處理容器42内之產生電漿P之區域。再者，關於電毁p 之產生之詳細情況將於下文敍述。 於藉由控料41判定為上部電極49之溫度處於適當範圍 内之清形時，使電漿p之產生停止而結束「暖機處理」。 再電性連接於控制部41之未圖示之顯示裝置中顯示 有舰度貝況，作業人員亦可根據該顯示而判定上部電極49 之溫度狀態（電漿處理裝置4〇之溫度狀態）。於此情形時， 作業人員向控制部41輸入用以使電漿p之產生 今。 儿心寻日 f方面，於判定為上部電極49之溫度較高之情形時， 可错由自氣體供給部4向處理容器42内供給氣體而對上 電極49進行冷卻β 理二二「T」為控制上部電極49之溫度之「暖機處 於進行「清洗處理」作為「預處理」之 時亦可設為相同之程序。於此情形時，將供給至處理^ 149955.doc -30- 201130399 42内之產生電”之區域之氣體設為清洗氣體（例如含氧之 氣體、Ar(氬）等惰性氣體等）。又，亦可設置未圖示之八光 Π進行「清洗處理」之終點判定。亦即，亦可根據二 波長之光之發光強度進行「清洗處理」之終點判定。炒 而，即便「預處理」之主要目的為「清洗處理」亦必需: 上料極49之溫度狀態（電漿處理裝置利之溫度狀態）處於 適當範圍内。因此’即便於根據特定波長之光之發光強度 判定為「清洗處理」已結束之情料，於上部電極49之= 度低於特定溫度之情形時，持續產生電漿p至上部電極Z 之溫度處於適當範圍内為止。繼而’於藉由控制_判定 為上部電極49之溫度已處於適當範圍内之情形時，使電漿 P之產生停止而結束「清洗處理」。再者，當於「清洗處 理」結束時上部電極49之溫度高於特定溫度之情形時，使 「清洗處理」結束而等到上部電極49之溫度處於適當範圍 内後結束「預處理」。於此情形時，亦可藉由自氣體供給 部4向處理容器42内供給氣體而對上部電極49進行冷卻。 其次’對被處理物W進行電漿處理。 於對被處理物W之電漿處理中，首先，藉由未圖示之輸 送裝置將被處理物W (例如半導體晶圓或玻璃基板等）搬入 處理容器42内並載置、保持於下部電極48上。 繼而’藉由減壓部3將處理容器42内減壓至特定壓力。 此時，藉由壓力控制部16調整處理容器42内之壓力。 其次，藉由電漿產生部43生成包含中性活性種之電衆產 物。亦即，首先’自氣體供給部4經由流量控制部13將特 149955.doc •31 - 201130399 疋量之製程氣體G(例如CF4等）供給至處理容器42内之產生 電漿P之區域。 另一方面，自電源部44將1〇〇 KHz〜1〇〇 MHz左右之高頻 電力施加至下部電極48。如此一來，由於下部電極48與上 部電極49構成平行平板電極，因此於電極間引起放電而產 生電漿P。藉由所產生之電漿p使製程氣體G受到激發、活 化而生成中性活性種、離子、電子等電漿產物。該所生成 之電漿產物於處理容器42内下降而到達被處理物w之表面 來進行蝕刻處理等電漿處理。 於此情形時，所生成之離子與電子中，質量輕之電子之 遷移快而立刻到達下部電極48與上部電極49。藉由阻隔電 容器46阻止到達下部電極48之電子之遷移而使下部電極48 帶電。下部電極48之帶電压達到4〇〇 v〜1〇〇〇 v左右，將此 稱為「陰極位降」。另一方面，由於上部電極49接地，因 此所到達之電子之遷移不受阻止，上部電極49幾乎不帶 電。 而且，離子沿著藉由陰極位降所產生之垂直電場向下部 電極48(被處理物W)方向遷移並入射至被處理物w之表 面，藉此進行物理性之電漿處理（異向性處理）。再者，中 性活性種因氣流或重力下降而到達被處理物…之表面，進 行化學性之電漿處理（等向性處理）。 處理結束後t被處理物㈣由未圖示之輸送裝置搬出至 處理容器42外。其後，視需要反覆對被處理㈣進行電聚 處理。再者’上述之「簡理」可於電㈣理裝置侧 149955.doc -32- 201130399 =轉時、批次切換時等進行。又，亦可於生心程Μ δ地進行「預處理」。於此情形時，既可㈣地進行「預 處理」#可根據來自溫度檢測部47或未圖示之分 之信號判定「預處理」之必要性。 ° 如以上所例不，本實施形態之電漿處理方法係於經減屡 為小於大氣麗之氣體環境中產生電毁ρ，使向上述電以所 供給之製程氣㈣激發而生成電漿產物，且使用所生成之 電襞產物對被處理物W進行電聚處理者；且其包括：& 處理步驟（「預處理」步驟卜根據設置於面向產生Mp 之區域之位置之構件（例如上部電本㈣等）之溫度而控制電 漿P之產生’藉此控制上述構件之溫度；及第2處理步驟， 使用所生成之電漿產物對被處理物Wit行電聚處理。 根據本實施形態，藉由設置溫度檢測部47，可直 測影響到對被處理物之電漿處理之敎性之部分的溫度;^ 因此’與藉由時間管理等推測電毁處理裝置40之溫度狀能 ，情形等相比可更準確地知_處理裝置40之溫度狀 態。而且’由於可進行更適當之「預處理」，因此可更準 確地進行電漿處理裝置4〇之溫度狀態管理。 於此情形時，對被處理物W之電製處理之穩定性會因電 聚處理裂置40之溫度狀態而發生變動。因此，藉由更準確 地進行電漿處理裝置40之溫度狀態管理，可實現生產率、 良率 '質量等的提高。 以上，對本實施形態進行了例示。然而，本發明並不限 定於該等記述。 149955.doc -33 - 201130399 關於上述實施形態，熟悉此技藝者適當地加以設計變更 而成者只要包含本發明之特徵則亦包含於本發明之範圍 内0 例如’電漿處理裝置1、電漿處理裝置30、電漿處理褒 置40所具備之各要素之形狀、尺寸、材質、配置等並不限 定於已例示者，可進行適當變更。 又’舉例說明了微波激發型、電容耦合型之電锻處理裝 置’但電漿之產生方式並不限定於該等，可進行適當變 更。又，電漿處理並不限定於蝕刻處理或灰化處理等，例 如，可設為表面活化處理、成膜處理（濺鍍或電漿 CVD(ChemiCal Vapor Deposition，化學氣相沈積）等）、無 藥劑殺菌處理等各種電漿處理。 又上述各實施形態所具備之各要素可於儘可能之範圍 内進打組合，將該，等組合而成者只要包含本發明之特徵則 亦包含於本發明之範圍内。 【圖式簡單說明】

圖1係用以例示本發明之第丨實施形態所涉及之電漿處理 裝置之模式剖面圖D 圖2係用以例不本發明之第2實施形態所涉及 裝置之模式剖面圖。 疋慝王」 θ系…圖2之Α-Α箭頭方向觀察之剖面圖。 ㈣示本發明之第3實施形態所涉及之電裝❹ 褒置之模式剖面圖。 【主要元件符號說明】 149955.doc •34- 201130399 1 、 30 、 40 電漿處理裝置 2 、 31 、 43 電漿產生部 3 減壓部 4 氣體供給部 5 微波產生部 6 、 32 、 42 處理容器 6a 頂板 7 ' 47 溫度檢測部 8 、 33 、 41 控制部 9 放電管 10、35 導入波導管 11a 終端整合器 lib 短管調諧器 12 ' 36 狹縫 13 流量控制部 14 輸送管 15 載置部 16 壓力控制部 17 整流板 17a' 18a' 28a 孔部 18、28 屏蔽部 19 ' 29 開閉部 20 處理空間 34 透過窗 149955.doc -35- 201130399 44 電源部 45 電源 46 阻隔電容器 48 下部電極 49 上部電極 G 製程氣體 Μ 微波 P 電漿 W 被處理物 149955.doc -36-

Claims (1)

1. 201130399 七、申請專利範圍·· 1. 了毁處理裝置，其特徵在於包括： 处合器’其可維持經減壓為小於大氣壓之氣體 境； 減壓部，其將上述處理容器之内部減壓至特定壓力； 載置邛，其載置設置於上述處理容器内部之被處理 物； 放電官，其力内部具有產生電裝之區4，且設置於自 上述處理容器隔開之位置； 導入波導管，其使自微波產生部放射之微波傳播，並 將微波導入上述產生電漿之區域； 氣體供給部，盆斜！_ L &此 /、對上述產生電漿之區域供給製程氣 體； 輸送e，其使上述放電管與上述處理容器連通丨及 第1溫度檢測部，其檢測上述放電管之溫度。 2. 如請求項！之電漿處理裝置，其進而包括^控制部，其 根據來自上述第1溫度檢測部之檢測信號而控制上述電 漿之產生，藉此控制上述放電管之溫度。 3. 如請求項2之電漿處理裝置，其中上述第丨控制部於對被 處理物進行電漿處理之前執行上述放電管之溫度控制。 4. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包括： 處理容器，其於内部具有產生電漿之區域，且可維持 經減壓為小於大氣壓之氣體環境； 減壓部，其將上述處理容器之内部減壓至特定壓力； 149955.doc 201130399 載置部 物，· 其載置設置於上述處理 容器内部之被處理 電漿產生部，其藉由對上述產生電激之區域供給電磁 能量而產生電漿； 氣體供給部，其對上述產生雷喈 生王电戒之區域供給製程氣 體；及 ” 第2溫度檢測部，其檢測設.置於面向上述產生電漿之 區域之位置之構件的溫度。 5.如請求項4之電聚處理裝置，其進而包括第2控制部，其 根據來自上述第2溫度檢測部之檢測信號而控制上述電 衆之產生’藉此控制上述構件之溫度。 6_如請求項5之電漿處理裝置，其中上述第2控制部於對被 處理物進行電漿處理之前執行上述構件之溫度控制。 7· —種電漿處理方法，其特徵在於係於經減壓為小於大氣 壓之氣體％境中產生電漿，使向上述電漿所供給之製程 氣體激發而生成電漿產物，且使用上述電漿產物對被處 理物進行電漿處理者；且其包括： 第1處理步驟，根據設置於面向產生電漿之區域之位 置之構件的溫度而控制電漿之產生，藉此控制上述構件 之溫度；及 第2處理步驟，使用上述電漿產物對被處理物進行電 漿處理。 8.如請求項7之電漿處理方法，其中上述構件係内部具有 產生電衆之區域之放電管。 149955.doc