TW201109868A - Composition for stripping a resist for copper or copper alloy - Google Patents

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201109868 六 發明說明： 【發明所屬之技術領域】 物 本發明係關於-種用以去除鋼或鋼合金光阻之組成 本申請案主張在2009年7月π B技山认 請案第10-2009-0065464號（盆全文在卜*之私國專利申 申請案）的權益。 ，、王文在此則丨用方式併入本 【先前技術】 ^造半導财錢積體電路或平板顯示㈣ 祕”丄：： 金屬膜或絕緣膜係均勻 二覆光阻〜擇性地曝光，’然後顯影形成絲圖案。在 ^用is肋合金膜、銅或銅合金料作為導電性金 Ξ幸=用氧切膜、氮化石夕膜等作為絕緣膜。繼而使用 圖案化光阻膜作為光罩而將導電性金屬膜或絕緣膜 刻或乾式爛’將微電㈣轉移至植㊉，、= 用光阻剝除組成物去除光阻層之不必要部分。3 < 成物用於製微電路之程序的二，光阻剝除組 低溫於短時間内剝除光阻。此外光阻剝除組 的優pir有在洗滌錢植殘渣不殘留在基板上之程度 力，^Π。此外光阻剝除組成物必須亦具有低腐飯 損：::：==rr金屬膜或絕'_ 之剥除組成物，及其特;見下已研究及發展各種型式 除未ΐ查專利申請案公開第51·72503號揭示-種剝 、成物，其包含10至20個碳原子之燒基苯績酸、與沸 3/30 201109868 ·=為15(TC或更高之未鹵化芳族烴。此外曰本未審查專利申 凊案公開第57-84456號揭示一種剝除組成物，其包含二曱 基亞碾或二乙基亞砜、及一種有機砜化合物。此外美國專 利第4,256,294號揭示一種剝除組成物，其包含烷基芳基磺 酸、6至9個碳原子之親水性芳族磺酸、及沸點為15〇它或 更向之未鹵化芳族烴。 然而以上之剝除組成物因其嚴重地腐蝕導電性金屬膜 ^如鋁膜、銅膜、銅合金膜等），及污染環境（因為其為高 毋性）’使得其無法容易地處理或使用而成問題。因此為了 解决以上之問通，現已提議藉混合作為主成分之水溶性院 醇胺與數種有機溶劑而製備剝除組成物之技術，及其實施 例如下。 美國專利第4,617,251號揭示一種二成分剝除組成物， 其包含一種有機胺化合物（如單乙醇胺(MEA)、2_ (2_胺基 乙氧基）-1-乙醇(AEE)等）、及一種極性溶劑（如二曱基甲 醯胺(DMF)、二曱基乙醯胺（DMAc)、N-甲基吡咯啶@同 (NMP)、二甲基亞石風(DMSO)、卡必醇乙酸醋、丙二醇一甲 基醚乙酸酯(PGMEA)等）。此外曰本未審查專利申請案公開 第62-49355號揭示一種剝除組成物，其包含一種藉由將環 氧乙燒引入烧醇胺與乙二胺中而製備之伸烧基多胺石風化合 物，及一醇單烧基鱗。此外日本未審查專利申請案公開第 64-42653號揭示一種剝除組成物，其包含一或多種選自二 甲基亞石風(DMSO)、二乙二醇一烧基鱗、二乙二醇二烧基 趟、γ-丁内酯、與1，3-二甲基-2-咪唑啶酮之溶劑、及一種含 氮有機羥基化合物（如單乙醇胺(ΜΕΑ)等）。此外曰本未審 查專利申δ月案公開第04-124668號揭不一種剝除組成物，其 4/30 201109868 包括有機胺、一種磷酸酯界面活性劑、2_丁炔 含 乙二醇二烷基醚、與非量子極性溶劑。 '、，醇 【發明内容】 因而本發明已構想解決均_，而且本發明之 目的為提供-種用以剝除銅或銅合金光阻之組成物， 應用於浸泡除、片進型剝除及噴灑龍除。” 本^明之另-個目的為提供一種用以剝除銅或銅合金 成物，其可容易地及顯著地絲因精密的微影術 =、式_而纽及硬化之光阻膜，即使是在低溫於短時 本發明之又另-個目的為提供__以剝除銅或銅合 、曰二阻之組成物’其不必❹異丙醇而可㈣使配置在光 鋼合=:::;發明提供-種用以剝除銅或 ⑻0.1〜30重量％之至少—種選自由下式⑴表示之化合 物的胺化合物；及 (b)其餘為至少一種有機溶劑： Τ\ s. 5/30 201109868 <式ι> Y-Ri-N X-(R2) n1 (Ra) n2 <式2>

HO-R4-N X24R5)Fr3〇H

Re), n4 <式3> o

R

Ry

<式4>

10 X4

ll)n6 6/30 201109868 <式5>

Rl2

Rl3\

Rl4^ 其中R^R4與rs各獨立地為c广CiQ之直鏈或支鏈伸 院基； I、R3與&各獨立地為氫、或c广c⑴之直鏈或支鏈烷 基； I、心與Rio各獨立地為氫、Ci〜Qg之直鏈或支鏈烷 基、Q〜C]〇之芳基' C]〜Ci〇之直鏈或支鏈燒基胺基、Q〜CI0 之直鏈或支贿絲、Cl〜〜之錢或支舰基苯、或胺 R9與各獨立地為氫、c】〜C⑴之直鍵或支鍵院基、 6 τΓ之Cl〜ClG之直鏈或支鏈⑥基胺基、或胺基； 支鏈硫2絲^之錢蚊_絲、或Q〜Q之直鏈或 之亩HRl4各獨立地為Cl〜C5之直鏈或支鏈烧基、Cl〜Q 2鏈或支鏈麟基、C6〜CK絲、或㈣之技氧基 烷基’而且R13與R】4可彼此鍵結形成雜 〜與!!3各獨立地為〇或1之整數、 η?與114各獨立地為〇至4之整數. η5為1或2之整數; η6為1至4之整數; η7為0至4之整數; Χι 為 S、Ο 或 Ν; 7/30 i 201109868 X2 為 N; X3為CH或N; X4 為 CH2、S、O、或 NH;及 Y為羥基或胺基。 【實施方式】 以下詳述本發明。 依照本發明之用以剝除銅或銅合金光阻之組成物包 含⑻至少一種胺化合物，及(b)至少一種有機溶劑。 該組成物包含之(a)至少一種胺化合物係選自由下式1 至5表示之化合物： <式1>

<式2>

<式3> 0

8/30 201109868 <式4>

<式5>

烷基; 心與&各獨立地為C】〜C】Q之直鏈或支鏈伸 基； r2 R3與尺6各獨立地為氫、或C广Cio之直鏈或支鏈烷 N R〇 p . 鍵烧臭c ^ 1G各獨立地為氫原子、Ci〜C1Q之直鏈或支 r r 6〜ClG之芳基、C广c1()之直鏈或支鏈烷基胺基、 鏈羥烷基、CcCio之直鏈或支鏈烷基 =〜ho之直鏈或支 笨、或胺基； /、Rll各獨立地為氫原子、CfQo之直鍵或支鍵烧 基、C6〜C1()之芳基、Cl〜CiQ之直鏈或支鏈烷基胺基、或胺 基； R】2為Ci〜C4之直鍵或支鍵每院基、或C!〜C4之直鍵或 支鍵硫院基； 心3與R!4各獨立地為C广C5之直鏈或支鏈烷基、Q〜c4 9/30 201109868 之直鏈或支鏈羥烷基、c6〜C1G之芳基、或CcCj之烷氧基 烷基，而且R13與R14可彼此鍵結形成雜環； ηι與n3各獨立地為0或1之整數； n2與n4各獨立地為0至4之整數； n5為1或2之整數； n6為1至4之整數； n7為0至4之整數； X!為 S、Ο 或 N; X2 為 N; X3為CH或N; X4為CH2、S、〇、或NH;及 Y為羥基或胺基。. 至少一種胺化合物(a)按組成物之總量計包含0.1至30 重量％，較佳為1至10重量％之量。在至少一種膝化合物 (a)之量符合以上範圍時，組成物對變性光阻具有優良之剝 除力，而且可防止沉積在光阻底側上之導電性金屬膜腐蝕。 由上式1表示之胺化合物可選自N-(2-羥丙基）嗎啉、 N- ( 2-經乙基）嗎琳、N-胺基丙基嗎琳、經乙基派嗪、經 丙基哌嗪、與1- (N-甲基哌嗪）乙醇。 由上式2表示之胺化合物可選自1-哌嗪乙胺、1-哌嗪 丙胺、1-派嗪異丙胺、與1- (2-羥乙基）哌嗪。 由上式3表示之胺化合物可選自N- (2-羥乙基）伸乙 脲、N- ( 3-經丙基）-2-σ比咯咬酮、經曱基°比咯σ定酮、與經 乙基吡咯啶酮。 由上式4表示之胺化合物可選自Ν-哌啶乙醇與1,4-二 曱基σ底唤。 10/30 201109868 由上式5表示之胺化合物可選自二甲胺基乙氧基乙硫 醇、二甲胺基乙氧基丙硫醇、二丙胺基乙氧基丁硫醇、二 丁胺基乙氧基乙醇、二甲胺基乙氧基乙醇、二乙胺基乙氧 基乙醇、二丙胺基乙氧基乙醇、二丁胺基乙氧基乙醇、N_ (2-甲氧基乙醇）嗎啉、N- (2-乙氧基乙醇）嗎啉、與N-(2-丁氧基乙醇）嗎啉。 用以剝除銅或銅合金光阻之組成物包含之(b)至少一種 有機溶劑包含使得組成物之總量為丨〇〇重量％之剩餘 量。有機溶劑可包括一或多種選自亞砜、砜、醯胺、内醯 胺、咪唑啶酮、二乙二醇一烷基醚、多羥基醇、與彼等衍 生物。在二乙二醇一烷基醚之情形，烷基為丨至6個碳原 子之低碳院基。 亞石風之實施例可包含二曱基亞颯等，及;5風之實施例可 包含一甲基石風、二乙基爾<、家（2-經乙基）硬、環丁礙等。 醯胺之實施例可包含Ν,Ν-二曱基曱醯胺、N-曱基曱醯胺、 Ν，Ν·二甲基乙醯胺、Ν-曱基乙醯胺、ν,Ν-二乙基乙醯胺等， 及内酿胺之實施例可包含Ν-甲基-2-°比°各咬_、Ν-乙基-2_ °比咯啶酮、Ν·丙基-2-吡咯啶酮、Ν-羥曱基-2-吡咯。定酮、 羥乙基-2-吡咯啶酮等。咪唑啶酮之實施例可包括二甲 基-2-咪唑啶酮、ι，3-二乙基_2-咪唑啶酮、l，3-二異丙基 咪唑啶酮等。二乙二醇一烷基醚之實施例可包括乙二醇、 乙二醇一曱基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙 二醇一甲基趟乙酸酯、乙二醇一乙基醚乙酸酯、二乙二醇、 二乙二醇一曱基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙義 醚、與二乙二醇一丁基醚。 土 依照本發明之用以剝除銅 或銅合金光阻之組成物可進 201109868 =3⑷至少—種添加劑。⑻至少—種添加劑可 還用二—触化合物、至少—觀絲化合物、至選 =、劑、與至少一種錯合物之一或多者、二1 使配置在光阻下部之導電性金屬膜及絕 量 % =為 囹士 里里/〇之里。在添加劑之量符合 ^ ’組·可使配置在触躺上 =上範 緣膜之損壞最小，而且具有高經濟辟。以^與及絕 坐化合物可具有三。铸。存在於三。綺中 一、用電子對係與銅鍵結，如此控制金屬腐餘。此外子的 =經基苯化合物控制歸因於驗溶液之金屬腐麵^ 萄被經基苯化合物之苯環的羥基吸收。 為金 唾化合物可選自甲苯基三唾、⑴-苯并三。 -、1，2,4_三。坐、3·胺基_u，4•三唾、4_胺基,仏 唾、1-縣苯并三唾、"基苯并三唾、2•曱 ，2木三 甲基笨并三唾、笨并三衫_碳_、硝絲并—、 2- (2H-苯并三唾_2-基）♦二第三丁基盼。〜生、與 經基苯化合物可選自兒茶紛、氫酿、五倍子 子酸、五倍子酸甲能、五倍子酸乙酿、五倍子、五倍 五倍子酸異丙酯、與五倍子酸正丁酯。 丙鲳、 還原劑可選自異抗壞血酸、維生素c與…生育酚 錯合物可選自順丁烯二_•鈦、乙醇酸鈉_^、乳; -鍅、乳酸斜-錄、乙醇酸卸_錯、與順丁烯二酸鉀-鈦。夂、’ 依照本發明用以剝除銅或銅合金光阻之組成物可進一 步包含⑷水’水為半導體程相去軒水，而且可具有 12/30 201109868 18毫歐姆.公分或更大之電阻率。 以剝除鋼或鋼合金光阻之組成物可應用 於次泡型剝除、早一型剥除及嘴灑型剝除。此外組成物可 =地:顯著地去除因精密的微影術或濕式則而劣化及 =之先_ ’即使是在低與高溫於短時間内。同時，通 :在不使用異丙醇（其為中間清潔劑㈣㈣起 m 水直接清洗紐時，其將光_除組成物 中之域w合水*產生具㈣舰力之驗性祕離子， 如此加速顧由銅、銅合金#形成之導金屬膜。然而 依照本發日相以去__合金紐之㈣物不使用 醇:而可同時使配置在光阻底側上之導電性金屬膜（蝴 ^線、銅合金配線等）及絕緣膜（如氧化石夕膜、氣切膜 导）之腐餘最小。 ' 以下參考下列實施例而更詳細地敘述本發明。然而下 列實施例係敘述以更詳細地闡述本發明，而本= 不受其限制。 x库已固 使用以下表1所示之成分及組成比例製備用以去 或銅合金光阻之組成物。 Μ 13/30 5 201109868 【表1】 類別 胺化合物 (重量％) 溶劑 (重量％) 添力 (重i 口劑 t%) 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 實施例1 NPE 8 NMP 11 DMAc 50 DMF 30.8 TTA 0.2 - - 實施例2 NPE 5 NMP 25 - - NMF 69.9 TTA 0.1 實施例3 HEM 5 NMP 20 DMAc 30 NMF 44.5 TTA 0.5 - - 實施例4 APM 3 NMP 20 DMAc 50 NMF 26 CAT 0.5 BTA 0.5 實施例5 APM 5 NMP 15 DMAc 40 DMF 38 GA 1 TTA 1 比較例1 MEA 10 BDG 20. DMAc 42 NMF 27.5 CAT 0.5 - - 比較例2 MEA 8 TEG 20 DMAc 40 NMP 30 CAT 1 BTA 1 比較例3 NMEA 8 BDG 24 NMP 32 NMF 35.7 GA 0.3 - - 比較例4 TEA 7 NMP 12 DMAc 40 NMF 40 CAT 0.3 TTA 0.7 比較例5 DMEA 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 30 GA 1 TTA 1 比較例6 DGA 10 BDG 30 DMAc 30 NMF 28 CAT 1 TTA 1 NPE: 1- (N-甲基哌嗪）乙醇 HEM: N- (2-羥乙基）嗎啉 TEA:三乙醇胺 DMEA:二乙基乙醇胺 ΑΡΜ: N-胺基丙基嗎啉 MEA:單乙醇胺 NMEA: N-曱基乙醇胺 DGA:二甘醇胺 NMP: N-曱基-2-吡咯啶酮 DMF: Ν，Ν·二曱基曱醯胺 BDG: 丁基二乙醇 TEG:三乙二醇 NMF: Ν-甲基曱醯胺 DMAc: Ν,Ν-二曱基乙醯胺 CAT:兒茶酚 G A:五倍子酸 14/30 201109868 TTA:甲苯基三0坐 ΒΤΑ· 1，2,3-笨并三0坐 按以下方式，使用在實施例1至5及比較例1至6掣 備之用以剝除銅或銅合金光阻之組成物，測量銅配線之 除力及腐飯程度。 ’ 1.銅配線之評估 在TFT-LCD用電路之製造中，在玻璃基板上形成厚度 為200〜湖&之單金輕及多合金膜，然後在其上形成厚 度為3_埃之鋼(Cu)層。繼而在銅(Cu)層上塗佈正型光 阻’然後藉微影術鶴形成触_，織進行 因而提供樣品。 1)剝除力 施例⑴及比較例】至6製備之用以刻除鋼 flit組成物維持在机，然後將提供之樣品在 ^分別浸潰ι〇分鐘以去除光阻圖案。繼而將樣品以 超純水清洗60秒及以氮乾燥。繼而以放大率為4〇，_至 〇’〇〇^之％發射掃描式電子顯微鏡(限s 品之光阻的剝除程度，及將其結果示於以下表2。樣 2)腐蝕評估_1 或铜t 1至5及比較例1至6製備之用以剝除鋼 蚊組成物維持在Μ，賴將提供之樣品在 ^成物h财潰1G分鐘、繼而將樣品讀純水清洗恥 c乾燥。繼而以放大率為40，_至8〇，_ ΙΓ2Γ微鏡(FE.SEM)觀察各乾燥樣品之表面、= /、切面的腐錄度，及將其結果^钉表2。在此情形， 15/30 5 201109868 藉以下表2騎之鮮評估其腐健度。 3)腐蝕評估-2 心=在實施例1至5及比較例1至6製備之肋剝除銅 tit阻之組成物維持在7(rc，然後將提供之樣品在 =射分職漬1G分鐘。、咖雜如超財清洗30 心及以虱乾焯。繼而將剝除程序連續地進行3 3，紗4、 放大率為40,000至80，_之場發射掃 ^ =奴从 察各乾燥樣品之表面、側面與==^鏡 又及將其結果不於以下表2。在此情形，' % 之標準評估其腐細度。 _下表 【表2】 一 丨 ____ - 腐餘評估

※剝除評估之標準 ◎:剝除性能優良 〇·剝除性能佳 △:剝除性能不佳 X:剝除性能差 16/30 201109868 ※腐钱評估之標準 ◎:鋼(Cu)層、下金屬膜與下合金膜之表面與側面&入 未被腐蝕 、 &王 〇：鋼(Cii)層、下金屬膜與下合金膜之表面與 微地腐蝕 攸柏 △:銅(Cu)層、下金屬膜與下合金膜之表面與側面被 分地腐餘 X:銅(Cu)層、下金屬膜與下合金膜之表面與側面被 全地且嚴重地腐餘 參考表2可知，在使用實施例丨至5製備之組成物時， 樣品之表面、側面與切面完全未被腐蝕，而且得到乾淨之 圖案。 及比較例7至12:光阻剝除組成物夕率 ft 使用以下表3所示之成分及組成比例製備用以剝除金 或銅合金光阻之組成物。 17/30 201109868 【表3】 類別 胺化合物 (重量％) 溶劑 (重量％) 添力 (重i 口劑 fc%) 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 實施例6 HEP 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 32 - - _ 編 實施例7 NPE 5 NMP 20 DMAc 30 NMF 45 - - - - 實施例8 HEP 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 31 TTA 1 - - 實施例9 HEP 5 NMP 25 - NMF 69.9 TTA 0.1 實施例10 NPE 5 NMP 20 DMAc 30 NMF 44.5 TTA 0.5 - - 實施例11 HPP 3 NMP 20 DMAc 50 NMF 26 CAT 0.5 BTA 0.5 實施例12 HMP 5 NMP 15 DMAc 40 DMF 38 GA 1 TTA 1 比較例7 MEA 10 BDG 20 DMAc 40 NMF 28 CAT 2 - - 比較例8 MEA 8 TEG 20 DMAc 40 NMP 30 CAT 1 BTA 1 比較例9 NMEA 8 BDG 24 NMP 32 NMF 35 GA 1 - - 比較例10 TEA 7 NMP 12 DMAc 40 NMF 40 CAT 0.3 TTA 0.7 比較例11 DMEA 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 30 GA 1 TTA 1 比較例12 DGA 10 BDG 30 DMAc 30 NMF 28 CAT 1 TTA 1 HEP:經乙基°比嘻σ定酮 ΝΡΕ: N-派σ定乙醇 HPP· Ν- (j-經丙基）-2-。比鸣定酉同 ΗΜΡ:經甲基。比嘻σ定酮 TEA:三乙醇胺 DMEA:二乙基乙醇胺 MEA:單乙醇胺 NMEA: N-曱基乙醇胺 DGA:二甘醇胺 NMP: N-曱基°比°各σ定酮 DMF:二甲基甲醯胺 BDG: 丁基二乙醇 TEG:三乙二醇 DMAc:二甲基乙臨胺 NMF: N-曱基甲醯胺 18/30 201109868 C AT:兒茶齡 GA·五倍子酸 TTA.甲本基三η坐 BTA: 1，2,3-苯并三。坐 BDG: 丁基二乙醇 jgjj式例2:爸蓋遊徵之評估 按以下方式，使用在實施例6至12及比較例7至 製備之用㈣j除銅或銅合金光阻之組成物，測量鋼配線之 1·銅配線之評估 在TFT-LCD用電路之製造中，在玻璃基板上形成厚声 為200〜埃之單金屬膜及多合金膜，然後在其上形成^ 度為3000埃之銅(Cu)層。繼而在銅(Cu)層上塗佈正 阻’然後祕影術錢形成光阻_，紐進行 因而提供樣品。 1) 剝除力 將在實施例6至12及比較例7至12製備之用以剝除 銅或銅合金光阻之組成物轉在贼，錢將提供之樣品 在組成物中分別浸潰1〇分鐘以去除光阻随。繼而將樣品 以超純水清洗60秒及以氮乾燥。繼而以放大率為4〇，_至 80,000之場發射掃描式電子顯微鏡(fe_sem)觀察各乾燥樣 品之光阻的剝除程度，及將其結果示於以下表4。 2) 腐蝕評估-1 將在實施例6至12及比較例7至12製備之用以剥除 銅或銅合金絲之域轉持在贼，然後將提供之樣品 在組成物中分別浸潰10分鐘。繼而將樣品以超純水清洗3〇 19/30 201109868 秒及以氮乾燥1而減大率為4〇，_至8M() 掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)觀察各乾燥樣品之表面^射 程度’及將其結果示於以下表4。在此情形面 猎以下表4顯示之標準評估其腐蝕程度。 3)腐蝕評估_2 將在實施例6至〗2及比較例7至12 # 銅或銅合金級之域物_在听，剝除 在組成物中分黯漬1G分鐘。繼㈣樣 、/、之樣品 放大率為40，_至80，_之場發T = ’然後以 卿腕)觀察各乾燥樣品之表面、微鏡 程 不 度，及將其結果示於以下表4。在此情形，；腐钱 之標準評估其腐蝕程度。 碏以下表4顯 【表4】

※剝除評估之標準 20/30 201109868 ◎:剝除性能優良 〇：剝除性能佳 △:剝除性能不佳 X:剝除性能差 ※腐蝕評估之標準 ◎:銅(CU)層、下金屬膜與下合金膜之表面與側面完全 未被腐蝕 〇:鋼(〇〇屠、下金屬膜與下合金膜之表面 微地腐蝕 明 分地t銅(cu)層、下金屬膜與下合金膜之表面與側面被部 X:銅(CU)層、下金屬膜與下合金膜之表面與 全地且嚴重地腐蝕 參考表4可知，在使用實施例6至u製備 表面、側面與切面完全未被雜，而且得到乾^ 製備 物之 或銅== 之成分及一1製備用以剝除銅 21/30 201109868 【表5】 類別 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 實施例13 DMAET 8 NMP 11 DMAc 50 DMF 30.8 TTA 0.2 - 實施例14 DBAET 10 NMP 11 DMAc 48 DMF 30.8 TTA 0.2 - - 實施例15 DMAEE 5 NMP 5 - - NMF 89.9 TTA 0.1 實施例16 DBAEE 5 NMP 16 DMAc 48 NMF 30.8 TTA 0.2 - - 實施例17 DMAEE 3 BDG 20 DMAc 50 NMF 26 CAT 0.5 BTA 0.5 "fk例 18 DBAEE 5 BDG 15 DMAc 40 DMF 38 GA 1 TTA 1 比較例13 DGA 10 BDG 30 DMAc 30 NMF 29 - - TTA 1 比較例14 MEA 10 BDG 20 DMAc 42 NMF 27.5 CAT 0.5 - 比較例15 MEA 8 TEG 20 DMAc 40 NMP 30 CAT 1 BTA 1 比較例16 NMEA 8 BDG 24 NMP 32 NMF 35.7 GA 0.3 - - 比較例17 DEA 7 NMP 12 DMAc 40 NMF 40 CAT 0.3 TTA 0.7 比較例18 NMEA 65 DBM 0.9 BDG 24 DIW 10 BTA 0.1 - - DMAET:二曱胺基乙氧基乙硫醇 DBAET:二丁胺基乙氧基乙硫醇 DMAEE:二曱胺基乙氧基乙醇 DBAEE:二丁胺基乙氧基乙醇 MEA:單乙醇胺 NMEA: N-曱基乙醇胺 DEA:二乙醇胺 DGA:二甘醇胺 DBM:二（丁氧基甲基）胺基曱烷 NMP: N-曱基-2-吡咯啶酮 DMF: Ν,Ν-二曱基甲醯胺 BDG: 丁基二乙醇 TEG: 三乙二醇 NMF: Ν-甲基曱醯胺 DMAc: Ν，Ν-二曱基乙醯胺. CAT:兒茶酚 22/30 201109868 GA:五倍子酸 TTA: f苯基三唑 BTA: 1，2,3-苯并三唑 之評估 按以下方式，使用在實施例i 3至i 製傭之用以剝除鋼或銅合金光阻之組成物又旦至18 剝除力及腐蝕程度。 /、里銅配線之 1.銅配線之評估 在TFT-LCD用電路之製造中，在 為·〜埃之單金屬膜及多合金膜，錢== ，為_埃之銅㈣層。繼而在銅㈣層上塗佈 因而==雜乾轉成絲_，賴進行濕式_， 1) 剝除力 將固態光阻(PR)以按溶液之總量計為3重量％之旦，八 別溶於在實施例13至18及比較例13至里二 除鋼或銅合金光阻之组成物，贿維持在耽，然:: 供之樣品在組成物中分別浸漬！分鐘以去除光阻圖案。繼 而將樣品以超純水清洗6Q秒及以氮乾燥。繼^以放大率 40·至80,000之場發射掃描式電子顯微鏡(ρΕ•随)觀察 各乾燥樣品之光_齡程度，及將其結果示独下表6。 2) 腐蝕評估-1 將在貫施例13至18及比較例13至18製備之用以剝 除銅或銅合金光阻之組成物維持在航，然後將提供之樣 品在組成物t分職潰10分鐘。繼而將樣品以超純水清洗 3〇秒及以氮乾燥。繼而以放大率為4〇，_至8〇，_之場發 S. 23/30 201109868 射掃插式電子顯微鏡(FE-SEM)觀察各乾焯 面與切面的腐_度，及將其結果示於3二表二 形，藉以下表6顯示之標準評估其腐蝕程度。々 4月 3)腐钱評估_2 _ = 例13至18及比較例13至18製備之用以剝 阻之組成物維持在，C，然後將提供之樣 浸漬1分鐘。義贿如超純水清洗 ❼及乂虱乾燥。繼而將剝除程序連續地 以放大率為_)〇至筆之場發射掃描：= (FE-SEM)觀察各齡择媒 兩式包子顯被鏡 度，及將表j面與切面的腐餘程 度將…、、°果不於以下表6。在此情形，藉以 之襻準評估其腐蝕程度。 稭以下表6頰不 【表6】

5^(50^) 比較例18 ※剝除評估之標準 ◎:剝除性能優良 24/30 201109868 〇：剝除性能佳 △:剝除性能不佳 X:剝除性能差 ※腐蝕評估之標準 完全未發生銅(Cu)層之表面與側_電_ (Cu)層、下金屬膜與下合金膜間之電腐蝕 猶微地發生銅(Cu)層之表面與側面的電腐餘，及銅 (Lu)層、下金屬膜與下合金膜間之電腐蝕 △:部分地且嚴重地發生銅(Cu)層之表面與側面的電 腐钱’及銅(Cu)層、下金屬膜與下合金膜間之電腐蝕 X:完全地且嚴重地發生銅(Cu)層之表面與側面的電 腐蝕，及銅(Cu)層、下金屬臈與下合金膜間之電腐蝕 由表6所示結果可知，在實施例〗3至】8製備之組成 物具有優良之絲力，而且*發生銅(Cu)層之表面與側 面的電腐蝕、’及銅(Cu)層、下金屬膜與下合金臈間之電腐 钱。反之可知’在比較例13至18製備之一部分組成物呈 現優良之光阻剝除’但是完全地且嚴重地發生銅(Cu)層之表 面與側面的電腐蝕，及銅(Cu)層、下金屬膜與下合金膜間之 電腐钱。 【圖式簡單說明】 本發明之以上及其他目的、特點及優點由以上之詳細 說明結合附圖而更明確地被了解，其中： 第1圖為顯示一個使用本發明實施例15之剝除組成物 而自測試樣品去除其光阻之相片。 【主要元件符號說明】 益 S, 25/30

Claims (1)

1. 201109868 七、申請專利範圍： 1. 一種用以剝除銅或銅合金光阻之組成物，其包含： (a) 0.1〜30重量％之至少一種選自由下式1至5表示之化合 物的胺化合物；及 (b)其餘為至少一種有機溶劑： <式1> Y—RfN、 X—(R2)ni n2 (r3) <式2> HO-FU-N、jX24R5)ir3〇H (Re)n4 <式3>

   26/30 201109868 <式5> r13' Rl2 Rl4rf 烷基；1心與Rs各獨立地為Cr^Cu)之直鏈或支鏈伸 鏈院基；’、 獨立地為氧原子、或CcC!。之直鏈或支 尺7、R8與R 夂 鏈燒基、C!〜C 1〇獨立地為氫原子、Ci〜cig之直鏈或支 c‘之【鏈=芳基、C1〜C】。之直鏈或支鏈烷基胺基、 笨、或胺基.5支鏈羥烷基、C1〜C1G之直鏈或支鏈烷基 c p9’、R"各獨立地為氫、Ci〜C]Q之直鏈或支鏈烷基、 匕6〜匕1〇之芳其、r R 土、Ll〜C1G之直鏈或支鏈烷基胺基、或胺基； 去Μ為Cl〜C4之直鏈或支鏈羥烷基、或Ci〜C4之直鏈或 又鍵硫燒基； 之亩:、Rl4各獨立地為C]〜C5之直鏈或支鏈烷基、Cl〜C4 燒義鍵或支鍵魏基、C6〜C]G之芳基、或Ci〜c4之烧氧基 土而且R13與Ru可彼此鍵結形成雜環； ηι與巧各獨立地為〇或1之整數； 112與114各獨立地為0至4之整數； n5為1或2之整數； n6為1至4之整數； 117為〇至4之整數； χι 為 S、〇、或 N; X2 為 N; 27/30 201109868 X3為CH或N; x4 為 CH2、S、O 或 NH;及 Y為經基或胺基。 2. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中由上式丨表示之 胺化合物係選自N- (2-羥丙基）嗎啉、(2-經乙基） 嗎啉、N-胺基丙基嗎啉、羥乙基哌嗪、羥丙基哌嗪、與 (N-曱基旅嗪）乙醇。 3. 如申請專利範圍第1項之組成物，其中由上式2表示之 胺化合物係選自1-哌嗪乙胺、卜哌嗪丙胺、丨_哌嗪異丙 私、與1- (2-經乙基）旅嘻。 4‘如申請專利範圍第1項之組成物，其中由上式3表示之 胺化合物係選自N· (2-經乙基）伸乙腺、N_ (3_經丙基） _2-吡咯啶酮、羥曱基吡咯啶酮、與羥乙基吡咯啶酮。 X如申請專利範圍第1項之組成物，其中由上式4表示之 胺化合物係選自N-哌啶乙醇與1，4-二甲基哌嗪。 6. 如申請專利範圍第i項之組成物，其中由上式5表示之 胺化合物係選自二曱胺紅氧基乙硫醇、二曱胺基乙氧 基丙硫醇、二丙胺基乙氧基丁硫醇、二丁胺基乙氧基乙 ，、-甲胺基乙氧基乙醇、二乙胺基乙氧基乙醇、二丙 胺基乙氧基乙醇、二丁胺基乙氧基乙醇、N-(2-乙氧基乙 醇）嗎啦、與N_ (2_丁氧基乙醇）嗎琳。 ^ 7. 如申請專·圍第〗項之域物，其中該至少_ 溶劑⑻包括選自二曱基亞砜、二甲基砜、二乙基石風有二 (2-經乙基）砜、環丁石風、N，N_二甲基甲酿胺、n 二 醯胺、N，N-二甲基乙酿胺、N_甲基乙_、n队二^ 乙酿胺、N-甲基士鱗唆酮、义乙基_2_如各咬酉同了= 28/30 201109868 基-2-吼略啶鲖、N 口定酮、1 3-二甲| , 土 σ咬酮、N-經乙基-2-吼略 1，3_二異丙細、U·二乙基·2·紗定§同、 二醇-乙基醚、乙二::、乙二醇、乙二醇-甲基醚、乙 SI ' ^ - δ|— 7 «. —° 丁基醚、乙二醇一甲基醚乙酸 基醚、二乙二醇一7甘曰一乙一知、二乙二酵一甲 二醇一丁美醚 土醚、二乙二醇-丙基醚、與二乙 8. 9. 10. 11 丄I，構成群組之-或多者。 如申π專利範圍第1 進一步包含：Γ ^ 員、、且成物，其按組成物之總量計 選自至少-種:化=物10重量％之至少一種添加劑’包含 一種還原劑、與至少1種;^—軸基苯化合物、至少 如申請專利範圍第8項之7= 所構成群組之—或多者。 自〒苯基三唾123=，成物，其中射化合物係選 3-胺基-1，2,4-三唾、4·胺::二::’:，3:,唾、坐、 峻、i-曱基苯并三唾、2_甲：，_二唾、1-祕苯并三 苯并三唾__旨、、5·甲基苯并三。坐、 9 . ^ & 自I本开二唑、與2-(2Η-苯并三唑 -2-基）-4,6-二第三丁基酚所構成群组。 如申請專利範圍第8項之組 係選自兒茶酚、氫醌、五俨，、中叙基本化"物 甲醋、五倍子_、五:::正：：二::子醆 36匕彻Τ〜正丙®日、五倍子酸異丙 酉曰、與五仏子酸正丁酯所構成群組。 如申請專利範圍第8項之έ日士^ mu 成物，其中該還原劑係選自 異抗壞城、素C細.生㈣所構成群組。 如申請專利範圍第8項之組成物，其中該至少-種許人 物係選自順丁烯二賴|、乙醇__錯、乳酸納^ 礼酸卸-錯、乙醇酸鉀·錯、與順丁烯二酸鉀_鈑所構鱗 29/30 t 12. 201109868 13.如申請專利範圍第1項之組成物，其進一步包含水。 30/30