201109730 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種用於EUV波長範圍之鏡。另外，本發 明有關一種包含此鏡之用於微影的投影物鏡。此外，本發明 有關一種包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置。 【先前技術】 用於EUV波長範圍的微影投影曝光裝置，必須依賴以 下事實：使遮罩(mask)曝光或成像於影像平面中所使用的鏡 具有高反射率(reflectivity)，因為，首先，個別的鏡的反射率 值的乘積決定投影曝光裝置的總傳輸(total transmission)，及 因為’其次EUV光源在光功率(lightpower)上有所限制。 例如，從1；8 7,474,733 31，得知用於£〇¥波長範圍在 13 nm左右的鏡具有高反射率值。us 7,474,733 B1中顯示的 鏡對於多塗層（coating)具有高理論反射率值(theoretical reflectivity value)，其中最高反射率值的多塗層包含3〇個以 上矽及釕層(Ru/Si-多層)所形成的相同週期。 不過，有關這些鏡的缺點是，實際上並無法達成該等理 論反射率值，因為由矽及釕構成的交替層(altemating layer) 傾向於父互擴散(interdiffusion) ’因而在層轉變處發生對比損 失’進而導致反射率降低。 從US 6,396,900 B卜得知結合不同於矽及釕的化學元 素，防止此種不同材料混合的交互擴散障壁。在此例中， 201109730 US 6,396,900 B1提出，為了獲得最大反射率，使用厚度小 於0.35 nm的極薄障壁層(barrier layer)，因為於約13⑽之 波長’這些障壁層一般具有吸收效應(北8〇此6加#&(^。 另外，US 2005/0270648揭露用於EUV波長範圍約13 nm的鏡用於入射角達2〇。，這些鏡包含所謂的M〇/si多 層(Mo/Si多層）。 【發明内容】 因此發明之目的在於提供一種包含矽及釕層之用於 EUV波長範圍之鏡，也確保實際上此類層的高理論反射率 值。 尤其，本發明之目的在於提供此鏡，其對於13 311111與 13.7 nm間之波長，即使有不同的人射角，且同時入射角變 化很大，確保高反射率值。 根據本發明，利用具有施力。在基板上之層配置㈣沉
arrangement)之用於EUV波長範圍之鏡達成此自的，該層配 置包含多個侧層⑽ividual laye_形成的—週期性序列 (penochc sequence) ’其中週期性序列包含至少兩個形成一週 =個別層，其由⑨射了構成；其中至少-個_層由B4C 構成，具有厚度大於〇35_，尤其是大於〇4邮，位在由 矽及釕構成的個別層之間。 根據本㉟明’應明白，為防止石？及釕的交互擴散，需要 201109730 使用由b4c構成的障壁層，且同時，為了光學之故，必須 具有大於〇·35 nm的最小厚度，因為否則無法針對不同的入 射角形成高反射率值。 有利的是，用於EUV波長範圍之鏡在此例中應具有由 Ββ構成的障壁層，具有厚度小於1 nm，較佳是小於〇 8 nm，尤其較佳是小於0.6 nm，因為，對於障壁層的較大層 厚度(larger layer thickness)而言，因障壁層B而獲得的高反 射率值由於這些層在13 nm的吸收效應反而再度減少。 為了生產工程之故，尤其有利的是，如果在所有情況 下’厚度在0.4 nm與0.6 nm間之由B4C構成之相同厚度的 障壁層’位在由矽及釕構成的個別層之間，因為如此可避免 重新配置塗層程序(coating process)或塗層裝置。 同樣有利的是，由矽構成的個別層應具有厚度在4 nm 與7 nm之間，及由釕構成的個別層應具有厚度在2.5 nm與 4_5 nm之間。另外，覆蓋層系統(covering layer system)應終 止鏡的層配置’及在此例中包含由化學惰性材料構成的至少 一層’以保護鏡不受環境影響及所造成反射率損失。 另外，利用包含根據本發明之至少一個鏡的投影物鏡， 達成本發明之目的。 食〜根據本發明之鏡及根據本發明之投影物鏡的其他有利 、且恶在申請專利範圍附屬項的特徵中顯現。 201109730 史it匕外’利用根據本發明包含此投影物鏡之用於微影的投 衫曝光裝置，達成本發明之目的。 【實施方式】 ,圖1顯示根據本發明用於EUV波長範圍之鏡i的示意 =解’該鏡具有施加在基板s上的層配置p，該層配置包 3若干個別層所形成的—週期性序列’纟中職性序列包含 至少兩個形成一週期的個別層，其由石夕Si及釕RU構成；及 其中至少一/固障壁層B自BW構成，具有厚度大於〇·35 nm’尤其是大於〇 4 nm，位在由石夕丨及舒Ru構成的個別 層之間。在此例中，層配置p可包含所示Ru/Si個別週期的 多達100個週期。另外，在層配置p與基板s之間，可提供 間層(interlayer)或間層配置(interiayer抓吨咖⑽），用作層 配置的應力補償(stress compensation)。在圖1中，鏡i的層 配置p由作為終止層(terminating layer)的覆蓋層系統c終 止，其包含由化學惰性材料構成的至少一層，諸如、pi、 Pd、、Au、Si〇2等。對於諸如在含有圖6至9之示範性 具體實施例中所示矽層(Si)及釕(Ru)的層厚度，在投影物鏡2 之中央場點(central field point)的出射瞳(exit pupil)上方所圖 解之此鏡1的反射率，在出射瞳的所有位置上方具有多於 30%，見圖6至9。在此例中，對於根據圖6的示範性具體 實施例，在中央場點的整個出射瞳上方，可以有多於5〇%的 反射率值。在根據圖7至9的示範性具體實施例中，出射瞳 只有局部區域可以有上述反射率值。該等局部區域包含出射 目里的邊緣，但此邊緣對微影的成像理論極為重要。較佳是'， 201109730 用於EUV波長範圍之鏡1應具有由b4C構成的障壁層B， 具有厚度小於1 nm，較佳是小於0.8 nm，尤其較佳是小於 0.6 nm，因為，對障壁層b的較大層厚度而言，利用障壁層 B達成之反射率的優點反而減少。 圖2顯示根據本發明用於微影之投影曝光裝置之投影 物鏡2的示意性圖解’該投影物鏡2具有六個鏡1、u，包 括至少一個根據本發明的鏡1。用於微影之投影曝光裝置的 功能是’以微影方式將遮罩(mask)(又稱為光罩(reticle))的結 構’成像至影像平面(image plane)中的所謂晶圓上。為此目 的，圖2中’根據本發明的投影物鏡2將設置在物體平面 (〇1^(^1&1^)5中的物體場(0|^(^£!61(1)3，成像至影像平面7 中的影像場(image field)。載有結構的遮罩(為了清楚之故， 並未在圖中顯示)可設置在物體平面5中物體場3的位置。 為了定向，圖2顯示笛卡爾座標系統，其x軸指向圖平面中 的方向。在此例中’ x-y座標平面與物體平面5相符，z軸 垂直於物體平面5並指向往下的方向。投影物鏡具有光轴 9 ’但未穿過物體場3。投影物鏡2的鏡1、11具有設計表 面，相對於光軸為旋轉對稱。在此例中，該設計表面不得與 完成鏡的物理表面(physical surface)混淆，因為物理表面相 對於設計表面經過修整，以確保光能通過鏡。在此示範性具 體實施例中，孔徑光闌(aperture diaphragm)13設置在從物體 平面至影像平面之光路徑中的第二鏡11上。借助三條射 線，一條主要射線(principal ray)15及兩條孔徑邊緣射線 (aperture marginal ray)17、19，圖解投影物鏡2的作用；三 條射線全部來自物體場3的中心。相對於垂直於物體平面， 201109730 以6°角延伸的主要射線15，在孔徑光闌π的平面中，與光 軸9相交。從物體平面5觀看時，主要射線15看起來像在 入射瞳平面(entrance pupil plane)21中與光軸相交。這在圖2 中如通過第一鏡11之主要射線15的延伸虛線所示。因此， 孔徑光闌13的虛像’即入射瞳(entrancepUpii)，位在入射瞳 平面21中。同樣地，可在從影像平面7發出之主要射線15 的向後延伸中，以相同的做法找到投影物鏡的出射瞳。然 而，在影像平面7中，主要射線15平行於光軸9，及由此 可見這兩條射線的向後投影在投影物鏡2的前方無限遠處 形成交點，投影物鏡2的出射瞳因而在無限遠處。因此，此 投影物鏡2是所謂在影像側(image side)上為遠心的物鏡。物 體場3的中心位在與光軸9的距離R處，及影像場7的中心_ 位在與光軸9的距離！·處’以免對投影物鏡的反射組態 (reflective configuration)而言，出自物體場的輻射出現不想要 的漸暈(vignetting)。 β圖3顯示諸如在圖2所示投影物鏡2中出現之弧形影像 ^rcuate unage ίϊ_7α的平面圖，及笛卡爾座標系統，並 軸線對應於圖2的軸線。影像場7a是環形物的—段，^ 心通過光軸9與㈣平_交點。在所賴子中平均半炉 r為34 。影像場在y方向中的寬度d在此為2咖。 % 7a的中央場點被標示為影像場7 ==場也可以利用兩個二=限作= ’且在Υ方向中相對於彼此位移。如果 圍的方向（即在方向）方向在物體場較短範 9 201109730 圖4顯示在圖2之投影物鏡2從物體平面5至影像平面 7的光路控中’倒數第二鏡！之最大入射角(矩形)及入射角 間隔(，形辟位[。])，對照在各位置與光軸間之不同半徑或 距離(單位[mm])的示範性圖解。對具有六個用於EUV波長 範圍之鏡1、11的微影投影物鏡2而言，該鏡丨一般是必須 破保最大入射角及最大入射角間隔或最大入射角變化的那 個鏡。在本申請案的上下文中，應明白，入射角間隔或入射 角麦化疋，對於光學設計需求所要求與光軸的給定距離，鏡 的塗層所必須確保的在最大及最小入射角間的那個角 (單位：度）。 根據表1之投影物鏡的光學資料適用於圖4所依據的鏡 1。在此例中，根據以下非球面等式，依據個別鏡之非球面 點與光軸間的距離h(以單位[mm]來指示)’給定光學設計之 鏡1、11的非球面Z(h): Z(h) = ( rho * h2 ) / ( 1 + [ 1 - ( 1 + ky ) * ( rho * h )2 ]0'5) + Ci * h4 + c2 * h6 + c3 * h8 + c4 * h10 + c5 * h12 + c6 * h14 其中鏡的半徑R= 1/rho，及參數有ky、Cl、c2、c3、c4、c5、 及在此例中’ §亥專參數h根據[l/mm2n 2]，針對單位[mm] 進行標準化，致使非球面Z(h)為距離h(單位也是[mm])的 函數。 L村過圖2的表 半fe R (單位[mm]) 到下一個表面的距 C„的非球面參數(單位 201109730 面命名 離(單位[mm]) [l/mm2n+2]) 物體平面5 無限遠 697.657821079643 第一鏡11 -3060.189398512395 494.429629463009 ky = 〇.〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇E+00 c, = 8.46747658600840E-10 c2 = -6.38829035308911E-15 c3 = 2.99297298249148E-20 c4= 4.89923345704506E-25 c5 = -2.62811636654902E-29 c6 = 4.29534493103729E-34 第二鏡11 --光闌 -1237.831140064837 716.403660000000 ky = 3.05349335818189E+00 c, = 3.01069673080653E-10 c2 = 3.09241275151742E-16 c3 = 2.71009214786939E-20 c4 = -5.04344434347305E-24 c5 = 4.22176379615477E-28 c6 = -1.41314914233702E-32 第三鏡11 318.277985359899 218.770165786534 ky = -7.80082610035452E-01 c, = 3.12944645776932E-10 c2 = -1.32434614339199E-14 c3 = 9.56932396033676E-19 c4 = -3.13223523243916E-23 c5 = 4.73030659773901 E-28 c〇 =-2.70237216494288E-33 201109730 第四鏡11 -513.327287349838 892.674538915941 ky = -1.05007411819774E-01 cI = -1.33355977877878E-12 c2 = -1.71866358951357E-16 c3 = 6.69985430179187E-22 c4 = 5.40777151247246E-27 c5 = -1.16662974927332E-31 c6 = 4.19572235940121E-37 鏡1 378.800274177878 285.840721874570 ky = 〇.〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇〇E+00 c, = 9.27754883183223E-09 c2 = 5.96362556484499E-13 c3= 1.56339572303953E-17 c4 = -1.41168321383233E-21 c5 = 5.98677250336455E-25 c6 = -6.30124060830317E-29 第五鏡11 -367.938526548613 325.746354374172 ky= 1.07407597789597E-01 c, = 3.87917960004046E-ll c2 = -3.43420257078373E-17 c3 = 2.26996395088275E-21 c4 = -2.71360350994977E-25 c5 = 9.23791176750829E-30 c6 = -1.37746833100643E-34 影像平面7 ------ 無限遠 表丨：根據圖2設計的示意性圖解’關於圖4之鏡1的 入射角的光學設計資料。 12 201109730 的間24°及__ U° ★在鏡1的不同位置處。因此’鏡的層配置必 同位置’針對不同入射角及不同入射角間隔，產 松了_ d二值，因為否則無法確保達成投影物鏡2的高總傳 :位L :，藉由舉例的方式，使用長條23標記鏡1之若 的相關聯的特料徑或狀距離，其具有約21。 隔。該射角間隔長度為u。的相關聯入射角間 中圓圈23a(以、中對應於劃影線區(hatched regi〇n)20 光學利用區2〇 )的位置；劃影線區20代表鏡1的 路徑ΐ影物鏡2之物體平面至影像平面的光 軸9為中心的的完整基板8顯示為平面圖中關於光 勺r“的實線圓圈。在此例中旦 應於基板的對稱軸9。另外，在圖5 ^物鏡2的光軸9對 20 ’該區相對於光軸偏移，被描皆’鏡1的光學利用區 仏以虛線方式終在此财線部分，及圓圈 區内的部分，對應於鏡】在圖4中在光學利用 置。因此，根據圖4的資料，鏡丨斤不長f 23標識的位 以。及最小人㈣^ ^者最大入射角 入射角間隔具有間隔長二=:=例中，由於 形成最小入射角約10。。在圖5 t，圖攸取大入射角21。 頭26的尖端，及以針對人射角2 =針對人射角10。的箭 調虛線圓圈上出現上述兩個入射角極二頭25的尖端，來強 而的位置。由於層配置 201109730 p沒有高技術花㈣無法在基板s的若干位置上進行局部變 化，及層配置一般相對於基板的對稱軸9旋轉對稱地施加， 圖5中沿著虛線圓圈23a若干位置的層配置P包含同一個層 配置P，諸如圖1中以其基本構造顯示，並參考圖7至9， 以特定示紐具體實補的形式加崎說。在關中應考 慮相對於具有層配置P之基板s的對稱軸9，基板s的旋轉 對，塗層具有以下效應：在鏡的所有位置處，維持層配置p 之這些層的嚴格週期性序列，及只有取決於與對稱轴之距離 的層配置的週期厚度’才需要在基板s上的旋轉對稱輪廊。 只有在關於圖6的層配置示範性具體實施例中，為了比較， 才才曰示層配置具有層配置對稱轴相對於基板S的對稱轴9的 位移。在此例中’同樣地’在鏡〗的所有位置處維持層配置 的嚴格週期性序列。與圖5中沿著虛線圓圈2允的另一示範 性具體實_相比，由於肢置對雜相對於基板的對稱軸 9的位移，所以在關於圖6之此示範性具體實施例中，只有 層配置的厚度不再固定不變。 圖6顯示在投影物鏡2之中央場點的出射瞳上方，所圖 解的根據本發明之鏡1的反射率。在此例中，在根據圖2之 投影物鏡2從物體平面5至影像平面7的光路徑中，鏡i位 在投影物鏡2在影像平面7前之這些鏡卜u的倒數第二個 位置。在此例中，在圖5中以劃影線方式顯示的光學區中， 鏡1必須確保圖4所不入射角。在根據表]之投影物鏡2的 光學設計中’基於鏡1的位置’以界定這些入射角。 根據本發明關於圖6的鏡丨包含層配置p，由包含5 4348 201109730 nm Si、0.4 nm B4C、3.0701 nm Ru 及 0.4 nm B4C 之一個別 週期的23個週期形成。另外，鏡1包含覆蓋層系統c，由 5.4348 nm Si、0.4 nm 及 3.0701 nm Ru 形成，並終止層 配置P。 另外，為了獲得圖6中所示反射率值，根據本發明之鏡 1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於以下調整函數 (modulation function)，沿著鏡表面變化其厚度Des : DEs(x,y)= Deso * (K1+ K2 * x2 + K4 * ( y - K3 )2) 其中’層配置中個別層的上述厚度Des〇單位為[nm]及 K1 = 0.920177068719E+000， K2 = -0.262733379546E-005 /mm2 » K3 = 0.203407200000E+003 mm，及 K4 = -0.262733379546E-005 / mm2。 因此，關於圖6示範性具體實施例之層配置p的厚度， 在基板S上方具有拋物線輪廓，在其中，層配置p厚度朝基 板邊緣減夕、，及層配置P的對稱軸在y方向中，相對於基 板S的對稱軸9位移約203 mm。 在圖6中，為了定向’將數值0.3分配給出射曈的邊緣。 另$在圖6中，以不同程度的點狀顯示出射瞳中具有不同 ，射，值的區域，目6中的反射率值在α54或54%與〇64 或64%之間。因此，在圖6中可以看出，在出射曈的所有位 201109730 置上，實現所指定之層設計之大於50%的反射率。在此例 中，應考慮的是，層設計確保圖4中不同入射角及不同入射 角間隔的這些反射率值，因為，在考慮鏡丨在投影物鏡2之 中央場點之出射曈中的反射率時，該等入射角及入射角間隔 包括在圖6的反射率的圖解中。就此而言，關於圖6所指定 的層设計確保入射角達24。時，反射率值大於5〇〇/0。另外， 所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度達u。時，反 射率值大於50%。 *使用表2所才曰示的複折射率(complex refractive)n = η -i*k’針對所用波長13 511111的材料計算圖6至9中所圖解 的反射率值。在此财’騎慮的是，真實鏡的反射率值姑 果比圖6至9所示的理論反射率值低，因為尤其是真實薄層 的折射率縣2巾所提讀財所偏差。
η 0.973713 0.999362 0.963773 0.889034 1 表2 :針對13.5 k_ 0.0129764 0.00171609 0.0051462 0.0171107 0 k/n_ 0.0133 0.0053 0.0070 0.0192 0.0000 nm所採用的折射率n = n - i*k 沾j ^對應於圖6的方式顯示在投影物鏡2之中央場點 Λ麻里上方，所圖解的根據本發明的另一鏡的反射率，其 干盾配置P由句冬& 15nmSi、〇.4nmB4C、4.3691nmRu 及 0.4 nm ΒΛΓ"令 ym „, r _0/ΙΛ 之一個別週期的25個週期形成，及其中由 6.7949 nm Si、〇 4 nm ο ρ • B4C及3·5 nm Ru所形成的覆蓋層系統 16 201109730 c終止層配置。 另外，為了獲得圖7中所示反射率值，根據本發明之鏡 1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於上述調整函 數，沿著鏡表面變化其厚度DES。在此例中，針對關於圖7 示範性具體實施例之層配置P的參數K1至K4，以下值成 K1 = 0.651952190741Ε+000， K2 = -0.201085612884Ε-004 /mm2， K3 = O.OOOOOOOOOOOOE+OOO mm，及 K4 = -0.201085612884Ε-004 /mm2 因此，關於圖7示範性具體實施例之層配置p的厚度， 在基板S上方具有拋物線輪廓，在其中，層配置p厚度朝基 板S邊緣減少，及層配置p的對稱軸與基板s的對稱軸$ 相符。 在圖7中可以看出，在出射瞳的所有位置上，實現所指 疋的層S又af之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖7 中光瞳(pupil)的邊緣(對成像理論很重要)以關於圖6的示範 性具體實施_相同方式，具有反射率大於鄕。就此而 言，關於圖7所指定的層設計確保入射角達以。時，反射率 值大於30%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間 隔長度達11°時，反射率值大於3〇〇/^。 圖8以對應於圖6的方式，顯示在投影物鏡2之中央場 201109730 點的出射瞳上方，所圖解的根據本發明的另一鏡的反射率， 其中層配置 P 由包含 6,6203 nmSi、0.4nmB4C、4.3688nmRu 及0.4 nm BW之一個別週期的25個週期形成，及其中由 6.6203 nm Si、〇.4 nm bw 及 3 54〇7 nm Ru 形成的覆蓋層系 統C終止層配置。 另外，為了獲得圖8中所示反射率值，根據本發明之鏡 1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於上述調整函 數二沿著鏡表面變化其厚度Des。在此例中，針對關於圖8 示範性具體實施例之層配置P的參數K1至K4，以下值成 立： Κ1 = 0.651948722164Ε+000， Κ2 = -0.201333506323Β-004 /mm2 » K3 = 0.000000000000E+000 mm，及 K4 = -0.201333506323E-004 /mm2 因此，關於圖8示範性具體實施例之層配置p的厚度， 在基板S上方具有拋物線輪靡；在其中，層配置p厚度朝基 板S邊緣減少，及層配置p的對稱轴與基板s的對稱軸9 相符。 在圖8中可以看出’在出射瞳的所有位置上，實現所指 定的層設計之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖8 中光瞳的邊緣(對成像理論彳艮重要)以關於圖6的示範性具體 實施例的相同方式’具有反射率大於50%。就此而言，關於 圖8所指定的層設計破保入射角達24。時，反射率值大於 201109730 間隔具有間隔長度 3〇%。另外，所指定的層設計確保入射角 達11°時，反射率值大於3〇%。 點的出射^=於圖6的方式，顯不在投影物鏡2之中央場 點的出射瞳上方，所圖解的根據琢 其中層配置P由包含4 1755 nm=V^另鏡的反射率’ a Λ/Ι Ώ 匕s .m5nmSl、0.4nmB4C、2.6914nmRu 4!7^'广一個別週期的23個週期形成，及其中由 4.1755 nm Si ' 〇 4 nm R.r η ο <〇i ^ T w 統c終止層配置 观“鳴形成的覆蓋層系 另外’為了獲得圖9中所示反射率值 1之層配置的個別層根據圖5座標系統，= 數，沿著鏡表面變化其厚度Des。在此如述調整函 示範性具體實施例之層配置Ρ的來在數==對關於圖9 立： /数幻至以’以下值成 ΚΙ =0.100032068804Ε+00ΐ , Κ2 =-0.309146083180E-004/mm2 , Κ3 = Ο.ΟΟΟΟΟΟΟΟΟΟΟΟΕ+ΟΟΟ mm，及 Κ4 = -0.309146083180Ε-004 /mm2
八肢負她例之層配置P 在基板S上方具有拋物線麵；在其巾，層;^度’ =邊緣減少，及層配置P的對稱軸與基板S的以基$ 在圖9中可以看出， 在出射瞳的所有位置上，實現所指 19 201109730 疋的層a又3十之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖9 中光瞳的邊緣(對成像理論很重要)以關於圖6的示範性具體 實方β例的相同方式，具有反射率大於5〇%。就此而言，關於 圖9所指定的層設計確保入射角達24。時，反射率值大於 30%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度 達11°時’反射率值大於30%。 圖式簡單說明】 中 本毛月示範具體實施例係參考圖式力^以詳細解說，圖 圖1顯示根據本發明之鏡的示意性圖解； 圖2顯示根據本發明用於微影之投影曝 物鏡的示意性圖解； π刃仅办 圖3顯示投影物鏡之影像場的示意性圖解； ，4顯示最大入射角及入射角間隔對照投影物鏡中 根據本發明之鏡的位置與光軸間的距離的示範性 圖5顯示根據本發明之鏡的基板 与 部分)的示#性圖解； 圖6顯示在投影物鏡射央影像場點之出 纽例之鏡之反射率值的示意性_; 據第施例之鏡之反射率值的 圖.，，·員不在扠釤物鏡對中央影像場點之屮 據第性施例之鏡之反射率值的示意】圖解:ΐ 圖頌不在技衫物鏡對中央影像場點之 據第四示咖體實施例之鏡之反射率值的示^圖解，。根 20 201109730 【主要元件符號說明】 卜11 :鏡 2 :投影物鏡 3 :物體場 5 :物體平面 7 :影像平面 7a :影像場 9 :光軸 13 :孔徑光闌 15 :主要射線 17 :孔徑邊緣射線 20 :光學利用區 21 :入射瞳平面 23a :圓圈 B :障壁層 C :覆蓋層系統 P :層配置 S :基板