TW201103176A - Light emitting device and light emitting module - Google Patents

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TW201103176A
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resin
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emitting
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TW99104265A
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Hiroshi Uchida
Masanao Hara
Takaki Yasuda
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Showa Denko Kk
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Description

201103176 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種使用發光元件之發光裝置及發光模 組。 【先前技術】 近年來，著重於使用發光二極體之發光裝置的進步， 除液晶之背光、大型顯示裝置外，亦使用於汽車的前燈或 室內外之照明器具。 特別是集中注目於作爲短波長光發光元件用半導體材 料之GaN系化合物半導體材料。由於藉由GaN系化合物半 導體材料之發展，可得短波長之光，故使用該物激發螢光 體，可得多種形態的波長光。特別是可由發光二極體得到 白色光時，GaN系化合物半導體爲不可欠缺者。
GaN系化合物半導體係以藍寶石單結晶爲始、以各種 氧化物或III-V族化合物作爲基板，藉由有機金屬氣相化 學反應法（MOCVD法）或分子線定向附晶生長法（MBE法） 成形於其上。 大多數的LED之封裝，係藉由樹脂予以密封。例如以 熟知稱爲砲彈型之燈形狀的封裝爲始，在實裝基盤上具備 反射器之稱爲頂部封裝之封裝、稱爲側視型之被橫倒使用 的封裝、或於元件上覆蓋樹脂予以成型、密封的稱爲表面 實裝型之封裝等。 此處，半導體裝置之封裝，會因空氣中之水分或氧氣 等之浸透而導致內部之元件惡化的問題。大多數封裝雖以 ‘201103176 透明樹脂等予以密封，惟密封時所使用的樹脂無法完全地 防止氣體或水分浸透。因此，大多數因空氣中之水分或氣 體浸透，會有LED晶片產生惡化，導致信賴性降低的情形。 而且’最近自包裝時所使用的段球材料放出的微量硫化 氫’會有導致LED晶片及被連接於LED晶片之導線受到腐 蝕的情形。 專利文獻1 日本特開2008-10591號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課題 本發明有鑑於上述情形，提供一種可防止因空氣或水 分而導致LED晶片或導線惡化之發光裝置及發光模組。 以該目的爲基準，本發明提供下述之發明。 [1] 一種發光裝置，其特徵爲含有： 具有凹部之樹脂容器； 以暴露於該樹脂容器之該凹部的內側的狀態配置的導 體部； 設置於該凹部之內側上、與該導體部電氣連接的發光 元件； ‘ 對來自該發光元件所輸出的光而言具有透光性且於該 凹部中將該發光元件密封的密封樹脂；與 至少積層於該密封樹脂上之障壁層。 [2] 如[1]記載之發光裝置，其中該障壁層係具有透濕度 爲5(g/m2. 24小時）以下之水蒸氣透過性的樹脂材料。 201103176 [3] 如[1]或[2]記載之發光裝置，其中該障壁層具有i 〜3000 之範圍的膜厚。 [4] 如[1]〜[3]中任一項記載之發光裝置，其中該障壁 層含有由以下述一般式（1)所示之環硫化物化合物、與在每 一分子中具有2個以上SH基之硫醇化合物的反應物所形成 的樹脂組成物，該環硫化物化合物與硫醇化合物的調配質 量比爲0.02〜1.5。 [下述一般式（1)之nn、11丨爲各自獨立，^^爲0〜4之 整數，〜爲0〜1之整數]
[5]如[1]〜[3]中任一項記載之發光裝置，其中該障壁 層係由以下述一般式（2)所示之環硫化物化合物、具有環氧 基之化合物、與在每一分子中具有2個以上SH基之硫醇化 合物的反應物所形成。 [下述一般式（2)之m2、n2爲各自獨立’ m2爲0〜4之 整數，n2爲0〜1之整數]
[6]如[1]〜[5]中任一項記載之發光裝置，其中在該密 封樹脂中含有螢光體粒子。 201103176 [7] 如[1]〜[6]中任一項記載之發光裝置，其中在該胃 壁層中含有螢光體粒子。 [8] 如[1]〜[7]中任一項記載之發光裝置，其中該_胃 層係在該樹脂容器之上面被拉伸、成形》 [9] —種發光模組，其特徵爲具備基板、設置於該基$ 之數個發光裝置，該發光裝置係含有： 具凹部之樹脂容器； 以暴露於凹部之內側的狀態配置的導體部； 設置於該凹部內側之與該導體部電氣連接的發光元; 對來自發光元件所輸出的光而言具有透光性且於 部中將發光元件密封的密封樹脂：與 至少積層於密封樹脂上之障壁層。 發明效果 根據本發明，經由積層在密封樹脂上所積層之_ g 層，可防止水分或氣體侵入發光裝置之內部。藉此可 發光元件或導體部之惡化情形。 【實施方式】 爲實施發明之最佳形態 於下述中，參照附圖詳細地說明有關本發明之實施形 態。 <實施形態1> 第1圖係表示適合本實施形態使用的液晶顯示裝置之 全體構成的例示圖。該液晶顯示裝置係具備液晶顯示模組 201103176 50、設置於該液晶顯示模組50之背面側（在第1圖之下方 側）的背光裝置1 0。 背光裝置10係具備背光外框11、數個各配列於半導 體發光元件、收容於背光外框11中之發光模組12。而且， 背光裝置10係具備作爲光學薄膜積層體、爲使面全體爲均 勻亮度時使光散射·擴散之板（或薄膜）的擴散板13，與具 有對前方之集光效果的棱鏡薄片14、15。此外，視其所需 具備有爲提高亮度時之擴散•反射型亮度提高薄膜16。 另外，液晶顯示模組50係具備藉由2片玻璃基板挾住 液晶所構成的液晶面板51、及積層於該液晶面板51之各 玻璃基板上、爲使光波振動限制於某方向時的偏光板52、 53。此外，本液晶顯示裝置亦裝設有圖中沒有表示的驅動 用LSI等之週邊構件。 液晶面板5 1係含有圖中沒有表示的各種構成要素而 構成的。例如，在2片玻璃基板上具備圖中沒有表示的顯 示電極、薄膜電晶體（TFT: Thin Film Transistor)等之活性 元件、液晶、間隔物、密封劑、配向膜、共通電極、保護 膜、彩色濾光片等。 第2圖係爲說明背光裝置10之構造的一例示圖。此 處，第2(a)圖係使裝設發光模組12之背光外框1 1，由第1 圖所示之液晶顯示模組50側觀察的上面圖，第2(b)圖係第 2(a)圖之IIB-IIB截面圖。本實施形態係採用在液晶顯示模 組50之背面下方設置光源之正下方型背光構造。而且，該 201103176 背光構造係配列有對液晶顯示模組5 0之背面全體而言具 有大約均等的發光元件之發光裝置60。此外，本實施形態 使用的發光裝置60，一般而言稱爲LED封裝。 背光外框1 1例如形成以鋁或鎂、鐵、或含有此等之金 屬合金等生成的外框構造。因此，在該外框構造之內側， 例如貼附具有白色高反射性能之聚酯薄膜等，亦可具有作 爲反射器之功能。該外框構造具備對應液晶顯示模組5 〇之 尺寸所設置的背面部11a、包圍該背面部lla之四角的側面 部lib。而且，可在該背面部11a上設置放熱薄片18。 第2圖所示之例，設置數個（該例爲8個）發光模組1 2。 而且，各發光模組1 2藉由各數個（該例係對1個發光模組 1 2而言爲2個）螺絲1 7，經由放熱薄片1 8固定於背光外框 1 1上》 發光模組1 2係具備基板一例之配線基板20、實裝於 該配線基板20之數個（該例爲28個）的發光裝置60»而且， 各發光裝置60藉由具備下述構成，而可分別輸出白色光。 第3圖係爲說明本實施形態使用的發光裝置60之構成 時的一例示圖。此處，第3(a)圖係表示發光裝置60之平面 圖，第3(b)圖係表示對應於第3(a)圖之IIIB-IIIB線的截面 圖。 該發光裝置60係具備在上部側形成有凹部6 l a之樹脂 容器61、與樹脂容器一體化的導線框構成的陽極用導線部 62及陰極用導線部63、設置於凹部61a之底面70的半導 201103176 體發光元件64、及爲覆蓋凹部61a所設置的密封樹脂65。 而且，於第3(a)圖中省略密封樹脂65之記載❶ 另外，該發光裝置60之密封樹脂的射出面65c上積層 障壁層9 0。 樹脂容器6 1係在含有陽極用導線部6 2及陰極用導線 部63之金屬導線部上，藉由射出成型形成含有白色顏料的 熱塑性樹脂（下述說明中稱爲白色樹脂）。 構成該樹脂容器61之白色樹脂，係調整白色顏料之含 有率、粒徑等，以使得可見光之光反射率爲85%以上、98% 以下。換言之，樹脂容器61之可見光的光吸收率低於15%。 白色顏料例如鋅白、鉛白、鋅鋇白、鈦白（氧化鈦）、氧化 鋁 '沉澱性硫酸鋇及重晶石粉。特別是以使用氧化鈦較佳。 氧化鈦與其他白色顏料相比時，由於折射率高且光吸收率 低，故可適用於本實施形態之樹脂容器61。 而且，在製造步驟中具有數個需要焊接回流等之溫度 的步驟，白色樹脂需選擇充分考慮耐熱性的材質。形成該 樹脂容器61之基材的樹脂，例如聚氯化乙烯（PVC)、聚偏 二氯乙烯（PVDC)、聚醯胺（PA)、聚碳酸酯（PC)、聚四氟乙 烯（PTFE)、聚胺基甲酸酯（PU)、聚苯乙烯（PS)、ABS樹脂 (ABS)、丙烯酸樹脂（PMMA)、聚乙縮醛樹月旨（POM)、液晶 聚合物（LCP)、聚苯硫醚（PPS)、環氧樹脂等。 於此等之中，以使用聚醢胺或液晶聚合物、環氧樹脂、 聚苯乙烯等較佳。聚醯胺例如耐綸6、耐綸1 1、耐綸1 2、 -10- 201103176 耐綸66、耐綸610、耐綸4T、耐綸6T、耐綸61、耐綸9Τ、 耐綸Μ5Τ等之PPA(polyphthalamide，聚酞醯胺）類。本實 施形態以二胺與間苯二甲酸或對苯二甲酸之共聚物的耐綸 4T、耐輪6T、耐論61、耐輪9T、耐輪M5T更佳。 設置於樹脂容器61之凹部61a，係具備具有圓形狀之 底面70、自底面70之週邊朝樹脂容器61之上方側擴大的 直立型壁面80。 此處，底面70係藉由暴露於凹部61a之陽極用導線部 62(導體部）及陰極用導線部63(導體部）、暴露於陽極用導 線部62與陰極用導線部63間之隙間的樹脂容器6 1之白色 樹脂所構成。惟底面70之一半以上的範圍，藉由陽極用導 線部62(導體部）與陰極用導線部63(導體部）所佔有。另 外’壁面80係藉由構成樹脂容器61之白色樹脂構成。而 且，有關底面70之形狀，可爲圓形、矩形、橢圓形、多角 形中任何一種。此外，壁面8 0之形狀可爲圓形、矩形、橢 圓形、多角形中任何一種，此外，底面形狀可爲相同，亦 可視本實施形態而不同。 導體部之一例，陽極用導線部6 2及陰極用導線部6 3， 係部分各夾於樹脂容器61內予以保持，其他部分暴露於樹 脂容器6 1之外部，形成對半導體發光元件64施加電流時 之端子。 201103176 以表面實裝爲前提時，如第3圖所示，以使陽極用導 線部62及陰極用導線63各於樹脂容器61之內側彎曲，於 樹脂容器61之底部配設其前端爲宜。 此外，陽極用導線部62及陰極用導線部6 3、即導線 框（金屬導體），爲具有約0.1 mm〜0.5 mm之厚度的金屬板， 以銅合金等之金屬導體爲基體，在其表面上藉由施予鍍銀 處理，形成鍍銀層。而且，在凹部61a之底面70，暴露有 部分的金屬導體之陽極用導線部62(導體部）及部分的陰極 用導線部63 (導體部）之鍍銀層。 一般而言，鍍銀處理之條件可使用習知的條件。 半導體發光元件64，係在暴露於凹部61a之底面70 的陽極用導線部63上，以由聚矽氧樹脂或環氧樹脂形成的 晶片接合劑予以黏合、固定。 該半導體發光元件64，具有η型電極及p型電極，經 由晶片接合線圈各連接於ρ型電極連接於陽極用導線部 62、及η型電極連接於陰極用導線63。而且，本實施形態 使用的發光裝置60，如第3(a)圖所示，半導體發光元件64 設置於具有圓形狀的底面70之約中央部。 半導體發光元件64與波長範圍有關，使用上不受任何 限制。使用在藍色範圍內具有主發光波峰之半導體發光元 件64時，例如可使用在430nm以上、500nm以下之波長範 圍具有主發光波峰之半導體發光元件64。使用於藍色範圍 具有主發光波峰之半導體元件64時，以使用習知者較佳。 -12- 201103176 於藍色範圍具有主發光波峰之半導體發光元件64，例如至 少具備由藍寶石基板上所形成的A1N形成的薄片層、於薄 片層上形成的底層、與以GaN爲主體的積層半導體層。而 且’例如積層半導體層爲自基板側順序積層底層、n型半 導體層、發光層、ρ型半導體層構成者。 密封樹脂65係由吸收半導體發光元件64發出的光而 發出更長波長之光的二種以上之螢光體（以下稱爲螢光體 粉體）65a，與以均勻分散的狀態含有螢光體粉體65a之透 明樹脂65b而構成的》於該例中，螢光體粉體65a包含吸 收半導體發光元件64發出的藍色光而發出綠色光之綠色 螢光體，與吸收半導體發光元件64發出的藍色光而發出紅 色光之紅色螢光體。而且，紅色螢光體由於即使以綠色螢 光體發出的光予以激發，視綠色及紅色螢光體之比例而 定，自發光裝置60輸出的光之色度運作極爲複雜地變化。 該色度之調節，係與半導體發光元件64之發光波長、綠色 及紅色之螢光體的比例、密封樹脂6 5之螢光體的濃度、密 封樹脂65之上面（即射出光之射出面65c)的形狀有關》 於該發光裝置60中，藉由半導體發光元件64發出的 藍色光、螢光體粉體65a中所含的綠色螢光體發光的綠色 光、與相同的螢光體粉體65a中所含的紅色螢光體發出紅 色光，具備藍、綠、紅等3原色。因此，自密封樹脂65之 射出面65c射出白色光。使用該白色光作爲液晶顯示裝置 之背光時的色再現範圍，以半導體發光元件64之主發光波 -13- 201103176 峰之波長及半値寬度、與螢光體粉體65a之發光波長的波 長及半値寬度決定。 適合前述螢光體粉體65a使用的綠色螢光體，以矽酸 酯系螢光體（BaSi04:Eu2 + )較佳，且紅色螢光體以氮化物螢 光體（CaAlSiN3:Eu2 + )較佳。此等之綠色螢光體及紅色螢光 體，可作成真密度爲3.5〜4.7g/cm3之較低値、平均粒徑以 質量平均約爲之粉體之故。 此處，綠色螢光體（BaSi04:Eu2 + )由於激發波長爲380 〜440nm、發光波長爲5 0 8 nm，爲對應於本實施形態使用的 藍色光變換成綠色光時之要求特性時，激發波長與發光波 長亦過短。惟藉由使部分Ba以Sr、Ca、Mg等之其他鹼土 類元素變換，可使激發波長及發光波長被移動於長波長 側。本實施形態以各使激發波長調整爲45 5nm、發光波長 調整爲5 2 8 nm較佳。 此外，紅色螢光體（CaAlSiN3:Eu2 + )由於激發波長爲400 〜500 nm、發光波長爲640 nm。波峰波長之半値寬度視使用. 目的而不同。照明用時儘可能使波峰波長之波形爲寬擴 者，惟於本實施形態之液晶顯示裝置的背光用途，儘可能 使波形爲陡峭者。照明用時爲提高演色性（符合於太陽光下 所見顏色相同的顏色）時，必須儘可能形成與太陽光相同的 波長分布，要求含有全部的波長爲相同程度。對此而言， 使用於液晶顯示裝置之背光時之色再現範圍，必須使藍、 綠、紅色在色度座標上的3點爲儘可能寬之範圍。換言之， -14- 201103176 使色純度爲儘可能的高値，係爲重要。因此，以使3原色 之波長分布儘可能爲陡峭較佳。 另外，構成密封樹脂65之透明樹脂65b，可使用在可 見光範圍內爲透明的各種樹脂。 透明樹脂65b，可含有於被覆凹部61a下密封的硬化 性樹脂、使該物被硬化的硬化劑、與視其所需配合的、例 如抗氧化劑、變色防止劑、光惡化防止劑、反應性稀釋劑、 無機塡充劑、難燃劑、有機溶劑等。 硬化性樹脂例如含有主劑及硬化劑、與爲促進主劑及 硬化劑之硬化反應的硬化反應促進劑之2液型硬化性樹 脂。具體而言，例如硬化性聚矽氧樹脂、硬化性環氧樹脂、 硬化性環氧矽混成樹脂、硬化性丙烯酸樹脂、硬化性聚醯 亞胺樹脂等。於此等之中，以硬化性聚矽氧樹脂、硬化性 環氧樹脂較佳。 (硬化性聚矽氧樹脂） —般而言，硬化性聚矽氧樹脂以含有在分子中具矽原 子鍵結烯基的化合物（主劑）、在分子中具矽原子鍵結氫原 子的化合物（硬化劑）、與氫化矽烷化反應觸媒（硬化反應促 進劑）形成的液狀硬化性聚矽氧樹脂較佳。主劑以在1分子 中具有2個〜6個烯基之有機聚矽氧烷較佳。矽原子鍵結 的烯基’可以在有機聚矽氧烷分子中、分子鏈末端，亦可 在分子鏈非末端、或其兩者。而且，有機聚矽氧烷之構造， -15- 201103176 沒有特別的限制，例如直鏈狀、支鏈狀 狀等中任何一種，較佳者爲三次元網狀 硬化劑例如在1分子中至少具有2 氫原子的有機氫聚矽氧烷。鍵結於矽原 在有機氫聚矽氧烷分子中、分子鏈末端 末端、或其兩者。而且，有機氫聚砂氧 別的限制，例如直鏈狀、支鏈狀、三次 任何一種，較佳者爲直鏈狀或環狀》 硬化反應促進劑例如促進主劑之有 於矽原子之烯基、硬化劑之有機氫聚矽 氫原子的氫化矽烷化反應之氫化矽烷化 氫化矽烷化反應觸媒，沒有特別的 習知者。例如鉛黑、氯化亞鈾、氯化鈾 元醇之反應生成物、氯化鉑酸與烯烴類 基乙酸鉑等之鉑系觸媒；鈀系觸媒、铑 屬系觸媒等。 (硬化性環氧樹脂） 硬化性環氧樹脂之主劑，只要是在 以上環氧基、且在室溫（例如25°C )下爲 具體而言，例如雙酚A型環氧樹脂、雙 氫化雙酚A等之雙酚型環氧樹脂；苯酣 脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛 三苯酚甲烷型環氧樹脂、三苯酚丙烷型 、三次元網狀、環 〇 個鍵結於矽原子之 子之氫原子，可以 ，亦可在分子鏈非 烷之構造，沒有特 元網狀、環狀等中 機聚矽氧烷中鍵結 氧烷中矽原子鍵結 反應觸媒。 限制，可使用全部 酸、氯化鉑酸與一 之複合物、雙乙醯 系觸媒等之鉑族金 1分子中具有2個 液狀者皆可使用。 酚F型環氧樹脂、 酚醛清漆型環氧樹 清漆型環氧樹脂； 環氧樹脂等之三苯 -16- 201103176 酚鏈烷型環氧樹脂；苯酚芳烷基型環氧樹脂、聯苯芳烷基 型環氧樹脂、芪型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧 樹脂、環戊二烯型環氧樹脂等。此等之硬化性環氧樹脂可 單獨1種使用或2種以上混合使用。 硬化性環氧樹脂之硬化劑，例如二乙三胺（DETA)、三 乙四胺（TETA)、間苯二甲基二胺（MXDA)等之脂肪族聚胺； 二胺基二苯基甲院（DDM)、m-苯二胺（MPDA)、二胺基二苯 基颯（DDS)等之芳香族聚胺；二氰二醯胺（DICY)、含有有機 酸二醯肼等之聚胺化合物；六氫苯二甲酸酐（HHPA)、甲基 四氫苯二甲酸酐（MTHPA)等之脂環族酸酐；偏苯三甲酸酐 (TMA)'均苯四甲酸酐（PMDA)、二苯甲酮四羧酸（BTDA)等 之含芳香族酸酐等之酸酐；酚醛清漆型苯酚樹脂、苯酚聚 合物等之聚苯酚化合物：聚硫醚、硫酯、硫醚等之聚硫醇 化合物；異氰酸酯預聚物、嵌段化異氰酸酯等之異氰酸酯 化合物；含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類等之聚加成型硬化 劑；苯甲基二甲胺（BDMA)、2,4,6 -參二甲基胺基甲基苯酣 (DMP-30)等之3級胺化合物；2 -甲基咪唑、2 -乙基-4-甲基 咪唑（EMI24)等之咪唑化合物；BF3錯合物等之路易斯酸等 之觸媒型硬化劑；間苯二酚型苯酚樹脂等之苯酚樹脂；含 羥甲基之尿素樹脂的尿素樹脂；含羥甲基之蜜胺樹脂的蜜 胺樹脂等縮合型硬化劑。此等之硬化劑可單獨使用或2種 以上組合使用。 •17- 201103176 硬化劑之含量沒有特別的限制，通常係適當選 硬化性樹脂組成物全體之〇 . 1質量％〜3 0質量％、較 5質量％〜1 5質量％的範圍。 硬化性環氧樹脂之硬化反應促進劑，例如咪 物、胺化合物、三苯基膦、甲基二苯基膦等之有機 四苯基鱗·四苯基硼酸鹽、四苯基鱗•四苯甲酸硼 四苯基鐵•四萘甲酸硼酸鹽、四苯基鱗•四萘甲醯 酸鹽、四苯基鱗•四萘氧基硼酸鹽等之四取代鱗· 硼酸鹽；膦化合物與醌化合物之加成物等。於此等 以咪唑化合物、膦化合物與醌化合物之加成物較佳 此外，於密封樹脂65中設置有射出白色光之 65c。該例如第3(b)圖所示，在樹脂容器61之上方ί 部61a之開口部側）形成射出面65c。 於該發光裝置60中，較佳者如第3(b)圖所示， 65c之中央部較樹脂容器61之上面更爲凹陷，該凹 以設定爲自上面之一20;/ m〜—l〇〇y m之範圍更佳 量d係樹脂容器61之開口端高度、與射出面65c之 度的差値。而且，此處以樹脂容器61之開口端高度 (〇)時’以接近半導體發光元件64之側爲負値（一）< 因此，凹陷量d爲自上面之—20//m--100" 圍’係指樹脂容器6 1之開口端高度爲〇 μ m時，以 65c之最低高度比上面更低2〇νιη〜ΐ〇〇μΐη之範圍 自液狀 佳者爲 唑化合 膦類； 酸鹽、 氧基硼 四取代 之中， 〇 射出面 則（即凹 射出面 丨陷量d 。凹陷 最低局 爲基準 > m的範 射出面 ，位於 -18- 201103176 半導體發光元件64側。該凹陷量d可以雷射變位計（例如 Omuron Co.製 ZSHLD2)進行。 而且，在密封樹脂65之射出面65c上積層有透光性之 障壁層90。 於本發明中，障壁層90只要是至少具有水蒸氣透過率 在透濕度爲5(g/m2.24小時）以下（較佳者爲l(g/m2.24小 時）以下、更佳者爲〇.5(g/m2 · 24小時）以下）之阻滞性能的 樹脂材料即可，其化學構造沒有特別的限制。 而且，於本發明中障壁層90，只要是至少具有氧氣透 過率爲 5 000(cm3)/m2/24 小時/atm)以下（較佳者爲 2000(cm3)/m2/24 小時 / atm)以下、更佳者爲 500(cm3)/m2/24 小時/atm)以下）之阻滯性能的樹脂材料即可，其化學構造沒 有特別的限制。 另外，於本發明中，障壁層90以對硫化氫而言亦具有 高的阻滯性能較佳。 本發明中所形成的障壁層90，對氧或硫化氫而言具有 高的氣體障壁性，且可防止侵入密封樹脂65。 而且，水蒸氣、氧氣及硫化氫等之氣體透過率測定， 例如可容易地以JIS K7 126之氣體色層分析法爲基準予以 測定。 有關本發明，前述障壁層90以由硫代環氧樹脂構成的 膜較佳，該膜以環硫化物化合物與在每1分子中具有2個 -19- 201103176 以上之SH基的硫醇化合物形成的樹脂組成物所構成者爲 宜。 例如，該樹脂組成物之水蒸氣透過率，係表示透濕度 爲0.001〜0.3 (g/m2 · 24小時）之極低値的水蒸氣透過性。 另外，適合作爲密封樹脂65之構成材料的聚矽氧樹脂，由 於透濕度約爲1 3〜22(g/m2 . 24小時），故可知構成障壁層 90之樹脂組成物具有優異的阻滯性。 藉由在密封樹脂65上積層該障壁層90，可防止水、 氧、硫化氫等侵入密封樹脂65。藉此，不會有水、氧、硫 化氫等到達暴露於凹部61a之底面 70的陽極用導線部 62(導體部）、陰極用導線部63(導體部）及半導體發光元件 64的情形。 此外，於本發明中障壁層90之厚度以1〜3 000 μ m之 範圍較佳，較佳者爲10〜2000//m之範圍，更佳者爲50〜 1000//m之範圍。厚度爲下限値以上時，可防止水、氧氣、 硫化氫等透過。另外，厚度爲上限値以下時，不會吸收白 色光，可提高發光裝置60之輸出。 透光性之障壁層90，較佳者由下述一般式（3)或（4)所 示之環硫化物化合物、與在1分子中具有2個以上SH基之 硫醇化合物形成，對前述環硫化物化合物中之環硫醚基之 總計的莫耳數爲〇 . 〇 5〜0.5形成的樹脂組成物。下述一般式 (3)或（4)之mi、m2、ηι、η〗各自獨立、mi、m2爲0〜4之 整數，ηι、n2爲〇〜1之整數較佳。 -20- 201103176
⑷ 以一般式（3)或（4)所示之環硫化物化合物，例如雙（^-環硫化丙基）硫醚（n = 0)或雙（/3 -環硫化丙基）二硫醚（n=1、 m = 0 )等。 而且，以修補部份硫代環氧基爲目的時，亦可使用環 氧基化合物。該化合物例如Japan Epoxy Resin Co.製之商 品名 Epikote 806、828、834、1002、1004 等雙酚 A 型環 氧樹脂、Japan Epoxy Resin Co.製之商品名 Epikote 806、 807、4005P、東都化成（股）製之商品名YDF-170等之雙酚 F型環氧樹脂、Japan Epoxy Resin Co.製之商品名Epikote YX-8000、YX-8034 等之氫化環氧樹月旨、JapanEpoxyResin Co.製之商品名Epikote 152、154、日本化藥（股）製之商品 名 EPPN-201、DowChemicalCo.製之商品名 DEN-438 等之 苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、日本化藥（股）製之商品名 EOCN-125S、103S、104S等之〇 -甲酚酚醛清漆型環氧樹月旨、
Japan Epoxy Resin Co.製之商品名 Epikote YX-4000、 -21- 201103176 YL-6640等之聯苯型環氧樹脂、JapanEpoxyResinCo•製之 商品名 Epikote 1031S、Nagasechemtex Co.製之商品名 Denacol EX-6 1 1 ' EX-6 14 ' EX-614B、EX-622 ' EX-512 ' EX-521、 EX-421、 EX-411、 EX-321 等之多官能環氧樹脂、 Japan Epoxy Resin Co.製之商品名 Epikote 604、東都化成 (股）製之商品名 YH-4 3 4、三菱氣體化學（股）製之商品名 TETRAD-X、TETRAD-C、日本化藥（股）製之商品名G AN、 住友化學（股）製之商品名ELM-120等之胺型環氧樹脂、 Daicel Chemical Industry Ltd.製之 Celloxide 2021P 等之脂 環式環氧樹脂等，此等可單獨使用或2種以上組合使用。 一般而言，環氧樹脂比硫代環氧基更爲低價，且具有 提高玻璃轉移溫度之效果，惟使用量多時，由於會降低重 要的氧氣或硫化氫之透過性，故必須留意使硫代環氧基樹 脂與環氧樹脂配合後之比例爲等質量以下，較佳者爲50質 量％以下，更佳者爲20質量％以下。 此外，在1分子中具有2個以上SH基之硫醇化合物， 例如甲烷二硫醇、甲烷三硫醇、1，2-二锍基乙烷、雙（2-锍 基乙基）硫醚、雙（2-锍基乙醚）、雙（2,3-二锍基丙基）硫醚、 1，2,3-三巯基丙烷、2-锍基甲基-1，3-二锍基丙烷、2-毓基甲 基-1，5-二锍基-3-硫代戊烷、4-锍基甲基-1，8-二巯基-3,6-二硫代辛烷、2,4_雙（锍基甲基）-1，5-二锍基-3-硫代戊烷、 4,8-雙（锍基甲基二锍基-3,6,9-三硫代十一烷、4,7-雙（锍基甲基）-1,11-二巯基- 3,6,9-三硫代十一烷、5,7-雙（锍 -22- 201103176 基甲基）-1,11-二锍基-3,6,9-三硫代十一烷、3,5-雙（锍基甲 基硫代）-1,7-二毓基-2,6-二硫代庚烷、1，2,7-三酼基-4,6_二 硫代庚烷、1，2,9-三巯基-4,6,8-三硫代壬烷、1，2,6,7-四疏 基-4-硫代庚烷、1，2,8,9-四锍基-4,6-二硫代壬烷、1，2，10>11_ 四毓基-4,6,8-三硫代十一烷、1，2，12，13-四毓基_4,6,8，1〇_ 四硫代十三烷、乙二醇雙（硫代乙醇酸酯）、三羥甲基丙院 參（硫代乙醇酸酯）、季戊四醇肆（硫代乙醇酸酯）、乙二醇^ (3-毓基丙酸酯）、三羥甲基丙烷三（3-毓基丙酸酯）、季戊四 醇肆（3-锍基丙酸酯）、乙二醇雙（3-锍基丁酸酯）、三羥甲基 丙烷三（3-锍基丁酸酯）、季戊四醇肆（3-锍基丁酸酯）、肆（@ 基甲基）甲烷、肆（4-锍基-2-硫代丁基）甲烷、肆（7-锍基-2,5_ 二硫代庚基）甲烷、2,5-雙（锍基甲基）-1，4-二噻烷、雙（4-锍 基苯基）硫醚、雙（4-锍基甲基苯基）甲烷、2,2-雙（4-锍基甲 基苯基）丙烷、雙（4-锍基甲基苯基）醚 '雙（4-锍基甲基苯基） 硫醚等，以三羥甲基丙烷參（硫代乙醇酸酯）、季戊四醇肆（硫 代乙醇酸酯）、三羥甲基丙烷三（3-锍基丙酸酯）、季戊四醇 肆（3-锍基丙酸酯）、三羥甲基丙烷三（3-锍基丁酸酯）、季戊 四醇肆（3-巯基丁酸酯）更佳。 對具有環硫醚基之化合物與具環氧基之化合物的合計 總量而言，具有S Η基之化合物的總量之質量比的下限値爲 0.02以上、較佳者爲0.1以上、更佳者爲0.2以上。使質 量比之下限値大幅地降低時，硬化速度變慢，不爲企求。 而且，有關上限値爲1.5以下，較佳者爲1以下，更佳者 -23- 201103176 爲0.8以下。此外，配合質量比以0.02〜1.5之範圍較佳》 質量比大於上限値時，由於硬化樹脂變硬，不爲企求。 另外，一般式（2)之m超過4時，由於可撓性降低，故 不爲企求；η超過1時，玻璃轉移溫度大爲降低，故不爲 企求。 其次，說明有關第3圖所示之發光裝置60的發光動作。 以陽極用導線62爲正極、陰極用導線部63爲負極， 使電流流通於半導體發光元件64時，半導體發光元件64 輸出所定的發光。例如，在半導體發光元件64中使用使藍 色光發光的半導體發光元件時，自半導體發光元件64輸出 的藍色光，在密封樹脂65內進行，直接或在底面70或壁 面80反射後，自射出面65c射出於外部。惟部分朝向射出 面65c之光，在射出面65c反射，再於密封樹脂65內進行。 其間於密封樹脂65內，部分藍色光藉由螢光體粉體65a變 換成綠色光及紅色光，所變換的綠色光及紅色光直接或在 底面70或壁面80反射後，與藍色光同時自射出面65c、 經由障壁層90，射出於外部。因此，自射出面65c射出含 有藍色光、綠色光及紅色光之白色光。 然後’參照第4圖，說明有關第3圖所示之發光裝置 60的製造方法。 首先’在使陽極用導線部62及陰極用導線部63 —體 化的導線框上，使白色樹脂射出成形，形成具有凹部6 1 a 之樹脂容器6 1。 -24- 201103176 在暴露於樹脂容器61之凹部61a的底面70之陰極用 導線部63上，黏接固定半導體發光元件64，藉由晶片接 合線圈各連接半導體發光元件64之p型電極及η型電極、 與對應的陽極用導線部62及陰極用導線部63。 其次，在凹部61a中塡充含有螢光體粉體65a與未硬 化狀態之透明樹脂65b的混合樹脂糊R。此時，藉由混合 樹脂糊覆蓋半導體發光元件64及晶片接合線圈，且使混合 樹脂糊R之液面Ri較樹脂容器61之上面61b更爲凹陷， 其凹陷量d設定於自上面61b之-20μιη〜- lOOym的範 圍。例如，第4圖所示之例示中，使液面R,之中心部A! 的高度與液面Ri之端部I的高度差爲2〇vm〜100//m之 範圍》 對樹脂容器61之凹部61a而言，混合樹脂糊R之塡 充，可以使用漿料之吐出裝置的晶片接合法進行。該吐出 裝置係具備使混合樹脂糊R吐出的吐出噴嘴N、與圖中沒 有表示的控制部構成。 混合樹脂糊R，以真密度爲3g/cm3以上、4.7g/cm3以 下之範圍較佳。另外，混合樹脂糊R係以具有質量平均粒 徑爲7//m以上、以下之範圍的螢光體粉體65a被混 合於未硬化狀態之透明樹脂65b中形成者較佳，以黏度調 整爲4000cP〜15000cP之範圍更佳。 而且’混合樹脂糊R之注入量，係藉由注入壓力控制。 液面R 1之高度可以前述之雷射變位計（例如〇 m u r ο η製 -25- 201103176 ZSHLD2)進行。於注入後進行硬化熱處理前，設定液面Rl 之高度，且自該位置連接凹部61a之端部B!間之中點起， 以灌入-20；« m〜-100// m的方式控制注入壓力。 其次，使混合樹脂糊R予以硬化，形成密封樹脂65。 硬化處理例如進行加熱等。 然後，在密封樹脂65上積層障壁層。例如，可使前述 環硫化物化合物與前述硫烷化合物以所定的比例混合，將 該混合物塗佈於密封樹脂6 5後，進行加熱硬化處理，形成 障壁層90 » 其次，使導線框分離成陽極用導線部62及陰極用導線 部63予以切斷，即進行導線框之彎曲處理，製得發光裝置 60 = <實施之形態2> 第5圖係爲說明適合本實施形態之發光裝置60的構成 例之圖。此處，第5(a)圖係表示發光裝置60之上面圖，第 5(b)圖係表示第5(a)圖之IVB-IVB截面圖。 該發光裝置60之基本構成，與實施之形態1所使用者 大約相同。惟障壁層90與經過密封樹脂65之射出面65c 與樹脂容器61之上面61b予以積層有所不同。障壁層90 之組成、厚度等，與實施之形態1相同。藉由使障壁層90 經由射出面6 5 c與樹脂容器6 1之上面6 1 b予以積層，使樹 脂容器61與密封樹脂65之邊界部分以障壁層90被覆。藉 此，自樹脂容器61與密封樹脂65之邊界部分侵入的水、 -26- 201103176 氧、硫化氫’可藉由障壁層90予以阻止，可更爲提高阻滞 性。 <實施之形態3 > 第6圖係爲說明適合本實施形態之發光裝置6〇之構成 例的圖。此處’第6(a)圖係表示發光裝置60之上面圖，第 6(b)圖係表示第6(a)圖之VB-VB截面圖。 該發光裝置60之基本構成，係與實施之形態1使用者 大約相同。惟導線框與藉由4個金屬導線部、具體而言藉 由第1陽極用導線部62a、第2陽極用導線部62b、第3陽 極用導線部62 c、及陽極用導線部63構成有所不同。此外， 伴隨於此，與暴露於樹脂容器61之凹部61a的底面70之 第1陽極用導線部62 a(導體部）、第2陽極用導線部62b(導 體部）、第3陽極用導線部62 c(導體部）' 及陰極用導線部 63 (導體部）有所不同。而且，此等第1陽極用導線部62a、 第2陽極用導線部6 2b、第3陽極用導線部62c、及陰極用 導線部63之各表面，與實施之形態1相同地，在光澤度控 制爲0.3〜1.0(較佳者爲0.5〜0.7)之範圍內實施鍍銀處理。 另外，該發光裝置60係與具備3個半導體發光元件、 即第1半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、及 第3半導體發光元件64c有所不同。而且，第1半導體發 光元件64 a設置於暴露在凹部61a之底面70之第1陽極用 導線部62a上，第2半導體發光元件64b設置於暴露在凹 部61a之底面70的第2陽極用導線部62b上，第3半導體 -27- 201103176 發光元件64c設置於暴露於凹部61a之底面70的第3陽極 用導線部62c上。其次，第1半導體發光元件6 4a、第2 半導體發光元件64b、及第3半導體發光元件64c，係具有 與實施形態1使用的半導體發光元件64相同的構成，各形 成射出藍色光。 而且，該發光裝置60係各經由晶片接合線圈，使第1 半導體發光元件64a之p型電極連結於第1陽極用導線部 62a上，第2半導體發光元件64b之p型電極連接於第2 陽極用導線部62b上，第3半導體發光元件64c之p型電 極連結於第3陽極用導線部62 c上。另外，於此等第1半 導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、及第3半導 體發光元件64c上各設置的η型電極，連結於共同的陰極 用導線部63。而且，於該發光裝置60中並列連接有第1 半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、及第3半 導體發光元件64c。 此外，該發光裝置60係在偏離具有圓形狀的底面70 之中央部的位置上，分別配置有第1半導體發光元件64a、 第2半導體發光元件64b、及第3半導體發光元件64c。 另外，實施形態1〜實施形態3係說明在密封樹脂6 5 中分散有螢光體粉體65a’在障壁層90中沒有分散螢光體 粉體65a之例，惟本發明中亦可在密封樹脂65中沒有分散 螢光體粉體65a，在障壁層90中分散有螢光體粉體65 a(螢 光體粒子）。結果，由於存在有自發光元件分離的螢光體， -28- 201103176 故於對熱而言弱的螢光粒子時，可防止熱惡化情形。而且， 本發明中亦可在密封樹脂65與障壁層90兩者間分散有營 光體粉體65a(螢光體粒子）。 此外’實施形態1〜實施形態3中進行說明有關將使 用發光裝置60構成的發光模組12應用於液晶顯示裝置之 背光裝置1 0之例’惟不受此等所限制。例如藉由組合發光 模組1 2與燈罩等’亦可利用作爲照明空間或物體等之照明 裝置。 而且，亦可使前述之發光裝置60使用於例如信號機、 掃描器之光源裝置、印表機之曝光裝置、汽車用照明機器、 使用LED之點陣的LED顯示裝置等。 另外，實施形態1〜實施形態3中進行說明有關使用 輸出藍色光之半導體發光元件64(第1半導體發光元件 64a、第2半導體發光元件6 4b、第3半導體發光元件64 c)、 使藍色光變換成綠色光之螢光體及使藍色光變換成紅色光 之螢光體，輸出白色光之例，惟不受此等所限制。換言之， 有關半導體發光元件64之發光色（發光波長）可適當選擇， 且有關螢光體亦可適當旋轉。其次，於本發明中發光裝置 60不一定必須含有螢光體，亦可直接輸出自半導體發光元 件64之發光光線。 於下述中說明有關本發明之實施例，惟本發明不受此 等實施例所限制。 -29- 201103176 實施例 表1係表示實施例及比較例中使用的各試料與其構成 的關係。該實驗係使用3種尺寸不同的樹脂容器61。此處， 第1樹fl曰容器61(稱爲Typel)係上面之長寬大小爲3.5mmx 2.8mm’第2樹脂容器61(稱爲Type2)係上面之長寬大小爲 3.8mmx0.8mm’第3樹脂容器61(稱爲Type3)係上面之長寬 大小爲5.0mmx5.0mm。而且，構成Typel〜Type3之樹脂容 器61的白色樹脂在可見光範圍中各光吸收率爲7%。而且， 具有Typel及Type2之樹脂容器61的發光裝置60，係具 有如第3圖所示之構造，各搭載有1個半導體發光元件6 4» 另外，具有Type3之樹脂容器61的發光裝置60，係具有 如第6圖所示之構造，搭載有3個半導體發光元件64(第1 半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、第3半導 體發光元件64c)。 發光裝置60之製造方法，以前述實施形態說明爲基準 予以進行。 首先’在使陽極用導線部62及陰極用導線部63 —體 化的導線框上，使白色樹脂射出成形，形成具有凹部6 1 a 之樹脂容器61。其次，暴露於樹脂容器61之凹部61&的 底面之陰極用導線部63上，使用晶片接合漿料使半導 體發光元件64進行晶片接合處理，在150。(：下進行加熱2 小時予以硬化後，使用金線進行線圈結合處理，各連接半 導體發光元件64之p型電極及n型電極、與對應的陽極用 -30- 201103176 導線部62及陰極用導線部63。而且，半導體發光元件64 係使用以國際專利2008-087930號公報記載的方法爲基準 予以製作者。 其次，在1個樹脂容器61上搭載1個半導體發光元件 64，且在1個樹脂容器61上並列搭載3個半導體發光元件 64(第1半導體發光元件64a、第2半導體發光元件64b、 第3半導體發光元件64c)予以製作。 然後，在凹部61a上塡充含有螢光體粉體65a與未硬 化狀態之透明樹脂65b的混合樹脂糊R。此時，藉由混合 樹脂糊R被覆半導體發光元件64及晶片接合線圈，同時使 混合樹脂糊R之液面I較樹脂容器61之上面61b更爲凹 陷，其凹陷量d設定爲自上面61b之- 20/zm〜-100//m之 範圍。液面I之中心部A,的高度與液面R,之端部1的 高度之差値爲50//m。然後，使混合樹脂糊R藉由加熱予 以硬化，形成密封樹脂65。 其次，使表1中所示之環硫化物化合物與硫醇化合物 以所定的比例混合，於密封樹脂65上積層該混合物，進行 加熱、硬化。如此形成障壁層90。 惟樹脂容器61之基體樹脂係使用加入玻璃纖維與氧 化欽塡料之耐綸9T(Kuraray Co.製Genestar(商品名））。未 硬化狀態之透明樹脂65b的基體樹脂，係使用⑴硬化性聚 矽氧樹脂[主劑之含乙烯基的聚二甲基矽氧烷、硬化劑之含 SiH基的聚二甲基矽氧烷、與硬化反應促進劑之鉑族金屬 -31- 201103176 系觸媒]或（ii)硬化性環氧樹脂[主劑之氫化雙酚A與硬化劑 之4-甲基六氫苯二甲酸酐/六氫苯二甲酸酐（7:3)(商品名 R i k a c i d )]。 螢光體粉體65a之螢光體係對65b而言使用15質量％ 之矽酸酯系螢光體（BaSrMg)2Si〇4(Intermatex Co.製 Y-406)。 在樹脂容器6 1用樹脂係被覆於以表1所示的配合、使 用高剪切高速分散攪拌器（High Shear mixe〇(TeChn〇Support Co.製L4RT)均勻混合硫代環氧樹脂 後’使用簡單的分散器被覆於經硬化的65a上，在烤箱中、 3 〇 °C下進行硬化7小時，在1 0 0 t下進行硬化1小時。 其次’對所得的各發光裝置60而言，流通定格通電電 流20mA時，發光輸出爲17〜20mW之範圍。 然後’如此製造的發光裝置60之環境試驗，係使各 25個經前述處理的試驗元件（全部22 5個）實裝於老化板 上’在85°C、85%RH環境下進行20mA通電試驗5 00小時， 對0小時而言5 0 0小時後之發光輸出的變化率如表1所 示°環境試驗結果，實施例之試驗元件沒有發光輸出降低 情形。 而且，有關典型的 Typel之樹脂容器中使用的障壁 層’對該障壁層形成樹脂而言水蒸氣及氧氣之氣體透過率 測定’係以JIS K7 126之氣體色層分析法爲基準，以氣體 透過率測定裝置（GTT Tech. Co.製GTR-30XASD型）進行測 -32- 201103176 定。結果如表2所示。在實施例1〜7中使用的障壁層形成 樹脂的水蒸氣透過率[g/m2 · 24小時]爲0.3(g/m2 · 24小時） 以下，氧氣透過率[cm3/m2/24小時/atm]爲 5 0 0 ( c m3 / m 2 / 2 4 小時/ a t m)以下。 -33- 201103176 [表η 障壁層 密封樹脂 之種類 樹脂 容器 之種 類 發光 輸出 之保 持率 A B 質量 比 厚度 (um) 環硫化物 環氧基 硫醇I 硫醇Π A/B 窗施仿ll 1 LPH-1101A LPH1101B - 3/1 500 SCR-1011 Typel 98% 貝腿1 3質量份 1質量份 實施例2 LPH-1101A - LPH1101B 三羥甲 基丙烷 三(3-硫 基丙酸 酯） 3/1 500 SCR-1011 Typel 97% 3質量份 0.8質量份 0.2質 量份 實施例3 LPH-1104A Epikote YX-8000 LPH 1101B - 3/1 500 SCR-1011 Typel 96% 2.7質量份 0.3 1質量份 實施例4 LPH-1104A - LPH 1104B - 3/1 500 SCR-1011 Typel 99% 3質量份 1質量份 實施例5 LPH-1104A Epikote YX-8000 LPH-1104B 三羥甲 基丙烷 三(3-锍 基丙酸. 酯） 3/1 200 SCR-1011 Typel 95% 2.7質量份 0.3質量份 0.8質量份 0.2質 量份 實施例ό LPH-1101A - LPH 1104B - 3/1 500 LPS-3412 Typel 98% 3質量份 1質量份 實施例7 LPH-1101A - LPH 1101B - 5/1 500 SCR-1011 Typel 98% 5質量份 1質量份 實施例8 LPH-1101A - LPH 1101B 3/1 500 SCR-1011 Type2 98% 3質量份 1質量份 實施例9 LPH-1101A LPH 1101B 3/1 500 SCR-1011 Type3 96% 3質量份 1質量份 比較例1 - - - - - - SCR-1011 Typel 78% 比較例2 - - - - - - LPS-3412 Typel 84% LPH:三菱瓦斯化學（股）製 SCR、LPH:信越化學工業（股）製
Epikote: Japan Epoxy Resin Co.製 34- 201103176 [表2] 障壁層形成樹脂 水蒸氣透過率 氧氣透過率 [g/m2 · 24 小時 1 [(cm3)/m2/24 小時 /atm] 實施例1之障壁層樹脂 0.02 255 實施例2之障壁層樹脂 0.03 424 實施例3之障壁層樹脂 0.06 498 實施例4之障壁層樹脂 0.02 268 實施例5之障壁層樹脂 0.18 472 實施例6之障壁層樹脂 0.02 234 實施例7之障壁層樹脂 0.02 245 【圖式簡單說明】 第1圖係表示液晶顯示裝置的全體構成之例示圖。 第2圖係爲說明背光裝置的構造時之一例示圖。 第3圖係爲說明實施形態1之發光裝置的構成時之一 例示圖。 第4圖係爲說明第4圖所示之發光裝置的製造方法時 之—例示圖。 第5圖係爲說明實施形態2之發光裝置的構成時之一 例示圖。 第6圖係爲說明實施形態3之發光裝置的構成時之一 例示圖。 [主要元件符號說明】 !〇 背光裝置 -35 201103176 12 發 光 模 組 50 液 晶 顯 示 模 組 5 1 液 晶 面 板 60 發 光 裝 置 6 1 樹 脂 容 器 6 1a 凹 部 6 1b 上 面 62 陽 極 用 導 線 部 62a 第 1 陽 極 用 導 線 部 62b 第 2 陽 極 用 導 線 部 62c 第 3 陽 極 用 導 線 部 63 陽 極 用 導 線 部 64 半 導 體 發 光 元 件 (發光元件） 6 4a 第 1 半 導 體 發 光 元 件 64b 第 2 半 導 體 發 光 元 件 64c 第 3 半 導 體 發 光 元 件 65 密 封 樹 脂 6 5a 螢 光 體 粉 體 65b 透 明 樹 脂 65c 射 出 面 70 底 面 80 壁 面 90 障 壁 層 -36-

Claims (1)

  1. 201103176 七、申請專利範圍： 1. 一種發光裝置，其特徵爲含有： 具有凹部之樹脂容器； 以暴露於該樹脂容器之該凹部的內側的狀態配置的導體 部； 設置於該凹部之內側上、與該導體部電氣連接的發光元 件； 對來自該發光元件所輸出的光而言具有透光性且於該凹 部中將該發光元件密封的密封樹脂；與 至少積層於該密封樹脂上之障壁層。 2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該障壁層係具 有透濕度爲5(g/m2 · 24小時）以下之水蒸氣透過性的樹 脂材料。 3. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該障壁層具有 1〜3000 之範圍的膜厚。 4. 如申請專利範圍第1項之發光裝置’其中該障壁層含有 由以下述一般式（1)所示之環硫化物化合物、與在每一分 子中具有2個以上SH基之硫醇化合物的反應物所形成的 樹脂組成物，該環硫化物化合物與硫醇化合物的11 03胃 量比爲0.02〜1.5， [下述一般式（1)之mi、η丨爲各自獨立，1^爲〇〜4之整 數，〜爲〇〜1之整數] -37- 201103176
    5.如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該障壁層係由 以下述一般式（2)所示之環硫化物化合物、具有環氧基之 化合物、與在每一分子中具有2個以上SH基之硫醇化合 物的反應物所形成， [下述一般式（2) m2、n2爲各自獨立’之m2爲0〜4之整 數，n2爲0〜1之整數]
    6. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中在該密封樹脂 中含有螢光體粒子。 7. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中在該障壁層中 含有螢光體粒子。 8. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該障壁層係在 該樹脂容器之上面被拉伸、成形。 9. 一種發光模組’其特徵爲具備基板、設置於該基板之數 個發光裝置， 該發光裝置係含有： 具凹部之樹脂容器； -38- 201103176 以暴露於凹部之內側的狀態配置的導體部； 設置於該凹部內側之與該導體部電氣連接的發光元件； 對來自發光元件所輸出的光而言具有透光性且於該凹部 中將發光元件密封的密封樹脂；與 至少積層於密封樹脂上之障壁層。 -39-
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