TWI456733B - 混光發光裝置及其製造方法 - Google Patents

Claims (11)

1. 一種混光發光裝置之製造方法，其包含：提供一基板；相鄰設置一第一發光晶片與至少一第二發光晶片於該基板上；僅且直接設置一光轉換層於該第一發光晶片上；以及設置至少一封裝膠於該第一發光晶片與該第二發光晶片上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該封裝膠不包含螢光粉。
3. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該第一發光晶片為藍光發光晶片，該第一發光晶片與該第二發光晶片發出不同波段之第一輸出光與第二輸出光，且該光轉換層依據該第一輸出光產生第三輸出光，該第一輸出光與該第三輸出光混光為一白光，該第二輸出光為一紅光。
4. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該封裝膠包括一第一封裝膠與一第二封裝膠分別配合該基板包覆該第一發光晶片與該第二發光晶片。
5. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該第一發光晶片為藍光發光晶片，該藍光發光晶片與該第二發光晶片發出不同波段之第一輸出光與第二輸出光，且該光轉換層依據該第一輸出光產生第三輸出光，該第一輸出光為藍光，該第二輸出光為紅光，該第三輸出光為綠光。
6. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該第一發光晶片與該 第二發光晶片係同時形成於該基板上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之製造方法，其中該第一發光晶片與該第二發光晶片同時形成於該基板上的方法更包含：形成一第一半導體層與一第二半導體層於基板上；形成一第一發光層於該第一半導體層上並同時形成一第二發光層於該第二半導體層上；形成一第三半導體層於該第一發光層上並同時形成一第四半導體層於該第二發光層上；以及形成一第一電極、一第二電極、一第三電極與一第四電極，其中該第一電極連接該第一半導體層上，該第二電極設置於該第三半導體層上，該第三電極設置於該第二半導體層上，該第四電極設置於該第四半導體層上，以形成該第一發光晶片與該第二發光晶片。
8. 一種混光發光裝置，其包含：一基板；一第一發光晶片，設置於該基板上；一光轉換層，其係僅且直接設置於該第一發光晶片上；一第二發光晶片，設置於該基板上，並與該第一發光晶片相鄰；以及一封裝膠，其設置於該第一發光晶片與該第二發光晶片上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之混光發光裝置，其中該第一發光晶片為藍光發光晶片，該藍光發光晶片與該第二發光晶片發出不同波段之第一輸出光與第二輸出光，且該光轉換層依據該第一輸出光產生第三輸出光。
10. 如申請專利範圍第8項所述之混光發光裝置，其中該封裝膠包括一第一封裝膠與一第二封裝膠分別配合該基板包覆該第一發光晶片 與該第二發光晶片。
11. 如申請專利範圍第8項所述之混光發光裝置，其中該第一發光晶片與該第二發光晶片係同時形成於該基板上。