TW201103155A - Photovoltaic device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

201103155 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及光電裝置及其製造方法。 【先前技術】 目前，伴隨著現有能源如石油、煤炭等將會枯竭的預 測 中 人們越來越關注替代這些現有能源的可替代能源。其 太陽能因其資源豐富且不污染環境而特別受到矚目。 直接將太陽能轉換為電能的裝置是光電裝置，即太陽 能電池。纖置主要利用了半導體接合的光電現象。即 ，如果光人射到分別摻雜了 P型和n型雜質的半導體_ 接合面並被吸收，則光能在半導體内部產生電子和空穴， 所產生的電子和空穴通過内部電場發生 放王刀離，由此使光電 產生在-接合兩端上。此時，如果在接合兩端上形成電 極，並由導線將其連接，則電流通過電極和導線而流向外 部。 “為了由太陽能替代現有能源（例如，石油等），必須降低 隨著時間的經過而產生的光電裝置 效率。 的以率，且提高穩定 【發明内容】 根據本發明中一個實施例的光 够办加· 直’包括：基板； 第一電極，被設置在所述基板上；至 ，設置在M、f g 個的光電轉換層 在所述第一電極上，且包括受光層；第二電極，設 201103155 置在所述光電轉換層上；其中，所述受光層包括：第一子 層’含有氫化微晶石夕錯（hydrogenated micro-crystalline silicon)(/z 〇SiGe:H)和在氫化微晶矽鍺之間所形成的非晶 石夕鍺網狀物（a-SiGe:H);第二子層，含有氫化微晶石夕 (hydrogenated micro-crystalline silicon)(/zc-Si:H)和在所 述氫化微晶石夕之間所形成的非晶石夕網狀物（a_Sj:Η)。 根據本發明中一實施例的光電裝置的製造方法，包括 以下步驟：在基板上形成第一電極；在腔室内於所述第一 電極上形成包括受光層的至少一個光電轉換層；在所述光 電轉換層上形成第二電極；其中，在形成所述受光層期間 ，流入到所述腔室的原料氣體的氫氣稀釋比恒定；含有非 矽元素的原料氣體的流量隨著沈積時間的増加重復第一流 量值和第二流量值之間的變化，且流入到所述腔室31 〇的 第一時刻的氫氣流量大於在第一時刻之後的第二時刻所流 入的氫氣流量。 【實施方式】 圖1是根據本發明第一實施例的光電裝置的示意圖。 如圖所示，光電裝置包括：純100、第一電極21〇 、第二電極250、光電轉換層230和保護層3〇〇。 具體來說，在基板1〇〇上配置有第一電極21〇。第一 電極21 0之間間隔有一定距離，使得相鄰的第一電極之間 不發生短路。光電轉㈣230按照覆蓋第—電極之間間: 一定距離的區域的方式配置在第一電極21〇 ^ 上。弟-電極 250配置在光電轉換層230上，且第-雷揣 弟一電極250之間間隔 201103155 有一定距離，使得相鄰的第二電極之間不發生短路。此時 ，第二電極250按照貫通光電轉換層23〇的方式與第一電 極210串聯連接。相鄰的光電轉換層23〇之間按照與第二 電極之間的間隔距離相同的方式間隔。保護層3〇〇按照覆 蓋第二電極之間的間隔區域和光電轉換層之間的間隔區域 的方式配置在第二電極上。 光電轉換層230包括p型半導體層231、受光層233 和η型半導體層235。受光層233包括第-子層233a和層 壓在第一子層233a上的第二子層233b。第一子層233a 包括氫化微晶矽鍺（"c_SiGe:H)和在所述氫化微晶矽鍺之 間形成的非晶矽鍺網狀物（a_SiGe:H)，第二子層233b包括 氫化微晶碎Uc-ShH)和在所述氫化微晶矽之間形成的非晶 夕、周狀物（a-Si_Η)。包括在第__子層的非晶♦鍺網狀物和包 括在第二子層的非晶矽網狀物均含有晶矽晶粒。 圖2疋根據本發明第二實施例的另一種光電裝置的示 意圖。 對於圖2的光電裂置，由於其結構與圖1巾的光電裝 置4乎類似，因此省略對相同結構的說明。圖2中的光電 轉換層230包括第一光電轉換層230」和配置在第一光電 轉換層上的第二光電轉換層230-2;第—光電轉換層包括ρ 型半導體層231_1、受光層233-1和η型半導體層235-1， 第二光電轉換層包括Ρ型半導體層231-2、受光層233-2 和η型半導體層235-2。 受光層 233-1、233·2 由第-子層 233_1a、233_2a 和 層[在第+層上的第二子層233_ib 構成。此時 201103155 ，包括在第一光電轉換層23〇_彳的受光層233_彳包括：第 子層233_1a，含有氫化非晶矽；第二子層233-1b，含有 所述虱化非晶矽和被所述氫化非晶矽包圍的晶矽晶粒。包 括在第一光電轉換層230-2的受光層233-2包括：第—子 層233-2a，含有氫化微晶矽鍺（/zc_SiGe:H)和在所述微晶 矽鍺之間形成的非晶矽鍺網狀物（a-SiGe:H);第二子層 233_2b，含有氫化微晶矽U c-Si:H)和在所述氫化微晶矽之 間形成的非晶矽網狀物（a_Si:H)。此時，包括在第一子層的 非曰b矽鍺網狀物和包括在第二子層的非晶矽網狀物均含有 晶碎晶粒》 在本實施例中，雖然將光電轉換層限定為兩個，但也 可以包括3個以上的光電轉換層。在3個光電轉換層中， 離入射側面較遠的第二個或第三個光電轉換層與如上所述 的第二光電轉換層相同。 關於如上根據第一實施例和第二實施例的光電裝置， 在後述的光電裝置的製造方法中將進一步詳細說明。 圖3a至圖3h表示根據本發明實施例的光電裝置的製 造方法》 ^ 如圖3a所示’首先準備基板1〇〇。基板1〇〇可以為透 明絕緣基板100。 如圖3b所示’在基板1〇〇上形成第一電極210。在本 發明的實施例中，第一電極210可通過化學氣相沈積法 (CVD ’ Chemical Vapor Deposition)形成，且可由透明導 電氧化物（TC〇，Transparent Conductive Oxide)來構成， 例如’氧化錫（Sn02)或氧化鋅（ZnO)。 201103155 如圖3c所示，通過朝向第一電極210側或基板100 側照射鐳射’使第一電極210被錄射劃線（scribe)。由此在 第一電極210上形成第一分離槽220。即，由於第一分離 槽220貫通第一電極210，因此防止相鄰的第一電極210 之間發生短路》 如圖3d所示’如圖3d所示’包括受光層的一個以上 的光電轉換層230通過化學氣相沈積法進行層壓而形成， 其用於覆蓋第一電極210和第一分離槽220。此時，各個 光電轉換層230包括p型半導體層、受光層和η型半導體 層。為了形成ρ型半導體層’如果向反應腔室混入諸如單 石夕院（SiH4)的含有矽的原料氣體和諸如β#6的含有3族元 素的原料氣體，則通過化學氣相沈積法進行將層壓形成ρ 型半導體層。之後，如果將含有矽的原料氣體流入反應室 ，則受光層通過化學氣相沈積法而形成於ρ型半導體層上 。對於受光層的形成方法，在後述的記載中進行詳細的說 明。最後，如果混入諸如ΡΗ3的含有5族元素的原料氣體 和含有矽的原料氣體，則η型半導體層通過化學氣相沈積 法而層壓在純半導體層上，由此，在第一電極21〇上依次 層C形成ρ型半導體層、受光層和η型半導體層。 根據本發明實施例的受光層，可包括在具有一個光電 轉換層230的單一接合光電裝置或具有多個光電轉換層的 多重接合光電裝置。 如圖3e所示，通過在大氣中朝向基板1〇〇側或光電轉 換層230側照射鐘射，使光電轉換層23q被鐘射劃線。由 此’在光電轉換層230上形成第二分離槽24〇。 201103155 如圖3f所不’用於覆蓋光電轉換層23〇和第二分離槽 240的第二電極25〇通過化學氣相沈積法或濺射法而形成 。第二電極250可以為金屬電極，例如a丨或岣。 如圖3g所不，通過在大氣中照射鐳射使光電轉換層 230牙第—電極25〇被鐳射劃線。由此，針對光電轉換層 230和第一電極250形成第三分離槽27〇。 如圖3h所示，$ 了保護包括光電轉換層23〇、第一電 極210和第二電極25()的光電單元2gq，保護層細通過 么知的層壓法覆蓋部分或全部光電單元2〇〇。保護層 可以含有乙烯-醋酸乙烯共聚物（EVA，Ethy丨扣㊀vjny丨

Acetate)。 通過上述工序，得到形成有保護層300的光電單元 200,且可在保護層上形成背板（省略圖示卜 下面參照附圖詳細說明受光層的製造方法。 圖4表示根據本發明實施例的用於形成受光層的等離 子體化學氣相沈積裝置。如® 2所示，形成有第一電極 210和P型半導體層231或η型半導體層235的基板100 被設置在起到電極作用的極板300上。另外，在形成受光 層的工序之前，為了去除腔室31〇内的雜質而啓動真空泵 320，並通過角閥33〇去除腔室31〇内的雜質使腔室 310内部達到實質上的真空狀態。 如果腔室31 0内部達到實質上的真空狀態，則諸如氫 氣（Η2)和矽烷（SiH4)的原料氣體和含有諸如鍺的非矽元素的 原料氣體通過流量控制器MFC1、MFC2、MFC3和形成有 喷嘴的電極340而流入到腔室31〇内。 201103155 卻，氫氣可通過第一流量控制器MFC1流入到腔室， 矽烷可通過第二流量控制器MFC2流入到腔室。另外，含 有諸如鍺的非矽元素的原料氣體可通過第三流量控制器 M F C 3流入到腔室。 此時，角閥330來通過控制使腔室31 0内的壓力保持 恒疋。如果腔室310内的壓力保持恒定，則防止在腔室内 31 0因發生渦流而生成矽粉末的現象，且使沈積條件保持 恒定。流入的氫氣用於稀釋矽烷且降低光輻射引致性能衰 退效應（Staebler-Wronski effect)。 原料氣體被流入且電源E供給電壓時，電極340和極 板300之間產生電位差，由此使原料氣體呈等離子體狀態 而使受光層被沈積在p型半導體層231或η型半導體層 235 上。 圖5a至圖5f表示本發明實施例中用於形成受光層的 原料氣體的流量變化 。 如圖5a至5c所示，含有諸如鍺的非矽元素的原料氣 體的流量隨著沈積時間T反復在第一流量值α和第二流量 值/5之間的變化。此時，第一流量值α和第二流量值召保 持恒定’第一流量值α大於第二流量值^，且第二流量值 β為零。 此時’第一時刻的氫氣流量大於在第一時刻之後的第 二時刻的氫氣流量。如此，氫氣流量Α的減少可以有多種 形式。例如，如圖5a所示，從受光層沈積的時刻開始，在 第一流量值α和第二流量值冷變化的—個以上的周期p期 間’被供給的氫氣流量Α1大於一個以上周期Ρ之後被供 201103155 給的氫氣流量A2大。如圖5b所示，從受光層沈積的時刻 開始’在第一流量值和第二流量值冷發生變化的每個周 期P内氫氣流量A1、A2、A3、…可以減少。另外，如圖 5c所示’氫氣流量隨著沈積時間T的變化而逐漸減少。 對於這種氫氣流量的變化，下面進行詳細的說明。 在圖5a至5c中，氫氣流量在變化而含有非矽元素的 原料氣體的第一流量值α和第二流量值沒保持恒定。相反 ，如圖5d至5f所示，氫氣流量如圖5a至5c所示在減少 ，但含有非矽元素的原料氣體的第—流量值α可以增加或 保持第一流量值α的時間t1可以增加。 产即，對於在® 5d至5f中所示的含有非石夕元素的原料 ，供給模式，其可適用於圖5a至5c所示的、氫氣流 量變化模式之中的-個。例如，如圖5a所示，氫氣流量發 生變化’且可按照圖闵至5”所示的、含有非石夕元素的 原料氣體的供給模式之中中的一個模式，供給含有非石夕元 素的原料氣體。 # ® 5d所不’含有非矽兀素的原料氣體的流量，其隨 者沈積時間T的變化及漶力‘笛、ώ θ ι化夂復在第一流量值α和第二流量值/9 增加 ’的炎化且第-流s值α隨著沈積時間了的變化而 此時，第一流量值β知笸_ $ ! 周期ρ 值α矛第— 里值/5發生變化的一個 泠的 ’、、一流量值α的時間”和保持第二流量值 、時間t2隨著沈積時間丁的變化而保持恒定。 如圖5e所示，合古非坊；主 積眸„， 3有非矽兀素的原料氣體的流量隨著沈 償時間T而反復在第—户 瓜里值α和第二流量值/5 =0之間的 201103155 變化£第—流量值α和第二产旦 ρ内，保持第 瓜里冷發生變化的一個周期 而增加广—一刚間"隨著沈積時間Τ的變化 此時，第一流量值α和第二冷 的變化而保持值定。第一流旦Ρ量值石隨著沈積時間丁 化的-個周期9内，保持第…α和第二流量值々發生變 二流量值…夺間之比隨著；：广的時間”和保持第 ”之比奴者沈積時間丁的變化保持恒定。 :圖5f所示’含有非石夕元素的原 者沈積時間T而反德扃坌士旦 1置/'隨 的-化。㈣值'和第二流量值万之間 此時，第—流量值α和第二 -個周期Ρ内，佯括笛一、…士 W玍變化的 Τ㈣π 呆持第、量值α的時間隨著沈積時間 增加，且第—流量值α隨著沈積時間τ的變化 而增加。 ）文儿 在第π !值α和第二流量值沒發生變化的一個周期 内保持第-流量值α的時間t1和保持第二流量值石的 時間之比在沈積時間τ的變化中保持恒定。 备3有諸如鍺的非矽元素的原料氣體的流量反復在第 -流里值〇:和第二流量值召=〇之間的變化時，如圖6所示 ，包括多個子層（5.|3帅)2333、233|：)的受光層233形 成在ρ型半導體層231或η型半導體層235上。即，隨著 含有非矽元素的、原料氣體的流量的增加，其結晶性降低 且沈積速度變慢。相反，隨著含有非矽元素的、原料氣體 的流量的減少，其結晶性和沈積速度增加。 由此’在以第二流量值供給原料氣體的期間，由於不 供給含有非矽元素的原料氣體，因此第二子層233b由氫化 11 201103155 微晶矽（M c-Si:H)構成。此時，在第二子層233b的微晶矽 之間形成谈有晶石夕晶粒的非晶石夕網狀物（a_S丨：η)。 另外’由於供給含有非矽元素的原料氣體，因此第一 子層233a可由微晶矽鍺（"c_SiGe:H)構成。在第一子層 233a的微晶矽鍺之間形成嵌有晶矽晶粒的非晶矽鍺網狀物 (a-SiGe:H)。 如果氫氣稀釋比大於其標準值，則有可能形成不是氫 化非晶石夕相的、微晶矽鍺或諸如微晶矽的微晶矽相。如此 形成的第一子層233a和第二子層233b的光學能隙較小， 因此能夠易於吸收長波長區域的光。 由此，由氫化微晶矽構成的第二子層233b和由氫化微 晶矽鍺構成的第一子層233a，可包括在二重或三重接合光 電裝置中底部單元的受光層。 如上所述’當形成具有多個子層233a，233b的受光 層233時’減少作為初期效率和穩定效率之差的劣化率， 因此本發明實施例中的光電裝置能夠具有較高的穩定效率 〇 即，與僅由微晶矽鍺（μ C_SiGe:H)構成的受光層相比 ’本發明實施例中的第一子層233a和第二子層233b交又 形成’分別含有非晶矽鍺網狀物（a_SiGe:H)和非晶矽網狀 物（a-Si:H)的第一子層233a和第二子層233b’其通過氫氣 的稀釋k尚短程有序（SR〇，Short-Range-Order)和中程有 序（MR〇，Medium-Range-Order)，因此加快了 受光層 233 的劣化並提高穩定效率。即，與僅由微晶矽鍺單一膜構成 的又光層233相比，第二子層233b的氫化微晶矽填滿第 12 201103155 一子層233a的氫化微晶矽鍺之間，因此沈積速度快，並且 能夠可以抑制由鍺引起的、受光層233的缺陷密度的增加 如上所述，第二子層233b由氫化微晶矽構成，第一子 層233a由氫化微晶石夕鍺構成。此時，如本發明實施例中的 圖5a至5c所示，使氫氣流量隨著沈積時間而發生變化， 這是為了使在氫化微晶矽之前形成的孵化層（incubatj〇n layer)最大限度地變薄。 即，在形成氫化微晶石夕的過冑中形成由非晶石夕構成的 孵化層。#晶矽因載流子的再結合增加而降低了效率因 此孵化層儘量要薄。氫氣流量增加導致結晶性增加，因此 在本發明實施例中’第-時刻的氫氣流量大於第—時刻之 後的第二時刻上的氫氣流量。由此使解化層的厚度減少而 使光電裝置的效率提高。 另外，如圖5e至5f所示，隨著沈積時間丁的變化， 含有諸如鍺的㈣元素的原料氣體的第—流量值。或保持 第-流量值α的時間t1增加。如上所述，通過第一流量值 α和第二流量值点而形成的受光層233的第—子層“Μ 和第二子層233b，其按照遠離光入射一側的方式形成。由 此離光人射-侧越遠’第—子層233a和第二子層2咖的 光學能隙逐漸減小。 對於能量密度高的特定波長區域的光，其透射深度 (Pe_ati〇ndepte)小，因此為了吸收能量密度高的特定波 長區域的光，光學能隙必須要大。 含有諸如錯的非石夕元素的原料氣體的流量越小其光學 13 201103155 能隙就越大，因此，如圖5d至圖5f所示，通過原料氣體 的供給，離光入射一側較近的子層233a、233b具有相對 大的光學能隙。由此，離光入射一側較近的子層233a、 233b能夠最大限度地吸收特定波長區域的光。 另外，含有諸如鍺的非矽元素的原料氣體的流量越大 ，離光入射一側較遠的子層233a、233b具有相對小的光 學能隙。由此，離光入射一側較遠的子層233a、233b能 夠最大限度地吸收特定波長以外區域的光。 在本發明的實施例中所使用的等離子體化學氣相沈積 方法中，電源E提供的電壓頻率可以為13 56 MHz以上。 電源E提供的電壓頻率大於2712 MHz時沈積率得到提高 。由此，由非晶石夕構成的孵化層可能會更薄。 為了吸收長波長區域的光，由氫化微晶矽鍺和氫化微 晶矽構成的受光層233的光學能隙可以為〇.9eV〜13eV， 鍺平均含量可以為Oatomic %〜1 5atomic%。 由氫化微晶矽鍺和氫化微晶矽構成的受光層233的厚 度可以為0.5//m〜如果受光層233的厚度小於 〇_5# m，則受光層233無法起到作為受光層的作用，如果 其厚度大於1.0 ym，則因受光層233的厚度過厚而使效率 降低。 即’根據本發明實施例的受光層233的光學能隙為 0.9eV〜1.3eV，比較小，因此，即使受光層233具有〇 5以 m〜1 _0# m的、如此薄的厚度，也能夠易於吸收長波長區域 的光。 另外，為了形成0_9eV〜1.3eV的光學能隙’必須增加 201103155 諸如鍺的非矽元素的含量。以鍺為例，如果其含量增加， 則沈積率下降，因此製造時間（tact time)顯著增加。在本 發明實施例中，在不供給鍺的情況下，第二子層233b反復 在形成’因此即使錯平均含量大於〇at〇rnic%且i5at〇mjc〇/〇 ’也能夠形成0.9eV~ 1.3eV的光學能隙。 由氫化微晶矽構成的第二子層233b的厚度可以為 2〇nm以上。如果第二子層233b的厚度小於20 nm，則難 以形成氫化微晶矽，因此難以獲得包括第一子層233a和第 二子層233 b的受光層233的效果。 如上所述，受光層233的厚度可以為〇.5/z mq.oe m 。另外’包括第一子層233a和第二子層233b的受光層 233為了起到其作用，可以為5〜彳〇個周期p。由此，在一 個周期P内，以第一流量值α和第二流量值点=〇供給鍺時 ，第一子層233a和第二子層233b的厚度之和可以為 50nm〜1 〇〇nm ° 由氫化微晶矽鍺和氫化微晶矽構成的受光層233的平 均結晶體體積分數可以為30%〜60%。平均結晶體體積分數 小於30%時，生成很多非晶矽，因此，有可能因載流子的 再結合增加而導致效率的降低。另外，當平均結晶體體積 分數大於60%時，結晶物質的晶界量增多，晶粒缺陷 (defect)也隨之增多，因此有可能增加再結合。 由氫化微晶石夕鍺和氫化微晶石夕構成的受光層2 3 3的平 均氧氣含量可以為1.〇x1 〇20atoms/cm3。如果受光層233 的平均氧氣含量大於1·〇χ1 〇20 atoms/cm3，則光電轉換效 率減低。 15 201103155 在本發明的實施例中，雖然首先形成第一子層233a， 但第一子層233b也可以先於第一子層233a形成。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明第一實施例的光電裝置的示意圖； 圖2為根據本發明第二實施例的光電裝置的示意圖； 圖3a至圖3h表示本發明實施例的光電裝置的製造方 法； 圖4表示本發明實施例中用於形成受光層的等離子體 化學氣相沈積裝置；

圖5a至圖5f表示本發明實施例中用於形成受光層的 原料氣體的流量變化； S 圖6表示包括在本發明實施例的具有多個子層的受光 層。 【主要元件符號說明】 10〇基板 200光電單元 210第一電極 220第一分離槽 230光電轉換層 230-1第一光電轉換層 230. -2第二光電轉換層 231, 231-1, 231-2 p 型半導體層 233, 233-1，233-2 受光層 233a, 233-1a, 233-2a 第一子層 233b, 233-1b, 233-2b 第二子層 16 201103155 235, 235-1, 235-2 η 型半導體層 240第二分離槽 270第三分離槽 310腔室 250第二電極 300保護層 320真空泵 330角閥 340電極 3 0 0極板 MFC1第一流量控制器 MFC2第二流量控制器 MFC3第三流量控制器 17

Claims (1)

1. 201103155 七、申請專利範圍： 1· 一種光電裝置，包括： 基板（100); 第一電極（210)，設置在所述基板上； 至少一個光電轉換層（230)，設置在所述第一電極（21〇) 上，且包括受光層（233); 第二電極（250)，設置在所述光電轉換層（230)上；其中 y 所述受光層（233)包括： 第一子層（233a) ’含有氫化微晶矽鍺和在所述氫化微 晶矽鍺之間形成的非晶矽鍺網狀物（a-SiGe:h〇 ; 第二子層（233b)，含有氫化微晶矽和在所述氫化微晶 矽之間形成的非晶矽網狀物（a-Si:H)。 2. 如申請專利範圍第1項所述的光電裝置， 所述受光層的平均錯含量為大於〇at〇mic% 〜15at〇mic% ° 3. 如申請專利範圍第1項所述的光電裝置， 所述受光層的厚度為0.5/^m〜 4. 如申請專利範圍第彳項所述的光電裝置， 所述又光層的平均結晶體體積分數為。 5. 如申請專利範圍第！所述的光電裝置， 所述受光層的平均氧氣含量為1〇χΐ〇2〇 at_/cm3以 下。 6. 如申請專利範圍第1頂餅、+, , 固乐貝所述的光電裝置， 所述光電轉換層（230)包括第— ^ 九電轉換層和設置在所 18 201103155 述第一光電轉換層（230·1)上的第二光電轉換層（230-2); 包括在所述第二光電轉換層的受光層包括·· ，第一子層（233-2a)，含有氫化微晶石夕錯和在所述氮化 微晶矽鍺之間形成的非晶矽鍺網狀物； 第一子層（233-2b)，含有鱼化将曰丄 a令虱化儆日日矽和在所述氫化微 晶矽之間形成的非晶矽網狀物。 7_如申請專利範圍第6項所述的光電裝置， 所述第二光電轉換層與第一光電轉換層相比，離光入 射一側更遠。 8.如申請專利範圍第彳或6項所述的光電裝置， 所述非晶矽鍺網狀物和非晶矽網狀物均含有晶矽晶粒 〇 9_ 一種光電裝置的製造方法，包括： 在基板（100)上形成第一電極（21〇); 在腔室（310)内於第一電極（21〇)上形成包括受光層 (233)的至少一個光電轉換層（230); 在所述光電轉換層（230)上形成第二電極（25〇);其中 形成所述受光層（233)期間’供給到所述腔室（31 〇)内的 矽烷的流量保持恒定； 含有非石夕元素的原料氣體的流量隨著沈積時間的變化 反復在第一流量值和第二流量值之間的變化； 在第一時刻流入到所述腔室（31 0)的氫氣流量大於在第 一時刻之後的第二時刻流入到腔室（310>的氫氣流量。 1 0 _如申請專利範圍第9項所述光電裝置的製造方法 201103155 戶斤述第一流量值隨著沈積時間而增加； i過所述第一流量值和所述第二流量值形成的戶斤述焚 光層的第一子層和第二子層按照遠離光入射一側的方式形 成。 11.如申請專利範圍第9項所述光電裝置的製造方法 ， 保持所述第一流量值的時間隨著沈積時間而增加； 通過所述第一流量值和所述第二流量值形成的所述受 光層的第一子層和第二子層按照遠離光入射一側的方式形 成。 12·如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法’所述第二流量值為零。 13·如申請專利範圍第9項所述光電裝置的製造方法 ’所述非矽元素為鍺。 14. 如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法， 在所述第一流量值和所述第二流量值發生變化的一個 以上周期内所供給的所述氫氣流量大於在所述一個以上周 期之後所供給的所述氫氣流量。 15. 如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法，在所述第一流量值和第二流量值發生變化 的每個周期，所述氫氣流量減少。 1 6_如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法’所述氣氣流量隨著沈積時間逐漸滅少。 1 7 ·如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 20 201103155 置的製造方法，所述受光層包括多個第一子層和第二子層 y 所述多個第一子層和第二子層離光入射一側越近所具 有的光學能隙越大。 18·如申請專利範圍第9項所述光電裝置的製造方法 5 所述含有非矽元素的原料氣體包含鍺時，所述受光層 的平均鍺含量大於Oatomic%〜1 5atomic%。 19·如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法，所述受光層的光學能隙為〇.9eV~1.3eV。 20·如申請專利範圍第9至11項中任一項所述光電裝 置的製造方法’形成所述受光層時’供給到所述腔室的電 壓頻率為27.12 MHz以上。 21·如申請專利範圍第9項所述光電裝置的製造方法 ) 所述含有非矽元素的原料氣體包含鍺； 所述受光層包括所述原料氣體以所述第一流量值供給 期間形成的第一子層和所述原料氣體以所述第二流量值供 給期間形成的第二子層；其中 所述第二子層由氫化微晶石夕構成，所述第一子層由氯 化微晶矽鍺構成。 22·如申請專利範圍第9至11項中任_項所述光電裝 置的製造方法，所述受光層的厚度為〇 5/z 。 23·如申請專利範圍第9至11項中任—項所述光電裝 置的製造方法， 21 201103155 所述受光層包括所述原料氣體以所述第_流量值供仏 期間形成的第一子層和所述原料氣體以所述第二流量值供 給期間形成的第二子層；其中， 所述第二子層的厚度為20nm以上。 24.如申請專利範圍第9至11 1項中任一項所述光電裝 置的製造方法， 所述含有非矽元素的原料氣體包含鍺； 所述受光層包括所述原料氣體以所述第-流量值供給 期間形成的第-子層和所述原料氣體以所述第二流量值供 給期間形成的第二子層；其中， 在一個周期内形成的所述第—早爲 k弟子層和所述第二子層的 厚度之和為50nm〜100nm。 25·如申請專利範圍第9項 ’所这先電裝置的製造方法 ) 所述含有非矽元素的原料氣體包含錯，· 所述第一流量值大於第二流蜃 L $值且所述第二流量值為 零； 所述受光層的平均結晶體體積分數為3〇〇/『6〇%。 26_如中請專利範圍第9至11項中任—項所述光電裝 置的製造3方法，所述受光層的平均氧氣含量為ι〇χΐ〇2。 atoms/cm 以下。 八、圖式·（如次頁） 22