JPH04168769A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPH04168769A JPH04168769A JP2296438A JP29643890A JPH04168769A JP H04168769 A JPH04168769 A JP H04168769A JP 2296438 A JP2296438 A JP 2296438A JP 29643890 A JP29643890 A JP 29643890A JP H04168769 A JPH04168769 A JP H04168769A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、太陽電池、光センサ等として用いられる光起
電力素子の製造方法に関する。
電力素子の製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、光起電力素子はガラス等の透光性基板」二に透
明電極と、導電型が夫々ｎ型、】 （真性）型、ｎ型の
３層の非晶質半導体層と、裏面電極と、をこの順序に積
層して構成されている。
明電極と、導電型が夫々ｎ型、】 （真性）型、ｎ型の
３層の非晶質半導体層と、裏面電極と、をこの順序に積
層して構成されている。
このような光起電力素子は安価である利点を有する反面
、結晶系シリコンを用いた光起電力素子と比較して光電
変換効率が低いという問題があった。
、結晶系シリコンを用いた光起電力素子と比較して光電
変換効率が低いという問題があった。
また、非晶質半導体層を用いた光起電力素子は３００〜
８００ｎｍの光感度を有するが、それ以」二の長波長側
にも感度を有する光起電力素子が要求されるようになっ
てきた。
８００ｎｍの光感度を有するが、それ以」二の長波長側
にも感度を有する光起電力素子が要求されるようになっ
てきた。
このため、結晶系の多結晶シリコンを用いた光起電力素
子が注目されている。多結晶シリコンは非晶質シリコン
に比べ移動度が１〜２桁程度高く、また熱的に安定して
おり信頼性が高いという特性を有する。しかも光感度も
３００〜１．ｌｏｏｎｍと広い。
子が注目されている。多結晶シリコンは非晶質シリコン
に比べ移動度が１〜２桁程度高く、また熱的に安定して
おり信頼性が高いという特性を有する。しかも光感度も
３００〜１．ｌｏｏｎｍと広い。
従来、多結晶シリコンは、低コスト化のため通常はＣＶ
Ｄ法により基板上に非晶質シリコンを形成した後、この
基板を真空容器内に入れ熱処理を施し、この熱処理によ
り非晶質シリコン層を結晶化させて、多結晶シリコンを
なすいわゆる同和成長により形成されている。
Ｄ法により基板上に非晶質シリコンを形成した後、この
基板を真空容器内に入れ熱処理を施し、この熱処理によ
り非晶質シリコン層を結晶化させて、多結晶シリコンを
なすいわゆる同和成長により形成されている。
上述した従来方法にあっては、基板上に直接多結晶シリ
コンを形成するためには、固相成長温度として５００℃
以上必要であり、安価な基板であるガラスを使用するの
が困難であるという問題があった。
コンを形成するためには、固相成長温度として５００℃
以上必要であり、安価な基板であるガラスを使用するの
が困難であるという問題があった。
また、従来は多結晶シリコンだけを形成していたので、
マルチバンドギャップの光起電力素子を形成することが
できなかった。マルチバンドギャップの太陽電池として
は２つ以上のｐ／ｎまたはｐｉｎ接合からなる素子が存
在するが、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はシリコンゲルマニ
ウム（ＳｉＧｅ）を発電層に用いた素子の特性が悪く、
長波長光に対する電流取り出しが効率的に行なわれない
という問題点があった。
マルチバンドギャップの光起電力素子を形成することが
できなかった。マルチバンドギャップの太陽電池として
は２つ以上のｐ／ｎまたはｐｉｎ接合からなる素子が存
在するが、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はシリコンゲルマニ
ウム（ＳｉＧｅ）を発電層に用いた素子の特性が悪く、
長波長光に対する電流取り出しが効率的に行なわれない
という問題点があった。
本発明は斯る事情に鑑みなされたものであって、固相成
長温度の低温化図ると共に、マルチバンドギャップの光
起電力素子を製造する方法を提供することにある。
長温度の低温化図ると共に、マルチバンドギャップの光
起電力素子を製造する方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は基板上に、非晶質シリコンゲルマニウム又は非
晶質ゲルマニウムからなる第１の非晶質半導体層と、非
晶質シリコン層とを順次形成した後、これに熱処理を施
し、前記各非晶質層を結晶化させて、多結晶シリコンゲ
ルマニウム又は多結晶ゲルマニウムからなる第１の多結
晶半導体層及び多結晶シリコン層となすことを特徴とす
る。
晶質ゲルマニウムからなる第１の非晶質半導体層と、非
晶質シリコン層とを順次形成した後、これに熱処理を施
し、前記各非晶質層を結晶化させて、多結晶シリコンゲ
ルマニウム又は多結晶ゲルマニウムからなる第１の多結
晶半導体層及び多結晶シリコン層となすことを特徴とす
る。
〔作用１
非晶質シリコンゲルマニウム（ａ−３ｉＧｅ）または非
晶質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）は４００℃の低温で固相
成長する。従って、４００℃の熱処理により、ａ−３ｉ
Ｇまたはａ−Ｇｅの固相成長が始まり、これが非晶質
シリコン（ａ−８ｉ）層まで、進んでａ−３ｉが固相成
長する。ａ−３ｉ単体では、固相成長しない４００℃の
温度でａ−８ｉの固相成長が行なわれる。
晶質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ）は４００℃の低温で固相
成長する。従って、４００℃の熱処理により、ａ−３ｉ
Ｇまたはａ−Ｇｅの固相成長が始まり、これが非晶質
シリコン（ａ−８ｉ）層まで、進んでａ−３ｉが固相成
長する。ａ−３ｉ単体では、固相成長しない４００℃の
温度でａ−８ｉの固相成長が行なわれる。
更に、基板、多結晶シリコンゲルマニウムまたは多結晶
ゲルマニウムからなる半導体層と、多結晶シリコン層と
をこの順序で形成できるので、マルチバンドギャップの
光起電力素子を形成するこ−３＝ とができる。
ゲルマニウムからなる半導体層と、多結晶シリコン層と
をこの順序で形成できるので、マルチバンドギャップの
光起電力素子を形成するこ−３＝ とができる。
また、従来有効に電流を取り出せなかったゲルマニウム
またはシリコンゲルマニウム層からの電流取り出しが有
効に行なえる。
またはシリコンゲルマニウム層からの電流取り出しが有
効に行なえる。
以下、図面に従い本発明の実施例について説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明の光起電力素子の
製造方法を示す断面図であり、第１図（ａ）は熱処理を
施す前、第１図（ｂ）は熱処理を施した後を夫々示す。
製造方法を示す断面図であり、第１図（ａ）は熱処理を
施す前、第１図（ｂ）は熱処理を施した後を夫々示す。
第１図（ａ）に示すように、石英などからなる基板１上
にａ−８ｉＧｅまたはａ−Ｇｅからなる第１の非晶質半
導体層２が形成される。
にａ−８ｉＧｅまたはａ−Ｇｅからなる第１の非晶質半
導体層２が形成される。
上述の第１の非晶質半導体層２はプラズマＣＶＤ法によ
り、基板１上に形成する。そして、第１の非晶質半導体
層２としてａ−８ｉＧｅ層を形成する場合の材料ガスは
、Ｓ ｉ Ｈ４とＧｅＨ，を用い、ａ−Ｇｅ層を形成す
る場合の材料ガスとしてはＧｅＨ，を用いる。また、ａ
−８ｉＧｅ層は、３ｉＨ４とＧｅＨ，のガス流量比を変
えることにより、膜中のＳｉとＧｅの比を自由に変えら
れる。
り、基板１上に形成する。そして、第１の非晶質半導体
層２としてａ−８ｉＧｅ層を形成する場合の材料ガスは
、Ｓ ｉ Ｈ４とＧｅＨ，を用い、ａ−Ｇｅ層を形成す
る場合の材料ガスとしてはＧｅＨ，を用いる。また、ａ
−８ｉＧｅ層は、３ｉＨ４とＧｅＨ，のガス流量比を変
えることにより、膜中のＳｉとＧｅの比を自由に変えら
れる。
この第１の非晶質半導体層２上に非晶質シリコン層３が
同じくプラズマＣＶＤ法により形成される。この非晶質
シリコン層３を形成する場合の材料ガスはＳｉＨ，が用
いられる。
同じくプラズマＣＶＤ法により形成される。この非晶質
シリコン層３を形成する場合の材料ガスはＳｉＨ，が用
いられる。
その後、上述のように、基板１上に第１の非晶質半導体
層２、非晶質シリコン層３を順次形成した非晶質系の素
子を真空容器内に入れ、温度４００℃に保持して約１０
時間熱処理を施すこの熱処理により、第１図（ｂ）に示
すように、非晶質半導体層を結晶化させて、多結晶シリ
コンゲルマニウムまたは多結晶ゲルマニウムからなる第
１の多結晶半導体層２１、多結晶シリコン層３１をなす
いわゆる固相成長が行なわれる。
層２、非晶質シリコン層３を順次形成した非晶質系の素
子を真空容器内に入れ、温度４００℃に保持して約１０
時間熱処理を施すこの熱処理により、第１図（ｂ）に示
すように、非晶質半導体層を結晶化させて、多結晶シリ
コンゲルマニウムまたは多結晶ゲルマニウムからなる第
１の多結晶半導体層２１、多結晶シリコン層３１をなす
いわゆる固相成長が行なわれる。
この時、ａ−３ｉ単体では４００℃で固相成長しないが
、ａ−８ｉＧｅ又はａ−Ｇｅは４００℃で固相成長する
ので、ａ−８ｉ層３まで固相成長が進む。このように、
ａ−３ｉＧｅ又はａ−Ｇｅは、ａ−３ｉの固相成長を促
進させる効果を有する。
、ａ−８ｉＧｅ又はａ−Ｇｅは４００℃で固相成長する
ので、ａ−８ｉ層３まで固相成長が進む。このように、
ａ−３ｉＧｅ又はａ−Ｇｅは、ａ−３ｉの固相成長を促
進させる効果を有する。
また、固相成長温度については、Ｇｅｉと関係かあり、
Ｇｅ量が多い程、固相成長温度の低温化が可能である。
Ｇｅ量が多い程、固相成長温度の低温化が可能である。
第２図にＧｅ量に対する固相成長可能温度の関係を示す
。第２図から明らかなように、Ｇｅの量と共に固相成長
温度が低温化されることがわかる。従って基板／ａ−Ｇ
ｅ／ａ−３ｉを出発材料とした時、最も固相成長温度を
低温化できるのである。
。第２図から明らかなように、Ｇｅの量と共に固相成長
温度が低温化されることがわかる。従って基板／ａ−Ｇ
ｅ／ａ−３ｉを出発材料とした時、最も固相成長温度を
低温化できるのである。
このように、基板１」二にａ−８ｉＧｅ又はａ−Ｇｅか
らなる第１の非晶質半導体層２と、ａ−３ｉ層３とを順
次積層した基板を出発材料とすることにより固相成長温
度の低温化が図れると共に、バンドギャップの異なる半
導体を積層した（マルチバンドギャップ）光起電力材料
を形成できる。
らなる第１の非晶質半導体層２と、ａ−３ｉ層３とを順
次積層した基板を出発材料とすることにより固相成長温
度の低温化が図れると共に、バンドギャップの異なる半
導体を積層した（マルチバンドギャップ）光起電力材料
を形成できる。
尚、多結晶シリコンゲルマニウムまたは多結晶ゲルマニ
ウムからなる半導体層２１のバンドギャップは１．１〜
ｌ 、３ｅＶであり、多結晶シリコン層のバンドギャッ
プは０．９〜１．ｌｅＶである。
ウムからなる半導体層２１のバンドギャップは１．１〜
ｌ 、３ｅＶであり、多結晶シリコン層のバンドギャッ
プは０．９〜１．ｌｅＶである。
第３図に、このマルチバンドギャップ光起電力材料を用
いた光起電力素子の構造図を示す。素子構造は、基板１
上にｎ型多結晶Ｇｅ４．１、多結晶５ｉＧｅ又は多結晶
Ｇｅ層４２、多結晶Ｓ１層４３、ｐ型多結晶Ｓ１層４４
を順次形成したものである。
いた光起電力素子の構造図を示す。素子構造は、基板１
上にｎ型多結晶Ｇｅ４．１、多結晶５ｉＧｅ又は多結晶
Ｇｅ層４２、多結晶Ｓ１層４３、ｐ型多結晶Ｓ１層４４
を順次形成したものである。
第４図（ａ）ないし第４図（ｆ）は、第３図に示した光
起電力素子の製造例を各工程別に示した断面図である。
起電力素子の製造例を各工程別に示した断面図である。
第４図に従い上記光起電力素子の製造方法について説明
する。
する。
まず、第４図（ａ）に示すように、石英基板１」二にｎ
型ａ−Ｇｅ層４をプラズマＣＶＤ法で形成し、その後固
相成長し、第４図（ｂ）に示すように、石英基板１上に
ｎ型多結晶Ｇｅ層４１を形成する。このｎ型多結晶Ｇｅ
層４１はシート抵抗として〜１０Ω／個を有しており、
電極としても作用する。
型ａ−Ｇｅ層４をプラズマＣＶＤ法で形成し、その後固
相成長し、第４図（ｂ）に示すように、石英基板１上に
ｎ型多結晶Ｇｅ層４１を形成する。このｎ型多結晶Ｇｅ
層４１はシート抵抗として〜１０Ω／個を有しており、
電極としても作用する。
続いて、第４図（Ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法
によりａ−３ｊＧｅ又はａ−Ｇｅからなる非晶質半導体
層５及びａ−３ｉ層６を積層して形成する。そして、固
相成長法により、第４図（ｄ）に示すように、多結晶５
ｉＧｅ又は多結晶Ｇｅからなる多結晶半導体層４２と、
多結晶Ｓｉ層４３のマルチバンドギャップ光起電ノＪ材
料を形成する。
によりａ−３ｊＧｅ又はａ−Ｇｅからなる非晶質半導体
層５及びａ−３ｉ層６を積層して形成する。そして、固
相成長法により、第４図（ｄ）に示すように、多結晶５
ｉＧｅ又は多結晶Ｇｅからなる多結晶半導体層４２と、
多結晶Ｓｉ層４３のマルチバンドギャップ光起電ノＪ材
料を形成する。
つぎに、第４図（ｅ）に示すように、ｐ型ａ−８１屓７
をプラズマＣＶＤ法で形成し、固相成長法により、第４
図（ｆ）に示すように、ｐ増多結晶Ｓｉ層４４を形成す
る。このｐ型多結晶Ｓ１層４４はシート抵抗として〜］
ＯΩ／個を有している。
をプラズマＣＶＤ法で形成し、固相成長法により、第４
図（ｆ）に示すように、ｐ増多結晶Ｓｉ層４４を形成す
る。このｐ型多結晶Ｓ１層４４はシート抵抗として〜］
ＯΩ／個を有している。
第５図にこの発明によるマルチバンドギャップ光起電力
材料を用いた光電力素子（Ａ、）の収集効率を示す。比
較のために、多結晶Ｓｉ（単結晶シリコン）光起電力素
子（Ｂ）の収集効率を示す。
材料を用いた光電力素子（Ａ、）の収集効率を示す。比
較のために、多結晶Ｓｉ（単結晶シリコン）光起電力素
子（Ｂ）の収集効率を示す。
マルチバンドギャップ光起電力材料を用いたこの発明に
かかる光起電ノＪ素子（Ａ）の収集効率は、１１０００
ｎ以」二の長波長領域で、ｃ−８ｉ光起電力素子（Ｂ）
の収集効率より高くなっており、１３００ｎｍまで感度
を有している。このように、マルチバンドギャップ光起
電力材料は太陽電池用材料としても優れている。
かかる光起電ノＪ素子（Ａ）の収集効率は、１１０００
ｎ以」二の長波長領域で、ｃ−８ｉ光起電力素子（Ｂ）
の収集効率より高くなっており、１３００ｎｍまで感度
を有している。このように、マルチバンドギャップ光起
電力材料は太陽電池用材料としても優れている。
以上説明したように、非晶質シリコンゲルマニウムまた
は非晶質ゲルマニウムは低温で固相成長が始まり、これ
が非晶質シリコン層まで、進んでａ−８ｉが固相成長す
る。ａ−６ｉ単体では、固相成長しない低温で非晶質シ
リコンの固相成長が行なわれ、固相成長温度の低温化が
図れる。
は非晶質ゲルマニウムは低温で固相成長が始まり、これ
が非晶質シリコン層まで、進んでａ−８ｉが固相成長す
る。ａ−６ｉ単体では、固相成長しない低温で非晶質シ
リコンの固相成長が行なわれ、固相成長温度の低温化が
図れる。
更に、基板、多結晶シリコンゲルマニウムまたは多結晶
ゲルマニウムからなる多結晶半導体層と、多結晶シリコ
ンとをこの順序で形成できるので、マルチバンドギャッ
プの光起電力素子を形成することができる。
ゲルマニウムからなる多結晶半導体層と、多結晶シリコ
ンとをこの順序で形成できるので、マルチバンドギャッ
プの光起電力素子を形成することができる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の光起電力素子の製
造方法を示す断面図である。 第２図はＧｅ量に封子る固相成長可能温度を示す関係図
である。 第３図は、本発明を用いたマルチバンドギャップ光起電
力素子を示す断面図である。 第４図（ａ）ないしくｆ）は、第３図に示す光起電力素
子の製造方法を各工程別に示す断面図である。 第５図はこの発明による光起電力装置と従来の光起電力
素子の収集効率を示す特性図である。 １・・・基板、 ２・・・第１の非晶質半導体層、 ３・・・非晶質シリコン層、 ２１・・・第１の多結晶半導体層、 ３１・・・多結晶シリコン層。 第１図 （ａ） （ｂ） 第４図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 手続補正書 平成３年 １月１６日 １、事件の表示 平成２年特許願第２９６４３８号 ２、発明の名称 光起電力素子の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （＋８８）三洋電機株式会社 ４、代理人 住 所（〒５３１）大阪市北区中津１丁目２番２１号６
、補正の内容 （１）明細書第２頁第６行目のｒ３００〜８００ｎｍＪ
とあるのを［３００〜９００ｎｍ」と補正する。 （２）同書第２頁第１３行目の「３００〜＋１０１００
ｎとあるのを「３００〜１２００ｎｍ」と補正する。 （３）同書第３頁第１７行目の「低温化図るＪとあるの
を「低温化を図る」と補正する。 （４）同書第４頁第１２行目のｒａ−３ｉＧＪとあるの
をｒａ−３ｉＧｅＪと補正する。 （５）同書第６頁第１０行目の「施す」とあるのを［施
す。Ｊと補正する。 （６）同書第７頁第１４行目ないし１５行目の「マルチ
バンドギャップ」とあるのを［マルチバンドギャップ」
と補正する。 （７）同書第７頁第１７行目の「１．１〜１．３ｅＶＪ
とあるのを「０．９〜１．１ｅｖ」と補正する。 （８）同書第７頁第１８行目の「０．９〜Ｉ、 ？ｅ
ｖ」とあるのをｒ １ 、 １〜１ 、 ３ ｅ Ｖ
Ｊ と補正する。 （９）同書第８頁第１４行目及び第９頁第７行１」にお
いて、夫々「０７個」とあるのを「Ω／口」と補正する
。 （１０）同書第９頁第１０行目の「光電力」とあるのを
「光起電力」と補正する。 以」二
造方法を示す断面図である。 第２図はＧｅ量に封子る固相成長可能温度を示す関係図
である。 第３図は、本発明を用いたマルチバンドギャップ光起電
力素子を示す断面図である。 第４図（ａ）ないしくｆ）は、第３図に示す光起電力素
子の製造方法を各工程別に示す断面図である。 第５図はこの発明による光起電力装置と従来の光起電力
素子の収集効率を示す特性図である。 １・・・基板、 ２・・・第１の非晶質半導体層、 ３・・・非晶質シリコン層、 ２１・・・第１の多結晶半導体層、 ３１・・・多結晶シリコン層。 第１図 （ａ） （ｂ） 第４図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 手続補正書 平成３年 １月１６日 １、事件の表示 平成２年特許願第２９６４３８号 ２、発明の名称 光起電力素子の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （＋８８）三洋電機株式会社 ４、代理人 住 所（〒５３１）大阪市北区中津１丁目２番２１号６
、補正の内容 （１）明細書第２頁第６行目のｒ３００〜８００ｎｍＪ
とあるのを［３００〜９００ｎｍ」と補正する。 （２）同書第２頁第１３行目の「３００〜＋１０１００
ｎとあるのを「３００〜１２００ｎｍ」と補正する。 （３）同書第３頁第１７行目の「低温化図るＪとあるの
を「低温化を図る」と補正する。 （４）同書第４頁第１２行目のｒａ−３ｉＧＪとあるの
をｒａ−３ｉＧｅＪと補正する。 （５）同書第６頁第１０行目の「施す」とあるのを［施
す。Ｊと補正する。 （６）同書第７頁第１４行目ないし１５行目の「マルチ
バンドギャップ」とあるのを［マルチバンドギャップ」
と補正する。 （７）同書第７頁第１７行目の「１．１〜１．３ｅＶＪ
とあるのを「０．９〜１．１ｅｖ」と補正する。 （８）同書第７頁第１８行目の「０．９〜Ｉ、 ？ｅ
ｖ」とあるのをｒ １ 、 １〜１ 、 ３ ｅ Ｖ
Ｊ と補正する。 （９）同書第８頁第１４行目及び第９頁第７行１」にお
いて、夫々「０７個」とあるのを「Ω／口」と補正する
。 （１０）同書第９頁第１０行目の「光電力」とあるのを
「光起電力」と補正する。 以」二
Claims (1)
- （１）基板上に、非晶質シリコンゲルマニウム又は非晶
質ゲルマニウムからなる第１の非晶質半導体層と、非晶
質シリコン層とを順次形成した後、これに熱処理を施し
、前記各非晶質層を結晶化させて、多結晶シリコンゲル
マニウム又は多結晶ゲルマニウムからなる第１の多結晶
半導体層及び多結晶シリコン層となすことを特徴とする
光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296438A JPH04168769A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2296438A JPH04168769A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04168769A true JPH04168769A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17833543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2296438A Pending JPH04168769A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04168769A (ja) |
Cited By (12)
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-
1990
- 1990-10-31 JP JP2296438A patent/JPH04168769A/ja active Pending
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