TW201044552A - Chip structure with electrostatic protection - Google Patents

Description

201044552 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 t本發明係有關一種具有靜電防護功能之晶片、结構，特 指-種藉由尖端放電以消散靜電電荷之具有靜 能之晶片結構。 又“ 【先前技術】 的靈尤其更是會危害電子零件 遞電子訊號:相對父元件本身就是用來傳 是以金層氣化』對靜電放電最為敏感的元件 的互補性4為主的積體電路。舉例來說，電腦中 伏特，動態隨機存二=靜電衝擊㈣為 讀記憶體日m (AM)、可消除可程式唯 伏特。1例1 特，雙極性電晶體晶片約為_ 1物㈣输晶片， 壞，造成功能上的損傷。衣 裝時党到靜電放電的破 有i於電子模組當遇 凡件或導電線路的焊#，、# y μ電何時，易造成 體模組設計上需敕^ 而影響其模組功能，因此在整 加入靜電防護電路或置’而—般設計需 使成本提高。U件’料電子模㈣體積增加，而 201044552 才木&明人有鑑於上士 ^ ^ 時的缺失，且積累個y n肖的、、Ό構裝置於實際施用 ，經驗，精心研究，炊二：：關產業開發實務上多年之 述問題之結構。 又寸口理且有效改善上 【發明内容】 之曰曰片‘：之二f目的’旨在提供-種具有靜電防護功能 ❹

G 生尖端:電之鄰近咖 為 曰加曰日片結構之靜電防護能力。 ^，2 述目的，本發明係提供一種且有靜電％ 蠖功能之晶片幹椹，甘—a . 從^戈砰冤防 數個笛一W、山0 /、匕3 . 一基座，該基座上設有複 數们弟一父端結構，且琴其•办4 該基座上之曰教並 係為一接地準位，·一設於 和费兮|产日日"，、以打線方式連接於導線腳架：一個 架，每-該導線_包括導㈣ ΐ二二° !該第一端部延伸至該封裝結構内部的 山而口且该第一端部上設有對應地鄰近於該第一w、 端結構之第二尖端結構，兩/ 以消除靜電電荷。 ㊉電放電的效果， 結構為1?:上述目的’本發明更提出另'態樣的晶片 第一，,、1、^3接地基座，該接地基座上設有複數個 -大知、‘構；一設於該接地基座上的絕緣層；一設於 該絕緣層上的基座；一設於該 .^ 哕接妯I》 上之日日粒，—個包覆 «玄接地基座、該絕緣層、該基座與該 以及複數個導線聊架，每—該導線腳架係包括；= 5 201044552 封裝結構的外側的第—端部 該封裝結構内部楚—山 由。玄第、冲延伸至 地鄰近於兮第鳊部，且該第二端部上設有對應 端結構料Γ 構^端結構，而該第-尖 /、二 大端結構同樣可產生靜電放電的效果。 該第當靜電產生時’該靜電荷可被導引至 產生放電❹〃心"尖端結構上，並在其尖端部分 電子線=傷以避綱進入内部電路而造成晶片或 為使能更進—步瞭解本創作之特徵及技術内容，請 ;提二：ΐ關本創作之詳細說明與附圖’然而所附圖式 僅fci、參考與說日㈣，並非用來對本創作加以限制者。 【實施方式】 y首先’請參閱第一圖至第三圖，本發明提出— 疔電防護功能之晶片結構卜其包含 /1 · X - 丄 日日祖 16 、一封裝結構13以及複數個導線腳架（lead frre)14。該晶片結構1具有尖端發電的功能，將靜電以 :端放電的方式加以釋放，以避免靜電入侵晶，粒或内 ρ電路所造成的元件傷害。而本發明主要係利用設置於該 基座11的第一尖端結構ιη的尖部構造與設置於每一該^ 線腳架14上的第二尖端結構14〇的尖部構造，產生上述 之尖端發電的功效。尖端放電係指在金屬表面積縮小、曲 料捏縮小時’易聚集電離子，使其成為高電荷能量匯集 區，一旦鄰近金屬或電離子靠近時，則易與能量高的電荷 區產生電位差而釋放電離子（即所謂放電），而達到電荷平 201044552 衡，將此原理運用在本發明之 散靜電咖)突波電荷所造成的Μ構上/以疏導、消 •損傷」進而強化電子模組之抗靜電能力：件或導電線路之 . 請復參考第1 ,其為本判之第— 晶粒Π係設置於該基座u上，“例，其中該 該基座Π與該晶粒12，該封_ =冓㈣包覆 (啊）等封裝材料加以達成； 可料氧樹月旨 排列分佈於該封裝結構1 ；^導線腳架14係 ο 排列態樣可根據各種而§亥些導線腳架14的 各種不同的應用加以調敕 的咖形式（smalI 0utIlne Pa ^例如雙邊引腳 構裝形式(QuadFIaiPaek ㈣腳的四邊平面 T-位於該封震結構13::的腳架 —由該第—端部141延伸至該封裝結^ ，以及 部M2,而該晶粒12_㈣ t的弟二端 二端部142進行電 ㈣=腳表14的第 ο 部⑷則連接於—，且°亥4線_ Μ之第一端 成電路的功能。％ @電子線路（圖未示），以達 數個述之尖端放電，該基座η上設有複 位，而基广二：該基座11係形成為-㈣^ 路杯μ 的接地可以式達成，首先在兮雷 上設有-接地端(圖未示)，而將 先:二電 於該接地端， :連接忒接地端的該導線架一、工 12則係經由打線15金土由 方面，該晶粒 行電性連接。、，/、未連接於該接地端的導線_架14進 7 201044552 兮第=3些導線腳架14均設有—第二尖端結構⑽， 每13 則鄰近於該第—尖端結構⑴，使得 ^ 4結構⑴料部與細龍之該第二尖端 =ΓΓ卩之_駄距_生她電的效應。 片牛靜電由導線腳架14的第一端部141入侵晶 該靜電荷可於對應的第—尖端結構⑴與第二 二部γΓ40產生的尖端放電，藉以釋放靜電，進而保護 ’ 12與電子線路。而在本具體實施例中，該第一 ΙΖ1:的尖部與其所對應之該第二尖端結構】4。的 (=之 定距離係為3至5密爾㈣，最佳為4密爾 (mil)，但不以上述為限。 —m翏考第二圖，其為本發明之第二實施例，盆盘第一 之處在於’該基座11在功能上係為不；接地 一貧轉樣。因此’在本具體實施例中，晶片結構i包含： 基=II、晶粒㈣12、一封裝結構13、複數個導線腳 木（leadf職e)14、—絕緣層17以及—接地基座18。並中， 12同樣設置在該基座U，而該基座11與該晶粒 則進-步設置於該接地基座18上，藉此 u則取代第-實施例中的基座η之接地功能，換言^ 邊接地基座18係以導線連接等方式導接於連接該電路板 之接地端的導線腳架14’以產生接地的效果。另一方 2為了避免該基座11與該接地基座18的電性接觸，兩 者之間則設有一絕緣層17，藉由絕緣層17將基座與接 地基座18的電性特性加以隔絕。 201044552 另一方面，該接地基座 結構⑴，而該導線聊 :；= 固第-尖端 ，結構14〇，利用第— f —Ί142设有第二尖端 Μ '° 1與第二尖端結構140的 實施例所述，每砰電=的功能。換言之，如第一 之該第η_ ^ °構111的尖部與其所對應 端放電的的尖部之間的預定距離係可產生尖 預定距離同樣係介於3至5密爾_)之 隶仏為4岔爾（mi!)。 ο ㈣第―實施例’該些導、線腳架Μ之第 則連接於電路板16上的電 知-卩141 打坤Μ你道^ . 罨子線路，而该晶粒〗2則係經由 ί端=腳:…4(未連接於該接地端的導線聊架H) j弟一知部142進行雷性;查姑 μ », ^ ,f連接，错以達成電路的功能。而 鋪裝結構13則包覆該基犯而 的第二端部142、絕緣声 °亥曰曰粒12、導線腳架14 成封襄、保護的功效/接地基座18，藉以達

G 1請參考第三圖，其為本發明之第三實施例，其中 一只施例的差異在於，該接妯其 ^弟 ηαψ η ^ ± 土座18的一部份係裸露於 =4 13 ’減使該接地基座18直接以焊接等方法 “地板16之接地端，換言之，在本具體實施例中， 18的下半部係裸露於該封裝結構13之外，可 直接接觸於電路板16之接地端，而省略了 3腳架14的其中之-連接於電路板16之接地端，二 r導線連接接地基座18與該導線腳架14的結構。 =所述，本發明在—具體實施例中係利用基座Η >成接地準位，並在該基座u上設有第—尖端結構⑴， 9 201044552 . < · 而每一該導線腳架14 一尖踹姓堪一次鸲結構】40則對應該第 構η’該兩兩相對的第一尖端結構iu與第二 二二可生成尖端放電的效應’因此’當靜電產生 二端放電可釋放靜電，以達成保護晶粒12以 及内部電路之功效。 ^另-實施例中，該基座η與晶粒12更設置於一接 土上18上，且接地基座18與基座u之間具有一 樣藉由接地基座18所形成的接地準位，以使 /-it 18上之第—尖端結構111與該導線腳架14上的 大端:’。構14G因尖端的電場集中而產生尖端放電的效 進而達到月f電防護的功效。而該接地基座18可以利 用間接或直接的方式達成接地的效果，例如·導線腳架 間接接地’或是將接地基座18的—部份裸露於封裝結 構13之和而直接焊接於電路板16之接地端。 因此’错由鄰近的第—尖端結構lu與第二尖端結構 、所產生的尖端放電，可以釋放靜電，冑靜電電荷消散 以有效地保護晶粒12以及内部電路。 以上所述僅為本創作之較佳可行實施例，非因此偈 限士創作之專利範圍’故舉凡運用本創作說明書及圖示 内容所為之等效技術變化，均包含於本創作之範圍内。 【圖式簡單說明】 第圖係為本發明之具有靜電防護功能之晶片結構的第 一實施例示意圖。 第一圖係為本發明之具有靜電防護功能之晶片結構的第 10 201044552 二實施例示意圖。 第三圖係為本發明之具有靜電防護功能之晶片結構的第 . 二貫施例不意圖。 【主要元件符號說明】 1 晶片結構 11 基座 111 第一尖端結構 12 晶粒 13 封裝結構 14 導線腳架 140 第二尖端結構 141 第一端部 142 第二端部 15 打線 16 電路板 17 絕緣層 18 接地基座 〇 11

Claims (1)

1. 201044552 七、_請專利範圍： ’ 】、：:，靜電防護功能之晶片結構’係包含. 二f上設有複數烟第-尖端結構； 口又於该基座上之晶粒： 與及 裝結構的外側的第—端部以及: = 該封 至該封裝結構内部的第二端部，伸 ^對㈣鄰近於該第—尖端結構之第設 Ά:導線腳架之該第一端部係連接於-電路 ，、如二L係連接於該電路板上之接地端。 片、具有靜電防護功能之晶 路板上之接地端:且的其中之一係連接於該電 該導線腳架。亥基座係接觸於連接該接地端的 專:!圍第2項所述之具有靜電防護功能之晶 些導線腳架 粒係以打線方式連接於不接地的該 :°月專利^圍第1或2項所述之具有靜電防護功能 曰曰片·Μ冓’其中每一該第一尖端結構的尖部與其所 對應之該第-,1、W j 一太、、、#構的尖部之間的預定距離係可產 生尖端放電。 第4項所述之具有靜電防護功能之晶 、、°構，其中該預定距離係為3至5密爾（mil)。 12 201044552 6 一種具有靜電防護功能之晶片結構，係包含： 2地基座，簡喊座上設有複數_—尖端結構； 6又於该接地基座上的絕緣層； 一設於該絕緣層上的基座； 一 3又於该基座上之晶粒； 一=覆該接地基座、舰緣層、該基絲該 封裝結構：以及 Ο ❹ 稷數個導線腳架，每一該導線腳架係包括一位於該封 裝結構的外側的第一端部以及一由該第一端部二申 至該封裝結構内部的第二端部，且該第二端部上設 有對應地鄰近於該第一尖職構之第二尖端 其中每厂該導線腳架之該第一端部係連接於二電路 板，該基座係連接於該電路板上之接地端。 、如申請專利範圍第6項所述之具有靜電防護功能之曰 片結構，其中該些導線腳架的其中之一係連接於該= 路板上之接地端，且該接地基座係接觸於連接該接地 端的該導線腳架。 、如申請專利範圍第7項所述之具有靜電防護功能之曰 ^構：其中該晶粒係以打線方式連接於不接地的： 二導線腳架D 、如申請專利範圍第6項所述之具有靜電防護功能之晶 片結構，其中該接地基座的一部份係裸露於該秦m 構，且該接地基座的裸露部分係直接連接於路: 上之接地端。 13 201044552 】〇、如申凊專利範圍第9項所述之具有 片結構^ ⑯電防獲功能之晶 芊。 “曰曰粒係以打線方式連接於該些導線腳 11 、二8或10項所述之具有靜電防護功 所對;=:ί!每一該第一尖端結構的尖部與其 尖端方1電Γ弟—大端結構的尖部之預定距離係可產生 12、二Τ利範圍第11項所述之具有靜電防護功能之 片、，，。構’其中該預定距離係為3至5密爾⑽1)。 ❹ 14