TW201043110A - Package circuit substrate structures and fabrication methods thereof - Google Patents

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201043110 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種封裝電路基板結構及其製造方 法，特別有關於一種運用無導線電鍍技術製造封裝電路基 板的方法及其結構。 【先前技術】 在新世代的電子產品中，不斷地追求元件的輕薄短 小，使得積體電路(Integrated Circuit，簡稱1C)元件朝高 密度發展，因此，印刷電路板（Printed Circuit Board ’簡 稱PCB)也隨之對應進行微小化設計，使電性連接線路的 配置更加地密集化。 目前常使用影像轉移技術製作連接線路，即所謂的影 像轉移技術，係經由上光阻、曝光、顯影、電鍍、去膜與 蝕刻的一連串製程，以圖案化所需的線路’然而，使用影 像轉移技術時，製程中的每一步驟皆需最佳化地控制，特 別是關於微細線路的電鍍製程，更需精準地控制’才能得 到所需之線路。因此，對於封裝電路基板而言，電鍍製程 是很重要的製程步驟，特別是在欲電鍍區域形成可靠度佳 的電鍍層，且在綠漆後製作背面導通，電路基板上無痕跡 的連接線路。 【發明内容】 有鑑於此，本發明之一目的在於解決無導線設計之欲 電鍛區的電鑛方法。 本發明另一目的在於解決在電鍍鎳金後，塗佈綠漆所 201043110 造成綠漆與鎳金層因結合力不佳，而使綠漆容易脫落之問 題。 本發明之實施例提供一種封裝電路基板的製造方 法，包括：提供一基板，具有至少一圖案化第一導電層於 該基板上；形成一圖案化的第一阻擋層於該第一導電層 上’定義出一電鍛區域和一導電開口區域’其中該電鐘區 域和該導電開口區域露出該第一導電層；順應性地形成一 第二導電層於該基板上，覆蓋談第一阻擋層、該電鍍區域 和該導電開口區域；形成一第二阻擋層於該第二導電層 〇 上；圖案化該第二阻擋層與該第二導電層，顯露出該電鍍 區域；電鍍一金屬層於該電鍍區域中的該第一導電層上， 其中該電鍍步驟的一電流路徑是經由該第二導電層與該 導電開口區域中的該第一導電層，傳導至該電鍍區域中的 該第一導電層；以及移除該第二阻擋層與該第二導電層。 本發明之實施例另提供一種封裝電路基板的製造方 法，包括：提供一基板，其具有一導通孔、一圖案化第一 上導電層於該基板的一第一面上、及一圖案化第一下導電 〇 層於該基板的一第二面上；形成一第一上阻擋層於該第一 面上且形成一第一下阻擋層於該第二面上；圖案化該第一 上阻擋層，以定義出一電鍍區域和一第一導電開口區域， 且圖案化該第一下阻擋層，以定義出一第二導電開口區 域，其中該電鍍區域中的該第一上導電層藉由該導通孔與 該第二導電開口區域中的該第一下導電層構成一連續導 體；順應性地形成一第二上導電層於該第一面上，覆蓋該 弟'一上阻撞層、該電鍛區域和該第'導電開口區域^且形 成一第二下導電層於該第二面上，覆蓋該第一下阻擔層和 5 201043110 該第二導電開口區域；形成一第二上阻擋層於該第二上導 電層上，及形成一第二下阻擋層於該第二下導電層上；圖 案化該第二上阻擋層與該第二上導電層，顯露出該電鍍區 域；施以無導線電鍍法，以形成一電鍍層於該電鍍區域中 的該第一上導電層上，其中該無導線電鍍步驟的一第一電 鍍電流路徑是經由該第二上導電層與該第一導電開口區 域中的該第一上導電層，傳導至該電鍍區域中的該第一上 導電層，以及其中該無導線電鍍步驟的一第二電鍍電流路 徑是經由該第二下導電層與該第二導電開口區域中的該 第一下導電層，透過該導通孔，傳導至該電鍍區域中的該 第一上導電層；以及移除該第二上阻擋層與該第二上導電 層及該第二下阻擋層與該第二下導電層。 本發明之實施例另提供一種封裝電路基板的製造方 法，包括：提供一基板結構，其具有一圖案化第二上導電 層於該基板結構的一第一面上、及一圖案化第二下導電層 於該基板結構的一第二面上；形成一圖案化的第一上阻擋 層於該第一面上，定義出一第一電鍍區域、一第二電鍍區 域和一第一導電開口區域，及形成一圖案化第一下阻擋層 於該第二面上，定義出一第二導電開口區域；順應性地形 成一第三上導電層於該第一面上，覆蓋該第一上阻擋層、 該第一電鍍區域、該第二電鍍區域和該導電開口區域，並 且形成一第三下導電層於該第二面上，覆蓋該第一下阻擋 層和該第二導電開口區域；形成一第二上阻擋層於該第三 上導電層上，並且形成一第二下阻擋層於該第三下導電層 上；圖案化該第二上阻檔層與該第三上導電層，以顯露出 該第一電鍍區域和該第二電鍍區域；施以無導線電鍍法， 201043110 以形成一第一電鍵層於該第一電鍛區域與該第二電鍛區 域中的該第二上導電層上，其中該電鍍步驟的一第一電鍍 電流路徑是經由該弟二上導電層與該弟·一導電開口區域 中的該第二上導電層，傳導至該第一電鍍區域中的該第二 上導電層，及其中該電鍍步驟的一第二電鍍電流路徑是經 由該第二下導電層與該第二導電開口區域中的該第二下 導電層，透過該基板結構，傳導至該第二電鍍區域中的該 第二上導電層；移除該第二上阻擋層及移除該第二下阻擋 層；順應性地形成一第四導電層於該第一面上，覆蓋該第 〇 三上導電層、該第一電鍍區域、該第二電鍍區域和該第一 導電開口區域；形成一第三上阻擋層於該第四導電層上， 及形成一第三下阻擋層於該第三下導電層上；移除該第三 下阻擋層與該第三下導電層；施以無導線電鍍法，以形成 一電鍍層於該第二下導電層上；以及移除該第三上阻擋 層、該第三.上導電層與該第四導電層。 本發明之實施例又提供一種封裝電路基板結構，包 括： Q —基板，具有一導通孔、一圖案化第一上導電層於該 基板的一第一面上、及一圖案化第一下導電層於該基板的 一第二面上；一圖案化第一上阻擋層於該第一面上，定義 出一電鍍區域和一第一導電開口區域；一圖案化第一下阻 擋層於該第二面上，定義出一第二導電開口區域；一上電 鍍層於該電鍍區域中的該第一上導電層上；以及一下電鍍 層於該第二導電開口區域中的該第一下導電層上。 本發明之實施例又再提供一種封裝電路基板結構，包 括：一基板結構，其具有一圖案化第二上導電層於該基板 201043110 結構的一第一面上、 ， 構的一第二面上；一一圖案化第二下導電層於該基板結 上，定義出一第—带步、化的第一上阻擋層於該第一面 電開Π區域；一圖;二二，、—第二電鍍區域和一第一導 出-第二導電開口區域弟：c第二面上，定義 該第二上導電層上；以==电鍍層於該電鍍區域中的 區域的該第二下導雷層上。第—電鍍層於該第二導電開口 為使本發明能更明顯易懂 所附圖式，作詳細說明如下：下文将舉A施例，並配合 【實施方式】 似或相同之;二==。在圖式或說明書描述中，相 之形狀或是厚度可擴大目二圖且在圖式中，實施例 是，圖中未^描述說明之，值得注意的 常知識者所知的形式，另：牲f所屬技術領域中具有通 明使用之特定方式，其並非用以Γ定貫本 =僅為揭示本發 板上互連之明確地說，藉由電路基 形成的電鍵層，其特性在於可形= 驟後，較佳°再者’在完成綠漆步 中華民國糞:二 基板上無留下痕跡。例如， 利弟ί240400號揭露—種封裝基板的製造方 糟。又置於電路板内之導通孔，將電鑛電流由背面導 201043110 通至正面欲電鐘的區域。 第1A〜1F圖係顯示根據本發明之一實施例封裝電路 基板的製造方法各製程步驟的剖面示意圖。請參閱第1A 圖，首先提供一基板110，其中基板Π0的材質可包括紙 質酴S签樹脂（paper phenolic resin)、複合環氧樹脂 (composite epoxy)、聚亞酿胺樹脂（polyimide resin)或玻璃 纖維（glass fiber)。在基板110中，包含至少一導通孔 (through hole) 113，形成導通孔Π3之目的在於建立導通 基板110上下兩面之導電通路（例如圖案化的第一導電層 〇 115)，構成電路基板結構，以利後續之雙面增層線路。此 處需注意的是，適用於本發明之電路基板的形式並非以此 為限，另可為單面板、雙面板或多層電路基板。 請參閱第1B圖，形成一第一阻擋層於電路基板的兩 面上，例如可依序形成一第一上阻擋層120a於電路基板 的正面與形成一第一下阻擋層120b於電路基板的背面。 接著，進行圖案化該第一上阻擋層120a，以定義出一電 鍍區域P露出欲電鍍的第一導電層的表面125a、125b， Q 並同步定義出一導電開口區域121。接著，進行圖案化第 一下阻擋層120b，以定義出導電開口區域122。 請參閱第1C圖，順應性地形成一第二上導電層130a 於電路基板的正面上，覆蓋該第一上阻擋層120a、電鍍 區域P和導電開口區域121。且形成一第二下導電層130b 於電路基板的背面上，覆蓋該第一下阻擋層120b和導電 開口區域122。形成第二導電層130a、130b的方法包括 藏鍍法（sputtering)、電子槍蒸鍍（E-gun evaporation)、化學 氣相沉積（CVD)、物理氣相沉積（PVD)，或其他公知的鍍 9 201043110 第二導電層13Qa、13Qb的材f為可 CU、A卜Ni、Fe、Cr或其他金屬材質。接著屬， =成弗二上阻擋層14〇a於第二上導電層 刀= 弟二下阻擋層140b於第二下導 =和形成 化步驟，以定義第二上阻擋/=上第。再，案 ⑽，露出電鍍區域p，如第山圖所示。—¥電層 接著，請參閱第1E圖，施以盔 150aM50b (m〇Au/N；^ :導電層的表面心咖上。根據本㈣二 电鑛層15〇a、150b的材質包括〜、心如只轭例， Sn、Cr或其他金屬材質構 ^ g ' Nl ' 流路徑依序為恭湄彳、/ 私叉曰150&的電鍍雷 千'源（木圖式）、第二下導電層13%、第_宴 电層lb、電路基板内導通孔、第一 乐·ν 如虛線路徑Α所示。電鍍犀H()h s、衣面125a， 電源㈣式）、第二上導獲依序為 一導雷爲从主 弟 $黾層：115、笔 ¥電層的表面i25b，如虛線路徑B所*。 请翏閱第1JF圖，依序移除 下阻撞層M〇b與第二上導;第二

的製作。例如，施以無導裝電路基板 於基板背面的第一導電層115又 /電錢層H 3E〜3J圖的實施例。 上砰、，、田的步驟可參考第 第2A圖顯示於第π圖中泰 局部區域2的平面示音圖^ &或的笔錢層咖的 沿切割線2B-2B的立 圖係顯示於第2A圖中 鑛技術的特點在於發明實施例之無導線電 猎由电路基板上無電鍍區與電鍍區形 10 201043110 成電性連接，以此為電鍍電流路徑所形成的電鍍層，其特 性在於可形成三面完整包覆電鍍區域，如第2B圖所示， 可靠度較佳。並且，在完成綠漆步驟後，製作背面導通， 電路基板上無痕跡5如弟2A圖所不。 第3A〜3J圖係顯示根據本發明另一實施例封裝電路 基板的製造方法各製程步驟的剖面示意圖。請參閱第3A 圖，提供一電路基板結構200，其包括基板201、導通孔 204形成於基板201中、圖案化的第一導電層203構成的 導電通路、上、下介電層205a和205b、及多個導電盲孔 Ο 206於介電層205a和205b中。接著，形成一圖案化第二 上導電層207a於電路基板結構200的第一面（例如正面） 上，且形成一圖案化第二下導電層207b於電路基板結構 200的第二面（例如背面）上。再形成一圖案化的第一上阻 擋層209a於電路基板結構200的第一面上，定義出第一 電鍍區域214a露出欲電鍍的第二上導電層207a的表面 211a、第二電鍍區域214b露出欲電鍍的第二上導電層 207a的表面211b，並且定義出第一導電開口區域213a， Q 以及形成一圖案化第一下阻擋層209b於第二面上，定義 出導電開口區域213b於該電路基板結構的第二面上。 接著，選擇性地施以一表面預處理步驟處理該電路基 板結構的第一面與第二面。表面預處理步驟處理可藉由過 硫酸納（Sodium persulfate，簡稱SPS)、硫酸、雙氧水等處 理。 請參閱第3B圖，順應性地形成一第三上導電層210a 於該第一面上，覆蓋第一上阻擋層209a、電鍛區域214a 和214b、以及導電開口區域213a。並且，形成一第三下 11 201043110 ^層2!Gb於該第二面上，覆蓋第—下阻擋層2㈣和導 =開口區域㈣。形成第三導電層2咖、聽的方：包 風 m w、此 （gUn evap_ion)、化

子風相》儿積（cvd)、物理氣相沉積（FV 鍍膜法。第三導電層210a、210b ^ :他a知的 例如〇1、人〗、见、以、&或其他金屬材質。 屬 上，-成—一第二上阻播層2I5a於第三上導電層滿 上。ί 阻擋層2I5b於第三下導電層鳩 阻膜控層心、215b的材質可為乾光阻膜或濕光 接著，請參閱第3C圖，進扞圖安外# Μ 215a與第三上導電肩鳥，木化該弟二上阻擋層 表面導=出電鐘區域中欲電鍵的 電職中的欲電鍍的表面 質可為―㈣，或者===， 序他 =材f構成。電鍍層22Qa、島的電鍍 “路瓜依序為電源（未圖示）、第三 广 Π層：二、電路基板結構内的導電盲請和ίΐ 三上導電層21〇a、電"L徑序為電源（未圖示）、第 路徑B)，如第3D圖^^導電層2〇7a的表面皿（虛線 二下阻擋㉟215閱b弟：二’：:第二上阻擋層215a及第 225a，例如濺鍍一 於、：= 也形成-第四導電層 覆蓋第三上導電f:二：包路基板結構的第-面上， 曰免鍍區域和導電開口區域。接著，形 12 201043110 成一第三上阻擋層230a於第四導電層225a上，並且形成 一第三下阻擋層230b於該第三下導電層210b上，如第 3F圖所示。根據本發明另一實施例，亦可選擇不形成第 三下阻擋層230b，直接移除第三下導電層210b後，進行 後續的製程。 接著，請參閱第3G圖，移除該第三下阻擋層230b 與第三下導電層210b，露出欲電鍍表面235a和235b。再 施以無導線電鍍步驟，形成電鍍層240、242 (例如Au/Ni 複合層）於電鍍區域中的第二下導電層207b上，如第3H 〇 圖所示。 接著，請參閱第31圖，移除第三上阻擋層230a與第 四導電層225a及第三上導電層210a。接著，進行後續的 製程步驟，以完成封裝電路基板的製作，如第3J圖所示。 本發明之貫施例利用無導線電鐘技術形成電鑛層於 封裝電路基板上，其特點在於，藉由電路基板上無電鍍區 與電鍍區形成電性連接，以此為電鍍電流路徑所形成的電 鍍層，其特性在於可形成三面完整包覆電鍍區域，以獲得 ❹ 較佳的可靠度。並且，在完成綠漆步驟後，製作背面導通， 電路基板上無痕跡。再者，輔以設置於電路板内之導通 孔，將電鍛電流由背面導通至正面欲電鍵的區域，可使得 無導線電鍍技術的電鍍效果更佳。 本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在 不脫離本發明之精神和範圍内，當可做些許的更動與潤 飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界 定者為準。 13 201043110 【圖式簡單說明】 第1A〜1F圖係顯示根據本發明之一實施例封裝基板的 製造方法各製程步驟的剖面示意圖； 第2A圖顯示於第1F圖中電鍍區域的電鍍層150a的局 部區域2的平面示意圖； 第2B圖係顯示於第2A圖中沿切割線2B-2B的剖面示 意圖，以及 第3A〜3J圖係顯示根據本發明另一實施例封裝電路基 板的製造方法各製程步驟的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 110〜基板， 113〜導通孔； 115〜第一導電層； 120a、120b〜第一上 '下阻擋層； P〜電鍛區域， 121、122〜導電開口區域； 125a、125b〜欲電鑛的第一導電層的表面； 130a、130b〜第二上、下導電層； 140a、140b〜第二上、下阻擋層； 150a、150b、150c〜電鍍層； 2〜局部區域； A、B〜電鍍電流路徑； 200〜電路基板結構， 201〜基板； 204〜導通孔； 205a、205b〜上、下介電層； 14 201043110 206〜導電盲孔； 207a、207b〜第二上、下導電層； 209a、209b〜第一上、下阻擋層； 211a、211b〜第二上導電層的表面； 213a、213b〜導電開口區域； 214a、214b〜電鍍區域； 215a、215b〜第二上、下阻擋層； 220a、222a〜電鍍層； 220b、222b〜電鍍層； O 225a〜第四導電層； 230a、230b〜第三上、下阻擋層； 235a、235b〜欲電鍍表面； 240、242〜電鍍層。

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Claims (1)

1. 201043110 七、申請專利範圍： 1. 一種封裝電路基板的製造方法，包括： 提供一基板，具有至少一圖案化第一導電層於該基板 上； 形成一圖案化的第一阻擋層於該第一導電層上，定義 出一電鍍區域和一導電開口區域，其中該電鍍區域和該導 電開口區域露出該第一導電層； 順應性地形成一第二導電層於該基板上，覆蓋該第一 阻擔層、該電鑛區域和該導電開口區域， 形成一第二阻擋層於該第二導電層上； 〇 圖案化該第二阻擋層與該第二導電層，顯露出該電鍍 區域， 電鍍一金屬層於該電鍍區域中的該第一導電層上，其 中該電鍍步驟的一電流路徑是經由該第二導電層與該導 電開口區域中的該第一導電層，傳導至該電鍍區域中的該. 第一導電層；以及 移除該第二阻擋層與該第二導電層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 0 方法，其中該基板的材質包括紙質酚醛樹脂、複合環氧樹 脂、聚亞醯胺樹脂或玻璃纖維。 3. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 方法，其中形成第二導電層的步驟包括濺鍍法、電子槍蒸 鍍法、化學氣相沉積法、或物理氣相沉積法。 4. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 方法，其中該第二導電層的材質為可移除的金屬，包括 Cu、A卜 Ni、Fe、或 Cr。 5. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 16 201043110 方法，其中該電鍍層的材質為Au/Ni複合層。 6. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 方法，其中該電鍍層的材質包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、 Sn、或 Cr。 7. 如申請專利範圍第1項所述之封裝電路基板的製造 方法，其中該基板包括一單面板、一雙面板、或一多層電 路板。 8. —種封裝電路基板的製造方法，包括： 提供一基板，其具有一導通孔、一圖案化第一上導電 ❹ 層於該基板的一第一面上、及一圖案化第一下導電層於該 基板的一第二面上； 形成一第一上阻擋層於該第一面上且形成一第一下 阻擋層於該第二面上； 圖案化該第一上阻擋層，以定義出一電鍍區域和一第 一導電開口區域，且圖案化該第一下阻擋層，以定義出一 第二導電開口區域，其中該電鍍區域中的該第一上導電層 藉由該導通孔與該第二導電開口區域中的該第一下導電 Q 層構成一連續導體； 順應性地形成一第二上導電層於該第一面上，覆蓋該 第一上阻擋層、該電鍍區域和該第一導電開口區域，且形 成一第二下導電層於該第二面上，覆蓋該第一下阻擋層和 該弟二導電開口區域， 形成一第二上阻擋層於該第二上導電層上，及形成一 第二下阻檔層於該第二下導電層上； 圖案化該第二上阻擋層與該第二上導電層，顯露出該 電鐘區域， 17 201043110 施以無導線電鍍法，以形成一電鍍層於該電鍍區域中 的該第一上導電層上，其中該無導線電鍍步驟的一第一電 鍍電流路徑是經由該第二上導電層與該第一導電開口區 域中的該第一上導電層，傳導至該電鍍區域中的該第一上 導電層，以及其中該無導線電鍍步驟的一第二電鍍電流路 徑是經由該第二下導電層與該第二導電開口區域中的該 第一下導電層，透過該導通孔，傳導至該電鍍區域中的該 第一上導電層；以及 移除該第二上阻擋層與該第二上導電層及該第二下 阻擋層與該第二下導電層。 9. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製造 方法，其中該基板的材質包括紙質酚醛樹脂、複合環氧樹 脂、聚亞醯胺樹脂或玻璃纖維。 10. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中形成第二上、下導電層的步驟包括濺鍍法、 電子搶蒸鍍法、化學氣相沉積法、或物理氣相沉積法。 11. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該第二上、下導電層的材質為可移除的金 屬，包括 Cu、Al、Ni、Fe、或 Cr。 12. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該電鍍層的材質為Au/Ni複合層。 13. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該電鍍層的材質包括Cu、Fe、An、Ag、Ni、 Sn、或 Cr。 14. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該基板包括一單面板、一雙面板、或一多層 .201043110 電路板。 15. 如申請專利範圍第8項所述之封裝電路基板的製 造方法，於移除該第二下阻擋層與該第二下導電層後，更 包括施以無導線電鍍法，以形成一背面電鍍層於該基板背 面的該第一導電層上。 16. —種封裝電路基板的製造方法，包括： 提供一基板結構，其具有一圖案化第二上導電層於該 基板結構的一第一面上、及一圖案化第二下導電層於該基 板結構的一第二面上； 〇 形成一圖案化的第一上阻擋層於該第一面上，定義出 一第一電鍍區域、一第二電鍍區域和一第一導電開口區 域，及形成一圖案化第一下阻擋層於該第二面上，定義出 一第二導電開口區域； 順應性地形成一第三上導電層於該第一面上，覆蓋該. 第一上阻擋層、該第一電鍍區域、該第二電鍍區域和該導 電開口區域，並且形成一第三下導電層於該第二面上，覆 蓋該第一下阻擋層和該第二導電開口區域； Q 形成一第二上阻擋層於該第三上導電層上，並且形成 一第二下阻擋層於該第三下導電層上； 圖案化該第二上阻擋層與該第三上導電層，以顯露出 該弟一電鐘區域和該弟二電鍵區域， 施以無導線電鍍法，以形成一第一電鍍層於該電鍍區 域中的該第二上導電層上，其中該電鍍步驟的一第一電鍍 電流路徑是經由該第二上導電層與該第'一導電開口區域 中的該弟二上導電層’傳導至該弟一電鍛區域中的該弟二 上導電層，及其中該電鍍步驟的一第二電鍍電流路徑是經 19 201043110 由該第三下導電層與該第二導電開口區域中的該第二下 導電層，透過該基板結構，傳導至該第二電鍍區域中的該 第二上導電層；以及 移除該第二上阻擋層及移除該第二下阻擋層。 17. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，更包括： 順應性地形成一第四導電層於該第一面上，覆蓋該第 三上導電層、該第一電鍍區域、該第二電鍍區域和該第一 導電開口區域， 形成一第三上阻擋層於該第四導電層上，及形成一第 三下阻擋層於該第三下導電層上； 移除該第三下阻擋層與該第三下導電層； 施以無導線電鍍法，以形成一電鍍層於該第二下導電 層上；以及 除該第三上阻擋層與該第四導電層。 18. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該基板結構包括一基板、一導通孔形成於該 基板中、圖案化的一第一導電層構成的導電通路、一介電 層、及多個導電盲孔於介電層中。 19. 如申請專利範圍第18項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該基板的材質包括紙質酚醛樹脂、複合環氧 樹脂、聚亞醯胺樹脂或玻璃纖維。 20. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，於形成一第三上、下導電層步驟之前，更包括施 以一表面預處理步驟於該基板結構表面。 21. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 20 201043110 造方法，其中形成第三上、下導電層的步驟包括濺鍍法、 電子搶蒸鍍法、化學氣相沉積法、或物理氣相沉積法。 22.如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該第三上、下導電層的材質為可移除的金 屬，包括 Cu、Al、Ni、Fe、或 Cr。 2 3.如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該電鍍層的材質為Au/Ni複合層。 24. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該電鍍層的材質包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、 ❹ Sn、或Cr。 25. 如申請專利範圍第16項所述之封裝電路基板的製 造方法，其中該基板包括一單面板、一雙面板、或一多層 電路板。 26. —種封裝電路基板結構，包括： 一基板，具有一導通孔、一圖案化第一上導電層於該 基板的一第一面上、及一圖案化第一下導電層於該基板的 一第二面上； 0 —圖案化第一上阻擋層於該第一面上，定義出一電鍍 區域和一第一導電開口區域； 一圖案化第一下阻擋層於該第二面上，定義出一第二 導電開口區域； 一上電鍍層於該電鍍區域中的該第一上導電層上；以 及 一下電鍍層於該第二導電開口區域中的該第一下導 電層上。 27. 如申請專利範圍第26項所述之封裝電路基板結 21 201043110 構 脂 構 、聚亞二:質_樹赌、複合環氧樹 該電鍍層的材匕圍:::合所/。之封敦電路基板結 構 或Cr。 基板結 r。 AU A§、Ni、Sn、 構二 =:::= 板。 敌或一多層電路 31. 如申請專利範圍第26項 構，其令該圖案化第一上阻擋直於、電路基板結 每，且該圖案化第一下阻擋 層。 侵蜩於5亥罘—下導電 32. —種封裝電路基板結構，包括： 一基板結構，其具有一圖案化 結構的—笛 ^ „ 工等I層於該基板 偁的弟—面上、及一圖案化第二土极 構的一第二面上； 卜層於該基板結 〇 圖案化的第一上阻播層於兮笛 _ -電铲M J 弟—面上，定義出-第 弟二電鑛區域和 導電開口區域； 乐-面上，疋義出一第二 上；以I一電鍵層於該電鑛區域中的該第二上導電層 電層：第二電錢層於該第二導電開口區域的該第二下導 22 201043110 33.如申請專利範固第％項所 構，其中該基板結構包括—基板、、 | 路基板結 中、圖案化的一第一導電層 孔形成於該基板 及多個導電盲孔於介電層^。、W璁路、—介電層、 構 脂 構 =口申請專利範圍第32項所述之 :中該基板的材質包括紙質 ::板結 聚空醯胺樹脂或破璃纖維。 &架氧樹 3 5 ·如申睛專利範圍第3 9话όρί_、+、> 〇 其中該電鍍層的材質為A _ i ^合層、。裝電路基板結 構，其中二/二::圍第32項所述之封裝電路基板丛 或^。中的村質包括Cu、Fe、Au、Ag、Ni、= 板。 括早面板、一雙面板、或—多層電路 構，A中今專利1巳圍第32項所述之封襄電路基板姓 ο層，且該圖宰化二:轉層直接接觸於該第二上導電 層。 匕弟—下阻擋層直接接觸於該第二下導電 23