TW201026673A - Organometallic precursors for depositing metal or metal oxide thin films and method for depositing thin films using the same - Google Patents

Organometallic precursors for depositing metal or metal oxide thin films and method for depositing thin films using the same Download PDF

Info

Publication number
TW201026673A
TW201026673A TW98143597A TW98143597A TW201026673A TW 201026673 A TW201026673 A TW 201026673A TW 98143597 A TW98143597 A TW 98143597A TW 98143597 A TW98143597 A TW 98143597A TW 201026673 A TW201026673 A TW 201026673A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
precursor compound
organometallic precursor
metal
depositing
formula
Prior art date
Application number
TW98143597A
Other languages
English (en)
Inventor
Hyun-Koock Shin
Hong-Ki Kim
Original Assignee
Up Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Up Chemical Co Ltd filed Critical Up Chemical Co Ltd
Publication of TW201026673A publication Critical patent/TW201026673A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
    • C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
    • C07F15/0046—Ruthenium compounds
    • C07F15/0053—Ruthenium compounds without a metal-carbon linkage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
    • C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
    • C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
    • C07C251/10—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of an unsaturated carbon skeleton
    • C07C251/12—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of an unsaturated carbon skeleton being acyclic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Description

201026673 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用以沉積應用於半導體裝置的金屬薄膜 或陶瓷（例如金屬氧化物）薄膜的有機金屬前驅物化合物。 更特別地’本發明係關於以原子層沉積（at〇mic iayer deposition, ALD)或金屬有機物化學氣相沉積（metal . organic chemical vapor deposition, M0CVD)來沉積金屬 薄膜或陶瓷（例如金屬氧化物）薄膜的有機金屬前驅物化 合物，以及使用該有機金屬前驅物化合物沉積薄膜的方法。參 【先前技術】 有鑑於電子裝置包括像是半導體與磁性儲存裳置微型 化的趨勢，因此如何成長具有均勻厚度的金屬、金屬氧化 物或金屬氮化物薄膜變得格外重要。 而成長這類薄膜的金屬包含像是銅(Cu)、鈷(c〇)、鎳 (Ni)、釕(RU)、錳(Μη)及鐵(Fe)等。 銅疋夂世代半導體裝置的最佳導線材料。鎮(W)、紹 (A1)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)以及其類似者具有低電阻與 車乂佳的電遷移阻抗(electi’omigration resistance) —般係作為 半導體裝置導線材料。在這些金屬中，利用鋼製造半導體 裝置過程中的金屬線以提升訊號傳輸率已成為核心技術， 這是因為銅具有約〜1.676 μΩ cm的電阻，較鶴(w)的電阻(〜6 μΩαη)和紹(A1)的電阻(〜2.7 μΩαη)要低。麵(c〇)與鎳_和 作為傳統半導體裝置的歐姆接觸層(〇hmic c〇m此t' iayer)的 -矽化鈦（titanium siiidde)相較，它們的比電阻㈣^如 . resistance)在10至之間，並具有較佳的埶穩定性， 因此在次世代半導體銅製程中，有研究如何利用它們製成 4/29 201026673 歐姆接觸層。此外，在次世代半導體銅製程中，於化學機 械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)形成像是穿孔 (via)的元件後，因為銅薄膜和擴散障壁薄 film)間的低黏著力的關係，在銅線間會發生脫層 (ddamination)的不利情況。為了解決此一問題，係使用鈷 ' 金屬薄膜作為黏著層(glue layer)，以提升銅薄膜和擴散障壁 • 薄膜間的黏著力。 、 此外，也有人研究如何將鈷氧化薄膜應用於多種應用 ® 如磁性偵測器、濕氣與氧氣偵測器等。特別是，CoO與Co304 薄膜可作為像是高溫超導(high-Tc superconductor)的鈣鈦礦 (perovskite)層之緩衝層，因此十分受到注目。 同時’釕因為具有較佳的熱與化學穩定度、以及低比 電阻(rbUik = 7.6mWcm)和大功函數(¢^:=4 71 eV)，所以也 被視為應用在ρ-ΡΈΤ閘電極、DRAM電容電極及FRAM電 容電極之最有潛力的材料。特別是’氧化钽(Ta2〇5)、氧化 鈦（Ti02)、鈦酸銀（SrTi03，STO)、以及鈦酸錯鋇（BST， ❹ （Ba，Sr)Ti〇3)等可望應用於次世代DRAM電容的高介電材 料，需要在600°C或更高的溫度下進行處理，以降低漏電流 並達到.局介電係數。因此，應用比傳統的TiN電極更穩定 的釕電極是有其必要性。 " 另外，釕與銅的黏著力較佳，也不會與銅立即形成固 溶體(solid solution) ’因此係以電鍍方式作為銅線製程中的 • 種子層。同樣地，氧化釕(Ru〇2)也是一種有潛力材料，其 應用在金屬一絕緣體一金屬（metal-insulator-metal，MIM)電 容的下電極(lower electrode)，因為它是具有低比電導率(r_ =46 mWcm)的導電氧化物，可有效率地作為氧(ο》擴散障 5/29 201026673 壁薄膜’即使在8GG°c，仍可呈現較佳的熱穩定性。 還有，還有研究如何將錳(Mn)和鐵(Fe)氧化物應用於磁 性儲存裝置’特別是’利用鐵(Fe)氧化物生成鐵酸叙 (BlFe〇3)，一種用於次世代鐵電記憶體（ferroelectric memories)的材料，也在研究中。 因此，次世代裝置的金屬薄膜或金屬氧化物薄膜應滿 足較佳的階梯覆蓋率(step coverage)，以應用於高階梯比的 裝置結構。為此，不可避免地需用到金屬有機物化學氣相 沉積(metal organic chemical deposition，MOCVD)或原子層 沉積(atomic layer deposition，ALD)以及適用於個別沉積製 程的前趨物。 其中，使用M0CVD，單價銅(Cu(I))與二價(bivalent) 銅(Cu(II))化合物來沉積銅薄膜的前趨物，已為人所熟知。 例如(hfac)Cu(L)為代表性的單價銅(Cu)化合物，其中L 為中性配位基(neutral ligand)，用以增進銅化合物的穩定 度’而已知的代表性範例包括：三甲膦(trimethylphosphine， PMe3)、1,5-環辛二稀(l，5-cyclooctadiene，l，5-COD)、乙稀基 三甲基石夕烧〇^11丫11；0〇161；11)43如1^，\^]\/[8)以及乙烯基三甲氧 *s，)^(vinyltrimethoxysilane,VTMOS)。 其中，由Η.-K. Shin等人在美國化學學會的化學材料 期刊(the Journal of the US Chemical Society，chemistry of materials)1990，2，636 期與 1992, 4，788 期所提出的 (hfac)Cu(l，5-COD)化合物與(hfae)Cu(PMe3)化合物均為優 異的前趨物，可於低溫下沉積高純度的銅薄膜，不過它們 在固態下具有高、熔點，因此不易控制其轉換率(transfer rate) 〇 6/29 201026673 為了解決此等問題，使用了美國專利第5,085,731號中 所揭示的前趨化合物(hfac)Cu(VTMS)以及韓國公開專利第 95-17120號中所揭示的(hfac)Cu(VTM〇s)，這些前趨化合物 為液態銅前趨物，可於低溫下沉積銅薄膜。 然而，這些前趨化合物在室溫下因為熱穩定性不佳， ' 因此會在室溫下分解，對於半導體裝置製程的重製來說會 ' 造成嚴重的問題。如果可能的話，應避免使用這類化合物， 因為在配位基中的氟(F)元素會造成DRAM製程中的半導 ❹ 體裝置有缺陷。 因此，有需要開發用來沉積銅薄膜的新穎有機金屬前 趨物化合物，其在室溫下為液態的，而且熱穩定性高，在 分子結構中不含氟(F)。 〜 同時，不同於單價銅前趨化合物顯現出差的熱穩定 性，二價銅前趨化合物具有較佳的熱穩定性。二價銅前趨 化合物的代表範例包括Cu(hfac)2、Cu(tmhd)2、以及 Cu(acac)2 ’ 均具有 β-二酮(β-diketonate)為配位基。 藝然而不利地’大多數的Cu(II)化合物都需要加熱以達到 足以沉積的蒸氣壓，因為它們是固態的，因此具有低蒸氣 壓。此外，化合物會凝結在輸送氣化前趨物的傳送管中， 因此會造成污染物侵入薄膜。為了提升這些化合物的低揮 發性’薄膜會使用像是tfacm·三氟戊烷_2,4_出011勒， l，l，l-trifluoropentane-2,4-dionate)以及 hfac(六氣戊境 -2,4-dione，hexafluoropentane-2,4-dione)等前趨物沉積，而 其中β-二酮配位基(β-diketonate ligand)的氫部分係以氟基 取代為配位基，然而，氟基會造成污染。 土 此外，使用這類前趨物來沉積薄膜，必須在高溫(>3〇〇 7/29 201026673 c)下執行，造成像是聚醯亞胺(p〇iyimide)等對溫度敏感的 基板之用途受限’以及不f要的雜f像是碳(〇、氧⑼或敦 (p，滲透軌__财。财，馳Cu(n)化合物在 至溫下大多為©態’因此很難控制制物的氣體流動率， 相當程度地影響了沉積製程的進行。 另外，用以沉積鎳和鈷金屬或金屬氧化物薄膜的代表 性鎳和鈷前趨化合物，像是具有卩_二酮配位基的(L 可為hfac、tmhd、acac等)化合物，以及具有環戊二烯的配 參 位基(cyclopentadiene-based ligand)之(RC5H4)2M (其中 R 為 Η、Me、JEt)，其與二價銅化合物類似。這些化合物同樣也 具有l〇〇°C或更高的熔點，在室溫下為固態，並具有低蒸氣 壓的缺點。 因此，本發明的發明人提出在高製程溫度下高度穩定 的前趨物，並且能夠沉積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜。 【發明内容】 '
基於上述問題，本發明之一目的是提供用以沉積金屬 薄膜或金屬氧化物薄膜有機金屬前驅物化合物，其為熱穩 定、高度多樣化，並且在高製程溫度下是以液態存在。 本發明的另一目的是提供用以沉積金屬薄膜或金屬氧 化物薄膜的有機金屬前驅物化合物，其能根據金屬薄膜或 金屬氧化物薄膜的金屬類型，隨時應用至原子層沉積(ALD) 或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD) ’而不會有任何雜質的 污染。 本發明的另一目的是提供藉由原子層沉積(ALD)或金 屬有機化學氣相沉積(MOCVD)以使用根據本發明的有機金 屬前驅物化合物沉積薄膜的方法。 8/29 201026673 根據本發明，本發明的上述與其他目的可藉由以下來 達成，提供一種有機金屬前驅物化合物，其用以沉積金屬 薄膜或金屬氧化物薄膜，該有機金屬前驅物化合物係^分 子式⑴來定義： ’、73
/ (I) 其中Μ係一選自鍾(Μη)、鐵(Fe)、銘(Co)、鎳(Ni)、銅 (Cu)、錯(Ge)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、#5(Ca)、錄(Sr)、鋇(Ba)、 鉛(Pb)或釕(RU)的二價金屬離子；以及n為整數〇或2。 根據本發明的另一型態，本發明係提供一種沉積薄膜 方法其使用根據本發明之有機金屬前驅物化合物以原子 層沉積(ALD)或金屬有機物化學氣相沉積(M〇cVD)於一基 板上沉積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜。 【實施方式】 〇 以下將透過附屬的圖表詳細說明本發明。 本發明係關於用以沉積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜的 有機金屬則趨物化合物（〇rgan〇metaiiic precurs〇r compound)，以應用於半導體裴置，該有機金屬前趨物化合 物係由以下的分子式⑴定義：
其中Μ係一選自錳(Μη)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅 9/29 201026673 (Cu)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鳃(Sr)、鋇(Ba)、 鉛(Pb)或釕(Ru)的二價金屬離子；以及n為整數〇或2。 由本發明的分子式(I)所代表之有機金屬前驅物化合物 可藉由納入鲷亞胺(P'ketoiminate)的整合配位基(chelating ligand)強固地鏈結金屬離子’以提升熱穩定性，並可降低分 子間的吸引力’從而提升蒸氣壓(vapor pressure);同時藉由 將乙基(ethyl group)加入亞胺基(imino group)，利用乙基的 旋轉運動而降低熔點。也就是說，根據本發明的有機金屬 前驅物化合物是用於化學沉積或原子層沉積的理想前驅 物’可以解決傳統有機金屬前驅物化合物的問題。 在分子式(I)所代表的有機金屬前驅物化合物中，有如 同分子式(II)所代表的有機金屬前驅物化合物（其中M為銅 (Cu)’而n為〇)適於應用在化學沉積或原子層沉積的銅… 金屬薄膜或氧化銅薄膜，而不會產生任何雜質污染。
積的錄(Ni)金屬薄膜或氧化鎳薄膜， 染。 此外，在分子式⑴所代表的有機金屬前驅物化人物 中’有如同分子式则所代表的有機金屬前驅物化合物（其 中Μ為鎳(Ni) ’而n為〇)適於應用在化學沉積或原子層^ 而不會產生任何雜質污 201026673
(ΠΙ)
此外，在分子式⑴所代表的有機金屬前驅物化合物 中，有如同分子式(IV)所代表的有機金屬前驅物化合物（其 中Μ為鈷(Co)，而η為0)適於應用在化學沉積或原子層 沉積的銘(Co)金屬薄膜或氧化銘薄膜，而不會產生任何雜質 污染。
此外，在分子式(1)所代表的有機金屬前驅物化合物 中，有如同分子式(V)所代表的有機金屬前驅物化合物（其 中Μ為鐵(Fe)，而η為〇)適於應用在化學沉積或原子層沉 積的鐵(Fe)金屬薄膜或氧化鐵薄膜，而不會產生任何雜質污 染。
此外，在分子式(1)所代表的有機金屬前驅物化合物 11/29 201026673 中’有如同分子式(νι)所代表的有機金屬前驅物化合物（其 中Μ為錳(Mn)，而n為0)適於應用在化學沉積或原子層 >儿積的欽(Μη)金屬薄膜或氧化猛薄膜，而不會產生任何雜
/ (VI) 此外，在分子式(I)所代表的有機金屬前驅物化合物 ® 中，有如同分子式(νπ)所代表的有機金屬前驅物化合物D(其 中Μ為釕(Ru)而η為2)適於應用在化學沉積或原子層^ 積的釕(Ru)金屬薄膜或氧化釕薄膜，而不會產生任何雜質污
由分子式⑴代表，可用以沉積金屬薄膜或金屬氧化物 薄膜之有機金屬前驅物化合物，其可以各種方法製備。在 本發明中’有機金屬前驅物化合物可藉由加入 4-ethylamino-pent-3 -ene-2-one 的鐘(Li)、鈉(Na)或卸(K)鹽作 為驗土金屬鹽化合物(alkali metal salt compound)，並於一非 極性溶劑中低溫加至MX2化合物，並在室溫下引發交換反 應(exchangereaction)，接著於減壓下蒸餾，而立即地製備， 12/29 201026673 如以下的第一反應方法(Reaction Scheme I)所示： 【第一反應方法】
其中Μ係如分子式(I)所定義，X係選自氣(ci)、溴(Br)、 ❹ 碘⑴或甲氧基(〇Me)。 可用於此製備過程的非極性溶劑包括苯(benzene)、己 烷(hexane)、曱苯(toluene)及其類似者。反應係於氮(n2)或 氬(Ar)氣下執行，以避免在回流(reflux)的過程中因為濕氣或 氧氣而產生分解反應。 同時’在分子式⑴的有機金屬前驅物化合物中，以分 子式(II)所代表的銅前驅化合物（其中Μ為銅(Cu)，而η為 〇)，一曱氧化銅(copper methoxide)化合物係較佳地在室溫 ❹ 下與4-ethylamino-pent_3-ene-2-one在曱苯内攪拌混合以作 為溶劑，如第二反應方法所示，以製備高純度的銅前驅化 合物。 【第二反應方法】
卜在刀子式⑴的有機金屬前驅物化合物中，以分 子式(VII)所代表的釕(Ru)前驅化合物（其巾Μ為舒(Ru)， 13/29 201026673 而 η 為 2 ) ’ 將二叛二氣化釕（ruthenium tris carbonyl dichloride，（Ru(C〇)3C12))與 4-ethylamino-pent-3-ene-2-〇ne 的鋰(Li)、鈉(Na)或鉀(K)鹽作為鹼土金屬鹽化合物，在像是 四氫呋喃tetrahydrofuran(THF)的極性溶劑中混合，接著在 交換反應與減壓下蒸餾，而立即地製備。 根據本發明甩以沉積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜的有 機金屬化合物不會在室溫下分解，並且因為具有良好的熱 穩定性且可高度揮發’在製程溫度下為液態，因此適合作 為金屬有機化學氣相沉積或原子層沉積的前驅物，以沉積 金屬薄膜或金屬氧化物薄膜。 ® 採用分子式(I)所定義的有機金屬前驅物化合物在基板 上沉積薄膜時，其溫度較佳是在loot：至70(TC的範圍内。 為了將有機金屬前驅物化合物蒸發，其間可對基板通過氬 (Ar)或氮(N2)的氣體、可使用熱能或電漿，或者施加偏壓。 在製程中加入有機金屬前驅物化合物的方法包括通氣 (bubbling)、氣相流量控制(vapor phase mass flow control, MFC)、直接液體注入(DLI)等方法、以及液體傳輸(HqUid ^ transfer)方法，其中該液體傳輸(liquid transfer)方法係該前驅 物化合物係溶解於有機溶劑中然後傳輸。 用來將前驅物加入製程的載體氣體(carrier gas)或稀釋 氣體(dilute gas)係選自氬(Ar)、氮(N2)、氦(He)或其組合。 此外，在原子層沉積和化學氣相沉積(CVD)中用來沉積金屬 薄膜的反應氣體包括氫(H2)、氨(NH3)、聯氨(NH2NH2)及矽 烷，而在原子層沉積和CVD中用來沉積金屬氧化物薄膜的 反應氣體包括水(H20)、氧(02)及臭氧(〇3)。 接下來將提出範例以進一步了解如何根據本發明來沉 14/29 201026673 積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜，以下的範例係用來舉例， 而並非用以限制本發明的範缚。 範例 <第一範例> 製備 β-嗣亞胺配位基（beta-ketoimine ligand)(4-ethylaminopent-3-ene-2-one) 將 100.12 g 的乙酿丙嗣（acetylacetone， CH3COCH2COCH3，1.0 mol)溶解在 400 mL 的二氯曱烧 〇 (methylene chloride，CH2C12)中，維持在-15°c 的溫度，然後 透過滴液漏斗滴入70%的乙胺水溶液(aqueous ethylamine (CH3CH2NH2))共 77.3 g (1.2 mol) ’ 在-15°c下攪拌一小時， 然後在室溫下揽拌24小時。在完成反應後，於減壓卞赛除 生成溶液中的溶劑與揮發性副產品，並且加以蒸餾，以取 得無色狀的亮黃色液體化合物 4-ethylamino-pent-3，ene-2_one (123.3 g，產率 96.9%)，
沸點(boling point，b.p):在 0.18 torr 下為 52/41 °C ❿ W-NMRCQD。： d 2.052 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，s，3H)， d 4.878 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，s，1H)， d 11.075 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，s，1H)， d 2.503 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，m，2H)， ,d 0.663 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，t，3H)， d 1.356 ([CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]，s，3H)， 13C-NMR(C6D6): d 28.938 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， d 194.166 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， 15/29 201026673 d 95.126 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3], d 95.178 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， d 161.753 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， d 37.300 [CH3COCHC(5 NHCH2CH3)CH3], d 15.302 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， d 18.181 [CH3COCHC(NHCH2CH3)CH3]， <第二範例>
製備 Na[4-ethylamino-pent-3-ene-2-onateI 將11.9 g (0.5 mol)的氫化鈉(NaH)懸浮在150 mL的四 氫呋喃(THF)中，生成的懸浮液維持在-15°C的溫度，然後 加上在第一範例中合成、63.6 g (0.5 mol)的 4-ethylamino-pent-3-eiie-2-one，而上述混合溶液在-15°C 的 低溫下攪拌一小時，然後在回流凝結器中回流24小時。在 完成反應後，於減壓下過濾反應混合液，而濾出液加以蒸 鶴以移除未反應的溶質(solute)、剩餘溶劑以及揮發性副產 品’剩餘物以戊烷萃取，再將萃取物乾燥後以取得亮黃色 固體化合物 Na[4-ethylamino-pent_3-ene-2-onate] (6.5 g，產 率 60.4%)。 ^-NMRCCDCb): d 1.996 (Na[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3], s，3H)， d 4.947 (Na[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，s，1H)， d 3.265 (Na[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，m，2H)， d 1.215 (Na[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，t，3H)， d 1.920 (Na[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，s，3H)， 16/29 201026673 <第三範例> 製備 Cu(4-ethylamino-pent-3_ene-2-onate)2 前趨物 將12.5 g (0.1 mol)的甲氧化鋼(Cu(OMe)2)懸浮在250 mL的甲苯中，加上在第一範例中合成、25.4g (〇·2 m〇i)的 4-ethylamino-pent-3-ene-2-one ’而上述混合溶液在室溫下授 • 拌24小時。在完成反應後，於減壓下過濾反應混合液，以 移除未反應的溶質、剩餘溶劑以及揮發性副產品，剩餘物 以戊烷萃取以進一步移除未反應的溶質，而溶劑也會被移 φ 除。生成的溶液會在減壓下於120°C蒸餾以取得暗褐色液體 化合物 Cu(4-ethylamino-pent-3-ene-2-〇nate)2 (27.8g，產率 88_0%)。 [成分分析] 計算(calcld. for)CMH24N202Cu : C, 53.18; H，7.60 實際得到(found) : C，53.12; H，7.66 〈第四範例〉 ❹ 製備 Ni(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 前趨物
將 1.36 g (6.24 mmol)的溴化鎳(II) (NiBr2)懸浮在 50 mL 的四氫呋喃(THF)中，然後將在第二範例中合成、1〇〇 mL 的 THF 内有 L86 g (12.48 mmol)的
Na[4-ethylamino~pent-3-ene-2-onate]的溶液，於 〇。〇的低溫 加入懸浮液中’生成的混合液並於該溫度下攪拌一小時， 接著在室溫下撥拌24小時。在完成反應後，於減壓下過濾 反應混合液，以從過濾液移除未反應的溶質、溶劑以及揮 ，性副產品，剩餘物以戊烷萃取以進一步移除未反應的溶 虞，而溶劑也會被移除。生成的固體則利用一昇華純化系 17/29 201026673 統(sublimation purification)於50°C昇華純化以取得暗紫色 固體化合物 Ni(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 (l.〇g，52 3 %)。 . 熔點(m.p):48°C [成分分析] 計算(cacld. for) C14H24N202Ni : C, 54.01; H, 7.72 實際得到(found) : C，53.89; H，7.55
<第五範例> 製備 Co(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 前趨物 將 0.89 g (6.7 mmol)的氣化鈷(II) (c〇Cl2)懸浮在 50
mL的四氫呋喃(THF)中，然後將在第二範例中合成、50 mL 的 THF 内有 2 g (13.4 mmol)的 Na[4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate]的溶液，加入該懸浮液 中，生成的混合液於室溫下攪拌24小時。在完成反應後， 於減壓下過濾反應混合液，以從過濾液移除未反應的溶 質、溶劑以及揮發性副產品，剩餘物以戊院萃取以進一步 移除未反應的溶質，而溶劑也會被移除。生成的固體利用 一昇華純化系統(sublimation purification)於50°C昇華純化 以取得暗紫 色固體化合物
Ni(4-ethylamino-pent-3-ene-2-〇nate)2 (1.3g, 62.4%) 〇 、熔點(m.p): 81°C [成分分析] 計算(cacld. For) C14H24N202Co : C, 53.97; H，7.71 實際得到(found) : C，53·78; H，7.58 18/29 201026673 <第六範例> 製備 Fe(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 前趨物 將 5.78 g (26.8 mmol)的溴化鐵(Π) (FeBr2)懸浮在 150 mL的四氫呋喃(THF)中’然後將在第二範例中合成、8 g (53.6 mmol)的 Na[4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate]力口入懸浮 液中，生成的混合液並於0°C的低溫下攪拌一小時，接著在 室溫下攪拌24小時。在完成反應後，於減壓下過濾反應混 ❹ 合液’以從過濾液移除未反應的溶質、溶劑以及揮發性副 產品，剩餘物以戊烷萃取以進一步移除未反應的溶質，而 溶劑也會被移除。生成的溶液會在減壓下於16〇°C蒸餾以取 得紅褐色化合物 Fe(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 (2.3g，35.1%)。 [成分分析] 計算(cadd. For) C14H24N202Fe : C，54.51; H，7.79 實際得到(found) : C，54.14; H，7.77 _ <第七範例〉 製備 Mn(4-ethy丨amino-pent-3_ene-2-onate)2 前趨物 將 3.67 g (11.75 mmol)的溴化錳(Π) (MnBr2)懸浮在 130mL的四氫呋喃(THF)中，然後將在第二範例中合成、5g (33.5 mmol)的 Na[4_ethylamino_pent-3-ene-2-onate]加入懸浮 液中’生成的混合液並於〇°C的低溫下攪拌一小時，接著在 室溫下攪拌24小時。在完成反應後，於減壓下過濾反應混 合液，以從過濾液移除未反應的溶質、溶劑以及揮發性副 產品，剩餘物以戊烷萃取以進一步移除未反應的溶質，而 19/29 201026673 溶劑也會被移除。生成的溶液會在減壓下於21 〇°c蒸餾以取 得暗紅色化合物 Mn(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 (4.0g， 77.8%)。 [成分分析] 計算(cacld. For) C14H24N202]V[n : C，54.67; H，7.81 實際得到(found) : C, 54.61; H，7.79 <第八範例> 製備 Ru(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2(CO)2 前趨 物 將稀釋於2.55 mole的己烷溶液中的39.1 g (0.144 mol) 的正丁基經(normal-butyl lithium，n-BuLi)溶解在 l〇〇mL 的 四氫呋喃(THF)中，然後將在第一範例中合成、15 26g(0.12 mol)的 Na[4-ethylamino_pent-3-ene-2-onate]的配位基化合 物，在0°C緩緩滴入，生成的混合液在室溫下攪拌8小時。 而完全溶解在100mL的THF中的16.4 g (〇.〇5 m〇l)的 RuCCOhClTHF會緩慢地與混合液混合，並且在回流的情 況下反應作用16小時。在完成反應後，於減壓下過濾反應 混合液’以從過滤液移除未反應的溶質、溶劑以及揮發性 副產品，剩餘物以二乙謎(diethylether，（C2H5)2〇)萃取以移 除未反應的溶質與溶劑，藉此取得亮褐色固體。生成的固 體利用一昇華純化系統(sublimation purification)於50 (0.12 ton·)下昇華純化以取得無色固體化合物
Ru(CO)2(4-ethylaminopent-3-ene-2-onate)2 (6.2g，30.4%)。 熔點(m.p) : 123 °C [成分分析] 201026673 計算(cacld. for) C16H24N204Ru : C，46.93; H，5.91; n， 6.84 5 實際得到(found): C, 46.84; H，5·90; N，7.03 丨 H-NMIl(C6D6): d 1.960 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，s，3H)， d 4.748 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，s，1H)， d 3.501 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，m，1ϋ)， d 3.765 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，m，1H)， 〇 d 1.112 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，t，3H), d 1.512 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]，s，3H)， 13C-NMR(C6D6): d 26.331 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]), d 177.529 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3])， d 98.976 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3])， d 165.775 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3])， d 56.488 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3]), ⑩ d 15.010 (Ru-[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3])， d 21.258 (Ru_[CH3COCHC(NCH2CH3)CH3])， d 200.767 (Ru-CO) <第一實驗範例> 為了評估在第三至第八範例中所製備的有機金屬前驅 物化合物的基本熱性質，因此採用熱重分析（thermal gravimetric analysis, TGA)。每一個樣品約取 1〇 mg 放在氧 化紹樣品槽中’以每分鐘10 °C的速率提高溫度到3〇〇。〇， 藉以量測樣品的性質’而結果如第一圖至第六圖所示。 21/29 201026673 在第一囷至第六圖中，第三至第八範例所製備的有機 金屬前驅物化合物若應用於化學氣相沉積或原子層沉積， 可展現較佳的揮發性。 此外，在重量損失(weighuose) 與溫度的函數中， 當曲線開始快速增寬時的溫度，可視為前驅物化合物開始 分解的溫度。由此來看，可確定的是根據本發明而於第三 至第八範例中所製備的有機金屬前驅物化合物，可 較佳的熱穩定性。 ^ <第二實驗範例> 為了評估在第三至第五範例，以及第八範例中所製備 的有機金屬前驅物化合物的熱穩定性和揮發性對於溫度的 關係’因此採用等溫熱重分析(is〇thermai analysis)。每 一個樣品約取10 mg放在氧化鋁樣品槽中，以每分鐘1〇 t 的速率分別提高溫度到80。(：、lOOt：、120七及15(TC ’並 且維持在目標溫度達二小時。隨時間改變的重量損失經量 測’而結果呈現於第七圖至第十圖。 如第七圖至第十圖所示，根據本發明的有機金屬前驅❿ 物化合物，其重量在8(TC、100。〇、12〇〇c以及15〇。〇等個 別溫度下，係隨著時間以預先決定的梯度(gradient)減少， 顯示前驅物化合物是在15(TC或更低的溫度以下蒸發，而不 會發生特殊的熱分解情形。 因此，根據本發明的前趨物展現出較佳的熱採定性， 因此在較高溫度下也可輕易處理，有助於成長高純度金 屬、金屬氧化物以及金屬氮化物薄膜，而不會發生應用在 化學氣相沉積與原子層沉積時’因為前趨物熱分解造成粒 子或雜質（例如碳）的污染。 22/29 201026673 <第三實驗範例> 銅金屬薄膜係根據第三範例中所述的方法，利用
Cu(4-ethylamino-pent-3-ene-2-onate)2 化合物以原子層沉積 方法製備’其中氫係作為還原氣體(re(jucing gas)。所用的基 板為翻/鈦/氧化矽/矽(pt/Ti/Si〇2/Si)，並被加熱至14〇 C至220°C。前趨物被放在不鏽鋼起泡器槽(stainless steel bubblervessel)中’而該槽被加熱至i〇0±5t：，同時讓作為 載體氣體的氬(Ar)通過前趨物，使得前趨物以1〇〇 seem的 ❹ 速率蒸發。前趨物與氫氣（作為載體氣體）饋入一反應爐 的量分別被控制在1 X l〇7L與3 X 108。原子層沉積方法 (ALD)係於 140〇C、160°C、180°C、20(TC 以及 22(TC 的一沉 積溫度下執行200個循環（cycles)，以沉積薄膜，薄膜的χ 光繞射(X-ray diffraction, XRD)結果係顯示於第十一圖。第 十二圖所示為於200°C下沉積之薄膜的截面的掃描電子顯 微影像(scanning electron microscope, SEM)。 如第十一圖所示，銅金屬薄膜係於個別的沉積溫度沉 φ 積。如第十二圖的截面圖所示，形成均勻而具有100%的階 梯覆蓋率之銅金屬薄膜。 很明顯地，由前述的實驗中，可以看出本發明所提出 的有機金屬前驅物化合物適用於沉積金屬薄膜或金屬氧化 物薄膜’而且更特別地，此專則驅物化合物展現出較佳的 熱穩定性並具有高蒸氣壓’其可避免在持續加熱的情況下 發生性質劣化，因此有助於在半導體製程中藉由金屬有機 物化學氣相沉積(metal organic chemical deposition，MOCVD；) 和原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)來沉積金屬薄 膜或陶瓷（例如金屬氧化物）薄膜。 23/29 201026673 此外，個別的有機金屬前驅物化合物係可用於化學氣 相沉積（chemical vapor deposition)或原子層沉積（at〇mic layer deposition)，以沉積銅、鎳、鈷、鐵、錳以及釕金屬 薄膜或金屬氧化物薄膜，而不會造成雜質的污染。 儘管本發明已經透過數個示範實施例加以說明，熟悉 此，藝者應可了解在本說明所揭示之申請專利範圍的精神 與範嘴内，可有其他不同的修正及實施方式。 【圖式簡單說明】
本發明的上述與其他目的、特點以及優點將可透過以 下的詳細實施例說明，配合所附圖表加以了解，其中： 第-圖所示為根據本發明的第三範例製備的鋼前趨化 合物之熱重/熱示差(TG/DTA)分析圖； 第二圖所示為根據本發明的第四範例製備的錄前趨化 合物之熱重/熱示差(TG/DTA)分析圖； 第三圖所示為根據本發明的第五範例製備的鈷前 合物之熱重/熱示差(TG/DTA)分析圖；
第四圖所示為根據本發明的第六範例製 合物之熱錄示差⑽脱糾賴； 心趨化 第五圖所示為根據本發明的第七範例製備的 合物之熱重/熱示差(TG/DTA)分析圖； 第六圖所不為根據本發明的第八範例製備 合物之熱重/熱示差(TG/DTA)^_ ; 町前趨化 第七圖所示為根據本發明的第三範例在8()。 i2(rc&15(rc製備的銅前趨化合物之等溫Tg圖；uc、 第八圖所示為根據本發明的第四範例在8(rc ’ im：及i5(rc製備的錄前趨化合物之等溫TG圖；〇c、 24/29 201026673 第九圖所示為根據本發明的第五範例在80〇c、100^、 120°C及150°C製備的姑前趨化合物之等溫tg圖； 第十圖所示為根據本發明的第六範例在8(TC、100T：、 120°C及150°C製備的釕前趨化合物之等溫TG圖； 第十一圖所示為銅金屬薄膜在第三實驗範例下的X光 繞射圖樣(XRD pattern);以及 第十二圖所示為在第三實驗範例中以200°C沉積銅金 屬薄膜之掃描電子式顯微(SEM)影像圖。 Φ 【主要元件符號說明】 無
25/29

Claims (1)

  1. 201026673 七、申請專利範圍： 1、一種有機金屬前驅物化合物，其用以沉積金屬薄 膜或金屬氧化物薄膜’該有機金屬前驅物化合物係由以下 的分子式(I)所定義：
    其中Μ係一選自錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(c〇)、鎳(Ni)、銅 (Cu)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎮(Mg)、！弓(Ca)、總(Sr)、鋇(Ba)、 鉛(Pb)或釕(RU)的二價金屬離子；以及η為整數〇或2。 2、根據申請專利範圍第1項所述之有機金屬前驅物 化合物’其中該分子式(I)的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為銅(Cu)而η為〇時的有機金屬前驅物化合物，係由以 下的分子式(II)所定義：
    3、根據申請專利範圍第1項所述之有機金屬前驅物 化合物’其中該分子式⑴的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為鎳(Ni)而η為〇時的有機金屬前驅物化合物，係由以下 的分子式(III)所定義： 26/29 201026673
    化合物，其卜^專域第1項所述之有機金屬前驅物 M i舰U刀子式(1)的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為鈷(C_ n為Q _錢金騎 下的分子式(IV)所定義. 口物係由以
    、 J 〇 5、根據中請專利範圍第！項所述之有機金屬前驅物 化合物，其中°亥刀子式⑴的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為鐵(Fe)而η為〇時的有機金屬前驅物化合物，係由以下 的分子式(V)所定義：
    6、根據申睛專利範圍第1項所述之有機金屬前驅物 27/29 201026673 化合物，其中該分子式(i)的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為錳(Μη)而η為0時的有機金屬前驅物化合物，係由以 下的分子式(VI)所定義：
    7、根據申請專利範圍第1項所述之有機金屬前驅物 化合物，其中該分子式⑴的有機金屬前驅物化合物是一當 Μ為钉(尺11)而11為2時的有機金屬前驅物化合物，係由以 下的分子式(VII)所定義：
    8、 一種沉積薄膜的方法，其使用如申請專利範圍第 1項至第7項之有機金屬前驅物化合物，以原子層沉積 (atomic layer deposition,ALD)或金屬有機物化學氣相沉積 (metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)於一基板 上沉積金屬薄膜或金屬氧化物薄膜。 9、 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該有機 金屬前驅物化合物的沉積係於100它至7〇〇它的溫度中執 行0 〇、如申明專利範圍第8項所述之沉積薄膜方法， 201026673 其中該有機金屬前驅物化合物的沉積係使用熱能或電漿， 或藉由對該基板施加一偏壓。 11、 如申請專利範圍第8項所述之沉積薄膜方法， 其中選擇由通氣（bubbling)方法、直接液體注入(direct liquid injection，DLI)方法或一使用前驅物化合物於一有機溶劑内 的一溶液之液體傳輸方式’使該有機金屬前驅物化合物被 提供至該基板上。 12、 如申請專利範圍第8項所述之沉積薄膜方法， ® 其中氬(Ar)、氮(N2)、氦(He)或其組合係作為一载體氣體或 一稀釋氣體，以將該有機金屬前驅物化合物提供給該基板。 13、 如申請專利範圍第8項所述之沉積薄膜方法， 其中水(H2〇)、氧(〇2)或臭氧(〇3)係作為反應氣體，'以將該 金屬氧化物薄膜沉積在該基板上。 〆 14、 如申請專利範圍第8項所述之沉積薄骐方法， 其中氫(¾)、氨(NH3)、聯氨(N^4)或矽烷係作為反應氣 以將該金屬氧化物薄膜沉積在該基板上。 〜只 ❷ 29/29
TW98143597A 2008-12-19 2009-12-18 Organometallic precursors for depositing metal or metal oxide thin films and method for depositing thin films using the same TW201026673A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080130192A KR20100071463A (ko) 2008-12-19 2008-12-19 금속 박막 또는 금속 산화물 박막 증착용 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201026673A true TW201026673A (en) 2010-07-16

Family

ID=42269246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW98143597A TW201026673A (en) 2008-12-19 2009-12-18 Organometallic precursors for depositing metal or metal oxide thin films and method for depositing thin films using the same

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20100071463A (zh)
TW (1) TW201026673A (zh)
WO (1) WO2010071364A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721043B (zh) * 2015-11-24 2021-03-11 德商巴斯夫歐洲公司 用於薄無機膜的產生的方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120047895A (ko) 2009-07-10 2012-05-14 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 구리-함유 막의 침착을 위한 비스-케토이미네이트 구리 전구체
DE102011012515A1 (de) 2011-02-25 2012-08-30 Umicore Ag & Co. Kg Metallkomplexe mit N-Amino-Amidinat-Liganden
WO2013058451A1 (ko) * 2011-10-20 2013-04-25 주식회사 한솔케미칼 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막
KR101404714B1 (ko) * 2011-10-20 2014-06-20 주식회사 한솔케미칼 단차피복성이 우수한 루테늄 화합물 및 이를 이용하여 증착시킨 박막
US8692010B1 (en) 2012-07-13 2014-04-08 American Air Liquide, Inc. Synthesis method for copper compounds
KR101521800B1 (ko) * 2013-05-03 2015-05-20 한국화학연구원 황화 니켈 박막의 제조 방법
WO2014189340A1 (ko) * 2013-05-24 2014-11-27 주식회사 유피케미칼 신규 루테늄 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 막 증착용 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 막의 증착 방법
KR102336102B1 (ko) * 2013-12-20 2021-12-08 가부시키가이샤 아데카 루테늄 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
KR102434705B1 (ko) * 2014-01-03 2022-08-22 삼성전자주식회사 금속 시드층을 포함하는 박막 구조체 및 금속 시드층을 이용하여 투명 전도성 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 방법
KR102634502B1 (ko) 2017-11-16 2024-02-06 가부시키가이샤 아데카 루테늄 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
TW202346629A (zh) * 2017-12-12 2023-12-01 以色列商量子設計材料有限公司 超導化合物及用於製造其之方法
JP7378267B2 (ja) * 2018-11-12 2023-11-13 東ソー株式会社 コバルト錯体、その製造方法、及びコバルト含有薄膜の製造方法
TW202129058A (zh) * 2019-07-07 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 使用原位蒸氣產生技術(issg)的金屬氧化物的熱原子層沉積
WO2022220153A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 株式会社Adeka 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜、薄膜の製造方法及びルテニウム化合物

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008415A (en) * 1988-11-14 1991-04-16 Air Products And Chemicals, Inc. Volatile fluorinated β-ketoimines and associated metal complexes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI721043B (zh) * 2015-11-24 2021-03-11 德商巴斯夫歐洲公司 用於薄無機膜的產生的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100071463A (ko) 2010-06-29
WO2010071364A2 (ko) 2010-06-24
WO2010071364A9 (ko) 2010-09-02
WO2010071364A3 (ko) 2010-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201026673A (en) Organometallic precursors for depositing metal or metal oxide thin films and method for depositing thin films using the same
JP3576934B2 (ja) 多元金属化合物層の成長のための方法及び混合金属又は金属化合物層の成長のための組成物
TWI336732B (en) Ti, ta, hf, zr, and related metal silicon amides for ald/cvd of metal-silicon nitrides, oxides or oxynitrides
TWI630200B (zh) 揮發性二氫吡嗪基及二氫吡嗪金屬錯合物
TWI410514B (zh) 不對稱配位體源，對稱性減少之含金屬的化合物類，及包括彼之系統和方法
TWI427080B (zh) 用於半導體製程之沈積前驅物
US10174423B2 (en) Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of Niobium-containing films
US6616972B1 (en) Synthesis of metal oxide and oxynitride
TW200927976A (en) Tellurium precursors for GST films in an ALD or CVD process
TW201120233A (en) High molecular weight alkyl-allyl cobalttricarbonyl complexes and use thereof for preparing dielectric thin films
TW200922940A (en) Copper precursors for thin film deposition
KR20080036140A (ko) 표면활성제 및 신규한 탄탈 착물을 사용한 탄탈 함유필름의 원자층 증착
WO2013117955A1 (en) Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors
EP2451989A2 (en) Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films
Lai et al. Deposition of Ru and RuO 2 thin films employing dicarbonyl bis-diketonate ruthenium complexes as CVD source reagents
Lee et al. Chemical vapor deposition of ruthenium oxide thin films from Ru (tmhd) 3 using direct liquid injection
Choi et al. Chemical vapor deposition of copper film from hexafluoroacetyl-acetonateCu (I) vinylcyclohexane
TWI756959B (zh) 膜或塗層之方法
JP2006225381A (ja) Ｔｉ前駆体、その製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜
Senzaki et al. MOCVD of high‐k dielectrics, tantalum nitride and copper from directly injected liquid precursors
JP2014028859A (ja) 揮発性イミダゾール及び二族イミダゾール系金属前駆体
Kim et al. Characteristics of chemically vapor deposited TiN films prepared using tetrakis-ethylmethyl-amido-titanium
Baunemann et al. MOCVD of TaN Using the All‐Nitrogen‐Coordinated Precursors [Ta (NEtMe) 3 (N‐tBu)],[Ta (NEtMe)(N‐tBu){C (N‐iPr) 2 (NEtMe)} 2], and [Ta (NMeEt) 2 (N‐tBu){Me2N‐N (SiMe3)}]
KR100900272B1 (ko) 금속 박막 또는 세라믹 박막 증착용 유기 금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 박막 제조 방법
JP7048710B2 (ja) 有機金属化合物、有機金属化合物を含む薄膜蒸着用組成物、薄膜蒸着用組成物を用いた薄膜の製造方法、薄膜蒸着用組成物から製造される薄膜、および薄膜を含む半導体素子