201021610 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置及發光裝置的製造方法。 【先前技術】 近年來，行動電話等之電子機器的顯示裝置，應用將係爲 本身發光元件的複數之EL(電致發光）發光元件排列爲陣列狀 的EL發光面板，係眾所周知》 EL發光元件，係在由聚醯亞胺構成的絕緣層上形成之開 W 口部露出的第1電極上，形成發光層之薄膜，第2電極疊層在 此發光層上者，係爲周知（例如參照專利文獻1)，在此面板之 各開口部係爲相當於各像素之發光部分，利用複數之EL發光 元件構成發光區域。 專利文獻1日本特開2002-91343號公報 【發明內容】 發明欲解決的課題 然而已理解，在上述先前技術之EL發光面板中，構成此 ® EL發光面板之發光區域的複數之EL發光元件之中，產生有 EL發光元件部分地未發光之區域。 因而，本發明之優點在提供一琿發光特性優異的發光裝置 及發光裝置的製造方法。 用於解決課題之手段 爲了獲得以上之優點，本發明之一形態，係 一種發光裝置，係具有第1電極、位在上述第1電極上之 至少1層以上之載體輸送層、及位在上述載體輸送層上之第2 電極的發光裝置，其特徵爲： 201021610 具備有：隔壁’其具有一開口連通於在基板之上面側形成 的上述第1電極；及發光保護層，其被覆至少上述隔壁； 上述發光保護層係介在於上述隔壁與上述載體輸送層之 間。 較佳爲’上述發光保護層，係使上述隔壁引起的發光阻礙 要因成爲中和或酸性，藉此改善此發光阻礙要因所引起的載體 輸送層之輸送性劣化。 又’較佳爲，上述發光保護層係由酸性材料形成。 又，較佳爲，上述隔壁係將正型之感光性聚醯亞胺系樹脂 材料加以硬化而成。 又，較佳爲，上述隔壁係由鹼性溶液來顯影。 依照本發明之另一形態時，係 —種發光裝置的製造方法，係具有第1電極、位在上述第 1電極上之至少1層以上之載體輸送層、及位在上述載體輸送 層上之第2電極的發光裝置的製造方法，其特徵爲具備有： 隔壁形成步驟，係形成具有一開口部之隔壁，該開口部連 通於在基板之上面側形成的上述第1電極； 發光保護層形成步驟，形成被覆至少上述隔壁來將上述隔 壁引起的發光阻礙要因加以封閉的發光保護層：及 載體輸送層形成步驟，形成被覆上述第1電極及上述發光 保護層的上述載體輸送層。 較佳爲’該發光保護層形成步驟包含有··在將作爲上述發 光保護層之材料加以成膜之時，使上述隔壁引起的發光阻礙要 因成爲中和或酸性之步驟。 又’較佳爲，上述隔壁形成步驟包含有以鹼性溶液將作爲 上述隔壁的材料加以顯影的步驟，該發光保護層形成步驟包含 .201021610 有：使殘留於上述隔壁及上述第1電極之表面的上述鹼性溶液 成爲中和或酸性之步驟。 本發明之另一形態， 一種發光裝置的製造方法，具備：具有第1電極、位在上 述第1電極上之至少1層以上之載體輸送層、及位在上述載體 輸送層上之第2電極的發光元件，其特徵爲具備有： 隔壁形成步驟，係形成具有一開口部之隔壁，該開口部連 通於在基板之上面側形成的上述第1電極； 表面洗淨步驟，將上述隔壁及上述第1電極之表面加以洗 淨以除去在上述隔壁形成步驟中所產生的發光阻礙要因；及 載體輸送層形成步驟，形成被覆上述第1電極及上述隔壁 的上述載體輸送層。 較佳爲，上述隔壁形成步驟包含：以預定的光罩圖案將作 爲上述隔壁的材料加以曝光之後，使用鹸性溶液加以顯影的步 驟， 上述表面洗淨步驟，包含以酸性溶液使殘留於上述隔壁及 上述第1電極之表面的上述鹼性溶液成爲中和或酸性之步驟。 較佳爲，包含：在以酸性溶液作成中和或酸性之步驟後， 利用比水、或上述有機酸水溶液更弱酸性之水溶液來洗淨上述 隔壁及上述第1電極之步驟。 較佳爲，包含第2電極形成步驟，係在上述載體輸送層形 成步驟之後，在上述開口部內之上述載體輸送層上形成第2電 極。 其後，提供一種發光裝置，其係利用上述發光裝置的製造 方法來製造。 【實施方式】 201021610 以下，將使用圖面說明用於實施本發明之較佳形態。但 是，以下所敘述的實施形態，雖然爲了實施本發明而在技術上 賦予較佳的各種限定，但本發明之範圍並不限定於以下之實施 形態及圖示例。 此外，在本實施形態中，係將發光裝置應用在爲顯示裝置 之EL面板來說明本發明。 第1圖是顯示EL面板1之複數個像素P的配置構成之俯 視圖。第2圖顯示EL面板之槪略構成之俯視圖。 如第1圖、第2圖所示，在EL面板1，係將例如R(紅）、 ® G(綠）、B(藍）分別進行發光的複數個像素P以預定的圖案配置 爲陣列狀。 在此EL面板1，複數條掃瞄線2沿著列方向大致互爲平 行的方式排列，複數條信號線3在俯視時係沿著與掃瞄線2大 致正交的行方向大致互爲平行的方式排列。又，在相鄰的掃瞄 線2之間，電壓供給線4沿著掃瞄線2設置。然後，由此等各 掃瞄線2、鄰接的2條信號線3以及各電壓供給線4所圍住的 範圍則相當於像素P。 ® 又，在EL面板1，設置係爲格子狀之隔壁的提壩13來覆 蓋掃瞄線2、信號線3及電壓供給線4之上方。藉由此提壩13 圍住而成的大致矩形之複數個開口部13a被形成在各像素P， 後述之像素電極8a、發光保護層8f、電洞注入層8b、夾層8c、 發光層8d、對向電極8e則被叠層而設置在此開口部13a內。 第3圖係顯示以主動陣列驅動方式進行動作之相當於EL 面板之一像素的電路之電路圖。
如第3圖所示，在EL面板1設置掃瞄線2、與掃瞄線2 交叉的信號線3、及沿著掃瞄線2之電壓供給線4，在此EL 201021610 面板1之一像素P，設置係爲薄膜電晶體的開關電晶體5、係 爲薄膜電晶體的驅動電晶體6、電容器7、及EL元件8。 在各像素P中，開關電晶體5之閘極連接到掃瞄線2，開 關電晶體5之汲極及源極之中的一方連接到信號線3，開關電 晶體5之汲極及源極之中的另一方連接到電容器7之一方的電 極及驅動電晶體6之閘極。驅動電晶體6之源極及汲極之中的 一方連接到電壓供給線4,驅動電晶體6之源極及汲極之中的 另一方連接到電容器7之另一方的電極及EL元件8之陽極。 此外，所有的像素P之EL元件8的陰極，保持於一定電壓 Vcom(例如，被接地）。開關電晶體5及驅動電晶體6均可爲η 通道型，亦可均可爲Ρ通道型，亦可一方爲η通道型，而另一 方爲Ρ通道型。 又，在此EL面板1之周圍，各掃瞄線2連接到掃瞄驅動 器，各電壓供給線4連接到輸出一定電壓源或適宜電壓信號的 驅動器，各信號線3連接到資料驅動器，利用此等驅動器，EL 面板1被以主動陣列驅動方式進行驅動。在電壓供給線4係利 用一定電壓源或驅動器而供給預定之電力。 其次，將使用第4圖〜第6圖說明EL面板1、及其像素Ρ 之電路構造。在此，第4圖係相當於EL面板1之一像素Ρ的 俯視圖。第5圖係顯示沿著第4圖之V-V線之面的箭號截面 圖。第6圖係顯示沿著第4圖之VI-VI線之面的箭號截面圖。 此外，第4圖主要顯示電極及配線。 如第4圖所示，開關電晶體5及驅動電晶體6，係沿著信 號線3排列，電容器7係配置在開關電晶體5之附近，ELS 件8係配置在驅動電晶體6之附近。又，在對應於該像素的掃 瞄線2與電壓供給線4之間，配置開關電晶體5、驅動電晶體 201021610 6、電容器7'及EL元件8» 如第4圖〜第6圖所示，在基板1〇上之一面形成閘極絕緣 膜11之薄膜，在開關電晶體5、驅動電晶體6、及此等之周圍 的閘極絕緣膜11之上，形成層間絕緣膜12之薄膜。信號線3 被形成在閘極絕緣膜Π與基板10之間，掃瞄線2及電壓供給 線4被形成在閘極絕緣膜11與層間絕緣膜12之間。 又，如第4圖、第6圖所示，開關電晶體5係逆交錯（reverse stagger)構造的薄膜電晶體。此開關電晶體5係具有閘極5a、 閘極絕緣膜11、半導體膜5b、通道保護膜5d、雜質半導體膜 5f，5g、汲極5h、源極5i等。 閘極5a係形成於基板10與閘極絕緣膜11之間。此閘極 5a係由例如Cr膜、A1膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜、AlTiNd 合金膜、或MoNb合金膜所形成。又，在閘極5a之上形成絕 緣性之閘極絕緣膜11的薄膜，並利用此閘極絕緣膜11被覆閘 極5 a 〇 閘極絕緣膜1 1例如由氮化矽或氧化矽形成。在此閘極絕 緣膜11上對應於閘極5a之位置，形成有本性之半導體膜5b， 半導體膜5b挾持閘極絕緣膜11而與閘極5a相對。 半導體膜5b例如由非晶矽或多晶矽形成，在此半導體膜 5b形成通道。又’在半導體膜5b之中央部上，形成絕緣性之 通道保護膜5 d»此通道保護膜5d例如由氮化矽或氧化矽形成。 又’在半導體膜5b之一端部之上’係形成爲雜質半導體 膜5f與通道保護膜5d重疊，在半導體膜5b之另一端部之上， 係形成爲雜質半導體膜5g與通道保護膜5cl重疊。然後，雜質 半導體膜5 f，5g係分別被形成爲在半導體膜之兩端側互相 隔開。此外，雖然雜質半導體膜5f，5g係爲η型半導體，但是 201021610 並不限定於此，亦可爲p型半導體。 在雜質半導體膜5f之上形成汲極5h。在雜質半導體膜5g 之上形成源極5i。汲極5h、源極5i，係由例如Cr膜、A1膜、 Cr/Al叠層膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜 所形成。 在通道保護膜5d、汲極5h、及源極5i之上，形成作爲保 護膜之絕緣性的層間絕緣膜12之薄膜，通道保護膜5d、汲極 5h、及源極5i利用此層間絕緣膜12而被覆。其後，開關電晶 ©體5由層間絕緣膜12所被覆。層間絕緣膜12例如係由厚度爲 100nm~200nm的氮化矽或氧化矽形成。 又’如第4圖、第5圖所示，驅動電晶體6係逆交錯構造 的薄膜電晶體。此驅動電晶體6係具有閘極6a、閘極絕緣膜 1 1、半導體膜6b、通道保護膜6d、雜質半導體膜6f，6g、汲 極6h、源極6i等。
I 閘極6a例如係由Cr膜、A1膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金 膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜所形成，與閘極5a同樣 地’形成於基板10與閘極絕緣膜11之間。其後，閘極6a係 由利用氮化矽或氧化矽而形成的閘極絕緣膜11所被覆。 在此閘極絕緣膜11之上對應於閘極6a之位置，形成通道 的半導體膜6b例如由非晶矽或多晶矽形成。此半導體膜6b挾 持閘極絕緣膜11而與閘極6a相對。 在半導體膜6b之中央部上，形成絕緣性通道保護膜6d。 此通道保護膜6d例如由氮化矽或氧化矽形成。 又’在半導體膜6b之一端部上，係形成爲雜質半導體膜 .6f與通道保護膜6d重叠，在半導體膜6b之另—端部之上，係 形成爲雜質半導體膜6g與通道保護膜6d重疊。其後，形成爲 -10- 201021610 雜質半導體膜6f，6g在各半導體膜6b之兩端側互相地隔開。 此外，雖然雜質半導體膜6f，6g係爲η型半導體，但是並不限 定於此，亦可爲ρ型半導體。 在雜質半導體膜6f之上形成汲極6h。在雜質半導體膜6g 之上形成源極6i。汲極6h、源極6i，例如係由Cr膜、A1膜、 Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜 所形成。 在通道保護膜6d、汲極6h、及源極6i之上，使作爲保護 膜之絕緣性的層間絕緣膜12成膜，通道保護膜6d、汲極6h、 〇 及源極6i則由此層間絕緣膜12所被覆。然後，驅動電晶體6 係由層間絕緣膜12所被覆。 電容器7，如第4圖、第6圖所示，具有對向之一對電極 7 a，7b、及介在於此等之間來作爲介電體的閘極絕緣膜11。其 後，一方之電極7a形成於基板10與閘極絕緣膜11之間，而 另一方之電極7b形成於閘極絕緣膜11與層間絕緣膜12之間。 此外，電容器7之電極7a係與驅動電晶體6之閘極6a連 成一體而連接，而電容器7之電極7b係與驅動電晶體6之源 W 極6i連成一體地連接。又，驅動電晶體6之汲極6h係與電壓 供給線4連成一體地連接。 此外，信號線3、電容器7之電極7a、開關電晶體5之閘 極5a、及驅動電晶體6之閘極6a，係利用微影蝕刻法及蝕刻 法等對係爲成膜在基板10的一面上的導電膜之閘極金屬層進 行形狀加工而一起形成者。 又，掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極7b、開關 電晶體5之汲極5 h，源極5i、及驅動電晶體6之汲極6h,源 極6i，係利用微影蝕刻法及鈾刻法等對係爲成膜在閘極絕緣膜 -11- •201021610 11的一面上的導電膜之閘極金屬層進行形狀加工而形成者。 又，在閘極絕緣膜11，在閘極5a與掃瞄線2重疊的區域 形成接觸孔11a，在汲極5h與信號線3重叠的區域形成接觸孔 lib，在閘極6a與源極5i重叠的區域形成接觸孔11c，在接觸 孔1 la~l lc內分別埋入接觸插頭20a〜20c。利用接觸插頭20a 而使開關電晶體5之閘極5a與掃瞄線2電性導通，利用接觸 插頭2 0b而使開關電晶體5之汲極5h與信號線3電性導通， 利用接觸插頭2 0c而使開關電晶體5之源極5i與電容器7之 Ο 電極7a電性導通，同時使開關電晶體5之源極5i與驅動電晶 體6之閘極6a電性導通。而亦可不介由接觸插頭20a〜20c，使 掃瞄線2直接與閘極5a接觸，汲極5h與信號線3接觸，源極 5i與閘極6a接觸。 像素電極8a，介由閘極絕緣膜11而設置於基板10上，並 在每像素P獨立形成。當EL面板1係爲將EL元件8之光從 基板10出射之底射型之情況，此像素電極8a係透明電極，例 如係包含有掺錫氧化銦（ITO)、掺鋅氧化銦、氧化銦（Ιπ203)、 氧化錫（Sn02)、氧化鋅（ZnO)、或鉻-錫氧化物（CTO)之至少任 何一種。當EL面板1係爲將EL元件8之光透過後述之對向 電極8e而出射之頂射型之情況，像素電極8a亦可爲在上述之 透明電極層及此層之下A1膜或A1合金膜等之光反射層的叠層 構造。此時，光反射層亦可爲由源極、汲極金屬層而形成。此 外，像素電極8a係一部分重疊於驅動電晶體6之源極6i，像 素電極8a與源極6i連接。 其後，如第4圖~第6圖所示，層間絕緣膜12係被以覆蓋 掃瞄線2、信號線3、電壓供給線4、開關電晶體5、驅動電晶 體6、像素電極8a之周緣部、電容器7之電極7b、及閘極絕 -12- 201021610 緣膜1 1的方式形成》 在此層間絕緣膜12以各像素電極8a之中央部露出的方式 形成開口部12 a。因此，層間絕緣膜12在俯視時係形成格子狀。 EL元件8，如第4圖、第5圖所示，具備有：成爲陽極並 作爲第1電極的像素電極8a;涵蓋像素電極8a之上及後述之 堤壩13之表面上而形成的發光保護層8f;作爲形成於發光保 護層8f之上的載體輸送層之一部分的功能之夾層8c;形成於 夾層8c之上的發光層8d;作爲係爲形成於發光層8d之上的第 2電極的對向電極8e。對向電極8e係在所有像素P共通的陰 極，作爲在所有像素P連續的單一電極而形成。 發光保護層8f例如係由係爲導電性髙分子的PEDOT(聚乙 撐二氧噻吩）及係爲掺雜劑的PSS (聚苯乙烯磺酸）形成的層。 由此PEDOT/PSS形成的發光保護層8f，係被以在所有像 素P (像素電極8 a)連續的方式成膜，並被覆像素電極8a及堤 壩13之全面。 尤其，發光保護層8f係以電洞注入層8b不直接形成在像 素電極8a及堤壩13之上的方式而介在於電洞注入層8b與像 素電極8a之間及電洞注入層8b與堤壩13之間的層。 由於此發光保護層8f係低電阻之導電性高分子，因此具 有當朝厚度方向依序施加順向偏壓時，電洞將從像素電極8a 輸送到電洞注入層8b之功能，更進一步具有不使堤壩13的成 分移動到正孔注入層8b之遮蔽的功能。 電洞注入層8b例如係由過渡金屬氧化物形成的層，係將 電洞從像素電極8a朝向發光層8d注入的載體注入層。在此電 洞注入層8b，可使用係爲過渡金屬氧化物的氧化鉬、氧化鈀、 氧化鎢、氧化鈦等，尤其是以氧化鉬爲較佳。 -13- 201021610 電動注入層8b係被成膜在相當於堤壩13及堤壩13之開 口部13a內的全面之發光保護層8f的上面全部區域。 夾層8c例如係爲由聚芴系材料形成的電子輸送抑制層， 具有抑制電子從發光層8d向電洞注入層8b移動的功能。 發光層8d在每個像素P包含有令R(紅）、G(綠）、B(藍） 之任何一個進行發光的有機材料，例如由聚芴系發光材料或聚 對苯乙烯撐系發光材料等之共聚物所形成，係伴隨從對向電極 8e供給的電子、與從電洞注入層8b注入之電洞的再結合而進 行發光之層。因此，發光R(紅）的像素P，發光G(綠）的像素， φ 發光B(藍）的像素P，其等個別之發光層8d之發光材料不同。 像素P之R(紅）、G(綠）、B(藍）的圖案，可爲三角形排列，亦 可爲在縱方向同色像素排列之條紋圖案。 對向電極8e在EL面板1爲底射型之情況，例如Mg、Ca、 Ba、Li等之工作函數爲4.0eV以下，較佳爲3_0eV以下，亦可 爲3 Onm以下之厚度的低工作函數層、及爲了降低薄片電阻而 使設於低工作函數層上的厚度爲100 nm以上之A1膜或A1合金 膜等之光反射層之叠層構造。 又，當EL面板1爲頂射型之情況，對向電極86係爲上述 © 低工作函數層、及設於此低工作函數層上由例如掺錫氧化銦 (ITO)、掺鋅氧化銦、氧化銦（Ιη203)、氧化錫（Sn〇2)、氧化鋅 (ZnO)、或鉻·錫氧化物（CTO)等形成之透明導電層之疊層構造。 此對向電極8e在所有的像素P共通的電極，與發光層8d 一起覆蓋堤壩1 3。 堤壩13係形成於層間絕緣膜12上的隔壁，例如係由感光 性的聚醯亞胺系樹脂材料等之絕緣性樹脂材料形成。堤壩13 係作爲隔壁之功能，使得在利用濕式法形成夾層8c或發光層 8d之時，作爲夾層8c或發光層8d之材料溶解或分散於溶劑 後之液狀體不流出到鄰接的像素P。 -14 - .201021610 其後，利用堤壩13及層間絕緣膜12，使作 發光層8d在各像素P被隔開。當像素P之R(紅） 的圖案爲條紋圖案之情況，如第14圖所示，堤塌 像素朝縱方向排列爲條紋狀，層間絕緣膜12與第 只要設置有作成圍住像素電極8a的方式而露出信 開口部12a的話即可。. 在此堤壩13之開口部13a內，發光保護層 層8b、夾層8c、發光層8d係依序疊層在像素電 ^ 例如，如第5圖所示，在堤壩13之開口部 電極8a上疊層發光保護層8f，在發光保護層8f 入層8 b。 其後，在各開口部13a之電洞注入層8b上 夾層8c之材料的液狀體，將各基板10加熱而形 乾燥成膜的化合物膜作爲夾層8c而叠層。 又，在各開口部13a之夾層8c上，塗布含 8d之材料的液狀體，將各基板10加熱而形成使 成膜的化合物膜，作爲發光層8d而疊層。 W 此外，以被覆此發光層8d及堤壩13的方式 8e(參照第5圖）。EL元件8，在不設置夾層8c 將發光層8d疊層在電洞注入層8b上的構造，择 之外亦可爲電子注入層。 此EL面板1係以下列方式驅動發光。 在所有的電壓供給線4施加預定位準之電壓 掃瞄驅動器在掃瞄線2依序地施加ON電壓，藉 接到此等掃瞄線2的開關電晶體5。 在各掃瞄線2分別被選擇時，當利用資料驅 爲發光部位的 、G(綠）、B(藍） I 1 3沿著同色 4圖同樣地， 良素電極8a的 8f、電洞注入 極8a上。 1 3a內之像素 上叠層電洞注 塗布含有作爲 成使其液狀體 有作爲發光層 其液狀體乾燥 設置對向電極 時亦可爲直接 余了發光層8d 的狀態，利用 此依序選擇連 動器使因應於 -15- 201021610 灰階的位準之電壓被施加於所有的信號線3時，由於對應於被 選擇的該掃瞄線2之開關電晶體5變成ON，使因應於灰階的 位準之電壓被施加於驅動電晶體6之閘極6a。 因應於施加在此驅動電晶體6之閘極6a的電壓來決定驅 動電晶體6之閘極6a與源極6i之間的電位差，因而決定驅動 電晶體6之汲極-源極電流之大小，EL元件8因應於此汲極-源極電流之亮度進行發光。 其後，當此掃瞄線2之選擇被解除時，開關電晶體5變成 _ OFF，因此依照施加於驅動電晶體6之閘極6a的電壓之電荷被 儲存在電容器7，因而保持驅動電晶體6之閘極6a與源極6i 之間的電位差。 因此，驅動電晶體6使與選擇時同樣的電流値之汲極-源 極電流持續地流動，並維持EL元件8之發光亮度。 其次，將說明EL面板1製造方法。 以濺鍍法將閘極金靥堆積在基板10上，利用微影蝕刻法 進行圖案化而形成信號線3、電容器7之電極7a、開關電晶體 π 5之閘極5a、及驅動電晶體6之閘極6a。 其次，利用電漿CVD堆積氮化矽等之閘極絕緣膜11。 接著，連續堆積：成爲半導體膜5 b，6b的非晶矽等之半導 體層、及作爲通道保護膜5 d，6d的氮化矽等之絕緣層之後，利 用微影蝕刻法進行圖案化而形成通道保護膜5 d，6d，並在堆積 作爲雜質半導體膜5f，5g，6f，6g的雜質層之後，利用微影蝕 刻法進行圖案化而形成雜質半導體膜5f，5g，6f，6g、半導體膜 5 b，6 b 〇 其後，利用微影蝕刻法，在閘極絕緣膜11形成將用於連 接到位於EL面板1之一邊的掃瞄驅動器的各掃瞄線2之外部 -16- .201021610 連接端子加以開口的接觸孔（未圖示）及接觸孔lla〜lie。接 著，在接觸孔11 a〜lie內形成接觸插頭20 a〜2 0c。此接觸插頭 之形成步驟亦可省略。 接著，當EL面板1爲底射型之情況，在堆積ITO等之透 明導電膜之後，進行圖案化而形成像素電極8a。此時，像素電 極8a係形成其一側邊緣重疊於雜質半導體膜6g之一側邊周緣 上。其後，堆積作爲開關電晶體5之汲極5h、源極5i及驅動 電晶體6之汲極6h、源極6i的源極、汲極金靥層而進行適宜 座 的圖案化，而形成掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極 7b、開關電晶體5之汲極5h，源極5i及驅動電晶體6之汲極 6h，源極6i»此時，在像素電極8a之上述一側邊周緣上，源 極6i之一側邊周緣重疊而相互地連接。 當EL面板1爲頂射型之情況，在形成雜質半導體膜5 f，5 g， 6f，6g、半導體膜5b，6b，接著堆積源極、汲極金屬層之後， 進行圖案化，除了掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極 7b、開關電晶體5之汲極5h，源極5i及驅動電晶體6之汲極 6h，源極6i之外，亦可在形成像素電極8a之區域形成光反射 ❹ 膜。光反射膜係形成爲與源極6i連續。其後，在堆積ITO等 之透明導電膜之後，進行圖案化而在光反射膜上形成像素電極 8a。在此，像素電極8a之一側邊周緣重叠在源極6i之一側邊 周緣上並相互連接。 又，當EL面板1爲頂射型之情況，亦可使用源極、汲極 金屬層以外之其他光反射膜（銀或A1等）。此時，亦可在形成 雜質半導體膜5£，58,6168、半導體膜51>，61)之後，在連續堆 積上述其他光反射膜及ITO等之透明導電膜之後，利用微影蝕 刻法以一次加以圖案化而作成像素電極8a之形狀，其次，在 -17- 201021610 堆積源極、汲極金屬層之後，進行圖案化而形成掃瞄線 壓供給線4、電容器7之電極7b、開關電晶體5之汲極 極5i及驅動電晶體6之汲極6h，源極6i。在此，源極 側邊周緣重’疊在像素電極8a之上述一側邊周緣並相互 又，亦可在將上述其他光反射膜在堆積後進行圖案化之 堆積ITO等之透明導電膜之後，加以圖案化。此時，在 導電膜進行濕式蝕刻時恐有上述其他光反射膜被蝕刻 之情況，則可以不僅使上述其他光反射膜之上面而且側 留有透明導電膜的方式，將透明導電膜比上述其他光反 大一圈地加以圖案化。又，當不需要將光反射膜與透明 一起作爲像素電極8a之一部分而構成時，亦可在像素 成區域，形成上述其他光反射膜、透明絕緣膜、透明導 三層構造。 其次，如第7圖所示，以覆蓋開關電晶體5或驅動 6等之方式，利用氣相成長法而成膜氮化矽等之絕緣膜 微影蝕刻法將此絕緣膜進行圖案化，藉以形成具有露出 極8a之中央部的開口部12a之層間絕緣膜12。與此開C 一起，形成分別將未圖示之掃瞄線2的外部連接端子、 接到位於EL面板1之一邊的資料驅動器的各信號線3 連接端子、及電壓供給線4之外部連接端子開口的複數 孔。 接著，如第8圖所示，將聚醯亞胺系之感光性樹脂相 成膜在基板10之上面來進行前烘烤。 例如，在本實施形態之情況，係以旋塗法將係爲正 光性聚醯亞胺系樹脂材料的東麗公司製 「PhotoneeceDW- 1000」加以成膜之後，進行前烘烤。 :2、電 5h,源 6i之一 連接。 後，在 對透明 劑浸蝕 面亦殘 射膜更 導電膜 電極形 電膜之 電晶體 ，利用 像素電 J 部 1 2 a 用於連 之外部 個接觸 卜料（13) 型之感 丨造的 18 - 201021610 接著，如第9圖所示，在成膜後之感光性樹脂材料（13)使 用光罩進行曝光後進行顯影處理，形成具有將像素電極8a露 出的開口部13a之格子狀之堤壩13。 例如，在本實施形態之情況，係以預定之光罩圖案將成膜 後之感光性樹脂材料（13)進行曝光處理後，以四甲基氫氧化胺 (TMAH)水溶液進行顯影處理，藉此溶解相當於開口部13a之 部分的樹脂材料而形成開口部13a，藉此形成堤壩13。此外， 作爲顯影液之TMAH水溶液，係鹸性之水溶液。 其後，將附著於堤壩13之表面或像素電極8a之表面的 TMAH水溶液進行水洗而洗掉之後，將形成堤壩13之基板10 加以乾燥，在180°C ~250°C進行後烘烤，藉此而燒成堤壩13。 其次，如第10圖所示，形成被覆堤壩13、及在此堤壩13 之開口部13a內露出的像素電極8a之發光保護層8f。 在此，在本實施形態中作爲顯影液的TMAH，容易吸附且 容易殘留在堤壩13之表面等。尤其，呈鹼性之TMAH，在殘 留於堤壩13或像素電極8a之表面的狀態，當在此堤壩13或 像素電極8a上成膜氧化鉬層等之電洞注入層8b的情況，此電 洞注入層8b會由於TMAH之作用而變質。亦即，使電洞注入 層8b變質的TMAH變成發光阻礙要因，變質後的電洞注入層 8b之電洞注入性將惡化，因而產生EL元件8之發光不順利的 情形。因此，必須作成以發光保護層8f被覆此堤壩13或像素 電極8a之表面，而令殘留在堤壩13及像素電極8a之表面的 TMAH不致作用在電洞注入層8b ^ 其後，例如在堤壩13及像素電極8a之表面，將強酸性之 PSS作爲掺雜劑而含有的導電性髙分子之PEDOT加以成膜， 而形成發光保護層8f。例如，在本實施形態之情況，將習塔爾 -19- 201021610 克公司製「CH8000」以純水稀釋爲1/10之溶液，以旋塗法塗 布，並以180°C~200°C加以乾燥而形成具有4~5nm之厚度的發 光保護層8f。在形成發光保護層8f之前，在堤壩13及像素電 極8a之表面施以親液處理。 尤其，在成膜此發光保護層8f之時所塗布的材料溶液， 係含有PSS之酸性溶液，因此在堤壩13或像素電極8a之表面 殘留有鹸性之TMAH之時，將此TMAH作成中和或酸性係爲 可能，可將成爲發光阻礙要因的TMAH降低或消除，因而可減 少 TMAH。 ❹ 亦即，藉由形成發光保護層8f，作成以發光保護層8f封 閉TMAH，在恐有TMAH殘留的堤壩13及像素電極8a，可作 成不直接形成發光保護層8f。又，在成膜發光保護層8f之過 程中，可將殘留TMAH進行中和處理，因此可作成不使TMAH 更進一步不致作用在電洞注入層8b。 其次，如第11圖所示，利用濺鎪法、真空蒸鍍法而成膜 由氧化鉬等形成的過渡金屬氧化物層，而形成從像素電極8a 之發光保護層8f上涵蓋堤壩13表面上之發光保護層8f上而 〇 連續的電洞注入層8b。 例如，在本實施形態之情況，以蒸鍍法將氧化鉬成膜爲 3 Onm之厚度，而形成覆蓋堤壩13及相當於堤壩13之開口部 13a內的全面之發光保護層8f的電洞注入層8b。 其次，如第12圖所示，在堤壩13之開口部13a內的電洞 注入層8b上，利用將構成夾層8c之有機材料溶解或分散於 水、或四氫化萘、四甲苯、三甲苯等之有機溶劑後的液狀體， 作爲分離後之液滴而吐出的噴墨方式或連續的液流而流出之 噴嘴印刷方式加以塗布且乾燥，藉此將夾層8c疊層在電洞注 -20- 201021610 入層8b上而形成。 更進一步，如第12圖所示，在堤壩13之開口部13a 夾層8c上，利用將構成發光層8d之聚苯撐乙烯系或聚芴 有機發光材料溶解或分散於水、或四氫化萘、四甲苯、三 等之有機溶劑後的液狀體，作爲分離後之液滴而吐出的噴 式或連續的液流而流出之噴嘴印刷方式加以塗布且乾燥， 將發光層8d疊層在夾層8c而形成。此外，在本實施形態 況，將作爲發光試驗用之綠色的聚芴系發光材料溶解於二 _ 的溶液，塗布於夾層8c上而形成發光層8d。又，亦可不 Ό 夾層8c而直接將發光層8d叠層在電洞注入層8b上之構 除了發光層8d以外亦可爲電子注入層。 其次，如第5圖所示，在堤壩13上之電洞注入層8b 面、及在堤壩13之開口部13a內的發光層8d之上面，將 電極8e成膜在一面，而形成覆蓋發光層8d的對向電極8 例如，在本實施形態之情況，將Ca以蒸鍍法成膜爲 之厚度後，更進一步將具有低電阻且穩定之性狀的A1以 法成膜爲500nm之厚度，而形成對向電極8e。 其後，藉由成膜此對向電極8e，而形成EL元件8, 造EL面板1。 依此，先成膜氧化鉬層以形成電洞注入層8b，而在 13、及在此堤壩13之開口部13a露出的像素電極8a之赛 成膜含有酸性材料的發光保護層8f，藉此可將殘留在堤: 或像素電極8a之表面的鹼性之TMAH加以中和或作成酸 除去。更進一步，形成後的發光保護層8f，係介在於電洞 層8b與像素電極8a之間及電洞注入層8b與堤壩13之瘦 作成令電洞注入層8b不接觸於恐有TMAH殘留的堤壩13 內的 系之 甲苯 墨方 藉此 之情 甲苯 設置 造， 的上 對向 :e 〇 3 Onm 蒸鍍 以製 堤壩 言面， 1 13 性而 注入 a，可 及像 -21 - 201021610 素電極8a。 如以上，依照形成此發光保護層8f時，可作成令電洞注 入層8b變質而成爲發光阻礙要因的TMAH不致作用在電洞注 入層8b，因此可製造具備有：具有良好狀態之電洞注入層8b 之EL元件8的EL面板1。 (實施例1) 將由氮化矽形成的層間絕緣膜加以圖案化而形成在構成 有圖案化之後的複數之ITO的玻璃基板上，全面地將正型之感 光性聚醯亞胺系樹脂材料（東麗公司製造的 Photoneece DW-1000)以旋塗法堆積1〜5/zm之厚度之後，利用熱板在堆積 感光性聚醯亞胺系樹脂材料後的基板，以120 °C 2分鐘的期間 進行前烘烤。其後，在曝光步驟中，將 gh混合線以 50〜100mJ/cm2、5~10秒之條件，照射隔壁非形成區域之感光 性聚醯亞胺系樹脂材料，使用2.3~2.5%TMAH溶液將玻璃基板 顯影後，以純水洗淨，進行旋轉脫水乾燥。其次，將玻璃基板 在清淨爐中以1 80°C ~320°C進行2小時的後烘烤，而形成具有 開口部13a之堤壩13。涵蓋堤壩13表面及ITO上，塗布 PEDOT: PSS酸性溶液（CH8000習答爾克公司製）之1/10稀釋 水溶液，在180~200°C乾燥後，被膜4~5nm的發光保護層。在 發光保護層之表面，利用蒸鍍法將氧化鉬成膜爲30nm之厚 度。其次，依序地成膜夾層、聚芴系發光層（6 5 nm厚）之後，將 作爲陰極的Ca連續蒸鍍爲30nm，將AI連續蒸鍍爲5 0 0nm。 其後，在進行介在於電洞注入層8b之下層側的EL面板1 之發光試驗後，如第13(b)圖所示，可確認構成EL面板1之各 像素P的EL元件8適宜地發光。 相對於此，在發光保護層8f不成膜，將其他條件作成與 -22- 201021610 實施例1相同而進行形成電洞注入層8b後的EL面板1之發光 試驗之後，如第13(a)圖所示，確認在此EL面板之散亂處EL 元件8產生局部未發光之區域，即所謂黑點。此乃呈鹼性之 TMAH等之發光阻礙要因，將由氧化鉬等形成的電洞注入層8b 加以變質，由於此變質後的電洞注入層8b之電洞注入性惡 化，而產生未發光的EL元件之故。 從以上之結果，在將鹸性之TMAH作爲顯影液使用而形成 堤壩13之後，在形成由氧化鉬等形成的電洞注入層8b之時， 0 在此電洞注入層8b之形成前，成膜發光保護層8f的EL面板 之製造方法，可說係可製造發光特性優異的EL面板（發光裝置） 之技術。 又，根據此製造方法在成膜發光保護層8f之後形成電洞 注入層8b的EL面板1，可說係發光特性優異的發光裝置。 (實施例2) 將由氮化矽形成的層間絕緣膜加以圖案化而形成在構成 有圖案化之後的複數之ITO的玻璃基板上，全面地將正型之感 光性聚醯亞胺系樹脂材料（東麗公司製造的 Photoneece DW-1000)以旋塗法堆積l~5#m之厚度之後，利用熱板在堆積 感光性聚醯亞胺系樹脂材料後的基板，以120°C 2分鐘的期間 進行前烘烤。其後，在曝光步驟中，將 gh混合線以 50~100mJ/cm2、5~10秒之條件，照射隔壁非形成區域之感光 性聚醯亞胺系樹脂材料，使用2.3〜2.5% TMAH溶液將玻璃基板 顯影後，以純水洗淨，進行旋轉脫水乾燥。其次’將玻璃基板 在清淨爐中以1 8 0 °C ~ 3 2 0 °C進行2小時的後烘烤’而形成具有 開口部13a之堤壩13。涵蓋堤壩13表面及IT0上，以濺鍍法 將作爲發光保護層的氧化鍺（Ge02)形成2nm之厚度得薄膜之 -23- .201021610 後’與實施例1同樣地，在發光保護層之表面，利用蒸鍍法將 氧化鉬成膜爲30 nm之厚度，其次，依序地成膜夾層、發光層 (6 5nm厚）之後，將作爲陰極的Ba連續蒸鍍爲3nm，將A1連 續蒸鍍爲500nm。利用氧化鍺而遮蔽堤壩的成分移動到氧化 鉬，藉此可確認黑點不成長。 依此，即使爲由氧化鍺（Ge02)形成的發光保護層8f時， 藉由介在於電洞注入層8b與像素電極8a之間及電洞注入層8b 與堤壩13之間，作成以發光保護層8f將TM AH封閉，可作成 φ 不使電洞注入層8b接觸在恐有TMAH殘留的堤壩13及像素電 極8 a β 其後，由Ge02形成的發光保護層8f具有電洞注入性，因 此在疊層於電洞注入層8b之時，發光保護層8f作爲電洞注入 層之一部分的功能，更進一步，可作成將係爲發光阻礙要因的 TMAH不作用在電洞注入層8b，因此可製造具備有：具有良好 狀態之電洞注入層8b之EL元件8的EL面板1。 此外，本發明並非限定於上述實施形態者。 ^ 例如，發光保護層8f並不限定於PEDOT/PSS成膜的層， 例如亦可爲不妨礙孔注入性的氧化矽（Si〇2)等之金屬氧化物 (IV族元素之氧化物）以數nm成膜的層。由於將氧化矽作爲發 光保護層8f的EL面板1之製造方法，係與氧化鍺之EL面板 1的製造方法同樣，因此說明省略。 此外，雖然在以上之實施形態中，係將發光裝置應用於係 爲顯示裝置的EL面板之情況作爲例子而說明，但是本發明並 不限定於此，例如在曝光裝置、光尋址裝置、照明裝置等亦可 應用本發明。 又，針對其他具體的細部構造等，當然亦可適宜地變更。 -24 - 201021610 以下，將使用圖面說明用於實施本發明之較佳形態。但 是，在以下敘述的實施形態，雖然爲了實施本發明而在技術上 賦予各種之限定，但是本發明的範圍並非限定於以下之實施形 態及圖示例者。 此外，在本實施形態中，係將發光裝置應用於係爲顯示裝 置的EL面板來說明本發明。 第1圖是顯示EL面板1之複數個像素P的配置構成之俯 視圖。第2圖係顯示EL面板1之槪略構成的俯視圖。 ® 如第1圖、第2圖所示，在EL面板1，將例如R(紅）、G(綠）、 B(藍）分別進行發光的複數個像素P係以預定的圖案配置爲陣 列狀。 在此EL面板1，複數條掃瞄線2沿著列方向大致互爲平 行的方式排列，複數條信號線3在平面視時沿著與掃瞄線2大 致正交的行方向大致互爲平行的方式排列。又，在相鄰的掃瞄 線2之間，電壓供給線4沿著掃瞄線2設置。其後，藉由此等 _ 各掃瞄線2及鄰接的2條信號線3及各電壓供給線4圍住的範 圍，係相當於像素P。 又，在EL面板1，設置係爲格子狀之隔壁的提壩13，以 覆蓋掃瞄線2、信號線3、電壓供給線4之上方。藉由此提壩 13圍住而成的大致矩形之複數個開口部13a被形成在各像素 P，後述之像素電極8a、電洞注入層8b、夾層8c、發光層8d 被叠層而設置在此開口部13a內。 第3圖係顯示以主動陣列驅動方式進行動作之相當於EL 面板之一像素的電路之電路圖。 -25- 201021610 如第3圖所示，在EL面板1設置掃瞄線2、與掃瞄線2 交叉的信號線3、及沿著掃瞄線2之電壓供給線4，在此EL 面板1之一像素P，設置係爲薄膜電晶體的開關電晶體5、係 爲薄膜電晶體的驅動電晶體6、電容器7、及EL元件8。 在各像素P中，開關電晶體5之閘極連接到掃瞄線2，開 關電晶體5之汲極及源極之中的一方連接到信號線3，開關電 晶體5之汲極及源極之中的另一方連接到電容器7之一方的電 極及驅動電晶體6之閘極。驅動電晶體6之源極及汲極之中的 ^ 一方連接到電壓供給線4,驅動電晶體6之源極及汲極之中的 另一方連接到電容器7之另一方的電極及EL元件8之陽極。 此外，所有的像素P之EL元件8的陰極，保持於一定電壓 Vcom(例如，被接地）。開關電晶體5及驅動電晶體6均可爲η 通道型，亦可均可爲ρ通道型，亦可一方爲η通道型，而另一 方爲Ρ通道型。 又，在此EL面板1之周圔，各掃瞄線2連接到掃瞄驅動 器，各電壓供給線4連接到輸出至一定電壓源或適宜電壓信號 的驅動器，各信號線3連接到資料驅動器，利用此等驅動器， EL面板1以主動陣列驅動方式進行驅動。在電壓供給線4係 利用一定電壓源或驅動器而供給預定之電力。 其次，將使用第4圖、第15圖、第16圖說明EL面板1、 及其像素Ρ之電路構造。 在此，第4圖係相當於EL面板1之一像素Ρ的俯視圖。 第15圖係顯示沿著第4圖之V-V線之面的箭號截面圖。第16 圖係顯示沿著第4圖之VI-VI線之面的箭號截面圖。此外，在 第4圖主要顯示電極及配線。 如第4圖所示，開關電晶體5及驅動電晶體6，係沿著信 -26- 201021610 號線3排列，電容器7係配置在開關電晶體5之附近，EL元 件8係配置在驅動電晶體6之附近。又’在對應於該像素的掃 瞄線2與電壓供給線4之間，配置開關電晶體5、驅動電晶體 6、電容器7、及EL元件8。 如第4圖、第15圖、第16圖所示，在基板10上之—面 形成閘極絕緣膜11之薄膜，在開關電晶體5、驅動電晶體6、 及此等之周圍的閘極絕緣膜Η之上’形成層間絕緣膜12之薄 膜。信號線3被形成在閘極絕緣膜11與基板1〇之間，掃瞄線 I 2及電壓供給線4被形成在閘極絕緣膜11與層間絕緣膜12之 Ό 間。 又，如第4圖、第16圖所示，開關電晶體5係逆交錯構 造的薄膜電晶體。此開關電晶體5係具有閘極5a、閘極絕緣膜 11、半導體膜5b、通道保護膜5d、雜質半導體膜5f, 5g、汲 極5 h、源極5 i等者。 閘極5a係形成於基板10與閘極絕緣膜11之間。此閘極 5a例如係由Cr膜、Α1膜、Cr/Al叠層膜、AlTi合金膜、AlTiNd 合金膜、或MoNb合金膜所形成。又，在閘極5a之上形成絕 緣性之閘極絕緣膜11的薄膜，利用此閘極絕緣膜11被覆閘極 5 a 〇 閘極絕緣膜11例如由氮北矽或氧化矽形成。在此閘極絕 緣膜11上對應於閘極5a之位置，形成有本性之半導體膜5b， 半導體膜5b挾持閘極絕緣膜11而與閘極5a相對。 半導體膜5b例如由非晶矽或多晶矽形成，在此半導體膜 5b形成通道。又’在半導體膜5b之中央部上，形成絕緣性之 通道保護膜5d。此通道保護膜5d例如由氮化矽或氧化矽形成。 又’在半導體膜5b之一端部之上，雜質半導體膜5f形成 -27- 201021610 重叠在通道保護膜5d上，在半導體膜5b之另一端部之上，雜 質半導體膜5g係以重疊在通道保護膜5d上的方式形成。其 後’雜質半導體膜5 f，5g在各半導體膜5b之兩端側互相地隔 開而形成。此外，雖然雜質半導體膜5 f，5g係爲η型半導體， 但是並不限定於此，亦可爲ρ型半導體。 在雜質半導體膜5f之上形成汲極5h。在雜質半導體膜5g 之上形成源極5i。汲極5h、源極5i，例如係由Cr膜、A1膜、 Cr/Al叠層膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜 g 所形成。 在通道保護膜5d、汲極5h、及源極5i之上，形成作爲保 護膜之絕緣性的層間絕緣膜12之薄膜，通道保護膜5d、汲極 5h、及源極5i由此層間絕緣膜12所被覆。其後，開關電晶體 5係利用層間絕緣膜1 2而被覆。層間絕緣膜i 2例如係由厚度 爲100nm~200nm的氮化矽或氧化矽形成。 又’如第4圖、第15圖所示，驅動電晶體6係逆交錯構 造的薄膜電晶體。此驅動電晶體6係具有閘極6a、閘極絕緣膜 _ 11、半導體膜6b、通道保護膜6d、雜質半導體膜6f，6g、汲 極6h、源極6i等者。 閘極6a例如係由Cr膜、A1膜、Cr/Al疊層膜、AlTi合金 膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜所形成，與閘極5a同樣 地，形成於基板10與閘極絕緣膜Η之間。其後，閘極6a利 用氮化矽或氧化矽形成的閘極絕緣膜11而被覆。 在此鬧極絕緣膜11上對應於閘極5a之位置，形成通道的 半導體膜6b例如由非晶矽或多晶矽形成。此半導體膜6b挾持 閘極絕緣膜11而與閘極6a相對。 在半導體膜6b之中央部上，形成絕緣性之通道保護膜 -28- 201021610 6d。此通道保護膜6d例如由氮化矽或氧化矽形成。 又，在半導體膜6b之一端部上，雜質半導體膜6f形成重 疊在通道保護膜6d上，在半導體膜6b之另一端部上，雜質半 導體膜6g係以重疊在通道保護膜6d上的方式形成。其後，雜 質半導體膜6f，6g在各半導體膜6b之兩端側互相地隔開而形 成。此外，雖然雜質半導體膜6f，6g係爲η型半導體，但是並 不限定於此，亦可爲Ρ型半導體。 在雜質半導體膜6f之上形成汲極6h。在雜質半導體膜6g g 之上形成源極6i。汲極6h、源極6i，例如係由Cr膜、A1膜、 Cr/Al疊層膜、AlTi合金膜、AlTiNd合金膜、或MoNb合金膜 所形成。 在通道保護膜6d、汲極6h、及源極6i之上，形成作爲保 護膜之絕緣性的層間絕緣膜12之薄膜，通道保護膜6d、汲極 6h、及源極6i利用此層間絕緣膜1 2而被覆。其後，驅動電晶 體6係利用層間絕緣膜12而被覆。 電容器7，如第4圖、第16圖所示，具有對向之一對電 ©極7a，7b、及介在於此等之間而作爲介電體的閘極絕緣膜11。 其後，一方之電極7a形成於基板10與閘極絕緣膜11之間， 而另一方之電極7b形成於閘極絕緣膜11與層間絕緣膜12之 間。 此外，電容器7之電極7a係與驅動電晶體6之閘極6a連 成一體而連接，而電容器7之電極7b係與驅動電晶體6之源 極6i連成一體而連接》又，驅動電晶體6之汲極6h係與電壓 供給線4連成一體而連接。 此外，信號線3、電容器7之電極7a、開關電晶體5之閘 極5a、及驅動電晶體6之閘極6a，係在基板10上將係爲成膜 -29- 201021610 在一面的導電膜之閘極金屬層，利用微影蝕刻法及蝕刻法等進 行形狀加工，而一起形成者》 又，掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極7b、開關 電晶體5之汲極5h，源極5i、及驅動電晶體6之汲極6h，源 極6i，係在閘極絕緣膜11將係爲成膜在一面的導電膜之閘極 金屬層，利用微影蝕刻法及蝕刻法等進行形狀加工而形成者。 又，在閘極絕緣膜11，在閘極5a與掃瞄線2重叠的區域 形成接觸孔11 a，在汲極5h與信號線3重叠的區域形成接觸孔
Ollb，在閘極6a與源極5i重疊的區域形成接觸孔11c，在接觸 孔1 la〜1 lc內分別埋入接觸插頭20a〜20c。利用接觸插頭20a 而使開關電晶體5之閘極5a與掃瞄線2電性導通，利用接觸 插頭2 0b而使開關電晶體5之汲極5h與信號線3電性導通， 利用接觸插頭2 0c而使開關電晶體5之源極5i與電容器7之 電極7a電性導通，同時使開關電晶體5之源極5i與驅動電晶 體6之閘極6a電性導通。而亦可不介由接觸插頭20a〜20c，使 掃瞄線2直接與閘極5a接觸，汲極5h與信號線3接觸，源極 5i與閘極6a接觸。 像素電極8a，介由閘極絕緣膜11設置於基板10上，而在 各像素P獨立地形成。當EL面板1係爲將EL元件8之光從 基板10出射之底射型之情況，此像素電極8a係透明電極，例 如係包含有掺錫氧化銦（ITO)、掺鋅氧化銦、氧化銦（Ιη203)、 氧化錫（Sn02)、氧化鋅（ΖηΟ)、或鉻-錫氧化物（CTO)之至少任 何一種。當EL面板1係爲將EL元件8之光透過後述之對向 電極8e而出射之頂射型之情況，像素電極8a亦可爲在上述之 透明電極層及此層之下A1膜或A1合金膜等之光反射層的疊層 構造。此時，光反射層亦可爲由源極、汲極金屬層而形成。此 -30- 201021610 外，像素電極8a係一部分重叠於驅動電晶體6之源極6i，像 素電極8a與源極6i連接。 其後，如第4圖、第15圖、第16圖所示，層間絕緣膜 12係以覆蓋掃瞄線2、信號線3、電壓供給線4、開關電晶體 5、驅動電晶體6、像素電極8a之周緣部、電容器7之電極7b、 及閘極絕緣膜11的方式形成。 在此層間絕緣膜12形成開口部12a，使得各像素電極8a 之中央部露出。因此，層間絕緣膜12在俯視時係形成格子狀。 OEL元件8，如第4圖、第15圖所示，具備有：成爲陽極 之第1電極的像素電極8a;作爲形成於像素電極8a之上的載 體輸送層之電洞注入層8b;作爲形成於電洞注入層8b之上的 載體輸送層之一部分的功能之夾層8c;作爲形成於夾層8(；之 上的的載體輸送層之發光層8d;作爲係爲形成於發光層8d之 上的第2電極的對向電極8e。對向電極8e在所有像素P係共 同之單一電極（陰極），在所有像素P係連續而形成。 電洞注入層8b例如係由過渡金屬氧化物形成的層，係將 電洞從像素電極8a朝向發光層8d注入的再體注入層。在此電 參 洞注入層8b，可使用係爲過渡金屬氧化物的氧化鉬、氧化鈀、 氧化鎢、氧化鈦等，尤其是以氧化鉬爲較佳。 夾層8c例如係爲由聚芴系材料形成的電子輸送抑制層， 具有抑制電子從發光層8d向電洞注入層8b移動的功能。 發光層8d在每個像素P包含有令R(紅）、G(綠）、B(藍） 之任何一個進行發光的有機材料，例如由聚芴系發光材料或聚 對苯乙烯撐系發光材料等之共聚物所形成，係伴隨從對向電極 8e供給的電子、與從電洞注入層8b注入之電洞的再結合而進 行發光之層。因此，發光R(紅）的像素P，發光G(綠）的像素， -31- 201021610 發光B(藍）的像素P，其等個別之發光層8d之發光材料係相 異。像素P之R(紅）、G(綠）、B(藍）的圖案’可爲三角形排列’ 亦可爲在縱方向同色像素排列之條紋圖案。 對向電極8e在EL面板1爲底射型之情況，例如Mg、Ca、 Ba、Li等之工作函數爲4_0eV以下，較佳爲3.0eV以下，亦可 爲3 Orun以下之厚度的低工作函數層、及爲了降低薄片電阻而 使設於低工作函數層上的厚度爲10 〇nm以上之A1膜或A1合金 膜等之光反射層之叠層構造。 I 又，當EL面板1爲頂射型之情況，對向電極8e係爲上述 低工作函數層、及設於此低工作函數層上由例如掺錫氧化銦 (ITO)、掺鋅氧化銦、氧化銦（Ιη203)、氧化錫（Sn02)、氧化鋅 (ZnO)、或鉻-錫氧化物（CTO)等形成之透明導電層之叠層構造。 此對向電極8e在所有的像素P係共同的電極，與發光層 8d —起覆蓋堤壩13。 堤壩13係形成於層間絕緣膜12上的隔壁，例如係由感光 性的聚醯亞胺系樹脂材料等之絕緣性樹脂材料形成》堤壩13 ©係作爲隔壁之功能，使得在利用濕式法形成夾層8c或發光層 ' 8d之時，作爲夾層8c或發光層8d之材料溶解或分散於溶劑後 之液狀體不流出到鄰接的像素P。 其後，利用堤壩13及層間絕緣膜12,使作爲發光部位的 發光層8d在各像素P被隔開。當像素P之R(紅）、G(綠）、B(藍） 的圖案爲條紋圖案之情況，如第1 4圖所示，堤壩1 3沿著同色 像素朝縱方向排列爲條紋狀，層間絕緣膜12與第4圖同樣地， 只要設置有作成圍住像素電極8a的方式而露出像素電極8&的 開口部12a的話即可。 在此堤壩13之開口部13a內，電洞注入層8b、夾層8c、 -32- 201021610 發光層8d係依序地叠層在像素電極8a上。 例如，如第1 5圖所示，在堤壩1 3之開口部1 3 a內之像素 電極8a上疊層電洞注入層8b。 其後，在各開口部13a之電洞注入層8b上塗布含有作爲 夾層8c之材料的液狀體，將各基板10加熱而形成使其液狀體 乾燥成膜的化合物膜，作爲夾層8c而叠層。 又，在各開口部13a之夾層8c上，塗布含有作爲發光層 8d之材料的液狀體，將各基板10加熱而形成使其液狀體乾燥 _ 成膜的化合物膜，作爲發光層8d而叠層。 0 此外，以被覆此發光層8d及堤壩13的方式設置對向電極 8e(參照第15圖）。 此EL面板1係以下列方式驅動發光。 在所有的電壓供給線4施加預定位準之電壓的狀態，利用 掃瞄驅動器在掃瞄線2依序地施加ON電壓，藉此依序地選擇 連接到此等掃瞄線2的開關電晶體5。 在各掃瞄線2分別被選擇時，當利用資料驅動器使因應於 灰階的位準之電壓被施加於所有的信號線3時，由於對應於被 ® 選擇的該掃瞄線2之開關電晶體5變成ON，使因應於灰階的 位準之電壓被施加於驅動電晶體6之閘極6a。 因應於施加在此驅動電晶體6之閘極6a的電壓來決定驅 動電晶體6之閘極6a與源極6i之間的電位差，因而決定驅動 電晶體6之汲極-源極電流之大小’ EL面板1以因應於此汲極 -源極電流之亮度進行發光。 其後，當此掃瞄線2之選擇被解除時，開關電晶體5變成 OFF，因此依照施加於驅動電晶體6之閘極6a的電壓之電荷被 儲存在電容器7，而保持驅動電晶體6之閘極6a與源極6i之 -33- .201021610 間的電位差。 因而’驅動電晶體6使與選擇時同樣的電流値之汲極-源 極電流持續地流動，而維持EL元件8之發光亮度。 其次，將說明EL面板1製造方法。 以濺鍍法將閘極金屬堆積在基板10上，利用微影蝕刻法 進行圖案化而形成信號線3、電容器7之電極7a、開關電晶體 5之閘極5a、及驅動電晶體6之閘極6a。 其次，利用地電漿CVD堆積氮化矽等之閘極絕緣膜11。 ©接著，在連續地堆積作爲半導體膜5 b，6b的非晶矽等之半 導體層、作爲通道保護膜5 d，6d的氮化矽等之絕緣層之後，利 用微影蝕刻法進行圖案化而形成通道保護膜5d，6d，在堆積作 爲雜質半導體膜5f，5g，6f，6g的雜質層之後，利用微影蝕刻 法進行圖案化而形成雜質半導體膜5f，5g，6f，6g、半導體膜 5 b，6 b 〇 其後，利用微影蝕刻法，在閘極絕緣膜11形成將用於連 接到位於EL面板1之一邊的掃瞄驅動器的各掃瞄線2之外部 連接端子加以開口的接觸孔（未圖示）及接觸孔11 a~ 11c。接 ❹ 著，在接觸孔11 a〜11c內形成接觸插頭20a〜2 0c。此接觸插頭 之形成步驟亦可省略。 接著，當EL面板1爲底射型之情況，在堆積ITO等之透 明導電膜之後，進行圖案化而形成像素電極8a。此時，像素電 極8a係形成其一側邊緣重疊於雜質半導體膜6g之一側邊周緣 上。其後，堆積作爲開關電晶體5之汲極5h、源極5i及驅動 電晶體6之汲極6h、源極6i的源極、汲極金屬層而進行適宜 的圖案化，而形成掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極 7b、開關電晶體5之汲極5h，源極5i及驅動電晶體6之汲極 -34- 201021610 6h，源極6i。此時’源極6i之一側邊周緣重畳在像素電極8a 之上述一側邊周緣上並相互連接。 當EL面板1爲頂射型之情況，在形成雜質半導體膜5f，5 g， 6f，6g、半導體膜5b，6b，接著堆積源極、汲極金屬層之後， 進行圖案化，除了掃瞄線2、電壓供給線4、電容器7之電極 7b、開關電晶體5之汲極5h，源極5i及驅動電晶體6之汲極 6h，源極6i之外，亦可在形成像素電極8a之區域形成光反射 膜。光反射膜係與源極6i連續而形成。其後，在堆積IT〇等 0 之透明導電膜之後，進行圖案化而在光反射膜上形成像素電極 8a。在此，像素電極8a之一側邊周緣重疊在源極6i之一側邊 周緣上並相互連接。 又，當EL面板1爲頂射型之情況，亦可使用源極、汲極 金屬層以外之其他光反射膜（銀或A1等）。此時，亦可在形成 雜質半導體膜5f，5g，6f，6g、半導體膜5b，6b之後，連續且堆 積上述其他光反射膜及ITO等之透明導電膜之後，利用微影蝕 刻法以一次加以圖案化而作成像素電極8a之形狀，其次，在 _ 堆積源極、汲極金靥層之後，進行圖案化，而形成掃瞄線2、 電壓供給線4、電容器7之電極7b、開關電晶體5之汲極5h，源 極5i及驅動電晶體6之汲極6h，源極6i。在此，源極6i之一 側邊周緣重疊在像素電極 8a之上述一側邊周緣上並相互連 接。又，亦可在將上述其他光反射膜在堆積後進行圖案化之 後，堆積ITO等之透明導電膜之後，加以圖案化。此時，在對 透明導電膜進行濕式蝕刻時恐有上述其他光反射膜被蝕刻劑 浸蝕之情況，則可以不僅使上述其他光反射膜之上面而且側面 亦殘留有透明導電膜的方式，將透明導電膜比上述其他光反射 膜更大一圈地加以圖案化。又，當不需要將光反射膜與透明導 -35- 201021610 電膜一起作爲像素電極8a之一部分而構成時，亦可在像素電 極形成區域，形成上述其他光反射膜、透明絕緣膜、透明導電 膜之三層構造。 其次，如第7圖所示，以覆蓋開關電晶體5或驅動電晶體 6等之方式，利用氣相成長法而成膜氮化矽等之絕緣膜，利用 微影蝕刻法將此絕緣膜進行圖案化，藉以形成具有露出像素電 極8a之中央部的開口部12a的層間絕緣膜12。與此開口部12 a 一起，將未圖示之掃瞄線2的外部連接端子、用於連接到位於 0 EL面板1之一邊的資料驅動器的各信號線3之外部連接端 子、及電壓供給線4之外部連接端子形成在分別開口的複數個 接觸孔。 接著，如第8圖所示，將聚醯亞胺系之感光性樹脂材料（13) 成膜在基板10之上面，而進行前烘烤。 例如，在本實施形態之情況，係將係爲正型之感光性聚醯 亞胺系樹脂材料的東麗公司製造的「PhotoneeceDW-1 000」以 旋塗法加以成膜之後，而進行前烘烤。 ©接著，如第9圖所示，在成膜後之感光性樹脂材料（13)使 用光罩進行曝光後進行顯影處理，而形成具有露出像素電極 8a的開口部13a之格子狀之堤壩13。 例如，在本實施形態之情況，係將成膜後之感光性樹脂材 料（13)，以預定之光罩圖案進行曝光處理後，以四甲基氫氧化 胺（TMAH)水溶液進行顯影處理，藉此而溶解相當於開口部13a 之部分的樹脂材料而形成開口部13a，因而形成堤壩13。 此外，作爲顯影液之TMAH水溶液，係鹼性之水溶液。 更進一步，將堤壩13、及露出於此堤壩13之開口部13a 之像素電極8a之表面加以中和洗淨。 -36- 201021610 在此，在本實施形態中作爲顯影液的TM AH，容易吸 容易殘留在堤壩13之表面等。尤其，呈鹼性之TMAH， 留於堤壩13或像素電極8a之表面的狀態，當在此堤壩] 像素電極8a上成膜氧化鉬層等之電洞注入層8b的情況， 洞注入層8b會由於TMAH之作用而變質。亦即，使電洞 層8b變質的TMAH，變成發光阻礙要因，由於變質後的 注入層8b之電洞注入性惡化，而產生EL元件8之發光不 的情形。 & 其後，例如，在顯影處理後，將形成的堤壩1 3及像 極8a之表面，首先進行水洗處理。在此水洗處理後，以 顯示酸性的羰基及磺酸基等在抗衡離子中不含有金屬離 有機酸水溶液進行清洗，而處理成中和或酸性。又，將 TMAH以有機酸水溶液處理之後，再度以中性的水或比有 水溶液更弱酸性的水溶液洗淨堤壩13及像素電極8a之表 以除去有機酸。此外，有機酸水溶液，雖然可使用例如 之醋酸水溶液，但是只要爲酸性的話，並不限定於濃度及 ^ 酸之種類，例如可爲蟻酸、檸檬酸、蓚酸。 在此有機酸之處理後，將形成堤壩13的基板10加 燥，以180°C ~2 5 0°C進行後烘烤，藉以燒成堤壩13。 其次，如第17圖所示，利用濺鍍法、真空蒸鍍法而 由氧化鉬等形成的電洞注入性之過渡金屬氧化物層，而將 注入層8b形成在像素電極8a上。 例如，在本實施形態之情況，以蒸鎪法將氧化鉬成 3 Onm之厚度，而形成覆蓋堤壩13及像素電極8a的電洞 層8 b 〇 其次，如第18圖所示，在堤壩13之開口部13a內的 附且 在殘 :3或 此電 注入 電洞 順利 素電 具有 子的 殘留 機酸 :面， 0.1M 有機 以乾 形成 電洞 膜爲 注入 電洞 -37- 201021610 注入層8b上，利用將含有構成顯示電子阻障性的夾層c之聚 芴系的有機材料溶解或分散於四氫化萘、四甲苯、三甲苯等之 有機溶劑後的液狀體，作爲分離後之液滴而吐出的噴墨方式或 連續的液流而流出之噴嘴印刷方式加以塗布且乾燥，藉此將夾 層8c疊層在電洞注入層8b上而形成。 更進一步，如第18圖所示，在堤壩13之開口部13a內的 夾層8c上，利用將構成發光層8d之聚苯撐乙烯系或聚芴系之 有機發光材料溶解或分散於水或四氫化萘、四甲苯、三甲苯等 I 之有機溶劑後的液狀體，作爲分離後之液滴而吐出的噴墨方式 ❹ 或連續的液流而流出之噴嘴印刷方式加以塗布且乾燥，藉此將 發光層8d叠層在夾層8c而形成。此外，在本實施形態之情況， 將作爲發光試驗用之綠色的聚芴系發光材料溶解於二甲苯的 溶液，塗布於夾層8c上而形成發光層8d。又，亦可不設置夾 層8c而直接將發光層8d叠層在電洞注入層8b上之構造， 其次，如第15圖所示，在堤壩13上之電洞注入層8b的 上面、及在堤壩13之開口部13a內的發光層8d之上面，將對 座 向電極8e成膜在一面，而形成覆蓋發光層8d的對向電極8e。 例如，在本實施形態之情況，將Ca以蒸鍍法成膜爲30nm 之厚度後，更進一步將具有低電阻且穩定之性狀的A1以蒸鍍 法成膜爲500nm之厚度，而形成對向電極8e。 其後，藉由成膜此對向電極8e，而形成EL元件8，以製 造EL面板1。 依此，先成膜過渡金饜氧化物層以形成電洞注入層8b， 將堤壩13、及在此堤壩13之開口部13a露出的像素電極8a 之表面加以中和洗淨，藉此可除去令電洞注入層8b變質而成 爲發光阻礙要因的TMAH之鹼性物質，因此可製造具備有：具 -38· 201021610 有良好狀態之電洞注入層8b之EL元件8的EL面板1。 其後，在將堤壩13及像素電極8a之表面加以中和洗淨， 而除去成爲發光阻礙要因的鹼性物質之後，在形成電洞注入層 8b之EL面板1中，構成各像素P的EL元件8變成可適合於 發光。 相對於此，在不進行除去成爲發光阻礙要因的鹸性物質的 中和洗淨而形成電洞注入層8b之EL面板的情況，在此EL面 板之散亂處EL元件8產生局部未發光之區域，即所謂黑點。 此乃呈鹼性之TMAH等之發光阻礙要因，將由氧化鉬等形成的 電洞注入層8b加以變質，由於此變質後的電洞注入層8b之電 洞注入性惡化，而產生未發光的EL元件之故。 從以上之結果，在製造具備將素電極8a、電洞注入層8b、 發光層8d、及對向電極8e加以疊層而成的EL元件8之EL面 板1之時，將堤壩13及像素電極8a之表面加以中和洗淨而除 去成爲發光阻礙要因的鹼性物質之後形成電洞注入層8b之EL 面板1的製造方法，可說係可製造發光特性優異的（發光裝置） 又，根據此製造方法在除去TMAH後形成電洞注入層8b 的EL面板1，可說係發光特性優異的發光裝置。 此外，雖然在以上之實施形態中，係將發光裝置應用於係 爲顯示裝置的EL面板之情況作爲例子而說明，但是本發明並 不限定於此，例如在曝光裝置、光尋址裝置、照明裝置等亦可 應用本發明。 又，針對其他具體的細部構造等，當然亦可適宜地變更。 【圖式簡單說明】 第1圖是顯示EL面板之像素的配置構成之俯視圖。 -39- 201021610 第2圖顯示EL面板之槪略構成之俯視圖。 第3圖係顯示相當於EL面板之一像素的電路之電路圖。 第4圖係顯示EL面板之一像素的俯視圖。 第5圖係顯示沿著第4圖之V-V線之面的箭號截面圖。 第6圖係顯示沿著第4圖之VI-VI線之面的箭號截面圖。 第7圖係顯示形成於基板之上面側之薄膜電晶體及層間 絕緣膜之截面圖》 第8圖係顯示作爲成膜於基板之上面側之堤壩的材料層 之截面圖。 〇 第9圖係顯示形成於基板之上面側之堤壩的截面圖。 第10圖係顯示堤壩及形成於開口部內之發光保護層的截 面圖。 第11圖係顯示堤壩及形成於開口部內之電洞注入層的截 面圖。 第12圖係顯示形成於開口部內之電洞注入層及夾層及發 光層的截面圖。 第13圖係顯示EL面板之發光影像的說明圖’係未具備發 ® 光保護層之EL面板的比較例（a)、及形成發光保護層之薄膜的 EL面板之實施例（b)。 第14圖是顯示EL面板之像素的配置構成之另一例的俯視 圖。 第15圖係另一實施例中沿著第4圖之V-V線之面的箭號 截面圖。 第16圖係另一實施例中沿著第4圖之VI-VI線之面的箭 號截面圖。 第17圖係顯示堤壩及形成於開口部內之電洞注入層的截 -40- 201021610 面圖。 第18圖係顯示形成於開口部內之電洞注入層及夾層及發 光層的截面圖。 【主要元件符號說明】
1 EL面板 2 掃瞄線 3 信號線 4 電壓供給線 5 開關電晶體 6 驅動電晶體 5 a, 6 a 閘極 5 b, 6 b 半導體膜 5d,6d 通道保護膜 5f,5g,6f,6g 雜質半導體膜 5h，6h 汲極 5i，6i 源極 7 電容器 7a, 7b 電極 8 EL元件 8 a 像素電極 8b 電洞注入層 8c 夾層 8d 發光層 8 e 對向電極 8f 發光保護層 10 基板 -41 - 201021610 11 閘極絕緣膜 11a~ 1 1 c 接觸孔 12 層間絕緣膜 12a 開口部 13 提壩 13a 開口部 2 0 a〜2 0 c 接觸插頭 (13) 聚醯亞胺系之感光性樹脂材料 ❹ p 像素 -42-