TW201021151A - Substrate lift pin sensor - Google Patents

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TW201021151A
TW201021151A TW098123775A TW98123775A TW201021151A TW 201021151 A TW201021151 A TW 201021151A TW 098123775 A TW098123775 A TW 098123775A TW 98123775 A TW98123775 A TW 98123775A TW 201021151 A TW201021151 A TW 201021151A
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TW
Taiwan
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sensor
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lift
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lift pins
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TW098123775A
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Chung-Hee Park
John M White
Dong-Kil Yim
Original Assignee
Applied Materials Inc
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
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Description

201021151 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 於此所揭示之實施例大致關於用以支撐基材的裳置與 【先前技術】 液晶顯示器或面板通常用於主動矩陣式顯示器,例如 ❿ 電腦與電視榮幕。一般而言’面板包含兩玻璃基材,且 具有夾置於兩玻璃基材之間的液晶材料層。在其中至少 一片玻璃基材上包含至少一層導電膜,該導電膜麵接至 一功率源。自功率供應器提供至導電膜的功率改變液晶 材料的位向’產生圖案顯示。常用於生產面板的製造製 程為電毁.增.強化學氣相沈積(Plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD) 〇 ❿ PECVD -般用以於基材(例如平面面板基材、太陽能 板基材、有機發光二極讀顯示器(OLED)基材或半導體晶 圓)上沉積薄膜,PECVD —般藉由將前驅物氣體導入包 含基材的真空腔室中而完成。前驅物氣體典型地經由位 • 在靠近腔室頂部的分配板引導。於腔室中的前驅物氣體 則藉由一或多個耦接至腔室的射頻(RF)源施加RF功率 至腔室’而被能量化成電漿放電。經激發的氣體進行反 應’以於放在基材支撐件上之基材的表面上形成一材料 層。 201021151 置於端效器機械件上的基材會被引領至處理腔室。自 端效器機械件將基材傳送至基材支撐件或基座 ,(susceptor)是必需的,以能於處理腔室内處理基材並移除 端效器機械件。因此,習知技術領域中尚需開發出—種 處理腔室,其具有用以自一端效器機械件接收基材的舉 升銷。 【發明内容】 ❿ 於此所揭示之實施例包含用以支撐基材之方法與裝 置。當基材藉由機械端效器插入處理腔室中時,基材係 放置在一或多個舉升銷上。舉升銷包含可偵測基材是否 破裂、舉升銷是否擤壞或舉升銷是否黏附於基材或轴襯 的感測機制。藉由偵測前述情形,可獲得多個基材之均 勻、可重複的沈積。 一實施例提出一種裝置,其包含一支撐組件,該支撐 φ 組件具有一支樓表面與一底表面。該裝置亦包含一或多 個舉升銷’其設置成可移動地穿過該支撐組件。該些舉 升鎖具有用以支撐工件使得該工件與該支撐表面相鄰設 置的第一末端,以及一延伸超過該底表面的第二末端。 .._ _ ..... . . . .. 該裝置亦包含一或_多個感測器組件,其與該一.或多個舉 升銷結合。 另一實施例提出一種方法’其包含以一舉升銷支撐一 基材,並測量該基材施加在該舉升銷上之重量。當該基 201021151 材在處理腔室中進行處理時,可使用一重量感測器及/或 經由一電.磁感測器镇測該舉升鎖之接近量(proximity)來 執行該測量。該方法亦包含將該量測重量及/或該偵測接 近量與預定值比較,並警告技術人員該量測重量與該預 定重量之間及/或該偵測接近量與該預定揍近量之間的 .差異。 於另一實施例中,揭示一種用以偵測在一處理腔室中 φ 之破損基材或破損舉升銷的方法。該方法包含以一舉升 銷支撐一基材,並經由一重量感測器測量該基材施加於 該舉升銷上的重量,及/或經由一電磁感測器偵測該舉升 銷的一接近量。該方法亦包含將該量測重量及/或該偵測 接近量與預定值相比,以及發出該量測重量與該預定重 量間及/或該偵測接近量與該預定接近量間之差異的訊 號。 、' 參 【實施方式】 . . . . .. . . . . · 於此所揭示之實施例包含用以支撐基材的方法與聋 置。當藉由一端效器機械件將基材插入處理腔室中時, 基材係放置在-或多個舉升鎖上。舉升鎖可包含一感琪 機制,封㈣基毅m舉升終㈣壞或剩 鎖是否黏附於基材或軸襯。藉由彳貞測前述㈣,可獲揭 多個基材之均勻、可重複的沈積。 於此所述之實施例可於p.jgrvn 6丄….
BCVD腔室中施行,該PECVE 201021151 腔室可得自加州聖塔克拉拉市,應用材料公司之子公司 美.商業飢科技(AKT America,Inc.)。當知可於包含由.其他 製造商所販賣的其他處理腔室中施行實施例。 第1A圖為依據本發明之一實施例,PECvd系統1〇〇 之剖面視圖。PECVD系統1〇〇通常包含耦合至一氣源ι〇4 的一腔室102。腔室1〇2具有側壁1〇6、底部1〇8及蓋組 件110 ’以定義出製程容積112。製程容積112 一般經由 φ 在側壁1 06中的埠(未緣示)進入,其助於基材140移動 進出腔室102。底部ι〇8耦接至建構成用以提供腔室ι〇2 中之真空環境的真空泵114〇分配板118耦接至蓋組件 110的内側。分配板118具有多個穿過其中的孔洞12〇。 來自氣源104的處理氣體流過孔洞12〇進入製程容積 112。 基材支撐組件138置中地(centrally)設置於腔室 内。基材支撐組件138在處理期間支撐工件14〇。工件 ❹ 可為平面顯示器基材、太陽能板基材、OLED基材或半 導體晶圓。基材支撐組件138可耦接至一或多個柄桿 142。柄桿142將基材支撐組件138耦接至舉升系統(未 繪示),其於升局位置(如所示)與降低位置之間移動基材 支撐組件138。摺箱(bell〇ws)i46提供腔室容積112與腔 室102外的大氣之間的真空密封,同時幫助基材支撐組 件1 3 8的移動__。 支撐組件138設置具有多個穿過其中的孔洞128,以 接受多個舉升銷160。於一實施例中,舉升銷可包含 201021151 亮。一般而言,該些舉升銷160具有各自的頭162,當 舉升銷160如所示在標準位置(即,相對於基材支揮組件 138縮回)時,頭162大體上與基材支撐組件〖π的支撐 表面134齊平,或自基材支撐組件138的支撐表面134 略為凹陷。頭162 一般為喇叭狀(flared)或凸緣狀 (flanged),以防止舉升銷16〇掉落出孔洞128。此外,舉 ❿ 升銷1 6〇八有各自延伸超過基材支#組件1 3 8之下侧126 的末端104。 第1B圖顯不依據本發明之一實施例,當基材支撐組件 m位於降低位置時,pECVD系統_的剖面視圖。在 處理之後,基材支#組件138Tm材支撐組件138 下降至某-程度的位準時,舉升们6〇各自的末端W 會與感測器組件150接觸。隨著基材支撐組件138自該 位準持續下降至如於第1B圖中所示的—更低位置時頭 162自基材支撐組件138伸出,並且支撐基材14〇。 第2圖顯示依據一實施例,部分pECVD系統2〇〇的剖 面視圖。在基材240傳送到PECVD系統2〇〇的腔室中之 後,或在基材240傳送出PECVD系統200的腔室前,基 材支撐組件238位在-降低位置、因此舉升銷細支律 材24〇於此階#又’舉升銷26〇的頭262與基材24〇 接觸,、且舉升銷260的末端264與埋設在腔室之底部2〇8 中的感測器組件201接觸。舉升銷26〇可由習知材料製 成,例如陶瓷或鋁。 感测器組件201包含—建構成與舉升銷26〇接觸的蓋 201021151 件203、一與蓋件203相鄰設置的熱絕緣材料2〇5、一與 熱絕緣材料205相鄰設置的重量感測器2〇7以及—與熱 絕緣材料205相鄰設置的套蓋2〇9。蓋件2〇3可為陶瓷。 熱絕緣材料205可為任何能降低熱傳遞速率的材料^於 一實施例中,熱絕緣材料205包含鐵氟龍(Tefl〇n)或聚四 氟乙烯(p〇lytetrafluoroethylene)。重量感測器2〇7可夾置 在兩層熱絕緣材料205之間或包覆於熱絕緣材料2〇5 中。重量感測器207利用一彈簧或壓電材料來量測重量。 套蓋209定義孔洞21〇 ’孔洞21〇爲連接至重量感測 器207的訊號接線213提供一路徑。於一實施例中,套 蓋209包含鋁。訊號接線213係建構成用以將來自重量 感測器207的訊號傳送至一處理單元(未緣示),以辨識 有多y來自舉升鎖26G的重量施加至重量感測器2〇7。
套蓋2〇9、緊固件211以及〇形環215與221提供製程 容積212與大氣之間的真空密封。緊固件2ΐι可為螺釘, 而套蓋209係藉由螺栓219與夾片217固定於底部綱。 於實施例十,基材24〇藉由多個舉升銷支樓。當部 分基材240破損時,肖來支撲該部分的舉升冑26〇會穿 出基材240的該破損部分。因此,基材24〇的重量不再 力至舉升鎖26G ’因而重量感測器2()7無法適當地感 應出重量。處理單开垃此杜+ ^ 早接收扣不未偵測到重量的訊號,並
接著警告技術人員在|9 A 貝隹舉升銷260周圍可能有基材24〇破 損的不正常情況。 於另一實施例中 舉升銷260未延伸穿過基材240的 201021151 破損部分,而是僅有-部分基材可放置在特定的舉升銷 260上。因此,感測器组件2〇1會感應出在特定舉升鎖 260上不相稱的重量,而非預定的重量。 ❿ 於另一實施例中,舉升銷260的頭262會受損。因此, 施加至具受損頭262之舉升銷260上的基材24〇重量會 不同於施加至正常舉升銷的基材24〇重量。處理單元亦 可比較自不同感測器所接收到的重量訊號,並於當2重 量訊號不同於其他重量訊號時對警告技術人員。於—實 施例中,處理單元可將所量測的重量訊號與預定的重量 值進行比較,並告知使用者所量測的重量訊號是否落在 預疋可接受的範圍外。於另一實施例中,舉升銷2的的 頭262會破損。因此,舉升銷26〇會掉落穿過軸襯, 且重量感測器207不會偵測到重量。或者,若舉升銷2的 從轴襯202中掉落,當其他舉升銷與基座一同升高時, 重量感測器207會偵測到舉升銷26〇的重量^因此,在 不應偵測到重量的時候,重量感測器量測到破損舉升銷 26.0的重量。 於另一實施例中,當基材支撐組件238於腔室中向上 移動時,舉升銷260可能黏附在軸襯2〇2。因此,感測 器組件20 1感應出在特定舉升銷26〇上不栢稱的重量, 而非預定的重量。 第3圖顯不依據一實施例,部分pECVD系統3〇〇之剖 面視圖 '基材支撐組件338在處理期間向上與向下移動 以支撐基材340。基材支撐組件338致動舉升銷36〇向 201021151 上與向下移動。因此’當基材支撐組件338行進時,舉 升銷360與感測器組件320之間的距離3 1 0持續改變。 感測器組件320包含電磁感測器3〇1、蓋件3〇3與套 蓋309 ’定義出包圍電磁感測器3〇1的空間323 »舉升銷 360埋設有一金屬364。因此,電磁感測器3〇1可感應出 金屬364的接近量310。於一實施例中,金屬364係由 具有尚磁導率的材料所製成。於一施行中,材料可為鋼 ⑩ 或鎳。此外,套蓋309與蓋件303以具低磁導率的材料 所製成。於一施行中’套蓋3〇9由鋁或沃斯田不鏽鋼 (austenitic stainless steel)所製成,而蓋件303由陶瓷所 製成。套蓋309、螺栓319、夾片317與Ο形環321提供 PECVD系統3〇〇之處理腔室與大氣之間的真空密封。於 一實施例中,電磁感測器3〇1可於大氣中。於另一實施 例中,電磁感測器301可處在腔室環境中。 於一施行冲,可使用超音波感測器來替代電磁感測器 瘳 301 '超音波感測器產生高頻聲波,並鑑定由感測器所接 收到的回聲。接著,超音波感測器計算發送聲波與接收 到回聲之間的時間間隔’以判斷目棵物的距離。超音波 感^器可偵測是否出現舉升銷36〇的重量,或基材是否 破損超,波感測器亦可偵測基材是否碰觸舉升銷36〇 的頂°卩超音波感測器可設置在腔室環境外,致使超音 波:測盗不暴露在任何腔室環境的處理或清潔氣體下。 ° '感剛器可降低任何舉升銷360對軸襯302的黏 *在操作期間,部分振動能會被傳送至舉升銷360。 201021151 使用者可預先界定接近量31〇的最大臨界值與最小臨 界值,且若接近量310落在在該些臨界值所建立的界線 外’經由使用者界面提出警告。感測器301經由處理單 το連接至使用者界面’處理單元觯析由感挪器3〇1感測 到的訊號。舉例而言,當舉升銷36〇的頭362破損時, 舉升銷360會掉落穿過軸襯3〇2。於此實施例中,接近 量3 10驟降,並低於使用者所設定的最小臨界值。感測 0 器301感測到接近量31〇落在預設之臨界值所界定的界 線外’並觸發處理單元以告知使用者。 當基材支撐組件338於腔室中向上移動,以從舉升銷 360的頭362卸除基材340時’舉升銷360有時會黏附 於軸襯302。於此情況中,接近量31〇會少於預設的最 小臨界值。因此,感測器301感測到落於範圍外的接近 量310,並且將之告知使用者。當注意的是,超音波感 測器會對舉升銷360提供振動能,以降低舉升銷36〇與 參 轴襯302間的黏附。 第4圖顯示依據一實施例,部分pecvd系統400的剖 面視圖。如前述’當基材支撑組件438在處理斯間向上 與向下移動時,舉升銷460與感測器組件420之間的距 離410持續改變。 感測器組件420包含電磁感測器401、蓋件403與套 蓋409。於一實施例中,感測器401可設置在大氣下與 處理區外。套蓋409、夹片417、螺栓419以及〇形環 421提供PECVD系統4〇〇之處理腔室與大氣之間的真空 201021151 密封’以減少感測器4 暴露在處理環境下。於一會祐 例中,套蓋409與蓋件4〇3定美φ境下於實施 於装Φ沾龙城 定義出可將感測器401設置 於其中的溝槽423。套蓋4〇9 故 芸杜A V 匕3鈀或沃斯田不鏽鋼。 蓋件403包含具低磁導 材 柯料,例如陶瓷。 舉升銷460可包含_古磁波 蛊斗雜4 ㈤導率材料。於-實施例中, 舉升銷460具有耦接至皋弁 舉升銷460的高磁導率材料元件 464。於另一實施例中, ν磁等率材料可埋設在舉升銷
460中。於一實施例中,黑磁进方, 财w磁導率材料元件包含錄。在 第4圖所顯示的實施例中咸 灵例甲感測器401未被金屬外殼覆 蓋’因而降低干擾。此外,高磁導率材料元件彻非埋 叹在舉升銷46G中’因而亦降低對感測器的干擾。 如上述’使用者預先界定接近量41〇的最大臨界值與 最小臨界值,Μ接近量41G超過臨界值,經由使用者 界面設立警告。連接至感測器彻的處理單元係建構成 若接近量410超過臨界值時通知使用者。因此,使用者 可進行調整。 第5圖顯示依據一實施例,部分pECVD系統5〇〇之剖 面視圖。於此實施例中,前述重量感測器與電磁感測器 可整合於埋設在PECVD系統5〇〇之處理腔室底部5〇8 中的感測器組件520中。 感測器組件520包含一建構成與舉升銷56〇接觸的蓋 件503 與蓋件5〇3 :相鄰設置的熱絕緣材料505、一與· 熱絕緣材料505相鄰設置的重量感測器5〇7以及一與熱 絕緣材料505相鄰設置的套蓋5〇9(cap)e蓋件5〇3可為 12 201021151 陶究。熱絕緣材料505 T為任何能降低熱傳冑速率的材 料,例如鐵氟龍或聚四氟乙烯。重量感測器5〇7可夾置 在兩層熱絕緣材料505之間,或包覆於熱絕緣材料5〇5 中。 套蓋509定義孔洞510,孔洞51〇提供一路徑給連接 至重量感測器507的訊號接線513。訊號接線513係建 構成用以將來自重量感測器5〇7的訊號傳送至一處理單 參 元(料示)’以辨識有多少來自舉升銷_的重量施加 至重量感測器5〇7。套蓋509、緊固件511以及〇形環 521提供處理腔室與大氣之間的真空密封。套蓋5〇9藉 由螺检519與夹片(clamp)517固定於底部508。緊固件 511可為螺釘。於一實施例中’電磁感測器可在大 氣環境中。於另一實施例中,電磁感測器501可在處理 腔室環境内。 感測器組件520更包含一電磁感測器5〇1。因舉升銷 參 560進一步埋設了具高磁導率的金屬gw,電磁感測器 501能用來感應舉升銷56〇的接近量513。於一實施例 中,金屬564為鋼或鎳。 於另一實施例中’金屬564直接設置在舉升銷560上, 、降低對電磁感測器5〇1的干擾。因此,金屬的磁 性不被舉升銷560阻隔。 第6圖為依據一實施例,债測處理腔室中基材及/或舉 升鎖所造成之不正常作動的流程圖600。於步驟601中, 在基材裝載入處理腔室後,基材由多個舉升銷所支撐。 13 201021151 各舉升銷包含一高磁導率材料。於此階段,每—舉升銷 的頭各別支撐著基材,且舉相的m以與重量 感測器接觸。因此,基材的重量會施加至舉升銷, 施加至重量感測器。
於步驟603中’以重量感測器量測基材施加至舉升銷 的重量。I㈣器機械件_處冑腔室後,被舉升銷穿 過的基材支揮組件上升以支撐基材。基材支#組件藉由 升高舉升銷來致動舉升銷,且各別舉升銷的每一末端離 開重量感測器。之後’利用電磁感測器偵測具有高磁導 率材料之舉升㈣接近量。於―實㈣t,高磁導率材 料為鋼或錄。在完成處理之後,祕支撐組件下降並致 動舉升銷降下。接著舉升銷的每—末端與各自的重量感 測器接觸,而該些舉升鎖的每—個頭則再次支律基材。 重量感測器再次量測基材施加至舉升銷的重量。 於步驟605中,所量測的重量與资測的接近量與技術 人員所預設之臨界值界定的—刻相比。#基材或舉升 銷的頭破損或損壞時,特定的重量感測器量測不到重 量或所量測到的值較其他重量感測器所偵測到之值顯 著不同备舉升銷的頊損壞或黏附於軸襯時,特定電磁 感測器资測到範圍外的接近量。於步驟6〇7中,當所量 測到的重量及7或·測到的接近量超過技術人員所預 設之臨界值界定的範圍時,啟動警告。 备知可設想各種不同的感測器。舉例而言,可使用重 量感測器、感應接近量感测器(inductive pr〇ximity 201021151 sensors)、電容接_.近量感測器(capacitiVe proximity sensors)、超音波感測器以及光中斷(optical-interrupt)感 測器(即,視化偵測的感測器)。 藉由利用具有感測能力的舉升銷,可偵測到破損基材 或破損舉升銷。破損基材及/或破損舉升銷的偵測能允許 替換破損物品,並防止系統停工。 儘管上文是針對本發明之某些實施例進行說明,但可 設想出本發明其他或進一步的實施例,而不背離其基本 範圍,其範圍係如下述申請專利範圍所界定者。 【圖式簡單說明】 為了更詳細地了解本發明之上述特徵,可參照實施例 (某些描繪於附圖中)來理解本發明簡短概述於上之具體 說明内容。然而’需注意附圖僅描繪本發明之典型實施 例’因此不被視為本發明範圍的限制因素,因為本發明 可允許其他等效實施例。 第1A圖.為依據本發明之一實施'例,在沈積期間pecvd 系统之剖面視圖; 第圖為在沈積之前/之後,第1A圖之PECVD系統 的剖面視圖; 第2圖為依據本發明之一實施例,顯示包含重量感測 器級件之部分PECVD系統的剖面視圖; 第3圖為依據本發明之一實施例,顯示包含電磁感測 15 201021151 器組件之料PE面視圖; 第4圖為依據本發明之— , 貫施例,顯示包含電磁處 測器組件之部分PECVD系蛘的如 系統的剖面視圖; 第5圖為依據本發B月之一督 从 貫施例,包含整合感測器組 件之部分PECVD系統的剖面视 Λ ^ 两祝圖,其中該整合感測器組 件包含重量感測器與電磁感測器,·以及 第6圖為依據本發明之—實施例,顯示偵測處理腔室 中由基材及/或料_造叙^正常作料流程圖。 一爲了促進理解’盡可能應用相同的元件符號來標示圓 不中相同的元件。預期一實施例揭露的元件可有利地用 於其他實施例而不需特別列舉。 【主要元件符號說明】 100 PECVD 系統 104氣源 108底部 112製程容積 118分配_板 120下側 134支樓表面 140工件 146摺箱 160舉升銷 102腔室 106側壁 110蓋組件 II4真空泵 120孔洞 128孔洞 1 3 8基材支撐組件 142柄桿 1 50感測器組件 162頭
16 201021151 164末端 200 PECVD 系統 201感測器組件 202軸襯 203蓋件 205熱絕緣材料 207重量感測器 208底部 209套蓋 2 1 0孔洞 2 11緊固件 212製程容積 2 1 3訊號接線 215 Ο形環 217夾片 ❿ 221 Ο形環 219螺栓 238基材支撐組件 240基材 262頭 260舉升銷 264末端 300 PECVD 系統 301電磁感測器 302軸襯 303蓋件 309套蓋 310距離 317夾片 3 1 9螺栓 φ 32〇感測器組件 3 2 1 Ο形環 323空間 338基材支撐組件 340基材 360舉升銷 362頭 364金屬 400 PECVD 系統 401電磁感測器 403蓋件 409套蓋 4 1 0距離 419螺栓 421 Ο形環 417夾片 420感測器組件 423溝槽 419螺栓 421 Ο形環 17 201021151
438基材支撐組件 460舉升銷 464高磁導率材料元件 500 PECVD 系統 5 0 1電磁感測器 503蓋件 505熱絕緣材料 507重量感測器 508底部 509套蓋 5 1 0孔洞 5 11緊固件 513接近量 517夾片 519螺栓. 520感測器組件 521 Ο形環 560舉升銷 564金屬 600流程圖 601步驟 603步驟 605步驟 607步驟 18

Claims (1)

  1. 201021151 七、申請專利範圍: 1. 一種用於在一處理腔宮中古持 处胜至甲又撐—工件的裝置,其包 含: 、 一支樓組件’其設置在一處理腔室内,且具有一基 材支樓表面與一底表面; -或多個舉升銷’設置成可移動地穿過該支撐組 件’並且具m端用以支樓該卫件使得該工件與 φ 該基材支撲表面相鄰設置,以及_延㈣㈣u㈣ 第二末端,該一或多個舉升銷可在一與該處理腔室之一 第-表面接觸的位置以及一與該第一表面相㈣的位置 移動;以及 一或多個感測器組件,其耦接至該第一表面,並建 構用以偵測該一或多個舉升銷的出現、該一或多個舉升 銷的消失、該一或多個舉升銷的正確定位、該一或多個 舉升銷的錯誤定位、破損的工件及上述之组合。 2·如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中該一或多個 感測器組件係選自由一重量感測器、一超音波感測器、 一感應接近量感測器、一電容接近量感測器以及一光中 斷感測器所組成之群組。 3.如申請專利範圍第丨項所述之裝置,其中每一感測器 組件包含一陶瓷或鋁蓋件以及一感測器,其中該感測器 201021151 係與該-或多個舉升鎖的環境隔絕開來。 含-重量感測器’且夾置在兩熱絕緣體層之間。 5·如申請專利範圍第4項所述之裳置,其中該重量感測 器包覆在該熱絕緣體令^ ❹ 6.如申請專利範圍第i項所述之裝置,其中該一或多個 舉升鎖包含錄。 7.如申請專利範圍第6項所述之袭置,其中該一或多個 舉升銷包含埋設於該一或多個舉升銷内的鎳。 8·如申請專利範圍第6項所述之裝置,其中該一或多個 舉升鎖包含㈣至該-或多個舉升銷之—外表面的錄。 9.如申請專利範圍第1項所述之裝置,更包含一軸襯, 其與該基材支撐件耦接,該一或多個舉升銷可穿過讓軸 襯而移動_.。 1〇· —種裝置,其包含: 一腔室主體,其包圍一用以處理基材之處理區; 一或多個感測器組件’其與該腔室主體輪接,, 201021151 或多個感測器組件包含—與該處理區 感測器,· 碾覔隔絕開來的 或多個蓋件,其叙接. 該腔室主體” r 個感測器組件與 z腔至主體之間,該-或多個蓋件 導率的材料, ·以及 '具有—第-磁 一與:=個舉_ ’其設置㈣腔室主體内,且可在 多個蓋件接觸之第一位置以及一與該一或多 相隔之第二位置移動,該一或多個舉升銷包含一 第二磁導率的材料,該第二磁導率低於該第一磁 等率。 u·、如申請專利範圍第10項所述之裝置,其中該感測器 係選自由-4量感測器一超音波感測器、—感應接近 量感測器、一電容接近量慼測器以及-光中斷感測器所 組成之群組。 12’如申凊專利範圍第1〇項所述之裝置其中該具有一 第一磁導率的材料包含陶瓷。 13. 如申請專利範圍第12項所述之裝置,其中該具有一 第二磁導率的材料包含鎳。 14. 如申請專刮範圍第13項所述之裝置,其中該具有一 第一磁導率的材料埋設在該一或多個舉升銷内。 21 201021151 15.如申請專利範圍第13 W述之裝置,其中該具有一 第一磁導率的材料耗接至兮 祸接至该一或多嗰舉升銷的一外表 面0 16._如申請專利範圍第10項所述之裝置,其中該具有一 第二磁導率的材料包含鎳。 如申請專利範圍帛10項所述之裝置,其中該具有一 第二磁導率的材料埋設在該一或多個舉升銷内。 18.如申請專利範圍第1〇項所述之裝置其中該具有一 第二磁導率的材料耦接至該一或多個舉升銷的一外表 面。.' 19·如申請專利範圍第10項所述之裝置,更包含一軸 概’其與該一或多個舉升銷耦接。 2〇. —種用以偵測在一處理腔室中之破損基材或破損舉 升銷的方法,其包含: 以一舉升銷支撐一基材; 、’'至由重量感測器測量該基材施加於該舉升銷上.的 〜重量,及/或經由一電磁感測器偵測該舉升鎖的一接近 量; 22 201021151 將該量測重量及/或該偵測接近量與預定值相比;以 及 發出該量測重量與該預定重量之間及/或該偵測接 近量與該預定接近量間之差異的訊號。
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