TW201021036A

TW201021036A - Information recording medium, recording method and reproduction method

Info

Publication number: TW201021036A
Application number: TW098132064A
Authority: TW
Inventors: Yoshihisa Takahashi; Hiroshi Ueda; Motoshi Ito
Original assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2008-09-29
Filing date: 2009-09-23
Publication date: 2010-06-01
Also published as: CN102165523A; US20110170382A1; US8218414B2; EP2330588A1; MX2011002757A; BRPI0919530A2; RU2498423C2; WO2010035444A1; EP2330588A4; KR20110059861A; MY152449A; JPWO2010035444A1; RU2011111522A

Description

201021036 六、發明說明： -技術領域】 I：發明所肩二技術領域本發明係有關於-種具有含記錄調整（即，記錄學習）用區域之複數記錄層的資訊記錄媒體、一種針對該_己_ 體的記錄再生方法、以及一種記錄再生裝置。更具體而一、本發明係有關於一種具有複數記錄層，且對BDr等單:寫

入光碟（write-once optical disk)、BD.RE 尊可舌合寸』董冩光碟 (rewritable optical disk)等有效的資訊記錄媒體、_種利用該種資訊記錄媒體的資訊記錄再生方法、以及一種記錄再生裝置。 ' 【先前技術2 背景技術近幾年來，大容量且可替換的資訊記錄媒體、以及可使用该資訊記錄媒體的磁碟驅動裝置已廣為普及。以往的大容量且可替換的資訊記錄媒體，如DVD或 mu-rayDisc(以下，亦記載為BD)等光碟已為人所熟知。光碟驅動裝置係-種利时射光在絲上形成微小凹坑(記錄標諸）’藉此進行記錄再生的裝置，適用於大容量且可替 =的資訊記錄° DVD使㈣是紅光雷射，而BD使用的是波比、、工光雷射短的藍光雷射一事係為特徵所在，藉此，可較DVD更為提高記錄密度，而實現大容量化。更近幾年來’多層化光碟，即，諸如具有複數記錄膜碟的開發，已被視為用以實現更大容量化的-種方法 3 201021036 而盛行’ DVD或BD#中，具有2層記錄層的2層碟片業已商品化，預測今後亦會有諸如6層或8層等更進一步之多層化β 第1圖係具有3層記錄層的3層光碟的示意圖。光碟1係形成為下述形態，，在基板2上重叠記錄層3、記錄層^ 記錄層7’接著在各記錄層之間裝設擔任記錄層保護用途的中間層4、中間層6’且碟片表面受到以聚碳酸g旨樹脂等带成的覆蓋層8覆蓋。雷射光係從碟片表面之覆蓋層8側照射。又，以接合形成於基板2的記錄層，即，遠離碟片表面的δ己錄層為基準，自基準層侧依序將記錄層3、記錄層5 記錄層7稱為L0層、L1層、L2層。以後，本說明書將採用該稱呼方式。另外，該稱呼方式終究只是其中—例亦會有將從靠近碟片表面之側起稱為L〇層、L1層的情況。第2圖係一般光碟之記錄層的區域構造圖。在圓盤狀光碟1之3己錄層’呈螺旋狀地形成有多數磁軌11，且在各磁軌 2形成有業經細分的多數區塊12。在此，磁軌11的寬度（磁軌間距）在例如BD中係為 0.32μηι。又，區塊12係錯誤校正的單位，且係進行記錄及再生動作的最小單位。例如，係為DVD的情況下，其大小係1ECC(大小：32KByte)，係為BD的情況下，其大小係i 叢集（大小：64KByte) ’若使用光碟資料最小單位的扇區（大小：2KByte)單位來說明，則1ECC=16扇區、1叢集=32扇區。各記錄層係由引入(lead-in)區域13、資料區域14、引出 (lead-out)區域15所構成。資料區域14係指’可經由使用者記錄任意資訊的區 201021036 域，前述任意資訊係例如：音樂或視訊等即時資料，或是，文章或資料庫等電腦資料等等。引入區域13係朝光碟1的徑方向位於較資料區域丨4更為内周侧之處。又，引出區域15係朝光碟1的徑方向位於較資料區域14更為外周侧之處。該等區域具有用以記錄光碟1 相關管理資訊之區域(DMA區域或暫時DMA區域)或記錄功率等調整用區域(OPC(OptimumPowerControl)區域）等，此外還可發揮防止光學讀頭（未圖示）越程(〇verrun)的用途。再者，對此種光碟進行記錄時，就記錄再生品質的觀點來看’以最適當記錄條件(例如：記錄功率，或是被稱為「策略(strategy)」的脈衝產生時間點或脈衝長度等）進行記錄亦是重要的，為此，在光碟的預定區域中進行測試記錄 (以後，稱為記錄學習（Power Calibration))，藉此求出最適當功率、策略的方法已被廣泛使用（例如，專利文獻1)q 記錄學習係在引入區域13或引出區域15等所具有的記錄學習區域（以後，亦稱為OPC區域）中實施。第18圖係顯示一般的記錄學習順序的流程圖。步驟1801 :進行記錄功率之調整（以後，稱為功率學習）。具體而言’一面階段性改變記錄功率一面進行記錄（階段記錄）’然後測定已記錄之區域的記錄品質（例如：調變度或BER(Block Error Rate)等）’以求出令記錄品質呈最佳的最適當功率。步驟1802:固定記錄功率，來進行記錄策略之調整（以後’稱為策略學習）。具體而言’係將記錄功率固定為步驟 201021036 1801中所求得之最適當功率，一面改變脈衝寬度一面進行記錄’然後測定已記錄之區域的記錄品質，以求出令記錄品質呈最佳的最適當策略。 BD等光碟中，雷射光照射至記錄層後’會使記錄層從例如非結晶狀態變化成結晶狀態，藉此來記錄資料。由於記錄層的狀態會如前述般變化，故會令光的透射率與反射率（即’光學特性)產生變化。即，具有特徵為：光學特性在已記錄之區域與未記錄之區域中有所不同。因此，具有2層以上記錄層的光碟有著課題如下，即，在進行最適當記錄功率之學習時’會因其他層的記錄狀態 (已δ己錄狀態或未記錄狀態）而令求得之功率產生差異。具體而言’例如，在調整記錄功率時’以過大功率進行記錄導致學習用區域遭破壞，因此給對應遭破壞之區域的其他層之區域的記錄特性造成影響的情況亦有之。又，即使記錄功率並未大到足以造成破壞，透射率亦會根據被記錄的功率大小而有所不同。尤其，比起以適合碟片的功率進行記錄的區域，以不適合碟片之記錄功率的功率進行記錄的區域，其透射率的變化大，容易受到影響。多層光碟中，雷射光的透射率會根據雷射光通過的記錄層之記錄狀態而變動。因此，較雷射光之入射面數來第2 層更深（遠離入射面）位置的記錄層中，根據該記錄層前面 (雷射光之入射面側）的記錄層之記錄狀態，即使同—記錄層内，記錄特性亦會產生差異。尤其是進行一面改變功率_ 面記錄的功率學習的區域，在功率學習時為了求出最適當 201021036 S己錄功率，亦有可能以超過光碟適用範圍的記錄功率進行 §己錄。進行功率學習的區域係最會對透射率造成影響的區域之一。因此，為了將資訊S己錄在某記錄層，當雷射光通過較某記錄層淺的其他層當中的功率學習用區域時，雷射光將會大幅度受到其他層的透射率均衡的影響。即使想要從在此種透射率不均一的狀態下所記錄的區域之記錄品質求出最適當§己錄功率’亦無法求出正確的適當功率。因此，作為回避該等課題的方法，在OPC區域的配置上設限的方法已為人所熟知(例如，專利文獻2或專利文獻3)。第19圖係顯示具有2層記錄層的光碟的〇pc區域配置圖。記錄層L0所配置之第1記錄學習區域2〇〇與記錄層以所配置之第2記錄學習區域201係配置在不同半徑範圍内的位置。此外，存在於記錄學習區域與碟片表面（雷射光之入射面）之間的其他層之區域係被破保為保留區域（即，未使用區域’亦稱為預備區域）。在第19圖的範例中，記錄層L1中，與第1記錄學習區域200相同半徑範圍的區域(對應第丨記錄學S Q域200的§己錄層L1之區域）係被確保為保留區域 21〇(未使用區域）。例如’係為僅可記錄丨次的單次寫入光碟的情況下，未使用區域之保留區域會成為未記錄狀態。藉此，不管是使用哪一記錄層的技術學習區域，直到雷射光抵達為止的這段期間，記錄學習區域内均不會存在已記錄區域，故不會受到其他記錄層的透射率影響，可經常在相同條件下進行記錄學習。 7 201021036 又，考慮到記錄層多於2層的情況，例如，專利文獻3 舉例說明有，一種第奇數層記錄層的OPC區域、與鄰接之第偶數層記錄層的OPC區域係配置在不同半後範圍位置的構造。即，奇數層群、偶數層群可在相同半後範圍位置配置各OPC區域。或是，各層均在不同半徑範園仇置配置〇pc 區域。先行技術文獻專利文獻專利文獻1 :特開2007-305188號公報專利文獻2:特開2005-038584號公報專利文獻1 :特開2007-521606號公報【發明内容3 發明揭示發明欲解決之課題然而’該方法在記錄層增加時，會產生問題如下。其中最大的問題在於，隨著記錄層增加，將會變得難以確保 OPC區域、預備區域。第20(A)及(B)圖係顯示依習知例方法的記錄層為3層時的opc區域配置圖。為便於說明’而令各記錄層的〇1>(：區域的大小為固定大小（例如’ S叢集）來進行說明。如第2〇(a) 圖所示，想要在不同半徑位置確保各層的OPC區域時，係、為3層碟片的情況下，各層需要3xS叢集份的大小。其中，相當於預備區域的2xS叢集份的區域將成為無法使用的區域。考慮到引入區域13或引出區域15的大小有限，随著層 201021036 數增加，預備區域，即無法使用的區域的大小亦會増加。又，記錄層數增加，預備區域便會增加，在此影響下，測將難以在引入區域或引出區域内確保OPC區域。又，如第20(B)圖所示’考慮到奇數層群、偶數層群配置在相同半徑位置的情況，所需區域大小雖與具有2層記錄層的情況同樣為2xS ’但此時無法解決如前面所述之課題，即，求得之功率因其他層的記錄狀態而產生差異的課題。又，作為有別於前述内容的方法，亦有人考慮例如，為了確保OPC區域而令引入區域13或引出區域15的大小增加的方法。然而，該等區域的大小若增加，則資料區域14 的大小將縮減。即，為了確保〇pc區域的大小而縮減資料區域14的大小時，可記錄使用者資料的容量將會縮減，對使用者而言會造成壞處。因此’引入區域13、引出區域15 的大小最好要盡量縮減。再者，作為用以如第20(A)圖般地將各層的〇pc區域確保在不同半徑位置的方法’有人考慮將OPC區域的大小縮減。藉此’將可抑制引入區域13或引出區域15所佔的OPC 區域(追加預備區域）比例。然而，OPC區域的大小若縮減，則可進行記錄學習的次數亦將縮減。無法進行一般性記錄學習的媒體（記錄層）由於無法保證記錄功率等，故大多被禁止記錄資訊。縮減OPC區域的大小，令記錄學習變得無法進行時，由於已經無法再記錄更多’故對使用者而言造成壞處的可能性很高，亦為不理想。本發明係有鑑於前述問題點而作成者，其目的在於： 201021036 在複數記錄層各自所具有之記錄學習用區域（記錄學習區域或測試區域)進行功率學習或策略學習等記錄學習（測試 §己錄)時’對於其他記錄層進行之記錄學習所造成的影響得以最小化。又，其他目的在於：提供一種在具有記錄學習區域的引入區域或引出區域中，有效率地配置記錄學習區域，藉此可防止引入區域或引出區域增加、或是(使用者）資料區域縮減的區域配置資訊記錄媒體及其使用方法。解決課題之手段本發明之資訊記錄媒體係藉由從一面入射之雷射光令資料記錄在複數記錄層中至少丨層者，其中，前述複數記錄層包含有：第1記錄層、及從前述第丨記錄層朝前述雷射光入射的入射面方向依序配置的第2〜第Ν記錄層（Ng3以上之整數）’前述複數記錄層各自具有：第1學習區域、及位於較前述第1學習區域更為外周側之處的第2學習區域，前述第1〜第N記錄層各自所配置之前述第丨學習區域係配置在與其他記錄層之第1記錄學習區域不同的半徑位置，前述第 1〜第N記錄層各自所配置之前述第2學習區域係配置在與其他記錄層之第2記錄學習區域相同的半徑位置。在前述第2學習區域所使用的記錄功率之變動率幅度可在前述第1學習區域所使用的記錄功率之變動率幅度以下。前述第1〜第N記錄層各自分配有實體位址’前述第^己錄層的實體位址可從内周側朝外周側升序地分配，前述第2 記錄層的實體位址可從外周側朝内周側升序地分配，前述 10 201021036 第3記錄層的實體位址可從内周側朝外周側升序地分配，又，前述第1記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域可從外周侧朝内周側之方向使用，前述第 2記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域可從内周側朝外周側之方向使用，前述第3記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域可從外周側朝内周側之方向使用。本發明之記錄方法係將資訊記錄至前述資訊記錄媒體 ® 者，該記錄方法包含有：在前述第1學習區域及前述第2學習區域之至少一者進行記錄學習的步驟；及根據前述記錄學習的結果，將資訊記錄至前述資訊記錄媒體的步驟。本發明之再生方法係從前述資訊記錄媒體將資訊再生者，其中，前述資訊記錄媒體的前述第1〜第N記錄層中至少 ' 1層具有控制區域，該控制區域記錄有前述資訊記錄媒體相關資訊，又，前述再生方法包含有：從前述控制區域將前述資訊記錄媒體相關資訊再生的步驟。本發明之資訊記錄方法係將資訊記錄至前述資訊記錄媒體的記錄方法，其中，前述複數記錄層各自具有記錄學習區域，該記錄學習區域係用以進行求取最適當記錄條件用之記錄學習者，又，前述記錄方法係在第k記錄層（k為1 以上且N以下之整數)首次進行記錄的時間點，僅在前述第k 記錄層進行前述記錄學習者。發明效果在具有複數層的記錄媒體中，分割出用於下述目的之 11 201021036 區域，一區域係為了如同記錄功率學習般，以無法保證為最適當記錄功率的功率進行使記錄功率變化的記錄’而進行會對通過該區域之雷射光的透射率影響很大的學習者’ 另一區域係為了如同記錄策略學習般，進行將記錄功率固定為最適當功率的記錄’而進行對通過該區域之雷射光的透射率影響很小的學習者，此外，以無法保證為最適當記錄功率的功率進行使記錄功率變化的學習的區域，在每一記錄層均配置在不同半徑位置。藉此，可將記錄學習用的 OPC區域(及預備區域)所需的區域大小抑制在最小限度，且對於其他記錄層的學習結果所造成的影響亦得以最小化。圖式簡單說明第1圖係具有3層記錄層的一般光碟的構造圖。第2圖係一般光碟的記錄層的說明圖。第3A圖係本發明實施形態1的光碟的區域構造圖。第3B圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3C圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3D圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3E圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3F圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第4圖係本發明實施形態1、2、3、4的雷射光照射影響範圍說明圖。第5圖係本發明實施形態1的光碟的區域使用方法說明圖。第6(a)圖〜第6(c)圖係本發明實施形態1的光碟的功率 201021036 學習區域使用順序說明圖。記錄學習相關資訊第7圖係本發明實施形態1的光碟的資料構造說明圖。第〜第8⑷圖係本發明實_態！的光碟的功率學習相關資訊說明圖。第9圖係本發明實施形態1、2、3的氺的先碟記錄再生裝置的構造圖。

第關係本發明實施形態卜2、3的記錄學習順序說明圖。第^圖係顯示本發明實施形態！的光碟的區域構造之其他範例的說明圖。第12圖係本發明實施形態2的光碟的區域構造圖。第13(a)圖〜第13(c)圖係本發明實施形態2的光碟的區域使用方法說明圖。第14圖係本發明實施形態2的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第15圖係本發明實施形態3的光碟的區域構造圖。第16圖係本發明實施形態3的光碟的區域使用方法說明圖。第17圖係本發明實施形態3的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第18圖係一般記錄學習順序概念說明用流程圖。第19圖係習知例的光碟的區域構造圖。第20(A)圖、第2〇(B)圖係將習知例應用在具有3層記錄 13 201021036 層的光碟時的區域構造圖。第21圖係本發明實施形態4的光碟的區域構造圖。第22圖係顯示本發明實施形態4的光碟的區域構造之其他範例的說明圖。第23(A)圖、第23(B)圖係本發明實施形態4的光碟的記錄學習區域A的使用方法說明圖。第24圖係本發明實施形態4的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第25圖係顯示本發明實施形態4的光碟的記錄學習相關資訊之具體範例的說明圖。第2 6圖係本發明實施形態4的光碟記錄再生裝置的構造圖。第27圖係本發明實施形態4的記錄學習順序說明圖。第28(A)圖〜第28(D)圖係顯示功率學習區域及策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度關係的說明圖。第29圖係顯示多層碟片之構造例的圖。第30圖係顯示單層碟片之構造例的圖。第31圖係顯示二層碟片之構造例的圖。第32圖係顯示三層碟片之構造例的圖。第33圖係顯示四層碟片之構造例的圖。第34圖係顯示實施形態5的光碟601的物理構造的圖。第35(A)圖係顯示25GB的BD之範例的圖。第35(B)圖係顯示較25GB的BD更為高記錄密度的光碟之範例的圖。 201021036 第36圖係顯示使光線照射在磁軌上所記錄之標誌列的模樣的圖。第37圖係顯示記錄容量為25GB時的OTF與最短記錄標誌之關係的圖。第38圖係顯示最短標誌(2T)的空間頻率高於〇TF截止值頻率，且2T的再生訊號振輻呈0之範例的圖。【實施方式；J 實施發明之最佳形態以下，一面參照附加圖式一面說明本發明之資訊記錄媒體、用以進行資訊之記錄及/或再生的裴置及方法的實施形態。在本發明實施形態的說明中’係使用僅可記錄1次的媒體之單次寫入資訊記錄媒體作為資訊記錄媒體來進行說明。 (實施形態1) (1)區域配置第1圖係顯示具有3層記錄層的單次寫入光碟丨的積層構造。如第1圖所示，光碟1自遠離經雷射光照射的光碟丨之覆蓋層8之側依序（即’從基板2朝雷射光入射的覆蓋層8依序）具有L0(記錄層3)、Ll(記錄層5)、L2(記錄層7)。各記錄層如第2圖所示，係由引入區域13、資料區域 14、引出區域15所構成。第3A圖係本發明實施形態1的具有3層記錄層的單次寫 15 201021036 入光碟1的區域構造圖。各記錄層的引入區域13具有作為記錄學習用OPC區域的功率學習區域及策略學習區域。圖示範例中，L0層具有功率學習區域20及策略學習區域30，L1 層具有功率學習區域21及策略學習區域31，L2層具有功率學習區域22及策略學習區域32。又，與某記錄層之功率學習區域存在於相同半徑範圍位置的其他記錄層之區域係被分配為預備區域40。功率學習區域係用以進行記錄功率之學習（功率學習）的區域。功率學習區域主要係為了求出最適當記錄功率而使用’即’使記錄功率變動並進行記錄，以求出最適當記錄功率。如第3A圖所示，存在於各記錄層的功率學習區域 20、功率學習區域21、功率學習區域22不含有與其他記錄層的功率學習區域在半徑方向重疊的區域，即，配置在不同半徑位置。這是因為如前面所述，因其他層的記錄狀態而產生的透射率、反射率（尤其，半徑位置重疊的其他層的區域係使用在一面使功率變動一面進行記錄的功率學習的區域時的透射率、反射率）等光學特性之差異，會對記錄功率造成很大影響的緣故。尤其是當進行記錄學習之際，令雷射光通過的其他層的區域錯開成不與進行一面改變記錄功率一面隨之記錄的功率學習的區域重疊係為其目的所在。作為其一例，藉由令其他層的記錄狀態呈固定(令預備區域40為未使用狀態），便可防止因光學特性而產生差異。策略學習區域用以進行記錄脈衝寬度之學習（策略學習）的區域。策略學習區域主要係為了求出最適當策略而使 16 201021036 率固定為功率學習中所求得之適合光碟1 的錢功率後’使脈衝寬度變動並進行記錄，以求出最適當策略。如第3Α圖所m 以衣出最適 30、策略學習區域31、策二於各記錄層的策略學習區域率學習區域的區：且區域32係確保為不同於功、一且3有與其他記錄層的策略學習區域在半徑方向重疊的區域，即，如第3A圖所示般地配置在相

同半徑位置。此種配置係起因於策略學料在功率學習之後進行力，係在決定好大致適合各記錄層的記錄功率之後進行的緣故。以大致適合光·之各記錄相記錄功率進行記錄的區域的透射率均衡不會過度失衡，具有可將透射率抑制在某預定範圍的躲。在策略學f巾，由於係以適合光碟1之各記錄層的記錄功率進行記錄，故即使令雷射光通過其他層的已進行策略學習的區域來進行記錄，亦幾乎不會因其他層的記錄狀態而影響到透射率（足以抑制到可無視的程度）。在此，第3A圖所示之各記錄層的功率學習區域與預備區域之邊界位置在標示上係記載為，在鄰接之記錄層之間正好呈相同半徑位置。然而，即使實際上並非正好呈相同半徑位置亦可。例如，亦可因碟片製造時的各記錄層的黏合誤差、或雷射光特性所造成的影響，而令功率學習區域與預備區域之邊界位置偏離在鄰接之記錄層之間。另外，本發明實施形態1係以引入區域13具有記錄學習用0pC區域的範例來進行説明，但不受限於此。即，除了引入區域13以外，更可令引出區域15具有記錄學習用〇pc 17 201021036 區域，或是設在每一記錄層的引入區域13或引出區域15之任一者等。又，本實施形態係將OPC區域全體(功率學習區域及對策學習區域)配置在引入區域13。然而，本實施形態中，功率學習區域及對策學習區域若設在相同記錄層上，則各自所設置的位置可隨意。其理由如下，即，本實施形態中視為問題的是複數記錄層各自所配置的功率學習區域的相互位置關係，同樣地，複數記錄層各自所配置的策略學習區域的相互位置關係亦為問題所在。若可滿足「功率學習區域及對策學習區域設在相同記錄層上」的條件，則兩者未必非得配置在相同區域（引入區域13或引出區域15等）。例如，將功率學習區域設在引入區域13，且將策略學習區域設在引出區域15等，可將功率學習區域與策略學習區域分離配置在不同區域内。接下來說明預備區域40。著眼於某記錄層，直到該記錄層的功率學習區域被使用為止，存在於該記錄層與碟片表面（雷射光入射面）之間的其他記錄層的預備區域40會維持在未使用狀態。係為單次寫入光碟的情況下，預備區域 40會維持在未記錄狀態。另外，第3A圖的各區域之配置係為其中一例，亦可將各區域配置在不同位置。例如，第3A圖中，係從L0朝L2將功率學習區域從内周側朝外周側配置，但終究只是其中一例。區域配置只要可滿足下述條件即可，即，功率學習區域配置在與其他記錄 201021036 層不同的半徑位置，且其他記錄層的與功率學習區域相同半徑位置的區域在功率學習區域使用時係呈未使用狀態。例如’亦可如第3B圖〜第3F圖（b)〜(f)所示地配置各記錄層的功率學習區域。就第3B圖〜第3F圖之任一圖，可理解到「各記錄層所配置的功率學習區域係配置在與其他記錄層的功率學習區域不同的半徑位置」之事項。第4圖係用以說明雷射光對各記錄層之影響的說明

圖。如圖所示，來思考例如對L0層之區域400連續進行記錄的情況。雷射光將聚光於L0層，且在範圍410至範圍411之間移動。因此’對於針對L0層之區域400的資訊記錄，會因 L1層之區域4〇1、L2層之區域4〇2的各記錄狀態而影響光學特性。對某記錄層記錄資訊時，越是淺於該記錄層的記錄層（即，越是靠近雷射光入射面的記錄層），透射該淺記錄層的雷射光面積將越大。因此，為了將雷射光透射之該淺記錄層之預備區域的光學特性保持—定，即，在記錄狀態維持未使用狀態下保持一定，預備區域的大小必須要為因應各記錄層位置的雷射光擴散份的程度。因此，對於功率學習區域的實際配置，除了半徑位置以外，還必須考慮到二等影響來進行配置。 Λ 另外本來並非為完全相同的半彳錄置，但本說明金為便於說明’只要未特卿示，就不針對該等影響進行； H即，即使未加以明示，仍必須考慮到 A差或雷射光擴散所造朗影響_ u要是所麗技術領域中具有通常知識者均可預測其影響範圍，故可= 19 201021036 考慮過此種影響後，進行功率學f區域之配置、預備區域之配置、及策略區域之配置。又，本說明書巾，亦會將包含該黏合誤ϋ或雷射光崎成之料_當於㈣半徑位置的位置寫明為相同半徑範圍位置，但即使記載為相同半徑位置，亦已包含有該等影響。如刖述，功率學習區域係以無法保證為最適當記錄功率的功率使功率變化並進行記錄的區域。此時所使用的記錄功率比起最適當記錄功率有可能較強亦有可能較弱且有可能令通過已記錄之功率學習區域的雷射光之透射率不固定(透射率均衡失衡）。即，在某記錄層進行記錄學習時，雷射光若通過其他層的功率學習實施結束區域，則尤其是對於在較入射面深（遠）的記錄層進行的記錄學習結果有可能造成很大影響。另一方面，由於策略學習區域係為了求取最適當策略等而以最適當記錄功率、或可保證為大致適合的記錄功率進行記錄的區域，故係為可幾乎無視其他層的記錄狀態所造成的透射率影響的區域。如本發明實施形態1所示，功率學習區域係配置在與其他記錄層不同的半徑位置，策略學習區域係例如所有記錄層均配置在相同的半徑位置。藉此，可防止因其他層的記錄狀態而對所有記錄層的記錄學習結果造成影響。又，可將由於記錄層増加而不得不確保為所需OPC區域的區域大小（功率學習區域與策略學習區域與預備區域所佔的總計大小）抑制在最小限度。其結果’可確保記錄學習所需的區域’而可解決使用者可使用（=可實施記錄學習）次數縮減的 20 201021036 ^題。此外，可抑制引入區域13或引出區域15的增加，而可解決因資料區域14的大小縮減而令使用者可使用區域大小縮減的課題。

另外’預備區域40基本上係記載為維持在未使用狀態的區域，但亦可根據條件來使用。具體而言，該區域之目的係只要在其他層的功率學習區域被使用時呈未使用狀態 (右為單次寫入光碟，則呈未記錄狀態）即可，換言之，只要疋在配置於相同半徑位置的其他記錄層的功率學習區域業經使用後，即使使用亦不會有影響。因此，當例如策略學習區域的可用空間變少或耗盡的情況等，亦可重新分配為戚略學習區域來使用D 又，不僅限於預備區域40，當例如功率學習區域已耗盡但策略學習區域仍有空間可用的情況，在其他層的記錄狀態均相同（未使用）的前提下，可將仍有空間可用的策略學習區域之一部分重新分配為功率學習區域來使用。惟，情泥相反時亦相同。或，預備資訊區域不僅限於記錄學習，亦可作為例如管理資訊更新記錄用區域來使用，或是作為將進行記錄之記錄裝置固有資訊予以保存的區域等來使用。 (2)區域使用方法一般來說，光碟1係使用物理性分配在記錄層上的位址 (實體位址：以下略稱為「PBA」）來進行存取。另外，實體位址大致上可分為：藉由使碟片上的磁軌11，即，記錄槽之壁面呈波浪起伏狀（婉*延導軌(wobble))等方法物理性存 21 201021036 入者、以及被賦予至碟片上所記錄之資料中者，之後，只要本說明書沒有特別明示，則係指使用前者之記錄槽之婉誕導軌專物理性存入者。實體位址(PBA)係沿著碟片的磁軌路徑方向升序地分配。更具體而言，例如，係為具有2層記錄層（L0層與li層）的記錄型2層碟片的情況下，一般係採用被稱為相對路徑 (opposite pass)的定址方法，LO層係從碟片内周側朝外周側升序地分配實體位址，而L1層係從外周侧朝内周側升序地分配實體位址。 @ 第5圖係顯示本發明實施形態1的單次寫入光碟的功率學習區域及策略學習區域之使用方法之一例的說明圖。另外，第5圖係以與第3A圖所示之區域構造為相同區域構造的情況為例來說明。然而，以下說明的功率學習區域及策略 ' 學習區域之使用方法亦可對第3B圖〜第3F圖之任一區域構 - 造適用。第5圖中的箭號係表示功率學習區域及策略學習區域的使用方向（記錄方向）。 % 如第5圖所示’功率學習區域係朝相反於磁執路徑之方向使用。這是因為在進行功率學習的階段，理所當然還處於功率未調整的狀態，故無法保證會以何種功率進行記錄。因此，已考慮到有可能發生以非常高的功率進行記錄而令磁軌11遭破壞的情況。第6圖係用以更具體說明功率學習區域之使用例的說明圖。在此就朝相反於磁軌路徑之方向使用的方法進行說 22 201021036 明。另外，第6圖係j^L〇層的功率學習區域2〇為例來說明。相對於L0層的磁軌路徑係從内周側朝外周侧，功率學習區域20係從外周側朝内周側使用。即首次使用功率學習區域20時’如第6(a)圖所示，從功率學習區域2〇之外周側邊界位置算起’錢制大小份㈣周側位置為前端，朝磁軌路徑方向進行記錄。备下一次使用功率學習區域2〇時，如第6(b)圖所示，以第6⑷圖記錄之前端位置為終端，並以從祕端處算起欲使用大小份的内周側位置為前端，朝磁軌路徑方向進行記錄以後，均重複則述方式來使用。其結果，如第6(c)圖所示，即使使用N次功率學習區卿後，位於更内周側的磁轨路徑之開始位置仍維持在未記錄狀態。另一方面，策略學習區域如第5圖所示，係朝固定方向使用。在此詳細說明採用此種使用方法的理由。對光碟的存取係使用PBA來騎’且連續的⑽轉取係朝pBA升序方向進行。又，對某目標位址進行記錄等存取時，為了進行存取位置的較處理（同步化），首先會使光學頭(〇ptieai head)(未圖示）移動（搜尋）至目標位址之區域的前面。然後，藉由焦點伺服裝置(f0cus serv〇)，利用光碟丨之旋轉且靠著來自磁軌11之反射光’沿著魏_達目標位址後，從目標位址進行記錄再生用雷射的發射準備。由於採用此種存取方法，假如與磁軌路徑同樣地朝 PBA升序方向使用功率學f區域時，若如前述般產生磁軌 23 201021036 損壞’則下—次使用功率學習區域時，目標也址前面的區域會遭破壞而無法取得位址。如此一來，將無法對前面的區域進行搜尋’結果會陷入無法對目標位址進行存取的狀態。另一方面，策略學習區域係在功率學習之後，即在進行功率調整之後才被使用，故可保證係以大致適合光碟i 的記錄功率進行記錄。因此，無須如功率學習區域般，設下「朝相反於磁軌路徑之方向使用」的限制。因此，作為使用方法之―，可考慮方法如下，即’如第5圖所示般，令 ® 所有°己錄層的對策學習區域朝同一方向（例如，不管記錄層的磁軌路徑方向，全都從外周侧朝内周側）使用。藉由如前述般使用，在萬一功率學習區域已耗盡但所有記錄層的策略學習區域仍有空間可用的情況下，便可如前述地分配為功率學習用來使用。更具體而言，由於策略學習區域在所有記錄層中係從外周側朝内周側使用，故在所有s己錄層的策略學習區域仍有空間可用的情況下，將策略學習區域的最内周側之一部分（由於最内周側在所有記 β 錄層中係為未使用狀態，故可保證與功率學習區域為相同條件）重新分配為功率學習用的功率學習區域的這種使用方法亦為可能。 (3)OPC區域相關資訊的具備方法係為諸如BD-RE之可重寫光碟的情況下，〇pc區域可隨機使用。另一方面，係為諸如BD_R之單次寫入光碟的情況下，OPC區域係僅可使用I次的單次寫入記錄對象之區 24 201021036 域。又，如前述，由於OPC區域，尤其是功率學習區域不僅限於以最適當功率進行記錄’故亦可假設會有無法從媒體的記錄狀態來判斷區域使用到何種程度的情況。又，記錄層或區域的數量若增加’則每次都對所有區域確認使用狀態一事亦是無意義的。因此，係為單次寫入光碟的情況下，具有顯示出區域使用到何種程度的指標資訊來作為管理資訊的作法是有效的。第7圖係單次寫入光碟的功率學習區域及策略學習區域相關資訊的範例。另外’在此係以第3A圖所示之區域構造的情況為例來說明。光碟1内’在引入區域13或引出區域15等具有被稱為 DMA(Disc Management Area 或 Defect Management Area)的用以記錄管理資訊之管理資訊區域(未圖示）。另外，係為單次寫入光碟的情況下，DMA係在進行最終化(fmaiize)之際記錄最終管理資訊(DMS)的區域，且為了可追加更新截至最終化為止的變遷管理資訊，有時亦會確保有別於DMA區域的暫時DMA區域(未圖示，以下稱為tdma)。 TDMA内可記錄具有DFL702與DDS701的TDMS700，該DFL702係缺陷位置或交替記錄的相關資訊，該DDS701 包含DFL702之位置資訊或光碟區域相關位置資訊等。dds 亦被稱為碟片定義構造(disc definition structure)。另外， TDMS與DMS基本上係記錄同種類的資料，但與DMS 有著DFL702與DDS701之配置呈相反的特徵。由於第7圖係為記錄學習相關資訊之說明’故係以可記錄之時間點，即， 25 201021036 截至最終化為止變遷地交替記錄的資訊TDMS700為例來進行說明。另外，DMA或TDMA有時亦會各自於光碟丨上存在多處。具體而言，例如，DMA係確保在引入區域13或引出區域15中’ TDMA區域係確保在引入區域13或資料區域14中所確保之交替記錄用的備用區域(未圖示）中。另外，構成TDMS(DMS)的資訊不僅限於碟片管理資訊 DFL702、與包含DFL702之位置資訊的DDS701。具體而言，例如，碟片管理資訊除了 DFL702以外，有時亦包含SRRI 或SBM等資訊，該SRRI係表示光碟1的資料區域14中的磁軌 (SRR)之配置或使用狀態的資訊，該SBM係表示隨機記錄時所使用的記錄未記錄狀態的資訊。 DDS701除了表示該資訊為DDS的識別符710及記錄有 DFL702之位置的DFL位置資訊711以外，還具有：L0功率學習區域其次使用位置資訊(Power Calibration Area Next Available Position Information)? 12，係功率學習區域 20 中，接下來可使用的位置資訊；L1功率學習區域其次使用位置資訊713，係功率學習區域21中，接下來可使用的位置資訊；L2功率學習區域其次使用位置資訊714,係功率學習區域22中，接下來可使用的位置資訊；L0策略學習區域其次使用位置資訊715，係策略學習區域30中，接下來可使用的位置資訊；L1策略學習區域其次使用位置資訊716，係策略學習區域31中，接下來可使用的位置資訊；及L2策略學習區域其次使用位置資訊717，係策略學習區域32中，接下來 201021036 可使用的位置資訊。第8圖係就其次使用位置資訊進行說明的說明圖。另外，第8圖係以L0層的功率學習區域20為例來說明。功率學習區域20若如第8圖所示般係從外周側朝内周側使用的區域，則會產生變化如下，即，在功率學習區域 20完全未使用的狀態下，L0功率學習區域其次使用位置資訊會如第8(a)圖所示，表示為功率學習區域20之最外周側位置PBA : A。功率學習區域20使用1次後，L0功率學習區域 • 其次使用位置資訊會如第8(b)圖所示，表示為PBA : B，再多使用1次後，L0功率學習區域其次使用位置資訊會如第 8(c)圖所示，表示為PBA : C。另外，該等位置資訊係以例如，為光碟1之位置資訊的 PBA來表示。 - 如此一來，每一記錄層都可具備功率學習區域及策略學習區域的接下來可使用之位置相關資訊。採用此種構造時’ se*錄層若增減’則恰為其增減份的所需資訊數亦將增 •滅。 (4)記錄再生裝置第9圖係顯示對本發明實施形態丨的光碟1進行記錄再生的光碟記錄再生裝置100相關構造。光碟圮錄再生裝置1〇〇係經由I/O匯流排180連接於上位控制裝置（未圖示）。上位控制裝置係例如主電腦（主PC)。光碟記錄再生裝置100具有：命令處理部110，係處理來自上位控制裝置之命令者；光學頭120，係對光碟1照射 27 201021036 雷射光以進行記錄再生者；雷射控制部130，係控制從光學頭120輸出之雷射功率者；記錄補償電路140，係將業經指定之脈衝寬度（策略)轉換成適用於形成凹坑的記錄脈衝訊號者；機械控制部160，係用以令光學頭12〇朝目標位置移動’或控制伺服裴置者；系統控制部150，係進行來自光碟 1之記錄再生處理等的系統處理全面統籌控制或記錄學習處理全面控制者；記憶體170 ’係用以暫時記憶資料者。系統控制部150更具有：記錄學習部151，係進行光碟1 的記錄學習處理者；存取位置管理部154 ’係從光碟丨相關管理資訊等求出進行記錄再生之位置者；記錄控制部155，係用以因應來自主機的命令或來自系統控制部15〇的命令等，進行使用者資料或TDMA等管理資訊的記錄再生者；及再生控制部156，記錄學習部151更具有進行功率學習控制的功率學習部152與進行策略學習控制的策略學習部 153。光碟1插入光碟記錄再生裝置1〇〇後，會藉由雷射控制部130、機械控制部160 ’令光學頭12〇以預定照射功率將記錄層L0之引入區域13的具有預先存入於光碟丨之該光碟^目關資訊的控制區域(未圖示）予以再生，來讀取記錄在記錄層 L0、記錄層L1、記錄層L2時的照射功率資訊等記錄參數資訊。若上位控制裝置要求進行記錄，則光碟記錄再生裝置 100的系統控制部150中的記錄學習部151會在各記錄層所具有的OPCI1域實施記錄學f，然後以求得之記錄功率對 28 201021036 成為對象的記錄層進行*己錄 β錄學習之際’記錄學f部⑸的功使率學習’且策略控制部153會使用各記錄層2二城進行用以求出最適當策略的策略學習【:

參數。關於各區域中針對記錄學制而進行記=的位置，例如，當光則係單次寫入光碟時，藉由再生控制部156將本發明實施形態1的（4)所顯示之管理資訊等讀出炱記憶體 170後’管理資訊控制部154會根據讀出之資料來列斷换下來可用在記錄學習的位置。或，當光碟1係可重寫光磔時，存取位置管理部154會從各記錄層所具有的功率學習區域、策略學習區域的範圍内求出任意位置。 (5)記錄學習方法第10圖係顯示針對本發明形態1的單次寫入光碟1的記錄學習順序的流程圖。另外，在此係以光碟1的區域構造為第3A圖所示之區域構造的情況為例來說明。步驟1001 :對所有記錄層重複後述步驟1002至步驟 1007的處理。例如，若為具有第3A圖所示之區域構造的光碟1，則對記錄層3(L0層）、記錄層5(L1層）及記錄層7(L2層）進行重複。另外，實施記錄學習的順序係以從遠離碟片表面（雷射光之入射面）之記錄層朝接近碟片表面之記錄層依序實施記錄學習的情況為例來進行說明。另外，該記錄學習實施順序終究只是其中一例’不受限於此。步騾1002 :算出記錄學習所使用的位置°具體而言’ 29 201021036 系統控制部150的再生控制部156會從光碟丨的^^厘入將最新DMS700所包含的最新DDS701讀出至記憶體170中，然後存取位置管理部154會根據讀出之資料來取得進行記錄學習的記錄層的功率學習區域及策略學習區域中，接下來可使用之位置資訊(例如L0層的情況，係為L0功率學習區域其次使用位置資訊712及L0策略學習區域其次使用位置資訊 715)。然後，根據該資訊，判斷在功率學習及策略學習記錄使用的大小、以及進行記錄學習之記錄層中的功率學習區域及桌略學習區域的使用方向，接著算出進行功率學習用之記錄的前端位置以及進行策略學習用之記錄的前端位置。在此，之所以記載為最新DDS701，是因為TDMA係變遷地更新管理資訊的區域，故係指取得包含在其區域中之 DMS700當中的最新DMS700所包含的DDS701之意。步驟1003 :進行功率學習。具體而言，記錄學習部151 的功率學習部152會判斷進行記錄學習之記錄層的雷射照射功率（例如，複數型樣的雷射功率）並設定至雷射控制部 130，接著將預定策略(例如，控制區域所記載之策略)設定至記錄補償電路140。然後，功率學習部152會對步驟1002 中所求出的進行功率學習用之記錄的前端位置使用機械控制部160，使光學頭120移動來進行記錄，並從記錄之區域的記錄品質（例如，調變度或BER)求出最適當記錄功率（例如，複數型樣的雷射功率中，調變度最接近期待值的功率）。另外’萬一功率學習用之記錄失敗時，以先前進行記錄的位置為基準，再度經由存取位置管理部154求出存取位 30 201021036 置，重複實施本步驟1003來重試便可。步驟1004 :更新功率學習區域其次使用位置資訊。具體而言，功率學習部152會從在步驟1003進行功率學習用之記錄的位置，將讀出至記憶體170中的DDS701相符資料中，與進行功率學習之記錄層相符的功率學習區域其次使用位置資訊(例如L0層的情況，係為L0功率學習區域其次使用位置資訊712)予以更新。. 步驟1005 :進行策略學習。具體而言，記錄學習部151 的策略學習部153會將步驟1003中所求出的進行記錄學習之記錄層的最適當雷射功率設定至雷射控制部13〇,接著將策略(例如’複數型樣的策略)設定至記錄補償電路14〇。然後’策略學習部153會對步驟1002中所求出的進行策略學習用之記錄的前端位置使用機械控制部16〇，使光學頭12〇移動來進行記錄’並從記錄之區域的記錄品質（例如，調變度或相位誤差）求出最適當記錄策略(例如，複數型樣的策略條件中，令相位誤差最小的策略）。另外’萬一策略學習用之記錄失敗時，以先前進行記錄的位置為基準’再度經由存取位置管理部154求出存取位置，重複實施本步驟1005來重試便可。步驟1006 :更新策略學習區域其次使用位置資訊。具體而言’策略學習部153會從在步驟1〇〇5進行策略學習用之記錄的位置’將讀出至記憶體170中的相當於DDS701之資料中’與進行策略學習之記錄層相符的策略學習區域其次使用位置資訊(例如L0層的情況，係為l〇策略學習區域其次 31 201021036 使用位置資訊715)予以更新。步驟1007 :對所有記錄層重複前述步驟1002至步驟 1006的處理。存在有尚未完成記錄學習的記錄層時，回到步驟1001。所有記錄層均結束記錄學習時，進到步驟1008。步驟1008 :更新管理資訊。具體而言，系統控制部150 使用記錄控制部155，將儲存於記憶體170中的前述步驟 1004、步驟1006中業經更新的新DDS相符資料作為新 TDMS700而寫入記錄至TDMA。另外，管理資訊更新未必非得在記錄學習後的時間點進行，只要在光碟1從光碟記錄再生裝置100退出為止的期間實施便可。另外，於該情況下使用的雷射功率及策略係以前述記錄學習中所求出者為基礎。依據以上順序來實施記錄學習。另外，第10圖係說明所有記錄層均在相同時間點進行記錄學習的情況，但未必非得在相同時間點進行，只要至少能在朝對象記錄層進行記錄前，進行對象記錄層之記錄學習便可。又，未必非得所有記錄層均實際進行學習，亦可為例如下述方法，即，在最少某1層記錄層進行記錄學習，對其他記錄層則是根據某1層記錄層的學習結果進行演算來求出，藉此視為已實施實際學習。另外，第10圖雖未記載，但在功率學習及策略學習之後，亦可進行一用以確認該等學習中所求出的參數使否真的為最適當參數的容限(margin)確認處理。 201021036 另外’步驟的功率學f以及步額05的策略學習’未必非得兩者均實施不可。㈣而言，亦可進行例如下述控制’即，以前在該光碟記錄再生裂置·實施的學習結果（學習歷程）還留在光碟i的驅動固有資訊區域（亦稱為 Drive Area)等時，則不實施策略學習（即，僅實施功率學習）。另外，第10圖係以單次寫入光碟為例來說明，但對於可重寫光碟亦可使用相同方法來實現。惟，在該情況下，與單次寫人光碟的相異點如下’ gp，步驟臓的記錄學習位置之算出係從功率學習區域以及策略學習區域内各自隨機選擇’不需要步驟1GG4、步驟1嶋、步則謝的管理資訊之更新處理。另外’本發明實施形態1係以引入區域13具有記錄學習用OPC區域的情況為例來說明，但是在例如引㈣域15同樣具有OPC區域的情況下，將可依需要在引出區域15的 OPCEi域根據剛述要領來進行記錄學習。另外，本發明實施形態丨係以所有記錄層的功率學習區域均配置在不同半徑位置為例來㈣，但未必所有層的功率學習區域都得為不同半徑位置。更具體而言，會明顯受到其他記錄層之記錄特性(透射率等）影響的是鄰接之記錄層的記錄狀態。因此，舉例來說，如第叩所示以最低限度鄰接之記錄層的功率學習區域(例如，以L1層的功率學習區域21綠準來思考時，係指㈣的功轉習區域2〇以及L2層的功率學習區域22)係配置在不同半徑位置，而未鄰接之記錄層（例如，L〇層的功率學習區域2〇與L2層的功率學 33 201021036 習區域22)的功率學習區域係配置成半徑位置重叠即便如此亦不會對功率學習結果造成很大影響^卩，鄰接之記錄層（換言之，磁軌路徑方向相反的記錄層）的功率學習區域配置在不同半徑位置’且策略學習區域配置在相同半徑位置的情況下’亦可得到與本發明實施形態丨中所說明者同樣的效果。又，在記錄層更增加為6層或8層等的情況下，令功率學習區域即使重疊在相同半徑位置村的崎層數量限制為N(N為0以上之正數）的方法亦可。

(6)製造方法接著，以下就本實施形態之資訊記錄媒體的製造方法進行簡單說明。首先，形成或準備碟片基板2，該碟片基板2係表面設有對應位址訊號或㈣資_資訊㈣記錄用磁軌者。藉此，便可錢絲板2上形鮮習區域呈第3A®〜第3F圖之任一圖所示之配置的記錄層3。

接著，亦在中間層4的形成有記錄層5之側的表面形」資訊訊號記錄用磁軌。藉此，便可在中間層4上形成學習, 域呈第3A®〜第3F圖之任—圖所*之配置的記錄層5。接者’亦在中間層6的形成記錄層7之側的表面形訊訊號記錄用錄。藉此，便可在中間層6上形成學習區』呈第3A圖〜第3F圖之任—圖所示之配置的記錄層7。形成記錄層7後’形成覆蓋層8。 (實施形態2) (1)區域配置 34 201021036 第12圖係本發明實施形態2的具有3層記錄層的單次寫入光碟的區域構造圖。本發明實施形態2中，如第12圖所示’就外觀來看，功率學習區域23的配置位置與策略學習區域30、策略學習區域31、策略學習區域32—樣’係配置在所有記錄層均共通的預定半徑位置這點，與各記錄層的功率學習區域係預先配置在有別於其他記錄層的半徑位置的本發明實施形態 1(以第3A圖〜第3F圖說明）不同，且未確保相當於預備區域的區域，除此之外，均與本發明實施形態1中所說明者相同。惟，亦如本發明實施形態1中所說明，期望可控制成令功率學習用區域不會受到其他記錄層之記錄狀態左右 (即’相同半徑位置重疊而無法使用在§己錄上）一事並未改變，因此功率學習區域的使用方法係為特徵所在。對此將在(2)進行說明❶ 另外，本發明實施形態2中，係說明針對功率學習區域 23的區域使用方法，當然在策略學習區域等方面亦可適用同樣的使用方法。另外，本發明實施形態2係以單次寫入光碟為例來說明，但亦如本發明實施形態丨的(2)中所說明，即使對可重寫資訊記錄媒體應用同樣的管理方法，亦可得到與單次寫入光碟同樣的效果。惟，應用在可重寫媒體時，由於會隨機使用學習H域’故難以在轉未制（未記錄)狀態下控制其他記錄層。因此，令各記錄層的功率學習區域以及預備區域呈均等記錄狀態(例如，全都以〇資料的狀態來進行記錄 35 201021036 等）的方法是有效的。以上，如本發明實施形態2所示，為了以無法保證為最適當記錄功率的功率進行使記錄功率變化的記錄，而進行會因其他層的記錄狀態而導致透射率均衡大幅度受影響的記錄功率之學習的功率學習區域係以不重疊在相同半徑位置之方式使用，又’為了進行將功率固定為最適當記錄功率的記錄’而進行難以受到其他層的記錄狀態影響的策略等之調整的策略學習區域係作成例如所有記錄層均配置在相同半徑位置的區域構造’藉此’對於所有記錄層的功率學習結果，可防止因其他層的記錄狀態而造成影響，並且可將因記錄層增加而不得不確保為所需OPC區域的區域大小（功率學習區域與策略學習區域所佔的總計大小）抑制在最小限度’故可確保記錄學習所需區域，而可解決使用者可使用（=可實施記錄學習）次數縮減的問題，並且可抑制引入區域13或引出區域15的增加’而可解決因資料區域14的大小縮減而令使用者可使用區域大小縮減的課題。 (2)區域使用方法本發明實施形態2的記錄學習用區域的使用方法，除了功率學習區域23的使用方法與本發明實施形態1不同以外，均與本發明實施形態1相同。第13圖係顯示本發明實施形態2的功率學習區域之使用例的圖。另外，各記錄層的功率學習區域23的使用方法，如同本發明實施形態1的（2)中使用第5圖進行之說明，係以朝相反於的磁軌路徑之方向使用的情況為例來說明。即， 36 201021036 LO 層及 ______，_ 外周側使用。又，進行泞钵風内周侧朝進仃•己錄學習的順序係假設為「開始’接著叫，最後U層」的順序來進行說明。對於未使用狀態之功率學習區域Μ，首先，磁軌係從内周侧朝外周側的LG層在進行功率學習之際如^ 不，從功率學習區域23之外周側邊界位置算起，以欲使大小份的内周側位置為前端，朝磁軌路徑方向進行記錄。

接著，磁執路㈣從外周側朝㈣側的_在進行功率學 ^之際’如⑼所示，從功率學習區域批内周側邊界位= 异起，以欲使用大小份的外周側位置為前端，朝磁軌路徑方向進行讀。最後，磁軌路徑與LQ層同樣係從内周側朝外周側的L2層在進行功率學習之際，如（c)所示，以所示之L0層所使用的前端位置為終端，接著從該終端算起，以欲使用大小份的内周侧位置為前端，朝磁軌路徑方向進行記錄。之後，在各記錄層重複前述方式來使用。如上，使用與其他記錄層所使用之區域不同半徑位置的區域’即’以不會與其他記錄層中已使用之區域重叠之方式進行功率學習用之記錄，不管是在哪一記錄層進行功率學習’均可將記錄狀態一面保持相同狀態一面使用。另外，從内周側使用的區域之半徑位置與從外周側使用的區域之半徑位置若重疊，則功率學習區域23將呈耗盡狀態。另外，第13圖係記載在相同時間點對所有記錄層連續進行記錄功率學習的範例，但即使是僅在某特定記錄層中進行使用功率學習區域23的學習的情況，使用方法以及所 37 201021036 獲得之效果亦與前述情況相同。另外，正如本發明實施形的⑴中所說明，例如，在前标)的情況下所使用的區域，嚴袼來說並非與⑷所使用的刚w立置處於相同半徑位置’必須考慮到黏合誤差或雷射光特1±所；^成的影響。因此，必須從恰為考慮過該等影=後的大小（以後，稱為偏移(〇ffset))份的⑷所使用的區域之刚端位置算^ ’以偏移份關側之位置作為終端位置，且以恰為接下來在學f中欲使用份的㈣側之位置作為前端位置來使用。 ® (3)OPC區域相關資訊的具備方法本發明實施形態2亦與本發明實施形態1的中所說明者相同，係為單次寫入光碟的情況下，具有顯示出區域使用到何種程度的指標資訊來作為管理資訊的作法是有效的。第14圖係單次寫入光碟的功率學習區域及策略學習區域相關資訊的範例。另外，第14圖係以第12圖所示之區域參構造的情況為例來說明。策略學習區域相關資訊與本發明實施形態1的（3)中所說明者相同，每一記錄層均具有其次使用位置資訊。另一方面，功率學習區域用資訊中，作為所有記錄層共通的資訊’具有功率學習區域内周側其次使用位置資訊 1301與功率學習區域外周側其次使用位置資訊U02。以第 13圖的範例來説，在從外周侧朝内周側使用功率學習區域的L0層及L2層的功率學習中所使用、更新的資訊係功率學 38 201021036 習區域外周側其次使用位置資訊1302，在從内周側朝外周側使用功率學習區域的L1層中所使用、更新的資訊係功率學習區域内周側其次使用位置資訊1301。在此’由於該等資訊係所有記錄層共通的位置資訊，故如本發明實施形態1 的（3)中所說明，僅以PBA資訊來表明並不充分’還要以例如半徑位置相關資訊來表明，或是，以前次使用過的記錄層之PBA來表明，實際使用在記錄上時，必須轉換成相符的記錄層之PBA來使用。 ® 另外，亦正如本實施形態2的(2)中所說明，在表示接下來可使用之位置資訊時，必須考慮到碟片的黏合誤差或雷射光特性所造成的影響，故必須考慮内周側其次使用位置資訊及外周側其次使用位置資訊是要表示實際使用結束之位置加上前述偏移大小份後的位置資訊，還是當實際使用在記錄上時，從加上前述偏移大小份後的位置來使用。 (4) 記錄再生裝置本發明實施形態2的記錄再生裝置與本發明實施形態1 的(4)中使用第9圖說明過的記錄再生裝置相同，故在此省略說明。 (5) 記錄學習方法本發明實施形態2的記錄學習方法的順序中，除了步驟 1002及步驟1 〇〇4以外，均與本發明實施形態i的（5)中使用第 10圖說明過的順序相同，故在此僅就與本發明實施形態1的情況不同的該等步驟進行說明。步驟1002 .算出記錄學習所使用的位置。具體而言， 39 201021036 系統控制部150的再生控制部156會從光碟1的TDMS將最新 DMS700所包含的最新DDS701讀出至記憶體170中，然後存取位置管理部154會根據讀出之資料來取得進行記錄學習的記錄層的功率學習區域及策略學習區域中，接下來可使用之位置資訊(例如L0層的情況，係為功率學習區域外周側其次使用位置資訊1302及L0策略學習區域其次使用位置資訊715)。然後’根據該資訊，判斷在功率學習及策略學習記錄使用的大小、以及進行記錄學習之記錄層中的功率學習區域及策略學習區域的使用方向，接著算出進行功率學習用之記錄的前端位置以及進行策略學習用之記錄的前端位置。在此’之所以記載為最新DDS701，是因為TDMA係變遷地更新管理資訊的區域，故係指取得包含在其區域中之DMS700當中的最新DMS700所包含的DDS701之意。步驟1004 :更新功率學習區域其次使用位置資訊。具體而言，功率學習部152會從在步驟1〇〇3進行功率學習用之記錄的位置，將讀出至記憶體17〇中的DDS701相符資料中’與進行功率學習之記錄層相符的功率學習區域其次使用位置資訊(例如L0層的情況’係為功率學習區域外周側其次使用位置資訊1302)予以更新。另外’本發明實施形態2亦與本發明實施形態1的（丨）中所說明者相同，在功率學習區域23中與其他層中已使用之半徑位置相符的區域’即，從功率學習區域23的内周邊界位置到功率學習區域内周側其次使用位置資訊13〇1的區域、以及從功率學習區域外周侧其次使用位置資訊13〇2到 201021036 功率學習區域23的外周邊界位置的區域，在實際使用其半徑位置的記錄層以外的記錄層中亦可作成例如策略學習區域或管理資訊區域等，針對如同功率學習般地容易受到其他記錄層之記錄狀態影響的處理以外的資料記錄來使用。但是，由於難以判定是否為實際使用其半徑位置的記錄層，故例如在從内周侧使用功率學習區域23的11層中，將功率學習區域外周侧其次使用位置資訊1302到功率學習區域23的外周邊界位置之間的區域作為可使用區域來使用的方法是有效的。另外，本發明實施形態2中，功率學習區域23之大小係必須要各記錄層均排除黏合誤差等影響份以達到相同，但是關於各記錄層的策略學習區域之大小，各記錄層即使未必相同亦可。例如’思考各記錄層均朝同一方向（例如，從外周側朝内周側)使用的情況，雖然需構造成令各記錄層的策略學習區域的外周側邊界位置呈相同半徑位置，但内周 φ 側邊界位置即使未必相同亦可。另外，本發明實施形態2係說明以不與其他層中已使用之£域重叠之方式來使用功率學習所使用之區域的範例’ 但所有記錄層的功率學習區域中所使用之區域的半徑位置即使未必相異亦可。更具體而言，與本發明實施形態1中使用第11圖說明過的内容相同，會明顯受到其他記錄層之記錄特性（透射率等）影響的是鄰接之記錄層的記錄狀態。因此’例如，在以最低限度鄰接之記錄層中，功率學習所使用之區域係以呈不同半徑位置之方式來使用，但未鄰接之 41 201021036 記錄層的功率學習所使用之區域即使係以重疊（包含相同半徑位置）方式來使用，亦不會對功率學習結果造成很大影響。即，在鄰接之記錄層（換言之，磁軌路徑方向相反的記錄層）中的功率學習所使用之區域係以不重疊方式來使用的情況下，即使策略學習區域配置在相同半徑位置，亦可得到與本發明實施形態2中所說明者同樣的效果。又’在記錄層更增加為6層或8層等的情況下，令功率學習區域即使重疊在相同半徑位置亦可的記錄層數量限制為N(N為0以上之正數）的方法亦可。 (實施形態3) (1) 區域配置第15圖係本發明實施形態3的具有3層記錄層的單次寫入光碟的區域構造圖。光碟1的引入區域13具有記錄學習用之OPC區域50。 OPC區域50配置在所有記錄層共通的預定半徑位置，係用以實施功率學習或策略學習的區域。但是，與本發明實施形態1、實施形態2不同，並未明確地以功率學習區域、策略學習區域之形式預先進行分割配置係為特徵所在。相對於此，OPC區域50係在首次進行使用該區域的記錄之前，會被以任意大小分配出功率學習用51與策略學習用52 的部分者。關於該詳細内容將在後述(2)進行說明。 (2) 區域使用方法第16圖係顯示本發明實施形態3的單次寫入光碟的 OPC區域50之使用方法之一例的說明圖。另外，第16圖係 201021036 以與第15圖所不之區域構造為相同區域構造的情況為例來說明。 OPC區域50係在首次對it區域進行記錄之前，會被以任意大小（分配比）分配出功率學習用51與策略學習用52 者。又，關於功率學習用51的部分，為了令各記錄層中使用之區域不重疊（不成為相同半徑位置），會被更進一步以任意大小（分配比）進行分配。另—方面，關於策略學習用52

的部分’由於使用區域可重叠，故不管哪—記錄層均保持在重疊位置（相同半握位置）。力率子I用51的部分與本發明實施形態1及實施形態2 相同’係朝相反於磁軌路徑之方向使用。具體而言對於磁軌路徑係從内周側朝外周_LG層、L2層功率學習用 :部分雜相軸Μ側，且崎料記騎所分配 m之相側邊界位置為前端來❹，對於磁軌路徑係侧…卜朝内周側的u層’功率學習用51的部分係從内周晉’’且以針糾層所分配的部分之内周側邊界位置為前端來使用。 > r Μ方面’朿略學習用52的部分係將各記錄層中使用之區域重疊使用。具體而言，係在所有記錄層中，無關於磁軌路把，均朝相另』方向（例如’從外周側朝内周側）使用。〜叮“關於功率學習用51與策略學習用52的分配，例如可為均等分配。 ^ 者’當光碟1為功率容限(power margin) 較乍（較小）的廠商製〇 , L, ^ ^ 教。口時’可分配成令功率學習用51的大小比朿略學習用52 °或著，當最適當功率可靠預測來算到 43 201021036 某種程度，但不實際進行記錄學習則難以求出策略的情況下，反倒是可分配成令策略學習用52的大小比功率學習用 51大。另外，本發明實施形態3係以引入區域13内配置有〇PC 區域50的情況為例來說明’但例如引出區域15内亦可配置有OPC區域。又，此種情況下，可在引入區域13所配置的 OPC區域與引出區域15所配置的OPC區域改變功率學習用 51及策略學習用52的分配比。另外，本發明實施形態3係顯示從OPC區域50分配出功率學習用51之區域及策略學習用52之區域的範例，但除此之外’亦可分配出使用在其他用途之區域(例如，容限確認用區域等）。 (3)OPC區域相關資訊的具備方法本發明實施形態3亦與本發明實施形態1及實施形態2 的（3)中所說明者相同，係為單次寫入光碟的情況下，具有顯示出區域使用到何種程度的指標資訊來作為管理資訊的作法是有效的。第17圖係單次寫入光碟的功率學習區域及策略學習區域相關資訊的範例。另外，第17圖係以第15圖所示之區域構造的情況為例來說明。 DDS701除了識別符71〇、dfl位置資訊711以外，更具有恰為記錄層數量份的各記錄層的記錄學習用相關資訊，前述資訊包括：有關功率學習用51的部分的終端位置資訊及接下來可使用之位置資訊、以及有關策略學習用52的部 201021036 分的終端位置資訊及接下來可使用之位置資訊。即’作為 L0層用的資訊，具有：L0功率學習終端位置資訊1701、L0 功率學習其次使用位置資訊1702、L0策略學習終端位置資訊1703、L0策略學習其次使用位置資訊17〇4 ;作為L1層的用資訊，具有：L1功率學習終端位置資訊Π05、L1功率學習其次使用位置資訊口06、L1策略學習終端位置資訊 1707、L1策略學習其次使用位置資訊;作為L2層的用資訊，具有：L2功率學習終端位置資訊1709、L2功率學習其次使用位置資訊1710、L2策略學習終端位置資訊1711、 L2策略學習其次使用位置資訊1712。如前述，各記錄層的功率學習用51與策略學習用52之分配、以及功率學習用51的各記錄層用之分配，在首次使用OPC區域50前(例如，Initialize Format時），各自會以任意大小來決定，故各記錄層的功率學習終端位置資訊、策略學習終端位置資訊會在該時間點確定，接著功率學習其次使用位置資訊、策略學習其次使用位置資訊會在區域分配時指示出業經分配之部分的前端位置。又，終端位置資訊與其次使用位置資訊指示出相同位置時，或終端位置資訊與其次使用位置資訊的間隔(=剩餘大小）不滿丨次學習所使用的大小時’會判斷其記錄層的學習用區域已耗盡。另外’終端位置資訊與其次使用位置資訊各自雖係以例如PBA來表示’但亦可以例如半徑位置之資訊來表示。另外，雖係以具有終端位置資訊的形式來進行說明，但即使以剩餘大小資訊取代終端位置資訊，亦可得到相同 45 201021036 效果’前述剩餘大小資訊係表示有關業經分配之部分的可使用大小者。另外，在保有終端位置資訊的情況下，一旦實施功率學習用51及策略學習用52之分配’在其時間點確定的資訊往後將不會產生變化，但亦可能會有情況如下，即，資訊在進行如本發明實施形態1或實施形態2中所說明之再分配時的時間點產生變化。另一方面’在具有剩餘大小資訊的情況下’跟其次使用位置資訊相同’每次使用時都會就剩餘大小資訊進行更新。〇另外’亦正如本發明實施形態1、實施形態2中所說明，在表示接下來可使用之位置資訊時’必須考慮到碟片的黏合誤差或雷射光特性所造成的影響，故例如，尤其是與會受到其他記錄層之記錄狀態影響的功率學習區域有關的其次使用位置資訊等，必須考慮是要表示實際使用結束之位置加上前述偏移大小份後的位置資訊，還是當實際使用在記錄上時，從加上前述偏移大小份後的位置來使用。 (4)記錄再生裝置本發明實施形態3的记錄再生裝置與本發明實施形態1 的(4)中使用第9圖說明過的記錄再生裝置相同，故在此省略說明。 (5)記錄學習方法本發明實施形態3的记錄學習方法的順序中，除了步驟 1002及步驟1〇〇4、步驟1〇〇6以外，均與本發明實施形態1的 (5)中使用第1〇圖說明過的順序相同，故在此僅就與本發明 46 201021036 實施形態1的情況不同的該等步驟進行說明。步驟1002:算出記錄學習所使用的位置。具體而言，系統控制部150的再生控制部156會從光碟丨的TDMS將最新 DMS700所包含的最新DDS7〇1讀出至記憶體17〇中，然後存取位置f理部154會根據讀出之資料來取得進行記錄學習的記錄層的功率學習區域及策略學習區域中，接下來可使用之位置資訊(例如L0層的情況，係為l〇功率學習其次使用位置資訊1702及L0策略學習其次使用位置資訊17〇4)。然後，根據該資訊，判斷在功率學習及策略學習記錄使用的大小、以及進行記錄學習之記錄層中的功率學習區域及策略學習區域的使用方向，接著算出進行功率學習用之記錄的前端位置以及進行策略學習用之記錄的前端位置。在此’之所以記載為最新DDS701，是因為TDMA係變遷地更新管理資訊的區域，故係指取得包含在其區域中之Dms 7〇〇當中的最新DMS700所包含的DDS701之意。步驟1004 :更新功率學習區域其次使用位置資訊。具體而言，功率學習部152會從在步驟1〇〇3進行功率學習用之記錄的位置，將讀出至記憶體170中的DDS701相符資料中’與進行功率學習之記錄層相符的功率學習其次使用位置資訊(例如L0層的情況，係為L0功率學習其次使用位置資訊1702)予以更新。步驟1006 :更新策略學習區域其次使用位置資訊。具體而言，策略學習部153會從在步驟1〇〇5進行策略學習用之記錄的位置，將讀出至記憶體170中的DDS701相符資料 47 201021036 中’與進行策略學習之記錄層相符的策略學習其次使用位置資訊(例如L 0層的情況，係為l 〇策略學習其次使用位置資訊1704)予以更新。另外’本發明實施形態3係說明以不與其他記錄層中已使用之區域重疊之方式來分配功率學習所使用之區域的範例’但所有記錄層的功率學習區域中所使用之區域的半徑位置即使未必分配成相異亦可。更具體而言，與本發明實施形態1中使用第11圖說明過的内容相同，會明顯受到其他記錄層之記錄特性（透射率等）影響的是鄰接之記錄層的記錄狀態。因此，例如，在以最低限度鄰接之記錄層中，功率學習所使用之區域係以呈不同半徑位置之方式來使用’ 但未鄰接之記錄層的功率學習所使用之區域即使係以重疊 (包含相同半徑位置）方式來分配使用，亦不會對功率學習結果造成很大影響。即，在鄰接之記錄層（換言之，磁軌路徑方向相反的記錄層）中的功率學習所使用之區域係以不重疊方式來分配使用的情況下，即使策略學習區域配置在相同半徑位置，亦可得到與本發明實施形態3中所說明者同樣的效果。又，在記錄層更增加為6層或8層等的情況下’令功率學習區域即使重疊在相同半徑位置亦可的記錄層數量限制為N(N為0以上之正數）的方法亦可。另外，本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3係將功率學習區域（或功率學習用51的部分)作為功率學習用區域，且將策略學習區域(或策略學習用52的部分)作為策略學習用區域，此外還將功率學習用區域視為鄰接之記錄層中 48 201021036 未重疊在相同半徑位置之區域，並將策略學習用區域包含重疊在相同半徑位置之部分之區域來進行說=域現為嚴密來說，所謂鄰接之記錄層中未重疊在相同半徑位但更功率學習用區域係指，可用包含無法保證為適合光碟1的錄功率的記錄功率（在某範圍内）在内的自由記錄功率行記錄（例如，功率學習）的區域，又，所謂包含鄰接之^

層中重疊在相同半徑位置之區域的策略學習用區域係护' 用可保證為適合光碟1之記錄功率的記錄功率，換古之可令以該功率記錄之區域的透射率在透射率均衡不至於失衡的程度下控制在預定範圍内的記錄功率來進行記錄的區域。而且，該等區域只要係分別配置在各記錄層即可。即，在可保證使用之記錄功率為適合光碟丨之記錄功率（令記錄後之透射率控制在預定範圍）的範圍内進行使記錄功率變化的階段記錄一事在足以保證的情況下，可在包含鄰接之記錄層中重疊在相同半徑位置之區域的策略學習區域（或策略學習用52的部分)進行功率學習。或著，不限於功率學習或策略學習，例如，關於記錄學習結果是否真的為最適當條件，亦可使用具有重疊部分的策略學習區域進行容限確認，該容限確認係使用以學習算出記錄功率為中心，且在可保證為適合光碟1之記錄功率（令記錄後之透射率控制在預定範圍）的範圍内增減的功率等進行記錄，以進行最適當功率的微調整者。若使用此種方法，則可抑制使用未重疊區域的次數，其結果，可將各記錄層所具有的未重疊區域之大小抑制到很小，故可增加包含重疊部分的區域之大 49 201021036 小亦會產生可令記 :〜項登：調記錄再繼贈係 '、時7 5己錄功率為可保障者，在包含 -讀層巾重疊在相同半徑位置之部分的策略學習區 ’進仃力率學I及策略學習之方法亦可。或著，以前該光碟錄再生裝置100在對象之記錄層實施的學習結果(學習歷程)還留在光碟i的驅動固有資訊區域(亦稱為Drive A㈣等時’即’崎使龍程資訊之”時，令靠記錄層之記錄功率為可保障者，當其記錄層在進行記錄學習時在策略學習區域進行功率學f或策略學習之方法亦可。或著’殘留有作為學習歷程之所有記錄層的記錄學習結果時’使用下述方法，即…種從其學習經歷求出作為基準之某記錄層與其他記錄層的功率比或策略變化量等，接著在作為基準之某記錄層實際實施崎學習（功率學習或策略學習），其他記錄層貞I丨未實際實施記錄學f，然後使用從實際實施記錄學習的作為基準之某記錄層的學習結果與學習經歷求_功率喊策略變化量崎演算來求出學習值的方法’藉此抑彻在記錄學習的功率學習區域或策略學又，此時，由於係為經

習區域之消耗量的作法是有效的歷學習，故實際上崎記錄”―事麵用包含鄰接之記錄層中重疊在相同半徑位置之部分的策略學習區域來進行’且作為基準之某記錄層係以例如，離光碟丨之碟片表面最遠之記錄層（例如，第3A圖所示之光碟^情況為_) 50 201021036 作為基準層，從最遠之記錄層側依序使用，當其記錄層的策略學習區域耗盡時，則改以其次離最遠的記錄層（例如，第3A圖所示之光碟1的情況為“層）之策略學習區域作為基準層使用的方法亦可使用。若使用該方法，即使是以適合光碟1之功率進行記錄的策略學習區域，當在某記錄層進行學習時，仍可令位在雷射光照射之側的其他記錄層的策略學習區域維持在未使用狀態（單次寫入光碟的情況係未記錄狀態）’故具有完全無須在意透射率影響的效果。另外，本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3係以用以進行記錄學習之記錄學習區域(OPC區域)為例，就將功率學習用區域與策略學習用區域作為不同區域並分別作保於各記錄層的情況來說明，但此種想法並不僅限於記錄學習區域。更詳而言之，本發明的基本想法係一種在各記錄層具有作為不同區域之粗調整區域及精調整區域的想法，該粗調整區域係用以進行粗調整，即，如記錄學習中的功率學習般，一面使記錄功率變化一面縮小至某程度上適合記錄之條件者的區域，該精調整區域係用以進行精調整，即’如記錄學習中的策略學習般，縮小至最適合記錄之條件者的區域。除此之外，由於本發明實施形態1、實施形態 2、實施形態3係以記錄功率之調整為對象’故考慮到其他記錄層的記錄狀態（透射率均衡），用在功率學習的粗調整區域係配置在不同半徑位置。即，在各記錄層具有作為不同區域之粗調整區域及精調整區域的這種基本想法，亦可適用於記錄學習以外的各種調整。 51 201021036 口所述諸如光碟記錄再生裝置100之裝置（驅動 : 要滿足則述§己錄功率的限制，便可將策略學習區卞為可利用在子習之區域來利用。惟，在該區域實施的學習不僅限於策略學習。驅動裝置不論用途，可在策略學習£域任意學習。由於策略學習區域係可供驅動裝置使用任意學習的區域，故無須如前述功率學習區域般配置成令相同半徑位置不重疊。如前述’功率學習區域中所使用的記錄功率(在某範圍内）可為自由記錄功率來進行記錄。㈣策略學習區域中 m 所使用的記錄功率則係在功率學習之後決定，然後以控制在預定範圍㈣記錄功率來進行記錄的區域。這是意味著’相較於功率學習區域中所使用的記錄功率之振幅:策略學習區域巾所使㈣記錄料之振幅較小。換言H - 有限制為：策略學習區域中所仙的記錄功率之㈣率冑、度在功率學習區域中所使㈣記錄功率之變動率幅度以；或更小。在此所謂「記錄功率之變動率幅度」係定義為： =基準功率或最適#功率為_%時，最大記錄功率之變自 ❹ 率及/或最小記錄功率之變動率的比例。 ^對此，使用具體例來加以說明。第28圖的（A)〜(D)各自係顯示功率學習區域及策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度之關係的說明圖。第28圖中，係將功率學習區域中所使用的記錄功率之基準功率標示為「Pbp」，且將策略學習區域中所使用的記錄功率之基準功率標示為「PbSj。在此所謂「基準功率」 52 201021036 係指對光碟之記錄所使用的記錄功率之基準值。一般來說’該基準功率可從存入光碟1上之控制區域等的記錄功率相關資訊來算出。其他，基準功率亦可從光碟記錄再生裝置1〇〇預先保有的適合每一種類之光碟1的記錄功率相關資讯來算出’又，可根據留在光碟1的驅動固有資訊區域(Drive Area)等的學習經歷來算出。即使疋相同的光碟1，該基準功率亦會因用於記錄的記錄倍速或各記錄層而令數值有所不同。一般來說，越為高倍速則記錄功率就越大。因此，亦會有如前述之基準功率相關Η訊備妥於每一記錄倍速或記錄層的情況。功率學習區域中所使用的基準功率Pbp與策略學習區域中所使用的基準功率Pbs可相同亦可相異。第28(A)圖係顯示功率學習區域中所使用的基準功率與策略學習區域中所使用的基準功率相同時的各記錄功率變動幅度之一例。功率學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbp為100%時，上限側+ 1〇%且下限側_15%為止，即，相對於基準功率Pbp係110%到85%的範圍（該範圍稱為「變動率幅度」）。另一方面，策略學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbs為100%時，上限侧+8%且下限側與功率學習區域同樣-15%為止，即，相對於基準功率pbs係 108%到85%的變動率幅度範圍。在利用功率學習區域及策略學習區域的§己錄學習時，驅動裝置可依前述各變動率幅度來改變功率。 53 201021036 像這樣’相對於基準功率相同，下限功率之範圍亦相同。然而’上限功率之範圍則是策略學習區域比功率學習區域窄。即，策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度、功率之絕對值均比功率學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度、功率之絕對值小。第28(B)圖係顯示功率學習區域中所使用的基準功率與策略學習區域中所使用的基準功率相同時的各記錄功率變動幅度之另一例。功率學習區域中所使用的記錄功率之範圍與第28(A) 圖相同，相對於基準功率Pbp係U0%到85%的範圍。另一方面’策略學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbs為1〇〇%時’上限侧+8%且下限側_12%為止，即，相對於基準功率Pbs係1〇8%到88%的變動率幅度範圍。本範例中’相對於功率學習區域與策略學習區域各自所使用的基準功率相同，上限功率之範圍、下限功率之範圍均是策略學習區域比功率學習區域窄，即，策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度、功率之絕對值均比功率學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度、功率之絕對值小。第28(C)圖係顯示功率學習區域中所使用的基準功率與策略學習區域中所使用的基準功率相同時的各記錄功率變動幅度之又一例。功率學習區域中所使用的記錄功率之範圍與第28(A)圖相同，相對於基準功率pbp係11〇%到85% 的範圍。另一方面’策略學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbs為100%時，上限側+5%且下限側 54 201021036 -18%為止，即，相對於基準功率卩以係川”义到”。/。的變動率幅度範圍。此時，就基準功率到上限功率的範圍，是功率學習區域比策略學習區域大，但就基準功率到下限功率的範圍’則是功率學習區域窄比策略學習區域小。也就是說，功率學習區域中所使用的上限功率與下限功率之範圍，即，上限功率與下限功率之變動率之差，率學習區域係25%(110%-85%=25%)，策略學羽向、予& (he域係

23°/。(1 lG%m3%)，因此比起功率學習區域的變動率_ 度’策略學習區域的變動率幅度比較小。田第28(D)®係顯示功率學習區域中所使用的基準功與策略學習區域中所使用的基準功率不同時的各記錄^率變動幅度之-例。此時，比起功率學習區域中所使用的基準功率Pbp，功率學習區域巾所㈣的基準功㈣s比較大。例如’比起在功率學習區域進行學習（記錄)時的記錄倍速’在策略學習區域進行學習（記錄)時的記錄倍速比較大°。功率學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbp為⑽％時，上限側且下限側七％為止，即，相對於基準功率Pbp係職到Μ%的範圍（該範圍稱為「變動率幅度」）°另―方面’策略學習區域中所使用的記錄功率之範圍係當基準功率Pbs為100%時’上限側+8%且下限侧與功率學習區域同樣_12%為止’即’相對於基準功率％係 108%到88%的變動率幅度範圍。有別於第28圖的(AHC)的情況，由於基準功率㈣與 Pbs不同(Pbp<PbS)，故本範例中，策略學習區域中所使用 55 201021036 的記錄功率之上限值會變得比功率學習區域中所使用的記錄功率之上限值大。然而，記錄功率對基準功率之變動率幅度，上限功率之範圍、下限功率之範圍均是策略學習區域比功率學習區域窄。即，策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度比功率學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度小。即’若以數學式表示該等之關係，則為：

Kpmax g Ksmax 或 Kpmin S Ksmin

且 (Kpmax-Kpmin) 2 (Ksmax-Ksmin)。前述式中’功率學習區域之基準功率係「外 ., rbP」、上 p 側之變動率（上限功率與基準功率之比率）係限側之變動率（下限功率與基準功率之比率）係^ 、〒略學習區域之基準功率係「Pbs」、上限側之變P:」「Ksmax」、下限側之變動率係「Ksmin」。 ' 像這樣，藉由抑制記錄功率的變動率幅声，

各記錄層中S己置在相同半徑位置的策略學習=具有確^ 均衡’而可確保學習精度的效果。 ""、的透射; 另外，第28圖所示之範例終究只是其中一下限之範圍（值）亦不受限於此。換言之，只要滿彳★上限區域中所制的記錄功率之變動率幅度fcti力率1略學; 所使用的記錄功率之變動率幅度小（或以下)的=習區域’ 另外，與第28圖有關，例如在相同條件(例如P可。錄倍速或相同記錄層等）下，將策略學習區相同1 所使用 56 201021036 錄功率之絕對值限制成比功率學習區域中所使用的記錄功率之絕對值小（或以下），即，PbpxKpmaxgPbsKsmax的方法，對於各記錄層在相同半徑位置存在有學習區域的策略學習區域亦是有效的。將策略學習區域中所使用的記錄功率之大小予以限制一事，積層之記錄層數量越是增加效果就越大。如前述，本發明實施形態中，各記錄層在相同半徑位置存在有策略學習區域。因此，離雷射光之入射面越深位置的記錄層在 φ 學習時’越容易受到在淺於該記錄層之位置的記錄層進行學習的策略學習區域的透射率均衡的影響。藉由將策略學習區域中所使用的記錄功率之大小予以限制，在較淺位置的記錄層中’便可抑制透射率均衡失衡。在記錄層數量越是增加的情況下，這點就越顯著。本來’記錄層數量越多，將學習區域重疊在相同位置一事就越不例。儘管如此，本發明卻可將策略學習區域配置在相同半徑位置。這可說是將以往未意識到的限制記錄 φ 功率大小一事視為重大主因才得以實現。另外’本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3係以具有3層記錄層的光碟1為例來進行說明，但無須令記錄層為3層，在具有例如6層或8層記錄層的情況下亦可得到相同效果一事已無須說明。另外’本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3係以單次寫入資訊記錄媒體為例來說明，但即使應用在可覆寫的玎重寫資訊記錄媒體，亦可得到相同效果。 57 201021036 另外，本發明實施形態1、實施形態2係以各記錄層的功率學習區域及策略學習區域的大小相同的情況為例來說明，實施形態3係以OPC區域50的大小相同的情況為例來說明，但該等區域的大小亦可每一記錄層都不同。具體而言，例如，因應各記錄層的引入區域13或引出區域Μ等所包含的管理資訊區域(未圖示）的大小來改變功率學習區域及策略學習區域的大小亦可，或是作為針對資料區域14之缺陷區塊等的交替區域等’因應資料區域14中所具有的備用區域（未圖示）的大小來改變亦可。另外，本發明實施形悲卜實施形態2、實施形態3係說明在相同時間點對所有記錄層進行記錄學習的情況但未必非得在相同時間點進行’只要至少能在朝對象記錄層進行記錄前，進行對象記錄層的記錄學習便可。又，未必非得所有記錄層均實際進行學習，亦可為例如下述方法即，在最少某1層記錄層進行記錄學習，對其他記錄層則是根據某1層記錄層的學習結果進行演算來求出，藉此視為已實施實際學習。又’此時，某i層記錄層的選擇方法，可使用例如’選擇記錄學習用區域(功率學習區域、策略學習區域、 OPC區域)_餘大小最大的記錄層，或選擇記錄學習用區域本身的大小最大的記錄層等方法。對此

進行詳細說明。如本發明實方態卜實施形態2、實施形態3所示，例如裝上具有複數售層的光碟1後，當首次接受來自主機對使用者㈣區域i 記錄要求時，若採用在相同時間點對所有記錄層進行言 58 201021036 記錄的途中改變記錄層故可將驅動系統的記錄 •以後，即使在例如進行連續的情況等，亦無須進行記錄學習，處理效能保持一定。由於可用成功在所有記錄層進行記錄學習的最高倍 «，將讀翁記縣的_倍料軌，故無須在每

rs己錄層進行不_記錄倍速管理，可將驅動控制管理簡卓〇該手法對於例如，可在開始記錄前確保某種程度之充裕時間的系統，且在連續記射會因為記錄處理延遲所產生之記錄資料缺損等而令人困擾的系統，，具有預約錄影機能’記錄途中若有影像缺損則會令人困擾的記錄系統專是有效的。另一方面，如前述，例如裝上具有複數記錄層的光碟1 後，當首次接受來自主機對使用者資料區域14的記錄要求時，亦可考慮僅針對受到記錄要求的記錄層進行記錄學習。此種情況下，當進行連續記錄時，會在記錄層改變等的時間點對其記錄層進行記錄學習，故會有記錄處理效能隨著情況而改變的缺點。另一方面，具有以下優點。 •可縮短在首次接受記錄要求的時間點進行的記錄學習時間。（可縮短對記錄要求的最大回應時間） •由於不用對未進行記錄的記錄層實施記錄學習，故例如當僅在記錄層L0進行使用者資料記錄便退出光碟1的 59 201021036 情況等，將不會在不必要的記錄層進行記錄學習，而可將記錄學習區域的使用效率提高到最大限度。該手法對於例如，針對來自主機的記錄要求設有逾時 (timeout)設定，而必須在預定時間内回應的PC驅動系統等是有效的。另外，若採用後者的方法，則連同接受記錄要求的記錄層所進行的記錄學習，還必須記錄隨著使用者資料記錄更新的管理資訊。因此，與包含下一次記錄管理資訊的管理資訊區域(例如，DMA或單次寫入光碟的TDMA等）的記鲁錄層所進行的記錄學習相同的時間點來進行便可。另外，本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3的（3) 係說明一種具備接下來可使用之位置相關資訊來作為用以識別可使用之位置（即，已使用及未使用區域之位置）的資訊的方法，除此之外，即使是例如以位元映像(bit map)來管理已使用區域與未使用區域的方法亦可得到相同效果。另外，如本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3所說明，為了實現例如當功率學習區域耗盡時，將策略學習 ® 區域之一部分重新分配為功率學習區域的方法，可更進一步具備各區域的最終可使用位置（終端位置）資訊或剩餘大小、使用方向等資訊。或著’若考慮在使用功率學習區域後，使用其他記錄層中配置在相同半徑位置的預備區域的方法，則視為1個記錄層内存在有複數功率學習區域或策略學習區域來處理’且連同其次使用位置資訊，以包含有區域數量份的列表格式(list form)預先保有功率學習區域及策 60 201021036 略學習區域之前端位置及大小等的方法亦是有效的。另外，本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3中，係說明功率學習區域與磁軌路徑呈反方向使用，且策略學習區域在所有δ己錄層中均是呈同方向使用的範例，但終究只是其中一例。例如，有時會產生因為以過大功率在功率學習區域進行記錄而令磁軌遭破壞的情況。此種將磁軌破壞列入考慮的學習方法可作為記錄學習處理的共通思想，而應用於策略學習區域。於是’記錄時的功率學習區域及策略學習區域的使用方向，在相同記錄層中將為相同方向。例如，L〇層中，功率學習區域與策略學習區域可為均是從外周側朝内周侧之方向，即’與磁軌路徑呈反方向使用。或著’亦可單純為如下述之使用方法，即，功率學習區域與磁軌路徑呈反方向使用，但是，以大致適合光碟1的記錄功率進行記錄的策略學習區域與磁軌路徑呈同方向使用。此種情況下，亦可對應功率學習區域中的區域破壞，甚至在策略學習區域方面’即使在策略學習中因媒體缺陷等而產生記錄失敗’亦可繼前次記錄之後進行重試處理等，而可獲得存取效能提昇的效果，或，針對具有「去學習中的記錄中途失敗時’在與磁轨路徑呈反方向使用的情況下’學習區域中將混雜殘留已記錄區域與未記錄區域，而難以探索異常時的未5己錄與已記錄之邊界位置」的課題一事，藉由朝磁軌方向使用便可解決該課題。或著，鈿面係就例如功率學習區域遭破壞的可能性進 61 201021036 行敘述，但根據媒體特性，即使在以稍微偏高之功率進行記錄的情況下，亦不會成為無法取得經由蜿蜒導軌等存入的PBA的狀態的媒體亦有之，故亦可考慮不對功率學習區域限制規格方向，例如單純令功率學習區域、策略學習區域均與磁轨路徑呈同方向使用的方法。如此一來，即使是在功率學習中或是在策略學習中，均可得到前述之存取效能提昇的效果。此外’考慮係為可書寫資訊記錄媒體的情況下，由於可進行覆寫及隨機存取，故有關區域的使用方法未必非得 ® 如單次寫入資訊記錄媒體般設限’當然亦可適用與在此所說明者相同的使用方法，此時可得到與單次寫入資訊記錄媒體相同的效果。另外，本發明實施形態1、實施形態2、實施形態3係顯 ' 示功率學習用區域與策略學習用區域不重疊時的範例，但 ' 亦可為例如，透過策略學習中所使用的區域來進行功率學習。具體而言，例如欲進行L0層的功率學習時，只要L1層的相當於相同半徑位置的區域係在策略學習中以固定功率 © 記錄的已使用之區域，則透射率的影響會很低，故可直接將L0層的區域用在功率學習。另外，本發明實施形態丨、實施形態2、實施形態3中，係令光碟1為採用被稱為相對路徑的追蹤方法者來進行說明，但即使為例如所有記錄層均從外周側朝内周側升序（或降序）地为配實體位址的平行路徑(parallel pass)，亦可得到相同效果。 62 201021036 (實施形態4) (1)區域配置第21圖係本發明實施形態4的具有3層記錄層的單次寫入光碟的區域構造圖。光碟1的引入區域13内，在每一記錄層均具有學習記錄用的個別區域之記錄學習區域A(L0層係記錄學習區域 A60、L1層係記錄學習區域A61、L2層係記錄學習區域A62) 與記錄學習區域B(L0層係記錄學習區域B70、L1層係記錄學習區域B71、L2層係記錄學習區域B72)。記錄學習區域 A(L0層之記錄學習區域A60、L1層之記錄學習區域A6卜L2 層之記錄學習區域A62)係配置成均含有重疊在相同半徑位置的區域。又，記錄學習區域B(L0層之記錄學習區域B70、 L1層之記錄學習區域B71、L2層之記錄學習區域B72)亦配置成均含有重疊在相同半徑位置的區域。另外，在此所謂相同半徑位置，嚴格來講，亦包含並非相同半徑位置的情況。即’係指本發明實施形態丨所示之相同半徑範圍位置，必須考慮到記錄層的黏合誤差、或雷射光的特性。所謂記錄學習區域A，係與本發明實施形態1中所說明的功率學習區域等相同的區域，且係不限制記錄功率，可用任意的記錄功率進行記錄學習（以後，亦會將此稱為記錄學習A)的區域。例如，可隨著依階段性改變記錄功率的型樣進行之記錄（階段記錄），來進行功率學習等。在此’記錄學習區域A係配置成在各記錄層含有重疊在相同半徑位置的區域，但由於係為允許以任意功率進行記 63 201021036 錄的區域’故當進行功率學習之際，雷射光通過的其他記錄層的區域係伴隨階段記錄進行功率學習的區域時，&身才率會不均整’恐有對學習結果產生阻礙之虞。為了防止該情況，記錄學習區域A係被設下「從配置在遠離雷射光入射側之位置的記錄層依序使用」的使用限制的區域。即，例如第21圖的光碟1的情況’位在雷射光入射側的記錄層係L2 層’且配置在遠處的記錄層係L0層’故當從L〇層之記錄學習區域A60依序使用，且該記錄學習區域A6〇用盡的情況下’接著將依序使用L1層之記錄學習區域A61、u層之記魯錄學習區域A62。如此一來，較使用之記錄學習區域A更位在雷射光入射側的記錄層之記錄學習區域A可經常處於未使用（未記錄）狀態’而可防止因透射率不均整而對記錄學習結果造成的影響等。 - 所謂記錄學習區域B，係與本發明實施形態丨中所說明 - 的策略學習區域等相同的區域，且係用可保證為大致適合光碟1之記錄功率的記錄功率，換言之，用可令以該功率記錄之區域的透射率在透射率均衡不至於失衡的程度下㈣ ❿ 在預定範圍内的記錄功率來進行記錄（以後，亦會將此稱為兄錄學習B)的區域。例如’為了調整脈衝寬度，可伴隨固定為功率學f巾所得到的大致適合光碟丨之記錄功率以使脈衝寬度變動的記錄，來進行策略學習等。在此’記錄學習區域B亦配置成在各記錄層含有重疊在相同半徑位置的區域，但由於該區域係以功率學習中所求得的記錄功率等大致適合光碟丨之記錄功率進行記錄的區 64 201021036 域’故即使令雷射光通過已記錄之其他記錄層的記錄學習區域B來進行記錄，亦可說是幾乎不會因其他層的記錄狀態而影響到透射率（足以抑制到可無視的程度），故不同於記錄學習區域A，並無使用順序等限制。即，不管其他記錄層的記錄學習區域B的狀態如何，可在欲使用之時間點使用任意記錄層的記錄學習區域B。另外，第21圖係顯示記錄學習區域A全都具有重疊在相同半徑位置的區域（配置在相同半徑位置）的範例，但所有記錄層的記錄學習區域A即使不具有重疊在相同半徑位置的區域亦可。即，第21圖所示之區域配置係在引入區域13(或引出區域15)中可將記錄學習用區域作最有效率之配置的方法，但例如第22圖所示，即使只有L0層之記錄學習區域 A60配置在與其他記錄層的記錄學習區域A不同的半徑位置，引入區域13(或引出區域15)所佔的記錄學習用區域比例亦多少會比第21圖的情況大，但只要將記錄學習區域A的使用順序限制設為相同，亦可得到與第21圖所示之情況相同的效果。另外，記錄學習區域B亦與記錄學習區域A相同，所有記錄層的記錄學習區域B即使不具有重疊在相同半徑位置的區域亦可得到相同效果。 (2)區域的使用方法關於記錄學習區域A及記錄學習區域B的使用方法’用第21圖更詳細地說明。另外’第21圖中所示之箭號係表示記錄學習區域A及記錄學習區域B的使用方向（記錄方向）。在同一記錄層中’記錄學習區域A及記錄學習區域B(例 65 201021036 如，L0層的記錄學習區域A60及記錄學習區域『〇)均進行單次寫入記錄。即，各自朝預定方向（例如，記錄學習區域 A及記錄學習區域B均與磁軌路徑呈反方向。即，第21圖的情況中’ L0層的記錄學習區域A60及記錄學習區域B7〇係為從外周側朝内周側的方向）依序使用。這是因為考慮到如本發明實施形態1的（2)區域的使用方法中所說明，在伴隨以任意功率進行之階段記錄來進行功率學習的階段中，由於還處於功率未調整的狀態，故無法保證會以何種功率進行記錄，可能會有以非常高的功率進行記錄而令磁軌U遭破壞 ❹ 的情況產生的緣故。如前述，記錄學習區域A係被設下「從配置在遠離雷射光入射側之位置（深處）的記錄層依序使用」的使用限制的區域。即，例如第21圖的光碟1的情況，從位在遠離雷射光入射側之位置（深處）的記錄層之L0層之記錄學習區域A6〇依序使用，當該記錄學習區域A60用盡時，緊接著依序使用 L1層之記錄學習區域A61、L2層之記錄學習區域A62。另外，第21圖記載之各§己錄層的記錄學習區域a及記錄學習區域B的使用方向終究只是其中一例，不受限於此。即，第21圖係舉出朝相反於磁軌路徑之方向，且相同記錄層所含有的記錄學習區域A及記錄學習區域b係朝相同方向使用的範例，但亦可為例如，無法保證記錄功率的記錄學習區域A係朝相反於磁軌路徑之方向使用，對此，可保證係以大致適合光碟1的記錄功率進行記錄的記錄學習區域B 則係朝磁軌方向使用的使用方法。此時，具有優點如下， 66 201021036 即，記錄學習區域A亦可對應功率學習中的區域破壞，此外，記錄學習區域B即使在策略學習中因媒體缺陷等而產生 s己錄失敗，亦可繼前次記錄之後進行重試處理等，而可獲得存取效能提昇的效果，或，針對具有「當學習中的記錄中途失敗時，在與磁軌路徑呈反方向使用的情況下，學習區域中將混雜殘留已記錄區域與未記錄區域，而難以探索異常時的未記錄與已記錄之邊界位置」的課題一事，藉由朝磁軌方向使用便可解決該課題。其他，例如，當媒體係一種發生區域破壞造成位址取得失敗的可能性極低者的情況等，記錄學習區域A可全部朝磁軌方向使用，或著，亦可考慮本發明實施形態1等記載之區域再分配，令記錄學習區域B在所有記錄層均朝相同方向使用（例如，從内周側朝外周側）<> 在此，就設有「從遠離雷射光入射側的記錄層開始使用」的限制的記錄學習區域A的使用方法，用第23圖來說明其中一例。第23(A)圖係顯示接下來欲進行記錄學習的單次寫入光碟1的狀態。使用順序設限的記錄學習區域A中，L0層之記錄學習區域A60為使用中，令使用中的l〇層之記錄學習區域A60的可使用剩餘大小為R區塊(叢集），且令通常用於記錄學習區域A進行之學習（例如功率學習）的大小為l區塊 (叢集）。在此’通常用於學習的大小係指，除了重試等學習異常以外，在學習中使用的最低限度大小（區塊數）。在記錄學習中使用的大小：L比使用中的記錄層之記錄 67 201021036 學習區域A(該圖的情況中’係為L0層之記錄學習區域A60) 的剩餘大小：R少（小）或相等（同大小）時，只要直接在對象層之記錄學習區域A(該圖的情況中，係為L0層之記錄學習區域A60)中，從圖中的其次使用開始位置所表示的位置進行記錄學習便可。

但是’如第23圖所示’在記錄學習中使用的大小：L 比使用中的記錄層之記錄學習區域A(該圖的情況中，係為 L0層之記錄學習區域A60)的剩餘大小：R多（大）時，只靠對象層之記錄學習區域A(該圖的情況中，係為L0層之記錄學習區域A60)無法完成記錄學習。此時，雖有只使用可使用之大小份’在對象層之記錄學習區域A(該圖的情況中，係為L0層之記錄學習區域A60)進行記錄學習，然後將不夠進行學習的大小份留在接下來可使用之記錄層的記錄學習區域A(該圖的情況中，係為L1層之記錄學習區域A61)使用的方法·，但右在1次的記錄學習（例如，功率學習）途中變更記錄層，則會因為記錄層的記錄特性不同而導致學習結果偏差，或令學習時間、學習結果的判斷方法等變得非常複雜困難。因此，在此種情況下’如第23(B)圖所示，將圖中的其次使用開始位置所表示的使用中之記錄層之記錄學習區域A(該@的情況#，係為LQ層之記錄學f區域編)的大小：R份的可用區域作為不可使用之區域，且在接下來可使用之記錄層的記錄學習區域A(襲的情況巾，係為u層之記錄學習區域A61)實施所有必要大小：L份之學習的方法是有效的。 68 201021036 另外’此時關於未使用的殘留區域，可繼續保持在未使用（未記錄）狀態，或是亦可記錄在功率、資料方面不具意義的任意資料而成為已記錄狀態。另外’亦考慮到會有實際用在記錄學習的大小（扇區數或區塊數）比在學習實施前認知為記錄學習所需大小的大小·· L大的情況。即，可能會有例如，在功率學習處理中記錄失敗或進行重試的案例，此時亦可能會有在丨次的學習中使用大小比L區塊大的區域的案例。在此種情況下，假設會進行重試，而令學習所需大小：L並非為最低限度所需大小 (扇區數或區塊數），而是令其為設有容限的大小的作法亦為方法之一，或著，令大小：L維持在最低限度所需大小，當因為進行重試而無法只靠對象層之記錄學習區域A完成時，依其時間點在接下來可使用之記錄層的記錄學習區域A 從重試學習開始進行的作法亦為方法之一。 (3)OPC區域相關資訊的具僙方法第2 4圖係單次寫入光碟的記錄學習區域A及記錄學習區域B相關資訊的範例。另外，在此係以第21圖所示之光碟 1的區域構造的情況為例來說明。另外，第24圖與本發明實施形態1的(3)同樣係為記錄學習相關資訊之說明，故係以可記錄之時間點，即，截至最終化為止變遷地交替記錄的資訊TDMS700為例來進行說明。 TDMA内記錄有TDMS7〇〇，該TDMS7〇〇具有：為缺陷位置或交替記錄相關資訊的DFL702等碟片管理資訊、包含 DFL702的位置資訊或光碟區域相關位置資訊等的 69 201021036 DDS7(H。 DDS701除了表示該資訊為刪的識別符71〇及記錄有 DFL702之位置的DFL位置資訊711以夕卜，還具有：記錄學習區域A其次使用位置資訊_(以後，稱為NApA8〇〇)，係橫遍具有記錄學習區域A的所有記錄層之記錄學習區域個接下來可使用之位置資訊(指標資訊）；LQ層記錄學習區域B 7 0用的L0記錄學習區域B其次使用位置資訊8 〇 j (以後，稱為L0-NAPB801)’係針對各記錄層之記錄學習區域B而存在的接下來可使用之位置資訊(指標資訊）；u層記錄學習參區域B71用的Lis己錄學習區域B其次使用位置資訊8〇2(以後，稱為L1-NAPB802); L2層記錄學習區域B7〇用的L2記錄學習區域B其次使用位置資訊8〇3(以後，稱為 L2-NAPB803)。有別於§己錄學習區域b用的資訊，記錄學習區域A之所以橫遍具有記錄學習區域a的所有記錄層之記錄學習區域A只保有1個資訊，係由於記錄學習區域a係在使用順序上設有「從遠離雷射光入射側的記錄層開始使用」的限制的區域，因此在資訊方面無須預先保有各記錄層的參開始位置資訊的緣故。另外’構成TDMS(DMS)的資訊不僅限於為碟片管理資訊的DFL702與包含其位置資訊的DDS701。具體而言，例如，碟片管理資訊除了DFL702以外，有時亦包含SRRI或 SBM等資訊，該SRRI係顯示光碟1的資料區域14中的磁執 (SRR)之配置或使用狀態的資訊者，該SBM係表示隨機記錄時所使用的記錄未記錄狀態的資訊。 70 201021036 另外，DFL702與DDS701未必非得連續記錄。即，例如，以前記錄至TDMA内的DFL702仍存在，且在其資訊無須更新而只有DDS701内的資料需要更新的情況下，亦可能會有諸如，以指出以前所記錄的DFL702之位置作為DFL位置資訊711的形式，僅記錄DDS701的情形產生。第25圖係針對第24圖中說明的其次使用位置資訊的說明圖。關於記錄學習區域A方面，具有記錄學習區域A的所有記錄層之NAPA800如第25圖所示，係指L1層的記錄學習區域A61的中途位置時，在L0層的記錄學習區域A60已完全用盡（未殘留可使用之大小份的區域）’且從内周朝外周侧使用的L1層的記錄學習區域A61中，從記錄學習區域A61之内周側邊界位置到NAPA800所示之位置前面業已使用，而要進行下一個使用記錄學習區域A的學習的情況下，可令 NAPA800所示之位置為前端朝外周側使用記錄學習區域 A61。記錄學習區域B並無使用順序等限制，故從外周朝内周側使用的L0層的記錄學習區域B70、以及L2層的記錄學習區域B72中，從記錄學習區域B70之外周側邊界位置到 L0-NAPB801所示之位置前面、以及從記錄學習區域gw之外周側邊界位置到L2-NAPB803所示之位置前面業已使用，又，從内周朝外周侧使用的L1層的記錄學習區域B71 中，從s己錄學習區域B71之内周側邊界位置到li_naPB802 所示之位置前面業已使用。 71 201021036 關於記錄學習區域B方面，光碟i具有的記錄層若有增減，則恰為其增減份的所需資訊數亦將增減，但關於^ 學習區域Μ®，即使記錄財增減，所《訊數亦不會改變，故只要維持在1個便可。另外，該等其次使用位置資訊係以例如，為光碟置資訊的PBA等來表示。 (4) 記錄再生裝置

第26圖係顯示對本發明實施的光碟m行記錄再生的光碟記錄再生裝置100相關構造。本發明實施形態4的光碟記錄再生裝置刚，除了構成 §己錄學習箱的記錄學習部A157及記錄學習部咖以本發明實施形態1的⑷中使用第聰明過的記錄再生裝置相同，故在此省略相同部分的說明。記錄學習部則係_在崎學㈣域A進行的記錄學=己錄學習A)的區塊，可控制諸如伴隨階段記錄的功率學各，以任意記錄功率進行的記錄學習。

項=習部則軸在記錄學習區域B進行的記錄子=己錄學習_區塊，可控制進行脈衝寬度調整的策略學%/或是以可保證為適合光碟1的記錄功率之範圍的功率進仃的C錄學習’前述記錄學習係諸如致適合切丨的記錄功率(記錄後的透射率控·預定範為圍大）的細圍内進行增減的功率等進行記錄來進行最適當功率之微調整的容限確認等。 (5) 記錄學習方法 72 201021036 在此•就針對本發明實施形態4的光碟丨的記錄學習方法進行說明。

首先’能以任意記錄功率進行記錄的記錄學習區域A 係從遠離雷射光入射側的記錄層依序使用的區域，且係可進行伴隨階段性改變功率之階段記錄的功率學習等的區域° §己錄學習區域A係重疊配置成與其他記錄層含有相同半從位置’但由於係從遠離雷射光入射側的記錄層依序使 ^ 用’故即使以過大記錄功率等進行記錄，亦可保證位於更遠侧（内側）的記錄層的記錄學習區域A係不存在或業已使用’因此不會對其他記錄層的記錄學習結果造成影響。但是’例如要在記錄學習區域A進行功率學習的情況下’無法做到在相同時間點對所有記錄層進行使用記錄學習區域A的功率學習，只能做到僅在某丨層記錄層進行功率學習。因此，除了實際進行功率學習之記錄層以外的記錄層，均無法實施功率學習來求出光碟丨的適合其記錄層的記 % 綠功率。作為針對該問題的方法之一，係使用某丨層記錄層的記錄學習（功率學習）結果、與製造碟片時預先記錄在引入區域或引出區域的控制區域（或稱為實體管理資訊區域)(未圖示) 内的推薦δ己錄功率來解決該問題。光碟1内存在有一被稱為控制區域(係為BD碟片的情況下’稱為Pic(permanent Informati〇n&c〇ntr〇1 data)區域）等的區域，該區域係在製造碟片時預S存人有有_光碟W 各種參數者，例如，㈣存人有因應絲㈣各記錄層或是 73 201021036

光學頭120或光碟1的塵埃或辭污等，各記錄倍速_薦記錄功㈣推職略料目關資訊此’本來只要以在太&也，二口的徊體差；附著在令實際進行記錄時，適合記錄的記錄功率或記錄脈衝寬度未必會與存入控制區域的記錄功率致’因此在該光碟記錄再生裝置⑽中使用光碟時’會實際進行名為功率學f或策略學習的記料 % 習。但是’如上述，實際進行記錄學習的目的係用以在進行記錄時’輕成適合的各種環境的狀態光^的各記錄層的記錄特性大致上可說是不會產生變化。即在幻層記錄層中實際進行功率學習，求出功率學習中所求得之記錄功率與存人柄1之控舰域之推薦記錄功率的差異（變化 ' 率)後，將該變化率與無法實際進行功率學習的其他記錄層的推薦記錄功率加以使用（例如，進行相乘），以透過演算來算出適合無法實際進行學習的其他記錄層的記錄功率藉魯此可求出與實際在該記錄層進行功率學習者相同程度的大致適合的記錄功率。然後，使用依前述方式求出的記錄功率，且使用限制記錄功率但不限制使用順序的各記錄層的記錄學習區域B進行策略學習或用以微調功率的容限確認等，來確定實際在記錄學習區域A進行功率學習的記錄層以外的記錄層所適用的諸如記錄功率或記錄脈衝寬度（記錄策略)的記錄參數。 74 201021036 使用第27圖所示之流程圖來說明前述所說明的方法。步驟2701:取得記錄學習所需資訊。具體而言，系統控制部150的再生控制部156會從光碟MTdma將最新 DMS7GG所包含的最新DDS7()1讀出至記憶體m，還會從控制區域將實體管理資訊(PIC等資訊)讀出至記憶體17〇中。此外，以前在該㈣記錄再生裝置刚實施的學習結果(學習歷程)還留在記錄判對象之光碟丨的_时資訊區域(亦稱為Drive Area)等時，亦會讀出該資訊。然後，存取位置管理部154會根據讀出的最新DDS7(U，來取得記錄學習區域A的接下來可使K立置資m(NApA8〇〇)、及各記錄層的記錄學習區域B的接下來可使用之位置資訊 (L0-NAPB8(H、L1-NAPB802、L2-NAPB803)，且，記錄學習部151會根據實體管理資訊，來取得符合接下來實施之記錄學習條件的纪錄參數(例如，在符合]^^^八8〇〇指示之位置的記錄層中，符合進行記錄學習之倍速的推薦記錄功率等資訊）。在此，之所以記载為最新DDS7〇1，是因為TDMA 係變遷地更新管理資訊的區域，故係指取得包含在其區域中之DMS700當中的最新DMS700所包含的DDS701之意。步驟2702:在記錄學習區域A實施記錄學習a(例如，功率學習）。具體而言，存取位置管理部154會以符合NAPA800 指示之位置的記錄層Ln(n為層編號，〇以上之正數）的記錄學習區域A(例如第25圖的情況中，由於NAPA8〇〇係指記錄層L1的位置’故η為1，係為記錄層以的記錄學習區域a61) 的NAPA800所指之位置為基準，來確定進行功率學習的前 75 201021036 端位置，雜記錄學習部A157__應對象記錄層、記錄倍速等㈣職射轉(例如，“進行階段記錄的複數里樣的雷射功率）並蚊至雷射控制部i3Q，接著將預定策略（例如’控制區域所記載之策略）設定至記錄補償電路 140，然後’對存取控制部i54所算出的進行功率學習的前鈿位置使用機械控制部160，使光學頭12〇移動來進行記錄，並從§己錄之區域的記錄品質（例如，調變度或BER)求出最適當記錄功率(例如，複數型樣的雷射功率中，調變度最接近期待值的功率）。然後，針對恰為功率學習所使用的伤，在§己憶體170内的DDS701相符資料中，更新記錄學習區域A其次使用位置資訊(NAPA)800。另外，如同本發明實施形態4的（2)中使用第23圖說明之内容，根據NAPA800指示之記錄層的記錄學習區域a的可使用大小，未必僅限於在NAPA800指示之記錄層的記錄學習區域A進行功率學習。另外，萬一功率學習之記錄失敗時，以先前進行記錄的位置為基準，再度經由存取位置管理部154求出存取位置，重複實施本步驟2702來重試便可。步驟2703 :算出功率變化率。具體而言，記錄學習部 151會將讀出至記憶體170中的記錄層Ln的控制區域之推篇記錄功率（作為Pwi)、與在步驟2702所求得的最適當記錄功率（作為Pwo)的功率變化率2700(例如’ Pwo/Pwi的值）記憶至記憶體170。另外，在功率變化率2700並非在預定範圍内（例如，95%〜100%的範圍）的情況下，會判斷所求得之功率並 76 201021036 非適合光碟1的功率，此時，再一次從步驟2702來重試便可。另外，功率變化率2700未必非得是Pwo除以Pwi後的值，只要是可得知功率變化率的值，任何值均可。步驟2704:在進行過使用記錄學習區域A之學習的記錄層Ln的記錄學習區域B實施記錄學習B(策略學習、容限確認等。以下係以在記錄學習B進行策略學習的情況來進行說明）。具體而言，存取位置管理部154會以步驟2702中進行過使用記錄學習區域A之學習的記錄層Ln的記錄學習區域 B之其次使用位置資訊Ln-NAPB(例如，NAPB800在第25圖的情況中’係為與進行過記錄學習A(功率學習）的L1記錄層的記錄學習區域B71有關的其次使用位置資訊L1-NAPB802) 所指之位置為基準，來破定進行策略學習的前端位置，然後記錄學習部B158會將步驟2702的功率學習中所求得的最適當記錄功率設定至雷射控制部130，接著將策略(例如，複數型樣的策略)設定至記錄補償電路14〇，然後對存取控制部154所算出的進行策略學習的前端位置使用機械控制部160 ’使光學頭120移動來進行記錄，並從記錄之區域的記錄品質（例如，調變度或相位誤差）求出最適當記錄策略 (例如，複數型樣的策略條件中，相位誤差最小的策略）。然後’針對恰為策略學習所使用的份，在記憶體17〇内的 DDS701相符資料中，更新記錄學習區域8其次使用位置資訊(η為1(記錄層L1)的情況中，係為li_NAPB8〇2)。另外’萬-策略學習之記錄失敗時，以先前進行記錄的位置為基準，再度經由存取位置管理部154求出存取位 77 201021036 置，重複實施本步驟2704來重試便可。步驟2705 :對除了步驟27〇4中進行記錄學習B的記錄層 (Ln層）以外的所有記錄層1^1(111為層編號且n砵如的〇以上之正數）重複後述步驟2706至步驟2707的處理（記錄學習區域B的記錄學習處理）。例如第25圖所示之狀態的光碟1的情況中，由於使用記錄學習區域A的記錄學習A(功率學習）係在記錄層5(L1層）實施，故處於步驟27〇4的記錄學習b亦在 L1層實施的狀態。因此，排除該記錄層，針對記錄層_ 層）及記錄層7(L2層）進行重複❶ Θ 步驟2706 :求出記錄層Lm的最適當記錄功率。具體而言，記錄學習部151會藉由將步驟2703中所算出的功率變化率2700、與讀出至記憶體17〇中的記錄層Lm的控制區域之推薦記錄功率相乘，來求出記錄層1^1的最適當記錄功率(嚴格來說，由於係藉由演算來求出’故為大致適合的記錄功率）〇步驟2707 :在記錄層Lm的記錄學習區域B實施記錄學習B(策略學習、容限確認等。以下係以在記錄學習B進行策略學習的情況來進行說明）。具體而言’存取位置管理部154 會以記錄層Lm的記錄學習區域B之其次使用位置資訊 Lm-NAPB(例如’ m為0(記錄層l〇)的情況中，係為與記錄學習區域B70有關的其次使用位置資訊l〇-NAPB801)所指之位置為基準，來確定進行策略學習的前端位置，然後記錄學習部B158會將步驟2706中所求得的最適當記錄功率設定至雷射控制部130，接著將策略(例如，複數型樣的策略)設 78 201021036 定至記錄補償電路140，然後對存取控制部154所算出的進行策略學習的前端位置使用機械控制部16〇，使光學頭120 移動來進行記錄，並從記錄之區域的記錄品質（例如，調變度或相位誤差）求出最適當記錄策略(例如，複數型樣的策略條件中，相位誤差最小的策略）。然後，針對恰為策略學習所使用的份，在記憶體170内的DDS701相符資料中，更新 Lm記錄學習區域B其次使用位置資訊(mg〇(記錄層L〇)的情況中，係為L0-NAPB801)。另外，萬一策略學習之記錄失敗時，以先前進行記錄的位置為基準，再度經由存取位置管理部154求出存取位置’重複實施本步驟2707來重試便可。步驟2708:對除了步驟2704中進行記錄學習B的記錄層 Ln以外的所有記錄層Lm重複前述步驟2706至步驟2707的處理。存在有尚未完成記錄學習的記錄層時，回到步驟 2705。除了步驟2704中在記錄學習區域a進行學習的記錄層以外的所有記錄層均結束記錄學習時，進到步驟2709。步驟2709 :記錄學習結束後’將最新管理資訊記錄(更新)至TDMA。具體而言’系統控制部15〇會使用記錄控制部 155將儲存在記憶體17〇中的包含前述步驟2702、步驟 2704、步驟2707中業經更新之新其次使用位置資訊的DDS 相符資料’作為新的TDMS700而寫入記錄至TDMA。另外，可在該時間點（現實上，由kDDS7〇1亦包含顯示DriveArea 之使用位置的指標資訊，故係指11〇]^入(1)1)87〇1)更新前的時間點），依需要將光碟記錄再生裝置1〇〇實施的學習結果 79 201021036

(學習歷程）記錄至記錄學習拟A μ >對象之光碟丨_動固有資訊區域(Drive Area)。另外’管理資訊更新未必非得在記錄學習後的時間點進行，只要在光碟1從光碟記錄再生裝置刚退出為止的期間實施便可。以上，結束記錄學習處理。像這樣#由將„己錄學習區域A及記錄學習區域B的接下來可使用之位置(指標)資訊預先包含在管理資訊 (刪7(H)内’便無須在每次進行記錄學習時探索接下終 ❿ 使用之位置在剛述步驟27〇1中存取位置管理部⑼可有效率地求出。己錄學習位置，故記錄學習處理整體的處理效率亦可提昇（可縮短記錄學習的所需時間）。尤其記錄學 S區域A係從遠離雷射光人射侧的記錄層依序使用，因此若想要實際探索接下來可制之位置，最糟的情況下有可㉟ _ 會對所有》己錄層的§己錄學習區域A產生存取，故藉由以1個指標資訊來對所有記錄層的記錄學習區域A進行管理，便可發揮更大的效果。 ❹ §己錄學習區域8由於具有「係為以大致適合光碟1的記錄功率進行§己錄的區域」的限制，故至少必須在記錄學習區域A實施記錄學習A(功率學習）後才能使用，實際上係以系統控制部15〇對進行該等區域之學習的記錄學習部 151(記錄學習部A157及記錄學習部B158)來控制學習實施的順序。另外’在前述第27圖的說明中’係以將系統控制部150 80 201021036 定位成進行包含記錄學習的一連串處理順序的整體控制者，且將記錄學習部151(記錄學習部A157及記錄學習部 B158)疋位成實施記錄學習的功率學習或策略學習等學習動作的處理部來說明，但只要存在可實現相當於前述步驟之處理(機能）的機構，便可獲得相同效果一事已無需言明。即，例如記錄學習部151可進行記錄學習整體控制，或1個機構可實現複數步驟(機能）。 • 另外，亦可將步驟2705的「在記錄層Lm(m為層編號，且η关m的0以上之正數）進行」之處理判定條件設為對亦包 s η-m之記錄層的所有記錄層實施處理，且取消「在已實

施記錄學習區域A的記錄層Lnt，進行使用記錄學習區域B . 的學習」之步驟2704，與步驟2706至步驟2707之處理共通化來實施。另外，例如以前在該光碟記錄再生裝置1〇〇實施的學習、’、。果(學習歷程)還留在記錄學習對象之光碟丨的驅動固有資 % 讯區域（亦稱為Drive Area)等時，亦可令步驟2702的功率學習時的策略初期值為留在學習歷程的策略。或著，當存在學習歷程時，亦可進行控制如下，即，不實施「在進行過使用記錄學習區域A的記錄學習（功率學習）的記錄層進行 5己錄學(策略學習等）」之步驟2704、或是不實施與所有 5己錄學習B有關的步驟2704以及步驟2707。或著，學習歷程内還留有與以前求出的功率變化率2700相符資訊或相關資訊(例如，以前的學習實施時的溫度資訊等），且本次進行 5己錄學習的條件符合留在學習歷程的條件時，可進行將步 81 201021036 驟2702的記錄學習區域A之記錄學習a予以略過的控制。另外’步驟2705中，雖記載為對除了 u層以外的所有記錄層實施記錄學習B，但只要是至少在可對㈣_14 或引入區域13等的管理資訊區域進行資料記錄的記錄層中’有實施到記錄學習B便可’未必非得對所有記錄層實施曰。另外，在所有記錄層的記錄學習區域八中，恰好可進行新學習的可用區域用光(耗盡）時，其光碟丨會因為無法進$ 新的記錄學習而被視為禁止記錄。同樣地，當必須在步驟 2704及步驟2707進行使用記錄學習區域B的記錄學習b(策參略學習等）的情況下，在對象層的記錄學習區域3中，恰好可進行新學習的可用區域用光（耗盡）時，其光碟1(嚴格來說，至少係對象記錄層）會因為無法進行新的記錄學習而被視為禁止記錄。另外，以前該光碟記錄再生裝置1〇〇在對象之記錄層實 - 施的學習結果(學習歷程）還留在光碟1的驅動固有資訊區域 (亦稱為Drive Area)等時，即，進行使用歷程資訊之學習時，在將對該§£錄層之記錄功率視為可保障者的情況等、及彳 ❹ 在5己錄學習區域B進行的記錄學習中加以調整的情況等只要C錄學習區域B還殘留有可使用區域，就算記錄學習區域 A已耗盡，亦未必會被視為禁止記錄。另外，本發明實施形態4係以單次寫入光碟為例來說明，但同樣的想法亦可適用於可重寫光碟。即，各記錄層均具有記錄學習區域A與記錄學習區域B，記錄學習區域A 叹有「從遠離雷射光入射側的記錄層（例如，L0層的記錄學 82 201021036 習區域A60)開始使用，在其記錄層的記錄學習區域A因週期退化(Cycle Degradation)而被判斷成妨礙使用的情況下，將使用下一記錄層的記錄學習區域A(例如，L1層的記錄學習區域A61)」的限制，且記錄學習區域B係以大致適合光碟} 的記錄功率進行記錄，即使係為此種形態，亦可得到與前述内容相同的效果。惟，係為可重寫光碟的情況下，由於記錄學習區域亦為可重寫區域，故只要是在記錄學習區域内，便可在任意場所進行記錄學習。因此，可重寫光碟雖可不保有其次使用位置資訊(NAPA8〇〇或L〇_NApA8〇丨），但由於記錄學習區域A在使用順序上設有限制，故必須保有接下來可使用之s己錄學習區域A的位置資訊(實體位址或記錄層編號等）。 (實施形態5) 〈主要參數〉可適用本發明的記錄媒體之一例可舉：藍光光碟(BD) 或其他規格知光碟。以下係就BD進行說明。BD依記錄膜之特性，具有：再生專用型的BD_R〇M、單次寫入記錄型的 BD-R、可重寫記錄型的BD_RE等類型，本發明可適用肋或其他規格之光碟中的厌(單次寫入型）、RE(可重寫型）之任一種類的記錄媒體《關於藍光光碟的光學常數與實體格式 (physical format)，已揭示於「藍光光碟讀本」（〇hmsha出版) 或 Blu-ray Disc Association 的網站 (http://www.blu-raydisc.com/)所刊載的白皮書（whhe paper) ° 83 201021036 BD係使用波長為略405mn(相對於標準值仙允爪，誤差範圍的容許值±5nm ’即為400〜41〇nm)的雷射光以及數值孔徑(NA : Numerical Aperture)為略0.85(相對於標準值〇 85，誤差範圍的容許值±0.01，即為〇_84〜0.86)的對物透鏡。BD 的磁軌間為略0_32μιη(相對於標準值〇.320μηι，誤差範圍的容許值±0.010μηι，即為0.310〜0.330μπι)，且設有1層戍2声記錄層。記錄層的記錄面係為從雷射光入射側算起單面1層或單面2層的構造’ BD的保護層表面到記錄面的距離為 75μιη〜ΙΟΟμιη。 ® 記錄訊號的調變方式係利用17ΡΡ調變，且所記錄的標誌之最短標誌(2Τ標誌：Τ係基準區塊的週期（藉由預定調變規則來記錄標誌時的調變之基準週期））的標誌長係為 0·149μιη(或 0·138μιη)(通道位元（Channel Bit)長：Τ 為 74.50nm(或69.00nm))。記錄容量係單面單層25GB(或 27GB)(更詳而言之，係為25.025GB(或27.020GB))，或單面 2層50GB(或54GB)(更詳而言之，係為50.050GB(或 54.040GB)) 〇 ❹ 通道時鐘(channel clock)頻率在標準速度(BDlx)的傳送率係為66MHz(通道位元率66.000Mbit/s) ’在4倍速(BD4x) 的傳送率係為264MHz(通道位元率264.000Mbit/s)，在6倍速（BD6x)的傳送率係為396MHz(通道位元率 396.000Mbit/s)，在8倍速(BD8x)的傳送率係為528MHz(通道位元率528.000Mbit/s)。標準線速度（基準線速度、lx)為4.917m/sec(或 84 201021036 4.554m/sec)。2倍(2x)、4倍(4x)、6倍(6χ)及8倍(8x)的線速度分別為 9_834m/sec、19.668m/sec、29_502m/sec 及 39.336m/sec。比標準線速度快的線速度一般係為標準線速度的正整數倍。然而，不受限於整數，亦可為正實數倍。又，亦可定義成0.5倍(0·5χ)等的比標準線速度慢的線速度。另外’前述内容已邁向商品化，主要係有關每層約 25GB(或約27GB)的1層或2層的BD者。作為更進一步之大容量化，令每層的記錄容量為略32GB或略33.4GB的高密度 BD、或是令層數為3層或4層的BD亦已進行檢討，之後亦將針對該等來進行說明。 <調變> 接下來，就記錄訊號的調變方式來進行敛述。將資料（原始的來源資料/調變前的二進制資料(binary data))記錄至記錄媒體時，會被分割成預定大小，接著，被分割成預定大小的資料會再被分割成預定長度的框 (frame)，每個框内都插入有預定的同步碼(sync c〇(Je)/同步碼序列（框同步區域）。被分割成框的資料會依據與記錄媒體之記錄再生訊號特性一致的預定調變規則而被記錄為業經調變的資料碼序列（框資料區域）。在此，調變規則可為限制標誌長的RLL(Run Length Llmited)編碼方式等，當標示成RLL(d k)時，係指出現在】與1之間的0最少d個、最多k個之意(d及k為滿足d<k的自然數）。例如，d=l、k=7時，若以T為調變的基準週期，則會成為最短2T、最長8T的記錄標誌及空間。又，亦可作成在 85 201021036 RLL( 1,7)調變更加進以下[1]、[2]之特徵的1-7PP調變。1-7PP 的 ’’PP” 係 Parity preserve/Prohibit Repeated Minimum Transition Length的略稱，[1]最前面的P，即，Parity preserve 係意指，調變前的來源資料位元的”1”之個數的奇偶（即，

Parity)、與相對應的調變後位元型樣(bit pattern)的”1”之個數的奇偶一致；[2]後面的 P，即，Prohibit Repeated Minimum Transition Length係意指，將調變後的記錄波形上的最短標誌及空間的重複次數予以限制（具體而言，將2T的重複次數限制成最多6次）的構造。 Θ <框同步型樣> 另一方面’在各框之間所插入的同步碼/同步碼序列由於不適用前述預定調變規則，故有可能包含除了受到其調變規則束缚的碼長以外的型樣。由於該同步碼/同步碼序列係決定將業經記錄之資料再生時的再生處理時間點者，故 - 可包含型樣如下。就輕易進行與資料碼序列之識別的觀點來看，可包含資料碼序肋未出現的型樣。例如，比資料碼序列所包含 ❹ 的最長標誌/空間更長的標誌或空間、或是其標誌與空間的重複。調變方式為M調變時，標誌、或空間的長度被限制在 2Τ〜8Τ，故係指：比8T更長的9T以上之標誌或空間（9tm and/or9TS)、或是9T標誌/空間的重複(9t/9t)等。就輕易進行同步鎖定等處理的觀點來看，可包含使標工間之變遷（零交又點（zero cross point))多次產生的型樣。例如’資料碼序列所包含的標結/空間内，較短的標諸 86 201021036 或空間、或是其標諸與空間的重複。調變方式為1-7調變時，係指：最短的2T標誌或空間（2TMan(l/〇r2TS)、或是2T 標誌/空間的重複(2T/2T)，或，第二短的3T標誌或空間（3TM and/〇r3TS)、或是3Τ標誌/空間的重複(3Τ/3Τ)等。另外，有時亦會包含因波長、數值孔徑、通道位元長、記錄密度等而無法得到充分再生特性之長度的標誌及/或空間，故在此種情況下，只要排除無法得到充分再生特性之長度以下的標誌及/或空間（例如，最短標誌及/或空間）便可。 <框同步的碼距> 將包含前述同步碼序列與資料碼序列的區域暫稱為框區域’且將含有複數(例如31個）框區域的單元暫稱為扇區 (或位址單元(Address Unit))，則可在某扇區中，令其扇區的任意框區域所包含的同步碼序列與其任意框區域以外的框區域所包含的同步碼序列的碼距為2以上。在此所謂碼距係指，在比較2個碼序列的情況下，碼序列中的不同位元的個數之意。像這樣令碼距為2以上，即使再生時因受到雜訊影響等而令其中一方的讀取序列產生1位元移位錯誤，另一方亦不會識別錯誤。又，尤其可令位在其扇區前端的框區域所包含的同步碼序列與位在前端以外的框區域所包含的同步碼序列的碼距為2以上，如此一來，便可輕易識別是否為前端處/是否為扇區的定界處。另外，碼距包含：在進行NRZ記錄時將碼序列標示成 NRZ的情況下的碼距、以及在進行NRZI記錄時將碼序列俨不成NRZI的情況下的碼距之意。因此，若係、為採用虹匕調 87 201021036 變的記錄的情況，該RLL係指將在NRZI的記錄波形上連續呈高位準或低位準之訊號的個數予以限制之意，因此意味著NRZI標示中的碼距為2以上。〈記錄方式：In-Groove/On-Groove> 又，關於記錄方式，係決定藉由在媒體形成槽以形成槽部、以及槽與槽之間的槽間部，但具有：記錄在槽部、記錄在槽間部、記錄在槽部與槽間部雙方等各種方式。在此’槽部與槽間部當中’記錄在從光入射面來看呈凸部之側的方式稱為On-Groove方式、記錄在從光入射面來看呈凹部之側的方式稱為In-Groove方式。本發明中，對於是要以 On-Groove方式、In-Groove方式、或許可兩方式之一來作為記錄方式一事並不特別過問。另外，係為許可兩方式之一的情況下，為了令媒體可輕易識別出係為哪種記錄方式，可將顯示出是〇n-Groove 方式還是In-Groove方式的記錄方式識別資訊記錄至媒體。對於多層資訊記錄媒體，可記錄針對各層的記錄方式識別資訊。此時，可將針對各層的記錄方式識別資訊匯集至基準層（從光入射面來看係為最遠側的層（L0)或最近的層、或是確定為啟動時最先進行存取的層等）來記錄，亦可對各層記錄僅與該層有關的記錄方式識別資訊，或可對各層記錄與所有層有關的記錄方式識別資訊。又，將記錄方式識別資訊予以記錄的區域可舉： BCA(Burst Cutting Area)或碟片資訊區域（比資料記錄區域更位於内周側或/及外周側，係以儲存控制資訊為主的區 88 201021036 域’另外’在再生專用區域中，磁軌間距有時會變得比資料記錄區域更寬）或婉蜒導軌（重疊在婉蜒導軌上進行記錄) 等，可記錄在任一區域或任何複數區域或所有區域。又’關於蜿蜒導軌的開始方向，在〇n_Gr〇〇ve方式與 In-Groove方式中可互為相反。即，若在0n_Gr〇〇ve方式中，婉蜒導軌的開始方向係從碟片的内周側開始，則在 In-Gr〇ove方式中，可令蜿蜒導軌的開始方向係從碟片的外周侧開始（或著，若在On-Groove方式中，婉蜒導軌的開始方向係從碟片的外周側開始，則在In_Gr〇〇ve方式中，可令婉挺導軌的開始方向係從碟片的内周側開始）。像這樣，藉由令On-Groove方式與In-Groove方式的婉挺導轨的開始方向互為相反’則不管是哪種方式均可令追縱(tracking)的極性(polar)呈相同。這是因為，相對於〇n_Gr〇〇ve方式係在從光入射面來看呈凸部之侧進行記錄，In_Gr〇〇ve方式則係在從光入射面來看呈凹部之側進行記錄，故假設兩者的槽深相同時’追蹤極性會呈相反關係。因此，藉由令雙方的蜿挺導軌的開始方向互為相反，便可令追蹤極性呈相同。記錄特性與反射率：High to Low、Low to High〉又’關於記錄膜的特性，根據記錄部分與未記錄部分的反射率之關係，具有以下2種特性。即，未記錄部分比已。己錄°卩分更為高反射率(High-to-Low)的HtoL特性、未記錄 P刀比已§己錄部分更為低反射率（L〇w_t〇_High)的LtoH特性。本發明中，對於是要以HtoL、LtoH、或許可兩者之一來作為媒體的記錄膜特性一事並不特別過問。 89 201021036 又’係為許可兩者之-的情況下，為了可輕易識別出係為哪種記錄膜特性’可將顯示出是Ht〇L還是u〇H的記錄膜特性識別資訊記錄至媒體。對於多層資訊記錄媒體，可記錄針對各層的記錄膜特性識別資訊。此時，可將針對各層的記錄膜特性識別資訊匯集至基準層（從光入射面來看係為最遠侧的層（L0)或最近的層、或是確定為啟動時最先進行存取的層等）來記錄’亦可對各層記錄僅與該層有關的記錄膜特性識別資訊，或可對各層記錄與所有層有關的記錄膜特性識別資訊。參又，將記錄膜特性識別資訊予以記錄的區域可舉： BCA(Bum Cutting Area)或碟片資訊區域（比資料記錄區域更位於内周侧或/及外周側，係以儲存控制資訊為主的區域，另外，在再生專用區域中，磁軌間距有時會變得比資料記錄區域更寬）或蜿蜒導軌（重疊在蜿蜒導軌上進行記錄） ' 等，可記錄在任一區域或任何複數區域或所有區域。 <關於多層> 作成從保護層側入射雷射光以再生及/或記錄資訊的單面碟片後’在令記錄層為2層以上的情況下，將會在基板與保護層之間設置複數記錄層，此種情況的多層碟片之構造例顯示於第29圖。圖示之光碟係由（n+1)層的資訊記錄層 5〇2所構成(n為〇以上之整數）。具體說明其構造，光碟係從雷射光505入射之側的表面依序積層有覆蓋層501、（n+1)片資訊記錄層（Ln〜L0層）502、及基板500。又，（n+1)片資訊記錄層（Ln〜L0層）502的各層之間，插入有可發揮光學緩衝材 90 201021036 作用的中間層503。即，在離光入射面隔著預定距離的最深層侧之位置（離光源最遠的位置)設置基準層（L0)，然後從基準層（L0)朝光入射侧來積層（L1、L2、· · ·、Ln)記錄層以增加層數。在此，與單層碟片作比較的情況下，可令多層碟片的光入射面到基準面L0的距離與單層碟片的光入射面到記錄面的距離幾乎相同（例如0.1mm左右）。像這樣不管層數多少，令到最深層（最遠層）為止的距離均保持一定（即，與單 ® 層碟片的情況呈幾乎相同的距離），便可做到不論是單層還是多層，均具有與針對基準層之存取有關的互換性。又，將可抑制伴隨層數增加所導致的傾斜影響之增加。之所以可抑制傾斜影響之增加，係因為最深層雖受到傾斜最多影響，但藉由令到最深層為止的距離與單層碟片呈幾乎相同的距離，如此一來即使層數增加，到最深層為止的距離亦不會增加的緣故。又，關於點（spot)的行進方向（或著亦稱為磁執方向、螺 Φ 線方向），可為平行路徑亦可為相對路徑。平行路徑中，所有層的再生方向均相同。即，點的進行方向係所有層均從内周朝外周的方向，或所有層均從外周朝内周的方向行進。另一方面，相對路徑中，某層與鄰接於該某層之層的再生方向係呈相反。即，基準層（L0)的再生方向係從内周朝外周的方向時，記錄層L1的再生方向係從外周朝内周的方向，記錄層L2的再生方向係從内周朝外周的方向。即， 91 201021036 再生方向在記錄層Lm(m為〇及偶數）係從内周朝外周的方向，在記錄層Lm+1則係從外周朝内周的方向。或著，在記錄層Lm(m為0及偶數）係從外周朝内周的方向，在記錄層 Lm+1則係從内周朝外周的方向。保護層（覆蓋層）的厚度係伴隨「焦距因數值孔徑NA增加而變短」一事，又，為了得以抑制傾斜所造成之點歪斜的影響，而設定成更薄。數值孔徑ΝΑ在CD係設定成0.45，且在DVD係設定成0.65，相對於此，在肋係設定成〇 85。例如，記錄媒體的整體厚度1.2mni左右當中，可令保護層 ® 的厚度為10〜200μιη。更具體而言，若為單層碟片，則可在 1.1mm左右的基板設有〇jmm左右的透明保護層；若為二層碟片’則可在1.1mm左右的基板設有〇〇75mrn左右的保護層及0.025mm左右的中間層（Spacer Layer)。若為三層以上之碟片’則保護層及/或中間層的厚度可更薄。 - 另外，關於以上各種格式或方式，記錄密度(每層的記錄容量）若提昇，則複數記錄密度存在的可能性將因此而產生。根據s己錄密度的不同或記錄層的數量，可採用其中一參部分，且部分不採用而改採用別種格式或方式。以下，就多層（尤其係3層以上的情況）或高記錄密度（例如，每層 30GB以上的情況）來進行敘述。 <1層到4層的各構造例> 在此，單層碟片之構造例顯示於第30圖、二層碟片之構造例顯示於第31圖、三層碟片之構造例顯示於第32圖、四層碟片之構造例顯示於第33圖。如前述，在令光照射面 92 201021036 到基準層L0的距離呈一定的情況下，第31圖到第33圖之任一圖中，碟片總厚度為略1.2mm(亦包含標號列印等時，宜為1.40mm以下）、基板500的總厚度為略i.imm、光照射面到基準層L0的距離為略0.1mm。第30圖的單層碟片（係為第 29圖中的n=0的情況）中’覆蓋層5011的厚度為略〇.imm，又’第31圖的一層碟片（係為第29圖中的n= 1的情況）中，覆蓋層5012的厚度為略〇.〇75mm、中間層5032的厚度為略 ^ 〇.025mm，又，第32圖的三層碟片（係為第29圖中的n=：2的情況）或第33圖的四層碟片（係為第29圖中的n=3的情況）中，覆蓋層5013、5014的厚度及/或中間層5〇33、5〇34的厚度將變得更薄。 .(實施形態6) 第34圖係顯示本實施形態之光碟1的物理構造。在圓盤狀的光碟601内，呈例如同心圓狀或螺旋狀地形成有多數磁軌602，且各磁軌602形成有業經細分的多數扇區。另外， φ 如後述，各磁軌602係以預定大小的區塊6〇3為單位來記錄資料。、本實施形態之光碟601中，每層資訊記錄層的記錄容量比習知光碟（例如，25GB的BD)更為擴張。記錄容量的擴張係藉由提高記錄線密度而得以實現，例如，藉由將記錄在& 光碟的記錄標諸之標諸長更為縮短，便可實現。在此所气「提高記錄線密度」係指將通道位元長縮短之意。該通= 位元係指，相當於基準時鐘(reference cl〇ck)之週期τ(根據預定調變規則記錄標誌時的調變之基準週期τ)的長度。另 93 201021036 外，光碟1亦可多層化。惟，以下為了方便說明，僅提及工層資訊記錄層。又，在設有複數資訊記錄層的情況中，即使各資訊記錄層所設的磁軌寬度相同時，亦可藉由令每層的標誌長不同，且令同一層中的標誌長相同，而使每層的記錄線密度均不同。磁軌602係每資料記錄單位64kB(千位元組）分成一區塊，並依序分配塊位址(block adress)值。區塊會被分判成預定長度的次區塊(subblock) ’並以3個次區塊構成丨個區塊。次區塊會從頭依序分配〇到2的次區塊編號。 <關於記錄密度> 接下來，用第35圖、第36圖、第37圖來說明記錄密度。第35(A)圖係顯示25GB的BD之範例。BD中，雷射623 的波長為405nm、對物透鏡220的數值孔徑（Numerical Aperture : ΝΑ)為0.85。與DVD相同，BD中，記錄資料亦作為物理變化之標誌列620、621而記錄在光碟的磁軌602上。該標誌列中長度最短者稱為「最短標誌」。圖中，標誌621係為最短標誌。係為25GB記錄容量的情況下’最短標諸621的物理長度為0.149um。這相當於DVD的約1/2.7’即使改變光學系統的波長參數(405nm)與NA參數(0.85)，來提高雷射的解析力’仍逼近作為光線可識別記錄標諸之界限的光學解析力界限。第36圖係顯示使光線照射在磁軌上所記錄之標諸列的模樣。BD中’根據前述光學系統參數，光點630會成為約 201021036 0.39um左右。在不改變光學系統的構造下使記錄線密度提高的情況中，相對於光點630的點徑，記錄標誌會相對變小，故再生的解析力會變糟。例如，第35(B)圖係顯示較25GB的BD更為高記錄密度的光碟之範例。該碟片中，雷射623的波長為405nm、對物透鏡720的數值孔徑為0.85。該碟片的標誌列625、624當中’最短標誌625的物理長度為〇.m5um。與第35(A)圖作比較後’點徑同樣為約0.39um，但記錄標誌卻相對變小，且標誌間隔亦變窄，故再生的解析力會變糟。以光線來再生記錄標誌時，再生訊號振幅會隨著記錄標誌變短而降低，且在光學解析力界限下成為〇。該記錄標誌的週期倒數稱為空間頻率，且空間頻率與訊號振幅的關係稱為OTF(Optical Transfer Function)。訊號振幅會隨著空間頻率變高而近似直線地降低。訊號振幅成為〇的再生界限頻率稱為OTF截止值(cutoff)。第37圖係顯示25GB記錄容量的OTF與最短記錄標誌之關係的圖表。BD的最短標t志之空間頻率，相對於〇tf截止值係為80%左右，很接近〇TF截止值。又，可知最短標誌的再生訊號振幅亦非常小，小到成為可檢測之最大振幅的約 10%左右。當BD的最短標誌的空間頻率非常接近〇TF截止值時，即，幾乎沒有出現再生振幅時的記錄容量在BD中，係相當於約31GB。最短標誌、的再生訊號頻率若在〇TF截止值頻率附近，或超出OTF截止值頻率，則會達到雷射的解析力界限’或超出該界限，令再生訊號的再生振幅變小， 95 201021036 而成為SN比急速劣化的區域。因此，第35(B)圖的高記錄密度光碟的記錄線密度可假設為，再生訊號的最短標誌頻率在OTF截止值頻率附近的情況（亦包含：雖為OTF截止值頻率以下，但並未大幅度低於OTF截止值頻率的情況）到再生訊號的最短標誌頻率在 OTF截止值頻率以上的情況。第38圖係顯示最短標誌(2T)的空間頻率高於〇tf截止值頻率，且2T的再生訊號振輻為〇時，訊號振幅與空間頻率之關係之一例的圖表。第38圖中，最短標誌長2T的空間頻參率為OTF截止值頻率的1.12倍。 <波長與數值孔徑與標誌長的關係> 又，高記錄密度之碟片Β的波長與數值孔徑與標誌長/ 空間長的關係如下。令最短標誌長為TMnm、最短空間長為TSnm時，若以”P”表示（最短標諸長+最短空間長），則p係為 (TM+TS)nm。係為17調變的情況下，會成為1>=21+21[=41'。使用雷射波長λ(405ηιη±5ηιη，即400〜41〇nm)、數值孔徑 NA(0.85±0.(U，即0.84〜0.86)、最短標誌+最短空間長p(係為 17調變的情況下，最短長會成為2T，故ρ=2Τ+2Τ=4Τ)等3種參數，在成為Ρ$λ/2ΝΑ之前’基準τ若變小，則最短標誌的空間頻率將超出OTF截止值頻率。 ΝΑ=0·85、λ=405時，與OTF截止值頻率相符的基準τ 會成為：T=405/(2x0.85)/4=59.558nm(另外，相反地，在ρ > λ/2ΝA的情況下，最短標§志的空間頻率會低於〇tf截止值 96 201021036 頻率）。像這樣，即使只提高記錄線密度，SN比亦會因為光學解析力界限而劣化。因此，就系統容限的觀點來看，會有無法容許因資訊記錄層之多層化所造成的SN比劣化的情況。尤其，如前述，最短記錄標諸的頻率超出OTF截止值頻率後’ SN比將明顯劣化。另外，以上係比較最短標誌的再生訊號頻率與OTF截止值頻率後，就記錄密度進行敘述者。在更進一步進行高密度化的情況下，根據其次最短標誌(遞增之再其次最短標誌（再其次最短標誌以上的記錄標誌)）的再生訊號頻率與 OTF截止值頻率的關係，基於前述相同原理，設定各自所對應的記錄密度(記錄線密度、記錄容量）亦可。 <記錄密度及層數> 在此，具有波長405nm、數值孔徑0.85等規格的BD中，當最短標誌的空間頻率在OTF截止值頻率時，每層的具體記錄容量可推定為例如：略29GB(例如，29.0GB±0.5GB或 29GB±1GB等）或在其之上，或是略30GB(例如，30.0GB士 0.5GB或30GB±1GB等）或在其之上，或是略3iGB(例如， 31.0GB±0.5GB或31GB±1GB等）或在其之上，或是略 32GB(例如’ 32.0GB±0.5GB或32GB±1GB等）或在其之上等。又’最短標諸的空間頻率在OTF截止值頻率以上時，每層的記錄容量可推定為例如：略32GB(例如，32.0GB+ 0.5GB或32GB±1GB等）或在其之上，或是略33gb(例如， 33.0GB±0.5GB或33GB±1GB等）或在其之上，或是略 97 201021036 33.3〇8(例如，33.3〇3±0.5〇6或33.3〇8±1〇：6等）或在其之上’或是略33.4GB(例如，33.4GB±0.5GB或33.4GB±1GB等）或在其之上’或是略34GB(例如，34.0GB±0.5GB或34GB土 1GB等）或在其之上，或是略35GB(例如，35.0GB±0.5GB或 35GB±1GB等）或在其之上等。尤其，記錄密度為略33.3GB時，3層便可實現約 100GB(99.9GB)的記錄容量，若為略33.4GB，3層便可實現 100GB以上（100.2GB)的記錄容量。如此一來便與25GB的 BD為4層時的記錄容量幾乎相同。例如，令記錄密度為33GB 時’即為 33x3=99GB ’ 與 1 〇〇GB相差 1 GB( 1GB 以下），為 34GB 時，即為34x3=102GB，與100GB相差2GB(2GB以下），為 33.3GB時’即為33.3x3=99.9GB’ 與 100GB相差0.1GB(0.1GB 以下）’為33.4GB時’即為33_4x3=100.2GB，與 100GB相差 0.2GB(0.2GB以下）。另外翁度5己錄右大幅擴張，則如先前所述，會因為最紐標誌的再生特性的影響，而難以進行精密再生。因此，抑制記錄密度的大幅擴張且實現100GB以上的記錄密度，就現實上來看係為略33.4GB。在此產生了看是要將碟片構造作成每層25GB的4層構造，還是作成每層33〜34GB的3層構造的選項。多層化會伴隨各記錄層的再生訊號振幅降低(SN比的劣化）或多層雜散光（來自鄰接之記錄層的訊號）的影響等。因此，不作成 25GB的4層碟片而是作成33〜34(^的3層碟片，藉此便可極力抑制雜散光的影響，即，變得可用更少層數(不是4層而 98 201021036 是3層）來實現約100GB。因此，期望極力避免多層化且實現約100GB的碟片製造者可選擇33〜34Gb的3層化。另一方面’想要在維持以往格式（記錄密度25GB)的情況下實現約 100GB的碟片製造者可選擇25GB的4層化。像這樣，目的不同的製造者可根據不同構造來實現各自的目的，可帶給碟片在設計上的自由度。

又’令每層的記錄密度為3〇〜32GB左右時，3層碟片雖未達100GB(90〜96GB左右），但4層碟片卻可實現120GB以上。其中，令記錄密度為略32GB&右時，4層碟片便可實現約128GB的記錄容量。128這個數字係整合成便於電腦進行處理的2的取冪(2的7次方）的數值。而且，比起以3層碟片只現約1GGGB的記錄密度者，4層碟片在針對最短記錄的再生特性方向比較不嚴格。由此來看，在記錄密度的擴張方面，設置複數種類的記錄密度(例如，略32GB與略33 4G料），並藉由複數種類的記錄密度與層數之組合’便可帶给碟片製造者在設計上的自由度。例如’對於缝抑财層狀影響且達成大容量化的製造者’可提供「製造經由33〜遍之3層化而成的㈣的3層碟片」的選項；對於期望抑制再生特性之影響且達成大容量化的製造者，可提供「製造經由30〜32GB 之4層化而成的約H0GB以上的4層·」的選項。產業上利用之可能性具有複數記錄層的單次寫本發明之資訊記錄媒體可對入光碟、及可重寫光碟適用。 99 201021036 本發明之資訊記錄再生方法可適用於可對具有複數記錄層的單次寫入光碟、及可重寫光碟進行記錄再生的光碟驅動裝置等。【圖式簡單說明3 第1圖係具有3層記錄層的一般光碟的構造圖。第2圖係一般光碟的記錄層的說明圖。第3A圖係本發明實施形態1的光碟的區域構造圖。第3B圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3C圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3D圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3E圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第3F圖係顯示光碟的區域構造之變形例的圖。第4圖係本發明實施形態1、2、3、4的雷射光照射影響範圍說明圖。第5圖係本發明實施形態1的光碟的區域使用方法說明圖。第6(a)圖〜第6(c)圖係本發明實施形態1的光碟的功率學習區域使用順序說明圖。第7圖係本發明實施形態1的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第8(a)圖〜第8(c)圖係本發明實施形態1的光碟的功率學習相關資訊說明圖。第9圖係本發明實施形態1、2、3的光碟記錄再生裝置的構造圖。 201021036 第10圖係本發明實施形態1、2、3的記錄學習順序說明圖。第11圖係顯示本發明實施形態1的光碟的區域構造之其他範例的說明圖。第12圖係本發明實施形態2的光碟的區域構造圖。第13(a)圖〜第13(c)圖係本發明實施形態2的光碟的區域使用方法說明圖。第14圖係本發明實施形態2的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第15圖係本發明實施形態3的光碟的區域構造圖。第16圖係本發明實施形態3的光碟的區域使用方法說明圖。第17圖係本發明實施形態3的光碟的記錄學習相關資訊資料構造說明圖。第18圖係一般記錄學習順序概念說明用流程圖。第19圖係習知例的光碟的區域構造圖。第20(A)圖、第20(B)圖係將習知例應用在具有3層記錄層的光碟時的區域構造圖。第21圖係本發明實施形態4的光碟的區域構造圖。第22圖係顯示本發明實施形態4的光碟的區域構造之其他範例的說明圖。第23(A)圖、第23(B)圖係本發明實施形態4的光碟的記錄學習區域A的使用方法說明圖。第24圖係本發明實施形態4的光碟的記錄學習相關資 101 201021036 訊資料構造說明圖。第25圖係顯示本發明實施形態4的光碟的記錄學習相關資訊之具體範例的說明圖。第26圖係本發明實施形態4的光碟記錄再生裝置的構造圖。第27圖係本發明實施形態4的記錄學習順序說明圖。第28(A)圖〜第28(D)圖係顯示功率學習區域及策略學習區域中所使用的記錄功率之變動率幅度關係的說明圖。第29圖係顯示多層碟片之構造例的圖。第30圖係顯示單層碟片之構造例的圖。第31圖係顯示二層碟片之構造例的圖。第32圖係顯示三層碟片之構造例的圖。第33圖係顯示四層碟片之構造例的圖。第34圖係顯示實施形態5的光碟601的物理構造的圖。第35(A)圖係顯示25GB的BD之範例的圖。第35(B)圖係顯示較25GB的BD更為高記錄密度的光碟之範例的圖。第36圖係顯示使光線照射在磁軌上所記錄之標誌列的模樣的圖。第37圖係顯示記錄容量為25GB時的OTF與最短記錄標諸之關係的圖。第38圖係顯示最短標誌(2T)的空間頻率高於OTF截止值頻率，且2T的再生訊號振輻呈0之範例的圖。【主要元件符號說明】 201021036

1,601...光碟 140...記錄補償電路 2,500...基板 150...系統控制部 3,5,7·..記錄層 151...記錄學習部 4,6,503,5032,5033,5034…中間 152...功率學習部層 153...策略學習部 8,501,5011,5012,5013,5014... 154·.·存取位置管理部覆蓋層 155...記錄控制部 11,602...磁軌 ® 12,603…區塊 156.. .再生控制部 160.. .機械控制部 13...引入區域 170…記憶體 14...資料區域 180…I/O匯流排 15...引出區域 200...第1記錄學習區域 20,21,22,23...功率學習區域 201.··第2記錄學習區域 " 30,31,32…策略學習區域 210...保留區域 40...預備區域 400…L0層區域 50..OPC 區域 ^ 51...功率學習用 401.. 丄1層區域 402.. .L2層區域 52...策略學習用 410,411.·.範圍 60,61,62…記錄學習區域A 502...資訊記錄層 70,71，72...記錄學習區域8 505,623...雷射 100...光碟記錄再生裝置 620,621,624,625 …標誌 110...命令處理部 630...光點 120...光學頭 700...TDMS 130...雷射控制部 701...DDS 103 201021036

702.. .DFL 710.. .識別符 711.. .DFL位置資訊 712…L0功率學習區域其次使用位置資訊 713…L1功率學習區域其次使用位置資訊 714.. .L2功率學習區域其次使用位置資訊 715…L0策略學習區域其次使用位置資訊 W6...L1策略學習區域其次使用位置資訊 717…L2策略學習區域其次使用位置資訊 718…其他資訊 720…對物透鏡 800…記錄學習區域A其次使用位置資訊 801…L0記錄學習區域B其次使用位置資訊 802.. .L1記錄學習區域B其次使用位置資訊 803.. .L2記錄學習區域B其次使用位置資訊 1001,1002,1003,1004,1005,100 6，1007，1008 …步驟 1301.. .功率學習區域内周側其次使用位置資訊 1302·.·功率學習區域外周側其次使用位置資訊 1701.. 丄0功率學習最終位置資訊 1702…L0功率學習其次使用位置資訊 1703.·丄0策略學習最終位置資訊 1704.. .L0策略學習其次使用位置資訊 1705…L1功率學習最終位置資訊 1706…L1功率學習其次使用位置資訊 1707…L1策略學習最終位置資訊 1708…L1策略學習其次使用位置資訊 1709…L2功率學習最終位置

104 201021036 資訊位置資訊 1710…L2功率學習其次使用 1801...功率學習位置資訊 1802...策略學習 1711 ..丄2策略學習最終位置 2700…功率變化率資訊 2701,2702,2703,2704,2705,270 1712…L2策略學習其次使用 6,2707,2708,2709...步驟馨 • 105

Claims

201021036 七、申請專利範面：』貝i己錄媒體’係藉由從—面入射之雷射光令資料。己錄在複數記錄層中至少〗層者，其中，前述複數記錄層包含有：第1記錄層、及從前述第】 S己錄層朝前述雷射光入射的入射面方向依序配置的第 2〜第N記錄層（N43以上之整數），前述複數記錄層各自具有：第1學習區域、及位於較前述第1學習區域更為外周側之處的第2學習區域，參别述第1〜第N記錄層各自所配置之前述第i學習區域係配置在與其他記錄層之第以錄學習區域不同的半徑位置，前述第1~第>1記錄層各自所配置之前述第2學習區域係配置在與其他記錄層之第2記錄學習區域相同的I ' 徑位置。 2.如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中在前述第2 學習區域所使㈣記錄功率之變鱗幅度係在前述以 m 學習區域所使用的記錄功率之變動率幅度以下。 3·如申請專利範圍第1項之資訊記錄媒體，其中前述第第N記錄層各自分配有實體位址，前述第1記錄層的實體位址係從内周側朝外周側升序地分配，前述第2記錄層的實體位址係從外周侧朝内周侧升序地分配’前述第3記錄層的實體位址係從内周側朝外周侧升序地分配， 106 201021036 又，前述第1記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域係從外周側朝内周侧之方向使用，前述第2記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域係從内周側朝外周側之方向使用，前述第3記錄層所配置之前述第1記錄學習區域及前述第2記錄學習區域係從外周側朝内周側之方向使用。 4. 一種記錄方法，係將資訊記錄至申請專利範圍第1項記載之資訊記錄媒體者，該記錄方法包含有：在前述第1學習區域及前述第2學習區域之至少一者進行記錄學習的步驟；及根據前述記錄學習的結果，將資訊記錄至前述資訊記錄媒體的步驟。 5. —種再生方法，係從申請專利範圍第1項記載之資訊記錄媒體將資訊再生者，其中，前述資訊記錄媒體的前述第1〜第N記錄層中至少1 層具有控制區域，該控制區域記錄有前述資訊記錄媒體相關資訊，又，前述再生方法包含有：從前述控制區域將前述資訊記錄媒體相關資訊再生的步驟。 6. —種資訊記錄方法，係將資訊記錄至申請專利範圍第1 項記載之資訊記錄媒體的記錄方法，其中，前述複數記錄層各自具有記錄學習區域，該記錄學習區域係用以進行求取最適當記錄條件用之記錄學習者， 107 201021036 又，前述記錄方法係在第k記錄層（k為1以上且Να 下之整數)首次進行記錄的時間點，僅在前述第k記錄層進行前述記錄學習者。

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