TW201012082A - Multi-mode configurable transmitter circuit - Google Patents

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TW201012082A TW098126082A TW98126082A TW201012082A TW 201012082 A TW201012082 A TW 201012082A TW 098126082 A TW098126082 A TW 098126082A TW 98126082 A TW98126082 A TW 98126082A TW 201012082 A TW201012082 A TW 201012082A
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Chiewcharn Narathong
Sankaran Aniruddhan
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Description

201012082 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於積體電路（IC)，且更具體言之，係關於用 於設計多模式可配置傳送器電路之技術。 【先前技術】 現代無線通信器件通常使用若干不同通信協定或標準中 之一者來支援在多個頻率範圍或「頻帶」上之信號傳送及 接收。舉例而言，可需要單一蜂巢式電話使用用於蜂巢式 電話之WCDMA、CDMA、GSM、EDGE及LTE標準中之任 一者或全部在由蜂巢式服務提供者分配給此等通信的若干 頻帶中之任一者上進行通信。 支援每一模式及頻帶之射頻（RF)電路通常必須滿足不同 的時*衝突之設計約束。舉例而言，在GSM中，關於傳送 電路之輸出功率要求相對較高，且頻帶外混附發射要求相 i較嚴格然而，GSM信號的峰值對平均值之比相 對較小，因此不向傳送器電路要求高度線性。另一方面， WCDMA信號之par相對較大，你 祁灯权九，從而要求傳送器具有高度 為了適應由器件支援之各種標準及頻帶的不同rf要求， 通常在同一器件中提供多個傳送（丁 χ)信號路徑每一 路徑針對-特定標準/頻帶而設計。&需要在單一器件°中 件電路(諸如，波器及放大器)複製多次，從 而導致較大晶粒面積及較高成本1需要具有用 根據多個標準及/或頻帶靈活操作同時避免組件電路：不 I42375.doc 201012082 必要複製之無線通信器件的技術。 【發明内容】 本發明之一態樣提供一種用於配置一用於一通信器件之 傳送器的方法，該方法包含：將一傳送（τχ)信號提供至一 前驅動放大器（pDA)之輸入端，該pDA具有一pDA輸出， 該pDA藉由一 pDA控制信號選擇性地接通及斷開；將該 pDA輸出耦接至一驅動放大器（DA)之輸入，該DA具有一 DA輸出；提供一使pDA輸入及pDA輸出分流之旁路開關， 該旁路開關由一旁路控制信號控制；在一第一操作模式期 間，設定該旁路控制信號以接通該旁路開關，且設定該 pDA控制信號以斷開該pDA ;及在一第二操作模式期間， 設定該旁路控制信號以斷開該旁路開關，且設定該pDA控 制信號以接通該pDA。 本發明之另一態樣提供一種用於一通信器件之傳送器裝 置，該裝置包含：一前驅動放大器（pDA)，其具有一耦接 至一傳送（TX)信號之pDA輸入，該pDA具有一 pDA輸出， 該pDA藉由一 pDA控制信號選擇性地接通及斷開；一驅動 放大器（DA)，其具有一耦接至該pDA輸出之DA輸入，該 DA具有一 DA輸出；一旁路開關，其使該pDA輸入及該 pDA輸出分流，該旁路開關由一旁路控制信號控制，該旁 路控制信號經配置以在一第一操作模式期間設定該旁路控 制信號以接通該旁路開關並斷開該pDA且在一第二操作模 式期間設定該旁路控制信號以斷開該旁路開關並接通該 pDA。 142375.doc -4- 201012082 本發明之又一態樣提供一種用於一通信器件之傳送器裝 置，該裝置包含：一前驅動放大器（pDA)，其具有一耦接 至一傳送（TX)信號之PDA輸入，該PDA具有一pE)A輸出， 該PDA藉由一 PDA控制信號選擇性地接通及斷開；一驅動 . 放大器（DA) ’其具有一耦接至該pda輸出之DA輸入，該 DA具有一DA輸出；及用於在一第一操作模式期間旁繞該 pDA並斷開該pDA且在一第二操作模式期間不旁繞該pDA 並接通該PDA的構件。 本發明之又一態樣提供一種用於配置一用於一通信器件 之傳送器的方法，該方法包含：將一傳送（τχ)信號提供至 一驅動放大器（DA)之輸入端，該DA具有一 DA輸出；將該 DA輸出耦接至複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外 連接件將該DA輸出耦接至一組晶片外組件，每一晶片外 連接件包含一將該DA輸出耦接至對應晶片外連接件之對 應曰曰片外連接件開關；及基於一晶片外連接件控制信號而 φ 啟用該複數個可選擇晶片外連接件中之至少一者。 本發月之又—態樣提供一種用於一通信器件之傳送器裝 置，該裝置包含：一驅動放大器（DA) ’其具有一 1)八輸 出’複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外連接件將該 DA輸出麵接至—組晶片外組件，每-晶片外連接件包含 -將該DA輸以接至對應晶片外連接件之對應晶片外連 接件開關，及—晶片外連接件控制信號，其用於接通該複 數個可選擇晶片外連接件中之至少-者。
A 一態樣提供一種用於一通信器件之傳送器裝 142375.doc -5- 201012082 置，該裝置包含：一驅動放大器（DA)，其具有一 DA輪 出；及用於選擇性地將該DA輸出耦接至複數個晶片外連 接件中之一者的構件。 【實施方式】 圖1描繪一用於通信電路之先前技術傳送器（τχ)信號路 徑之實施。在圖1中，將基頻輸入信號BBj(同相）及 BB_Q(正交相）提供至低通濾波器1〇3 3*^3 2。將該等低 通濾波器之輸出信號提供至混頻器1〇41及1〇4 2，混頻器 104.1及104.2藉由將經濾波之基頻信號分別乘以本端振盪 ❹ 器仏號LO_I及LO一Q而將其調變至較高頻率。將混頻器 104.1及104.2之差分輸出組合並耦接至平衡_不平衡轉換器 101之平衡-不平衡轉換器主元件101.1。平衡-不平衡轉換 器101亦包括一電磁耦合至平衡_不平衡轉換器主元件1〇11 之平衡_不平衡轉換器次元件101.2。平衡-不平衡轉換器 101用以將跨越平衡_不平衡轉換器主元件1〇11之差分信號 轉換成在平衡-不平衡轉換器次元件101.2之節點101.2a處 的單端型信號，其中平衡_不平衡轉換器次元件1012之另❿ 筇”έ 101.2b麵接至接地電麼。在圖i中，平衡-不平衡轉 換器主元件及次元件展示為互麵合之電感器，但本發明之 技術·.’、需限於作為互麵合之電感器的平衡_不平衡轉換器 之實施。 · 在圖1中，平衡-不平衡轉換器次元件1〇1 2之節點1〇1 2a 月J驅動放大器（pDA)12〇，繼之以驅動放大器 (DA)13〇。在一馆香*左/丨-u ’貫施例中，可使用DA 130之輸出來經由 142375.doc -6 - 201012082 晶片外連接件140驅動功率放大器（PA)及/或其他晶片外組 件。在一項實施中，DA 130之輸出可在無額外功率放大級 之況下直接驅動晶片外天線以用於進行空中信號傳送。 般熟習此項技術者將認識到，晶片外連接件14〇可以 多種方式實施，包括實施為襯墊、凸塊、接腳等。本發明 之技術不意欲限於晶片外連接件之任何特定實施。 一般熟習此項技術者亦將認識到，僅出於說明目的而展 示圖1之TX信號路徑中的組件，且TX信號路徑通常可使用 未圖示之許多替代架構中之任一者而實施。舉例而言， TX信號路徑可省略平衡·不平衡轉換器元件1〇1且/或採用 未圖示之額外濾波器及增益元件。預期本發明之技術適用 於未圖示之此等替代架構。 圖1A描繪傳送器之一特定實施，其中pDA 120包括一串 接共源極開沒極放大器’其中NMOS電晶體120.1及120.2 形成串接放大級’電感器121形成pD A 120之汲極處的負載 且PMOS開關122耦接至控制信號ΕΝΓ以用於選擇性地啟用 或停用pDA 120。pDA 120之輸出經由電容器125而AC耦合 至後續DA 130之輸入。 在圖1A中，DA 130同樣經實施為一串接共源極開汲極 放大器，其中NMOS電晶體130.1及130.2形成串接放大 級’電感1 3 1形成D A 13 0之没極處的負載且Ρ Μ O S開關 132耦接至控制信號ΕΝ21以用於選擇性地啟用或停用DA 130。DA 130之輸出耦接至晶片外連接件14〇以將經放大之 信號傳遞至晶片外組件（例如，表面聲波（SAW)濾波器或功 142375.doc 201012082 率放大器（PA))。 注意，K1A之特定實施僅出於說明目❾而展示，且不意 欲將本發明之技術限制於所展示之任何特定電路。替代實 施可使用用於pDA及DA之其他電路拓撲（例如，基於反相 器之放大器架構）。亦可使用用於選擇性地啟用pDA及da 之其他機構（例如，與pDA或DA串聯耦接之電晶體開關）。 在一項實施例（未圖示）中，可藉由分別接入或關斷與電晶 體120.1及130.1中之每一者相關聯之偏壓電壓或電流而各 自啟用或停用pDA及DA。此外，電晶體12〇 2及13〇 2之閘 極電壓可選擇性地耦接至VDD或接地，以分別接通或斷開 串接放大器。應用此等技術可避免對圖1A中之開關122及 132之需要（此原本可能不合需要地降低在放大器之輸出端 處可得的電壓擺動預期此等替代實施處於本發明之範 疇内。 一般熟習此項技術者將認識到，通常可藉由（例如）控制 電晶體器件大小及/或放大器偏壓電流來選擇pDA及DA級 之增益。 在針對特定無線標準及/或操作頻帶之設計中，關於在 接收（RX)頻帶中的由TX鏈產生之容許雜訊之規範可為尤 其嚴格的。舉例而言’在用於支援WCDMA/CDMA(寬頻分 碼多重存取/分碼多重存取）標準之一些頻帶中情況可能係 如此。在此等情形下，RX頻帶中之無線器件之雙工器抑 制通常係不充分的，且可能進一步要求TX信號路徑中之 外部SAW濾波器充分地移除RX頻帶中的由τχ電路產生之 142375.doc 201012082 頻帶外雜訊。 圖1B描繪利用外部SAW濾波器之此實施。在圖1B中， 圖1之TX信號路徑進一步耦接至SAW濾波器150及PA 160。 PA 160在經由雙工器170及天線180以空中方式進行傳送之 前放大TX信號。外部SAW濾波器150用以衰減來自待傳送 之信號之頻帶外發射。SAW濾波器150可包括於以下實施 中：例如，在RX頻帶中由雙工器170提供的對TX信號之衰 減係不充分的。 在圖1B中，雖然SAW濾波器150有助於衰減TX信號中之 頻帶外發射，但其亦可能將非吾人所樂見之衰減引入至頻 帶内TX信號。在此等情形下，pDA 120可提供額外增益以 補償SAW濾波器150之頻帶内衰減。然而，注意，pDA 120 自身可能將非吾人所樂見之非線性失真及頻帶外雜訊引入 至TX信號。 在針對特定替代無線標準及/或操作頻帶之設計中，關 於在RX頻帶中的由TX鏈產生之容許雜訊之規範的嚴格程 度可較低。舉例而言，在WCDMA/CDMA及/或GSM/EDGE 標準之特定頻帶中，情況可能係如此，其中RX頻帶中的 無線器件之雙工器抑制被認為係充分的。在此等設計中， 可省略外部SAW濾波器150以節省成本，同時亦可省略 pDA，因為不需要由pDA提供之額外增益。圖1C描繪關於 此應用之傳送器實施，其中平衡-不平衡轉換器次元件 101.2之節點101.2a經由電容器125直接耦接至DA 130而並 不首先耦接至pDA。 142375.doc 201012082 為了支援跨越多個無線標準及/或頻帶之漫遊，無線器 二牛之傳送器電路必須能夠滿足複數個替代的可能衝突之設 计規範’如上文所描述。詳言之，用於一個頻帶之傳送器 電路可能需要外部SA赠波器及pDA用於獲得充分雜訊抑 制及增益，而用於另-頻帶之傳送器電路可能不需要外部 SAW攄波ϋ及pDA詩獲得充分純及雜訊抑制。在先前 技術中’通常藉由提供TX信號路徑之多個例項來實施此 多頻帶/多模式傳送器電路。舉例而言，單―傳送器電路 除併有經設計以支援無外部SAW濾波器2Τχ電路之一例 項（如圖1C中所描纷）等之外’亦可併有經設計以支援外部 SAW濾波器之丁又電路之一例項，如圖⑺中所描繪。雖然 併有TX電路之多個例項提供在支援多個標準及/或頻帶上 之靈活性，但其在晶粒面積及成本方面亦係低效的，因為 相同電路必須複製多次。 根據本發明，可使得τχ信號路徑之特定組件可視操作 模式的要求而配置以為多標準/多頻帶傳送器電路節省晶 粒面積及成本。 圖2描繪根據本發明之可配置τχ信號路徑之實施例。在 圖2中，PDA 120之輸入及輸出由旁路開關2〇〇分流。開關 2〇〇耦接至控制信號A1。 在一種模式下，可藉由使用控制信號八丨接通開關2〇〇而 旁繞PDA 120，以使得平衡-不平衡轉換器1〇1之節點1〇1 & 經由電容器125直接耦接至DA 130之輸入。如先前參看圖 1B所描述’在根據一不需要外部saw濾波器之標準或頻帶 142375.doc •10· 201012082 的傳送n電路之操作期間，旁繞pDA模式可為有利的“士 合藉由開關綱旁繞之pDA12G，料使用—對應控制信號 (未圖不）使該pDA 12〇斷電。藉由在旁繞pDA操作期間停用 PDA 120，可節省原本將由該pDA 12〇消耗之功率，藉此提 供一可配置低功率傳送器電路。 在一替代模式中，藉由使用控制信號A1斷開開關2〇〇， PDA I20可保留於TX電路中以用於在外部SAW濾波器經提 供之模式或頻帶中操作，如先前參看圖⑺所描述。此外， 結合保留於TX信號路徑中之pDA 12〇，可使用一對應控制 信號（未圖示）使該pDA 120通電。 圖2A描繪如NMOS電晶體200A的旁路開關200之特定實 施例。在圖2A中，NMOS開關200A之大小可經選擇以平衡 線性、增益及雜訊考量因素。舉例而言，Nm〇S開關200A 之較大大小可降低開關之接通電阻，此有利於最小化由開 關引入至TX信號的衰減。然而，較大開關大小亦可能增 加在接通或斷開開關時的負載電容，此可降低節點i 0丨2a 處之平衡-不平衡轉換器-電容組合之諧振頻率。較大開關 大小亦可能降低開關之反向隔離（例如，增加S12參數）， 從而經由輸出端至輸入端之回饋導致pDA中的電位不穩定 性。一般熟習此項技術者將認識到，可經由（例如）電腦電 路模擬來判定NMOS開關200A之最佳大小。在一實施例 中，由NMOS開關200A引入之接通電阻可小於1歐姆，而 開關之S12參數可小於-20 dB以確保pDA之穩定性。在一實 施例中，開關可經設計成在複數個頻率範圍（預期開關在 142375.doc 201012082 該等頻率範圍中操作）中之最高頻率下滿足必要準則。 圖2A不意欲將本發明之範疇限制於所展示之任何開關實 施例。一般熟習此項技術者將瞭解，開關200可以多種替 代方式實施，包括PMOS開關，或使用諸如此項技術中熟 头之T型開關拓撲之拓撲。預期此等替代實施例處於本發 明之範疇内。 圖3描繪本發明之另一態樣，其中DA 13〇之輸出耦接至 複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外連接件將電 路耦接至一不同組的晶片外組件。在圖3中，第一晶片外肇 連接件220.1藉由包括開關3〇〇1之選擇電路耦接至da 13〇 之輸出。類似地，第二晶片外連接件22〇 2至第]^晶片外連 接件22〇·Ν分別藉由包括開關300.2至300.N之選擇電路耦 接至DA 13 0之輸出。開關3〇〇二至“❹Ν中之每一者分別耦 接至控制信號C1至CN，以選擇性地接通或斷開每一對應 開關。在圖3中’參數!^可為對於本發明之特定實施例中所 支援的晶片外組件之不同組之數目為特定的任意數目。 在圖3中，每—晶片外連接件22〇1至2則分別耗接至鬱 個別組之晶片外组件250.1至25〇;^。在一 晶片外組件25_可包括經設計用於根據（例如^ 同無線標準、操作模式、頻帶等之操作的晶片外電路。舉 例而言，晶片外組件25(M包括一耗接至功率放大器心 . 24(U之外部SAW遽波器从们23〇ι，而晶片夕卜組件細n 包括-功率放大器PAN 24()期不包括SAW遽波器。一般 熟習此項技術者將認識到，根據本發明，任何數目N之晶 142375.doc 12 201012082 片外連接件可耦接至DA輸出。一般熟習此項技術者亦將 認識到，一組晶片外組件可進一步包括未展示於圖3中之 且件（例如，其他濾波器、天線、匹配網路等）。 圖3 A描繪參看圖3而描述之技術之實施例，其以耦接至 五個可選擇晶片外連接件之開關的特定實施為特徵。注 意，圖3 A中所展示之實施例僅出於說明目的，且不意欲將 本發明之技術限制於所展示的任何特定數目之晶片外連接 件、開關或可配置模式。 在圖3A中，選擇電路包括一將DA輸出耦接至晶片外連 接件220.1之PM0S開關21〇1及一將晶片外連接件22〇」耦 接至接地之NMOS接地開關215.1。晶片外連接件22〇2至 220.5類似地具有對應選擇電路。注意’開關21〇1至21〇5 係藉由設定對應控制信號（:厂至C5,（此等控制信號表示在極 性上與圖3中描繪之控制信號c〗至c N互補之信號）而選擇 性地接通或斷開。舉例而言，為了選擇性地將DA 13〇之輸 出耦接至晶片外連接件220.1，接通PMOS開關210.1且斷開 PMOS開關210.2至210.5。類似地，斷開地開關 215.1且接通NMOS接地開關215.2至215.5。藉由在任何時 間僅選擇性地啟用晶片外連接件肀之一者，da 130之輸出 可在多組晶片外組件之間進行多路傳送而不過度加載DA 13 0之輸出。 為了降低開關210.1至210.5之插入損耗，可提供電阻器 R1至R5以將PMOS電晶體之塊體麵接至供應電壓vdd。在 一實施例中’開關210.1至210.5可為高電壓、厚氧化物 142375.doc -13- 201012082 PMOS電晶體。在「斷開」狀態下，控制電壓^,至匸5，可 具有高於驅動放大器（DA)130之供應電壓VDD之對應電壓 位準的電壓位準。當DA 130之輸出電壓擺動高於VDD時 (例如，在使用加載電感器之共源極放大器拓撲之DA電路 中），此可為有利的。 在圖3A中，PMOS開關21〇1至21〇5之大小可經選擇以 平衡線性、增益及雜訊考量因素。舉例而言，較小器件大 小導致多個晶片外連接件之間的較佳隔離但導致較高插入 才貝耗。另一方面，較大器件大小導致較低插入損耗但導致 較差隔離。可考慮參考圖2At2NM〇s開關2〇〇A而描述之 因素來選擇開關之大小。一般熟習此項技術者將認識到， 可經由（例如）電腦電路模擬來判定PM〇S開關2丨〇·丨至2丨〇 5 之最佳大小。 一般熟習此項技術者將瞭解，可使用未展示於圖3A中之 替代開關類型及架構來實施圖3中所描緣之開關3〇〇1至 300.N。舉例而言，在替代實施例中，可替代圖3A中展示 之PMOS電晶體210.1至210.5而使用厚氧化物NMOS電晶 體。在此實施例中，DA 130之輸出可經由對應AC耦合電 容器（未圖示）而耦接至每一NMOS開關電晶體。預期此等 替代開關實施處於本發明之範_内。 圖4展示用於圖2及圖3中所描繪之傳送器電路之可能配 置設定的實例。根據設定#1，控制信號，pDA啟 用信號pDAEN(諸如，圖1A中之EN1)為HI，且對應於C1之 晶片外連接件經接通。在此設定中，pDA 120係在作用 142375.doc -14- 201012082 中，外部SAW濾波器SAWl 230.1耦接至DA輸出，且經 SAW濾波之輸出經提供至功率放大器PA1 240.1。可見對 應於設定#1之TX信號路徑具有與圖1B中描繪之TX信號路 徑相同的特性。對應於設定#1之TX信號路徑可用於支援 (例如）根據WCDMA標準在900 MHz之操作頻率範圍下進行 的TX操作，如在「實例模式」行下所列出。 根據設定#2，控制信號A1為HI，pDA EN為LO，且對應 於C2之晶片外連接件經接通。在此設定中，旁繞pDA 120，提供外部SAW濾波器SAW2 230.2，且經濾波之輸出 經提供至功率放大器PA2 240.2。對應於設定#2之TX信號 路徑可用於支援（例如）根據CDMA IX及/或LTE(長期演進） 標準在700 MHz之操作頻率範圍下進行的TX操作。 根據設定#3，控制信號A1為HI，pDA EN為LO，且對應 於C3之晶片外連接件經接通。在此設定中，旁繞pDA 120，不提供外部SAW濾波器，且DA輸出直接耦接至功率 放大器PA3 240.3。可見對應於設定#3之TX信號路徑具有 與圖1 C中描繪之TX信號路徑相同的特性。對應於設定#3 之TX信號路徑可用於支援（例如）根據GSM/EDGE標準進行 之TX操作。 根據設定#4，控制信號A1為HI，pDA EN為LO，且對應 於C4之晶片外連接件經接通。在此設定中，旁繞PDA 12〇，不提供外部SAW濾波器，且DA輸出直接耦接至功率 放大器PA4 240.4。可見對應於設定#4之TX信號路徑具有 與圖1C中描繪之TX信號路徑相同的特性。對應於設定#4 I42375.doc •15- 201012082 之TX信號路徑可用於支援（例如）根據CDMA IX標準進行之 TX操作。 根據設定#5，控制信號A1為LO，pDA EN為HI，且對應 於C5之晶片外連接件經接通。在此設定中，pDA 120係在 作用中，不提供外部SAW濾波器，且DA輸出直接耦接至 功率放大器PA5 240.5。對應於設定#5之TX信號路徑可用 於支援（例如）根據WCDMA標準在PCS(個人通信服務）頻率 下進行之TX操作。 藉由選擇諸如圖4中所展示之配置設定，圖2及圖3中所 描繪之傳送器架構允許使用傳送器電路之單一例項的多模 式/多頻帶操作，同時提供多個晶片外連接件用於多標準 及漫遊應用。 圖5描繪根據本發明之一方法之實施例。注意，圖5中所 展示之實施例僅意欲為說明性的，且不意欲將本發明之範 疇限制於所展示之任何特定實施例。此外，圖5中所展示 之步驟的次序不應被解釋為將所揭示技術限制於各步驟之 任何特定序列。 在圖5中，在步驟500處，將一TX信號提供至pDA之輸入 端。在步驟510處，將pDA輸出耦接至DA之輸入。在步驟 520處，提供一使pDA輸入及pDA輸出分流之旁路開關。在 步驟530處，在第一操作模式期間，藉由該旁路開關旁繞 該pDA並斷開該pDA。在步驟540處，在第二操作模式期 間，不旁繞該pDA並接通該pDA。在步驟550處，選擇性地 將DA輸出耦接至複數個晶片外連接件中之至少一者以用 142375.doc -16- 201012082 於進一步處理，如本文中先前所揭示。 基於本文中所描述之教示，應顯而易見，本文中所揭示 之一態樣可獨立於任何其他態樣來實施，且可以各種方式 來組合此等態樣中之兩者或兩者以上。在一或多個例示性 實施例中，所描述之功能可以硬體、軟體、韌體或其任何 ，組合來實施。若以軟體實施，則可將功能作為一或多個指 令或程式碼儲存於電腦可讀媒體上或經由電腦可讀媒體來 傳送。電腦可讀媒體包括電腦儲存媒體及通信媒體兩者， 通信媒體包括促進將電腦程式自一處傳送至另一處之任何 媒體儲存媒體可為可由電腦存取之任何可用媒體。作為 實例且並非限制，此等電腦可讀媒體可包含ram、 ROM、EEPROM、CD_ROM或其他光碟儲存器、磁碟儲存 器或其他磁性儲存器件，或可用於以指令或資料結構之形 式載運或儲存所要程式碼且可由電腦存取的任何其他媒 體。又，適當地將任何連接稱為電腦可讀媒體。舉例而 • 言’若使用同軸電規、光纖電欖、雙絞線、數位用戶線 (DSL)或諸如紅外線、無線電及微波之無線技術而自網 站、飼服器或其他遠端源傳送軟體，則同袖電纔、光纖電 纜、雙絞線、DSL或諸如红冰始、紅& Λ 乂 4如紅外線無線電及微波之無線技 術包括於媒體之定義中。如本文中所使用之磁碟及光碟包 括緊密光碟（CD)、雷射光碟、光碟、數位化通用光碟 (DVD)、軟性磁碟及藍光光碟’其中磁碟通常以磁性方式 再生資料，而光碟用雷射以光學方式再生資料。以上各項 之組合亦應包括於電腦可讀媒體之範疇内。 142375.doc 17 201012082 在本說明書及申請專利範圍中，應理解，當一元件被稱 作「連接至」或「耦接至」另一元件時，其可直接連接至 或耦接至該另一元件或可存在介入元件。與此相反，當一 元件被稱作「直接連接至」或Γ直接麵接至」另一元件 時’不存在介入元件。 已描述許多態樣及實例。然而，對此等實例之各種修改 為可能的，且本文提出之原理同樣可應用於其他態樣。此 等及其他態樣處於以下申請專利範圍之範疇内。 【圖式簡單說明】 圖1描繪一用於通信電路之先前技術傳送器（τχ)信號路 徑之實施。 圖1Α描繪諸如參看圖i而描述之先前技術τχ信號路徑之 特定實施。 圖1Β描繪圖信號路徑進一步耦接至SAw濾波器 150及PA 160之實施。 圖1C描繪省略pDA及外部SAW濾波器兩者之τχ信號路 徑實施。 圖2描繪根據本發明之可配置τχ信號路徑之實施例。 圖2Α描繪旁路開關（如NM〇s電晶體）之特定實施例。 圖3描繪本發明之另一態樣，其中DA 13〇之輸出耦接至 複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外連接件將τχ電 路耗接至一不同組的晶片外組件。 圖3 Α描繪參看圖3而描述之技術之實施例其以耦接至 複數個可選擇晶片外連接件之開關的特定實施為特徵。 142375.doc 201012082 圖4展示用於圖2及圖3中所描繪之傳送器電路之可能配 置設定的實例。 圖5描繪根據本發明之一方法之實施例。 【主要元件符號說明】 101 平衡-不平衡轉換器 101.1 平衡-不平衡轉換器主元件 101.2 平衡-不平衡轉換器次元件 101.2a 節點 ® 101.2b 節點 103.1 低通濾波器 103.2 低通滤波器 104.1 混頻器 104.2 混頻器 120 前驅動放大器（pDA) 120.1 NMOS電晶體 120.2 W NMOS電晶體 121 電感器 122 PMOS開關 ' 125 電容器 . 130 驅動放大Is (DA) 130.1 NMOS電晶體 130.2 NMOS電晶體 13 1 電感器 132 PMOS開關 142375.doc -19- 201012082 140 晶片外連接件 150 SAW濾波器 160 功率放大器（PA) 170 雙工器 180 天線 200 旁路開關 200A NMOS電晶體/NMOS開關 210.1 PMOS開關 210.2 PMOS開關 210.3 PMOS開關 210.4 PMOS開關 210.5 PMOS開關 215.1 NMOS接地開關 215.2 NMOS接地開關 215.3 NMOS接地開關 215.4 NMOS接地開關 215.5 NMOS接地開關 220.1 第一晶片外連接件 220.2 第二晶片外連接件 220.3 晶片外連接件 220.4 晶片外連接件 220.5 晶片外連接件 220.N 第N晶片外連接件 230.1 外部SAW濾波器SAW1 142375.doc -20- 201012082 230.2 外部SAW濾波器SAW2 240.1 功率放大器PA1 240.2 功率放大器PA2 240.3 功率放大器PA3 240.4 功率放大器PA4 240.5 功率放大器PA5 240.N 功率放大器PAN 250.1 晶片外組件 胃 250.2 晶片外組件 250.3 晶片外組件 250.4 晶片外組件 250.5 晶片外組件 250.N 晶片外組件 300.1 開關 300.2 開關 300.N 開關 A1 控制信號 BB_I 基頻輸入信號 BB_Q 基頻輸入信號 Cl 控制信號 C2 控制信號 CN 控制信號 Cl' 控制信號 C2' 控制信號 142375.doc -21 - 201012082 C3' 控制信號 C4' 控制信號 C5， 控制信號 ΕΝΓ 控制信號 EN2’ 控制信號 LO_I 本端振盪器信號 LO_Q 本端振盪器信號 R1 電阻器 R2 電阻器 R3 電阻器 R4 電阻器 R5 電阻器 VDD 供應電壓 142375.doc -22-

Claims (1)

  1. 201012082 七、申請專利範圍： 1. 一種用於配置一用於一通信器件之傳送器之方法，該方 法包含： 將一傳送（TX)信號提供至一前驅動放大器（pDA)之輸 入端，該pDA具有一 pDA輸出，該pDA藉由一 pDA控制信 號選擇性地接通及斷開； 將該pDA輸出耦接至一驅動放大器（DA)之輸入，該DA 具有一 DA輸出； # 提供一使pDA輸入及該pDA輸出分流之旁路開關，該 旁路開關由一旁路控制信號控制； 在一第一操作模式期間，設定該旁路控制信號以接通 該旁路開關，且設定該pDA控制信號以斷開該pDA ;及 在一第二操作模式期間，設定該旁路控制信號以斷開 該旁路開關，且設定該pDA控制信號以接通該pDA。 2. 如請求項1之方法，該旁路開關包含一 NMOS電晶體。 3. 如請求項1之方法，該第二操作模式包含使用一外部 W SAW濾波器進一步對該DA之該輸出進行濾波。 4. 如請求項1之方法，該設定該pDA控制信號以斷開該pDA - 包含斷開一將該pDA耦接至一電壓供應器之pDA開關電 晶體，該設定該pDA控制信號以接通該pDA包含接通該 pDA開關電晶體。 5. 如請求項4之方法，該pDA開關電晶體為一 PMOS電晶 體。 6. 如請求項5之方法，該pDA包含一共源極串接放大器級， 142375.doc 201012082 U極串接放大器級轉接至—電感器負載，該pDA開 7如請求項6之方法，該τχ信號經由一第一耦合電容器而 輕接至該共源極串接放大器級之輸人，該共源極串接放 大器級之輸出經由一第二耦合電容器而耦接至該DA。 8·如請求項1之方法，該ΤΧ信號係由一平衡-不平衡轉換器 之一單端型元件產生，該平衡-不平衡轉換器之該單端型 元件輕接至該平衡·不平衡轉換器之—差分元件，該平 衡不平衡轉換器之該差分元件麵接至升頻轉換混頻器。 9.如請求項1之方法，其進一步包含： 將該DA輸出耦接至複數個可選擇晶片外連接件，每一 晶片外連接件將該DA輸出耦接至一組晶片外組件，每一 曰曰片外連接件包含一將該DA輸出耦接至該對應晶片外連 接件之對應晶片外連接件開關；及 基於一晶片外連接件控制信號而啟用該複數個可選擇 晶片外連接件中之至少一者。 10·如請求項9之方法，其進一步包含在該第二操作模式期 間啟用將§亥DA輸出麵接至包括一表面聲波（SAW)渡波 器之一組晶片外組件的晶片外連接件。 11. 如請求項10之方法，該第二操作模式對應於根據 WCDMA標準在900 MHz之一頻率範圍下進行的丁乂操 作。 12. 如請求項9之方法，其進一步包含在該第一操作模式期 間啟用一將該DA輸出耦接至包括一表面聲波（SAW)濾波 142375.doc 201012082 器之一組晶片外組件的晶片外連接件。 求項12之方法，該第一操作模式對應於根據CDMA IX或LTE標準在700 MHz之一頻率範圍下進行的操 作。 '、 .14·如請求項10之方法’其進一步包含在該第一操作模式期 . 自啟用—將该DA輸出輕接至不包括-SAW濾、波器之一組 晶片外組件的晶片外連接件。 φ I5.如明求項14之方法，該第一操作模式對應於根據 GSM/EDGE標準進行之丁乂操作。 16. 如請求们4之方法，該第—操作模式對應於根據⑶黯 IX標準進行之TX操作。 17. 如請求項H)之方法，其進—步包含在該第二操作模式期 間啟用-將該DA輸出耗接至不包括一 _遽波器之一組 晶片外組件的晶片外連接件。 18. 如請求項17之方法，該第二操作模式對應於根據 • WCDM·準在一 Pcs頻率範圍下進行之TX操作。 19. 如請求項14之方法，該轉該等可選擇晶片外連接件中 之至少-者包含接通一對應晶片外連接件開關。 2〇·如請求項19之方法’該選擇該等可選擇晶片外連接件中 之至少-者進-步包含斷開不與該選定晶片外連接件相 關聯之至少一晶片外連接件開關。 如奢求項2G之方法’每—晶片外連接件開關包含一將該 DA輸出⑽至該對應晶片外連接件之觸㈣晶體。 22·如請求項21之方法，每-晶片外連接件進一步包含—將 142375.doc 201012082 該晶片外連接件耦接至接地之晶片外連接件接地開關。 23. 如請求項22之方法，該晶片外連接件接地開關包含一 NMOS電晶體。 24. 如請求項23之方法，該選擇該等可選擇晶片外連接件中 之至少一者包含斷開一對應晶片外連接件接地開關。 25. 如請求項24之方法，該選擇該等可選擇晶片外連接件中 之至少一者包含接通不與該選定晶片外連接件相關聯之 至少一晶片外連接件接地開關。 26. 如請求項21之方法，每一晶片外連接件之該PMOS電晶 體之塊體經由一電阻器而辆接至一電源電壓。 27. —種用於一通信器件之傳送器裝置，該裝置包含： 一前驅動放大器（pDA)，其具有一耦接至一傳送（TX) 信號之pDA輸入，該pDA具有一 pDA輸出，該pDA藉由一 pDA控制信號選擇性地接通及斷開； 一驅動放大器（DA)，其具有一耦接至該pDA輸出之DA 輸入，該DA具有一 DA輸出； 一旁路開關，其使該pDA輸入及該pDA輸出分流，該 旁路開關由一旁路控制信號控制，該旁路控制信號經配 置以在一第一操作模式期間設定該旁路控制信號以接通 該旁路開關並斷開該pDA且在一第二操作模式期間設定 該旁路控制信號以斷開該旁路開關並接通該pDA。 28. 如請求項27之裝置，該旁路開關包含一NMOS電晶體。 29. 如請求項27之裝置，該pDA控制信號耦接至一將該pDA 耦接至一電壓供應器之pDA開關電晶體。 142375.doc -4- 201012082 夂項29之裝置，該pDA開關電晶體為一電晶 體。 月求項30之裝置’該pDA包含一共源極串接放大器 、、源極串接放大器級耦接至一電感器負載’該 • Ρ〇Α開關電晶體將該電感器_接至一電壓供應器。 .★求項31之裝置，該τχ信號經由—第—耦合電容器而 ⑽該八源極串接放大器級之輸入該共源極串接放 大器級之輸出經由—坌 • 由第一耦合電容器而耦接至該DA。 33.如請求項27之裝置，其進一步包含·· 抑-平衡_不平衡轉換器’其包含一叙接至一差分元件之 單端型元件；及 。升頻轉換混頻器，其祕至該平衡.不平衡轉換器該 平衡-不平衡轉換器之該差分元件產生該τχ信號。 34·如請求項27之裝置，其進一步包含： 複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外連接件將該 DA輸出㈣至-組晶片外組件，每—晶片外連接件包含 -將該DA輸出叙接至該對應晶片外連接件之對應晶片外 連接件開關，·及 擇晶片外連接件中之至少一者 35.如請求項34之裝置，在一第二操作模式期間， 連接件將該DA輸出耦接至包括一 SAW濾波器之 外組件。 36.如請求項34之裝置，在—第一操作模式期間一晶片外 片外連接件控制信號，其用於接通該複數個可選 晶片外 組晶片 142375.doc 201012082 連接件將該DA輸出耦接至不包括一 SAW濾波器之一組晶 片外組件。 37.如請求項34之裝置，每一晶片外連接件開關包含一將該 DA輸出耦接至該對應晶片外連接件之PMOS電晶體。 3 8.如請求項37之裝置，每一晶片外連接件進一步包含一將 該晶片外連接件耦接至接地之晶片外連接件接地開關。 39. 如請求項37之裝置，每一晶片外連接件之該PMOS電晶 體之塊體經由一電阻器而辆接至一電源電壓。 40. —種用於一通信器件之傳送器裝置，該裝置包含： 一前驅動放大器（pDA)，其具有一耦接至一傳送（TX) 信號之pDA輸入，該pDA具有一 pDA輸出，該pDA藉由一 pDA控制信號選擇性地接通及斷開； 一驅動放大器（DA)，其具有一耦接至該pD A輸出之D A 輸入，該DA具有一 DA輸出；及 用於在一第一操作模式期間旁繞該pDA並斷開該pDA 且在一第二操作模式期間不旁繞該pDA並接通該pDA的 構件。 41. 如請求項40之裝置，其進一步包含用於選擇性地將該DA 輸出耦接至複數個晶片外連接件中之一者的構件。 42. —種用於配置一用於一通信器件之傳送器之方法，該方 法包含： 將一傳送（TX)信號提供至一驅動放大器（DA)之輸入 端，該DA具有一 DA輸出； 將該DA輸出耦接至複數個可選擇晶片外連接件，每一 142375.doc -6- 201012082 晶片外連接件將該DA輸出耦接至一組晶片外組件，每一 晶片外連接件包含一將該DA輸出耦接至該對應晶片外連 接件之對應晶片外連接件開關；及 基於一晶片外連接件控制信號而啟用該複數個可選擇 • 晶片外連接件中之至少一者。 ， 43.如請求項42之方法，該將該DA輸出耦接至複數個可選擇 晶片外連接件包含： 書 將該DA輸出耦接至複數個厚氧化物PMOS器件之及 極，每一 PMOS器件之源極耦接至該複數個可選擇晶片 外連接件中之一對應者；該啟用該複數個可選擇晶片外 連接件中之至少一者包含： 將一低電壓位準提供至對應於該經啟用之可選擇晶 片外連接件的該PMOS器件之閘極；及 將一高電壓位準提供至對應於未經啟用之該等可選 擇晶片外連接件的該等PMOS器件之閘極。 φ 44.如請求項43之方法，其進一步包含： 將該複數個可選擇晶片外連接件中之每一者耦接至一 對應NMOS器件之汲極，每一 NM〇s器件之源極耦接至一 接地電壓；該啟用該複數個可選擇晶片外連接件中之至 少一者包含： 將一低電廢位準提供至對應於該經啟用之可選擇晶 片外連接件的該NMOS器件之閘極；及 將一高電壓位準提供至對應於未經啟用之該等可選 擇晶片外連接件的該NMOS器件之閘極。 142375.doc 201012082 45 ·如清求項42之方法，該將該da輸出搞接至複數個可選擇 晶片外連接件包含： 經由對應AC耦合電容器將該〇Α輸出耦接至複數個厚 氧化物NMOS器件之汲極，每— NM〇s器件之源極耦接至 該複數個可選擇晶片外連接件中之一對應者；該啟用該 複數個可選擇晶片外連接件中之至少一者包含： 將一高電壓位準提供至對應於該經啟用之可選擇晶 片外連接件的該NMOS器件之閘極；及 將一低電壓位準提供至對應於未經啟用之該等可選 擇晶片外連接件的該等NMOS器件之閘極。 46. —種用於一通信器件之傳送器裝置，該裝置包含： 一驅動放大器（DA)’其具有一DA輸出； 複數個可選擇晶片外連接件，每一晶片外連接件將該 DA輸出耦接至一組晶片外組件’每一晶片外連接件包含 一將該DA輸出麵接至該對應晶片外連接件之對應晶片外 連接件開關；及 一晶片外連接件控制信號，其用於接通該複數個可選 擇晶片外連接件中之至少一者。 47. —種用於一通信器件之傳送器裝置，該裝置包含： 一驅動放大器（DA)，其具有一 DA輸出；及 用於選擇性地將該DA輸出耦接至複數個晶片外連接件 中之一者的構件。 142375.doc -8 -
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