JP5694458B2 - マルチモード構成可能な送信機回路 - Google Patents

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Description

本開示は、集積回路(IC)に関し、特に、マルチモード構成可能な送信機回路の設計のための技術に関する。
現代の無線通信デバイス(wireless communication device)は、いくつかの別個の通信プロトコル或いはスタンダードを用いて、複数の周波数レンジ或いは“帯(band)”にわたって信号送信及び受信をサポートする。例えば、単一のセルラー電話(cellular phone)が、セルラー電話法(cellular telephony)のための任意の或いは全てのWCDMA(登録商標)、CDMA、GSM(登録商標)、EDGE及びLTEスタンダードを用い、セルラーサービスプロバイダーによってそのような通信を割り当てられた任意のいくつかの周波数帯(frequency band)にわたって、通信をすることを要求されるかもしれない。
各モード及び周波数帯をサポートするラジオ周波数(RF)回路は、典型的には、異なったしばしば対立する設計制約を満たさなければならない。例えば、GSM(登録商標)では、送信回路に対する出力電力要求は相対的に高く、アウトオブバンドスプリアスエミッション(out-of-band spurious emission)要求は相対的に厳しい。しかしながら、GSM(登録商標)信号のピークトゥアベレージ比(PAR)は相対的に低く、そのため送信機回路からは高度の線形性は要求されない。一方、WCDMAのPARは相対的に高く、高度の線形性を有する送信機が指定される。
デバイスによってサポートされる種々のスタンダード及び周波数帯の異なったRF要求に適応させるために、複数の送信(transmit)(TX)信号パス(signal path)がしばしば同一のデバイス内において供給され、各信号パスは特定のスタンダード/周波数帯のために選定される。これは、TXフィルタ及び増幅器のようなあるコンポーネント回路が単一のデバイス内で何回も複製されることを要求し、高ダイエリア(die area)及び高コストにつながる。複数のスタンダード及び/又は周波数帯にしたがってフレキシブルに動作することができるとともに、コンポーネント回路の不必要な複製を避ける、無線通信デバイスを提供するための技術を持つことが要望される。
本開示の態様は、通信デバイス(communication device)の送信機(transmitter)を構成するための方法を提供し、前記方法は、送信(transmit)(TX)信号をプリドライバ増幅器(pDA)の入力に供給することであって、pDAがpDA出力を有し、pDAがpDA制御信号によって選択的に(selectively)ターンオン及びオフすることと、pDA出力をドライバ増幅器(DA)の入力に結合させることであって、DAがDA出力を有することと、pDA入力及びpDA出力をシャント(shunt)するバイパス(bypass)スイッチを供給することであって、バイパススイッチがバイパス制御信号によって制御されることと、動作の第1のモードの間に、バイパス制御信号がバイパススイッチをターンオンさせるように設定し、pDA制御信号がpDAをターンオフさせるように設定することと、動作の第2のモードの間に、バイパス制御信号がバイパススイッチをターンオフさせるように設定し、pDA制御信号がpDAをターンオンさせるように設定することと、を備える。
本開示の他の態様は、通信デバイスのための送信装置を提供し、前記装置は、送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、pDA入力及びpDA出力をシャントし、バイパス制御信号によって制御されるバイパススイッチであって、動作の第1のモードの間にバイパススイッチをターンオンさせ且つpDAをターンオフさせるようにバイパス制御信号を設定し、動作の第2のモードの間にバイパススイッチをターンオフさせ且つpDAをターンオンさせるようにバイパス制御信号を設定するように、バイパス制御信号が構成されたバイパススイッチと、を備える。
本開示のさらに他の態様は、通信デバイスのための送信機装置を提供し、前記装置は、送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、動作の第1のモードの間にpDAをバイパスしpDAをターンオフさせ、動作の第2のモードの間にpDAをバイパスせずpDAをターンオンさせるための手段と、を備える。
本開示のさらに他の態様は、通信デバイスの送信機を構成するための方法を提供し、前記方法は、送信(TX)信号をドライバ増幅器(DA)の入力に供給することであって、DAがDA出力を有することと、DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションがDA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションがDA出力を対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、オフチップコネクション制御信号に基づいて複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと、を備える。
本開示のさらに他の態様は、通信デバイスのための送信機装置を提供し、前記装置は、DA出力を有するドライバ増幅器(DA)と、複数の選択可能なオフチップコネクションであって、各オフチップコネクションがDA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションがDA出力を対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備える複数の選択可能なオフチップコネクションと、複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをターンオンさせるオフチップコネクション制御信号と、を備える。
本開示のさらに他の態様は、通信デバイスのための送信機装置を提供し、前記装置は、DA出力を有するドライバ増幅器(DA)と、DA出力を複数のオフチップコネクションの1つに選択的に結合させるための手段と、を備える。
図1は、通信回路のための従来の送信機(TX)信号パスのインプリメンテーションを示している。 図1Aは、図1を参照して説明したような従来のTX信号パスの特定のインプリメンテーションを示している。 図1Bは、図1のTX信号パスがSAWフィルタ150及びPA160にさらに結合されている場合のインプリメンテーションを示している。 図1Cは、pDA及び外部SAWフィルタの両方が省かれている場合のTX信号パスのインプリメンテーションを示している。 図2は、本開示にしたがった構成可能なTX信号パスの態様を示している。 図2Aは、NMOSトランジスタのようなバイパススイッチの特定の態様を示している。 図3は、本開示の他の態様を示しており、DA130の出力が複数の選択可能なオフチップコネクションに結合され、各オフチップコネクションがTX回路をオフチップコネクションの異なったセットに結合させていることを示している。 図3Aは、図3を参照して説明された技術の態様を示しており、複数の選択可能なオフチップコネクションに結合されたスイッチの特定のインプリメンテーションをフィーチャーして示している。 図4は、図2及び3で示された送信機回路のための構成セッティングの例を示している。 図5は、本開示にしたがった方法の態様を示している。
図1は、通信回路のための従来の送信機(TX)信号パス(signal path)のインプリメンテーションを示している。図1において、ベースバンド入力信号BBI(インフェーズ(in-phase))及びBBQ(4つのフェーズ(quadrature-phase))は、ロウパスフィルタ103.1及び103.2に供給される。ロウパスフィルタの出力信号は、ミキサ104.1及び104.2に供給され、それらはフィルタされたベースバンド信号をそれぞれローカルオシレータ信号LOI及びLOQで掛け合わせる(multiply)ことにより、より高い周波数に変調する。ミキサ104.1及び104.2の差動出力(differential output)は、結合(combine)され、バラン(balun)101のバラン第1エレメント101.1に結合(couple)される。バラン101はまた、バラン第1エレメント101.1に電磁的に結合されたバラン第2エレメント101.2を含んでいる。バラン101は、バラン第1エレメント101.1にわたる(across)差動信号をバラン第2エレメント101.2のノード101.2aでシングルエンドの信号に変換するように機能し、バラン第2エレメント101.2の他のノード101.2bは接地電圧に結合されている。図1において、バラン第1及び第2エレメントは、相互結合されたインダクタとして示されているが、本開示の技術は相互結合されたインダクタのバランのインプリメンテーションに限定される必要はない。
図1において、バラン第2エレメント101.2のノード101.2aは、プリドライバ増幅器(pDA)120に結合されており、ドライバ増幅器(DA)130によってフォロウされている。実施形態において、DA130の出力は、電力増幅器(PA)及び/又はオフチップコネクション(off-chip connection)140を介する他のオフチップコンポーネントを駆動するために用いられる。インプリメンテーションにおいて、DA130の出力は、付加的な電力増幅ステージなしに、オーバーエア信号送信(over-the-air signal transmission)のためのオフチップアンテナを直接的に駆動するかもしれない。
当業者は、オフチップコネクション140が、パッド、バンプ、ピン等を含んだ種々の方式でインプリメントされるであろうことを了解するであろう。本開示の技術は、オフチップコネクションの任意の特定のインプリメンテーションに限定されることを意図していない。
当業者は、図1のTX信号パスにおけるコンポーネントは説明目的だけのために示され、TX信号パスは一般的に図示されない任意の数々の代替的な構造を用いてインプリメントされるであろうことを、了解するであろう。例えば、TX信号パスは、バランエレメント101を省略し、及び/又は図示されない付加的なフィルタ及びゲインエレメントを採用するかもしれない。本開示の技術は、図示されないそのような代替的な構造に適用されることが考えられる。
図1Aは、pDA120がカスコードされた(cascoded)コモンソース・オープンドレイン増幅器を含んでいる送信機の特定のインプリメンテーションを示しており、カスコード増幅ステージを形成するNMOSトランジスタ120.1及び120.2、pDA120のドレインでの負荷を形成するインダクタ121、及び選択的にpDA120をイネーブル(enable)又はディセーブル(disable)にするための制御信号EN1’に結合されたPMOSスイッチ122を有している。pDA120の出力は、後続するDA130の入力にキャパシタ125を介してAC結合している。
図1Aにおいて、DA130は同様に、カスコードされたコモンソース・オープンドレイン増幅器としてインプリメントされ、カスコード増幅ステージを形成するNMOSトランジスタ130.1及び130.2、DA130のドレインでの負荷を形成するインダクタ131、及び選択的にDA130をイネーブル(enable)又はディセーブル(disable)にするための制御信号EN2’に結合されたPMOSスイッチ132を有している。DA130の出力は、例えば表面音響波(surface acoustic wave)(SAW)フィルタ或いは電力増幅器(PA)といったオフチップコンポーネントに増幅された信号を伝えるために、オフチップコネクション140に結合されている。
図1Aの特別のインプリメンテーションは、説明目的だけのために示され、本開示の技術が図示された任意の特定の回路に限定されることを意味するものではない。代替のインプリメンテーションは、例えばインバータに基づく増幅器アーキテクチャといったpDA及びDAのための他の回路トポロジーを採用することができる。例えばpDA又はDAのいずれかに直列に結合されたトランジスタスイッチといった、選択的にpDA及びDAをイネーブルにするための他のメカニズムもまた採用可能である。一態様(図示しない)では、pDA及びDAは、トランジスタ120.1及び130.1のそれぞれに関連付けられたバイアス電圧又は電流をそれぞれスイッチオン又はオフすることによって、それぞれイネーブル又はディセーブルにされるようにしてもよい。さらに、トランジスタ120.2及び130.2のゲート電圧は、カスコードされた増幅器をそれぞれターンオン又はターンオフさせるために、選択的にVDD又は接地に結合させてもよい。そのような技術を適用することは、図1Aのスイッチ122及び132の必要性を排除するかもしれず、それは増幅器の出力で利用される電圧スイングの望ましくない減少になるかもしれない。そのような代替的なインプリメンテーションは、本開示の範囲内であると考えられる。
当業者は、pDA及びDAステージのゲインが、例えばトランジスタデバイスサイズ及び/又は増幅器バイアス電流を制御することによって、一般的に選択されるかもしれないことを、了解するであろう。
動作の周波数帯及び/又は無線スタンダードの設計において、受信(RX)周波数帯内のTXチェーン(chain)によって生成される許容可能なノイズのためのスペックは、特に厳格であるかもしれない。これは、例えばWCDMA/CDMA(Wideband Code Division Multiple Access / Code Division Multiple Access)スタンダードをサポートするために用いられるいくつかの周波数帯におけるケースであるかもしれない。これらのケースでは、RX帯(RX band)内における無線デバイスのデュプレクサリジェクション(duplexer rejection)はたびたび不十分であり、TX信号パス内の外部SAWフィルタは、RX周波数帯内のTX回路によって生成されるアウトオブバンドノイズ(out-of band noise)を十分に除去することを、さらに要求されるかもしれない。
図1Bは、外部SAWフィルタを利用したそのようなインプリメンテーションを示している。図1Bにおいて、図1のTX信号パスは、SAWフィルタ150及びPA160にさらに結合されている。PA160は、デュプレクサ170及びアンテナ180を介してエア(air)に送信する前にTX信号を増幅する。外部SAWフィルタ150は、送信される信号からのアウトオブバンドエミッションを減衰させるように働く。SAWフィルタ150は、例えばデュプレクサ170によってRX周波数帯に与えられる(afforded)TX信号の減衰が不十分であるインプリメンテーションに含められるかもしれない。
図1Bにおいて、SAWフィルタ150がTX信号内のアウトオブバンドエミッションを減衰させることを手伝っている(help)間に、インバンド(in-band)TX信号への望ましくない減衰が導入されるかもしれない。そのような場合には、pDA120は、SAWフィルタ150のインバンド減衰(in-band attenuation)を補償する(compensate)ために、付加的なゲインを供給することができる。しかしながら、pDA120自体はTX信号に望ましくない非線形歪み(non-linear distortion)アウトオブバンドノイズを導入するかもしれないことに、留意すべきである。
代替的な無線スタンダード及び/又は動作の周波数帯のための設計において、RX周波数帯内のTXチェーンによって生成される許容可能なノイズのためのスペックは、より厳格でないかもしれない。これは、RX帯内における無線デバイスのデュプレクサリジェクションが十分であると思われる、例えばWCDMA/CDMA及び/又はGSM(登録商標)/EDGEスタンダードの周波数帯におけるケースであるかもしれない。そのような設計では、外部SAWフィルタ150はコストを節約するために省略されるかもしれず、一方pDAもまた、pDAによって供給される付加的なゲインが要求されないとして、省略されるかもしれない。図1Cは、そのようなアプリケーションのための送信機インプリメンテーションを示しており、バラン第2エレメント101.2のノード101.2aは、pDAに結合されることなく、キャパシタ125を介してDA130に直接的に結合されている。
複数の無線スタンダード及び/又は周波数帯にわたるロウミング(roaming)をサポートするために、無線デバイスのための送信機回路は、上述したような、代替的な(alternative)、相容れない(conflicting)、複数の設計スペックを満たすことができなければならない。特に、1つの周波数帯のための送信機回路は、十分なノイズ除去及びゲインのために外部SAWフィルタ及びpDAを要求するかもしれず、他の周波数帯のための送信機回路は、十分な線形性及びノイズ除去のために外部SAWフィルタ及びpDAを要求しないかもしれない。従来技術では、そのようなマルチバンド/マルチモード送信機回路は、TX信号パスの複数の例(multiple instance)を供給することによって典型的にはインプリメントされていた。例えば、単一の送信機回路は、図1C等に示されたように、外部SAWフィルタなしにサポートするように設計されたTX回路の例(instance)に加えて、図1Bに示されたように、外部SAWフィルタをサポートするように設計されたTX回路の例(instance)を合体(incorporate)するかもしれない。TX回路の複数の例を合体することが、複数のスタンダード及び/又は周波数帯をサポートする際にフレキシビリティを与える一方、同一の回路を複数回、複製(replicate)しなければならないことから、ダイエリア(die area)及びコストの観点から非効率的である。
本開示によれば、TX信号パスのあるコンポーネントは、マルチスタンダード/マルチ周波数帯の送信機回路のダイエリア及びコストを削減するために、動作のモードの要求に依存して構成可能に作成されているかもしれない。
図2は、本開示にしたがった構成可能なTX信号パスの実施形態を示している。図2において、pDA120の入力及び出力は、バイパス(bypass)スイッチ200によってシャント(shunt)されている。スイッチ200は、制御信号A1に結合されている。
1つのモードでは、制御信号A1を用いてスイッチ200をターンオンすることにより、バラン(balun)101のノード101.2aがキャパシタ125を介してDA130の入力に直接結合されるように、pDA120がバイパスされることができる。バイパスされたpDAモードは、図1Bを参照して先に説明したように、外部SAWフィルタが要求されないスタンダード或いは周波数帯にしたがった送信機回路の動作中に有効である。スイッチ200によってバイパスされたpDA120に関連して、pDA120は対応する制御信号(図示せず)を用いてパワーダウンされるかもしれない。バイパスされたpDA動作中にpDA120をディセーブルにすることにより、そうでない場合にpDA120によって消費されるであろう電力を削減できるかもしれず、それにより構成可能な低電力の送信機回路を提供する。
代替モードでは、制御信号A1を用いてスイッチ200をターンオフすることにより、図1Bを参照して先に説明したように、外部SAWフィルタが供給されるモード或いは周波数帯での動作のために、TX回路内にpDA120が保持されることができる。さらに、TX信号パス内に保持されたpDA120に関連して、pDA120は対応する制御信号(図示せず)を用いてパワーオンされるかもしれない。
図2Aは、NMOSトランジスタ200Aのようなバイパススイッチの実施形態を示している。図2Aにおいて、NMOSスイッチ200Aのサイズは、線形性、ゲイン及びノイズを考慮してバランスがとれるように選ばれる。例えば、NMOSスイッチ200Aの大きなサイズは、スイッチのターンオン抵抗を低減させるかもしれず、それはスイッチによってTX信号に導入される減衰を最小限にするという利点となる。しかしながら、大きなスイッチサイズは、スイッチがターンオン或いはオフしたときに負荷キャパシタンスの増大になるかもしれず、それはノード101.2aでのバランキャパシタンスコンビネーションの共鳴周波数を減少させるかもしれない。大きなスイッチサイズは、スイッチのリバースアイソレーション(reverse isolation)(例えば、S12パラメータの増加)を減少させるかもしれず、出力から入力へのフィードバックを通してpDA内の潜在的な不安定さ(potential instability)につながる。当業者は、NMOSスイッチ200Aの最適なサイズは、例えばコンピュータ回路シミュレーションを通して決められるかもしれないことを了解するであろう。一態様では、NMOSスイッチ200Aによって導入されたオン抵抗は1オームよりも小さいかもしれず、スイッチのS12パラメータはpDAの安定性を確保するために−20dBよりも小さいかもしれない。一態様では、スイッチは、スイッチが動作するように予期された複数の周波数レンジの最も高い周波数での必須の基準(requisite criteria)に適合するように設計されているかもしれない。
図2Aは、図示された任意のスイッチの態様に本開示の範囲を限定することを意味するものではない。当業者は、スイッチ200が、PMOSスイッチを含んだ、或いは公知のT−スイッチトポロジーのようなトポロジーを用いた、種々の代替的な方法によってインプリメントされるかもしれないことを認識するであろう。そのような代替的な態様は、本開示の範囲内であると考えられる。
図3は、本開示の他の態様を示しており、DA130の出力が複数の選択可能なオフチップコネクションに結合され、各オフチップコネクションがTX回路をオフチップコンポーネントの異なったセットに結合させている。図3において、第1のオフチップコネクション220.1は、スイッチ300.1を含んだ選択回路によって、DA130の出力に結合されている。同様に、第2から第Nのオフチップコネクション220.2から220.Nがそれぞれ、スイッチ300.2から300.Nを含んだ選択回路によって、DA130の出力に結合されている。スイッチ300.1から300.Nのそれぞれは、制御信号C1からCNにそれぞれ結合され、各対応するスイッチを選択的にターンオン又はオフする。図3において、パラメータNは、本開示の態様においてサポートされたオフチップコンポーネントの別個のセットの数に特有の任意の数であるかもしれない。
図3において、各オフチップコネクション220.1から220.Nは、オフチップコンポーネント250.1から250.Nの個々のセットにそれぞれ結合されている。一態様では、オフチップコンポーネント250.1から250.Nの各セットは、例えば異なった無線スタンダード、動作のモード、周波数帯等にしたがった動作のために設計されたオフチップ回路を含んでいるかもしれない。例えば、オフチップコンポーネント250.1は、電力増幅器PA1 240.1に結合された外部SAWフィルタSAW1 230.1を含み、オフチップコンポーネント250.Nは、電力増幅器PAN 240.Nを含み、SAWフィルタを含まない。当業者は、オフチップコネクションの任意の数Nが、本開示にしたがってDA出力に結合されていてもよいことを了解するであろう。当業者はまた、オフチップコンポーネントのセットが、例えば他のフィルタ、アンテナ、マッチングネットワーク等、図3に示されていないコンポーネントをさらに含んでいてもよいことを了解するであろう。
図3Aは、図3を参照して説明された技術の態様を示しており、5つの選択可能なオフチップコネクションに結合されたスイッチのインプリメンテーションをフィーチャーしている。図3Aに示された態様は、説明目的のためだけであり、本開示の技術を任意の数のオフチップコネクション、スイッチ或いは示された構成可能なモードに限定することを意味するものではない。
図3Aにおいて、選択回路は、DA出力をオフチップコネクション220.1に結合させるPMOSスイッチ210.1、及びオフチップコネクション220.1を接地に結合させるNMOS接地スイッチ215.1を含んでいる。オフチップコネクション220.2から220.5は、同様に対応する選択回路を有している。スイッチ210.1から210.5は、対応する制御信号C1’からC5’(図3に示された制御信号C1からCNに対して極性が相補的(complementary)な信号を表す)を設定することによって、選択的にターンオン又はオフすることに留意すべきである。例えば、DA130の出力をオフチップコネクション220.1に選択的に結合させるために、PMOSスイッチ210.1はターンオンし、PMOSスイッチ210.2から210.5はターンオフする。同様に、NMOS接地スイッチ215.1はターンオフし、NMOS接地スイッチ215.2から215.5はターンオンする。任意の時間にオフチップコネクションの1つだけを選択的にイネーブルにすることにより、DA130の出力は、DA130の出力に過度に負荷をかける(load)ことなく、オフチップコンポーネントの複数のセットの中をマルチプレックスさせられるかもしれない。
スイッチ210.1から210.5の挿入ロス(insertion loss)を低減するため、PMOSトランジスタのバルク(bulk)を供給電圧(supply voltage)VDDに結合させるように、抵抗R1からR5を設けてもよい。一態様では、スイッチ210.1から210.5は、高電圧、厚い酸化物のPMOSトランジスタであるかもしれない。制御電圧C1’からC5’は、ドライバ増幅器(DA)130の供給電圧VDDの対応する電圧レベルよりもオフ状態において高い電圧レベルを有しているかもしれない。これは、DA130の出力電圧が、例えばインダクタ負荷のコモンソース増幅器トポロジーを採用するDA回路において、VDDよりも上にスイングするときに、有効であるかもしれない。
図3Aにおいて、PMOSスイッチ210.1から210.5のサイズは、線形性、ゲイン、及びノイズを考慮したバランスがとれるように選ばれるかもしれない。例えば、小さいデバイスサイズは、複数のオフチップコネクション間のよりよいアイソレーションにつながるが、高い挿入ロスにつながる。一方、大きいデバイスサイズは、低い挿入ロスにつながるが、より悪いアイソレーションにつながる。スイッチのサイズは、図2AのNMOSスイッチ200Aを参照して説明されたファクターを考慮して選ばれるかもしれない。当業者は、PMOSスイッチ210.1から210.5の最適なサイズは、例えばコンピュータ回路シミュレーションを通して決められるかもしれないことを了解するであろう。
当業者は、図3に示されたスイッチ300.1から300.Nは、図3Aに示されていない代替的なスイッチタイプ及びアーキテクチャを用いてインプリメントされるかもしれない。例えば、代替的な態様では、厚い酸化物のNMOSトランジスタが、図3Aに示されたPMOSトランジスタ210.1から210.5の代わりに用いられるかもしれない。そのような態様では、DA130の出力は、対応するAC結合キャパシタ(図示せず)を通して各NMOSスイッチトランジスタに結合されるかもしれない。そのような代替的なスイッチインプリメンテーションは、本開示の範囲内であると考えられる。
図4は、図2及び3で示された送信機回路のための構成セッティング(configuration setting)の例を示している。セッティング#1によれば、制御信号A1はLOであり、pDAイネーブル信号pDAEN(図1AのEN1のような)はHIであり、C1に対応するオフチップコネクションはターンオンしている。このセッティングでは、pDA120はアクティブであり、外部SAWフィルタSAW1 230.1はDA出力に結合され、SAWフィルタされた出力は電力増幅器PA1 240.1に供給される。セッティング#1に対応するTX信号パスは、図1Bで示されたTX信号パスと同じ特性を有しているように見られる。セッティング#1に対応するTX信号パスは、例えば、コラム“例示モード”の下に記載されているように、動作の900MHz周波数レンジでのWCDMAスタンダードにしたがったTXオペレーションをサポートするために用いられるかもしれない。
セッティング#2によれば、制御信号A1はHIであり、pDAENはLOであり、C2に対応するオフチップコネクションはターンオンしている。このセッティングでは、pDA120はバイパスされ、外部SAWフィルタSAW2 230.2が設けられ、フィルタされた出力は電力増幅器PA2 240.2に供給される。セッティング#2に対応するTX信号パスは、例えば、動作の700MHz周波数レンジでのCDMA1X及び/又はLTE(Long-Term Evolution)スタンダードにしたがったTXオペレーションをサポートするために用いられるかもしれない。
セッティング#3によれば、制御信号A1はHIであり、pDAENはLOであり、C3に対応するオフチップコネクションはターンオンしている。このセッティングでは、pDA120はバイパスされ、外部SAWフィルタは設けられておらず、DA出力は電力増幅器PA3 240.3に直接結合されている。セッティング#3に対応するTX信号パスは、図1Cで示されたTX信号パスと同じ特性を有しているように見られる。セッティング#3に対応するTX信号パスは、例えば、GSM(登録商標)/EDGEスタンダードにしたがったTXオペレーションをサポートするために用いられるかもしれない。
セッティング#4によれば、制御信号A1はHIであり、pDAENはLOであり、C4に対応するオフチップコネクションはターンオンしている。このセッティングでは、pDA120はバイパスされ、外部SAWフィルタは設けられておらず、DA出力は電力増幅器PA4 240.4に直接結合されている。セッティング#4に対応するTX信号パスは、図1Cで示されたTX信号パスと同じ特性を有しているように見られる。セッティング#4に対応するTX信号パスは、例えば、CDMA1XスタンダードにしたがったTXオペレーションをサポートするために用いられるかもしれない。
セッティング#5によれば、制御信号A1はLOであり、pDAENはHIであり、C5に対応するオフチップコネクションはターンオンしている。このセッティングでは、pDA120はアクティブであり、外部SAWフィルタは設けられておらず、DA出力は電力増幅器PA5 240.5に直接結合されている。セッティング#5に対応するTX信号パスは、例えば、PCS(Personal Communication Service)周波数でのWCDMAスタンダードにしたがったTXオペレーションをサポートするために用いられるかもしれない。
図4に示されたような構成セッティングを選択することにより、図2及び3に示された送信機アーキテクチャは、送信機回路の単一例(single instance)を用いてマルチモード/マルチバンド動作を許容し、その一方、マルチスタンダード及びロウミング(roaming)アプリケーションのための複数のオフチップコネクションを供給する。
図5は、本開示にしたがった方法の態様を示している。図5に示された態様は、説明だけのためであることを意味し、本開示の範囲が図示された態様に限定されることを意味しないことに留意されたい。さらに、図5に示されたステップの順序は、開示された技術をステップの任意の特別のシーケンスに限定するものとして解釈すべきではない。
図5において、ステップ500では、TX信号がpDAの入力に供給される。ステップ510では、pDA出力がDAの入力に結合される。ステップ520では、pDA入力及びpDA出力をシャントするバイパススイッチが供給される。ステップ530では、動作の第1のモードの間に、pDAがバイパススイッチによってバイパスされ、pDAがターンオフされる。ステップ540では、動作の第2のモードの間に、pDAはバイパスされず、ターンオンされる。ステップ550では、ここですでに開示されたように、さらなるプロセスのために、DA出力が複数のオフチップコネクションの少なくとも1つに選択的に結合される。
ここで述べた教示に基づき、ここで開示された態様は任意の他の態様に依存せずにインプリメントされることができ、2つ以上のこれらの態様は種々の方法で組み合わされることができる。1つ以上の典型的な態様において、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、或いはそれらの任意の組み合わせでインプリメントされることができる。ソフトウェアでインプリメントされたとすると、機能は、コンピュータ可読媒体上に、1以上のインストラクション或いはコードとして、記憶され或いは伝達される。コンピュータ可読媒体は、1つの場所から他の場所にコンピュータプログラムの伝送を容易にする任意の媒体を含んだ通信媒体(communication media)及びコンピュータ記憶媒体(computer storage media)の両方を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされることのできる任意の入手可能な媒体である。例示として、限定されるものではないが、そのようなコンピュータ可読媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CD−ROM、或いは他の光学的ディスクストレージ、磁気的ディスクストレージ、或いは他の磁気的ディスクストレージデバイス、或いは、インストラクション或いはデータ構造の形で所望のプログラムコードを運び(carry)或いは記憶する(store)ために用いられることができ、コンピュータによってアクセスされることのできる任意の他の媒体であり得る。また、任意の接続(connection)は、適切にコンピュータ可読媒体と呼ばれる。例えば、ソフトウェアが、ウェブサイト、サーバー、或いは同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線(DSL)、或いは赤外線、ラジオ、マイクロ波のような無線技術、を用いた他のリモートソースから伝送される場合には、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、DSL、或いは赤外線、ラジオ、マイクロ波のような無線技術は、媒体の定義に含まれる。ここで用いられるようなディスク(disk)及びディスク(disc)は、コンパクトディスク(CD)、レーザーディスク(登録商標)、光ディスク、デジタル多目的ディスク(DVD)、フロッピー(登録商標)ディスク及びブルーレイディスクを含み、ディスク(disk)は通常は磁気的にデータを再生し、ディスク(disc)はレーザーによって光学的にデータを再生する。上記の組み合わせもまた、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
この明細書及び特許請求の範囲において、エレメントが他のエレメントに“接続され(connected to)”或いは“結合され(coupled to)”として言及されているときには、他のエレメントに直接的に接続され或いは結合されているとすることができ、或いは間に介在するエレメントが存在していてもよい。一方、エレメントが他のエレメントに“直接接続され(directly connected to)”或いは“直接結合され(directly coupled to)”として言及されているときには、間に介在するエレメントは存在していない。
多くの態様及び例が述べられてきた。しかしながら、これらの例に対する種々の変更が可能であり、ここに表された原理は、同様に他の態様に適用されることが可能である。これらの及び他の態様は、特許請求の範囲内のものである。
以下、本願の原出願時の発明を付記する。
[付記1]
通信デバイスの送信機を構成するための方法であって、
送信(TX)信号をプリドライバ増幅器(pDA)の入力に供給することであって、前記pDAがpDA出力を有し、前記pDAがpDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフすることと、
前記pDA出力をドライバ増幅器(DA)の入力に結合させることであって、前記DAがDA出力を有することと、
前記pDA入力及び前記pDA出力をシャントするバイパススイッチを供給することであって、前記バイパススイッチがバイパス制御信号によって制御されることと、
動作の第1のモードの間に、前記バイパス制御信号が前記バイパススイッチをターンオンさせるように設定し、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオフさせるように設定することと、
動作の第2のモードの間に、前記バイパス制御信号が前記バイパススイッチをターンオフさせるように設定し、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオンさせるように設定することと、
を備えた方法。
[付記2]
前記バイパススイッチは、NMOSトランジスタを備える
付記1の方法。
[付記3]
前記動作の第2のモードは、外部SAWフィルタを用いて前記DAの前記出力をさらにフィルタリングすることを備える
付記1の方法。
[付記4]
前記pDA制御信号が前記pDAをターンオフさせるように設定することは、前記pDAを電圧サプライに結合させるpDAスイッチトランジスタをターンオフさせることを含み、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオンさせるように設定することは、前記pDAスイッチトランジスタをターンオンさせることを含む
付記1の方法。
[付記5]
前記pDAスイッチトランジスタは、PMOSトランジスタである
付記4の方法。
[付記6]
前記pDAはコモンソースカスコード増幅器ステージを備え、前記コモンソースカスケード増幅器ステージはインダクタ負荷に結合され、前記pDAスイッチトランジスタは前記インダクタ負荷を電圧サプライに結合させる
付記5の方法。
[付記7]
前記TX信号は第1の結合キャパシタを介して前記コモンソースカスコード増幅器ステージの入力に結合され、前記コモンソースカスコード増幅器ステージの出力は第2の結合キャパシタを介して前記DAに結合されている
付記6の方法。
[付記8]
前記TX信号はバラン(balun)のシングルエンドエレメントによって生成され、前記バランの前記シングルエンドエレメントはバランの差動エレメントに結合され、前記バランの前記差動エレメントはアップコンバーティングミキサに結合されている
付記1の方法。
[付記9]
前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、
オフチップコネクション制御信号に基づいて前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと
をさらに備えた付記1の方法。
[付記10]
前記動作の第2のモードの間に表面音響波(SAW)フィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
付記9の方法。
[付記11]
前記動作の第2のモードは、900MHzの周波数レンジでのWCDMAスタンダードにしたがったTX動作に対応する
付記10の方法。
[付記12]
前記動作の第1のモードの間に表面音響波(SAW)フィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
付記9の方法。
[付記13]
前記動作の第1のモードは、700MHzの周波数レンジでのCDMA1X又はLTEスタンダードにしたがったTX動作に対応する
付記12の方法。
[付記14]
前記動作の第1のモードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
付記10の方法。
[付記15]
前記動作の第1のモードは、GSM(登録商標)/EDGEスタンダードにしたがったTX動作に対応する
付記14の方法。
[付記16]
前記動作の第1のモードは、CDMA1XスタンダードにしたがったTX動作に対応する
付記14の方法。
[付記17]
前記動作の第2のモードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
付記10の方法。
[付記18]
前記動作の第2のモードは、PCS周波数レンジでのWCDMAスタンダードにしたがったTX動作に対応する
付記17の方法。
[付記19]
前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、対応するオフチップコネクションスイッチをターンオンさせることを含む
付記14の方法。
[付記20]
前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、前記選択されたオフチップコネクションに関連付けられていない少なくとも1つのオフチップコネクションスイッチをターンオフさせることをさらに備える
付記19の方法。
[付記21]
各オフチップコネクションスイッチは、前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させるPMOSトランジスタを備える
付記20の方法。
[付記22]
各オフチップコネクションは、前記オフチップコネクションを接地に結合させるオフチップコネクション接地スイッチをさらに備える
付記21の方法。
[付記23]
前記オフチップコネクション接地スイッチは、NMOSトランジスタを備える
付記22の方法。
[付記24]
前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、対応するオフチップコネクション接地スイッチをターンオフさせることを備える
付記23の方法。
[付記25]
前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、前記選択されたオフチップコネクションに関連付けられていない少なくとも1つのオフチップコネクション接地スイッチをターンオンさせることを備える
付記24の方法。
[付記26]
各オフチップコネクションの前記PMOSトランジスタのバルクは、抵抗を介してソース電圧に結合されている
付記21の方法。
[付記27]
通信デバイスのための送信機装置であって、
送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、
前記pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、
前記pDA入力及び前記pDA出力をシャントし、バイパス制御信号によって制御されるバイパススイッチであって、動作の第1のモードの間に前記バイパススイッチをターンオンさせ且つ前記pDAをターンオフさせるように前記バイパス制御信号を設定し、動作の第2のモードの間に前記バイパススイッチをターンオフさせ且つ前記pDAをターンオンさせるように前記バイパス制御信号を設定するように、前記バイパス制御信号が構成されたバイパススイッチと、
を備えた装置。
[付記28]
前記バイパススイッチは、NMOSトランジスタを備える
付記27の装置。
[付記29]
前記pDA制御信号は、前記pDAを電圧サプライに結合させるpDAスイッチトランジスタに結合されている
付記27の装置。
[付記30]
前記pDAスイッチトランジスタは、PMOSトランジスタである
付記29の装置。
[付記31]
前記pDAはコモンソースカスコード増幅器ステージを備え、前記コモンソースカスケード増幅器ステージはインダクタ負荷に結合され、前記pDAスイッチトランジスタは前記インダクタ負荷を電圧サプライに結合させる
付記30の装置。
[付記32]
前記TX信号は第1の結合キャパシタを介して前記コモンソースカスコード増幅器ステージの入力に結合され、前記コモンソースカスコード増幅器ステージの出力は第2の結合キャパシタを介して前記DAに結合されている
付記31の装置。
[付記33]
差動エレメントに結合されたシングルエンドエレメントを備えたバラン(balun)と、
前記バランに結合されたアップコンバーティングミキサであって、前記バランの前記差動エレメントが前記TX信号を生成するアップコンバーティングミキサと、
をさらに備えた付記27の装置。
[付記34]
複数の選択可能なオフチップコネクションであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備える複数の選択可能なオフチップコネクションと、
前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをターンオンさせるオフチップコネクション制御信号と、
をさらに備えた付記27の装置。
[付記35]
オフチップコネクションが動作の第2のモードの間にSAWフィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させる
付記34の装置。
[付記36]
オフチップコネクションが動作の第1のモードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させる
付記34の装置。
[付記37]
各オフチップコネクションスイッチは、前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させるPMOSトランジスタを備える
付記34の装置。
[付記38]
各オフチップコネクションは、前記オフチップコネクションを接地に結合させるオフチップコネクション接地スイッチをさらに備える
付記37の装置。
[付記39]
各オフチップコネクションの前記PMOSトランジスタのバルクは、抵抗を介してソース電圧に結合されている
付記37の装置。
[付記40]
通信デバイスのための送信機装置であって、
送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、
前記pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、
動作の第1のモードの間に前記pDAをバイパスし前記pDAをターンオフさせ、動作の第2のモードの間に前記pDAをバイパスせず前記pDAをターンオンさせるための手段と、
を備えた装置。
[付記41]
前記DA出力を複数のオフチップコネクションの1つに選択的に結合させるための手段をさらに備えた
付記40の装置。
[付記42]
通信デバイスの送信機を構成するための方法であって、
送信(TX)信号をドライバ増幅器(DA)の入力に供給することであって、前記DAがDA出力を有することと、
前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、
オフチップコネクション制御信号に基づいて前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと、
を備えた方法。
[付記43]
前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることは、
前記DA出力を複数の厚い酸化物PMOSデバイスのドレインに結合させることであって、各PMOSデバイスのソースが前記複数の選択可能なオフチップコネクションの対応する1つに結合されていることを備え、
前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記PMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、
イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記PMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、を備える
付記42の方法。
[付記44]
前記複数の選択可能なオフチップコネクションのそれぞれを対応するNMOSデバイスのドレインに結合させることをさらに備え、各NMOSデバイスのソースが接地電圧に結合されており、
前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、
イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、を備える
付記43の方法。
[付記45]
前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることは、
前記DA出力を複数の厚い酸化物NMOSデバイスのドレインに対応するAC結合キャパシタを介して結合させることであって、各NMOSデバイスのソースが前記複数の選択可能なオフチップコネクションの対応する1つに結合されていることを備え、
前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、
イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、を備える
付記42の方法。
[付記46]
通信デバイスのための送信機装置であって、
DA出力を有するドライバ増幅器(DA)と、
複数の選択可能なオフチップコネクションであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備える複数の選択可能なオフチップコネクションと、
前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをターンオンさせるオフチップコネクション制御信号と、
を備えた装置。
[付記47]
通信デバイスのための送信機装置であって、
DA出力を有するドライバ増幅器(DA)と、
前記DA出力を複数のオフチップコネクションの1つに選択的に結合させるための手段と、
を備えた装置。

Claims (45)

  1. 通信デバイスの送信機を構成するための方法であって、
    送信(TX)信号をプリドライバ増幅器(pDA)の入力に供給することであって、前記pDAがpDA出力を有し、前記pDAがpDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフすることと、
    前記pDA出力をドライバ増幅器(DA)の入力に結合させることであって、前記DAがDA出力を有することと、
    前記pDA入力及び前記pDA出力をシャントするバイパススイッチを供給することであって、前記バイパススイッチがバイパス制御信号によって制御されることと、
    動作の第1の通信モードの間に、前記バイパス制御信号が前記バイパススイッチをターンオンさせるように設定し、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオフさせるように設定することと、
    前記第1の通信モードと異なる、動作の第2の通信モードの間に、前記バイパス制御信号が前記バイパススイッチをターンオフさせるように設定し、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオンさせるように設定することと、
    を備え、
    前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、
    オフチップコネクション制御信号に基づいて前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと
    をさらに備えた方法。
  2. 前記バイパススイッチは、NMOSトランジスタを備える
    請求項1の方法。
  3. 前記動作の第2の通信モードは、外部SAWフィルタを用いて前記DAの前記出力をさらにフィルタリングすることを備える
    請求項1の方法。
  4. 前記pDA制御信号が前記pDAをターンオフさせるように設定することは、前記pDAを電圧サプライに結合させるpDAスイッチトランジスタをターンオフさせることを含み、前記pDA制御信号が前記pDAをターンオンさせるように設定することは、前記pDAスイッチトランジスタをターンオンさせることを含む
    請求項1の方法。
  5. 前記pDAスイッチトランジスタは、PMOSトランジスタである
    請求項4の方法。
  6. 前記pDAはコモンソースカスコード増幅器ステージを備え、前記コモンソースカスケード増幅器ステージはインダクタ負荷に結合され、前記pDAスイッチトランジスタは前記インダクタ負荷を電圧サプライに結合させる
    請求項5の方法。
  7. 前記TX信号は第1の結合キャパシタを介して前記コモンソースカスコード増幅器ステージの入力に結合され、前記コモンソースカスコード増幅器ステージの出力は第2の結合キャパシタを介して前記DAに結合されている
    請求項6の方法。
  8. 前記TX信号はバラン(balun)のシングルエンドエレメントによって生成され、前記バランの前記シングルエンドエレメントはバランの差動エレメントに結合され、前記バランの前記差動エレメントはアップコンバーティングミキサに結合されている
    請求項1の方法。
  9. 前記動作の第2の通信モードの間に表面音響波(SAW)フィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
    請求項1の方法。
  10. 前記動作の第2の通信モードは、900MHzの周波数レンジでのWCDMAスタンダードにしたがったTX動作に対応する
    請求項9の方法。
  11. 前記動作の第1の通信モードの間に表面音響波(SAW)フィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
    請求項1の方法。
  12. 前記動作の第1の通信モードは、700MHzの周波数レンジでのCDMA1X又はLTEスタンダードにしたがったTX動作に対応する
    請求項11の方法。
  13. 前記動作の第1の通信モードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
    請求項9の方法。
  14. 前記動作の第1の通信モードは、GSM(登録商標)/EDGEスタンダードにしたがったTX動作に対応する
    請求項13の方法。
  15. 前記動作の第1の通信モードは、CDMA1XスタンダードにしたがったTX動作に対応する
    請求項13の方法。
  16. 前記動作の第2の通信モードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させるオフチップコネクションをイネーブルにすることをさらに備えた
    請求項9の方法。
  17. 前記動作の第2の通信モードは、PCS周波数レンジでのWCDMAスタンダードにしたがったTX動作に対応する
    請求項16の方法。
  18. 前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、対応するオフチップコネクションスイッチをターンオンさせることを含む
    請求項13の方法。
  19. 前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、前記選択されたオフチップコネクションに関連付けられていない少なくとも1つのオフチップコネクションスイッチをターンオフさせることをさらに備える
    請求項18の方法。
  20. 各オフチップコネクションスイッチは、前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させるPMOSトランジスタを備える
    請求項19の方法。
  21. 各オフチップコネクションは、前記オフチップコネクションを接地に結合させるオフチップコネクション接地スイッチをさらに備える
    請求項20の方法。
  22. 前記オフチップコネクション接地スイッチは、NMOSトランジスタを備える
    請求項21の方法。
  23. 前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、対応するオフチップコネクション接地スイッチをターンオフさせることを備える
    請求項22の方法。
  24. 前記選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つを選択することは、前記選択されたオフチップコネクションに関連付けられていない少なくとも1つのオフチップコネクション接地スイッチをターンオンさせることを備える
    請求項23の方法。
  25. 各オフチップコネクションの前記PMOSトランジスタのバルクは、抵抗を介してソース電圧に結合されている
    請求項20の方法。
  26. 通信デバイスのための送信機装置であって、
    送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、
    前記pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、
    前記pDA入力及び前記pDA出力をシャントし、バイパス制御信号によって制御されるバイパススイッチであって、前記第1の通信モードと異なる、動作の第1の通信モードの間に前記バイパススイッチをターンオンさせ且つ前記pDAをターンオフさせるように前記バイパス制御信号が設定され、動作の第2の通信モードの間に前記バイパススイッチをターンオフさせ且つ前記pDAをターンオンさせるように前記バイパス制御信号が設定されるバイパススイッチと、
    を備え、
    複数の選択可能なオフチップコネクションであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備える複数の選択可能なオフチップコネクションを備え、
    オフチップコネクション制御信号が、前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをターンオンさせる
    をさらに備えた装置。
  27. 前記バイパススイッチは、NMOSトランジスタを備える
    請求項26の装置。
  28. 前記pDA制御信号は、前記pDAを電圧サプライに結合させるpDAスイッチトランジスタに結合されている
    請求項26の装置。
  29. 前記pDAスイッチトランジスタは、PMOSトランジスタである
    請求項28の装置。
  30. 前記pDAはコモンソースカスコード増幅器ステージを備え、前記コモンソースカスケード増幅器ステージはインダクタ負荷に結合され、前記pDAスイッチトランジスタは前記インダクタ負荷を電圧サプライに結合させる
    請求項29の装置。
  31. 前記TX信号は第1の結合キャパシタを介して前記コモンソースカスコード増幅器ステージの入力に結合され、前記コモンソースカスコード増幅器ステージの出力は第2の結合キャパシタを介して前記DAに結合されている
    請求項30の装置。
  32. 差動エレメントに結合されたシングルエンドエレメントを備えたバラン(balun)と、
    前記バランに結合されたアップコンバーティングミキサであって、前記バランの前記差動エレメントが前記TX信号を生成するアップコンバーティングミキサと、
    をさらに備えた請求項26の装置。
  33. オフチップコネクションが動作の第2の通信モードの間にSAWフィルタを含むオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させる
    請求項26の装置。
  34. オフチップコネクションが動作の第1の通信モードの間にSAWフィルタを含まないオフチップコンポーネントのセットに前記DA出力を結合させる
    請求項26の装置。
  35. 各オフチップコネクションスイッチは、前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させるPMOSトランジスタを備える
    請求項26の装置。
  36. 各オフチップコネクションは、前記オフチップコネクションを接地に結合させるオフチップコネクション接地スイッチをさらに備える
    請求項35の装置。
  37. 各オフチップコネクションの前記PMOSトランジスタのバルクは、抵抗を介してソース電圧に結合されている
    請求項35の装置。
  38. 通信デバイスのための送信機装置であって、
    送信(TX)信号に結合されたpDA入力を有するプリドライバ増幅器(pDA)であって、pDA出力を有し、pDA制御信号によって選択的にターンオン及びオフするpDAと、
    前記pDA出力に結合されたDA入力を有するドライバ増幅器(DA)であって、DA出力を有するDAと、
    動作の第1の通信モードの間に前記pDAをバイパスし前記pDAをターンオフさせ、前記第1の通信モードと異なる、動作の第2の通信モードの間に前記pDAをバイパスせず前記pDAをターンオンさせるための手段と、
    を備え、
    複数の選択可能なオフチップコネクションであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備える複数の選択可能なオフチップコネクションを備え、
    オフチップコネクション制御信号が、前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをターンオンさせる
    をさらに備えた装置。
  39. 前記DA出力を複数のオフチップコネクションの1つに選択的に結合させるための手段をさらに備えた
    請求項38の装置。
  40. 複数の通信モード構成可能な通信デバイスの送信機を構成するための方法であって、
    送信(TX)信号をドライバ増幅器(DA)の入力に供給することであって、前記DAがDA出力を有することと、
    前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、
    オフチップコネクション制御信号に基づいて前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと、
    を備えた方法。
  41. 前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることは、
    前記DA出力を複数の厚い酸化物PMOSデバイスのドレインに結合させることであって、各PMOSデバイスのソースが前記複数の選択可能なオフチップコネクションの対応する1つに結合されていることを備え、
    前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
    前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記PMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、
    イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記PMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、を備える
    請求項40の方法。
  42. 前記複数の選択可能なオフチップコネクションのそれぞれを対応するNMOSデバイスのドレインに結合させることをさらに備え、各NMOSデバイスのソースが接地電圧に結合されており、
    前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
    前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、
    イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、を備える
    請求項41の方法。
  43. 前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることは、
    前記DA出力を複数の厚い酸化物NMOSデバイスのドレインに対応するAC結合キャパシタを介して結合させることであって、各NMOSデバイスのソースが前記複数の選択可能なオフチップコネクションの対応する1つに結合されていることを備え、
    前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることは、
    前記イネーブルにされた選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにハイ電圧レベルを供給することと、
    イネーブルにされていない前記選択可能なオフチップコネクションに対応する前記NMOSデバイスのゲートにロウ電圧レベルを供給することと、を備える
    請求項40の方法。
  44. 送信機を構成するための方法であって、
    動作の第1の通信モードにおいて、バイパス制御信号をバイパススイッチをターンオンさせるように設定し、プリドライバ増幅器(pDA)制御信号をpDAをターンオフさせるように設定することであって、送信(TX)信号が前記pDAの入力に供給され、前記pDAがドライバ増幅器(DA)の入力に結合される出力を有し、前記バイパススイッチが前記pDA入力と前記前記pDA出力との間に結合されることと、
    前記第1の通信モードと異なる動作の第2の通信モードにおいて、前記バイパス制御信号を前記バイパススイッチをターンオフさせるように設定し、前記pDA制御信号を前記pDAをターンオンさせるように設定することと、
    前記DA出力を複数の選択可能なオフチップコネクションに結合させることであって、各オフチップコネクションが前記DA出力をオフチップコンポーネントのセットに結合させ、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させる対応するオフチップコネクションスイッチを備えることと、
    オフチップコネクション制御信号に基づいて前記複数の選択可能なオフチップコネクションの少なくとも1つをイネーブルにすることと、
    を備えた方法。
  45. 送信機を構成するための方法であって、
    第1の通信モードにおいて、複数の選択可能なオフチップコネクションの第1をイネーブルにし、前記複数の選択可能なオフチップコネクションの第2をディセーブルにすることであって、送信(TX)信号がドライバ増幅器(DA)の入力に供給され、前記DAが前記複数の選択可能なオフチップコネクションに結合されるDA出力を有し、各オフチップコネクションが前記DA出力を前記対応するオフチップコネクションに結合させるスイッチを備えることと、
    前記第1の通信モードと異なる第2の通信モードにおいて、前記複数の選択可能なオフチップコネクションの前記第2をイネーブルにし、前記複数の選択可能なオフチップコネクションの前記第1をディセーブルにすることと
    を備えた方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010025556A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Icera Canada ULC A passive transmitter architecture with switchable outputs for wireless applications
US8417201B1 (en) * 2009-06-24 2013-04-09 Rf Micro Devices, Inc. Dual path multi-mode power amplifier routing architecture
US20110012696A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Switched acoustic wave resonator for tunable filters
US8494455B2 (en) * 2009-11-19 2013-07-23 Qualcomm, Incorporated Methods and apparatus for a resonant transmit/receive switch with transformer gate/source coupling
US8626084B2 (en) * 2010-05-13 2014-01-07 Qualcomm, Incorporated Area efficient concurrent matching transceiver
US8892159B2 (en) * 2011-05-12 2014-11-18 St-Ericsson Sa Multi-standard transceiver architecture with common balun and mixer
US8736368B2 (en) * 2011-08-16 2014-05-27 Qualcomm Incorporated Class E amplifier overload detection and prevention
JP5886025B2 (ja) 2011-12-20 2016-03-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Rf電力増幅器およびその動作方法
US9392442B1 (en) 2013-09-26 2016-07-12 Sprint Communications Company L.P. Secured application communications
US9538489B1 (en) 2014-08-27 2017-01-03 Sprint Communications Company L.P. Wireless communication device to synchronize data transfer rates
US9692471B2 (en) * 2015-01-21 2017-06-27 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Wireless receiver with high linearity
TWI563719B (en) * 2015-05-28 2016-12-21 Airoha Tech Corp Wideband front-end device and method for filtering rf signal
KR102296174B1 (ko) 2015-06-26 2021-08-31 삼성전자주식회사 전자 장치 및 그의 오디오 변환 방법
KR101930802B1 (ko) * 2017-01-23 2018-12-19 (주)에프씨아이 집적된 전력 증폭기를 갖는 cmos 송수신기
US11283444B2 (en) 2018-03-28 2022-03-22 Intel Corporation Techniques for multiple signal fan-out

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE25561T1 (de) * 1982-06-30 1987-03-15 Kaiser Christian Verfahren zur anzucht und zum aussetzen von pflanzen oder keimlingen.
JPH06103809B2 (ja) 1988-06-10 1994-12-14 三菱電機株式会社 増幅回路
CA2088813C (en) * 1992-03-02 2004-02-03 Willem G. Durtler Automatic level control circuit for dual mode analog/digital cellular telephone
US5661434A (en) 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
US5774017A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Anadigics, Inc. Multiple-band amplifier
JP3387508B2 (ja) 1998-02-19 2003-03-17 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 無線送信増幅装置
JP3587347B2 (ja) * 1998-08-07 2004-11-10 松下電器産業株式会社 無線通信装置および無線通信装置における送信電力制御方法
EP1032120A3 (en) 1999-02-26 2003-07-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Power amplifier, power control method for power amplifier, and communication equipment
US6313698B1 (en) * 1999-09-24 2001-11-06 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for wireless phone transmit power amplification with reduced power consumption
EP1156582A3 (en) * 2000-05-16 2004-04-28 Nokia Corporation Transmitter/receiver chain impedance optimization
JP2005184608A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路
JP4347072B2 (ja) * 2004-01-23 2009-10-21 株式会社ルネサステクノロジ マルチモード型無線通信回路および無線端末装置
US20070161358A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Multiband radio module
JP4311405B2 (ja) * 2006-02-10 2009-08-12 住友化学株式会社 タンタル錯体、オレフィン重合用触媒及びオレフィン重合体の製造方法。
KR101325571B1 (ko) * 2006-07-28 2013-11-06 삼성전자주식회사 전원공급장치 및 이를 구비한 화상형성장치
US7427894B2 (en) * 2006-12-06 2008-09-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. Dual-mode, dual-load high efficiency RF power amplifier
US7863986B2 (en) * 2008-08-11 2011-01-04 Qualcomm Incorporation Techniques for improving balun loaded-Q
US8606193B2 (en) * 2008-11-13 2013-12-10 Qualcomm Incorporated RF transceiver IC having internal loopback conductor for IP2 self test
US8688058B2 (en) * 2008-11-24 2014-04-01 Chiewcharn Narathong Techniques for improving transmitter performance

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