TW201008983A - Polymer compound comprising metal complex residue and device using the same - Google Patents

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201008983 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含金屬錯合物殘基之高分子化合物 使用該等化合物之元件。 反 【先前技術】 在電致發光（electroluminescence)元件之發走^ 所用的發光材料係使用各式各樣之金屬錯合物。並且 提案有使用該金屬錯合物結構作為高分子之重複單_亦 光材料。例如提案有一種高分子化合物，係以銥作發 金屬之鄰位金屬化錯合物（卜(丽）3 :具有2n比咬: 為配位基之鄰位金屬化）銀（ΙΠ)錯合物）之結構與第二 基（fluorenediyi)(專利文獻丨）作為結構單元。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本特開2003-73479號公報 【發明内容】 (發明欲解決之課題） ^而’虽前述高分子化合物使用於製造電致發光元件 等時於獲得發光效率優異之元件。 於疋，本發明之目的係提供當使用於製造電致發光元 件等時會獲％•發光效率優異之元件的高分子化合物等。 (解決課題之方法） .本=明之第一目的係提供一種高分子化合物，其含 有下述式（1)所示之金屬錯合物之殘基；以及下述式 321333 201008983 (3-1)、（3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5)所示之 2 價基：

〇 (式中，Μ表示釕、铑、le、锇、銀或始之金屬原子；R1、 R2、R3、R4、R5、R6及R8各自獨立地表示氫原子、鹵原子、 烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、 芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、 亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之矽烷基（silyl)、經取 代之砍烧基氧基（silyloxy)、經取代之碎烧基硫基、經取 代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳 ❹烯基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基，或者是R1及R2、 R2及R3、R3及R4、R4及R5、或R5及R6亦可結合形成環；m 為1至3之整數，η為0至2之整數；當R1、R2、R3、R4、 R5、R6及R8各自存在有複數個時，可為相同或不同；Ζ1、 Ζ2、Ζ3、Ζ4及Ζ5各自獨立地表示碳原子或氮原子；當Ζ1、 Ζ2、Ζ3、Ζ4及Ζ5各自存在有複數個時，可為相同或不同； 惟Ζ1、Ζ2、Ζ3、Ζ4及Ζ5中至少有2個為氮原子；當Ζ1、Ζ2、 Ζ3、Ζ4及Ζ5中任一者為碳原子時，結合於該碳原子之氫原 子可經取代基取代；下述式（2)所示之部分係表示單陰離子 5 321333 201008983 性之雙牙配位基；

只及^為結合於金屬原子Μ夕；§2 ^ 子、氧原子或氮原子；當單卜離生^獨立地表示碳原 複數個時，該等可為相同或^同），之又牙配位基存在有

(式中，#表示結合鍵；Y1表示_C(R9)(Rl〇)_、 -〇-C(RI7)(R,8)---0- ' _s-、-B(R丨丨)---Si(R12)(Ri3)-、 -P(R14)---P(R15)(=0)-或-N(R16)- ; R9、R1。、R"、Ru、Rl3、 R、R 、R、R、Rl8及R19各自獨立地表示氫原子、烷基、 烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷 氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、 矽烷基、經取代之矽烷基、矽烷基氧基、經取代之矽烷基 氧基、1價雜環基、或鹵原子；R20、R21、r22、r23、r24、r25、 R26、R27、R28、R29、R3°、R3丨、R32、R33、r34、r35、r36、r37、 6 321333 201008983 R38、R39、R4°、R41、R42、R43、R44、R45及 R46各自獨立地表示 氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、 經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、鹵原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧 基、經取代之羧基、或氰基）。 本發明之第二目的係提供含有前述高分子化合物之組 成物、薄膜、及元件。 〇 本發明之第三目的係提供使用前述高分子化合物而成 之面狀光源及照明。 本發明之第四目的係提供一種含有前述式（1)所示之 金屬錯合物之殘基及前述式（3-1)、（3-2)、(3-3)、（3-4) 或（3-5)所示之2價基的高分子化合物的製造方法，該方法 ' 包括：使下述式（5)所示之金屬錯合物與下式（6-1)、 (6-2)、（6-3)、（6-4)或（6-5)所示之化合物進行反應，

(式中，W1表示聚合反應性基；m1為1至3之整數，m2為0 至2之整數；當W1存在有複數個時，該等可為相同或不同； 7 321333 201008983 μ表示釘、m銀餘之金屬原子；r1、r2' r3、 RH6及R8各自獨立地表示氫原子、豳原子、燒基、 烧氧基、減基、絲1氧基、芳㈣、芳絲、芳燒 氧基、芳烧硫基、醯基、酿氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞 胺殘基、經取代之胺基、經取代之残基、經取代之魏 f氧基、經取代之魏基縣、經取狀魏基胺基 ㈣氧基、雜料基、料基、芳絲、經取 代之絲、或氰基，或者m卩2、RW、π =立=5及"6亦可結合形成環;Zl、z2、z3、ha =表示碳原子或氮原子;當zl、z2、z' =二Γ時’可為相同或不同;惟zl、z2、M /有2個為氮原子；當zl —者為碳原子時，結人 L Z及Z中任 代）， σ 碳原子之氫原子可經取代基取

321333 8 201008983 •或不同；丫1表示气〇〇(〇、_0_咖"）（1^)—_0_、_3_、 -B(m-、-Si(R12)(Rp(R，…p(R，(=〇)一或 -NCR16)- ; R9、R1。、、Rl2、Rl3、rh、Rl5、Rl6、Rl7、只18及 R19各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、 矽烷基氧基、經取代之矽烷基氧基、丨價雜環基、或鹵原 子；R2°、R21、R22、R23、R24、R25、R26、r27、r28、r29、r3〇、 O R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R4。、、R42、 R、R、R及1^各自獨立地表示氫原子、烷基、烷氧基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳 烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、 經取代之石夕燒基、齒原子、醢基、酿氧基、亞胺殘基、酿 胺基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、經取代之羧基、或 氰基）。 ❹ 本發明之第五目的係提供下述式（11a)或（lib)所示之 化合物：

9 321333 201008983 之意義；A表示芳基或1價雜環基；複數個存在之R’及A 各自可為相同或不同）。 本發明之第六目的係提供下述式（12)所示之化合物： W3—Ar’一W3 (12) (式中，W3表示聚合反應性基；複數個存在之W3可為相同 或不同；Ar’表示具有1至4個-L-M3所示基之2價芳族基， 或是具有選自氧原子、矽原子、磷原子、硼原子及硫原子 所成群組中之原子，與1至4個-L-M3所示基的2價雜環 基；L 表示單鍵、-0-、_S-、、_C(=0)0_、、 © -s(=0)2---Si(R68)(R69)-、N(R7°)---B(R71)---P(R72)-、 -P(=0)(R73)-、可經取代之伸烷基、可經取代之伸烯基、 可經取代之伸炔基、可經取代之伸芳基、或可經取代之2 價雜環基；M3表示前述式（1)所示之金屬錯合物之1價殘 基；當L及M3各自存在有複數個時，可為相同或不同；R68、 ' R69、R7°、R71、R72及R73各自獨立地表示氫原子、烷基、芳 基、1價雜環基或氰基）。 〇 (發明之效果） 本發明之高分子化合物等在使用於製造電致發光元件 等時，可獲得發光效率優異之電致發光元件。此外，在較 佳之實施型態中，會發揮驅動電壓低之效果。因此，本發 明之高分子化合物等係有用於製造發光元件（例如電致發 光元件）、光電元件等元件。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。又，在本說明書之結構式中， 10 321333 201008983 .虛線所示之鍵係表示配位鍵。 <高分子化合物> 首先’說明本發明之高分子化合物。 錯人^發明之高分子化合物係含有前述式⑴所示之金屬 所示之之殘基與前述式（34)43-2,(3-3)43-4)或（3-5) 屬2價基的高分子化合物，以含有前述式（1)所示之金 為佳-物之殘基與剛述式（3~1)所示之基的高分子化合物 ❹ ' 此外，從高分子化合物之溶解性、導電性及合成容 、、度之觀點來看，在本發明之高分子化合物中，以含有前 述式（3〜1)、（3_2)、（3_3)、（3-4)或(3-5)所示之2價基和 =述式（4)所示之基作為重複單元為佳。再者，從高分子化 :物之合成容易度及使用於發光元件時之發光效率的觀點 來看’以在重複單元中含有前述式（1)所示之金屬錯合物之 殘基為隹。 及導在本發明之向分子化合物中，從高發光效率、發光色 基之觀點來看，「前述式（1)所示之金屬錯合物之殘 2土^美 W 述式（3])、（3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5)所示之 $貝】土」的重量比較佳為1 : 2至1 : 1000，更佳為1: 3 玍1 · 4〇〇 。 在·本發明之 看’前迷式（1)所 之高分子化合物 重量％為更佳。 阿分子化合物中，從高發光效率之觀點來 示之金屬錯合物之殘基的比例係以本發明 之〇· 〇1至50重量％為佳，以〇. 〇1至25 在本發明 之向分子化合物中，從導電性之觀點來看， 11 321333 201008983 前述式（3-1)、（3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5)所示之 2 價基 的比例係以本發明之高分子化合物之10至99. 99重量％為 佳，以50至99. 99重量％為更佳。 在本發明之高分子化合物中，於重複單元中含有前述 式（1)所示之金屬錯合物時，從高分子化合物之合成容易 度、高發光效率之觀點來看，含有前述式（1)所示之金屬錯 合物之殘基的重複單元的比例係以本發明之高分子化合物 之0. 01至50重量％為佳，以0. 01至30重量％為更佳， 以0. 01至25重量％為特佳。 © 在本發明之高分子化合物中，當含有前述式（3-1)、 (3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5)所示之2價基作為重複單元 時，從合成容易度、導電性之觀點來看，該重複單元的比 例係以本發明之高分子化合物之10至99. 99重量％為佳， 以30至99. 99重量％為更佳，以50至99. 99重量％為特 ' 佳。 在本發明之高分子化合物中，前述式（1)所示之金屬錯 _ 合物之殘基及前述式（3-1)、（3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5) 所示之2價基係各自可僅含有1種，或各自可含有2種以 上。 本發明之高分子化合物可為非共軛系高分子或共軛系 高分子，從導電性之觀點來看，以共輛系高分子為佳。前 述共軛系高分子係指主鏈中之全鍵結之80至100% (尤其 是85至100%，更佳為90至100%)係共軛的高分子化合 物，以主鏈中含有芳香環之共輛系高分子為佳。 12 321333 201008983 本發明之高分子化合物，從使用於發光元件時之發光 效率或壽命等元件特性的觀點來看，聚苯乙烯換算之數平 均分子量以lxlO3至lxl〇8為佳，以lxl04至lxl07為更佳。 —金屬錯合物一 在本說明書中，金屬錯合物之殘基係指從金屬錯合物 去除k個（k為1以上之整數）氫原子後所剩餘的原子團（k 價基）。例如，前述式（1)所示之金屬錯合物之殘基係指從 前述式（1)所示之金屬錯合物去除k個氫原子後所剩餘的 〇 原子團（k價基），較佳為1至3價之基（亦即k為1至3之 整數）。 前述式（1)所示之金屬錯合物係由Μ所示之金屬原 子、以附註字m定義其數之配位基（以下，有時亦稱為「雙 牙螯合配位基」）、以附註字η定義其數之前述式（2)所示 之單陰離子性雙牙配位基（以下，有時亦稱為「單陰離子性 雙牙配位基」）所構成。又，在以下内容中，僅言及「配位 @基」時，係意指前述「雙牙螯合配位基」與前述「單陰離 子性雙牙配位基」兩者之配位基。 前述式（1)中，m為1至3之整數。 前述式（1)中，η為0至2之整數，較佳為0或1，更 佳為0。 惟，m + η為可結合於中心金屬Μ之配位基之合計數。 例如，當中心金屬為銥時，且n=2、m=2且η=1、 或m=3且η=0，更佳為m=3且η^Ο、或111=2且η=1， 特佳為m=3且n=0。 13 321333 201008983 前述式（1)中，Z1、Z2、Z3、Z4及Z5中至少有2個為氮 原子，較佳為2個或3個為氮原子。前述式（1)所示之金屬 錯合物，係以此等複數存在之氮原子為不鄰接（亦即不存在 於鄰接位）之組合的金屬錯合物為佳，具體而言為Z1、Z2、 Z3、Z4及Z5中之2個或3個為氮原子且氮原子不鄰接的金 屬錯合物。此外，當Z1、Z2、Z3、Z4及Z5中任一者為碳原 子時，結合於該碳原子之氩原子可經取代基取代。 從金屬錯合物之安定性、合成容易度、發光效率的觀 點來看，前述式（1)所示之金屬錯合物較佳為下述式（la) 或（lb)所示之金屬錯合物：

(1b) 14 321333 201008983 -(式中 M RR、R3、R4、R5、y、？!、z2、23、Z4、 z5及m係與前述具有相同之意義；m，及n，各自獨立地表示 1 或 2)， 更剛述式（1心所示之金屬錯合物。惟，在前述式⑽ ΐ ’m3 +"!為可結合於中心金屬M之配位基之合計數。R1、 R、R、R、R5HR8所示之原子、基係與後述r所說明 例示者相同。 ❹ 從雜發光色容§度之觀點來看，前述式⑴所示 f錯ί物係以前述及R8各自獨立地 麟、絲基、芳基、芳 基、芳嶋、芳崎、敏基、 土醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之 ❹ 2代Γ夕燒基、經取代切燒基氧基、經取代之石夕it 土、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氣基、儿土: 硫基、芳烯基、紐基、代之祕、或^= 人札A /J· 巫的金屬i 〇物為佳。此金屬錯合物中，！^及R4、或尺5及R6 形成環。 、可結 攸發光特性之觀點來看，前述式（1)所示之金屬_八 較佳為下述式（7-1)至（7-6)、（lc)或（Id)所示之金屬曰^ ' 物，更佳為下述式（lc)或（ld)所示之金屬錯合物：1 幻1333 15 201008983

321333 16 201008983

(式中，Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、m、n 及前述式（2) ❹所示之單陰離子性雙牙配位基係與前述具有相同之意義； R’表示氫原子、鹵原子、烧基、燒氧基、烧硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、 醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、 經取代之矽烷基、經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基 硫基、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜 芳硫基、芳稀基、芳快基、經取代之羧基、戒氰基；複數 個存在之R’可為相同或不同）。 前述式（7-1)至（7-6)、（lc)及（Id)中，R’所示之鹵原 17 321333 201008983 子、烧基、燒氧基、烧硫基、芳基、芳氧基… 芳 釀胺基 經 相同 炫基、芳燒氧基、技硫基、醯基、醯氧基^基、 亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之 取代之石夕燒基氧基、經取代之石夕炫基硫基、緩取$基 基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳=石夕燒 快；、經取代之竣基、及氛基，係與後述R所說明；二 一構成金屬錯合物之配位基會對金屬錯合物之發光色、 發光強度、發光效率等造成影響。因此，就金屬錯合物而 言，係以具有使配位基内之能量失活過程成為最少之配位 基的金屬錯合物為佳。並且，由於配位基所具有之取代基 之種類及/或取代位置會對配位基之電子特性造成彩響 會對金屬錯合物之特性造成影響。由以上之觀，點，認 發明之高分子化合物會因具有前述式（1)所示之金屬鍺Θ 物之殘基而成為發光效率高之高分子化合物。 前述金屬錯合物中，以如前述式（lc)或（ld)所系真耆 為0者為佳。更進一步，以如前述式（lc)所示真n為〇 為更佳。 撼、 刖述金屬錯合物之中心金屬之金屬原子Μ為釘、 鈀、锇、銥或鉑之金屬原子，較佳為锇、銥或鉑，更^ 銥或鉑，特佳為銥。此等金屬可對金屬錯合物遠成自 道相互作用，引起單態與三重態間之系間交又 (intersystem crossing) 。 t 在前述式（1)、前述式（la)或前述式（lb)所系 321333 18 201008983 合物中，前述雙牙螯合配位基可列舉如下述式所示之配位 基：

(式中，R為氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳院基、芳烧氧基、芳烧硫基、酿 19 321333 201008983 基、醯氧基、酿胺基、酿亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺 基、經取代之矽烷基、經取代之矽烷基氧基、經取代之石夕 烷基硫基、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、 雜芳硫基、芳烯基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基；* 表示與金屬原子Μ結合之部位；複數個存在之R可為相同 或不同）。 前述R所示之鹵原子係例示如氟原子、氯原子、填原 子、破原子等。 前述R所示之烷基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任一 種。此烷基之碳數通常為1至1〇。烷基可列舉如甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、 戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、 癸基、3,7-一曱基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、 王既丁基、全氟己基、全氟辛基等，以第三丁基、戊基、 己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3, 7—二曱基辛基為佳。 前述R所示之烷氧基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任 一種。此烧氧基之碳數通常為1至10。烧氧基可列舉如曱 氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、 第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧 基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7_二曱基辛氧基、 月桂氧基、三氟曱氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟 己基、全氟辛基、曱氧基曱基氡基、2-甲氧基乙基氧基等， 以戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基、3, 7_ 二曱基辛氧基為佳。 321333 20 201008983 前述R所示之烷硫基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任 一種。此烷硫基之碳數通常為1至丨〇。燒硫基可列舉如甲 硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、第二丁硫基、 異丁硫基、第三丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚 硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7一二 曱基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，以戊硫基、己硫 基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3, 7_二甲基辛硫基 為佳。

前述R所示之芳基的碳數通常為6至6〇，較佳為7至 48。芳基可列舉如苯基、CjCi2院氧基苯基（％至^院 氧基」係指烷氧基部分之碳數為i至12，以下相同）、G 至C12絲苯基（「CiG道基」係減基部分之碳 至12,以下相同）、卜萘基、萘基、卜葱基 =二氟=等。以。至Ci2燒氧基苯基、。至㈣基 ❹ 本基為仏。在此，芳基係指從芳族煙中去除i個氫原子德 所得之原子團。此芳族烴係包括：具有縮合環者、由2個 以上獨立之苯環或縮合環直接或纟 .等基而結合者。更進一步，該芳基亦==—) 代基㈣舉W至㈣氧絲基、。至㈣基。二取 美苯Γ=Γ2燒氧基苯基可例示如甲氧基苯基、土乙氧 sm、異丙氧基苯基、丁氧基笨基、異丁 氧基本基、第三T氧絲基、魏絲基、 ，己氧基苯基、絲絲基、辛氧絲基、其 本基、壬氧基絲、魏基苯基、3, η料氧基苯基土、 321333 21 201008983 月桂氧基苯基等。 _ 前述Ci至Ci2烷基笨基可例示如甲基笨基、乙基笨基 . 二曱基苯基、丙基苯基、“3,5-三甲基苯基（mesityi)、曱 基乙基本基、異丙基笨基、丁基苯基、第二丁基笨基 丁基苯基、第三丁基笨基、戊基苯基、異戊基笨基、己^ 本基庚基本基、辛基笨基、壬基笨基、癸基笨基、十 烷基（dodecyl)笨基等。 — 前述R所示之芳氧基的碳數通常為6至6〇，較佳為 至48。芳氧基可列舉如笨氧基、（^至Ciz烷氧基笨氧基'''、 (^至。烷基苯氧基、丨-萘氧基、2_萘氧基、五氟笨氧基等，© 以C〖至Cu烷氧基苯氧基、匕至C,2烷基苯氧基為佳。 刖述Cl至Cl2烧氧基苯氧基可例示如甲氧基笨氧基 乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、異丙氧基苯氧基、丁氧美 苯氧基'異丁氧基苯氧基、第三丁氧基苯氧基、戊氧基^ 氧基、己氧基苯氧基、環己氧基苯氧基、庚氧基笨氧2本 辛氧基苯氧基、2-乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基:癸 氧基笨氧基、3, 7-二甲基辛氧基苯氧基、月桂氧基^氧^ © 等。 土 前述C!至C!2烷基苯氧基可例示如甲基笨氧基、乙美 苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、丨，3, 5_三甲基笨^ 基、甲基乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基苯氧基t第二 丁基苯氧基、異丁基苯氧基、第三丁基苯氧基、戊基苯氧 基、異戊基笨氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基笨氧 基、壬基苯氧基、癸基笨氧基、十二烧基笨氧基等。 321333 22 201008983 . 芳硫基的碳數通常為6至60，較佳為7至48。芳硫基 可列舉如苯硫基、匕至Cu烷氧基苯硫基、匕至C!2烷基苯 硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等，以Ci至Ci2 烷氧基苯硫基、匕至C12烷基苯硫基為佳。 前述R所示之芳烧基的碳數通常為7至60，較佳為7 至48。芳烷基可列舉如苯基一〇至C!2烷基、匕至Cu烷氧 基苯基一 Cl至Cl2烧基、Cl至Cl2烧基苯基一Cl至Cl2燒基、 1 -秦基一Ci至Ci2烧基、2-萘基一Ci至Ci2烧基等，以Ci至 ® Cl2院氧基苯基-Cl至Cl2烧基、Cl至Cl2烧基苯基一Cl至Cl2 烧基為佳。 前述R所示之芳烷氧基的碳數通常為7至60，較佳為 7至48。芳烷氧基可列舉如：苯基曱氧基、苯基乙氧基、 本基丁乳基、本基戊氣基、苯基己氧基、苯基庚氧基、笨 基辛氧基等苯基一Cl至Cl2烧氧基；Cl至Cl2烧氧基苯基〜

Ci至Ci2烧氧基、Ci至Ci2烧基苯基一Ci至Ci2烧氧基、萘 ❹基一匕至C!2烷氧基、2-萘基一(:丨至Cl2烷氧基等，以（:丨至 C!2烷氧基苯基一匕至C!2烷氧基、匕至Cu烷基苯基一匕至 Cl2烧氧基為佳。 前述R所示之芳烷硫基的碳數通常為7至60，較佳為 7至48。芳烷硫基可列舉如：苯基—(^至Cl2烷硫基；Ci 至C!2烷氧基苯基一(^至Cl2烷硫基、Ci至C12烷基苯基一Q 至C!2烧硫基、1-萘基—匕至（：12烷硫基、2-萘基一d C12 烷硫基等，以（^至C!2烷氧基苯基-匕至（：12烷硫基、匕至 Cl2烧基苯基一Cr至Cl2烧硫基為佳。 23 321333 201008983 前述R所示之醯基的碳數通常為2至20，較佳為2至 18。醯基可列舉如乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、 三曱基乙醯基（pivaloyl)、苄醯基、三氟乙醯基、五氟苄 醯基等。 前述R所示之醯氧基的碳數通常為2至20，較佳為2 至18。醯氧基可列舉如乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、 異丁醯氧基、三甲基乙醯氧基、苄醯氧基、三氟乙醯氧基、 五氟苄醯氧基等。 前述R所示之醯胺基的碳數通常為2至20，較佳為2 至18。醯胺基可列舉如甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、 丁醯胺基、苄醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苄醢胺基、二 曱醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苄 醯胺基、二（三氟乙醯）胺基、二（五氟苄醯）胺基等。 前述R所示之醯亞胺基係指從醯亞胺去除1個結合於 其氮原子之氫原子後所獲得的1價殘基。此醯亞胺基的碳 數通常為2至60，較佳為2至48。醯亞胺基可例示如以下 之結構式所示之基： 24 321333 201008983

(式中，從氮原子延伸之線係表示結合鍵，Me表示甲基， Et表示乙基，n-Pr表示正丙基；以下相同；#表示結合鍵）。 前述R所示之亞胺殘基係指從亞胺化合物（亦即分子 内具有-N=C-之有機化合物。其例可列舉如醛亞胺、酮亞 @ 胺、及此等分子中結合於氮原子之氫原子經烷基等取代的 化合物等）去除1個氫原子後所得的1價殘基。該亞胺殘基 通常碳數為2至20，較佳為2至18。具體而言，例示如以 下結構式所示之基： 25 321333 201008983 # r .Et #^Ν^-ΡΓ j〇 'X) N^Me，N〜Et Me Λι ^t-Bu

#r N # n^Oo #，，丫 Me

N Γ t-Bu

(式中，i-Pr表示異丙

三丁基；t浪線所示之二U表示正丁基，表示筹 或「虛線麻之鍵結」;^表*「楔形射之鍵結」及‘ 紙面往此侧出來之鍵、妹，楔形所不之鍵結」係指從 面之對面侧出去之鍵妗之思，虛線所示之鍵結」係指往知 前述R所示之經#表示結合鍵)。 芳烧基及1價雜環基所=胺基，係指經選自烧基、芳基， 基。該烧基、芳基、芳中之1個或2個基取代的胺 經取代之絲的碳數，價雜環基可具有取代基。 為至6〇 ’較佳為2至犯。經取代之胺基可例示如：甲基 胺基-甲基胺基、乙基絲、二乙基胺基、丙基胺基、 一丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、 二丁基胺基、異丁基胺基、第三丁基胺基、戊基胺基、己 基胺基、環己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基 胺基、壬基胺基、癸基胺基、3, 7-二甲基辛基胺基、月桂 基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環 26 321333 201008983 •己基胺基、吡咯啶基、哌啶基、二-三氟甲基胺基、苯基胺 基、一苯基胺基、C!至k烷氧基苯基胺基、二（Cl至Cl2 烷氧基苯基）胺基、二（(^至&烷基苯基）胺基、卜萘基胺 基、2-萘基胺基、五氟苯基胺基、π比啶基胺基、嗒啡基胺 基、嘧啶基胺基、吼畊基胺基、三哄基胺基、苯基_Ci至 L烷基胺基、（^至C!2烷氧基苯基—(^至L烷基胺基、七 至烷基苯基一〇至clz烷基胺基、二（(^至Cl2烷氧基笨 基一(^至clz烷基）胺基、二（匕至Ci2烷基苯基_Ci至Ci2烷 ❹基）胺基、1-萘基一(^至C!2烷基胺基、2-萘基一(^至c12 烷基胺基等。 前述β所示之經取代之矽烷基，係指經選自烷基、芳 基、芳烧基及1價雜環基所成群組中之卜2或3個基取代 的梦烧基。經取代之矽烷基的碳數通常為1至6〇，較佳為 3至48 °又’該烷基、芳基、芳烷基或1價雜環基可具有 取代基。經取代之矽烷基可例示如：三曱基砍烷基、三乙 ❹基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、二甲基異丙 基碎烧基、二乙基異丙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、 戊基二甲基矽烷基、己基二曱基矽烷基、庚基二甲基矽烷 基、辛基二甲基矽烷基、2-乙基己基二甲基矽烷基、壬基 二甲基矽燒基、癸基二甲基矽烷基、3, 7-二甲基辛基二甲 基矽烷基、月桂基二甲基矽烷基、苯基—(^至Cu烷基矽烷 基、0至C!2烷氧基苯基-(^至Ο烷基矽烷基、匕至C12烷 基苯基一(^至Ci2烷基矽烷基、1-萘基一Cl至Cl2烷基矽烷 基、2-萘基一Cl至Cl2烧基梦烧基、苯基一Cl至Cl2烧基二 27 321333 201008983 甲基矽烷基、三苯基矽烷基、三_(對—二甲笨基）矽烷基 (tri-p-xylylsilyl)、三苄基矽烷基（tribenzylsilyl)、 ' 二苯基甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、二甲基苯基 梦烧基等。 前述R所示之經取代之矽烷基氧基，係指經選自烷氧 基、芳氧基、芳烷氧基及1價雜環基氧基所成群組中之j、 2或3個基取代的石夕院基氧基。經取代之梦燒基氧基的碳 數通常為1至60’較佳為3至48。又，該烷氧基、芳氧基、 ^烧氧基或1價雜環基氧基可具有取代基。經取代之硬烧 ❹ 基氧基可例示如：三甲基矽烷基氧基、三乙基矽烷基氧基、 三丙基碎烧基氧基、三異丙基碎烧基氧基、二甲基異丙基 矽烷基氧基、二乙基異丙基矽烷基氧基、第三丁基二甲基 石夕烧基氧基、戊基二甲基梦烧基氧基、己基二甲基石夕烧基 氧基、庚基二曱基矽烷基氧基、辛基二曱基矽烷基氧基、 2-乙基己基二曱基梦炫基氧基、壬基二曱基石夕烧基氧基、 癸基二甲基矽烷基氧基、3, 7-二曱基辛基二甲基矽烷基氧 基、月桂基二甲基矽烷基氧基、苯基一匕至Ci2烷基石夕燒基 氧基、Cl至Cl2烧氧基苯基一Cl至Cl2烧基梦烧基氧基、Ci 至C1Z烷基苯基一0至Cn烷基矽烷基氧基、1-萘基—(^至 Ci2烧基碎烧基氧基、2-萘基一Ci至Ci2烧基梦烧基氧基、 苯基一〇至C!2烷基二曱基矽烷基氧基、三苯基矽烷基氧 基、三-對-(二甲苯基）矽烷基氧基、三苄基矽烷基氧基、 二苯基甲基石夕烧基氧基、第三丁基二苯基石夕院基氧基、二 甲基苯基矽烷基氧基等。 28 321333 201008983 • 前述R所示之經取代之矽烷基硫基，係指經選自烷碌 基、芳硫基、芳烷硫基及1價雜環基硫基所成群組中之J、 2或3個基取代的矽烷基硫基。經取代之矽烷基硫基的碳 數通常為1至60,較佳為3至48。又’該烷氧基、芳硫基、 务烧硫基或1價雜環基硫基可具有取代基。經取代之發境 基硫基可例示如：三曱基矽烷基硫基、三乙基矽烷基硫基、 二丙基發烧基硫基、三異丙基石夕烧基硫基、二甲基異丙基 ^矽烷基硫基、二乙基異丙基矽烷基硫基、第三丁基二曱基 矽烷基硫基、戊基二甲基矽烷基硫基、己基二甲基矽烷基 硫基、庚基二甲基矽烷基硫基、辛基二甲基梦烷基硫基、 2-乙基己基二甲基矽烷基硫基、壬基二甲基石夕烷基硫基、 癸基二曱基矽烷基硫基、3, 7_二甲基辛基二甲基矽烷基硫 基、月桂基二甲基矽燒基硫基、苯基一Cl至Cl2烷基矽烷基 硫基、Cl至Cl2烷氧基苯基至Cl2烷基矽院基硫基、Cl 至Cu烷基笨基一(^至C!2烷基矽烷基硫基、卜萘基—匕至 © ciz烷基矽烷基硫基、2-萘基—匕至Cl2烷基矽烷基硫基、 苯基一匕至C!2烷基二曱基矽烷基硫基、三苯基矽烷基硫 基γ三-對-C二甲苯基）矽烷基硫基、三苄基矽烷基硫基、 二苯基曱基矽烷基硫基、第三丁基二苯基矽烷基硫基、二 曱基苯基矽烷基硫基等。 前述R所示之經取代之矽烷基胺基，係指經選自烷胺 基、芳胺基、芳烷胺基及1價雜環基胺基所成群組中之」、 2或3個基取代的矽烷基胺基。經取代之發烷基胺基的碳 數通常為1至6G’較佳為3至48。又，該燒氧基、芳胺基、 321333 29 201008983 芳烷胺基或1價雜環基胺基可具有取代基。經取代之矽烷 . 基胺基可例示如：三甲基矽烷基胺基、三乙基矽烷基胺基、 三丙基矽烷基胺基、三異丙基矽烷基胺基'二甲基異丙基 矽烷基胺基、二乙基異丙基矽烷基胺基、第三丁基二甲基 碎烧基取·基、戊基二曱基梦烧基胺基、己基二曱基梦烧基 fe·基、庚基二曱基♦烧基胺基、辛基二甲基梦烧基胺基、 2-乙基己基二甲基矽烷基胺基、壬基二甲基矽烷基胺基、 癸基二甲基矽烷基胺基、3, 7-二甲基辛基二甲基矽烷基胺 基、月桂基一甲基碎烧基胺基、苯基一Cl至Cl2燒基碎院基 Θ 氧基、0至C!2烷氧基苯基一(^至C12烷基矽烷基胺基、C! 至Cl2烷基苯基一(^至Cl2烷基矽烷基胺基、1-萘基—(^至 Cl2烧基梦烧基胺基、2-萘基一Cl至Cl2烧基>5夕烧基胺基、 苯基_0至Cu烷基二曱基矽烷基胺基、三苯基矽烷基胺 基、三-對-(二甲苯基）矽烷基胺基、三苄基矽烷基胺基、 二苯基曱基矽烷基胺基、第三丁基二苯基矽烷基胺基、二 甲基苯基矽烷基胺基等。 前述R所示之1價雜環基係、指從雜環式化合物去除！ © 個氫原子後所剩餘之原子團。丨價雜環基之碳數通常為3 至60，較佳為3至20。又，i價雜環基之碳數不包括取代 基之碳數。在此，雜環式化合物係指在具有環式結構之有 機化合物中，構成環之元素不僅為碳原子’亦在環内包含 氧、硫、H辦縣子者。丨價雜環基可例示如^ 吩基、（：，至k烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、[I 至C,2烷基吡啶基、嘧啶基、Cl至L烷基嘧啶基、三啡基!、 321333 30 201008983 . 匕至c12烷基三畊基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，以噻 吩基、（^至Cl2烷基噻吩基、吡啶基、（：！至C12烷基吡啶基、 嘧啶基、匕至C12烷基嘧啶基、三哄基、（：!至C〗2烷基三畊 基為佳。又，1價雜環基係以1價之芳族雜環基為佳。 前述R所示之雜芳氧基的碳數通常為6至60，較佳為 7至48。雜芳氧基可例示如噻吩基、匕至C12烷氧基噻吩基、 Cl至Cl2院基嗟吩基、°比σ定基氧基、°比β定基氧基、異啥琳基 氧基等，以Cl至C12烷氧基吡啶基、Cl至Cl2烷基吡啶基為 ❹佳。 前述(^至C12烷氧基吡啶基可例示如甲氧基吡啶基、 乙氧基11比啶基、丙氧基吼啶基、異丙氧基吼啶基、丁氧基 吡啶基、異丁氧基吡啶基、第三丁氧基吡啶基、戊氧基吡 啶基、己氧基°比啶基、環己氧基吼啶基、庚氧基吡啶基、 辛氧基°比啶基、2-乙基己氧基吼啶基、壬氧基吼啶基、癸 氧基吼啶基、3, 7-二曱基辛氧基《比啶基、月桂氧基吼啶基

前述Cl至Cl 2烧基σ比淀基氧基可例示如曱基α比咬基氧 基、乙基吼啶基氧基、二甲基吼啶基氧基、丙基吼啶基氧 基、1，3, 5-三甲基《比啶基氧基、曱基乙基吼啶基氧基、異 丙基吼啶基氧基、丁基吼啶基氧基、第二丁基吼啶基氧基、 異丁基《比啶基氧基、第三丁基吼啶基氧基、戊基吼啶基氧 基、異戊基吼啶基氧基、己基吼啶基氧基、庚基吼啶基氧 基、辛基π比咬基氧基、壬基°比°定基氧基、癸基吼σ定基氧基、 十二烷基吡啶基氧基等。 31 321333 201008983 前述R所示之雜芳硫基的碳數通常為6至6〇，較佳為 7至48。雜芳硫基可例示如π比咬基硫基、c,至c12燒氧基n比 啶基硫基、Cl至匕2烷基吡啶基硫基、異喹啉基硫基等，以 Cl至Cl2烧氧基吼咬基硫基、C!至Cl2烧基比唆基硫基為佳。 前述R所示之芳烯基的碳數通常為8至60，較佳為8 至48。芳烯基可例示如苯基―匕至k烯基（「C2至&烯基」 係指烯基部分之碳數為2至12，以下相同）、ο至C12燒氧 基苯基一匕至Cu烯基、〇至C1Z烷基苯基至C12烯基、 1-萘基一(：2至匕2烯基、2-萘基一(：2至C1Z烯基等，以（^至 Ci2燒氧基笨基一ο至Ci2埽基、C2至Ci2燒基苯基—至c12 稀基為佳。 前述R所示之芳炔基的碳數通常為8至6〇，較佳為8 至48。芳炔基可例示如苯基—匕至h炔基（「a至&炔基」 係指炔基部分之碳數為2至12，以下相同）、（^至c12烧氧 基苯基一匕至C1Z炔基、匕至Ck烷基苯基一ο至c12炔基、 1-萘基一(：2至C1Z炔基、2-萘基一G至G2炔基等，以d C!2燒氧基笨基一C2至Ci2炔基、d C!2烷基苯基一c2至c12 块基為佳。 前述R所示之經取代之羧基，其碳數通常為2至6〇， 較佳為2至48，意指經烷基、芳基、芳炫基或丨價雜環基 取代之羧基。經取代之羧基可列舉如：甲氧基羰基、乙氧 基羰基、丙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、 異丁 氧基羰基、第三丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、 環己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2_乙基己氧基 321333 32 201008983 ， 幾基、壬氧基幾基、癸氧基羰基、3，7-二曱基辛氧基幾基、 十二碳烷氧基羰基、三氟曱氧基羰基、五氟乙氧基羰基、 全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、吼 唆基氧基幾基、萘氧基羰基、σ比咬基氧基幾基等。該烧基、 芳基、芳烷基或1價雜環基可具有取代基。經取代之羧基 的碳數不包括該取代基之碳數。 前述陰離子性雙牙配位基較佳為前述式（2)所示之雙 牙配位基中除氫原子以外之原子數為3至30的雙牙配位 〇 基，例如，可列舉如下述式所示之雙牙配位基：

33 321333 201008983 前述金屬錯合物可列舉如以下所示之化合物。

34 321333 201008983

321333 35 201008983

36 321333 201008983

37 321333 201008983

38 321333 201008983

❹ 39 321333 201008983

40 321333 201008983

❹ 從安定之高效率發光之觀點來看，前述金屬錯合物係 以容易解除禁制躍遷（forbidden transit ion)而三重激發 態哥命短的金屬錯合物為佳。 一金屬錯合物之製造方法一 其次，說明金屬錯合物之製造方法。 前述金屬錯合物可藉由使成為配位基之化合物與金屬 化合物在溶液中反應而合成。亦可因應需要而使反應系中 ◎存在鹼、銀鹽化合物等。此外，可藉由使具有2-苯基吡咬 衍生物作為配位基之金屬錯合物與雜環芳族化合物進行偶 合反應而合成前述金屬錯合物。 就錯合化之方法（亦即，使成為配位基之化合物與金屬 化合物在溶液中反應的方法）而言，當其為銥錯合物時，例 示如 J. Am. Chem. Soc. 1984，106，6647;Inorg. Chem. 1991, 30, 1685;Inorg. Chem. 1994, 33, 545;Inorg. Chem. 2001，40，1704;Chem，Left., 2003，32，252 等記載之 方法，當其為始錯合物時，例示如Inorg. Chem. 1984，23， 41 321333 201008983 4249,Chem, Mater. 1999, 11, 3709;0rganometal1ics, 1999，18，1801等記載之方法，當其為鈀錯合物時，例示 如 J. Org· Chem.，1987，52，73 等記載之方法。 關於錯合化之反應溫度’通常可在從溶媒之融點至沸 點之間進行反應，以-78°C至溶媒沸點為佳。反應時間通常 為30分鐘至30小時左右。惟，在錯合化反應中使用微波 反應裝置時，亦可在溶媒之沸點以上進行反應，反應時間 通常為數分鐘至數小時左右。 前述成為配位基之化合物，係可藉由使2-苯基吡啶衍 生物與雜環芳族化合物進行鈴木（Suzuki)偶合反應、 Grignard偶合反應、Stille偶合反應等而合成。可將上述 原料化合物視需要溶解於有機溶媒中，並使用例如鹼、適 當之觸媒’在有機溶媒之融點以上沸點以下之溫度反應而 合成。此合成可使用 Organic Syntheses, Collective Volume VI, p.407-411, John Wiley&Sons, Inc. (1988) i Chem. Rev. vol. 106, p. 2651 (2006);Chem. Rev. vol. 102, P.1359 (2002);Chem. Rev. vol.95, p. 245T (1995); J. Organomet. Chem. vol. 576, p.147 (1999)等記載之方法。 前述雜環芳族化合物可依據” Houben-Weyl Methods of organic chemistry 4th edition” 第 E9b 卷，第 1 頁， Georg Thieme Verlag Stuttgart; Houben-Weyl Methods of organic chemistry 4th edition,第 E9c 卷，第 667 頁， Georg Thieme Verlag Stuttgart等記載之方法而合成。 前述偶合反應中使用之觸媒係以鈀觸媒為佳。鈀觸媒 42 321333 201008983 . 可例示如乙酸鈀、雙（三苯基膦）二氯化鈀（II)、肆（三苯基 膦）鈀（0)、[1，Γ -雙（二苯基膦基）二茂鐵]二氯化鈀 (II)、卷（二亞苄基丙酮）二把（0)(tris (dibenzylideneacetone) dipalladium(O))等，以肆（三苯 基膦）鈀（0)、[1，Γ-雙（二苯基膦基）二茂鐵]二氯化鈀 (II)、叁（二亞苄基丙酮）二鈀（0)為佳。視需要亦可存在磷 配位基。前述磷配位基可例示如三苯基膦、三（鄰曱苯基） 膦、三（第三丁基）膦、三環己基膦、1，Γ -雙（二苯基膦基） ¥ —戍鐵寻。 前述成為配位基之化合物，可列舉如以下所示之化合 物。 ❹ 43 321333 201008983

44 321333 201008983

45 321333 201008983

46 321333

201008983

47 321333 201008983

從前述金屬錯合物之安定性、合成容易度、發光效率 之觀點來看，前述成為配位基之化合物係以前述式（lla) 或下述式（lib)所示之化合物為佳，以前述式（11a)所示之 化合物更佳。 48 321333 201008983 前述式（lla)及（lib)中’ a所示之芳基及1償雜環基 係與前述R所說明例示者相同。 前述金屬錯合物可依以下之流程而合成：

(式中，R’係與前述具有相同之意義）。 所得之金屬錯合物之鑑定、分析可藉由元素分析、NMR 分析及MS分析而進行。 此外’本發明之金屬錯合物亦以藉由下述方法製造為 ❹佳，該方法包括：使下述式（8)所示之化合物與具有鹵原子 或烷基磺酸酯基之雜環芳族化合物進行偶合反應，

(式中 ’ Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、m、η、RX及 321333 49 201008983 與前述具有相同之意義；J1為下述式（9-1)至（9-6)所示之

#表不結合鍵）。 前述式（8)所示之化合物，可藉由使下述式（1〇)所示之 化合物進行硼酸化或硼酸酯化而合成：

(式中，Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、m、η、Rx 及尺7係 與前述具有相同之意義；J2表示鹵原子）。 又，本發明之金屬錯合物可藉由前述式（10)所示之化 合物與雜環芳族化合物進行鈐木偶合反應、Grignard偶合 反應、Stille偶合反應等而合成。 —式（3-1)至（3-5)所示之2價基一 50 321333 201008983 - 前述式（Η)至（3~5)中i R26、R27、fPf、俨、^、—、“、R23、R24、R25、 R38、d40、R41、R42、俨、反“ 、^、反35、R36、β37、 係與前述R所示之基、原子所始ηη 一 土 原于 所說s月例示者相同。 及（3-2) _，從本發明之高分子 vr 匕。物之合成容易度與高發 尤放羊之觀點來看，y係以__c(r9)(r_〇_c(R丨7)^丨8)_、 -〇~、-S-為佳，以_c(r9)(r1〇)_為更佳。 〇 ^前述式（3-1)所示之2價基可列舉如以下之式所示之 基： ❹

# # #

# #

Ra

321333 51 201008983

(式中，#表示結合鍵；1^表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳 烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之 石夕烧基、矽烷基氧基、經取代之矽烷基氧基、1價雜環基、 或齒原子；複數個存在之Ra可為相同或不同；表示烷基、 芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基或1價雜環基）。

Ra所示之烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、 ，基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、矽烷基 氧基、經取代之矽烷基氧基、1價雜環基、_原子，係與 321333 52 201008983 前述^所示之基、原子所說明例示者相同。

Rd所示之烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔 價雜環基係與前述R所示之基所說明例示者相同。… 前述式（3-2)所示之2價基可列舉如以下之式所示之 基·

(式中’ #及1?3係與前述具有相同之意義 前述式（3-3)所示之2價基可列舉如以下之式所示之 基：

(式甲’ #、Ra & Rd係與前述具有相同之意義）。 前述式（3-4)所示之2價基可列舉如以下之式所示之 基：

321333 201008983 (式中，#及Ra係與前述具有相同之意義）。 前述式（3-5)所示之2價基可列舉如以下之式所示之 基：

Ra pa

(式中，#及只3係與前述具有相同之意義）。 —前述式（3-1)至（3-5)所示之2價&中，從元件壽命與 讀特性之觀點來看，以前述式（3_υ所示之2價基為佳。 ~其他基一 本發明之高分子化合物中，除了前述式⑴所示之金屬 錯合物之絲與前料⑹出冲料之卩價基以外， 亦可復含有下述式（4)所示之基：

N_ArD (式中，Ar1、Ar2、Ar3 及 Ar4 夂 ώ 油 雜環基；ArW及Ar?各自獨立=蜀立地表示伸芳基或2價 A6 芳基或1價雜環基； 各自獨立地表示〇或，：及，^ 且〇Sa + bSl; #表示結合鍵）。 321333 54 201008983 1=式（4)中，仏V3及W所示之伸芳基係從 =煙去除2賴料麟狀好團，亦包括具有縮合 $其由2個以上獨立之苯環或縮合環直接或經由伸乙婦 =基而結合者。伸芳基可具有取代基。伸芳基之除取代 基以外之部分之碳數通常為6至6Q，較佳為6至2㈣芳 基之包含取代基之全碳數通常為6至1〇〇。 前述式⑷中，V、Ar2、Ar3及紅4所示之2價雜環基 ❽係與^述^所示之2價雜環基所說明例示者相同。 則述式⑷中，Ar5、Ar6及Ar7所示之芳基及i價雜環 基係^前述R所示之芳基及i價雜環基所說明例示者相同。 則述式（4)中，伸芳基、2價雜環基、芳基及丨價雜環 ，所可，有之取代基，可列舉如絲、絲基、烧硫基、 =基芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代 之矽烷基、齒原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、 ❹酿亞胺基、1價雜環基、竣基、經取代之絲、氰基及頌 基。此等取代基係與構成前述金屬錯合物之配位基可具有 之取代基所說明例示者相同。 刖述式（4)所示之基可列舉如以下之式所示之基： 55 321333 201008983

124

56 321333 126 201008983

(式中，Rb表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、 ❹鹵原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1 價雜環基、羧基、經取代之羧基、或氰基；此等基所含之 氫原子可經氟原子取代；複數個存在之Rb可為相同或不 同；#表示結合鍵）。 _金屬錯合物之殘基之位置一 本發明之高分子化合物可列舉如： 1. 在分子鏈之主鏈具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 ❹物、 2. 在分子鏈之末端具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 物、 3. 在分子鏈之側鏈具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 物。 在分子鏈之主鏈具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 物係例如以下述式之任一者所示者。 57 321333 201008983

m24- / q (式中，Μ1、M2表示金屬錯合物之殘基，p及q表示聚合度； 僅在該式中，實線表示分子鏈）。 前述M1可列舉如以下之式所示之金屬錯合物之殘基（2 價）。 ❿ 58 321333 201008983

(式中，#及1?係與前述具有相同之意義）。 前述M2可列舉如以下之式所示之金屬錯合物之殘基（3 59 321333 201008983 價）。

(式中，#及1?係與前述具有相同之意義）。 在分子鏈之末端具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 物係例如以下述式所示者。 -LM3 M3L-LM3 (式中，Μ3表示金屬錯合物之殘基；僅在該式中，實線表示 分子鍵；L 表不單鍵、_0_、-S-、_C(=0)_、-C(=0)0-、 -S(=0)---S(=0)2---Si(R68)(R69)-、N(R7。）-、-B(R71)-、 -P(R72)---P(=0)(R73)-、可經取代之伸烷基、可經取代之 伸烯基、可經取代之伸炔基、可經取代之伸芳基、或可經 取代之2價雜環基；R68、R69、R7°、R71、R72及R73係與前述 60 321333 201008983 具有相同之意義）。 前述Μ3可列舉如以下之式所示之金屬錯合物之殘基（1 價）。

61 321333 201008983 201008983

63 321333 201008983 201008983 4 (式中，#及R係與前述具有相同之意義）。 在分子鏈之侧鏈具有金屬錯合物之殘基的高分子化合 物，可列舉如金屬錯合物之殘基為1價基之高分子化合物。 前述分子鏈具有例如式：-(Ar，）-所示之重複單元。該 式中，Ar’表示具有1至4個-L-M3所示基之2債芳族基， 或是具有選自氧原子、矽原子、磷原子、硼原子及硫原子 所成群組中之原子與1至4個-L-M3所示基的2價雜環基。 L及M3係與前述具有相同之意義。當l所示之伸燒基、伸 ❹烯基、伸炔基含有-CH2-基時，該伸烷基所含之1個以上之 -CIL·-基、該伸烯基所含之1個以上之—(^广基、該伸炔基 所含之1個以上之-CH2-基分別可經選自—S-、 -c(=0) C(=〇)0-、-s(=0)- ' -s(=0)2-、-Si(R74)(R75)一、 N(R76)-、-B(R77)-、-p(R78)-及_p(=0)(R79)_所成群組之基 取代。π、R75、R' γγ及f各自獨立地表示氫原子、 烷基、芳基、1價雜環基或氰基。Ar，除了具有_L_M3所示 ❹之基以外，亦可具有選自烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、 芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、 _原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、1 價雜環基、羧基、經取代之羧基、及氰基所成群組之取代 基。當Ar’具有複數個取代基時，該等可為相同或不同。 前述式中，R68、R69、R70、r7I、r72、r73、R74、R75、R76、 R77、R78及R79所示之烷基、芳基、丨價雜環基或氰基，以及 作為Ar’所可具有之取代基的烷基、烷氧基、烷硫基、芳 65 321333 201008983 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳 烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之 矽烷基、鹵原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯 亞胺基、1價雜環基、羧基、經取代之羧基、及氰基，係 與前述R所示之基、原子所說明例示者相同。

Ar’可列舉如以下之式所示之基。 66 321333 201008983

#

#

#

#

# M3 0

#

#

#

#

# o

#

#

R

R

R 67 321333 201008983

(式中’ #、L、R及Μ3係與前述具有相同之意義）。 L所示之伸烷基的碳數通常為1至30,較佳為1至15。 伸烧基可例示如亞甲基（methylene)、伸乙基（ethylene)、 伸丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞曱基、八 亞甲基、1,3-伸環戊基、1，4-伸環己基等。 321333 68 201008983 • L所示之伸烯基的碳數通常為2至30,較佳為2至15。 伸烯基可例示如伸乙烯基、伸丙烯基尊。伸烯基亦包括 1，3-伸丁一婦基（1，3-butadienylene)等伸烴二婦基。 L所示之伸炔基的碳數通常為2至3〇,較佳為2至15。 伸炔基可例示如伸乙炔基等。伸炔基亦包括具有2個叁鍵 之基，例如 1，3-伸丁二块基（1，3-butadiynylene)。 L所示之伸芳基係表示從芳族烴化合物去除2個氫原 子後所得之基，構成芳香環之碳數通常為6至3〇，較佳為 ❹6至15。伸芳基可列舉如伸苯基、伸聯苯基、伸聯三笨基 (terphenylene)、萘二基、蒽二基、菲二基、（環戊二烯^ 環戊二烯）二基（pentalenediyl)、茚二基（indenediyl)、 (環庚二烯并環庚二烯）二基（heptalenediyl)、（二環戊二 .婦弁本）一基（indacenediy 1)、（苯并菲）-某 • (triphenylenediyl)、伸聯萘基、苯基萘二基、（二苯乙烯） —(sti 1 benediy 1)、第二基等。 ❹[所不之2償雜環基係減雜環式化合物絲2個J 原子後所祕之原子團。2價雜環基之碳數通常為2至& 較佳為2至15。X，2價雜環基之碳數不包含取代基々 數。2價雜環基仙2㈣族雜環基為佳j價雜環基可 舉如比咬一基、一氮雜伸苯基（diaza_ylene)、啥琳: 基、喹喔啉二基（qUinoxalinediyl)、吖啶二基 (acridinediyl)、聯吡啶二基、啡啉二基 (phenanthrolinediyl) 〇 從高分子化合物之合成容易度與發光特性之觀點來 321333 69 201008983 看，L較佳為單鍵、+、亞甲基、伸乙基、六亞甲基、八 亞甲基、伸乙烯基、伸苯基、伸聯苯基及啦咬二基，更佳 為伸笨基及。比咳二基。 ^發明之高分子化合物係以不會大幅損及電荷輸送性 二：注入性等之高分子化合物為佳，並以載體(電子或電 洞）輸送性優異之共軛系高分子為更佳。 當本發明之高分子化合物具有包含前述式⑴所示之 殘基的重複單元、以及包含前述式（㈣至 所示之2價基的重複單元時，在不損及發光特性或電 j送特性之範_，亦可含有其他重複單元 。此•時 Y包 二述式⑴所不之金屬錯合物之殘基的重複單元以及包 :刚述式（3-1)至（3-5)所示之2價基的重複單元的合計， 係以全重複單元之10莫耳％以上為佳，以全重複單元之 =莫耳心上為錢，全重鮮元之㈣耳㈣上為特 佳。 § 田使用本發明之高分子化合物作為紅色發光材料時， ，明之高分子化合物的虹發光光譜之尖峰波長較 至 800nm，更佳為 570 至 700nm。 <組成物> 本發明之組成物含有前述高分子化合物， 有電^輸送材料及/或發光材料。 為復含 則述電荷輪送材料係分類為電洞輪送材料與電子 在崎料巾可使时齡合物（低分子有機化^ /或呵分子有機化合物）。 σ物及 321333 70 201008983 • 前述電洞輸送材料可列舉如芳族胺、味唆衍生物、聚 對伸笨基衍生物等在有機EL元件中作為電洞輸送材料而 周知者。前述電子輸送材料可列舉如在有機EL元件中作為 電子輸送材料而周知者’例如噚二唑衍生物、蒽酿二甲燒 及其衍生物、苯醌（benzoquinone)及其衍生物、萘驅及其 衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、 苐酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯苯酿 (diphenoquinone)衍生物、8-羥基喹啉及其衍生物之金屬 ©錯合物。前述電荷輸送材料之低分子有機化合物係指在低 分子有機EL元件中所使用之主體化合物、電荷注八輸送化 合物，具體而言可列舉如「有機EL顯示器」（時任靜士、 安達千波矢、村田英幸共著，〇hmsha出版社）1〇7頁、月刊 顯不器（vol.9，Νο·9，2003年26-30頁）、日本特開 2004一244400號公報、日本特開2004-277377號公報等記 f之化合物。雖然亦依此等電荷輸送材料之種類而有所不 ❹f 般而言’為了從金屬錯合物獲得良好之發光，此 ★育輪送材料之最低二重態激發能量較佳係大於金屬錯 合物之最低三重態激發能量。 前述電荷輪送材料之低分子有機化合物可列舉如以下 之式所示之化合物。 71 321333 201008983

72 321333 201008983

Ο 73 321333 201008983

-c8h17 74 321333 201008983 ❹

OMe

Ρβ^ιγ^ν

c8h17 Ο 輛系高分㈣之高分子有機化合物可列舉如非共 乙稀基味心If南分子。非共_高分子可列舉如聚 之聚合物，較佳;分子可列舉如在主鏈含有芳香環 基在主射含有可具有取代基之 可具有取似 1第、可具有取代基之二苯并嗟吩、 ⑽卿SirQie；；V有减基之二笨并石夕呢 物 ）作為重複早元者；或是與該等單元之共聚 其夕+广Μ子有機化合物亦可列舉如：含有可具有取代 基之本環作為部分結構的高分子化合物、日本特開 〇〇3 23Π41號公報、日本特開測㈣哪⑽號公報、曰 本特開2〇〇4-〇〇2654號公報、日本特開2004—292546號公 報、US5708130、W099/54385、WOOO/46321、W002/077060、 75 321333 201008983 +「有機虹顯示器」（時任靜士、安達千波矢、村田英幸丑 著，Ohmsha出版社）】】]頁、s ρ , η λτ " m月刊顯不益（νοΐ.9, Νο.9, _ 年）475!頁專g己載之高分子。 前述電荷輸送材料之高分子有機化合物尚可列 有前述式（3a)或（3b)所示之重複單元的高分子，例如^ 列舉如含有下述基（亦即在下述例示中去除括號後’ ° 之向分子、含有下述基作為重複單元之高分子。

(式中，#表示結合鍵）。 321333 76 201008983 前述電荷輸送材料之低分子有機化合物或高分 化合物之最低三重態激發能量⑽與金屬錯合 機 重態激發能量（ΤΜ)係以滿足下述關係為佳： 敢低三 ΤΗ> ΤΜ-0. 2(eV) 使用前述電荷輸送材料之高分子有機化合物時▲ 好有機化合物之聚苯乙_算之數平均分 = Ο

Xl0至W’更佳為1咖至咖。此外，該高^子為之1 聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為㈣3至WO 佳為5χ104至5χ106。 更 前述發光材料可列舉如萘衍生物、f及其衍生物、花 及其衍生物、聚次甲基（pQlymethine)系、二苯并㈣ (xanthene)系、香豆素（c〇UIQarin)系、花青（cyanine)系等 +色素、8-羥基喹啉及其衍生物之金屬錯合物、芳族胺、四 苯基環戊二烯及其魅物、四苯基丁二烯及其衍生物等低 分子發光材料。 ❹ 本發明組成物中的本發明高分子有機化合物的調配 量，雖依組合之有機化合物之種類或欲最適化之特性而有 所不同，但當本發明之組成物之全體量為丨〇〇重量份時， 該調配量通常為〇. 01至8〇重量份，較佳為〇. 1至6〇重量 份。前述金屬錯合物可單獨使用丨種，亦可併用2種以上。 <元件> 本發明之元件含有本發明之高分子化合物，例如為具 有由陽極及陰極所構成的電極、與設置於該電極間且含有 本發明之高分子化合物的層之元件。以下，就其代表例而 77 321333 201008983 言，說明當本發明之元件為發光元件時之情形。 本發明之發光元件係具備：由陽極及陰極所構成之電 極'、與挾持於該電極間之至少具有發光層之i層（單層型） 或複數層（多層型）所構成之薄膜者。該薄膜層之至少工層 含有本發明之高分子化合物。相對於發光層整體之重量， 前述薄膜中之本發明之高分子化合物的合計含量通常為 0.1至100重量％，較佳為01至80重量％，更佳為〇 5 至60重量％。本發明之發光元件中，前述發光層較佳係含 有本發明之兩分子化合物作為發光材料。 …田本發明之發光元件為前述單層型時，前述薄祺為發 光層，此發光層含有本發明之高分子化合物。此外，當本 發明之發光元件為多層型時，例如為以下之構成：田 (a) 陽極/電洞注入層（電洞輪送層）/發光層/陰極 (b) 陽極/發光層/電子注入層（電子輸送層赠極 (c) 陽極/電洞注人層（電洞輸送層）/發光層/電子注入層 (電子輸送層）/陰極 本發月之發光元件之陽極係對電洞注入層、電洞輸送 2、發光層等供給電洞者，以具有4· 5eV以上之功函數而 f效果。陽極之材料可使用金屬、合金、金屬氧化物、電 導! 生化σ物、此等之混合物等。陽極之材料可列舉如： 錫t化辞、氧化铜、氡化銦錫（ΙΤ0)等導電性金屬氧 ’金銀、鉻、麟金屬；此等導電性金屬氧化物與 暂之亡口物或積層物；碟化鋼、硫化銅等無機導電性物 、，聚苯胺類、聚嗟吩類（PED0T等）、聚❿各等有機導電 78 321333 201008983 . 性材料；此等與ΙΤ0之積層物等。 本發明之發光元件之陰極係對電子注入層、電子輸送 層、發光層等供給電子者。陰極之材料可使用金屬、合金、 金屬鹵化物、金屬氧化物、電傳導性化合物或此等之混合 物，可列舉例如鹼金屬（鋰、鈉、鉀等）及其氟化物與氧化 物、驗土金屬（鎂、鈣、鋇、鉋等）及其氟化物與氧化物、 金、銀、鉛、鋁、合金及混合金屬類（鈉-鉀合金、鈉_卸混 合金屬、鋰-鋁合金、鋰-鋁混合金屬、鎂-銀合金、鎂一銀 ®混合金屬等）、稀土金屬（銦、镱等）等。 本發明之發光元件之電洞注入層及電洞輸送層，只要 是具有從陽極注入電洞之機能、輸送電洞之機能、將從陰 極注入之電子予以阻障之機能中之任一機能者即可。此等 層之材料可適當地選择使用周知材料，可列舉如咔唑衍生 物、三唑衍生物、噚唑衍生物、噚二唑衍生物、咪唑衍生 物、聚芳基烷烴（polyarylalkane)衍生物、吡峻啉衍生物、 ❹吼唾琳鋼（Pyrazolone)衍生物、苯二胺（phenylenediamine) 衍生物、芳基胺衍生物、經胺基取代之查耳酮（chalcone)、 本乙婦基蒽衍生物、茱酮衍生物、腙（hydrazone)衍生物、 —笨乙烯衍生物、矽氮烷（silazane)衍生物、芳族三級胺 化合物、笨乙烯基胺衍生物、芳族二次甲基系化合物、卟 啉系化合物、聚矽烷系化合物、聚（N-乙烯基咔唑）衍生物、 有機石夕燒衍生物、本發明之高分子化合物等、含有此等之 聚合物等。除此之外，亦可列舉如苯胺系共聚物、噻吩寡 聚物、聚噻吩等導電性高分子寡聚物。此等材料可單獨使 79 321333 201008983 用1種’亦可併用複數種成分。又’前述電洞注入層及 述電洞輸送層可為由1種或2種以上之前述材料所構成之 單層結構，亦可為由同一組成或異種組成之複數層所構成 之多層結構。

G 本發明之發光元件之電子注入層及電子輸送層，只要 是具有從陰極注入電子之機能、輪送電子之機能、將從陽 極注入之電洞予以阻障之機能中之任一機能者即可。電子 注入層及電子輸送層所使用之材料可列舉如··三唾衍生 物、噚唑衍生物、卩f二唑衍生物、咪唑衍生物、第酮衍生 物、蒽S昆二曱烧衍生物、蒽酮（anthrone)衍生物、二苯基 苯醌（diphenylquinone)衍生物、二氧化噻喃衍生物、碳二 亞胺（carbodi imide)衍生物、亞苐基甲烷（nu〇renyi idene

G ^ethane)衍生物、二（笨乙烯基）吡哄衍生物；萘、茈等之 芳香環四紐酐；酞菁衍生物、8_經基嗜琳衍生物之金屬 錯合物；金屬駄菁、以苯并曙唾或苯并嗟唾作為配位基之 金屬錯合物所代表之各種金屬錯合物；有機石夕烧衍生物、 分子化合物等。又，前述電子注入層及前述電 心、：：=1種或2種以上之前述材料所構成之單層 層1構—組成或異種减之複數層所構成之多 声之:二二=之發光元件中，電子注入層、電子輸送 主緣體或半導體之無機化合物。若電子 . 1送層係由絕緣體或半導體所構成，即可有 效地防止電流之茂漏 彳㈣p Η 叔升電子注入性。此等絕緣體可使 321333 80 201008983 用選自鹼金屬硫族化合物、 絵^1金屬硫族化合物、鹼金屬

化物或氧化氮化物可單獨使用丨種， 物等。此等氧化物、氮 ，亦可併用2種以上。 fk , * ·〜川丄π至，刃、1牙用ζ裡以上。 、本?明中，在陰極與其相接之薄膜的界面區域中，亦 可添加，原性摻雜物。還原性摻雜物較佳為驗金屬、驗土 金屬之氧化物、驗土金屬、稀土金屬、選自驗金屬之氧化 物、驗金屬之齒化物、驗土金屬之氧化物、驗土金屬之齒 物稀土金屬之氧化物、稀土金屬之鹵化物、驗金屬錯 η物驗土金屬錯合物及稀土金屬錯合物所成群組中之至 少一種化合物。 ❹ 本發明之發光元件之發光層具有下述機能 :在外加電 壓時’可藉由陽極或電洞注入層而注入電洞，並可藉由陰 極或電子注入層而注入電子的機能；以電場力使注入之電 荷（電子或電洞）移動的機能；提供使電子與電洞再結合之 場所’並使其參與發光的機能。本發明之發光元件之發光 層係以含有本發明之高分子化合物為佳’亦可含有以該高 刀子化合物作為客體材料之主體材料。前述主體材料可列 I如具有第骨架者、具有十坐骨架者、聚有二芳基胺骨架 者、具有吡啶骨架者、具有吼畊骨架者、具有三畊骨架者、 81 321333 201008983 具有芳基㈣骨架者等。前述主體材料之τι(最低三 發態之能階）係以大於客體材料之最低三重激發態之能階 為佳，其差係以大於G.2eV為更佳。前述主體材料可為低 分子化合物，亦可為高分子化合物。此外，將前述主趙材 料與前述金屬錯合物等發光材料混合並藉由塗佈、或 鍵等，即可形成在前述域材料中摻雜有前述發光材= 發7^層。

本發明之發光元件中，前述各層之形成方法 真空蒸鑛法（電阻加熱紐法、電子核等）、雌法:U 法、分子積層法、塗佈法（洗鏵法（castingineth〇d)、旋塗 法、棒式塗佈法、刀式塗佈法（blade _ing)、輥式塗佈 法、凹版印刷、網版印刷、喷墨法等）等。此等中，從可簡 略製造步驟之觀點來看，以塗佈成膜為佳。在前述塗佈法 中，可將本發明之高分子化合物溶解於溶媒而調製塗佈 液’並在所期望之層（或電極）上將該塗佈液予以塗佈、乾 燥而形成。在該塗佈液中，可含有樹脂作為主體材料及/ 或黏結劑（binder) ’並且亦可使該樹脂在溶媒中為溶解狀 態或分散狀態。前述樹脂可使用非共軛系高分子（例如聚乙 烯基咔η坐）、共軛系高分子（例如聚烯烴系高分子）。更具體 而言’可視目的而自聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚 甲基丙烯酸曱酯、聚曱基丙烯酸丁酯、聚酯、聚颯、聚苯 醚（polyphenylene oxide)、聚丁二烯、聚（Ν-乙烯基咔 唑）、烴樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚醯亞胺、乙基纖維 素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺酯、三聚氰胺樹脂、不 82 321333 201008983 '飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、發樹腊等加以選擇。 溶液可含有抗氧化劑、黏度調整劑等作為任意成分。 —光電元件一 本發明之高分子化合物可使用於製造光電元件。 光電元件可列舉如光電轉換元件等，可列舉如在至少 一者為透明或半透明之二個電極間設置含有本發明之高分 子化合物之層的元件、或是具有在經製膜於基板上之含有 ❹本發明之高分子化合物之層上形成的梳型電極之元件等。 為了提升特性，亦可混合富勒烯（fullerene)或碳奈米管 等。 光電轉換元件之製造方法可列舉如曰本專利第 ——3146296號公報記載之方法，例如，可列舉如：在具有第1 電極之基板上形成含有本發明之高分子化合物之層（薄 膜）’並在其上形成第2電極的方法；在形成於基板上之一 組梳型電極上’形成含有本發明之高分子化合物之層（薄膜） ❹的方法等。第1電極或第2電極中’有-者為透明或半透 明。 關於形成含有本發明之高分子化合物之層（薄膜）的方 法、或疋混合富勒烯或碳奈米管的方法，可適當地利用發 光元件所例示者。 〈液狀組成物〉 本發明之液狀組成物係含有本發明之高分子化合物、 以及〉谷媒或分散媒所成者。本發明之液狀組成物所使用之 岭媒、分散媒’可從周知溶媒中適當地選擇使用可令薄膜 83 321333 201008983 之成分均勻地溶解或分散而且安定者。此等溶媒可列舉如 氯系溶媒（氯仿、二氣曱烧、1,2 -二氯乙烧、1，1,2 -三氯乙 烷、氣苯、鄰-二氯苯等）、醚系溶媒（四氫呋喃、二噚烷等）、 芳族烴系溶媒（苯、甲苯、二曱苯等）、脂肪族烴系溶媒（環 己烷、曱基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、 正壬烷、正癸烷等）、酮系溶媒（丙酮、甲基乙基酮、環己 酮等）、酯系溶媒（乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇乙醚乙酸 酯（ethy 1 cel losolve acetate)等）、多元醇及其衍生物（乙 二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二 曱氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基曱烷、三乙二醇單乙醚、 甘油、1,2-己二醇等）、醇系溶媒（甲醇、乙醇、丙醇、異 丙醇、環己醇等）、亞颯系溶媒（二甲基亞砜等）、醯胺系溶 媒（N-甲基-2-吡咯啶酮、N, N-二甲基甲醯胺等）等。此等溶 媒可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 當將前述液狀組成物使用於喷墨法時，為了使該液狀 組成物之吐出性及再現性更良好，該液狀組成物亦可含有 周知之添加劑。為了抑制從噴嘴之蒸發，此周知之添加劑 可列舉如高沸點之溶媒（苯曱醚、聯環己基苯等）等。並且， 含有此周知添加劑之液狀組成物在25°C中之黏度較佳為1 至 100 mPa · s 。 本發明之發光元件中各層之較佳膜厚雖然依材料之種 類或層構成而有所不同，但一般而言，若膜厚太薄，則容 易產生針孔（pinhole)等缺陷，相反地若太厚，則需要較高 之外加電壓，而使發光效率變差，故通常是以數nm至1 // 84 321333 201008983 . ID為較佳。 本發明之發光元件之用途可列舉如面狀光源、照明用 光源（或光源）、標誌用光源、背光用光源、顯示器裝置、 印表機噴頭等。前述顯示器裝置可使用周知之驅動技術、 驅動電路而選擇區段（segment)型、點矩陣（dot matrix) 型。 <製造方法> 本發明之高分子化合物可藉由包含下述方法之製造方 ® 法而合成：例如使前述式（5)所示之金屬錯合物與前述式 (6-1)、（6-2)、（6-3)、（6-4)或（6-5)所示之化合物進行反 應的方法。 前述式（5 )中，W1及W2所示之聚合反應性基可列舉如 鹵原子、烧基項醯基氧基、芳基續醮基氧基、芳烧基續酿 基氧基、硼酸酯殘基、銃曱基、鱗曱基、膦酸酯曱基、經 單鹵化之曱基、-MgX(X表示鹵原子）、錫烧基（stannyl)、 q -Β(0Η)2、曱醯基、氰基等，以-Β(0Η)2、硼酸酯殘基、-MgX、 錫烷基、鹵原子為佳。 前述聚合反應性基之鹵原子可列舉如氟原子、氯原 子、漠原子、埃原子，較佳為氯原子、漠原子、蛾原子， 更佳為溴原子。 前述聚合反應性基之烷基磺醯基氧基可列舉如甲基磺 酿基氧基I、_乙基續酿基氧基、三氣甲基石黃酿基氧基等.。 前述聚合反應性基之芳基磺醯基氧基可列舉如苯基磺 醯基氧基、對-曱苯基磺醯基氧基等。 85 321333 201008983 前述聚合反應性基之芳烧基續醯基氧基可列舉如苄基 磺醯基氧基等。 前述聚合反應性基之硼酸酯殘基可列舉如二烷基酯殘 基、二芳基酯殘基、一芳基烧基酯殘基，以下述式所示之 基為佳： ,〇CH3 OCzHs 〇C3H7 #_B、 #—B、 #—B OCH3 OC2H5 oc3h7

(式中，#表示結合鍵）。 锍曱基可列舉如下述式所示之基： -CH2S+Me2X· ' -CH2S+Ph2X* (式中’ X表示鹵原子’ Ph表示苯基）。 鱗曱基可列舉如下述式所示之基： -CH2P+Ph3X" (式中，X表示鹵原子）。 膦酸酯曱基可列舉如下述式所示之基： -CH2P0(0Rc)2 & * (式中，X表示_原子，^表示烷基、芳基、 經單函化之曱基可列舉如單氟甲基、 或芳烧基） 甲基、單碘甲基。 _MgX 可列舉如-MgCl、-MgBr、-Mgi 锡烧基亦可具有取代基，可列舉如無取件 (-SnH3)、三氣錫烷基、三甲基錫烷基、 單氯曱基、單溴 代之錫烷基 乙基錫烧基、 321333 86 201008983 . 正丁基錫烷基、三苯基錫烷基、三苄基錫烷基。 就前述聚合反應性基而言，當使用Yamamoto偶合反應 等之0價鎳錯合物時，以鹵原子、烷基磺醯基氧基、芳基 磺醯基氧基、芳烷基磺醯基氧基為佳，當使用鈴木偶合反 應等之鎳觸媒、鈀觸媒時，以烷基磺醯基氧基、_原子、 硼酸酯甲基、-B(0H)2為佳。 製造本發明之高分子化合物時，例如，將成為單體之 具有複數個參與聚合之取代基的化合物因應需要溶解於有 ®機溶媒中，並使用鹼或適當之觸媒，於有機溶媒之融點以 上沸點以下即可製造。本發明之高分子之製造方法可使用 Organic Reactions, vol.14, p.270-490, John Wiley & Sons, Inc. (1965);Organic Syntheses, Collective Volume VI, p.407-411, John Wiley&Sons, Inc.(1988)； Chem. Rev. vol. 95, p. 2457 (1995); J. Organomet. Chem. vol. 576, p.147 (1999)；Makromol. Chem., Macromol. φ Symp.，vol. 12，p. 229(1987)等記載之周知方法。 在本發明之製造方法中，可因應前述式（5)與前述式 (6-1)至（6-5)所示之化合物之聚合反應性基，而使用已知 之縮合反應。此外，藉由在具有2個以上聚合反應性基之 化合物之共存下進行聚合，即可製造高分子化合物（共聚 物）；藉由使具有3個以上聚合反應性基之化合物共聚合， 即可製造具有分支結構之高分子化合物。 在本發明之製造方法中，當前述縮合反應為生成雙鍵 之反應時，該反應可列舉如日本特開平5-202355號公報記 87 321333 201008983 載之方法，亦即：藉由具有甲醯基之化合物與具有鐫甲基 之化合物、或具有甲醯基與鱗曱基之化合物的Wittig反應 進行聚合；藉由具有乙烯基之化合物與具有_原子之化合 物的Heck反應進行聚合；藉由具有2個以上經單鹵化之甲 基的化合物之脫齒化氫法進行聚縮合；藉由具有2個以上 銃甲基之化合物的銃鹽分解法進行聚縮合；藉由具有甲醯 基之化合物與具有氰基之化合物的Knoevenagel反應進行 聚合等方法；藉由具有2個以上曱醯基之化合物的j|cMurry 反應進行聚合等方法。 ❿ 在本發明之製造方法中，當前述縮合反應為生成叁鍵 之反應時’該反應可列舉如Heck反應、Sonogashira反應。 此外’當未生成雙鍵和叁鍵時，可列舉如：從對應之 單體藉由鈴木偶合反應進行聚合之方法；藉由Grignani 反應進行聚合之方法；藉由Ni(〇)錯合物進行聚合之方 法；藉由FeCU等氧化劑進行聚合之方法；以電化學方式 進行氧化聚合之方法；藉由具有適當脫離基之中間體高分 g 子之分解而進行之方法等。 此等中’從容易控制分子量、容易控制共聚合中之組 成比率的觀點來看’以藉由Wittig反應進行聚合、藉由 Heck反應進行聚合、藉由Knoevenagel反應進行聚合、以 及藉由鈴木偶合反應進行聚合之方法、藉由Grignard反應 進行聚合之方法及藉由鎳零價錯合物進行聚合之方法為 佳。 在本發明之製造方法中，較佳係聚合反應性基W1及W2 88 321333 201008983 < 為(OH)2、蝴酸S旨殘基或_原子，全原料化合物所具有之 鹵原子之莫耳數之合計（J)與-B(0H)2及硼酸酯殘基之莫耳 數之合計（K)的比例實質上為1(通常，K/J為0.7至1.2)， 並且使用鎳觸媒或鈀觸媒進行縮合聚合。 在此等製造方法中，原料化合物可列舉如：二鹵化化 合物與二硼酸化合物或二硼酸酯化合物之組合；鹵-硼酸化 合物、函-领酸醋化合物等。 此外，本發明之高分子化合物中，在分子鏈之末端具 ® 有金屬錯合物之殘基（亦即前述M3所示之金屬錯合物之殘 基）的高分子化合物，係可藉由使包含前述式（6-1)至（6-5) 所示化合物之縮合聚合反應之末端的聚合反應性基、與前 述式（5)中所示化合物進行反應而合成。 在本發明之製造方法中，為了抑制副反應，較佳係使 用在使用前已充分施行脫氧處理之有機溶媒，並在惰性氣 體環境中進行反應。亦可因應需要而進行脫水處理。惟， ®在鈴木偶合反應等與水構成之2相系中反應時，則無此限 制。 本發明之製造方法中可使用之前述有機溶媒，可列舉 如：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環己烷等飽和烴；苯、曱 苯、乙基苯、二甲苯等不飽和烴；四氯化碳、氯仿、二氯 曱炫、氣丁烧、漠丁烧、氯戊烧、溴戊院、氯己烧、溴己 烷、氯環己烷、溴環己烷等鹵化飽和烴；氯苯、二氯苯、 三氯苯等鹵化不飽和烴；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁 醇、第三丁醇等醇類；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸類；二曱， 89 321333 201008983 醚、二乙醚、甲基第三丁基醚、四氫呋喃、四氫旅喃、二 . 噚烷等醚類；三甲基胺、三乙基胺、Ν，Ν，Ν’，Ν’-四甲基乙 二胺、吡啶等胺類；Ν，Ν-二曱基曱醯胺、Ν，Ν-二甲基乙醯 胺、Ν，Ν-二乙基乙醯胺、Ν-曱基嗎啉氧化物等醯胺類等。 此等有機溶媒可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 在本發明之製造方法中，為了促進反應，亦可添加適 當之鹼或適當之觸媒。此等鹼或觸媒係以充分溶解於反應 所用之溶媒中者為佳。混合鹼或觸媒之方法可列舉如：在 氬氣或氮氣等惰性氣體環境中，一邊攪拌反應液一邊緩缓 © 地於其中添加驗或觸媒之溶液之方法；或是於驗或觸媒之 溶液中缓缓地添加反應液之方法。 前述式（5)所示之化合物可由例如前述式（la)所示之 化合物而製造。首先，將前述式（la)所示之化合物溶解於 溶媒中，添加N-溴化琥珀醯亞胺並使其反應，而生成下述 式（5a)所示之化合物。在此反應中，可使用二氣曱烷等鹵 化烴系溶媒等。

90 321333 201008983 (式中，m1、m2、Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、Z1、Z2、 Z3、Z4及Z5係與前述具有相同之意義）。 更進一步使前述式（5a)所示之化合物反應，而可轉換 成具有聚合反應性基之化合物。具體而言，藉由在免觸媒 下使前述式（5a)所示之化合物與雙（頻那醇酯）二硼 (Bis(pinacolato)diboron)進行反應，而可轉換成具有蝴 酸酯殘基作為聚合反應性基之下述式（5b)所示之化合物。

0 (式中，m1、m2、Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、Z1、Z2、 Ζ3、Ζ4及Ζ5係與前述具有相同之意義）。 此外，本發明之高分子化合物可藉由包含下述方法之 製造方法而合成^使前述式（12)所示之化合物與前述式 (6-1)、（6-2)、（6-3)、（6-4)或（6-5)所示之化合物進行反 應之方法。 前述式（12)中，W3所示之聚合反應性基可列舉如齒原 子、娱:基績醯基氧基、芳基績醯基氧基、芳烧基續醯基氧 基、硼酸酯殘基、-MgX(X表示鹵原子）、锡烧基及_^(〇11)2 321333 91 201008983 等，以-B(0H)2、硼酸酯殘基、-MgX、錫烷基、鹵原子為佳。 前述式（12)中，W3所示之聚合反應性基之鹵原子、烷 基磺醯基氧基、芳基磺醯基氧基、芳烷基磺醯基氧基、棚 酸酯殘基、-MgX及錫烷基係與前述W1及W2所示之聚合反 應性基所說明例示者相同。 前述式（12)所示之化合物可列舉如以下表示之化合 物。

92 321333 201008983

93 321333 201008983

(式中，W、L、R及Μ3係與前述具有相同之意義）。 [實施例] 以下歹iJtf貫施例以更加詳細說明本發明 不僅限定於此等。 一尽知月 高分子化合物之聚苯乙烯換算之數平均分子量及重量 平均分子量係藉由尺寸篩除層析法（size exclusion chr嶋to㈣phy，亦即SEC)(島津製作所製：Lc_i〇Avp)而 321333 94 201008983 • 求得。又，該SEC之分析條件係使用下述分析條件1或分 析條件2所示之方法。 [分析條件1] 以使測定之高分子化合物成為約0. 05重量％濃度之 方式溶解於四氫呋喃中，並將50/zL注入SEC中。使用四 氫呋喃作為SEC之移動相，以0. 6mL/分鐘之流速流動。管 柱係使用直列串聯之2支TSKgel SuperHM-H(東曹製）與1 支TSKgel SuperH2000(東曹製）。檢測器係使用示差折射 ®率檢測器（島津製作所製：RID-10A)。 [分析條件2] 以使測定之高分子化合物成為約〇. 05重量％濃度之 方式溶解於四氫呋喃中，並將10 VL注入SEC中。使用四 氫呋喃作為SEC之移動相，以2. OmL/分鐘之流速流動。管 柱係使用 PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories 製）。檢 測器係使用UV-VIS檢測器（島津製作所製：SPD-10Avp)。 ❹ 此外，LC-MS之測定係依下述方法進行。以使測定試 料成為約2mg/mL濃度之方式溶解於氯仿或四氫呋喃中，並 將約 1 /zL 注入 LC-MS(Agilent Technologies 製，商品名： 11001LCMSD)中6使用已添加約0. 1重量％乙酸之離子交換 水與已添加約〇. 1重量％乙酸之乙腈並改變該等之比率作 為LC-MS之移動層，以0. 2mL/分鐘之流量流動。管柱係使 用L-column 2 0DS(3/zm)(化學物質評估研究機構製，内 控：2. 1mm、長度：100mm、粒徑 3 /z m)。 又’ NMR之測定係依下述方法進行。將測定試料5至 95 321333 201008983 10mg溶解於0. 5mL之重氯仿、重二曱基亞颯或重四氫呋喃 ， 中，使用丽R(Varian Inc.製，商品名：MERCURY 300)進 行測定。 <合成例1 > (金屬錯合物（MC-5)之合成） [合成方法1 ] • 5-溴-2-苯基α比咬之合成 在反應容器中秤取2, 5-二溴π比咬（7. llg，30mmol)、 曱苯（130mL)、苯基硼酸（4. 57g，37. 5mmol)、及肆（三苯基 膦）鈀（0)(1. 73g，1. 5mmol)，在氮氣氣流下，一邊於50°C ❿ 攪拌一邊使反應物溶解。於其中添加2M碳酸鈉水溶液 (30mL)，於80°C攪拌6小時。回收所得反應溶液之有機層， 以碳酸鈉水溶液及飽和食鹽水洗淨。將有機層以硫酸鈉乾 燥，過濾後進行蒸餾。將殘渣以矽膠管柱層析（己烷/曱苯） 精製，餾去溶媒，而獲得5-溴-2-苯基吡啶（6. 21g， 26. 5mraol) ° •金屬錯合物（complex 1及2)之合成 _

complex 1

Br complex 2 96 321333 201008983 . 在反應容器中秤取5-溴-2-苯基吡啶（7. 39g， 30mmol)、氯化銀三水合物（4. 76g，13. 5mmol)、2-乙氧基 乙醇（58mL)、水（19mL)，在氮氣氣流下，於140°C加熱16 小時。以空氣冷卻後，濾別所得之反應混合物，依序以水、 曱醇、己烷洗淨，而獲得呈黃色固體的上述式所示之金屬 錯合物（complex 1，9. 10g，6. 58mmol)。 在反應容器中秤·取金屬錯合物（complex 1，6. 94g， 5. Ommol)、5-溴-2-苯基吼咬(7. 32g，30. Ommol)及二乙二 ❹醇二甲醚（diglyme)(43mL)，添加三I曱確酸銀（2.57g， 10. Ommol)，於130°C攪拌14小時。濾別所得之反應物， 將固體溶解於二氯曱烷（1. 3L)。過濾此溶液，將濾液濃縮 成約15 OmL左右。過滤回收析出之固體，以己烧洗淨而獲 得上述式所示之金屬錯合物（complex 2,6. 35g，7. lmmol)。 LC-MS(正模式）m/z : 890([M+H] + ) !H NMRC300 MHz,DMS0-de) φ δ 6.51(d, J=7. 8 Hz, 3 Η), 5 6. 72(m, 3 H), (5 6. 84(m, 3 H), (5 7. 66(d, J=2. 0 Hz, 3 H), 5 7. 80(d, J=7. 8 Hz, 3 H), <5 8. 05(dd, J=2.0,8. 8 Hz, 3 H), 5 8. 14(d, J=8. 8 Hz, 3 H) •金屬錯合物（complex 3)之合成 97 321333 201008983

complex 2

PdCl2(dppi).CH2CI2 dppf AcOK THF 回流,30小時

complex 3 在氮氣氣流下’於反應容器中秤取金屬錯合物 (complex 2’ 3· 27g，3. 7mmol)、乙酸鉀（3. 27g，33. 3mmol)、 雙（頻那醇醋）二蝴（3. 38g ’ 13. 3mmol)、1，Γ -雙（二苯基膦 基）二茂鐵（245mg ’ 44mmol)、[1，Γ-雙（二苯基膦基）二 戊鐵]一1鼠化把（II)二氣曱烧加成物（361 mg，0. 44ιηιηο 1)、 及四氫呋喃（400mL)，回流30小時。濃縮所得之反應溶液， 添加二氯曱烷（150mL)使其溶解後，予以過濾。將此濾液以 矽膠層析（二氯曱烷）精製，餾去溶媒，並將殘渣以二乙醚 洗淨’獲得上述式所示之金屬錯合物（complex 3，2. 55g， 2.47mmol)。 LC-MS(正模式）m/z : 1072([M+K]+) !H NMRC300 MHz, CDCh) (5 1.21(s, 36 H), 5 6. 87(m, 9 H), (5 7. 69(d, J=7. 7 Hz, 3 Η), δ 7. 82(s, 3 Η), δ 7. 86(m, 6 H) • 4, 6-雙（4-第三丁基苯基）-2-氯-1，3, 5-三啡之合成 98 321333 201008983

Cl

在氬氣氣流下，於反應容器中饋入1-溴-4_第三丁基 苯（125g ’ 587mmol)與四氫呋喃（470mL)，冷卻至-7〇°c。在 -70 C於其中耗費90分鐘滴入正丁基途/己院溶液（m， 367mL，587mmol)，滴完後，於-70°C攪拌2小時，獲得4- ❹第三丁基苯基鋰/THF溶液。在氬氣氣流下，於另外的反應 容器中饋入三聚氯氰（Cyanuric chloride)(50. 8g， 276mmol)與四氫呋喃（463mL)，冷卻至-7〇。(：。於其中，以 使反應溫度成為-6〇。(3以下之方式一邊冷卻一邊緩緩地滴 入先前調製之4-第三丁基苯基鋰/THF溶液。滴完後，將反 應溶液於-40°C攪拌4小時、於室溫攪拌4小時。在此反應 混合物中添加水（5〇mL)而結束反應，餾去四氫呋喃。於此 ❹殘渣中添加水（1L)與氯仿（2L)並萃取有機層，再以水（1L) 洗淨有機層後，餾去溶媒。將此殘渣溶解於乙腈（6〇〇inL) 並以熱過濾去除不溶固體。將所得之濾液濃縮至1〇〇乩左 右，冷卻至-7(Tc並過濾回收析出之固體。將回收之固體溶 解於氯仿（20〇mL)/己烷（600mL)混合溶媒中，以矽膠管柱層 析（展開溶媒：氯仿/己烷）精製。餾去溶媒，殘渣由乙腈進 行再結晶，獲得4, 6_雙（4-第三丁基苯基^卜氯—丨，3, 5_三 畊（41.3g，109mm〇i)。 、 ’ ’ 一 LC-MSCAPPI，正模式）m/z : 38〇([M+H]+) 321333 99 201008983 'H NMRC300 MHz, CDCh) δ 1. 39(s, 18 Η), δ 7. 56(d, J=8. 4 Hz, 4 Η) δ 8 54(d J=8.4 Hz, 4 H) •金屬錯合物（MC-5)之合成

在氮氣氣流下，於反應容器中秤取金屬錯合物 (complex 3，546mg，0. 53mmol)、4, 6-雙（4-第三丁基笨 基）-2-氯-1，3, 5-二哄（702mg ’ 1. 85mmol)、碳酸铯（1. 73g， 5· 31mmol)、肆（三苯基膦）鈀（0)(196mg，〇. 17mm〇1)、及四 氫呋喃（53mL)，回流9小時。濃縮所得之反應溶液，添加 曱苯使其溶解後，過濾此溶液。將此濾液以矽膠層析精製 2次（第1次之展開溶媒為曱苯，第2次之展開溶媒為己烷 /甲苯===1/1)。鶴去溶媒，將殘渣以甲醇洗淨，而獲得上述 式所示之金屬錯合物（MC-5，257mg，0· 15mmol) 〇 LC-MSCAPCI，正模式）m/z : 1686([M+H] + ) !H NMRC300 MHz, CDCh) 5 1. 20(s，54 H)，（5 6· 96(m，9 H)，5 7. 39(d，J=8· 4 hz 12 H), (5 7. 83(d, J=7. 5 Hz, 3 H), 5 8. 18(d, J=8. 4 Hz, 3 H) ^ 321333 100 201008983 • 8. 36(d, J=8.4 Hz, 12 Η), δ 9. I4(d, j=8. 4 Hz 3 Η) δ 9. 33(s, 3 Η) [合成方法2] 金屬錯合物（MC-5)亦可依以下之方法合成。 •化合物（L-2)之合成

(L-2) 在氮氣氣流下，於反應容器中秤取5_漠-2-苯基e比唆 (3.99g，純度88%，15mm〇l)與脫水二乙醚4〇mL，冷卻至 -78°C。於其中耗費15分鐘滴入正丁基鋰/己烷溶液 (1. 56M ’ 11. 5mL，18mmol)。滴完後，將所得之反應溶液於 ❹-78°C攪拌1小時，其次，添加三異丙氧基硼烷3 39§ (18mmol) ’於-78°C攪拌1小時、於室溫攪拌5小時。將所 得之反應溶液冷卻至，於其中緩緩地滴入5重量％氫 氧化納水溶液200mL而進行水解。從所得之反應溶液中以 分液操作回收水層，以3N鹽酸中和至pH成為7。在所得 之白濁溶液中添加乙酸乙酯（5〇〇mL)，萃取有機層。從該有 機層餾去溶媒，殘渣以乙醚洗淨而獲得化合物（L-1， 2. 53g，13mmol)。 於反應容器中秤取4, 6-雙（4-第三丁基苯基）-2-氯 101 321333 201008983 -1，3, 5-三畊（4. 61g，純度 87%，llmmol)、化合物， 2. 43g，12mmol)、曱苯（44mL)、及肆（三苯基膦）鈀（〇) (490mg ’ 0. 4mmol)，在氮氣氣流下，於50°C中一邊授拌一 邊使固形成分溶解。在如此所得之溶液中添加2M碳酸鈉水 溶液（llmL) ’進行回流9小時。回收所得反應溶液之有機 層，以碳酸氫鈉水溶液50mL(2次）及飽和食鹽水5〇mL(i 次）洗淨。以硫酸鈉使有機層乾燥，在過濾後，館去溶媒。 將此殘渣以矽膠管柱層析（己烷/曱苯）精製，餘去溶媒。使 用氯仿/乙醇溶媒使殘渣結晶化。過濾回收結晶，藉由乾燥 而獲得化合物（L-2，3. 09g，6. 2mmol)。 LC-MS(APPI，正模式）m/z : 499([M+H]+) JH NMR(300MHz > CDCh) δ 1. 42(s, 18 Η), (5 7. 52(m, 3 Η), <5 62(d, J=6. 8 Hz, 4 Η), δ 7. 95(d, J=8. 4 Hz, 1 Η), δ 8. 16(d, 3 jjZj 2 Η), δ 8. 69(d, J=6. 8 Hz, 4 Η), δ 9. 04(d, J=8. 4 Hz, 1 Η), δ 10.02(s, 1 H). •金屬錯合物（MC-5)之合成

於反應容器中秤取化合物（L-2 ’ 1. 3¾ ’ 2. 8mmol)、氣 102 321333 201008983 < Ο 化银二水合物（425mg，1· 2mmol)、2-乙氧基乙醇（7吼） 水（2mL)，在氮氣氣流下，於14(TC加熱9小時。以*舍及 卻後，濾、別所得之反應混合物，依序以甲醇（加乳'v (20mL)洗淨殘渣，而獲得呈紅色固體的上述式所示之己烷 錯合物（complex 4，1. 58g)。 屬 在反應谷器中秤取金屬錯合物（complex 4，1 0. 6mmol)、化合物（l-2，1. 46g ’ 2. 9mmol)及二乙二醇二甲 醚（5mL) ’添加三氟甲磺酸銀（313mg，12匪〇1)，於15〇它 攪拌18小時。濾別所得之反應物，將固體以曱醇（1〇〇虬） 洗淨。將其溶解於甲苯（40mL)，以矽膠管柱層析（己烷/甲 苯）精製，餾去溶媒。將殘渣以甲醇洗淨，於曱苯/乙腈溶 液中使其進行結晶化。過滤回收所得之結晶，藉由減壓乾 燥，而獲彳于上述式所示之金屬錯合物（MC-5 , l.OOg， 0. 6mmol)。 <實施例1 >(兩分子化合物1之合成、評估） ❹·金屬錯合物（MC〜6及MC-7)之合成

在乱氣氣流下，於反應容器中秤取金屬錯合物（MC-5， 2:03g’ 1.20_)與二氯甲烧（2〇〇mL)，使金屬錯合物溶 解。於其中添加.琥珀醯亞胺（22lmg，1.24mm〇l)並於室 321333 103 201008983 溫攪拌4小時。餾去溶媒，於殘渣添加曱苯（5〇mL)使其溶 解。將此甲苯溶液以矽膠層析（展開溶媒：甲苯）精製。回 收溶出之溶液，在餾去溶媒後，於殘渣添加己烷/ψ苯（2/1) 混合溶液（400mL)使其溶解。將此溶液再度以矽膠層析精製 (展開/谷媒.己烧/甲苯= 2/1)。將以第2順位溶出之成分 予以回收’在餾去溶媒後，將殘渣以甲醇洗淨，而獲得上 述式所示之金屬錯合物（MC-6，1. 55g，〇. 88mmol)。此外， 將以第1順位溶出之成分予以回收，在餾去溶媒後，將殘 渣以甲醇洗淨，而獲得上述式所示之金屬錯合物（MC_7， 315mg ， 0.17mmol)。 金屬錯合物（MC-6) LC-MS(APCI，正模式）m/z : 1765([M+H]+) !H NMR(300 MHz, CDCh) (5 1. 20(s, 54 H), 5 6. 85-7. 00(m, 10 H), 5 7. 39(d, J=7. 8 Hz, 12 H), 5 7.83(d, J=7.3 Ήζ,2 Η), ά 7. 91(s, 1 H), (5 8. 14(d, J=8. 8 Hz, 1 H), ¢5 8. 19(d, J=8. 6 Hz, 2 H), 5 8. 36(d, J-7. 8 Hz, 12 H), (5 9. 16(m, 3 H), <5 9. 28(s, 1 H), 5 9.33(s, 2 H). 金屬錯合物（MC-7) LC_MS(APCI，正模式）m/z : 1844([M+H]+) !H NMRC300 MHz, CDCh) δ 1. 20(s, 54 Η), δ 6. 85(dd, J=8. 6, 9. 0 Hz, 2 Η), β 8. 97 (m, 5 H), 5 7. 39(d, J=8. 1 Hz, 12 H), 5 7. 82(d, J=7. 5 Hz, 1 H), (5 7. 91(s, 2 H), (5 8. 17(m, 3H), 5 8. 35(d, J=g. 1 104 321333 201008983 < Hz, 12 H)，占 9. 17(m，3 H)，（5 9. 28(s，2 Η), (5 9. 32(s，1 H). • 1¾分子化合物1之合成 在惰性氣體環境下，混合2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜_雜 環戊烷-2-基）-9, 9-二辛基苐（0. 53g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛 基第（0. 19g)、2, 7-二溴-9, 9-二己基第（〇· 20g)、雙（4-漠 笨基）-(4-第二丁基苯基）-胺（0. 092g)、金屬錯合物（MC-6) (〇. 18g)、Aliquat336(0. 13g，Aldrich 製）、雙（三苯基膦） 二氯化鈀（0. 7mg)、曱苯（26mL)，加熱至105ΐ。在此反應 溶液中滴入2M之Na2C〇3水溶液（10mL)，回流4小時。反應 後’添加苯基硼酸（〇· 12g)，再度於105Ϊ加熱5小時。冷 卻後，以3重量％乙酸水溶液（2〇mL)洗淨3次、以水（20mL) 洗淨3次’藉由使其通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而予以精 製。將所得之曱苯溶液滴入曱醇（2〇〇乩）中，經攪拌1小時 後，濾取所得之固體並使其乾燥，而獲得具有以下莫耳比 1下述式所示重複單元的高分子化合物1(25〇呵）。依分析 二=定、之高分子，合物1之聚笨乙烯換算之重量平 如為3.^。5__，^換算之數平均分子量 1Q5 321333 201008983

=65 :20 : 10 : 5 .高分子化合物1之EL發光特性 調製前述高分子化合物1之1. 〇重量％二曱苯溶液、 與具有以下莫耳比之下述式所示重複單元之聚合物K聚 苯乙烯換算之重量平均分子量為2. 7xl05，聚苯乙烯換算 之數平均分子量為7. 9x104)之0. 5重量％二甲苯溶液。

(式中，#表示結合鍵）。 在藉由濺鍍法而附有厚度150nm之ΙΊΌ膜的玻璃基板 上，使用聚（伸乙基二氧基噻吩）/聚苯乙烯磺酸之溶液 (Bayer公司製，商品名：BaytronP)，藉由旋塗法以65nm 之厚度進行溶液之成膜，於加熱盤上以200°C乾燥10分 鐘。其次，使用上述所調製之聚合物I之二曱苯溶液，藉 由旋塗法以2000rpm之旋轉速度成膜，然後在氮氣環境下 106 321333 201008983 ， 以180°C乾燥60分鐘。使此基板回復室溫後，使用上述所 調製之高分子化合物1之二甲苯溶液，藉由旋塗法以 2000rpm之旋轉速度成膜。所得膜之平均膜厚為約80nm。 將其於在氮氣環境下以130°C乾燥10分鐘後，蒸鍍約5nm 之鋇作為陰極，其次蒸鍍約80nm之鋁，而製作EL元件。 又，在真空度到達1x10“ Pa以下後，開始蒸鍍金屬。 藉由對所得之EL元件外加電壓，而獲得在605nm具有 尖峰之紅色EL發光。該元件係在約10. 5V顯示1000cd/m2 之發光。最大發光效率為1.29cd/A。 <實施例2>(高分子化合物2之合成、評估） 在惰性氣體環境下，混合2,7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜 %戊烧-2-基）_9，9-二辛基第（0. 53g)、2，7-二演 _9，9-二辛 基第（0.16§)、2,7-二溴-9,9-二己基第（0.20运）、雙（4-溴 苯基）-(4-第二丁基苯基）-胺（〇. 〇92g)、金屬錯合物（MC-7) (〇. 18g)、Aliquat336(0. 13g，Aldrich 製）、雙（三苯基膦） ❹二氯化鈀（0. 7mg)、甲苯（26mL)，加熱至105°C。在此反應 溶液中滴入2M之Na2C〇3水溶液（1 OmL)，回流4小時。反應 後，添加苯基硼酸（〇· 12g)，再度於1〇5。(：加熱5小時。冷 卻後’以3重量％乙酸水溶液（20mL)洗淨3次、以水（20mL) 洗淨3次，藉由使其通過氧化鋁管柱、矽膠管柱而予以精 製。將所得之曱苯溶液滴入曱醇（200mL)中，經攪拌1小時 後，濾取所得之固體並使其乾燥，而獲得具有以下莫耳比 之下述式所示重複單元的高分子化合物2(320mg)。依分析 條件1所測定之高分子化合物2之聚苯乙烯換算之重量平 107 321333 201008983 均分子:$:(Mw)為3. 8x10，聚笨乙烯換算之數平均分子量 (Μη)為 2. lxlO4。

入在實施例1中’除了使用高分子化合物2替代高分子 化σ物1以外’其餘與實施例1進行同樣操作，而製作EL 由對所得之乩元件外加電壓，而獲得在605nm 二^/，紅色虹發光。該元件係在約10.8V顯示 —之發光。最大發光效率為5.G2cd/A。 〈貫方歹13>(組成物A之調製、評估） •高：:化合物3之合《

T 八龅 接戴氏冷凝器（Dimr〇th C〇ndenSer)之 200mL :刀離式繞瓶中’添加9,9—二儀—2,7_二爛酸乙二醇 酷 i. 93g (3 r •如"1〇1)、9,9-二辛基-2,7-二溴第 0.834§ (1.5mm〇l) , 〇 & N，N-雙（4,笨 了己基―2,7-二絲 G.829g (1.7 画 D、 /n 0/( 、本基）4-4-第二丁基苯基胺〇.387g (0.84mm〇l)、 基二辛基乳化錢（商品名：Aliquat336， 108 321333 201008983

Aldrich製）〇. 52g、及甲苯4〇mL。在氮氣環境下，添加雙（三 苯基鱗）二氯化鈀2. 8mg，加熱至95°C。在所得之溶液中， 一邊耗費30分鐘滴入17. 5重量％碳酸鈉水溶液llmL—邊 加熱至105 C後，於1051攪拌3小時。添加9, 9-二辛基 第―2, 7_二蝴酸乙二醇酯21mg (0. 〇8mmol)，於105°C攪拌 1小時。再度添加9, 9-二辛基第-2, 7-二硼酸乙二醇酯21mg (0.08mmol) ’於i〇5<t攪拌1小時。其次，添加已溶解有 苯基蝴酸46mg之曱苯溶液4〇mL、及雙（三苯基膦）二氯化 把2.8mg ’再—邊耗費15分鐘滴入Π. 5重量％碳酸鈉水 溶液llmL ’ 一邊於1〇5。〇攪拌21小時。 從所得之溶液去除水層後’添加N，N-二乙基二硫胺曱 酸納二水合物2. 2ig、離子交換水43mL，於85〇c攪拌2小 打。分離成有機層與水層後，依序將有機層以離子交換水 52mL(2次）、3重量％乙酸水溶液52mL(2次）、離子交換水 52mL(2次）洗淨。 將有機層滴入甲醇8〇〇mL中，將沉澱物過濾後予以乾 燥而獲得固體。將此固體溶解於甲苯1〇〇虬，並使溶液通 液至先經甲苯通液之㈣/氧化㉝管柱。使用旋轉蒸發器將 濾液中之甲_去-部分。將此溶液滴人甲醇彻此中， 將沉澱物過濾後予以乾燥，而獲得具有以下莫耳比之下述 式所示重複單元的高分子化合物3(2 2()g)。依分析條件！ 所測定之高分子化合物3之聚笨乙_算之數平均分子量 為2. _ ’聚苯乙稀換算之重量平均分子量㈤為 321333 109 201008983 # #

68 : 21 : 11 C8H17 〇βΗΐ7 C6H13 C6H13 •組成物A之EL發光特性 在實施例1中，除了使用高分子化合物1(15重量份） 與高分子化合物3(85重量份）之混合物之1. 0重量％二甲 苯溶液（稱為「組成物A」）替代高分子化合物1之1. 0重 量％二甲苯溶液以外，其餘與實施例1進行同樣操作而製 作EL元件。藉由對所得之元件外加電壓，而獲得在600nm 具有尖峰之紅色EL發光。該元件係在約6. 9V顯示 1000cd/m2之發光。又，最大發光效率為1. 16cd/A。 <實施例4>(組成物B之調製、評估） •組成物B之EL發光特性 在實施例1中，除了使用高分子化合物2(15重量份） 與高分子化合物3(85重量份）之混合物之1. 0重量％二甲 苯溶液（稱為「組成物B」）替代高分子化合物1之1. 0重 量％二曱苯溶液以外，其餘與實施例1進行同樣操作而製 作EL元件。藉由對所得之元件外加電壓，而獲得在600nm 具有尖奪之紅色EL發光。該元件係在約7. 5V顯示 1000cd/m2之發光。又，最大發光效率為1. 25cd/A。 <實施例5 > (金屬錯合物（MC-9)之合成） •化合物（Μ-1)之合成 110 321333 201008983

在氮氣環境下，在將2, 7-二溴苐酮（Hg ’ 0· 22mol)、 己基苯（334mL，1. 78mol)及三氟曱磺酸（42mL)於室溫下攪 拌後，於其中添加毓基磺酸鈉（8. lg ’ 44丽〇1)，於45Ϊ攪 拌9小時。將所得之溶液冷卻到室溫後’注入己燒1L中， β藉由減壓蒸餾（105.5°C，20hPa)餾去剩餘之己基笨，在以 己烷稀釋後，注入至曱醇中，析出之2, 7一二溴苐酮藉由過 濾去除。濃縮所得之濾液後’以甲苯稀释’添加異丙醇而 析出固體。將所得之固體以甲苯/異丙醇進行再結晶，而獲 得呈白色結晶之化合物M-l(53g，收率49%)。 'H-NMROOOMHz, CDCls) 5 0. 88(t, 3H), 1. 20-1.45(m, 6H), 1. 54-1. 62(m, 2H), 2. 57(t, 2H), 4. 96(s, 1H), 6. 94(d, 2H), ❹ 7· l〇(d, 2H)，7. 42(s, 2H)，7. 48(dd，2H)，7. 60(d，2H). •化合物M-2之合成

在氮氣環境下，將化合物M-l(10g，20. 6mm〇l)、4_ 氟化靖基苯（3. 5g，24. 8mmol)及碳酸鉀（4. 3g，31. Oimnoi) 在脫水N，N-二曱基甲醯胺（35mL)中，於加熱回流下攪拌6 321333 111 201008983 小時。冷卻至室溫後，一邊攪拌所得之溶液，一邊於其中 緩缓地添加水300mL，然後維持該狀態於室溫攪拌一整 夜。減壓過濾析出之固體而濾取之，再以水洗淨過濾器上 之固體。將所得之固體予以真空乾燥，而獲得化合物M-2 (13. 6g)〇

^-NMRCSOOMHz, THF-d8) 5 0. 91(t, 3H), 1. 24-1.42(m, 6H), 1. 55-1. 61(m, 2H), 2. 59(t, 2H), 7. 07-7. 16(m, 4H), 7. 43(d, 2H), 7. 59(dd, 2H), 7. 64(s, 2H), 7. 82(d, 2H), 8. ll(d, 2H). •化合物M-3之合成

在氮氣環境下，將化合物M-K12. 9g，21mmol)、乙醇 (153mL)及氣化錫（II)二水合物（18. 6g，8mmol)之混合物於 加熱回流下攪拌6小時。冷卻至室溫後，減壓濃縮至成為 約60g為止。將所得之溶液一邊攪拌一邊添加至冰水（150g) 中。冰溶解後。於所得之水溶液中添加40重量％氫氧化鈉 水溶液直到溶液之pH超過10為止，然後以曱苯200mL萃 取2次。將所得之有機層使用無水硫酸鈉乾燥並減壓濃縮 後，進行再結晶（曱苯/己烷）而獲得化合物M-3(10g，收率 97%)。 NMR(300MHz，CDC13) 5 0· 87(t，3H)，1. 20-1. 40(m，6H)， 1. 52-1. 57(m, 2H), 2. 54(t, 2H), 6. 54(d, 2H), 6. 91(d, 2H), 112 321333 201008983 .7. 02-7. 06(m, 4H), 7. 42-7. 48(m, 4H), 7. 54(d, 2H). LC-MS(APPI，正模式）m/z+ : 574 + •化合物M-4之合成

在乩三角燒瓶中饋入化合物M-3(50g，87mmol)，一 邊攪拌一邊缓緩地添加濃鹽酸217mL。於其中添加水 100mL後，添加乙腈2L而調製溶液，使用冰浴冷卻至〇。匸。 在所得之溶液中緩緩地添加已先用水2〇mL溶解亞硝酸鈉 6.4g(93mm〇l)而成之水溶液，於攪拌3〇分鐘（將此作 為「溶液a」）。 在另外之3L三角燒瓶中饋入碳酸鉀18 4g(133mm〇l)、 一乙基胺12.8g(174mmol)’添加水並於〇。〇_(將此作為 ❹ 「溶液b」）。 一邊緩緩地攪拌溶液a —邊將其添加至溶液b中，再 於〇°C中攪拌30分鐘後，去除冰浴，於室溫攪拌丨小時。 將所得之反應溶液以氯仿3L萃取’並以無水硫酸鋼乾燥 後，進行濃縮並餾去氯仿。所得之混合物以矽膠管柱層析 (石夕膠1L ’管柱之直徑6cmx高度60cm，溶離液（己烧广氣 仿=10 : 1(體積比）））精製，而獲得目的之化合物M_4 (51g，收率 89%)。 ^-NMROOOMHz^HF-ds)^ 7. 80(d, J=8. 13 Hz, 2H), 7 62 321333 113 201008983 (d, J=1.74 Hz,2H),7.56(dd, J=8. 10 Hz and 1.74 Hz 2H), 7. 27-7. 34(m，2H)，7· 08-7. 17(m，6H)，3. 79(q

Hz, 4H), 2. 61(m, 2H), 1. 57-1. 70(m, 2H), 1. 32-1.16(m ^ 1. 18-1. 32(m, 6H), 0. 94(t, J=6. 57 Hz, 3H). 队’ ♦化合物M-5之合成

在1L單口茄形燒瓶中裝入攪拌子，添加化合物m〜4 (51g，77mmol)、碘 39· 2g(154mmol)及破化甲烷 5〇〇此 (8m〇l)，一邊攪拌15分鐘一邊以氬氣冒泡。在氮氣=境 下’-邊於油浴9Gt：中加熱-邊㈣6小時後，鶴去=。 於其中添加氯仿500mL而製成溶液，使用敷有矽膠烈⑽乙 之玻璃過濾！§(直徑：7. 5cm)進行過濾，以氯仿1L洗淨。 將所得之氯仿溶液以飽和硫代硫酸鈉水溶液洗淨，並以無 水硫酸鈉乾燥後，予以濃縮。將所得之混合物以矽膠管柱 層析（梦膝1L，管柱之直彳查gcmx高度6〇cm，溶離 氣仿⑼似）））料，更進―乙^^ 溶媒進行再沉澱，而獲得呈白色固體之目的化合物M_5 (34· 6g，收率 67%)。 'H-NMRC300MHZ, CDCh) ^ 7. 54-7. 62(m, 3H), 7. 43-7. 52(m, 4H)，7. 22-7· 52(m，1H), 7. i3(d，j=7· 41Hz，1H)，6. 98-7. 1〇( 114 321333 201008983 • m, 4H), 6. 89(d, J=7. 53Hz, 1H), 2. 56(t, J=8. 01Hz, 2H), 1. 58 (br, 2H)，1. 20-1.40(br, 6H)，0· 89(t, J=5. 64Hz，3H)。 LC-MS(APPI，正模式）m/z+ : 684 [M—] + •金屬錯合物（MC-8)之合成

在氬氣氣流下，於反應容器中秤取金屬錯合物（MC-6， 4. 60g，2. 5mmol)、乙酸鉀（〇· 75g，7. 6mmol)、雙（頻那醇 酯）二硼（〇. 96g’3. 8mmol)、[l，Γ -雙（二苯基膦基）二茂鐵] 二氯化把（II)二氯曱炫加成物（0. 13g，0. 15mmol)、及四氫 0吱°南（167mL)，回流15小時。濃縮所得之反應溶液，添加 己烷/曱苯（2/1(體積比））混合溶液（400mL)使其溶解。將所 得之溶液以矽膠層析（展開溶媒：己烷/曱苯= 2/1(體積比）） 精製，餾去溶媒，並將殘渣以甲醇洗淨，而獲得上述式所 示之金屬錯合物（MC-8，3. 67g，2. Ommol)。 !H NMR(300MHz, r. t. ,CHC13) 5 1.20(s, 36 H), (5 1.22(s, 18 H), 5 1. 30(s, 12 H), d 6. 87-7. 01(m, 6 H), 5 7. 09(d, J=7. 8 Hz, 1 H), d 7. 29(d >7. 8 Hz, 1 H)，（5 7. 40 (d，J=8. 1 Hz，12 H), 5 7. 82(d ’ 115 321333 201008983 J=7. 2 Hz, 2 H), ^ 8. 18(dd, J=3. 3, 8. 4 Hz, 2 H), <5 8. 27 (s, 1H), 5 8. 36(d, J=7. 8 Hz, 12 E), δ 9.14 (d, J=8. 4 Hz, 3 H), (5 9. 30(s, 2 H), ^ 9. 32(s, 1 H). LC-MS(APCI，正模式）m/z : 1812([m+H] + ) •金屬錯合物（MC-9)之合成

在氬氣氣流下’於反應容器中秤取金屬錯合物（Mc一8， 2.71g，1.5mmol)、化合物（M_5，1〇5g , 15mm〇1)、氫氧 化四乙基銨之20重量％水溶液（2. 64g，3· 6mm〇1)、肆（三 苯基膦）鈀（0)(61mg，〇.〇5mmol)及四氳呋喃（6〇mL)，於室 溫攪拌2. 5小時。濃縮所得之反應溶液，添加己烷/曱苯 (1.5/1(體積比））混合溶液（1叨缸）使其溶解。將所得之溶 液以硫酸鈉乾燥後，過濾溶液。將濾液以矽膠層析（展開溶 媒：己烷/曱苯=1.5/1 (體積比））精製，餾去溶媒，並將殘 渣以甲醇洗淨，而獲得上述式所示之金屬錯合物（MC_9， 2. 59g ’ 1. 2mmol)。 !H NMR(300MHz,r. t. ,CHC13) δ 0. 88(m, 3 Η), δ 1. 20(s, 54 Η), δ 1. 26-1. 29(m, 6 Η), δ 1.58(br,2 H), ^ 2.55(t,J=7.6 Hz, 2 H), ^ 6.91-7.16 321333 116 201008983 • (m，14 H)，（5 7. 39(d，J=8. 4 Hz，12 H)，（5 7. 44-7. 58(m，8 H), (5 7. 83(m, 2 H), d 7. 99(s, 1 H), 5 8. 19(d, J=8. 7 Hz, 2 H), (5 8. 24(d, J-8. 4 Hz, 1 H), (5 8. 36(d, J=8. 4 Hz, 12 H), (5 9. 15(d, J=8. 6 Hz, 3 H), (5 9. 34(s, 3 H). LC-MS(APCI，正模式）m/z : 2245([M+H]+) <實施例6>(高分子化合物4之合成、評估） •高分子化合物4之合成 ❹ 在已連接戴氏冷凝器之20OmL 3 口燒瓶中，添加9, 9、 二辛基苐-2, 7-二硼酸乙二醇酯 1. 〇6g (2. Ommol)、9, 9-二 辛基-2, 7-二溴 g 〇. 99g (1. 8mmol)、N，N，-雙（4-溴笨 基）-N，Ν’ -雙（2, 6-二甲基-4-第三丁基苯基）-1，4-笨二胺 -0. 15§ (〇. 20mmol)、金屬錯合物（MC-6，89mg，0. 05mm〇l)、 甲基三辛基氯化銨（商品名：Aliquat336，Aldrich 製）〇. 26g、及甲苯20mL。於其中’在氮氣環境下，添加雙 (二苯基膦）二氯化鈀（Π)1.4mg，加熱至85。0。在所得之 ®溶液中，一邊滴入17.5重量％碳酸鈉水溶液5.4mL—邊加 熱至1051：後’攪拌6小時。其次，添加苯基硼酸〇. 24g、 及雙（三苯基膦）二氯化鈀（Π)!. 7mg與甲苯2〇mL，於1〇5 C授拌14小時。 在所得之溶液中添加N，N-二乙基二硫胺甲酸鈉三水 合物1.22g及離子交換水i2mL，於85〇C攪拌3小時。於其 中恭加甲苯62mL而分離成有機層與水層後’依序將有機層 以離子交換水26mL(2次）、3重量％乙酸水溶液26lflL(2 人）、離子交換水26mL(2次）洗淨。將洗淨後之有機層滴入 117 321333 201008983 甲醇3施L卜使聚合物㈣’在祕i小時後， 之沉殿物過濾並予以乾燥而獲得固體。將此固體 二 苯·中，並使雜通液至縣通”苯之雜/氧化= 管柱。將所得之溶液滴人甲醇35QmL卜祕^、時 濾取所得之固體並予以乾燥，獲得依以下之莫耳比具 述式所示重複單元的高分子化合物4(13♦依分析條了 2所測定之南分子化合物4之聚笨乙烯換算之重量平均分 子量（Mw)為1.5x10s ’聚苯乙烯換算之數平均分子量（祕^ 為 5. *7 X10。

•南分子化合物4之EL發光特性 在實施例1中，除了使用高分子化合物4替代高分子 化合物1 ’並使用H. C. Starck公司所製者（商品名： CLEVIOS P AI4083)替代Bayer公司所製者（商品名. BaytronP)而作為聚（伸乙基二氧基噻吩）/聚苯乙烯磺酸之 溶液以外，其餘與實施例1進行同樣操作而製作EL元件。 藉由對所得之EL元件外加電壓，而獲得在60511111具有尖峰 321333 118 201008983 • 之紅色EL發光。該元件係在約10. 2V顯示1000cd/m2之發 光。最大發光效率為8. 05cd/A。 <實施例7>(高分子化合物5之合成、評估） •高分子化合物5之合成 在已連接戴氏冷凝器之200mL 3 口燒瓶中，添加9, 9-二辛基苐-2,7-二侧酸乙二醇醋1.06轻（2.〇111111〇1)、9,9-二 辛基-2, 7-二溴 g 1. 00g (1. 8mmol)、N，N’ -雙U-溴苯 基）-Ν，Ν’ -雙（2, 6-二甲基-4-第三丁基苯基）-1，4-苯二胺 0. 15g(0. 20mm〇l)、金屬錯合物（MC-9，85mg，0. 04mmol)、 甲基三辛基氯化敍（商品名：Aliquat336，Aldrich製） 〇. 26g、及甲苯20mL。於其中’在氮氣環境下，添加雙（三 苯基膦）二氯化鈀（11)1. 4mg ’加熱至85。(：。在所得之溶液 中’一邊滴入17. 5重量％碳酸鈉水溶液5. 4mL —邊加熱至 105°C後，攪拌4· 5小時。其次，添加笨基硼酸〇. 25g、及 雙（三笨基膦）二氯化鈀（11)1. 5mg與甲苯20mL，於l〇5°C ❹授摔12小時。 在所得之溶液中添加N，N-二乙基二硫胺甲酸鋼三水 合物1. 22g及離子交換水l2mL ’於85。(：攪拌2小時。於其 中添加甲苯62mL並分離成有機層與水層後，依序將有機層 以離子交換水26mL(2次）、3重量％乙酸水溶液26mL(2 次）、離子交換水26mL(2次）洗淨。 將洗淨後之有機層滴入甲醇360mL中，產生沉殿，持 續攪拌2小時。其次，將沉澱物過濾後’予以乾燥而獲得 固體。將此固體溶解於甲苯11 〇mL中，並使溶液通液至先 119 321333 201008983 經曱笨通液之矽膠/氧化鋁管柱。將所得之溶液滴入曱醇 600mL中’在攪拌1小時後，濾取所得之固體並予以乾燥， 獲得依以下之莫耳比具有下述式所示重複單元的高分子化 合物5(1. 34g)。依分析條件2所測定之高分子化合物5之 聚苯乙烯換算之重量平均分子量（Mw)為2. 1x1 〇5，聚苯乙 烯換鼻之數平均分子量（Μη)為8. 7x104。

•高分子化合物5之EL發光特性

在實施例1中’除了使用高分子化合物5替代高分子 化合物1，並使用H.C. Starck公司所製之聚（伸乙基二氧 基嗟吩）/聚苯乙烯磺酸之溶液（商品名：CLEVI〇s p AI4〇83) 替代Bayer公司所製者（商品名：Baytr〇np)以外，其餘與 實施例1進行同樣操作而製作EL元件。藉由對所得之EL 元件外加電壓，而獲得在6〇5nm具有尖峰之紅色EL發光。 該EL το件係在約1〇. 9V顯示1〇〇〇cd/m2之發光。最大發光 效率為8. 99cd/A。 <比較例1>(高分子化合物6之合成、評估） 120 321333 201008983 •高分子化合物6之合成 金屬錯合物MC-10係依據日本特開2004-531485號公 報記載之方法所合成。

β 在已連接戴氏冷凝器之2〇〇mL3 口燒瓶中，添加9,9一 二辛基苐-2,7-二硼酸乙二醇酯1.〇6§(2〇111111〇1)、9,9_二 辛基-2, 7-二溴第 〇. 95g (1. 8mmol)、N，Ν’ -雙（4-溴苯 基）Ν，Ν -雙（2,6-二曱基一4-第三丁基苯基）_1，4一苯二胺 -〇. 15g(0·19则^1)、金屬錯合物（MC-10，lllmg，0.12mmol)、 甲基二辛基氯化銨（商品名：Aliquat336，Aldrich製） 〇~26g、及甲苯2〇mL。於其中，在氮氣環境下，添加雙（三 苯基膦）二氣化鈀（Π)1. 5mg，加熱至85°C。在所得之溶液 〇中，一邊滴入Π. 5重量％碳酸鈉水溶液5. 4mlj 一邊加熱至 105 C後，攪拌4小時。於其中添加雙（三苯基膦）二氯化鈀 (Π)1. 7mg，於i〇5t：再攪拌4. 5小時。其次，在所得之溶 液中添加苯基硼酸〇. 24g、雙（三苯基膦）二氣化鈀（11、） I 5mg及甲苯2〇mL ’於105°C授拌12小時。 在其中添加N，N-二乙基二硫胺曱酸鋼三水合物1. ggg 及離子父換水12mL’於85C授掉3小時。於所得之溶液中 添加甲笨62mL而分離成有機層與水層後，依序將有機層以 離子交換水26mL(2次）、3重量％乙酸水溶液26mL(2次）、 321333 121 201008983 離子交換水26mL(2次）洗淨。將洗淨後之有機層濃縮成約 20mL後’滴入曱醇4〇0‘中’產生沉澱，並持續攪拌2小 時。其次’將沉澱物過濾後’予以乾燥而獲得固體。將此 固體》谷解於曱苯62mL中，並使溶液通液至先經甲苯通液之 石夕膠/氣化紹管柱。將此溶液濃縮成約30mL後，滴入甲醇 400mL中，使聚合物沉濺。在將其攪拌1小時後，濾取所 得之固體並予以乾燥，獲得依以下之莫耳比具有下述式所 示重複單元的高分子化合物6(1. 13g)。依分析條件2所測 疋之高分子化合物6之聚苯乙烯換算之重量平均分子量 (Mw)為3. 2x104，聚苯乙烯換算之數平均分子量（Μη)為1. 0 xlO4 〇

ir -92:5:3 •高分子化合物β之EL發光特性 在實施例1中’除了使用高分子化合物6替代高分子 化。物1，並使用H. c. Starck公司所製之聚（伸乙基二氧 基噻吩）/聚苯乙婦續酸之溶液（商品名：CLEVI〇S p AI4〇83) ，=Bayer公司所製者（商品名：BaytronP)以外，其餘與 實知例1進仃同樣操作而製作EL元件。藉由對所得之乩 元件外加電壓，而獲得在470mn具有尖峰之白色EL發光。 該EL 70件係在約U. 6V顯示l〇〇〇cd/m2之發光。最大發光 效率為0. 24cd/A。 122 321333 201008983 • (產業上之可利用性） 本發明之高分子化合物係特別有用於製造發光元件 (例如電致發光元件）、光電元件等元件。 【圖式簡單說明】無 【主要元件符號說明】無 ❹ 123 321333

Claims (1)

1. 201008983 七、申請專利範圍： 1. 一種高分子化合物’含有： 下述式（1)所示之金屬錯合物之殘基；以及 下述式（3-1)、（3-2) ' (3-3)、（3-4)或（3-5)所示 之2價基：

   (式中，Μ表示釕、铑、鈀、锇、銥或鉑之金屬原子； R、R、R、R4、R5、R6及y各自獨立地表示氫原子、 原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基 芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、醯氧基、醯胺基 醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之矽烷^ (ilyl)、差取代之；s夕燒基氧基（silyl〇xy)、經取代$ 梦貌基硫基、經取代之㈣基胺基、1 _環基、雜； 氧基雜芳硫基、芳烯基、芳炔基、經取代之幾基、ά D氛基’或者是Q及R3、R3及mR5、或 及敫R6亦可結合形成環；4 1至3之整數，4〇J 數^數’當R1、R2、R3、R4、R5、R6及R8各自存在有名 日、’可為相同或不同； 321333 124 201008983 • 立地表示碳原子錢原子；# 21、22、23、24及冗5各自 存在有複數個時，可為相同或不同；惟z'zn, 及Z中至少有2個為氮原子；當z1、z2、z3、Z4及Z5 巾任-者為彻子時’結合於該碳料之氫原子可經取 ^基取代；上述式⑴中，下述式⑵所示之部分係表示 皁陰離子性之雙牙配位基；

   (2) Ο =及Ry為結合於金屬原子M之原子，各自獨立地表示 碳原子、氧原子或氮原子；當單陰離子性之雙牙配位基 存在有複數個時，該等可為相同或不同），

   ❹ (式中，#表示結合鍵；Y1表示-C(r9)(R1())-、 、〇'C(R17)(R18)-、-0-、-S-、-B(R丨、一Si (R12)(R13)_ 〜P(R14)-、-P(R15)(=〇)-或-N(R16)- ; R9、IT、Rn、r12 R、R、R15、R、R、R18及R19各自獨立地表示氫原子 -321333 125 201008983 烧基、烧氧基、院硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧 基、芳院氧基、芳烧硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經 取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、矽烷基氧基、 經取代之矽烷基氧基、1價雜環基、或鹵原子；R2°、R21、 R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、 R34、R35、R36、R37、R38、R39、R4。、R41、R42、R43、R44、R45 及R46各自獨立地表示氫原子、烧基、烧氧基、院硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、 芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取 代之矽烷基、鹵原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺 基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、經取代之羧基、或 氰基）。 2. 如申請專利範圍第1項之高分子化合物，其中，前述 R1、R2、R3、R4、R5、R6及R8各自獨立地表示氳原子、 鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳燒硫基、醯基、醯氧基、 醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取 代之矽烷基、經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基 硫基、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、 雜芳硫基、芳烯基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基， 或者是R3及R4、或R5及R6亦可結合形成環。 3. 如申請專利範圍第1或2項之高分子化合物，其中， 前述式（1)所示之金屬錯合物係下述式（la)或（lb)所 示之金屬錯合物： 126 321333 201008983

   (式中，Μ、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、zl、Z2、Z3、y、 ❹ &及10係與前述具有相同之意義；m，及n，各自獨立地 表示1或2)。 4.如申請專利範圍第！或2項之高分子化合物，其中， 前述式（1)所示之金屬錯合物係下述式（lc)或（Id)所 示之金屬錯合物： 127 321333 201008983

   (1c) (1d) (式中 ’ M、H R3、r4、r5、r6、r8、^、n 及前述式 所不之單陰離子性雙牙配位基係與前述具有相同之 :義；R表不氣原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、 方基' 方氧基基、芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、 酿基、酿氧基、，基、醯亞胺基、亞錢基、經取代 々胺基、經取狀錢基、經取代之雜基氧基、經取 代之魏基硫基代之⑦絲胺基、丨價雜環基、 雜芳氧基、雜芳硫基、芳縣、芳炔基、經取代之緩基、 或氰基；複數個存在之y可為相同或不同）。 128 321333 201008983 "5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化合 物’其中，前述Μ為鉑原子或銥原子。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之高分子化合 物’其中，前述式（1)所示之金屬錯合物之殘基為1至 3價之基。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之高分子化合 物’其中，含有前述式（1)所示之金屬錯合物之殘基、 ❹ 與前述式（3-1)所示之2價基者。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之高分子化合 物’其中，含有下述式（4)所示之基者： # —Ar1—N-^Ar2-N^-Ar3—# Γ Ar5 N-Ar6 (4) ' Ar7 (式_，Ar、Ar2、Ar3及Ar4各自獨立地表示伸芳基或2 ❹ 價雜環基；紅5、Ar6及Ar7各自獨立地表示芳基或丨價 雜環基W、“、W、紅5、紅6及Ar7可具有取 代基；a及b各自獨立地表示〇或丨，且+ ; #表示結合鍵）。 9. 如申請專利範圍第m項中任一奴高分子化合 物，其中，顯示EL發光光譜之尖峰波長為55〇至 之發光者。 10. —種組成物，其含有申請專利範圍第丨至9 任一 項之高分子化合物。 321333 129 201008983 11. 如申請專利範圍第10項之組成物，其復含有溶媒或 分散媒。 12. —種膜，其含有申請專利範圍第1至9項中任一項之 高分子化合物。 13. —種元件，其含有申請專利範圍第1至9項中任一項 之高分子化合物。 14. 如申請專利範圍第13項之元件，其中，前述元件為 發光元件。 15. —種面狀光源，其係使用申請專利範圍第14項之元 件而成者。 16. —種照明，其係使用申請專利範圍第14項之元件而 成者。 17. —種高分子化合物的製造方法，其中，該高分子化合物 係含有下述式（1)所示之金屬錯合物之殘基及下述式 (3-1)、（3-2)、（3-3)、（3-4)或（3-5)所示之 2 價基的 高分子化合物； 該方法包括：使下述式（5)所示之金屬錯合物與下 式（6-1)、（6-2)、（6-3)、（6-4)或（6-5)所示之化合物 進行反應， 130 321333 201008983

   (式中，W1表示聚合反應性基；m1為1至3之整數，^ Ο 為0至2之整數；Μ表示釕、铑、鈀、織、銥或麵之金 屬原子；^、^、^、^、^、^及^各自獨立地表示氣 原子、鹵原子、烧基、烧氧基、烧琉基、芳基、芳氧基 芳硫基、芳炫基、芳烧氧基、芳烧硫基、騷基、酿氧義 酿胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代 之矽烷基、經取代之矽烷基氧基、經取代之發貌美碎

   基、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜 芳硫基、芳烯基、芳炔基、經取代之竣基 者是 R1 及 R2、R2及 R3、R3及 R4、1^及 r5、 、或氰基，或 或Μ及R6亦 可結合形成環；當{^、^、{^、^、{^、^及^各自存 在有複數個時’可為相同或不同；Ζ1、Ζ2、Ζ3、^及Ζ5各自獨立地表示碳原子或氮原子；當γ、ζ2、ζ3、ζ4及 Ζ5各自存在有複數個時，可為相同或不同；惟ζ1、ζ2、Ζ Ζ及Ζ中至少有2個為氮原子；當ζ1、ζ2、ζ3、ζ4 及ζ中任一者為碳原子時，結合於該碳原子之 可經取代基取代）， 子 321333 131 201008983

   中，W表不聚合反應性基；複數個存在之W2可為相 同或不同；γ1 表示-C(R9)(R1{))-、-Q-C(Rn)(Rl8)…〇_、 s、~B(RU)-、~Si(R12)(R13)-、_P(R“)---P(R15)(=〇)- 或-N(R16)- ; R9、Rl。、Rll、r12、r13、r14、r15、r16、r17、 D18 tt* j g 各自獨立地表示氫原子、烧基、炫氧基、烧硫 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷 硫基、芳缔基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、石夕烧基、 經取代之矽烷基、矽烷基氧基、經取代之矽烷基氧基、 1 價雜環基、或鹵原子；R2°、R21、R22、R23、R24、R25、 R26、R27、R28、R29、R3°、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、 R38、R39、R4°、R41、R42、R43、R44、R45及 R46各自獨立地 表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔 基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、 鹵原子、醯基、醢氧基、亞胺殘基、醢胺基、酸亞胺基、 132 321333 201008983 1價雜環基、羧基、經取代之羧基、或氰基）；

   ^ (式中，Μ表示钉、錄、纪、锇、銀或銘之金屬原子； R1、R2、R3、R4、R5、R6及R8各自獨立地表示氫原子、鹵 原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烧基、芳烧氧基、芳烧硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、 醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之矽烷基、 經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基硫基、經取代之 矽娱:基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯 © 基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基，或者是R1及R2、 R2及R3、R3及R4、R4及R5、或R5及R5亦可結合形成環； m為1至3之整數，η為0至2之整數；當R1、R2、R3、 R4、R5、R6及R8各自存在有複數個時，可為相同或不同； Z1、Z2、Z3、Z4及Z5各自獨立地表示碳原子或氮原子； 當Z1、Z2、Z3、Z4及Z5各自存在有複數個時，可為相同 或不同；惟21、1243、24及25中至少有2個為氮原子； 當Z1、Z2、Z3、Z4及Z5中任一者為碳原子時，結合於該 碳原子之氫原子可經取代基取代；上述式（1)中，下述 133 321333 201008983 式（2)所示

   之部分係表㈣轉子狀料配位基； (2) 合於金屬原子Μ之原子，各自獨立地表示 . ' 原子或氮料；當單陰離子性之雙牙配位美 存在有複數個時，該等可為相同或不同）， ^

   (式中’ #表示結合鍵；Υ1表示一C(Rg)(R1(l)-、 ~〇~C(R17)(R18)- s -〇- χ -S- . -B(Rn)- ' -SI(R12)(R13)-, -P(R14)-、-P(R15)(=〇)-或-N(R16)- ; R9、Ri。、R"、Rl2、 R13、R14、R15、R16、R17、Ri8及各自獨立地表示氫原子、 烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷 基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烯基、芳炔基、胺基、經 取代之胺基、矽烷基、經取代之矽烷基、矽烷基氧基、 經取代之矽烷基氧基、1價雜環基、或i原子；r2(1、r21、 R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R3。、R31、R32、r33、 321333 134 201008983 R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、R41、R42、R43、R44、R45 及R46各自獨立地表示氫原子、烧基、烷氧基、烧硫基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳、烷硫基、 芳烯基、芳炔基、胺基、經取代之胺基、矽烷基、經取 代之矽烷基、鹵原子、醯基、醯氧基、亞胺殘基、醯胺 基、醯亞胺基、1價雜環基、羧基、經取代之羧基、或 氰基）。 18. 如申請專利範圍第17項之高分子化合物之製造方 法，其中，前述W1及W2為-B(0H)2、硼酸酯殘基、-MgX(X 表示鹵原子）、錫烷基、或鹵原子。 19. 一種下述式（5)所示之金羼錯合物：

   (式中，W1表示聚合反應性基；m1為1至3之整數，m2 為0至2之整數；當W1存在有複數個時，該等可為相 同或不同；Μ表示釕、錢、妃、鐵、銀或翻之金屬原子； R1、R2、R3、R4、R5、R6及R8各自獨立地表示氫原子、鹵 原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、 135 321333 201008983 醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之矽烷基、 經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基硫基、經取代之 矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯 基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基，或者是Rl& R2、 R及R3、R3及R4、R4及R5、或R5及R6亦可結合形成環； 當R1、R2、R3、R4、R5、R6及R8各自存在有複數個時， 可為相同或不同；2!、22、23、24及25各自獨立地表示 碳原子或氮原子；當21、22、23'24及25各自存在有複 數個時’可為相同或不同；惟Z1、Z2、Z3、Z4及Z5中至 少有2個為氮原子；當Ζι、Z2、Z3、24及Z5中任一者為 碳原子時，結合於該碳原子之氫原子可經取代基取代）。 20.—種下述式（ua)或（丨ib)所示之化合物：

   (11a) (11b) (式中’ {^、尺^^^^及^各自獨立地表示氫 原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基 '醯基、醯氧基、 醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代 之石夕烧基、經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基硫 136 321333 201008983 Ψ ❹ 基、經取代之矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氣基 、 芳硫基、芳烯基、芳炔基、經取代之羧基、或氰義'、 者是 R1 及 R2、R2及 R3、R3 及 R4 ' R4& R5、或反5及\6’^ 可結合形成環；R，表示氫原子、鹵原子、燒A、 ^ 土 氣基、 烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氣美、 芳娱•硫基、蘼基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺其、亞胺 基、經取代之胺基、經取代之矽烷基、經取代之矽烷某 氧基、經取代之矽烷基硫基、經取代之矽烷基胺基、】 價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯基、芳缺基、經 取代之綾基、或氰基；A表示芳基或1價雜環基；複數 個存在之R’及A各自可為相同或不同）。 21.—種下述式（12)所示之化合物： W3-Ar!-W3 (12) (式中’ W3表示聚合反應性基；複數個存在之W3可為相 同或不同；Ar’表示具有1至4個_L-M3所示基之2價芳 ❹ 族基，或是具有選自氧原子、矽原子、磷原子、硼原子 及硫原子所成群組中之原子與1至4假-L-M3所示基的 2 價雜環基；L 表示單鍵、-〇-、-S-、—C(=0)—-C(=0)0-、 -S(:0)-、~S(=〇)2-、-Si(R68)(R69)-、N(r7°) B(R71)-、 -P(R72)-、~P(=〇)(r73)_、可經取代之伸烧基、可經取 代之伸烯基、可經取代之伸炔基、玎經取代之伸芳基、 或可經取代之2價雜環基；M3表乔下述式（1)所示之金 屬錯合物之1價殘基； 321333 137 201008983

   (式中，Μ表示釕、铑、鈀、锇、銥或鉑之金屬原子. 各自獨立地表示氫原子、齒 原子、烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳辟基 芳燒基、芳烷氧基、芳烧硫基、醯基、醯氧基、醯^基、 醯亞胺基、亞胺殘基、經取代之胺基、經取代之矽烷 經取代之矽烷基氧基、經取代之矽烷基硫基、經取代之 矽烷基胺基、1價雜環基、雜芳氧基、雜芳硫基、芳烯 基、芳炔基、經取代之羧基、或氰基，或者是R1& R2、 R2及R3、R3及m R6亦可結合形成環； m為1至3之整數，11為〇至2之整數；當Rl、r2、r3、 R、i^、R6及R8各自存在有複數個時，可為相同或不同； 2 ^、Z、Z及Z5各自獨立地表示碳原子或氮原子； 當Z1、Z2、Z3、Z4及Z5各自存在有複數個時，可為相同 ^同;中至少有2個為氮原子； :Z、Z、Z及z中任一者為碳原子時，結合於該 敌原子之氫原何經取代絲代；上述式⑴中，下述 式（2)所不之部分係表示單陰離子性之雙牙配位基； 321333 138 201008983

   m Rx及Ry為結合於金屬原子M之原子，各自獨立地表示 碳原子、氧原子或氮原子；當單陰離子性之雙牙配位基 存在有複數個時，該等可為相同或不同）； 當L及Μ3各自存在有複數個時，可為相同或不同；R68、 R69、R7°、R71、R72及R73各自獨立地表示氫原子、烷基、 芳基、1價雜環基或氰基）。

   ❹ 139 321333 201008983 κ» 四、指定代表圖：本案無圖式 ’ (一）本案指定代表圖為：第（）圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

   3 321333 201008983 合物令，前述雙牙螯合配位基可列舉如下述式所示之配位 基：

   (式中，R為氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳院氧基、芳炫硫基、醮 19 321333 201008983 基、酿氧基、醯胺基、酿亞胺基、 基、經 敌冲 亞胺殘基、經取代之胺 广以ΓΓ基、録代切絲縫、娜代之石夕 代之魏基胺基、Hf雜環基、雜芳氧基、 ”方瓜土料基、芳絲、齡代讀基、或氰基；* 表示與金屬原子M結合之部位；複數個存在之R可為相同 或不同）。 刖述R所示之鹵原子係例示如氟原子、氣原子、溴原 子、碘原子等。 、’' 别述R所示之烷基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任一 種。此烷基之碳數通常為丨至1〇。烷基可列舉如曱基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、 戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、 癸基、3, 7-二甲基辛基、月桂基、三氟曱基、五氟乙基、 全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，以第三丁基、戊基、 己基、辛基、2-乙基己基、癸基、3, 7-二曱基辛基為佳。 前述R所示之烷氧基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任 一種。此烧氧基之碳數通常為1至10。燒氧基可列舉如甲 氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、 第三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧 基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二甲基辛氧基、 月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全說 己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-曱氧基乙基氧 基等，以戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧 基、3, 7-二曱基辛氧基為佳。 321333修正版 20 201008983 * 1 前述R所示之經取代之矽烷基硫基，係指經選自烷硫 基、芳硫基、芳烷硫基及1價雜環基硫基所成群組中之}、 2或3個基取代的矽烷基硫基。經取代之矽烷基硫基的碳 數通常為1至60，較佳為3至48。又，該烷碌基、芳硫基、 。芳競*硫基或1價雜環基硫基可具有取代基。經取代之矽烷 基硫基可例示如：三曱基矽烷基硫基、三乙基矽烷基硫基、 二丙基矽烷基硫基、三異丙基矽烷基硫基、二曱基異丙基 矽烷基硫基、二乙基異丙基矽烷基硫基、第三丁基二甲基 ❹矽烷基硫基、戊基二甲基矽烷基硫基、己基二甲基矽烷基 硫基、庚基一曱基梦院基硫基、辛基二甲基梦烧基硫基、 2-乙基己基一甲基砍炫·基硫基、壬基二曱基;^烧基硫基、 癸基一甲基石夕烧基硫基、3, 7-二甲基辛基二甲基石夕烧基硫 基、月桂基二曱基矽烷基硫基、苯基一(：]至C12烷基矽烷基 硫基、Cl至Cl2烧氧基苯基一Cl至Cl2烧基矽拔基硫基、Cl 至Cl2烷基笨基一 Cl至C!2烧基矽烷基硫基、1-萘基一 (^至 0 C!2烷基矽烷基硫基、2-萘基一匕至h烷基矽烷基硫基、 苯基_(^至Cl2烷基二曱基矽烷基硫基、三笨基矽烷基硫 基、三-對-(二曱苯基）矽烷基硫基、三苄基矽烷基硫基、 一本基曱基梦烧基硫基、第三丁基二苯基梦燒基硫基、二 甲基苯基矽烷基硫基等。 前述R所示之經取代之矽烧基胺基，係指經選自烷胺 基、芳胺基、芳烷胺基及1價雜環基胺基所成群組中之1、 2或3個基取代的;&夕烧基胺基。經取代之矽燒基胺基的碳 數通常為1至60,較佳為3至48。又，該烷胺基、芳胺基、 29 321333修正版 201008983 芳烷胺基或1價雜環基胺基可具有取代基。經取代之矽烷 基胺基可例示如：三甲基矽烷基胺基、三乙基矽烷基胺基、 三丙基矽烷基胺基、三異丙基矽烷基胺基、二甲基異丙基 矽烷基胺基、二乙基異丙基矽烷基胺基、第三丁基二甲基 矽烷基胺基、戊基二甲基矽烷基胺基、己基二甲基矽烷基 胺基、庚基二甲基矽烷基胺基、辛基二甲基矽烷基胺基、 2-乙基己基二甲基矽烷基胺基、壬基二甲基矽烷基胺基、 癸基二甲基矽烷基胺基、3, 7-二曱基辛基二甲基矽烷基胺 基、月桂基二甲基矽烷基胺基、苯基-C,至c12烷基矽烷基 胺基、Ci至Ci2燒氧基苯基一 Ci至Ci2院基梦烧基胺基、Ci 至C!2烷基苯基一Cr至Clz烷基矽烷基胺基、卜萘基—匕至 C〗2烷基矽烷基胺基' 2-萘基一。至Cu烷基矽烷基胺基、 苯基一(^至C!2烷基二曱基矽烷基胺基、三苯基矽烷基胺 基、三-對-(二曱苯基）石夕烷基胺基、三苄基石夕烷基胺基、 二苯基甲基魏基胺基、第三丁基二苯基㈣基胺基、二 甲基苯基碎炫《基胺基等。 前述R所示之1價雜環基係指從雜環式化合物去除 個氫原子後關餘之原子圏。1㈣環基之碳數通常為3 較佳為3至2〇。又，1價雜環基之碳數不包括取, :數在此•環式化合物係指在具有環式結構之; 機化合物中，構成環之元夸 f不僅為碳原子，亦在環内包1 虱、硫、氮、磷、硼等雜洛 r , r ^ 原子者。1價雜環基可例示如， %基、Cl至C12烷基噻吩基 δ r t%、吡咯基、呋喃基、吡啶基、 至Cl 2烧基°比U疋基、ΰ密定美 土、U至C丨2烷基嘧啶基、三畊基 3〇 321333修正版 201008983 1 c!至c12烷基三哄基、哌啶基、喹啉基、異喹啉基等，以噻 吩基、Cl至Cl2烧基n塞吩基、D比°定基、Cl至Cl2炫基。比σ定基、 嘧啶基、(：!至Cl2烷基嘧啶基、三哄基、〇至Cl2烷基三畊 __ 基為佳。又，1價雜環基係以1價之芳族雜環基為佳。 / 前述R所示之雜芳氧基的碳數通常為6至60，較佳為 ~ 7至48。雜芳氧基可例示如噻吩基氧基、G至C12烷氧基噻 吩基氧基、〇至C12烷基噻吩基氧基、匕至C12烷氧基。比啶 基氧基、0至C12烷基吼啶基氧基、異喹啉基氧基等，以 ® C,至CI2烷氧基吡啶基氧基、C〗至C]2烷基吡啶基氧基為佳。 前述(：!至C]2烷氧基吡啶基氧基可例示如曱氧基吡啶 基氧基、乙氧基吼啶基氧基、丙氧基°比啶基氧基、異丙氧 基°比啶基氧基、丁氧基。比啶基氧基、異丁氧基。比啶基氧基、 第三丁氧基吼啶基氧基、戊氧基吼啶基氧基、己氧基η比啶 ' 基氧基、環己氧基吼啶基氧基、庚氧基吼啶基氧基、辛氧 基吼啶基氧基、2-乙基己氧基吼啶基氧基、壬氧基^比啶基 0氧基、癸氧基吨啶基氧基、3, 7-二曱基辛氧基吼啶基氧基、 月桂氧基啦啶基氧基等。 前述（：!至C12烷基吡啶基氧基可例示如甲基°比啶基氧 基、乙基'1比啶基氧基、二曱基°比啶基氧基、丙基吼啶基氧 基、1，3, 5-三曱基吼啶基氧基、甲基乙基吼啶基氧基、異 丙基吼啶基氧基、丁基D比啶基氧基、第二丁基吼啶基氧基、 異丁基吼啶基氧基、第三丁基吼啶基氧基、戊基°比啶基氧 基、異戊基°比啶基氧基、己基。比啶基氧基、庚基D比啶基氧 基、辛基°比°定基氧基、壬基吼咬基氧基 '癸基吼σ定基氧基、 31 321333修正版 201008983 十二烷基《比啶基氧基等。 前述R所示之雜芳硫基的碳數通常為6至60，較佳為 7至48 °雜芳硫基可例示如β比咬基硫基、匕至&燒氧基吼 咬基硫基、C!至CiZ烷基吡啶基硫基、異喹啉基硫基等，以 Cl至Cl2烧氧基吡啶基硫基、Cl至U烷基吡啶基硫基為佳。 前述R所示之芳烯基的碳數通常為8至6〇，較佳為8 至48。芳烯基可例示如苯基_匕至烯基（「匕至C”烯基」 係指烯基部分之碳數為2至12，以下相同）、（：〗至C12燒氧 基苯基一(：2至Cu烯基、（：,至C,2烷基苯基一 G至Ci2烯基、 卜萘基一Cd C1Z烯基、2-萘基一(：2至Cn烯基等，以匕至 Ci2烧氧基苯基—&至c,2烯基、Ci至Ci2烷基苯基—(：2至c12 婦基為佳。 前述R所示之芳炔基的碳數通常為8至6〇，較佳為8 至48。芳炔基可例示如苯基—(^至k炔基（「C2至“炔基」 係指炔基部分之碳數為2至12,以下相同）、（：1至{：12烷氧基 笨基一匕至C1Z炔基、（：,至G烷基苯基一匕至L炔基、1-萘 基一G至C〗2炔基' 2-萘基一C2至Ci2炔基等，以c〗至Ci2院氧 基苯基一CdCu炔基、CdC,2烷基苯基一&至C]2炔基為佳。 前述R所示之經取代之羧基，其碳數通常為2至6〇， 較佳為2至48，意指經烧基、芳基、芳烷基或丨價雜環基 取代之羧基。經取代之羧基可列舉如：甲氧基羰基、乙氧 基幾基、丙氧基叛基、異丙氧基幾基、丁氧基羰基、異丁 氧基羰基、第三丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、 %己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2_乙基己氧基 321333修正版 32 201008983 1 羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3, 7-二曱基辛氧基羰基、 十二碳烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、 全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、°比 : 啶基氧基羰基、萘氧基羰基等。該烷基、芳基、芳烷基或 . 1價雜環基可具有取代基。經取代之羧基的碳數不包括該 ' ' 取代基之碳數。 前述陰離子性雙牙配位基較佳為前述式（2)所示之雙 牙配位基中除氫原子以外之原子數為3至30的雙牙配位 ®基，例如，可列舉如下述式所示之雙牙配位基··

   33 321333修正版 201008983 前述金屬‘錯合物可列舉如以下所示之化合物。

   34 321333 201008983 L所示之伸烯基的碳數通常為2至30,較佳為2至15。 伸稀基可例示如伸乙烯基、伸丙烯基等。伸稀基亦包括 1，3-伸丁二烯基（1，3-butadienylene)等伸烴二稀基。 L所示之伸炔基的碳數通常為2至30,較佳為2至15。 • 伸炔基可例示如伸乙炔基等。伸炔基亦包括具有2個叁鍵 之基，例如1，3-丁二炔-1,4-二基 (1，3-butadiyne-l，4-diyl group)。 L所示之伸芳基係表示從芳族烴化合物去除2個氫原 〇 子後所得之基，構成芳香環之碳數通常為6至30，較佳為 6至15。伸芳基可列舉如伸苯基、伸聯苯基、伸聯三苯基 (terphenylene)、萘二基、蒽二基、菲二基、（環戊二烯并 •味戍，一稀）一基（penta 1 enediy 1)、節二基（indenediy 1)、 (環庚三烯并環庚三烯）二基（heptalenediyl)、（二環戊二 V 烯并苯）二基（indacenediyl)、（苯并菲）二基 (triphenylenediyl)、伸聯萘基、苯基萘二基、（二苯乙烯） 〇 二基（stilbenediyl)、苐二基等。 L所示之2價雜環基係指從雜環式化合物去除2個氫 原子後所剩餘之原子團。2價雜環基之碳數通常為2至30, 較佳為2至15。又’ 2價雜環基之碳數不包含取代基之碳 數。2價雜環基係以2價芳族雜環基為佳。2價雜環基可列 舉如比疋一基、一氮雜伸苯基（diazaphenylene)、喧淋二 基、嗤喔淋一基（quinoxalinediyl)、η丫咬二基 (acridinediyl)、聯吡啶二基、啡啉二基 (phenanthrolinediy1) 〇 69 321333修正版 201008983 從咼分子化合物之合成容易度與發光特性之觀點來 看’ L較佳為單鍵、|、亞甲基、伸乙基、六亞甲基、八 亞曱基#乙烯基、伸苯基、伸聯苯基及η比咬二基，更佳 為伸’笨基及。比β定二基.。 ^發明之同分子化合物係以不會大幅損及電荷輸送性 或電荷/主入性等之高分子化合物為佳，並以載體（電子或電 洞）輸送性優異之共㈣、高好為更佳。 當本發明之高分子化合物具有包含前述式⑴所示之 金屬錯合物之殘基的重複單元、以及包含前述式（3_υ至 所以2價基的重複單元時，在萄及發光特性或電 :輸送特性之範_，亦可含有其他重複單元 。此時^包含 =述式（1)所示之金屬錯合物之殘基的重複單元、以及包含 =述式=-1)至（3-5)所示之2價基的重鮮元的合計，係以 =重複單元之丨。莫以上為佳m複單元之5〇莫耳 %以上為更佳’全重複單元之8Q莫耳％以上為特佳。 當使用本發明之高分子化合物作為紅色發光材料時， 本發明之尚分子化合物的EL發光光譜之尖峰波長較佳為 550 至 800nm，更佳為 570 至 700nm。 <組成物> 本發明之組成物含有前述高分子化合物，更佳為復含 有電荷輸送材料及/或發光材料。 ”毗述電荷輸送材料係分類為電洞輸送材料與電子輸送 材料在該材料令可使用有機化合物（低分子有機化合物及 /或)¾分子有機化合物）。 321333修正版 70 201008983 V 用選自驗金屬硫族化合物、給1 之齒化物及驗土金屬之齒化物所2硫族化合物、鹼金屬 化合物。較佳之驗金屬硫族=組中之至少-種金屬 ；SrO^BeO^BaO^CaSe〇,b,h,ltl'，J^Ca〇^ :敎半導體可列舉如含有選自 種元 ο 二==化物、氮化物或氧化氮化物等。此等氧化 2上或氧化氮化物可單獨使用1種，亦可併用2種 可添在陰極與其相接之薄膜的界面區域中，亦 金屬、稀土金屬、選自驗^摻雜物較佳為驗金屬、驗土 = = :、驗土金屬之•化物、稀土金屬之氧化 ❹ 及稀土金驗域錯合物、驗土金屬錯合物 =合物所成群組中之至少-種化合物。 壓時，可藉光，件之發光層具有下述機能 :在外加電 極或電子、、_Ια^極或電洞注人層而注人電洞，並可藉由陰 荷(一電子或雷、-Α而注入電子的機能；以電場力使注入之電 ，所，二:移動的機能；提供使電子與電洞再結合之 層係以人右1參與發光的機能。本發明之發光元件之發光 ’ 3 發明之高分子化合物為佳，亦可含有以 料之主體材料。前述二 者、具有吨唆骨竿者具坐骨架者、聚有二芳基胺骨架 、者具有吼啡骨架者、具有三畊骨架者、 321333修正版 81 201008983 具有芳基石夕境骨架者等。前述主體材料之τι(最低三重激 發態之能階）係以大於客體材料之最低三重激發態之能階 為佳，其差係以大於〇. 2eV為更佳。前述主體材料可為低 分子化合物’亦可為高分子化合物。此外，將前述主體材 料與前述金屬錯合鱗發紐料混合並藉由塗佈、或共蒸 鑛等’即可形成在前述主體材料中摻雜有前述發光材料之 發光層。 本發明之發光元件中’前述各層之形成方法可列舉如 真空瘵鍍法（電阻加熱蒸鍍法、電子束法等）、濺鍍法、u 法刀子積層法、塗佈法（澆鑄法（casting method)、旋塗 法棒式塗佈法、刀式塗佈法（b 1 c〇at丨ng)、輥式塗佈 〇 法、凹版印刷、網版印刷、喷墨法等）等。此等中，從可簡 略製造步驟之觀點來看，以塗佈成膜為佳。在前述塗佈法 中可將本發明之高分子化合物溶解於溶媒而調製塗佈 液’並在所期望之層（或電極）上將該塗佈液予以塗佈、乾 燥而形成。在該㈣液中，可含有樹脂作為主體材“及/ f黏結劑（binder) ’並且亦可使該樹脂在溶媒中為溶解狀 態或分散狀態。前述樹脂可使用非共⑽、高分子（例如聚乙 烯基0卡嗤）、共㈣、高分子（例如聚稀烴系高分子）。更具體 而言’可視目的而自聚氣乙烯、聚碳酸酯、聚笨乙烯:、 甲基丙稀酸甲i旨、聚f基丙烯酸丁§旨、聚醋、聚硬、聚笨 醚⑽yphenylene oxide)、聚丁二烯、聚（^乙婦基啼 峻)、烴樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚酿亞胺、乙基纖維 素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺函旨、三聚氛胺樹脂、不 321333 82 201008983 * 求得。又，該SEC之分析條件係使用下述分析條 析條件2所示之方法。 5刀 [分析條件1] 以使測定之鬲分子化合物成為約0.05重量％濃度之 方式溶解於四氫呋喃中，並將5〇//L注入SEC中。使用四 氫呋喃作為SEC之移動相，以〇. 6mL/分鐘之流速流動。管 柱係使用直列串聯之2支TSKgei SuperHM-H(東曹製）與i 支丁证狀1 SuPerH2〇〇〇(東曹製）。檢測器係使用示差折射 ❹率檢測器（島津製作所製：RID-10A)。 [分析條件2] 以使測定之尚分子化合物成為約〇 重量％濃度之 方式溶解於四氫呋喃中，並將1〇#L注入SEC中。使用四 氫呋喃作為SEC之移動相，以2. OmL/分鐘之流速流動。管 柱係使用 PLgel MIXED-B(Polymer Laboratories 製）。檢 測器係使用uv-v I s檢測器（島津製作所製：SPD_丨〇Avp)。 ❹ 此外，LC-MS之測定係依下述方法進行。以使測定試 料成為約2mg/mL濃度之方式溶解於氣仿或四氫呋喃中，並 將約 1"L 注入 LC-MS(Agilent Techn〇i〇gies 製，商品名： 11001LCMSD)中。使用已添加約0.1重量％乙酸之離子交換 水與已添加約0. 1重篁％乙酸之乙腈並改變該等之比率作 為LC-MS之移動相’以0. 2mL/分鐘之流量流動。管柱係使 用L-column 2 0DS(3//m)(化學物質評估研究機構製，内 徑：2. 1mm、長度：100mm、粒徑3以π〇。 又，NMR之測疋係依下述方法進行。將測定試料5至 321333修正版 95 201008983 10mg溶解於0. 5mL之重氣仿、重二曱基亞碱或重四氫呋喃 中，使用 NMR(Varian Inc.製，商品名：MERCURY 300)進 行測定。 <合成例1>(金屬錯合物（MC-5)之合成） [合成方法1 ] • 5-溴-2-苯基吨唆之合成 在反應容器中枰取2, 5-二溴0比咬（7. llg，30mmol)、 曱苯（130mL)、苯基硼酸（4. 57g，37. 5mmol)、及肆（三苯基 膦）纪（0)(1. 73g，1. 5mmol)，在氮氣氣流下，一邊於50°C 攪拌一邊使反應物溶解。於其中添加2M碳酸鈉水溶液 (30mL)，於80°C攪拌6小時。回收所得反應溶液之有機層， 以碳酸鈉水溶液及飽和食鹽水洗淨。將有機層以硫酸鈉乾 燥，過濾後進行蒸餾。將殘渣以矽膠管柱層析（己烷/甲苯） 精製，餾去溶媒，而獲得5-溴-2-苯基吡啶（6. 21g， 26. 5mmol) ° .金屬錯合物（complex 1及2)之合成

   lrCI3-3H20 2-乙氣基乙酵/H20 t40°C, 16小時

   complex 1

   complex 2 96 321333