TW201008402A - Intermediate multilayer wiring board product, and method for manufacturing multilayer wiring board - Google Patents

Intermediate multilayer wiring board product, and method for manufacturing multilayer wiring board Download PDF

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Description

201008402 六、發明說明: 本案基於並主張2008年5月28曰所申請之第 2008-138885號日本專利申請案及2008年5月30日所申請 * 之第2008_142667號日本專利申請案之優先權,在此上述 • 申請案藉由參照其全文來倂入本文中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種中間多層配線板製品(亦即,多層配 線板之中間製品的製造方法,或多層配線板之中間製品), 0 包括製品形成區,其中複數製品部成爲沿著一平面方向而 配置之製品;以及框部,包圍該製品形成區,以及關於— 種從多層配線板之中間製品獲得多層配線板之製造方法。 【先前技術】 關於有效製造配線板之技術,複數配線板製品係自一 個中間配線板製品獲得。此種中間製品通常包含:製品形 成區,其中將成爲製品之複數製品部沿著一平面方向而配 置;以及框部,包圍該製品形成區。製品側導體層係形成 ❹ 於將成爲製品之製品部的表面上,然而沒有導體層形成於 不會成爲製品之該框部之表面上。近年來,藉由鍍覆形成 之虛導體層(框側導體層)係爲了抑制翹曲(warping或 %&1?326)而以實心圖案設置在該框部之表面上。此外,另一 種配線板包含具有網孔圖案而非實心圖案之框側導體層 (例如,參照 JP-A-2007-180212)。 關於該配線板之中間製品,中間多層配線板製品已付 諸實際使用。該中間多層配線板製品包括核心板及形成於 該核心板之每個前面與背面上之累積層。在該中間多層配 201008402 ' 線板製品中’例如,藉由將樹脂浸漬強化纖維而製 脂板(諸如玻璃環氧板等)係被用作該核心板。該累 藉由交替堆疊樹脂絕緣層及導體層於該核心板之每 * 及背面上’藉以利用該核心板之剛性而製成。簡言 • 核心板強化該中間多層配線板製品並具有遠厚於該 之厚度。該中間製品包括一內連線(特別是貫穿: 等)’其穿過該核心板以於形成在該核心板之前面及 的累積層之間建立電性連接。該中間製品容許半導 ❹ 電路元件(ic晶片)(諸如電腦之微處理器等裝置)被 其上。 近來,隨著半導體積體電路元件變快,而元件 用的信號頻率逐漸增加(亦即,變髙)。在此情況下 該核心板之內連線充當大電感,其相繼導致高頻信 輸損失及錯誤電路操作的發生。因此,會阻礙到該 積體電路元件之速度的增加。鑑於此缺失,本發明 種無核心多層配線板(亦即,配線板沒有任何核心 Φ 如,參照JP-B-3664720)。由於自該無核心配線板省 厚的核心板,故該內連線之整體長度變短》因此, 高頻信號中的傳輸損失,並且該半導體積體電路元 高速中被操作。 【發明内容】 然而,由於該無核心配線板以不具核心板來製 該無核心配線板之強度可能會不充分。當將一多層 製作爲一無核心配線板時,即使虛導體層形成於框 面上,中間多層配線板製品之強度仍不充分。因此 成之樹 積層係 個前面 之,該 累積層 孔導體 背面上 Η* Wfte 體檟體 裝配於 中所使 ,穿過 號中傳 半導體 提出一 板)(例 略比較 可降低 件可在 造,故 配線板 部之表 ,當諸 201008402 ' 如半導體積體電路元件及電容器之構件黏著至中間製品上 時,以及當用來黏著的銲錫冷卻時,在製品形成區與該框 部間熱膨脹係數差所造成之熱應力影響下,該中間製品可 ' 能會翹曲,因而降低該多層配線板之良率。 • 本發明係考量上述情況而完成。本發明之目的係提供 一種中間多層配線板製品,其防止翹曲的發生而改善製品 良率。本發明之另一目的係提供一種製造可改善良率之多 層配線板的方法。 φ 依照本發明之一態樣,中間多層配線板製品包含:複 數樹脂絕緣層之堆疊、第一導體層及第二導體層。該堆疊 包含:製品形成區,包含沿著該堆叠之主要表面配置之複 數製品部,該等複數製品部之每一者成爲該多層配線板之 製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導體層係形成 於該等複數製品部之毎一者內的該等複數樹脂絕緣層之至 少一者上。該第二導體層係形成於該框部內之該等複數樹 脂絕緣層之至少一者上。該框部具有以其厚度方向穿過該 〇 框部之複數切部(cut),該等複數切部係大體上等間隔配置。 因此,依照此多層配線板之中間製品的態樣,在構件 連接該第一導體層時,即使施加由該製品形成區與該框部 間熱膨脹係數差所造成之熱應力至該中間多層配線板製 品,使該等複數切部變形而抑制熱應力的影響。該等切部 係於該框部中以大體上相同間隔來配置,其中該框部可在 施加熱應力至該中間製品時,使該等切部內的變形量相 等。因此,均勻地抑制熱應力之影響。因此,可防止於該 中間多層配線板製品中翹曲之發生,以及可改善從中間製 201008402 ' 品所生產之製品的良率。 當該多層配線板不包括核心板且包括交替堆疊之樹脂 絕緣層及第一導體層時,其中該等樹脂絕緣層係相同類型 ' 之樹脂絕緣層且該等第一導體層係透過以一方向而直徑擴 - 大之導通孔來連接,該多層配線板無法具有充分強度且該 中間多層配線板製品之翹曲變得更明顯。然而,當在該不 具有核心板之該多層配線板中設置該等切部時,可更有效 防止在中間製品中發生翹曲。 0 在此及隨後的態樣中,該”中間配線板製品”係指相對 於最終的多層配線板製品的槪念。具體言之,該”中間製品” 指定爲未完成分離製程之多層配線板。該分離製程係用以 藉由將該框部自該製品形成區移除並沿著該等製品部之輪 廓線所設定之切線,切除該等製品形成區而將製品互相分 離。一般而言,中間多層配線板製品、製品形成區以及製 品部從上面觀看(平面視圖)具有大致矩形的形狀。該製品 部之面積遠小於該製品形成區之面積。因此,例如,數十 〇 到數百個製品部係配置在該製品形成區內。 該”框部”係指不會成爲製品且在製程期間自該製品形 成區分離及移除,並且包圍該製品形成區之周圍的區域。 第二導體層係形成於該框部中作爲所謂的虛導體層(dummy conductor layer) ° 該中間多層配線板製品具有一包括複數堆疊樹脂絕緣 層之結構。該樹脂絕緣層可例如依照絕緣特性(耐熱及防潮) 來選擇。該樹脂絕緣層可以下列任何材料來形成:熱固性 樹脂(諸如環氧樹脂、苯酚樹脂、胺基甲酸酯樹脂、矽氧樹 201008402 脂及聚醯亞胺樹脂);以及熱塑性樹脂(諸如聚碳酸酯樹 脂、丙烯酸樹脂、聚縮醛樹脂及聚丙烯樹脂)。此外,其也 可使用包含任何該等樹脂及諸如玻璃纖維(編織而成之玻 璃織物或非編織而成之玻璃織物)之無機纖維之複合材 料,或者該樹脂及諸如聚醯亞胺纖維之有機纖維之複合材 料,或者藉由以熱固性樹脂(諸如環氧樹脂)浸漬三維網孔 狀氟系樹脂材料(諸如經膨脹之PTFE)所獲得之樹脂-樹脂 複合材料。爲了形成中間層連接用的導通導體(via ❹ conductor),也可事先在該樹脂絕緣層中形成導通孔(via holes) ° 該第一導體層與該第二導體層可在該樹脂絕緣層上被 圖案化,例如,藉由扣除法、半加成法、全加成法等。該 第一導體層與該第二導體層例如係以金屬材料(諸如銅、銅 合金、鎳、鎳合金、錫、錫合金等)來形成。 用以連接一構件之銲錫凸塊可被設在形成於該堆鲞之 最外樹脂絕緣層上之第一導體層上。該銲錫凸塊可在該第 〇 —導體層與該構件間作電性連接。 形成該銲錫凸塊之金屬材料可依照形成一將被裝配構 件之連接端子的材料、及其類似物來選擇。例如,下列材 料之任何一者可被用作形成該銲錫球之金靥材料:Pb-Sn-系銲錫(諸如 90Pb-10Sn、95Pb-5Sn、或 40Pb-60Sn); Sn-Sb-系銲錫;Sn-Ag-系銲錫;Sn-Ag-Cu-系銲錫;Au-Ge-系銲錫; 及Au-Sn-系銲錫。 該構件之範例可爲在半導體製程中所製造之電容器、 半導體積體電路元件(1C晶片)、MEMS (微機電系統)、及其 201008402 ' 類似物元件。此外,該1C晶片可爲DRAM(動態隨機存取記 憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)等。該”半導體積體電 路元件”可指用作電腦之微處理器之元件、及其類似物。 * 該等複數切部以其厚度方向穿過該框部且在該框部的 ' 外端中打開。該切部從該厚度方向觀之可具有大體上爲V 形、大體上爲U形或其它類似形狀。該等複數切部之至少 一者也可爲一狹縫(slit),其爲沿著該等製品部之輪廓線所 設定之切線的延伸來配置,並具有大體上相同於鄰近製品 G 部之輪廓線間之間隔的寬度。在此種情況下,複數切部係 依照一般爲等間隔配置之製品部來配置,以及因此變得容 易以等間隔來配置該等複數切部。雖然該切部之深度沒有 特別限定,但該深度可被大體上設定爲相等於該框部的寬 度(從該框部與該製品形成區之間的邊界到該框部的外端 的距離)。具體言之,該框部也可被複數切部分離。換言之, 當該等切部變得較深時,施加至該中間多層配線板製品之 熱應力的影響可被更有效地減低。因此,可更可靠地防止 © 該中間製品的翹曲發生。 該框部可具有複數端部(edge portin)包圍該製品形成 區及複數轉角部,每一轉角部係連接相鄰的端部。該等複 數切部中,可配置位在該等轉角部之切部以除去該等轉角 部。依照以此方式所配置之該等切部,大於設在該等端部 上之切部的切部可被製作在該等轉角部中。因此,施加至 中間多層配線板製品之熱應力的影響可被更可靠地抑制。 如上所述,可更可靠地防止該中間製品的翹曲發生,並且 製品良率可被進一步的提高。 201008402 該等複數切部可在該第一導體層及該第二導 後才形成。當該等複數切部在該第一導體層與該 層形成前就形成時,其將在藉由透過蝕刻將金屬 ' 以形成該第一導體層與該第二導體層時,變得難 • 來蝕刻的遮罩。 依照本發明之另一態樣,中間多層配線板製 複數樹脂絕緣層之堆疊、第一導體層及第二導體 叠包含:製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表 0 複數製品部,該等複數製品部之每一者成爲該多 之製品;及框部,包圍該製品形成區。該第一導 成於該等複數製品部之每一者內的該等複數樹脂 至少一者上。除了配置於該框部中之複數非形成 第二導體層係形成於該框部內之該等複數樹脂絕 少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之 比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積 依照此中間多層配線板製品之態樣,如此配 〇 形成區,使得該第一導體層對該製品形成區之第 大體上等於該第二導體層對該框部之第二面積比 其可降低該製品形成區之間之熱膨脹係數與該框 脹係數的差異。即使當一構件連接至該第一導體 熱膨脹係數差所造成之熱應力施加至該中間多層 品,翹曲幾乎不會發生在該中間製品中。因此, 該等中間製品所生產的製品良率》 基於說明的目的,該”第一導體層對製品形成 面積比”係指第一導體層所占用之已知面積(當該 體層形成 第二導體 箔圖案化 以附著用 品包含: 層。該堆 面配置之 層配線板 體層係形 絕緣層之 區外,該 緣層之至 第一面檟 比。 置複數非 一面積比 。因此, 部之熱膨 層時由該 配線板製 可提高由 區之第一 已知面積 -10- 201008402 被設在該製品形成區之表面上時)的比例(露出比例)。同樣 地,該”第二導體層對框部之面積比”係指該第二導體層所 占用之已知面積(當該已知面積被設在該框部之表面上時) ' 的比例(露出比例)。此外,該表示”該第一導體層對該製品 • 形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面 積比”係假設包括該第一及第二面積比係大體上互相相等 之情況,以及包括該等面積比係彼此完全相等之情況。 藉由配置該等複數非形成區於該框部內之所有樹脂絕 〇 緣層上,在堆叠之每一層中該第一導體層對該製品形成區 之第一面積比可等於該框側導體層對該框部之第二面積 比。因此,其可降低該製品形成區與該框部之間的熱膨脹 係數的差値。因此,即使由熱膨脹係數差値所造成之熱應 力施加至該多層配線板之中間製品,翹曲亦幾乎不會在該 中間製品中發生。 當該多層配線板爲不包括核心板且包括交替堆疊樹脂 絕緣層與第一導體層之配線板時,其中該樹脂絕緣層爲相 Ο 同類型且該等第一導體層僅透過以一方向而直徑擴大之導 通孔來連接,該多層配線板之強度爲不充分的,且該中間 多層配線板製品之翹曲會增加或變得更明顯。然而,當該 等非形成區爲設在不具核心板之多層配線板中時,可更有 效地防止翹曲在中間製品中發生。 該等複數非形成區係配置在該框部內之該等樹脂絕緣 層之至少一者上。該等非形成區可具有大體上爲V形、大 體上爲U形、及其類似形狀。該等複數非形成區之至少一 者也可爲狹縫形區,其沿著該製品部之輪廓線所設定之切 -11- 201008402 線的延伸來配置。在此情況下,複數非形成區係依照一般 以等間隔配置之該等製品部來配置,且因此其變得易於以 等間隔配置該等複數非形成區。因此,其變得易於使該第 ' 二導體層對該框部之第二面積比在該框部中的任何區域上 均爲一致。因此,其可降低該製品形成區與該框部間的熱 膨脹係數差値。故即使施加由熱膨脹係數差所造成之熱應 力於多層配線板之中間製品,該中間製品之翹曲也幾乎不 會發生。當該非形成區爲狹縫形區域時,雖然沒有特別限 〇 定,但該非形成區之深度可被設定爲相等於,例如,該框 部之寬度(從該框部與該製品形成區之間的邊界到該框部 的最外端的距離)。具體言之,該第二導體層可藉由複數非 形成區來分離。 該框部可具有複數端部,該等端部包圍該製品形成區 及複數轉角部,每一轉角部連接相鄰之端部。在該等複數 非形成區中,位在該等轉角部之非形成區可占用整個轉角 部,使得該第一導體層對該製品形成區之第一面積比等於 Ο 該第二導體層對該框部之第二面積比。該第二導體層可具 有一網孔狀圖案,以使得該第二導體層對該框部之第二面 積比等於該第一導體層對該製品形成區之第一面積比。用 以配置非形成區之方法可依照該第一導體層對該製品形成 區之第一面積比來選擇。 當該第二導體層以網孔狀圖案作成時,可減輕圖案設 計的負擔。因此,防止成本增加變得容易達成。只要包含 導體層之區域與不包含導體層之區域係以規則性圖案連續 地呈現,該網孔狀第二導體層可爲任何層。然而,從減輕 -12- 201008402 ' 圖案設定負擔的觀點來看,最好配置互相相交的複數線圖 案。更具體言之’該網孔狀第二導體層最好藉由造成複數 等間隔配置之第一線圖案以及複數等間隔配置之第二線圖 案以一直角互相相交的方式來作成。在此情況下,雖然該 線圖案之寬度沒有特別限定,但其可較佳的將該線圖案之 寬度例如設定爲從0·1 mm到1.5 mm的範圍;進一步地,可 設在從0.2mm到1.3mm的範圍,以及更特別地,可設在從 0.3mm到1.0mm的範圍。 〇 依照本發明之另一態樣,製造多層配線板之方法包 含:製備製程,包含製備多層配線板之中間製品;以及切 部形成製程。該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊、 第一導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包 含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製 品部之每一者成爲該多層配線板之製品;及框部,包圍該 製品形成區。該第一導體層係形成於該等複數製品部之每 一者內的該等複數樹脂絕緣層之至少一者上。該第二導體 ❹ 層係形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層之至少一者 上。該切部形成製程包含形成複數切部於該中間製品之框 部中,以便以其厚度方向穿過該框部。 依照此多層配線板之製造方法的態樣,當一構件在該 切部形成製程後連接至該第一導體層時’若施加由該製品 形成區與該框部之間的熱膨脹係數差所造成的熱應力至該 等複數樹脂絕緣層,該熱應力之影響可會藉由該等複數切 部之變形來抑制。因此,其可抑制翹曲在該中間多層配線 板製品中發生,以及因此可提升由中間製品所生產的多層 -13- 201008402 ' 配線板的良率》 製造本態樣之多層配線板之方法將於下文作說明。 在製備製程中,製備一中間多層配線板製品,該中間 ' 多層配線板製品包含:經堆疊之複數樹脂絕緣層;製品形 成區,其中將成爲製品之複數製品部係以縱向與橫向予以 配置;框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成於製 品部內的該樹脂絕緣層上;及第二導體層,形成於該框部 內之該樹脂絕緣層上。 0 該製備製程包含:堆叠製程,包含將該等複數樹脂絕 緣層堆疊於底部組件上,該底部組件之一個表面具有金屬 箔;底部組件移除製程,包含在該堆疊製程後將該底部組 件移除,以便露出該金屬箔;第一導體層形成製程,包含 在該底部組件移除製程後圖案化該金屬箔,以便在最外層 樹脂絕緣層上之該等複數製品部內製作該第一導體層;以 及銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程後, 於該最外層樹脂絕緣層上所形成之該第一導體層上製作用 〇 以連接一構件之銲錫凸塊。藉由同時執行該第二導體層形 成製程(用以在該最外層樹脂絕緣層上之該框部內形成該 第二導體層)及該第一導體層形成製程,可縮短製造多層配 線板之製程。 例如,可用使用銀、金、鈾、銅、鈦、鋁、鈀、鎳及 鎢之任何一者作爲該金屬箔。特別地,金屬箔最好由銅製 成。若該金屬箔由銅製成,則相較於該金屬箔由其它材料 製成來說,可降低該金屬箔之電阻並增強該金屬箔之傳導 性。 -14- 201008402 在隨後之切部形成製程中,複數切部以其厚度方向穿 過該框部而形成於該框部中。該等切部可藉由對該框部鑽 孔、使該框部接受雷射機械處理、利用打孔沖模將該框部 打孔、及其類似方式來形成。 該切部形成製程可在該第一導體層形成製程之後才執 行。當該切部形成製程在第一導體層形成製程前執行時, 其在透過該第一導體層形成製程中之蝕刻來執行圖案化 時,將變得難以附著用來蝕刻的遮罩。此外,該切部形成 〇 製程可在該銲錫凸塊形成製程前先被執行。當該切部形成 製程在該銲錫凸塊形成製程之後才執行時,該銲錫凸塊(其 對於構件連接來說是重要的)在該等切部形成期間會受損。 之後,執行一分離製程,其用以藉由自該製品形成區 移除該等框部,以及沿著該等製品部之輪廓線所設定之切 線來切割該製品形成區,而將製品互相分開,藉以獲得複 數件製品(多層配線板)。 依照本發明之再另一個態樣,製造多層配線板之方法 © 包含:製備製程,包含製備中間多層配線板製品;以及分 離製程。該中間製品包含:複數樹脂絕緣層之堆疊;第一 導體層及第二導體層。該堆疊包含:製品形成區,包含沿 著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複數製品部 之每一者成爲該多層配線板之製品;及框部,包圍該製品 形成區。該第一導體層係形成於該製品部內的該等複數樹 脂絕緣層之至少一者上。除了配置於該框部中之複數非形 成區外,該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕 緣層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之 -15- 201008402 ' 第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二 比。該分離製程包含從該製品形成區移除該框部,以 著切線切割該製品形成區,藉以互相分離該等複數製 (亦即,該等製品)。 因此,依照此多層配線板之製造方法的態樣,在 備製程中配置複數非形成區,使得該第一導體層對該 形成區之第一面積比等於該第二導體層對該框部之第 積比。因此,其可降低該製品形成區與該框部之間熱 φ 之係數差。因此,當在該製備製程後將一構件連接至 一導體層時,即使施加熱膨脹係數差所造成之熱應力 中間多層配線板製品,翹曲也幾乎不會在該中間製品 生。因此,可提升從該等中間製品所生產的多層配線 良率。 此態樣之製造多層配線板之方法的態樣將於下文 明。 在製備製程中,製備一中間多層配線板製品,該 Ο 多層配線板製品包含:經堆疊之複數樹脂絕緣層;製 成區,其中將成爲製品之複數製品部係以縱向與橫向 配置;框部,包圍該製品形成區;第一導體層,形成 製品部內的該樹脂絕緣層之上;第二導體層,形成於 部內之該樹脂絕緣層上;以及複數非形成區,其配置 框部內之該等樹脂絕緣層之至少一者上,並且其中沒 成該第二導體層,使得該第一導體層對該製品形成區 一面積比等於該第二導體層對該框部之第二面積比。 本發明之其它特徵及優點將揭露於下述發明例示 面積 及沿 品部 該製 製品 二面 膨脹 該第 至該 中發 板之 作說 中間 品形 予以 於該 該框 於該 有形 之第 實施 -16 - 201008402 ' 例之詳細說明中或從該詳細說明中即可顯然得知。 【實施方式】 本發明之例示實施例將參照圖式作詳細說明。 第一例示實施例 — 第1圖爲顯示一例示實施例之無核心配線板1〇1(多層 配線板)之剖面視圖。該無核心配線板1 0 1爲一不具有任何 核心板之配線板,且其具有由交替堆疊以銅製成之導體層 51與四層由環氧樹脂製成之樹脂絕緣層41、42、43及44 ❹ 所製成之結構。該等樹脂絕緣層41到44爲具有相同厚度 及以相同材料製成(亦即,該等樹脂絕緣層4 1到44爲相同 類型的樹脂絕緣層)之中間絕緣層。 端子墊52係於該無核心配線板101之前面1〇2 (從該等 樹脂絕緣層41 ~44之堆疊的底層41開始數的第四層上之樹 脂絕緣層44的表面)上以一陣列圖案來配置。此外,該樹 脂絕緣層44之實質整體表面係以防焊劑128覆蓋。用以露 出該各個端子墊52之開口 129係於該防焊劑128中形成。 © 複數銲錫凸塊130係配置於該各個端子墊52之表面上。該 等銲錫凸塊130係電氣連接面向具有大體上爲矩形、平板 形之1C晶片131 (構件)之各個連接端子132。該等端子墊 52與該銲錫凸塊130所形成的區域爲該1C晶片131可裝配 於其中之1C晶片裝配區133。 如第1圖中所示,BGA墊53係於該無核心配線板101 之背面103上(在該堆疊之第一層上的樹脂絕緣層41之下 面上)以陣列圖案來配置。該樹脂絕緣層41之實質整體表 面係以防焊劑142覆蓋。用以露出該各個BGA墊53之開 -17- 201008402 ' 口 145係於該防焊劑142中形成。複數銲錫凸塊155係設 置於該各個BGA墊53之表面上,以及該無核心配線板ι01 係藉由該等銲錫凸塊155而裝配於沒有圖示之母板上。 導通孔146及導通導體147係設在該等樹脂絕緣層41 到44中。該等導通孔146之每一者具有倒截頂圓錐形,以 及透過YAG雷射或二氧化碳氣體雷射之使用,藉由穿過該 等樹脂絕緣層41到44而形成。該等導通導體147係以一 方向(第1圖中之向上方向)而直徑增加,以及其與該等導 e 體層51、該等端子墊52及該等BGA墊53互相電氣連接。 現在將說明該無核心配線板1 0 1之中間製品1 1。 如第2及3圖中所示,當該無核心配線板101之中間 製品1 1上方觀之,其具有大體上爲矩形形狀。該中間製品 Π包括製品形成區28及用以包圍該製品形成區28之周圍 的框部29。五個將爲製品(該無核心配線板101)之正方形製 品部27係沿著該中間製品1 1之主要表面的方向而配置於 該製品形成區28中。該框部29具有四個被配置爲包圍該 © 等製品形成區28之端部30,以及四個連接相鄰的端部30 之轉角部3 1。 如第3圖中所示,作爲例示第一導體層之該等導體層 .5 1係形成於該等製品部27之每一者內之該等樹脂絕緣層 41到44之表面上。作爲例示第一導體層之該等端子墊52 係形成於該等製品部27之每一者內的該堆疊中最外層處 之樹脂絕緣層44之表面上。作爲例示第一導體層之該等 BGA墊53係形成於該等製品部27之每一者內的最外層處 之樹脂絕緣層41的下面上。作爲例示第二導體層之框側導 -18 - 201008402 ' 體層54係形成於該等框部29之每一者內之各個樹脂絕緣 層41到44上》該框側導體層54於該等框部29之每一者 內之實質整體區域上方爲形成以具有實質矩形形狀之平面 ' 導體。所有該等框側導體層54均沒有殘留在最終製品中且 其被稱爲虛導體層。 如第2及3圖中所示,該無核心配線板1 〇 1之中間製 品1 1係沿著各個製品部27之輪廓線1 20切割。沿著這些 輪廓線120延伸的線界定爲切線121。更具體言之,用以分 ❹ 割該等製品部27之切線1 21係設在該等相鄰製品部27之 輪廓線之間。此外,其它用以將該框部自該製品形成區28 分離之切線121係在該等製品部27之輪廓線120與該框側 導體層54之內緣之間的區域內,沿著該製品形成區28與 該框部29之間的界線來設定。 如第2圖中所示,該框部29具有複數狹縫61 (切除 區),當以厚度方向(平面觀看)觀看時,該等狹縫之每一者 大體上爲U形。該等狹縫61係於該等端部30中等間隔設 Ο 置,且沿著該切線121之延伸方向配置(或配置於其上)。該 等狹縫61之部分係配置於該等端部30與該等轉角部31之 間的界線上。配置該等狹縫61使得界定於該等相鄰狹縫61 之間的區域的每一者小於一預定或已知尺寸。該等狹縫61 之每一者係以一厚度方向(具體言之,該等樹脂絕緣層41 到44、該框側導體層54、以及該等防焊劑128與142)穿過 該框部29而形成,以及於該框部29之外端變爲開啓。每 一狹縫61之寬度係大體上設定爲相等於該等相鄰製品部 27之輪廓線120之間的間隔’或者該製品部27之輪廓線 -19- 201008402 120與該框側導體層54之內緣間的間隔。該等狹縫61之每 一者的深度(亦即,該狹縫.61從其開口到其內部深度之長 度)係設爲稍小於該框側導體層54之寬度(從該框側導體層 ' 54之內緣到該框側導體層54之外緣的距離)。 • 現在將說明製造該無核心配線板101之方法。 在製備製程中,第2及3圖中所示之該無核心配線板 101之中間製品11係預先生產且製備好。該無核心配線板 101之中間製品11以下列方式製備。如第4圖中所示,首 0 先製備展現足夠強度之支撐板70,諸如,玻璃環氧板。其 次,於部分處於硬化狀態之該支撐板70上附加以環氧樹脂 製成之片狀絕緣樹脂底部組件,以便形成底部樹脂絕緣層 71,藉以獲得含有支撐板70與基板樹脂絕緣層71之底部 組件69。如第5圖中所示,設置多層金屬片組件72於該底 部組件69之一表面(具體言之,該底部樹脂絕緣層71之上 表面)上。該多層金屬片組件72係設在部分處於硬化狀態 之底部樹脂絕緣層71上。因此,其可獲得充分的黏著力, 〇 使得該多層金屬片組件72在隨後製程期間不會從該該底 部樹脂絕緣層71剝落。該多層金屬片組件72包括二片處 於可剝落狀態且互相黏著之銅箔73、74(金屬箔)。具體言 之,該多層金屬片組件7 2係經由鍍覆金屬(例如,鍍鉻)藉 由堆疊銅箔73與74之薄片而製成。 隨後,如第6圖中所示,該片狀絕緣樹脂底部組件40 係堆疊於該多層金屬片組件72上’以及於真空中藉由真空 壓力熱壓機(沒有顯示)對該底部組件40加壓及加熱’以便 固化該絕緣樹脂底部組件40,藉以於第一層上形成該樹脂 -20- 201008402 絕緣層41(堆疊製程)。如第7圖中所示,該導通孔146係 藉由執行雷射機械處理及用以去除各個導通孔146中之髒 污的去污處理而形成於該樹脂絕緣層41中之特定位置。隨 ' 後,例如,藉由習知技術,執行無電解鍍銅或電解鍍銅, • 藉以於各個導通孔146中形成該導通導體147。此外,例如 藉由習知技術(例如,半加成法)執行蝕刻,藉以於該樹脂 絕緣層41上將一導體層51圖案化(參照第8圖)。 如上所述,藉由用以製作在該第一層上之該樹脂絕緣 〇 層41及形成於其上之該導體層51之相同技術,於該第二 到第四層上之該等樹脂絕緣層42到44及該等導體層51上 也以堆疊方式形成於該樹脂絕緣層41上。施加感光性環氧 樹脂於製作該等端子墊52處之該樹脂絕緣層44上方,以 及將如此所施加之樹脂固化,藉以形成該防焊劑1 28。當設 置遮罩時,使該防焊劑128接受曝光及顯影,藉以透過圖 案化製作該防焊劑128中之該等開口 129。依照前述製程, 將內部堆疊有該多層金靥片組件72、該等樹脂絕緣層41 〇 到44、及該等導體層51之層化製品80形成於支撐板70 上(參照第9及10圖)。如第9圖中所示,位在該多層金屬 片組件72上之該多層化製品80上之區域係作爲經堆疊之 配線區81,該經堆疊之配線區81將成爲該無核心配線板 101之中間製品1 1。此外,如第10圖中所示,二個區塊82 係沿著該多層製品80之主要表面而配置於其上,三個中間 製品11係沿著該主要表面之方向而配置於該等區塊82之 每一者中’以及該等區塊82之周圍係被周圍部83所包圍。 在接下來的第一分離製程中,該多層化製品80藉由切 -21 - 201008402 片機切除(省略顯示於圖式中)’藉以移除該各個區塊82之 周圍部83。此時,如第1〇圖中所示’該底部樹脂絕緣層 71與該支撐板70(其均位在該經堆疊之配線區81下方)係沿 ' 著該各個區塊82與其周圍部83之間的邊界切割。藉此, ‘ 將該等區塊82互相分離,藉以獲得二個區塊82(參照第11 圖)。 在該等區塊82之每一者中,移除該底部組件69以露 出該銅箔73 (底部組件移除製程)。更具體言之,如第12圖 Φ 中所示,該經堆叠之配線部81係藉由剝下該經堆疊之金屬 片72中之二片銅箔73與74而自該支撐板70分離。如第 13圖中所示,該經堆疊之配線區81 (該樹脂絕緣層41)的背 面103 (下面)上之該銅箔73係藉由蝕刻而予以圖案化,以 便於最外層之樹脂絕緣層41上的該製品部27內形成BGA 墊5 3(第一導體層形成製程)。之後,如第14圖中所示,於 內部形成有該BGA墊53之該樹脂絕緣層41上方施加感光 環氧樹脂,以及將該樹脂固化,藉以形成該防焊劑1 42覆 ❹ 蓋該經堆疊之配線部81的背面103(防焊劑形成製程)。接 著當設置一遮罩於該防焊劑142上時,使該防焊劑142接 受曝光及顯影,藉以將該防焊劑142圖案化以形成該等開 □ 145。 在接下來的切部形成製程中,該等複數狹縫61係形成 於形成該區塊82之每個中間製品11之該等框部29中(參 照第15圖)。具體言之,藉由一起槽機(router)將框部29中 位居相鄰的中間製品1 1之框部29互相接觸的區域作機械 處理’以便形成延伸孔60。該等延伸孔60成爲一特定中間 -22- 201008402 ' 製品1 1之狹縫6 1以及鄰近於該特定中間製品1 1之中間製 品11的狹縫61。此外,藉由該起槽機框部29中位居相鄰 的中間製品11之框部29不會互相接觸的區域作機械處 " 理,以便形成該等狹縫61。這些狹縫61係在已形成該等導 • 體層51、該等端子墊52、該等BGA墊53以及該框側導體 層54之後(在第一導體層形成製程之後)才形成。 接著,在形成於最外層之樹脂絕緣層44上的各個端子 墊52上形成用以連接1C晶片之銲錫凸塊13 0(銲錫凸塊形 0 成製程)。該切部形成製程係於該銲錫凸塊形成製程前先執 行。在此製程中,銲錫球係藉由未圖示之銲錫球裝配機的 使用而配置在該等各個端子墊52上,以及該等銲錫球接著 以一已知溫度加熱,使得銲錫回流及該等銲錫凸塊130形 成於該等各個端子墊52上。同樣地,該等銲錫凸塊155也 形成於在該多層化配線區81之背面103上所形成的該等各 個BGA墊53上。 在隨後第二分離製程中,該等區塊82係藉由切片機(沒 Ο 有顯示)沿著該等中間製品11間的邊界切割。該等中間製 品11因而互相分離,以便獲得第2及3圖中所示之該無核 心配線板1 0 1之中間製品11。 在隨後1C晶片裝配製程中,該1C晶片131係裝配在 形成該等中間製品1 1之每一者的各個製品部27(該無核心 配線板101)之該1C晶片裝配區133之每一者上。形成於該 1C晶片131上之表面連接端子132係與形成於該製品部27 上之各個銲錫凸塊130對準。對該等銲凸塊130加熱以便 回流,使得該表面連接端132與該銲錫凸塊130黏著在一 -23- 201008402 起。因此,該1C晶片131係裝配於該製品部27上》 在隨後第三分離製程中,藉由習知切割機切割該等 部29且自該製品形成區28移除,以及該製品形成區28 ' 沿著該等切線121切割。該等製品部27係互相分離爲複 ' 件無核心配線板101 (參照第1圖)。 依照該第一例示實施例,可獲得下述優點。 (1)依照此例示實施例之無核心配線板1 0 1之中間製 11,在冷卻用以連接該1C晶片131之銲錫凸塊130期間 〇 即使在施加由該製品形成區28與該框部29之間的熱膨 係數差所造成的熱應力至該中間製品11時,藉由該等複 狹縫61之變形來降低熱應力之影響。此外,該等狹縫 於該等框部29中係以大體上等間隔來設置,當施加熱應 至該等狹縫61時,便能在各個狹縫61中提供一致的變 量。因此,該熱應力均勻地減少。因此,可防止該等中 製品1 1中翹曲的發生,使得從該等中間製品11獲得的 品(該等無核心配線板101)的良率可提升。 G (2)在該第一例示實施例中,該製品形成區28之部分 以該等第一導體層(該導體層51與該端子墊5 2)來覆蓋’ 而該框部29之實質整體區域係以該第二導體層(框側導 層5 4)來覆蓋。因此,於該第一導體層對該製品形成區 之面積比及該第二導體層對該框部29之面積比之間存 大的差異。當該1C晶片131裝配在該端子墊52上時且 冷卻該等用於連接之銲錫凸塊130時,由該等面積比之 異所造成之熱應力係施加於該中間製品11上。然而,在 一例示實施例中,由該面積比之差異所造成之熱應力的 框 係 數 品 > 脹 數 61 力 形 間 製 係 然 體 28 有 當 差 第 影 -24- 201008402 ' 響可藉由該等複數狹縫61來抑制。 該第一例示實施例可以下述方式來變更。 在該第一例示實施例之無核心配線板101之中間製 11中,該等複數切部之每一者係以狹縫61來形成。然而 該中間製品可含有切部,其中該等切部之若干具有不同 該狹縫61的形狀。第16圖顯示依照該第一例示實施例 —變形的中間製製品111。在該中間製品111中,設在該 端部30中之切部係以如第一例示實施例中所述之該狹 〇 61來形成。另一方面,設在該等轉角部31上的切部係以 由移除該等各個轉角部31所形成之切部112來形成。換 之,該等切部112係藉由各個經移除之轉角部31來界定 形成於該等各個轉角部31上之該等切部112可被形成比 在該等端部30上之切部(狹縫61)還大。因此,施加至該 間製品111之熱應力的影響可被更可靠地降低。因此, 更可靠地防止該中間製品111中之翹曲發生,使得製品 率進一步提升。 〇 該第一例示實施例之狹縫6 1係沿著該等製品部27 輪廓線120所設定之切線121的延伸而配置在該等框部 中。然而,該等狹縫61在該中間製品11之主要表面的 向中也可被配置在稍微偏離該等切線121之延伸的位置 該第一例示實施例之切部形成製程是在該第一導體 形成製程與該銲錫凸塊形成製程之間執行。然而’該切 形成製程可在該銲錫凸塊形成製程與該第二分離製程 間,或者在該第二分離製程與該IC晶片裝配製程之間 行。 品 於 之 等 縫 藉 〇 設 中 可 良 之 29 方 〇 層 部 之 執 -25- 201008402 ' 第二例示實施例 將參照圖式說明本發明之第二例示實施例。在第二例 示實施例中’非形成區係形成於一中間製品上以代替該第 一例示實施例之該等切部61。與該第一例示實施例相關聯 • 之類似或相同元件及操作係以相同元件符號來表示,並且 在此例示實施例中省略其說明。 第17圖爲顯示依照第二例示實施例之無核心配線板 的中間製品12之平面示意圖。由於本例示實施例之無核心 0 配線板的剖面視圖與第1圖中所示相同,且沿著第1 7圖之 A-A線切下之該中間製品12的剖面視圖與第3圖中所示相 同,故省略其相關說明。 如第17圖中所示,複數非形成區62配置於該框部29 中之該等樹脂絕緣層41到44之每一者上。在該非形成區 62中,沒有形成該框側導體層54。該非形成區62具有一 狹縫形狀,其係大體上以一致的間隔配置於該等端部30之 每一者中,且其沿著各個切線121之延伸來配置(或配置於 〇 其上)。該等非形成區62之部分係沿著該等端部30與該等 轉角部31之間的界線來配置。由於該各個非形成區62於 該框部29之內緣及外緣係開啓的,故該等非形成區62之 •每一者的長度係設定爲等於該框側導體層54之寬度(從該 框側導體層54之內緣到其外緣之距離)。具體言之,該框 側導體層54係藉由該各個非形成區62來劃分。此外,該 非形成區62之寬度係設定爲等於相鄰的製品區27之輪廓 線120間的間隔或該製品部27之輪廓線120與該框側導體 層54之內側間的間隔。 -26- 201008402 該等非形成區62係配置在該等框部29中之該樹脂絕 緣層41到44之每一者上,使得該第一導體層(該等導體層 51或該等端子墊52)對該製品形成區28之第一面積比,於 每一層上,成爲等於該第二導體層(框側導體層54)對該框 ' 部29之面積比。更具體言之,在該第一層之樹脂絕緣層41 的表面上,該導體層51對該製品形成區28之第一面積比 與該框側導體層54對該框部29之第二面積比二者均設爲 67%。於第二層之該樹脂絕緣層42的表面上,該導體層51 〇 對該製品形成區28之第一面積比與該框側導體層54對該 框部29之第二面積比二者均設爲86%。於第三層之該樹脂 絕緣層43的表面上,該導體層51對該製品形成區28之第 一面積比與該框側導體層54對該框部29之第二面積比二 者均設爲64%。於第四層之該樹脂絕緣層44的表面上,該 導體層51與該等端子墊52對該製品形成區28之第一面積 比與該框側導體層54占用該框部29之第二面積比二者均 設爲7 8 %。 ® 接著,說明依照該第二例示實施例之製造無核心配線 板的方法。首先,如第4及5圖中所示,執行該製備製程。 其次,如第6圖中所示執行該堆疊製程,以及接著如第7 圖中所示形成該等導通孔146。之後,如第8圖中所示形成 該等導通導線147與該等導體層51。 在第二例示實施例中,在相同於用以圖案化該導體層 5 1之製程中,該框側導體層54係於該等中間製品1 2之框 部29中之該樹脂絕緣層41上圖案化,並且該等複數非形 成區62(其中沒有該框側導體層54)也在該等框部29中形 -27- 201008402 ' 成。 接著,如第9圖中所示,於該支撐板70上形成該層化 製品80。第1 8圖爲顯示該第二例示實施例之層化製品80 ' 的平面視圖。接著,以如同第一例示實施例之方式執行該 - 第一分離製程。第19圖爲顯示該第二例示實施例之該區塊 82的平面視圖,其中該區塊82係藉由該第一分離製程來分 開。此後,執行第12圖中所示之該底部組件移除製程、第 13圖中所示之該第一導體層形成製程,以及第14圖中所示 φ 之該防焊劑形成製程。此外,該銲錫凸塊形成製程與該第 二分離製程係如同該第一例示實施例來執行,藉以獲得第 17圖(與第3圖)中所示之該中間製品12。此後,如同該第 一例示實施例執行該第一分離製程,藉以獲得該等複數件 無核心配線板101(第1圖)。 現在說明用以評估無核心配線板之中間製品中之翹曲 的方法以及評估結果。 首先,以如下方式製備用來測量之樣本(測量樣本): 〇 製備相同於該第二例示實施例之中間製品的中間製品1 2 作爲一範例樣本;以及製備一中間製品151(參照第20圖) 作爲比較範例之樣本,在該中間製品1 5 1中,該非形成區 62沒有在該框部29中形成以及該框側導體層54覆蓋6該 框部29之實質整體區域。 接著,對(該範例及該比較範例之)該等測量樣本加 熱,藉以造成形成於該等端子墊52上之各個銲錫凸塊130 回流。測量於該等測量樣本之每一者中所發生的翹曲量。 具體言之’該等測量樣本之每一者係設在支撐底座(supp〇rt -28- 201008402 ' bed)(沒有顯示)上,以及測量從該支撐底座表面到該測量樣 本具有最大上升距離之點的高度作爲翹曲量。 翹曲之測量結果,該比較範例之中間製品1 5 1中的翹 ' 曲量爲2.458mm,然而該範例(亦即,依照該第二例示實施 例)之中間製品12中的翹曲量爲0.464mm。因此,該實施例 之中間製品1 2中的翹曲量確定比該比較範例之中間製品 151中的翹曲量還小。因此,其顯示配置該等複數非形成區 62於該框部29中使其難以在中間製品中造成翹曲。 〇 依照該第二例示實施例,可獲得下述之優點。 (1) 在該第二例示實施例之無核心配線板101的中間製 品12中,藉由配置該等複數非形成區62使該第一導體層 對該製品形成區28之第一面積比與該第二導體層(該框側 導體層54)對該框部29之第二面積比互相相等。因此’降 低該製品形成區28與該框部29之間的熱膨脹係數差。故 若在冷卻用於連接該1C晶片131之該等銲錫凸塊130期 間,將由該熱膨脹係數差所造成的熱應力施加至該中間製 〇 品1 2,則翹曲幾乎不會在該中間製品1 2中發生。因此’可 提升該等中間製品12所生產之製品(該無核心配線板1〇1) 之良率。 (2) 在該第二例示實施例中,該等第一導體層(該導體層 5 1與該端子墊52)係於該樹脂絕緣層41到44之每一者上 圖案化,且該等框側導體層54(與該等非形成區62)係被同 時圖案化,以及因此可縮短製造該無核心配線板101之製 程。此外,該等非形成區62具有一相對簡單的形狀’諸如 狹縫形狀。因此,可減輕圖案設計的負擔’使其容易防止 -29- 201008402 ' 該無核心配線板101之成本的增加。 該第二例示實施例也可被以下列方式來改變。 在該第二例示實施例之無核心配線板101之中間製品 * 12中’所有該等複數非形成區62係形成爲狹縫形區域,該 等區域之每一者以該各個切線121之延伸來延伸。然而, 設在該等轉角部31上之該等非形成區可具有不同於該等 狹縫形非形成區62之形狀。第21及23圖顯示依照該第二 例示實施例之變形的中間製品1 1 〇與1 6 1。在第2 1圖所示 ❹ 之中間製品110中,設在該等轉角部31上之非形成區112 在該各個轉角部31之整個區域中延伸。此外,在第23圖 所示之中間製品161中,設在該等轉角部31上之非形成區 162延伸到該等轉角部31之整個區域中。 雖然該第二例示實施例之非形成區62配置在沿著該 框部29之製品部27的輪廓線120所設定的切線121之延 伸上,但該等非形成區62之部分也可被配置在如第21及 23圖中所示之該中間製品11〇、161的主要表面的方向中離 ❹ 開該等切線121之延伸的位置上。 在該第二例示實施例之無核心配線板1 0 1之中間製品 12中’該框側導體層54係以平面形式於該框部29中形成。 然而,該框側導體層可具有不同於該框側導體層54之形 狀。第22到24圖顯示中間製品161、171及181。在第22 圖所示之中間製品1 7 1中,具有網孔狀圖案之框側導體層 172係形成於該框部29中。在第23圖所示之中間製品161 中’具有磚塊形式之框側導體層163係形成於該框部29 中。在第24圖所示之中間製品181中,具有波浪圖案之框 -30- 201008402 側導體層182係形成於該框部29中。 此外,該第一及第二例示實施例可作如下修改。 在該第一及第二例示實施例之製造無核心配線板101 ’ 的方法中,用以連接1C晶片之銲錫凸塊130係分別形成於 ' 最外層上之樹脂絕緣層44上所形成的該等複數端子墊52 上。然而,該等端子墊52可爲將被裝置至另一連接組件(諸 如母板)的BGA墊,以及銲錫凸塊可被形成於該各個BGA 墊上。在此情況下,用以連接1C晶片之端子墊可設在經堆 〇 疊之配線區81的背面103上。 該第一及第二例示實施例之第一導體層形成製程中, 該銅箔73係藉由蝕刻來圖案化,以形成該等BGA墊53。 然而,在透過蝕刻而完成移除該銅箔73後,可分別形成該 等BGA墊53。 在該第一及第二例示實施例之堆疊製程中,在將爲該 等BGA墊53之金屬層已被形成於該銅箔73上後,可形成 該樹脂絕緣層41。在此情況下,在用以露出該金屬層之導 〇 通孔146形成於該樹脂絕緣層41中後,形成該導通導體147 於該各個導通孔146中。如上所述,藉由形成該等導通導 體後,藉由蝕刻來完全移除該銅箔73,以便露出該金屬層, 以及該金屬層可被形成爲該BGA墊53。 所屬技術領域之通常知識者將認知到在不脫離本發明 之教示下,附加步驟及架構爲可行的。此詳細說明以及特 別爲所揭露之例示實施例之特定內容係主要爲了便於清楚 理解而給定,並且將從其中了解必要限制,本發明之變更 修正在所靥技術領域中之該等熟悉該項技術者閱讀本揭示 -31- 201008402 時將變得顯而易知,且在不脫離所請求發明之精神或範圍 下可被製成。 因此,本發明之範圍可藉由隨附申請專利範圍及其法 ' 定等效物所界定,且不侷限於所給定之範例。 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示本發明之第一與第二例示實施例之無核 心配線板的剖面示意圖; 第2圖爲顯示依照第一例示實施例之無核心配線板之 D 中間製品的平面示意圖; 第3圖爲沿著第2圖所示之線A-A切下之剖面視圖; 板板 板板板 板線線 線 線 線 線 線 線 配 配 配配 配配配 配心心 心 心 心 心 心 心核核 核核 核核核 核無無 無無 無無無 無造造 造造 造 造 造 造製製 製製 製製製 製例例 例例 例 例 例 例 施;施 施施.,施 ·,施 ·,施.,施;實圖實 實;實圖實圖實圖實圖實圖示構示 示圖示構示構示構示構示構例架例 例構例架例架例架例架例架一之一 一架一之一之一之一之一之第件第 第之第件第件第件第件第件照構照 照件照構照構照構照構照構依上依 依構依上依上依上依上依上示點示 示上示點示點示點示點示點顯一顯 顯點顯 I 顯一顯 I 顯一顯 I 爲另爲 爲 I 爲另爲另爲另爲另爲另圖於圖 圖於圖於圖於圖於圖於圖於 ο 中 1 4 中 5 中 6 中 7 中 8 中 9 中 1 法 1 第法第法第法第法第法第法第方第 方 方方方 方方之 之 之之之 之之板 -32- 201008402 板之方法中於另一點上構件之架構圖; 第12圖爲顯示依照第一例示實施例製造無核心配線 板之方法中於另一點上構件之架構圖; ' 第13圖爲顯示依照第一例示實施例製造無核心配線 - 板之方法中於另一點上構件之架構圖; 第14圖爲顯示依照第一例示實施例製造無核心配線 板之方法中於另一點上構件之架構圖; 第15圖爲顯示依照第一例示實施例製造無核心配線 〇 板之方法中於另一點上構件之架構圖; 第16圖爲顯示第一例示實施例之變形之無核心配線 板之中間製品的平面示意圖; 第17圖爲顯示依照第二例示實施例之無核心配線板 之中間製品的平面示意圖; 第18圖爲顯示依照第二例示實施例製造無核心配線 板之方法中於一點上構件之架構圖; 第19圖爲顯示依照第二例示實施例製造無核心配線 © 板之方法中於另一點上構件之架構圖; 第20圖爲顯示比較範例之無核心配線板之中間製品 的平面TfC意圖; . 第21圖爲顯示依照第二例示實施例之變形之無核心 配線板之中間製品的平面示意圖; 第22圖爲顯示依照第二例示實施例之另一變形之無 核心配線板之中間製品的平面示意圖; 第23圖爲顯示依照第二例示實施例之再另一變形之 無核心配線板之中間製品的平面示意圖; -33- 201008402 第24圖爲顯示依照第二例示實施例之另一變形之無 核心配線板之中間製品的平面不意圖。 【主要元件符號說明】 中間製品 製品部 製品形成區 框部 端部 11> 12 ' 110> 151' 161 ' 171 ' 181 27 28 29 30
31 40 轉角部 41 〜44 51 52 片狀絕緣樹脂底部組件 樹脂絕緣層 導體層 端子墊 53 54 、 163 、 172 、 182
60 61 62 69 70 71 72 73-74 80 BGA墊 框側導體層 延伸孔 狹縫 非形成區 底部組件 支撐板 板樹脂絕緣層 多層金靥片組件 銅箔 多層製品 經堆叠之配線區 -34- 81 201008402
82 區塊 83 周圍部 101 無核心配線板 102 無核心配線板之前面 103 無核心配線板之背面 111 中間製品 112 切部 120 輪廓線 121 切線 128 防焊劑 129、 145 開口 130 ' 155 銲錫凸塊 131 1C晶片 132 連接端子 133 1C晶片裝配區 142 防焊劑 146 導通孔 147 導通導體 -35-

Claims (1)

  1. 201008402 七、申請專利範圍: 1. 一種中間多層配線板製品,包含: 複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆疊包含: ' 製品形成區,包含沿著該堆叠之主要表面配置之複數 製品部’該等複數製品部之每—者成爲該多層配線板之 製品;及 框部’包圍該製品形成區; 第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該 等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及 Ο 第二導體層,形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層 之至少一者上; 其中該框部具有以其厚度方向穿過該框部之複數切部 (cut) ’該等複數切部係大體上等間隔配置。 2. 如申請專利範圍第1項之中間多層配線板製品,其中該 等複數切部之至少一者爲一狹縫,其沿著該等複數製品 部之每一者的輪廊線所設定之延長切線(extension of a cutting line)而延伸,以及具有大體上相等於相鄰製品部 之輪廓線之間的間隔的寬度。 3. 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品, 其中該框部具有包圍該製品形成區之複數端部(edge portion),及每一者連接相鄰的端部之複數轉角部(corner portion),及 其中該等複數切部之至少一者係設在藉由移除一對應 轉角部所形成之該等複數轉角部之至少一者中。 4. 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品,其 中該等複數切部在形成該第一導體層與該第二導體層之 -36- 201008402 後形成。 5 .如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品’其 中更包含銲錫凸塊,用以連接設在形成於該堆叠之最外 ' 樹脂絕緣層上之該第一導體層上之構件。 6. 如申請專利範圍第1或2項之中間多層配線板製品, 其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕 緣層及複數第一導體層, 其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹 0 脂絕緣層製成,以及 其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大 (diametrically enlarged)之導通孔來連接。 7. —種中間多層配線板製品,包含: 複數樹脂絕緣層之堆疊,該堆叠包含: 製品形成區,包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數 製品部,該等複數製品部之每一者將成爲該多層配線板 之製品;及 φ 框部,包圍該製品形成區; 第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該 等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及 第二導體層,除了配置於該框部中之複數非形成區 外,該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣 層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之 第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面 積比。 8. 如申請專利範圍第7項之中間多層配線板製品,其中除 -37- 201008402 了該等複數非形成區外,該等複數第二導體層之每一者 係形成於該等複數樹脂絕緣層之每一者上,使得該第一 面積比與該第二面積比在該等複數樹脂絕緣層之每一者 中彼此相等。 9.如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品,其 中該等複數非形成區之至少一者具有沿著該等複數製品 部之每一者的輪廓線所設定之延長切線而延伸之狹縫形 狀。 ® 1 〇 .如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品, 其中該框部具有包圍該製品形成區之複數端部,及每 一者連接相鄰的端部之複數轉角部,及 其中該等複數非形成區之至少一者係設在該等複數轉 角部之至少一者中,以便占有對應轉角部之整個面積。 11.如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品,其 中該第二導體層具有一網孔狀圖案(meshed pattern),以 具有相等於該第一面積比之第二面積比。 胃 12.如申請專利範圍第7或8項之中間多層配線板製品, 其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕 緣層及複數第一導體層, 其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹 脂絕緣層製成,以及 其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大 之導通孔來連接。 13.—種製造多層配線板之方法,包含: 製備製程,包含製備多層配線板之中間製品,該中間 -38- 201008402 ' 製品包含: 複數樹脂絕緣層之堆叠,該堆疊包含:製品形成區, 包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複 數製品部之每一者將成爲該多層配線板之製品;及框 • 部,包圍該製品形成區; 第一導體層’形成於該等複數製品部之每一者內的該 等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及 第二導體層’形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣層 Φ 之至少一者上;以及 切部形成製程’包含形成複數切部於該中間製品之框 部中,以便以其厚度方向穿過該框部。 14. 如申請專利範圍第13項之方法,其中該等複數切部係大 體上以相等間隔配置。 15. 如申請專利範圍第13或14項之方法, 其中該製備製程包含: 堆疊製程,包含將該等複數樹脂絕緣層堆疊於底部組 φ 件之一個表面上,其中該底部組件包含一形成於該一表 面上之金屬箔; 底部組件移除製程,包含在該堆叠製程後將該底部組 件移除,以便露出該金屬箔; 第一導體層形成製程,包含在該底部組件移除製程後 圖案化該金屬箔,以便在該堆叠之最外樹脂絕緣層上之 該等複數製品部內形成該第一導體層:以及 銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程 後,於該第一導體層上形成銲錫凸塊,該銲錫凸塊係用 -39- 201008402 ' 來連接一構件;以及 其中該切部形成製程係於該第一導體層形成製程之後 執行。 * 16.如申請專利範圍第15項之方法,其中該切部形成製程係 ' 在該銲錫凸塊形成製程之前執行。 1 7 .如申請專利範圍第1 3或14項之方法, 其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕 緣層及複數第一導體層, Q 其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹 脂絕緣層製成,以及 其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大 之導通孔來連接。 18.—種製造多層配線板之方法,包含: 製備製程,包含製備多層配線板之中間製品,該中間 製品包含: 複數樹脂絕緣層之堆叠,該堆疊包含:製品形成區, 〇 包含沿著該堆疊之主要表面配置之複數製品部,該等複 數製品部之每一者將成爲該多層配線板之製品;及框 部,包圍該製品形成區; 第一導體層,形成於該等複數製品部之每一者內的該 等複數樹脂絕緣層之至少一者上;及 第二導體層,除了配置於該框部中之複數非形成區 外’該第二導體層形成於該框部內之該等複數樹脂絕緣 層之至少一者上,使得該第一導體層對該製品形成區之 第一面積比大體上等於該第二導體層對該框部之第二面 -40- 201008402 積比;以及 分離製程’包含從該製品形成區移除該框部,以及沿 著切線切割該製品形成區,藉以互相分離該等複數製品 . 部。 19. 如申請專利範圍第18項之方法, 其中該製備製程包含: 堆疊製程,包含將該等複數樹脂絕緣層堆疊於底部組 件之一個表面上’其中該底部組件包含一形成於該一 1 表面上之金屬箱, 底部組件移除製程’包含在該堆疊製程後將該底部組 件移除,以便露出該金屬箔; 第一導體層形成製程,包含在該底部組件移除製程之 後圖案化該金屬箔,以便在該堆叠之最外樹脂絕緣層上 之該等複數製品部內形成該第一導體層;以及 銲錫凸塊形成製程,包含在該第一導體層形成製程 後,於該第一導體層上形成銲錫凸塊,該銲錫凸塊係用 〇 來連接一構件。 20. 如申請專利範圍第18或19項之方法, 其中該多層配線板包含:交替堆疊之該等複數樹脂絕 緣層及複數第一導體層, 其中該等複數樹脂絕緣層之每一者係以相同類型之樹 脂絕緣層製成,以及 其中該等複數第一導體層係透過以一方向而直徑擴大 之導通孔來連接。 -41 -
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103179811A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 日本特殊陶业株式会社 多层配线基板的制造方法
CN104685978A (zh) * 2012-09-26 2015-06-03 日立化成株式会社 多层配线板及多层配线板的制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI335195B (en) * 2003-12-16 2010-12-21 Ngk Spark Plug Co Multilayer wiring board
JP4546415B2 (ja) * 2005-09-01 2010-09-15 日本特殊陶業株式会社 配線基板、セラミックキャパシタ
JP4312758B2 (ja) * 2005-12-27 2009-08-12 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法、配線基板の中間製品

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103179811A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 日本特殊陶业株式会社 多层配线基板的制造方法
US9237656B2 (en) 2011-12-26 2016-01-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Method of manufacturing multi-layer wiring board
CN104685978A (zh) * 2012-09-26 2015-06-03 日立化成株式会社 多层配线板及多层配线板的制造方法
US10194525B2 (en) 2012-09-26 2019-01-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Multilayer wiring board, and method for manufacturing multilayer wiring board

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