.201007811 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於冷陰極螢光燈用之電極、及該電極之製 造方法。特別是關於有助於冷陰極螢光燈之提高亮度、長 '壽命化之電極。 【先前技術】 例如液晶顯示裝置之背光用光源的各種電器設備之光 源係利用冷陰極螢光燈。該燈之具有代表性者係具備在內 ® 壁面具有螢光體層之圓筒狀玻璃管、及配置於該管之兩端 的一對杯狀電極，並在管內密封入稀有氣體及水銀。電壓 係經由連接在電極之端面的引線而施加在電極上。電極之 材質係以純鎳爲其之代表性者，而在日本發明專利特開第 2007- 1 73 1 97號公報則已揭示一種經添加入特定元素之鎳 合金。此外，在日本發明專利特開第2007- 1 7 3 197號公報係 揭示一種在板材施加加壓加工之方法、在線材施加锻造加 工之方法作爲杯狀電極之製造方法。該鍛造加工通常係以 ®多段方式實施。 近年來，吾所欲爲冷陰極螢光燈可更進一步地高亮度 化、長壽命化。亮度係與電極之放電容易性或濺鍍速率（ sputtering rate )(與餓刻速率（etching rate)爲同義）具 有相互依存性。此外，若電極爲容易釋出電子，亦即，功 函數爲小時，則可容易放電。在另一方面，鎳電極卻在點 燈中會發生電極組成物質飛散而沉積在玻璃管內之濺鍍現 象。若該沉積層遇到水銀時，則將導致發光所必要的紫外 ‘201007811 低。 抑制 少由 揭示 小於 長壽 化之 種蝕 其目 長壽 電極 純鎳 得如 的結 向之 度下 爲在 變之 線即不能充分地從螢光體層放射出，使得燈之亮度降 因此，若爲不容易發生濺鍍（蝕刻速率小）時，則可 亮度的降低、容易維持高亮度的狀態。此外，也可減 於亮度降低而導致燈之壽命縮短之情況。 在日本發明專利特開第2007-1 73 197號公報中所 之由鎳合金所構成之電極，由於蝕刻速率及功函數係 由純鎳所構成之電極者，因此有助於燈之高亮度化、 命化。然而，若考慮及更進一步的高亮度化、長壽命 ® 要求時，則除了調整合金組成以外，也期望開發出一 刻速率及功函數爲小之電極。 【發明内容】 〔所欲解決之技術問題〕 本發明係有鑑於如上所述之技術問題所達成，而 的之一係提供一種有助於冷陰極螢光燈之高亮度化、 命化之電極。此外，本發明之另一目的係提供一種該 之製造方法。 ® 〔解決問題之技術方法〕 本發明之發明人等經以具有優越的塑性加工性之 及鎳合金爲對象而檢討冷陰極螢光燈之電極，結果獲 下所述之見解。功函數或蝕刻速率係與用於構成電極 構之晶體配向具有相互依存性，且具有特定的優先配 結構時，則可變成低的値。此外，若欲在良好的精確 獲得如上所述具有特定的優先配向之結構時，則較佳 進行成型爲杯狀時採取不至於受到多餘的塑性加工應 .201007811 製造方法。 關於屬於面心立方結構的純鎳或鎳合金之結晶面（111) 、（100)、（1 10)，若將其功函數及蝕刻速率加以比較時，則 功函數及蝕刻速率係按照（111)面、（100)面、（110)面之順序 而變小。亦即，由（110)面爲優先地加以配向所獲得之組織 (將（110)面作爲優先配向之面的組織）所構成之電極係功 函數及蝕刻速率爲小。因此，該電極係容易放電、且可期 待不容易發生濺鍍。在此，面心立方結構之純鎳或鎳合金 ® 係在施加X射線繞射時，則實質不會顯現出對應於（11 0)面 之波峰。然而，若在施加X射線繞射而波峰存在於（220)面 之情況時，則可視爲（110)面係已優先地獲得配向。因此， 測定在（220)面之X射線繞射的積分強度1(220)、及在（1 1 1) 面之X射線繞射的積分強度1(111)，並將相對於Ι(Π1)的 1(220)之比（積分強度比）：1(220)/1( 1 1 1 )用作爲爲了降低 功函數或蝕刻速率所需要之指標而進行檢討爲使（220)面（ (110)面）優先地加以配向之方法。因此，發現以在日本發 ® 明專利特開第2007- 173 1 97號公報中所揭示之製造方法來 製造有底筒狀（所謂的「杯狀」）之電極時’亦即在對於 板狀材料施加加壓加工（深拉加工）之情況時、或在對於 線狀材料施加多段方式的锻造加工之情況時’則 1(220)/1( 1 1 1)爲小。與此相對’在經以例如衝擊成型之單段 方式的鍛造加工來製造之情況時，則1(220)/1(111)爲大。 其理由係可認爲衝擊成型係與深拉加工或多段方式的鍛造 加工相比較，由於不容易對於結構造成多餘的應變’可減 '201007811 少因應變而配向於（111)面之緣故。此外，與純鎳相比較， 若爲由含有Y(釔）等的添加元素之鎳合金所構成的電極 之情況時，則有1(220)/1(1 1 1)將變大之傾向。 本發明係根據如上所述見解所達成。具體言之，本發 明之電極係由純鎳或鎳合金所構成且呈有底筒狀之電極， 可使用於冷陰極螢光燈。特別是該電極係假設在電極內面 之（220)面的X射線繞射的積分強度爲1(220)、（111)面的X 射線繞射的積分強度爲1(111)時，則可符合積分強度比 ® 1(220)/1(1 1 1 )爲 1(220)/1(1 1 1) 2 0.41 之條件。如上所述之鎳 合金係含有0.001質量％以上2.0質量％以下之Y (釔）、 且其餘部份則爲由Ni及雜質所構成者。 如上所述本發明之電極係可藉由在下文中之本發明之 製造方法來製造。本發明之電極之製造方法係關係到製造 使用於冷陰極螢光燈的電極之方法，且係包括下列之步驟 1. 製備由純鎳所構成之線狀材料、或由含有0.001質量％以 ® 上2.0質量％以下之Y (釔）之鎳合金所構成之線狀材料 之步驟。 2. 對於如上所述材料施加衝擊成型，以形成有底筒狀之電 極之步驟。 〔發明之功效〕 本發明之電極，由於積分強度比1(220)/1(1 1 1)爲大’ (220)面（（110)面）則優先地獲得配向。因此，本發明之電 極係功函數或蝕刻速率變小，可容易放電，且具有優越的 201007811 耐濺鍍性。具有如上所述本發明之電極的冷陰極螢光燈係 高亮度，且可減少因亮度降低而導致壽命縮短之情況，因 此其之壽命爲長。此外，本發明之電極也因其係呈具有空 心陰極效應之有底筒狀而容易放電。並且，由於本發明之 電極係由具有優越的塑性加工性之純鎳或鎳合金所構成， 可容易以塑性加工來製造有底筒狀之本發明之電極，因此 也具有優越的生產性。本發明之電極之製造方法係可容易 地製造有底筒狀之電極，而且又可製造積分強度比 ® 1(220)/1( 1 1 1 )爲大之電極。 因此，本發明之電極係可對於冷陰極螢光燈之亮度提 高或長壽命化上具有貢獻。本發明之電極之製造方法係可 製造具有特定的優先配向之如上所述本發明之電極。 【實施方式】 〔本發明之最佳實施方式〕 在下文中，則將更詳細地說明本發明。 〔電極〕 •(組成） 本發明之電極係由包含Ni及雜質之純鎳、或包含添加 元素與其餘部分爲Ni及雜質之鎳合金所構成。純鎳或鎳合 金係具有優越的塑性加工性，而且熔點低，因此，可容易 地以焊接連接上由科伐鐵鎳鈷合金 （Kovar : iron-nickel-cobalt alloy)等所構成之.引線。雖然視添加元 素而定，鎳合金係具有例如：1.因功函數小於純鎳者而容 易放電；2.不容易濺鍍（蝕刻速率爲小）、3·不容易形 201007811 成汞合金；4.因不容易在表面形成氧化膜，放電不容易受 到阻礙；5.容易形成微細的組織等之各種優點。 在本發明中，鎳合金係含有0.001至2.0質量％之Y( 釔）。藉由含有Υ (釔）則可獲得如上所述第1至5項之 功效，再加上可提高耐濺鍍性。Υ (釔）之更佳的含量爲 0.01至1.0質量％。含有Υ (釔）再加上選自Si、Mg、Α1 、Cr、及Μη中之一種以上之元素之鎳合金係耐濺鍍性爲更 高。Si、Mg、Al、Cr、Μη之合計含量係較佳爲0.001質量 φ %以上3.0質量％以下。特別是Si、Mg、Al、Cr、Μη與Υ 之合計含量係較佳爲3.0質量％以下。尤其是含有Υ、Si、 及Mg之鎳合金係耐濺鍍性高。較佳的含量係Y及Si之合 計爲0.01至2.0質量％、且Mg: 0.01至1.0質量％。若添加 元素之含量爲小於如上所述之範圍時，則不能獲得如上所 述之功效，若太多時，則將導致塑性加工性降低。此等添 加元素係將構成與Ni之金屬間化合物而存在於電極中。 (配向性） ® 有底筒狀之電極係通常在其內面，特別是以底面爲中 心而進行放電。因此.，若有底筒狀之電極的內面係具有特 定的優先配向時，則可容易地提高放電性或耐濺鍍性。因 此，本發明之電極係內面（較佳爲底面）的積分強度比 1(220)/1( 1 1 1 )應爲符合0.41以上之條件。也可爲電極之內 面的整個全面之1(220)/1( 1 1 1 )爲0_41以上。電極之外面的 1(220)/1( 1 1 1 )則不管，可爲0.41以上或小於0.41。由於 1(220)/1(111)愈大，則功函數或蝕刻速率愈容易變小，更佳 201007811 爲0.6以上，且不加以特別設定上限。 如上所述之配向性係可因伴隨塑性加工的應變之發生 量或應變之方向而受到變化。在例如深拉加工或多段式之 鍛造加工之會發生許多應變之塑性加工，則因理應以單段 的加工即能獲得之結構將受到破壞等，結果導致在電極結 構中的（110)面之存在比率變低、或（111)面之存在比率變高 。此外，以如上所述含有Y (釔）等之添加元素之鎳合金 構成本發明之電極時，與以純鎳構成時之情形相比較，則 (111)面之存在比率容易變低。因此，如上所述之配向性係 也會因添加元素之含量或添加元素之種類而受到變化。若 添加元素之含量愈多，.則有1(220)/1(1 1 1)愈變大之傾向。 (功函數） 具有如上所述特定的優先配向之本發明之電極係功函 數小、且爲小於4.7 eV。若功函數愈小，則電子愈容易從 電極發射出，由於藉由利用該電子之冷陰極螢光燈，則可 容易地發光而提高亮度，更佳爲4.3 eV以下’且不加以特 ®別設定下限。 (蝕刻速率） 具有如上所述特定的優先配向之本發明之電極係鈾刻 速率小、且爲小於22 nm/min。由於餓刻速率愈小，則愈不 容易在冷陰極螢光燈形成濺鍍層，可減少進入濺鍍層之水 銀量，使得可將水銀充分地利用於發光’因此，可提高燈 之亮度。因此蝕刻速率係更佳爲20 nm/min以下，且不加 以特別設定下限。 201007811 以鎳合金構成本發明之電極時，則功函數或飩刻速率 係藉由調整添加元素之種類或含量來加以變化。若添加元 素之含量增加時，則有功函數或蝕刻速率即將變小之傾向 。功函數及蝕刻速率之測定方法係如後所述。 (製造方法） 本發明之電極係可以具代表性的熔解—鑄造—熱軋— 冷拉加工及熱處理—成型用塑性加工來獲得。藉由利用鑄 造材作爲材料，則可獲得高密度（相對密度爲超過98%， ® 大約爲100%)且高強度的電極。特別是在本發明之製造方 法係利用線狀之材料，且成型用塑性加工係利用衝擊成型 (藉由衝撃加工之單段方式的鍛造成型）。衝擊成型之條 件係可利用在有底筒狀構件之成型所利用之一般的條件。 但是’若將電極之側壁厚度製成太薄時則將導致電極之強 度降低，因此較佳爲以能使得側壁厚度成爲0.05毫米以上 之方式來加以成型。 此外，用作爲施加衝擊成型之線狀材料，若利用可以 ® 拉線加工時之加工度或拉線後所施加之最終熱處理來控制 再結晶結構之優先配向，且能符合1(220)/1( 1 1 1 )20.41之 條件的材料時，則經衝擊成型後之電極也可容易地使其符 合 1(220)/1(1 1 1)2 0.41 之條件。欲製造能符合 1(220)/1(1 1 1) 2 0.41之條件的材料時，則應實施總加工度爲70%以上之 拉線加工、及將加熱溫度設定爲500°C以上的最終熱處理中 之至少一者。拉線加工時之加工度（總加工度）係更佳爲 特別是80%以上99%以下、最終熱處理之加熱溫度係600 -10- 201007811 。(：以上900°C以下、保持.時間係1秒鐘以上1 0小時以下。 此外，若材料係使用含有例如Υ (釔）之添加元素的鎳合 金時，則可容易地提高1(220)/1(1 1 1)。藉由如上所述之方 式來調整製造條件或成份，則可製造材料整體係具有如上 所述之特定的配向性之材料。 線狀材料之大小（直徑）係可適當地選擇。對於冷陰 極螢光燈用之電極材料係較佳爲0.5至5 ιηιηφ。 此外，藉由施加衝擊成型所獲得之有底筒狀之電極係 © 具有（2 20)面（（110)面）優先地獲得配向之再結晶結構》該 電極係在進行製造冷陰極螢光燈時，則將因焊接引線或將 該引線接合於玻璃管時等而受到加熱。由於該熱，則電極 之結構將發生再結晶。該再結晶結構也具有（220)面優先性 地獲得配向之再結晶結構，且符合1(220)/1( 1 1 1 )20.41之 條件。亦即，只要是使用能符合1(220)/1(1 1 1)20.41之條 件的電極時，則經安裝於冷陰極螢光燈之電極也能符合 1(220)/1(111)2 0.41 之條件。 ® 在下文中，則將說明本發明之實施形態。 〔試驗例1〕 製造由如表1所示之組成所構成之板材，並利用X射 線繞射來測定在該板材中之（220)面的積分強度1(220)、及 (1 1 1)面的積分強度1(111)。 板材係以如下所述之方式製造。使用通常之真空熔解 爐製造具有如表1所示之成份組成的金靥之熔融金屬。在 表1所示之「Ni」係使用市售之純鎳（99.0質量％以上Ni -11- .201007811 * )，且藉由熔煉使其減少c及s之合計含量者。此外’熔 解係也可在空氣大氣熔解爐進行。在利用空氣大氣熔解爐 之情況時，則以熔煉等移除或減少雜質或夾雜物、或實施 溫度調整來調整熔融金屬。 適當地調整經準備的熔融金屬之溫度，並以真空鑄造 獲得鑄塊。對於所獲得之鑄塊施加熱軋，以獲得熱軋板。 經切削該熱軋板之表面後’反復進行冷軋及熱處理，並且 調整表面之切削量使其能獲得相同厚度之板材後，施加熱 ® 處理（軟化處理：800°C xl小時、真空大氣），以獲得熱處 理材（軟材）。對於所獲得之熱處理材更進一步進行冷軋 使得冷軋之總軋製率（％ )能達到表1所示之値後，施加最 終熱處理（軟化處理：800°Cxl小時、真空大氣），以獲得 板材（軟材）。此外，軟化處理係也可在真空大氣以外之 大氣中進行。例如，若在高熱傳導率的氫之含量爲高的大 氣（尤其是氫氣大氣）中進行時，由於可在良好效率下進 行加熱，以增加移動速度（線速）而提高生產性。或者， W 若在氫含量爲少的大氣或氮氣大氣等之未含有氫之大氣下 進行時，則可減少電極之氫含量，以防止因在焊接引線時 等而導致電極之氧化變色。 對於經施加最終熱處理所獲得之板材實施X射線繞射 ，以測得 X射線繞射分佈圖，並計算出積分強度比 1(220)/1(1 1 1)。具體言之，測定在板材表面中任意5處之X 射線繞射分佈圖，並計算得在各處之1(220)/1(111)，5處之 Ι(220)Π(111)之平均値係如表1所示。 -12- 201007811 此外’測定經施加最終熱處理所獲得之板材之功函數 及蝕刻速率。結果係如表1所示。 功函數係在經作爲前處理而對於材料實施數分鐘的氬 離子蝕刻後’以紫外線光電子分光分析法加以測定。測定 係使用複合電子分光分析裝置（PHI製造之ESCA-5800、配 備 UV-15 0HI)，並以紫外線源：He I ( 21.22 eV) /8 W、測 定時之真空度：3xl0·9 至 6xl0_9torr( 0·4χ10·9 至 0.8xl0 + 9kPa )、測定前之基準真空度；4xl(T1D torr ( 5.3xlO·11 kPa )、 ® 施加偏電壓：約-10V、能量鑑別率：0.13eV;分析區域： φ800/ζιη橢圓形、分析深度；約1奈米之條件進行。此外 ，功函數係也可使用大氣掃描型開耳芬探測針（Scanning Kelvin Probe)(英國KP Technology公司製造）來測定（ 使用探測針之尖片尺寸；直徑爲0.3毫米）。在此情形下 ，則對於各試料，在一面錯開測定位置、一面測定複數點 (例如，N = 5)下進行，並採用其之平均値。 蝕刻速率係以如下所述之方式測定。作爲前處理而在 _ 板材以圖罩局部性地遮光，並對於未受到遮光之露出部份 施加預定時間之離子照射後，測定因離子照射而在露出部 份造成之凹處之平均深度，並以平均深度/照射時間作爲蝕 刻速率。離子照射係使用X線光電子分光分析裝置（PHI 製造之Quantum-2000 )，並以加速電壓：4 kV、離子種類 :Ar+、照射時間：120分鐘、真空度：2xl0·8至4xl(T8torr (2.7x10.9 至 5.3x10.9 kPa)、氬氣壓力：約 15 mPa、入射 角度：對試料面成約45度之條件進行，凹處之深度則使用 -13- 201007811 探針式表面形狀測定器（Veeco公司製造之Dektak-3030 ) ’並以探測針：金剛石半徑=5/zm、針壓：20毫克、掃描 距離：2毫米、掃描速度：中等（Medium )之條件進行測 定。 表1 綱 No. 組成 冷軋 總軋製率 (%) X射讎射 積分強度比 1(220)/1(111) 功函數 (eV) 蝕刻速率 (nm/min) 添加元素 (Mi%) 其餘部份 1-1 - Ni 20 0,28 4.8 21 U2 Ni 80 0.41 4.6 17 1-3 Y： 0.3 Si： 0.1 Mg: 0.03 (合計：0.43) Ni 20 0.41 4.2 12
如表1所示則可了解：藉由設定在冷軋時之軋製率爲高 來控制再結晶結構之優先配向，藉此則可將（220)面優先地 加以配向。此外，也得知由於（2 20)面爲優先配向之面，可 獲得功函數及蝕刻速率爲小之材料。更進一步也得知藉由 添加例如Y (釔）之添加元素’可將（220)面優先地加以配 向，加上也可獲得功函數及蝕刻速率爲更小的材料。 藉由該試驗則可了解：若控制聚集結構使其（220)面得 以優先性地獲得配向時’則可獲得功函數或蝕刻速率爲小 的材料。 (試驗例2 ) 對於由表2所示之組成所構成之線狀材料施加冷塑性 加工來製造有底筒狀之電極’然後’測定經使用該電極所 -14- 201007811 獲得之冷陰極螢光燈之亮度及壽命。 線狀材料係以如下所述之方式製造。以與試驗例1相 同的方式藉由真空鑄造而獲得鑄塊。以熱軋將所獲得之鑄 塊加工至線徑成爲5.5 ιηπιφ以獲得熱軋線材。對於該熱軋 線材將冷拉及熱處理組合而施加（總拉線加工度：86.8%) ，對於所獲得之線材以與試驗例1相同的條件施加軟化處 理，以獲得線徑爲2.0 ιηπιφ之線狀軟材。 將所獲得之線狀軟材切斷成特定的長度，並對於所獲 φ 得之材料施加如表2所示之成型法的加工，以製造有底筒 狀之電極（外徑爲2.長度爲5.0毫米、開口部之直 徑爲1.9 ιηιηφ、開口部之深度爲4.7毫米、底部份之厚度爲 0.3毫米、側壁之厚度：0.1毫米）。各試料準備複數個電 極（特性測定用電極、燈製造用電極）。然後，將由科伐 鐵鎳鈷合金（Kovar)所構成之內引線焊接於由覆銅Ni合 金線所構成之外引線。並且，在如上所述之特性測定用電 極之外側底面焊接內引線。在該內引線之外周熔著玻璃珠 φ 粒，以製造經將引線、電極、及玻璃珠粒成爲一體化之電 極構件。 對於如上所述電極構件所具備之特性測定用電極測定 在X射線繞射中的積分強度比1(220)/1(1 1 1 )、功函數及蝕 刻速率。1(220)/1( 1 1 1 )係將電極朝其之軸方向（縱方向）加 以切斷，並選擇內面之任意5處，然後測定各處之X射線 繞射分佈圖，並計算得在各處之1(220)/1(1 1 1)，5處之 1(220)/1( 1 1 1 )之平均値係如表1所示。功函數、及蝕刻速率 係以與試驗例1相同的方式進行測定。 -15- 201007811
表2 組成 成型法 X射線繞射 積分強度比 1(220)/1(111) 功函數 (eV) 蝕刻速率 (nm/min) 添加元素 (質量％) 其餘部份 2-1 Y： 0.4 Si： 0.1 Mg： 0.03 (合計：〇·53) Ni 衝擊成型 0.78 3.7 9 2-2 Υ： 0.4 Cr: 0.2 (合計：〇·6) Ni 0.75 3.7 10 2-3 Υ： 0.4 Α1： 0.1 (合計：〇·5) Ni 0.73 3.8 9 2-4 Υ: 0.3 Μη： 0.3 (合計：0.6) Ni 0.73 3.9 11 2-5 Υ： 1.9 Α1： 1.0 Μη： 0.9 Cr： 0.9 (合計：4.7) Ni 0.80 3.6 9 2-6 Y： 0.3 Ni 0.60 4.0 11 2-7 - Ni 0.41 4.6 17 2-8 Y： 0.3 Ni 多段式锻造 0.40 4.3 13 2-9 - Ni 0.31 4.7 22 2-10 _ Ni 深拉加工 0.27 4.8 22 如表2所示可了解：藉由施加衝擊成型’則可獲得積分 強度比1(220)/1(1 1 1)爲0.41以上之電極。此外，也可了解 1(220)/1(1 1 1)爲0.41以上時，則功函數及蝕刻速率爲小。 尤其是可了解由含有例如Y(釔）之添加元素的鎳合金所 構成之電極係1(220)/1(1 1 1)爲更高，功函數及蝕刻速率則 更進一步爲小。其係可視爲藉由調整拉線加工度或軟化處 -16 - 201007811 理，則變成可容易地獲得1(220)/1( 1 1 1 )爲0.41以上的電極 之緣故。關於使用於試料No. 2-1至2-7的線徑爲2.0 mmφ 之線狀軟材，藉由以與試驗例1相同的方式測定 1(220)/1(1 1 1)結果’則皆爲0.41以上。在此則就如上所述 之軟材的端面評估任意5處之平均。 使用燈製造用電極來製造冷陰極螢光燈，然後測定亮 度及壽命。其結果係如表3所示。使用市售之亮度計測定 各冷陰極螢光燈之中央亮度，並使用該測定値評估亮度及 壽命。具體言之，亮度係以試料No. 2-10之冷陰極螢光燈 之初期亮度（43,000 cd/m2)爲100來表示其他試料之相對 的初期亮度。壽命係測定各冷陰極螢光燈之亮度直至各燈 到達初期亮度之50%爲止之時間，而以該時間進行評估。 在該試驗則以試料No. 2-10之冷陰極螢光燈之壽命爲100 來表示其他試料之相對的壽命。 冷陰極螢光燈係以如下所述之方式製造。使用燈製造 用電極，準備一對如上所述經將引線、電極、及玻璃珠粒 ® 加以一體化所獲得之電極構件。接著，在內壁面具有螢光 體層（在此則爲鹵磷酸鹽螢光體層），且在兩端爲開口的 圓筒狀玻璃管之一端插入一方的電極構件，並使玻璃珠粒 與管之一端熔著，以密封管之一端同時將電極固定於管內 。接著，由玻璃管之另一端以真空方式導入稀有氣體（在 此爲氬氣體）及水銀，然後，插入另一方之電極構件並加 以固定電極同時密封玻璃管。經由該順序則可獲得經將一 對杯狀電極之開口部相對配置所獲得之冷陰極螢光燈。 201007811 表3 贼 xmmmm 亮度 (相對値） 壽命 (相對値） 添加元素 (質量％) 其餘部份 戯法 積分強度比 1(220)/1(111) 2-1 Y 0.4 Ni mmm 0.78 350 380 Si 0.1 Mg 0.03 2-2 Y 0.4 Ni 0.75 330 340 Cr 0.2 2-3 Y 0.4 Ni 0.73 330 330 A1 0.1 2-4 Y 0.3 Ni 0.73 300 310 Μη ：0.3 2-5 Υ： 1.9 Ni 0.80 360 380 Α1 :1.0 Μη： 0.9 Cr： 0.9 2-6 Υ: 0.3 Ni 0.60 300 310 2-7 - Ni 0.41 130 140 2-8 Υ 0.3 Ni 多段式锻造 0.40 290 340 2-9 - Ni 0.31 110 100 2-10 - Ni 深拉加工 0.27 100 100 ❹ 如表 3所示則可了解：藉由使用積分強度比 1(220)/1(1 1 1)爲0.41以上之電極所獲得之冷陰極螢光燈係 具有高亮度、且爲長壽命。因此，1(220)/1(1 11)爲0.41以 上之電極係可期待有助於冷陰極螢光燈之高亮度化、長壽 命化。此外，由於在電極焊接引線等時的熱等，電極則將 由加工聚集結構形成爲再結晶結構。由於該電極係在受到 因焊接等的熱以前之電極之（220)面已優先性地獲得配向， 因此可維持該配向性，而有助於提高冷陰極螢光燈之亮度 、長壽命化。 -18- 201007811 此外，如表3所示則可了解：藉由含有Y (釔）之鎳 合金所構成之電極，與由純鎳所構成之電極相比較，其係 可提高冷陰極螢光燈之亮度。更進一步可了解由含有Υ( 釔）再加上例如Si、Mg、Al、Cr、Μη之元素的鎳合金所構 成之電極係可更進一步地提高冷陰極螢光燈之亮度、且可 延長燈之壽命。 另外，如上所述之實施形態係可在不脫離本發明精神 範圍內適當地加以變更，且非用於限制於如上所述之構成 β ，例如當然可適當地變更電極之組成。 本發明之電極係適用於冷陰極螢光燈。該冷陰極螢光燈 係適用於例如個人電腦之液晶監視器或液晶電視等之液晶 顯示裝置的背光用光源、小型顯示裝置之正面光用之光 源、複印機或掃描器等之原稿照射用光源、複印機之消磁 器用光源之各種電器設備之光源。 【圖式簡單說明】 jfrrr. 無。 ^ 【主要元件符號說明】 /ττΤ 無。 -19-