TW201005976A - Method and apparatus for manufacturing solar battery - Google Patents

Description

201005976 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於太％電池之製造方法及太陽電池之製造裝 置，更詳細而言係關於一種能以低成本迅速地檢測構造缺 陷並修復之太陽電池之製造方法及太陽電池之製造裝置。 【先前技術】 從能量有效率利用的觀點來看，近年來，太陽電池曰益 廣泛地受到一般利用。特別是利用矽單結晶之太陽電池的 ® 每單位面積之能量轉換率良好。然而，另一方面，利用石夕 單結晶之太陽電池係由於使用將矽單結晶鑄錠切片之矽晶 圓，因此於鑄錠之製造上耗費大量能量，製造成本高。特 別於實現設置於屋外等之大面積的太陽電池之情況時，若 利用石夕單結晶來製造太陽電池，則現狀下相當花費成本。 因此，利用可更低價地製造之非晶（非晶質）矽薄膜之太陽 電池’係作為低成本的太陽電池而普及。 非晶碎太陽電池係使用稱為pin接合之層構造的半導體 膜’該pin接合係由p型及η型之矽膜，夾住當受光則發生 電子及電洞之非晶矽膜（i型）。於該半導體膜之兩面分別形 成有電極。由於太陽光而發生之電子及電洞係由於p型·η 型半導體之電位差而活潑地移動，由於連續地重複此而於 兩面的電極產生電位差。 作為此類非晶矽太陽電池之具體構成係採用例如於玻璃 基板將 TC〇(Transparent Conductive Oxide :透明導電氧 化物）等之透明電極作為下部電極而成膜，於其上形成有 139428.doc 201005976 包含非晶矽之半導體膜、及作為上部電極之Ag薄膜等之構 成。 於包含如此含有上下電極及半導體膜之光電轉換體之非 晶矽太陽電池’若僅於基板上，以寬廣面積均勻地將各層 予以成膜’則會有電位差小且電阻值變大的問題。因此， 例如形成以特定尺寸逐一電性劃分光電轉換體而形成劃分 元件’電性連接相互鄰接之劃分元件彼此，藉此構成非晶 矽太陽電池。 具體而言，採用一種於基板上以寬廣面積均勻地形成之 光電轉換體，使用雷射光等，形成稱為切割線（scHbe Une) 之溝槽而獲得許多長條狀之劃分元件，並將該劃分元件彼 此電性串聯連接之構造。 然而，於此類構造之非晶矽太陽電池，據知在製造階段 會產生數種構造缺陷。例如於非晶⑦膜之成膜時混入粒子 或產生針孔，從而於上部電極與下部電極可能局部地短 路。而且’於基板上形成光電轉換體後，#由切割線分割 為許多劃分元件時，沿著該切割線，構成上部電極之金屬 膜熔融而到達下部電極，上部電極與下部電極亦可能局部 地短路。 如此，於光電轉換體，若產生失著半導體膜而於上部電 :與下部電極之間局部地短路之構造缺陷，會引起發電電 壓之降低或光電轉換效率降低該類故 非晶石夕太陽電池之製造步驟中 在的 错由檢测此類短路等構造 缺陷，去除產生構造缺陷處而修復故障。 139428.doc 201005976 例如於日本特開平9_266322號公報及日本特開簡_ 203978號公報，揭示一種在以切割線所分割之各個劃分元 件全體施加偏壓電壓，利用紅外線感測器檢測於短路處所 產生之‘、、、耳，、、、藉此特定出存在構造缺陷之劃分元件之方 法。而且’亦據知有一種以CCD相機等，放大觀察所有劃 刀元件之表面的方法，或藉由照射光，測定並比較各劃分 元件之FF(fill faetGr :曲線因子）而特定出存在構造缺陷之 劃分元件的方法。 然而’如上述於劃分元件全體施加偏壓電壓而檢測缺陷 的方法’雖可特定出劃分元件内大概的缺陷位置，但難以 特定出詳細位置，而且亦需要紅外線感測器之掃描等’會 有檢測精度或檢測用之裝置成本大的問題。 而且，由於施加偏壓電壓至缺陷處發熱的程度，因此亦 有對半導體膜造成損傷之虞。 以CCD相機等放大觀察而檢測缺陷之方法，係必須使相 籲機遍及太陽電池之全區進行掃描，特別於太陽電池為大面 積之情況下，會有構造缺陷的檢測花費人力及時間的問 題。而且，亦有未檢測到未出現於表層的缺陷之虞。 照射光而測定各劃分元件之FF的方法雖可檢測存在缺陷 之劃刀7G件本身，但難以特定出劃分元件内之何處存在缺 陷。 、 '後於”玄等上述之缺陷檢測方法中，由於僅可特定出 大概的缺陷位置，因此以雷射光等修復缺陷處時係大範圍 地去除半導體膜，會有不僅作為太陽電池的特性不適宜， 139428.doc 201005976 外觀上亦不適宜的問題。 而且，僅特定出大概的缺陷位置而施加偏壓電壓以去除 缺陷之情況下，必須升高偏壓電壓。然而’若施加高過必 要以上之偏壓電壓，會有對未產生缺陷之正常部分造成損 傷的問題。 【發明内容】 本發明係有鑑於上述事情而完成，其目的在於提供一種 不對太陽電池之光電轉換體造成大損傷，能以短時間正確 地特定出構造缺陷之發生處，確實地去除、修復所特定出 的構造缺陷之太陽電池之製造方法及太陽電池之製造裝 置。 為了解決上述問題，本發明提供如下之太陽電池之製造 方法亦即，本發明之第1態樣之太陽電池之製造方法係 形成光電轉換體，該光電轉換體包含複數個劃分元件，且 相互鄰接之前述劃分元件彼此電性連接；肖定出前述光電 轉^體t具有構造缺陷之劃分元件（缺陷劃分特定步驟）； ;]述劃刀元件’特定出存在構造缺陷之區域（缺陷區域 步驟）’藉由於存在前述構造缺陷之一部分區域限定 也^加偏壓電壓而去除前述構造缺陷（修復步驟）。 本發明之第1態樣之太陽電池之製造方法，於前述劃 一特疋出存在構造缺陷之區域時，宜根據於相互鄰接 之劃分元件蚀+ > , 反此之間測定複數處之電阻值所獲得之電阻值 之为布，而牲令山—上、丄 ’疋出存在刖述構造缺陷的區域。或者，於前 述劃分元件牲$山+ 疋出存在構造缺陷之區域時，宜藉由圖像攝 139428.doc 201005976 像部拍攝前述劃分元件’根據所獲得之圖像而特定出存在 前述構造缺陷之區域。 於本發明之第1態樣之太陽電池之製造方法，於去除前 述構造缺陷時，宜在施加前述偏壓電壓後，測定存在前述 • 構造缺陷之區域之電阻值而確認前述構造缺陷之修復狀況 (修復確認步驟）。而且於確認前述構造缺陷之修復狀況 時，在已確認前述構造缺陷之修復為不充分之情況下，宜 藉由向存在前述構造缺陷之區域追加地照射雷射光線而去 * 除前述構造缺陷（追加修復步驟）。或者，於確認前述構造 缺陷之修復狀況時，在已確認前述構造缺陷之修復為不充 分之情況下，宜藉由於存在前述構造缺陷之區域進一歩施 加階段性地提高電壓值之偏壓電壓而去除前述構造缺陷 (追加修復步驟）。 而且’本發明提供如下之太陽電池之製造裝置。 亦即，本發明之第2態樣之太陽電池之製造裝置係該太 φ 陽電池具有包含複數個劃分元件之光電轉換體者；且該製 造裝置包含：缺陷區域特定部，其係於前述劃分元件特定 出存在構造缺陷之區域；及修復部，其係於存在前述構造 缺陷之一部分區域限定地施加偏壓電壓而去除前述構造缺 陷。 若依據本發明之第1態樣之太陽電池之製造方法，於缺 陷區域特定步驟中，篩選具有構造缺陷之太陽電池，僅就 具有缺陷之太陽電池，於修復步驟中正確地特定出修愎缺 陷之存在部位。藉此，可有效率地製造無構造缺陷之太陽 139428.doc 201005976 電池。 而且，於修復步驟後，進行存在構造缺陷之區域的電阻 值之測定。其結果，於修復不充分的情況時，於追加修復 步驟中完全修復構造缺陷。藉此，可將由於修復所造成之 光電轉換特性的劣化抑制在最小限度。 而且，若依據本發明之第2態樣之太陽電池之製造装 置，由於特定出具有構造缺陷之區域，藉由偏壓電壓去 除，因此於修復步驟，可僅去除包含缺陷之最小限度的區 域。藉此，可使作為太陽電池之特性不會大幅降低，且亦 不損及外觀而修復缺陷處。 【實施方式】 以下，根據圖式詳細說明關於本發明之太陽電池之製造 方法、及使用於其之本發明之太陽電池之製造裝置。此 外本實施型態係為了更加理解發明旨趣而具體地說明， 只要未特別指定，均不限定本發明。 圖1係表示藉由本發明之太陽電池之製造方法所製造的 非晶矽型之太陽電池之要部的一例之放大立體圖。而且， 圖20)係表示圖1之太陽電池之層構成之剖面圖。圖2(b)係 放大圖2(a)之符號B所示之部分之剖面放大圖。太陽電池 1 〇具有光電轉換體12，其形成於透明的絕緣性之基板丨丨之 第1面11 a(—面）。基板11若以例如玻璃或透明樹脂等，太 1%光之穿透性良好且具有耐久性之絕緣材料形成即可。於 該基板11之第2面lib(另一面）射入太陽光。 於光電轉換體12,從基板11依序疊層有第一電極層（下 139428.doc 201005976 部電極）13、半導體層14及第二電極層（上部電極）15。第一 電極層（下部電極）13若包含透明之導電材料，例如由 TCO、ITO(Indium Tin Oxid.e :氧化銦錫）等光穿透性之金 屬氧化物即可。而且，第二電極層（上部電極）15若藉由

Ag、Cu等導電性之金屬膜形成即可。 半導體層14係例如圖2(b)所示具有pin接合構造，其係於 P型非晶矽膜17與n型非晶矽膜18之間，夾有i型非晶矽膜 16而構成。然後’當太陽光射入於該半導體層14,產生電 子及電洞’由於P型非晶矽膜17，n型非晶矽膜18之電位 差’電子及電洞活潑地移動，由於連續地重複此而於第一 電極層13與第二電極層15之間產生電位差（光電轉換）。 光電轉換體12係由切割線（scribe line)19*割成外形為長 條狀的許多劃分元件21、21·。該劃分元件21、2ι ·係相 互電性劃分，並且於相互鄰接之劃分元件21彼此之間電性 串聯連接。藉此，光電轉換體12具有劃分元件21、21 .全 ❹4電性串聯連結之構造。於該構造中’可取出高電位差的 電’瓜切割線19係藉由例如於基板i i之第i面丄丄日均勻地形 成光電轉換體12後，利用雷射光線等，於光電轉換體12以 特定間隔形成溝槽而形成。 此外於構成此類光電轉換體12之第二電極層（上邹電 極）15上，宜進一牛入 一 乂形成包含絕緣性的樹脂等之保護層（未 圖示）。 說明用以製造如以 係階段性地表示本發 上構成之太陽電池之製造方法。圖3 明之太陽電池之第丨實施型態之製造 139428.doc 201005976 方法之流程圖。其中’特別詳述關於從構造缺陷的檢測到 修復之步驟。 首先’如圖1所示’於透明之基板u之第1面Ua上形成 光電轉換體12(光電轉換體之形成步驟：pl)。作為光電轉 換體12之構造，若為例如從基板u之第丨面Ua依序疊層有 第-電極層（下部電極）13、+導體層14及第二電極層（上部 電極）15之構造即可。 於此類光電轉換體12之形成步驟中，如圖4(a)所示，會 有發生雜質等混入於(污染)半導體層14而產生之構造缺陷 A1或於半導體層14產生微細針孔之構造缺陷A2等故障 n兄。此類構造缺陷A1、A2係使第—電極層13與第二 電極層15之間局部地短路（漏電）而使發電效率降低。 接著向光電轉換體12照射例如雷射光線等，形成切割 線（SCnbe llne)19 ’分割成長條狀的許多劃分元件21、21... (劃为元件之形成步驟：P2)。

’特定出存在上述A1至 、21··.，其後特定出該 之區域（缺陷區域特定步驟： 於以上步驟所形成之太陽電池10 A3所代表之構㈣陷之劃分元件2ι 劃分元件内具有構造缺陷之區 139428.doc 201005976 P3)。於該缺陷區域特定步驟中，作為特定出存在構造缺 刀兀件21、21··· ’或於該劃分元件内具有構造缺陷 之具體方法，可舉出例如使用測定裝置（缺陷區域 .疋°P)之電阻值之測定、藉由CCD相機（缺陷區域特定 邛、圖像攝像部）所進行之攝像等。 例如藉由輕值之敎特定㈣在構造㈣之區域之情 夺首先如圓5所不，沿著長條狀的劃分元件η之長度 方向L ’设定數個測定點，於相互鄰接之劃分元件21、 =…彼此L電阻值’從該測定值之分布特定出存在 構造缺陷之劃分元件21s(缺陷劃分元件）。 於圖6表示在例如包含12〇個劃分元件之太陽電池中，測 定相互鄰接之劃分元件彼此之電阻值之一例。若依據該圖 所不之測疋結果，當比較第35個劃分元件與第^個割分 疋件之電阻值時’第35個劃分元件之電阻值顯然降低。亦 P’預測於第35個劃分元件存在短路原因之構造缺陷。同 ❹ 樣地，預測於第1G9個劃分元件亦存在構造缺陷。 於此類缺陷區域4* Φ jK 5¾ , 山士 ㈣疋步驟中，藉由電阻值之敎而待定 出存在構造缺陷之劃分开 】刀70件的情況時，可舉出數種方法作 :'疋法。若為例如使用沿著劃分元件21之長度方向 L以特定間隔排列有許多探針之測定裝置（缺陷區域特定 °以1人的探針上下移動完成劃分元件彼此之電阻值之 :二或使探針沿著劃分元件η之長度方向L掃播，於特 疋測疋點重硬探針之上下移動而载之方法等即可。 此類缺陷區域特定步驟中之電阻值之測定亦可利用下述 139428.doc 201005976 任-方法：施加特定值之偏壓電壓的方法；以兼作電流值 測定之1組2支探針所進行之2探針式的方法；或由使用於 施加特定值之偏壓電流之探針、及用於電壓值之測定之探 針互異而進行包含2組4支探針之4探針式的方法。從該等 電壓值及電流值算出電阻值。 接著，於發現存在構造缺陷之劃分元件之太陽電池進 一步詳細地特定出存在構造缺陷之區域。另一方面，未找 到存在構造缺陷之劃分元件之太陽電池係直接作為良品， 經過保護層之形成步驟p7等而製品化。 於發現存在構造缺陷之劃分元件之太陽電池，進一步特 疋出畫>1刀元件内存在構造缺陷之區域。例如限於被視為存 在構造缺陷之劃分元件，沿著其長度方向L測定與鄰接之 劃分元件2 1之間的電阻值。 例如圖7(a)所示，於被視為存在構造缺陷R之劃分元件 21 s之長度方向L之全區，於每特定之測定間隔τ 1 (測定密 度），在鄰接之劃分元件21之間進行電阻值之測定。藉由 該電阻值之測定，於劃分元件2丨s之長度方向L特定出構造 缺陷R之大概位置。測定間隔T1若為例如2〇 mm程度即 *flj~ 〇 作為一例’於圖8表示長度方向l之長度為MOO mm之長 條狀之劃分元件（存在1處缺陷），測定與鄰接之劃分元件之 間之電阻值之一例。若依據該圖8所示之測定結果，從劃 分元件之一端部之距離逼近25〇 mm附近時，電阻值降 低。存在引起短路之構造缺陷之情況下，如此越接近缺陷 139428.doc •12· 201005976 之存在位置，越會觀察到電阻值漸減的趨勢。因此，於劃 分7L件21 s之長度方向L，以特定間隔測定電阻值，若觀察 該電阻值之彎化，可於劃分元件21s内得知構造缺陷r之大 概位置。 如以上，於劃分元件21S之長度方向乙特定出構造缺陷尺 之大概位置後，宜進一步縮限存在構造缺陷尺之區域。亦 即，如上述於劃分元件21s之長度方向乙特定出構造缺陷尺 之大概位置後，宜於該位置前後100 mm程度之間，以較 前述測定間隔T1進一步更細密之測定間隔T2，測定與鄰接 之』刀元件之間之電阻值（參考圖7(b))。測定間隔係設 定為例如2 mm程度，以較上述特定出大概的缺陷位置之 步驟更細密1〇倍程度之精度，縮限存在構造缺陷R之區域 Z(參考圖7(c))。 此外於本貫施型態雖使阻抗值之測定間隔呈2階段地 變化以特疋出具有缺陷之區域Z，但進一步呈3階段以上 參地改變測定間隔，更細密地縮限劃分元件内存在構造缺陷 R之區域Z亦可。 方面於上述缺陷區域特定步驟（P4)中，亦可採用 如圖13(a)所示之探針單元U，其沿著劃分元件21s之長度 方向L ’以間隔T2形成有許多探針。首先，最初於每待定 之寬廣測定間隔11，間歇地僅於探針幻施加偏壓電流（電 壓）’特定出構造缺陷尺之大概位置。 接著，如圖13(b)所示，於被視為存在構造缺陷r之區 間，亦即給予偏壓電流（電壓）之探針間，在電阻值最低之 139428.doc •13· 201005976 區間之探針X2，施加偏壓電流（電壓）。此時，由於以較最 初之寬廣測定間隔T1更狹窄的探針之形成間隔T2進行測 疋，因此更正確地特定出劃分元件内之構造缺陷R之位 置。 如此，使用沿著劃分元件21s之長度方向L，以間隔丁2緊 岔地排列有探針之探針單元U，適宜地變更施加偏壓電流 (電壓）之探針，藉此不使探針往長度方向L移動僅選擇 供給偏壓電流之探針，即可迅速地檢測構造缺陷汉之位 置。

而且，作為其他檢測方法亦可採用於測定中，變更進 測疋之端子之間隔的方法。例如使用圖及（b)所示 裝置之情況下’最初較大地設定端子間隔而敎電阻值 於檢測到低於臨限值之電阻值的情況下，或電阻值較一 :例更降低之情況下，縮窄端子間隔，於每個端子進行 疋。於每個端子之測定中，電阻值高於臨限值之情況下 或回到正常值之情況下，回到原本的間隔進行測定。

進-步作為其他檢測方法，亦可採用決定複數臨限值 於每個臨限值變更端子之測定間隔之方法。例如 電阻值之臨限值A、B、C(A>B>C)。電阻值為臨限值八以 之情況時’空awo端子間隔而進行敎，當成為臨限值 時端子空出5料*進行測定，#成為臨限值B以下時 工出2端子而進行測定，t成為臨限值C以 進行測定。於雷阳佶鉼士夕味 ；谷端 值時L 下，相反地每當超過臨 則疋間隔而進行測定。有缺陷的情況時，由 139428.doc -14- 201005976 電阻值逐漸變化（參考圖8)，因此藉由如此就每個臨限值變 更測定間隔’可迅速且正確地檢測缺陷位置。 而且’於該等檢出方法中，說明使用關於如圖丨3排有許 多端子’讓使用於測定之端子的間隔變化之裝置之情況。 於一面移動端子一面測定之情況下，以就每個臨限值變更 測定間隔或移動速度之方法亦可實現。 當於劃分元件21s之長度方向L已特定出具有構造缺陷R 之區域Z時’接著修復太陽電池之構造缺陷R(修復步驟： ® P4)。於修復步驟中，僅於存在經過上述缺陷區域特定步 驟而特疋出之構造缺陷r之區域Z附近，限定地施加偏壓電 流，僅使存在構造缺陷R之區域Z之半導體層或電極蒸發而 除掉（參考圖9(a)及圖4(b))。於該修復步驟中，僅去除包含 構造缺陷R之最小限度之範圍E1至E3。亦即，從圖4(a)所 不之構造缺陷A1至A3之各者係如圖4(b)之符號E丨至E3而 去除。 φ 於此類修復步驟中，作為用以施加缺陷修復用之偏壓電 的方法，利用對前步驟中在缺陷區域特定步驟用於測定 電阻值之探針，供給缺陷修復用之偏壓電流之方法藉此 可更加有效率地以短時間從缺陷位置之特定出進行到缺陷 修復。亦即，該情況下，作為上述缺陷區域特定部之測定 装置係作為修復部使用。 圖10係表示於4探針式之電阻測定裝置（修復部），附加 有缺陷修復狀偏壓電流電路（修復部）之電路之概念圖。 於該電阻測定、修復裝置（修復部），電阻測定時，:以實 139428.doc 201005976 線所示之電路，從一方之一組探針B 1 (第1組）供給電阻測 定用之偏壓電流W1，測定電流值A，並且使用另一方之一 組探針B2(第2組），測定電壓值V，算出電阻值。 如此，藉由施加偏壓電流，進行存在構造缺陷R之區域 Z的修復後，測定該區域Z之電阻值，進行是否為特定電阻 值以上之確認（修復確認步驟：P5)。於該修復確認步驟 中，於存在（曾存在）構造缺陷R之區域Z的電阻值為特定值 以下之情況，據判為未完全去除圖4(a)所示之各種構造缺 陷A1至A3，尚未消除漏電（短路）狀態。此外，於此類修復 確認步驟中之電阻值之測定時，利用缺陷區域特定步驟中 之電阻值之測定所用之探針即可。 於該修復確認步驟中，在存在（曾存在）構造缺陷R之區 域Z之電阻值為特定值以上之情況時，判斷太陽電池為修 復完成品，經過保護層之形成步驟P7等而製品化。另一方 面，於區域Z之電阻值為特定值以下之情況時，進一步照 射雷射光線，完全去除（修復）未充分修復之處（追加修復步 驟：P6)。 於該追加修復步驟（P6)中，於第1次修復步驟（P4)中未完 全去除構造缺陷之區域，照射雷射光線Q(參考圖9(b))。藉 此，完全去除第1次修復步驟（P4)中未完全去除之構造缺 陷Z。雷射光線Q係從雷射光源裝置（修復部）射出。 如上述，經過缺陷區域特定步驟（P3)、修復步驟（P4)、 修復確認步驟（P5)及追加修復步驟（P6)，經完全去除存在 於劃分元件之構造缺陷之太陽電池係送至保護層之形成步 139428.doc •16· 201005976 驟（P7)，並進行後步驟之處理。 於修復確認步驟發現修復不充分之處時，作為追加修復 步驟而施加階段性地提高電壓值之偏壓電壓亦可。圖11係 階段性地表示本發明之太陽電池之第2實施型態的製造方 法之流程圖。其中，特別敘述關於修復確認步驟以後之步 驟。 此實施型態係於修復確認步驟（P5)，在存在構造缺陷尺 之區域Z之第1次修復後的電阻值為特定值以下之情況時， ® 進一步施加偏壓電壓，完全去除（修復）未充分修復之處。 首先，將偏壓電壓值設定為較第1次之修復步驟（p4)之 设疋更南之值（圖11之P1 〇)。然後，藉由該高於第i次修復 步驟（P4)之偏壓電壓值V1，於存在構造缺陷R之區域z施加 偏壓電壓（參考圖12(a))。 接著，再度於修復確認步驟（p5)中，測定存在構造缺陷 R之區域Z之第2次修復後的電阻值是否為特定值以下。此 ^ 時，於電阻值仍舊為特定值以上之情況時，推測進一步殘 留有構造缺陷R，因此以更高於先前之追加修復步驟（p6) 之偏壓電壓值V2’於存在構造缺陷r之區域z施加偏壓電 壓（參考圖12(b))。 如此’藉由進行存在構造缺陷r之區域Z的電阻值測 定’同時施加階段性地提高電壓值之偏壓電壓之追加修復 步驟’能以構造缺陷之修復所必要之最小限度的偏壓電壓 值’確實地去除構造缺陷，且可將由於修復所造成之光電 轉換特性的劣化抑制在最小限度。 139428.doc -17- 201005976 如以上所詳述，本發明係對於一種製造太陽電池之方法 及裝置有用，該製造太陽電池之方法及裝置係抑制對於光 電轉換體之損傷，正確地特定出構造缺陷之發生處，確實 地去除及修復特定出的構造缺陷。 【圖式簡單說明】 圖1係表示非晶石夕型太陽電池之要部之一例之放大立體 圖， 圖2 (a)、（b)係表示非晶石夕型太陽電池之一例之剖面圖； 圖3係表示本發明之太陽電池之製造方法之第1實施型態 馨 之流程圖； 圖4(a)、（b)係表示構造缺陷之存在例及缺陷修復後之狀 況之剖面圖； 圖5係表示缺陷區域特定步驟之狀況之說明圖； 圖ό係表示缺陷區域特定步驟中之電阻值之測定例之 圖； 圖7(a)〜（c)係表示缺陷區域特定步驟之狀況之說明圖； 圖8係表不缺陷區域特定步驟中之電阻值之測定例之❹ 圖； 圖9(a)、（b)係表示修復確認步驟及追加修復步驟之一例 之說明圖； 置的電阻測定部 圖1 〇係表示本發明之太陽電池之製造裝 之一例之電路之概念圖； 法之第2實施蜜 圖11係表示本發明之太陽電池之製造方 態之流程圖； 139428.doc •18· 201005976 圖12(a)、（b)係表示修復確認步驟及追加修復步驟之一 例之說明圖；及 圖13(a)、（b)係表示本發明之太陽電池之製造裝置的電 阻測定部之一例之外部概略圖。 【主要元件符號說明】 10 太陽電池 11 基板 12 光電轉換體 13 第一電極 14 半導體層 15 第二電極 19 切割線 21 劃分元件 25 雷射裝置 139428.doc .ι9_

Claims (1)

1. 201005976 七、申請專利範圍： 1. 一種太陽電池之製造方法，其特徵在於： 形成光電轉換體，該光電轉換體包含複數個劃分元 件，且相互鄰接之前述劃分元件彼此電性連接； 特定出前述光電轉換體中具有構造缺陷之劃分元件； ‘ 於前述劃分元件，特定出存在構造缺陷之區域； •藉由於存在前述構造缺陷之一部分區域限定地施加偏 壓電壓而去除前述構造缺陷。 ❹2.如晴求項1之太陽電池之製造方法，其中於前述劃分元 件特定出存在構造缺陷之區域時，根據於相互鄰接之割 分元件彼此之間測定複數處之電阻值所獲得之電阻值之 分布’而特定出存在前述構造缺陷的區域。 3·如請求項1之太陽電池之製造方法，其中於前述劃分元 件特定出存在構造缺陷之區域時，藉由圖像攝像部桕攝 前述劃分元件，根據所獲得之圖像而特定出存在前述構 造缺陷之區域。 • 4.如請求項1至3中任一項之太陽電池之製造方法，其，於 去除前述構造缺陷時，在施加前述偏壓電壓後，測定存 在前料祕陷之區域之電阻值，而確認料構造缺陷 之修復狀況。 5.如請求項4之太陽電池之製造方法，其中於確認前述構 造缺陷之修復狀況時，在已確認前述構造缺陷之修復為 不充分之情況下，藉由向存在前述構造缺陷之區域追加 地照射雷射光線而去除前述構造缺陷。 139428.doc 201005976 6. 如請求項4之太陽電池之製造方法，其中於確認前述構 造缺陷之修復狀況時’在已確認前述構造缺陷之修復為 不充分之情況下，藉由於存在前述構造缺陷之區域進一 步施加階段性地提高電壓值之偏壓電壓而去除前述構造 缺陷。 7. —種太陽電池之製造裝置，其特徵在於·· 該太陽電池具有包含複數個劃分元件之光電轉換體. 且該製造裝置包含： 缺陷區域特定部，其係於前述劃分元件特定出存在構 造缺陷之區域；及 修復部’其係於存在前述構造缺陷之—部分區域卩『— 地施加偏壓電壓而去除前述構造缺陷。 139428.doc