TW201002634A - Method for producing quartz glass crucible - Google Patents

Description

201002634 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關用於矽單結晶拉提之石英玻璃坩 於具有內部氣泡少的均勻玻璃層之石英玻璃坩堝的 法。 【先前技術】 矽單結晶主要是由C Z法來製造。此方法，係 下，將種晶浸於石英玻璃坩堝中的矽融液，加以徐 而製造單結晶之方法，一般使用著將矽融液予以積 純度的石英玻璃坩堝。 使用於單結晶矽的拉提之石英玻璃坩堝係主要 熔融法來製造。此方法，係在碳製的旋轉模具的內 將石英粉堆積至特定厚度而形成石英粉成形體，由 模具的內側上方之電極來進行電弧放電而將石英粉 融而進行玻璃化，來製造石英玻璃坩堝的方法（旋 法）。 已知：在上述製造方法，爲了除去玻璃層內部 ，所以從模具側進行抽吸而一邊將石英粉成形體加 進行洩氣、一邊熔融石英粉之方法（專利文獻1 :日 平06-191986號公報、專利文獻2:日本特開平1〇_ 號公報）。在此熔融工程，對於將石英粉成形體進 洩氣（稱此爲：抽真空），係使石英粉成形體的內表 薄又均勻地熔融，以在表面形成薄的玻璃層，來密 堝，關 製造方 在高溫 徐拉提 蓄之高 由電弧 表面， 設置在 加熱熔 轉模具 的氣泡 以減壓 本特開 025184 行減壓 面爲即 封內面 -4- 201002634 ，而有必要提高石英粉成形體內的真空度。 在熔融石英粉成形體以製造玻璃坩堝之上述製造方法 ，在模具中心開始進行電弧熔融之即存的製造方法中，係 因爲財渦內面全體爲被同時加熱，所以可將石英粉均勻地 熔融’但石英粉成形體上部的環緣端，係因爲比起成形體 的彎曲部或底部而言’保溫性較低，所以環緣端的熔融速 度慢’因爲在環緣端表面上，薄的玻璃層係未不被充分地 形成’所以石英粉成形體的真空度無法提高、且不能得到 玻璃層的內部氣泡少之坩堝。一方面，若爲了補充環緣端 的熔融不足’而增加電弧熔融的發熱量以熔融上述環緣端 ，則彎曲部或底部係被過度地加熱而熔融，石英粉成形體 的形狀變得容易崩壞，存在如此的問題。 本發明係解決在先前的製造方法之上述問題之物，提 供一種具有內部氣泡少的均勻玻璃層之石英玻璃坩渦的製 造方法。 【發明內容】 本發明係解決在先前的製造方法的上述問題，具有內 部氣泡少的均勻玻璃層之石英玻璃坩堝的製造方法。 具體而言，具有以下的實施形態。 (1)一邊將已塡充於模具內面的石英粉成形體加以抽真 空、一邊加以電弧熔融之坩堝的製造方法’係以：從石英 粉成形體的環緣端開始進行石英粉的熔融，之後使電弧電 極下降或是使模具上昇，由前述環緣端開始’將下側部分 -5- 201002634 加以加熱熔融’作11其特徵β石# 上述石英玻璃財渦’係由爲圓 體部的下側之彎曲的區域、和比已 ，具有水平的面之底部來構成。 (2 )如上述（1 )所記載的石英玻 石英粉成形體的環緣端開始進行石 從石英粉成形體的壁部開始進行至 來加熱，將坩堝的內面加以密封。 所謂坩堝壁部，係指：成爲圓 面，另外，所謂坩堝彎曲部，係指 部、與曲率半徑大的底部之間，相 曲區域。 (3) 記載於上述（1)或上述（2)之 法’係從電弧溶融開始算起，在電 時間內，將坩堝內表面（從環緣端 底部）加以密封。 V：. 所謂電弧熔融開始，係稱：由 成形體的內面側開始熔化之時點、 :從開始電弧熔融至停止電弧放電 (4) 如（1)〜（3)中之任—項所記 方法，係進行熔融直至坩堝內表面 (密；厚度）爲3mm以下。 如藉由本發明的製造方法，則 內面的石英粉成形體進行抽真空、 玻璃坩堝的製造方法。 筒狀之直體部、和在直 彎曲的區域處於更下側 璃坩堝的製造方法，從 英粉的熔融，之後，以 彎曲部以及底部之順序 筒狀的直體部之垂直的 :在成爲圓筒狀的直體 對而言曲率半徑小的彎 石英玻璃坩堝的製造方 弧總時間的10 %以內的 至側壁部、彎曲部、及 進行電弧放電而石英粉 所謂電弧總時間，係稱 之時間。 的石英玻璃坩堝之製造 被密封之石英玻璃層厚 在一邊將已塡充於模具 一邊進行電弧熔融之;t甘 -6- 201002634 堝的製造方法，因爲從石英粉成形體的環緣端開始進行石 英粉的溶融，所以上述環緣端係被充分地加熱，在環緣端 可將內面密封確實地進行成形，另外，在環緣端熔融之後 ，使電弧電極下降、或使模具上昇，因爲從坩堝側壁部開 始將彎曲部及底部加以加熱熔融，所以不會過度加熱這些 部分，而在石英粉成形體的內面全體，將薄玻璃層的內面 密封予以均勻地形成。 因而，可提高在抽真空時之石英粉成形體的內部的真 空度，可製造出內部氣泡少的石英玻璃坩堝。 所謂「密封」，係稱：在將塡充於模具內面的石英粉 成形體，以-5 OkPa左右進行抽真空的情況下，於由坩堝表 面開始，在厚度1mm〜3mm的範圍內，可實現1.0%以下的 氣泡率，由熔融石英玻璃來將坩堝的內表面加以密封。在 先前的石英玻璃坩堝製造法，係在將塡充於模具內面的石 英粉成形體’以-3 OkPa左右進行了抽真空的情況下，在厚 度2mm〜6mm的範圍之氣泡率係僅成爲2.0 %左右。 在本發明的製造方法，係從電弧熔融開始算起，在電 弧總時間的1 〇 %以內的時間內，將整個增渦內表面進行溶 rai而'封爲理想’另外將i甘渦內表面予以加熱熔融而形成 的密封厚度（熔融層的厚度）爲3mm以下爲理想。 在此情況，將包含環緣端而至側壁部及彎曲部、底部 之坩堝全體加以均勻地適度加熱熔融，在坩堝內面全體， 薄玻璃層的密封係可均勻地成形。 201002634 【實施方式】 以下’按照實施形態而具體地說明本發明。 本發明的製造方法，係一邊將已塡充於模具內面的石 英粉成形體加以抽真空、一邊加以電弧熔融之坩堝的製造 方法，係以：從石英粉成形體的環緣端開始進行石英粉的 熔融，在環緣端的石英粉係已熔融之後，使電弧電極下降 或是使模具上昇’由環緣端開始將下側部分加以熔融，作 爲其特徵之石英玻璃坩堝的製造方法。 第1圖表示’將已塡充於旋轉模具的石英粉成形體予 以加熱熔融之石英玻璃坩堝製造裝置的槪要。 如圖示般地，在進行旋轉的有底圓筒狀的模具1 〇的 內面之大略全部’石英粉被塡充至特定的厚度。模具10 係例如由碳等而形成爲理想。 在該模具1 0的內部’係多數地設置著：被連接於無 圖示的真空幫浦之抽真空用的通氣孔12，該通氣孔12係 開口於模具內面。設置著使上述模具1〇或電極13上下左 右地移動之手段（省略圖示）’電極1 3係從模具1 〇的中心 線L·開始’在一定的範圍內，可配置於任意的位置。電極 13係僅圖示1支，但即使爲2支或3支以上亦佳，如可從 該下端部開始使電弧放電產生即可。電極1 3係以碳等形 成爲理想。 在本實施形態的:t甘渦製造方法，係使無圖示的真空幫 浦作動’一邊透過通氣孔12而將模具1〇內的石英粉成形 體1 1進行抽真空、同時從電極1 3的下端部，使電弧放電 -8- 201002634 產生，將處於已堆積了石英粉的狀態之石英粉成形體11 進行加熱而熔融。 此時’在加熱開始時係將電極13，沿著模具1 〇的中 心線L ’先設定在比環緣端1 5更上方的位置，從環緣端 1 5開始進行石英粉的熔融。 將環緣端1 5在特定時間加熱而進行熔融之後，使模 具10上昇、或使電極13下降、或是使雙方同時接近，將 比石英粉成形體1 1的環緣端1 5更下側的部分，依序進行 加熱熔融。下側部分的加熱，係接在環緣端1 5之後，使 之以側壁部1 6、彎曲部1 7、底部1 8之順序熔融爲理想。 如此進行’經過石英粉成形體1 1的整個內面，形成石英 粉已熔融之密封層。電極1 3和模具1 0的相對移動方法， 係使其緩慢地以一定速度接近亦佳，而且經過3段以上的 階段，使之斷續地移動亦佳。 另外’所謂坩堝的側壁部1 6係石英粉成形體1 1的縱 壁的部分，所謂彎曲部1 7係連接於側壁部1 6而至底部1 8 的部分’所謂底部1 8係連接於彎曲部1 7的略水平擴展的 部分。另外’環緣端1 5係側壁部1 6的上端面。 若在石 英粉成形體1 1的整個內面，使氣密的密封層形成，則因 爲會妨礙從石英粉成形體1 1的內周側向外周側的通氣， 所以由通氣孔1 2開始之排氣而石英粉成形體1 1的內部被 驟然減壓。於是密封層被吸向模具1 0的內面，石英粉被 挾持於密封層與模具1 〇的內面而被壓迫，相鄰的石英粉 相互間係進行結合。藉由繼續此狀態而加熱石英粉成形體 -9- 201002634 1 1，石英粉相互間係強固地結合而形成坩堝。 由以上的工程，可製造一種2層構造的石英玻璃坩堝 ，內側係成爲幾乎沒有氣泡的透明層、外側係成爲多數地 含有氣孔的外面氣泡層。 在本實施形態的製造方法，加熱時間的分配，係在從 電弧熔融開始算起至電弧總時間的1 0 %以內的時間內，從 石英粉成形體11的環緣端15開始，以側壁部16、彎曲部 1 7、及底部1 8的順序來進行加熱熔融而密封內表面全體 者爲理想。在此情況，於電弧總時間所剩下之90%的期間 ，係可經過石英粉成形體1 1的全域而有效地進行抽真空 ，已熔融的密封層係將石英粉向模具1 0的內面壓迫，使 石英粉互相地結合，而可形成氣孔率小的石英玻璃坩堝。 另外，電弧溫度及電弧總時間係由坩堝的大小來設定 。具體而言，例如：關於外徑3 0英吋的石英坩堝係大致 上來說，坩渦的熔融溫度爲1 6 0 0〜2 5 0 0 °C，電弧總時間爲 60分。此情況’係從環緣端1 5開始電弧熔融，從電弧熔 融開始6分以內’以石英粉成形體1 1的側壁部1 6、彎曲 部1 7、底部1 8的順序，將石英粉加熱熔融而將石英粉成 形體1 1的整個內表面進行密封，係爲理想。 在上述製造方法，進行熔融直到石英粉成形體11的 內表面被密封之石英玻璃層厚（以下，稱爲密封厚度）爲 3mm以下者爲理想。在坩堝內表面的全面被密封之前，被 熔融的石英玻璃層係含有多數的氣泡。對於除去此氣泡， 係在後工程將石英玻璃加熱至高溫’使在密封區域內的氣 -10- 201002634 泡中的氣體進行洩氣，消滅至變小氣泡之處理係成爲必要 ，有效地進行此處理的範圍係從表面至深度3mm左右的 範圍，所以將密封厚度增加至3mm以上係不是良策。較 理想的密封厚度爲1.0〜2.0mm、更理想爲〇.〇 5~. 5 mm。 從電弧熔融開始算起，電弧熔融總時間的1 0%以內， 較理想爲0.001~5.0%的時間內，從石英粉成形體的環緣端 開始，將側壁部、彎曲部及底部予以加熱熔融而將坩堝內 表面全體加以密封之後，接著一邊抽真空、一邊透過剩下 的電弧熔融時間而進行電弧熔融，將石英粉成形體加熱熔 融而進行玻璃化。另外，抽真空係與電弧熔融一起進行亦 佳，而在電弧熔融開始後的任意時間，例如在坩堝內表面 的密封之後開始進行亦佳。 第2圖係表示坩堝製造裝置的更具體的實施形態。 此裝置係由：有底圓筒狀的模具1 〇、和使模具1 0於 該軸線周圍旋轉之驅動機構4、和用以加熱模具1 〇的內側 之電弧放電裝置2 0，來作爲主構成。模具丨〇係例如由碳 來形成，於其內部係形成：開口於模具內面之多數的通氣 孔1 2。於通氣孔1 2係連接於無圖示的減壓機構，模具1 0 係成爲一被旋轉’則可同時地從該內面開始，再通過通氣 孔12而進行吸氣。於模具10的內面，係由將石英粉末予 以堆積而可形成石英粉成形體11。此石英粉成形體11係 由來自模具1 0的旋轉所造成之離心力而保持於內壁面。 藉由一邊將已被保持之石英粉成形體11在電弧放電裝置 20進行加熱、一邊通過通氣孔12而進行減壓，而石英粉 -11 - 201002634 成形體Π係進行熔化而形成石英玻璃層。在冷卻後，將 石英玻璃坩堝由模具1 〇取出、進行整形，來製造石英玻 璃坩堝。 電弧放電裝置2 0係具備：由高純度的碳所形成之成 爲棒狀的複數碳電極2、和一邊保持這些碳電極2、同時 使其移動的電極驅動機構1、和用以將電流通電於各碳電 極2的電源裝置（省略圖示）。碳電極2係在此例爲3支， 但於碳電極2之間如可進行電弧放電爲佳，2支或4支以 上亦佳。碳電極2的形狀亦不限定。碳電極2係以越到前 端越互相接近的方式來配置。電源爲交流或直流亦佳，但 在此實施形態，係三相交流電流的各相被連接於3支碳電 極2。 在使用此裝置而將石英玻璃坩堝加以製造的情況，係 可進行與第1圖的裝置進行同樣的處理即可。也就是，在 加熱開始時係將電極1 3沿著模具1 0的中心線L ’先設定 在比環緣端1 5更上方的位置’從環緣端1 5開始進行石英 粉的熔融。 在特定時間加熱環緣端15而熔融之後，使模具1〇與 碳電極2接近’將比石英粉成形體11的環緣端15而言， 更位於下側的部分依序加熱熔融。也就是’係在繼環緣端 1 5之後，使之以側壁部1 6、彎曲部1 7、底部1 8之順序熔 融。 在其他的工程及條件，係與使用了第1圖的裝置的情 況相同爲佳。 -12- 201002634 在本發明可製造的石英玻璃坩堝的口徑’係不特 定，但2 3英吋以上、5 0英吋以下爲理想，較理想爲 吋以上、44英吋以下。 在本發明係亦可製造一種石英玻璃坩堝’坩堝的 面層爲由合成玻璃合成石英玻璃而形成，至少坩堝的 的外表面層係已將天然石英進行玻璃化。在此情況’ 模具10的內面，將天然石英粉及合成石英粉層積至 之後，進行前述的熔融處理即可。 另外，所謂天然石英，將存在於自然界的石英原 過控出、破碎、精製等的工程而得之原料，天然石英 由α-石央的結晶所構成。在天然石英粉係含有ippm 的Al、Ti。另外關於其他的金屬不純物亦處於比合成 粉還高的等級。天然石英粉幾乎不含有矽醇。熔融天 英粉而得之玻璃的矽醇量係< 1 〇〇ppm。 合成石英，係在化學上合成製造的原料，合成石 璃粉係非結晶。合成石英的原料爲氣體或液體，所以 易地進行精製，合成石英粉係可設計爲比天然石英粉 純度。作爲合成石英玻璃原料係有由四氯化碳等的氣 原料而來和由矽烷氧化物般的液體原料而來。在合 英粉玻璃’係可將全部的不純物設計成0 ·丨p P m以下。 在本發明的製造方法，密封厚度係無關於坩堝的 ’而爲3 m m以下爲理想。 在本發明的製造方法’係在開始石英粉成形體的 端的熔融之時點，電極的下端’係高於石英粉成形體 別限 26英 內表 壁部 係於 2層 石經 粉係 以上 石英 然石 英玻 可容 更高 體之 成石 口徑 環緣 的環 -13- 201002634 緣端（上端），就沿著模具的軸線方向的距離而言是位於所 欲製造的石英玻璃坩堝的口徑的0〜2 0〜1 5 0 %之位置爲理想 ，此高度差係較理想爲30〜100%、更理想爲40〜70%。 而且，在石英粉成形體的整個內面將密封層形成結束 之時點，電極的下端，係低於石英粉成形體的環緣端（上 端）’就沿著模具的軸線方向的距離而言是位於所欲製造 的石英玻璃坩堝的口徑的-30〜40%之位置爲理想，此高度 差係較理想爲-20〜30%、更理想爲-10〜20%。 環緣端的開始熔融時點之上述3種的高度差、和密封 層形成結束時點的上述3種高度差，係以任意地組合亦佳 〇 另外，由環緣端的開始熔融時點開始算起至密封層形 成結束時點之，沿著電極與模具的軸線方向之相對移動量 ，係所欲製造的石英玻璃坩堝的口徑之0〜1 〇〇%爲理想、 較理想爲0~50%、更理想爲0~30%。 在滿足了如此的範圍之情況，係無過剩地將石英粉成 形體的內部予以加熱之情事，在石英粉成形體的整個內面 ，作爲薄玻璃層之密封層係容易均勻地形成。因而，可將 石英粉成形體的真空度更予以提高，可製造出內部氣泡更 少的石英玻璃坩堝。 石英粉成形體底部的密封厚度係較理想爲〇.〇5mm以 上、3mm以下，較理想爲1.0〜2.0mm。 從環緣端的開始熔融時點算起至密封層形成結束時點 之時間，係從環緣端的開始熔融算起至電弧放電結束的電 -14 - 201002634 弧總時間之〇 . 〇 1 %以上1 Ο %以下者爲理想、較理想爲 〇.〇1〜5.0%。若爲如此範圍內，則可一邊充分地使之有效 抽真空、—邊使石英粉成形體的石英粉互相地強固結合， 變得容易製造氣孔率更低的石英玻璃坩堝。 在本發明的製造方法係具有：在製造了石英玻璃坩堝 之後，用以使石英玻璃層的氣泡之氣體進行洩氣，消滅氣 泡又使其變小之加熱工程亦佳。具體而言，係將電弧熔融 工程後的石英玻璃坩堝，在爐內以1 600〜2 5 0(TC、較理想 爲1 80 0〜2200 °C、以0.2〜2.0小時、較理想爲0.6〜1.0小時 ，進行加熱亦佳。 以上，說明了本發明之理想的實施形態，但本發明係 不限定於這些實施形態。在不逸脫本發明的旨趣的範圍， 可進行構成的附加、省略、置換以及其他的變更。本發明 係不因前述說明而被限定，僅由所添附的申請專利範圍而 被限定。 實施例 以下，將本發明的實施例與比較例一起表示。 一邊由旋轉模具法而抽真空、同時將石英粉成形體加 以加熱熔融’製造外徑3 0英吋的石英玻璃坩堝的情況， 於電弧總時間5 0分，以表示於表1的條件下進行加熱熔 融。 測定已製造的石英玻璃坩堝的內部氣泡。 此氣泡含有率的測定’係例如將由光源供給的光照射 -15- 201002634 於被檢查體之石英玻璃坩禍，將此由光學照相機等的畫像 擷取光學系統而進行攝影、觀察，根據此畫像資訊，利用 施以二値化、包括四角形計算、輪廓抽出等的畫像處理， 將存在於內表面附近的氣泡加以檢測的方法爲佳（參照曰 本特開平U -228283號）。 將此結果與加熱條件一起表示於表1。 如表1所示地，由本發明的方法而製造之實施例1〜實 施例3的增渦係任一個內部氣泡都大幅地變少。 一方面，未在本發明的製造條件之比較例1〜7的坩堝 係坩堝的彎曲部及底部的內部氣泡任一個都明顯爲多、或 是在彎曲部的內部氣泡明顯爲多。 -16- 201002634 表1 熔融的順序 密封熔融 時間 密封厚度 側壁部氣 泡含有率 彎曲部氣 泡含有率 底部氣泡 含有率 實施例1 環緣端+壁部今彎曲部·底部 8 2 0.02 0.03 0.04 實施例2 環緣端+壁部·>彎曲部·底部 6 0.01 0.03 0.03 實施例3 環緣端+壁部今彎曲部·底部 10 3 0.03 0.03 0.02 比較例1 環緣端今壁部今彎曲部·底部 14 1.10 1.20 1.10 比較例2 環緣端+壁部今彎曲部底部 8 7 1.00 1.50 0.05 比較例3 環緣端+彎曲部底部今壁部 8 2 0.50 1.40 1.20 比較例4 壁部+彎曲部·底部4環緣端 93 2 1.80 2.20 0.50 比較例5 壁部+環緣端◊彎曲部·底部 37 2 1.10 1.30 0.10 比較例6 彎曲部·底部->壁部+環緣端 93 2 1.80 2.10 0.80 比較例7 彎曲部·底部今環緣端+壁部 69 2 1.60 1.60 0.70 (注)密封熔融時間係對於從電弧開始算起至電弧結束的電弧總時間之密封熔融時間的比例(％)、密封 厚度係熔融直至將坩堝內表面密封之石英玻璃層厚(mm)、氣泡含有率的單位爲(％) 【圖式簡單說明】 第1圖爲藉由旋轉模具法來製造石英玻璃坩堝的槪念 圖。 第2圖爲表示在本發明可使用之石英玻璃坩堝製造裝 置的其他例之縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 2 :電極、4 :驅動機構、1 0 :模具、1 1 :石英粉成形 體、1 2 :通氣孔、1 3 :電極、1 5 :環緣端、1 6 :側壁部、 1 7 :彎曲部、1 8 :底部、L :模具中心線、2 0 :電弧放電 裝置 -17-

Claims (1)

1. 201002634 十、申請專利範圍 1 · 一種石英玻璃坩堝之製造方法，係一邊 模具內面的石英粉成形體加以抽真空、一邊以 電而溶融石英粉成形體的石英玻璃坩堝之製造 徵爲：從前述石英粉成形體的環緣端開始石英 之後下降前述電弧電極或是上昇模具，將比前 形體的前述環緣端更下側的部分加以加熱熔融 2 .如申請專利範圍第1項所記載的石英玻 造方法，其中，從前述石英粉成形體的前述環 英粉的熔融，之後，以石英粉成形體的壁部、 及底部之順序來加熱，密封石英粉成形體的整 3 ·如申請專利範圍第1項所記載的石英玻 造方法，其中，在從電弧熔融開始起算的電 1 〇%以內的時間內，密封石英粉成形體的整個ρ 4 ·如申請專利範圍第3項所記載的石英玻 造方法，其中，將熔融直至石英粉成形體的整 封之石英玻璃層的厚度，設爲3mm以下。 5 .如申請專利範圍第1項所記載的石英玻 造方法，其中，在開始前述石英粉成形體的前 熔融之時點上，前述電極的下端’係作爲高於 成形體的前述環緣端，就沿著模具的軸線方向 是位於所欲製造的石英玻璃坩堝的口徑之20〜 :在前述石英粉成形體的整個內面，已結束形 時點上，前述電極的下端’係低於石英粉成形 將已塡充於 來自電弧放 方法，其特 粉的熔融， 述石英粉成 〇 璃坩堝的製 緣端開始石 彎曲部、以 個內面。 璃坩堝的製 弧總時間的 勺面。 璃坩堝的製 個內面被密 璃坩堝的製 述環緣端的 前述石英粉 的距離而言 1 5 0 %之位置 成密封層的 體的環緣端 -18- 201002634 ’就 '沿著模具的軸線方向的距離而言是位於所欲製造的石 英玻璃坩堝的口徑的-3 0〜40%之位置。 6 ·如申請專利範圍第1項所記載的石英玻璃坩堝的製 «3方'法’其中’從前述環緣端的熔融開始時點，至密封層 开夕成結束時點之沿著前述電極與前述模具的軸線方向之相 Μ @動量’係爲所欲製造的石英玻璃坩堝的口徑之 〇〜！〇0%〇 7 .如申請專利範圍第1項所記載的石英玻璃坩堝的製 造方法’其中’從前述環緣端的熔融開始時點，至密封層 Μ成結束時點之石英粉成形體的熔融厚度，係爲0.05mm 以上3 mm以下。 8 .如申請專利範圍第1項所記載的石英玻璃坩堝的製 造方法’其中’從前述環緣端的熔融開始時點，至密封層 形成結束時點之時間，係爲從環緣端的熔融開始時點至電 弧放電結束的電弧總時間之〇 . 01 %以上1 〇 %以下。 9.如申請專利範圍第1項所記載的石英玻璃坩堝的製 造方法，其中’在製造了前述石英玻璃坩堝之後，更具有 用以使石英玻璃層的氣泡中的氣體進行洩氣之加熱工程。 1 0 .如申請專利範圍第9項所記載的石英玻璃坩堝的 製造方法，其中，前述加熱工程，係將電弧熔融工程後的 石英玻璃坩堝，在爐內以1 600〜25 00°C、〇·2〜2_0小時進行 加熱。 19-