TW201001064A - Photodefinable resin composition, photodefinable resin film for spacer and semiconductor device - Google Patents

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201001064 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 光性樹脂間隙物用

本發明係關於感光性樹脂組成物、感 膜及半導體裝置。 【先前技術】 近年，要求可將感光性薄膜接黏至半導體晶圓等，並且細 ㈣光、顯像形成圖案後’可與玻璃等之透明基板壓黏_ 光性薄膜，，倾相讀1)。制此轉紐薄膜時， 圖案化後之感練薄膜變成具有於半導體晶圓與透明基板 之間作為間隙物的作用。 對於此間隙物用之樹脂組成物，係要求可經由光刻法進行 圖案化，且可保持作為間隙物之形狀。 2 ’將半導體晶圓與透明基板對準壓黏時，必須透過感光 性相辨識半導體晶圓或透明基板的對準標記，故對於感光 性薄膜係要求透明性。 〜 專利文獻1 :日本專利特開2006_323089號公報 【發明内容】 本發明之目的為在於提供作為感光性樹脂間隙物的保持 形狀機此優良，又，曝光.顯像後之感光性樹脂組成物殘渣 更且，黏性亦優的感光性樹脂組成物以及使用其之感光 性樹脂間隙物用薄膜。 又，本發明之目的為在於提供半導體元件、與基板為透過 098108733 201001064 以上述感光性樹脂組成物之硬化物所構成之感光性樹脂間 隙物予以接合之高信賴性的半導體裝置。 此類目的為根據下述[1]〜[21]中記載之本發明所達成。 [1] 一種感光性樹脂組成物，係使用作為用於在基板、與 半導體元件之間形成空隙部之樹脂間隙物者，其特徵為含 有： (A) 驗可溶性樹脂、 (B) 光聚合性樹脂、 (C) 充填材、和 (D) 感光劑， 上述充填材之平均粒徑為5nm〜25nm，上述充填材之含量為 上述感光性樹脂組成物全體之1重量％〜15重量％。 [2] 如[1]中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述充填材 為含有二氧化矽。 [3] 如[1]中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述感光性 樹脂組成物為進一步含有與上述鹼可溶性樹脂不同的（E)熱 硬化性樹脂。 [4] 如[3]中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述充填材 為含有二氧化矽。 [5] 如[1]中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述鹼可溶 性樹脂為具有驗可溶性基及雙鍵的樹脂。 [6] 如[3]中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述驗可溶 098108733 5 201001064 性樹脂為具有鹼可溶性基及雙鍵的樹脂。 ⑺如nm己載之感光性樹脂组成物，其中，上述㈧驗可 溶性樹脂之含量為上述感光性樹脂組成物全體之50重量 ^重量％，上述⑻光聚合性樹脂之含量為上述感光性樹 组成物全體之5重量%〜45重量％，及上物感光劍之含 里為上述感光性樹脂組成物全體之Gl重量m重量％。 m如m中記載之感光性樹脂組成物，其中，上述⑷驗可 溶性樹脂之含量為上述感光性樹脂組成物全體之50重量 地)繼㈣敝倒上述感光性樹 ::上述:：Γ5重量%〜45重量%，及上述⑼感光劑之含 里為錢姐樹脂組成物全體之Gi重量％〜ig重量。乂。 [9] 中記f之感光性樹脂組成物，其中，上述⑻熱硬 ㈣㈣之3 m為上述感光性樹脂組成物全 %〜30重量％。 、）里里 ⑽—種感光性樹__薄膜，其特徵為以⑴中記載 之感光性樹脂組成物所構成。 種感光性樹脂間隙物用薄膜，其特徵為以[3]中記載 之感光性樹脂組成物所構成。 [12]如[1〇]中5己载之感光性樹脂間隙物用薄膜，发中，於 光線波長她m下之穿透率為佩以上、於光線波長55〇腿 下之穿透率為斷X上、於光線波長頂細下之 73%以上。 098108733 201001064 [13]如Πη中記載之感光性樹脂間隙物用薄膜，其中，於 光線波長_nmT之穿透率為4G%以上、於光線波長通爪 下穿透率為65%以上、於光線波長75〇nm下之穿透率為 [14]如[1〇]中記載之感光性樹脂間隙物用薄祺，其中，上 述樹脂間隙物用薄膜於40°C中之黏著力為4〇gf以下。 []如[11 ]中s己載之感光性樹脂間隙物用薄膜，其中，上 述樹脂間隙物用薄膜於40°c中之黏著力為40gf以下。 [16] 如[1〇]中§己載之感光性樹脂間隙物用薄膜，其中，上 述樹脂間隙物用薄膜於260。〇中之彈性係數為20Mpa以上。 [17] 如[11]中§己載之感光性樹脂間隙物用薄膜，其中，上 述樹.脂間隙物用薄膜於260〇c中之彈性係數為20Mpa以上。 [18] 如[10]中記载之感光性樹脂間隙物用薄膜，其中， 述感光性樹脂間隙物用薄膜之厚度為20/zm〜150# m。

[19] 如[11]中記载之感光性樹脂間隙物用薄祺，其中， 述感光性樹脂間隙物用薄膜之厚度為2 0从m〜15 〇以m。上 [^、種半導體裝置’其特徵為，基板、與切體元件係

二：中記载之感光性樹脂組成物之硬化物所構成的樹 月曰間隙物，予以接合。 J 體元件係 構成的樹 [21]—種半導體裝置，其特徵為，基板、與半導 、、二由乂[3]中5己载之感光性樹脂組成物之硬化物所 脂間愧物予以接合。 098108733 7 201001064 若根據本發明，則可提供作為感光性樹脂間隙物的保持形 狀機能優良，又，曝光·顯像後之感光性樹脂組成物殘渣少， 更且，黏性亦優良之感光性樹脂組成物及使用其之樹脂間隙 物用薄膜。 又，若根據本發明，則可提供半導體元件、與基板為經由 上述感光性樹脂組成物之硬化物所構成的感光性樹脂間隙 物予以接合之高信賴性的半導體裝置。 【實施方式】 以下，詳細說明關於本發明之感光性樹脂組成物、感光性 樹脂間隙物用薄膜及半導體裝置。 本發明之感光性樹脂組成物為使用作為於基板、與半導體 元件之間形成空隙部用之樹脂間隙物的感光性樹脂組成 物，其特徵為含有（A)鹼可溶性樹脂、（B)光聚合性樹脂、（C) 充填材、和（D)感光劑，上述（C)充填材之平均粒徑為 5nm〜25nm，上述充填材之含量為上述感光性樹脂組成物全 體之1〜15重量％(以下，「〜」只要無特別指明，則表示包含 上限值和下限值）。 又，本發明之半導體裝置之特徵為基板、與半導體元件係 經由以上述感光性樹脂組成物之硬化物所構成的感光性樹 脂間隙物，予以接合。 1.感光性樹脂組成物及感光性樹脂間隙物用薄膜 首先，說明關於感光性樹脂組成物及感光性樹脂間隙物用 098108733 8 201001064 薄膜。 本發明之感光性樹脂組成物為使用作為於圖1所示之半 導體裝置100之基板1、與半導體元件2之間形成空隙部3 用之感光性樹脂間隙物4。 此感光性樹脂組成物係以含有（A)驗可溶性樹脂、（B)光聚 合性樹脂、（C)充填材、和（D)感光劑，上述充填材之平均粒 徑為5nm〜25ηιη，上述充填材之含量為上述感光性樹脂組成 物全體之1〜15重量％為其特徵。如此，感光性樹脂間隙物之 保持形狀機能優良，又，曝光·顯像後之感光性樹脂組成物 殘渣少，且黏性亦優良。 上述感光性樹脂組成物為含有（A )驗可溶性樹脂。如此， 可進行驗性顯像。作為上述（A)驗可溶性樹脂，可列舉例如， 甲酚型、酚型、雙酚A型、雙酚F型、兒茶酚型、間苯二酚 型、焦掊酚型等之苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、羥 基苯乙烯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂等之丙 烯酸系樹脂、含有羥基、羧基等之環狀烯烴系樹脂、聚醯胺 系樹脂（具體而言，具有聚苯并崎唑構造及聚醯亞胺構造之 至少一者，且於主鏈或側鏈具有經基、羧基、醚基或酯基之 _ 樹脂、具有聚苯并哼唑前驅物構造之樹脂，具有聚醯亞胺前 -驅物構造之樹脂、具有聚醯胺酸酯構造之樹脂等）等。 又，作為上述(A)驗可溶性樹脂，更佳可列舉具有驗可溶 性基及雙鍵的樹脂。經由應用具有鹼可溶性基及雙鍵之樹 098108733 9 201001064 脂，則可令感光性樹脂間隙物之保持形狀機能優良、以及顯 像時之顯像性兩相成立。 此處，（A)鹼可溶性樹脂之含量並無特別限定，以上述感 光性樹脂組成物全體之50〜95重量％為佳，特別以55〜9〇重 量％為佳。尤其是於感光性樹脂組成物之樹脂成分（充填材 除外之全部成分）中’亦可為10〜90重量％、較佳為1518〇 重量％。（A)驗可溶性樹脂之含量若未達上述下限值，則有 時令提高光硬化性樹脂及熱硬化性樹脂之相溶性的效果降 低’有時令半導體元件與基板經由熱壓黏接黏時之感光性^ 脂間隙物的保持形狀性降低。又，若超過上述上限值，則有 時令顯像性或以光刻技術所進行之接黏層圖案化的解像性 降低。令(A)驗可溶性樹脂之含量或感光性樹脂組成物中之 液狀成分量作成上述之範圍，以光刻*將樹脂圖#化後，可 具有能熱壓黏的機能。 經由令上述(A)鹼可溶性樹脂中存在鹼可溶性基，則可在 顯像時以對於環境㈣少祕性水溶液^顯像。又，經由 令上述(敬可溶性樹財存在魏，财在㈣時將(A) 驗可溶性樹脂交聯，故感光性樹脂間隙物之保持形狀性優 良。更且’曝光時未反應的雙鍵為經由顯像、基板與半導體 元件貼合後的熱履歷，進-步交聯，故可提高感光性樹脂間 隙物的财熱性。 可列舉例如，羥基、 作為上述鹼可溶性基’並無特別限定， 098108733 10 201001064 魏基等。此驗可溶性基亦有助於熱硬化反應。 又’作為雙鍵’並無特別限定，可列舉例如，（曱基）丙烯 酿基、乙烯基、稀丙基等。 更且’具有驗可溶性基及雙鍵的樹脂，亦可具有環氧基、 胺基、氛酸s旨基等之熱反應基。具體而言，作為上述鹼可溶 性基及雙鍵的樹脂，可列舉（曱基）丙烯醯基改質酚樹脂、含 有（曱基）丙烯酸基之丙烯酸聚合物、含有羧基之環氧（曱基) 丙烯酸酯等。 其中’以作為感光性樹脂間隙物之保持形狀機能更優良、 且曝光顯像後之感光性樹脂組成物殘渣更少的（曱基）丙烯 醯改質酚樹脂為佳。 -有驗可溶性基及雙鍵的樹脂，並無特別限定，例如，於 /、有經基、叛基之樹脂導入具有雙鍵之化合物則可取得。 八體而5，經由具有羥基及/或魏基之樹脂的一部分羥基 (及/或羧基與具有環氧基及（甲基）丙烯基之化合物的反應，具 有羧基之料脂的一部分叛基、與具有經基及（甲基）丙稀基之 化合物的反應，則可取得。更具體而言，藉由酚樹脂與（甲 土）丙烯黾環氧丙基酯之反應，含羧基樹脂與（甲基）丙烯酸羥 基烷基酯之反應，則可取得。 又，具有鹼可溶性基及雙鍵的樹脂，並無特別限定，例如， 於具有雙鍵之樹脂導入具有羥基、羧基的化合物亦可取得。 此處，於具有羥基、羧基之樹脂導入具有雙鍵之化合物 098108733 11 201001064 時’經基、羧基之改質率並1料 貝千JL,、、、将別限定，以羥基及/或羧基 全體之20〜80%為佳，且以3〇 /ϋ/°為特佳。藉由令上述改 質率設成上述範圍，尤豆可今竹盔 , _ U 7作為感光性樹脂間隙物之保持 脂組成物殘渣兩相 形狀機能和抑制曝光.顯像後之感光性樹 成立。 另外，於具有雙鍵之樹料人具有絲、絲之化合物 時’較料反躲全體之2G，°/。，純30〜70%。藉由令 述改貝里。又上述範圍，尤其可令作為樹脂間隙物之形狀保 持機能與抑制料.顯像後之感光性樹脂组成物録兩相成 立0 上述具有驗可溶性基及雙鍵讀脂的重量平均分子量並 '、、、特別限疋’以30,000以下為佳，特別以5,000〜15,000為 ^土。右重里平均分子量為上述範圍Θ ’則感光性樹脂間隙物 用薄膜的製膜性特別優良。 此處，重置平均分子量例如可使用G.P.C·評價，預先，根 據使用笨乙烯標準物質所作成的檢量線算出重量平均分子 里另外，使用四氫呋喃（tHF)作為測定溶劑，並於4〇°C之 溫度條件下測定。 上述感光性樹職成物為含有⑻*聚合性樹脂 °如此， 可與上述(A)鹼可溶性樹脂 一同提高圖案化性、及半導體元 件與基板經由熱壓黏接黏時之樹脂間隙物的保持形狀機能。 作為上述(B)光聚合性樹脂可列舉例如，於一分子中具有 098108733 12 201001064 至少一個以上不飽和聚醋、丙婦醯基或曱基丙烯驢基的（甲 基）丙稀酸系單體和低聚物等之丙烯酸系化合物。苯乙稀等 之乙~基系化合物等’該等可單獨使用，亦可混合使用2 種以上。 其中亦以丙烯酸系化合物作為主成分的（B)光聚合性樹脂 為佳。其係因丙烯酸系化合物照射光時的硬化速度快，如 此’以較少量的曝光量即可對感光性樹脂組成物進行圖案 化。 作為上述丙烯酸系化合物並無限定，可列舉例如，聚乙二 醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸醋、聚丁二 醇二（甲基）丙烯酸酯等之1，6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘 油二（甲基）丙烯酸酯、1,10-癸二醇二（甲基）丙烯酸酯等之二 官能聚烧二醇的（曱基）丙烯酸加成物、三經曱基丙烧三（曱基) 丙烯駿g旨、季戊四醇三（甲基）丙烯酸醋、二季戊二醇六（曱基） 丙烯酸酯等之多官能（甲基）丙烯酸酯等。 其中，亦以聚烷二醇之（甲基）丙烯酸加成物為佳，其中亦 以光反應性優良、感光性樹脂組成物之感度提高的聚乙二醇 二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、1，6_己二醇 二（甲基）丙烯酸酯為特佳。 又’上述(B)光聚合性樹脂並無特別限定’以常溫下為液 狀為佳。如此’可提高光照射(例如紫外線）的硬化反應性。 又，與其他配合成分（例如，鹼可溶性樹脂）的混合作業容 098108733 13 201001064 易:作：常溫下為液狀之光聚合性樹脂， 酸糸化合物作為主成分的光聚合性樹脂等。过丙婦 上述(B)光聚合性樹脂的重量平约八$ θ # & 以5,_以下杯，㈣、+自分子Β無特別限定， 曰* ' 土特別以150〜3,〇〇〇為佳。若重量平均八 子篁為上述簕圚向 a丨#, 干勻刀 感性樹脂間隙物用薄膜的感度特 " 物用薄_解像性亦優良。 此處’重夏平均分子量例如可使用G.P.C.評價，預先，根 據使用苯乙烯桿準物晳預先根 旦m 成的檢量線算出重量平均分子 董。另外，使用四氫呋喃（THF>^ * 溫度條件下測定。 ）作為測定溶劑，並於4(TC之 、处上逑⑻光聚合性樹脂之含量，並無特別限定，以 里為佳。特別’感光性樹脂組成物之樹脂成分（充 填材除外之全部成分）中，α 1Q重量％以上、較佳為 量％以上為佳。 更 上述⑻光聚合性樹脂之含量若超過上述上限值，則有時 損匕害=組成物㈣熱性。又，上述(贼聚合性樹 月曰之3 !右未達上述下限值’則有時損害可撓性，又，擔心 產生無法充分進行光照射形成感光性樹脂組成物之圖案化 的情形。因此，令上述(B)光聚合性樹脂的含量為上述範圍， 則可使兩者的平衡優良，例如不會損害耐熱性、可撓性之平 衡’特別可提供應用於感光性樹脂間隙物用薄膜時對於保護 098108733 14 201001064 薄膜等的剝離性良好的感光性樹脂組成物。 上述感光性樹脂組成物為含有粒狀之(c)充填材’且上述 (C)充填材之平均粒徑為5〜25nm，且，上述(C)充填材之含 量為1〜15重量％為其特徵。如此，作為感光性樹脂間隙物 之保持形狀機能優良，感光性樹脂間隙物高度的偏差小，感 光性樹脂組成物之流動性良好，且曝光.顯像後之感光性樹 脂組成物殘渣少，又，半導體元件和基板之對準辨識性優 (/ 良’更且，感光性樹脂間隙物用薄膜的黏性亦良好。 此處’（C)充填材之平均粒徑為使用雷射繞射式粒度分佈 測定裝置（SALD-7000) ’令(c)充填材分散於水中’進行測 疋。測疋時，貫施1分鐘超音波處理後，開始測定。 上述(C)充填材之平均粒徑若小於5nm，雖以少含量下可 確保感光性樹脂間隙物的保持形狀機能，但(c)充填材於感 光性樹脂組成物中凝集，於形成感光性樹脂間隙物時，於感 (X...光性樹脂間隙物產生高度偏差’有令基板與半導體元件無法 接合之情形。又，平均粒徑若A^25nm，則在表現感光性 樹脂間隙物之保持形狀性上，產生必須令(〇充填材的添加 量大於15重量％，故基板與半導體元件接合時之感光性樹 脂組成物的流動性降低並且有引起接合不良之情形，又，顯 : 像後之感光性樹脂組成物殘渣有較多殘留之情形，更且有令 半導體元件及基板之對準辨識性降低之情形。 上述(C)充填材之平均粒徑的下限為5nm以上、較佳為 098108733 15 201001064 7nm以上、更佳為9ηηι以上。又’上述（C)充填材之平均粒 徑的上限為25nm以下、較佳為23nm以下、更佳為2〇nm 以下。又，上述（C)充填材之含量下限為1重量％以上、較 佳為2重量％以上、更佳為3重量％以上。又，上述(c)充填 材之含量的上限為15重量％以下、較佳為14重量％以下、 更佳為12重量％以下。 作成上述範圍下，則可令樹脂間隙物之保持形狀性、樹脂 間隙物咼度偏差之減低、樹脂組成物之流動性、顯像後之樹 脂組成物殘渣的減低、以及平衡佳地確保半導體元件和基板 之對準辨4性。特別是作成上述範圍下，可實現顯像性、和 保持形狀性之兩相成立。 作為此類(C)域材，可麟例如，物脂 聚醯胺、聚碼、甲贫rβ 7 9 Α 烯、减脂等之有機充填材、後述之 無枝充填材。其中亦以益 性、尺寸安定性、耐w又真=。如此姻 脂間隙物用_時對^^ ’可“使用作為感光性樹 ^ 、、才耵π保礎潯膜的剝離性。 乍為上述無機充填材，可列 煅燒滑石H α ’滑石、锻燒滑石、未 π玻:璃4之矽酸趟、 二氧化矽（熔融球狀二負 皿虱化鈦、氧化鋁、熔融 氧化石夕等之二氧切粉末等之^"破碎二氧切）、結晶二 滑石荨之碳酸_、 物兔酸舞、碳酸鎂、水 化物、硫酸二氧化鎮、氣氧蝴之氯氧 098108733 鈣等之硫酸鹽或亞硫酸鹽、 16 201001064 硼酸鋅、偏硼酸鋇、 氮化铭、氮化蝴、& .⑽、、鈉等之魏鹽、 單獨或混合使用。夕等之氮化物等。此些無機充填材可 二氧化砂#古* " u熔融二氧化矽、結晶二氧化矽等之 y ’、、、佳，特別以球狀熔融二氧化矽為佳。 本肩含有⑼感光劑為特徵，經 劑，則可賦予藉光取人 ^ 進行圖案化的機自Γ。5將感光性樹脂間隙物用薄膜效率佳地 ㈣峨綱齡成物和感 δ . 潯臈照射光線，令上述(Β)光聚合性樹脂 硬化者則無特別限定。 J月曰 —作為此類(D)感光劑，可列舉例如，：苯基_、乙酸笨、 苯偶扪|偶姻異丁峻、苯偶姻苯甲酸甲醋、苯偶姻苯甲酸、 苯偶姻甲基硫笨基、二节基、二乙醯等。 上述⑼感光劑之含量並無特別限定，以上述感光性樹脂 組成物全體之0.1〜10重量%為佳，特別以0.5〜8重量%為 佳。（D)感光劑之含量若未達上述下限值，則有令開始光聚 σ的效果IV低之情形’若超過上述上限值，則反應性過度變 高’於使料有令感紐飽旨組錄的保雜和上述之圖案 化後的解像性降低之情形。因此，令(D)感光劑為上述之範 圍’則可提供兩者平衡優良的感光性樹脂組成物。 上述感光性樹脂組成物並無特別限定，除了上述之(A)鹼 可溶性樹脂、⑻光聚合性樹脂、（c)充填材及(D)感光劑以 098108733 17 201001064 外’以含有（E)熱硬化性樹脂為佳。 上述(E)熱硬化性樹脂（與上述鹼可溶性樹沪，士 同的熱硬化性樹脂），係例如可賦予提高^二 用薄膜之耐熱性的機能。 日’隱物 作為上述(E)熱硬化性樹脂，可列舉例 ^ 樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆桝==醛清漆 清漆型盼樹脂、祕樹脂苯酉分樹脂等之紛樹^等之酉分醛 氧樹脂、雙酚F環氧樹脂等之雙酚型環氣樹俨又酌A環 氧樹脂、曱酚酚醛清漆環氧樹脂等之酚 -醛π漆環 聯苯型環氧樹脂、㈣環氧樹脂、三㈣氧樹脂、 基改質三盼甲烧型環氧樹脂、含有三畊核之環脂、燒 戊二烯改質祕型環氧樹脂等之環氧樹脂、:=脂、二環 胺樹脂等之具有三讲環的樹脂、不飽和聚黯樹月旨、曰錐二聚氣 亞胺樹脂、聚胺基曱酸酯樹脂'笨二曱酸9又馬來醯 =脂i具有笨_之樹脂、氰二聚 早獨七昆合使用亦可。其中以環氧樹脂為特佳4 ’其可 加提高耐熱性及密黏性。 土 此，可更 又，作為上述環氧樹脂’以使用石夕氧改 其中’亦以併用室溫下呈固形的環氧樹脂（特广旨為佳， 乳樹脂）、和室溫下呈液狀的環氧樹脂 為雙驗型環 石夕氧改質環氧樹脂)為佳。如此，可繼續維持 可撓性和解紐兩者優良的感光性難組錢。‘、、、性’作成 098108733 201001064 上述(E)熱硬化性樹脂之含量，並無特別限定，以上述感 光性樹脂組成物全體之5〜3G重量％為佳，特別以1〇〜25重 量％為佳。含量若未達上述下限值，則有令提高_性的效 果降低之情形’若超過上述上限值，财令提減光性樹脂 組成物韌性的效果降低之情形。 上述感光性樹脂組成物，並無特別限定 ，但為了改善各特 性之目的’進一步含有紫外線吸收劑、句塗劑等之添加劑亦 可。 將此類感光性樹脂組成物，於適當之有機溶劑（例如队甲 口：略烧嗣、菌麵、甲基乙基酮、甲苯、醋酸 中此曰，例如於支持薄膜等上 、） 脂間隙物用薄膜。 T主布乾細取得感光性樹 ^述支㈣膜，若為_強度、可撓料 基材，則無特別關 以鱗支持 了歹〗舉例如，聚對苯二甲酸 (ΡΕΤ)、聚丙烯(ΡΡ)、聚 次乙二酉旨 裂強度之平衡優良、 Ζ、，以可撓性和斷 為佳。良的㈣㈣、聚對苯乙,Ετ) =感光性樹脂間隙物用薄膜之厚 :隙物的厚度大約相同，無特別限定，但以=^ 仏，特別以30〜80 " τη & 15〇“卬為 則可在具有受先部之半導:：:厚度作成上述範圍内: 受-與基板_。二 098108733 屬埃等 19 201001064 附著於基板上時的影響。 又，此類感光性樹脂間隙物用薄膜係以滿足下述要件為 佳。即，以下述條件⑴、（2)測定時之上述感光性樹脂間隙 物用薄膜於光線波長400nm下的穿透率為4〇%以上、光線 波長550mn下的穿透率為65%以上、於光線波長75〇11爪下 的穿透率為73%以上為佳，特別以光線波長4〇〇nm下的穿 透率為50%以上、光線波長55〇nm下的穿透率為以上、 光線波長750nm下的穿透率為85%以上為佳。 (1) 感光性樹脂間隙物用薄膜的厚度： (2) 測疋波長.2〇〇〜looonm 此處，上述穿透率可例如以uv可見分光器驅(型 號)（島津製）進行評價。 此處，上述穿透率為以光線波長彻nm、55〇謹、75〇腿 評價為佳，穿料若為均範_，發縣本發明之感光性 樹脂組成物所構成的感光性樹脂間隙物用接黏薄膜貼附至 +導體70件和基板，並在各式各樣的可見光線（波長： )下、&由感光n樹脂間隙物用接黏薄膜辨識半導 體元件和基板之解時的_性優良。 更且’㈣w性樹脂間隙物用薄膜，係以滿足下列要件 二P下述條件⑴〜(5)測定時之上述感光性樹脂間隙 物用薄膜於4(TC中黏著力 乂 4〇gf以下為佳，特別以35gf 以下為佳。上述40。〇中之赴—丄 士考力若為上述上限值以下，則 098108733 20 201001064 於搬送感光性樹脂間隙物用薄膜時不會污染裝置，更且，於 感光性樹脂間隙物用薄膜層合覆蓋薄膜時，可取得覆蓋薄膜 剝離性優良的效果。上述40°C中之黏著力的下限並無特別 限定，以10gf以上為佳，特別以15gf以上為佳。於40°C中 之黏著力下限若為上述範圍以下，則與覆蓋薄膜的密黏性有 降低且作業性有降低之情形。 (1) 感光性樹脂間隙物用薄膜之厚度：25 A m (2) 壓印速度：30mm/min (3) 壓印時間：lsec (3) 拉伸速度：600mm/min (4) 荷重：80gf

(5) 探針、平台溫度：40°C 本發明中，上述40°C中之黏著力若為上述範圍内，則發 現為了將本發明之感光性樹脂組成物所構成的感光性樹脂 間隙物用薄膜貼附至半導體元件和基板而搬送感光性樹脂 間隙物用薄膜時，不會貼至裝置而污染裝置，更且，對感光 性樹脂間隙物用薄膜層合覆蓋薄膜時，覆蓋薄膜剝離性優 良。 又，令測定黏著力之環境溫度為40°C之理由，係因易於 確認樣品間的差異。 更且，此類感光性樹脂間隙物用薄膜係以滿足下列要件為 佳。即，以下述條件（1)〜(3)測定時之上述感光性樹脂間隙物 098108733 21 201001064 用薄膜於26(TC中的彈性係數以2〇MPa以上為佳，特，、 30Mpa以上為佳。上述細。c中的彈性係數若為上迷下^ 以上，則為了將半導體it件、基板、及上述感光性樹月旨間隙 物用接著薄膜所構成之感光性樹脂間隙物所構成的^體 裝置，對母板等之基板加以焊接而進行焊料迴流處理時，可 取得上述感光性樹脂間隙物之保持形狀性優良的效果。上述 260°C中之彈性係數的上限，並無特別限定，以1〇〇〇Mpa以 下為佳，特別以500MPa以下為佳。於26(TC中之彈性係數 上限若為上述範圍以上，則無法緩和半導體元件與基板接合 時的應力’有令半導體裝置之信賴性降低之情形。 (1) 感光性樹脂間隙物用薄膜之厚度：100 (2) 以700(mj/cm2)照射紫外線後之樹脂間隙物用薄膜

(3) 測定值：260°C 此處彈性係數係例如以動態黏彈性測定裝置Rheo Stress RS150(HAAKE公司製）進行評價。具體而言，於250mmx 200mm大小之聚酯薄膜上形成膜厚50之樹脂層（以上述 之感光性樹脂組成物所構成的樹脂層）後，準備3牧切成 30mmx30mm大小之樣品。對上述各樣品’使用水銀燈進行 光照射’令樹脂層光硬化。曝光量為以波長365nm之光設 為700mJ/cm2。其次，由聚酯薄膜剝離樹脂層，重疊3牧並 安裝至上述動態黏彈性測定裝置。此處，令安裝樣品之圓錐 板間的間隙為100 // m(將上述之樹脂層重疊3牧，將板間押 098108733 22 201001064 [作成100/im)。測定條件為以頻率出z、升溫速度贼, 分鐘，溫度範圍為室溫〜3〇(rc。 y述26〇c中之彈性係數為焊料迴流處理溫度下的 彈性紐，隨著最近的無料料化，焊料迴流溫度變成· ;疋1現令260 C下之彈性係數為上述範圍内，則感 光性樹脂間隙物的保持形狀性優良。 又’令感光性樹脂間隙物用薄臈之厚度設為⑽㈣之理 由在於依本來所用之樹脂間隙物厚度相同厚度進行評價雖 車乂佳1_於树月曰間隙物之厚度較薄時，彈性係數測定結果的 偏差大，故統一為l〇〇#m評價彈性係數。 另外，以貫際之樹脂間隙物（感光性樹脂間隙物用薄膜)厚 度所得之彈性係數、與上述作成丨叫m厚度之感光性樹脂 間隙物用薄膜之彈性係數，實質上為相同。 又’以700(mJ/cm2)照射紫外線之理由，係因令感光性樹 脂間隙物用薄膜充分光硬化。另外，於感光性樹脂間隙物用 樣品之厚度改變之情形，係適當調整曝光量。 2·半導體裝置 其次’根據較佳之實施形態說明半導體裝置。 將上述之感光性樹脂間隙物用薄膜4’，接合至搭載具有 受光部21之半導體元件2的插入片5的一側（於圖2a中的 上側面）。 其次’為了於搭載半導體元件2之部分形成空隙，於成為 098108733 23 201001064 樹脂間隙物4之部分以外設置光罩6，照射紫夕 如此，被紫外、線7照射之部分(成 、(圖 行光硬化。 ”月日間隙物4的部分)進 其次，進行顯像處理，除去未照射紫外線7之 形成樹脂間隙物4(空隙部3)(圖2c)。 2d)其次’於空隙部3搭載具有受光心1的半導體元件2(圖 其次，將半導體元件2的機能面，與插入片5之端子，以 黏合金屬線22予以連接（圖2d)。 其次，於樹脂間隙物4之上端部（圖2d中之上側），將基 板黏，取得^所示之半導體裂置⑽。此處，減 黏通常多以80〜180〇C之溫度範圍内進行。 本發明之半導體裝置100,因使用如上述之感光性樹脂間 隙物用薄臈4,，故製造半導體裝置！⑻時之圖案化性及顯 像性（感光性樹脂組成物殘渣被抑制）均優良，且將基板1熱 壓黏時之保持形狀性亦優良。即’可達到令顯像性、和保持 形狀性兩相成立。 、、 又，半導體裝置100為以上述之樹脂間隙物4形成空隙部 3，故樹脂間隙物4的厚度精細度優良。又，樹脂間隙物4 之保持形狀性優良，故半導體裝置100的信賴性優良。 又，作為其他之半導體裝置的實施形態，亦可取得圖3 所示般之半導體裝置·。圖3所示之半導體裝置刚中， 098108733 24 201001064 係於半導體元件2上之受光部21的外周部，配置與上述同 樣的樹脂間隙物4。於樹脂間隙物4的上部（圖3中之上側）， 基板1被熱壓黏。如此，並非覆蓋半導體元件2全體，而以 覆蓋受光部21般配置基板1。於半導體元件2上的端部（比 " 樹脂間隙物4更外侧之部位），配置黏合金屬線22，與插入 ’片5進行電性連接。若根據此類圖3所示之半導體裝置 100，則可將半導體裝置更加小型化。更且，將受光部21 ί, 以基板1覆蓋作成中空構造，則可減低後續步驟之清淨度的 程度。更且，若為圖3所示之半導體裝置100，則可減薄樹 脂間隙物4的厚度，如此亦可提高信賴性。 (實施例） 以下，根據實施例及比較例詳細說明本發明，但本發明不 被其所限定。 (實施例1) 1.鹼可溶性樹脂（具有鹼可溶性基及雙鍵之樹脂（曱基丙烯基 改質雙酚A苯酚酚醛清漆樹脂：MPN)的合成） 將雙酚A酚醛清漆樹脂(Phenolite LF-4871、大日本油墨 化學工業（股）製）之固形份60%MEK溶液500克，投入2公 ‘升燒瓶中，並於其中添加作為觸媒之三丁胺1.5克、及作為 •聚合抑制劑之氫醌0.15克，並於100°C中加溫。於其中，將 曱基丙烯酸縮水甘油酯180.9g依30分鐘滴下，以100°C攪 拌反應5小時，取得非揮發成分74%之曱基丙烯基改質雙酚 098108733 25 201001064 A酚醛清漆樹脂（曱基丙烯基改質率50%)。 2. 樹脂清漆之調製 秤量作為鹼可溶性樹脂之上述合成的曱基丙烯基改質雙 酚A苯酚酚醛清漆樹脂(MPN)65重量％、和作為光聚合性樹 脂之室溫下呈液狀之丙烯酸系樹脂單體的聚丙二醇二丙稀 酸酯（東亞合成公司製、Aronix M-225)15重量％、和作為熱 硬化性樹脂之雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂（大日本油墨化學 工業公司製、Epiclone N-865)3重量％、聚矽氧環氧樹腊（東 麗 Dowconing Silicone 公司製、BY 16-115)5 重量％、苯酉分 盼搭清漆樹脂(住友Becklite公司製、pr_53647)4重量〇/〇、 作為充填材之二氧化石夕(Tokuyama公司製、CP-102、平均粒 徑：20nm、最大粒徑：50nm)6重量％，再添加曱基乙基酮 (MEK、大伸化學公司製），調整成樹脂成分濃度為71%。其 次，攪拌直到雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂(N_865)溶解為止。 其-人，使用珠粒磨态（珠粒直棱400 # m、處理速度6g/s、 5次通過）’令二氧化矽分散。 更且，添加硬化劑（感光劑）(CibaSpecialtyChemicals公司 製、IRGACURE651)2重量％，並以授拌翼(45〇rpm)，授掉i 小時取得樹脂清漆。 3. 感光性樹脂間隙物用薄膜之製造 將上述之樹脂清漆，於聚1旨相(厚度25鋒)上塗佈，以 80°C乾燥15分鐘，取得感光性樹脂間隙物物用薄膜。 098108733 26 201001064 4.感光性樹脂間隙物用薄膜之穿透率 此感光性樹脂間隙物用薄臈於波長4〇〇nm、55〇nm、75〇nm 中的牙透率分別為67.3%、87.5%、91.1%、另外，穿透率為 以UV可見分光器UV摘A、$津製進行評價。另外，感光 性樹脂間隙物用薄膜之厚度為25㈣、測定波長為以 200〜lOOOnm測定，求出於波長4〇〇nm、55〇nm、75〇nm下 的穿透率。 5·感光性樹脂間隙物用薄膜於4〇它中之黏著力 此感光性樹脂間隙物用薄膜於4〇中之黏著力為 30.5gf。另外，於4〇。(：中之黏著力為以黏著力測定裝置之黏 著試驗機TAC-Π、LESUCA(股）製進行評價。另外，感光性 樹脂間隙物用薄膜之厚度為25 # m、壓印速度為 30mm/min、壓印時間lsec、拉伸速度6〇〇mm/min、荷重 80gf、探針、平台溫度4〇。〇下測定，求出於4〇。〇中的黏著 力。 6.感光性樹脂間隙物用薄膜於26〇。〇中之彈性係數 此樹脂間隙物用薄膜曝光後（曝光量700mJ/cm2)之26(TC 中的彈性係數為22.5MPa。另外’彈性係數為將照射 700mJ/cm2波長365nm光線之樹脂間隙物用薄膜重疊3枚， 並以動態黏彈性測定裝置Rhe〇 Stress rs150(Haake公司 製、測定頻率：1Hz、間隙間隔：l〇〇#m、測定溫度範圍： 室溫〜300°c、升溫速度HTC/分鐘）測定，求出260°C之彈性 098108733 27 201001064 係數。 7.半導體裝置之製造 將上述之感光性樹脂間隙物用薄膜於半導體晶圓上層 合，曝光、顯像，形成樹脂間隙物（空隙部），並於樹脂間隙 物之上端部將玻璃基板以120°C熱壓黏。其次，將半導體晶 圓切割（個片化），取得半導體裝置。 (實施例2) 除了使用下列物質作為充填材以外，同實施例1處理。 二氧化矽為使用二氧化矽(Tokuyama公司製、QS-30、平 均粒徑：l〇nm、最大粒徑：50nm)。此感光性樹脂間隙物用 薄膜於波長400nm、550nm、750nm中的穿透率分別為 66.8%、87.4%、90.5%，於 40°C 中之黏著力為 31.3gf。又， 於260°C中之彈性係數為23.1MPa。 (實施例3) 除了使用下列物質作為充填材以外，同實施例1處理。 二氧化石夕為使用二氧化石夕(Tokuyama公司製、QS-09、平 均粒徑：25nm、最大粒徑：50nm)。此感光性樹脂間隙物用 薄膜於波長400nm、550nm、750nm中的穿透率分別為 64.3%、85.1%、88.8%，於 40°C 中之黏著力為 30.8gf。又， 於260°C中之彈性係數為22.5MPa。 (實施例4) 除了令作為鹼可溶性樹脂之曱基丙烯基改質雙酚A苯酚 098108733 28 201001064 盼越/月'泰料脂（’）由65重量。變更成69重量％，作為充填 材之一氧化矽（T〇kuyama公司製、cp_l〇2、平均粒徑：2〇簡、 最大粒彳二.5〇nm)由6重量％變更成2重量％以外，同實施例 1處理。 此感光性樹脂間隙物用薄臈於波長4〇〇·、55〇nm、75〇⑽ 中的穿透率分別為68. 1%、89. 5%、91. 1%，於4〇。〇中之黏著 力為38. 6gf，又，於260。(：中之彈性係數為2〇. 2Mpa。 (實施例5) 除了令作為鹼可溶性樹脂之甲基丙烯基改質雙酚A苯酚 酚醛清漆樹脂（MPN)由65重量％變更成57重量％ ’作為充填 材之二氧化矽（Tokuyama公司製、CP_1〇2、平均粒徑：2〇nm、 最大粒徑：50ηηι)由6重量％變更成14重量％以外，同實施例 1處理。 此感光性樹脂間隙物用薄臈於波長4〇〇nm、55〇nm、75〇nm 中的穿透率分別為62. 3%、83. 4%、86. 1%，於40〇C中之黏著 力為25. 5gf，又，於260°C中之彈性係數為3〇. 3MPa。 (實施例6) 除了將作為鹼可洛性樹脂之甲基丙烯基改質雙g分A苯紛 紛酸清漆樹脂（MPN)65重量％’使用固形份5〇%之丙二醇單甲 醚溶液（Diacel化學工業公司製' Cycl〇mer p ACA 200M)65 重量％(換算固形份）代替作為鹼可溶性樹脂以外，同實施例 1處理。 098108733 29 201001064 此感光性樹脂間隙物用薄膜於波長4〇〇nm、55〇nm、75〇⑽ 中的穿透率分別為67. 2%、86. 9%、90. 3%，於40°C中之黏著 力為30. 5gf，又，於260°C中之彈性係數為21. 8MPa。 (實施例7) 除了使用丙烯酸系樹脂單體之聚乙二醇二曱基丙烯酸酯 (新中村化學工業公司製、NK Ester 3G)15重量❶/。，代替室 溫下呈液狀之丙烯酸系樹脂單體之聚丙二醇二丙烯酸酯（東 亞合成公司製、Aronix m-225)15重量％作為光聚合性樹脂 以外，同實施例1處理。 此感光性樹脂間隙物用薄膜於波長4〇〇nm、55〇nm、75〇咖 中的穿透率分別為67. 3%、86. 7%、90. 1%，於4(TC中之黏著 力為31. 2gf，又，於260°C中之彈性係數為23, 5MPa。 (比較例1) 除了使用下列物質作為充填材以外’同實施例1處理。 一氧化石夕為使用一氧化石夕(Tokuyama公司製、NSS、5>J、 平均粒徑：70nm、最大粒徑：350nm)。此感光性樹脂間隙 物用薄臈於波長400nm、550nm、750nm中的穿透率分別為 11_3〇/〇、48.5%、72·1%，於 4(rc 中之黏著力為 46 7gf。又， 於26〇C中之彈性係數為15.5MPa。 (比較例2) 除了令作為驗可溶性樹脂之曱基丙烯基改質雙酚A笨酉分 酝醛凊漆樹脂（MpN)由65重量％變更成70. 5重量％ ,作為充 098108733 201001064 真材之一氧化矽（Tokuyama公司製、CP-102、平均粒徑： 2〇nm最大粒經：50nm)由6重量％變更成〇. 5重量％以外， 同實施例1處理。 ，此树月曰間隙物用薄膜於波長400nm、550nm、750nm中的穿 .透率为別為68. 3%、89. 1%、91. 1%，於40〇C中之黏著力為 40. 3gf，又，於26(rc中之彈性係數為16. 5Mpa。 (比較例3) Γ 除了令作為鹼可溶性樹脂之曱基丙烯基改質雙酚Α苯酚 酚醛清漆樹脂（MPN)由65重量％變更成55重量％，作為充填 材之二氧化碎（Tokuyama公司製、Cp_1〇2、平均粒徑：2〇而、 最大粒徑：50nm)由6重量％變更成16重量％以外，同實施例 1處理。 此樹脂間隙物用薄膜於波長400nm、550nm、750nm中的穿 透率分別為60. 2%、80. 1%、82. 6%，於4(TC中之黏著力為 23. 2gf，又，於26〇°c中之彈性係數為28. 5MPa。 (比較例4) 除了令作為鹼可溶性樹脂之曱基丙烯基改質雙酚A苯酚 酚醛清漆樹脂（MPN)由65重量％變更成80重量％，作為光聚 合性树脂於室溫下呈液狀之丙烯酸系樹脂單體之聚丙二醇 一丙烯酸酯（東亞合成公司製、Ar〇nixM_225)* 15重量％ 變更成0重量％以外’同實施例i處理。 匕树月曰間隙物用溥膜於波長4〇〇nm、55〇nm、750nm中的穿 098108733 31 201001064 透率分別為67.3%、86.6%、90.3%，於4代中之黏“ 31.〇gf，又，於26(TC中之彈性係數為24 2_/者力為 對於各實施例及比較觸得之感絲樹㈣隙物 及+導體裝置進行以下之。浦項目與内料同示出。、 所得之結果示於表1。 1.對準性 :半導體元件上將感光性樹脂間隙物用薄膜層合(溫度 —C、逮度〇. 3m/分鐘），使用曝光機pu_咖_如職公 司製）’評價半導體晶圓表面之圖案是否亦可由層合匕 間隙物用薄膜上辨識。各符號為如下。 曰 、不鮮明。 ◎:圖案形狀為至邊界部分為止，鮮明察見。 〇：雖然可明白圖案形狀，但邊界部分察見些許 △:雖然約略察見圖案，但形狀不清楚。 X·’完全不察見圖案。 2.顯像性 阶半‘體日日圓上將感光性樹脂間隙物用薄臈層合（溫度 速a G’3m/；^)’使用圖案光罩將感光性樹脂間隙 物以格狀殘留般進行曝光（曝光量：7()Gmj/cm2) 3麵進行顯像（顯像液㈣：Q集顯像時間：卿）。

所仔之格狀圖案部分以-ffi» v 9S 电子頌谜知（x5, 〇〇〇倍）觀察，評價 有無殘渣。各符號為如下。 ◎.無殘渣 098108733 32 201001064 〇：雖可確認少許殘渣，但實用上無問題 )K:有殘潰 另外，圖案光罩為樹脂寬1. 2mm、間隔5mm之格狀。 3.圖案化性 於半導體晶圓上將感光性樹脂間隙物用薄膜層合（溫度 6〇 C、速度〇. 3m/分鐘），使用圖案光罩將樹脂間隙物以格 狀殘留般進行曝光（曝光量7〇〇mj/cm2)，並使用3%TMAH進行 〃顯像（顯像液壓力：〇.2MPa、顯像時間：15〇秒），進行圖案 化，目視形成圖案部的狀態。各符號為如下。 ◎:無圖案剝離。 △:圖案部分剝離，但有極少一部分有未殘留之部分。 X:圖案為全面剝離。 另外，圖案光罩為樹脂寬1. 2mm、間隔5mm之格狀。 4·保持形狀性 1 "將評價上述顯像性之形成為半導體晶圓格狀之樹脂間隙 物的中央部切割，製作具有框狀樹脂間隙物的半導體元件。 保持形狀性為於12GC下，以目視評價此樹脂間隙物上熱壓 黏玻璃基板時之樹脂間隙物的流動（破壞程度）。各符號為士 下。 ‘、、、σ ◎.熱壓黏前後之樹脂間隙物的尺寸無變化。 〇.熱壓黏後之樹脂間隙物有些許流動，其尺 、v、』雖稍有變 化’但形狀上無大變化。 098108733 33 201001064 △:熱壓黏後之樹脂間隙物流動，發生尺寸變化。 X:熱壓黏後之樹脂間隙物非常大幅流動，尺寸、形狀均 大為變化。 098108733 34 201001064 5〕 001 r£ 1.9=° s .- r- ◎

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Claims (1)

1. 201001064 七、申請專利範圍： 1. 一種感光性樹脂組成物，係使用作為用於在基板、與半 導體元件之間形成空隙部者，其特徵為含有： (A) 臉可溶性樹脂、 (B) 光聚合性樹脂、 (C) 充填材、與 (D) 感光劑， 上述充填材之平均粒徑為5nm〜25nm，上述充填材之含量為 上述感光性樹脂組成物全體之1重量％〜15重量％。 2. 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物，其中，上 述充填材為含有二氧化矽。 3. 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物，其中，上 述感光性樹脂組成物進一步含有與上述鹼可溶性樹脂不同 的（E)熱硬化性樹脂。 4. 如申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物，其中，上 述充填材為含有二氧化矽。 5. 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物，其中，上 述鹼可溶性樹脂為具有鹼可溶性基及雙鍵的樹脂。 6. 如申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物，其中，上 述鹼可溶性樹脂為具有鹼可溶性基及雙鍵的樹脂。 7. 如申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物，其中，上 述(A)鹼可溶性樹脂之含量為上述感光性樹脂組成物全體之 098108733 38 201001064 50重量％〜95重量％，上述(B)光聚合性樹脂之含量為上述感 光性樹脂組成物全體之5重量％〜45重量％，及上述(D)感光 劍之含量為上述感光性樹脂組成物全體之〇. 1重量％〜1 〇重 量％。 8_如申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物，其中，上 述（A)鹼可溶性樹脂之含量為上述感光性樹脂組成物全體之 50重量％〜95重量％’上述(B)光聚合性樹脂之含量為上述感 光性樹脂組成物全體之5重量％〜45重量％，及上述(d)感光 劑之含里為上述感光性樹脂組成物全體之〇1重量％〜1〇重 量％。 9.如申請專利範圍第3 項之感光性樹脂組成物，其中，上 5重量％~30重量％。

   之穿透率為40%以上，於光線波 於光線波長750nm之穿透 述⑻熱硬化性樹脂之含量為上述感光性樹脂組成物全體之 長550ηηι之穿透率為65%以上、 率為73%以上。 13.如申請專利範圍第11 項之感光性樹脂間隙物用薄膜 5 098108733 39 201001064 ί 1。於光:波長之穿透率為4。%以上、於光線波 長50nm之牙透率為65%以上 率為73%以上。 、桃波長75Gnm之穿透 細1G項之恤樹賴物用薄膜， ;。 仏間隙物用薄膜於靴中之黏著力為㈣以 ㈣咖觸物用薄膜， ;。 指間隙物用薄膜於奶以之黏著力為㈣以 範圍第ω項之感光性樹脂間隙物用薄膜， 17.如申請專利範圍第u 其令，上述樹脂間隙物用薄=性樹脂間隙物用薄膜， 2〇MPa以上。 ，、；60 C中之彈性係數為 队如申請專利範圍第1〇 其甲，上述感光性樹則切物«物用薄媒’ Am。 物用相之厚度為20//m〜15〇 19,如申請專利範圍第 其令’上述感光性樹腊㈣物之^光性樹脂間隙物用薄膜， 物用mm之厚度為2〇um〜m 2〇· —種半導體裝置，其 098108733 ' $基板、與半導體元件係 40 201001064 經由以申請專利範圍第1項之感光性樹脂組成物之硬化物 所構成的樹脂間隙物，予以接合。 21. —種半導體裝置，其特徵為，基板、與半導體元件係 經由以申請專利範圍第3項之感光性樹脂組成物之硬化物 所構成的樹脂間隙物，予以接合。 098108733 41