TW200952133A - Apparatus and method for using spacer paste to package an image sensor - Google Patents

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Description

200952133 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種圖像感測器之封裝以封裝絲焊 (wire bond)，並避免圖像感測器受潮之方法與裝置；特別 是本發明係揭示一封裝圖像感測器之組合，其包括一壤狀 (dam)結構，並其提供絲焊（wire bond)封膜。 【先前技術】
❹ 圖像感測器利用一感光像素（ph〇t〇-SenSitive pixy)以 擷取一光學影像，最常見的一種圖像感測器係為互補金氧 半導體（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS) 圖像感測器。目前已有許多互補金氧半導體圖像感測器的 2裝技術；然而，纟中一種習知技術係將圖像感測器置於 一基板（或稱中介層（interP〇ser))上，並提供絲焊（wire b〇nd) 連接於該基板與該圖像感測器之間。-附加透明 被用來保護該圖像感測器。 、吊會 右封裝組5予私列肤呵，則琢封裝圖像感 /之可靠性將會增加；於習知技術中係湘—封裳材料 :apsulant)，例如一液態聚合物，以同時封褒該絲 2供—防水層於透明罩之邊緣。例如，帛i圖所示，其 二、國專利第6,995,462號揭示之-封裝組合5()，其具 晶片4、曰透外部連接點％與锡球料）、圖像感測器 料勒 絲焊44，以及接觸墊片34。一封裝材 裝叹计中，一微透鏡2〇係配置於該圖像 3 200952133 ，：：：之—部分’該圖像感測器4具有-像素陣列。-著Π料24(諸如一液態環氧化物或一液態樹脂)係用 、=:Γ罩；然而’此等結構具有數項缺陷；習知的 材料在操作上難以控制其厚度與寬度，因此，液 二：4料的寬度時常超出預期’且浪費晶片上空間，並 罩的^成if °此外’僅有相對少量的封裝材料置於透明 :=:7即，透明罩邊緣的液態樹脂鄰接該封裝材料， ❹ ❹ 、相對稀少的封裝材料置於透明罩的邊緣，以防 止濕氣。 減2=揭ΐ 一薄膜包覆線（film 〇ver _)結構，其 第：;二二精密工業股份有限公司申請取得之美國專利 氧半導體(CM0S)圖像感測㈣获㈣人广之互補金 德m w 裝材枓含—基板210,而圖 m,220裝設於其上；-液態附著薄膜230，諸 义日薄膜’係用以結合透明玻璃罩州。缺而， Μ月曰4臈的均句分佈。除此之外，液態樹脂咖 ==積後側向流動於晶片22〇邊緣之缺點，就此，、 =導致^難以像素陣列邊緣與晶片邊緣間難以達成一窄 而浪費晶片容納區域，導致製造成 薄膜之透濕性(一~一亦厶 可罪度之考罝㈣abimy e義ern);特別是，其 2器的生命週期期間’有水氣側向渗漏穿過樹脂薄膜之 4 200952133 據此，有鑑於前述先前技術之缺陷，發展一種改良之 裝置、系統與方法，用來封裝一圖像感測器是有其必 【發明内容】 ❹ ❹ -圖像感測器封裝組合係利用一間隔結合劑(啊 paste)以控制一圖像感測器晶片上之一透明窗高度，藉以提 =安全絲焊（wire bGnd)S隙。—圖像感測器晶片係裝設於 二蝴lnte卬oser)，以及絲焊係形成於該圖像感測器晶 二亥中介層之間；—透明罩係附著於該圖像感測器晶 利用由一間隔結合劑形成之一壩體（dam)，該壩體之 P或于由一基礎圖樣平臺區域上分佈之間隔結合劑 所形成。該間隔結合劑提供一統一、低傾斜率之接合面， 其於該圖像感測器之表面上具有一受控制之高度，以提供 m隙。一附加之封装材料（encapsuiant)得形成於該透 罩一亥中介層間一區域中該晶片之外部區域。 【實施方式】 、龍圖係為一透過頂部透明罩340之一封裝圖像感 = 300之俯視圖。該頂部透明f 34〇料光線進入到達 1光像素陣列3G6，其位於—圖像感測器晶片3〇2之一 、，置304’其中該圖像感測器晶片搬係為一積體電 曰0 封裝材料350係形成於該透明罩34〇之一週邊 ’ 一間隔結合劑之壩體308係以一環氧化物之間 劑形成於圖像感測器晶片3〇2之一週邊邊緣位置， 呈包含像素302陣列之該中央位置遍，·壩體308 、見度W。像素陣列306得連續至壩體3〇8之邊界， 5 200952133 仁般而s具有輕微差距d，其可視為製造公差 (anufacturing tolerance)。因此，該像素陣列3〇6嵌入該 圖像感別器曰曰片302，其二者邊緣總計距離$ w 。為閣 述本發明之其他方面，此說明利用虛擬的格線以指示說明 個别、·糸焊附著區域317及絲焊接觸塾336間之複數絲焊 338形成之例示數量的電性連接。 ❹ ❹ 第3B圖係為一沿著第3a圖線段3b_3b之側視截面 圖基板3 15具有包含晶片附著區域3 19及絲焊接觸區 域317之一頂部表面。該基板315係形成於一中介層3〇1 中，其包括外部接觸區域31〇，以產生外部電性連結（諸如·· ，用，球）:内部引洞通道325支援外部接觸區域31。與絲 焊寸著區域3 17間之電性連結；圖像感測器晶片術具有 一底埠表面321附著於該晶片附著部分319。 該圖像感測器晶片302之頂部表面33〇包含中央位置 =4’其具有感光像素陣列遍。絲焊338係形成於該圖像 感測器晶片之絲焊接觸墊336與該基板315上之絲焊附著 區域317。<列示之絲焊係以黃金金屬線製《；一可靠絲輝 之程序一般需要該金屬線未被過度曲；據此，該絲焊338 之一部延伸於該圖像感測器晶片32〇之頂部表面3川之 上，高度為Μ，其依據該絲焊之彎曲度或其他因子而定。 =圖^測II晶片可包含—彩色滤光片陣列/微透鏡陣列 3〇7’其裝設於該圖像感測器晶片之該中央位置遍 其具有像素陣列306。 該透明罩34G(諸如玻璃罩）係用以保護該圖像感測器 6 200952133 晶片3 02 ;本發明夕__替/丨丄 圍俊m 透明罩340延伸超過該 315之二ΓΓ'3。2,而具有突出342，其延伸超過該基板 和.〜…烊附者區域317。該透明罩34〇係藉由間隔钍人 『:二8:著於該圖像感測器晶片1中該壩請二 有一壩體局為h2,寬為w。本發 兴 結合劍用作一壩體3〇8(其高為Μ月之實，例中’該間隔 程能力與可靠性。該間隔結合劑係為一黏;劑藉 ❹ ❹ 用㈣後封裝㈣35〇係用以料該絲 、X防止水軋之滲漏。本發明之一實施例中，封 裝材料350係為不透光（例如 ’ 供額外之光線隔絕。 ）對於圖像感測器提 晉於= 係利用間隔結合劑配 置於δ亥圖像感測器晶片3〇2之表面 圖像感測器晶片302之頂部表面33〇與該透== 成-凹槽剔，該間隔結合劑壩體3〇8可覆蓋部 焊 338’並覆蓋絲焊接觸墊336，該凹槽_可為氣填、 之凹槽’或是-填充惰性氣體之凹槽。— 3〇=許多優點;第一，該間隔結合劑壩體；= 可罪封4㈣相同，其用以防止水氣滲漏。第二門 隔結合劑壩體308提供一受控制、具— a— μ間 之接合面’蓋因其間隔物控制整_體周圍之;== 度。除二此之外，間隔結合劑厚度h2可被選擇以提；； 制的女全絲焊間隙，其包括所需之最小距離h =工 可靠性絲焊程序及-附加的製造/可靠性安: 7 200952133 (h2_hl)。亦即’該凹槽高度可以藉由 二 分最小絲焊間隙高度之距離，使透明罩二 焊並使其間…迫至該絲 選擇為至少60微米。 間隙面度h2可以 壩體劑使用於形成一壤體扇，對於場體高與 劑，其具有著制/2結合劑係為一特別之接著 ❾臂人#m 土礎接 更包含—選擇的比例之有機 == 間隔物；該有機聚合間隔物球體之體積 也控制該壤體之高度h2。一間隔結合劑隻時間_ --力矯正程序係與基礎接著劑具有相似性；一低流失 (1〇W-bleed)型接著劑係為-較佳之選擇。-例示之有機間 隔結合劑，諸如由德國Diisseld〇rf之漢高科技
Techn〇i〇gies)所生產者，包括聚甲基丙烯酸甲酉旨 (P〇lymethylmethacrylate，PMMA)球體；該有機聚合物球體 ❹具有-直徑，其直徑大小係於一特定範圍内用於一筛選程 序，使該球體於統計分佈上具有一平均間隔物大小。間隔 物大小習慣上係以「密爾（mil)」一詞作為界定，i密爾係 為25.4微来。據此，一間隔結合劑具備有機聚合間隔物， 其平均之間隔物大小之表示得為j密爾、15密爾、2密爾、 3密爾等。一種使用一間隔結合劑之技術係利用具有一内 部直徑足以超過間隔物大小之針，以使該間隔結合劑#由 合理之壓力予以分佈t。例如，漢高科技公司（取仙 Technologies)建議一分佈針上孔洞之直徑至少應為該間隔 8 200952133 物之五倍以上。因此，一較大間隔物之選擇將增加凹槽高 度h2 ’亦可此有增加壩體寬之傾向；目此，一較大針孔洞 對於間隔結合劑之塗佈是有需要的。 4封裝亦提供改良式的互動措施，以提供水氣滲漏之 防止封裝材料350完全延展於該中介層3()1及該透明罩 間的區域’其係於壩體308之外側。因此，圖像感測 斋晶片320係藉由9你I 上盆I— 稭由2個保濩區域以防止水氣滲漏；其一， ❹ 封裝材料35〇係完全延展於透明罩34〇與突出下基板 315之間’提供一主要外部阻絕措施以防止水氣渗漏，因 此K氣渗漏係阻決於該透明罩之頂部，並且就由突出⑷ 下封裝材料之實質厚度，防止側邊水氣渗露。其次，間隔 、口口 4 308之壩體區域提供一附加内部阻絕措施，作為防 止水氣滲露之第二保護措施。 依第3 A到3B圖所揭示之一實施例得以裝配於一晶圓 ^ (wafer-level)封襄程序，其中大量圖像感測器晶片係於一 曰通中介層基板上進行封裝，其於加卫後予以分離之。一 例示之流程步驟，其句人τ、+、止 測器晶圓(wafer)，其中包It步驟“第一，提供-圖像感 ^ 3 形色濾光片陣列/微透鏡陣 Γ著Γ=Γ晶圓係切割為個別晶片，該個別晶片係 其2板（即附著—中介層之不同區域，該中介層形成 結一。！焊係形成於個別晶片，接著分佈該間隔 :二•以形、-壩體於每—圖像感測器晶片之邊緣。接著 使该透明罩附著之，該 者 劑之基礎接著劑。特別該間隔結合 、〗疋，溫度和壓力矯正該間隔結合劑 9 200952133 係依靠該基礎接著劑；接著，將該絲料 料以一黑色s件為較佳（以提供光線隔絕）。如二^裝材 示，得使用—液體下填充料（Hquid u滅仙=例所 其流於該透明罩下開放空隙（該壩體之外部，其防料’ =流過像素陣列）。隨後，該封裝材料已為⑹^封裝 最終切割步驟以分離個別封裝裝置。 戮仃— ❹ Ο 该圖像感測器之頂部與該透明草之底部之 示絲焊間隙距離匕，其約為60微米。然而，如例 市面上可用之間隔結合劑’ 一般而言具有間隙物：’ 密爾㈣)特定之，而非微米。第4圖所示實施例之例糸: :::用具有3或4密爾’或至少75微米之間隔物之：〔 隔’。合劑’以提供大於60微米之間隙。然而， 立曰’ 一般分配程序_料有-㈣孔洞且該孔洞直徑大二’ 隔物體積足夠因式（倍數）之針，其係為避免阻塞，且允^ 間隔結合劑於合理的壓力下得以順暢流動。特別 j 科技公司（Henkel Technologies)建議一分佈針上孔洞=: =至少應為該間隔物之五倍以上；於此，該分配程序係 =少相同孔洞直徑之因式，以增加分配之間隔結合劑 寬度。此外，於該間隔結合劑分配後，其可能粗 滑（因其具有該球體），而-些少量之延伸（溢出）可能會於八 配後及-績正程序之間發生。實驗顯示，如為大小為^ 爾（約75微米）之間隔物，該寬度在利用一習知分配與矯正 程序時’可被控制在約450微米；因必匕’於該實施例中， 封裴之圖像感測器可具備像素陣列，當提供一 微米古 200952133 度之區域（h2)以容許安全絲焊間隙，依其之需求，其像素 陣列付延伸罪近於該晶片450微米之邊緣。此對於該像^ 陣列之邊緣與晶片邊緣之間的距離之進階控制，使得晶片 區域之利用更有效率，並有效降低製造成本。 第4A圖係說明一實施例之一頂視圖，其允許使用一 較小間隔物。第4B圖係一沿著4B-4B線之橫剖面圖，該 實施例係與前述者相似，除一壩體4〇8係形成自間隔結合 劑408-A之一區域，該間隔結合劑4〇8_A分佈於一基礎^ 樣平臺區域408-B，以減少所需間隔之大小。圖樣平臺區 域408-B係為一壩狀區域，形成於該圖像感測器晶片之頂 部，且延伸於該圖像感測器晶片表面上，高度為h3。該間 隔結合劑408-A係沉積於圖樣平臺區域4〇8_B之頂部:其 增加高度h4,以完成該壩體4〇8。因此，為達成一 2部間 隙高度h2,其所需間隔結合劑厚度係為：h4=h2h3。為^ 於說明本發明，本實施例所示區域4〇8 a與4〇8_B係準確 ©對齊排列；一般而言，則無需準確對齊排列之。舉例而言， 間隔結合劑408-A可以分配以具有一初始寬度，而其得°以 較圖樣平臺區域408-B稍微小。圖樣平臺區域㈣並未 涵蓋中央位置綱’其亦未覆蓋絲焊接㈣说(以容許絲 焊之形成）。於此’本發明之一實施例中，絲焊338及 接觸墊336均由封裝材料350包覆之。 使用包括-基礎平臺區域彻_A之一壩體她之一優 點係在於其容許該間隔結合劑侧_A減少期間隔物之大 小，其亦隨之容許減少壩體之寬度。於該實施例中，一壤 11 200952133 體寬度wi必須達到—絲 ^ 坪338所需間隙h2 ;然而，壩體 I取】見度大部分係由間 寬度來氺S* D劑408-A厚度h4所需最 見又术决疋’而其係依據 m n a w 隔物大小決定。如一說明之適 者，其古Γ 面頂部之上，係為安全絲焊間隙 者其问度hl2為60微米，目丨丨叮“，
提供所♦古由丄 則可精由圖樣平臺區域408-A 杈仏所需尚度之大約—半， 408 A ^ ^ „ 而架台由間隔結合劑區域 408-A&供以達成該高度 * ^ ^ .Λο <要求。以一 37微米高之圖樣平 玄&域408-Β置於分配！ 5來猻， ❹門隘社入杰丨 .5在爾（約38微米間隔物直徑）之 間1¼結合劑408-A，提供約7<?他业 η P ^ v 杓75倣未之間隙。如前所述，該 合㈣配料仙W有達到㈣物大小之直徑的 喜4因此，於本實施例令，該壩體之寬度Wl(圖樣平 艾咖加上Μ密爾間隔結合劑，堆疊於頂部，以 且古，先，擇之南度吻係較—半稍微小’若該·體僅由 :喜* 3密爾間隔物大小之間隔結合劑所形成。其使得該 ^列邊緣與該晶片邊緣之間寬度距離 ❹省製造成本。 如先剛所述之實施例，第4A_4B圖所示實施例亦提供 絕佳之防護措施，阻絕水氣滲漏。圍繞壤體4〇8之透明罩 :一下封裝材料350之完整層，其具有一實質寬度，且提 "主要防遵措施以阻絕水氣滲漏，壩體4〇8則係阻絕水 氣滲漏之第二防護措施。 該圖樣平臺區域408-B係形成自一層材料，其得以沉 積在圖像感測器晶圓之上，且在切割圖像感測器晶圓成 ^ _晶片之前H罩飾刻製程（photolithographic 12 200952133 ―)產生圖示。圖樣平臺區域彻_b係以 構成為最佳，其得以直接利用 先材科 其更能夠利用一相對低溫程序進—步==定圖二:且 其不會使該圖像感測器晶片之電性、光學性質嚴重 舉例而言，部分種類之光阻（諸如特定光聚合物）可以沉積 於-晶圓上形成相對厚之一層(例如約4〇 後再藉由一低溫程序矯正之。 旱度）^、 ❹ 第4Α·4Β圖所示實施例，亦可組裝於晶圓級之封裝程 序中，其中大量圖像感測器晶片係封裝於一 板，其後則分割之。下述為—例示之流程；第一，提^ 圖像感測器晶圓，其包含一彩色濾光片陣列/微透鏡陣歹“ 該圖樣平臺區域彻-Β係利用—光阻塗布程序⑽。 coatmg process)、曝光、顯影、供烤程序所形成。該圖像 感測器晶圓係切隔為個別晶片，該個別晶片附著於一基板 ❹ (即一中介層形成自-基板晶圓）。絲焊係為個別晶片而形 成。其後，該間隔結合劑分邴μ固# τ # „ — 』阳〇 口别刀配於圖樣平臺層，以形成壩體 於母-圖像感測器晶片之邊緣；隨後，該透明罩附著。而 該附著程序之部分係依靠該間隔結合劑之基礎接著劑。特 別是，該間隔結合劑之溫度、壓力之橋正亦依靠該基礎接 著齊卜該絲焊隨後被封裝，其得以黑色化合物為一封裝材 料（以提供光線阻絕）為較佳。如一實施例，一液體下填充 料（nquid underfill )封褒材料，其流於該透明罩下開放空 隙（該壩體之外部）。隨後，該封裝材料已為端正；執行一 最終切割步驟以分離個別封裝裝置。 13 200952133 前開之描述僅為闡釋本發明，所使用特定術纽、 係”本發明之更進-步理解。然而，所屬：術領域 之熟知技藝者應可知悉，本發明亦得於省略部 & — 狀況下實施。於此，本發明前述特定實施例之描述僅2 =技：ΓΓ，其非窮盡或限制本發明;凡熟悉此領 域之技食者，在不脫離本專利精神或範圍内，所 戒潤飾，均屬於本發明所揭示精 嗖绅，日庙七入— 巧搏评下所几成之等效改變或 ο 應…在下述之申請專利範圍内 施例之選擇係為對本發明生 θ V不貫 Μ雜ν“ 扣神及其實際應用予以最佳之 釋’俾使所屬技術領域熟知技藝者 在不脫離本發明之精神及範圍下可為若干修改。：定之； ;:τ制本發明之範圍而僅係為闡述之。本發明I 實也例耙圍並未由特定例示而予 利範圍之外係不受限。 淮除後附申凊專 【圖式簡單說明】 本發明將於以下之4 明 其中： τ之敛通及所附圖式得到更完整之說 第1圖係為一習知社1 ^ 2 ^ 技術之一封裝圖像感測器。 第3Α 3Β :習知技術之-封裝圖像感測器。 其利用—間隔結合本發明之—封裝圖像感測器’ & W以作為一壩體。 第4Α、4Β圖係Α 4 其利用-間隔結合劑本發明之-封裝圖像感測器， 圖式中，相间_/、平臺層之部分，以作為一壩體。 s類似之元件即使描繪於不同之圖式中 14 200952133 係仍以相同之參照數字代表。 【主要元件符號說明】 300封裝圖像感測器 302 圖像感測器晶片 304 中央位置 306感光像素陣列 308 壩體 3 17 絲焊附著區域
336 絲焊接觸墊 338 絲焊 340 頂部透明罩 350封裝材料
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Claims (1)

  1. 200952133 七、申請專利範圍： 1. 一種封裝裝置，其包含： 一圖像感測晶片設置於一中介層； 複數個絲焊，其位於該圖像感測晶片與該中介層之 間；以及 一透明罩，其藉由一間隔結合劑附著於該圖像感測晶 片之一表面，以提供具有一受控制高度之一接合面於 該圖像感測晶片之一表面上，提供絲焊之間隙。 2. 如申請專利範圍第！項之封裝裝置，其中該間隔結合 劑形成一壩體，圍繞於一像素陣列。 3. 如申請專利範圍第2項之封裝裝置，其中該壤體更包 括-基礎圖樣平臺區域，該基礎圖樣平臺區域係由沉 積於5亥圖像感測晶片上之一層所形成。 4. 如申請專利範圍帛2項之封裝裝置&中一封裝材料 形成於該壩體外部之該透明軍下一區域，用㈣裝該 複數個絲焊’並防止水氣滲漏。 Λ 5. —種封裝裝置，其包含： -中介層’其具有-晶片附著區域位於該中介層的一 第表面的第-區域，且具有複數個絲焊接觸區 配置於該中介層的該第-表面的一第二區域； 16 200952133 -圖像感測晶片，其具有—底部表面和—相對之頂部 表面’該底部表面架設於該中介層之該晶片附著區 域丄且該頂部表面具有一像素陣列於該圖像感測晶片 之-中央區域，和複數個絲焊接觸塾於該像 邊的邊緣區域； 4μ 複數個絲烊，用以提供該中介層上個別絲谭接觸區域 與該圖像感測器晶片上之該複數個絲谭接觸塾之間的 ❹ ❹ 電性連結，該複數個絲焊具有一彎曲，使該絲焊延伸 於该圖像感測晶片之該頂部表面； 透月罩丨經由具有間隔物的一間隔結合劑附著於 ，感測器’該間隔結合劑係配置於該圖像感測器 晶片之該頂部表面上該中央區域外部之該頂部表面的 一區域，於該像素陣列周圍以形成一壩體，該壤體於 該圖像感測器晶片之該頂部表面與該透明罩之間的中 央區域周圍，更形成一凹槽；以及 ί裝材料《形成於该透明罩下，該凹槽與該壤體 之外部之一區域中’用以封裝該絲焊； 其中，該間隔物係為有機聚合物球體； 其中’該壩體具有-壩體高度於該圖像感測器晶片之 頂部表面上’被選擇提供於該透明罩下該複數個 之安全間隙。 6·如申請專利範圍第5項之封裝裝置，其中該場體係全 部由配置於該頂部表面之該間隔結合劑所形成，該壤 17 200952133 體尚度係由該間隔結合劑之該間隔物之體積所決定。 7.如申請專利範圍第5項之封裝裝置，其中該壩體係封 裝延伸於該圖像感測器晶片之該頂部表面上之該絲焊 之一部分。 .如申請專利範圍第5項之封裝裝置，其中該壩體係由 ❹ 配置^ 一平臺區域之頂部上的一間隔結合劑所形成， "亥平3：區域係一蝕刻圖樣材料配置於該中央區域之外 9· ?請專利範圍第8項之封裝裝置，其中該平臺區域 包含一餘刻圖樣聚合物。 10.:申請專利範圍第9項之封裝裝置，其中該平臺區域 ❹ 包含一感光材料。 —種封裝裝置，其包含： =介層，其具有一晶片附著區域位於該中介層的一 >表面的第一區域，且具有複數個絲焊區域配置 於°亥中"層的該第一表面的-第二區域； 圖像感挪晶片’其具有—底部表面和—相對之頂部 面忒底部表面架設於該中介層之該晶片附著區 ••且"亥頂部表面具有一像素陣列於該圖像感測晶片 18 200952133 之-_央區域，和複數個、轉接難於該像素陣列週 邊的邊緣區域； 複數個絲焊，心提供射介層上個制焊接觸區域 與該圖像感測器晶片上之該複數個絲辉接觸塾 電性連結， 該複數個絲焊具有—彎曲，使該絲烊延伸於該圓像感 測晶片之該頂部表面；以及 透月罩其經由-區域之一間隔結合劑附著於該圖 像感測器’該間隔結合劑係配置於該圖像感測器晶片 之周圍’於包含該像素陣列之該中央部份以外之一區 =中’其中該間隔結合劑具有有機聚合物間隔物，該 ^物之體積係被選擇提供—低傾斜度結合面，該低 γ度…口面具有該間隔結合劑於該圖像感測器晶片 ^員4表面上延伸一段充足之距離，用以提供透明 罩下該複數個絲焊之安全間隙。 12. 13·^^利範圍第12項之封裝裝置，其中該區域之該 =-。劑封j延伸於該圖像感測器晶片之該頂部表 面上之該絲焊之一部分。 14.如申請專利範圍第 13項之封裝裝置，其中更包含一光 19 200952133 學不透光封裝材料，係形成於該透明罩之下，該凹槽 與該壤體之外部的區域中，用以封裴該絲焊。 15.如申請專利範圍帛u項之封裝裝置，其中該區域之該 間隔結合劑係形成於一基礎圖樣平臺區域上，而結合 該基礎圖樣平臺區域與該該區域之該間隔結合劑形成 再該像素陣列周圍之一壩體。
    16. 如申請專利範圍第15項之扭駐#β丄 ^ 、 喝之封裝裝置，其中該壩體不覆 蓋該複數個絲焊附著區域。 17· —種封裝圖像感測器之方法，其包含： 附著一圖像感測器晶片之一底部表面於一中介層，該 圖像感測器晶片之-頂部表面具有一中央區域，其包
    括像素陣列，和其周圍之一邊緣區域，其包括複數 個絲焊接觸墊； 形成絲焊於該圖像感測器晶片與該中介層之間； 配置-間隔結合劑於該像素陣列周圍之該邊緣區域， :形成-權體，該間隔結合劑具有有機聚合物間隔物 ’且橋正該間隔結合劑 器晶片；以及 之體積，使該透明罩於 面上延伸一受控制之距 附著一透明罩於該間隔結合劑 以結合該透明罩於該圖像感測 選擇該間隔結合劑中該間隔物 該圖像感測器晶片之該頂部表 20 200952133 離’以足夠提供一安全絲焊間隔。 18.如申請專利範圍第17項之方法，其中該配置之步驟包 含利用大於間隔物體積丨倍以上之孔洞，配置該間隔 結合劑，使該間隔結合劑之寬度隨間隔物體積增加而 粍加，該間隔物體積更進一步被選擇以控制該間隔結 合劑之該寬度。 〇 19.如申請專利範圍帛18J員之方法，其中該間隔物體積係 以街爾（mil)為計算單位，其中1密爾為千分之一英吋， 即25.4微米，且該間隔物體積不大於4密爾。、 20.如申請專利範圍第19項之方法，其中該間隔結合劑之 厚度不大於3密爾。 ❹^.如申請專利範圍帛17項之方法，纟中更包含姓刻成形 一基礎平臺區域於圖像感測器晶片上，於該中央部份 及該絲焊接觸區域以外之區域，該間隔結合劑係被配 置於該基礎平臺區域上。 22.如申請專利範圍帛21項之方法，其中該姓刻成形一基 礎平臺區域於@像感測H晶^包含成形—感 料。 21 200952133 23.如申請專利範圍第17項之方法，其中包含封裝該透明 罩下該壩體外部之區域。 24. —種封裝圖像感測器之方法，其包含： 裝設一圖像感測器晶片於一中介層，且形成複數個絲 焊於該圖像感測器晶片與該中介層之間；以及 ❹ 附著一透明罩於該圖像感測器晶片，其利用包含一間 隔結合劑之一壩體，以提供具有受控制之高度的一接 合面於該圖像感測器晶片之該表面上，以提供絲焊間 隔。 其^中封裴該透明罩下 25.如申請專利範圍第24項之方法 該壩體外部之區域。
    22
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