TW200948939A - Dispersion comprising cerium oxide and sheet silicate - Google Patents

Description

200948939 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種含有氧化铈及片狀矽酸鹽的分散體， 且有關其製造及用途。 【先前技術】 已知氧化铈分散體可用以拋光玻璃表面、金屬表面及 Φ 介電表面，可兼用於粗拋（高度材料移除性、不規則輪廓 、刮痕）及細拋（低度材料移除性、光滑表面、若有亦極 少之刮痕）。缺點是經常發現氧化鈽粒子及待拋光表面帶 有不同電荷，結果彼此吸引。結果，難以再次自經拋光表 面移除氧化铈粒子。 US 7112123揭示一種用以拋光玻璃表面、金屬表面及 介電表面之分散體，其包含作爲硏磨劑之0.1至50重量％ 之氧化铈粒子及0.1至10重量％之黏土硏磨劑粒子，90% φ 之黏土硏磨劑粒子具有l〇nm至ΙΟμιη之粒徑且90%之氧 化铈粒子具有l〇〇nm至ΙΟμιη之粒徑。氧化鈽粒子、黏土 硏磨劑粒子及作爲待拋光表面之玻璃具有負的表面電荷。 該種分散體使得材料移除性可大幅高於僅基於氧化鈽粒子 之分散體。然而，該種分散體造成高缺陷率。 US 5891205揭示包含二氧化矽及氧化鈽之鹼性分散體 。氧化铈粒子之粒度小於或等於二氧化矽粒子之粒度。存 在分散體中之氧化姉粒子係出於氣相製程，不聚集，且具 有小於或等於lOOnm之粒度。根據US 5891205，存有氧 200948939 化铈粒子及二氧化矽粒子使得移除速率大幅增高°爲達成 此項目的，二氧化矽/氧化铈重量比應爲7·5: 1至1: 1。 二氧化矽較佳係具有小於5 0nm之粒度’且氧化铈者小於 4 0 n m。總之，a )二氧化砂之比例係大於氧化铈之比例且 b)二氧化矽粒子係大於氧化姉粒子。 US 5 89 1 205所揭示之分散體使得移除性可大幅高於僅 基於氧化铈粒子之分散體。然而，該種分散體造成高缺陷 率。 US 6491843揭示一種水性分散體，據稱對於Si〇2及 Si3N4之移除速率具有高選擇性。此分散體包含硏磨劑粒 子及兼具有羧基及第二個含氯或含胺之官能基的有機化合 物。所提及之適當有機化合物係爲胺基酸。基本上，據載 所有硏磨劑粒子皆適用，尤其較佳爲氧化鋁、氧化鈽、氧 化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化矽、碳化矽、氮 化矽、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鎢、氧化釔、氧 化銷或前述化合物之混合物。然而，實施例中，僅有氧化 姉明確作爲硏磨劑粒子。 期望在低缺陷率及高選擇性下產生高度材料移除速率 的分散體。在拋光且清洗晶圓後，表面上應僅存有（若有 )少量沈積物。 【發明內容】 現在出乎意料地發現藉包含氧化鈽粒子及片狀矽酸鹽 之分散體達成該目的，其中 -6- 200948939 -片狀矽酸鹽粒子爲負且氧化鈽粒子之f電位爲正或 等於零，且分散體之f電位整體爲負， -平均直徑 •氧化鈽粒子不大於200nm •片狀矽酸鹽粒子係小於l〇〇nm， -於各情況下基於分散體總量之比例 •氧化铈粒子係爲0.01至50重量°/〇 _ .片狀矽酸鹽粒子係爲0.01至10重量％且 -分散體之pH係爲3.5至<7.5。 f電位係爲粒子之表面電荷的量度。瞭解f電位係表 示在分散體中粒子/電解質之電化學雙層內於剪切下的電 位。與I：電位有關之重要參數係爲粒子之等電位點（IEP )。IEP指定f電位爲零之pH。f電位愈大，分散體愈安 定。 可藉由改變周圍電解質中電位決定性離子之濃度而響 φ 影表面電荷密度。 相同材料之粒子會具有相同符號之表面電荷’因此彼 此排斥。然而，當f電位太小時’排斥力無法補償粒子之 凡得瓦爾吸引，粒子會有絮凝現象且可能沉降。 f電位可藉由測量分散體之膠體振動電流（CVI)或 藉由測定電泳移動性而決定。 而且，f電位可藉電動聲音振幅（ESA )測定。 本發明分散體較佳地具有_10至UOOmV之f電位且更 佳地爲-25至-50mV。 200948939 本發明分散體亦具有PH爲3.5至<7.5之特徵。使得 (例如）可於鹼性範圍拋光介電表面。較佳者可爲pH爲 5.5至7.4之分散體。 本發明分散體中氧化铈之比例可在以分散體計爲〇.〇1 至50重量％之範圍改變。當例如要將運輸成本降至最低時 ，期望高氧化铈含量。於作爲拋光劑之案例中，氧化鈽含 量較佳地以分散體計爲〇.1至5重量％且更佳地爲0.2至1 重量％。 於本發明分散體中片狀矽酸鹽之比例以分散體計係爲 0.01至10重量％。用於拋光時，以0.05至0.5重量％之範 圍爲較佳。 本發明分散體中氧化铈/片狀矽酸鹽重量比較佳地爲 1.1: 1至1〇〇: 1。已發現當氧化鈽/片狀矽酸鹽重量比係 爲1.25 : 1至5 : 1時，有利於拋光製程。 而且，較佳者可爲其中除氧化铈粒子及片狀矽酸鹽粒 子以外，不存有其他粒子之本發明分散體。 本發明分散體中氧化铈粒子平均粒徑不大於200nm。 較佳者爲在40至9 0nm之範圍。在此範圍內，於拋光製程 中得到最佳材料移除性、選擇性及缺陷率之最佳結果。 氧化铈粒子可存在爲單離之個別粒子，或爲聚集之原 始粒子的形式。本發明分散體較佳地包含聚集之氧化鈽粒 子，或氧化铈粒子主要或完全以聚集形式存在。 已發現特別適當之氧化铈粒子係爲在表面上及在接近 表面之層中含有碳酸根之粒子，尤其是 -8- 200948939 DE-A- 1 0200503 8 1 3 6所揭示者。此等爲具有以下性質之氧 化铈粒子 - 自25至1 50m2/g之BET表面積’ - 原始粒子具有5至50nm之平均直徑’ - 接近表面之原始粒子層具有約5ntn之深度’ - 在接近表面之層中，碳酸根濃度自碳酸根濃度最 高之表面開始朝內部降低， ^ - 該表面上來自碳酸根之碳的含量係爲5至50面 積百分比，且在接近表面之層中於約5 nm之深 度係爲〇至30面積百分比 - 氧化铈以Ce02計算且以粉末計之含量爲至少 9 9.5重量％，且 - 包含有機及無機碳之碳的含量以粉末計係爲0.01 至0.3重量％。 在氧化鈽粒子表面及最多約5 nm之深度皆可測得碳酸 φ 根。碳酸根係化學鍵結，且可例如排列成結構a至c。

碳酸根可藉例如XPS/ESCA分析偵測。欲偵測在接近 表面之層中的碳酸根’可以氬離子撞擊削磨某些表面，且 產生之新表面可同樣以XPS/ESCA分析（XPS=X-射線光電 -9- 200948939 子光譜；esca =化學分析用電子光譜）° 鈉含量通常不大於5PPm’且氯含量不大於20ppm。 化學機械拋光中通常僅能耐受少量之所提及元素。 所使用之氧化姉粒子較佳地具有30至i00m2/g之 BET表面積，且更佳地爲40至80m2/g。 在片狀矽酸鹽中，四面體各已經由三個角結合至三個 相鄰之四面體。進行鍵聯以形成二維無限之四面體網絡， 其間舖有八面被0_及（OH)·環繞之陽離子（例如K+、Li+、 Mg2+、Zn2+、Fe2+、Fe3+、Mn2+)的層。該四面體層中， 所有自由之四面體頂點皆指向一個方向。 當一層之四面體結合形成六員環之個別或雙網絡時， 產生六面晶系或擬六面晶系礦物’如雲母家族（白雲母， 黑雲母）、氯泥石系列（斜氯泥石）及高嶺土-蛇紋岩家 族（溫石綿，高嶺土）。相對地，當該層係由四員環組成 時，礦物係爲四方晶系或擬四方晶系（例如魚眼石）。 片狀矽酸鹽包括滑石、雲母族（綠磷石、鈉雲母、白 雲母、金雲母、鐵雲母/黑雲母、鋰白雲母/鋰雲母、珍珠 雲母）、黏土礦（蒙脫石族、氯泥石族、高嶺土族、蛇紋 石族、海泡石、白矽鈣石、水矽釩鈣石、五角石）。 較佳地，本發明分散體包含合成片狀矽酸鹽。此較佳 地選自天然及合成蒙脫石、膨潤土、水輝石、綠土及滑石 〇 存在於本發明分散體中之片狀矽酸鹽粒子較佳地具有 5至100nm範圍之平均直徑。應瞭解片狀矽酸鹽之平均粒 -10- 200948939 徑係表示粒子縱向（即最大展開方向）之直徑。 而且，片狀矽酸鹽粒子之寬高比，即縱向尺寸對厚度 之比例，較佳地大於5且更佳地大於20。 特佳之本發明分散體爲其中片狀矽酸鹽係爲具有以下 組成之合成矽酸鋰鎂：59±2重量％之Si〇2，27±2重量％之 MgO，0.7±0.2 重量％之 Li20，3.0±0.5 重量 ％之 Na20 及 <10重量％之h2o。 0 另一特佳之本發明分散體係其中片狀矽酸鹽係爲基於 蒙脫石而粒徑爲10至200nm且厚度爲1至i〇nm者。此 片狀矽酸鹽之寬高比較佳爲>100。 本發明分散體中，氧化鈽粒子較佳地大於片狀矽酸鹽 粒子之平均粒徑。 本發明分散體之特徵尤其是氧化铈粒子平均粒徑及片 狀矽酸鹽粒子平均粒徑不大於200nm。氧化鈽粒子平均粒 徑較佳係大於片狀矽酸鹽粒子之平均粒徑。尤其，較佳爲 Q 其中氧化铈粒子平均粒徑係爲40至9 Onm且片狀矽酸鹽粒 子者係爲5至15nm之本發明分散體具體實施態樣。 已發現特佳係爲氧化铈粒子表面上及接近表面之層中 包含碳酸根且分散體之pH係爲3.5至<7.5之情況。 本發明分散體可另外包含一或多種以分散體計之總比 例爲〇·〇1至5重量％的胺基羧酸。此等較佳係選自丙胺酸 、4-胺基丁烷甲酸、6-胺基己烷甲酸、12-胺基月桂酸、精 胺酸、天冬胺酸、穀胺酸、甘胺酸、甘胺醯基甘胺酸、離 胺酸及脯胺酸。特佳爲穀胺酸及脯胺酸。 -11 - 200948939 胺基酸或其鹽於分散體中之比例較佳地爲0.1至0.6 重量％。 本發明分散體之液相係包含水、有機溶劑及水與有機 溶劑之混合物。通常，含量>90重量％之液相的主要組份 係爲水。 此外，本發明分散體亦可包含酸類、鹼類、鹽類。該 pH可藉酸或鹼調整。所使用之酸可爲無機酸、有機酸或 前述者之混合物。所使用之無機酸尤其可爲磷酸、亞磷酸 、硝酸、硫酸、其混合物及其酸性鹽。所用之有機酸較佳 係通式CnH2n+1C02H之羧酸，其中n = 0-6或n = 8、10、12 、14、16 或通式 H02C(CH2)nC02H 之二羧酸，其中 n = 0-4 ，或通式 ΐυ2(：(0Η)(：02Η之羥基羧酸，其中 RpH， R2 = CH3，CH2C02H，CH(0H)C02H，或苯二甲酸或水楊酸 ，或前述酸之酸性鹽或前述酸與其鹽之混合物。pH可藉 由添加氨、鹼金屬氫氧化物或胺而增加。 特定應用中，有利者可爲本發明分散體含有0.3至20 重量％之氧化劑。針對此項目的，可能使用過氧化氫、過 氧化氫加合物例如脲加合物、有機過酸、無機過酸、亞胺 基過酸、過硫酸鹽、過硼酸鹽、過碳酸鹽、氧化金屬鹽及 /或前述者之混合物。 因爲某些氧化劑對本發明分散體其他組份之安定性低 ，可能建議在分散體使用之前方才即時添加。 本發明分散體可進一步包含氧化活化劑。適當之氧化 活化劑可爲 Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Ni、Os、Pd 200948939 、Ru、Sn、Ti、V及其混合物的金屬鹽。亦適當者有羧酸 、腈、脲、醯胺及酯。硝酸鐵（II)特佳。氧化觸媒之濃 度可視氧化劑及拋光任務而定地於0.001及2重量％間範 圍內變化。更佳，該範圍可在0.01及0.05重量％之間。 通常存在於本發明分散體中含量爲0.001至2重量％ 之腐蝕抑制劑可爲含氮雜環，諸如苯并三唑、經取代苯并 咪唑、經取代吡嗪、經取代吡唑及其混合物。 φ 本發明進一步提供一種製造本發明分散體之方法，其 中 - 導入粉狀氧化铈粒子且隨之分散至包含片狀矽酸 鹽粒子之預分散體內或 - 結合包含氧化鈽粒子之預分散體及包含片狀矽酸 鹽粒子之預分散體且隨之分散，之後 - 視情況添加一或多種固體、液體或溶解形式之胺 基酸且之後 φ - 視情況添加氧化劑、氧化觸媒及/或腐蝕抑制劑 〇 適當之分散單元尤其是帶來至少200kJ/m3能量輸入 者。此等單元包括藉轉子-定子原理操作之系統，例如 Ultra-Turrax機，或攪拌球磨機。周轉式捏和機/混合器可 有較高能量輸入。然而，此系統之效率結合經處理混合物 之充分高黏度，以導入分開粒子所需之高剪切能量。 使用高壓均質器以經由噴嘴將處於高壓下之兩個預分 散之懸浮物流解壓。該兩分散體射流彼此遭遇且粒子彼此 -13- 200948939 硏磨。另一具體實施態樣中，預分散體亦置於高壓下，但 粒子係撞擊於護面牆區。視需要重複操作頻率，以得到較 小粒度。 而且，能量輸入亦可藉由超音波進行。 分散及硏磨裝置亦可組合使用。氧化劑及添加劑可在 不同時間供應至分散體。可能亦佳係例如在分散結束之前 不納入氧化劑及氧化活化劑，若適當，則在低能量輸入下 〇 所使用片狀矽酸鹽粒子之f電位較佳係於3.5至7.4 之 pH 下-10 至-100mV。 所使用氧化铈粒子之f電位較佳係於3_5至7.4之PH 下0至60mV。 本發明進一步提供本發明分散體拋光介電表面的用途 〇 STI-CMP之感測器中（STI =淺渠溝隔離，CMP =化學 機械拋光），本發明分散體造成高Si02:Si3N4選擇性。 此意指藉分散體達成之Si02移除遠大於藉相同漿液達成 之Si3N4移除。本發明分散體藉由其pH爲3.5至<7.5而 達到此效果。於此等pH値下，Si3N4成爲Si02之水解最 少或不存在。於此等pH値下低値之Si02移除可藉由有機 添加劑諸如胺基酸而再次增加。 【實施方式】 實施例 -14- 200948939 分析 比表面積係依D IN 6 6 1 3 1測定。 表面性質係藉大面積（lcm2 ) XPS/ESCA分析（ XPS = X-射線光電子光譜；ESCA =用於化學分析之電子光譜 )測定。基於根據 National Physical Laboratory, Teddington，U.K.之 DIN Technical Report Νο·39, DMA ( A )97之一般建議，及當曾有關“Surface and Micro Range Analyses”工作委員會NMP816 ( DIN )之伴同發展標準化 ❹ 的發現’進行評估。此外，將各情況下來自技術文獻的對 照光譜列入考慮。數値係考慮各情況下記載之電子能階的 相對靈敏度因素以背景扣除方式計算。數據係以面積百分 比表示。於+/-5%相對値估計精密度。 f電位係於3至12之pH範圍內藉電動聲音振幅（ ESA)測定。爲此目的，製備包含1%氧化鈽之懸浮液。分 散係以超音波探針（400W )進行。懸浮液以磁性攪拌器 ❿ 攪拌且藉蠕動泵栗經Matec ESA-8000儀器之PPL-80感測 器。自起始pH，開始以5M NaOH電位滴定至pH 12。以 5M HN〇3反滴定至pH 4。藉pcava 5.94版儀器軟體進行 評估。 «- ESA-η ζ =--- φΆρ·ο·\Θ{ά)\ε·& 其中ς係爲f電位，Φ係爲體積分率，Δρ係爲粒子與液 體間之密度差，C爲懸浮液中之音速，η係爲液體黏度，ε -15- 200948939 係爲懸浮液之介電常數，|G ( oc ) I係爲慣性之校正。 平均聚集體直徑係以Horiba LB-500粒度分析器測定 原料 用以製備分散體之原料係爲如DE-A- 1 02005 03 8 1 3 6實 施例2所述之熱解氧化铈。亦使用Stid-Chemie之合成片 狀砂酸鹽粒子 Optigel® SH 及 Southern Clay· Products 之 Lap〇nite®D。此等物質之重要物化參數係記載於表1。 表1 :原料 BET f電位 粒子直@a) 粒子厚度 m2/g mV nm nm 1 氧化铈 60 35 (7.4) 65 2 Optigel® SH -27 (7.4) 100 約1 3 Laponite® D -58 (9.5) 10 約1 a )測定之Horiba LB-5 00粒度分析器 晶圓/墊： 二氧化砍（ 200mm，層厚1 OOOnm，熱氧化物，得自 SiMat)及氮化砂（ 200mm，層厚 160nm，LPCVD，得自 SiMat) 。Rodel IC 1 000-A3 墊。 分散體之製備 D1:分散體係藉由將氧化铈粉末添加至水，藉以超音 波指（得自 Bandelin UW2200/DH13G，8 階，100%; 5 分 鐘）超音波處理而分散製得。之後，以氨水將pH調至7.0 200948939 D2a及D3a:藉由混合由氧化鈽及水組成之預分散體 與由片狀矽酸鹽及水組成之預分散體，藉超音波指（來自 Bandelin UW2200/DH13G > 8 階，100% ; 5 分鐘）超音波 處理分散，之後添加穀胺酸（若爲分散體D2b及D3b )並 將pH調至7.0而製得分散體。表2顯示形成之分散體的 重要參數。各情況下之下標c係表示對照例。表3顯示補 充分散體後之拋光削磨及選擇性。 與僅含氧化鈽之分散體D1比較下，本發明分散體具 有同等之二氧化矽及氮化矽移除性，但表面上刮痕數目大 幅減少。 晶圓及墊上之拋光殘留物評估 目測評估拋光殘留物（亦藉最多達64倍放大倍率範 圍內之光學顯微鏡）。 爲達此目的，於拋光後直接分析分散體D1 (對照例 )及D2與D3 (本發明）之粒度： - D 1不安定且於數分鐘後早期沉降。所測得之粒 度遠大於一微米。 - 本發明分散體相對地於拋光後仍安定。此意指在 此等分散體中不形成聚集物。所拋光之晶圓亦展 現相當低水準之殘留物。 添加帶負電荷之片狀矽酸鹽粒子（尤其是胺基酸存在 下），藉由降低拋光殘留物之比例而正向地影響包含氧化 -17- 200948939 铈之分散體的拋光品質。 一種可能之機制包含藉由帶負電之片狀矽酸鹽粒子向 外篩帶正電之氧化鈽粒子，確定氧化姉粒子之電荷有效地 變號。此種電荷變號之結果，本發明分散體尤其提供於接 近純氧化姉IEP之pH値下拋光的可能性。因爲交互作用 爲靜電交互作用，故片狀矽酸鹽粒子可在拋光操作期間剪 切移除’使得保持氧化鈽之拋光作用。所有粒子於整個拋 光操作期間始終向外帶負電之結果，大幅減少聚集物之形 成°長期分析顯示即使是長週期亦保持安定性及抛光性質 表2 :分散體 分散體 D1 D2a D3a D2b D3b 氧化鈽 重量％ 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 片狀矽酸鹽 # - 3 4 3 4 重量％ 0 0.1 0.07 0.1 0.07 胺基酸 - • - Glu Glu 重量％ 0 0 0 0.1 0.1 pH 7.0 7.0 7.0 7.0 7.0 f電位 mV 42 -12 -11 -18 -15 粒子直徑 nm 60 87 72 102 102 *對粒子數加權；**Glu =縠胺酸 -18- 200948939 表3 .抛光結果 分散體 Dlc D2a D3a D2b D3b RRSi02 nm/min 275 190 225 245 237 RR Si3N4 nxn/min 72 76 88 87 44

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Claims (1)

1. 200948939 十、申請專利範圍 1. 一種包含氧化铈及片狀矽酸鹽之粒子的分散體， 其中 -片狀矽酸鹽粒子爲負且氧化鈽粒子之f電位爲正或 等於零，且分散體之^電位整體爲負， -平均直徑 •氧化铈粒子不大於200nm •片狀矽酸鹽粒子係小於lOOnm ’ -於各情況下基於分散體總量之比例 •氧化铈粒子係爲〇. 1至5重量％ •片狀矽酸鹽粒子係爲〇.〇1至1〇重量％ 且 -分散體之pH係爲3.5至<7.5。 2. 如申請專利範圍第1項之分散體，其中分散體之 ?電位係爲-10至- l〇〇mV。 3. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中該pH 係爲5 . 5至7.4。 4. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中該氧 化铈之含量以分散體計係爲〇· 1至5重量°/» ° 5. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中該片 狀矽酸鹽之含量以分散體計係爲〇·〇1至10重量％ ° 6. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中該氧 化姉/片狀矽酸鹽重量比係爲: 1至100 : 1。 7. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其中氧化 -20- 200948939 铈粒子及片狀矽酸鹽粒子係分散體中僅存之粒子。 8-如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 化姉粒子之平均粒徑係爲40至9 0nm。 9. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 化铈粒子係以聚集之原始粒子的形式存在。 10. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 化铈粒子於其表面上及接近表面之層中含有碳酸根 φ 11.如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 狀矽酸鹽粒子具有在5至10Onm範圍內之平均直徑 12. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其 狀矽酸鹽粒子之寬高比係大於5且更佳係大於20。 13. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 狀矽酸鹽係爲合成片狀矽酸鹽。 14. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其 狀矽酸鹽係選自天然及合成蒙脫石、膨潤土、水輝 φ 土及滑石。 15. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其 狀矽酸鹽係爲具有以下組成之合成矽酸鋰鎂：59±2 之 Si02，27±2 重量％ 之 MgO’ 0.7±〇.2 重量 ％之 3.0±0.5 重量 ％ 之 Na20 及 <1〇 重量 °/〇 之 h2〇。 16. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其 狀矽酸鹽係爲基於蒙脫石而粒徑爲10至200nm且 1至1 Onm者。 17. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其 中該氧 中該氧 中該氧 〇 中該片 0 中該片 中該片 中該片 石、綠 中該片 重量％ Li20， 中該片 厚度爲 中該氧 -21 - 200948939 化铈粒子之平均粒徑係大於片狀矽酸鹽粒子之平均粒徑。 18. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中該氧 化姉粒子之平均粒徑係爲40至90nm ’且該片狀矽酸鹽粒 子之平均粒徑係爲5至15nm。 19. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其進一步 包含〇.〇1至5重量％之一或多種胺基羧酸及/或其鹽類。 20. 如申請專利範圍第19項之分散體，其中該胺基 羧酸係選自丙胺酸、4-胺基丁烷甲酸、6-胺基己烷甲酸、 12-胺基月桂酸、精胺酸、天冬胺酸、穀胺酸、甘胺酸、 甘胺醯基甘胺酸、離胺酸及脯胺酸。 21. 如申請專利範圍第19項之分散體，其中該胺基 酸或其鹽係以0.1至0.6重量％之比例存在於分散體中。 22. 如申請專利範圍第1或2項之分散體’其中水係 該分散體之液相的主要組分。 23. 如申請專利範圍第1或2項之分散體，其包含酸 類、鹼類、鹽類、氧化劑類、氧化觸媒類及/或腐蝕抑制 負 劑類。 24. —種製造如申請專利範圍第1至23項之分散體 的方法，其包含 - 將粉狀氧化铈粒子導入且隨之分散至包含片狀矽 酸鹽粒子之預分散體內，或 - 將包含氧化鈽粒子之預分散體及包含片狀矽酸鹽 粒子之預分散體結合且隨之分散，之後 - 視情況添加一或多種固體、液體或溶解形式之胺 -22- 200948939 基酸，且之後 - 視情況添加氧化劑、氧化觸媒及/或腐蝕抑制劑 〇 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該片狀矽 酸鹽粒子之f電位於3.5至<7.5之pH下爲-10至-100mV 〇 26. 如申請專利範圍第24或25項之方法，其中該氧 化姉粒子之f電位於3.5至<7.5之pH下爲0至60mV。 27_ —種如申請專利範圍第1至23項之分散體的用途 ，其係用於拋光介電表面。 -23- 200948939 七、指定代表圖： (一） 、本案指定代表圖為：無 (二） 、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無