CN102802875A - 包含氧化铈和二氧化硅的分散体 - Google Patents

Abstract

包含氧化铈和二氧化硅的含水分散体，该分散体可通过以下过程获得：首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s^-1至30000s^-1剪切速率下分散，其中a)所述氧化铈起始分散体含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，并且pH为1至7，且b)所述二氧化硅起始分散体含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，并且pH为6至11.5，c)条件是所述氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的Z电位为负。

Description

包含氧化铈和二氧化硅的分散体

本发明涉及包含氧化铈和胶体二氧化硅的分散体的制备以及分散体本身。

已知氧化铈分散体可用于抛光玻璃表面、金属表面和电介质表面，用于粗抛光(高材料去除率、不规则外形、刮擦)和精抛光(低材料去除率、光滑表面、很少刮擦，如果有的话)。经常发现的一个缺点是，氧化铈颗粒和待抛光的表面带有不同的电荷，因而彼此吸引。因此，难以再从抛光表面上去除氧化铈颗粒。

US 7112123公开了用于抛光玻璃表面、金属表面和电介质表面的分散体，所述分散体包含0.1重量％至50重量％氧化铈颗粒和0.1重量％至10重量％粘土磨粒作为研磨剂，90％的所述粘土磨粒具有10nm至10μm的粒径，并且90％的所述氧化铈颗粒具有100nm至10μm的粒径。氧化铈颗粒、粘土磨粒和作为待抛光表面的玻璃具有负表面电荷。这种分散体比只基于氧化铈颗粒的分散体可以实现显著更高的材料去除率。然而，这种分散体造成高缺陷率。

US 5891205公开了包含二氧化硅和氧化铈的碱性分散体。氧化铈颗粒的粒度小于或等于二氧化硅颗粒的尺寸。所述分散体中存在的氧化铈颗粒来源于气相过程，不聚集并且粒度小于或等于100nm。根据US 5891205，所述氧化铈颗粒和所述二氧化硅颗粒的存在使去除率大幅度提高。为了达到这个目标，二氧化硅/氧化铈重量比应为7.5∶1至1∶1。优选地，所述二氧化硅的粒度小于50nm，并且所述氧化铈的粒度小于40nm。总之，a)二氧化硅的比例大于氧化铈的比例，并且b)所述二氧化硅颗粒大于所述氧化铈颗粒。与只基于氧化铈颗粒的分散体相比，US 5891205中公开的分散体可以实现显著更高的去除率。然而，这种分散体造成高缺陷率。

US 6491843公开了据说对于SiO₂和Si₃N₄的去除率具有高选择性的含水分散体。这种分散体包含磨粒和有机化合物，所述有机化合物具有羧基和第二个含氯化物或胺的官能团。所述合适的有机化合物为氨基酸。氧化铈氧化铁、氧化镍、氧化锰、二氧化硅、碳化钛氧化钇、氧化锆或者前述化合物的混合物。然而，在实施例中，只有氧化铈被指定为磨粒。

2007年12月22日提交的德国专利申请102007062572.5主张包含氧化铈和胶体二氧化硅的颗粒的分散体的权利，其中所述二氧化硅颗粒的Z电位为负，所述氧化铈颗粒的Z电位为正或等于零，并且所述分散体整体的Z电位为负。此外，所述氧化铈颗粒的平均直径不大于200nm，所述二氧化硅颗粒的平均直径小于100nm，并且氧化铈颗粒的比例为0.1重量％至5重量％，二氧化硅颗粒的比例为0.01重量％至10重量％。所述分散体的pH为3.5至小于7.5。可通过组合包含氧化铈颗粒和二氧化硅颗粒的初步分散体，然后将它们分散以制备所述分散体。在这种情况下，分散条件不重要。所主张的分散体可以使表面以低缺陷率和高选择性被抛光，并且只有少数沉积物或没有沉积物留在抛光表面上。

目前已经出人意料地发现，主要凭借特定的原料和分散条件，可以获得分散体，用所述分散体可以获得进一步改进的抛光结果。更特别地，可以使由如表面颗粒分离后出现的氧化铈颗粒与颗粒之间的静电相互作用引起的颗粒形成减少到最少。此外，所述分散体应在抛光操作过程中保持其稳定性，并且应该避免形成将会在抛光过程中形成缺陷的大颗粒。

因此，本发明首先提供包含氧化铈和二氧化硅的含水分散体，其可通过以下过程获得：首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s^-1至30000s^-1的剪切速率下分散，其中

a)所述氧化铈起始分散体

—含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，

—并且pH为1至7，优选为3至5，并且

b)所述二氧化硅起始分散体

—含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，并且

—pH为6至11.5，优选为8至10，

c)条件是

—所述氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的Z电位为负，优选为-0.1mV至-30mV。

所述分散体可以任选地用水稀释。

剪切速率在本发明中表达为圆周速度除以转子和定子的表面之间的距离的商。可以由转子速度和转子直径计算圆周速度。在本发明的优选实施方案中，剪切速率为12000s^-1至25000s^-1；在特别优选的实施方案中，剪切速率为15000s^-1至20000s^-1。小于10000s^-1或大于30000s^-1的剪切速率导致较差的抛光结果。虽然还没有影响剪切速率的可能机理，但是在抛光过程中，特别地排列带正电荷的较大氧化铈颗粒和带负电荷的较小二氧化硅颗粒是重要的。人们认为，由于静电吸引，所述二氧化硅颗粒在单个氧化铈颗粒周围或氧化铈颗粒聚集体周围排列起来。合适的分散单元可为例如转子-定子机器。

图1A至1D显示使用本发明的分散体抛光带负电荷的SiO₂表面的操作中的一种可能机理，所述SiO₂表面本身构成硅层表面。在图1A至1D中，氧化铈颗粒用带正电荷的大圆表示。二氧化硅颗粒用带负电荷的较小圆表示。与待抛光的表面分离的颗粒用带负电荷的椭圆表示。

图1A描述了抛光操作开始前的情况。该图显示了由静电吸引形成的被二氧化硅颗粒包围的氧化铈颗粒的排列。

图1B显示了在抛光条件下，从氧化铈颗粒中去除二氧化硅颗粒，并且用来自待抛光的表面的二氧化硅颗粒代替。

图1C显示了连续的抛光操作。这里，起初包围氧化铈颗粒的胶体二氧化硅颗粒存在于所述分散体中，而分离的二氧化硅颗粒与氧化铈颗粒静电结合。

图1D显示了被带负电荷的胶体二氧化硅颗粒包围的新到达的氧化铈颗粒与承载来自抛光表面的二氧化硅颗粒的氧化铈颗粒之间的相互作用。箭头显示抛光前后颗粒之间的静电排斥，以及抛光前后待抛光的表面与颗粒之间的静电排斥。

基于起始分散体，所述起始分散体中氧化铈含量优选为0.5重量％至15重量％，更优选为1重量％至10重量％。

基于起始分散体，所述起始分散体中胶体二氧化硅含量优选为0.25重量％至15重量％，更优选为0.5重量％至5重量％。

本发明的分散体中氧化铈/二氧化硅重量比优选为1.1∶1至100∶1。特别优选地，氧化铈/二氧化硅重量比为1.25∶1至5∶1。

此外，优选地，在本发明的分散体中，除了氧化铈颗粒和胶体二氧化硅颗粒外，不存在其他颗粒。

所用的氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀不超过10nm至100nm。优选在40nm至90nm的范围。氧化铈颗粒可以以分离的单个颗粒形式使用，或以聚集的一次颗粒(primary particle)的形式使用。优选使用聚集的或大部分聚集的氧化铈颗粒。

已经发现，特别合适的氧化铈颗粒是那些在其表面上和接近表面的层中含有碳酸根基团的氧化铈颗粒，尤其是如DE-A-102005038136中公开的那些氧化铈颗粒。这些氧化铈颗粒

—BET表面积为25m²/g至150m²/g，

—一次颗粒的平均直径为5nm至50nm，

—接近表面的一次颗粒层的深度大约为5nm，

—在接近表面的层中，碳酸根浓度从碳酸根浓度最高的表面开始向内部减少，

—在表面上来源于碳酸根基团的碳含量为5至50面积百分比，并且在接近表面、深度大约为5nm的层中碳含量为0至30面积百分比，

—以CeO₂计并且基于粉末，氧化铈含量至少为99.5重量％，并且

—基于粉末，包括有机和无机碳的碳含量为0.01重量％至3重量％。

可以在氧化铈颗粒的表面和不超过大约5nm的深度处检测到碳酸根基团。所述碳酸根基团化学键合，并且可以例如排列在如结构a-c中。

可利用如XPS/ESCA分析检测所述碳酸根基团。为了检测接近表面的层中的碳酸根基团，可以通过氩离子轰击除去部分表面，并且同样地，可以用XPS/ESCA(XPS＝X射线光电子能谱法(X-ray PhotoelectronSpectroscopy)；ESCA＝化学分析电子光谱法(Electron Spectroscopy forChemical Analysis))分析生成的新表面。

通常，钠含量不大于5ppm，并且氯含量不大于20ppm。在化学-机械抛光中，通常只可容许少量的所述元素。

所用的氧化铈颗粒的BET表面积优选为30m²/g至100m²/g，更优选为40m²/g至80m²/g。

所用的胶体二氧化硅颗粒的粒度分布d₅₀为3nm至50nm。该范围可为5nm至30nm，更优选为5nm至15nm。胶体二氧化硅颗粒的BET表面积优选为50m²/g至900m²/g，更优选为200m²/g至450m²/g。胶体二氧化硅颗粒理解为指那些以彼此不交联的单个颗粒形式存在并且在表面上具有羟基的二氧化硅颗粒。二氧化硅优选为无定形二氧化硅。

本发明的分散体的液相包含水、有机溶剂以及水和有机溶剂的混合物。通常，比例大于液相重量的90％的主要组分为水。

用于制备本发明分散体的起始分散体可以包含酸或碱。可以向本发明的分散体中加入酸或碱以调节pH。

更特别的是，通过加入一种或多种酸而将分散体的pH值调节为5.5至6.5的值，这可能是有利的。在分散步骤后，在搅拌的同时调节pH。

更特别的是，分散后将分散体的pH调节为5.5至7或3至5，这可能是有利的。

所用的酸可以为无机酸、有机酸或上述酸的混合物。所用的无机酸可以特别为磷酸、亚磷酸(phosphorus acid)、硝酸、硫酸、它们的混合物及它们的酸性盐。优选地，可用的有机酸包括通式为C_nH_2n+1CO₂H的羧酸(其中n＝0-6或n＝8、10、12、14、16)，或者通式为HO₂C(CH₂)_nCO₂H的二羧酸(其中n＝0-4)，或者通式为R₁R₂C(OH)CO₂H的羟基羧酸(其中R₁＝H，R₂＝CH₃、CH₂CO₂H、CH(OH)CO₂H)，或者邻苯二甲酸或水杨酸，或者上述酸的酸性盐或上述酸及其盐的混合物。优选使用硝酸、盐酸、乙酸或甲酸。

可通过加入氨、碱金属氢氧化物或胺类提高pH。

本发明的分散体可进一步包含一种或多种含量总计为0.01重量％至5重量％(基于所述分散体)的氨基羧酸。优选地，所述氨基羧酸选自丙氨酸、4-氨基丁烷羧酸、6-氨基己烷羧酸、12-氨基十二烷酸、精氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、甘氨酸、双甘氨肽、赖氨酸和脯氨酸。特别优选为谷氨酸或脯氨酸。优选地，所述分散体中氨基酸或其盐的含量可以为0.1重量％至0.6重量％。

在具体应用中，当本发明的分散体含有0.3-20重量％氧化剂时，这可能是有利的。为此，可以使用过氧化氢、过氧化氢加成物如尿素加成物、有机过酸、无机过酸、亚氨基过酸、过硫酸盐、过硼酸盐、过碳酸盐、氧化金属盐和/或上述的混合物。由于一些氧化剂降低本发明分散体的其他组分的稳定性，所以适当地，直到使用所述分散体前才将所述氧化剂加入。本发明的分散体可以进一步包含氧化活化剂。合适的氧化活化剂可以为Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti、V的金属盐及其混合物。羧酸、腈类、尿素、酰胺类和酯类也是合适的。特别优选硝酸亚铁(II)。取决于氧化剂和抛光任务，氧化催化剂的浓度可在0.001重量％和2重量％的范围内变化。更优选地，该范围可在0.01重量％和0.05重量％。通常存在于本发明的分散体中含量为0.001重量％至2重量％的腐蚀抑制剂可以为含氮杂环化合物，例如苯并三唑、取代的苯并咪唑、取代的吡嗪、取代的吡唑及其混合物。

本发明进一步提供制备所述分散体的方法，首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s^-1至30000s^-1的剪切速率下分散，其中

a)所述氧化铈起始分散体

—含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，

—并且pH为1至7，和

b)所述二氧化硅起始分散体

—含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，并且

—pH为6至11.5，

c)条件是

—所述氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的Z电位为负。

本发明进一步提供一种分散体，其包含被胶体二氧化硅颗粒包覆或部分包覆的氧化铈颗粒，其中二氧化硅颗粒和氧化铈颗粒通过静电相互作用相互结合，并且其中

—氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，并且二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，

—条件是

—氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述分散体的Z电位为负。

已经发现，用于抛光二氧化硅层的特别合适的分散体是下述的分散体，其中

a)氧化铈颗粒的含量为0.5重量％至10重量％，优选为1重量％至5重量％

b)氧化铈与二氧化硅的重量比为1.25至5，优选为1.5至3，更优选为1.8至2.5，并且

c)pH为5.5至7，优选为6至7。

因而，本发明也提供了一种方法，其中使用包含所述分散体的抛光分散体抛光硅(优选多晶硅)基底上的二氧化硅层。所述抛光分散体的使用获得至少50，优选至少1000的二氧化硅/硅去除率的比例。

此外，已经发现，在用于抛光具有不同形貌的二氧化硅层的特别合适的分散体中，

a)氧化铈颗粒的含量为0.5重量％至10重量％，优选为1重量％至5重量％，

b)氧化铈与二氧化硅的重量比为1.25至5，优选为1.5至3，更优选为1.8至2.5，并且

c)pH为3至5，优选为3.5至4.5。

因而，本发明也提供了一种方法，其中使用包含所述分散体的抛光分散体抛光具有不同形貌的二氧化硅层。这意味着在抛光过程中，所述分散体优先去除凸起(elevation)和结构(“阶高去除率(step height removal rate)”)。因此，在使用本发明分散体的情况中，凸起/基底去除率的比例至少为1.5∶1，优选为1.5∶1至5∶1。

实施例

分析

在3-12的pH范围内，利用电动声波振幅(ESA)测定Z电位。为此，制备包含1％氧化铈的悬浮液。利用超声波探头(400W)进行分散。用磁搅拌器搅拌所述悬浮液，并且用蠕动泵通过Matec ESA-8000仪器的PPL-80传感器泵送所述悬浮液。从起始pH开始，用5M NaOH电位滴定直到pH 12。用5M HNO₃进行反滴定至pH 4。利用仪器软件版本pcava 5.94进行评价。

$\mathrm{\ζ}=\frac{\mathrm{ESA}\·\mathrm{\η}}{\mathrm{\φ}\·\mathrm{\Δ\ρ}\·c\·\left|G\left(\mathrm{\α}\right)\right|\·\mathrm{\ϵ}\·\mathrm{\ϵr}}$

其中ζ＝Z电位，φ＝体积分数，Δρ＝颗粒和液体之间的密度差，c＝悬浮液中声音的速度，η＝液体粘度，ε＝悬浮液的介电常数，|G(α)|＝惯性修正。

可以用本领域技术人员已知的合适方法测定粒度。例如，可通过动态光散射或TEM图像的统计评价进行所述测定。

原料

氧化铈起始分散体的制备：首先，将35kg软化水和1kg硝酸(pH 1.5)装入Conti TDS 3转子-定子机器的贮藏容器中，并且按份吸取大约10kg根据DE-A-102005038136的实施例2制备的氧化铈。在加入多份后加入硝酸而将pH值调节至3.5和2.5之间的值。在20000s^-1剪切速率下分散30分钟，在分散过程中再加入2kg软化水。在分散结束时，确立pH为2.6。

随后通过高压研磨(Sugino)在250MPa下将这种分散体研磨两次。研磨后即刻pH为2.85。

用Horiba LB-500测定的粒度分布的d₅₀为75nm，d₉₀为122nm，并且d₉₉为171nm。氧化铈含量为42重量％。

所述氧化铈起始分散体通过用软化水稀释至氧化铈含量为4重量％而获得。所述起始分散体的Z电位为55mV。

所用的胶体二氧化硅起始分散体是来自Nyacol、二氧化硅含量为15重量％的NexSil

5，所述胶体二氧化硅分散体用水稀释至二氧化硅含量为4重量％。粒度分布的d₅₀为6nm，BET表面积为450m²/g。所述二氧化硅起始分散体的Z电位为-28mV。

本发明分散体的制备

分散体1：首先，将26kg用软化水稀释至4重量％氧化铈的所述氧化铈起始分散体和12.5kg软化水装入Ystral Conti TDS 3的贮藏容器中。在8000s^-1剪切速率下，将13kg预先用软化水从二氧化硅含量15重量％稀释至4重量％的NexSil 5分散体作为所述二氧化硅起始分散体快速加入。确立pH为9.7。随后在20分钟的时间内将混合物在15700s^-1剪切速率下分散。接着，在相同的分散条件下，加入420g百分之三硝酸，以确立pH为大约6.3。然后用软化水将混合物调至总重量52kg。

分散体1的氧化铈含量为2重量％，胶体二氧化硅含量为1重量％。用Horiba LB-500测定的粒度分布的d₅₀为155nm，d₉₀为240nm，并且d₉₉为322nm。所述分散体1的Z电位为-8mV。

分散体2：如分散体1一样，区别在于不是加入420g百分之三硝酸，而是加入580g百分之三硝酸，以确立pH为4.1。粒度分布与分散体1的粒度分布相同。

图2显示存在于本发明的分散体中包围二氧化硅颗粒的氧化铈颗粒核的高分辨率TEM图像。

抛光试验条件

通过以因子2稀释而将以上本发明的分散体1转换成pH恒定为6.3的“随时可用的”浆液。在示例性抛光试验中，在浆液流速为200ml/min的Strasbaugh 6EC抛光机上抛光8“PETEOS晶片。所用的衬垫是Rohm&Haas IC1000-XY-K-grooved。在3.5psi的压力以及衬垫和卡盘转速分别为95 1/s和85 1/s时，发现去除率为350nm/min。在9lbs下实现原位调节(conditioning)。

图3显示抛光前后所述分散体中大颗粒数(LPC，每毫升分散体的数目)与其尺寸(μm)的关系。

本发明的分散体表示为◇。此外，显示了另外两个抛光试验的结果，其中仅使用氧化铈颗粒。空心符号表示抛光操作前的LPC，实心符号表示抛光操作后的LPC。

此外，本发明的分散体1用于进行抛光试验，以测定比较二氧化硅与多晶硅的去除率。所用的比较为仅包含相同浓度的氧化铈颗粒的比较分散体，而不是根据本发明的氧化铈/二氧化硅颗粒。

表1：去除率[埃/分钟]

表1的值显示本发明分散体的高SiO₂/Si选择性。

图4A、4B、5A和5B显示在使用本发明分散体2的情况中，抛光SiO₂基底上的SiO₂凸起的结果(“阶高减少(step height reduction)”)。扫描宽度(μm)绘制在图4A和5A的x轴上，并且在抛光时间为60s、120s和180s的情况下，将凸起高度(μm)绘制在y轴上。同样地，图4B和5B的x轴显示扫描宽度(μm)，而y轴显示在抛光时间为60s、120s和180s的情况下，平面基底的截面高度。这显示了在“阶高减少”中，使用本发明的分散体可以实现高效率。抛光条件为：

下压力(DF)：4.2psi

浆液流(SF)：100ml/min

压盘速度(Platen Speed)(PS)：50rpm

载体速度(CS)：91rpm

衬垫：IC 1000perf.k-grv.

Claims (14)

1.含水分散体，其包含氧化铈和二氧化硅，该分散体可通过以下过程获得：首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s^-1至30000s^-1的剪切速率下分散，其中

a)所述氧化铈起始分散体

—含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，

—并且pH为1至7，且

b)所述二氧化硅起始分散体

—含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，并且

—pH为6至11.5，

c)条件是

—所述氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的ZZ电位为负。

2.根据权利要求1所述的分散体，其特征在于所述剪切速率为12000s^-1至20000s^-1。

3.根据权利要求1或2所述的分散体，其特征在于基于所述起始分散体，氧化铈含量为0.5重量％至15重量％。

4.根据权利要求1至3之一所述的分散体，其特征在于基于所述起始分散体，胶体二氧化硅含量为0.25重量％至15重量％。

5.根据权利要求1至4之一所述的分散体，其特征在于氧化铈与二氧化硅的重量比为1.1∶1至100∶1。

6.根据权利要求1至5之一所述的分散体，其特征在于利用搅拌而分散后，用硝酸、盐酸、乙酸或甲酸使所述分散体的pH为5.5至6.5。

7.根据权利要求1至5之一所述的分散体，其特征在于分散后，将所述分散体的pH调节为5.5至7。

8.根据权利要求1至5之一所述的分散体，其特征在于分散后，将所述分散体的pH调节为3至5。

9.制备根据权利要求1至8之一所述的分散体的方法，其首先在搅拌的同时混合氧化铈起始分散体和二氧化硅起始分散体，然后在10000s^-1至30000s^-1的剪切速率下分散，其中

a)所述氧化铈起始分散体

—含有0.5重量％至30重量％氧化铈颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，

—并且pH为1至7，和

b)所述二氧化硅起始分散体

—含有0.1重量％至30重量％胶体二氧化硅颗粒作为固相，

—粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，并且

—pH为6至11.5，

c)条件是

—所述氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于所述二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述氧化铈起始分散体的量使所述分散体的Z电位为负。

10.包含被胶体二氧化硅颗粒包覆或部分包覆的氧化铈颗粒的分散体，其中二氧化硅颗粒和氧化铈颗粒通过静电相互作用彼此结合，并且其中

—氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀为10nm至100nm，二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀为3nm至50nm，

—条件是

—氧化铈颗粒的粒度分布的d₅₀大于二氧化硅颗粒的粒度分布的d₅₀，

—氧化铈/二氧化硅重量比大于1，并且

—所述分散体的Z电位为负。

11.根据权利要求10所述的分散体，其特征在于

a)氧化铈颗粒的含量为0.5重量％至10重量％，

b)氧化铈与二氧化硅的重量比为1.25至5，并且

c)pH为5.5至7。

12.利用包含根据权利要求11所述的分散体的抛光分散体抛光硅基底上二氧化硅层的方法。

13.根据权利要求10所述的分散体，其特征在于

a)氧化铈颗粒的含量为0.5重量％至10重量％，

b)氧化铈与二氧化硅的重量比为1.25至5，并且

c)pH为3至5。

14.利用包括根据权利要求13所述的分散体的抛光分散体抛光具有不同形貌的二氧化硅层的方法。

Images