200947292 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種座標偵測裝置。 【先前技術】 例如，已使用觸控面板作為用於電腦系統的輸入裝置。 安裝於-顯示器上的—觸控面板可在該顯示器幻貞測座標 位置並獲得龍於該等座標位置的偵測信號。觸控面板允 許資料之直接、容易且直觀輸入。 已提出各種類型的觸控面板’諸如電阻型'光學型及電 各麵合型觸控面板。主要使用I古 ^ Ώ. ^ 受仗用具有一簡早結構及控制系統 的電阻式觸控面板。作氧雷斗、細h , ^邗马^阻式觸控面板，取決於在一電 阻膜之上的電極之.__ g? W 1 电徑I配置，存在四導線型、五導線型、八 導線型觸控面板等。 π在該些導線型觸控面板中，在該五導線型觸控面板中， 又於操作表面側上的—頂部基板之—導電膜僅不過用於 讀取電位，此係不同於該四導線型與八導線型電阻式觸控 面板。因@ ’該五導線型觸控面板不具有邊緣滑動的一問 題’此係該四導線型與八導線型觸控面板之一缺陷。因 此’該五導線型觸控面板已用於在—嚴苛使用環境中或在 一較長時間上需求耐久度之市場中。 圖12係五導線型電阻式觸控面板之一組態圖。五導線型 電阻式觸控面W係由一頂部基油與一底部基板12所形 成作為底。p基板12，-透明電阻膜22係形成於一玻璃基 板21之整個表面之上。在透明電阻膜u之上，形成X軸座 139770.doc 200947292 才不偵測电極23及24與Y轴座標偵測座標25及26。作為頂部 基板11，一透明電阻膜32係形成於一膜基板31之上。一座 標偵測電極33係形成於透明電阻膜32之上。 首先，藉由將一電壓施加至χ軸座標偵測電極23及24， -在底部基板12之透明電阻膜22之乂軸之一方向上產生一電 <刀佈此k ’藉由偵測底部基板12之透明電阻膜22之一 電位，可偵測底部基板丨2與頂部基板丨〗之一接觸位置之一 φ ^接下來，藉由將一電壓施加至Y軸座標偵測電極 25及26，在底部基板12之透明電阻膜22中在Y軸之一方向 上產生一電位分佈。此時，藉由偵測底部基板12之透明電 阻膜22之一電位，可偵測底部基板12與頂部基板Π之一接 觸位置之一 Y座標。 在此情況下，在此一類型的觸控面板中，存在如何在底 部基板12之透明電阻膜22中產生一均勻電位分佈的一問 題。為了在底部基板12之透明電阻膜22中產生均勻電位分 Φ 佈，在專利文件1中揭示一種在一周邊中提供複數級電位 分佈校正圖案之方法。 - 另外，專利文件2揭示一種用以提供一共同電極以便環 繞一輸入表面之一周邊的方法。專利文件3揭示一種用以 在設於-透明電阻膜之上的一絕緣膜中形成一開口並透過 該開口來施加一電位的方法。 專利文件1 :曰本專利申請公開案第1〇_83251號 專利文件2 ··曰本專利申請公開案第2〇〇1_125724號 專利文件3 .日本專利申請公開案第2〇〇7_259〇4號 139770.doc 200947292 回應於座標輸入裝置所安裝 箄庙俨# 吓女展至之裝置之縮小等以要求該 等座標輸入裝置在框架大小中更 秋 -更窄框架來形成專 :、，難以採用 又件1中所揭不之座標輸入裝置， …而—周邊中提供複數級電位分佈圖案。 極二.如專利文件2中所揭示，藉由用以提供-共同電 哀、，堯-輪入表面之一周邊的方法， 為除非在該透明電阻膜與-圖案電阻之間的一： t '曰加，否則一透明電阻膜之電位分佈變得不均句。 而且，如專利文件3中所描干，康其1 # 提供&可精由在—形成絕 ’、 法來解決前述兩個問題，但在此情 況下’―製程變得複雜。特定言之，—直存在— 即在製程中所造成的材料及 二：況 所需產品性質之-良率的—因素值之變動變成用以減少一 【發明内容】 更根據以上狀況來製成並可提供-種能夠採用-褒:框架來形成並改良座標位置之一摘測精度的座標侧 膜依= 月之―態樣，一種座㈣測裝置包括：一電阻 該電阻膜/於一基板之上；及一共同電極，其係形成於 膜^之上，該共同電極係用於將一電壓施加至該電阻 ^^座標摘測裝置係經配置為藉由將該電壓從該共同電 電阻膜而在該電阻膜中產生一電位分佈並經配 為藉由偵測該電阻膜之一接觸位置之一 阻膜之該接觸位置之-座標。該基板係由一方形=: 139770.doc 200947292 ^缘體所形成。該共同電極係、沿該基板之—邊緣部分而形 成。在該共同電極之下的電阻膜具有其中該電阻膜不存在 的一或多個電阻膜缺少區域。[吾咸信，將該些稱為「無 電阻膜區域」而不是「電阻膜缺少區域」會遠更佳，厂· - 阻膜缺少區域」係一累贅短語且似乎略微錯誤說明，因: ‘ 該等區域本身確實存在。]其中該電阻膜不存在的一 L狀電 阻膜缺少區域係設於該基板之方形形狀之一或多個邊角令 且係在該共同電極之一你丨/, t ^ 电裡《側上，该側與該基板之中心所在之 一側為同一側。 依據本發明之另-態樣，—種座標偵測裝置包括一電阻 膜，其係形成於-基板之上；及一共同電極，其係形成於 “電阻膜之上，該共同電極係用於將_錢施加至該電阻 膜。該座標该測裝置係經配置為藉由將該電壓從該共同電 極施加至該電阻膜而在該電阻膜中產生一電位分佈並經配 置為藉由债測該電阻膜之一接觸位置之一電位而㈣該電 Ο 賴之該接觸位置之—座標。該基板係由—方形形狀之一 絕緣體所形成。該共同電極係沿該基板之—邊緣部分而形 - 《。其中該電阻膜不存在的―第—電阻膜缺少區域係相鄰 • ▲於該共同電極而設置且係在該共同電極之-側上，該側與 該基板之中心所在之側為同一側。在該共同電極與該第」 電阻膜缺少區域之相鄰側之間的一空間係〇亳米至5毫米。 一L狀第二電阻膜缺少區域係設於該基板之方形形狀之一 或多個邊角中且係在該共同電極之—側上，該側與該基板 之中心所在之側為同一側。 139770.doc 200947292 【實施方式】 接下來以下說明本發明之較佳具體實施例。 [第一具體實施例] 說明本發明之_笛_ m μα ^ 弟一具體貫施例。此具體實施例係關於 一種座標偵測裝置。 (系統組態） 圖1顯示此具體實施例之座標彳貞測裝置之一系統組態。 在此具體實施例中，作為一座標輸入系統丄〇〇來說明所謂 的五導線型類比電阻式觸控面板。此具體實施例之座標輸 入系統100係由一面板單元lu與一介面板112所形成。 面板單元111包括一底部基板121、一頂部基板122、一 間隔物123及一 FPC電纜124。底部基板121與頂部基板122 係黏附在一起，具有間隔物123插入於其間。由一絕緣雙 面膠帶等所形成的間隔物123黏附底部基板121與頂部基板 122 ’同時在底部基板121與頂部基板122之間提供一預定 空間。另外，FPC電纜124係由形成於一撓性印刷基板之上 的第一至第五導線所形成。FPC電纜124係藉由（例如）藉由 熱壓縮接合一各向異性導電膜等來連接至底部基板121 ^ (底部基板121) 接下來，參考圖2A至2E來說明底部基板121之一組態。 圖2A係底部基板12 1之一平面圖，圖2B係沿圖2 A中線A至 A所截取的一斷面圖，圖2C係沿圖2A中線B至B所截取的 一斷面圖，圖2D係沿圖2A中線C至C所截取的一斷面圖， 且圖2E係沿圖2A令線D至D所截取的一斷面圖。 139770.doc 200947292 j部基板121係由一玻璃基板131、一透明電阻膜⑴、 %阻膜缺）區域133、-共同電極134、-第-絕緣膜 135、導線136及—第二絕緣膜137所形成。透明電阻膜132 係形成於玻璃基板之—幾乎整個表面之上。心電㈣ 13 2係藉由諸如真空氣相沈籍 士 4丄/ 轧相沈積之一方法由（例如）ΓΓΟ(氧化銦 錫）所形成。透明電阻膜132在光譜之—可見光區中透射光 具有預疋電阻。應注意，在電阻膜缺少區域⑴中並 ❹ ❹ 不移除全部透明電阻膜132。藉由移除電阻臈缺少區域⑴ 之-邊緣部分之透明電阻膜132 ’殘留於電阻膜缺少區域 ⑴中的透明電阻膜132與在電阻膜缺少區域⑴外的透明 電阻膜132係電絕緣。依此方式’藉由絕緣在電阻膜缺少 區域⑶中的透明電阻膜132與在電阻膜缺少區域⑴外的 透明電阻膜U2,可獲得對於在電阻膜缺少區域133中移除 全部透明電阻膜132之情況的一類似效果。由此，由於存 在更少透明電阻膜132來加以移除，故可改良一處理量。 應注意，在圖2A中僅移除在電阻臈缺少區域133之邊緣部 7刀中的透明電阻膜132。由於一電壓係在電阻膜缺少區域 133外從共同電極134施加，在電阻膜缺少區域133之邊緣 部分内部的透明電阻膜132不具有對電壓分佈的影響。 (電阻膜缺少區域133) 用作第—電阻膜缺少區域的電阻膜缺少區域133係嗖 於玻璃基板131之一周邊邊緣部分中與其中形成共同電極 134的-區域中。明確而言，共同電極134係形成於其中形 成電阻膜缺少區域133的透明電阻膜132之上。由此，在相 139770.doc 200947292 鄰電阻膜缺少區域133之間的共同電極134與透明電阻膜 132係連接以形成一電位施加區域。在此具體實施例中， 如圖3A中所示，在相互相鄰電阻膜缺少區域133之間的空 間w(即，形成於相鄰電阻膜缺少區域〗33之間的該等電位 施加區域之寬度）係具有相同寬度來形成，如以下所說 =。在面板單元121之一第一側m-ι、一第二側171-2、L 第三側171-3及一第四側171_4之相對末端之周邊中，配合 較寬間距來形成該等電阻膜缺少區域133，且該等間距朝 每一侧之—中心部分變窄。明_而言，該等電阻膜缺少區 域133之間距P1、P2、p3、p4 .係以從相對末端朝該中心 部分處形成為一關係P1>P2>P3>P4。 (L狀電阻膜缺少區域233) 用作一第二電阻膜缺少區域的一L狀電阻膜缺少區域幻3 係形成於由在該等共同電極134之四側所形成之一方形之 四邊角處的一L形狀及電阻膜缺少區域133内部，即在與其 中-亥基板所位於之一中心的一側相同的電阻膜缺少區域 133之側上。以下參考圖4來簡略說明用於形成匕狀電阻膜 缺少區域233之一原因。 、 當未形成L狀電阻膜缺少區域233時，僅形成電阻膜缺少 區域133。在此情況下，在由該等共同電極134之四側所形 成之方形之四個邊角處的電位分佈容易變得不均勻。 如圖4A中所示，當該等電阻膜缺少區域133在四個邊角 處彼此接觸時，未在四個邊角處從共同電極134施加任何 電位。因此’該電位分佈變得如線D1所示，其係、採取—無 139770.doc •10· 200947292 邊角圓形形狀之不均勾電位分佈。 另外，如圖4B中拚+ ^ 〒所不，當該等電阻臈缺少 個邊角處彼此分開時，在四個邊角處從二同雷：在四 一電位。因此’該電位分佈變得如線D2 〇广34施加 延伸至該四個邊肖之 ^ π、係採取- 狀的不均勻電位分佈。 在此具體實施例中，如圖4C中所示 域133係在四個邊凫虚妯山、 寸电丨胰缺 ,r ☆ 處彼此分開形成且設於該等電阻膜缺
少區域133内部的電阻 冤P膜缺 ^ y 膜132(即’係在與其中該基板之中 〜所位於之-側相同的電阻膜缺少區域133之 L形狀移除以形駐狀電阻膜缺少區域加。由此，該電位 ==如線D3所示’其係具有保持四個邊角的一幾乎理 想均勻電位分佈。 如上所說明的L妝雷时从，
電阻膜缺>、區域233係形成於此具體I 施例之座標偵測裝詈& 之底基板121中。應注意，此L·狀1 阻媒缺少區域233係與該算雷卩日贈μ |τ_心 x、茨寻電阻膜缺少區域133同時形成。 因此’幾乎不在製程中產生任何額外負載。 (電位施加區域） 電位^加區域係形成於在相鄰電阻膜缺少區域133之 間的共同電極134與透明電阻膜132之-接觸區域中。在此 八體實施例中，當參考圖3B明確說明時在面板單元⑵ 之第側171-1、第二側171-2、第三側171-3及第四側171_ :之相對末端之周邊内配合較寬間距來形成該等電位施加 ，域’且該等間距朝每—側之—中心、部分變窄。採用此一 ❶了降低在其中電位分佈傾向於大幅向中扭曲之第一 139770.doc 200947292 第三侧171 -3及第四側1 7 1 -4處所 而且，可使在透明電阻膜132中 可正確地偵測座標位置。 側 Π1-1、第二側 17l_2、 造成之電位分佈之扭曲。 的電位分佈均勻。因此， 〜/主思°亥书位施加區域之一形狀不限於圖3B中所示之 瓜狀。^藉由移除透明電阻膜132之-部分，其中可配合朝 面板單疋121之第—側171]、第二側171-2、第三側171_3 及第四側171-4之相對末端更窄之間距並配合該中心部分 .夂寬之間距來开）成透明電阻膜132與共同電極IB接觸之區 域0 (共同電極134；) 共同電極134係由在電阻膜缺少區域133與在該等電阻膜 缺少區域133之間的透明電阻膜132之上的(例如)Ag_c所形 成。 (第一絕緣膜135) 一第一絕緣膜135係堆疊於電阻膜缺少區域133之上以覆 蓋共同電極134。在第一絕緣膜135中，第一至第四通孔 151-1至151-4係形成於底部基板121之四個邊角處。該等第 一至第四通孔15 1 “ 1至1 5丨_4形成一驅動電壓施加部分。 (第一至第四導線136-1至136-4) 一第一導線136-1係由（例如）一低電阻材料（諸如Ag)所形 成。第一導線136-1係在第一絕緣膜135之上沿底部基板 121之第一側171-1來形成。在此情況下，第一導線136_h^、 形成以便填充形成於第一絕緣膜135中的第一通孔151·ι。 另外’第一導線136-1係連接至fpc電規124之一第一導 139770.doc -12- 200947292 線。 一第二導線！36-2係由(例如)一低電阻材料(諸如Α§)所形 成。第=導線136-2係在第-絕緣膜135之上沿與底部基板 121之第一側171-1相對的第二側171_2來形成。在此情況 下，第二導線136_2係形成以填充形成於第—絕緣膜135中 的第二通孔151-2。第二導線^…之係連接至Fpc電纜之 一第二導線。 -第三導線136-3係由(例如)一低電阻材料(諸如Ag)所形 成。第三導線136-3係在第一絕緣膜135之上在第二側i7i_2 之一側上沿第三側171-3之一半來形成。第三側171_3垂直 交叉底部基板121之第一側17M與第二側1712。第三導線 136-3係形成以填充形成於第一絕緣膜135中的第三通孔 151-3。另外，第二導線136-3係連接至Fpc電纜124之一第 三導線。 一第四導線136-4係由（例如）—低電阻材料（諸如Ag)所形 成。第四導線136-4係在第一絕緣膜135之上在第一側i7i_i 之一側上沿第二側171 -3之一半來形成。第三側i 7丨_3垂直 交叉底部基板121之第一側171 -1與第二側17 1 _2。第四導線 1 36-4係形成以便填充形成於第一絕緣膜丨35中的第三通孔 15 1-3。另外，第四導線136-4係連接至Fpc電纜124之一第 四導線。 一第二絕緣膜137係形成於第一絕緣膜135之上以覆蓋第 一導線136-1、第二導線136-2、第三導線136_3及第四導線 136-4。另外，頂部基板122係黏附至第二絕緣膜137上， 139770.doc -13· 200947292 具有間隔物123插入於其間。 (頂部基板122) 隨後，參考圖5A及5B來說明頂部基板122之—組雜。圖 5A係頂部基板122之一俯視圖與圖5B係頂部基板I?〗之 斷面圖。頂部基板122包括：一膜基板211、一透明電阻膜 212及一電極2Π。膜基板2H係由（例如）一撓性樹脂膜（諸 如PET(聚對苯二甲酸乙二醋））所形成。在面對底部基板 121之一側之膜基板211之一整個表面之上，形成透明電阻 膜212。透明電阻膜212係由一透明導電材料（諸如汀⑺所 形成。電極213係在一 XI方向上在一末端部分處設於頂部 基板122之透明電阻膜212之上。電極213係透過一接點（未 顯示）來連接至FPC電纜124之一第五導線，該Fpc電纜係 連接至底部基板121。藉由採用頂部基板122作為一探針由 介面板112偵測底部基板121之一電位，進行偵測座標位 置。 (偵測次序） 接下來，說明用以在此具體實施例之座標偵測裝置中偵 測座標位置之一次序。圖6顯示介面板112之一程序流程圖 而圖7A及7B各顯示底部基板121之電位分佈。圖7A顯示在 4貞測X座標中的一電位分佈而圖7B顯示在偵測一 γ座標 中的一電位分佈。 在步驟S1-1中，介面板112將一電壓加至第一導線 B6-1及第二導線並使第三導線n6 3及第四導線136_ 4接地。由此，甚至可在透明電阻膜132中產生如圖7a中虛 139770.doc -14- 200947292 線所示之一電場分佈。應注意，習知電位分佈已如圖7A中 所示之交替長及短劃線而扭曲。因此，依據此具體實施 例，可正確地偵測一 X座標。 接下來’在步驟S1-2中，介面板112偵測底部基板121之 一電位’並在步驟S 1 -3中偵測對應於底部基板12 1之電位 的一 X座標。 隨後，在步驟S1-4中，介面板112將一電壓％施加至第 一導線136-1及第四導線丨36-4，並使第二導線136-2及第三 導線136-3接地。由此，甚至可在透明電阻膜132中產生如 圖7B中虛線所示之電場分佈。應注意，習知電位分佈已如 圖7B中所示之交替長及短劃線而扭曲。因此，依據此具體 實施例，可正確地彳貞測一 γ座標。 接下來，在步驟S1-5中，介面板112偵測底部基板121之 一電位並在步驟S1-6中偵測對應於底部基板121之電位的 一 Y座標。 依據此具體實施例，由於該等導線^卜丨至^心々係堆疊 於共同電極134之上，面板單元121係採用一更窄框架而形 成。而且，可在一偵測區域中均勻地分佈在偵測一 X軸座 標或一 γ軸座標時由該電位施加區域施加至底部基板121之 透明電阻膜132的一電位。因此，可正確地偵測座標。 (製造方法） 接下來，說明依據此具體實施例之一座標偵測裝置之一 製造方法。明確而言，此具體實施例係關於底部基板121 之一製造方法。參考圖8A至8F來說明此具體實施例。 139770.doc •15· 200947292 首先，如圖8A中所示，藉由濺鐘、真空氣相沈積等在玻 璃基板131之上形成透明電阻膜132(諸如Ιτ〇)。 隨後，如圖8Β中所示，在透明電阻膜丨32中形成電阻膜 缺少區域133與L狀電阻膜缺少區域233(未顯示）。明確而 言，藉由採用一紫外（υν)射線雷射光或一紅外雷射光來昭 射透明電阻膜132之一區域以加以移除，藉由剝餘來移除 或藉由熱來蒸發在此區域中的透明電阻膜132。或者，在 形成覆蓋除透明電阻膜132之電阻膜缺少區域133與匕狀電 阻膜缺少區域233外的一區域的一光阻圖案之後，透明電0 阻膜132可藉由採用鹽酸或麟酸之化學勉刻來加以姓刻。 隨後，如圖8C中所示，在透明電阻膜132之上形成由Ag_ C所形成之共同電極134。明確而言，在藉由網版印刷來印 刷包括Ag-C的一膏之後，烘烤該膏以形成共同電極134。 由此，在相鄰電阻膜缺少區域133之間的透明電阻膜HZ之 上形成一電位施加區域。 隨後，如圖8D中所示，形成包括第一至第四通孔丨““ 至151-4之第一絕緣膜135。明確而言，在藉由一網版印刷 〇 方法來印刷一絕緣膏之一圖案之後，烘烤該絕緣膏以形成 第一絕緣膜13 5。 隨後，如圖8Ε中所示，在第一絕緣膜135之上形成由Ag 所形成的第一至第四導線136_4。明確而言，在藉 由一網版印刷方法來印刷包括八§的—導電膏之一圖案之 後，烘烤該導電膏以形成第一至第四導線136-1至136_4。 隨後，如圖8F中所示，形成第二絕緣膜137。明確而 139770.doc -16- 200947292 言’在藉由一網版印刷方法來印刷一絕緣膏之一圖案之 後，烘烤該絕緣膏以形成第二絕緣膜137。 依以上所說明之方式’可製造底部基板121。 應注意，在此具體實施例中已說明五導線電阻式類比觸 控面板’但是本發明不限於此且可應用於其他觸控面板， 諸如四導線或七導線電阻式觸控面板。 [第二具體實施例] 接下來’將說明本發明之一第二具體實施例。在此具體 實施例中’說明一種座標偵測裝置，其中電阻膜缺少區域 133係形成於共同電極134内部，即在與其中該基板之中心 所位於之一側相同的共同電極13 4之側上。 以下說明此具體實施例之座標偵測裝置之底部基板 121。 (底部基板121) 接下來，參考圖9A至9E來說明底部基板121之一組態。 圖9A係底部基板12 1之一平面圖，圖9B係沿圖9A中線A至 A所截取的一斷面圖’圖9C係沿圖9A中線B至B所截取的 一斷面圖，圖9D係沿圖9A中線C至C所截取的一斷面圖， 且圖9E係沿圖9A中線D至D所截取的一斷面圖。 底部基板121係由玻璃基板131、透明電阻膜132、電阻 膜缺少區域133、共同電極134、第一絕緣膜135、導線136 及第二絕緣膜137所形成。透明電阻膜132係形成於該玻璃 基板之幾乎一整個表面之上。透明電阻膜132係藉由諸如 真空氣相沈積之一方法由（例如）IT〇(氧化銦錫）所形成。透 139770.doc -17- 200947292 明電阻膜132在光譜之一可見光區中透射光並具有—預定 電阻。 (電阻膜缺少區域133) 在此具體實施例中用作一第一電阻膜缺少區域的電阻膜 缺少區域133係形成於玻璃基板131之一周邊邊緣部分中及 其内部’即在與其中該基板之中心所位於之一侧相同的其 中形成共同電極134之一區域之側上。在共同電極134與第 一電阻膜缺少區域13 3之相鄰側之間的一空間係〇毫米至$ ❹ 毫米。在此具體實施例中’如圖丨〇中所示，在相互相鄰電 阻膜缺少區域133之間的空間W(即，形成於相鄰電阻膜缺 少區域133之間用於施加一電位之區域之寬度）係具有相同 寬度來形成，如以下所說明。在面板單元121之第—側 m-l、第二側171-2、第三側171_3及第四侧171_4之相對 末鳊之周邊，配合較寬間距來形成該等電阻膜缺少區域 133，且該等間距朝一中心部分變窄。明確而言，該等電 阻膜缺少區域i 3 3之間距p丨' P2、μ、及p4 端朝該中心部分處形成一關係P1>P2>P3>P4 .· ·係從相對末 〇 (L狀電阻膜缺少區域233) 用作第一 ^•阻膜缺少區域的一L狀電阻膜缺少區域2 係形成於由該等., 乂寻/、冋電極134之四側所形成之一方形之 邊角處及内部（即’在與其中該基板所位於之一中心的 側相_阻膜缺少區域133之側上)以一 l形狀來形成 乂下參考圖11A至UC來簡略說明用於形成l狀電阻膜缺 區域233之一原因。 139770.doc -18- 200947292 當未形成L狀電阻膜缺少區域233時，僅形成電阻膜缺小 區域⑶。在此情況下’該在由該等共同電極134之四側^ 形成之方形之四個邊角處的電位分佈容易變得不均勾。 如圖11A中所示’當該等電阻膜缺少區域133在四個 處彼此接觸時，未在四個邊角處從共同電極134施加任何 電位。因此，該電位分佈變得如線D4所示，其係採取—益 邊角圓形形狀之一不均勻電位分佈。 、 ❹ 另外，如圖11B中所示，當該等電阻膜缺少區域⑴在四 個邊角處彼此分開時，在四個邊角處從共同電極134施加 一電位。因此，電位分佈變得如線仍所示，其係採取一延 伸至該四個邊角之形狀的一不均勾電位分佈。 在此具體實施例中，如圖uc中所示，該等電阻膜缺少 區域⑴係在四個邊角處彼此分開形成且設於與其中該基 板之中心所位於之一側相同的電阻膜缺少區域⑴之側上 的電阻膜132係以—L形狀移除以形成[狀電阻膜缺少區域 233。由此，該電位分佈變得如線D6所示，其係具有保持 四個邊角的一幾乎理想均勻電位分佈。 如上所說明的L狀電阻膜缺少區域233係形成於此具體實 之座H則裝置之底部基板121内。應注意，此L狀電 阻膜缺夕區域233係與該等電阻膜缺少區域133同時形成， 口此在製私中幾乎不產生任何額外負载。 (用於施加電位之區域） ;施加電位之一區域係在相互相鄰電阻膜缺少區域 1的透月電阻膜132之一區域。一電位係透過此區域 139770.doc -19· 200947292 來施加至整個透明電阻膜132。在此具體實施例中，合 考圖10明確說明時，在面板單元121之第一侧171-1、 側17卜2、第三側171-3及第四側171-4之相對末端之周邊中 配合較寬間距來形成用於施加一電位之該等區域，且該等 間距朝一中心部分變窄。採用此一組態，可降低在其中電 位分佈傾向於大幅向内扭曲之第一側171_1、第二側IB 2、第三側171-3及第四側171_4處所造成之電位分佈之一扭 曲。而且，可使在透明電阻膜132内的電位分佈均勻。因 此’可正確地偵測座標位置。 應庄意，電阻膜缺少區域i 33之一形狀不限於圖丨〇中所 示之形狀。電阻膜缺少區域133可採取任一形狀，只要透 明電阻膜132之電位分佈變得均勻。 (共同電極134) 共同電極134係由在電阻膜缺少區域133之外側上的透明 電阻膜132之上的（例如）Ag_c所形成。 在此具體實施例中，由於共同電極134未形成於電阻膜 缺v區域133之上’可在形成共同電極134之後形成[狀電 阻膜缺少區域233與電阻膜缺少區域133。 依據#體實施例’藉由移除連接至一共同電極之一透 明電阻膜之 <—部分，可*形4、m 了 I成用於將一電位施加至該透明電 阻膜之-電位施加部分或可改變該施加電位之分佈。因 此，可均勾地設定在該透明電阻膜之上的電位分佈。另 外，可改良座標位置之谓測精度。 儘管已相對於用於一—敕a— ι整且清楚揭示内容之特定具體實 139770.doc 200947292 知例來說明本發明’但本發明不限於以上所說明之具體實 施例且可進行變更及修改而不脫離本發明之範疇。 本申睛案係基於並主張2〇〇8年5月15曰申請之曰本專利 申凊案第2008-128141號之優先權利，其全部内容係以引 用的方式併入本文中。 【圖式簡單說明】 圖1係一座標偵測裝置之一系統組態圊； 圖2A至2E係一面板單元η 1之組態圖； 圖3 Α及3Β係各顯示一第一電阻膜缺少區域133之—實質 部分的平面圖； 圖4A至4C係各顯示一 l狀電阻膜缺少區域（第二電阻膜 缺少區域）233之圖式； 圖5A及5B係一頂部基板122之組態圖； 圖ό係一介面板11 2之一程序流程圖； 圖7Α及7Β係各顯示一底部基板121之電位分佈之—狀態 的圖式； 圖8Α至8F係顯示底部基板121之製造步驟的圖式； 圖9A至9E係一第二具體實施例之面板單元之組態圖； 圖10係顯示一第二電阻膜缺少區域133之一實質部分的 一平面圖； 圖11A至11C係顯示該第二具體實施例之L狀電阻膜缺少 區域（第二電阻膜缺少區域）233之圖式；以及 圖12係五線型電阻式觸控面板之一組態圖。 【主要元件符號說明】 139770.doc -21 - 200947292 1 五導線型電阻式觸控面板 11 頂部基板 12 底部基板 21 玻璃基板 22 透明電阻膜 23 X軸座標偵測電極 24 X軸座標偵測電極 25 Y軸座標偵測座標 26 Y軸座標偵測座標 31 膜基板 32 透明電阻膜 33 座標偵測電極 100 座標輸入系統 111 面板單元 112 介面板 121 底部基板 122 頂部基板 123 間隔物 124 FPC電纜 131 玻璃基板 132 透明電阻膜 133 電阻膜缺少區域 134 共同電極 135 第一絕緣膜 139770.doc -22- 200947292 136 導線 136-1 第一導線 136-2 第二導線 136-3 第三導線 136-4 第四導線 137 第二絕緣膜 151-1 第一通孔 151-2 第二通孔 ® 151-3 第三通孔 151-4 第四通孔 171-1 面板單元121之第一側 171-2 面板單元121之第二側 171-3 面板單元121之第三側 171-4 面板單元121之第四側 211 膜基板 _ 212 翁 透明電阻膜 w 213 電極 233 L狀電阻膜缺少區域 139770.doc -23·