TW200930168A - Flexible film and display device comprising the same - Google Patents

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TW200930168A
TW200930168A TW97119367A TW97119367A TW200930168A TW 200930168 A TW200930168 A TW 200930168A TW 97119367 A TW97119367 A TW 97119367A TW 97119367 A TW97119367 A TW 97119367A TW 200930168 A TW200930168 A TW 200930168A
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Sang-Gon Lee
Dae-Sung Kim
Woo-Hyuck Chang
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Lg Electronics Inc
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Description

200930168 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明請求2007年12月28日在韓國智慧財產局提出 之韓國專利申請案第10-2007-0140184號的優先權，其揭 示在此全部倂入作爲參考。 本發明關於一種撓性薄膜，而且更特別是一種包括介 電膜與金屬層之撓性薄膜，其厚度比例爲1 3至1 ·· 1 0，如 此可促成剝除強度、尺寸安定性、及拉伸強度之改良。 © 【先前技術】 隨近來平板顯示技術之改良，其已發展各種型式之平 板顯示裝置，如液晶顯示器（LCD)、電漿顯示面板（PDP)、 及有機發光二極管（〇 LED) »平板顯示裝置包括驅動單元與 面板、及將影像信號自驅動單元傳送至多個包括於面板中 之電極的顯示影像。 印刷電路板（PCB)可作爲平板顯示裝置之驅動單元。即 PCB可對多個包括於面板中之電極施加影像信號，如此可 © 使面板顯示影像。 【發明內容】 本發明提供一種撓性薄膜，其可藉由限制介電膜與金 屬層之厚度的比例，而促成剝除強度、尺寸安定性、及拉 伸強度之改良。 依照本發明之一個態樣提供一種撓性薄膜，其包括介 電膜；及配置於介電膜上之金屬層’其中金屬層之厚度對 介電膜之厚度的比例爲約1:3至1:10。 200930168 依照本發明之另一個態樣提供一種撓性薄膜’其包括 介電膜；配置於介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之金 屬層；及配置於金屬層上之積體電路（1C)晶片’其中金屬 層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:3至1:10’及1C晶 片連接電路圖案。 依照本發明之另一個態樣提供一種顯示裝置’其包括 面板；驅動單元；及配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜 ;其中撓性薄膜包括：介電膜、配置於介電膜上且包括電 Q 路圖案印刷於其上之金屬層；及配置於金屬層上之積體電 路（1C)晶片，而且金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲 約 1:3 至 1:10 。 【實施方式】 本發明在以下參考其中顯示本發明之例示具體實施例 的附圖而詳述。 第1A及1B圖各描述依照本發明具體實施例之撓性薄 膜100a與100b的橫切面圖。參考第ία及1B圖，撓性薄 〇 膜100a與10015將捲帶自動黏結（TAB)型顯示裝置驅動單元 提供之影像信號傳送至TAB型顯示裝置面板上之電極。 各撓性薄膜l〇〇a與l〇〇b可藉由在介電膜上形成金屬 層及將電路圖案印刷在金屬層上而形成。用於TAB型顯示 裝置之撓性薄膜的電路圖案可連接TAB型顯示裝置驅動單 元之電路、或TAB型顯示裝置面板上之電極，如此可將驅 動單元施加之信號傳送至面板。 參考第1A圖，撓性薄膜10()a爲單面。撓性薄膜1〇〇a 200930168 包括介電膜110a、及第一、第二與第三金屬層i2〇a、i25a 與130a’如此具有三層結構。第一金屬層12〇a係配置於介 電膜110a上’第二金屬層125a係配置於第—金屬層12〇a 上，及第三金屬層130a係配置於第二金屬層125a上。 介電膜ll〇a可包括介電聚合物材料，如聚醯亞胺、聚 酯或液晶聚合物。第一、第二與第三金屬層120a、125a與 130a可包括鎳、金、鉻、或銅。 第第二與第三金屬層120a、125a與130a可經濺 〇 鍍或電鍍形成。更具體而言，第一、第二與第三金屬層120a 、125&與130a可經涉及沉積金屬之濺鍍形成。或者第—、 第二與第三金屬層120a、1253與130a可經使用電流之電 鍍 或不使用電流之無電極電鑛（electroless plating)形成 。或者第一與第二金屬層12〇a與125a可經濺鍍形成，及 第三金屬層l30a可經電鍍形成。 第一金屬層（其爲子層）係形成於介電膜ll〇a上。第 一金屬層120a可包括鎳、銅、金、或鉻，而且特別是鎳與 〇 鉻之合金。更具體而言，第一金屬層120a可由93 %鎳與7% 絡之合金、或97%鎳與3 °/〇鉻之合金形成。如果第一金屬層 120a係由鎳與鉻之合金形成，則撓性薄膜100a之耐熱性可 增加。 第二金屬層130a可在第一金屬層120a上由金或銅來 形成。更具體而言，第二金屬層130a可經電鍍由銅來形成 〇 或者爲了改良用於形成第三金屬層130a之電鎪效率 200930168 ，第二金屬層125a可在第一金屬層120a上經濺鍍由銅來 形成。在第二金屬層125a係在第一金屬層120a上由高導 電性金屬（如銅）形成時，第二金屬層125a之電阻變成低 到足以順利地實行電鍍。 參考第1B圖，撓性薄膜100b爲雙面。撓性薄膜1〇 〇b 包括介電膜ll〇b、分別形成於介電膜110b之上表面與下 表面上的二層第一金屬層12 0b、分別形成於第一金屬層 120b上之二層第二金屬層125b、及分別形成於第二金屬層 © 125b上之二層第三金屬層13 0b。第一金屬層120b可經電 鍍形成。第三金屬層13 0b可經電鍍形成。在第1B圖之具 體實施例中，如第1A圖之具體實施例，第二金屬層125b 可經濺鍍由銅來形成以順利地實行電鍍，如此降低® ° 表1顯示由包括厚38微米之介電膜與金屬層的撓性薄 膜得到之測試結果。 表1
金屬層之厚度：介電膜之厚度 撓性 剝除強度 1:1.4 X ◎ 1:1.5 X 〇 1:2 X 〇 1:3 〇 〇 1:6 〇 〇 1:8 〇 〇 1:10 〇 〇 1:11 〇 X 1:12 ◎ X 1:13 ◎ X 參考表1，第一金屬層120a、第二金屬層125a與第三 200930168 金屬層130a之厚度總和對介電膜ll〇a之厚度的比例可爲 1:3至1:10。如果第一金屬層120a、第二金屬層125a與第 三金屬層130a之厚度總和小於介電膜ll〇a之厚度的十分 之一，則金屬層之強度可能降低’如此金屬層可容易地自 介電膜110a脫離，或者金屬層之尺寸安定性可能退化，因 而難以形成電路圖案。
另一方面，如果第一金屬層120a'第二金屬層125a 與第三金屬層130a之厚度總和大於介電膜110a之厚度的 三分之二，則撓性薄膜1 〇〇a之撓性可能退化，如此撓性薄 膜100a之可靠度可能降低。 其直接適用於第1B圖之雙面撓性薄膜。 表2顯示由具有第一與第二金屬層及厚9微米之第三 金屬層的撓性薄膜得到之測試結果。 表2
第一與第二金屬層之厚度和： 第三金屬層之厚度 電鍍效率 剝除強度 1:40 X 〇 1:50 〇 〇 1:80 〇 〇 1:100 〇 〇 1:120 〇 〇 1:180 〇 〇 1:200 〇 〇 1:210 〇 X 1:220 〇 X 參考表2,第一金屬層120a、第二金屬層125a與第三 金屬層130a可形成使得第一金屬層120a與第二金屬層 200930168 125a之厚度總和對第三金屬層130a之厚度的比例可變成 1:50至1:200。如果第一金屬層120a與第二金屬層125a 之厚度總和對第三金屬層130a之厚度的比例大於1:2〇〇’ 則第三金屬層130a之剝除強度可能降低’或者撓性薄膜 100a之耐熱性可能退化。另一方面，如果第—金屬層120a 與第二金屬層125a之厚度總和對第三金屬層130a之厚度 的比例小於1 : 5 0，則電阻可能降低’如此用於形成第三金 屬層13 0a之電鍍效率可能降低。 〇 其直接適用於第1B圖之雙面撓性薄膜。 介電膜110a或110b可形成15-40微米之厚度以具有 高拉伸強度、高耐熱性及高熱膨脹係數’而且第一金屬層 120a、第二金屬層125a與第三金屬層13〇a之厚度總和、 或第一金屬層120b、第二金屬層125b與第三金屬層130b 之厚度總和可爲4-13微米。更具體而言’介電膜11〇a或 110b可具有35-38微米之厚度，第一金屬層120a或第一金 屬層120b可具有7-20奈米之厚度’第二金屬層125a或第 〇 二金屬層125b可具有80-90奈米之厚度’及第三金屬層 130a或第三金靥層130b可具有9微米之厚度。 電路圖案可經蝕刻形成於撓性薄膜100&或100b上。 爲了保護電路圖案，其可將保護膜附著於撓性薄膜100&或 100b上。保護膜可由介電材料形成，如聚對酞酸伸乙酯 (PET)。 黏著層可用於將保護膜附著於撓性薄膜1〇〇3或100b 上。黏著層可包括環氧基且可形成2-10微米之厚度。如果 -10- 200930168 黏著層具有小於2微米之厚度，則在撓性薄膜100a或100b 之運輸或儲存期間’保護膜可能容易自撓性薄膜l〇〇a或 100b脫離。如果黏著層具有超過10微米之厚度，則撓性 薄膜100a或l〇〇b之製造成本及製造撓性薄膜100a或i〇〇b 花費之時間可能增加，而且可能非常難以去除保護膜。 第2A及2B圖分別描述包括依照本發明之一個具體實 施例的撓性薄膜210之膜捲包裝（TCP) 200的平面圖及橫 切面圖。參考第2A圖，TCP200包括撓性薄膜210、形成 © 於撓性薄膜210上之電路圖案220、及IC230。 撓性薄膜210可包括介電膜與金屬層。金屬層可包括 形成於介電膜上之第一金屬層、形成於第一金屬層上之第 二金屬層、及形成於第二金屬層上之第三金屬層。 第一金屬層可經濺鍍形成，而且可包括鎳、鉻、金、 或銅。更具體而言，第一金屬層可由9 3 %鎳與7 %鉻之合金 、或97%鎳與3 %鉻之合金形成。如果第一金屬層係由鎳與 鉻之合金形成，則撓性薄膜210之耐熱性可能增加。 〇 第二金屬層可經濺鍍在第一金屬層上形成。更具體而 言，第二金屬層13 0a可由銅來形成’因而增加用於形成第 三金屬層之電鍍效率。 電路圖案220係印刷在撓性薄膜210之金屬層上。電 路圖案220包括連接1C 230之內引線220a、及連接顯示裝 置之驅動單元或面板的外引線220b。內引線220a可經內 引線黏結（ILB)墊連接1C 230，及外引線220b可經外引線 黏結（OLB)墊連接顯示裝置之驅動單元或面板。 -11- 200930168 第2B圖描述沿第2A圖之線2-2’而取之橫切面圖。參 考第2B圖，TCP 200包括撓性薄膜210、1C 230、及連接 撓性薄膜210與1C 23 0之金凸塊（goldbump)240。 撓性薄膜210可包括介電膜212、及形成於介電膜212 上之金屬層214。介電膜212(其爲撓性薄膜210之基膜） 可包括介電材料，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。介電 膜2 12可形成15-40微米之厚度以具有高撓性、高耐熱性 、及關於金屬層214之高剝除強度。 〇 金屬層214爲由導電性金屬形成之薄膜。金屬層214 可具有包括第一、第二與第三金屬層之三層結構。在此情 形，第一金屬層可包括鎳、鉻、金與銅至少之一，而且可 在介電膜212上形成，第二金屬層可在第一金屬層上由高 導電性金屬（如銅）形成，及第三金屬層可第二金屬層上 由金或銅來形成。 金屬層214可經濺鍍或電鍍形成。更具體而言，第一 與第二金屬層可經濺鍍形成，及第三金屬層可經電鍍（而 ® 且特別是電鍍）形成。在經電鍍形成第三金屬層之情形， 電鍍效率可藉由經濺鍍形成銅之第二金屬層以降低電阻而 改良。 使金屬層214之厚度對介電膜212之厚度的比例可爲 1:3至1:1〇。如果金屬層214之厚度小於介電膜212之厚 度的十分之一，則金屬層214之剝除強度與尺寸安定性可 能退化。如此金屬層214可能容易自介電膜212脫離，或 者其難以在金屬層214上形成電路圖案。另一方面，如果 -12- 200930168 金屬層214之厚度大於介電膜212之厚度的三分之一，則 撓性薄膜210之厚度可能增加，及TCP 200之撓性可能退 化。 介電膜212可具有15-4 0微米之厚度，及金屬層可具 有4-13微米之厚度。第一與第二金屬層之厚度總和對第三 金屬層之厚度的比例可變成1:50至1:200。在此情形，其 可改良電鍍效率及將剝除強度與耐熱性最適化。第一金屬 層可具有7-20奈米之厚度，第二金屬層可具有80-90奈米 〇 之厚度，及金屬層可具有4-13微米之厚度。 1C 230將TCP 200連接之顯示單元的驅動單元提供之 影像信號傳送至顯示裝置之面板。更具體而言，1C 230可 經ILB墊連接金屬層214上之電路圖案220，如此可將驅 動單元提供之影像信號傳送至面板。在第2A及2B圖之具 體實施例中，1C 230與電路圖案220之內引線220a係經金 凸塊240連接。 金凸塊240爲連接1C 230與內引線220a之電極。其 © 可使用鎳凸塊或錫凸塊代替金凸塊連接1C 23 0與內引線 220a。然而關於電路安定性，金凸塊2 40可能較鎳凸塊或 錫凸塊更爲適合。金凸塊240可經電鍍在1C 230上形成。 參考第2B圖TCP 200包括形成於配置1C 230之區域 中的裝置孔250。裝置孔250係通過撓性薄膜210而形成 。在形成裝置孔250後，其在接近裝置孔250之電路圖案 220上形成跨線（flying lead)，及將1C 230連接跨線，因而 完成TCP 200之形成。跨線可鍍錫，因而形成錫電極。藉 -13- 200930168 由對錫電極施加熱或超音波，其在錫電極與金凸塊240之 間可產生金-錫黏結。 第3A及3B圖各描述包括依照本發明之一個具體實施 例的撓性薄膜3 10之薄膜覆晶（C OF) 3 00的平面圖及橫切 面圖。參考第3A圖，C0F 300包括撓性薄膜310、形成於 撓性薄膜310上之電路圖案320、及附著於撓性薄膜310 上且連接電路圖案320之1C 330。 撓性薄膜310可包括介電膜、及形成於介電膜上之金 © 屬層。電路圖案320可印刷在金屬層上。電路圖案320包 括連接1C 330之內引線320a、及連接顯示裝置之驅動單元 或面板的外引線320b。外引線320b可藉各向異性導電膜 (ACF)連接驅動單元或面板。 更具體而言，外引線3 20b可經0LB墊連接顯示裝置 之驅動單元或面板，及內引線320a可經ILB墊連接1C 330 。1C 330與內引線320a可藉包括金或鎳之凸塊連接。 撓性薄膜310之金屬層可包括形成於介電膜上之第一 〇 金屬層、形成於第一金屬層上之第二金屬層、及形成於第 二金屬層上之第三金屬層。第一與第二金屬層可經濺鍍形 成。第一金屬層可包括鎳、銘、金、或銅至少之一。更具 體而言，第一金屬層可由93%鎳與7%鉻之合金 '或97%鎳 與3 %鉻之合金形成。如果第一金屬層係由鎳與鉻之合金形 成，因而改良C0F 300之耐熱性。 第二金屬層可經濺鍍由銅來形成。在第二金屬層係由 高導電性金屬（如銅）形成時’其改良用於形成第三金屬 -14- 200930168 層之電鏟效率。考量撓性薄膜之剝除強度與電阻’第一金 屬層可形成7-20奈米之厚度’及第二金屬層可形成80-90 奈米之厚度。 第三金屬層可包括高導電性金屬，如銅。在形成第二 金屬層後，第三金屬層可藉由將包括第二金屬層之撓性薄 膜浸於含銅離子之電鍍液中’及對撓性薄膜施加電流以萃 取銅離子成爲銅而形成。爲了確保高剝除強度且利於電路 圖案之製造，第三金屬層可形成4-13微米之厚度。 〇 第3B圖描述沿第3A圖之線3-3’而取之橫切面圖。參 考第3B圖，COF 300包括撓性薄膜310、連接電路圖案320 之1C 330、及連接1C 330與電路圖案320之金凸塊340。 撓性薄膜310包括介電膜312與形成於介電膜312上之金 屬層3 14。電路圖案320係形成於金屬層314上。 介電膜312爲撓性薄膜310之基膜且可包括介電材料 ，如聚醯亞胺、聚酯或液晶聚合物。特別地，介電膜312 可由聚醯亞胺形成，因爲聚醯亞胺具有優良之剝除強度及 ❹ 耐熱性性質。介電膜312可形成15-40微米之厚度，以具 有關於金屬層314之合適剝除強度及具有合適之撓性。 金屬層314爲由導電性金屬形成之薄膜。金屬層314 可包括形成於介電膜312上之第一金屬層、形成於第—金 屬層上之第二金屬層、及形成於第二金屬層上之第三金屬 層。第一金屬層可包括鎳、鉻、金、或銅，而且可經濺鍍 形成。第二金屬層可經濺鍍由導電性金屬（如銅）形成。 第三金屬層可經電鍍由金或銅來形成。金屬層314之厚度 -15- 200930168 可佔介電膜312之厚度的十分之一至三分之一。 如果金屬層314之厚度小於介電膜312之厚度的十分 之一，則金屬層3 1 4之剝除強度可能退化，如此金屬層3 1 4 可容易地自介電膜312脫離。另一方面，如果金屬層314 之厚度大於介電膜312之三分之一，則撓性薄膜310之撓 性可能退化。 1C 330係連接電路圖案320之內引線320a，而且將顯 示裝置之驅動單元提供之影像信號傳送至顯示裝置之面板 〇 。內引線320a之節距可依連接COF 300之顯示裝置的解析 度而改變。內引線320a可具有約30微米之節距。1C 330 可經金凸塊340連接內引線320a。 參考第3B圖，不似TCP 200，COF 300不具有任何裝 置孔250。因此COF 300不需要使用跨線，如此可達成精 細之節距。此外COF 3 00爲非常撓性，如此不必另外在COF 3 00中形成縫以使COF 3 00爲撓性。因此可改良COF 300 之製造效率。例如可在TCP 200上形成節距爲約40微米之 〇 引線，而且可在COF 3 00上形成節距爲約30微米之引線。 如此COF 3 00適合用於具有高解析度之顯示裝置。 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 參考第4圖，依照本發明之一個具體實施例的顯示裝 置400可包括顯示影像之面板410、對面板410施加影像 信號之驅動單元42 0與430、多個將面板410連接驅動單 元420與430之撓性薄膜44 0、及用於將撓性薄膜440附 -16- 200930168 著至面板410及驅動單元420與430之導電膜450。顯示 裝置4 0 0爲平板顯示器（FPD)，如液晶顯示器（LCD)、電漿 顯示面板（PDP)、或有機發光二極管（OLED)。 面板410包括多個用於顯示影像之像素。多個電極可 在面板410上排列且可連接驅動單元420與430。像素係 配置在電極間之交叉部分。更具體而言，電極包括多個第 —電極410a、與多個與第一電極410a交叉之第二電極410b 。第一電極410a可按列方向形成，及第二電極410b可按 〇 行方向形成。 驅動單元420與430可包括掃描驅動器420與資料驅 動器430。掃描驅動器420可連接第一電極410a，及資料 驅動器430可連接第二電極410b。 掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信號，如 此使資料驅動器430將資料信號傳送至各第二電極410b。 在掃描驅動器420對各第一電極410a施加掃描信號時，其 可將資料信號施加至第一電極410a，而且可依照資料驅動 ^ 器430傳送之資料信號在面板400上顯示影像。掃描驅動 器420與資料驅動器430傳送之信號可經撓性薄膜440施 加至面板400。 撓性薄膜440可具有電路圖案印刷於其上。各撓性薄 膜44 0可包括介電膜、形成於介電膜上之金屬層、及連接 印刷在金屬層上之電路圖案的1C。驅動單元420與430施 加之影像信號可經各撓性薄膜440之電路圖案與1C傳送至 面板410上之第一電極410a與第二電極410b。撓性薄膜 -17- 200930168 440可藉導電膜450連接面板410及驅動單元420與430 導電膜450爲黏著性薄膜。導電膜450可配置於面板 410與撓性薄膜440之間、驅動單元420及430與撓性薄 膜440之間。導電膜450可爲各向異性導電膜（ACF)。 第5圖爲沿第4圖中顯示裝置400之線A-A’而取之橫 切面圖。 參考第5圖，顯示裝置500包含顯示影像之面板510 © 、對面板510施加影像信號之資料驅動器530、連接資料 驅動器53 0與面板510之撓性薄膜540、及將撓性薄膜540 電連接資料驅動器530與面板510之導電膜550。 依照本發明之具體實施例，顯示裝置500可進一步包 含密封撓性薄膜540接觸導電膜5 50之部分的樹脂560。 樹脂5 60可包含絕緣材料且用於防止可引入撓性薄膜540 接觸導電膜5 5 0之部分中的雜質，如此防止撓性薄膜540 連接面板5 1 0與資料驅動器5 3 0之信號線受損，及延長壽 ❹命期限。 雖然未顯示，面板510可包含多個按水平方向配置之 掃描電極、及多個配置成跨越掃描電極之資料電極。爲了 接收自資料驅動器530施加之影像信號，如此顯示對應影 像，按方向A-A’配置之資料電極係經導電膜550連接撓性 薄膜540，如第5圖所示。 資料驅動器530包括形成於基板530a上之驅動1C 53 0b、及用於保護驅動IC 53 0b之保護樹脂53〇c。保護樹 -18- 200930168 脂530c可由具絕緣性質之材料製成，而且保護形成 530a與驅動IC 53 0b上之電路圖案（未示）對抗可 部引入之雜質。驅動IC 530b依照自顯示裝置500 器（未示）傳送之控制信號，經撓性薄膜540對面 施加影像信號。 配置於面板5 1 0與資料驅動器5 3 0間之撓性薄 包括聚醯亞胺膜540a、配置於聚醯亞胺膜540a上之 5 40b、連接印刷在金屬膜5 40b上之電路圖案的1C 〇 及密封電路圖案與IC 540c之樹脂保護層540d。 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯 之圖表。 在撓性薄膜640經導電膜650附著面板610及 元620與630時，其可將附著導電膜650之撓性薄 以樹脂660密封。參考第6圖，因爲撓性薄膜640 電膜650之部分可以樹脂660密封，其可阻擋可能 引入之雜質。 ® 雖然本發明已特別地參考其例示具體實施例而 敘述，熟悉此技藝者應了解，其可進行形式及細節 變化而不背離如以下申請專利範圍所界定之本發明 及範圍。 【圖式簡單說明】 本發明之以上及其他特點及優點藉由參考附圖 較佳具體實施例而更顯而易知，其中： 第1A及1B圖描述依照本發明具體實施例之撓 於基板 能自外 之控制 板510 膜5 40 金屬膜 540c、 示裝置 驅動單 膜640 附著導 自外部 顯示及 之各種 之精神 詳述其 性薄膜 -19- 200930168 的橫切面圖； 第2A及2B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之膜捲包裝（TCP)的圖表； 第3A及3B圖描述包含依照本發明之一個具體實施例 的撓性薄膜之薄膜覆晶（COF)的圖表； 第4圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表； 第5圖描述第4圖中顯示裝置400之橫切面圖；及 D 第6圖描述依照本發明之一個具體實施例的顯示裝置 之圖表。 【主要元件符號說明】 100 a 100b 110a 1 10b
120b 125a 125b 13 0a 130b 200 2 10 2 12 撓性薄膜 撓性薄膜 介電膜 介電膜 第一金屬層 第一金屬層 第二金屬層 第二金屬層 第二金屬層 第三金屬層 膜捲包裝 撓性薄膜 介電膜 -20- 200930168
2 14 金屬層 220 電路圖案 220a 內引線 220b 外引線 23 0 積體電路 240 金凸塊 250 裝置孔 3 00 薄膜覆晶 3 10 撓性薄膜 3 12 介電膜 3 14 金屬層 320 電路圖案 3 20a 內引線 3 20b 外引線 3 3 0 積體電路 340 金凸塊 400 顯示裝置 4 10 面板 4 10a 第一電極 4 10b 第二電極 420 掃描驅動器 43 0 資料驅動器 440 撓性薄膜 -21 200930168 45 0 導電膜 500 顯示裝置 5 10 面板 5 3 0 資料驅動器 5 3 0a 基板 5 3 0b 驅動IC 5 3 0c 保護樹脂 540 〇 '撓性薄膜 5 4 0a 聚醯亞胺膜 540b 金屬膜 540c 積體電路 540d 樹脂保護層 5 5 0 導電膜 560 樹脂 6 10 面板 Q 620 驅動單元 63 0 驅動單元 640 撓性薄膜 650 導電膜 660 樹脂 -22

Claims (1)

  1. 200930168 十、申請專利範圍： 1. 一種撓性薄膜，其係包括： 介電膜；及 配置於介電膜上之金屬層， 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:3至 1:10° 2. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜’其中介電膜包含聚 醯亞胺、聚酯與液晶聚合物至少之一。 Ο 3.如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中金屬層包含鎳 、金、鉻、與銅至少之一。 4. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中金屬層包含： 配置在介電膜上之第一金屬層； 配置在第一金屬層上之第二金屬層；及 配置在第二金屬層上之第三金屬層。 5. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中第一與第二金 屬層之厚度總和對第三金屬層之厚度的比例爲約1:50至 w 1:200。 6. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中第一金屬層包 含鎳與鉻至少之一。 7. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中第二金屬層包 含銅。 8. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中第一與第二金 屬層爲濺鍍層。 9. 如申請專利範圍第4項之撓性薄膜，其中第三金屬層係 -23- 200930168 電鍍於第二金屬層上。 10. 如申請專利範圍第1項之撓性薄膜，其中金屬層包含電 路圖案印刷於其上。 11. 一種撓性薄膜，其係包含： 介電膜； 配置於介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之金屬層； 及 配置於金屬層上之積體電路（ic)晶片， Ο 其中金屬層之厚度對介電膜之厚度的比例爲約1:3至 1 : 10，及1C晶片連接電路圖案。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之撓性薄膜，其進一步包含形 成於配置1C晶片之區域中的裝置孔。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之撓性薄膜，其進一步包含形 成於金屬層上之金凸塊， 其中1C晶片經金凸塊連接電路圖案。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項之撓性薄膜，其中金屬層進一 〇 步包含： 配置在介電膜上之第一金屬層； 配置在第一金屬層上之第二金屬層；及 配置在第二金屬層上之第三金屬層。 15. 如申請專利範圍第14項之撓性薄膜，其中第一與第二 金屬層之厚度總和對第三金屬層之厚度的比例爲約 1:12 至 1:150。 16. 如申請專利範圍第11項之撓性薄膜，其進一步包含配 -24- 200930168 置於電路圖案上之錫層，其連接1C晶片。 17. —種顯示裝置，其包含： 面板； 驅動單元；及 配置於面板與驅動單元間之撓性薄膜； 其中撓性薄膜進一步包含： 介電膜； 配置於介電膜上且包括電路圖案印刷於其上之金屬層； ❹ 及 配置於金屬層上之積體電路（1C)晶片，而且金屬層之厚度 對介電膜之厚度的比例爲約1:3至1:10。 18. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中面板包含： 第一電極；及 與第一電極交叉之第二電極， 其中第一與第二電極連接電路圖案。 19. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其中金屬層進一 〇 步包含： 配置在介電膜上之第一金屬層； 配置在第一金屬層上之第二金屬層；及 配置在第二金屬層上之第三金屬層。 20. 如申請專利範圍第19項之顯示裝置，其中第一與第二 金屬層之厚度總和對第三金屬層之厚度的比例爲約1:5〇 至 1 :200。 21. 如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其進一步包含將 -25- 200930168 面板與驅動單元至少之一連接撓性薄膜之導電膜。 2 2.如申請專利範圍第21項之顯示裝置，其中導電膜爲各 向異性導電膜（ACF)。 23.如申請專利範圍第17項之顯示裝置，其進一步包含密 封撓性薄膜接觸導電膜之部分的樹脂。
    -26-
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