TW200923530A - Liquid crystal display with an increased aperture ratio - Google Patents

Description

200923530 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器’且更明確地說，係關於 一種具有增加開口率之液晶顯示器。 本申請案主張2007年10月16曰所申請之韓國專利申請案 第10-2007-104032號之優先權’其内容以引用的方式全部 併入本文中。 【先前技術】

C

液日日顯示器（LCD)可藉由 呢切η。且母一像京 電晶體（TFT)來控制液晶之對準狀態 習知LCD包括在一矩陣組態中沿著預定方向配置之複數 個像素。每一像素包括一TFT。回應於經由掃描線提供至 ”閘極之驅動仏號來驅動TFT。掃描線連接至在預定方向 上配置之像素。每—像素亦包括在大體上與掃描線平行之 方向上配置之一或兩個儲存電容器線。儲存電容器線連接 ^像素冑存電谷器連接於储存電容器線與TFT之間。接 ::將電壓施加至儲存電容器線時，儲存電容器被充 ' 丨务f之夜日日之對準狀態。 然而’由於儲存線經 以像素之開口率劣化。越過像素之光透射區域，所 【發明内容】 本發明之例示性眘始加坦w 之液晶顯示器。 在本發明之一態樣中 種液晶顯示器包括：像素群， 134528.doc 200923530 其包括具有第—薄膜電晶體之第一像素及具有第二薄膜電 晶體之第二像素。閘極線將驅動信號施加至該第一及該第 二薄膜電晶體之閘極。第一儲存電容器線大體上平行於該 閘極線而配置且鄰近該第一像素之一側而配置。第二儲存 電容器線大體上平行於該閘極線而配置且鄰近該第一像素 的與該第一像素之該一側相對的一相對側而配置。第一儲 存電谷器配置於該第一像素中且連接於該第一薄膜電晶體 與該第一儲存電容器線之間，且第二儲存電容器配置於該 第二像素中且連接於該第二薄膜電晶體與該第二儲存電容 器線之間。 該第一像素與該第二像素交替配置。 °亥第一儲存電容器鄰近第一像素之右側而形成於該第一 像素與第二像素之間的邊界區中，且該第二儲存電容器鄰 近該第二像素之右側而形成於該第二像素與第一像素之間 的邊界區中。 在一例示性實施例中，該第一儲存電容器線包括第一突 出部分及第二突出部分。該第一儲存電容器包括由該第一 薄膜電晶體之第一半導體層、該第—突出部分及插入於該 第一半導體層與該第—突出部分之間的絕緣材料形成之第 =儲存電容器。第二子儲存電容器由該第—半導體層、 該第二突出部分及插入於第二半導體層與該第二突出部分 之間的絕緣材料形成。 該第二储存電容器線包括第三突出部分及第四突出部 分。該第二儲存電容器包括由該第二薄臈電晶體之第二半 134528.doc 200923530 導體層、該第三突出部分及插入於該第二 三突出部分之間的纟肖缝U «與該第 之間的絕緣材料形成之 四子儲存電容器由該第二半導 子電W。第 入於該第二半導體層與該第四突目大出部分及插 成。 祁刀之間的絕緣材料形 在一例示性實施例中， 出部分及第二突出部八=—儲存電容器線包括第-突 Γ c 素之第-像素電：：第存電容器包括由第-像 大出分及插入於兮笛 電極與該第一突出邱八β Μ 、该第一像素 邛刀之間的絕緣材料形成之第一早蚀六 電容器。第二子儲存電容器由該第—像音2帛子儲存 出部分及插入於該第"X第一犬 絕緣材料形成。 β刀之間的 該第二健存電容器線 分。該第_ f ^ 3第—犬出部分及第四突出部 極、該第三突出邱八β 4 一像素之第二像素電 弟一大出祁刀及插入於該第二 出部分之間的絕緣材料 二I、該第三突 枝六成之第二子健存電容器。第四子 兮第-後… 素電極、該第四突出部分及插入於 該液曰顯干。、 大出°p刀之間的絕緣材料形成。 二液曰曰顯不…步包括驅動電路， 預定週期之閉極驅動H 勒電路將具有 信號同步之第-二:：閘極線’將與該間極驅動 L號知加至第一儲存電容 與該第一Θ 4 子电今器線，且將具有 弟么唬相反之相位之第二信號 器線。 王弟一儲存電容 在本發明之—例示性實 裡/夜晶顯示器包括在 134528.doc 200923530 預足方向上配置之複數個像素。對應於該等像素之複數個 遽色器配置於該等像素上。複數個擋光部件對應於鄰近遽 色器之間的邊界區而形成。複數個儲存電容器各自形成於 相應推光部件下。每一像素包括複數個薄膜電晶體，其每 -者驅動-相應像素。閘極線連接至該等薄膜電晶體之閑 ' 極’且沿著該等像素之中心軸延伸。第-儲存電容器線大 ' 冑上平行於閘極線而配置且鄰近該等像素之-側而配置。 n 帛f儲存電容11線大體上平行於該閘極線而配置且鄰近與 肖等像素之該一側相對的一相對側而配置。 該等儲存電容器包括複數個第—儲存電容器，其每一者 連接於相應像素之薄膜電晶體與該第—儲存電容器線之 間。複數個第二儲存電容器各自連接於相應像素之薄膜電 晶體與該第二儲存電容器線之間。 、 該等第-健存電容器與該等第二儲存電容器在預定方向 上交替配置。 〇 :液晶顯示器進-步包括驅動電路，該驅動電路將具有 預疋週期之閘極驅動信號施加至閉極線。與該閉極驅動信 &同步之第-信號施加至該第-儲存電容器線。具有與該

第-信號相反之相位的第二信號施加至該第二儲存電容器 線。 D 該等第-儲存電容器與該等第二儲存電容器具有大體上 相同的電容。 、在本發明之-例示性實施例中，—種液晶顯示器包括： 複數個像素，其在預定方向上配置其中每—像素具有一 134528.doc 200923530 ^ aa體；一閘極線，其將驅動信號提供至該等薄臈電 晶體之閘極；及一儲存電容器線，其大體上平行於該閘極 線而配置。驅動電路將第一電壓、第二電壓、第三電麼及 第四電壓提供至該儲存電容器線。該第二電壓小於該第一 電壓’該第三電屋小於該第二電屋，且該第四電壓小於該 第三電壓。 / 該驅動電路交替且重複地將該第三電壓、該第四電I、 該第二電壓及該第一電壓輪流供應至該儲存電容器線。 該驅動電路將一驅動電壓施加至該閘極線，從而當該第 四電壓或該第-電壓施加至該儲存電容器線時接通每一像 素之薄臈電晶體。 該驅動電路交替且重複地將該第三電壓、該第一電壓、 該第二電壓及該第四電壓輪流供應至該儲存電容器線。 該驅動電路將一驅動電壓施加至該閘極線，從而當該第 三電壓或該第二電壓施加至該儲存電容器線時接通每一像 素之薄膜電晶體。 在將該驅動電壓施加至該閘極線後，該驅動電路將該第 電壓或該第四電壓施加至該儲存電容器線。 在本發明之一例示性實施例中’一種液晶顯示器包括在 預定方向上配置之複數個像素。每一像素包括：一薄膜電 晶體；一閘極線’其配置於該等像素之中心中，將驅動信 號提供至每一像素之薄膜電晶體之閘極；一第一儲存電容 器線，其大體上平行於該閘極線且鄰近該等像素之一側而 配置。第二儲存電容器線大體上平行於該閘極線而配置且 134528.doc 200923530 鄰近與該等像素之該-側相對的—相對側而配置。第一儲 存電容器配置於像素之第-像素群中，且連接於該第一像 素群之相應像素之薄膜電晶體與該第_儲存電容器線之 間^二儲存電容器配置於像素之苐二像素群中，且連接 於該第二像素群之相應像素之薄膜電晶體與該第二儲存電 容器線之間。驅動電路將第一電屋、第二電屢、第三電塵 及第四電厘提供至該第一及該第二儲存電容器線。該第二 電壓小於該第一電壓，該第三電 ^ 电饜小於该第二電壓，且該 弟四電壓小於該第三電壓。 該驅動電路可進一步包括產生該第一、該第二、該第三 ^該第四電壓之電壓產生電路。第—開關群將該第-^ 第一、該第三及該第四電壓按兮 w㈣-人序施加至該第一儲存電 令益線。第二開關群將該第一、 電壓按該次序施加 =-、該第三及該第四 芏及弟一儲存電容器線。 沿著預定方向配置之备—德I 氣m 之母像素包括相電晶體。該閘極 線/口者像素之中心站， _冑驅言號提供至每-像素之 涛臈電晶體之閘極。 _ . ^ °亥第一儲存電容器線沿著該等像素之 側配置，且該第一儲在 儲存電4器線在大體上與該閘極線平 订之方向上延伸。該箄篦一 —像素群帛料電谷器連接於配置於該第 '、群中的母—像素之薄膜雷a 線之間。該第-钱户士 電曰曰體與该第-儲存電容器 置m 儲存電容器線沿著該等像素之一相對側配 "第-儲存電容器線在大體上 等第二儲存電容器連接於配置於該心 群中的母-像素之薄膜電晶體與該第二儲存電容器線之 134528.doc -12- 200923530 間。 【實施方式】 以下將參看附圖詳細描述本發明之例示性實施例之以上 及其他特徵。 應理解，當將元件或層稱為「在另一元件或層上」、「連 接至另一元件或層」或「耦接至另一元件或層」時其可 直接在另—元件或層上、連接至另—元件或層或輕接i另

'元件或層，或可存在介入元件或層。下文中，將參看附 圊詳細解釋本發明之例示性實施例。 圖1為展示根據本發明之一例示性實施例的液晶顯示器 ^方塊圖。圖2為展示根據本發明之—例示性實施例的液 晶顯不器之液晶顯示面板之放大圖，且圖3為說明圖^之液 晶顯示器之操作方法的信號之波形圖。 在圖1及圖2中，液晶顯示器（LCD)1〇為藉由點反轉驅動 方法驅動之主動矩陣型顯示裝置。 >看圖1及圖2，LCD 10包括顯示面板n。顯示面板"包 土板（未圖不）及形成於基板上之複數個像素（像素部 件）12。每-像素_成為直線形狀且具有在垂直抽之方 向上的較長側及在水平軸之方向上的較短側。像素^之較 長側形成一仃，且像素12沿著行方向配置。像素12之較短 1 /成歹J 像素i 2亦沿著列方向配置。因此，該等像 素配置成矩陣組態。 每一像素12包括 一端連接至包括一 —薄膜電晶體1 4。每一薄臈電晶體丨4之 像素電極、一液晶及一對置電極之液晶 134528.doc • 13- 200923530 電容器15之一端。 示）。 又，每一像素12包括一 像素電極（未圖

像素12亦被分為第一群及第二群。下文為了對像素分 類’包括於第-群中之像素12將被稱作第—像素群以: 且包括於第二群中之像素12將被稱作第二像素群咖。第 一像素群UA及第二像素群12B在列方向及行方向上交替 ，線16係配置於每一像素12之中心部分中。間極線“ 二列方向延伸且越過每-像素12之中心。閘極線16連接 至> 膜電晶體Μ之閘極18。因此，閘極㈣將驅動信號施 加至包括於像素12中之每一薄臈電晶體14之閘極U，且因 此，每一薄膜電晶體14驅動像素12之一相應像素。 顯不面板11包括第—儲存電容器線2G。第—健存電容器 線2〇沿著像素12之列方向在大體上平行於閘極㈣之方^ 上延伸。雖然未展示於圖i及圖2中，但第一儲存電容器線 20可按「之」字形狀而成角度，或可具有一突出部分同 時沿著列方向延伸。 顯示面板11包括第二儲存電容器線22。第二儲存電 容器線22沿著像素12之列方向在大體上平行於閘極線16之 方向上延伸。第二儲存電容器線22亦可按「之」字形狀而 成角度，或亦可具有-突出部分，同時沿著列方向延伸。 比閘極線粗之儲存電容器線配置於該等像素之間的播光 部件中，且儲存電容器能夠維持像素之電位。儲存電容器 形成於由像素之間的信號線擋阻之擋光部件中。因此，可 134528.doc 200923530 減小形成於光透射區域中的儲存電容器之大小，藉此增加 像素12之開口率。 複數個第一儲存電容器24A配置於像素12中的第一像素 群12A中之每一像素中。第一儲存電容器24A中之每一者 連接於第一像素群12A中之相應薄臈電晶體丨4與第一儲存 電容器線20之間。

複數個第二儲存電容器24B配置於像素12中的第二像素 群12B中之每一像素中。第二儲存電容器24B中之每一者 連接於第二像素群12B中之相應薄膜電晶體M與第二儲存 電容器線22之間。第一儲存電容器24八及第二儲存電容器 24B形成儲存電容器24。 第儲存電容器24A及第二儲存電容器24B沿著像素12 之列方向及行方向交替配置。第一儲存電容器24a與第二 儲存電容器24B具有大體上相同的電容。 第彳°號線28A連接至第一像素群12A之薄膜電晶體 14 ’且將影像信號提供至第—像素群i2A之薄臈電晶體 14。第二信號線28B連接至第二像素群12B之薄臈電晶體 14’將影像信號提供至第二像素群12B之薄膜電晶體14。 一，4為展不根據本發明之—例示性實施例的圖1之液晶顯 『像素邛件之布局。圖5為展示圖4之液晶顯示器的像 素H牛之#刀放大圖。圖6為沿著圖4之線4A-4B截取的橫 截面圖，且圖7為沿著圖4之線5a_5b截取的橫截面圖。 在“例不I·生實施例中，第—儲存電容器“A鄰近第一像 '、群而形成於第—像素群12八與第二像素群㈣之間的 134528.doc 200923530

邊界區26中，且第一儲存電容器24B鄰近第二像素群i2B 而形成於第二像素群12B與第一像素群12A之間的邊界區 26中。 如圖4及圖5中展示，lCD之第一像素群12A包括薄臈電 晶體14之第一半導體層4〇A。該第一半導體層按 ' 之」子形狀形成。如圖4中所示，第一半導體層40A形成 - 於第一突出部分2〇a、第二突出部分20b及第一儲存電容器 線2G之部分下。由於第-信號線28A之部分、第—突出部 分20a及第一半導體層4〇A之部分相互重疊，所以在重疊區 上不需要擋光層。又，第—子儲存電容器24A1由第一半導 體層40A、第-突出部分2Qa及插人於第—半導體層的a與 第一突出部分20a之間的絕緣層（未圖示）形成，且第二子儲 存電容器24A2由第-半導體層嫩、第二突出部分鳥及 插入於第一半導體層40A與第二突出部分20b之間的絕緣層 形成由於第一彳5號線28B之部分、第二突出部分2〇b及第 半導體層40A之部分相互重疊，所以在重疊區上不需要 撐光層。第三子儲存電容器24A3由第-半導體層4〇A、第 —儲存電容器線20之部分及插人於第__半導體層嫩與第 儲存電谷益線20之部分之間的絕緣層形成。在例示性實 施例中，第一像素群12A之第一儲存電容器24A由第-至 第三子儲存電容器24A1、24A2及24A3形成。 又在圖4中，參考數字6〇表示像素電極。在例示性實 施例中’像素電極60可包括氧化銦辞（IZO)或氧化鋼錫 (ΙΤ〇) °如圖4及圖5中所示’ LCD之第二像素群12B包括薄 134528.doc -16 - 200923530 膜電晶體14之第二半導體層40B。在該例示性實施例中， 該第二半導體層40B按「之」字形狀形成。如圖4中所示， 第二半導體層40B形成於第三突出部分22a、第四突出部分 22b及第二儲存電容器線22之部分下。由於第二信號線28B 之部分、第三突出部分22a及第二半導體層40B之部分相互 重疊，所以在重疊區上不需要擋光層。第四子儲存電容器 24B 1由第二半導體層40B、第三突出部分22a及插入於第二 半導體層40B與第三突出部分22a之間的絕緣層形成。又， 第五子儲存電容器24B2由第二半導體層40B、第四突出部 分22b及插入於第二半導體層40B與第四突出部分22b之間 的絕緣層形成。由於第一信號線28A之部分、第四突出部 分22b及第二半導體層40B之部分相互重疊，所以在重疊區 上不需要擋光層。第六子儲存電容器24B3由第二半導體層 40B、第二儲存電容器線22之部分及插入於第二半導體層 40B與第二儲存電容器線22之部分之間的絕緣層形成。在 例示性實施例中，第二像素群12B之第二儲存電容器24B 由第四至第六子儲存電容器24B1、24B2及24B3形成。 第一儲存電容器24A及第二儲存電容器24B包括非透明 金屬層，使得第一儲存電容器24A及第二儲存電容器24B 可充當每一像素中之擋光部件。

如圖4及圖5中所示，由於突出部分形成於根據本發明之 例示性實施例的LCD中之第一儲存電容器線20及第二儲存 電容器線22中之每一者處，所以具有足夠電容之第一儲存 電容器24A及第二儲存電容器24B可形成於第一像素群12A 134528.doc -17- 200923530 及第二像素群12B中。如上所述，第一半導體層40A及第 一半導體層4 0B包括多晶石夕，且按「之」字形狀形成，然 而，第一及第二半導體層之材料及形狀可以許多不同方式 加以體現，且不應解釋為限於包括多晶矽及具有「之」字 形狀。 參看圖6及圖7，LCD之薄膜電晶體基板包括第一基板 48、第一保護層50、第一半導體層40A、閘極線（閘極電 極）16、閘極絕緣層52、中間絕緣層54、信號線28、第二 保護層58、像素電極60及第一對準層62。又，LCD之對置 基板包括第二基板70、濾色器72A、72B及72C、對置電極 74及第二對準層76。薄膜電晶體基板與對置基板相互連 接，其間插入一間隔物（未圖示），且液晶層64插入於薄膜 電晶體基板與對置基板之間。雖然未展示於圖6及圖7中， 但對置基板可進一步包括對應於鄰近濾色器72A、72B及 72C之間的邊界區而配置之擋光層（未圖示）。 在該例示性實施例中，第一保護層5〇包括氮化矽層，閘 極線（閘極電極）1 6包括鉬-鈦（MoTa)，且閘極絕緣層52包括 氧化矽層。又，閘極絕緣層52包括氧化矽層及氮化矽層之 二層結構，信號線28包括鋁（A1)，且第二保護層58包括氧 化矽層（SiOJ。像素電極60包括氧化銦錫IT〇，且第一對 準層62包括聚醯亞胺。然而，以上提到的元件之材料不限 於本文中所列出之彼等材料。 參看圖1，LCD 1〇包括驅動電路82。驅動電路82包括電 壓產生電路84、第一開關群86、第二開關群88、sc時序產 134528.doc -18- 200923530 生器90、閘極移位暫存器92、閘極驅動器料及 96 〇 電壓產生電路84產生第一電壓V1、第二電壓v2、第三 電壓V3及帛四電壓V4。帛—開關群％選擇第一至第四; 壓Vi、V2、V3及V4將電壓按第一電壓^、第二電壓η、 第三電壓V3及第四電壓V4之次序施加至第一儲存電容器 線20。第二開關群88選擇第一至第四電壓V1、V2、^3及 V4將電壓按卜電壓¥1、帛二電壓V2、第三電壓π及第 ) 四電壓V4之次序施加至第二儲存電容器線22。SC時序產 生器90連接至第一開關群86及第二開關群88。％時序產生 器90控制帛-開關群86及第二開關群88之開關操作時序。 SC時序產生器90連接至閘極移位暫存器92。閘極移位暫 存器92將關於由SC時序產生器90選擇之閘極線16之指令信 號輸出至SC時序產生器90。 又，閘極驅動器94連接至閘極線1 6。閘極驅動器94將閘 ；| 極驅動信號提供至閘極線16以驅動連接至選定閘極線16之 像素1 2。 如上所述，電壓產生電路84、第一開關群86、第二開關 群88、SC時序產生器90、閘極移位暫存器92及閘極驅動器 94連接至控制電路96，且控制電路96控制電壓產生電路 84、第一開關群86、第二開關群88、SC時序產生器90、閘 極移位暫存器92及閘極驅動器94之操作。 電壓產生電路84、第一開關群86、第二開關群88、SC時 序產生器90、閘極移位暫存器92、閘極驅動器94及控制電 134528.doc •19- 200923530 路96之全部或部分可與顯示面板丨丨整體形成，或可形成於 1C晶片中。 驅動電路82將具有預定週期之閘極驅動信號提供至閘極 線16,將與閘極驅動信號同步之第一信號S1提供至第—儲 存電容器線20 ’且將具有與第一信號s丨相反之相位的第二 - 仏號S2提供至第二儲存電容器線22。更明確地說，第二信 - 號S2具有落後第一信號S1 —個水平週期之時序。驅動電路 82將第一至第四電壓V1、V2、V3及V4施加至第一儲存電 令器線20及第二儲存電容器線22。在此情況下，第二電壓 V2小於第一電壓V1，第三電壓V3小於第二電壓V2，且第 四電壓V4小於第三電壓V3。 如圖3中所不，驅動電路82交替且重複地將第一電壓 至第四電壓V4按第三電壓V3、第一電壓¥1、第二電壓V2 及第四電壓V4之次序施加至第一儲存電容器線2〇及第二儲 存電容器線22兩者。 (J 驅動電路82經設定以在接通薄膜電晶體14之閘極18(例 如，在像素12之像素電壓之移位時序處）後即過驅動施加 至第一儲存電容器線20及第二儲存電容器線22之電壓。 在像素12之電位自負電位㈠轉變至正電位（+)的情況 下驅動電路82將驅動電壓（閘極驅動信號）施加至閘極線 16，且當第三電壓V3施加至第一儲存電容器線2〇或第二儲 存電谷器線22時接通相應像素12之薄臈電晶體14之閘極 18。因此，像素12可在接通薄膜電晶體H後即進入過驅動 週期。在過驅動週期期間，驅動電路82將比第二電壓V2高 134528.doc • 20- 200923530 之第一電壓VI施加至第一儲存電容器線2〇及第二儲存電容 器線22。因此’當與在第三電壓V3後將第二電壓V2施加 至第一儲存電容器線20及第二儲存電容器線22之組態相比 時，可將相對較高之電壓（V1_V3)施加至第一儲存電容器 線20及第二儲存電容器線22。 又’在像素12之電位自正電位轉變至負電位㈠的情 況下’驅動電路82將驅動電壓（閘極驅動信號）施加至閘極 線16，以當第二電壓V2施加至第一儲存電容器線2〇或第二 儲存電谷器線22時接通相應像素丨2之薄膜電晶體1 4之閘極 1 8。因此，像素12可在接通薄膜電晶體丨4後即進入過驅動 週期。在過驅動週期期間，驅動電路82將比第三電壓V3低 之第四電壓V4施加至第一儲存電容器線2〇及第二儲存電容 器線22。因此，當與在第二電壓V2後將第三電壓V3施加 至第一電容器線20及第二電容器線22之組態相比時，可將 相對較尚之電壓（V4-V2)施加至第一儲存電容器線2〇及第 二儲存電容器線22。 如上所述，由於當將電壓施加至液晶電容器15時，可將 比習知組態之電壓高的電壓施加至儲存電容器24，所以可 比習知組態快地控制液晶之對準狀態，且另外，可將像素 12之像素電壓比習知組態更長時間地維持於適當位準下。 以下將^述根據本發明之—例示性實施例的。如同 上述LCD 1 0，根據本發明之該例示性實施例的為主動 矩陣型顯示裝置，且藉由點反轉驅動方法加以驅動。又， 根據該例示性實施例的LC：D丨G具有與上述lcd之組態及功 134528.doc •21 · 200923530 月b相同的組態及功能（除了像素之組態之外）。因此，可省 略對與以上所論述相同的元件之詳細描述。 圖8為展示根據本發明之一例示性實施例的lcd之像素 部件之例不性實施例之布局。圖9為展示圖8之1<：：1)的像素 部件之部分放大圖。圖丨〇為沿著圖9之線4A-4B截取的橫截 面圖，且圖11為沿著圖9之線5A-5B截取的橫截面圖。 在4例不性實施例中，第一儲存電容器24A鄰近第一像 素群12A而沿著第—像素群12A與第二像素群i2B之間的邊 界區26形成。同時，第二儲存電容器24b鄰近第二像素群 12B而沿著第二像素群12β與第一像素群i2A之間的邊界區 26形成。 如圖8及圖9中所示’ lcd 1〇包括配置於第一像素群12A 中之薄膜電晶體14之第一半導體層4〇A。第一半導體層 40A按大體上直角形狀而成角度。然而，第一半導體層 40A之形狀不限於如圖8中所示之直角形狀。在圖8中，第 一儲存電容器線20包括第一突出部分2〇a及第二突出部分 20b。參考數字60表示像素電極。在例示性實施例中，像 素電極60可包括氧化銦鋅（IZO)或氧化銦錫（ITO)。在根據 該例示性實施例之LCD 1〇中，第一子儲存電容器24八丨係 由形成於第一半導體層4〇八上且電連接至像素電極6〇之電 極84、第一突出部分2〇a及插入於電極84與第一突出部分 20a之間的絕緣層（未圖示）所形成。又，第二子儲存電容器 24A2係由像素電極6〇、第二突出部分2〇b及插入於像素電 極60與第二突出部分2〇b之間的絕緣層所形成。第三子儲 134528.doc -22- 200923530

存電容器24A3係由像素電極60、第一儲存電容器線2〇之部 分及插入於像素電極60與第一儲存電容器線2〇之部分之間 的絕緣層所形成。第一像素群12A之第一儲存電容器24A 係由第一至第三子儲存電容器24A1 ' 24A2及24A3所形 成。

又，如圖8中所示，LCD 10包括配置於第二像素群12B 中之溥膜電晶體14之第二半導體層40B。在本例示性實施 例中，第二半導體層40B按大體上直角形狀而成角度。然 而，第二半導體層40B之形狀不限於如圖8中所示之直角形 狀。在圖8中，第二儲存電容器線22包括第三突出部分22& 及第四突出部分22b。在LCD 10中，第四子儲存電容器 24B 1係由形成於第二半導體層4〇]3上且電連接至像素電極 6〇之電極84、第三突出部分22a及插入於電極料與第三突 出部分22a之間的絕緣層（未圖示）所形成。又，第五子儲存 電容器24B2係由像素電極6〇、第四突出部分及插入於 像素電極60與第四突出部分22b之間的絕緣層所形成。第 六子儲存電容器24B3係由像素電極6〇、第二儲存電容器線 22之部分及插人於像素f極㈣第^存電容器㈣之部 分之間的絕緣層所形m，第二像素群i2B之第二儲 存電容器24B係由第四至第六子儲存電容器24βι、2叩2及 24B3所形成。 由於第儲存電容器24A及第二儲存電容器24B包括非 透明金屬I ’所以第一儲存電容器24A及第二儲存電容器 24B可充當每一像素中之擋光部件。 134528.doc -23- 200923530

Ci 如圖8中所示’在根據該例示性實施例之Lcd 1〇中，第 一儲存電容器24A及第二儲存電容器24B中之每一者包括 三個子儲存電容器，且因此，第一儲存電容器24A及第二 儲存電容器24B可提供足夠的電容。在該例示性實施例 中’第一半導體層40A及第二半導體層4〇B包括非晶石夕且 按大體上直角形狀形成，然而，第一半導體層4〇A及第二 半導體層40B之材料及形狀可以許多不同方式加以體現， 且不應限於本文中所描述之非晶矽及直角形狀。 如圖1 〇及圖11中所示，根據該例示性實施例之lcd之薄 膜電晶體基板包括第一基板48、第一保護層5〇、第一半導 體層40A、閘極絕緣層52 '閘極線（閘極電極）16、歐姆接 觸層80及82、源極電極84、汲極電極％、第二保護層58、 像素電極60及第-對準層62。又，LCD之對置基板包括第 二基板70、濾色器72A、72B及72C、對置電極”及第二對 準層76。薄膜電晶體基板與對置基板相互連接，其間插入 -間隔物’且液晶層64插入於薄膜電晶體基板與對置基板 之間。同# ’擋光部件73進一步配置於該第二基板7〇中。 在該例示性實施例中，第一保護層5〇包括氮化石夕層，閉 極線（閘極電極）16包括㈣（MGTa)，且閘極絕緣層Μ包括 乳化石夕層。又’信號線28包括銘⑽，第二保護層Μ包括 層（SlN)，像素電極60包括ιτο,且第—對準層62包

::亞胺。然而，以上提到的元件之材料不應限於本文 令所描述之彼等材料。 X 以下將描述根據本發明之—例示性實施例的瓜1〇。如 134528.doc •24- 200923530 在上述例示性實施例中，根據該例示性實施例之LCD 10為 主動矩陣型顯示裝置，且藉由點反轉驅動方法加以驅動。 又，根據該例示性實施例的LCD 10具有#上述LCD之組態 及功能相同的組態及功能（除了像素部件之組態之外）。因 此’可省略對與以上所論述相同的元件之詳細描述。 圖12為展不根據本發明之一例示性實施例的lcd之像素 部件之布局。圖13為展示圖122LCD的像素部件之部分放 大圖。圖14為沿著圖13之線4八_化截取的橫截面圖，且圖 15為沿著圖13之線5Α·5Β截取的橫截面圖。 在該例不性實施例中，第一儲存電容器24Α鄰近第一像 素群12Α而沿著第一像素群12Α與第二像素群ΐ2β之間的邊 界區26形成。第二儲存電容器24Β鄰近第二像素群ΐ2Β而 沿著第二|素群12Β與第—像素群12Α之間㈣界區％形 成。 參看圖12及圖13，LCD包括配置於第一像素群12八中的 薄膜電晶體14之第一半導體層4〇八。第一半導體層4〇α按 大體上直角形狀而成角度。然而，第—半導體層4〇α之形 狀不限於如圖ίο中所示之直角形狀。如圖12中所示，第一 儲存電容器線20包括第一突出部分2〇a及第二突出部分 2〇b。參考數字60表示像素電極6〇。在該例示性實施例 中，像素電極60可包括氧化銦鋅（IZ〇)或氧化銦錫（ιτ〇)。 第一子儲存電容器24Α1由像素電極6〇、第一突出部分2〇a 及插入於像素電極60與第一突出部分2〇a之間的絕緣層（未 圖不）形成。又，第二子儲存電容器24A2由像素電極' 134528.doc •25- 200923530 第二突出部分2〇b及插入於像素電極6〇與第二突出部分2仙 之間的絕緣層形成。第三子儲存電容器24A2由像素電極 60、第一儲存電容器線20之部分及插入於像素電極6〇與第 一儲存電容器線20之部分之間的絕緣層形成。第一至第三 子儲存電容器24A1、24A2及24A3形成第一像素群12A之第 • 一儲存電容器24A。 又’如圖12中所示，LCD包括配置於第二像素群uB中 ㈣膜電晶體14之第二半導體層娜。在該例示性實施例 中，第二半導體層40B按大體上直角形狀而成角度。然 而，第二半導體層40B之形狀不限於如圖12中所示之直角 形狀。在圖十，第二儲存電容器線22包括第三突出部分 22a及第四犬出0卩分22b。在根據該例示性實施例之〇 中，第四子儲存電容器2他由像素電極6〇、第三突出部分 22a及插入於像素電極6〇與第三突出部分22a之間的絕緣層 (未圖不）形成。又’第五子儲存電容器2他由像素電極 〇 60、第四突出部分22b及插入於像素電極6〇與第四突出部 分22b之間的絕緣層形成。第六子儲存電容器则由像素 電極60 g —儲存電容&線22之部分及插人於像素電極 與第二儲存電容器線22之部分之間的絕緣層形成。第四至 第六子儲存電容器細、2繼及2彻形成第二像素群咖 之第二儲存電容器24B。 由於第一儲存電容器24A及第二健存電容器24B包括一 非透明金屬層，所以笛 神太带 所以弟儲存電容器24A及第二儲存電容 器24B可充當每—像素中之擋光部件。 134528.doc •26· 200923530 如圖12中所示’由於根據該例示性實施例之LCD具備第 一储存電容器24A及第二儲存電容器24B(每一者具有三個 子儲存電容器）’所以LCD 10可具有足夠的儲存電容。在 該例示性實施例中’第一半導體層4〇A及第二半導體層 40B包括非晶矽且按大體上直角形狀形成，然而，第一半 導體層40A及第二半導體層40B之形狀及材料不應限於包 括非晶石夕及具有直角形狀。 如圖14及圖15中所示，LCD之薄膜電晶體基板包括第一 基板48、第一保護層50、第一半導體層4〇A、閘極絕緣層 52、閘極線（閘極電極）16、歐姆接觸層8〇及82、源極電極 84、汲極電極86、第二保護層58、像素電極6〇及第一對準 層62。又’ LCD之對置基板包括第二基板7〇、濾色器 72A、72B及UC、對置電極”及第二對準層％。薄臈電晶 體基板與對置基板相互連接，其間插入一間隔物，且液晶 層64插入於薄臈電晶體基板與對置基板之間。又，第二基 板70進一步包括形成於其上之擋光部件73。 在該例示性實施例中，第一保護層5〇包括氮化石夕層，閘 極線（閘極電極）16包括翻鈦（MoTa) ’且閉極絕緣層^包括 氧化矽層。又，信號線28包括鋁（A1),第二保護層58包括 氮化矽層（SiN)，像素電極6〇包括IT〇，且第一對準層“包 括聚醯亞胺。然而，以上提到的元件之材料不應限於彼等 材料。 根據以上内容，沿著預定方向配置之每一像素包括薄膜 電晶體’且閘極線沿著像素之中心軸延伸以將驅動信號提 134528.doc •27· 200923530 供至每一像素之薄臈電晶體的閘極β 又，第一儲存電容器線 & + $ ~ 者该等像素之一側配置，Η @ 一儲存電容器線在大體卜你直且第 犬體上與閘極線平行之方向上延伸。笛 一儲存電容器連接於配置 之伸第 膜電晶體與第一儲存電容g t '、爲 ^ . 線之間。又，第二儲存雷玄哭 線沿著該等像素之一相對 ° 在大體上與該閘極線平行 器線 Γ υ 容器連接於配置於第-後去 電 與第的每—像素之薄臈電晶體 與第一儲存電容器線之間。 比問極線㈣儲存電容輯配置於像素之㈣播光部件 ’且儲存電容器維持像素之電位。錯存電容器形成於像 素之間的擋光部件中。可、、成 〜 ^ T減小形成於光透射區域中的儲存 電容器之大小，藉此增加像素之開口率。 雖然已描述了本發明之例示性實施例，但應理解，本發 明不應限於此等例示性實施例。在本發明之精神及範疇 内一般熟習此項技術者可進行各種改變及修改。 【圖式簡單說明】 > 圖1為展示根據本發明之一例示性實施例的LCD之方塊 圖； 圖2為展示圖1之1^(：〇的液晶顯示面板之放大圖； 圖3為說明圖丨之LCD2操作方法的信號之波形圖； 圖4為展示圖1之1^(：1)的像素部件之布局； 圖5為展示圖4之LCD的像素部件之部分放大圖； 圖6為沿著圖4之線4A-4B截取的橫截面圖； 134528.doc 28- 200923530 圖7為沿著圖4之線5A-5B截取的橫截面圖； 圖8為展示根據本發明之一例示性實施例的LCD之像素 部件之布局； 圖9為展示圖8之LCD的像素部件之部分放大圖； 圖10為沿著圖9之線4A-4B截取的橫截面圖； 圖11為沿著圖9之線5 A-5B截取的橫截面圖； 圖12為展不根據本發明之一例示性實施例的[CD之像素 部件之布局； 圖13為展示圖122LCD的像素部件之部分放大圖； 圖14為沿著圖13之線4A_4B截取的橫截面圖；及 圖15為/0著圖13之線5A-5B截取的橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10 液晶顯示器（LCD) 11 顯示面板 12 像素（像素部件） 12A 第一像素群 12B 第二像素群 14 薄膜電晶體 15 液晶電容器 16 閘極線（閘極電極） 18 閘極 20 第一儲存電容器線 20a 第一突出部分 20b 第二突出部分 134528.doc -29· 200923530

22 第二儲存電容器線 22a 第三突出部分 22b 第四突出部分 24A 第一儲存電容器 24A1 第一子儲存電容器 24A2 第二子儲存電容器 24A3 第三子儲存電容器 24B 第二儲存電容器 24B1 第四子儲存電容器 24B2 第五子儲存電容器 24B3 第六子儲存電容器 26 邊界區 28A 第一信號線 28B 第二信號線 40A 第一半導體層 40B 第二半導體層 48 第一基板 50 第一保護層 52 閘極絕緣層 54 中間絕緣層 58 第二保護層 60 像素電極 62 第一對準層 64 液晶層 134528.doc •30- 200923530 70 第二基板 72A 遽色器 72B 渡色器 72C 渡色器 73 擋光部件 74 對置電極 76 第二對準層 80 歐姆接觸層 82 驅動電路/歐姆接觸層 84 電壓產生電路/源極電極 86 第一開關群/汲極電極 88 第二開關群 90 SC時序產生器 92 閘極移位暫存器 94 閘極驅動器 96 控制電路 SI 第一信號 S2 第二信號 VI 第一電壓 V2 第二電壓 V3 第三電壓 V4 第四電壓 134528.doc -31 -

Claims (1)

1. 200923530 十、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示器，其包含： -像素群，其包括-具有〆第-薄膜電晶體之第-像 素及一具有一第二薄膜電晶體之第二像素； 一閘極線，其將一驅動信號施加至該第一及該第二薄 膜電晶體之一閘極； 一第一儲存電容器線，其鄰近該第一像素之一側而配 置’且大體上平行於該閘極線而配置；

   一第二儲存電容器線，其鄰近該第一像素之與該第一 像素之該一側相對之一相對側而配置，且大體上平行於 該閘極線而配置； 一第一儲存電容器，其配置於該第一像素中且連接於 該第一薄膜電晶體與該第一儲存電容器線之間；及 一第二儲存電容器， 該第二薄膜電晶體與該 2.如請求項丨之液晶顯示 素係交替配置。 其配置於該第二像素中且連接於 第二儲存電容器線之間。 器，其中該第一像素與該第二像 日日朔不器，复 該第一像·, ，、中6亥第™儲存電容器多 之間之一邊界區中，日成於該第一像素與該第二4 素之—右側而形成於該一儲存電容器鄰近該第J 邊界區中。 像素與該第一像素之間 Η· π晴來項 含一第一突出部 器’其中該第一 第二突出部分， 儲存電容器線包 且該第一儲存電 134528,doc 200923530 谷益包含：―第一子儲存電容器’其包括該第一薄膜電 晶體之-第—半導體層、該第一突出部分及—插入於該 第：半導體層與該第-突出部分之間的絕緣材料；及一 第一子儲存電容器’其包括該第一半導體層、該第二突 出部分及-插入於該第一半導體層與該第二突出部分之 間的絕緣材料，且 Γ Ο 該第二儲存電容器線包含一第三突出部分及一第四突 ”分’且該第二儲存電容器包含：—第三子储存電容 2 Ά括該第一薄膜電晶體之一第二半導體層、該第 三突出部分及一插入於該第二半導體層與該第三突出部 門的絕緣材料，及—第四子儲存電容器，其包 第二半導體層、該第四突出部分及—插人於該第二半; 體層與該第四突出部分之間的絕緣材料。 5·:::二之液晶顯示器，其中該第—儲存電容器線包 :人大出部分及-第二突出部分，且該第一儲存電 一 ^ 3 :—第—子儲存電容器，其包括該第-像素之 I -像素電極、該第一突出部分及一插入於該 〃電極與該第-突出部分之間的絕緣材料；及一第_ :存電容器，其包括該第一像素電極、該第二突出二 緣材/Γ該第一像素電極與該第二突出部分之間的 出：：二錯存電容器線包含一第三突出部分及一第四突 器，二且該第二儲存電容器包含：-第三子儲存電容 Ά括該第一像素之一第二像素電極、該第三突出 134528.doc 200923530 口 P刀及一插入於該第 的絕緣她及—第二 =_三突出部分之間 素電極、該第四突存，其包括該第二像 該第四突出部八 ” _入於该第-像素電極與 6.

   7. 大出口P刀之間的絕緣材料。 如：求項1之液晶顯示器’進一步包含一驅動電路，其 將-具有-預定週期之間極驅動信號施加至該問極線:、 將-與該閘極驅動信號同步之第一信號施加至該 存電容器線，且將—具有與信號相反之—相位之 第一信號施加至該第二儲存電容器線。 一種液晶顯示器，其包含： 複數個像素，其係以一預定方向配置； 複數個遽色器，其對應於該等像素而配置於該等像素 複數個撲光部件，其係對應於相互鄰近之該等遽色器 之間之一邊界區而形成；及

   複數個儲存電容器，其各自形成於一相應擋光部件 下。 8.如請求項7之液晶顯示器，其中每一像素包含： 複數個薄膜電晶體，其中每一者驅動該複數個像素中 之一相應像素； 一閘極線’其連接至該等薄膜電晶體之一閘極且沿著 該等像素之一中心軸延伸； 一第一儲存電容器線’其大體上平行於該閘極線而配 置且鄰近該等像素之一側而配置；及 134528.doc 200923530 一第二储存電容器線，其大體上平行於該閘極線而配 置且鄰近與該等像素之該—側相對之—相對側而配置，且 該等儲存電容器包括：複數個第一儲存電容器，其每 一者連接於一相應像素之該薄膜電晶體與該第一儲存電 容器線之間；&複數個第二射電容器，其每—者連接 於-相應像素之該薄膜電晶體與該第二儲存電容器線之 間。 9. Ο ίο. 11. Ο 12. 如請求項8之液晶顯示器，其中該等 該等第二儲存電容器係、在該預定方向上交替配置電Γ 如請求項8之液晶顯示器，進一步包含一驅動電路，該 驅動電路將一具有一預定週期之閘極驅動信號施加至該 閘極線’將-與該閘極驅動信號同步之第—信號施加至 該第-儲存電容器線，且將—具有與該第_信號相反之 一相位之第二信號施加至該第二儲存電容器線。 如請求項8之液晶顯示器，其中該等第—儲存電容器與 該等第二儲存電容器具有大體上相同的電容。 一種液晶顯示器，其包含： 且各自包括一 複數個像素，其配置於一預定方向上 薄膜電晶體； 一問極線，其將-驅動信號施加至每—像素之該薄膜 t 日胁、 日日體之一閘極； :儲存電容器線，其大體上平行於該閘極線而配置；及 一驅動電路，其將一第一電壓、—第二電壓、一第三 電壓及一第四電壓施加至該儲存電容器線， 134528.doc 200923530 其中該第二電壓小於該第一電壓，該第三電壓小於該 第二電壓，且該第四電壓小於該第三電壓。 13.如請求項12之液晶顯示器，其中該驅動電路重複地將該 第三電壓、該第四電壓、該第二電壓及該第一電壓以此 次序施加至該儲存電容器線。

   14.如請求項π之液晶顯示器’其中該驅動電路將一驅動電 壓施加至該閘極線’以當該第四電壓或該第一電壓施加 至該儲存電容器線時接通每一像素之該薄膜電晶體。 15·如請求項12之液晶顯示器，其中該驅動電路重複地將該 第三電壓、該第一電壓、該第二電壓及該第四電壓以此 次序施加至該儲存電容器線。 1 6 ·如吻求項15之液晶顯示器，其中該驅動電路將一驅動電 壓施加至該閘極、線，以當該第三電壓《該第^電壓施加 至該儲存電容器線時接通每一像素之該薄膜電晶體。 17.如請求項16之液晶顯示器，其中在將該驅動電壓施加至 該閘極線後，該驅動電路將該第一電壓或該第四電壓施 加至該儲存電容器線。 1 8. —種液晶顯示器，其包含： 複數個像素，其配置於一 且々、預疋方向上，且各自包括一 薄膜電晶體； 雷曰/ ’線其將#區動信號提供至每-像素之該薄膜 電曰曰體之-閑極’該閉極線係配置於該 中； ， 一第一儲存電容器線 其大體上平行於該閘極線而配 134528.doc 200923530 置且鄰近該等像素之—側而配置； 第一儲存電容器線，其大體上平行於該閘極線而配 置且鄰近與該等像素之該一側相對之一相對側而配置； 第儲存電容器，其配置於該等像素之一第一像素 群中且連接於該第一像素群之一相應像素之該薄膜電 - 日日體與該第一儲存電容器線之間； 第二儲存電容器，其配置於該等像素之一第二像素 群中，且連接於該第二像素群之一相應像素之該薄臈電 日日體與5亥第二儲存電容器線之間；及 驅動電路，其將一第一電壓、一第二電壓、一第三 電壓及一第四電壓施加至該第一及該第二儲存電容器 線， ° 其中該第二電壓小於該第一電壓，該第三電壓小於該 第二電壓’且該第四電壓小於該第三電壓。 19·如叫求項18之液晶顯示器，其中該驅動電路包含： (J 一電壓產生電路，其產生該第一、該第二、該第三及 該第四電壓； ， 一第一開關群，其將該第一、該第二、該第三及該第 四電壓按該次序施加至該第一儲存電容器線；及 一第二開關群，其將該第一、該第二、該第三及該第 四電壓按該次序施加至該第二儲存電容器線。 134528.doc -6 -