WO2012039345A1

WO2012039345A1 - 液晶表示装置、および、ディスプレイ装置

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Publication number: WO2012039345A1
Application number: PCT/JP2011/071134
Authority: WO
Inventors: 昇平勝田; 豪鎌田; 誠二大橋
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2010-09-22
Filing date: 2011-09-15
Publication date: 2012-03-29
Also published as: US20130176198A1; US9013388B2

Abstract

液晶表示装置（１）は、行列状に配置された複数の画素を有する液晶パネルと、位相差板（ＲＲ）および位相差板（ＲＬ）が液晶パネルの奇数行および偶数行に対応する位置に形成されているPatterned Retarder と、を有しており、第ｎ行目の画素の有する各副画素のうち、位相差板（ＲＲ）と位相差板（ＲＬ）との境界に最も近い副画素である境界近傍副画素の副画素電極は、第ｎ－１行以前のゲートバスラインに接続されたゲート電極を有するトランジスタを介して補助バスラインに接続されており、第２の表示モードにおいては、第１行から第Ｎ行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給し、第１の表示モードにおいては、第Ｎ行から第１行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給する。

Description

液晶表示装置、および、ディスプレイ装置

　本発明は、液晶を用いて画像を表示する液晶表示装置に関する。特に、Patterned Retarder方式を用いて、画像を立体視可能に表示する液晶表示装置に関する。また、そのような液晶表示装置を備えているディスプレイ装置に関する。

　近年、画像を立体視不能に表示する（以下、「２Ｄ（平面）画像を表示する」とも言う）機能に加え、画像を立体視可能に表示する（以下、「３Ｄ（立体）映像を表示する」とも言う）機能を有する液晶表示装置が実現されている。

　立体映像を表示する技術としては、アクティブシャッター方式、裸眼レンチキュラー（lenticular）方式、及び、Patterned Retarder方式（偏光方式、PR方式とも呼ぶ）等が知られている。何れの方式においても、右目用画像がユーザの右目のみに提示され、左目用画像がユーザの左目のみに提示されることによって、ユーザは画像を立体的に視認することができる。

　アクティブシャッター方式を用いる液晶表示装置では、左目用のフレーム（Ｌ用フレーム）と右目用のフレーム（Ｒ用フレーム）とが交互に表示される。ユーザは、当該液晶表示装置に表示される画像を、Ｌ用フレームとＲ用フレームとの切り替えに同期してシャッター動作が行われる左目用レンズと右目用レンズとを有する３Ｄ用メガネを介して観測することによって、当該画像を立体的に視認することができる。

　裸眼レンチキュラー方式を用いる液晶表示装置は、左目用画像と右目用画像とを、液晶パネルの正面側に形成されたレンチキュラーレンズを介してユーザの左目と右目とに個別に提示する。これにより、ユーザは、３Ｄ用メガネを用いることなく、当該画像を立体的に視認することができる。

　Patterned Retarder方式を用いる液晶表示装置では、奇数番目の水平走査線によって画定される画素により右目用の画像が表示され、偶数番目の水平走査線によって画定される画像により左目用の画像が表示される。

　以下では、図１９の（ａ）～（ｂ）、および、図２０を参照して、Patterned Retarder方式についてより具体的に説明を行う。図１９の（ａ）は、Patterned Retarder方式を用いる従来の液晶表示装置の備えるバックライトユニット５０、液晶パネル６０、および、Patterned Retarder７０を示す分解斜視図である。

　バックライトユニット５０は、液晶パネル６０に対して、該液晶パネル６０の背面からバックライトを供給する。液晶パネル６０には、水平走査線（横方向走査線）ＨＬ1～ＨＬN（Ｎは水平走査線の総数）、および、垂直走査線（縦方向走査線）ＶＬ1～ＶＬM（Ｍは垂直走査線の総数）のそれぞれによって画定される画素が形成されている。液晶パネル６０は、各画素の備える液晶の配向を制御することによって、バックライトの透過率を画素毎に制御することができる。また、液晶パネル６０は、奇数番目の水平走査線ＨＬ１、ＨＬ３、…によって画定される画素によって、右目用の画像を表示し、偶数番目の水平走査線ＨＬ２、ＨＬ４、…によって画定される画素によって、左目用の画像を表示する。

　Patterned Retarder７０は、水平走査線方向を長手方向とする位相差板であって、互いに特性の異なる２種類の位相差板ＲＲおよびＲＬから構成されている。ここで、位相差板ＲＲは、直線偏光した光を右向きに円偏光した光に変換するものであり、位相差板ＲＬは、直線偏光した光を左向きに円偏光した光に変換するものである。図１９の（ａ）に示すように、奇数番目の水平走査線ＨＬ１、ＨＬ３、…によって画定される画素の正面側には、位相差板ＲＲが配置され、偶数番目の水平走査線ＨＬ２、ＨＬ４、…によって画定される画素の正面側には、位相差板ＲＬが配置されている。

　したがって、奇数番目の水平走査線によって画定される画素によって表示される右目用画像は、Patterned Retarderを透過した後、右向きに円偏光した光によって表され、偶数番目の水平走査線によって画定される画素によって表示される左目用画像は、Patterned Retarderを透過した後、左向きに円偏光した光によって表される。

　図１９の（ｂ）は、Patterned Retarder方式において用いられる３Ｄ用メガネ８０を示している。図１９の（ｂ）に示すように、３Ｄ用メガネ８０は、右目用レンズと左目用レンズとを備えている。右目用レンズは、右向きに円偏光した光のみを透過するものであり、左目用レンズは、左向きに円偏光した光のみを透過するものである。したがって、ユーザは、当該３Ｄ用メガネ８０を使用することによって、液晶表示装置の表示する画像のうち、奇数番目の水平走査線によって画定される画素によって表示される右目用画像を、右目のみによって観測し、偶数番目の水平走査線によって画定される画素によって表示される左目用画像を、左目のみによって観測することができる。これにより、ユーザは、当該画像を立体的に視認することができる。

　また、Patterned Retarder方式の液晶表示装置は、奇数番目の水平走査線によって画定される画素、および、偶数番目の水平走査線によって画定される画素の双方を用いて、２Ｄ画像を表示することもできる。この場合、ユーザは、３Ｄ用メガネを用いることなく、当該液晶表示装置の表示する画像を観測すればよい。

　また、Patterned Retarder方式に用いられる３Ｄ用メガネ８０は、アクティブシャッター方式に用いられる３Ｄ用メガネのような電気的な制御が不要なので、簡易な構成によって実現することができる。

　一方で、Patterned Retarder方式では、主として、液晶パネルを構成するGlass層の厚みが有限であることに起因して、クロストークと呼ばれる現象が生じることが知られている。

　ここで、クロストークとは、ユーザが斜め上側から液晶パネルを観測する場合、または、斜め下側から液晶パネルを観測する場合に、奇数番目の水平走査線によって画定される画素により表示される右目用画像の一部が、偶数番目の水平走査線によって画定される画素の正面側に配置された左目用位相差板を透過した後に観測され、偶数番目の水平走査線によって画定される画素により表示される左目用画像の一部が、奇数番目の水平走査線によって画定される画素の正面側に配置された右目用位相差板を透過した後に観測されることにより、左向きに円偏光した光によって表される左目用画像の中に、右目用画像が混在し、右向きに円偏光した光によって表される右目用画像の中に、左目用画像が混在してしまうという現象である。

　従来、液晶パネルおよびPatterned Retarderに、それぞれ水平走査線に沿ってブラックマトリックスおよびブラックストライプを形成することによって、上記のクロストークを抑制する構成が知られている。

　図２０は、従来の液晶表示装置の備えるバックライトユニット５０、液晶パネル６０、および、Patterned Retarder７０の垂直走査線方向（縦方向）に沿った断面図であって、ｎ番目の水平走査線によって画定される画素、および、ｎ＋１番目の水平走査線によって画定される画素の周辺の構成を示す図である。図２０においては、ブラックマトリックスおよびブラックストライプによってクロストークを抑制するように構成された液晶パネル６０、および、Patterned Retarder７０が示されている。

　図２０に示すように、液晶パネル６０の背面側（図２０において向かって左側）にはバックライトユニット５０が配置され、液晶パネル６０の正面側（図２０において向かって右側）には、Patterned Retarder７０が配置されている。また、液晶パネル６０は、第１の偏光板６０ａ、ＴＦＴ－Ｇｌａｓｓ６０ｂ、ＴＦＴ基板６０ｃ、カラーフィルタ６０ｄ、ＣＦ－Ｇｌａｓｓ６０ｅ、第２の偏光板６０ｆより構成されている。

　図２０に示すように、ＴＦＴ基板６０ｃにおいて、ｎ番目の水平走査線によって画定される画素Ｐｎと、ｎ＋１番目の水平走査線によって画定される画素Ｐｎ＋１との間には、ブラックマトリックスＢＭが形成されている。また、当該ブラックマトリックスＢＭの正面側には、カラーフィルタ６０ｄ内にブラックマトリックスＢＭ’が形成されており、Patterned Retarder７０内にブラックストライプＢＳが形成されている。

　このようなブラックマトリックスおよびブラックストライプによって、図２０に示すように、液晶パネル６０の法線方向と視線方向とのなす角が、垂直走査線方向にα度以内である場合に、クロストークの発生を抑制することができる。

　しかしながら、このような構成では、ブラックマトリックスおよびブラックストライプによって開口率が低下するため、画像の輝度が低下するという問題がある。

　非特許文献１には、各画素を垂直走査線方向に２つの副画素（上側の副画素および下側の副画素）に分割することによって、ブラックストライプを用いることなくクロストークを抑制する技術が提案されている。この技術においては、２Ｄ画像を表示する場合には、双方の副画素に、表示画像用データ電圧が供給され、３Ｄ画像を表示する場合には、上側の副画素のみに表示画像用データ電圧が供給され、下側の副画素には、黒表示用のデータ電圧が供給される。黒表示用のデータ電圧が供給される当該下側の副画素は、ブラックマトリックスとして機能する。

　したがって、非特許文献１に開示された技術によれば、２Ｄ画像を表示する場合に画像の輝度が低下することがない。また、３Ｄ画像を表示する場合には、ブラックマトリックスによってクロストークの発生を抑制することができる。

"A Nobel Polarizer Glasses-type 3D Displays with a Patterned Retarder", 2010 SID International Symposium, Washington State Convention Center, Seattle, Washington USA, May 25 2010

　しかしながら、非特許文献１に開示された技術においては、３Ｄ画像を表示する場合、上側の副画素と下側の副画素とに対して、互いに異なるデータ電圧を供給する必要があるため、２Ｄ画像のみを表示する構成に比べて、２倍の本数のデータライン（データバスライン、ソースバスライン）が必要となり、液晶パネルの設計が複雑になるという問題を有している。

　本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、データバスラインの本数を増大させることなく、クロストークの発生を抑制することのできる液晶表示装置を実現することにある。

　上記の問題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置は、第１の表示モードおよび第２の表示モードにより表示が可能な液晶表示装置であって、Ｎ行Ｍ列（Ｎ及びＭは自然数）の行列状に配置された複数の画素と、補助バスラインと、各行に配置されたゲートバスラインと、各列に配置されたデータバスラインと、前記複数の画素のうち第ｎ行第ｍ列（ｎ及びｍはそれぞれ１≦ｎ≦Ｎ及び１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数）の画素について、複数の副画素と、前記副画素毎に配置された副画素電極であって、液晶層を介して対向電極に対向する副画素電極と、前記副画素毎に配置された入力トランジスタであって、前記副画素電極に接続されたドレイン電極と、第ｍ列のデータバスラインに接続されたソース電極と、第ｎ行のゲートバスラインに接続されたゲート電極とを有する入力トランジスタと、を有する液晶パネルと、入射光から第１の偏光状態の出射光を生成する第１の光学板、および、入射光から前記第１の偏光状態とは異なる第２の偏光状態の出射光を生成する第２の光学板が、それぞれ、前記液晶パネルの奇数行および偶数行に対応する位置に形成されている光学パネルと、を備えている液晶表示装置において、第ｎ行第ｍ列の画素についての複数の副画素のうち、前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界に最も近い副画素である境界近傍副画素は、当該境界近傍副画素についての副画素電極に電気的に接続されたドレイン電極と、前記補助バスラインに接続されたソース電極と、第ｎ－１行以前のゲートバスラインに接続されたゲート電極と、を備える出力トランジスタを更に有しており、第２の表示モードにおいては、第１行のゲートバスラインから第Ｎ行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給し、第１の表示モードにおいては、第Ｎ行のゲートバスラインから第１行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給する、ことを特徴としている。

　以上のように構成された本発明に係る液晶表示装置は、上記第２の表示モードにおいて、第１行のゲートバスラインから第Ｎ行のゲートバスラインに対して順次ゲート信号を供給することによって、すなわち、順方向にスキャンすることによって、上記データバスラインを介して各副画素電極に対して画素毎に共通のデータ電圧を印加する。これにより、各副画素が所望の輝度を呈することによって、画像が表示される。

　一方で、上記液晶表示装置は、上記第１の表示モードにおいては、第Ｎ行のゲートバスラインから第１行のゲートバスラインに対して順次ゲート信号を供給する、すなわち、逆方向にスキャンする。ここで、第ｎ行に配置された画素における各副画素の副画素電極には、当該第ｎ行のゲートバスラインにゲート信号が供給されたときに、当該画素について共通のデータ電圧が印加され、それに引き続き、第ｎ－１行以前のゲートバスラインにゲート信号が供給されたときに、上記出力トランジスタがオン状態に変化することによって、当該各副画素のうち境界近傍副画素の副画素電極の電位が、上記補助バスラインの電位へと変化する。

　したがって、上記のように構成された本発明に係る液晶表示装置によれば、データバスラインの本数を増やすことなく、上記境界近傍副画素についての液晶層と、上記境界近傍副画素以外の副画素についての液晶層とに対して、互いに異なる電圧を印加することができる。また、上記補助バスラインの電位を適宜設定することによって、上記境界近傍副画素の呈する輝度を、上記境界近傍副画素以外の副画素の呈する輝度に比べて小さくすることができる。

　また、上記第１のモードにおいて、Patterned Retarder方式の立体視可能な画像を表示することにより、上述したクロストークの現象を抑制することができる。

　また、上記第２の表示モードにおいては、各画素における境界近傍副画素は、該画素における境界近傍副画素以外の副画素と同じ輝度を呈するので、上記第２のモードにおいて立体視不能な画像を表示することにより、立体視不能な画像を表示するときにも立体視可能な画像を表示するときにも輝度を呈しないブラックマトリックスを備える従来の構成に比べて、輝度の高い画像を表示することができる。

　以上のように、本発明に係る液晶表示装置は、第１の表示モードおよび第２の表示モードにより表示が可能な液晶表示装置であって、Ｎ行Ｍ列（Ｎ及びＭは自然数）の行列状に配置された複数の画素と、補助バスラインと、各行に配置されたゲートバスラインと、各列に配置されたデータバスラインと、前記複数の画素のうち第ｎ行第ｍ列（ｎ及びｍはそれぞれ１≦ｎ≦Ｎ及び１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数）の画素について、複数の副画素と、前記副画素毎に配置された副画素電極であって、液晶層を介して対向電極に対向する副画素電極と、前記副画素毎に配置された入力トランジスタであって、前記副画素電極に接続されたドレイン電極と、第ｍ列のデータバスラインに接続されたソース電極と、第ｎ行のゲートバスラインに接続されたゲート電極とを有する入力トランジスタと、を有する液晶パネルと、入射光から第１の偏光状態の出射光を生成する第１の光学板、および、入射光から前記第１の偏光状態とは異なる第２の偏光状態の出射光を生成する第２の光学板が、それぞれ、前記液晶パネルの奇数行および偶数行に対応する位置に形成されている光学パネルと、を備えている液晶表示装置において、第ｎ行第ｍ列の画素についての複数の副画素のうち、前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界に最も近い副画素である境界近傍副画素は、当該境界近傍副画素についての副画素電極に電気的に接続されたドレイン電極と、前記補助バスラインに接続されたソース電極と、第ｎ－１行以前のゲートバスラインに接続されたゲート電極と、を備える出力トランジスタを更に有しており、第２の表示モードにおいては、第１行のゲートバスラインから第Ｎ行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給し、第１の表示モードにおいては、第Ｎ行のゲートバスラインから第１行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給する、ことを特徴としている。

　上記のように構成された本発明に係る液晶表示装置によれば、データバスラインの本数を増大させることなく、上記第１の表示モードにおいて立体視可能な画像を表示する際のクロストークの発生を抑制することができる。

本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の備える液晶パネルの等価回路を、各ドライバ、定電圧源、および、制御回路と共に示す図である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置を説明するための図であって、（ａ）は、実施形態に係る液晶表示装置の備える液晶パネルの周辺の構成を示す分解斜視図であり、（ｂ）は、実施形態に係る液晶表示装置と共に用いられる３Ｄ用メガネを示す図であり、（ｃ）は、実施形態に係る液晶表示装置を備えている液晶カラーテレビ受像機の概観図である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の備える液晶パネルの具体的な構成を示す平面レイアウト図である。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置を２Ｄ表示モードにて駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示すタイミングチャートであり、（ａ）は、ソースドライバがソースバスラインに供給するデータ信号の電圧波形を示しており、（ｂ）は、ゲートドライバがｎ本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｃ）は、ゲートドライバがｎ＋１本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｄ）は、赤色を表示する画素の備える明画素の副画素電極の電圧波形を示しており、（ｅ）は、赤色を表示する画素の備える暗画素の副画素電極の電圧波形を示している。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置を３Ｄ表示モードにて駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示すタイミングチャートであり、（ａ）は、ソースドライバがソースバスラインに供給するデータ信号の電圧波形を示しており、（ｂ）は、ゲートドライバがｎ本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｃ）は、ゲートドライバがｎ－１本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｄ）は、赤色を表示する画素の備える明画素の副画素電極の電圧波形を示しており、（ｅ）は、赤色を表示する画素の備える暗画素の副画素電極の電圧波形を示している。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図であり、（ａ）は、２Ｄ表示モードにて各画素が呈する輝度を模式的に示しており、（ｂ）は、３Ｄ表示モードにて各画素が呈する輝度を模式的に示している。本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置において、３Ｄ表示モードが選択された場合の、バックライトユニット、液晶パネル、および、Patterned Retarderの、ソースバスラインに平行な直線に沿った断面図である。暗画素の呈する輝度が所定の輝度以下となるように第１の実施形態に係る液晶表示装置を駆動する場合を説明するための図であって、（ａ）は、液晶パネル、および、Patterned Retarderの一部を示す断面図であり、（ｂ）は、視線方向が、液晶パネルの法線方向である場合に、観測者が観測する画像光を示す図であり、（ｃ）は、視線方向と液晶パネルの法線方向とのなす角度であって、液晶パネルの縦方向に沿った角度が、所定の角度β（beta）である場合に、観測者が観測する画像光を示す図であり、（ｄ）は、視線方向と液晶パネルの法線方向とのなす角度であって、液晶パネルの縦方向に沿った角度が、所定の角度より大きい場合に、観測者が観測する画像光を示す図である。本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る液晶パネルの構成を示す図であって、（ａ）は、当該変形例に係る液晶パネルの等価回路図であり、（ｂ）は、当該変形例に係る液晶パネルの具体的な構成を示す平面レイアウト図である。本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る液晶パネルの構成を示す図であって、（ａ）は、当該変形例に係る液晶パネルの等価回路図であり、（ｂ）は、当該変形例に係る液晶パネルの具体的な構成を示す平面レイアウト図である。本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の備える液晶パネルの等価回路を、各ドライバ、および、制御回路と共に示す図である。本発明の第２の実施形態に係る液晶パネルの具体的な構成を示す図であり、（ａ）は、当該液晶パネルの平面レイアウト図であり、（ｂ）は、当該液晶パネルにおけるコンタクト部を示す断面図である。本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置を２Ｄ表示モードにて駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示すタイミングチャートであり、（ａ）は、ソースドライバがソースバスラインに供給するデータ信号の電圧波形を示しており、（ｂ）は、ＣＳドライバが第１のＣＳバスラインに供給する補助容量駆動信号の波形を示しており、（ｃ）は、ＣＳドライバが第２のＣＳバスラインに供給する補助容量駆動信号の波形を示しており、（ｄ）は、ゲートドライバがｎ本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｅ）は、ゲートドライバがｎ＋１本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｆ）は、赤色を表示する画素の備える明画素の副画素電極の電圧波形を示しており、（ｇ）は、赤色を表示する画素の備える暗画素の副画素電極の電圧波形を示している。本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置を３Ｄ表示モードにて駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示すタイミングチャートであり、（ａ）は、ソースドライバがソースバスラインに供給するデータ信号の電圧波形を示しており、（ｂ）は、ＣＳドライバが第１のＣＳバスラインに供給する補助容量駆動信号の波形を示しており、（ｃ）は、ＣＳドライバが第２のＣＳバスラインに供給する補助容量駆動信号の波形を示しており、（ｄ）は、ゲートドライバがｎ本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｅ）は、ゲートドライバがｎ－１本目のゲートバスラインに供給するゲート信号の電圧波形を示しており、（ｆ）は、赤色を表示する画素の備える明画素の副画素電極の電圧波形を示しており、（ｇ）は、赤色を表示する画素の備える暗画素の副画素電極の電圧波形を示している。本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図であり、（ａ）は、２Ｄ表示モードにて各画素が呈する輝度を模式的に示しており、（ｂ）は、３Ｄ表示モードにて各画素が呈する輝度を模式的に示している。本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る液晶パネルの構成を示す図であって、（ａ）は、当該変形例に係る液晶パネルの等価回路図であり、（ｂ）は、当該変形例に係る液晶パネルの具体的な構成を示す平面レイアウト図である。本発明の第２の実施形態の第２の変形例に係る液晶パネルの構成を示す図であって、（ａ）は、当該変形例に係る液晶パネルの等価回路図であり、（ｂ）は、当該変形例に係る液晶パネルの具体的な構成を示す平面レイアウト図である。従来の液晶表示装置を説明するための図であって、（ａ）は、従来の液晶表示装置の備えるバックライト、液晶パネル、および、Patterned Retarderを示す分解斜視図であり、（ｂ）は、従来の液晶表示装置と共に用いられる３Ｄ用メガネを示す図である。従来の液晶表示装置における、バックライトユニット、液晶パネル、および、Patterned Retarderの、垂直走査線に平行な直線に沿った断面図である。

　〔実施形態１〕
　本発明に係る第１の実施形態について、図１～図９を参照して以下に説明する。以下の説明では、誘電異方性が負の液晶材料を用いた垂直配向型液晶表示装置（ＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶表示装置）を例示するが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型やＩＰＳ（In-Plane Switching）型の液晶表示装置にも適用できる。また、以下の説明においては、液晶層に印加される電圧の絶対値が大きい程、液晶層の透過率が高くなるノーマリーブラック型の液晶表示装置を例示するが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、液晶層に印加される電圧の絶対値が大きい程、液晶層の透過率が低くなるノーマリーホワイト型の液晶表示装置に対しても適用できる。

　（液晶表示装置１の構成）
　まず、本実施形態に係る液晶表示装置１の全体構成について図２～図３を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る液晶表示装置１の全体構成を示す図である。図２に示すように、液晶表示装置１は、制御回路２０、ゲートドライバ２２、ソースドライバ２４、定電圧源２５、および、液晶パネル１００を備えている。

　液晶表示装置１は、立体視不能な画像を表示する２Ｄ表示モード、および、立体視可能な画像を表示する３Ｄ表示モードの何れかのモードで動作する。液晶表示装置１は、ユーザにより、当該２つの表示モードの何れか一方を選択できるように構成してもよいし、表示すべき画像を示す画像データに関連付けられたモード情報を参照することによって、当該２つの表示モードの何れか一方を自動的に選択する構成としてもよい。

　なお、２Ｄ表示モード及び３Ｄ表示モードの何れか一方を第１の表示モードをも称し、他方と第２の表示モードとも称する。

　図２に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル１００において、複数のゲートバスライン２、複数のソースバスライン４、複数のコモンバスライン（補助バスライン）５、および、各ゲートバスラインと各ソースバスラインとによって画定される画素を備えている。なお、本実施形態においては、ゲートバスライン２の総数はＮ（Ｎは自然数）であり、ソースバスライン４の総数はＭであり、コモンバスライン５の総数はＭ（Ｍは自然数）である。

　図２において、ゲートバスライン２ｎは、ｎ（ただしｎは１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数）本目のゲートバスライン２を示している。また、ソースバスライン４ｍは、ｍ（ただしｍは１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数）本目のソースバスライン４ｍを示している。また、コモンバスライン５ｍは、ｍ本目のコモンバスライン５を示している。

　以下では、ゲートバスライン２ｎによって画定される各画素のことを、ｎ番目の水平走査線ＨＬｎによって画定される各画素とも表現し、ソースバスライン４ｍによって画定される各画素のことを、ｍ番目の垂直走査線ＶＬｍによって画定される各画素とも表現することがある。

　（ドライバ）
　図２に示すように、液晶表示装置１の備える液晶パネルには、各ゲートバスライン２にゲート信号を供給するゲートドライバ２２と、各ソースバスライン４にデータ信号を供給するソースドライバ２４と、各コモンバスライン５に一定の電圧を供給する定電圧源２５とが、それぞれ接続されている。これらのドライバはいずれも、制御回路２０から出力された制御信号に基づいて動作する。

　（制御回路）
　制御回路２０は、表示すべき画像を示す画像データに含まれる、各絵素についての輝度を示す輝度情報、および、各絵素についての色差を示す色差情報から、各画素についての階調値を算出する。ここで、絵素とは、相異なる複数の色を個別に表示する画素から構成される単位で、本実施形態においては、後述するように、１絵素は、赤色を表示する画素、緑色を表示する画素、および、青色を表示する画素から構成されている。

　また、制御回路２０は、ゲートドライバ２２が供給するゲート信号、および、ソースドライバ２４が供給するデータ信号のタイミングを制御する。

　本実施形態においては、２Ｄ表示モードが選択されている場合、ゲートドライバ２２は、各ゲートバスライン２に対して、スキャン方向が順方向となるように、ゲート信号を供給し、３Ｄ表示モードが選択されている場合、ゲートドライバ２２は、各ゲートバスライン２に対して、スキャン方向が逆方向となるように、ゲート信号を供給する。

　ここで、スキャン方向が順方向である（順スキャンとも呼ぶ）とは、１番目のゲートバスライン２1からＮ番目のゲートバスライン２Nに対して、順次ゲート信号を供給することを指し、スキャン方向が逆方向である（逆スキャンとも呼ぶ）とは、Ｎ番目のゲートバスライン２Nから１番目のゲートバスライン２1に対して、順次ゲート信号を供給することを指す。

　したがって、スキャン方向が順方向である場合には、ゲートバスライン２ｎに対してゲート信号が供給された後に、ゲートバスライン２（ｎ＋１）に対してゲート信号が供給され、スキャン方向が逆方向である場合には、ゲートバスライン２ｎに対してゲート信号が供給された後に、ゲートバスライン２（ｎ－１）に対してゲート信号が供給される。

　（液晶パネル１００の周辺構成）
　図３の（ａ）は、液晶表示装置１における液晶パネル１００の周辺の構成を示す分解斜視図である。図３の（ａ）に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル１００の背面側にバックライトユニットＢＬＵを有しており、液晶パネル１００の正面側にPatterned Retarder２００を有している。バックライトユニットＢＬＵ、液晶パネル１００、制御回路２０（図３の（ａ）においては図示せず）、各ドライバ（図３の（ａ）においては図示せず）、および、Patterned Retarder２００は、背面ケースに格納される。また、Patterned Retarder２００の正面側は、透明な保護パネル（図示せず）によってカバーされる。なお、以下では、液晶パネル１００とPatterned Retarder２００とを合わせて表示パネルと呼ぶこともある。

　バックライトユニットＢＬＵは、液晶パネル１００に対して、該液晶パネル１００の背面からバックライトを供給する。バックライトユニットＢＬＵは、例えば、白色を発光する複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を液晶パネル１００の背面に略一様に配置する構成（直下型ＬＥＤの構成）とすることができる。この場合、バックライトユニットＢＬＵは、拡散板を備える構成とし、上記複数のＬＥＤが発光する光を、拡散板によって一様なバックライトとした後、液晶パネル１００の背面に照射する構成とすることができる。これにより、バックライトの輝度ムラを抑制することができると共に、光の利用効率を高めることができるため消費電力を低減することができる。

　また、バックライトユニットＢＬＵは、ＬＥＤおよび蛍光管などのバックライト用の光源を液晶パネル１００のエッジ付近に配置する構成（エッジライト型の構成）としてもよい。この場合、バックライトユニットＢＬＵは、拡散板の背面に、導光板、および、反射板をさらに備える構成とし、光源が発光する光を導光板および反射板によって一様なバックライトとした後、液晶パネル１００の背面に照射する構成とすればよい。

　Patterned Retarder２００は、ゲートバスラインと平行な方向を長手方向とする位相差板であって、互いに特性の異なる２種類の位相差板ＲＲおよびＲＬから構成されている。ここで、位相差板ＲＲは、直線偏光した光を右向きに円偏光した光に変換するものであり、位相差板ＲＬは、直線偏光した光を左向きに円偏光した光に変換するものである。図３の（ａ）に示すように、奇数番目の水平走査線ＨＬ１、ＨＬ３、・・・によって画定される画素の正面側には、位相差板ＲＲが配置され、偶数番目の水平走査線ＨＬ２、ＨＬ４、・・・によって画定される画素の正面側には、位相差板ＲＬが配置されている。

　したがって、奇数番目のゲートバスラインによって画定される画素によって表示される画像は、Patterned Retarder２００を透過した後、右向きに円偏光した光によって表され、偶数番目のゲートバスラインによって画定される画素によって表示される画像は、Patterned Retarder２００を透過した後、左向きに円偏光した光によって表される。

　なお、位相差板ＲＲおよび位相差板ＲＬは、例えば、互いに光学軸の異なるλ／４波長板によって構成することができる。

　また、位相差板ＲＲおよび位相差板ＲＬは、より一般に、入射光から互いに異なる偏光状態の出射光を生成する光学板であると表現することができる。

　また、位相差板ＲＲおよび位相差板ＲＬの何れか一方を、第１の光学板とも称し、他方を第２の光学板とも称する。第１の光学板によって変換された光を第１の偏光状態の出射光とも称し、第２の光学板によって変換された光を第２の偏光状態の出射光とも称する。

　図３（ｂ）は、本実施形態において用いられる３Ｄ用メガネ３００を示している。図３（ｂ）に示すように、３Ｄ用メガネ３００は、右目用レンズと左目用レンズとを備えている。

　右目用レンズは、右向きに円偏光した光のみを透過するものであり、左目用レンズは、左向きに円偏光した光のみを透過するものである。したがって、ユーザは、当該３Ｄ用メガネ３００を使用することによって、液晶表示装置１の表示する画像のうち、奇数番目のゲートバスラインによって画定される画素によって表示される画像を、右目のみによって観測し、偶数番目のゲートナスラインによって画定される画素によって表示される画像を、左目のみによって観測することができる。

　したがって、奇数番目のゲートバスラインによって画定される画素、および、偶数番目のゲートバスラインによって画定される画素を用いて、それぞれ、右目用画像、および、当該右目用画像と視点の異なる左目用画像を表示することによって、ユーザは当該画像を立体的に視認することができる。

　また、液晶表示装置１は、奇数番目のゲートバスラインによって画定される画素、および、偶数番目のゲートバスラインによって画定される画素の双方を用いて、２Ｄ画像を表示することもできる。この場合、ユーザは、３Ｄ用メガネ３００を用いることなく、液晶表示装置１の表示する画像を観測すればよい。

　なお、本実施形態に用いられる３Ｄ用メガネ３００は、アクティブシャッター方式に用いられる３Ｄ用メガネのような電気的な制御が不要なので、簡易な構成によって実現することができる。

　図３（ｃ）は、本実施形態に係る液晶表示装置１を備えている液晶カラーテレビ受像機の概観図である。当該液晶カラーテレビ受像機の表示部には、液晶表示装置１が実装されている。本発明に係る液晶表示装置１は、液晶カラーテレビ受像機以外にも、例えば、ノートパソコン、各種ディスプレイ、携帯電話端末、および、携帯情報端末などにも用いることができる。

　（画素構造）
　図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１の備える液晶パネル１００の１絵素当たりについての、マルチ画素構造を有する画素の等価回路を、各ドライバ、および、制御回路２０と共に示す図である。

　図１に示すように、液晶表示装置１の備える液晶パネル１００には複数の画素が形成されており、液晶表示装置１は、各画素を３ＴＦＴ駆動方式に相当する駆動方式によって駆動する。各画素はいずれも液晶層と、当該液晶層に電圧を印加する電極とを有し、行および列を有するマトリックス状に配列されている。なお、絵素とは、相異なる複数の色を個別に表示する画素から構成される単位で、本実施形態においては、１絵素は、赤色を表示するＲ画素８、緑色を表示するＧ画素１０、および、青色を表示するＢ画素１２から構成されている。

　図１に示すように、液晶表示装置１の備える液晶パネル１００は、複数のゲートバスライン２、複数のソースバスライン４、複数のコモンバスライン５、複数のスイッチング素子ＴＦＴ１～ＴＦＴ３、複数の液晶容量Ｃｌｃ１～Ｃｌｃ２を備えている。

　複数のゲートバスライン２および複数のソースバスライン４は、図示しない絶縁膜を介して、互いに交差して形成されている。液晶表示装置１では、１つのゲートバスライン２と１つのソースバスライン４とによって画定される領域ごとに、赤色を表示するＲ画素８、緑色を表示するＧ画素１０、および、青色を表示するＢ画素１２の何れかが形成されている。また、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２は、ゲートバスライン２に沿って隣接して形成されている。これらの画素を組み合わせて用いることによって、所望のカラー画像を表示することができる。

　このように、液晶表示装置１が、Ｒ画素、Ｇ画素、および、Ｂ画素を備える構成を例に挙げ説明を行うが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置１は、Ｒ画素、Ｇ画素、および、Ｂ画素に加えて、黄色を表示するＹｅ画素、および、白色を表示するＷ画素の何れか一方若しくは双方を備える構成としてもよく、そのような場合であっても、後述する効果を奏する。

　（明画素、および、暗画素）
　Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２は、いずれも、液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる２つの副画素を有している。図１に示すように、Ｒ画素８は、副画素８ａ、および、副画素８ｂを有しており、Ｇ画素１０は、副画素１０ａ、および、副画素１０ｂを有しており、Ｂ画素１２は、副画素１２ａ、および、副画素１２ｂを有している。以下では、後述する理由により、副画素８ａ、副画素１０ａ、および、副画素１２ａを明画素と呼ぶこともあり、副画素８ｂ、副画素１０ｂ、および、副画素１２ｂを暗画素と呼ぶこともある。

　本実施形態においては、各絵素を構成する各画素は、ゲートバスライン２に沿って、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、Ｂ画素１２の順に配置されている。また、各明画素は、ゲートバスライン２に平行な第１の直線上に配置されており、各暗画素は、ゲートバスライン２に平行な第２の直線上に配置されている。

　また、ゲートバスライン２ｎによって画定されるＲ画素８の暗画素８ｂと、ゲートバスライン２（ｎ＋１）によって画定されるＲ画素８の明画素８ａとは、ゲートバスライン２に平行な境界を介して互いに隣接している。Ｇ画素１０およびＢ画素１２についても同様である。

　また、Ｒ画素８の暗画素８ｂとＧ画素１０の暗画素１０ｂとは、ソースバスライン４に平行な境界を介して互いに隣接し、Ｇ画素１０の暗画素１０ｂとＢ画素１２の暗画素１２ｂとは、ソースバスライン４に平行な境界を介して互いに隣接している。明画素についても同様である。

　（液晶容量）
　各画素の有する副画素は、液晶容量を有している。明画素は、液晶容量Ｃｌｃ１を有しており、暗画素は、液晶容量Ｃｌｃ２を有している。より具体的には、図１に示すように、Ｒ画素８の明画素８ａは、液晶容量Ｃｌｃ１Ｒを有しており、暗画素８ｂは、液晶容量Ｃｌｃ２Ｒを有している。同様に、Ｇ画素１０の明画素１０ａは、液晶容量Ｃｌｃ１Ｇを有しており、暗画素１０ｂは、液晶容量Ｃｌｃ２Ｇを有している。同様に、Ｂ画素１２の明画素１２ａは、液晶容量Ｃｌｃ１Ｂを有しており、暗画素１２ｂは、液晶容量Ｃｌｃ２Ｂを有している。

　また、各液晶容量は、副画素電極と、液晶層と、該液晶層を介して該副画素電極に対向する対向電極とによって形成されている。

　（スイッチング素子ＴＦＴ１～ＴＦＴ２）
　Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２には、いずれも、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１、および、ＴＦＴ２がそれぞれ形成されている。ＴＦＴ１～ＴＦＴ２のゲート電極は共通のゲートバスライン２ｎに接続されており、ＴＦＴ１～ＴＦＴ２のソース電極は共通のソースバスライン４に接続されている。すなわち、図１に示すように、Ｒ画素８のＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒのソース電極は、ソースバスライン４ｍに接続されている。同様に、Ｇ画素１０のＴＦＴ１Ｇ、および、ＴＦＴ２Ｇのソース電極は、ソースバスライン４（ｍ＋１）に接続されており、Ｂ画素１２のＴＦＴ１Ｂ、および、ＴＦＴ２Ｂのソース電極は、ソースバスライン４（ｍ＋２）に接続されている。また、ＴＦＴ１、および、ＴＦＴ２のドレイン電極は、それぞれ対応する副画素電極に接続されている。

　ＴＦＴ１～ＴＦＴ２、並びに、後述するＴＦＴ３は、それぞれ、自身の備えるゲート電極にハイレベルのゲート信号が印加されているとき、導通状態（オン状態）となり、自身の備えるゲート電極にローレベルのゲート信号が印加されているとき、非導通状態（オフ状態、遮断状態）となる。

　（スイッチング素子ＴＦＴ３）
　また、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２の備える各暗画素には、ＴＦＴ３が形成されている。より具体的には、Ｒ画素８の暗画素８ｂには、ＴＦＴ３Ｒが形成され、Ｇ画素１０の暗画素１０ｂには、ＴＦＴ３Ｇが形成され、Ｂ画素１２の暗画素１２ｂには、ＴＦＴ３Ｂが形成されている。

　ＴＦＴ３のゲート電極は、当該画素の前段のゲートバスライン、すなわちゲートバスライン２（ｎ－１）に電気的に接続されている。各ＴＦＴ３のドレイン電極は、各暗画素８ｂ、１０ｂ、および１２ｂの副画素電極にそれぞれ電気的に接続されている。また、各ＴＦＴ３のソース電極は、対応するコモンバスライン５に接続されている。より具体的には、ＴＦＴ３Ｒのソース電極は、コモンバスライン５ｍに接続され、ＴＦＴ３Ｇのソース電極は、コモンバスライン５（ｍ＋１）に接続され、ＴＦＴ３Ｂのソース電極は、コモンバスライン５（ｍ＋２）に接続されている。

　本実施形態の液晶表示装置１においては、スキャン方向が逆方向である場合に、ゲートバスライン２ｎが選択されて各明画素の液晶容量Ｃｌｃ１、および、各暗画素の液晶容量Ｃｌｃ２に電荷が蓄えられた後に、時間差で前段のゲートバスライン２（ｎ－１）が選択され、ＴＦＴ３がオン状態となることによって、各暗画素の副画素電極がコモンバスライン５と導通状態となる。

　したがって、スキャン方向が逆方向である場合には、前段のゲートバスライン２（ｎ－１）が選択された後、各暗画素の有する液晶層に印加される電圧が低下し、各暗画素の有する液晶層の透過率が減少することになる。

　なお、上記の説明では、ＴＦＴ３のゲート電極は、当該画像の前段のゲートバスライン２（ｎ－１）に接続されているとしたが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、一般に、当該画素の前段のゲートバスライン２（ｎ－ｐ）（ｐは１≦ｐ＜ｎを満たす自然数）に接続される構成とすることができる。

　（各副画素のレイアウト）
　続いて、図４を参照して、液晶パネル１００における各副画素の具体的な構成について説明する。以下では、Ｒ画素８の構成について説明を行うが、Ｇ画素１０およびＢ画素１２についても同様の構成である。

　図４は、液晶パネル１００におけるＲ画素８の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図４に示すように、ゲートバスライン２は、第１電極材料を用いて形成され、ソースバスライン４、および、コモンバスライン５は、第２電極材料を用いて形成されている。図４において、ＥＣLC1R、および、ＥＣLC2Rは、それぞれ、明画素８ａの備える副画素電極、および、暗画素８ｂの備える副画素電極を表しており、それらの副画素電極は、第３電極材料を用いて形成されている。

　また、図４に示すように、ゲートバスライン２ｎ上に、ＴＦＴ１ＲおよびＴＦＴ２Ｒが形成されており、ゲートバスライン２（ｎ－１）上に、ＴＦＴ３Ｒが形成されている。また、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極は、第２電極材料を用いて形成されている。特に図示はしないが、図４の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　（液晶表示装置１の基本動作）
　以下では、液晶表示装置１の備える液晶パネル１００の基本的な駆動方法について、図５の（ａ）～（ｅ）、図６の（ａ）～（ｅ）、および、図７の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、以下では、まず、Ｒ画素８の駆動について説明を行い、その後、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２の駆動について説明を行う。

　また、一般には、各液晶容量の値、および、各蓄積容量の値は、それぞれに印加される電圧への依存性を有するが、本実施形態においては本質的な事項ではないため、以下の説明ではそのような依存性を無視する。ただし、この前提は、本実施形態を限定するものではなく、そのような依存性がある場合に対しても、同様に適用することができる。

　また、以下では、簡単化のため、ソースバスラインから各副画素電極に対して、正極性の電圧が供給される場合について説明を行うが、ソースバスラインから各副画素電極に対して、負極性の電圧が供給される場合についても同様に考えることができる。

　（２Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００の駆動）
　まず、２Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００の駆動、すなわち、スキャン方向が順方向である場合の液晶パネル１００の駆動について説明する。

　図５の（ａ）～（ｅ）は、スキャン方向が順方向である場合の、液晶表示装置１における各電圧の波形およびタイミングを模式的に示したタイミングチャートである。

　図５の（ａ）は、ソースドライバ２４がソースバスライン４に供給するデータ信号の電圧波形Ｖｓを示しており、図５の（ｂ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２ｎに供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇｎを示しており、図５の（ｃ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２（ｎ＋１）に供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇ（ｎ＋１）を示しており、図５の（ｄ）は、Ｒ画素８の備える明画素８ａの副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ１Ｒを示しており、図５の（ｅ）は、Ｒ画素８の備える暗画素８ｂの副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ２Ｒを示している。また、図中の破線は、対向電極の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。

　（Ｒ画素８の駆動）
　まず、時刻Ｔ１において、ゲート信号の電圧Ｖｇｎが、ＶｇＬ（ロー）からＶｇＨ（ハイ）に変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒが同時に導通状態（オン状態）となる。これに伴い、明画素８ａの副画素電極、および、暗画素８ｂの副画素電極に対し、ソースバスライン４を介してデータ信号の電圧が印加され、明画素８ａの副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ、および、暗画素８ｂの副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒは、時刻Ｔ１におけるデータ信号の電圧ＶｓＲへと変化し、
　Ｖｌｃ１Ｒ＝ＶｓＲ　　　…（１ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ＝ＶｓＲ　　　…（１ｂ）
となる。

　ソースバスライン４を介して伝達されるデータ信号の電圧ＶｓＲは当該画素において表示すべき階調に対応する表示電圧であり、ＴＦＴがオン状態の間（「選択期間」ということもある。）に、対応する画素に書き込まれる。

　なお、当該選択期間において、ＴＦＴ３Ｒはオフ状態である。

　続いて、時刻Ｔ２において、ゲート信号の電圧ＶｇｎがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒが同時に非導通状態（オフ状態）となる。これに伴い、明画素８ａの副画素電極、および、暗画素８ｂの副画素電極は、全てソースバスライン４と電気的に絶縁される（この状態にある期間を「非選択期間」ということがある。）。

　なお、一般に、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒがオン状態からオフ状態に切り替わった直後、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒの有する寄生容量等の影響による引き込み現象（フィールドスルー現象とも呼ばれる）のために、それぞれの副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ、および、Ｖｌｃ２Ｒは、それぞれ、ΔＶｄ１Ｒ、および、ΔＶｄ２Ｒだけ低下し、
　Ｖｌｃ１Ｒ＝ＶｓＲ－ΔＶｄ１Ｒ　　　…（２ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ＝ＶｓＲ－ΔＶｄ２Ｒ　　　…（２ｂ）
となるが、以下の説明においては、このようなフィールドスルー現象による電圧降下の寄与を無視することにする。同様にＴＦＴ３におけるフィールドスルー現象の寄与についても無視することにする（実施形態２についても同様）。

　続いて、時刻Ｔ３において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ＋１）が、ＶｇＬからＶｇＨに変化し、時刻Ｔ４において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ＋１）が、ＶｇＨからＶｇＬに変化するが、副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ、および、Ｖｌｃ２Ｒは、変化しない。

　以上の過程を経た後、スキャン方向が順方向である場合に明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｆ、および、Ｖ２Ｒ＿ｆは、
　Ｖ１Ｒ＿ｆ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　…（３ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｆ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　…（３ｂ）
となる。

　このように、２Ｄ表示モードにおいては、明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧は、互いに等しくなる。

　したがって、２Ｄ表示モードにおいては、明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれが呈する輝度は、互いに略等しい。

　（Ｇ画素１０およびＢ画素１２の駆動）
　Ｇ画素１０についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が順方向である場合に明画素１０ａおよび暗画素１０ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｇ＿ｆ、および、Ｖ２Ｇは＿ｆ、
　Ｖ１Ｇ＿ｆ＝ＶｓＧ－Ｖｃｏｍ　　　…（４ａ）
　Ｖ２Ｇ＿ｆ＝ＶｓＧ－Ｖｃｏｍ　　　…（４ｂ）
となる。

　また、Ｂ画素１２についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が順方向である場合に明画素１２ａおよび暗画素１２ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｂ＿ｆ、および、Ｖ２Ｂ＿ｆは、
　Ｖ１Ｂ＿ｆ＝ＶｓＢ－Ｖｃｏｍ　　　…（５ａ）
　Ｖ２Ｂ＿ｆ＝ＶｓＢ－Ｖｃｏｍ　　　…（５ｂ）
となる。

　このように、２Ｄ表示モードにおいては、Ｇ画素１０の備える明画素１０ａおよび暗画素１０ｂのそれぞれが呈する輝度は、互いに略等しく、Ｂ画素１２の備える明画素１２ａおよび暗画素１２ｂのそれぞれが呈する輝度は、互いに略等しい。

　図７の（ａ）は、２Ｄ表示モードにおける、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図である。図７の（ａ）に示すように、２Ｄ表示モードにおいては、明画素８ａと暗画素８ｂとは互いに略等しい輝度を呈し、明画素１０ａと暗画素１０ｂとは互いに略等しい輝度を呈し、明画素１２ａと暗画素１２ｂとは互いに略等しい輝度を呈する。

　（３Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００の駆動）
　続いて、３Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００の駆動、すなわち、スキャン方向が逆方向である場合の液晶パネル１００の駆動について説明する。なお、以下では、コモンバスライン５に供給される電圧をＶｃｏｍ’と表すことにし、対向電極に供給される電圧をＶｃｏｍと表すことにする。また、以下では、Ｖｃｏｍ’≧Ｖｃｏｍであることを仮定して説明を行うが、これは本実施形態を限定するものではなく、Ｖｃｏｍ’＜Ｖｃｏｍであっても同様に考えることができる。

　図６の（ａ）～（ｅ）は、スキャン方向が逆方向である場合の、液晶表示装置１における各電圧の波形およびタイミングを模式的に示したタイミングチャートである。

　図６の（ａ）は、ソースドライバ２４がソースバスライン４に供給するデータ信号の電圧波形Ｖｓを示しており、図６の（ｂ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２ｎに供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇｎを示しており、図６の（ｃ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２（ｎ－１）に供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇ（ｎ－１）を示しており、図６の（ｄ）は、Ｒ画素８の備える明画素８ａの副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ１Ｒを示しており、図６の（ｅ）は、Ｒ画素８の備える暗画素８ｂの副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ２Ｒを示している。また、図中の破線は、対向電極の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。

　（Ｒ画素８の駆動）
　まず、時刻Ｔ１’において、ゲート信号の電圧Ｖｇｎが、ＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒが同時にオン状態となる。これに伴い、明画素８ａの副画素電極、および、暗画素８ｂの副画素電極に対し、ソースバスライン４を介してデータ信号の電圧が印加され、明画素８ａの副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ、および、暗画素８ｂの副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒは、時刻Ｔ１’におけるデータ信号の電圧ＶｓＲへと変化し、
　Ｖｌｃ１Ｒ＝ＶｓＲ　　　…（６ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ＝ＶｓＲ　　　…（６ｂ）
となる。

　続いて、時刻Ｔ２’において、ゲート信号の電圧ＶｇｎがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ、および、ＴＦＴ２Ｒが同時にオフ状態となる。これに伴い、明画素８ａの副画素電極、および、暗画素８ｂの副画素電極は、全てソースバスライン４と電気的に絶縁される。

　続いて、時刻Ｔ３’において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ－１）が、ＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ３Ｒがオン状態となる。これに伴い、暗画素８ｂの副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒは、コモンバスライン５の電圧Ｖｃｏｍ’へと変化する。一方で、明画素８ａの副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒは変化しない。

　Ｖｌｃ１Ｒ＝ＶｓＲ　　　　　…（８ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ＝Ｖｃｏｍ’　　　…（８ｂ）
　続いて、時刻Ｔ４’において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ－１）が、ＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ３Ｒがオフ状態となる。

　以上の過程を経た後、スキャン方向が逆方向である場合に明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｂ、および、Ｖ２Ｒ＿ｂは、
　Ｖ１Ｒ＿ｂ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　　　…（９ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｂ＝Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ　　　…（９ｂ）
となる。

　ここで、Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素８ｂが、輝度を呈しないようにすることができる。例えば、Ｖｃｏｍ’＝Ｖｃｏｍのように設定することによって、暗画素８ｂが、輝度を呈しないようにすることができる。

　なお、閾値電圧Ｖｔｈとは、液晶に印加される電圧を上昇させていったときに、液晶の配向が変化し始める電圧のことである。本実施形態のようにＶＡモードの液晶表示装置の有する画素は、該画素の備える液晶に印加される電圧が閾値電圧以下である場合には、輝度を呈することはなく、液晶に印加される電圧が閾値電圧を越えた場合に、輝度を呈し始める。

　このように、３Ｄ表示モードにおいては、Ｒ画素８の備える暗画素８ｂが輝度を呈しない構成とすることができる。

　（Ｇ画素１０およびＢ画素１２の駆動）
　Ｇ画素１０についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が逆方向である場合に明画素１０ａおよび暗画素１０ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｇ＿ｂ、および、Ｖ２Ｇ＿ｂは、
　Ｖ１Ｇ＿ｂ＝ＶｓＧ－Ｖｃｏｍ　　　　　…（１０ａ）
　Ｖ２Ｇ＿ｂ＝Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ　　　…（１０ｂ）
となる。

　また、Ｂ画素１２についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が逆方向である場合に明画素１２ａおよび暗画素１２ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｂ＿ｂ、および、Ｖ２Ｂ＿ｂは、
　Ｖ１Ｂ＿ｂ＝ＶｓＢ－Ｖｃｏｍ　　　　　…（１１ａ）
　Ｖ２Ｂ＿ｂ＝Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ　　　…（１１ｂ）
となる。

　Ｒ画素８と同様に、Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素１０ｂおよび暗画素１２ｂが、輝度を呈しないようにすることができる。

　このように、３Ｄ表示モードにおいては、Ｇ画素１０の備える暗画素１０ｂ、および、Ｂ画素１２の備える暗画素１２ｂは、輝度を呈しない構成とすることができる。

　図７の（ｂ）は、３Ｄ表示モードにおける、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図である。図７の（ｂ）に示すように、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２のそれぞれの備える暗画素８ａ、暗画素１０ｂ、および、暗画素１２ｂは、３Ｄ表示モードにおいて輝度を呈しない。

　したがって、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２のそれぞれの備える暗画素は、３Ｄ表示モードにおいて、ブラックマトリックスとして機能することになる。

　（３Ｄ表示モードにおけるクロストーク抑制効果）
　以下では、３Ｄ表示モードが選択された場合の、液晶表示装置１によるクロストーク抑制効果について説明する。

　図８は、バックライトユニットＢＬＵ、液晶パネル１００、および、Patterned Retarder２００の、ソースバスライン４に平行な面を切断面とする断面図を例示的に示している。図８に示す例においては、液晶パネル１００は、第１の偏光版１００ａ、ＴＦＴ－Ｇｌａｓｓ１００ｂ、ＴＦＴ基板１００ｃ、カラーフィルタ１００ｄ、ＣＦ－Ｇｌａｓｓ１００ｅ、および、第２の偏光板１００ｆを備えており、各画素のＴＦＴ、液晶容量、および、蓄積容量は、ＴＦＴ基板１００ｃに形成されている。

　バックライトユニットＢＬＵから出射され、液晶パネル１００を透過した光の偏光状態は、第２の偏光板１００ｆの作用により、直線偏光となっている。

　Patterned Retarder２００は、液晶パネル１００に面する側に、当該直線偏光した光を右向きに円偏光した光に変換する位相差板ＲＲ、および、当該直線偏光した光を左向きに円偏光した光に変換する位相差板ＲＬを備えている。また、位相差板ＲＲと位相差板ＲＬとの境界は、当該境界からＴＦＴ基板１００ｃに下ろした垂線が暗画素と交わるように配置されている。

　また、位相差板ＲＲと位相差板ＲＬとの境界は、当該境界からＴＦＴ基板１００ｃに下ろした垂線が、暗画素を縦方向に２等分する直線と交わるように配置されていることが好ましい。このような配置とすることにより、クロストークの低減効果を高めることができる。

　上述のように、３Ｄ表示モードにおいては、暗画素は、輝度を呈しないため、ブラックマトリックスとして機能することになる。

　図８に示すように、位相差板ＲＬの背面に配置された明画素から出射される光のうち、該明画素と暗画素との境界付近から出射される光は、該光の伝播方向が、液晶パネルの法線方向から、液晶パネルの縦方向下向きにθ（theta）度以内である場合に、該位相差板ＲＬを透過する。同様に、位相差板ＲＲの背面に配置された明画素から出射される光のうち、該明画素と暗画素との境界付近から出射される光は、該光の伝播方向が、液晶パネルの法線方向から、液晶パネルの縦方向上向きにθ度以内である場合に、該位相差板ＲＲを透過する。

　したがって、液晶表示装置１は、図８に示すように、液晶パネル１００の法線方向と視線方向とのなす角が、液晶パネルの縦方向に沿ってθ度以内である場合に、クロストークの発生を抑制することができる。

　また、液晶表示装置１の備える暗画素は、２Ｄ表示モードにおいては、輝度を呈するため、暗画素に代えて、何れの表示モードにおいても輝度を呈しないブラックマトリックスを配置する構成に比べて、表示する画像の輝度が向上する。

　なお、本実施形態に係る液晶パネル１００およびPatterned Retarder２００の構成は、図８に示す例に限定されるものではない。例えば、位相差板ＲＲと位相差板ＲＬとの境界付近に、暗画素の縦方向の幅よりも小さい幅を有するブラックストライプを配置する構成としてもよい。このような構成においては、ブラックストライプが存在することによって、クロストークの抑制効果を向上させることができる。また、ブラックストライプの縦方向の幅は、暗画素の縦方向の幅よりも小さいので、暗画素に代えて、何れの表示モードにおいても輝度を呈しないブラックマトリックスを配置する構成に比べて、表示する画像の輝度を向上させることができる。

　以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、３Ｄ表示モードにおいて、各副画素の備える液晶層に対して共通のデータ電圧が印加された後に、暗画素の備える液晶層に印加される電圧を変化させることによって、当該暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。一方で、暗画素と明画素とに対して、データ電圧を独立に供給する従来の構成においては、暗画素と明画素とに対して、各々データ電圧を供給するためのデータバスラインが必要になる。

　本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、そのような従来の構成に比べて、データバスラインの本数を半分以下にすることができる。

　（３Ｄ表示モードについての付記事項）
　以上の説明においては、３Ｄ表示モードにおいて、液晶表示装置１の備える暗画素は輝度を呈しないものとしたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、３Ｄ表示モードにおいて、暗画素の呈する輝度が所定の輝度以下となるように、コモンバスライン５に供給する電圧Ｖｃｏｍ’を設定することによっても、クロストークを抑制することができる。

　図９の（ａ）～（ｄ）は、暗画素の呈する輝度が所定の輝度以下となるようにコモンバスライン５に供給する電圧を設定する場合を説明するための図であって、（ａ）は、液晶パネル１００、および、Patterned Retarder２００の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、視線方向が、液晶パネル１００の法線方向である場合に、観測者が観測する画像光を示す図であり、（ｃ）は、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度が、所定の角度β（beta）である場合に、観測者が観測する画像光を示す図であり、（ｄ）は、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度が、所定の角度βより大きい場合に、観測者が観測する画像光を示す図である。

　図９の（ａ）～（ｄ）において、ＲBは、右目用画像を表示する暗画素を表しており、ＲAは、右目用画像を表示する明画素を表している。同様に、ＬBは、左目用画像を表示する暗画素を表しており、ＬAは、左目用画像を表示する明画素を表している。なお、暗画素ＲBおよび暗画素ＬBは、暗画素８ｃ、暗画素１０ｃ、および、暗画素１２ｃの何れかに対応しており、副画素ＲAおよび副画素ＬAは、明画素８ａ、明画素１０ａ、および、明画素１２ａの何れかに対応している。

　以下の説明においては、図９の（ａ）に示すように、位相差板ＲＲと位相差板ＲＬとの境界は、当該境界からＴＦＴ基板１００ｃに下ろした垂線が、暗画素を縦方向に２等分する直線と交わるように配置されているものとする。このような配置とすることにより、クロストークの低減効果を高めることができる。

　また、上記所定の角度βとは、図９の（ｃ）に示すように、（１）明画素ＲAと暗画素ＲBとの境界、および、（２）位相差板ＲＲと位相差板ＲＬとの境界のうち当該暗画素ＲBに最も近い境界、の双方の境界を通る直線と、液晶パネル１００の法線とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度のことである。なお、図９の（ｃ）における角度βは、図８における角度θに対応するものである。

　まず、図９の（ｂ）～（ｄ）に示すように、暗画素ＲBから出射され、位相差板ＲＬを透過した後の画像光の輝度をＩRBLと表し、明画素ＬAから出射され、位相差板ＲＬを透過した後の画像光の輝度をＩLALと表し、暗画素ＬBから出射され、位相差板ＲＬを透過した後の画像光の輝度をＩLBLと表すことにし、明画素ＲAから出射され、位相差板ＲＬを透過した後の画像光の輝度をＩRALと表すことにする。

　ここで、輝度ＩRBL、輝度ＩLAL、輝度ＩLBL、および、輝度ＩRALは、それぞれ対応する副画素から出射され、位相差板を透過した後の画像光の実効的な輝度、すなわち、図４に示したタイミングチャートにおける時刻Ｔ４’以降での輝度であるとする。

　また、暗画素ＲBから出射され位相差板ＲＬを透過した後の画像光は、クロストークの原因となる画像光であり、明画素ＬAから出射され位相差板ＲＬを透過した後の画像光、および、暗画素ＬBから出射され位相差板ＲＬを透過した後の画像光は、何れもクロストークの原因とならない画像光である。

　また、図９の（ｂ）～（ｃ）に示すように、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度がβ以下であるとき、輝度ＩRALは０であり、図９の（ｄ）に示すように、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度がβより大きいとき、輝度ＩRALは一般に０でない。

　発明者は、実験により、３２階調表示時に±３階調分以内のクロストークであれば、観測者がクロストークとして認識しないとの知見を得た。ここで、３２階調表示時における±３階調分とは、２０パーセントの輝度差に相当する。

　発明者によって得られた上記の知見によれば、液晶表示装置１においては、コモンバスライン５に供給される電圧Ｖｃｏｍ’は、以下の不等式（Ａ１）が満たされるように設定されることが好ましい。

　ＩRBL／（ＩLAL＋ＩLBL）＜０．２　　　…（Ａ１）
　また、不等式（Ａ１）は、最大階調においても、すなわち、各副画素に供給されるデータ電圧が最大値をとる場合にも満たされることが好ましい。

　換言すれば、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度が上記β以下であるとき、液晶表示装置１は、液晶パネル１００から当該視線方向に出射され位相差板ＲＬを透過した後の画像光のうち、クロストークの原因となる画像光の輝度が、液晶パネル１００から当該視線方向に出射され位相差板ＲＬを透過した後の画像光のうち、クロストークの原因とならない画像光の輝度の２０パーセント未満となるように各副画素を駆動することことが好ましい。

　同様に、視線方向と液晶パネル１００の法線方向とのなす角度であって、液晶パネル１００の縦方向に沿った角度が上記β以下であるとき、液晶表示装置１は、液晶パネル１００から当該視線方向に出射され位相差板ＲＲを透過した後の画像光のうち、クロストークの原因となる画像光の輝度が、液晶パネル１００から当該視線方向に出射され位相差板ＲＲを透過した後の画像光のうち、クロストークの原因とならない画像光の輝度の２０パーセント未満となるように各副画素を駆動することことが好ましい。

　発明者は、位相差板ＲＬおよび位相差板ＲＲのうち、何れか一方の位相差板を透過した画像光であって、クロストークの原因となる画像光の輝度が、当該何れか一方の位相差板を透過した後の画像光であって、クロストークの原因とならない画像光の輝度の２０パーセント未満である場合に、観測者はクロストークを知覚しないという知見を得た。

　したがって、上記の構成によれば、暗画素の呈する輝度がゼロでない場合であっても、観測者にとってクロストークが知覚されないことになる。

　また、位相差板ＲＲおよび位相差板ＲＬは、両者の透過率が略同一となるように形成することが可能であり、このような場合には、暗画素ＲBの呈する輝度が、副画素ＬAの呈する輝度の２０パーセント未満であれば、輝度ＩRALが０となる視線方向において、不等式（Ａ１）が満たされることになる。

　したがって、このような構成によっても、観測者にとってクロストークが知覚されないことになる。

　（各画素における副画素の数についての付記事項）
　以上の説明においては、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２が、それぞれ、２つの副画素（明画素、および、暗画素）を備える構成を例に挙げたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、Ｒ画素８、Ｇ画素１０、および、Ｂ画素１２は、暗画素および明画素以外の副画素（中間画素とも呼ぶ）を備える構成としてもよい。ここで、中間画素は、２Ｄ表示モードおよび３Ｄ表示モードの双方のモードにおいて、明画素よりも低い輝度を呈する構成とすることが好ましい。このような構成とすることによって、２Ｄ表示モードおよび３Ｄ表示モードの双方のモードにおいて、視野角特性を向上させることができる。

　（ノーマリーホワイト型の液晶表示装置への適用について）
　ノーマリーホワイト型の液晶表示装置においては、各副画素の備える液晶層に印加される電圧の絶対値が大きいほど、当該副画素の呈する輝度は小さくなる。したがって、上述した液晶パネル１００をノーマリーホワイト型の液晶表示装置に適用する場合には、例えば、３Ｄ表示モードにおいて、コモンバスライン５に供給される電圧Ｖｃｏｍ’と対向電極の電圧Ｖｃｏｍとの差の絶対値を十分に大きくとり、３Ｄ表示モードにおいて各暗画素が輝度を呈しないような構成とすればよい。また、ノーマリーホワイト型の液晶表示装置に適用する場合にも、Ｖｃｏｍ、および、Ｖｃｏｍ’を、上述した数式（Ａ１）が満たされるように設定する構成とすることができる。

　＜実施形態１の変形例１＞
　本実施形態における液晶パネル１００の回路構成は、上述したものに限定されるものではない。以下では、本実施形態の第１の変形例について、図１０の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、既に説明した部分については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０の（ａ）は、本変形例に係る液晶パネルの等価回路をＲ画素８について示す図である。図１０の（ａ）に示すように、本変形例に係る液晶パネルは、既に説明した液晶パネル１００のＲ画素８における構成に加えて、暗画素８ｂにおいて補助容量ＣＡＲをさらに有している。ここで、補助容量ＣＡＲは、ＴＦＴ２Ｒのドレイン電極に対して、液晶容量Ｃｌｃ２Ｒと直列に接続されている。より具体的には、補助容量ＣＡＲの一端は、ＴＦＴ２Ｒのドレイン電極、および、ＴＦＴ３Ｒのドレイン電極に接続され、補助容量ＣＡＲの他の一端は、暗画素８ｂの備える副画素電極に接続されている。本変形例に係る液晶パネルのＧ画素１０およびＢ画素１２の構成も同様である。

　図１０の（ｂ）は、本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図１０の（ｂ）に示すように、ゲートバスライン２は、第１電極材料を用いて形成され、ソースバスライン４、および、コモンバスライン５は、第２電極材料を用いて形成されている。図１０の（ｂ）において、ＥＣLC1R、および、ＥＣLC2Rは、それぞれ、明画素８ａの備える副画素電極、および、暗画素８ｂの備える副画素電極を表しており、それらの副画素電極は、第３電極材料を用いて形成されている。

　また、図１０の（ｂ）に示すように、ゲートバスライン２ｎ上に、ＴＦＴ１ＲおよびＴＦＴ２Ｒが形成されており、ゲートバスライン２（ｎ－１）上に、ＴＦＴ３Ｒが形成されている。また、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極は、第２電極材料を用いて形成されている。さらに、暗画素８ｂの備える副画素電極ＥＣLC2Rの中央部には、副画素電極ＥＣLC2R自身と、第２電極材料とによって補助容量ＣＡＲが形成されている。ここで、補助容量ＣＡＲを形成する副画素電極ＥＣLC2Rの中央部と第２電極材料との間には層間絶縁膜を設けないことが好ましい。なお、副画素電極ＥＣLC2Rは、第２電極材料よりも上層（紙面手前側）に形成されている。また、特に図示はしないが、図１０の（ｂ）の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　（本変形例に係る液晶パネルの駆動）
　本変形例に係る液晶パネルの駆動は、既に説明した液晶パネル１００の駆動とほぼ同様であるが、以下の点において異なる。

　すなわち、本変形例に係る液晶パネルにおいては、補助容量ＣＡＲの寄与により、明画素８ａの備える副画素電極に印加される実効電圧と、暗画素８ｂの備える副画素電極に印加される実効電圧との間に電圧差が生じる。

　より具体的には、２Ｄ表示モードが選択された場合、すなわち、スキャン方向が順方向である場合に明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｆ、および、Ｖ２Ｒ＿ｆは、
　Ｖ１Ｒ＿ｆ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１２ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｆ＝（ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ）×ＣＡＲ／（ＣＡＲ＋Ｃｌｃ１Ｒ）　…（１２ｂ）
となる。ここで、ＶｓＲは、ＴＦＴ１ＲおよびＴＦＴ２Ｒがオン状態に変化した時点におけるデータ信号の電圧を表している。

　なお、スキャン方向が順方向である場合に、補助容量ＣＡＲの両端に印加される実効電圧ＶＣＡＲ＿ｆは、
　ＶＣＡＲ＿ｆ＝（ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ）×Ｃｌｃ１Ｒ／（ＣＡＲ＋Ｃｌｃ１Ｒ）
である。

　数式（１２ａ）および（１２ｂ）から明らかなように、本変形例に係る液晶パネルにおいては、２Ｄ表示モードにおいて、暗画素８ｂの備える液晶層に印加される実効電圧は、明画素８ａの備える液晶層に印加される実効電圧よりも小さくなっている。したがって、本変形例に係る液晶パネルにおいては、２Ｄ表示モードにおいて、暗画素８ｂは、明画素８ａに比べて低い輝度を呈する。

　２Ｄ表示モードが選択された場合の、Ｇ画素１０の備える明画素１０ａおよび暗画素１０ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧、並びに、Ｂ画素１２の備える明画素１２ａおよび暗画素１２ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧についても同様である。

　このように、本変形例に係る液晶パネルにおいては、２Ｄ表示モードにおいて、暗画素および明画素のそれぞれが互いに異なる輝度を呈するため、視野角特性が改善されるという更なる効果を奏する。

　一方で、３Ｄ表示モードが選択された場合、すなわち、スキャン方向が逆方向である場合に明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｂ、および、Ｖ２Ｒ＿ｂは、
　Ｖ１Ｒ＿ｂ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１３ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｂ＝（Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ）×ＣＡＲ／（ＣＡＲ＋Ｃｌｃ１Ｒ）
　…（１３ｂ）
となる。ここで、Ｖｃｏｍ’およびＶｃｏｍは、すでに説明したように、それぞれ、コモンバスライン５および対向電極に供給される電圧を表している。

　なお、スキャン方向が逆方向である場合に、補助容量ＣＡＲの両端に印加される実効電圧ＶＣＡＲ＿ｂは、
　ＶＣＡＲ＿ｂ＝（Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ）×Ｃｌｃ１Ｒ／（ＣＡＲ＋Ｃｌｃ１Ｒ）
である。

　数式（１３ｂ）から明らかなように、（Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ）×ＣＡＲ／（ＣＡＲ＋Ｃｌｃ１Ｒ）を、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素８ｂが輝度を呈しないようにすることができる。

　３Ｄ表示モードが選択された場合の、Ｇ画素１０の備える明画素１０ａおよび暗画素１０ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧、並びに、Ｂ画素１２の備える明画素１２ａおよび暗画素１２ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧についても同様である。

　このように、本変形例に係る液晶パネルにおいては、２Ｄ表示モードにおいて、暗画素および明画素のそれぞれが互いに異なる輝度を呈することにより、視野角特性を改善しつつ、３Ｄ表示モードにおいて、各暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。

　＜実施形態１の変形例２＞
　以下では、本実施形態の第２の変形例について、図１１の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、既に説明した部分については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１１の（ａ）は、本変形例に係る液晶パネルの等価回路をＲ画素８について示す図である。図１１の（ａ）に示すように、本変形例に係る液晶パネルは、既に説明した液晶パネル１００のＲ画素８における構成に加えて、暗画素８ｂにおいて補助容量ＣＡＲをさらに有している。ここで、補助容量ＣＡＲは、ＴＦＴ２Ｒのドレイン電極に対して、液晶容量Ｃｌｃ２Ｒと直列に接続されている。また、補助容量ＣＡＲの一端は、ＴＦＴ２Ｒのドレイン電極に接続され、補助容量ＣＡＲの他の一端は、暗画素８ｂの備える副画素電極に接続されている。また、実施形態１の変形例１の構成と異なり、ＴＦＴ３Ｒのドレイン電極は、暗画素８ｂの備える副画素電極に接続されている。本変形例に係る液晶パネルのＧ画素１０およびＢ画素１２の構成も同様である。

　図１１の（ｂ）は、本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図１１の（ｂ）に示すように、ゲートバスライン２は、第１電極材料を用いて形成され、ソースバスライン４、および、コモンバスライン５は、第２電極材料を用いて形成されている。図１１の（ｂ）において、ＥＣLC1R、および、ＥＣLC2Rは、それぞれ、明画素８ａの備える副画素電極、および、暗画素８ｂの備える副画素電極を表しており、それらの副画素電極は、第３電極材料を用いて形成されている。

　また、図１１の（ｂ）に示すように、ゲートバスライン２ｎ上に、ＴＦＴ１ＲおよびＴＦＴ２Ｒが形成されており、ゲートバスライン２（ｎ－１）上に、ＴＦＴ３Ｒが形成されている。また、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極は、第２電極材料を用いて形成されている。さらに、暗画素８ｂの備える副画素電極ＥＣLC2Rの中央部には、副画素電極ＥＣLC2R自身と、第２電極材料とによって補助容量ＣＡＲが形成されている。また、実施形態１の変形例１の構成と異なり、ＴＦＴ３Ｒのドレイン電極は、副画素電極ＥＣLC2Rに接続されている。ここで、補助容量ＣＡＲを形成する副画素電極ＥＣLC2Rの中央部と第２電極材料との間には層間絶縁膜を設けないことが好ましい。なお、副画素電極ＥＣLC2Rは、第２電極材料よりも上層（紙面手前側）に形成されている。また、特に図示はしないが、図１１の（ｂ）の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　（本変形例に係る液晶パネルの駆動）
　本変形例に係る液晶パネルの駆動は、既に説明した実施形態１の変形例１に係る液晶パネルの駆動とほぼ同様であるが、以下の点において異なる。

　すなわち、本変形例に係る液晶パネルにおいては、実施形態１の変形例１に係る液晶パネルと異なり、ＴＦＴ３Ｒのドレイン電極が、暗画素８ｂの備える副画素電極に接続されているため、３Ｄ表示モードにおいて、明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｂ、および、Ｖ２Ｒ＿ｂは、
　Ｖ１Ｒ＿ｂ＝ＶｓＲ－Ｖｃｏｍ　　　　　　　…（１３ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｂ＝Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ　　　　　…（１３ｂ’）
となる。

　数式（１３ｂ’）から明らかなように、本変形例においては、Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素８ｂが輝度を呈しないようにすることができる。Ｇ画素１０およびＢ画素１２についても同様である。

　このように、本変形例においても、３Ｄ表示モードにおいて、各暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。

　なお、２Ｄ表示モードにおいて明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧は、実施形態１の変形例１の２Ｄ表示モードにおいて明画素８ａおよび暗画素８ｂのそれぞれの液晶層に印加される実効電圧と同様である。

　したがって、本変形例においても、２Ｄ表示モードにおいて、暗画素および明画素のそれぞれが互いに異なる輝度を呈するため、視野角特性が改善される。

　なお、本変形例に係る液晶パネルにおいては、変形例１に係る液晶パネルに比べて、副画素電極がフローティングにならないという利点がある。

　〔実施形態２〕
　以下では、本発明の第２の実施形態について図１２～図１８を参照して説明する。以下の説明では、実施形態１と同様に、誘電異方性が負の液晶材料を用いた垂直配向型液晶表示装置（ＶＡ（Vertical Alignment）型の液晶表示装置）を例示するが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＴＮ（Twisted Nematic）型やＩＰＳ（In-Plane Switching）型の液晶表示装置にも適用できる。また、以下の説明においては、液晶層に印加される電圧の絶対値が大きい程、液晶層の透過率が高くなるノーマリーブラック型の液晶表示装置を例示するが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、液晶層に印加される電圧の絶対値が大きい程、液晶層の透過率が低くなるノーマリーホワイト型の液晶表示装置に対しても適用できる。

　（液晶表示装置１’の構成）
　本実施形態に係る液晶表示装置１’の構成について図１２および図１３の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。液晶表示装置１’は、立体視不能な画像を表示する２Ｄ表示モード、および、立体視可能な画像を表示する３Ｄ表示モードの何れかのモードで動作する。液晶表示装置１’は、液晶表示装置１と同様に、ユーザにより、当該２つの表示モードの何れか一方を選択できるように構成してもよいし、表示すべき画像を示す画像データに関連付けられたモード情報を参照することによって、当該２つの表示モードの何れか一方を自動的に選択する構成としてもよい。なお、実施形態１においてすでに説明した部分については、同じ記号を付しその説明を省略する。

　図１２は、本実施形態に係る液晶表示装置１’の構成を示す図である。図１２に示すように、液晶表示装置１’は、液晶パネル１００’、制御回路２０’、ゲートドライバ２２、ソースドライバ２４、および、ＣＳドライバ２６を備えている。また、図１２においては、液晶パネル１００’における１絵素当たりについての、マルチ画素構造を有する画素の等価回路が示されている。

　図１２に示すように、液晶表示装置１’は、液晶パネル１００’において、複数のゲートバスライン２、複数のソースバスライン４、複数のＣＳバスライン（補助容量バスライン）６１、複数のＣＳバスライン（補助容量バスライン）６２、および、各ゲートバスラインと各ソースバスラインとによって画定される画素を備えている。図１２において、ＣＳバスライン６１ｎは、ｎ番目のＣＳバスライン６１を示しており、ＣＳバスライン６２ｎは、ｎ番目のＣＳバスライン６２を示している。以下では、ＣＳバスライン６１とＣＳバスライン６２とを合わせてＣＳバスライン６と表記することもある。

　（ドライバ）
　図１２に示すように、液晶表示装置１’の備える液晶パネル１００’には、各ゲートバスライン２にゲート信号を供給するゲートドライバ２２と、各ソースバスライン４にデータ信号を供給するソースドライバ２４と、各ＣＳバスライン６に補助容量駆動信号（補助容量信号）（ＣＳ信号）を供給するＣＳドライバ２６とが、それぞれ接続されている。これらのドライバはいずれも、制御回路２０’から出力された制御信号に基づいて動作する。

　（制御回路２０’）
　制御回路２０’は、表示すべき画像を示す画像データに含まれる、各絵素についての輝度を示す輝度情報、および、各絵素についての色差を示す色差情報から、各画素についての階調値を算出する。

　また、制御回路２０’は、ゲートドライバ２２が供給するゲート信号、ソースドライバ２４が供給するデータ信号、および、ＣＳドライバ２６が供給するＣＳ信号のタイミングを制御する。

　ゲートドライバ２２は、実施形態１と同様に、２Ｄ表示モードが選択されている場合、各ゲートバスライン２に対して、スキャン方向が順方向となるように、ゲート信号を供給し、３Ｄ表示モードが選択されている場合、各ゲートバスライン２に対して、スキャン方向が逆方向となるように、ゲート信号を供給する。

　また、本実施形態におけるＣＳドライバ２６は、２Ｄ表示モードが選択されている場合、ＣＳバスライン６１とＣＳバスライン６２とに対して、互いに逆位相の矩形信号を供給し、３Ｄ表示モードが選択されている場合、ＣＳバスライン６１とＣＳバスライン６２とに対して、一定の電圧を供給する。

　（液晶パネル１００’の周辺構成）
　液晶パネル１００’の周辺構成については、図３の（ａ）～（ｃ）に示した液晶パネル１００の周辺構成と同様であるため、その説明を省略する。

　（画素構造）
　図１２に示すように、液晶表示装置１’の備える液晶パネル１００’には複数の画素が形成されており、液晶表示装置１’は、各画素を、２Ｄ表示モードにおいてはＭＰＤ（Multi Pixel Drive）方式に相当する駆動方式によって駆動し、３Ｄ表示モードにおいては、３ＴＦＴ駆動方式に相当する駆動方式によって駆動する。各画素はいずれも液晶層と、当該液晶層に電圧を印加する電極とを有し、行および列を有するマトリックス状に配列されている。

　図１２に示すように、液晶表示装置１’の備える液晶パネル１００’は、複数のゲートバスライン２、複数のソースバスライン４、複数のＣＳバスライン６１、複数のＣＳバスライン６２、複数のスイッチング素子ＴＦＴ１’～ＴＦＴ３’、複数の液晶容量Ｃｌｃ１’～Ｃｌｃ２’を備えている。

　複数のゲートバスライン２および複数のソースバスライン４は、図示しない絶縁膜を介して、互いに交差して形成されている。液晶表示装置１’では、１つのゲートバスライン２と１つのソースバスライン４とによって画定される領域ごとに、赤色を表示するＲ画素８’、緑色を表示するＧ画素１０’、および、青色を表示するＢ画素１２’の何れかが形成されている。また、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’は、ゲートバスライン２に沿って隣接して形成されている。これらの画素を組み合わせて用いることによって、所望のカラー画像を表示することができる。

　このように、液晶表示装置１’が、Ｒ画素、Ｇ画素、および、Ｂ画素を備える構成を例に挙げ説明を行うが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置１は、Ｒ画素、Ｇ画素、および、Ｂ画素に加えて、黄色を表示するＹｅ画素、および、白色を表示するＷ画素の何れか一方若しくは双方を備える構成としてもよく、そのような場合であっても、後述する効果を奏する。

　（明画素、および、暗画素）
　Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’は、いずれも、液晶層に互いに異なる電圧を印加することができる２つの副画素を有している。図１２に示すように、Ｒ画素８’は、副画素８ａ’、および、副画素８ｂ’を有しており、Ｇ画素１０’は、副画素１０ａ’、および、副画素１０ｂ’を有しており、Ｂ画素１２’は、副画素１２ａ’、および、副画素１２ｂ’を有している。以下では、後述する理由により、副画素８ａ’、副画素１０ａ’、および、副画素１２ａ’を明画素と呼ぶこともあり、副画素８ｂ’、副画素１０ｂ’、および、副画素１２ｂ’を暗画素と呼ぶこともある。

　本実施形態においては、各絵素を構成する各画素は、実施形態１と同様に、ゲートバスライン２に沿って、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、Ｂ画素１２’の順に配置されている。また、各明画素は、ゲートバスライン２に平行な第１の直線上に配置されており、各暗画素は、ゲートバスライン２に平行な第２の直線上に配置されている。

　また、ゲートバスライン２ｎによって画定されるＲ画素８’の暗画素８ｂ’と、ゲートバスライン２（ｎ＋１）によって画定されるＲ画素８’の明画素８ａ’とは、ゲートバスライン２に平行な境界を介して互いに隣接している。Ｇ画素１０’およびＢ画素１２’についても同様である。

　また、Ｒ画素８’の暗画素８ｂ’とＧ画素１０’の暗画素１０ｂ’とは、ソースバスライン４に平行な境界を介して互いに隣接し、Ｇ画素１０’の暗画素１０ｂ’とＢ画素１２’の暗画素１２ｂ’とは、ソースバスライン４に平行な境界を介して互いに隣接している。明画素についても同様である。

　（液晶容量）
　各画素の有する副画素は、液晶容量を有している。明画素は、液晶容量Ｃｌｃ１’を有しており、暗画素は、液晶容量Ｃｌｃ２’を有している。より具体的には、図１２に示すように、Ｒ画素８’の明画素８ａ’は、液晶容量Ｃｌｃ１Ｒ’を有しており、暗画素８ｂ’は、液晶容量Ｃｌｃ２Ｒ’を有している。同様に、Ｇ画素１０’の明画素１０ａ’は、液晶容量Ｃｌｃ１Ｇ’を有しており、暗画素１０ｂ’は、液晶容量Ｃｌｃ２Ｇ’を有している。同様に、Ｂ画素１２’の明画素１２ａ’は、液晶容量Ｃｌｃ１Ｂ’を有しており、暗画素１２ｂ’は、液晶容量Ｃｌｃ２Ｂ’を有している。

　（スイッチング素子ＴＦＴ１’～ＴＦＴ２’）
　Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’には、いずれも、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１’、および、ＴＦＴ２’がそれぞれ形成されている。ＴＦＴ１’およびＴＦＴ２’の有する機能、および、ＴＦＴ１’およびＴＦＴ２’の備える各電極の接続の態様は、実施形態１におけるＴＦＴ１およびＴＦＴ２と同様であるため、ここでは説明を省略する。

　（スイッチング素子ＴＦＴ３’）
　また、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’の備える各暗画素には、ＴＦＴ３’が形成されている。より具体的には、Ｒ画素８’の暗画素８ｂ’には、ＴＦＴ３Ｒ’が形成され、Ｇ画素１０’の暗画素１０ｂ’には、ＴＦＴ３Ｇ’が形成され、Ｂ画素１２’の暗画素１２ｂ’には、ＴＦＴ３Ｂ’が形成されている。

　ＴＦＴ３’のゲート電極は、当該画素の前段のゲートバスライン、すなわちゲートバスライン２（ｎ－１）に電気的に接続されている。各ＴＦＴ３’のドレイン電極は、各暗画素８ｂ’、１０ｂ’、および１２ｂ’の副画素電極にそれぞれ電気的に接続されている。また、各ＴＦＴ３’のソース電極は、ＣＳバスライン６２ｎに接続されている。

　（補助容量Ｃｃｓ）
　また、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’の備える各副画素には、補助容量Ｃｃｓが形成されている。各補助容量Ｃｃｓは、対応する副画素電極に接続された補助容量電極と、絶縁層を介して補助容量電極に対向する補助容量対向電極であって、対応するＣＳバスラインに接続された補助容量対向電極とによって形成されている。

　より具体的には、図１２に示すように、補助容量Ｃｃｓ１Ｒの補助容量電極は、液晶容量Ｃｌｃ１Ｒ’の副画素電極に接続され、補助容量Ｃｃｓ１Ｒの補助容量対向電極は、ＣＳバスライン６１ｎに接続されている。同様に、補助容量Ｃｃｓ２Ｒの補助容量電極は、液晶容量Ｃｌｃ２Ｒ’の副画素電極に接続され、補助容量Ｃｃｓ２Ｒの補助容量対向電極は、ＣＳバスライン６２ｎに接続されている。図１２に示す補助容量Ｃｃｓ１Ｇ、Ｃｃｓ２Ｇ、Ｃｃｓ１Ｂ、およびＣｃｓ２Ｂについても同様である。

　なお、上記の説明では、ＴＦＴ３’のゲート電極は、当該画像の前段のゲートバスライン２（ｎ－１）に接続されているとしたが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、一般に、当該画素の前段のゲートバスライン２（ｎ－ｐ）（ｐは１以上の整数）に接続される構成とすることができる。

　（各副画素のレイアウト）
　続いて、図１３の（ａ）～（ｂ）を参照して、液晶パネル１００’における各副画素の具体的な構成について説明する。以下では、Ｒ画素８’の構成について説明を行うが、Ｇ画素１０’およびＢ画素１２’についても同様の構成である。

　図１３の（ａ）は、液晶パネル１００’におけるＲ画素８’の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図１３の（ａ）に示すように、ゲートバスライン２、および、ＣＳバスライン６は、第１電極材料を用いて形成され、ソースバスライン４は、第２電極材料を用いて形成されている。図１３の（ａ）において、ＥＣLC1R’、および、ＥＣLC2R’は、それぞれ、明画素８ａ’の備える副画素電極、および、暗画素８ｂ’の備える副画素電極を表しており、それらの副画素電極は、第３電極材料を用いて形成されている。

　また、図１３の（ａ）に示すように、ゲートバスライン２ｎ上に、ＴＦＴ１Ｒ’およびＴＦＴ２Ｒ’が形成されており、ゲートバスライン２（ｎ－１）上に、ＴＦＴ３Ｒ’が形成されている。また、各ＴＦＴ’のソース電極およびドレイン電極は、第２電極材料を用いて形成されている。

　さらに、暗画素８ａ’の備える副画素電極ＥＣLC1R’の中央部付近には、ＣＳバスライン６１を構成する第１電極材料と、ＴＦＴ１Ｒ’のドレイン電極に接続された第２電極材料とによって補助容量Ｃｃｓ１Ｒが形成されている。また、暗画素８ｂ’の備える副画素電極ＥＣLC2R’の中央部付近には、ＣＳバスライン６２を構成する第１電極材料と、ＴＦＴ２Ｒ’のドレイン電極に接続された第２電極材料とによって補助容量Ｃｃｓ２Ｒが形成されている。なお、副画素電極ＥＣLC1R’および副画素電極ＥＣLC2R’は、第２電極材料よりも上層（紙面手前側）に形成されている。特に図示はしないが、図１３の（ａ）の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　また、図１３の（ａ）に示すように、第３電極材料の一部は、暗画素８ｂ’の備える副画素電極ＥＣLC2R’から絶縁されたコンタクト部Ｐｃｏｎに利用されている。図１３の（ｂ）は、図１３の（ａ）に示す切断面に沿ったコンタクト部Ｐｃｏｎの断面図である。図１３の（ｂ）に示すように、第３電極材料は、コンタクト部Ｐｃｏｎにおいて、第１電極材料と第２電極材料を電気的に接続するために用いられている。コンタクト部Ｐｃｏｎによって、ＴＦＴ３Ｒのソース電極とＣＳバスライン６２ｎとが電気的に接続されている。

　（液晶表示装置１’の基本動作）
　以下では、液晶表示装置１’の備える液晶パネル１００’の基本的な駆動方法について、図１４の（ａ）～（ｇ）、図１５の（ａ）～（ｇ）、および、図１６の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、以下では、まず、Ｒ画素８’の駆動について説明を行い、その後、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’の駆動について説明を行う。

　また、以下では、簡単のため、ソースバスラインから各副画素電極に対して、正極性の電圧が供給される場合について説明を行うが、ソースバスラインから各副画素電極に対して、負極性の電圧が供給される場合についても同様に考えることができる。

　（２Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００’の駆動）
　まず、２Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００’の駆動、すなわち、スキャン方向が順方向である場合の液晶パネル１００’の駆動について説明する。

　図１４の（ａ）～（ｇ）は、液晶パネル１００’を駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示したタイミングチャートである。

　図１４の（ａ）は、ソースドライバ２４がソースバスライン４に供給するデータ信号の電圧波形Ｖｓを示しており、図１４の（ｂ）は、ＣＳドライバ２６がＣＳバスライン６１ｎに供給する補助容量駆動信号の電圧波形（すなわち、ＣＳバスライン６１ｎの電圧波形）Ｖｃｓ１を示しており、図１４の（ｃ）はＣＳドライバ２６がＣＳバスライン６２ｎに供給する補助容量駆動信号の電圧波形（すなわち、ＣＳバスライン６２ｎの電圧波形）Ｖｃｓ２を示しており、図１４の（ｄ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２ｎに供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇｎを示しており、図１４の（ｅ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２（ｎ＋１）に供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇ（ｎ＋１）を示しており、図１４の（ｆ）は、Ｒ画素８’の備える明画素８ａ’の副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ１Ｒ’を示しており、図１４の（ｇ）は、Ｒ画素８’の備える暗画素８ｂ’の副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ２Ｒ’を示している。また、図中の破線は、対向電極の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。

　（Ｒ画素８’の駆動）
　まず、時刻Ｔ１１において、ゲート信号の電圧Ｖｇｎが、ＶｇＬ（ロー）からＶｇＨ（ハイ）に変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ’、および、ＴＦＴ２Ｒ’が同時に導通状態（オン状態）となる。これに伴い、明画素８ａ’の副画素電極、および、暗画素８ｂ’の副画素電極に対し、ソースバスライン４を介してデータ信号の電圧が印加され、明画素８ａ’の副画素電極、および、暗画素８ｂ’の副画素電極の何れの電圧も、時刻Ｔ１１におけるデータ信号の電圧ＶｓＲ’へと変化し、
　Ｖｌｃ１Ｒ’＝ＶｓＲ’　　　…（１４ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ’＝ＶｓＲ’　　　…（１４ｂ）
となる。

　また、明画素８ａ’の補助容量Ｃｃｓ１Ｒ’、および、暗画素８ｂ’の補助容量Ｃｃｓ２Ｒ’に対しても、ソースバスライン４を介してデータ信号の電圧が印加され、明画素８ａ’の補助容量電極、および、暗画素１０ｂ’の補助容量電極の何れの電圧も、データ信号の電圧ＶｓＲ’へと変化する。

　続いて、時刻Ｔ１２において、ゲート信号の電圧ＶｇがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ’、および、ＴＦＴ２Ｒ’が同時に非導通状態（オフ状態）となる。これに伴い、明画素８ａ’の副画素電極、および、暗画素８ｂ’の副画素電極、明画素８ａ’の補助容量電極、および、暗画素８ｂ’の補助容量電極は、全てソースバスライン４と電気的に絶縁される。

　また、このとき、ＣＳバスライン６１ｎの電圧Ｖｃｓ１、および、ＣＳバスライン６２ｎの電圧Ｖｃｓ２は、
　Ｖｃｓ１＝Ｖｃｏｍ－（１／２）Ｖａｄ　　　…（１６ａ）
　Ｖｃｓ２＝Ｖｃｏｍ＋（１／２）Ｖａｄ　　　…（１６ｂ）
である。すなわち、ここで例示するＣＳバスライン６１ｎおよび６２ｎにそれぞれ供給される補助容量駆動信号の電圧Ｖｃｓ１およびＶｃｓ２の波形は全幅がＶａｄで、位相が互いに逆相（１８０°異なる）な矩形波（デューティ比は１：１）である。

　続いて、時刻Ｔ１３において、補助容量Ｃｃｓ１に接続されたＣＳバスライン６１ｎの電圧Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ－（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ＋（１／２）Ｖａｄに変化し、補助容量Ｃｃｓ２に接続されたＣＳバスライン６２ｎの電圧Ｖｃｓ２がＶｃｏｍ＋（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ－（１／２）Ｖａｄに変化する。それに伴い、明画素８ａ’の備える副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ’、および、暗画素８ｂ’の備える副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒ’は、
　Ｖｌｃ１Ｒ’＝ＶｓＲ’＋Ｋ１Ｒ×Ｖａｄ　　　…（１７ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ’＝ＶｓＲ’－Ｋ２Ｒ×Ｖａｄ　　　…（１７ｂ）
へ変化する。ここで、Ｋ１ＲおよびＫ２Ｒは、それぞれ、
　Ｋ１Ｒ＝Ｃｃｓ１Ｒ／（Ｃｌｃ１Ｒ’＋Ｃｃｓ１Ｒ）　　　…（１８ａ）
　Ｋ２Ｒ＝Ｃｃｓ２Ｒ／（Ｃｌｃ２Ｒ’＋Ｃｃｓ２Ｒ）　　　…（１８ｂ）
である。

　続いて、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ＋１）が、時刻Ｔ１４において、ＶｇＬからＶｇＨに変化し、時刻Ｔ１５において、ＶｇＨからＶｇＬに変化するが、明画素８ａ’の備える副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ’、および、暗画素８ｂ’の備える副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒ’は、変化しない。

　続いて、時刻Ｔ１６において、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ＋（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ－（１／２）Ｖａｄへ、Ｖｃｓ２がＶｃｏｍ－（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ＋（１／２）Ｖａｄへ変化し、Ｖｌｃ１Ｒ’、Ｖｌｃ２Ｒ’もまた、数式（１７ａ）および数式（１７ｂ）によって表される値から、数式（１５ａ）および（１５ｂ）によってそれぞれ表される値へと変化する。

　続いて、時刻Ｔ１７において、Ｖｃｓ１がＶｃｏｍ－（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ＋（１／２）Ｖａｄへ、Ｖｃｓ２がＶｃｏｍ＋（１／２）ＶａｄからＶｃｏｍ－（１／２）Ｖａｄへ変化し、Ｖｌｃ１Ｒ’、Ｖｌｃ２Ｒ’もまた、数式（１５ａ）および（１５ｂ）によって表される値から、数式（１７ａ）および数式（１７ｂ）によってそれぞれ表される値へと変化する。

　上記Ｔ１６およびＴ１７の繰り返し間隔を、水平書き込み時間１Ｈの１倍とするか、２倍とするか、３倍とするかあるいはそれ以上とするかは液晶表示装置の駆動方法（極性反転方法等）または表示状態（ちらつき、表示のざらつき感等）を鑑みて適宜設定すればよい。この繰り返しは次に画素が書き換えられるとき、すなわちＴ１１に等価な時間になるまで継続される。したがって、Ｖｌｃ１ＲおよびＶｌｃ２Ｒの実効的な値は、
　Ｖｌｃ１Ｒ’＝ＶｓＲ’＋Ｋ１Ｒ×（１／２）Ｖａｄ　　　…（１９ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ’＝ＶｓＲ’－Ｋ２Ｒ×（１／２）Ｖａｄ　　　…（１９ｂ）
となる。

　よって、スキャン方向が順方向である場合に明画素８ａ’および暗画素８ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｆ’およびＶ２Ｒ＿ｆ’は、
　Ｖ１Ｒ＿ｆ’＝Ｖｌｃ１Ｒ’－Ｖｃｏｍ　　　…（２０ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｆ’＝Ｖｌｃ２Ｒ’－Ｖｃｏｍ　　　…（２０ｂ）
すなわち、
　Ｖ１Ｒ＿ｆ’＝ＶｓＲ’＋Ｋ１Ｒ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２１ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｆ’＝ＶｓＲ’－Ｋ２Ｒ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２１ｂ）
となる。

　このように、２Ｄ表示モードにおいては、明画素８ａ’の液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｆ’は、暗画素８ｂ’の液晶層に印加される実効電圧Ｖ２Ｒ＿ｆ’よりも大きいので、明画素８ａ’の液晶層の透過率は、暗画素８ｂ’の液晶層の透過率よりも大きくなる。したがって、２Ｄ表示モードにおいては、明画素８ａ’は、暗画素８ｂ’よりも高い輝度を呈する。

　（Ｇ画素１０’およびＢ画素１２’の駆動）
　Ｇ画素１０’についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が順方向である場合に明画素１０ａ’および暗画素１０ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｇ＿ｆ’、および、Ｖ２Ｇ＿ｆ’は、
　Ｖ１Ｇ＿ｆ’＝ＶｓＧ’＋Ｋ１Ｇ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２２ａ）
　Ｖ２Ｇ＿ｆ’＝ＶｓＧ’－Ｋ２Ｇ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２２ｂ）
となる。ここで、Ｋ１ＧおよびＫ２Ｇは、それぞれ、
　Ｋ１Ｇ＝Ｃｃｓ１Ｇ／（Ｃｌｃ１Ｇ’＋Ｃｃｓ１Ｇ）　　　…（２３ａ）
　Ｋ２Ｇ＝Ｃｃｓ２Ｇ／（Ｃｌｃ２Ｇ’＋Ｃｃｓ２Ｇ）　　　…（２３ｂ）
である。

　また、Ｂ画素１２’についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が順方向である場合に明画素１２ａ’および暗画素１２ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｂ＿ｆ’、および、Ｖ２Ｂ＿ｆ’は、
　Ｖ１Ｂ＿ｆ’＝ＶｓＢ’＋Ｋ１Ｂ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２４ａ）
　Ｖ２Ｂ＿ｆ’＝ＶｓＢ’－Ｋ２Ｂ×（１／２）Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ　　　…（２４ｂ）
となる。ここで、Ｋ１ＢおよびＫ２Ｂは、それぞれ、
　Ｋ１Ｂ＝Ｃｃｓ１Ｂ／（Ｃｌｃ１Ｂ’＋Ｃｃｓ１Ｂ）　　　…（２５ａ）
　Ｋ２Ｂ＝Ｃｃｓ２Ｂ／（Ｃｌｃ２Ｂ’＋Ｃｃｓ２Ｂ）　　　…（２５ｂ）
である。

　このように、２Ｄ表示モードにおいては、明画素１０ａ’および明画素１２ａ’の液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｇ＿ｆ’およびＶ１Ｂ＿ｆ’は、それぞれ、暗画素１０ｂ’および暗画素１２ｂ’の液晶層に印加される実効電圧Ｖ２Ｇ＿ｆ’およびＶ２Ｂ＿ｆ’よりも大きいので、明画素１０ａ’および明画素１２ａ’の液晶層の透過率は、それぞれ、暗画素１０ｂ’および暗画素１２ｂ’の液晶層の透過率よりも大きくなる。したがって、２Ｄ表示モードにおいては、明画素１０ａ’および明画素１２ａ’は、それぞれ、暗画素１０ｂ’および暗画素１２ｂ’よりも高い輝度を呈する。

　図１６の（ａ）は、２Ｄ表示モードにおける、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図である。図１６の（ａ）に示すように、２Ｄ表示モードにおいては、各明画素は、各暗画素よりも高い輝度を呈する。このように、２Ｄ表示モードにおいては、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’のそれぞれにおいて、各副画素が互いに異なる輝度を呈するため、視野角特性が向上するという効果を奏する。

　（３Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００’の駆動）
　続いて、３Ｄ表示モードにおける液晶パネル１００’の駆動、すなわち、スキャン方向が逆方向である場合の液晶パネル１００’の駆動について説明する。なお、以下では、ＣＳバスライン６１ｎおよびＣＳバスライン６２ｎに供給される信号は、共に一定の電圧Ｖｃｏｍ’’であるとして説明を行う。また、対向電極に供給される電圧Ｖｃｏｍ、並びに、ＣＳバスライン６１ｎおよびＣＳバスライン６２ｎに供給される電圧Ｖｃｏｍ’’は、Ｖｃｏｍ’’≧Ｖｃｏｍを満たすものとして説明を行うが、これは本実施形態を限定するものではなく、Ｖｃｏｍ’’＜Ｖｃｏｍであっても同様に考えることができる。

　図１５の（ａ）～（ｇ）は、液晶パネル１００’を駆動する際の各電圧の波形およびタイミングを模式的に示したタイミングチャートである。

　図１５の（ａ）は、ソースドライバ２４がソースバスライン４に供給するデータ信号の電圧波形Ｖｓを示しており、図１５の（ｂ）は、ＣＳドライバ２６がＣＳバスライン６１ｎに供給する補助容量駆動信号の電圧波形（すなわち、ＣＳバスライン６１ｎの電圧波形）Ｖｃｓ１を示しており、図１５の（ｃ）はＣＳドライバ２６がＣＳバスライン６２ｎに供給する補助容量駆動信号の電圧波形（すなわち、ＣＳバスライン６２ｎの電圧波形）Ｖｃｓ２を示しており、図１５の（ｄ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２ｎに供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇｎを示しており、図１５の（ｅ）は、ゲートドライバ２２がゲートバスライン２（ｎ－１）に供給するゲート信号の電圧波形Ｖｇ（ｎ－１）を示しており、図１５の（ｆ）は、Ｒ画素８’の備える明画素８ａ’の副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ１Ｒ’を示しており、図１５の（ｇ）は、Ｒ画素８’の備える暗画素８ｂ’の副画素電極の電圧波形Ｖｌｃ２Ｒ’を示している。また、図中の破線は、対向電極の電圧波形ＣＯＭＭＯＮ（Ｖｃｏｍ）を示している。

　（Ｒ画素８’の駆動）
　まず、時刻Ｔ１１’において、ゲート信号の電圧Ｖｇｎが、ＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ’、および、ＴＦＴ２Ｒ’が同時にオン状態となる。これに伴い、明画素８ａ’の副画素電極、および、暗画素８ｂ’の副画素電極に対し、ソースバスライン４を介してデータ信号の電圧が印加され、明画素８ａ’の副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ’、および、暗画素８ｂ’の副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒ’は、時刻Ｔ１１’におけるデータ信号の電圧ＶｓＲ’へと変化し、
　Ｖｌｃ１Ｒ’＝ＶｓＲ’　　　…（２６ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ’＝ＶｓＲ’　　　…（２６ｂ）
となる。

　続いて、時刻Ｔ１２’において、ゲート信号の電圧ＶｇｎがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１Ｒ’、および、ＴＦＴ２Ｒ’が同時にオフ状態となる。これに伴い、明画素８ａ’の副画素電極、および、暗画素８ｂ’の副画素電極は、全てソースバスライン４と電気的に絶縁される。

　続いて、時刻Ｔ１３’において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ－１）が、ＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ３Ｒ’がオン状態となる。これに伴い、暗画素８ｂ’の副画素電極の電圧Ｖｌｃ２Ｒ’は、ＣＳバスライン６２ｎの電圧Ｖｃｏｍ’’へと変化する。一方で、明画素８ａ’の副画素電極の電圧Ｖｌｃ１Ｒ’は変化しない。

　Ｖｌｃ１Ｒ’＝ＶｓＲ’　　　　　…（２８ａ）
　Ｖｌｃ２Ｒ’＝Ｖｃｏｍ’’　　　…（２８ｂ）
　続いて、時刻Ｔ１４’において、ゲート信号の電圧Ｖｇ（ｎ－１）が、ＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ３Ｒ’がオフ状態となる。

　以上の過程を経た後、スキャン方向が逆方向である場合に明画素８ａ’および暗画素８ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｂ’、および、Ｖ２Ｒ＿ｂ’は、
　Ｖ１Ｒ＿ｂ’＝ＶｓＲ’－Ｖｃｏｍ　　　　　…（２９ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｂ’＝Ｖｃｏｍ’’－Ｖｃｏｍ　　　…（２９ｂ）
となる。

　ここで、Ｖｃｏｍ’’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素８ｂ’が、輝度を呈しないようにすることができる。例えば、Ｖｃｏｍ’’＝Ｖｃｏｍのように設定することによって、暗画素８ｂ’が、輝度を呈しないようにすることができる。

　このように、３Ｄ表示モードにおいては、Ｒ画素８’の備える暗画素８ｂ’が輝度を呈しない構成とすることができる。

　（Ｇ画素１０’およびＢ画素１２’の駆動）
　Ｇ画素１０’についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が逆方向である場合に明画素１０ａ’および暗画素１０ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｇ＿ｂ’、および、Ｖ２Ｇ＿ｂ’は、
　Ｖ１Ｇ＿ｂ’＝ＶｓＧ’－Ｖｃｏｍ　　　　　…（３０ａ）
　Ｖ２Ｇ＿ｂ’＝Ｖｃｏｍ’’－Ｖｃｏｍ　　　…（３０ｂ）
となる。

　また、Ｂ画素１２’についても同様の駆動が行われ、スキャン方向が逆方向である場合に明画素１２ａ’および暗画素１２ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｂ＿ｂ’、および、Ｖ２Ｂ＿ｂ’は、
　Ｖ１Ｂ＿ｂ’＝ＶｓＢ’－Ｖｃｏｍ　　　　　…（３１ａ）
　Ｖ２Ｂ＿ｂ’＝Ｖｃｏｍ’’－Ｖｃｏｍ　　　…（３１ｂ）
となる。

　Ｒ画素８’と同様に、Ｖｃｏｍ’’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素１０ｂ’および暗画素１２ｂ’が、輝度を呈しないようにすることができる。

　このように、３Ｄ表示モードにおいては、Ｇ画素１０’の備える暗画素１０ｂ’、および、Ｂ画素１２’の備える暗画素１２ｂ’は、輝度を呈しない構成とすることができる。

　図１６の（ｂ）は、３Ｄ表示モードにおける、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’の備える各副画素の呈する輝度を模式的に示す図である。図１６の（ｂ）に示すように、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’のそれぞれの備える暗画素８ａ’、暗画素１０ｂ’、および、暗画素１２ｂ’は、３Ｄ表示モードにおいて輝度を呈しない。

　したがって、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’のそれぞれの備える暗画素は、３Ｄ表示モードにおいて、ブラックマトリックスとして機能することになる。

　（３Ｄ表示モードにおけるクロストーク抑制効果）
　上述のように、液晶パネル１００’の備える各暗画素は、３Ｄ表示モードにおいて、ブラックマトリックスとして機能するため、実施形態１の液晶パネル１００について説明した理由と同様の理由により、クロストークの発生を抑制することができる。

　また、液晶パネル１００’の備える暗画素は、２Ｄ表示モードにおいては、輝度を呈するため、暗画素に代えて、何れの表示モードにおいても輝度を呈しないブラックマトリックスを配置する構成に比べて、表示する画像の輝度が向上する。

　以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置１’によれば、３Ｄ表示モードにおいて、スキャン方向を逆方向とすることによって、各副画素の備える液晶層に対して共通のデータ電圧が印加された後に、各暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。一方で、暗画素と明画素とに対して、データ電圧を独立に供給する従来の構成においては、暗画素と明画素とに対して、各々データ電圧を供給するためのデータバスラインが必要になる。

　本実施形態に係る液晶表示装置１’によれば、そのような従来の構成に比べて、データバスラインの本数を半分以下にすることができる。

　（３Ｄ表示モードについての付記事項）
　以上の説明においては、３Ｄ表示モードにおいて、液晶表示装置１’の備える暗画素は輝度を呈しないものとしたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、３Ｄ表示モードにおいて、暗画素の呈する輝度が所定の輝度以下となるように、ＣＳバスライン６２ｎに供給する電圧Ｖｃｏｍ’’を設定することによっても、クロストークを抑制することができる。

　すなわち、Ｖｃｏｍ、および、Ｖｃｏｍ’’を、実施形態１において説明した数式（Ａ１）が満たされるように設定することによっても、クロストークを抑制することができる。

　より具体的な説明は、実施形態１の（３Ｄ表示モードについての付記事項）において行ったものと同様であるので、ここでは省略する。ただし、本実施形態においては、実施形態１の（３Ｄ表示モードについての付記事項）における「コモンバスライン５に供給される電圧Ｖｃｏｍ’」を「ＣＳバスライン６２ｎに供給される電圧Ｖｃｏｍ’’」と読み替えるものとする。

　また、上記の説明では、３Ｄ表示モードにおいてＣＳバスライン６１ｎおよびＣＳバスライン６２ｎに供給される信号は、共に一定の電圧Ｖｃｏｍ’’であるとしたが、これは本実施形態を限定するものではない。

　例えば、ＣＳバスライン６２ｎに対しては、３Ｄ表示モードにおいて、暗画素の副画素電極に実効的に印加される電圧が液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるような補助容量駆動信号を供給する構成としてもよい。また、ＣＳバスライン６１ｎに対しては、３Ｄ表示モードにおいても、図１４の（ｂ）に示した波形と同様の波形を有する補助容量駆動信号を供給する構成としてもよい。

　（各画素における副画素の数についての付記事項）
　以上の説明においては、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’が、それぞれ、２つの副画素（明画素、および、暗画素）を備える構成を例に挙げたが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、Ｒ画素８’、Ｇ画素１０’、および、Ｂ画素１２’は、暗画素および明画素以外の副画素（中間画素とも呼ぶ）を備える構成としてもよい。ここで、中間画素は、２Ｄ表示モードおよび３Ｄ表示モードの双方のモードにおいて、明画素よりも低い輝度を呈する構成とすることが好ましい。このような構成とすることによって、２Ｄ表示モードおよび３Ｄ表示モードの双方のモードにおいて、視野角特性を向上させることができる。

　（ノーマリーホワイト型の液晶表示装置への適用について）
　ノーマリーホワイト型の液晶表示装置においては、各副画素の備える液晶層に印加される電圧の絶対値が大きいほど、当該副画素の呈する輝度は小さくなる。したがって、上述した液晶パネル１００をノーマリーホワイト型の液晶表示装置に適用する場合には、例えば、３Ｄ表示モードにおいて、ＣＳバスライン６に供給される電圧Ｖｃｏｍ’’と対向電極の電圧Ｖｃｏｍとの差の絶対値を十分に大きくとり、３Ｄ表示モードにおいて各暗画素が輝度を呈しないような構成とすればよい。また、ノーマリーホワイト型の液晶表示装置に適用する場合にも、Ｖｃｏｍ、および、Ｖｃｏｍ’’を、実施形態１において説明した数式（Ａ１）が満たされるように設定する構成とすることができる。

　＜実施形態２の変形例１＞
　本実施形態における液晶パネル１００’の回路構成は、上述したものに限定されるものではない。以下では、本実施形態の第１の変形例について、図１７の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、既に説明した部分については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１７の（ａ）は、本変形例に係る液晶パネルの等価回路をＲ画素８’について示す図である。図１７の（ａ）に示すように、本変形例に係る液晶パネルは、既に説明した液晶パネル１００’の構成に加えて、実施形態１における液晶パネル１００が備えているものと同様のコモンバスライン５を備えている。また、図示はしていないが、本変形例に係る液晶パネルは、液晶パネル１００が備えているものと同様の定電圧源２５を備えている。

　図１７の（ｂ）に示すように、本変形例に係る液晶パネルにおいては、ＴＦＴ３Ｒ’のソース電極は、コモンバスライン５ｍに接続されている。本変形例に係る液晶パネルのＧ画素１０’およびＢ画素１２’の構成も同様である。

　図１７（のｂ）は、本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８’の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図１７の（ｂ）に示すように、コモンバスライン５は、第２電極材料を用いて形成されており、ＴＦＴ３Ｒのソース電極に接続されている。また、本変形例に係る液晶パネルにおいては、液晶パネル１００’と異なり、コンタクト部Ｐｃｏｎは不要である。したがって、本変形例に係る液晶パネルによれば、液晶パネル１００’に比べて、各暗画素の構成が簡単になる。また、コンタクト部Ｐｃｏｎが不要であるので、液晶パネル１００’に比べて、各暗画素における副画素電極の面積を大きくとることができ、開口率が向上する。

　本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８’の他の構成については、液晶パネル１００’と同様であるので、説明を省略する。なお、図１７の（ｂ）において、副画素電極ＥＣLC2R’は、第２電極材料よりも上層（紙面手前側）に形成されている。また、特に図示はしないが、図１７の（ｂ）の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　（本変形例に係る液晶パネルの駆動）
　本変形例に係る液晶パネルの駆動は、既に説明した液晶パネル１００’の駆動とほぼ同様であるが、以下の点において異なる。

　すなわち、本変形例に係る液晶パネルにおいては、３Ｄ表示モードが選択された場合、すなわち、スキャン方向が逆方向である場合に明画素８ａ’および暗画素８ｂ’のそれぞれの液晶層に印加される実効電圧Ｖ１Ｒ＿ｂ’、および、Ｖ２Ｒ＿ｂ’は、
　Ｖ１Ｒ＿ｂ’＝ＶｓＲ’－Ｖｃｏｍ　　　　…（３２ａ）
　Ｖ２Ｒ＿ｂ’＝Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍ　　　…（３２ｂ）
となる。

　ここで、Ｖｃｏｍ’は、コモンバスライン５に供給される電圧を表している。数式（３２ａ）は、数式（２９ａ）と同じである。一方で、数式（３２ｂ）に示すように、本変形例においては、Ｖ２Ｒ＿ｂ’は、コモンバスライン５の電圧Ｖｃｏｍ’の関数となる。したがって、Ｖｃｏｍ’－Ｖｃｏｍを、液晶層の閾値電圧Ｖｔｈ以下となるように設定することによって、暗画素８ｂ’が輝度を呈しないようにすることができる。

　３Ｄ表示モードが選択された場合の、Ｇ画素１０’の備える暗画素１０ｂ’の液晶層に印加される実効電圧、並びに、Ｂ画素１２’の備える暗画素１２ｂ’の液晶層に印加される実効電圧についても同様である。

　このように、本変形例に係る液晶パネルにおいても、３Ｄ表示モードが選択された場合に、各暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。

　＜実施形態２の変形例２＞
　以下では、本実施形態の第２の変形例について、図１８の（ａ）～（ｂ）を参照して説明する。なお、既に説明した部分については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１８の（ａ）は、本変形例に係る液晶パネルの等価回路をＲ画素８’について示す図である。図１８の（ａ）に示すように、本変形例に係る液晶パネルにおいては、ｍ本目のＣＳバスライン６２であるＣＳバスライン６２ｍが、ソースバスライン４ｍと略平行に形成されている。また、ＣＳバスライン６２ｍには、ＴＦＴ３Ｒ’のソース電極、および、補助容量Ｃｃｓ２Ｒの補助容量対向電極が接続されている。その他の構成については、液晶パネル１００’と同様である。

　また、本変形例に係る液晶パネルのＧ画素１０’およびＢ画素１２’の構成も、本変形例に係る液晶パネルのＲ画素８’と同様である。

　図１８の（ｂ）は、本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８’の具体的な構成を示す平面レイアウト図である。図１８の（ｂ）に示すように、ＣＳバスライン６２ｍは、第２電極材料を用いて形成されており、ＴＦＴ３Ｒ’のソース電極、および、補助容量Ｃｃｓ２Ｒの補助容量対向電極に接続されている。また、本変形例に係る液晶パネルにおいては、液晶パネル１００’と異なり、コンタクト部Ｐｃｏｎは不要である。したがって、本変形例に係る液晶パネルによれば、液晶パネル１００’に比べて、各暗画素の構成が簡単になる。また、コンタクト部Ｐｃｏｎが不要であるので、液晶パネル１００’に比べて、各暗画素における副画素電極の面積を大きくとることができ、開口率が向上する。

　また、本変形例に係る液晶パネルにおいては、図１８の（ｂ）に示すように、補助容量Ｃｃｓ２Ｒが、ＣＳバスライン６２ｍに沿って形成されている。本変形例に係る液晶パネルにおけるＲ画素８’の他の構成については、液晶パネル１００’と同様であるので、説明を省略する。なお、図１８の（ｂ）において、副画素電極ＥＣLC2R’は、第２電極材料よりも上層（紙面手前側）に形成されている。また、特に図示はしないが、図１８の（ｂ）の紙面手前側には、各副画素に対応する液晶層が配置され、そのさらに手前側には、対向電極が配置される。

　（本変形例に係る液晶パネルの駆動）
　本変形例に係る液晶パネルの駆動は、既に説明した液晶パネル１００’の駆動とほぼ同様であるため、説明を省略する。ただし、ＣＳバスライン６２ｍには、（液晶表示装置１’の基本動作）において説明したＣＳバスライン６２ｎと同様の電圧が供給されるものとする。

　本変形例に係る液晶パネルにおいても、３Ｄ表示モードが選択された場合に、各暗画素をブラックマトリックスとして機能させることができる。

　（実施形態１および実施形態２についての付記事項）
　実施形態１および実施形態２においては、ｎ番目のゲートバスラインによって画定される画素におけるＴＦＴ３のゲート電極がｎ－１番目以前のゲートバスラインに接続され、２Ｄ表示モードにおいて順スキャンを行い、３Ｄ表示モードにおいて逆スキャンを行う液晶表示装置を例に挙げたが、上記実施形態はこれに限定されるものではない。

　例えば、上記実施形態において、ｎ番目のゲートバスラインによって画定される画素におけるＴＦＴ３のゲート電極がｎ＋１番目以降のゲートバスラインに接続される構成としてもよい。このような構成の場合、２Ｄ表示モードにおいて逆スキャンを行い、３Ｄ表示モードにおいて順スキャンを行うことによって、上述した効果と同じ効果を得ることができる。

　（付加事項）
　上述したように、本発明に係る液晶表示装置は、第１の表示モードおよび第２の表示モードにより表示が可能な液晶表示装置であって、Ｎ行Ｍ列（Ｎ及びＭは自然数）の行列状に配置された複数の画素と、補助バスラインと、各行に配置されたゲートバスラインと、各列に配置されたデータバスラインと、前記複数の画素のうち第ｎ行第ｍ列（ｎ及びｍはそれぞれ１≦ｎ≦Ｎ及び１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数）の画素について、複数の副画素と、前記副画素毎に配置された副画素電極であって、液晶層を介して対向電極に対向する副画素電極と、前記副画素毎に配置された入力トランジスタであって、前記副画素電極に接続されたドレイン電極と、第ｍ列のデータバスラインに接続されたソース電極と、第ｎ行のゲートバスラインに接続されたゲート電極とを有する入力トランジスタと、を有する液晶パネルと、入射光から第１の偏光状態の出射光を生成する第１の光学板、および、入射光から前記第１の偏光状態とは異なる第２の偏光状態の出射光を生成する第２の光学板が、それぞれ、前記液晶パネルの奇数行および偶数行に対応する位置に形成されている光学パネルと、を備えている液晶表示装置において、第ｎ行第ｍ列の画素についての複数の副画素のうち、前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界に最も近い副画素である境界近傍副画素は、当該境界近傍副画素についての副画素電極に電気的に接続されたドレイン電極と、前記補助バスラインに接続されたソース電極と、第ｎ－１行以前のゲートバスラインに接続されたゲート電極と、を備える出力トランジスタを更に有しており、第２の表示モードにおいては、第１行のゲートバスラインから第Ｎ行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給し、第１の表示モードにおいては、第Ｎ行のゲートバスラインから第１行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給する、ことを特徴としている。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、前記第１の表示モードおよび前記第２の表示モードの双方において、前記補助バスラインに対して、一定の電圧を印加する、ことが好ましい。

　上記の構成によれば、上記補助バスラインに対して一定の電圧を印加するという簡単な構成によって、上記第１の表示モードにおけるクロストークの現象を抑制することができる。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、前記境界近傍副画素における入力トランジスタのドレイン電極は、補助容量を介して、前記境界近傍副画素における副画素電極に接続されている、ことが好ましい。

　上記の構成によれば、前記境界近傍副画素における入力トランジスタのドレイン電極は、補助容量を介して、上記境界近傍副画素における副画素電極に接続されているので、上記第１の表示モードおよび上記第２の表示モードの双方において、データバスラインから供給されるデータ電圧が、上記境界近傍副画素についての液晶層と、上記補助容量とに対して分配される。したがって、上記境界近傍副画素における副画素電極に印加される電圧の絶対値は、データバスラインから供給されるデータ電圧の絶対値よりも小さくなる。

　上記第２の表示モードにおいては、スキャン方向が順方向であるので、上記出力トランジスタがオン状態となっても、上記境界近傍副画素の液晶層に印加される電圧は変化しないの。したがって、上記の構成によれば、上記第２の表示モードにおいて、各画素における境界近傍画素と、該画素における境界近傍画素以外の副画素との間には輝度差が生じるので、視野角特性が向上する。

　一方で、上記第１の表示モードにおいては、スキャン方向が逆方向であるので、上記出力トランジスタがオン状態となると、上記境界近傍副画素の液晶層に印加される電圧は、上記対向電極の電位と上記補助バスラインの電位との電位差によって規定される電圧へと変化する。ここで、上記補助バスラインの電位を適宜設定することによって、上記境界近傍副画素の呈する輝度を、上記境界近傍副画素以外の副画素の呈する輝度に比べて小さくすることができるので、上記第１の表示モードにおけるクロストークの現象を抑制することができる。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、前記境界近傍副画素における出力トランジスタのドレイン電極は、前記補助容量を介して、前記境界近傍副画素における副画素電極に接続されている、ことが好ましい。

　上記の構成によれば、上記第１の表示モードおよび上記第２の表示モードの双方において、データバスラインから供給されるデータ電圧が、上記境界近傍副画素についての液晶層と、上記補助容量とに対して分配される。したがって、上記境界近傍副画素における副画素電極に印加される電圧の絶対値は、データバスラインから供給されるデータ電圧の絶対値よりも小さくなる。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、第１の補助容量バスライン、および、前記第１の補助容量バスラインと絶縁された第２の補助容量バスラインを更に備え、前記境界近傍副画素についての副画素電極は、第１の補助容量を介して前記第１の補助容量バスラインに接続されており、前記境界近傍副画素以外の副画素についての副画素電極は、第２の補助容量を介して前記第２の補助容量バスラインに接続されており、前記第２の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、互いに異なる波形の補助容量信号を供給し、前記第１の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、電圧レベルが一定の補助容量信号を供給する、ことが好ましい。

　上記の構成によれば、上記第２の表示モードにおいて、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、互いに異なる波形の補助容量信号を供給するので、上記境界近傍副画素についての液晶層に印加される実効電圧と、上記境界近傍画素以外の副画素についての液晶層に印加される実効電圧とは、互いに異なる。したがって、上記の構成によれば、上記第２の表示モードにおいて、各画素における境界近傍画素と、該画素における境界近傍画素以外の副画素との間には輝度差が生じるので、視野角特性が向上する。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、前記補助バスラインは、第１の補助容量バスライン、および、前記第１の補助容量バスラインと絶縁された第２の補助容量バスラインより構成され、前記出力トランジスタのソース電極は、前記第１の補助容量バスラインに接続されており、前記境界近傍副画素についての副画素電極は、第１の補助容量を介して前記第１の補助容量バスラインに接続されており、前記境界近傍副画素以外の副画素についての副画素電極は、第２の補助容量を介して前記第２の補助容量バスラインに接続されており、前記第２の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、互いに波形の異なる補助容量信号を供給し、前記第１の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、一定電圧の補助容量信号を供給する、ことが好ましい。

　また、上記の構成によれば、前記補助バスラインは、第１の補助容量バスライン、および、前記第１の補助容量バスラインとは電気的に独立な第２の補助容量バスラインより構成されており、上記出力トランジスタのソース電極は、上記第１の補助容量バスラインに接続されているので、上記出力トランジスタのソース電極が上記第１の補助容量バスライン以外のバスラインに接続される構成に比べて、回路構成およびバスラインの構成を簡単なものにすることができる。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、上記第１のモードにおいて、前記各画素について、前記境界近傍副画素の呈する輝度の最大値は、前記境界近傍副画素以外の副画素の呈する輝度の最大値の２０パーセント未満である、ことが好ましい。

　発明者は、前記境界近傍画素の呈する輝度の最大値が、前記境界近傍画素の呈する輝度の最大値の２０パーセント未満である場合に、観測者は、前記境界近傍画素を黒画素として認識するとの知見を得た。

　上記の構成によれば、前記各画素について、前記境界近傍副画素の呈する輝度の最大値は、前記境界近傍副画素以外の副画素の呈する輝度の最大値の２０パーセント未満であるため、観測者は、前記境界近傍画素を、黒画素、すなわち、ブラックマトリックスとして認識することになる。

　したがって、上記の構成によれば、前記境界近傍副画素をブラックマトリックスとして機能させることによって、クロストークの発生を効果的に抑制することができる。

　また、本発明に係る液晶表示装置においては、前記各画素について、前記境界近傍副画素と、前記境界近傍副画素に隣接する副画素との境界は、行方向に沿って形成されており、視線方向と前記液晶パネルの法線方向とのなす角を前記液晶パネルの法線方向および前記液晶パネルの列方向の双方に垂直な方向を法線方向とする平面に射影して得られる角度が、前記境界近傍副画素と、該境界近傍副画素を含む画素において該境界近傍副画素に隣接する副画素との境界、および、前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界のうち該境界近傍副画素に最も近い境界、の双方の境界を通る直線と前記液晶パネルの法線方向とのなす角を前記液晶パネルの法線方向および前記液晶パネルの列方向の双方に垂直な方向を法線方向とする平面に射影して得られる角度以下である場合に、前記第１の表示モードにおいて、前記境界近傍副画素から前記視線方向に出射され、前記光学パネルにおける前記第１の光学板および前記第２の光学板の何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度の最大値は、前記境界近傍副画素に対して行方向に沿った境界を介して隣接する画素から前記視線方向に出射され前記光学パネルにおける前記何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度の最大値の２０パーセント未満である、ことが好ましい。

　発明者は、また、前記境界近傍画素から出射された画像光であって、前記光学パネルにおける前記第１の光学板および前記第２の光学板の何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度が、前記境界近傍副画素に対して行方向に沿った境界を介して隣接する画素から前記視線方向に出射され前記光学パネルにおける前記何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度の最大値の２０パーセント未満である場合に、観測者は、前記境界近傍画素を黒画素として認識するとの知見を得た。

　上記の構成によれば、観測者は、前記境界近傍画素を、黒画素、すなわち、ブラックマトリックスとして認識することになる。

　したがって、上記の構成によれば、前記境界近傍副画素をブラックマトリックスとして機能させることによって、クロストークの発生をより効果的に抑制することができる。

　また、本発明に係るディスプレイ装置は、上記液晶表示装置を備えているディスプレイ装置であって、前記第１の表示モードにおいて、立体視可能な画像を表示する、ことを特徴としている。

　上記のように構成されたディスプレイ装置によれば、前記第１の表示モードにおいて、立体視可能な画像を表示するので、クロストークの発生を抑制することができる。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　本発明は、Patterned Retarder方式を用いて、画像を立体視可能に表示する液晶表示装置に好適に適用することができる。

１、１’　　　　　　　液晶表示装置
１００、１００’　　　　液晶パネル
２００　　　　　Patterned Retarder（光学パネル）
２　　　　　　　　ゲートバスライン
４　　　　　　　　ソースバスライン
５　　　　　　　　コモンバスライン（補助バスライン）
６　　　　　　　　　ＣＳバスライン（補助バスライン、補助容量バスライン）
８、８’　　　　　　　　　　Ｒ画素（画素）
８ａ、８ａ’　　　　Ｒ画素の明画素（副画素）
８ｂ、８ｂ’　　　　Ｒ画素の暗画素（副画素、境界近傍副画素）
１０、１０’　　　　　　　　Ｇ画素（画素）
１０ａ、１０ａ’　　Ｇ画素の明画素（副画素）
１０ｂ、１０ｂ’　　Ｇ画素の暗画素（副画素、境界近傍副画素）
１２、１２’　　　　　　　　Ｂ画素（画素）
１２ａ、１２ａ’　　Ｂ画素の明画素（副画素）
１２ｂ、１２ｂ’　　Ｂ画素の暗画素（副画素、境界近傍副画素）
ＴＦＴ１Ｒ、ＴＦＴ２Ｒ　　薄膜トランジスタ（入力トランジスタ）
ＴＦＴ３Ｒ　　　　　　　　薄膜トランジスタ（出力トランジスタ）
ＴＦＴ１Ｇ、ＴＦＴ２Ｇ　　薄膜トランジスタ（入力トランジスタ）
ＴＦＴ３Ｇ　　　　　　　　薄膜トランジスタ（出力トランジスタ）
ＴＦＴ１Ｂ、ＴＦＴ２Ｂ　　薄膜トランジスタ（入力トランジスタ）
ＴＦＴ３Ｂ　　　　　　　　薄膜トランジスタ（出力トランジスタ）
Ｃｌｃ１Ｒ、Ｃｌｃ２Ｒ　　液晶容量
Ｃｌｃ１Ｇ、Ｃｌｃ２Ｇ　　液晶容量
Ｃｌｃ１Ｂ、Ｃｌｃ２Ｂ　　液晶容量
Ｃｃｓ１Ｒ、Ｃｃｓ２Ｒ　　補助容量
Ｃｃｓ１Ｇ、Ｃｃｓ２Ｇ　　補助容量
Ｃｃｓ１Ｂ、Ｃｃｓ２Ｂ　　補助容量
ＲＲ　　　　　　　　　　　位相差板
ＲＬ　　　　　　　　　　　位相差板

Claims

　第１の表示モードおよび第２の表示モードにより表示が可能な液晶表示装置であって、
　Ｎ行Ｍ列（Ｎ及びＭは自然数）の行列状に配置された複数の画素と、補助バスラインと、各行に配置されたゲートバスラインと、各列に配置されたデータバスラインと、前記複数の画素のうち第ｎ行第ｍ列（ｎ及びｍはそれぞれ１≦ｎ≦Ｎ及び１≦ｍ≦Ｍを満たす自然数）の画素について、複数の副画素と、前記副画素毎に配置された副画素電極であって、液晶層を介して対向電極に対向する副画素電極と、前記副画素毎に配置された入力トランジスタであって、前記副画素電極に接続されたドレイン電極と、第ｍ列のデータバスラインに接続されたソース電極と、第ｎ行のゲートバスラインに接続されたゲート電極とを有する入力トランジスタと、を有する液晶パネルと、
　入射光から第１の偏光状態の出射光を生成する第１の光学板、および、入射光から前記第１の偏光状態とは異なる第２の偏光状態の出射光を生成する第２の光学板が、それぞれ、前記液晶パネルの奇数行および偶数行に対応する位置に形成されている光学パネルと、を備えている液晶表示装置において、
　第ｎ行第ｍ列の画素についての複数の副画素のうち、前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界に最も近い副画素である境界近傍副画素は、当該境界近傍副画素についての副画素電極に電気的に接続されたドレイン電極と、前記補助バスラインに接続されたソース電極と、第ｎ－１行以前のゲートバスラインに接続されたゲート電極と、を備える出力トランジスタを更に有しており、
　前記第２の表示モードにおいては、第１行のゲートバスラインから第Ｎ行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給し、
　前記第１の表示モードにおいては、第Ｎ行のゲートバスラインから第１行のゲートバスラインに対して、順次ゲート信号を供給する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
　前記第１の表示モードおよび前記第２の表示モードの双方において、前記補助バスラインに対して、一定の電圧を印加する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　前記境界近傍副画素における入力トランジスタのドレイン電極は、補助容量を介して、前記境界近傍副画素における副画素電極に接続されている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
　前記境界近傍副画素における出力トランジスタのドレイン電極は、前記補助容量を介して、前記境界近傍副画素における副画素電極に接続されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
　第１の補助容量バスライン、および、前記第１の補助容量バスラインと絶縁された第２の補助容量バスラインを更に備え、
　前記境界近傍副画素についての副画素電極は、第１の補助容量を介して前記第１の補助容量バスラインに接続されており、
　前記境界近傍副画素以外の副画素についての副画素電極は、第２の補助容量を介して前記第２の補助容量バスラインに接続されており、
　前記第２の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、互いに異なる波形の補助容量信号を供給し、
　前記第１の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、電圧レベルが一定の補助容量信号を供給する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
　前記補助バスラインは、第１の補助容量バスライン、および、前記第１の補助容量バスラインと絶縁された第２の補助容量バスラインより構成され、
　前記出力トランジスタのソース電極は、前記第１の補助容量バスラインに接続されており、
　前記境界近傍副画素についての副画素電極は、第１の補助容量を介して前記第１の補助容量バスラインに接続されており、
　前記境界近傍副画素以外の副画素についての副画素電極は、第２の補助容量を介して前記第２の補助容量バスラインに接続されており、
　前記第２の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、互いに波形の異なる補助容量信号を供給し、
　前記第１の表示モードにおいては、前記第１の補助容量バスラインと前記第２の補助容量バスラインとに対して、一定電圧の補助容量信号を供給する、
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　前記第１の表示モードにおいて、前記各画素について、前記境界近傍副画素の呈する輝度の最大値は、前記境界近傍副画素以外の副画素の呈する輝度の最大値の２０パーセント未満である、
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
　前記各画素について、前記境界近傍副画素と、前記境界近傍副画素に隣接する副画素との境界は、行方向に沿って形成されており、
　視線方向と前記液晶パネルの法線方向とのなす角を前記液晶パネルの法線方向および前記液晶パネルの列方向の双方に垂直な方向を法線方向とする平面に射影して得られる角度が、
　　前記境界近傍副画素と、該境界近傍副画素を含む画素において該境界近傍副画素に隣接する副画素との境界、および、
　　前記第１の光学板と前記第２の光学板との境界のうち該境界近傍副画素に最も近い境界、
の双方の境界を通る直線と前記液晶パネルの法線方向とのなす角を前記液晶パネルの法線方向および前記液晶パネルの列方向の双方に垂直な方向を法線方向とする平面に射影して得られる角度以下である場合に、
　前記第１の表示モードにおいて、前記境界近傍副画素から前記視線方向に出射され、前記光学パネルにおける前記第１の光学板および前記第２の光学板の何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度の最大値は、前記境界近傍副画素に対して行方向に沿った境界を介して隣接する画素から前記視線方向に出射され前記光学パネルにおける前記何れか一方の光学板を透過した画像光の輝度の最大値の２０パーセント未満である、
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
　請求項１から８に記載の液晶表示装置を備えているディスプレイ装置であって、前記第１の表示モードにおいて、立体視可能な画像を表示する、
ことを特徴とするディスプレイ装置。