TW200921120A - Patterned wafer defect inspection system and method - Google Patents

Patterned wafer defect inspection system and method Download PDF

Info

Publication number
TW200921120A
TW200921120A TW097129438A TW97129438A TW200921120A TW 200921120 A TW200921120 A TW 200921120A TW 097129438 A TW097129438 A TW 097129438A TW 97129438 A TW97129438 A TW 97129438A TW 200921120 A TW200921120 A TW 200921120A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gold
group
template
image
die
Prior art date
Application number
TW097129438A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI477790B (zh
Inventor
Ajharali Amanullah
Jing Lin
Chunlin Luke Zeng
Original Assignee
Semiconductor Tech & Instr Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Tech & Instr Inc filed Critical Semiconductor Tech & Instr Inc
Publication of TW200921120A publication Critical patent/TW200921120A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI477790B publication Critical patent/TWI477790B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Description

200921120 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於晶圓檢測,尤其係關於運用多個金樣板 來減少晶粒錯誤退件之系統及方法。 【先前技術】 吾人已經知道使用一金樣板來檢測半導體晶圓的晶 粒’這種金樣板為標準的晶粒影像’如此當與受檢測的晶 粒影像比較時,可根據與金樣板的相似度或差異性來評判 該受測晶粒影像。 雖然金樣板檢測相當有用,不過最佳金樣板檢測技術 仍導致大量錯誤退件。只要晶粒遭到不當退件,就必須由 操作員手動地檢測,這需要高成本的人工檢測,若退件, 則對於從晶圓製造晶粒的產量有不利的衝擊。 【發明内容】 、 根據本發明,提供一種執行金樣板檢測的系統及方 其克服執行金樣板檢測之系統及方法的已知問題。 、 尤其是’提供一種用於執行金樣板檢測的系統及方 ’其係可用來測試退件晶粒的金樣板階層,以減少錯誤 退件數量。 依照本發明的實施方法,提供一種用於檢測半導體 置的系姑又 *、、死。該系統包含從一半導體晶圓中選擇複數個區域 的區i志·^ # 糸、、先。一金樣板系統產生一區域金樣板給每一區 200921120 域,如此允許一晶粒影像與來自複數個區域的金樣板做比 幸乂 群組金樣板系統從該區域金樣板當中產生複數個群 、、且金樣板如此允許該晶粒影像與來自複數個群組金樣板 的金樣板做比較。 本發明提供許多重要技術優點。本發明的一項重要技 術優點為一種運用金樣板階層的檢測系統,該系統可讓因 為特疋;5V像特性中非貫質的區域變化而曾遭到退件的可接 文晶粒,在不用人工介入之下進行偵測。 在閱讀下列詳細說明結合附圖之後’所屬技術領域之 人將進一步瞭解本發明的優點與優異特性及其他重要態 樣。 【實施方式】 在下列說明中,整份說明書中以及圖式中一樣的零件 都分別標示一樣的參考編號。該等圖式可能未依照比例, 並且為了清晰與簡潔起見,特定組件以一般或圖式型態顯 不並且以商業名稱來識別。 第一圖為一根據本發明一實施方法用於執行一金樣板 檢測的系統100之圖式。系統100允許使用多個金樣板來檢 測半導體晶粒,如此可減少錯誤退件的數量。 系統100包含金樣板層產生系統102和金樣板層檢測系 統104 ’其每一都可用硬體、軟體或軟體與硬體的合適組合 來貫現’並且該系統可為在一般用途處理平台上運作的一 或多種軟體系統。如此處所使用,一硬體系統可包含分散 6 200921120
或多行程式碼或在-般用途軟體應用程式内 匕§ -適軟體結構,像是-作業系統,以及—或多行程式合 一特定用途軟體應用程式内運作的其他合適軟或在 -’或其他合 系統可包含一 金樣板層產生系統102和金樣板層檢測系統1〇4都耦合 至通§fl媒體106。如此處所使用,「耦合」與其同意詞都包 括一實體連接(像是一電線、光纖或一電信媒體)、一虛 擬連接(像是透過一資料記憶體裝置的隨機指派記憶體位 置或一超文字傳輸通訊協定(HTTP,“hypertext transfer protocol”))、一邏輯連接(像是透過一積體電路内之一或 多個半導體裝置)或其他合適連接。在一個實施方法内, 通訊媒體106可為一網路或其他合適的通訊媒體。 影像資料系統1〇8耦合至通訊媒體106,並且產生給 晶圓檢測區112内一晶圓的影像資料。該晶圓可分成預定 矩形晶粒,並且影像資料系統108允許獲得每一晶粒的影 像’像是利用索引、定位晶圓内的晶粒或其他合適的方式。 晶圓控制器系統11〇耦合至通訊媒體106和晶圓檢測區 112。在此實施方法内,晶圓控制器系統110允許移動晶圓’ 如此允許影像資料系統108產生該晶圓不同區段、不同晶 200921120 圓的影像資料或用於其他合適目的。 在操作當中,系統100允許運用多個金樣板來檢測晶 圓。在一實施方法内,金樣板層產生系統102產生二或多 個檢測晶圓用的金樣板。在此實施方法内’可從晶圓不同 的區域、從區域金樣板的組合或在其他合適方式中產生金 樣板,如此具有許多金樣板可用於晶圓的測試與檢測。 金樣板層檢測系統104接收由金樣板層產生系統102 所產生的金樣板,並且執行來自晶圓檢測區112内一晶圓 的一或多個晶粒之檢測。在一實施方法内,影像資料系統 108可產生晶圓檢測區112内一晶圓上一晶粒的影像資 料,並且由金樣板層檢測系統104將該影像資料與第一金 樣板做比較。若該晶粒通過檢測,則影像資料系統108取 得其他晶粒影像用於檢測。否則,金樣板層檢測系統104 可選擇其他金樣板進行檢測處理。在一實施方法内,可有 一個主要金樣板以及由區域與區域組合所形成的金樣板群 組層,如此若一晶粒影像的主要金樣板檢測錯誤,可進行 額外檢測來消除錯誤的退件。在此方式中,若一晶粒影像 一開始未通過該主要金樣板的檢測,則根據一或多個來自 區域或複合區域決定是否為可接收晶粒影像,如此避免可 接收的晶粒遭到錯誤退件。 第二圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板層產生 的系統200之圖式。系統200包含金樣板層產生系統102 和晶圓選擇系統202、區域選擇系統204、區域金樣板系統 206、群組金樣板系統208、主要金樣板系統210以及照明 200921120 選擇系統212,其每一都町用硬體、軟體或軟體與硬體的 合適組合來實現,並且該系統可為在一般用途處理平台上 運作的一或多種軟體系統。 晶圓選擇系統202允許選擇一或多個晶圓用於產生金 樣板影像。在一實施方法内,晶圓選擇系統202可選擇複 數個晶圓之一用於產生金樣板、可選擇複數個晶圓之二個 或更多個用於產生金樣板、可結合來自晶圓的金樣板或可 執行其他合適的處理。在其他實施方法内,可根據使用不 同特徵的不同照明種類,來選取用於產生金樣板影像的晶 圓。例如:在直接照明之下,可看見在以入射角與垂直軸 夾5度到30度角、與垂直軸夹60度到90度角、使用不同 顏色的光,或其他合適的照明入射角範圍等方式,來照明 表面時所看不見的特定特徵。在此實施方法内,可產生不 同金樣板集合用於每一不同種照明,並且可使用由每一種 照明所照明的特徵來選擇用於每一區域的金樣板。如此, 可使用一或多個特徵的識別以及關於這些特徵的不同晶粒 影像之比較,來選擇用於一給定區域的金樣板。 區域選擇系統204允許識別一晶圓上一或多個區域, 在這些區域上會產生用於該區域的金樣板。在一實施方法 内’區域選擇系統204可評估亮度變化、特徵位置差異、 長條圖資料或其他合適資料來識別區域。類似地,區域選 擇系統204可具有要擷取金樣板的預定區域。 區域金樣板系統206從一個區域產生一個金樣板。在 一實施方法内,根據來自區域選擇系統2〇4的已識別區 9 200921120 域,利用區域金樣板系統206產生來自一區域的複數個晶 粒之影像資料。然後區域金樣板系統206選取該區域内的 一個晶粒成為該區域金樣板,從該等晶粒影像的組合當中 產生一區域金樣板’或運用其他合適處理來產生—區域金 樣板。在其他實施方法内,可根據已識別或預定特徵的位 置、像素亮度變化、長條圖資料、來自該晶粒影像預定區 域的賁料或在其他合適方法來選擇一金樣板。 群組金樣板系統208接收區域金樣板資料並產生群組 金樣板資料。在一貫施方法内,群組金樣板系統208可從 區域金樣板系統206接收複數個區域金樣板,並且可藉由 用,適方式結合二或多個區域金樣板來建立群組金樣板, 像疋利用敗區勒的平均像素值、师根據像素亮度變 圖資料的分析來選擇每一晶粒之預定區段、利用 根據與來自單一晶圓劣夕 板之比較來卿區域金的—或多個其他區域金樣 主要金樣板系統21〇接=白或用其他合適方式。 群組金樣板,並且產生一 ί來自群組金樣板系統208的 主要金樣板。在一實施方早—個主要金樣板或合適數量的 用來自複數個晶圓的君菜内主要金樣板系統210可運 圓、每—紐個晶和輯金樣板,從每一晶 板,像是利用預定區域内、°適組合當中產生主要金樣 度變化或長條圖資料的分析::值、利用根據像素亮 利用根據與來自單〜θn ' &擇母一晶粒之預定區段、 金樣板之比較來選擇個晶81的—或多個其他群組 擇—錢板之―,或用其他合適方 10 200921120 式。此外,也可使用或另外使用第四、第五或其他合適金 樣板群組層數,像是利賴子群組形成群組金樣板(例如 從晶粒四周區域内的晶圓或從晶粒内部區域内的晶圓),或 用其他合適方式。 知明選擇系統212允許根據二或多種不同照明類型, 像是照明角度、照明亮度、照明顏色或其合適的照明變化, 來選擇金樣板影像。在一實施方法内,可在不同照明條件 下選擇每一組區域金樣板、群組金樣板以及主要金樣板, 如此形成一第一照明條件的第一組區域金樣板、群組金樣 板以及主要金樣板,像是使用與該光學轴平行的光源來照 明該晶圓;形成一第二照明條件的第二組區域金樣板、群 組金樣板以及主要金樣板,像是使用與該光學軸夾6〇度至 90度角的光源來照明該晶圓;形成一第三照明條件的第三 組區域金樣板、群組金樣板以及主要金樣板,像是使用與 該光學軸夾5度至30度角的光源來照明該晶圓或其他合適 光源。如此不同的光源可用來照明不同的實體特徵,如此 隨著光源改變可照明特定特徵之間的外型差異。 在操作上’糸統200允許產生用於一分層金樣板檢測 系統的金樣板。在一實施方法内,系統200允許使用來自 不同晶圓、來自不同晶粒區域、來自晶粒區域群組或來自 晶粒群組的金樣板,如此增加可用來執行檢測的金樣板數 量,進而減少可接受晶粒的錯誤退件數量。 第三圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板層檢測 的系統300圖式。系統300包含金樣板層檢測系統1〇4和 11 200921120 主要金樣板檢測錢3G2、群組金樣板檢_統3G4、區域 金樣板檢_、統3G6以及合料合格系統遍,其每一都 可用硬體、軟體或軟體與硬體的合適叙合來實現:、並且該 系統可為在-般用途處理平台上運作的—或多種軟體系 統。 主要金樣板檢測系統3〇2接收晶板影像資訊,並執行 -主要金樣板檢測。在-實施方法内,該晶粒影像資料可 與該主要金樣板比較,以便識別出合格/不合格標準,像是 預定區域内像素的亮度變化、像素長條圖資料:變化或其 他合適晶粒檢測資料。類似地,可產生用於特定區域的中 間合格/不合格資料,或根據額外金樣板測試的結果設定該 晶粒的接受或退件。 群組金樣板檢測系統304可在一或多個已經檢測過的 晶粒影像上執行群組金樣板檢測。在—實施方法内,一晶 粒影像可與一第一群組金樣板比較,決定是合格戋不合 格。若第一群組金樣板的檢測產生不合格或中間情況,然 後可擇使用一或多額外組金樣板來檢測該晶粒影像資 料。類似地,可產生用於特定區域的中間合格/不合格資 料,或根據额外金樣板測試的結果設定該晶粒的接受或退 件。 區域金樣板檢測系統306使用區域金樣被執行晶粒影 像資料的金樣板檢測。在一示例性具體實施教内,若一晶 粒影像資料集無法通過一群組金樣板檢測處理、—主要金 樣板檢測處理或其他合適的金樣板檢測處理的檢測,則區 12 200921120 域金樣板檢測系統306可將該晶粒影像資料與一或多個區 域金樣板做比較。在一實施方法内,若一第一區域金樣板 與該晶粒影像資料的比較產生一不合格指示或中間指示, 則可使用額外區域金樣板來測試該晶粒影像。類似地,可 產生用於特定區域的中間合格/不合格資料,或根據額外金 樣板測試的結果設定該晶粒的接受或退件。 f
合格不合格系統308接收來自主要金樣板檢測系統 3〇2、群組金樣板檢測系統3〇4以及區域金樣板檢測系統 306的合格/不合格資料,並協調晶粒影像資料的處理來進 仃檢測。在—實施方法内,當主要金樣板檢測系統302產 生一不合格指示,合格不合格系統3〇8會將一晶粒影像的 '、象料傳輪至群組金樣板檢測系統3。在此方式中, 2用主要金樣板檢測系統3〇2檢測額外晶粒影像資料,同 時執行群組或區域金樣板檢測處理。 卞、類似地,合格不合格系統308可產生一指示來剔除一 ^退件的晶粒、可引起操作員注意對一晶粒進行額外手動 取測或可執行其他合適的處理。 在知作中’系統300提供運用多個金樣板的檢測系 、如此減少可接受晶粒的錯誤退件數量。 第四圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板資料層 於生的方法400圖式。方法400開始於402,在此選擇用 日日粒的一或多個區域和一個光源。在一實施方法内, °曰=擇的區域數量取決於該晶粒的預定區域、根據來自該 二的〜像貪料之影像資料分析、根據其中應該選擇區域 13 200921120 金樣板的歷史資料或其他合適的資料。該光源可從二或多 種用於照明每一晶粒上不同表面特徵的不同光源之中選 擇,像是利用使用不同的入射角度、顏色或其他合適的照 明變化。這種特徵的尺寸關係可用來選擇一區域内的金樣 板。然後方法前往404。 在404上,可選擇來自二或多個區域的金樣板。在一 貫施方法内’利用分析一個區域内個別晶粒影像並識別晶 粒影像或合成晶粒影像,其可用於檢測來自其他晶圓的其 他晶粒影像,來選擇區域金樣板,如此產生合格不合格指 示,其係關於是否接受個別晶粒或包含呈現出為無法接受 的缺陷。在一實施方法内,在一個角度或照明下浮現的一 或多個特徵可用來選擇該金樣板,像是利用根據這種特徵 之間的尺寸關係來選擇金樣板。然後方法前往406。 在406上,判斷是否需要分析額外區域來選擇這些區 域内的金樣板。若在406上判斷需要額外區域,則該方法 前往步驟408,也就是在此從下個區域獲得晶粒影像資料。 在一實施方法内,影像資料可利用整個晶圓來產生、可利 用將該晶圓相對於該影像資料產生系統移動來產生、可利 用將該影像資料產生系統相對於該晶圓移動來產生或用其 他合適的方式產生。然後方法回到404。否則,若在406 上判斷並無額外區域,則該方法前往410。 在410上,產生該群組金樣板。在一實施方法内,使 用一或多種組合可產生群組金樣板,像是利用比較該區域 金樣板來選擇二或多個可最佳代表該群組的區域金樣板、 14 200921120 利用將每-區域金樣版與其他金樣板結合、利用將每—區 域金樣板與二或多個其他區域金樣板結合、彻將預定區 域金樣板與其他區域純板結合、則㈣域金樣板的區 段與其他區域金樣板的不_段結合、利錄據像素、長 條圖或其他合適⑽來結合區域金樣減利肋其他合適 的方式來結合區域金樣版。類似地,也可產生或另外產生 二或多組群組金樣板,像是根據歷史靜,則將來自類 似區域(像是來自晶圓周邊對上晶w t心)的區域金樣板 結合、金樣板影像内特徵的位置或其他合適的方式。然後 方法進行到412。 在412上,產生一主要金樣板。在一實施方法内,可 利用該區域金樣板、該群組金樣板或該區域與群組金樣 板,如前述用於從區域金樣板產生群組金樣板的方式,或 其他合適的方式’來產生§亥主要金樣板。然後方法前往414。 在414上,判斷是否有額外晶圓要處理。例如:可根 據來自多個晶圓的資料使用多個晶粒來產生金樣板。若在 414上判斷有額外晶圓’則該方法前往步驟416,在此選取 下個晶圓。在一實施方法内,透過輸送器從一晶圓存放區 移動一晶圓、使用一選放工具或用其他合適的方式,來選 擇一晶圓。然後方法回到402。 右在414上判斷無額外晶圓’則該方法前往步驟418, 在此產生多個晶粒金樣板。在一實施方法内,已經使用多 個晶圓,並且已經產生多個晶圓金樣板。此外,產生用於 一分層金樣板檢測處理的金樣板群組。 15 200921120 此外,方法400允許建立金樣板的相關群組,來分析 晶粒影像,如此減少錯誤退件數量。在此方式中,使用金 樣板的優先階層偵測可接受的晶粒影像,讓未通過一開始 金樣板測試的晶粒針對額外群組或區域金樣板進行測試, 如此減少錯誤退件數量。 第五圖為一根據本發明一實施方法用於使用金樣板資 料階層測試晶粒影像的方法500之流程圖。方法500開始 於502上,在此選取一晶粒。在一實施方法内,可從一組 藉由移動通過一檢測中的晶圓的影像資料系統所產生之影 像資料、從一組由檢測的完整晶圓所產生之影像資料或利 用其他合適的方式,來選擇該晶粒。然後前往步驟504。 在5 0 4上,該晶粒影像貢料與·主要金樣板比較。在 一實施方法内,該比較可包含預定區域、特徵、長條圖資 料或其他合適比較資料的比較。然後前往步驟506。 在5 0 6上,判斷結果是合格或不合格。在一實施方法 内,也具有中間階段導致針對來自群組或區域的後續金樣 板進行後續測試。若在506上判斷該晶粒已經通過金樣板 測試,則該方法前往步驟526,並選取下個晶粒。然後方 法回到504。類似地,若在506上判斷該晶粒影像未通過 該主要金樣板測試,則方法前往步驟508。 在508上,該晶粒影像資料與群組金樣板比較。在一 實施方法内,可從用於選擇該金樣板的一組群組當中選 擇、可從來自多個晶圓的群組當中選擇或其他合適的群組 當中選擇該群組金樣板資料。然後方法前往步驟510,在 16 200921120
此判斷結果是合格或不合格。如先前所指示,一合格指示 取決於之前泰上的中間結果和⑽上的後續可接受結 果。類似地,可其他合適的合格/不合格標準。若在別 上觸該晶粒影像㈣已經通過•,職方法前往步驟 526,亚選取下個晶粒影像。否則該方法前往步驟512,在 此判斷是否有額外群組樣板可用於檢測該晶粒影像資料。 若判斷有額外群組樣板,職方法前往步驟Μ,在此選 取下個群組樣板。然後方法叫5()8。否麟方法前往步 驟M6,在此將該晶粒影像資料與區域金樣板比較。在一 貫施方法内,根據可能性資料、最有效區域金樣板的階層、 根據從此收集該晶粒影像的晶_域或其他可使用的合適 處理’可選擇該區域金樣板#料。祕方法前往518。 一在518上,判斷该晶粒是否6經通過該區域金晶圓測 式在518上,判斷該晶粒已經合袼,該方法前往步驟526。 上,别所时論’根據來自主要或群組金樣板測試的中間測 式:果也可產生一合格結果。若在518上判斷該測試已經 ^合袼,則該方法步驟前往520,在此判斷是否有額外的 區域金樣板。若判斷有額外的區域金樣板,則該方法前往 乂綠522 ’在此選取下個區域金樣板。然後方法回到516。 類似地,在520上’若判斷無額外區域金樣板,則該 方法前往步驟524,在此退回該晶粒。然後該方法前往步 & 528 ’在此判斷是否有額外晶粒。若有額外晶粒可用於 則該方法前往步驟5 3 2,在此選取下個晶粒。然後 方法回到504。否則,該方法會前往步驟530並結束。 17 200921120 類似地’精通此技術的人士將瞭解’來自不同晶0的 額外主要金樣板、群組樣板和區域樣板也可或另外用於其 他選擇步驟内,像是已經在520上測試過最終區域之後判 斷是否仍舊有額外晶圓金樣板可供測試。 在操作中,方法500允許根據金樣板資料的階層來分 析一晶粒影像,減少錯誤退件的頻率,如此改善晶粒檢測 的效率。類似地,藉由使用金樣板的階層,可減少用於重 複晶粒影像貢料的金樣板測試之檢測時間。晶粒影像貢料 的階層可分成不同處理器或不同常式,如此允許檢測多個 晶粒。 雖然已經詳細說明本發明系統與方法的實施方法,精 通此技術的人士也將可瞭解,在不悖離申請專利範圍内的 範疇與精神之下,可對系統與方法進行許多替代與修改。 【圖式簡單說明】 第一圖為一根據本發明一實施方法用於執行一金樣板檢測 的系統圖式; 第二圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板層產生的系 統圖式, 第三圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板層檢測的系 統圖式; 第四圖為一根據本發明一實施方法用於金樣板資料層產生 的方法圖式;以及 第五圖為一根據本發明一實施方法用於使用一金樣板資料 18 200921120 階層測試晶粒影像的方法流程圖。 【主要元件符號說明】 100 系統 102 金樣板層產生糸統 104 金樣板層檢測系統 106 通訊媒體 108 影像貧料糸統 110 晶圓控制器系統 112 晶圓檢測區 200 系統 202 晶圓選擇糸統 204 區域選擇系統 206 區域金樣板糸統 208 群組金樣板糸統 210 主要金樣板糸統 212 照明選擇系統 300 糸統 302 主要金樣板檢測系統 304 群組金樣板檢測糸統 306 區域金樣板檢測系統 308 合格不合格系統 19

Claims (1)

  1. 200921120 十、申請專利範圍: 1. 一種用於檢測半導體裝置之系統,包含: 一區域系統,其從一半導體晶圓中選擇複數個區域; 一金樣板系統,其產生用於每一區域的一區域金樣 板;以及 一群組金樣板系統,其從該區域金樣板產生複數個 群組金樣板。 2. 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一主要金樣 板系統,其從該複數個群組金樣板當中產生一主要金樣 板。 3. 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一主要晶粒 檢測糸統,該糸統將·一晶粒影像與·一主要金樣板做比較。 4. 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一群組晶粒 檢測系統,該系統將一晶粒影像與一群組金樣板做比較。 5. 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一區域晶粒 檢測系統,該系統將一晶粒影像與一區域金樣板做比較。 6. 如申請專利範圍第2項之系統,其進一步包含: 一主要晶粒檢測系統,其將一晶粒影像與該主要金 樣板比較;以及 一中間晶粒檢測系統,其將該晶粒影像與該群組金 樣板比較。 7. 如申請專利範圍第6項之系統,進一步包含一區域晶粒 檢測系統,其將該晶粒影像與該區域金樣板做比較。 8. 如申請專利範圍第1項之系統,進一步包含一照明選擇 20 200921120 系統,其選擇二或多不同照明設定之—來照明該半導體 晶圓。 一 9. 一種用於檢測半導體組件之方法,包含: 將一晶粒影像與一主要金樣板做比較;以及 若該晶粒影像無法通過與該主要金樣板的比較,將 該晶粒影像與一群組金樣板做比較。 1 〇.如申請專利範圍第9項之方法,進一步包含若該晶粒影 像無法通過與該群組金樣板的比較,將該晶粒影像與一 區域金樣板做比較。 11.如申請專利範圍第9項之方法,其中若該晶粒影像無法 通過與該主要金樣板的比較,則將該晶粒影像與該群組 金樣板做比較,包含若該晶粒影像無法通過與該主要金 樣板的比較,則將該晶粒影像與二或多群組金樣板做比 較。 12.2申請專利範圍第u項之方法,進—步包含若該晶粒 影像無法通過與該群組金樣板的比較,將該晶粒影像與 二或多群組金樣板每一做比較。 13.如申睛專利範圍第9項之方法,進一步包含選擇二或更 多不同照明設定中之一。 14· 一種用於檢測半導體裝置之系統,包含: 用於從一半導體晶圓中選擇複數個區域的構件; 用於產生用在每一區域之一區域金樣板的構件;以 及 用於從每一區域之金樣板產生複數個群組金樣板 21 200921120 的構件。 15. 如申請專利範圍第14項之系統,進一步包含用於從該 等複數個群組金樣板當中產生一主要金樣板的構件。 16. 如申請專利範圍第14項之系統,進一步包含用於將一 晶粒影像與一主要金樣板做比較的構件。 17. 如申請專利範圍第14項之系統,進一步包含用於將一 晶粒影像與一群組金樣板做比較的構件。 18. 如申請專利範圍第14項之系統,進一步包含用於將一 晶粒影像與一區域金樣板做比較的構件。 19. 如申請專利範圍第15項之系統,其進一步包含: 用於將一晶粒影像與該主要金樣板做比較的構 件;以及 用於將該晶粒影像與該群組金樣板之一做比較的 構件。 20. 如申請專利範圍第19項之系統,進一步包含用於將該 晶粒影像與該區域金樣板之一做比較的構件。 22
TW097129438A 2007-08-02 2008-08-01 圖案化晶圓缺陷檢測系統及方法 TWI477790B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/888,827 US8401272B2 (en) 2007-08-02 2007-08-02 Patterned wafer defect inspection system and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200921120A true TW200921120A (en) 2009-05-16
TWI477790B TWI477790B (zh) 2015-03-21

Family

ID=40305081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097129438A TWI477790B (zh) 2007-08-02 2008-08-01 圖案化晶圓缺陷檢測系統及方法

Country Status (11)

Country Link
US (1) US8401272B2 (zh)
EP (1) EP2212909B1 (zh)
KR (1) KR101591374B1 (zh)
CN (2) CN103972124B (zh)
CA (1) CA2638415C (zh)
HK (1) HK1199145A1 (zh)
MY (1) MY160426A (zh)
PT (1) PT2212909T (zh)
SG (1) SG149809A1 (zh)
TW (1) TWI477790B (zh)
WO (1) WO2009017465A2 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8682056B2 (en) * 2008-06-30 2014-03-25 Ncr Corporation Media identification
US8571299B2 (en) 2010-08-30 2013-10-29 International Business Machines Corporation Identifying defects
KR101834601B1 (ko) * 2011-04-26 2018-03-05 케이엘에이-텐코 코포레이션 하이브리드 레티클 검사 방법 및 시스템
SG10201708537XA (en) * 2013-06-07 2017-11-29 Asti Holdings Ltd Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
US10127652B2 (en) * 2014-02-06 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Defect detection and classification based on attributes determined from a standard reference image
US10475178B1 (en) * 2017-01-30 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for inspecting a wafer using a film thickness map generated for the wafer
CN107729635B (zh) * 2017-09-30 2018-12-21 英特尔产品(成都)有限公司 半导体芯片合格性检查方法及装置
WO2023130432A1 (en) * 2022-01-10 2023-07-13 Applied Materials, Inc. Template-based image processing for target segmentation and metrology
CN115876784B (zh) * 2023-01-31 2023-05-26 眉山博雅新材料股份有限公司 一种工件缺陷检测方法、系统和设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5640200A (en) * 1994-08-31 1997-06-17 Cognex Corporation Golden template comparison using efficient image registration
US5850466A (en) * 1995-02-22 1998-12-15 Cognex Corporation Golden template comparison for rotated and/or scaled images
AU6043998A (en) * 1997-01-21 1998-08-07 Sekidenko Incorporated Method for controlling the temperature of a growing semiconductor layer
US6330354B1 (en) * 1997-05-01 2001-12-11 International Business Machines Corporation Method of analyzing visual inspection image data to find defects on a device
JP3534582B2 (ja) * 1997-10-02 2004-06-07 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法および検査装置
JP2002100660A (ja) 2000-07-18 2002-04-05 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
US6920241B1 (en) * 2000-09-29 2005-07-19 Cognex Corporation System and method for bundled location and regional inspection
US6627863B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-30 Mitutoyo Corporation System and methods to determine the settings of multiple light sources in a vision system
JP4014379B2 (ja) * 2001-02-21 2007-11-28 株式会社日立製作所 欠陥レビュー装置及び方法
SE0101486D0 (sv) * 2001-04-27 2001-04-27 Smart Eye Ab Method for automatic tracking of a moving body
JP4122735B2 (ja) * 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7265382B2 (en) * 2002-11-12 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus employing integrated metrology for improved dielectric etch efficiency
JP4334927B2 (ja) * 2003-06-27 2009-09-30 キヤノン株式会社 半導体レーザーダイオードチップの検査方法および検査装置
US7366321B2 (en) * 2004-06-18 2008-04-29 Agilent Technologies, Inc. System and method for performing automated optical inspection of objects
US7813541B2 (en) * 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009017465A3 (en) 2009-04-09
CN101358935A (zh) 2009-02-04
WO2009017465A2 (en) 2009-02-05
KR20090013730A (ko) 2009-02-05
US8401272B2 (en) 2013-03-19
EP2212909A2 (en) 2010-08-04
US20090034831A1 (en) 2009-02-05
EP2212909B1 (en) 2019-12-25
PT2212909T (pt) 2020-03-31
KR101591374B1 (ko) 2016-02-04
CA2638415C (en) 2016-07-19
CN103972124B (zh) 2021-10-22
EP2212909A4 (en) 2016-05-11
MY160426A (en) 2017-03-15
HK1199145A1 (zh) 2015-06-19
CN101358935B (zh) 2014-05-07
CA2638415A1 (en) 2009-02-02
SG149809A1 (en) 2009-02-27
CN103972124A (zh) 2014-08-06
TWI477790B (zh) 2015-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200921120A (en) Patterned wafer defect inspection system and method
US7173693B2 (en) Method for inspecting defects and an apparatus of the same
CN110658198B (zh) 光学检测方法、光学检测装置及光学检测系统
US8040503B2 (en) Method of inspecting a semiconductor device and an apparatus thereof
US8976348B2 (en) Wafer inspection system
TWI308372B (en) A method and a system for establishing an inspection-recipe
JP2006148091A (ja) ウェーハを検査するための方法
JP5192547B2 (ja) 半導体基板の欠陥を検出する装置と方法
JP2003529741A (ja) 自動化ウェハ欠陥検査システムおよびこのような検査を実行する方法
JP3944075B2 (ja) 試料検査方法及び検査装置
JP2000258348A (ja) 欠陥検査装置
JP3883663B2 (ja) 金属試料表面の外観検査方法および外観検査装置
JP2010054269A (ja) 外観検査方法、プログラムおよび外観検査装置
TW577995B (en) An image searching defect detector
CN1568132A (zh) 光学检测印刷电路板的装置与方法
JP2008003103A (ja) 検査方法および装置