TW200917262A - Method for creating a memory defect map and optimizing performance using the memory defect map - Google Patents

Description

200917262 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明一般係涉及電腦系統和資訊處置系統，以及係 特別涉及-種系統和方法’其可建立—個記憶體之對映 圖’使控制其被该電腦系統和資訊處置系統之使用。 【先前技術3 發明背景 10 15 20 隨著資訊之價值和用途的持續不斷增加，個體和企孝 在尋求-些處理及儲存資訊之額外方法。一種 传 :者使用的選項，為一個資訊處置系統。一 統，通常可就企業、個人、或其他之目的，來糸 儲存、及/或傳達資訊或資料，藉以容許使用者利用 讯之價值。由於技術和資訊處理f求和 ^貝 :之使用者或應用而有所不同，-些資訊處置二二: 會相對於所處理之資訊的處理該料之方^可月匕 儲存、或傳達該資訊之方法：所處理、儲=，處理、 訊的數量；和該資訊被處理、儲存、、或傳達之資 效率，而有所不同。資訊處置系統中之I】:有=速率和 處置系統呈-般性，或使就 a冑’可各許資訊 交易處理、航空訂位、企業資料儲;之=或類似金融 用途而加以配置。此外，彼等等特定 ;rr_，其可能被配置來=包= 一能包含有一個或多個電腦系統、資料儲= 200917262 統、和聯網系統。 一個電腦運算系統，通常將會包含有某種類型之暫時 性資訊儲存媒體，諸如隨機存取記憶體。在新近之電腦中， 該資訊處置系統所包含之記憶體的數量，可能有十億位元 5 之數量級。隨著記憶體大小之增加，部份之記憶體或在製 造上有瑕疵或隨著時間之增加而變為有瑕疵的可能性將會 增加。若聽任不做處理，該等有瑕疵之記憶體單元格的存 在，無論彼等之大小如何，會導致該資訊處置系統失效。 此種失效會對該資訊處置系統之當前運作，引發一種意想 10 不到的結束，而造成重要資料的流失。此外，該有瑕疵之 記憶體的存在，會阻撓該資訊處置系統的整體起動。 隨著電腦運算系統之繼續發展，以及電腦技術之進 步。該等中央處理器（CPU)與記憶體之間的運作關係，將會 變得更加重要。近代系統之許多屬性(特別是多核心處理器 15 和虛擬化之基本引進），一直迫使記憶體之足跡持續邁大。 結果，不僅是系統記憶體成長佔整體解決方案成本之百分 比更加顯著，記憶體中錯誤行為的衝擊，在與電腦運算系 統相關聯之壽命周期費用方面，將具有更加不利之效應。 【發明内容】 20 發明概要 依據本發明，所揭示係一種用以儲存一個記憶體瑕疵 對映圖之方法，藉此，一個記憶體組件，可在被製造時就 瑕疵加以測試，以及任何被偵測到之記憶體瑕疵，係使儲 存在一個記憶體瑕疵對映圖内，以及可被用來優化該系統 200917262 之效能。該記憶體瑕疵對映圖會被更新，以及該系統被優 化為新記憶體瑕疵之重新對映資源，會在運作期間被偵測 到。 本發明的一個技術性優點是，其可藉由容許使用一些 5 具有已知之記憶體瑕疵的記憶體組件，顯著地降低一個資 訊處置系統之成本，而不危及該系統之效能。一個非揮發 性記憶體瑕疵對映圖的可用性，可容許一個資訊處置系統 利用該記憶體組件，而不致“中斷”。此外，由於該記憶體 瑕疵對映圖，係耦合至該記憶體組件，該記憶體組件，可 10 使自一個系統移至另一個系統，同時保留任何之瑕疵資 訊。此項改進之重要性，會隨著該系統記憶體的不斷成長 而代表整體解決方案成本之顯著部份而增大。 本發明的另一項技術性優點是，其可容許縱使在該系 統記憶體中有少許缺陷時，該系統仍能維持正常運作。藉 15 由極小化錯誤記憶體行為之衝擊，一個依據本發明之系統 和方法，可使該等與一個資訊處置系統相關聯之壽命周期 費用顯著降低。本發明的又一項技術性優點是，其可使在 記憶體瑕疯資訊傳達給該資訊處置系統之前有關任何重要 的測試和特徵化之需要降低。本技藝之一般從業人員，將 20 可藉由觀看下文之說明書、申請專利範圍、和諸圖，而明 瞭其他之技術性優點。 圖式簡單說明 此等實施例和彼等之優點的更完全之理解，可藉由配 合所附諸圖參照下文之說明而得到。其中，類似之參考數 7 200917262 字，係指明類似之部件，以及其中： 第1圖係一個範例性資訊處置系統之組件的方塊圖； 第2圖係一個記憶體對映方法所對映之記憶體； 第3圖係一個包含有某些有瑕疵之區域的記憶體空間丨 第圖係個具有與其相關聯之電子抹除式唯讀記憶 體的雙直列記憶體模組； 第5圖係一種使用一個記憶體瑕疵對映圖來避免針對 個已知屬有瑕矿匕之記憶體位置進行記憶體測試的第一方 法之流程圖； 第6圖係一種使用一個記憶體瑕疵對映圖來避免針對 個已知屬有瑕疫之記憶體位置進行記憶體測試的第二方 法之流程圖； 第7圖係-個資訊處置系統之記憶體重新對映資源的 方塊圖；而 第8圖則係-種用以更新一個記憶體瑕疫及使用上述 儲存之記憶體減對映圖來釋放—個系統的記憶體重新對 映資源之方法的流程圖。 C貧:方式;j 較佳實施例之詳細說明 為此揭示内容計，一個資訊處置系統，可能包含有任 何之工具或工具集合體，彼等在運作上可計算、分類、處 理傳送、接收、擷取、起始、交換、儲存、顯示、顯現、 谓測、疋錄、重現、處理、或利用企業上、科學上、控制 上、或其他目的有關之任何形式的資訊、情報、或資料。 200917262 舉例而言，一個資訊處置系統，可為—部個人電腦、網路 儲存器裝置、或任何其他適當之裝置，以及可能在大小、 形狀、效能、功能性、和價格方面，會有所不同。該資訊 處置系統可能包含有：隨機存取記憶體(RAM)、一個或多 5個類似中央處理單元(cpu)或硬體或軟體控制邏輯等處理 資源、唯讀記憶體(ROM)、和/或其他類型之非揮發性記 憶體。該資訊處置系統之附加組件亦可能包含有：一個或 多個磁片驅動器'一個或多個與外部裝置相通訊之網路 埠加上各種輸入和輸出（1/0)裝置，諸如一個鍵盤、滑鼠、 10和影像顯7F|§。該資訊處置系統，亦可能包含有一條或多 條匯流排，彼等在運作上可在各種硬體組件之間傳送信息。 顯不在第1圖中的，是-個典型之資訊處置系統的方塊 圖。戎典型之資訊處置系統5的處理器或中央處理器 (CPU)l(K) ’係以通訊方式㈣合至_個記憶體控制器中枢 15或北橋102。該記憶體控制器中樞1〇2，係搞合至一個記憶 體104和-個圖形處理單元刚。該記憶體控制器中枢搬， 亦使耗合至-個輸人/輸出剛控制器中樞或南橋1〇8。該 I/O控制器_樞1()8，係使搞合至該電腦系統之儲存元件， 其中包括-個類似此電腦系統之基本輸入/輸出系統 20 (BIOS)有關的快閃唯讀記憶體(R〇M) #之儲存元件⑽， 和該電腦系統之硬碟機112。該I/O控制器中樞108，亦可能 耦合至一個超級輸入/輸出（1/〇)晶片114，其本身係耦合至 該電腦系統之許多1/0蟑，其中包括鍵盤116、滑鼠US、和 平行埠120。 9 200917262 第2圖係表示一個E820呼叫或類似之記憶體對映方法 所對映的記憶體之簡圖。該資訊處置系統，可能包含有許 多明顯有別之組件’彼等係可作為記憶體而被定址，其中 包括雙直列記憶體模組(DIMM)200和週邊構件互連(PCI)裝 5 置202,諸如分立式圖形卡。此等裝置係在該BIOS初始化期 間被價測，以及會被對映使在E82〇呼叫期間決定該系統可 存取式記憶體之位置。該E820呼叫會反覆呼叫一些可能包 含記憶體之位置，而以最低可能位址204開始。當該系統可 存取式記憶體被定位時，其中包括DIMM 200，該E820呼叫 10 會建立此種記憶體的一個對映圖，但可能自該對映圖排除 部份被標明為不可用之記憶體。該記憶體對映圖，接著會 被該作業系統(OS)使用，後者僅見到被該E820呼叫對映為 可用之記憶體。 第3圖係表示一個具有某些有瑕疵之區域3〇4、308、312 15 的範例性記憶體空間300。此範例性記憶體空間，可能為一 個DIMM或任何其他可被定址為記憶體之組件的一部分。就 該等有瑕疵之區域在該記憶體組件製造時便存在的情況而 言’該有瑕疵之記憶體區域的位置有關之資訊，將會在製 造期間加以儲存。特言之’該記憶體組件會在製造之時刻 20被測試’以及任何有關該有瑕疲之記憶體的位置之資訊， 係使儲存在一個非揮發性儲存器裝置内。此種依據本發明 之實施例的方法之更佳的瞭解’可能藉由轉至第4圖來達 成。 第4圖係表示一種傳統式DImm 400中之記憶體組件的 200917262 方塊圖。一些新近之DIMMM 400，係由隨機存取記憶體 (RAM) 402和一些電子抹除式唯讀記憶體(EEPROM) 404來 構成。該EEPROM 4〇4可儲存一個配置（存在位）串行探測 (SPD)，其係包含有一些有關該RAM 402之大小、速率、電 5氣需求、和其他資訊之資料。電子元件工業聯合會(JEDEC) 固態科技協會(SSTA)之標準，係載明SPD資訊應使儲存在 ROM 404之較低128個位元組406，但許多新近之DIMM 400，係包含有該EEPROM 404非專屬於SPD資訊之額外量 408。 10 每個記憶體組件，係在製造期間或之後被測試，以及 任何記憶體瑕疵資訊’係儲存在一個非揮發性儲存器内。 在一個實施例中，該非揮發性儲存器，係在該記憶體組件 本身上面。在第4圖内所描述之範例性實施例中，該 EEPROM 404未被使用之部分408 ’係被用來儲存該RAM 15 4〇2中之有缺陷的記憶體位置有關的資訊。特言之，當一個 記憶體單元格被確認為有缺陷時，或者其要不然被決定咳 系統不應被授予存取該單元格之權利時，該記憶體包含咳 有問題之記憶體單元格的區塊會被確認，以及其位址會被 儲存進該EEPROM 404未被使用之部分408内。該有瑕庇之 20記憶體位址的匯集，係知名為記憶體瑕疵對映圖。 該記憶體瑕疵對映圖，並不需要被儲存進上述供SpD 使用之晶片級EEPROM 404内。更合理的是，任何形式之非 揮發性儲存器，均可被利用來儲存該對映圖。—個標準型 EEPROM 404，係具有早已被廣泛實現及至少有部份儲存該 11 200917262 對映圖之能力的優點。該記憶體對映圖，有利的是使儲存 在該DIMM本身上面，因為舉例而言，當該DIMM自一個系 統移至另一個系統時，使該對映圖與其所對映之保持 在起，將會疋有利的。一旦該DIMM或其他記憶體組件與 5 一個特定之系統配對，上述儲存在該DIMM本身上面之記憶 體瑕疵資訊，便可被該系統擷取及用作其記憶體配置模式 的一部分。 該§己fe體瑕疵資訊或記憶體瑕疵對映 10 15 20 圖，其中之每一項目，係對應於該記憶體組件上面的一個 實體位址之區域。舉例而言，在該組件為DIMM之情況中， 該等區域係由該DIMM容量攤銷橫跨該對映圖内之項目數 目來加以界定。—個被標明有瑕蚊記憶體區塊的大小， 因而係等於該DIMM容量除以該_對映圖内之位元的數 目。誠如本技藝之—般«人員將可理解的是，在本發明 之利益下’該記憶體對映圖，並不受限於如本說明書所揭 示在該製造程序期間儲存在該記憶體組件上面之資訊。舉 例而言’祕資訊可能基於記賴_或—個外在測試機 構，由一個窮舉之軟體來得到。上述儲存之瑕庇記憶體， 可被用來以多種方式優化該系統效能。 在一個範例性實施例中，該記憶體瑕崎映圖，可被 用作-種用以避免後繼記憶體賴被 測試通常係由-個資訊處置祕來實行。舉^言^基 =輸入/輸出系統(則S) ’可能執行該等記憶體組件之機 載_。_測試。通常，能，亦將分析該等記 12 200917262 憶體組件中早知存在有瑕疯之區域。依據該有瑕疵之區域 内的瑕疵之嚴重性，該瑕疵區域之分析，可能會中斷該測 試，以及有潛在可能會損及該測試之行為。在一個範例性 實施例中，上述儲存之記憶體瑕疵對映圖，可能被用來避 5 免早知有瑕疵》之區域的冗餘測試。 第5圖係描述一個使用上述儲存之記憶體瑕疵對映圖 來避免有瑕疵之記憶體區域的記憶體測試之第一方法。在 此一實施例中，該目標記憶體測試位址，係使與該瑕疵記 憶體資訊相比較’以及右其被發現為一個已知之瑕疫的記 1〇 憶體位置’則該有瑕疫之區域内的每個位址之測試隨繼會 被跳過，以及該目標測試位址會使遞增，直至得到一個不 包含在該有瑕疫之區域内的位址為止。首先，在步驟500 處，該記憶體測試有關之初始目標位址會被擁取。在步驟 502處，該初始目標位址，會與該儲存之記憶體瑕疲對映圖 15内的資訊做比較。其次，在步驟504處，該儲存之記憶體瑕 疵對映圖，會被用來決定該初始目標位址是否為一個對應 於已知有瑕疲之記憶體位置的位址。若該目標位址被發現 為在該記憶體瑕疵對映圖内，則針對該擷取出之目標位 址，將不會進行該記憶體測試，以及該程序將會跳至步驟 20 510 。 若該目標位址並不在該記憶體瑕疵對映圖内，則在步 驟506處，會有一個記憶體測試被進行，使決定該目標位址 是否還是包含一些有瑕疵之記憶體位置。誠如本技藝之一 般從業人員將可理解的是，在本發明之利益下，有若干不 13 200917262 同之測試可能被進行，使決定該目標位置是否為一個有瑕 疫之記憶體空間。 在步驟508處’該記憶體測試之結果’會被用來決定該 目標位址是否對應於一個有瑕疵之記憶體位置。若該目標 5 位址沒有瑕疵，則該程序將會繼續至步驟510，在此，其會 決定其中是否有更多的記憶體位置要被測試。若該程序不 是在512處終止’以及若有更多要被測試之記憶體，則次一 要被測試之位址，會在514處被擷取。相形之下，若該目標 位址係有瑕疵，則該記憶體瑕疵對映圖，會在步驟516處被 10 更新，以及在搜尋要被測試的額外位置之前，該目標位址 會加至上述對應於有瑕疵的記憶體位置之位址的列表内。 第6圖係描述一種使用一個儲存之記憶體瑕疵對映圖 來避免一個已知屬有瑕疵之記憶體區域的記憶體測試之第 二方法。在此一實施例中，一旦遇到一個有瑕疵之記憶體 15 位置的一個位址，該測試目標位址會使遞增，以反映該有 瑕疵之記憶體區域外的第一可用位址。首先，在步驟600 處，該初始測試目標位址會被擷取。在步驟602處，該擷取 之目標位址，會與該記憶體瑕疲對映圖做比較。其次，在 步驟604處，該擷取之目標位址，會被決定是否在該記憶體 20瑕疵> 對映圖内被表列為有瑕疵1。若該擷取之目標位址，係 與該記憶體瑕疵對映圖内的一個項目相匹配，則該目標位 址會在步驟606處被遞增。該迭代動作會被進行，直至得到 的第一可用位址，未表列在該記憶體瑕疵對映圖内為止。 上述未表列在該記憶體瑕疵對映圖内之第一可用位址，接 14 200917262 著會在608處歷經一個記憶體測試。其次，在步驟61〇處， 其將會決定該項測試是否指明該擷取之目標位址為對應於 一個有瑕疵之記憶體位置。若為是，則該目標位址會在步 驟612處，使加至該記憶體瑕疵對映圖内。該程序接著會繼 5續至步驟614,在此，其將會決定其中是否有更多之記憶體 位置應歷經該記憶體測試。若為是，則次一目標位址會在 步驟616處被擷取，以及該程序會使重複。一旦其中不再有 更多之記憶體位置仍應被測試，該程序最後便會在步驟618 處結束。 1〇 茲轉向第7圖，一個資訊處置系統之記憶體重新對映資 源的方塊圖，係以參照數字7〇〇做一般性之描述。該記憶體 組件702，係耦合至一個位址重新對映單元7〇4。該位址重 新對映單元704，復係耦合至一個記憶體管理單元(MMU) 706和一個熱備份(h〇t spare) 708。該MMU係一個負責處置 15對該CPU所請求之記憶體的存取之硬體組件。該熱備份708 係一個額外的未被使用之記憶體，其可在一個有瑕疵出現 而使得部份之記憶體組件7 〇 2不可靠的事件中被用作傳統 式記憶體之替代品。傳統上，當該記憶體組件7〇2的一個部 分710,引起一個有瑕疵之記憶體事件時，該位址重新對映 2〇單元7〇4,可“對映掉，，或自該記憶體對映圖移除該有瑕疮之 部分710，以及可以一部份備份記憶體7〇8，來取代其在該 δ己憶體對映圖内的位置。上述存在於該記憶冑組件的有瑕 疵之部分710内的資訊接著會被校正，以及會拷貝進該備份 記憶體708内，藉以避免資料之損失。一旦該重新對映已經 15 200917262 發生’任何存取該有瑕疲之記憶體710的後繼請求，會被重 新導至該備份記憶體708。在依據習知技術之資訊處置系統 中，在該系統每次被重新設定時，該重新對映程序便會被 重複。 10 15 20 第8圖係描述一種依據本發明的一個實施例用以更新 一個記憶體瑕疵及使用上述儲存之記憶體瑕疵對映圖來釋 放一個系統的記憶體重新對映資源之方法。誠如上文所' 論’依據本發明的一個實施例，任何在該製造程序期間偵 測到的有瑕疵之記憶體位置有關的資訊，可作為—個1己& 體瑕疵對映圖，使儲存在該記憶體組件本身上面，或者使 在一個耦合至該記憶體組件之非揮發性記憶體儲存器上 面。誠如第8圖中所描述，首先，在步驟8〇〇處，該記懷趙 重新對映單元704，可使用該現有之記憶體瑕疵對映圖， 對映掉任何已知有瑕疵之記憶體位置。在該資訊處置系铣 之運作期間，一旦有一個記憶體瑕疵事件發生，該記愧體 瑕疵事件之發生，可在步驟8〇2處被偵測到。在步驟8〇4處 該位址重新對映單元704,可使用該備份記憶體來補償讀有 瑕疵之記憶體位置。特言之，該備份記憶體7〇8的一部分， 會取代該有瑕疵之記憶體位置710,以及該有瑕疵之記憶體 位置710中的資料，會拷貝進該取代之備份記憶體位置内。 該有瑕疲之記憶體位置71〇，接著會被對映掉，以及任何有 關該有瑕疵之記憶體位置710的呼叫’會重新導至該被取代 之備份記憶體位置7〇8。 此外’在步驟806處，該瑕疵記憶體對映圖會被更新， 16 200917262 以及上述引起記憶體瑕疵事件的特定有瑕疵之記憶體位 置，會使加至上述現有之記憶體瑕疵對映圖内。緊接一個 系統重置808之後，該備份記憶體會在810處被清除，以及 該程序會返回至步驟800，而使該位址重新對映單元704， 5 如該現有之記憶體瑕疵對映圖所指明，對映掉任何有瑕疵 之記憶體位置。因此，該記憶體瑕疵對映圖，會隨著新記 ' 憶體瑕疵事件的發生，而持續被更新。由於該有瑕疵之記 憶體的資訊會被對映掉，該系統將會忽略任何已知屬有瑕 ： 疵之記憶體位置。結果，該等專用來重新對映一個已知屬 10 有缺陷之記憶體位置的重新對映資源，將不再有風險，以 及可被釋放及在有一個新錯誤出現之事件中恢復使用。由 於該記憶體瑕疵對映圖，會持續不斷被更新，以及任何出 現之記憶體瑕疵位置，會持續不斷加至該記憶體瑕疵對映 圖内，該系統之重新對映資源方面的需求，將會被極小化。 15 【圖式簡單說明】 第1圖係一個範例性資訊處置系統之組件的方塊圖； ί 第2圖係一個記憶體對映方法所對映之記憶體； 第3圖係一個包含有某些有瑕疵之區域的記憶體空間； 第4圖係一個具有與其相關聯之電子抹除式唯讀記憶 20 體的雙直列記憶體模組； 第5圖係一種使用一個記憶體瑕疵對映圖來避免針對 一個已知屬有瑕疵之記憶體位置進行記憶體測試的第一方 法之流程圖； 第6圖係一種使用一個記憶體瑕疫對映圖來避免針對 17 200917262 一個已知屬有瑕疵之記憶體位置進行記憶體測試的第二方 法之流程圖； 第7圖係一個資訊處置系統之記憶體重新對映資源的 方塊圖；而 第8圖則係一種用以更新一個記憶體瑕疵及使用上述 儲存之5己憶體瑕疵對映圖來釋放一個系統的記憶體重新對 映資源之方法的流程圖。 【主要元件符號說明 5…資訊處置系統 100.. .中央處理器(CPU) 102…記憶體控制器中樞或北橋 104…記憶體 106···圖形處理單元 108·.·輪人/輸出（j/〇)控制器 中樞或南橋 110…儲存元件 112…硬碟機 114…超級輸入/輸出(1/〇)晶片 116.. .鍵盤 118.. .滑鼠 120…平行埠 200…雙直列記憶體模組(DIMM) 202."週邊構件互連(pci)裝置 204.. .最低可能位址 300…記憶體空間 304、308、312…區域 400··.雙直列記憶體模組(DIMM) 402…隨機存取記憶體(ram) 404…電子抹除式唯讀記憶體 (EEPROM) 406.. .位元組 408…額外量 500、502、504、506、508、510、 512、514、516...步驟 600、602、604、606、608、610、 612、614、616、618…步驟 700…§己憶體重新對映資源 702…記憶體組件 704··.位址重新對映單元 706…記憶體管理單元(MMU) 708.. .熱備份 710.. .有瑕疵之部分 18

Claims (1)

1. 200917262 、申請專利範圍： 種用以儲存一個記憶體瑕疵對映 步驟有： 圖之方法，其包含之 10 15 20 測試一個記憶體組件有關有瑕疵之記憶體位置； 其中’該項賴係在f造航鐘組件時進行；以 將5己憶體瑕m，儲存進—個記憶體贼對映圖 2·:申請專利範圍第1項之方法，其中，該記憶體瑕庇對 、圖，係儲存在該記憶體組件上面。 3.如申請專利第丨項之方法，其中，該記憶體組件， 係一個雙直列記憶體模組。 4·如申請專利範圍第3項之 映圖，心… U ’ I己憶體瑕疵對 姑儲存在一個對應於該雙直列記憶體模組之電子 抹除式唯讀記憶體(EEPR〇M)上面。 I 2料糊第1奴方法，其巾，該記憶體瑕龜對 6 係料在-個_雜錢體儲存㈣。 •如申請專利範圍第5項之 體儲;再中，該非揮發性記憶 體储存益，係使麵合至該記憶體組件。 如申凊專利範圍第1 映圖，係可以該記恃· ' ^，該記憶體瑕疫對 續Μ 隱勘件’使自一個第-資訊處置+ 8先，轉移至一個第二資訊處置系統。 t申清專利範圍第1項之方法’其中進-步包含之步驟 及 内 19 200917262 擷取一個目標測試位址； a使用該記憶體瑕疲對映圖，來決定該目標測試㈣ 疋否包含-個有誠之記憶體位置，·以及 若該目標測試位址未包含有瑕疲之記憶體位置，便 對4目標賴健，進行—個記憶體測試。 .:申請專利範圍仏項之方法，其中進—步包含之步驟 當有一個記憶體瑕疵 範對映圖；以及 事件發生時，更新該記憶體瑕 10 對映掉-個被該記憶體瑕疵對映圖指明為有瑕疯 之記憶體位置。 —種用以優化—個記憶體組件之記憶Μ試的方法，其 包含之步驟有： /、 指貝取一個目標測試位址； 決定該目標測試位址是否包含在一個對應於該記 憶體組件之記憶體瑕疵對映圖内； 若該目標測試位址’未包含在該記龍瑕疲對映圖 内，便針對該目標測試位址，進行一個記憶體測試。 .如申請專利範圍_項之方法，其中，該記憶體瑕疲對 映圖，係在製造時使儲存在該記憶體組件上面。 12·如申請專利範圍第_之方法，其中，該記憶體組件， 係一個雙直列記憶體模組。 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中，該記憶體瑕疲對 、圖係儲存在一個對應於該雙直列記憶體模組之電子 20 200917262 抹除式唯讀記憶體(EEPROM)上面。 14.如申請專利範圍第_之方法，其中進-步包含之步驟 有： 若個第一目標測試位址，為包含在該記憶體瑕疵 對映圖内，便使該第—目標測試位址遞增，以得到—個 第二目標測試位址； 若該第二目標測試位址，未包含在該記憶體瑕疲對 映圖内，便針對該第二目標測試位址進行該項測試。 如申π專利範圍第10項之方法’其中’若該目標測試位 址’為在該記憶體瑕輯映_，該目標測試位址，便 會重複被遞增’以得到—個未包含在該記憶體瑕症對映 圖内之第一目標測試位址。 如申清專利Ιέ圍第15項之方法，其巾進—步包含之步驟 有.針對該第-目制試位址，進行該項記憶體測試。 7.如申請專利範圍第10項之方法，其中進一步包含之步驟 有：若上述經歷到該記憶體測試之目標測試位址，為包 含有瑕狀記㈣，便更新該記㈣瑕鋪映圖。 18.如申請專利範圍第1〇項之方法，其中，該記憶體職對 、圖係儲存在一個非揮發性記憶體儲存器内。 19· 一種用以優化-個資訊處置系統之方法，其包含之步驟 有： 對映掉-個記憶體瑕疲對映圖所指明屬有瑕疮之 記憶體位置；以及 在有-個記憶體瑕⑨事件發生時，更新該記憶體瑕 21 200917262 疫對映圖。 20.如申請專利範圍第19項之方法，其中，更新該記憶體瑕 疵對映圖所包含之步驟有： 偵測一個記憶體瑕疵事件；以及 5 將一個引起該記憶體瑕疵事件之記憶體位置，加至 該記憶體瑕疵對映圖内。 22