JP7308025B2 - 集積回路装置及びストレージ装置 - Google Patents
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Description
20 ホスト
100、100’、100”、100a、100a’100a”、400、400a、400a’、400a” コントローラ
110、110a、110a’、110b 第1メモリ(MEM1)
111 バッファ
111a 読み取りバッファ
111b 書き込みバッファ
112、112a、112b バッファマネージャ
113、113’、113a、113b、414、414a、414b モニタリングモジュール
114、114a ECCモジュール
120、420、3100 プロセッサ
130、430 ホストインターフェース(ホスト I/F)
140 DRAMコントローラ
150、440 不揮発性メモリインターフェース(NVM I/F)
160、450 バス
200 不揮発性メモリ(NVM)
210 メタ領域
220 ストレージ領域
300 第2メモリ(MEM2)
410、410’ メモリ(MEM)
411 バッファメモリ
411a バッファリング領域
412 リードオンリーメモリ
412a リードオンリー領域
413、413a、413b 再書き込みマネージャ
1000、2000 ネットワークシステム
1100 サーバシステム
1110 サーバ
1120 SSD
1210、1220、1230 ターミナル
2100 クライアントグループ
2200 データセンター
2210 アプリケーションサーバグループ
2220 データベースサーバグループ
2230 オブジェクトキャッシュサーバグループ
3000 電子装置
3200 メモリ装置
3400 モデム
3500 入出力装置
3600 パワーサプライ
AS アプリケーションサーバ装置
C クライアント装置
CRP 修正読み取り経路
DS データベースサーバ装置
NET ネットワーク
NET1 第1ネットワーク
NET2 第2ネットワーク
NRP ノーマル読み取り経路
OCS オブジェクトキャッシュサーバ装置
SS、SSa、SSb ストレージシステム
Claims (13)
- 集積回路装置であって、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの外部に配置され、ホストから受信した書き込み要請に応答して前記不揮発性メモリに書き込まれる書き込みデータをバッファリングし、前記ホストから受信した読み取り要請に応答して前記不揮発性メモリから受信した読み取りデータをバッファリングするSRAM(static random access memory)バッファと、
前記不揮発性メモリの外部に配置されたDRAM(dynamic random access memory)バッファと、
ソフトエラーによる前記集積回路装置の信頼性低下を防止するために、前記SRAMバッファにバッファリングされたデータの精度に関する少なくとも1つの基準に従って前記SRAMバッファを評価し、さらに(i)前記評価が前記基準を超えていることを示す場合、前記書き込み要請に応答して前記ホストから受信した前記書き込みデータのうちの少なくとも一部を前記DRAMバッファにバッファリングし、(ii)前記評価が前記基準を超えていることを示す場合、前記読み取り要請に応答して前記不揮発性メモリから受信した前記読み取りデータのうちの少なくとも一部を前記DRAMバッファにバッファリングするコントローラと、を備え、
前記少なくとも1つの基準は、前記SRAMバッファ内に保存されたエラービットの個数の関数または前記SRAMバッファ内におけるエラービット発生頻度の関数であることを特徴とする集積回路装置。 - 前記コントローラは、前記少なくとも1つの基準に対して前記SRAMバッファを評価するバッファマネージャを含むことを特徴とする請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記コントローラは、前記SRAMバッファに保存されたデータのエラーをチェックして訂正するエラーチェック及び訂正(ECC)モジュールを含むことを特徴とする請求項1に記載の集積回路装置。
- ストレージ装置であって、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの外部に配置され、前記不揮発性メモリに書き込まれる、ホストからの書き込みデータ、または前記ホストに伝送される、前記不揮発性メモリから読み取られた読み取りデータをバッファリングするSRAM(static random access memory)バッファと、
前記不揮発性メモリの外部に配置されたDRAM(dynamic random access memory)バッファと、
ソフトエラーによる前記ストレージ装置の信頼性低下を防止するために、前記不揮発性メモリ、前記SRAMバッファ、及び前記DRAMバッファを制御するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記SRAMバッファに入力されたデータと前記SRAMバッファから出力されたデータとを比較することにより、エラービットの個数またはエラービットの発生頻度をモニタリングするモニタリングモジュールと、
前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度を閾値と比較して、書き込みデータのための書き込みバッファまたは読み出しデータのための読み出しバッファを決定するバッファマネージャと、を含み、
前記バッファマネージャは、さらに、
書き込み動作中に、前記個数または前記発生頻度が前記閾値未満である場合、前記SRAMバッファを前記書き込みバッファとして決定し、前記個数または前記発生頻度が前記閾値以上の場合は前記SRAMバッファに代えて前記DRAMバッファを前記書き込みバッファとして決定し、
読み出し動作中に、前記個数または前記発生頻度が前記閾値未満である場合、前記SRAMバッファを前記読み出しバッファとして決定し、前記個数または前記発生頻度が前記閾値以上の場合は前記SRAMバッファに代えて前記DRAMバッファを前記読み出しバッファとして決定することを特徴とするストレージ装置。
- 前記コントローラは、前記SRAMバッファにバッファリングされたデータに対してエラーチェック及び訂正動作を遂行するエラーチェック及び訂正(ECC)モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のストレージ装置。
- 前記モニタリングモジュールは、さらに前記エラーチェック及び訂正モジュールで訂正されたエラーに基づいて、前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度をモニタリングすることを特徴とする請求項5に記載のストレージ装置。
- ストレージ装置であって、
不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの外部に配置され、前記不揮発性メモリに書き込まれる、ホストからの書き込みデータ、または前記ホストに伝送される、前記不揮発性メモリから読み取られた読み取りデータをバッファリングするSRAM(static random access memory)バッファと、
前記不揮発性メモリの外部に配置されたDRAM(dynamic random access memory)バッファと、
ソフトエラーによる前記ストレージ装置の信頼性低下を防止するために、前記不揮発性メモリ、前記SRAMバッファ、及び前記DRAMバッファを制御するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、
前記書き込みデータまたは前記読み取りデータの入出力速度をモニタリングするモニタリングモジュールと、
前記入出力速度を閾速度と比較し、書き込みデータのための書き込みバッファまたは読み出しデータのための読み出しバッファを決定するバッファマネージャと、を含み、
前記バッファマネージャは、さらに、
前記入出力速度が前記閾速度未満である場合、前記書き込みバッファまたは前記読み出しバッファとして前記SRAMバッファを決定し、
前記入出力速度が前記閾速度以上である場合、前記書き込みバッファまたは前記読み出しバッファとして前記DRAMバッファを決定することを特徴とするストレージ装置。 - 不揮発性メモリと、
バッファメモリ及びリードオンリーメモリを含むコントローラと、を備え、
前記バッファメモリは、揮発性メモリセルを含み、前記不揮発性メモリに書き込まれる、ホストから受信した書き込みデータ、または前記ホストに伝送される、前記不揮発性メモリから読み出した読み出しデータをバッファリングするように構成され、
前記リードオンリーメモリは、揮発性メモリセルを含み、前記コントローラの制御動作を実行するためのメタデータを保存するように構成され、
前記コントローラは、
前記バッファメモリで発生したエラービットの個数またはエラービットの発生頻度をモニタリングし、
前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度に基づいて、前記リードオンリーメモリに対するリフレッシュ周期を動的に決定し、
前記決定されたリフレッシュ周期に従って、前記リードオンリーメモリに対するリフレッシュ動作を動的に制御することを特徴とするストレージ装置。 - 前記コントローラは、さらに、
前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度を閾値と比較し、
前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度が前記閾値以上である場合、前記リフレッシュ周期を低減させ、
前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度が前記閾値未満である場合、前記リフレッシュ周期を増大させることを特徴とする請求項8に記載のストレージ装置。 - 前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリに書き込まれる前記メタデータを保存するメタ領域を含み、
前記コントローラは、さらに前記決定されたリフレッシュ周期に従って、前記リードオンリーメモリの前記メタ領域に保存された前記メタデータを再書き込みすることを特徴とする請求項8に記載のストレージ装置。 - 前記コントローラは、前記バッファメモリに入力されたデータと前記バッファメモリから出力されたデータとを比較することにより、前記エラービットの個数または前記エラービットの発生頻度をモニタリングするモニタリングモジュールをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のストレージ装置。
- 前記コントローラは、前記バッファメモリにバッファリングされたデータに対してエラーチェック及び訂正動作を遂行するエラーチェック及び訂正(ECC)モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のストレージ装置。
- 不揮発性メモリと、
バッファメモリ及びリードオンリーメモリを含むコントローラと、を備え、
前記バッファメモリは、揮発性メモリセルを含み、前記不揮発性メモリに書き込まれる、ホストから受信した書き込みデータ、または前記ホストに伝送される、前記不揮発性メモリから読み出した読み出しデータをバッファリングするように構成され、
前記リードオンリーメモリは、揮発性メモリセルを含み、前記コントローラの制御動作を実行するためのメタデータを保存するように構成され、
前記コントローラは、
前記書き込みデータまたは前記読み取りデータの入出力速度をモニタリングし、
前記入出力速度に基づいて前記リードオンリーメモリに対するリフレッシュ周期を動的に決定し、
前記決定されたリフレッシュ周期に従って、前記リードオンリーメモリに対するリフレッシュ動作を動的に制御することを特徴とするストレージ装置。
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