KR20230037255A - 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치 - Google Patents

이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치 Download PDF

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KR20230037255A
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에스케이하이닉스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 관리 방법은 신규 이벤트 로그가 발생되면, 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하는 단계; 및 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 단계를 포함한다.

Description

이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치{Method for managing event log, controller and storage device}
본 발명은 전자 장치 및 동작 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치에 관한 것이다.
최근 컴퓨터 환경에 대한 패러다임(paradigm)이 언제, 어디서나 컴퓨터 시스템을 사용할 수 있도록 하는 유비쿼터스 컴퓨팅(ubiquitous computing)으로 전환되고 있다. 이로 인해 휴대폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터 등과 같은 휴대용 전자 장치의 사용이 급증하고 있다. 이와 같은 휴대용 전자 장치는 일반적으로 메모리 장치를 이용하는 데이터 저장 장치를 사용한다. 데이터 저장 장치는 휴대용 전자 장치에서 사용되는 데이터를 저장하기 위해서 사용된다.
메모리 장치를 이용한 데이터 저장 장치는 기계적인 구동부가 없어서 안정성 및 내구성이 뛰어나며 정보의 액세스 속도가 매우 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 이러한 장점을 갖는 데이터 저장 장치는 USB(Universal Serial Bus) 메모리 장치, 다양한 인터페이스를 갖는 메모리 카드, UFS(Universal Flash Storage) 장치, 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive)를 포함한다.
본 발명의 실시 예는 메모리의 가용량을 늘릴 수 있는 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 예는 신규 이벤트 발생에 의해 손실되는 이전 이벤트 로그의 수를 최소화할 수 있는 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 관리 방법은, 신규 이벤트 로그가 발생되면, 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하는 단계; 및 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 컨트롤러는, 저장 장치에 대한 신규 이벤트 로그가 발생되면, 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장한다.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는, 이벤트 로그 영역을 포함하는 불휘발성 메모리; 상기 이벤트 로그 영역에 저장된 복수의 이벤트 로그 청크들 중 선택된 하나의 이벤트 로그 청크를 저장하는 이벤트 로그 버퍼; 및 신규 이벤트 로그가 발생되면, 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장된 상기 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 컨트롤러를 포함한다.
본 실시 예에 따르면, 전체 이벤트 로그(event log) 중 불휘발성 메모리의 리드/라이트 단위 크기와 대응하는 크기의 일부 이벤트 로그만을 메모리에 버퍼링함에 따라, 이벤트 로그의 버퍼링에 요구되는 메모리 내 공간의 크기를 감소시킴으로써 메모리의 가용량을 늘릴 수 있다.
또한, 본 실시 예에 따르면, 신규 이벤트 발생 시 메모리에 버퍼링된 이벤트 로그 청크의 이벤트 로그들 중 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그를 삭제한 후 해당 위치에 신규 이벤트 로그를 저장함에 따라, 신규 이벤트 발생에 의해 손실되는 이전 이벤트 로그의 수를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 불휘발성 메모리를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 로그 영역을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1의 메모리를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다.
도 7a는 본 발명의 실시 예에 따라 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이전 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이다.
도 7b는 도 7a의 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다.
도 8a는 본 발명의 실시 예에 따라 이전 이벤트 로그 중 일부가 삭제되고 신규 이벤트 로그가 저장된 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이다.
도 8b는 도 8a의 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 관리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10의 컨트롤러의 구성을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치를 포함하는 네트워크 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치에 포함된 불휘발성 메모리 장치를 예시적으로 나타낸 블록도이다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 실시 예에 따른 데이터 처리 시스템(1000)은 호스트(10) 및 저장 장치(20)를 포함할 수 있다. 호스트(10)는 휴대폰, MP3 플레이어, 랩탑 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 게임기, TV, 차량용 인포테인먼트(in-vehicle infotainment) 시스템 등을 포함할 수 있다.
호스트(10)는, 적어도 하나의 운영 시스템(OS: operating system)을 포함할 수 있다. 운영 시스템은, 호스트(10)의 기능 및 동작을 전반적으로 관리 및 제어할 수 있다. 또한, 운영 시스템은, 데이터 처리 시스템(1000) 또는 저장 장치(20)를 사용하는 사용자와 호스트(10) 간에 상호 동작을 제공할 수 있다. 운영 시스템은, 사용자의 사용 목적 및 용도에 상응한 기능 및 동작을 지원하며, 예컨대, 호스트(102)의 이동성(mobility)에 따라 일반 운영 시스템과 모바일 운영 시스템으로 구분될 수 있다. 또한, 운영 시스템에서의 일반 운영 시스템 시스템은, 사용자의 사용 환경에 따라 개인용 운영 시스템과 기업용 운영 시스템으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 개인용 운영 시스템은, 일반 사용자를 위한 서비스 제공 기능을 지원하도록 특성화된 운영 시스템으로, 윈도우(windows) 및 크롬(chrome) 등을 포함할 수 있다. 또한, 기업용 운영 시스템은, 고성능을 확보 및 지원하도록 특성화된 운영 시스템으로, 윈도 서버(windows server), 리눅스(linux) 및 유닉스(unix) 등을 포함할 수 있다.
아울러, 운영 시스템에서의 모바일 운영 시스템은, 사용자들에게 이동성 서비스 제공 기능 및 시스템의 절전 기능을 지원하도록 특성화된 운영 시스템으로, 안드로이드(android), iOS, 윈도 모바일(windows mobile) 등을 포함할 수 있다. 호스트(10)는, 복수의 운영 시스템들을 포함할 수 있다.
도 1에 도시하지는 않았으나, 호스트(10)는 호스트 컨트롤러 및 호스트 메모리를 포함할 수 있다. 호스트 컨트롤러는 운영 시스템을 구동시켜 호스트(10)의 제반 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 호스트 컨트롤러는 적어도 하나 이상의 CPU(central processing unit)들을 포함할 수 있다.
호스트 메모리는 호스트(10)로부터 저장 장치(20)로 전송될 커맨드, 데이터 등을 임시로 저장하도록 구성될 수 있다. 또한, 호스트 메모리는 저장 장치(20)로부터 수신된 응답(response), 데이터 등을 임시로 저장하도록 구성될 수 있다. 호스트 메모리는 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory, DRAM) 또는 정적 랜덤 액세스 메모리(static random access memory, SRAM) 등과 같은 랜덤 액세스 메모리일 수 있으나, 호스트 메모리의 종류가 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
저장 장치(20)는 호스트(10)에 의해 액세스되는 데이터를 저장할 수 있다. 저장 장치(20)는 데이터 저장 장치 또는 메모리 시스템으로도 불릴 수 있다.
저장 장치(20)는 호스트(10)와 연결되는 인터페이스 프로토콜에 따라서 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 예를 들어, 저장 장치(20)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive, SSD), MMC, eMMC, RS-MMC, micro-MMC 형태의 멀티미디어 카드(multimedia card), SD, mini-SD, micro-SD 형태의 시큐어 디지털(secure digital) 카드, USB(universal storage bus) 저장 장치, UFS(universal flash storage) 장치, PCMCIA(personal computer memory card international association) 카드 형태의 저장 장치, PCI(peripheral component interconnection) 카드 형태의 저장 장치, PCI-e(PCI-express) 카드 형태의 저장 장치, CF(compact flash) 카드, 스마트 미디어(smart media) 카드, 메모리 스틱(memory stick) 등과 같은 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
저장 장치(20)는 다양한 종류의 패키지(package) 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 예를 들어, 저장 장치(20)는 POP(package on package), SIP(system in package), SOC(system on chip), MCP(multi-chip package), COB(chip on board), WFP(wafer-level fabricated package), WSP(wafer-level stack package) 등과 같은 다양한 종류의 패키지 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다.
저장 장치(20)는 불휘발성 메모리(Non-Volatile Memory, NVM)(100), 컨트롤러(200) 및 메모리(300)를 포함할 수 있다.
불휘발성 메모리(100)는 저장 장치(20)의 데이터 저장 매체로서 동작할 수 있다. 불휘발성 메모리(100)는 메모리 셀에 따라서 낸드(NAND) 플래시 메모리 장치, 노어(NOR) 플래시 메모리 장치, 강유전체 커패시터를 이용한 강유전체 램(ferroelectric random access memory, FRAM), 티엠알(tunneling magneto-resistive, TMR) 막을 이용한 마그네틱 램(magnetic random access memory, MRAM), 칼코겐 화합물(chalcogenide alloys)을 이용한 상 변화 램(phase change random access memory, PRAM), 전이 금속 화합물(transition metal oxide)을 이용한 저항성 램(resistive random access memory, ReRAM) 등과 같은 다양한 형태의 불휘발성 메모리들 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
도 1에서는 불휘발성 메모리(100)를 하나의 블록으로 도시하였으나, 불휘발성 메모리(100)는 복수의 메모리 칩들(또는 다이들)을 포함할 수 있다. 본 실시 예는 복수의 메모리 칩들로 구성된 불휘발성 메모리(100)를 포함하는 저장 장치(20)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
불휘발성 메모리(100)는 복수의 비트라인들(도시되지 않음) 및 복수의 워드라인들(도시되지 않음)이 교차하는 영역들에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 메모리 셀 어레이는 복수의 메모리 블록들을 포함할 수 있고, 복수의 메모리 블록들은 각각 복수의 페이지들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 메모리 셀 어레이의 각 메모리 셀은 하나의 비트를 저장하는 싱글 레벨 셀(single, level cell, SLC), 2 비트의 데이터를 저장할 수 있는 멀티 레벨 셀(multi-level cell, MLC), 3 비트의 데이터를 저장할 수 있는 트리플 레벨 셀(triple level cell, TLC) 또는 4 비트의 데이터를 저장할 수 있는 쿼드 레벨 셀(quad level cell, QLC)일 수 있다. 메모리 셀 어레이는 싱글 레벨 셀, 멀티 레벨 셀, 트리플 레벨 셀, 및 쿼드 레벨 셀 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 셀 어레이는 2차원 수평 구조의 메모리 셀들을 포함할 수도 있고, 또는 3차원 수직 구조의 메모리 셀들을 포함할 수도 있다.
컨트롤러(200)는 저장 장치(20)의 제반 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(200)는 호스트(10)로부터 수신된 요청에 응답하여 불휘발성 메모리(100)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호들을 생성하고, 생성된 제어 신호들을 불휘발성 메모리(100)로 제공할 수 있다.
예를 들어, 컨트롤러(200)는 호스트(10)로부터 수신된 로그 제공 요청에 응답하여 불휘발성 메모리(100)로부터 이벤트 로그 청크를 독출하기 위한 제어 신호를 생성하고, 생성된 제어 신호를 불휘발성 메모리(100)에 제공할 수 있다. 컨트롤러(200)는 불휘발성 메모리(100)로부터 독출된 이벤트 로그 청크를 호스트(10)로 전송할 수 있다.
도 2는 도 1의 불휘발성 메모리를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 실시 예에 따른 불휘발성 메모리(100)는 시스템 영역(101)과 사용자 영역(102)을 포함할 수 있다.
불휘발성 메모리(100)의 시스템 영역(101)은 불휘발성 메모리(100)의 동작에 필요한 다양한 시스템 데이터를 저장할 수 있다. 시스템 데이터는 펌웨어의 구동에 필요한 데이터로서, 맵 테이블, 불휘발성 메모리(100)의 초기화 정보, 동작 바이어스 정보, 동작 타이밍 정보, 배드 블록 정보, 리페어 정보 및 동작 상태 정보 등과 같은 데이터를 포함할 수 있다. 불휘발성 메모리(100)의 시스템 영역(101)은 호스트(10)에 의해 액세스되지 않는 영역일 수 있다.
불휘발성 메모리(100)의 시스템 영역(101)은 로그를 저장하는 로그 영역을 포함할 수 있다. 로그 영역은 불휘발성 메모리(100)에서 수행되는 동작들, 예컨대, 리드, 라이트, 이레이즈 등과 같은 동작에 관련된 정보를 저장하는 동작 로그 영역과 저장 장치(20)에서 발생되는 이벤트에 관련된 정보를 저장하는 이벤트 로그 영역(101ELR, 도 3 참조)을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
이벤트는 호스트(10)의 요청과는 무관한 저장 장치(20)의 동작 상황(또는 동작 상태)을 의미할 수 있다. 예를 들어, 이벤트는 저장 장치(20)의 리셋(reset), 파워-온 주기, 타임스탬프 변경, 하드웨어 에러 등을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
불휘발성 메모리(100)의 사용자 영역(102)은 호스트(10)에 의해 액세스되는 사용자 데이터를 저장할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 영역을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시 예에 따른 이벤트 로그 영역(101ELR)은 복수의 이벤트 로그 페이지들(ELP0 ~ ELP3)을 포함할 수 있다. 복수의 이벤트 로그 페이지들(ELP0 ~ ELP3)은 각각 대응하는 이벤트 로그 청크(Event Log Chunk 0 ~ 3)를 저장할 수 있다. 도 3에서는 복수의 이벤트 로그 페이지들(ELP0 ~ ELP3)이 순차적으로 나열된 것처럼 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것으로, 각 이벤트 로그 페이지(ELP0 ~ ELP3)는 논리적으로는 순차적이나, 물리적으로는 비순차적일 수 있다.
도 3에 도시하지는 않았으나, 각 이벤트 로그 페이지(ELP0 ~ ELP3)에 저장된 이벤트 로그 청크(Event Log Chunk 0 ~ 3)는 복수의 이벤트 로그들을 포함할 수 있다. 이벤트 로그는 이벤트 로그 엔트리로도 불릴 수 있다. 예를 들어, 각각의 이벤트 로그 페이지(ELP0 ~ ELP3)가 불휘발성 메모리(100)에 대한 리드/라이트 동작들의 최소 단위 크기인 경우, 각각의 이벤트 로그 청크(Event Log Chunk 0 ~ 3)의 크기는 불휘발성 메모리(100)에 대한 리드/라이트 동작들의 최소 단위 크기와 동일할 수 있다.
이벤트 로그 영역(101ELR)에 저장된 복수의 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)은 컨트롤러(200)의 제어에 의해 순차적으로 독출되어 메모리(300)에 저장될 수 있다. 즉, 컨트롤러(200)는 복수의 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)은 중 하나에 대한 로그 독출 제어 신호를 불휘발성 메모리(100)에 제공할 수 있고, 불휘발성 메모리(100)는 컨트롤러(200)로부터 제공된 로그 독출 제어 신호에 대응하는 이벤트 로그 청크를 컨트롤러(200)에 제공할 수 있다. 컨트롤러(200)는 불휘발성 메모리(100)로부터 제공된 이벤트 로그 청크를 메모리(300)의 이벤트 로그 버퍼에 저장할 수 있다.
도 4는 도 1의 메모리를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 실시 예에 따른 메모리(300)는 이벤트 로그 버퍼(310)와 영구 이벤트 로그 버퍼(320)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시하지는 않았으나, 메모리(300)는 플래시 변환 계층(flash translation layer, FTL)이 로드되는 FTL 영역, 맵 데이터가 로드되는 맵 데이터 버퍼, 라이트 데이터를 임시로 저장하는 라이트 데이터 버퍼, 리드 데이터를 임시로 저장하는 리드 데이터 버퍼 등을 더 포함할 수 있다.
이벤트 로그 버퍼(310)는 불휘발성 메모리(100)로부터 제공된 이벤트 로그 청크를 저장할 수 있다. 이벤트 로그 버퍼(310)의 크기는 이벤트 로그 청크의 크기와 동일할 수 있다. 예를 들어, 이벤트 로그 버퍼(310)의 크기는 불휘발성 메모리(100)의 리드/라이트 동작들의 최소 단위 크기와 동일할 수 있다.
컨트롤러(200)는 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 이벤트 로그 청크의 이벤트 로그들(예컨대, 이전 이벤트 로그들)을 신규 이벤트 로그들로 갱신할 수 있다. 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들을 신규 이벤트 로그들로 갱신하는 것에 대해서는 이후 도 7a 내지 도 8b를 참조하여 상세히 설명한다.
영구 이벤트 로그 버퍼(320)는 불휘발성 메모리(100)의 이벤트 로그 영역(101ELR)의 이벤트 로그 페이지들(ELP0 ~ ELP3)에 저장된 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)을 저장할 수 있다. 예를 들어, 호스트(10)가 저장 장치(20)로 이벤트 로그 요청을 전송하면, 저장 장치(20)의 컨트롤러(200)는 호스트(10)로부터 수신된 이벤트 로그 요청에 응답하여 불휘발성 메모리(100)의 이벤트 로그 영역(101ELR)으로부터 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)을 모두 독출하기 위한 로그 독출 제어 신호를 생성하고, 생성된 로그 독출 제어 신호를 불휘발성 메모리(100)에 제공할 수 있다.
불휘발성 메모리(100)는 컨트롤러(200)로부터 제공된 로그 독출 제어 신호에 따라 이벤트 로그 영역(101ELR)으로부터 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)을 독출하여 컨트롤러(200)로 제공할 수 있다. 컨트롤러(200)는 불휘발성 메모리(100)로부터 제공된 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)을 메모리(300)의 영구 이벤트 로그 버퍼(320)에 저장할 수 있다.
영구 이벤트 로그 버퍼(320)는, 호스트(10)로부터 이벤트 로그 요청이 수신되면, 컨트롤러(200)에 의해 메모리(300)에 할당될 수 있다. 예를 들어, 호스트(10)로부터 이벤트 로그 요청이 수신되면, 컨트롤러(200)는 메모리(300)에 영구 이벤트 로그 버퍼(320)를 할당한 후 불휘발성 메모리(100)로 로그 독출 제어 신호를 제공할 수 있다. 이후, 컨트롤러(200) 영구 이벤트 로그 버퍼(320)에 저장된 이벤트 로그 청크들(Event Log Chunk 0 ~ 3)을 호스트(10)로 전송하고, 전송이 완료되면 영구 이벤트 로그 버퍼(320)의 할당을 해제할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이고, 도 6은 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 실시 예에 따른 이벤트 로그 청크(ELC)는 이벤트 로그 청크 헤더(Event Log Chunk Header, ELCH)와 복수의 이벤트 로그들(EL 0 ~ 4??)을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)는 시그니처 필드(signature field)(1), 더티 필드(dirty field)(2), 신규 이벤트 카운트 필드(new event count field)(3), 이전 이벤트 카운트 필드(old event count field)(4), 어펜드 오프셋 필드(append offset field)(5) 및 딜리트 오프셋 필드(delete offset field)(6)을 포함할 수 있다.
시그니처 필드(1)는 해당 이벤트 로그 청크(ELC)가 정상적인 데이터인지 여부를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 더티 필드(2)는 해당 이벤트 로그 청크(ELC)가 메모리(300)의 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 후 변경된 이벤트 로그가 있는지 여부를 나타내는 값을 저장할 수 있다.
신규 이벤트 카운트 필드(3)는 해당 이벤트 로그 청크(ELC)가 저장된 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장되는 신규 이벤트 로그의 수를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 이전 이벤트 카운트 필드(4)는 해당 이벤트 로그 청크(ELC)에 포함된 이전 이벤트 로그의 수를 나타내는 값을 저장할 수 있다.
어펜드 오프셋 필드(5)는 신규 이벤트 로그가 저장될 이벤트 로그 버퍼(310) 내의 위치를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 딜리트 오프셋 필드(6)는 신규 이벤트 로그의 저장을 위해 삭제될 이전 이벤트 로그가 저장된 이벤트 로그 버퍼(310) 내의 위치를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 예를 들어, 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)에 포함된 필드들(1 ~ 6)에 저장된 값들은 컨트롤러(200)에 의해 변경될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 실시 예에 따라 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이전 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이고, 도 7b는 도 7a의 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다.
도 7a를 참조하면, 컨트롤러(200)의 제어에 의해 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 이벤트 로그 청크(ELC)는 10개의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 9)을 포함한다. 예를 들어, 이전 이벤트 로그 0(OEL 0)의 크기는 10Byte, 이전 이벤트 로그 1(OEL 1)의 크기는 20Byte, 이전 이벤트 로그 2(OEL 2)의 크기는 30Byte인 것으로 가정한다. 또한, 해당 이벤트 로그 청크(ELC)는 정상적인 이벤트 로그들을 포함하는 것으로 가정한다.
해당 이벤트 로그 청크(ELC)는 정상적인 이벤트 로그들을 포함하므로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 시그니처 필드(1)에 “True”를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 또한, 이벤트 로그 청크(ELC)가 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 후 신규 이벤트 로그가 발생되지 않았으므로, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 더티 필드(2)에 “Reset”을 나타내는 값을 저장하고, 신규 이벤트 카운트 필드(3)에 “0”을 나타내는 값을 저장할 수 있다.
또한, 해당 이벤트 로그 청크(ELC)는 10개의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 9)를 포함하므로, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 이전 이벤트 카운트 필드(4)에 “10”를 나타내는 값을 저장할 수 있다. 또한, 새로 저장될 신규 이벤트 로그 및 삭제될 이전 이벤트 로그가 존재하지 않으므로, 컨트롤러(200)는, 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 어펜드 오프셋 필드(5) 및 딜리트 오프셋 필드(6) 각각에 “0”을 나타내는 값을 저장할 수 있다.
도 8a는 본 발명의 실시 예에 따라 이전 이벤트 로그 중 일부가 삭제되고 신규 이벤트 로그가 저장된 이벤트 로그 청크를 나타낸 도면이고, 도 8b는 도 8a의 이벤트 로그 청크 헤더의 자료 구조를 나타낸 도면이다. 예를 들어, 50Byte의 크기를 갖는 신규 이벤트 로그가 발생된 것으로 가정한다.
도 8a를 참조하면, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 이벤트 로그 청크(ELC)의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 9) 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그(OEL 0)부터 신규 이벤트 로그(NEL 0)의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 2)을 삭제하고, 도 7b의 어펜드 오프셋 필드(5)에 저장된 값 “0”에 대응하는 위치부터 신규 이벤트 로그(NEL 0)를 저장할 수 있다. 이에 따라, 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 필드들(1 ~ 6) 중 더티 필드(2), 신규 이벤트 카운트 필드(3), 이전 이벤트 카운트 필드(4), 어펜드 오프셋 필드(5) 및 딜리트 오프셋 필드(6)에 저장된 값들이 컨트롤러(200)에 의해 변경될 수 있다.
도 8b를 참조하면, 신규 이벤트 로그(NEL 0)가 발생하여 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장됨에 따라, 이벤트 로그 청크 헤더(ELCH)의 더티 필드(2)에 저장된 값은 “Set”을 나타내는 값으로 변경되고, 신규 이벤트 카운트 필드(3)에 저장된 값은 “1”을 나타내는 값으로 변경될 수 있다. 또한, 신규 이벤트 로그(NEL 0)의 저장을 위해 3개의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 2)이 삭제됨에 따라, 이전 이벤트 카운트 필드(4)에 저장된 값은 “7”을 나타내는 값으로 변경될 수 있다.
또한, 총합이 60Byte인 3개의 이전 이벤트 로그들(OEL 0 ~ OEL 2)이 삭제되고 50Byte의 신규 이벤트 로그(NEL 0)가 해당 위치에 저장됨에 따라, 이후 발생될 신규 이벤트 로그(예컨대, NEL 1)의 저장이 시작되는 위치 즉, 어펜드 오프셋 필드(5)의 값은 “50”으로 변경되고, 이후 삭제될 이전 이벤트 로그(예컨대, OEL 3)의 시작 위치 즉, 딜리트 오프셋 필드(6)의 값은 “60”으로 변경될 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 이벤트 로그 관리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 9를 참조하여 본 실시 예에 따른 이벤트 로그 관리 방법을 설명함에 있어서, 도 1 내지 도 8b 중 적어도 하나 이상의 도면이 참조할 수 있다. 예를 들어, 메모리(300)의 이벤트 로그 버퍼(310)에 하나의 이벤트 로그 청크(ELC)가 저장된 것으로 가정한다.
S910 단계에서, 컨트롤러(200)는 신규 이벤트가 발생되는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(200)는, 리셋(Reset), 파워-온 주기(power cycle), 타임스탬프 변경, 하드웨어 에러 등과 같은 이벤트가 발생되는지 여부를 판단할 수 있다. 신규 이벤트가 발생된 것으로 판단되면, 프로세스는 S920 단계로 진행될 수 있다.
S920 단계에서, 컨트롤러(200)는 메모리(300)의 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 이벤트 로그 청크(ELC)에 대한 어펜드 오프셋과 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 큰지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 임계 값은 불휘발성 메모리(100)의 리드/라이트 동작의 최소 단위 크기와 같거나 작을 수 있다. 예를 들어, 임계 값은 불휘발성 메모리(100)의 리드/라이트 동작의 최소 단위 크기에서 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 이벤트 로그 청크(ELC)의 헤더의 크기를 차감한 값과 같을 수 있다. 어펜드 오프셋과 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 큰 것으로 판단되면, 프로세스는 S930 단계로 진행될 수 있다.
S930 단계에서, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 버퍼(310) 내의 이벤트 로그 청크(ELC)를 불휘발성 메모리(100)의 이벤트 로그 영역(101ELR)의 로그 페이지에 저장하도록 불휘발성 메모리(100)를 제어할 수 있다.
S940 단계에서, 컨트롤러(200)는 불휘발성 메모리(100)의 이벤트 로그 영역(101ELR)으로부터 다음 순서의 이벤트 로그 청크를 독출하여 메모리(300)의 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장할 수 있다.
S950 단계에서, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 버퍼(310)에 저장된 다음 순서의 이벤트 로그 청크를 구성하는 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 해당 위치에 신규 이벤트 로그를 저장할 수 있다. 이때, 삭제된 이전 이벤트 로그들의 크기의 합은 신규 이벤트 로그의 크기와 동일하거나 또는, 신규 이벤트 로그의 크기보다 클 수 있다.
S960 단계에서, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 버퍼(310) 내의 이벤트 로그 청크에 대한 어펜드 오프셋을 다음 발생될 신규 이벤트 로그의 저장이 시작되는 위치를 가리키는 값으로 변경할 수 있다.
한편, S920 단계에서, 어펜드 오프셋과 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 같거나 작은 것으로 판단되면, 프로세스는 S970 단계로 진행될 수 있다. S970 단계에서, 컨트롤러(200)는 이벤트 로그 청크에 대한 어펜드 오프셋이 가리키는 이벤트 로그 버퍼(310)의 위치부터 신규 이벤트 로그의 저장을 시작할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 10을 참조하면, 데이터 처리 시스템(2000)은 호스트 장치(2100)와 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)(2200)(이하, SSD라 칭함)를 포함할 수 있다.
SSD(2200)는 컨트롤러(2210), 버퍼 메모리 장치(2220), 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n), 전원 공급기(2240), 신호 커넥터(2250) 및 전원 커넥터(2260)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(2210)는 SSD(2200)의 제반 동작을 제어할 수 있다.
버퍼 메모리 장치(2220)는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(2220)는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(2220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(2210)의 제어에 따라 호스트 장치(2100) 또는 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)은 SSD(2200)의 저장 매체로 사용될 수 있다. 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n) 각각은 복수의 채널들(CH1~CHn)을 통해 컨트롤러(2210)와 연결될 수 있다. 하나의 채널에는 하나 또는 그 이상의 불휘발성 메모리 장치가 연결될 수 있다. 하나의 채널에 연결되는 불휘발성 메모리 장치들은 동일한 신호 버스 및 데이터 버스에 연결될 수 있다.
전원 공급기(2240)는 전원 커넥터(2260)를 통해 입력된 전원(PWR)을 SSD(2200) 내부에 제공할 수 있다. 전원 공급기(2240)는 보조 전원 공급기(2241)를 포함할 수 있다. 보조 전원 공급기(2241)는 서든 파워 오프(sudden power off)가 발생되는 경우, SSD(2200)가 정상적으로 종료될 수 있도록 전원을 공급할 수 있다. 보조 전원 공급기(2241)는 전원(PWR)을 충전할 수 있는 대용량 캐패시터들(capacitors)을 포함할 수 있다.
컨트롤러(2210)는 신호 커넥터(2250)를 통해서 호스트 장치(2100)와 신호(SGL)를 주고 받을 수 있다. 여기에서, 신호(SGL)는 커맨드, 어드레스, 데이터 등을 포함할 수 있다. 신호 커넥터(2250)는 호스트 장치(2100)와 SSD(2200)의 인터페이스 방식에 따라 다양한 형태의 커넥터로 구성될 수 있다.
도 11은 도 10의 컨트롤러의 구성을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 11을 참조하면, 컨트롤러(2210)는 호스트 인터페이스 유닛(2211), 컨트롤 유닛(2212), 랜덤 액세스 메모리(2213), 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214) 및 메모리 인터페이스 유닛(2215)을 포함할 수 있다.
호스트 인터페이스 유닛(2211)은, 호스트 장치(2100)의 프로토콜에 따라서, 호스트 장치(2100)와 SSD(2200)를 인터페이싱할 수 있다. 예를 들면, 호스트 인터페이스 유닛(2211)은, 시큐어 디지털(secure digital), USB(universal serial bus), MMC(multi-media card), eMMC(embedded MMC), PCMCIA(personal computer memory card international association), PATA(parallel advanced technology attachment), SATA(serial advanced technology attachment), SCSI(small computer system interface), SAS(serial attached SCSI), PCI(peripheral component interconnection), PCI-E(PCI Expresss), UFS(universal flash storage) 프로토콜들 중 어느 하나를 통해서 호스트 장치(2100)와 통신할 수 있다. 또한, 호스트 인터페이스 유닛(2211)은 호스트 장치(2100)가 SSD(2200)를 범용 데이터 저장 장치, 예를 들면, 하드 디스크 드라이브(HDD)로 인식하도록 지원하는 디스크 에뮬레이션(disk emulation) 기능을 수행할 수 있다.
컨트롤 유닛(2212)은 호스트 장치(2100)로부터 입력된 신호(SGL)를 분석하고 처리할 수 있다. 컨트롤 유닛(2212)은 SSD(2200)를 구동하기 위한 펌웨어 또는 소프트웨어에 따라서 내부 기능 블럭들의 동작을 제어할 수 있다. 랜덤 액세스 메모리(2213)는 이러한 펌웨어 또는 소프트웨어를 구동하기 위한 동작 메모리로서 사용될 수 있다.
에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 전송될 데이터의 패리티 데이터를 생성할 수 있다. 생성된 패리티 데이터는 데이터와 함께 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 저장될 수 있다. 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 패리티 데이터에 근거하여 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 독출된 데이터의 에러를 검출할 수 있다. 만약, 검출된 에러가 정정 범위 내이면, 에러 정정 코드(ECC) 유닛(2214)은 검출된 에러를 정정할 수 있다.
메모리 인터페이스 유닛(2215)은, 컨트롤 유닛(2212)의 제어에 따라서, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)에 커맨드 및 어드레스와 같은 제어 신호를 제공할 수 있다. 그리고 메모리 인터페이스 유닛(2215)은, 컨트롤 유닛(2212)의 제어에 따라서, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)과 데이터를 주고받을 수 있다. 예를 들면, 메모리 인터페이스 유닛(2215)은 버퍼 메모리 장치(2220)에 저장된 데이터를 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로 제공하거나, 불휘발성 메모리 장치들(2231~223n)로부터 읽혀진 데이터를 버퍼 메모리 장치(2220)로 제공할 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 12를 참조하면, 데이터 처리 시스템(3000)은 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200)를 포함할 수 있다.
호스트 장치(3100)는 인쇄 회로 기판(printed circuit board)과 같은 기판(board) 형태로 구성될 수 있다. 비록 도시되지 않았지만, 호스트 장치(3100)는 호스트 장치의 기능을 수행하기 위한 내부 기능 블럭들을 포함할 수 있다.
호스트 장치(3100)는 소켓(socket), 슬롯(slot) 또는 커넥터(connector)와 같은 접속 터미널(3110)을 포함할 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 접속 터미널(3110)에 마운트(mount)될 수 있다.
데이터 저장 장치(3200)는 인쇄 회로 기판과 같은 기판 형태로 구성될 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 메모리 모듈 또는 메모리 카드로 불릴 수 있다. 데이터 저장 장치(3200)는 컨트롤러(3210), 버퍼 메모리 장치(3220), 불휘발성 메모리 장치(3231~3232), PMIC(power management integrated circuit)(3240) 및 접속 터미널(3250)을 포함할 수 있다.
컨트롤러(3210)는 데이터 저장 장치(3200)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤러(3210)는 도 11에 도시된 컨트롤러(2210)와 동일하게 구성될 수 있다.
버퍼 메모리 장치(3220)는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(3220)는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(3220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(3210)의 제어에 따라 호스트 장치(3100) 또는 불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치들(3231~3232)은 데이터 저장 장치(3200)의 저장 매체로 사용될 수 있다.
PMIC(3240)는 접속 터미널(3250)을 통해 입력된 전원을 데이터 저장 장치(3200) 내부에 제공할 수 있다. PMIC(3240)는, 컨트롤러(3210)의 제어에 따라서, 데이터 저장 장치(3200)의 전원을 관리할 수 있다.
접속 터미널(3250)은 호스트 장치의 접속 터미널(3110)에 연결될 수 있다. 접속 터미널(3250)을 통해서, 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200) 간에 커맨드, 어드레스, 데이터 등과 같은 신호와, 전원이 전달될 수 있다. 접속 터미널(3250)은 호스트 장치(3100)와 데이터 저장 장치(3200)의 인터페이스 방식에 따라 다양한 형태로 구성될 수 있다. 접속 터미널(3250)은 데이터 저장 장치(3200)의 어느 한 변에 배치될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 데이터 처리 시스템을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 13을 참조하면, 데이터 처리 시스템(4000)은 호스트 장치(4100)와 데이터 저장 장치(4200)를 포함할 수 있다.
호스트 장치(4100)는 인쇄 회로 기판(printed circuit board)과 같은 기판(board) 형태로 구성될 수 있다. 비록 도시되지 않았지만, 호스트 장치(4100)는 호스트 장치의 기능을 수행하기 위한 내부 기능 블럭들을 포함할 수 있다.
데이터 저장 장치(4200)는 표면 실장형 패키지 형태로 구성될 수 있다. 데이터 저장 장치(4200)는 솔더 볼(solder ball)(4250)을 통해서 호스트 장치(4100)에 마운트될 수 있다. 데이터 저장 장치(4200)는 컨트롤러(4210), 버퍼 메모리 장치(4220) 및 불휘발성 메모리 장치(4230)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(4210)는 데이터 저장 장치(4200)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤러(4210)는 도 11에 도시된 컨트롤러(2210)와 동일하게 구성될 수 있다.
버퍼 메모리 장치(4220)는 불휘발성 메모리 장치(4230)에 저장될 데이터를 임시 저장할 수 있다. 또한, 버퍼 메모리 장치(4220)는 불휘발성 메모리 장치들(4230)로부터 읽혀진 데이터를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리 장치(4220)에 임시 저장된 데이터는 컨트롤러(4210)의 제어에 따라 호스트 장치(4100) 또는 불휘발성 메모리 장치(4230)로 전송될 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(4230)는 데이터 저장 장치(4200)의 저장 매체로 사용될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치를 포함하는 네트워크 시스템(5000)을 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 14를 참조하면, 네트워크 시스템(5000)은 네트워크(5500)를 통해서 연결된 서버 시스템(5300) 및 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)을 포함할 수 있다.
서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)의 요청에 응답하여 데이터를 서비스할 수 있다. 예를 들면, 서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)로부터 제공된 데이터를 저장할 수 있다. 다른 예로서, 서버 시스템(5300)은 복수의 클라이언트 시스템들(5410~5430)로 데이터를 제공할 수 있다.
서버 시스템(5300)은 호스트 장치(5100) 및 데이터 저장 장치(5200)를 포함할 수 있다. 데이터 저장 장치(5200)는 도 1의 저장 장치(10), 도 10의 SSD(2200), 도 12의 데이터 저장 장치(3200) 및 도 13의 데이터 저장 장치(4200)로 구성될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 저장 장치에 포함된 불휘발성 메모리 장치를 예시적으로 보여주는 블록도이다. 도 15를 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(100)는 메모리 셀 어레이(110), 행 디코더(120), 열 디코더(130), 데이터 읽기/쓰기 블럭(140), 전압 발생기(150) 및 제어 로직(160)을 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(110)는 워드 라인들(WL1~WLm)과 비트 라인들(BL1~BLn)이 서로 교차된 영역에 배열된 메모리 셀(MC)들을 포함할 수 있다.
행 디코더(120)는 워드 라인들(WL1~WLm)을 통해서 메모리 셀 어레이(110)와 연결될 수 있다. 행 디코더(120)는 제어 로직(160)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 행 디코더(120)는 외부 장치(도시되지 않음)로부터 제공된 어드레스를 디코딩할 수 있다. 행 디코더(120)는 디코딩 결과에 근거하여 워드 라인들(WL1~WLm)을 선택하고, 구동할 수 있다. 예시적으로, 행 디코더(120)는 전압 발생기(150)로부터 제공된 워드 라인 전압을 워드 라인들(WL1~WLm)에 제공할 수 있다.
데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해서 메모리 셀 어레이(110)와 연결될 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 비트 라인들(BL1~BLn) 각각에 대응하는 읽기/쓰기 회로들(RW1~RWn)을 포함할 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 제어 로직(160)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 동작 모드에 따라서 쓰기 드라이버로서 또는 감지 증폭기로서 동작할 수 있다. 예를 들면, 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 쓰기 동작 시 외부 장치로부터 제공된 데이터를 메모리 셀 어레이(110)에 저장하는 쓰기 드라이버로서 동작할 수 있다. 다른 예로서, 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)은 읽기 동작 시 메모리 셀 어레이(110)로부터 데이터를 독출하는 감지 증폭기로서 동작할 수 있다.
열 디코더(130)는 제어 로직(160)의 제어에 따라 동작할 수 있다. 열 디코더(130)는 외부 장치로부터 제공된 어드레스를 디코딩할 수 있다. 열 디코더(130)는 디코딩 결과에 근거하여 비트 라인들(BL1~BLn) 각각에 대응하는 데이터 읽기/쓰기 블럭(140)의 읽기/쓰기 회로들(RW1~RWn)과 데이터 입출력 라인(또는 데이터 입출력 버퍼)을 연결할 수 있다.
전압 발생기(150)는 불휘발성 메모리 장치(100)의 내부 동작에 사용되는 전압을 생성할 수 있다. 전압 발생기(150)에 의해서 생성된 전압들은 메모리 셀 어레이(110)의 메모리 셀들에 인가될 수 있다. 예를 들면, 프로그램 동작 시 생성된 프로그램 전압은 프로그램 동작이 수행될 메모리 셀들의 워드 라인에 인가될 수 있다. 다른 예로서, 소거 동작 시 생성된 소거 전압은 소거 동작이 수행될 메모리 셀들의 웰-영역에 인가될 수 있다. 다른 예로서, 읽기 동작 시 생성된 읽기 전압은 읽기 동작이 수행될 메모리 셀들의 워드 라인에 인가될 수 있다.
제어 로직(160)은 외부 장치로부터 제공된 제어 신호에 근거하여 불휘발성 메모리 장치(100)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제어 로직(160)은 불휘발성 메모리 장치(100)의 읽기, 쓰기, 소거 동작과 같은 불휘발성 메모리 장치(100)의 동작을 제어할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10: 호스트 20: 저장 장치
100: 불휘발성 메모리 200: 컨트롤러
300: 메모리 310: 이벤트 로그 버퍼
320: 영구 이벤트 로그 버퍼

Claims (17)

  1. 신규 이벤트 로그가 발생되면, 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하는 단계; 및
    상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 단계
    를 포함하는 이벤트 로그 관리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 신규 이벤트 로그가 발생되면, 상기 이벤트 로그 청크의 헤더에 포함된 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 큰 지 여부를 판단하는 단계;
    상기 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 상기 임계 값보다 크면, 상기 이벤트 로그 버퍼 내의 상기 이벤트 로그 청크를 불휘발성 메모리에 저장하는 단계; 및
    상기 불휘발성 메모리로부터 다음 순서의 이벤트 로그 청크를 독출하여 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 단계
    를 더 포함하는 이벤트 로그 관리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이벤트 로그 청크의 헤더에 포함된 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값을 다음 순서의 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값으로 변경하는 단계
    를 더 포함하는 이벤트 로그 관리 방법.
  4. 저장 장치에 대한 신규 이벤트 로그가 발생되면, 이벤트 로그 버퍼에 저장된 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 컨트롤러.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 이벤트 로그 청크의 헤더는, 상기 이벤트 로그 버퍼에서 상기 신규 이벤트 로그의 저장이 시작되는 위치를 나타내는 값을 저장하는 어펜드 오프셋 필드를 포함하고, 그리고,
    상기 컨트롤러는, 상기 어펜드 오프셋 필드에 저장된 값이 가리키는 상기 이벤트 로그 버퍼의 위치에 상기 신규 이벤트 로그를 저장하고, 상기 어펜드 오프셋 필드에 저장된 값을 상기 신규 이벤트 로그의 크기만큼 증가된 값으로 변경하는 컨트롤러.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 이벤트 로그 청크의 헤더는, 상기 이벤트 로그 버퍼에서 삭제될 이전 이벤트 로그의 시작 위치를 나타내는 값을 딜리트 오프셋 필드를 포함하고, 그리고,
    상기 컨트롤러는, 상기 딜리트 오프셋 필드에 저장된 값이 가리키는 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 상기 딜리트 오프셋 필드에 저장된 값을 상기 삭제된 이전 이벤트 로그들의 크기의 합만큼 증가된 값으로 변경하는 컨트롤러.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 신규 이벤트 로그가 발생되면, 상기 이벤트 로그 청크의 헤더에 포함된 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 큰 지 여부를 판단하고, 판단 결과에 근거하여 상기 신규 이벤트 로그를 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 저장 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 상기 임계 값보다 크면, 상기 이벤트 로그 버퍼 내의 상기 이벤트 로그 청크를 불휘발성 메모리에 저장하고,
    상기 불휘발성 메모리로부터 다음 순서의 이벤트 로그 청크를 독출하여 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 저장 장치.
  9. 이벤트 로그 영역을 포함하는 불휘발성 메모리;
    상기 이벤트 로그 영역에 저장된 복수의 이벤트 로그 청크들 중 선택된 하나의 이벤트 로그 청크를 저장하는 이벤트 로그 버퍼; 및
    신규 이벤트 로그가 발생되면, 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장된 상기 이벤트 로그 청크의 이전 이벤트 로그들 중 가장 오래된 이전 이벤트 로그부터 상기 신규 이벤트 로그의 크기에 대응하는 개수만큼의 이전 이벤트 로그들을 삭제하고, 상기 가장 오래된 이전 이벤트 로그의 시작 위치부터 상기 신규 이벤트 로그를 저장하는 컨트롤러
    를 포함하는 저장 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 이벤트 로그 영역은 각각 대응하는 이벤트 로그 청크를 저장하는 복수의 이벤트 로그 페이지들을 포함하는 저장 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 이벤트 로그 페이지들 각각의 크기는 상기 이벤트 로그 버퍼의 크기에 대응하는 저장 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 복수의 이벤트 로그 페이지들 각각에 저장된 상기 이벤트 로그 청크를 상기 불휘발성 메모리로부터 순차적으로 독출하여 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 저장 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 이벤트 로그 청크들 각각은, 헤더 및 복수의 이벤트 로그들을 포함하는 저장 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 헤더는, 상기 이벤트 로그 버퍼에서 상기 신규 이벤트 로그의 저장이 시작되는 위치를 나타내는 값을 저장하는 어펜드 오프셋 필드 및 상기 이벤트 로그 버퍼에서 삭제될 이전 이벤트 로그의 시작 위치를 나타내는 값을 딜리트 오프셋 필드를 포함하는 저장 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 신규 이벤트 로그를 저장한 후 상기 어펜드 오프셋 필드에 저장된 값을 상기 신규 이벤트 로그의 크기만큼 증가된 값으로 변경하고, 상기 딜리트 오프셋 필드에 저장된 값을 상기 삭제된 이전 이벤트 로그들의 크기의 합만큼 증가된 값으로 변경하는 저장 장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 신규 이벤트 로그가 발생되면, 상기 이벤트 로그 청크의 헤더에 포함된 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 임계 값보다 큰 지 여부를 판단하고, 판단 결과에 근거하여 상기 신규 이벤트 로그를 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 저장 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 신규 이벤트 로그 저장의 시작 위치를 가리키는 값과 상기 신규 이벤트 로그의 크기의 합이 상기 임계 값보다 크면, 상기 이벤트 로그 버퍼 내의 상기 이벤트 로그 청크를 불휘발성 메모리에 저장하고, 상기 불휘발성 메모리로부터 다음 순서의 이벤트 로그 청크를 독출하여 상기 이벤트 로그 버퍼에 저장하는 저장 장치.
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