KR20210034456A - 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 - Google Patents

메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210034456A
KR20210034456A KR1020200017144A KR20200017144A KR20210034456A KR 20210034456 A KR20210034456 A KR 20210034456A KR 1020200017144 A KR1020200017144 A KR 1020200017144A KR 20200017144 A KR20200017144 A KR 20200017144A KR 20210034456 A KR20210034456 A KR 20210034456A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
firmware
revival
storage device
memory controller
Prior art date
Application number
KR1020200017144A
Other languages
English (en)
Inventor
은형래
김동
박인훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to DE102020121109.0A priority Critical patent/DE102020121109A1/de
Priority to CN202010895577.9A priority patent/CN112540869A/zh
Priority to US17/019,929 priority patent/US11380418B2/en
Publication of KR20210034456A publication Critical patent/KR20210034456A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1433—Saving, restoring, recovering or retrying at system level during software upgrading
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0706—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment
    • G06F11/0727—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment in a storage system, e.g. in a DASD or network based storage system
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0793—Remedial or corrective actions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1446—Point-in-time backing up or restoration of persistent data
    • G06F11/1458—Management of the backup or restore process
    • G06F11/1464—Management of the backup or restore process for networked environments
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0629—Configuration or reconfiguration of storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0653—Monitoring storage devices or systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/067—Distributed or networked storage systems, e.g. storage area networks [SAN], network attached storage [NAS]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법이 개시된다. 본 개시의 기술적 사상에 따른 스토리지 장치는 비휘발성 메모리, 휘발성 메모리, 및 비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리를 제어하고 메모리 리바이벌(revival) 펌웨어를 저장하는 메모리 컨트롤러를 포함하고, 스토리지 장치의 동작 중 비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리 중 적어도 하나에 대해 진행성 불량(progressive defect)이 발생한 경우, 메모리 컨트롤러는 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 진행성 불량이 발생한 불량 메모리에 대해 리페어(repair) 동작을 수행한다.

Description

메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법{Storage device and method of operating the storage device}
본 개시의 기술적 사상은 스토리지 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 불량 메모리를 관리할 수 있는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치, 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법에 관한 것이다.
최근 SSD(Solid State Drive)와 같은 스토리지 장치가 널리 사용되고 있으며, 스토리지 장치는 많은 양의 데이터를 저장하거나 이동시키는데 유용하게 사용되고 있다. 다양한 원인들에 의해 스토리지 장치에 포함된 일부 메모리는 진행성 불량에 노출될 수 있으며, 이로써, 스토리지 장치를 교체해야 하는 문제가 발생할 수 있다.
본 개시의 기술적 사상은 불량 메모리를 재생시킬 수 있는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치, 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법을 제공한다.
본 개시의 기술적 사상에 따른 스토리지 장치는 비휘발성 메모리, 휘발성 메모리, 및 상기 비휘발성 메모리 및 상기 휘발성 메모리를 제어하고, 메모리 리바이벌(revival) 펌웨어를 저장하는 메모리 컨트롤러를 포함하고, 상기 스토리지 장치의 동작 중 상기 비휘발성 메모리 및 상기 휘발성 메모리 중 적어도 하나에 대해 진행성 불량(progressive defect)이 발생한 경우, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 상기 진행성 불량이 발생한 불량 메모리에 대해 리페어(repair) 동작을 수행하도록 구성된다.
또한, 본 개시의 기술적 사상에 따른 스토리지 장치의 동작 방법은, 비휘발성 메모리, 휘발성 메모리, 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법으로서, 상기 메모리 컨트롤러에 의해 상기 비휘발성 메모리 또는 상기 휘발성 메모리에서 진행성 불량을 감지하는 단계, 상기 메모리 컨트롤러에 의해 상기 진행성 불량이 감지되면, 메모리 테스트 모드로 진입하는 단계, 및 상기 메모리 컨트롤러에 의해 상기 메모리 테스트 모드에서 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 비휘발성 메모리 또는 상기 휘발성 메모리에 대해 리페어 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
또한, 본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 컨트롤러는, 메모리를 제어하기 위한 메모리 컨트롤러로서, 상기 메모리와 데이터를 송수신하도록 구성된 메모리 인터페이스, 상기 메모리로부터 독출된 데이터의 에러를 정정하기 위한 ECC 엔진, 및 상기 ECC 엔진에 의해 정정되지 않는 복구 불가능한 에러가 발생한 경우 상기 메모리에 대한 리페어 동작을 수행하도록 구성된 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함한다.
본 개시의 기술적 사상에 따르면, 스토리지 장치의 동작 중 메모리에 대해 진행성 불량이 발생한 경우, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 진행성 불량이 발생한 불량 메모리를 재생시킬 수 있다. 이와 같이, 스토리지 장치에서 진행성 불량이 발생하더라도 스토리지 장치를 교체하지 않고, 불량 메모리를 재생시킴으로써 스토리지 장치를 재사용할 수 있다. 이에 따라, 스토리지 장치의 교체에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리를 예시적으로 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시의 일부 실시예들에 따른 휘발성 메모리들을 예시적으로 나타낸다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트와 메모리 컨트롤러 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러, 비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러와 메모리 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따라, 데이터에 포함된 에러 비트의 개수에 따른 ECC 동작을 예시적으로 나타낸다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 11은 도 10의 비휘발성 메모리에 포함된 메모리 셀 어레이를 예시적으로 나타낸다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러와 비휘발성 메모리 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작의 일 예를 나타내는 흐름도이다.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작의 다른 예를 나타내는 흐름도이다.
도 15는 본 개시의 일 실시예에 따른 네트워크 시스템을 나타낸다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 시스템(10)을 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 스토리지 시스템(10)은 스토리지 장치(100) 및 호스트(200)를 포함하고, 스토리지 장치(100)는 메모리 컨트롤러(110) 및 비휘발성 메모리(Non Volatile Memory, NVM)(120)를 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 장치(100)는 휘발성 메모리(Volatile Memory, VM)(130)을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 스토리지 장치(100)는 복수의 스토리지 장치들을 포함할 수 있다.
호스트(200)는 다양한 인터페이스를 통하여 스토리지 장치(100)와 통신할 수 있고, 기입 요청 또는 독출 요청 등을 스토리지 장치(100)에 전달할 수 있다. 일 실시예에서, 호스트(200)는 서버(server) 또는 PC(Personal Computer)일 수 있다. 일 실시예에서, 호스트(200)는 AP(Application Processor) 또는 SoC(System-On-a-Chip, SoC)로 구현될 수도 있다. 메모리 컨트롤러(110)는 호스트(200)로부터의 기입 요청 또는 독출 요청 등에 응답하여 비휘발성 메모리(120)에 저장된 데이터를 독출하거나, 또는 비휘발성 메모리(120)에 데이터를 기록하도록 비휘발성 메모리(120)를 제어할 수 있다.
메모리 컨트롤러(110)는 메모리(111)를 포함할 수 있고, 메모리(111)는 내부 메모리 또는 동작 메모리 등으로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 메모리(111)는 SRAM일 수 있고, 이하에서는, 메모리(111)가 SRAM인 실시예를 중심으로 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 메모리(111)는 SRAM이 아닌 다른 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수도 있다.
비휘발성 메모리(120)는 복수의 메모리 셀들이 배치된 메모리 셀 어레이(Memory Cell Array, MCA)(121)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리 셀 어레이(121)는 플래쉬 메모리 셀들을 포함할 수 있고, 예를 들어, 플래쉬 메모리 셀들은 낸드(NAND) 플래쉬 메모리 셀들일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 메모리 셀들은 ReRAM(resistive RAM), PRAM(phase change RAM), MRAM(magnetic RAM)과 같은 저항형 메모리 셀들일 수 있다.
휘발성 메모리(130)는 복수의 메모리 셀들이 배치된 메모리 셀 어레이(121)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 휘발성 메모리(130)는 DRAM일 수 있고, 이하에서는, 휘발성 메모리(130)가 DRAM인 실시예를 중심으로 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 휘발성 메모리(130)는 DRAM이 아닌 다른 휘발성 메모리를 포함할 수도 있다.
이와 같이, 스토리지 장치(100)는 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130), SRAM(111) 등과 같은 다양한 메모리를 포함할 수 있는데, 이러한 메모리에 포함된 메모리 셀은 제조 공정 단계뿐만 아니라 제품 사용 단계에서도 불량(defect)이 발생할 수 있다. 이하에서는, 제조 공정 단계에서 발생하는 불량은 "초기 불량(initial defect)"이라 지칭하고, 제품 사용 중에 발생하는 불량은 "진행성 불량(progressive defect)"이라 지칭하기로 한다. 예를 들어, 비휘발성 메모리(120)에 대한 진행성 불량으로 인해 메모리 셀의 문턱 전압 산포가 변할 수 있고, 이에 따라, 비휘발성 메모리(120) 및 이를 포함하는 스토리지 장치(100)의 신뢰도가 저하될 수 있다.
스토리지 장치(100)가 출하된 이후, 스토리지 장치(100)에 포함된 다양한 메모리들 중 일부 메모리에서 진행성 불량이 발생할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 스토리지 장치(100)에서 불량 메모리가 발생한 경우, 스토리지 장치(100)는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행함으로써 불량 메모리에 대한 리페어 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 장치(100)는 호스트(200)로부터 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 수신하고, 수신한 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행함으로써, 불량 메모리에 대해 리페어 동작을 수행하고, 불량 메모리를 재사용할 수 있다.
구체적으로, 스토리지 장치(100)는 불량 메모리를 감지하면 호스트(200)에 진행성 불량에 관한 정보를 전달할 수 있다. 예를 들어, 진행성 불량에 관한 정보는 불량 메모리의 발생 정보를 포함할 수 있다. 또한, 예를 들어, 진행성 불량에 관한 정보는 진행성 불량이 발생한 메모리의 종류 또는 속성에 대한 정보를 포함할 수 있다. 이어서, 스토리지 장치(100)는 펌웨어 다운로드 가능 모드(firmware downloadable mode) 또는 메모리 테스트 모드로 진입할 수 있다. 펌웨어 다운로드 가능 모드 또는 메모리 테스트 모드는 예를 들어, NVMe, SATA, SAS 등을 통한 인밴드(in-band) 커맨드를 이용한 스토리지 장치(100)의 제어가 가능한 모드를 지칭할 수 있다.
예를 들어, 스토리지 장치(100)는 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130), SRAM(111) 등과 같은 다양한 메모리 중 적어도 하나에서 복구 불가능한 에러(uncorrectable ECC, UECC)를 감지하면, 복구 불가능한 에러가 발생한 메모리를 불량 메모리로 판단할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 장치(100)는 복구 불가능한 에러가 발생한 메모리의 속성 또는 종류에 대한 정보를 포함하는 불량 정보를 호스트(200)에 전달할 수 있다.
호스트(200)는 스토리지 장치(100)로부터 수신한 불량 정보에 응답하여, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 스토리지 장치(100)에 제공할 수 있다. 여기서, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 불량 메모리의 테스트 및 리페어를 수행하기 위한 펌웨어를 지칭할 수 있다. 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 불량 메모리에 포함된 불량 셀에 대한 심층(in-depth) 속성 분석을 수행할 수 있고, 이에 따라, 불량 셀을 리페어할 수 있다.
일 실시예에서, 호스트(200)는 불량 메모리의 속성 또는 종류를 기초로 복수의 펌웨어들 중 특정 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 선택할 수 있고, 선택된 특정 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 스토리지 장치(100)에 제공할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 호스트(200)는 다양한 메모리들에 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 스토리지 장치(100)에 제공할 수도 있다.
스토리지 장치(100)는 호스트(200)로부터 수신한 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 저장할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 장치(100)는 SRAM(111)에 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 저장할 수 있다. 예를 들어, SRAM(111)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 DRAM 리바이벌 펌웨어 또는 비휘발성 메모리 리바이벌 펌웨어일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, SRAM(111)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 다양한 메모리들에 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어일 수도 있다.
일 실시예에서, 스토리지 장치(100)는 휘발성 메모리(130)에 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 저장할 수 있다. 예를 들어, 휘발성 메모리(130)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 SRAM 리바이벌 펌웨어 또는 비휘발성 메모리 리바이벌 펌웨어일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 휘발성 메모리(130)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 다양한 메모리들에 모두 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어일 수도 있다.
일 실시예에서, SRAM(111)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)와 휘발성 메모리(130)에 저장되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 동일할 수 있다. 예를 들어, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 SRAM(111)에 다운로드되고, 이어서, SRAM(111)에서 휘발성 메모리(130)으로 마이그레이션(migration)될 수 있다.
스토리지 장치(100)는 저장된 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행시켜 불량 메모리에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 스토리지 장치(100)는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행함으로써 불량 메모리 내의 불량 셀을 확인하고, 불량 속성을 분석하며, 불량 셀에 대한 리페어 동작을 수행할 수 있다. 구체적으로, 스토리지 장치(100)는 불량 셀을 리던던시 셀로 교체함으로써, 불량 메모리를 재생시킬 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다. 따라서, 스토리지 장치(100)를 교체하지 않을 수 있으므로, 비용을 절감할 수 있다.
일부 실시예들에서, 메모리 컨트롤러(110)는 진행성 불량이 발생한 경우 메모리 페일 시그니처(fail signature)를 마킹하고, 스토리지 장치(100)를 리셋할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 메모리 컨트롤러(110)는 불량 메모리에 대해 리페어 동작이 완료되면 메모리 페일 시그니처를 메모리 수리(fixed) 시그니처로 수정하고, 스토리지 장치(200)를 리셋할 수 있다. 이에 대해, 도 13 및 도 14를 참조하여 더욱 자세하게 설명하기로 한다.
스토리지 시스템(10)은 예를 들어, PC(personal computer), 데이터 서버, 네트워크-결합 스토리지(network-attached storage, NAS), IoT(Internet of Things) 장치, 또는 휴대용 전자 기기로 구현될 수 있다. 휴대용 전자 기기는, 랩탑 컴퓨터, 이동 전화기, 스마트폰, 태블릿 PC, PDA(personal digital assistant), EDA(enterprise digital assistant), 디지털 스틸 카메라, 디지털 비디오 카메라, 오디오 장치, PMP(portable multimedia player), PND(personal navigation device), MP3 플레이어, 휴대용 게임 콘솔(handheld game console), e-북(e-book), 웨어러블 기기 등일 수 있다.
일부 실시예들에서, 스토리지 장치(100)는 전자 장치에 내장되는 내부 메모리일 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100)는 SSD, 임베디드 UFS(Universal Flash Storage) 메모리 장치 또는 eMMC(embedded Multi-Media Card)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 스토리지 장치(100)는 전자 장치에 착탈 가능한 외장 메모리일 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100)는 UFS 메모리 카드, CF(Compact Flash) 카드, SD(Secure Digital) 카드, Micro-SD(Micro Secure Digital) 카드, Mini-SD(Mini Secure Digital) 카드, xD(extreme Digital) 카드 또는 메모리 스틱(Memory Stick)일 수 있다.
일 실시예에서, 스토리지 장치(100) 또는 복수의 스토리지 장치들은 데이터 센터(Data Center)에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100) 또는 복수의 스토리지 장치들은 데이터 센터의 스토리지 서버(예를 들어, 도 13의 1200 또는 1200n) 또는 어플리케이션 서버(예를 들어, 도 13의 1100 또는 1100n)에 포함될 수 있고, 스토리지 시스템(10)은 데이터 센터일 수 있다.
최근 데이터 센터의 성장과 함께 예를 들어, SSD와 같은 스토리지 장치(100)와 관련된 스토리지 사업도 확대되는 추세이다. 고객의 사적 데이터(Private Data)를 관리해야 하는 데이터 센터의 특성상 스토리지 장치(100)의 보안이 매우 중요하므로, 스토리지 장치(100)의 불량이 발생한 경우 정확한 불량 분석(Failure Analysis)을 위한 스토리지 장치(100)의 반출은 어렵다. 또한, 반도체 미세공정에 따라 공정 취약 진행성 불량의 발현 가능성이 높아짐에 따라, 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130), SRAM(111) 등의 메모리를 사용하는 스토리지 장치(100) 또는 스토리지 시스템(10) 역시 취약점에 노출되어 있다.
나아가, CPU, 메모리, 스토리지 등의 전자 장치들의 성능이 매년 가파르게 증가하고 있는데, 이러한 전자 장치들의 성능을 최대한 활용하기 위해서는 시스템 아키텍쳐(Architecture) 및 통신 프로토콜(Protocol)도 고속 동작이 필요하다. 이러한 요구에 따른 입출력 속도(IO Speed)의 증가로 전자 장치의 성능은 증가하지만, 반대로 더 많은 전력(power) 소비에 따른 발열 문제(Thermal issue)가 발생하고, 이런 발열 문제로 인해 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130), SRAM(111) 등의 메모리 장치의 신뢰성에도 영향을 주어 공정 취약 진행성 불량이 오히려 가속화될 가능성이 크다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러(110)를 나타내는 블록도이다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리(111), 프로세서(112), ECC 엔진(113), 호스트 인터페이스(114), 비휘발성 메모리 인터페이스(115) 및 휘발성 메모리 인터페이스(116)을 포함할 수 있고, 이들은 버스(117)를 통해 서로 통신할 수 있다. 프로세서(112)은 중앙 처리 장치나 마이크로 프로세서 등을 포함할 수 있으며, 메모리 컨트롤러(110)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.
메모리(111)는 프로세서(112)의 제어에 따라 동작하며, 동작 메모리, 버퍼 메모리, 캐시 메모리 등으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 메모리(111)는 DRAM, SRAM과 같은 휘발성 메모리 또는 PRAM, 플래시 메모리와 같은 비휘발성 메모리로 구현될 수도 있다. 본 명세서에서는, 메모리(111)는 휘발성 메모리로서, SRAM으로 구현된 실시예를 중심으로 설명하기로 한다. 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 메모리(111)에 로딩될 수 있고, 프로세서(112)는 메모리(111)에 액세스하여 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 하드웨어로 구현될 수도 있다.
ECC 엔진(113)은 비휘발성 메모리 인터페이스(115)를 통해 비휘발성 메모리(120)로부터 수신한 데이터에 대해 ECC 동작을 수행함으로써, 데이터에서 에러 비트를 검출하고, 검출된 에러 비트를 정정할 수 있다. 또한, ECC 엔진(113)은 휘발성 메모리 인터페이스(116)를 통해 휘발성 메모리(130)로부터 수신한 데이터에 대해 ECC 동작을 수행함으로써, 데이터에서 에러 비트를 검출하고, 검출된 에러 비트를 정정할 수 있다. 일 실시예에서, ECC 엔진(113)은 하드웨어로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, ECC 엔진(113)은 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현될 수 있고, 메모리(111)에 로딩될 수 있다.
호스트 인터페이스(114)는 호스트(200)와 메모리 컨트롤러(110) 사이의 인터페이스를 제공할 수 있고, 예를 들어, USB(Universal Serial Bus), MMC (MultiMediaCard), PCI-E(PCIExpress), ATA(AT Attachment), SATA(Serial AT Attachment), PATA(Parallel AT Attachment), SCSI(Small Computer System Interface), SAS(Serial Attached SCSI), ESDI(Enhanced Small Disk Interface), IDE(Integrated Drive Electronics) 등에 따른 인터페이스를 제공할 수 있다.
비휘발성 메모리 인터페이스(115)는 메모리 컨트롤러(110)와 비휘발성 메모리(120) 사이의 인터페이스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 비휘발성 메모리 인터페이스(115)를 통해 메모리 컨트롤러(110)와 비휘발성 메모리(120) 사이에서 송수신될 수 있다. 또한, 예를 들어, 맵핑 테이블, 기록 데이터 및 독출 데이터가 비휘발성 메모리 인터페이스(115)를 통해 메모리 컨트롤러(110)와 비휘발성 메모리(120) 사이에서 송수신될 수 있다.
휘발성 메모리 인터페이스(116)는 메모리 컨트롤러(110)와 휘발성 메모리(130) 사이의 인터페이스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 휘발성 메모리 인터페이스(116)를 통해 메모리 컨트롤러(110)와 휘발성 메모리(130) 사이에서 송수신될 수 있다. 또한, 예를 들어, 호스트(200)로부터 수신한 기입 데이터는 휘발성 메모리 인터페이스(116)를 통해 휘발성 메모리(130)에 버퍼링될 수 있고, 비휘발성 메모리(120)로부터 수신한 독출 데이터는 휘발성 메모리 인터페이스(116)를 통해 휘발성 메모리(130)에 버퍼링될 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 비휘발성 메모리(120A)를 예시적으로 나타낸다.
도 3을 참조하면, 비휘발성 메모리(120A)는 낸드 플래시 메모리일 수 있고, 단일 칩으로 구현될 수 있다. 비휘발성 메모리(120A)는 제1 및 제2 다이들(121A, 122A)을 포함할 수 있고, 제1 및 제2 다이들(121A, 122A) 각각은 복수의 플레인들(PL0, PL1)을 포함할 수 있다. 각 플레인(PL)은 복수의 메모리 블록들(BLK0, BLK1)을 포함할 수 있고, 각 메모리 블록(BLK)은 복수의 페이지들(PG)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 불량 페이지가 발생한 경우, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 페이지를 리저브드(reserved) 페이지로 교체할 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다. 예를 들어, 불량 블록이 발생한 경우, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 블록을 리저브드 블록으로 교체할 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다. 예를 들어, 불량 플레인이 발생한 경우, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 플레인을 리저브드 플레인으로 교체할 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다. 예를 들어, 불량 다이가 발생한 경우, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 다이를 리저브드다이로 교체할 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다.
도 4a는 본 개시의 일 실시예에 따른 휘발성 메모리(130)를 예시적으로 나타낸다.
도 4a를 참조하면, 휘발성 메모리(130)는 메모리 셀 어레이(131), 리페어 제어부(132), 로우 디코더(133) 및 칼럼 디코더(134)를 포함할 수 있다. 그러나, 휘발성 메모리(130)의 구성은 이에 한정되지 않으며, 휘발성 메모리(130)는 메모리 셀 어레이(131)에 저장될 데이터를 임시로 저장하거나 메모리 셀 어레이(131)로부터 독출된 데이터를 임시로 저장하는 페이지 버퍼, 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 외부에 송수신하는 데이터 입출력 회로, 또는 외부로부터 커맨드를 수신하고 커맨드에 따라 휘발성 메모리(130)를 전반적으로 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(131)는 복수의 메모리 셀들이 배치되는 노멀 영역(131a) 및 복수의 리던던시 메모리 셀들이 배치되는 리던던시 영역(131b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 리던던시 영역(131b)은 비트 라인들(BL)의 연장 방향에 따라 노멀 영역(131a)에 인접하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 노멀 영역(131a)은 복수의 워드 라인들(WL)과 복수의 비트 라인들(BL)의 교차 영역에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들을 포함하고, 리던던시 영역(131b)은 복수의 리던던시 워드 라인들(RWL) 및 복수의 비트 라인들(BL)의 교차 영역에 각각 배치되는 복수의 리던던시 메모리 셀들을 포함할 수 있다.
노멀 영역(131a)에 배치되는 메모리 셀들 중 적어도 하나의 셀에 불량이 발생할 수 있으며, 불량이 발생한 불량 셀은 싱글 비트(single bit), 위크 셀(weak cell) 또는 결함 셀(defect cell)이라고 언급할 수 있다. 노멀 영역(131a)에서 발생된 불량 셀은 리던던시 영역(131b)에 포함된 리던던시 메모리 셀에 의해 대체될 수 있으며, 이러한 동작을 "리페어 동작"이라고 지칭할 수 있다. 리페어 동작에 의해, 불량 셀에 기입 또는 독출되기로 예정된 데이터는 리던던시 메모리 셀에 기입 또는 독출될 수 있다.
본 실시예에서, 노멀 영역(131a)의 불량 셀을 포함하는 로우를, 리던던시 영역(131b)의 리던던시 로우로 대체하는 로우 리페어 방법에 따라 리페어 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 단위는 워드 라인일 수 있고, 이에 따라, 불량 셀을 포함하는 워드 라인을 리던던시 워드 라인으로 대체할 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 단위는 워드 라인 그룹일 수 있고, 이에 따라, 불량 셀을 포함하는 워드 라인 그룹을 리던던시 워드 라인 그룹으로 대체할 수 있다. 예를 들어, 워드 라인 그룹은 2개, 4개, 8개 또는 16개 등의 워드 라인들에 대응할 수 있다. 리페어 단위가 2개의 워드 라인들인 경우, 노멀 영역(131a)에 포함된 불량 셀을 포함하는 2개의 워드 라인들은 리던던시 영역(131b)에 포함된 2개의 리던던시 워드 라인들로 대체될 수 있다.
리페어 제어부(132)는 메모리 리바이벌 펌웨어에 따라, 복수의 메모리 셀들 중 불량 셀에 대해 리페어 동작을 제어할 수 있다. 구체적으로, 리페어 제어부(132)는 액세스하고자 하는 메모리 셀의 입력 어드레스, 예를 들어, 로우 어드레스(RA)가 불량 셀에 대응하는 경우 리페어 동작을 제어할 수 있다. 더욱 상세하게는, 리페어 제어부(132)는 로우 어드레스(RA)가 불량 셀에 대응하는 경우 로우 매칭 신호(RM)를 생성할 수 있고, 생성된 로우 매칭 신호(RM)를 로우 디코더(133)에 제공할 수 있다. 이에 따라, 로우 디코더(133)는 로우 매칭 신호(RM)에 응답하여 리던던시 워드 라인들(RWL)을 활성화시킬 수 있다.
로우 디코더(133)는 로우 어드레스(RA)에 응답하여 복수의 워드 라인들(WL) 중 일부 워드 라인을 선택할 수 있고, 선택한 워드 라인을 활성화할 수 있다. 또한, 로우 디코더(133)는 로우 매칭 신호(RM)에 응답하여, 복수의 리던던시 워드 라인들(RWL) 중 일부 리던던시 워드 라인을 선택할 수 있고, 선택한 리던던시 워드 라인을 활성화할 수 있다. 구체적으로, 로우 디코더(133)는 로우 매칭 신호(RM)에 응답하여, 로우 어드레스(RA)를 디스에이블시키고, 리던던시 로우 워드 라인을 활성화할 수 있다. 칼럼 디코더(134)는 칼럼 어드레스(CA)에 응답하여 복수의 비트 라인들(BL) 중 일부 비트 라인을 선택할 수 있다.
도 4b는 본 개시의 일 실시예에 따른 휘발성 메모리(130')를 예시적으로 나타낸다.
도 4b를 참조하면, 휘발성 메모리(130')는 메모리 셀 어레이(131'), 리페어 제어부(132'), 로우 디코더(133') 및 칼럼 디코더(134')를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 휘발성 메모리(130')는 도 4a의 휘발성 메모리(130)의 변형 실시예이며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
메모리 셀 어레이(131')는 복수의 메모리 셀들이 배치되는 노멀 영역(131a') 및 복수의 리던던시 메모리 셀들이 배치되는 리던던시 영역(131b')을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 리던던시 영역(131b')은 워드 라인들(WL)의 연장 방향에 따라 노멀 영역(131a')에 인접하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 노멀 영역(131a')은 복수의 워드 라인들(WL)과 복수의 비트 라인들(BL)의 교차 영역에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들을 포함하고, 리던던시 영역(131b')은 복수의 워드 라인들(WL) 및 복수의 리던던시 비트 라인들(RBL)의 교차 영역에 각각 배치되는 복수의 리던던시 메모리 셀들을 포함할 수 있다.
노멀 영역(131a')에 배치되는 메모리 셀들 중 적어도 하나의 셀에 불량이 발생할 수 있으며, 노멀 영역(131a')에서 발생된 불량 셀은 리페어 동작에 의해 리던던시 영역(131b')에 포함된 리던던시 메모리 셀에 의해 대체될 수 있다. 리페어 동작에 의해, 불량 셀에 기입 또는 독출되기로 예정된 데이터는 리던던시 메모리 셀에 기입 또는 독출될 수 있다.
본 실시예에서, 노멀 영역(131a')의 불량 셀을 포함하는 칼럼을, 리던던시 영역(131b')의 리던던시 칼럼로 대체하는 칼럼 리페어 방법에 따라 리페어 동작이 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 단위는 비트 라인일 수 있고, 이에 따라, 불량 셀을 포함하는 비트 라인을 리던던시 비트 라인으로 대체할 수 있다. 일 실시예에서, 리페어 단위는 비트 라인 그룹일 수 있고, 이에 따라, 불량 셀을 포함하는 비트 라인 그룹을 리던던시 비트 라인 그룹으로 대체할 수 있다. 예를 들어, 비트 라인 그룹은 2개, 4개, 8개 또는 16개 등의 비트 라인들에 대응할 수 있다. 리페어 단위가 2개의 비트 라인들인 경우, 노멀 영역(131a')에 포함된 불량 셀을 포함하는 2개의 비트 라인들은 리던던시 영역(131b')에 포함된 2개의 리던던시 비트 라인들로 대체될 수 있다.
리페어 제어부(132')는 복수의 메모리 셀들 중 불량 셀에 대해 리페어 동작을 제어할 수 있다. 구체적으로, 리페어 제어부(132')는 액세스하고자 하는 메모리 셀의 입력 어드레스, 예를 들어, 칼럼 어드레스(CA)가 불량 셀에 대응하는 경우 리페어 동작을 제어할 수 있다. 더욱 상세하게는, 리페어 제어부(132')는 칼럼 어드레스(CA)가 불량 셀에 대응하는 경우 칼럼 매칭 신호(CM)를 생성할 수 있고, 생성된 칼럼 매칭 신호(CM)를 칼럼 디코더(134')에 제공할 수 있다. 이에 따라, 칼럼 디코더(134')는 칼럼 매칭 신호(CM)에 응답하여 리던던시 비트 라인들(RBL)을 활성화시킬 수 있다.
로우 디코더(133')는 로우 어드레스(RA)에 응답하여 복수의 워드 라인들(WL) 중 일부 워드 라인을 선택할 수 있고, 선택한 워드 라인을 활성화할 수 있다. 칼럼 디코더(134')는 칼럼 어드레스(CA)에 응답하여 복수의 비트 라인들(BL) 중 일부 비트 라인을 선택할 수 있고, 선택한 비트 라인을 활성화할 수 있다. 또한, 칼럼 디코더(134')는 칼럼 매칭 신호(CM)에 응답하여, 복수의 리던던시 비트 라인들(RBL) 중 일부 리던던시 비트 라인을 선택할 수 있고, 선택한 리던던시 비트 라인을 활성화할 수 있다. 구체적으로, 칼럼 디코더(134')는 칼럼 매칭 신호(CM)에 응답하여, 칼럼 어드레스(CA)를 디스에이블시키고, 리던던시 칼럼 라인을 활성화할 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작 방법은 디스크, 즉, SSD와 같은 스토리지 장치의 출하 이후 스토리지 장치의 동작 중에 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작 방법은 도 1의 스토리지 장치(100)에서 시계열적으로 수행되는 복수의 단계들을 포함할 수 있다. 이하에서는, 도 1, 도 2 및 도 4를 함께 참조하여 설명하기로 한다.
단계 S110에서, 스토리지 장치(100)는 메모리의 진행성 불량을 감지한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110)는 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)에서 복구 불가능한 에러(UECC)를 감지한다. 예를 들어, ECC 엔진(113)은 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)로부터 수신한 데이터에 대해 ECC 동작을 수행함으로써, 데이터에 대해 에러 비트를 검출하고, 검출된 에러 비트를 정정할 수 있다. 이때, ECC 엔진(113)에서 정정되지 않은 에러 비트가 발생한 경우, 메모리 컨트롤러(110)는 복구 불가능한 에러로 판단함으로써 메모리의 진행성 불량을 감지할 수 있다.
단계 S130에서, 스토리지 장치(100)는 메모리 테스트 모드로 진입할 수 있다. 일 실시예에서, 메모리 테스트 모드는 펌웨어 다운로드 가능 모드에 대응할 수 있고, 메모리 컨트롤러(110)는 호스트(200)로부터 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 다운로드 받기 위하여, 메모리 테스트 모드 또는 펌웨어 다운로드 가능 모드로 진입하며, 이에 대해, 도 6을 참조하여 후술하기로 한다. 일 실시예에서, 메모리 테스트 모드는 펌웨어 로드 가능 모드에 대응할 수 있고, 메모리 컨트롤러(110)는 비휘발성 메모리(120)로부터 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 로딩받을 수 있으며, 이에 대해, 도 11 내지 도 13을 참조하여 후술하기로 한다.
단계 S150에서, 스토리지 장치(100)는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행함으로써, 메모리에 대한 리페어 동작을 수행한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 실행함으로써, 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)을 재생시킨다. 구체적으로, 메모리 컨트롤러(110)는 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)에 대한 테스트를 수행함으로써, 불량 속성을 분석하고, 불량 셀을 리페어할 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 동작 방법은 진행성 불량이 감지되면, 메모리 컨트롤러가 메모리 페일 시그니처를 마킹하고, 스토리지 장치를 리셋하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 상기 동작 방법은 리페어 동작이 완료되면, 메모리 컨트롤러가 메모리 페일 시그니처를 메모리 수리 시그니처로 수정하고, 스토리지 장치를 리셋하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 대해, 도 13 및 도 14를 참조하여 더욱 자세하게 설명하기로 한다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 데이터 센터 또는 서버 시스템(Server System) 내에서 사용 중인 디스크, 즉, 스토리지 장치(100)의 불량이 발생할 경우, 메모리의 테스트 및 리페어를 통해 스토리지 장치(100)를 재생시킬 수 있다. 스토리지 장치(100)가 메모리의 복구 불가능한 에러(UECC)를 확인하게 되면 불량 모드로 진입하지 않고, 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 다운로드 받을 수 있는 메모리 테스트 모드로 진입할 수 있다.
호스트(200), 즉, 데이터 센터 호스트는 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)를 스토리지 장치(100)에 전송하여, 메모리에 대한 테스트를 진행할 수 있다. 메모리 리바이벌 펌웨어(FW)는 메모리 테스트 후, 불량 셀을 확인하고 속성을 분석하며 리페어를 수행한 다음, 테스트 결과를 속성 불량 분석 로그와 함께 호스트(200)에 리턴할 수 있다. 이와 같이, 불량 메모리를 리페어함으로써, 불량 디스크를 정상 디스크로 사용할 수 있게 된다. 따라서, 데이터 센터는 불량 디스크를 절감할 수 있고, 디스크 제조사는 고객 환경에서의 인하우스(In-house) 수준의 불량 분석이 가능할 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트(200)와 메모리 컨트롤러(110) 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 단계 S210에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리에서 진행성 불량을 감지한다. 단계 S220에서, 메모리 컨트롤러(110)는 호스트(200)에 불량 정보를 전송한다. 단계 S230에서, 메모리 컨트롤러(110)는 펌웨어 다운로드 가능 모드로 진입한다. 실시예에 따라, 단계 S220과 S230의 순서는 변경될 수 있다. 일부 실시예들에서, 단계 S220과 S230는 실질적으로 동시에 수행될 수도 있다.
단계 S240에서, 호스트(200)는 메모리 컨트롤러(110)에 메모리 리바이벌 펌웨어를 전송한다. 단계 S250에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리페어를 위해 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110)는 SRAM(111)에 다운로드된 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 메모리를 리페어할 수 있다.
단계 S260에서, 메모리 컨트롤러(110)는 테스트 결과를 호스트(200)로 전송한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리바이벌 펌웨어의 실행에 따른 테스트 결과 및 불량 셀의 속성을 분석한 결과를 획득할 수 있고, 이때, 획득된 결과는 테스트 결과 로그에 대응할 수 있다. 스토리지 장치(100)는 테스트 결과 로그를 호스트(200)에 제공할 수 있다. 단계 S260 이후, 스토리지 장치(100)를 포맷(formal)하여 불량 메모리를 재사용할 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러(110), 비휘발성 메모리(120) 및 휘발성 메모리(130) 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 단계 S310에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리에서 진행성 불량을 감지한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110)는 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)에서 복구 불가능한 에러(UECC)를 감지한다. 단계 S320에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 테스트 모드로 진입한다. 단계 S330에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리페어를 위해 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행한다.
단계 S340에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리페어를 위한 커맨드(CMD) 및 어드레스(ADDR)를 비휘발성 메모리(120)에 전송한다. 단계 S345에서, 비휘발성 메모리(120)는 비휘발성 메모리 리페어 동작을 수행한다. 단계 S350에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리페어를 위한 커맨드(CMD) 및 어드레스(ADDR)를 휘발성 메모리(130)에 전송한다. 단계 S355에서, 휘발성 메모리(130)는 휘발성 메모리 리페어 동작을 수행한다. 일부 실시예들에서, 단계 S350 및 S355는 단계 S340 및 S345 보다 먼저 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 단계 S340 및 S350의 순서는 변경될 수 있고, 단계 S345와 S355는 실질적으로 동시에 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 불량 메모리의 종류에 따라 단계 S340 및 S345 또는 단계 S350 및 S355는 생략될 수 있다.
단계 S360에서, 메모리 컨트롤러(110)는 SRAM(111)에 저장된 메모리 리바이벌 펌웨어를 휘발성 메모리(130)로 마이그레이션한다. 단계 S370에서, 메모리 컨트롤러(110)는 휘발성 메모리(130)에 액세스함으로써, SRAM 리페어 동작을 수행한다. 일부 실시예들에서, 불량 메모리의 종류에 따라 단계 S360 및 S370은 생략될 수 있다. 일부 실시예들에서, 단계 S360 및 S370은 단계 S340 내지 S355 보다 먼저 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 단계 S345, S355 및 S370은 실질적으로 동시에 수행될 수 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러(110)와 메모리(MEM) 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 단계 S410에서, 메모리(MEM)는 데이터 독출 동작을 수행한다. 메모리(MEM)는 예를 들어, 도 1의 비휘발성 메모리(120), 휘발성 메모리(130) 또는 SRAM(111)에 대응할 수 있다. 단계 S420에서, 메모리(MEM)는 메모리 컨트롤러(110)에 독출 데이터를 전송한다.
단계 S430에서, 메모리 컨트롤러(110)는 데이터의 손상 여부를 판단한다. 단계 S440에서, 메모리 컨트롤러(110)는 데이터의 복구 가능 여부를 판단한다. 판단 결과, 데이터의 복구가 가능한 경우, 메모리 컨트롤러(110)는 독출 데이터를 호스트(200)에 전달할 수 있다. 한편, 데이터의 복구가 불가능한 경우, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 테스트 모드로 진입한다. 단계 S430 및 S440에 대해서는 도 9를 참조하여 후술하기로 한다.
단계 S460에서, 메모리 리페어를 위해 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행한다. 단계 S470에서, 메모리 컨트롤러(110)는 메모리 리페어를 위한 커맨드(CMD) 및 어드레스(ADDR)를 메모리(MEM)에 전송한다. 단계 S480에서, 메모리(MEM)는 메모리 리페어 동작을 수행한다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따라, 데이터에 포함된 에러 비트의 개수에 따른 ECC 동작을 예시적으로 나타낸다.
도 2, 도 8 및 도 9를 함께 참조하면, 예를 들어, ECC 엔진(113)의 ECC 허용 범위는 1개의 에러 비트일 수 있다. 예를 들어, 물리 어드레스(PPNa)에서 1 비트 에러가 발생하여 물리 어드레스(PPNa)가 제1 손상된 물리 어드레스(PPNa')로 변경될 수 있다. 이때, 에러 비트 개수가 1개이므로 ECC 엔진(113)은 1 비트 에러를 정정할 수 있고, 이에 따라, 제1 손상된 물리 어드레스(PPNa')는 정상 물리 어드레스(PPNa)로 정정될 수 있다.
한편, 다른 예를 들어, 물리 어드레스(PPNb)에서 2 비트 에러가 발생하여 물리 어드레스(PPNb)가 제2 손상된 물리 어드레스(PPNa")로 변경될 수 있다. 이때, 에러 비트 개수가 2개이므로 ECC 엔진(113)은 2 비트 에러를 정정할 수는 없고, 단지 2 비트 에러를 검출할 수 있다. 따라서, 제2 손상된 물리 어드레스(PPNa")는 복구할 수 없는 데이터에 대응할 수 있다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 스토리지 시스템(10')을 나타내는 블록도이다.
도 10을 참조하면, 스토리지 시스템(10')은 스토리지 장치(100') 및 호스트(200')를 포함하고, 스토리지 장치(100')는 메모리 컨트롤러(110') 및 비휘발성 메모리(120')를 포함할 수 있다. 또한, 스토리지 장치(100')는 휘발성 메모리(130')를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 휘발성 메모리(130')는 DRAM일 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100')는 복수의 스토리지 장치들을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 스토리지 시스템(10')은 도 1의 스토리지 시스템(10)의 변형 예에 대응하며, 도 1 및 도 2를 참조하여 상술된 내용은 본 실시예에도 적용될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 스토리지 장치(100')는 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs)을 미리 저장할 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100')의 출하 전에 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs)은 메모리 컨트롤러(110') 또는 비휘발성 메모리(120')에 저장될 수 있다. 예를 들어, 비휘발성 메모리(120')의 메모리 셀 어레이(121')는 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs)을 저장할 수 있다. 이에 따라, 스토리지 장치(100')에서 불량 메모리가 발생한 경우, 스토리지 장치(100')는 호스트(200')로부터 펌웨어를 수신하지 않고, 스토리지 장치(100')에 미리 저장된 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs) 중 하나를 실행함으로써, 불량 메모리를 재생시킬 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 스토리지 장치(100')는 하나의 메모리 리바이벌 펌웨어를 미리 저장할 수도 있다
구체적으로, 스토리지 장치(100')는 불량 메모리를 감지하면 메모리 테스트 모드로 진입할 수 있다. 여기서, 메모리 테스트 모드는 스토리지 장치(100')에 미리 저장된 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 로드하여 로딩된 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 실행하는 모드일 수 있다. 예를 들어, 스토리지 장치(100')는 복구 불가능한 에러(UECC)를 감지하면, 복구 불가능한 에러가 발생한 메모리를 불량 메모리로 판단할 수 있다.
일 실시예에서, 스토리지 장치(100')는 불량 메모리의 속성 또는 종류를 기초로, 미리 저장된 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs) 중 특정 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 선택할 수 있고, 선택된 특정 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 실행할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 스토리지 장치(100')는 다양한 메모리들에 모두 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행할 수도 있다.
일 실시예에서, 스토리지 장치(100')는 SRAM(111')에 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa)를 로딩할 수 있다. 예를 들어, SRAM(111')에 로딩되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa)는 DRAM 리바이벌 펌웨어 또는 비휘발성 메모리 리바이벌 펌웨어일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, SRAM(111')에 로딩되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa)는 다양한 메모리들에 모두 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어일 수도 있다.
일 실시예에서, 스토리지 장치(100')는 DRAM(130')에 메모리 리바이벌 펌웨어(FWb)를 로딩할 수 있다. 예를 들어, DRAM(130')에 로딩되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FWb)는 SRAM 리바이벌 펌웨어 또는 비휘발성 메모리 리바이벌 펌웨어일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, DRAM(130')에 로딩되는 메모리 리바이벌 펌웨어(FWb)는 다양한 메모리들에 모두 적용 가능한 메모리 리바이벌 펌웨어일 수도 있다.
스토리지 장치(100')는 로딩된 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 실행시켜 메모리에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 스토리지 장치(100')는 메모리 리바이벌 펌웨어(FWa 또는 FWb)를 실행함으로써 불량 메모리 내의 불량 셀을 확인하고, 불량 속성을 분석하며, 불량 셀에 대한 리페어 동작을 수행할 수 있다. 구체적으로, 스토리지 장치(100')는 불량 셀을 리던던시 셀로 교체함으로써, 불량 메모리를 재생시킬 수 있고, 이에 따라, 불량 메모리를 재사용할 수 있다. 따라서, 스토리지 장치(100')를 교체하지 않을 수 있으므로, 비용을 절감할 수 있다.
도 11은 도 10의 비휘발성 메모리(120')에 포함된 메모리 셀 어레이(121')를 예시적으로 나타낸다.
도 11을 참조하면, 메모리 셀 어레이(121')는 메타 영역(Meta Area)(MA)과 스토리지 영역(Storage Area)(SA)로 구분될 수 있다. 메타 영역(MA)은 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWa, FWb, FWc)을 저장할 수 있다. 또한, 메타 영역(MA)은 스토리지 영역(SA)에 저장되는 사용자 데이터들에 대한 맵핑 정보를 저장하는 다수 개의 맵핑 테이블들을 포함할 수도 있다. 또한, 스토리지 영역(SA)은 다양한 단위로서 물리적 또는 논리적으로 구분될 수 있다. 예컨대, 스토리지 영역(SA)은 복수의 플레인들(PL1, PL2)을 포함할 수 있으며, 각 플레인(PL1, PL2)은 다수 개의 블록들(BLK1, BLK2)을 포함할 수 있다. 각 블록들(BLK1, BLK2)은 비휘발성 메모리(120')의 소거 단위일 수 있다.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 메모리 컨트롤러(110')와 비휘발성 메모리(120') 사이의 동작을 나타내는 흐름도이다.
도 10 내지 도 12를 함께 참조하면, 단계 S510에서, 메모리 컨트롤러(110')는 메모리에서 진행성 불량을 감지한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110')는 비휘발성 메모리(120'), DRAM(130') 또는 SRAM(111')에서 복구 불가능한 에러(UECC)를 감지한다. 단계 S520에서, 메모리 컨트롤러(110')는 불량 메모리의 종류에 따라 메모리 리바이벌 펌웨어를 선택한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110')는 불량 메모리의 종류에 따라 비휘발성 메모리(120')에 저장된 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들(FWs) 중 하나를 선택할 수 있다.
단계 S530에서, 메모리 컨트롤러(110')는 메모리 리바이벌 펌웨어의 독출을 위해, 독출 커맨드(RCMD) 및 어드레스(ADDR)를 비휘발성 메모리(120')에 전송한다. 단계 S540에서, 비휘발성 메모리(120')는 데이터 독출 동작을 수행한다. 예를 들어, 비휘발성 메모리(120')는 메모리 셀 어레이(121')의 메타 영역(MA)에 대해 독출 동작을 수행함으로써, 선택된 메모리 리바이벌 펌웨어를 독출할 수 있다.
단계 S550에서, 비휘발성 메모리(120')는 독출된 메모리 리바이벌 펌웨어를 메모리 컨트롤러(110')에 전송한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110')는 수신한 메모리 리바이벌 펌웨어를 SRAM(111') 또는 DRAM(130')에 로딩할 수 있다. 단계 S560에서, 메모리 컨트롤러(110')는 메모리 테스트 모드로 진입한다. 예를 들어, 메모리 테스트 모드는 메모리 리바이벌 펌웨어 로드 가능 모드에 대응할 수 있다. 일부 실시예들에서, 단계 S560은 단계 S550 이전에 수행될 수도 있다.
단계 S570에서, 메모리 컨트롤러(110')는 메모리 리페어를 위해 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행한다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(110')는 SRAM(111')에 다운로드된 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 불량 메모리를 리페어할 수 있다.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작의 일 예를 나타내는 흐름도이다.
도 13을 참조하면, 호스트는 예를 들어, 도 1의 호스트(200)에 대응할 수 있고, 스토리지는 예를 들어, 도 1의 스토리지 장치(100)에 대응할 수 있다. 도 1 내지 도 12를 참조하여 상술된 내용은 본 실시예에 적용될 수 있고, 중복된 설명은 생략하기로 한다. 이하에서는, 시간의 경과에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작의 일 예에 대해 설명하기로 한다. 호스트는 스토리지에 대한 데이터 입출력 동작을 수행 중일 수 있다(S600). 예를 들어, 호스트는 기입 요청 또는 독출 요청을 스토리지에 전달할 수 있고, 스토리지는 기입 요청 또는 독출 요청에 응답하여 데이터를 기입하거나 데이터를 독출할 수 있다.
제1 구간(131)에서, 스토리지에서 메모리 에러가 발생할 수 있다(S611). 예를 들어, 스토리지에 포함된 ECC 엔진은 비휘발성 메모리 또는 휘발성 메모리에서 UECC를 검출할 수 있다. 스토리지는 메모리 페일 어드레스, 즉, 메모리 불량 어드레스를 기록할 수 있다(S612). 예를 들어, 메모리 페일 어드레스는 물리적인 어드레스일 수 있다. 그러나, 본 개시는 이에 한정되지 않으며, 메모리 페일 어드레스는 논리적인 어드레스일 수도 있다. 이어서, 스토리지는 메모리 페일 시그니처(signature)를 마킹할 수 있다. 예를 들어, 스토리지는 비휘발성 메모리의 특정 영역 또는 SRAM의 특정 영역 등에 메모리 페일 시그니처를 마킹할 수 있다. 이어서, 스토리지를 리셋할 수 있다(S614). 이에 따라, 제1 구간(131)은 제1 리셋 구간 또는 제1 리셋 사이클이라고 지칭할 수도 있다. 예를 들어, 스토리지는 메인 펌웨어를 실행함으로써, 단계 S611 내지 단계 S614를 수행할 수 있다.
스토리지가 리셋되면, 제2 구간(132)이 시작될 수 있다. 제2 구간(132)에서 스토리지는 고장 모드 또는 메모리 테스트 모드에 진입할 수 있다. 먼저, 스토리지는 메모리 페일 시그니처를 체크할 수 있다(S621). 이어서, 스토리지는 메모리 페일 알림(notification)을 호스트에 전달할 수 있고(S622), 호스트는 스토리지로부터 메모리 페일 알림을 수신할 수 있다(S630). 스토리지는 메모리 리바이벌 펌웨어를 다운로드받을 수 있다(S641). 일 실시예에서, 스토리지의 메모리 컨트롤러(예를 들어, 도 1의 110)는 호스트로부터 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지의 메모리 컨트롤러(예를 들어, 도 10의 110')는 비휘발성 메모리(예를 들어, 도 10의 120')로부터 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신할 수 있다.
스토리지는 메모리 에러를 리페어하도록, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행할 수 있다(S640). 구체적으로, 스토리지는 메모리에 대한 테스트 및 리페어 동작을 수행하고(S642), 결과를 리턴(return)시키고(S643), 메모리 수리(fixed) 시그니처를 다시 마킹할 수 있다. 예를 들어, 스토리지는 메모리 페일 시그니처를 메모리 수리 시그니처로 변경할 수 있다. 예를 들어, 메모리 페일 시그니처가 논리 '1'인 경우, 메모리 수리 시그니처는 논리'0'일 수 있다. 이어서, 스토리지를 리셋할 수 있다(S645). 이에 따라, 제2 구간(132)은 제2 리셋 구간 또는 제2 리셋 사이클이라고 지칭할 수도 있다. 예를 들어, 스토리지는 메인 펌웨어를 실행함으로써, 단계 S621 내지 단계 S645를 수행할 수 있다.
스토리지가 리셋되면, 제3 구간(133)이 시작될 수 있다. 제3 구간(133)에서 스토리지는 고장 모드 또는 메모리 테스트 모드에 진입할 수 있다. 먼저, 스토리지는 메모리 수리 시그니처를 체크할 수 있다(S651). 이어서, 스토리지는 메모리 수리 알림을 호스트에 전달할 수 있고(S653), 호스트는 스토리지로부터 메모리 수리 알림을 수신할 수 있다(S660). 예를 들어, 스토리지는 메인 펌웨어를 실행함으로써, 단계 S651 및 단계 S653을 수행할 수 있다. 이어서, 호스트는 스토리지를 포맷하고(S670), 스토리지를 재사용할 수 있다(S680).
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작의 다른 예를 나타내는 흐름도이다.
도 14를 참조하면, 호스트는 예를 들어, 도 1의 호스트(200)에 대응할 수 있고, 스토리지는 예를 들어, 도 1의 스토리지 장치(100)에 대응할 수 있다. 본 실시예에 따른 호스트와 스토리지 사이의 동작은 도 13에 예시된 호스트와 스토리지 사이의 동작의 변형 예에 대응할 수 있다. 따라서, 도 13을 참조하여 상술된 내용은 본 실시예에도 적용될 수 있고, 중복된 설명은 생략하기로 한다. 호스트는 스토리지에 대한 데이터 입출력 동작을 수행 중일 수 있다(S600). 제1 구간(141)에서 스토리지 장치의 동작은, 도 13의 제1 구간(131)에서의 스토리지 장치의 동작과 실질적으로 동일하게 수행될 수 있다.
스토리지가 리셋되면, 제2 구간(142)이 시작될 수 있다. 제2 구간(142)에서 스토리지는 고장 모드 또는 메모리 테스트 모드에 진입할 수 있다. 먼저, 스토리지는 메모리 페일 시그니처를 체크할 수 있다(S621). 메모리 페일 시그니처의 확인 결과, 메모리 페일인 경우, 스토리지는 메모리 리바이벌 펌웨어를 다운로드받을 수 있다(S641a). 이때, 스토리지의 메모리 컨트롤러(예를 들어, 도 10의 110')는 비휘발성 메모리(예를 들어, 도 10의 120')로부터 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신할 수 있다. 예를 들어, 스토리지는 ROM 코드를 실행함으로써, 단계 S621 및 S641a를 수행할 수 있다. 스토리지는 메모리 에러를 리페어하도록, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행할 수 있다(S640). 구체적으로, 스토리지는 메모리에 대한 테스트 및 리페어 동작을 수행하고(S642), 결과를 리턴(return)시키고(S643), 메모리 수리(fixed) 시그니처를 다시 마킹할 수 있다. 이어서, 스토리지를 리셋할 수 있다(S645).
스토리지가 리셋되면, 제3 구간(143)이 시작될 수 있다. 제3 구간(143)에서, 스토리지는 메모리 수리 시그니처를 체크할 수 있다(S651). 메모리 수리 시그리쳐의 확인 결과, 메모리가 수리된 경우, 스토리지는 비휘발성 메모리로부터 노멀 펌웨어를 수신하여 부팅할 수 있다(S652). 예를 들어, 스토리지는 ROM 코드를 실행함으로써, 단계 S651 및 S652를 수행할 수 있다. 이어서, 스토리지는 메모리 페일 알림을 호스트에 전달할 수 있고(S654), 호스트는 스토리지로부터 메모리 페일 알림을 수신할 수 있다(S665). 예를 들어, 스토리지는 메인 펌웨어를 실행함으로써, 단계 S654를 수행할 수 있다. 이어서, 호스트는 스토리지를 포맷하고(S670), 스토리지를 재사용할 수 있다(S680).
도 15는 본 개시의 일 실시예에 따른 네트워크 시스템(1000)을 나타낸다.
도 15를 참조하면, 네트워크 시스템(1000)은 각종 데이터를 모아두고 서비스를 제공하는 시설로서, 데이터 센터 또는 데이터 스토리지 센터라고 지칭될 수도 있다. 네트워크 시스템(1000)는 어플리케이션 서버들(1100 내지 1100n) 및 스토리지 서버들(1200 내지 1200n)을 포함할 수 있고, 어플리케이션 서버들(1100 내지 1100n) 및 스토리지 서버들(1200 내지 1200n)은 컴퓨팅 노드들로 지칭할 수도 있다. 어플리케이션 서버들(1100 내지 1100n)의 개수 및 스토리지 서버들(1200 내지 1200n)의 개수는 실시예에 따라 다양하게 선택될 수 있고, 어플리케이션 서버들(1100 내지 1100n)의 개수 및 스토리지 서버들(1200 내지 1200n)의 개수는 서로 다를 수 있다.
어플리케이션 서버들(1100 내지 1100a) 및 스토리지 서버들(1200 내지 1200b)은 네트워크(1300)를 통해 서로 통신할 수 있다. 네트워크(1300)는 FC(Fibre Channel) 또는 이더넷(Ethernet) 등을 이용하여 구현될 수 있다. 이때, FC는 고속 데이터 전송에 사용되는 매체이며, 고성능/고가용성을 제공하는 광 스위치를 사용할 수 있다. 네트워크(1300)의 액세스 방식에 따라 스토리지 서버들(1200 내지 1200n)은 파일 스토리지, 블록 스토리지, 또는 오브젝트 스토리지로서 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 네트워크(1300)는 SAN(Storage Area Network)와 같은 스토리지 전용 네트워크일 수 있다. 예를 들어, SAN은 FC 네트워크를 이용하고 FCP(FC Protocol)에 따라 구현된 FC-SAN일 수 있다. 다른 예를 들어, SAN은 TCP/IP 네트워크를 이용하고 iSCSI(SCSI over TCP/IP 또는 Internet SCSI) 프로토콜에 따라 구현된 IP-SAN일 수 있다. 다른 실시예에서, 네트워크(1300)는 TCP/IP 네트워크와 같은 일반 네트워크일 수 있다. 예를 들어, 네트워크(1300)는 FCoE(FC over Ethernet), NAS(Network Attached Storage), NVMe-oF(NVMe over Fabrics) 등의 프로토콜에 따라 구현될 수 있다.
이하에서는, 어플리케이션 서버(1100) 및 스토리지 서버(1200)를 중심으로 설명하기로 한다. 어플리케이션 서버(1100)에 대한 설명은 다른 어플리케이션 서버(1100n)에도 적용될 수 있고, 스토리지 서버(1200)에 대한 설명은 다른 스토리지 서버(1200n)에도 적용될 수 있다.
어플리케이션 서버(1100)는 프로세서(1110) 및 메모리(1120) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 프로세서(1110)는 어플리케이션 서버(1100)의 전반적인 동작을 제어할 수 있고, 메모리(1120)에 액세스하여 메모리(1120)에 로딩된 명령어 및/또는 데이터를 실행할 수 있다. 실시예에 따라, 어플리케이션 서버(1100)에 포함되는 프로세서(1110)의 개수 및 메모리(1120)의 개수는 다양하게 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1110)와 메모리(1120)는 프로세서-메모리 페어(pair)로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1110)와 메모리(1120)의 개수는 서로 다르게 구성될 수도 있다.
어플리케이션 서버(1100)는 스토리지 장치(1150)를 더 포함할 수도 있다. 이때, 어플리케이션 서버(1100)에 포함되는 스토리지 장치(1150)의 개수는 실시예에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 프로세서(1110)는 스토리지 장치(1150)에 커맨드를 제공할 수 있고, 스토리지 장치(1150)는 프로세서(1110)로부터 수신한 커맨드에 응답하여, 또는 자체적으로 디바이스 정보를 생성할 수 있고, 생성된 디바이스 정보를 프로세서(1110)에 제공할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 어플리케이션 서버(1100)는 스토리지 장치(1150)를 포함하지 않을 수도 있다.
어플리케이션 서버(1100)는 스위치(1130) 및 NIC(Network Interface Card)(1140)를 더 포함할 수 있다. 스위치(1130)는 프로세서(1110)의 제어에 따라 프로세서(1110)와 스토리지 장치(1150)를 선택적으로 연결시키거나, NIC(1140)과 스토리지 장치(1150)를 선택적으로 연결시킬 수 있다. NIC(1140)은 유선 인터페이스, 무선 인터페이스, 블루투스 인터페이스, 광학 인터페이스 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1110)와 NIC(1140)는 하나로 통합될 수 있다. 다른 실시예에서, 스토리지 장치(1150)와 NIC(1140)는 하나로 통합될 수도 있다.
어플리케이션 서버(1100)는 사용자 또는 클라이언트가 저장 요청한 데이터를 네트워크(1300)를 통해 스토리지 서버들(1200 내지 1200n) 중 하나에 저장할 수 있다. 또한, 어플리케이션 서버(1100)는 사용자 또는 클라이언트가 독출 요청한 데이터를 스토리지 서버들(1200 내지 1200n) 중 하나로부터 네트워크(1300)를 통해 획득할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 서버(1100)는 웹 서버 또는 DBMS(Database Management System) 등으로 구현될 수 있다.
어플리케이션 서버(1100)는 네트워크(1300)를 통해 다른 어플리케이션 서버(1100n)에 포함된 메모리(1120n) 또는 스토리지 장치(1150n)에 액세스할 수 있고, 또는 네트워크(1300)를 통해 스토리지 서버(1200, 1200n)에 포함된 메모리(1220, 1220n) 또는 스토리지 장치(1250, 1250n)에 액세스할 수 있다. 이로써, 어플리케이션 서버(1100)는 어플리케이션 서버(1100, 1100n) 및/또는 스토리지 서버(1200, 1200n)에 저장된 데이터에 대해 다양한 동작들을 수행할 수 있다. 예를 들어, 어플리케이션 서버(1100)는 어플리케이션 서버(1100, 1100n) 및/또는 스토리지 서버(1200, 1200n) 사이에서 데이터를 이동 또는 카피(copy)하기 위한 명령어를 실행할 수 있다.
스토리지 서버(1200)는 프로세서(1210) 및 메모리(1220) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 프로세서(1210)는 스토리지 서버(1200)의 전반적인 동작을 제어할 수 있고, 메모리(1220)에 액세스하여 메모리(1220)에 로딩된 명령어 및/또는 데이터를 실행할 수 있다. 실시예에 따라, 스토리지 서버(1200)에 포함되는 프로세서(1210)의 개수 및 메모리(1220)의 개수는 다양하게 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1210)와 메모리(1220)는 프로세서-메모리 페어로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1210)와 메모리(1220)의 개수는 서로 다르게 구성될 수도 있다.
프로세서(1210)는 단일 코어 프로세서 또는 다중 코어 프로세서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1210)는 범용 프로세서, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphic Processing Unit), DSP(Digital Signal Processor), MCU(Microcontroller), 마이크로프로세서(Microprocessor), 네트워크 프로세서, 임베디드 프로세서, FPGA(field programmable gate array), ASIP(application-specific instruction set processor), ASIC(application-specific integrated circuit processor) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(1210)는 공통 프로세서 패키지, 다중 코어 프로세서 패키지, SoC(system-on-chip) 패키지, SiP(system-in-package) 패키지, SOP(system-on-package) 패키지 등으로 패키징될 수 있다.
스토리지 서버(1200)는 적어도 하나의 스토리지 장치(1250)를 더 포함할 수 있다. 스토리지 서버(1200)에 포함되는 스토리지 장치(1250)의 개수는 실시예에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 스토리지 장치(1250)는 컨트롤러(Controller, CTRL)(1251), 낸드 플래시(NAND, 1252), DRAM(1253) 및 인터페이스(Interface, I/F)(1254)를 포함할 수 있다. 이하에서는, 스토리지 장치(1250)의 구성 및 동작에 대해 상술하기로 한다. 스토리지 장치(1250)에 대한 이하의 설명은 다른 스토리지 장치(1150, 1150n, 1250n)에도 적용될 수 있다.
인터페이스(1254)는 프로세서(1210)와 컨트롤러(1251)의 물리적 연결 및 NIC(1240)과 컨트롤러(1251)의 물리적 연결을 제공할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스(1254)는 스토리지 장치(1250)를 전용 케이블로 직접 접속하는 DAS(Direct Attached Storage) 방식으로 구현될 수 있다. 또한, 예를 들어, 인터페이스(1254)는 ATA(Advanced Technology Attachment), SATA(Serial ATA), e-SATA(external SATA), SCSI(Small Computer Small Interface), SAS(Serial Attached SCSI), PCI(Peripheral Component Interconnection), PCIe(PCI express), NVMe(NVM express), IEEE 1394, USB(universal serial bus), SD(secure digital) 카드, MMC(multi-media card), eMMC(embedded multi-media card), CF(compact flash) 카드 인터페이스 등과 같은 다양한 인터페이스 방식으로 구현될 수 있다.
컨트롤러(1251)는 스토리지 장치(1250)의 동작을 전반적으로 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 컨트롤러(1251)는 SRAM(Static Random Access Memory)을 포함할 수 있다. 컨트롤러(1251)는 기입 커맨드에 응답하여 낸드 플래시(1252)에 데이터를 기입할 수 있고, 또는 독출 커맨드에 응답하여 낸드 플래시(1252)로부터 데이터를 독출할 수 있다. 예를 들어, 기입 커맨드 및/또는 독출 커맨드는 스토리지 서버(1200) 내의 프로세서(1210), 다른 스토리지 서버(1200n) 내의 프로세서(1210n) 또는 어플리케이션 서버(1100, 1100n) 내의 프로세서(1110, 1110n)로부터 제공될 수 있다.
낸드 플래시(1252)는 복수의 낸드 플래시 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 스토리지 장치(1250)는 낸드 플래시(1252) 이외의 다른 비휘발성 메모리, 예를 들어, ReRAM(resistive RAM), PRAM(phase change RAM), 또는 MRAM(magnetic RAM)을 포함하거나, 또는 자기 저장 매체나 광학 저장 매체 등을 포함할 수 있다.
DRAM(Dynamic RAM)(1253)은 버퍼 메모리로 이용될 수 있다. 예를 들어, DRAM(1253)은 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM), LPDDR(Low Power DDR) SDRAM, GDDR(Graphics DDR) SDRAM, RDRAM(Rambus DRAM) 또는 HBM(High Bandwidth Memory)일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 스토리지 장치(1250)는 DRAM 이외의 다른 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 버퍼 메모리로 이용할 수도 있다.
스토리지 장치(1250)의 구성은 상술된 내용에 한정되지 않으며, DRAM, SDRAM, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid-State Drive), RAID(Redundant Array of Independent Disks) 볼륨(volume), NVDIMM(Non-Volatile Dual In-line Memory Module), NAS(Network Attached Storage), 평면형 또는 3차원 낸드 플래시 또는 노아 플래시와 같은 플래시 메모리, 3차원 크로스포인트 메모리, NVMRAM(Non-Volatile MRAM), ReRAM, PRAM, FRAM, ReRAM 멤리스터(Memristor) 등과 같은 다양한 메모리들 및 이들의 조합으로 구성될 수 있다.
스토리지 서버(1200)는 스위치(1230) 및 NIC(1240)을 더 포함할 수 있다. 스위치(1230)는 프로세서(1210)의 제어에 따라 프로세서(1210)와 스토리지 장치(1250)를 선택적으로 연결시키거나, NIC(1240)과 스토리지 장치(1250)를 선택적으로 연결시킬 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(1210)와 NIC(1240)는 하나로 통합될 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 장치(1250)와 NIC(1240)는 하나로 통합될 수도 있다.
스토리지 장치들(1150, 1150n, 1250, 1250n)은 도 1 내지 도 14를 참조하여 상술된 실시예들에 따라 구현될 수 있다. 구체적으로, 본 개시의 일부 실시예들에 따르면, 스토리지 장치(1250)의 컨트롤러(1251)는 SRAM을 포함할 수 있고, 스토리지 장치(1250)는 SRAM, 낸드 플래시(1252) 및/또는 DRAM(1253)에서 복구 불가능한 에러(UECC)를 검출할 수 있다. 이때, 스토리지 장치(1250)는 네트워크(1300)를 통해 UECC 검출 정보를 어플리케이션 서버(1100)에 제공할 수 있다. 어플리케이션 서버(1100)는 UECC 검출 정보에 따라 스토리지 장치(1250)가 리바이벌 모드에 진입하도록 리바이벌 커맨드를 생성하고, 생성된 리바이벌 커맨드를 네트워크(1300)를 통해 스토리지 장치(1250)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 어플리케이션 서버(1100)는 메모리 리바이벌 펌웨어를 스토리지 장치(1250)에 제공할 수 있다.
스토리지 장치(1250)는 리바이벌 커맨드에 응답하여, 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행시켜 SRAM, 낸드 플래시(1252) 및/또는 DRAM(1253) 내의 불량 메모리를 재생시킬 수 있다. 구체적으로, 스토리지 장치(1250)는 SRAM, 낸드 플래시(1252) 및/또는 DRAM(1253) 내의 불량 셀을 확인하고, 불량 속성을 분석하며, 불량 셀에 대한 리페어 동작을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 장치(1250)는 어플리케이션 서버(1100)로부터 수신한 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 스토리지 장치(1250)는 낸드 플래시(1252)에 미리 저장된 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행할 수도 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 스토리지 장치로서,
    비휘발성 메모리;
    휘발성 메모리; 및
    상기 비휘발성 메모리 및 상기 휘발성 메모리를 제어하고, 메모리 리바이벌(revival) 펌웨어를 실행하도록 구성된 메모리 컨트롤러를 포함하고,
    상기 스토리지 장치의 동작 중 상기 비휘발성 메모리 및 상기 휘발성 메모리 중 적어도 하나에 대해 진행성 불량(progressive defect)이 발생한 경우, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 상기 진행성 불량이 발생한 불량 메모리에 대해 리페어(repair) 동작을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는,
    상기 진행성 불량을 감지하면 호스트에 상기 진행성 불량에 관한 정보를 전달하고, 펌웨어 다운로드 가능 모드에서 상기 호스트로부터 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 진행성 불량에 관한 정보는, 상기 진행성 불량이 발생한 메모리의 종류 또는 속성에 대한 정보를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 진행성 불량이 발생한 메모리의 종류 또는 속성에 대응하는 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 상기 호스트로부터 수신하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리는 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 저장하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 진행성 불량을 감지하면 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신하고, 수신한 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 비휘발성 메모리는 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들을 저장하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 진행성 불량이 발생한 메모리의 종류 또는 속성에 따라 상기 복수의 메모리 리바이벌 펌웨어들 중 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 제1 리바이벌 펌웨어를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 비휘발성 메모리에 대해 상기 진행성 불량이 발생한 경우, 상기 제1 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 상기 리페어 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 상기 제1 리바이벌 펌웨어와 다른 제2 리바이벌 펌웨어를 더 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 휘발성 메모리에 대해 상기 진행성 불량이 발생한 경우, 상기 제2 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 상기 리페어 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러는, 상기 휘발성 메모리에 대해 상기 진행성 불량이 발생한 경우, 상기 제1 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써 상기 리페어 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러는,
    상기 불량 메모리에 포함된 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 불량 셀을 리던던시(redundancy) 셀로 교체함으로써, 상기 리페어 동작을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 휘발성 메모리는 DRAM을 포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 제1 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, SRAM을 포함하고,
    상기 SRAM에 대해 진행성 불량이 발생한 경우, 상기 메모리 컨트롤러는 제3 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 SRAM에 대해 리페어 동작을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 제1 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는, SRAM을 포함하고,
    상기 SRAM에 대해 진행성 불량이 발생한 경우, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 제1 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 SRAM에 대해 리페어 동작을 수행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 스토리지 장치.
  13. 비휘발성 메모리, 휘발성 메모리, 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법으로서,
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 비휘발성 메모리 또는 상기 휘발성 메모리에서 진행성 불량을 감지하는 단계;
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 진행성 불량이 감지되면 메모리 테스트 모드로 진입하는 단계; 및
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 메모리 테스트 모드에서 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 비휘발성 메모리 또는 상기 휘발성 메모리에 대해 리페어 동작을 수행하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 진행성 불량이 감지되면, 상기 메모리 컨트롤러가 호스트에 상기 진행성 불량에 대한 정보를 전달하는 단계; 및
    상기 메모리 컨트롤러가 상기 호스트로부터 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신하는 단계를 더 포함하고,
    상기 리페어 동작을 수행하는 단계는, 상기 호스트로부터 수신한 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 진행성 불량이 감지되면, 상기 메모리 컨트롤러가 상기 비휘발성 메모리로부터 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 수신하는 단계를 더 포함하고,
    상기 리페어 동작을 수행하는 단계는, 상기 비휘발성 메모리로부터 수신한 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 상기 비휘발성 메모리에 대한 리페어 동작 및 상기 휘발성 메모리에 대한 리페어 동작을 모두 실행 가능한 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는,
    상기 비휘발성 메모리에 대한 리페어 동작을 실행 가능한 제1 메모리 리바이벌 펌웨어, 및
    상기 휘발성 메모리에 대한 리페어 동작을 실행 가능한 제2 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 메모리 컨트롤러는 SRAM을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 SRAM에서 진행성 불량을 감지하는 단계; 및
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 메모리 테스트 모드에서 상기 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 SRAM에 대해 리페어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 메모리 리바이벌 펌웨어는 제1 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는 SRAM을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 SRAM에서 진행성 불량을 감지하는 단계; 및
    상기 메모리 컨트롤러에 의해, 상기 메모리 테스트 모드에서 제3 메모리 리바이벌 펌웨어를 실행함으로써, 상기 SRAM에 대해 리페어 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 메모리를 제어하기 위한 메모리 컨트롤러로서,
    상기 메모리와 데이터를 송수신하도록 구성된 메모리 인터페이스;
    상기 메모리로부터 독출된 데이터의 에러를 정정하기 위한 ECC 엔진; 및
    상기 ECC 회로에 의해 정정되지 않는 복구 불가능한 에러가 발생한 경우 상기 메모리에 대한 리페어 동작을 수행하도록 구성된 메모리 리바이벌 펌웨어를 포함하는 메모리 컨트롤러.
KR1020200017144A 2019-09-20 2020-02-12 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 KR20210034456A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020121109.0A DE102020121109A1 (de) 2019-09-20 2020-08-11 Speicher-controller, speichervorrichtungen und betriebsverfahren der speichervorrichtungen
CN202010895577.9A CN112540869A (zh) 2019-09-20 2020-08-31 存储器控制器、存储装置和存储装置的操作方法
US17/019,929 US11380418B2 (en) 2019-09-20 2020-09-14 Memory controllers, storage devices, and operating methods of the storage devices

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190116356 2019-09-20
KR20190116356 2019-09-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210034456A true KR20210034456A (ko) 2021-03-30

Family

ID=75265267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200017144A KR20210034456A (ko) 2019-09-20 2020-02-12 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210034456A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230068240A (ko) * 2021-11-10 2023-05-17 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 이의 동작 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230068240A (ko) * 2021-11-10 2023-05-17 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 이의 동작 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10372570B2 (en) Storage device, test system for testing the same, and method thereof
KR102233400B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US11334423B2 (en) Memory devices for performing repair operation, memory systems including the same, and operating methods thereof
US12045118B2 (en) Node coherency for storage related data
KR102592803B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US11437118B2 (en) Memory device and test method thereof
US12061817B2 (en) Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same
US11762572B2 (en) Method of operating storage device and method of operating storage system using the same
CN110825655A (zh) 存储器件、存取数据的方法及管理数据的方法
US11481153B2 (en) Data storage device and operating method thereof
US11380418B2 (en) Memory controllers, storage devices, and operating methods of the storage devices
KR102469098B1 (ko) 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치
KR20220080915A (ko) 스토리지 장치와 호스트 장치의 구동 방법 및 스토리지 장치
KR20210034456A (ko) 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
US20230126685A1 (en) Storage device and electronic system
US11662949B2 (en) Storage server, a method of operating the same storage server and a data center including the same storage server
US11157401B2 (en) Data storage device and operating method thereof performing a block scan operation for checking for valid page counts
KR20230037255A (ko) 이벤트 로그 관리 방법, 컨트롤러 및 저장 장치
US20240256175A1 (en) Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller
US20230325093A1 (en) Storage device and operating method thereof
EP4246330A1 (en) Storage device and operating method thereof
US20240241646A1 (en) Memory system and method of operating memory system
US20220011939A1 (en) Technologies for memory mirroring across an interconnect
KR20240109057A (ko) 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230169885A (ko) 영구 메모리 장치 및 컴퓨팅 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination