TW200909611A - Synergistic corrosion management systems for controlling, eliminating and/or managing corrosion - Google Patents

Description

200909611 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明一般而言係關於經設計以傳輸兩種或多種不* 防腐蝕化合物（例如兩種或多種不同類型之防腐蝕化人頒里之 閉物之協同腐蝕管理系統，及其使用方法。更明確士〇勿）至封 明係關於經設計以消除、管理、控制及/或緩和容器=，本發 池槽及/或儲存槽（例如地面上儲存槽）中之腐蝕之 ^閉，、 系統。於一項具體實施例中，本發明係利用至少#=蝕g理 / ~'種险；1^么装 礎之腐錄護或緩和純、至少—種可紐额抑制 種揮發性或氣相腐餘抑制劑之組合。於另一項1雕h ’ 中，本發明係利用至少一種陰極腐蝕防護或緩和系統、A =例 ，可溶性腐崎制劑及至少-種揮發性或氣相腐财制 缓和及/或消除地面上儲存槽之底層部份中= 15 20 在現代商業與工業中，多種用品之有效使 A ^ :或多種適當抑制劑而被延長及/或保存。抑制；：：：由提供 :化合物組群，其可減緩特定用品由於例如腐 1二種化合物 二，、分解、降解及/或腐敗，或化作用所 某些金屬易於腐蝕及/或銹晦。 主.使其湞除。例如， 一種化合物(或化合物組群） 種情況中，適當抑制劑係為 要之一或多翻品免於其周· 抑㈣’藉以保護所 其中在可使用金屬物件中不利作用。 用品表面之氧化作用、銹斑、二 > 為表象之常見指徵為此等 發生在金屬物件中，特別是&日j、斑點或掩色。此等表象係 均+路至呈無論是氣體或液相之氯 200909611 化物、sox、co2、h2s、氧及/或水時。此外，硫化物、氯化物 (或氣）、二氧化碳及/或二氧化硫亦可造成腐蝕或銹晦問題。由 於氧與水兩者，包括水蒸汽，係於正常情況下發生’且可在自 然中取得，故通常必須採取預防措施以防止含有金屬或金屬用 品中於正常使用期間之腐姓。經常發現在正常大氣與環境條件 下易被腐餘之金屬，係包括但不限於鐵，鋁，及此等金屬之合 金。此外’適當保護亦可為混合物件（意即，為部份金屬或含有 顯著量金屬於其中之物件）所需要，譬如鋼筋混凝土。 鑒於對保護各種物件免於腐蝕之廣泛需求，不管該物件為金 屬或其他，多種短暫留存系統已被利用。例如，VCI膠囊之使用 係允許生產者/製造者將VCI膠囊放置在現有包裝系統或封閉物 (=儲存槽）巾’ W必重新料之，同時減較被包含在該 =内，產物係經保護以防止腐飯、_或—些其他形式 15 20 為基叙純—般錢限於倾金躲面，或與 體或氣態大氣接觸之其他易靡之表面。 合結構譬如鋼筋混凝土巾，與在和及/或降低發生在混 地面下兩種類）中之腐贿率。此種^構譬如儲存槽（地面上與 括僅保護與陰極系統呈電流接觸之3糸統具有—些缺點，包 在電解質為基礎之陰極系統情、，^配件或表面之能力，或 電解質中之表面。因此，在㈣ 堇保護完全被浸沒於適當 保持未經保護(例如與蒸氣空間、处#之N況中，不同表面仍然 面）。 A乳或—些其他氣體接觸之表 在其他情財’可溶性腐㈣制劑已制《保護例如被健存 7 200909611 =存槽内之液體。此齡統遭遇到各種缺點，包括：⑴其中 對槽桶之保護所必須之可溶性腐餘抑制劑之量，會導 lil二於其Γ之液體污染之狀況；及/或⑺其中可溶性腐餘抑制 如在油儲存㈣存槽中液體之-個不連續部份(例 、a中之水或一些其他含水液體）内腐蝕之狀況。 人免&且±〆山碣系、，先。此外，此種方法具有之使用壽命不適 :==::r:r，例如，使用陰極系統‘ 系統)之補充既昂者’某些目前所使用系統(譬如陰極 響==之;:別是地面上之儲存槽，多重環境因素會影 憾：腐蝕’而若存在時，特別是此種槽桶之雙重底 15 20 與至少-:腐二限於槽桶之使用年紀、曝露或 水飽和程度及—或多個“;广:桶底部内側之砂之 素在儲存槽壽命期間之；於 提抗所有現存因i改、“_技術並未 沒於電解質中（咅即包# σ卩金屬表面（例如雙重底部）完全被浸 腐简制難在㈣日铸生仙；⑺單獨之可溶性 内部金屬表面（例如问/辰X，及僅在欲被保護槽桶之任何 姓抑制劑之溶劑中二”）完全被浸沒於帶有所要可溶性腐 礎之陰極健且併氣”）時為有效；（3)電解質為基 或夕種可溶性腐蝕抑制劑，其中一或多 8 200909611 ，可=腐蝕抑制劑係存在於陰極系統之電解質中 ^ 八"'人僅在欲被保護槽桶之任何内部金屬表面（例如隹有 ^ Si浸沒於電解Μ (意即無蒸氣蝴時才有致^重 j桶之充填與排放會造成槽桶底部撓曲及呈波2功 乳空間被產生，且會導致-或多種上述缺點：由於 广:二間可能為均勻或在隔離袋中，故其可造成電^ 二L 極f餘防護或緩和系統之電解質失去與上層金屬二、 於錢得電解質為基礎之陰極躲防護或緩和 可洛性腐蝕抑制劑系統無效。 系統與 二：> 旦具有可溶性腐蝕抑制劑於其中之電解質為其斑 15 20 ::'防濩或緩和系統已被施行，當槽桶係於操作中日， 門=效率便不能被修改。於此種狀況中，變得必須在〜 間飾止㈣此種槽桶’以補充及/或維修此種系統。κ 因，，在明白或為回應改變中之環境及域應用條件下 :財有需要-種提供彈性防輕之系統與方法，而同^此 才不同量之—或多種可揮發化合物之彈性傳輸。 文允 【發明内容】 ，明—般而言侧於經設計以傳輸兩種或多種不同 2钱化合物（例如兩種或多種不同類型之防腐钱化合物=之 閉物之協同纽管理系統’及其使用方法。更明確言之，^封 ::關於經設計以消除、管理、控制及/或緩和容器、封閉：發 ::及/或儲存槽(例如地面上儲存槽)中之腐钱之 =、 t統。於—項具體實施例中，本發明係利用至少-‘ η里 礎之腐趣護或緩和系統、至少—種可溶 ^為基 9 200909611 一種揮發性或氣# 中，本發明係利用目^^虫抑制劑之組合。於另一項具體實施例 種可溶性腐蝕抑制南少—種陰極腐蝕防護或緩和系統、至少一 合，以控制、緩和”丨及至少一種揮發性或氣相腐蝕抑制劑之組 或容器之一部份 τ/本务明係關於一種保護槽桶、封閉物 或氣相腐餘抑制^協=系統’此系統包括：（i)至少-種揮發性 係經選擇，以p d，、其中該至少—種揮發性或氣相腐蝕抑制劑 重底部下方區域止或降低位於槽桶、封閉物或容器之底部或雙 物之量；内至V個瘵軋空間中之一或多種腐I虫性化合 性腐餘抑制劑3制劑，其中該至少一種可溶 性腐餘抑制_細^在適^㈣内，且其中該至少―種可溶 閉物或容器之广:擇，以防止或降低被包含在位於槽桶、封 或多種腐或雙重底部下方區域内之至少-種液體中- 15 20 護或緩和系統，σ物之里，及(111)至少一種陰極為基礎之腐蝕防 系統係經設計，其中该至少一種陰極為基礎之腐蝕防護或緩和 少一個金屬h以防止或降低發生在槽桶、封閉物或容器之至 、萄底部或雙重底層部份中之腐蝕

另—項具髀给斤/, + L 物或容器之一 Α Λ & $ ，本發明係關於一種保護槽桶、封閉 性或氣相腐之協同系統’此系統包括：⑷至少-種揮發 劑係經設計，、卩制劑，其中该至少一種揮發性或氣相腐蝕抑制 雙重底部下方、防止或降低位於槽桶、封閉物或容器之底部或 合物之量；區域内至少一個蒸氣空間中之一或多種腐蝕性化 溶性腐細㈣至少—種可溶性躲抑侧，其中該至少-種可 |劑係被包含在適當溶劑内，且其中該至少—種可 10 200909611 容制劑係經設計’以防止或降低位於槽桶、封閉物或 腐:性化IS底區軸至少-種液體中之-或多種 護或緩和系統，：中該至二==，防 或緩和系统之電解質亦充作該至少；蝕防護 =2：；該至少—種電解質為基礎之陰極腐溶 十’以防止或降料生在槽桶、封閉物糸 —個金屬底部或雙重底層部份中之賴量。之至少 【實施方式】 10 15 =二同腐嫩系統’及其使用…"二合物)至封 月係關於_計以消除、管理、控制及 。之’本發 池槽及/或財讀(例如_讀存槽Η之腐狀^，閉物' t統广項具體實施例中，本發明係利用至：:虫管理 礎之腐蝕防護或緩和系統、至 種陰拯為基 -種揮發性或氣相賴抑制劑之缸人&於制#i及至少 中，本發明係利用至少-種陰極顧防護或缓和=體實施例 種可溶性賴抑·及至少—種揮發性或氣相腐=、至少— 合，以控制、緩和及/或消除地面上儲存槽之底芦Λ :制割之級 本文中所述之本發明協同腐钱管理系統一般而^^腐飿。 及/或降低腐财多獅件巾發生m裝纽於防止 件包括但不限於槽桶(例如儲存槽、污水淨化槽、：：’該物

容器(例如運輸容器、儲存容器等）；半密閉系統(例=曹摘等） 20 200909611 5 15 20 水淨化线、儲槽等）；及/或密_統(例如廢物處理系統、 廢物處理圓桶或容料）。更明確言之，本發明侧於防止及/ 或降低隸在多種物件巾發生之“、裝置或方法，該物件包 =仁不限於金屬槽桶；金屬容器；半㈣系統；及/或密閉系統， 其，部份或全部建構自金屬（例如鋼、鐵、銅、黃銅、銘等）。 备於整個内文及請求項中使㈣，半密閉祕係意謂一種週 f f打卩相補充、充填或存放祕事項於其巾之緖(例如燃 仏it、儲储等）。當·_文及請求項巾使㈣，槽桶包 撼、Γσ又相谷納—或多種液體及/或氣體之任何類型之密閉儲存 二槽桶(例如_槽桶、地面上儲存槽）。當於整健文及請求 :使用時’儲存封閉物係意謂用以儲存至少—種液體、 或/、組合之任何儲存封閉物，其為半密閉或密閉。 ' 伴^杜當於整個内文及請求項中使用時，舰不僅包括欲被 銹晦、生銹及其他形叙隸，而且包括任何不利 被使;1因此防腐蝕化合物'，或”腐蝕抑制， :h，此等措辭亦包括防錄晦化合物或鱗晦抑 項具體實施例中，搭配本發明—起使用之—或多種防 錄化口物係選自一或多種揮發性或氣相腐 種^容性腐财卩侧或其任何適當組合。 或多 至文ΐ請求項中使用時，腐财_劑係意謂會抑制 ，’無論是揮發性與否。#於整個内文及請求項中==化合 制劑係意謂可溶於至少-種液體中之任何心物可 也、液體或軋體。當於整個内文及請求項中使用時， 12 200909611 ^性相腐崎_與氣相舰 M種類型之腐飯抑制劑係 二使用，且兩者均 續結在欲被保護用品/物件/表面之心生氟相腐*抑制劑蒸氣 護用品/物件/表面之表面。 ’而被轉移至欲被保 當於整個内文及請求項令 何封閉物，其可藉任何適當裝置密封，係意謂任 種防腐蝕化合物、—或夕 ^保持咼濃度之一哎多 f 5 性防梅合物遠離外:環==物=或多種揮發 ，釋出至該可密封封閉物外部之種或多種抑制化 的是，在下文中，可將為止。此外，應注意 如上述，於—項I :或比例限制合併。 為基礎之腐餘防護或緩=中^發:係利用至少—種陰極 至少-種揮發性或氣相腐:二; 例中，本發明係利用s丨π j則之、'且σ。於另一項具體實施 15 -種可溶性腐麵抑二=極腐钱防護或緩和系統、至少 組合，以控制、绣；月 ν冑揮發性或氣相腐飿抑制劑之 I虫。由於如上=或消除地面上儲存槽之底層部份中之腐 提供協同作用，卷3不連績構件之組合，故本發明之系統係 腐触系統時，mGrr種類型或甚至任兩種類型之上述防 20 本發明協同腐飿管Hi取得。在下文中’將詳細地解釋 _糸統之各不連續部份。 钮齡合物及理祕7裝置可絲賴以抵抗極多種腐 是液體或氣相乳:此f化合物/大氣包括但不限於水(無論 1 ’太恭 硫化物、氯化物、Ν0χ、s〇x或氯。 x月將關於一些具體實施例作描述，其係經設計以 13 200909611 ，低、緩和及/或肖除腐崎生在各種_之儲存射，且特別 是此種儲存槽底部之外部及/或内部表面。但是，本發明並不只 限於上文所提及之具體實施例。而是，本發明係欲被廣泛地解 釋’且可例如峰改’崎低、緩和及/或雜雜在儲存槽之 一或多個金屬或金屬部份中發生。 1同槽桶底部系絲.： /於-項具體實施例中’本發明係關於三成份式協同腐餘管理 系統，其餘設計則㈣地降低、緩和及/或;肖除雜發生在各 種類型之儲存槽巾，且制是此_切底部之外部及/或内部 10 15 20 表面翻目至® 1至5，其係說明經設計以降低、緩和及/或消除 腐钱，各種類型儲存槽底粒外部及/或㈣表面巾發生之協同 腐钮管理純之各種具體實補。關於圖⑴，同樣參考數字 係指同樣配件。 二圖Λ圖1揭示儲存槽⑽，其中含有液體(例如油、氣 ::)么储存區域1〇2中。正如可在圖舛所見及者，槽桶ι〇〇具有 為104^06^中匕桶⑽之雙重底部之頂部與底部表面係個別稱 fmr—項具體實補巾，她⑼之了_底部表面 =及觸兩者’係個別部份或全部建構自金屬（例如鋼、鐵、銅、 所形成之區域108充填某種類型之承载物質（例如 材、碳粉等）’㈣槽卿G之雙重底部之頂部1()4提供支撐。正 如可在圖1中所見及者，槽桶100之雙重底部之頂部表面】 槽桶100之儲存區域102之底部。 ’、' 再者，槽桶100亦被連接至對槽桶100及對根據本發明之協同 14 5 15 20 200909611 腐餘官理糸統兩者之各種服務系統。此種不同服務系統可為但 不限於-或多個試驗工作站、整流器、供應管件、排流管件等。 雖然只顯示-個此種服務系統⑽與槽桶刚連接，但本發明並 不僅限於此具體實施例。替代地，正如此項技藝中所已知，槽 桶100可具有多重系統連接至其上。 亦示於圖1中者為包含圖1具體實施例之協同腐餘管理系統-部份之陰極腐⑽護或緩和系統。如圖i中所示，於其中所示之 陰極為基礎之腐祕護或緩和系統係包括至少―個陽極110與 ，二描考电極112 ’其係合併發生作用以降低、防止及/或緩 雙重底部區域1G8内之賴。與上文所提及陰極為 基礎，腐钱防護或緩和系統合併，本發明亦利用至少一種揮發 ㈣氣相雜抑制齡統與至少—種可溶性腐简制劑系統。 5亥至少-轉發性或㈣目腐麟m祕經 伴错 桶100之區域108中存在或發展之任何蒸氣或空氣空間，= 至少一種可溶性腐餘抑制劑系統係經設計，以經由使用^含 二容Γ广抑制劑之液體，對槽桶1〇。之區域1〇8提 /、 y…又 I明協同腐蝕管理系統之各部份，當此種I; =於=雙重底部之保護時，將參考圖2Α‘= 於下文。此外’此項具體實施例之協同雜管理系統亦包括至 少-個服務餘m，其係㈣相供應所必須之㈣，及^= 長本發明協同系統之使用壽命。 、 一 關於槽桶100 ’雖然槽桶100係被顯示為具有地 t但本發明並不受其所限。而是’正如熟諸此藝=底 本电明可經設計以保護各種設計之儲存槽之底部，包括含1重 15 200909611 底部儲存槽之雙重底層部份之頂部及/或底部（參閱圖2 A至 3D)，及/或儲存槽之底部（參閱圖4八至51))，而不管此種雙重底 部及/或底部是否高於、在於或低於地面。 翻閱至圖2A至2D，關於槽桶雙重底部之三成份式協同腐蝕管 5理系統之一項具體實施例係說明於其中。於圖2人至21)之具體實 施例中，本發明之協同腐蝕管理系統係利用以下之組合：（1)至 少一種陰極為基礎之腐银防護或缓和系統(如圖1中所示，且部份 以圖2中之陽極丨12表示）；（2)至少一種可溶性腐蝕抑制劑，在適 合劑中，及(3)至少一種揮發性腐蝕抑制劑，以保護雙重底部 1〇槽桶100之區域1〇8。 15 20 於一項具體實施例中，上文所提及三成份式系統之至少一種 陰極為基礎之腐钱防護或缓和糸統亦利用至少一種液體電解質 溶液，以對槽桶100之雙重底部提供加強保護。供使用於本發明 中之適當陰極系統（化電或外加電流系統）包括但不限於利用製 自辞、紹及/或鎮合金之犧牲性陽極之化電系統，或外加電流陽 極(鉑、金屬氧化物、石墨等）、外加電流之整流器、參考電極等。 於圖2A至2D之具體實施例之情況中，係使一或多種可溶性腐 飯抑制劑溶於適當溶射’並經由任何適當供應裝置，供應至 槽桶100之雙重底部區域1〇8。供傳輸最初及/或任何隨後所^要 之腐蝕抑制劑所浸潰之溶劑至雙重底部區域1〇8之適當供應裝 置，係包括但不限於服務模組116 (圖1}、—或多個供應管^ : ，期性槽㈣輸器等。於另—項具體實施例中，係利用兩種或 夕，傳輸技術。於-項具體實施例中，適當溶射之—或 可溶性腐㈣制劑係週期性地，或在按需要之基礎下，以遠距 16 200909611 監控、人類監控、電腦為基礎之監控等為基礎進行傳輸。 5 15 正如可自圖2B至2D所見及’溶劑與可溶性腐蝕抑制^l入之 液位M0可按需要而改變，及/或藉由所必須防輕/緩和之^产 所指引。可指引所需要防腐歸之—些因素包括但不限於二 100之儲存區域102是否被充填，在儲存區域1G2中之物二 i之境之料（意料度含量、溫度、細生物 、存在或不存在，該物種譬如但不限於氯、鹽、N0x、so 人f當可溶性腐钱抑制劑包括但不限於ZnS〇4與肺2P〇X之、、3 液，或=么'广:人不限於納、鉀概合物之水溶 :部 劑強度巾所揭示可溶性腐料制劑用之溶 劑之適當鋼;二組於形成上文所㈣ WPO “τ τ 物糸包括但不限於Na2M〇〇4、ZnS04、 物取代上令在另一種炀况中，可使用相應鉀化合 20 之 明之-或多種可::::::物:於另-項具體實施例中，本發 +毫微尺寸粉末罐抑二劑: = 米，小於約1〇_射，均直到、於約2500毫微 亳微米。彳曰θ Ρ、小於約500耄微米，或甚至小於約250 粉末。而θ "^本t明並不限於僅只是上文所提及之毫微尺寸 子幾何形ί為^何毫微尺寸之粉末均可用於本文中，而不管粒 17 200909611 枓之性質’任何適當揮發性或氣相腐靡 劑均可併壯述本發日狀三諸m @此，本發明並不限 於任-種揮發性或氣相防腐起合物…些適t揮發性或氣相 腐I虫抑制劑係包括在美國專利案號4,29〇,912; 5,32〇,778 :及 5,855,975中所揭不者’其係以全文關於此種化合物之陳述 7於本文供參考。例如，可使^氣㈣㈣ 包括但不限於苯并三唾，及胺鹽之苯甲輕與苯并三 物，胺鹽之侧，c13h26〇2N、財、二氫侧;合 胺類（環己胺碳酸鹽、芊眩笪、^ ' m 妝人队皿下月女寻）、膦酸鹽、亞硝酸鹽（鈉、鹤、_ 環己基胺）’或其兩種或多種之適當混合物。 〜 H多種可溶性錢抑㈣與該—或多種揮發 乳相脑抑·之組合應為可相容。意即，此等化合 ， 彼此不利地發生反應。 趨'與 15 20 在圖2A至2D之具體實施例之情況巾…或多種揮發性或 腐简制劑係經由任何適#供縣置，被供應至槽㈣〇之2 底部區域108。用於傳輪最初及/或任何隨後所需要之揮發性= 相腐钱抑制劑至雙重底部區域則之適# 伯乳 -恥囊為基礎之傳輪系統等。於另一項具體實施例中’ 用兩種或多種傳輸技術。於一項具體實施例中，—或多種择瓠 性或氣相腐蝕抑制劑係週期性地，或在按需要之基礎下，以二 距監控、人類監控、電腦為基礎之監控等為基礎進行傳輸。^ >在此項具體實_之三成份式系統巾之構件組合下，本發 係達成先前對於形成及/或圍繞區域1〇8之金屬或金屬表面^能 18 200909611 又1寸之保ί蔓程度。此種表面甚至包括在槽桶底部104 (意即雙重 f 4之頂^表面丨〇 4)中形成之任何不規則處及/或氣洞12 〇。這是 因ft)至t—種陰極為基礎之腐蝕防護或緩和系統；（2)至少— 種可4生腐餘抑制劑，在適當溶劑中丨及⑺至少一種揮發性腐 5钱抑制劑之組合，係以多種方式用以協同地保護槽桶_之儲存 區域底部表面之不同部份，以及槽桶100之雙重底部。 翻閱至圖3A至3D，關於槽桶雙重底部之三成份式協同腐姓管 f理糸、、’充之另項具體實施例係示於其中。於圖3A至3D之具體實 施例中，本發明之協同腐蝕管理系統係利用：（1)至少一種陰極 10為基礎之腐钱防護或緩和系統(如圖1中所示，且部份以圖3中之 陽極112表示）；（2)至少一種可溶性腐蝕抑制劑，在適當溶劑中； 及(3)至少一種揮發性腐儀抑制劑之組合，以保護雙重底部槽摘 100之區域108。 關於圖3A至3D之具體實施例，此項具體實施例係類似上文關 15於2A至2D所述者，惟圖3之具體實施例係進一步包括絕緣内襯 160，以對被包含在槽桶100之區域1〇8中之陰極系統提供絕緣。 〖、因此，圖3A至3D之具體實施例之詳細解釋將為簡潔起見而被省 略。 於此項具體實施例中，絕緣内襯160可製自任何適當材料，包 2〇括但不限於碳、塑膠、橡膠等。於此項具體實施例中，絕緣内 襯160係對被包含於其中之至少一種陰極為基礎之腐蝕防護戈 緩和系統提供絕緣，且允許此一或多種系統更有效地操作。於 另一項具體實施例中，絕緣内襯160係被使用於其中槽桶1〇〇正 以根據本發明之三成份式系統逆安裝之情況中。於此項具體實 19 200909611 施例中，絕緣内襯160係用以覆蓋槽桶之雙重底層部份之舊底部 或槽桶之舊基礎，且用以隔絕本發明之三成份式協同系統，以 防止可能存在於槽桶雙重底部或基礎之現有底部中之任何潛在 問題(例如孔洞、針孔、腐蝕等）。於又另一項具體實施例中，絕 5緣内襯160之使用係允許利用較少數目之陽極，藉以使得吾人能 夠根據此項具體實施例實現各種經濟效益與設計優點。 翻閱至圖4A至4D ,關於槽桶之三成份式協同腐蝕管理系統之 另一項具體實施例係示於其中。於圖4A至4D之具體實施例中， 本發明之協同腐蝕管理系統係利用：（丨）至少一種陰極為基礎之 腐蝕防護或緩和系統（如圖丨中所示，且部份以圖4中之陽極 表示）；（2)至少一種可溶性腐蝕抑制劑，在適當溶劑中；及（3) 至少一種揮發性腐蝕抑制劑之組合，以保護槽桶2〇〇之區域2〇8。 在圖2A至3D與圖4A至4D之具體實施例間之主要差異係為於 技術上在槽桶2GG中無雙重底部。替代地，槽桶2⑻係在適當基 15礎材，228上形成，其可視情況包括重量支承載體230。用以形 ^重量支承載體23〇之材料並不重要’惟水泥紐係典型上對外 =儲存槽有利。關於基礎材料228，此材料可為任何類型之材 料，其對於用以溶解—或多種可溶性腐餘抑制劑之溶劑，及用 =填區域208之承載材料(例如砂、石灰石、石材、碳粉等）兩 :桶00之/、餘4份為經設計以儲存一或多種液體(例如油、氣 -，、）於其中之儲存區域搬、槽桶底部綱及陽極212。亦被包含 =此項具體實施例中者為在本性上類似上述内襯⑽之絕緣内 見60。絕緣内襯260係以相同於絕緣内襯160之方式發生作用， 20 200909611 惟，，、下方之金屬或金屬表面(其係為底部表面㈣。 在此項具體貫施例之三成份式系統中之構件也人 係達成先前對於形成及/或圍繞區域2〇 :表“ 獲得之保護程度。此種表面甚至包飞1屬表面不月匕 何不規麟及/絲細。這巾形成之任 腐蝕防護mu ㈣為基礎之 裡伴知庄屙蝕抑制劑之組合，係以容插方 式用以協同地賴槽桶之儲存區域底部表面同 及槽桶200之底部204。 H) _至圖5八至51>’關於槽桶之三成份式協同舰管理系統之 另-項具體貫施例係示於其中。於圖5AWD之具體實施例中， 本發明之協同腐姓管理系統係利用：⑴至少一種陰極為基礎之 腐钱防護或緩和系統(如圖i中所示，且部份以圖$中之陽極犯 表示）；（2)至少一種可溶性腐蝕抑制劑，在適當溶劑中；及（3) I5至y種揮电性腐钱抑制劑之組合，以保護槽桶2〇〇之區域208。 關於圖5A至5D之具體實施例，此項具體實施例係類似上文關 **於圖4A至4D所述者，惟圖5之具體實施例係進一步包括含揮發 性或氣相腐蝕抑制劑之盤280，而無絕緣内襯260。因此，圖5A 至5D之具體實施例之詳細解釋將為簡潔起見而被省略。 20 於此項具體實施例中，當玎溶性腐蝕抑制劑之液位240降至低 於盤280之頂部時’盤280會對區域208供應一或多種揮發性或氣 相腐蝕抑制劑。正如熟諳此藝者所明瞭，可將此項具體實施例（盤 280)之各種特徵及其他具體實施例（内襯16〇或260)之各種特徵 合併，以提供本發明之替代組合。 21 200909611 在此項具體實施例之三成份式系統中之構件址合下 係達成先前對於形成及/或圍繞區域2〇8之金屬或金屬表面^处 獲得之保護程度。此種表面甚至包括在槽桶底部2〇4中 = 5 15 20 何不規則處及/或氣洞220。這是因為⑴至少—種陰極為 腐㈣護或緩和系統；⑺至少-種可溶性聽抑 溶劑中；及(3)至少-種揮發性雜抑制劑之組合，係以 式用以協同地保護槽桶200之儲存區域底部表 ^夕 及槽桶200之底部204。 衣面之不同部份，以 馨於上述，本發明之三成份式協同系統 底部提供保護，歷經約！個月至約5〇年期間。代桶底部或雙重 例中，本發明此部份之裝置之耐用期限為約6 ^ 實施 1年至約15年，或約2年至約1〇年，或甚至約3至約鋒、年，約 正如可自圖6至10之圖表所見及者，以此種三成年° 基礎’本發明之協同系統係提供高二:二 示，當其個別組份失去有效性或操作“t 敕触^明係允許吾人達成在儲存槽之底部或雙重底部令之 正月豆防腐蝕程度，其係為到現在，先前 一 中不能獲得的。此係大部份由於本發明成份式系統 之互補作用所致。 乃一成份式糸統之各部份 其餘部份之 組槽桶底部、雙重底部或其-些混合式 疋一成知式糸統，可與其他腐蝕管理 其他系統係經設相賴館存槽之—❹個J此種 此種其他騎理軸㈣用-或多_=裝置或膠 22 200909611 抑_化:^ 密 /或頂部或環境。 3軋體槽桶等）之内部及 在上文之情況下，本發明之此部份係 全部建構自金屬之槽桶及/或容哭 ^ 被放置在部份或 份之裝置通常為-或多種密閉或物膠囊。本發明此部 補充之農置)裝置、包裝或轉，於山;^可週期性地打開供 氣相腐餘抑制劑，且建構自任何適當^有^多種揮發性或 10 15 20 鋼、紹等），或適當聚合材料(例如聚烯烴聚^金如不錄 聚丙稀、乙稀/醋酸乙埽酿共聚物、醋酸口^，譬如聚乙烯、 聚氯乙稀）。於另—項域實 乙稀共聚物及 制劑係包括但不限;:并=:==發性崎 之混合物，胺紅俩鹽，及與苯并三唾 性發明:此其他部份之-或多種揮發 合物及/或至上=1=,以傳輸至少—種揮發性防腐韻化 或環境，且可以多種方虫化合物至密封槽桶之内部部份 種方式被放置在此種槽桶或儲存封閉物中。 23 200909611 於一項具體實施例中，在以欲被儲存於其中之物質（例如氣體、 油、水等）充填封閉物之前，本發明之此其他部份之裝置係被放 置在所要之封閉物内。於此種具體實施例中，本發明之此其他 部份可為自由漂浮（意即能夠自由地在槽桶内部到處移動，此係 5 由於中性浮力所致），具有正浮力，以漂浮在所要封閉物之頂部 上，或具有負浮力，以無論是部份或完全下沉至槽桶之底部。 於另一項具體實施例中，本發明此其他部份之裝置可藉任何 適當設置附著至欲被保護之所要封閉物及/或槽桶之底部（或内 部表面）。此種附著設置包括但不限於螺栓、螺絲、鉚釘、化學 10 附著設置（例如膠、環氧樹脂等）或磁石。於另一項具體實施例 中，若本發明此其他部份之裝置無論是完全或部份製自金屬， 且其中該裝置欲被放置之位置為適當，則本發明此部份之裝置 可被焊接至適當位置上。 於一項具體實施例中，附著設置為磁石。磁性附著設置係為 15有利的，在於其係有助於本發明此部份裝置之容易置換及/或補 充，若其揮發性或氣相防腐蝕部份變得耗盡時。 v 於又另一項具體實施例中，本發明此其他部份之裝置係被併 入其中需要防腐蝕之槽桶、容器、半密閉系統或密閉系統之覆 蓋層及/或罩蓋中。 20 因此，本發明之此其他部份係主要經設計以保護而抵抗存在 於任何氣體大氣中之任一種或多種腐蝕性元素，或存在於封閉 物、密封槽桶、儲存槽等之内部中之氣態大氣。 在上文之情況下，本發明此其他部份之裝置係允許一或多種 揮發性或氣相腐蝕抑制劑之釋出至所要密閉或半密閉環境中， 24 200909611 歷期時間。在根據本發明此其他雜之裝置可被置換及/或 補充(右有如此需要時)下，本發明此部份之裝置並未具有設定之 ί用/月限例如，本發明此部份之裝置可經設計以持續約1個月 ^約5〇年中之任何_。於另-項具體實施财，本發明此部 伤裝^之耐用期限為約6個月至約25年，約1年至約15年，或約2 年或甚至約3至約5年。於閱讀本專利說明書時，一

Ha此藝者應明瞭的是’根據本發明此部份之裝置可被製成 j不確定之耐„限。因此，本發明之此部份並不限於 被：:而是，於閱讀本專利說明書且考慮其中裝置將 德u麟此藝者係㈣設賴於本發明此部 知之裝置，具有任何所要之耐用期限。 種二巧他邛伤之裝置係藉任何適當傳輸設置傳輸-或多 15 20 ,, 、σ Pw胰又向隔膜、半透膜，閥（例如壓磉 電子閥等)’其係允許顧抑制劑通過，離開裝置，2 3之液體或氣相環境流人，可分解金屬或聚合體柱 ;二:=2劑浸潰之聚合體薄膜。於另-項具體實施 q中右電刊倾併人本料此 可經建構及/或程式化，以在規則Πκ_ ρ τ則千閥 物綱m带7 間隱下及/或以規則量釋出腐餘 奸墙1σ…子閥可經設定’以每天、週、月或年一次自 =據本巧此部份之裝置釋出腐餘抑制劑。或者，電子闕可經 太2日以每^ 、週、月或年釋出腐餘抑制劑。應注意的是， 部份並不限於任—種間隔計劃。而是，若被併入根 據柄明此部份之裝置中，則電μ可經設定，以在任何特定 25 200909611 規則或不規則間隔下分配腐蝕抑制劑。 於另—項具體實施例中，本發明此其 貞測各種腐歸環境濃度爛 月立、腐餘性液體、腐钱性離子等之特定閥值性氣 測為會指示電子閥釋出腐崎制劑，歷 j或=度時，感 項具體實施例中，電子閥顧有流量計了二=量。於另-之腐餘抑制劑(其係為液體或氣 =腐純物質收集(或形成)歷經特;;其中 10 15 中併實施例中，本發明此其他部份之裝置可於盆 下隨著日可降解柱基’其係於—或多種腐錄元素存在 柱塞可解，或在特定環境中溶解或降解。例如， 釋出腐在水、水蒸汽或錢結存在下轉，藉以允許 施例中，可存槽之内部中。於另-項具體實 ，製成。解 祕在下迅速地分解之金屬（例如 施例、月之此其他部份現在將關於如附圖中所示之特殊具體實 '進仃描述。應注意的是，本發明之此其他部份並 =圖中料之具體實關。而是，本發明之此部份及任何其 知應被廣泛地解釋。在圖式中，同樣參考數字係指同樣配 如圖11，係顯示本發明此其他部份之此部份之一般描繪。 表中所示’槽桶300係於其中含有（以參考數字304及/或306 板或多*種根據本發明此部份之其他裝置。槽桶係進一步包 、罩盘、覆蓋層或蓋子，其可含有一或多種揮發性或氣 26 200909611 相腐I虫抑制劑為基礎之裝置搬。於另一項具體 揮發性或氣相腐蝕抑制劑為基礎之、:二：： 以對可存在於槽_頂部上之任 :供二—於此項具體實施例中’裝置3〇8係對槽桶300之内部 亡、> -種揮發性或氣相雜抑·，且可 補充，以裝置308之外部位置為基礎。 皮便用戍 10 15 20 於又另一項具體實施例中，揮發性或氣相腐蝕抑制劑 之裝置3 0 8可被安裝於儲存槽之内部部份之内頂部表面上：二對 可存在於槽桶300之頂部上之任何蒸氣空間（未示出）提供保護， 即使此種頂部表面為浮動頂部亦然。但是，正如熟諳此藝者所 明瞭’於此項具體實施例中使用裝置308將會較困難。 於一項具體實施例中，本發明此部份之裝置可藉任何適當設 置(例如環氧樹脂、焊接、鉚釘、螺絲、螺栓、磁石等）固定至槽 桶内壁之任何部份(例如側壁、頂部或底部）（圖11之裝置31〇)。 於另一項具體實施例中，可允許本發明此部份之裝置在槽桶3〇〇 之界限内漂浮（圖11之裝置304與306)。於又另一項具體實施例 中’本發明此部份之裝置可經設計以留置在槽桶300之蓋子、罩 蓋、覆蓋層或甲板内（圖11之裝置302)。於又再另一項具體實施 例中’經固定之裝置310、自由漂浮裝置304與306、罩蓋裝置302 及外頂部及/或内頂部裝置308之任何組合，可被使用於槽桶300 中。 於又另一項具體實施例中，多重揮發性或氣相腐蝕裝置可被 固定至槽桶或其他半密閉或密閉系統之外部部份(例如屋頂）或 内部部份(例如壁），籍以對於與含有至少一種腐姓性化合物被含 27 200909611 有於其中之氣體或氣態大氣接觸之任何金屬或金屬表面提供外 加之保護。 關於槽桶300，雖然槽桶3〇〇係被顯示為單壁槽桶，但槽桶3〇〇 並不受其所限。而是，槽桶3〇〇係欲被視為任何類型槽桶之代表 5例。此種槽桶包括但不限於雙壁槽桶、單壁、具有雙重底部之 雙-或單壁槽桶等。 正如將自下文討論所明瞭，裝置3〇2、304、306、308及310， 可按需要選自本發明此部份之裝置4〇〇、400a、400b、400c、500a、 500a'、500b、500c、5〇〇d、600a、600b、600c、700a、700b、 10 700c、800a、800b、800c、1100a及/或 1100b之任一種或多種， 如下文關於各種圖式所討論者。於又另一項具體實施例中，根 據本發明此部份之裝置可實際上為其中含有至少一種腐蝕抑制 劑與傳輸設置之槽桶蓋子、罩蓋、覆蓋層或曱板。應注意的是， 本發明之此部份並不僅僅限於此等具體實施例；而是可將得自 I5不同具體實施例之特徵合併’以產生其他具體實施例，其雖然 並未被描繪’但係在本發明此部份之範圍内。 , 翻閱至圖12A至12D，圖12A係描繪根據本發明此部份之另一 項具體實施例之裝置400。裝置400係包括製自任何適當不可降 解及/或抗腐蝕材料之膠囊402。於一項具體實施例中，膠囊402 20係製自任何適當金屬（例如不銹鋼、鋁等）。於另一項具體實施例 中’膠囊402係製自適當不可降解聚合體組合物(例如聚烯烴聚合 體）。膠囊402之内部包含一或多種適當揮發性或氣相腐蝕抑制劑 404 ’其係經選擇，以欲被中和之腐蝕性元素或化合物為基礎。 膠囊402係於其中具有—或多個開孔406，其係以可降解柱塞或 28 200909611 罩盍4_封。於曝露至腐純環境或在環境中之腐錄元素 時，該-或多個可降解柱塞或罩蓋侧會降解，以允許被包含在 裝置400中之揮發性或氣相雜抑制劑刪離開膠囊_，並使可 能存在於裝置400外部之一或多種腐蝕性充素中和。 5於-項具體實施例中’各可降解柱塞或罩蓋係獨立地製自 任何適當材料，譬如生物可降解聚合體組合物，其為一種可溶 於特定壞境中之聚合體組合物(例如水溶性或油溶性聚合體），或 :種當曝露至特定化合物時會降解或腐蝕之金屬材料(例如會在 氧存在下反應之鎂金屬）。於曝露至適當元素及/或環境時，可降 10解柱塞或罩蓋408會降解，於是允許揮發性或氣相腐蝕抑制劑 404經過開孔406逃逸。熟諳此藝者應明瞭的是，可降解柱塞或 罩蓋408可經設計，以在允許被包含於裝置4〇〇中之揮發性或氣 相腐蝕抑制劑逃逸之前抵抗某一數量之降解。意即，可降解柱 塞或罩蓋408可經設計以保有完整性（意即不允許被包含在該裝 15置中之任何量之揮發性或氣相腐钱抑制劑逃逸），歷經任何所要 之—段期間。於一項具體實施例中，可降解柱塞或罩蓋4〇8係經 '设計以保有完整性，歷經約1小時至約1個月，或約10小時至約2 週’或甚至約2天至約1週。 參考圖12B，圖12B係描繪圖12A裝置400之一種變型。如圖12B °中所示，裝置400a，類似圖12A中所示之裝置400，其係包括製 自任何適當材料之膠囊402、至少一種揮發性或氣相腐蝕抑制劑 404、開孔4〇6及柱塞或罩蓋408a。於此項具體實施例中，柱塞 或罩蓋408a可製自任何適當可降解或不可降解材料(例如不可降 解之聚合體，或適當金屬，譬如鋁或不銹鋼）。若柱塞或罩蓋408a 29 200909611 係製自不可降解材料， 揮發性或氣相顺抑細汗孔傷可充作—種設置，藉此設置以 概a，代表隔膜閥，充填膠囊搬，在圖12种具有虚線 沉積至膠囊搬中。2抑制劑綱可利用例如注射器經過其間 不必存在。 Μ ’在膠囊搬中以虛線術表示之開孔 $置400a進’包括—或多個開孔4 中）在膠囊搬中。各開孔1兩個被^繪於圖咖 膜閥）密封。可降解覆罢i田閥2(例如單向或雙向隔 ㈣氣相腐，;:。4 逸。可降解覆蓋層之組人 d望或不5呀且逃 樹。因此可降解柱塞或罩蓋 料3=與：:=:裝置4_’其包括製自任何適當材 15 20 制“ft 此項具體實施例中，柱塞或罩蓋可 =自任何適當可降解或不可降解材料(例如不可降 ，譬如㈣不銹鋼）。裝置4_係進—步包括^或多個 -^有可密封單向通氣孔或閥422之開孔伽。當在 1:=，，單向通氡孔或閥422係允許揮發性或氣相腐蝕抑 制_4自膠囊術逃逸至周圍環境(意即_、容器、半密閉系 統或密閉系統之内部）中。依其中裝置4_被放置之環境而定'.、 早向通氣孔或閥422可無論是以手動方式或自動方式加以控 制j此種自動通氣系統與閥係為此項技藝中已知，且其討論係 被省略。 於另—項具體實施例中’圖12A之裝置400之可降解柱塞或罩 30 200909611 蓋4=可被隔關43Q置換，其可經建構，以致使隔膜閥43〇可無 論，以手動方式或自動方式打開與關閉（參閱圖12D)。於一項具 體貫施例巾’裝置400可據此缺尺寸，以安裝至氣體槽桶罩蓋、 槽=或容器蓋或曱板之頂部部份中（參閱圖12D之裝置4_。於 此丨月況中揮發性或氣相爲姓抑制劑404之釋出至槽桶、容器、 官線、半密閉系統或密閉系統内部之㈣環境中，可以手動方 式自槽，、容器、半密閉系統或密閉系統之外部加以控制。例 如’在氣體槽桶罩蓋中，f置4〇〇c之勝囊4〇2係被放置在罩蓋之 頂。卩刀中，且通氣孔432係經過氣體罩蓋之聯管節插管434 (盆 其他方式)形成’以允許揮發性或氣相腐钮抑制 ^04自衣置條逃逸至氣體槽财，按需要而定，或在定時基 礎下。 土 15 20 -^而言：關於圖12A至12D之上述裝置係意欲被放置在槽 今為、半密閉系統或密閉系統之内部。或者，此種裝置 層及7或甲板中。任何此等裝置可經由任何適 =='螺栓、焊接等)進—步永久地或半永久 、谷器、半密閉系統或密閉系統之内部。 含有至少=^ 何料可降解㈣，其已被製成 重揮杳性或軋相腐蝕抑制劑5〇4之膠囊5〇2。揮 m 4餘抑制劑5〇4亦可含有一或 二 惰性氣體(例如氦）。 U㈣抑制劑’譬如 在所意欲之用途下，膠囊搬可具有任何形狀或大小，按需要 31 200909611 而定。如圖13A與13B中所示，膠囊502可個別為橢圓形或矩形。 在膠囊502係製自可降解聚合體組合物之情況中，膠囊502可藉 由任何適當技術形成，包括但不限於壓出、共壓出、吹製、鑄 造或射出成型。於一項具體實施例中，膠囊502可製自聚合薄膜， 5其係經過任何適當技術(例如加熱密封）接合，以形成所要之形 狀。在膠囊5〇2係製自可降解金屬（或容易地腐蝕之金屬）之情況 中，膠囊502可藉由任何適當技術形成，包括但不限於鑄造或射 出成型。 1 於被曝露至槽桶、容器、半密閉系統或密閉系統中之腐蝕性 1〇環境或元素時’膠囊502係隨著時間進行降解，並將揮發性或氣 相腐姓抑制劑504釋出至環境中。如上述，裝置5〇〇a與5〇〇a'可經 设计以保有其最初完整性，歷經任何特定期間。於另一項具體 實施例中，裝置500a與500af係進一步包括磁石（未描繪出），用於 使裝置固定至任何所要之磁性表面（例如金屬儲存槽之内部表 l5 面）。 參考圖13C與13D，圖13C與13D係描繪裝置5〇〇碘5·，之兩種 了月b ,2¾:型。如圖13C中所示，類似圖13A中所示裝置5〇〇a之裝置 5〇〇b係包括製自任何適當材料之膠囊5〇2、至少一種揮發性或氣 相腐蝕抑制劑504及磁石506。於此情況中，裝置包括隔 2〇膜閥508，其係允許揮發性或氣相腐蝕抑制劑5〇4自膠囊5〇2逃逸 至周圍環境中。於-項具體實施例中，隔膜閥观係允許在其中 採用勝囊502以失去其完整性且釋出其餘揮發性或氣相腐钮抑 制劑綱之期間内，受控釋出揮發性或氣相腐餘抑制劑5〇4。磁 石506可無論是被放置在膠囊5〇2之内部（參閱圖13B)，或可被放 32 200909611 置在膠囊502之壁内（未示出）。若磁石506係被放置在膠囊5〇2之 内部，則其係藉任何適當設置(例如膠、環氧樹脂、焊接^)，沿 著膠囊502之壁被保持在適當位置上。 & 5 10 15 20 於另一項具體實施例中，膠囊502可製自不可降解材料，且保 有其結構完整性，歷經任何長期時間（意即，歷經超過丨個月）。 於一項具體實施例中，膠囊502可保有其結構完整性，歷經約工 個月至約50年，或約6個月至約25年，或甚至約丨年至約5年。在 此情況中，隔膜閥508可為任何適當閥，其可在規則間隔下，或 在按需要之基礎下，用以釋出揮發性或氣相腐蝕抑制劑5〇4。於 又另=項具體實施例中，一旦膠囊502已變得耗盡，閥5〇8即可 用:補充被包含在膠囊5 G 2内之揮發性或氣相腐#抑制劑。在此 種情況中，雙向閥或自動密封隔膜可被使用於閥5〇8。 或者，如圖13D中所示，若勝囊5〇2係製自不可降解材料，則 可於其中包含兩個或多個閥。在此種情況中，按需要而定，至 1個^膜閥508會排放揮發性或氣相腐财卩制劑5()4至周圍環 ΐΓ且旦膠囊5G2已被消耗’至少一個閥51G可用以補充在 膠、5〇2内之揮發性或氣相腐|虫抑制劑504。 一乡，，13E，圖13E係描繪裝置5〇〇a、5〇〇a,、5〇〇b及5〇〇c之另 壯ΪΙλ變型。如圖13£中所示，類似圖i3A中所示裝置偷之 =係包括製自任何適#材料之膠囊观與至少—種揮發 =相腐餘抑制劑504。於此情況中’裝置5_亦包括單向乳 閥5-2() ’當符合某些壓力標料，其係允許揮發性或氣 502肉外：㈣制504自膠囊502逃逸至周圍環境中。例如，當膠囊 σ之壓力（P。）小於或等於膠囊5〇2内之壓力出）時，則單向 33 200909611 5 15 20 乳頭狀突起閥52G係被開動，且釋出揮發性或氣相雜抑制劑 504。反之’當膠囊502外部之壓力（p。）大於穋囊5〇2内之麈力⑹ 時，則單向乳頭狀突起閥520仍然保持密封，且揮發性或氣相腐 蝕抑制劑不會被釋入周圍環境中。裝置5_可用於其中腐蝕抑 制劑5 04之傳輸系統之成本係欲被保持在最低限度下之狀況中， 因為裝置由於外部對内部壓力上之差異而發揮功能。在 圖1犯中，單向乳頭狀突^閥㈣係以打開狀態顯示。 參考圖14A，係顯不裝置6〇〇a。裝置_a係包括製自任何適當 不可降解及/或抗腐储料之膠囊繼。於—項具體實施例中，ς ^602係製自任何適當金屬（例如不錄鋼、料）。於另一項具體 例中’囊602係製自適當不可降解聚合體組合物(例如 ，聚合體）。膠囊6G2之内部包含至少—種適當揮發性或氣相腐钱 P制劑604 ’其係經選擇，以欲被中和之腐錄元素或化合 土，膠囊602係於其中具有一或多個可降解柱塞6〇6 (示出兩個 上基）。可降解柱塞606可製自可降解聚合體組合物，或者金屬組 ^物(例如鎮、鋅或紹）’其係於曝露至特定腐餘性元素或環境時 或反應。此種降解或反應會產生—或多個開孔_，揮發性 或乳相腐蝕抑制劑606可經過其間自膠囊602逃逸。用於柱塞"6〇6 ^合物之鄉’魏其巾裝置_a欲被使社额性^素或 衣兄而定。於另一項具體實施例中，裝置6〇〇a可進一 610，盆可用丨v、卍士、各a人丄咖氣 括閥 /、了用以補充被包含在膠囊6〇2内之揮發性或氣相腐蝕抑 ’劑604。此種裝置係被描繪於例如圖14B中。 ^考圖14B，圖14B係描繪裝置600b，其係在本性上類似圖14八 之凌置600a，惟閥61〇之加入除外。裝置6〇〇b可藉由置換可降解 34 200909611 ，塞606 ’紐利卿1G，以揮發性或氣相賴 填膠囊602,而被再使用^於又另—項 ”再充 係進-步包括隔膜閥612，其可在可降解柱細6丄裝f 600b 經控制之基礎下，用以釋出腐财咖_。土 於例如圖14C中。 衣置係破犏％ 圖MC係描繪裝置6〇〇c，其係在本性上類似圖刚 6〇〇b，惟隔膜閥612之加人除外。於又另—項具體實施例中:選 用磁石614可被放置在膠囊6〇2之結構内（或甚至膠囊術内 於又另-項具體實施例中’裝置可僅僅包括隔膜擊2 不包括閥610。 參考圖15A，係顯示裝置700a。裝置7〇〇a係包括製自任何適當 不可降解及/或抗腐餘材料之膠囊7〇2。於一項具體實施例中，膠 囊702係製自任何適當金屬（例如不銹鋼、鋁等）。於另一項具體 Λ轭例中’胗囊702係製自適當不可降解聚合體組合物（例如聚烯 I5烴聚合體）。裝置700a係進一步包括其中含有至少一種揮發性或 氣相腐蝕抑制劑之可降解聚合體之交替層7〇4 ;於其中未含有揮 f I 發性或氣相腐蝕抑制劑之可降解聚合體層7〇6，及覆蓋層71〇， 其係保護可降解聚合體層免於降解，直到裝置700a被使用為止。 層704與706可為任何適當厚度，且可以任何適當方式排列。 2〇於一項具體實施例中’最上層為其中未含有揮發性或氣相腐蝕 抑制劑之可降解聚合體層706。 裝置700a可視情況包括多孔性或半滲透性薄膜7〇8，其係允許 至少被包含在一或多個可降解聚合體層704中之揮發性或氣相 腐钱抑制劑自勝囊702之内部逃逸。 35 200909611 一旦將覆蓋層710自裝置700a移除，且將裝置放置在所要柙 桶丄容器、半密閉系統或密閉系統之内部，存在於槽桶、容器曰、 半密閉系統或密閉系統（或隨著時間發生）中之腐蝕性元素或1環 ，即造成未含有揮發性或氣相腐蝕抑制劑之可降解聚合體7= 5第一層之降解。於第一層706降解至此種點後，含有至少一種揮 發性或氣相腐蝕抑制劑之可降解聚合體之第一層7〇4係開始降 解’且自裝置70崎出揮發性或氣相腐姓抑制劑至周圍環境中牛。 參考圖15B，係顯示裝置7_。裝置7嶋係包括兩個或多個製 自任何適當不可降解及/或抗腐蝕材料之膠囊702 (示出四個）。二 10 -項具體實施财，膠囊观係製自任何適#金屬（例如不鱗鋼、、 鋁等）。於另一項具體實施例中，膠囊7〇2係製自適當不可降解聚 &體、’且&物(例如聚烯垣聚合體）。於一項具體實施例中，膠囊7〇2 係連接在一起，且共有至少一個共用壁。各膠囊7〇2含有至少一 種揮發性或氣相腐飯抑制劑及至少一個可降解柱塞或罩苗 15 720。可降解柱塞或罩蓋72G可於其上方進—步具有可&解薄^ 722，且可製自任何適當材料(例如可降解聚合體）。 k 於一項具體實施例中，可降解柱塞或罩蓋720係在與可降解薄 膜722不同之化合物存在下降解。例如，可降解柱塞或罩蓋 可經設计，以在水或水蒸汽存在下降解，然而可降解薄膜722可 2〇經設计，以在油中降解，或反之亦然。再者，裝置7〇〇b可於一 或多個膠囊702中視情況包括至少一個閥724 (例如隔膜或乳頭 狀突起閥）。圖15B係於其中包括選用乳頭狀突起閥724在各膠囊 702 中。 裝置700b會以類似裝置7〇〇&之方式發揮功能，惟以下事實除 36 200909611 外，只有可降解柱塞或罩蓋720與可降解薄膜722會在一或多種 所要之化合物存在下降解。此外，閥724可用以無論是自膠囊7〇2 釋出其他揮發性或氣相腐蝕抑制劑，再充填揮發性或氣相腐蝕 抑制劑於膠囊702中，或兩者。 5 翻閱至圖15C，圖15C係描繪圖15A與15B裝置之又另—種變 型。裝置700c係包括兩個或多個製自任何適當不可降解及/戋抗 腐蝕材料之膠囊702 (示出四個）。於一項具體實施例中，膠囊 係製自任何適當金屬（例如不銹鋼、鋁等）。於另一項具體實施例 中，膠囊702係製自適當不可轉聚合體組合物(例如料煙聚合 1〇體）。於一項具體實施例中，膠囊7〇2係連接一起，且並有至，卜一 個共用壁。各膠囊7〇2係含有至少一種揮發性或氣相射虫抑侧 7(M及至少兩個可降解柱塞或罩蓋72()。至少—個可降解柱塞或 罩蓋720可於其上方進一步具有可降解薄膜722，且可製自ς何 適當材料(例如可降解聚合體）。 I5於-項具體實施例巾，各可轉柱塞或罩蓋7_在*可 薄膜722不同之化合物存在下降解。例如，可降解柱塞或罩笔⑽ 。可經設計，以在水或水蒸汽存在下降解，_可降解薄膜&可 經設計’以在油中降解，或反之亦然。再者，雖然並未描汾， 但襄置可於-或多個類似關於圖⑽之具體實施例所解釋 20之膠囊702中視情況包括至少一個閥（例如隔膜或乳頭狀突起 閥）。 裂置700e會以類，|置7_之方式發揮功能，惟以下事實除 外’只有可降解柱塞或罩蓋72〇與可降解薄膜π2會在多 所要之化合物存在下降解。此外，若存在時，一或多個闕可用 37 200909611 以無論疋自膠展702釋出其他揮發性或氣相腐蚀抑制劑，再充填 揮發性或氣相腐蝕抑制劑於膠囊7〇2中，或兩者。 參考圖16A至16C ’係顯示裝置8〇〇a' 8〇〇t^8〇〇c。裝置8〇〇a、 800b及800c係在本性上類似’惟其形狀及/或大小除外。全部三 5種裝置800a、800b及800C均包括未含有揮發性或氣相腐蝕抑制 劑之可降解聚合體層802 ’與含有至少一種揮發性或氣相腐$虫抑 制劑之聚合體層804。聚合體層8〇2與8〇4兩者可製自相同或不同 適當可降解聚合體材料。於一項具體實施例中，層8〇2與8〇4係 製自會在一或多種水、油、氯化氫、硫化氫、二氧化硫、氧化 10氮、NOx、SOx、氯離子或氧存在下降解之聚合體材料。 如圖16A至16C中所示，層802與8〇4係以替代方式形成。於一 項具體實施例中，層802為外層。於另一項具體實施例中，層8〇4 為外層。再者，裝置800b與800c係於其中包括一或多個製自未 含有腐蝕抑制劑之可降解聚合體之罩蓋8〇6或外層8〇8。可存在 15之此種任何罩蓋806及/或外層808之厚度並不重要。此等一或多 個罩蓋806或外層808會發揮功能以延遲層8〇4之降解，且在一些 、狀況中，可導致裝置8〇〇b與800c之延長使用壽命。因此，實際 上，可存在之任何罩蓋806及/或外層808之厚度係藉由所要之延 遲長度所決定。 20 於一項具體實施例中，一或多層804之每一層係具有等體積， 因此應花費幾乎相同時間量來降解，藉以提供每層相同量之使 用壽命。於另一項具體實施例中，一或多層8〇4之每一層係具有 不同體積，按應用所需要而定。於此情況中，各層係在大部份 狀況中具有不同降解時間與使用壽命。此討論亦適用於層8〇2。 38 200909611 圖16A至16C之裝置係經由將一或多個袭置放置在其中腐钱性 元素或環境存在之所要_、容器、半㈣系統絲閉系統之 内部中而被利用。於曝露至此種元素或環境時，圖16A至 裝置係開始降解。 5 15 20 參考圖17A與17B’圖17A與17B係描繪根據本發明之又另一項 具體實施例。圖17A之裝置謂戒包括由任何適當材料所形成 之膠囊1102 °於-項具體實施例中’膠囊·係製自任何適當 不可降解或抗腐蝕金屬（例如不銹鋼、鋁等）^於另一項具體實施 例中，膠囊1102係製自適#科降解聚合體組合物(例如聚= 聚合體）。雖然被描繪成矩形，但膠魏置测a可以任何形狀製 成(例如球形、方形、角錐形等）。膠囊11〇2之内部包含至少一種 經適當揮發性或氣相腐崎㈣浸潰之發泡體nG4，a 一

或多種揮發性或氣相腐钱抑制劑，其係經，以欲被中和之 腐银性it素或化合物為基礎。膠囊⑽亦包括通氣部份聰， 其可透雜錢在發M11G4巾之揮純錢相舰抑制劑， ^允許被包含在發泡體_中之—或多種揮發性或氣 制劑逃逸至膠囊1102外部之環境中。 P 此項具體實施例並不限於圖l7A中所描緣之型態，而是任何形 =以揮發減IU目脑抑制·潰之發泡體贈，可被置於 部t。此外，裝置1100a可進-步含有覆蓋層，其 :用分1106’且防止被包含在發泡船刚中之揮 發性或氣相扉抑制劑之逃逸，直到f要為止。覆蓋層可由任 何適當材料(例如聚合齡著性賴等）製成。 於圖17B之具體實施财，㈣觸係類似裝置丨職，惟加 39 200909611 入超過一個通氣部份11〇6 (於此情況中為三個，惟可使用任何數 二)+除外。於此項具體實施例中，一個或所有通氣部份1106可以 f蓋層覆蓋’以防止被包含在發泡體11〇4中之揮發性或氣相腐 餘抑制劑之早期釋出。 5 10 15 20 人：二：適用之情況下’其中利用一或多種可降解聚合體組 發明此部份之裝置可經設計，以產生經控制之降 據本置欲被放置:其中之環境為基礎，例如，根 度之設::::特定環境中具有有限溶解 環境中極慢地降解之裝^或者^許本發明產生會在特定 可痤嗖呼、士 、 根據本發明裝置之選擇部份 、’ °又5十，以在特定環境中為可降解。 關於根據本發明此部份之任— 降解，故並不意謂不能形成此種特定環境中 旦裝置之使用軎入口处古，日壯了1^解承合體部份，以致一 置，即能、° x置已被交付適當廢物處理位 解部份之生物可降解速率我選择本;;=：；種襄置之不可降 本發明裝置之使用壽命。 以致不胃不利地衝擊根據 用於本發3 ° 物可被使 本發明之—ρ热响疋固體。於另—項具體實施例中， 合體戋肀人；：種可揮毛：口勿或配方可被包含在任何適當聚 “體㈣、㈣體、粉束、片劑中⑽如聚合體可為聚 200909611 烯烴或任何適當生物可降解之聚合體，嬖如生 或共聚酯聚合體）。適當類型之可揮發化合物及/或“包括: 性腐帅制劑、揮發性_抑制劑、揮發性抗氧化劑化合物、 揮發性抗#菌化合物、揮發性抗細菌化合物及/或揮發性而保護 劑。 於一項具體實施例中，欲被利用於本發明中之任何化合物應 在約40C至約9(rc，至約饥’或甚至⑽。〇至_ / 10 15 。(：範圍内之溫度下產生足夠分壓。於另—項具體實施例中，一 或多種可揮發化合物之分壓應為至少約3至⑽倍高於在坑下 之一或多種可揮發化合物之分壓。 於又另一項具體實施例中，一或多種可揮發化合物之分壓在 上述溫度範圍内之任何溫度下，應為至少約1〇〇巴斯卡(pa)代替 約1 Pa，至少約5 Pa代替約〇. i Pa，或甚至為至少約丨〇·2代替二 10_3Pa。詳述關於各種無機與有機化合物在某些溫度下之蒸氣壓 及其分壓或甚至大於大氣壓之圖表，可參閱〇(：：光學身#逻學 手撕，第67版，第ΓΜ92至D-212頁，其係據此針對其關於蒸氣壓 之揭示内容併入供參考。其他蒸氣壓相關資料亦可參閱 #戽#•理#f册，第77版，第6-67至6-113頁，其係據此針對其關 於蒸氣壓之揭示内容併入供參考。 20 於一項具體實施例中，本發明係於其中含有一或多種可揮發 腐蝕及/或防銹晦化合物或配方。 A.防腐触與防鉉晦化合物或配方： 下述配方為舉例之防腐#及/或防錄晦化合物或配方，且本發 明並不僅僅限於下述化合物及/或配方。 41 200909611 任何適當腐餘抑制劑可被使用 美时利案號4,29。，912;5,32()，778;及5二;=所提及， 軍叙性腐蝕抑制劑’且係以其全文關於此種化合物之：*1相或 併於本文供參考。例如，可㈣之氣相或揮發述内容 笨并一胺鹽之苯甲酸鹽與笨并 物胺皿之硝酸鹽與cnH2602N、某些胺類與亞胺 一 啥類及/或麵類、三錢"比錢、醯贿、膦酸鹽及^^氫口米 以及其衍生物。其他適當腐㈣制劑純 ， V. S. Sastri, Wiley, New Y〇rk, NY, 1998 t ； 或者，本發明可利用如在美國公告之專利 2004/0173779中所揭示之生物可降解聚合體·腐购制劑=破 15 20 其係以全文關於其生物可降解聚合體_腐蝕抑制劑組合陆、σ， 容^於本文。於又另—項具體實關巾，本發明可利用聚 可浴混之防腐姓組合物，譬如於美國公告之專利申这广 2004/0_972巾所揭示者，其細全文關於其防㈣組合== 述内容併於本文。於又再另一項具體實施例中，本發明可利用 美國公告之專利申請案號2003/0213936中所揭示之任何防腐钱 配方及/或化合物，其係以全文關於其防腐蝕組合物之陳述:容 併於本文。於又再更另一項具體實施例中，本發明可利用如$ 美國公告之專利申請案號2004/00063837與2003/0207974中所揭 示之防銹晦化合物或配方，其均以全文關於其防銹晦化合物及/ 或配方之陳述内容併入。 1.舉例之防腐蝕配方： 於一項具體實施例中’供加入本發明中之適當防腐蝕配方係 42 200909611 包含以下之混合物··（la)至少一種揮發性腐蝕抑制劑(vci); (lb) 至少-種抗氧化劑；（le)至少—餘金屬或驗土金射酸鹽或氧 化物；及（Id)煙霧狀矽石。 於另一項具體貫施例中，防腐餘配方包含以下之混合物：（2a) 至 種揮發性腐敍抑制劑(VCI) ; (2b)至少一種抗氧化劑；（2C) 至少-種鹼金屬或鹼土金射酸鹽或氧化物；⑽煙霧狀石夕石； 及Pe)至少一種化學上活性化合物。 於又另-項具體實施例中’防腐#配方包含以下之混合物： (3a)無機亞硝酸鹽；（31))以下式表示之酚：

且:二二自燒基、芳基、烯基、經烧基、經烯基， (3c)煙霧狀扣。所有上诚、、日人一作、川之把圍内’及 15 合物可進-步包含其他添加劑。 當揮發性腐餘抑制劑係揭示 再二』適 5,320,778 ;及5,855,975 巾，^ ，〇,912 ’ 陳述内容併於本文料考。卩均以全文關於此種抑制劑之 抑制劑包括但不限;:三氣相或揮發性腐钮 頬及/或無機亞硝酸鹽（例如亞硝酸 43 20 200909611 鹽）。 於一項具體實施例中，舉例之無機亞硝酸鹽包括但 屬亞硝酸鹽，譬如亞硝酸納、亞硝酸鉀及亞硝酸銷^民於金 具體實施例中，可將任何適當第i族或第2族亞硝酸鹽(新:項 5不法系統)使用於被包含在本發明中之至少-種防賴配^表 於另一項具體實施例中，於本發明中所使用之一或 、。 或揮發性腐餘抑制劑可為—種三嗤。舉例之三‘’乳相 於笨并以、基三姐/或曱絲三灿。/紅不限 另-項具體實施例中，在本發明中所^之氣相 10腐蝕抑制劑可為兩種或多種上文所提制劑之任何適卷二 合物。 ,/ 、备〉見 了將任何適當抗氧化劑使用於被包含在本發明中之至少〜 防腐餘配方内。舉例之抗氧化劑包括但不限於經三取代種 15類，獨立地在2、4及6位置i被-或多個烧基、㈣基、芳酉分 烯基或羥烯基取代，具有+文所示之通式： 土、 20 總

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R / R 於—項具體實施例中，存在於取代基以、R2及R3中之碳原子 和係在3至約36之範圍内，或甚至在3至約18之範圍内。 於另項具體實施例中，可將兩種或多種上文所提及抗氣化 44 200909611 劑之混合物使用於被包含在本發明中之至少一種防腐蝕配方 内0 C.鹼金屬/鹼土合屬矽酸鹽/氧化物： 可將任何適當第1或2族矽酸鹽或氧化物使用於被包含在本發 明中之至少一種防腐蝕配方内。舉例之矽酸鹽包括矽酸鐘、石夕 酸鈉、石夕酸鉀及石夕酸鋇。關於被包含在本發明中之至少一種防 腐蝕配方内所使用之矽酸鹽，鹼金屬或鹼土金屬氧化物對矽酸 鹽之重量比可以改變。於一項具體實施例中，此金屬氧化物對 10 15 20 矽酸鹽之比例為約5:1至约1:5。於另一項具體實施例中，金屬氧 化物對矽酸鹽之比例為約3:1至約1:3。 於另 項具體貫施例中_厂W㈣酸鹽之混合物使用 於，包含在本發明中之至少—種防顧配方内。於又另 體’該—或多_酸鹽可呈玻璃態或結晶狀態。… 於又另一項具體實施例中，可將 、 氧化物使用於被包含在本發明中之/一= 土金屬 土金屬氧化純括但酸鹽。舉例讀金屬與驗 於另一項具體實施财，兩種4多^^、乳⑽及氧化鋇。 之混合物可被使用於本發明i驗至屬或鹼土金屬氧化物 狀矽石： 夕—種防腐餘配方中。 可將任何適當煙霧狀矽石使用 種防腐蝕配方内。適當煙霧狀石；破包含在本發明中之至少一 Cabot公司，及以Aer〇si =夕石可以商標名Cab-0-Sil得自 上活性化合^焉國氰胺公司。 45 200909611 若存在時，於被包含在本發明中之至小 使用之至少一種化學上活性化合物可為^種防腐蝕配方内所 合，其可與一或多種化合物反應，以彤点氧化物化合物或其組 化合物。舉例之化學上活性化合;物不溶於含水環境中之 亞鐵與氧化鐵兩者)、氧化鈷、氧化S'、二氧化物(氧化 化銅兩者)及氧化鋅。 虱化物（氧化亞銅與氧 於另一項具體實施例中，可利用兩 物之混合物。 ㈣讀上文所提及氧化 L· 其他添加劑： 除了成份⑽至⑽（或(2a)至㈣以外，被包含在本發明中之 至少-種防祕配方亦可含有其他添蝴，譬如州賴劑、抗 細菌劑、抗霉菌劑等。 15 20 於-項具體實施财，被包含在本發”之—❹種防腐餘 配方係不含酸（意即，此等混合物含有一數量（若含有時）之酸性 化合物，其不會不利地影響本發明防腐蝕配方之最後pH值）。例 如’於一項具體實施例中’不含酸可意謂具有pH值大於約5，或 大於約6 ’或甚至大於約7。 於另一項具體實施例中，被包含在本發明中之一或多種防腐 蝕配方係視情況含有至少一種氣味抑制化合物。此種化合物包 括但不限於鐵氧化物（氧化亞鐵與氧化鐵兩者）、氧化鈷、氧化 鎳、銅氧化物（氧化亞銅與氧化銅兩者）、氧化辞、氧化鎂及氧化 金5。 I實例： 上述防腐蝕配方係進一步藉下述實例說明，其中”份數”一詞係 46 200909611 指重量份數，除非另有指出。下述實例並非意謂限制，而是其 為本發明範圍内之僅少數具體實施例之說明例。 實例A -1至A - 3係描述防腐蝕配方之製備 〇 實例A-1 5 硝酸鈉 2.5份 石夕酸鈉1 0.2份 'ΊοηοΓ'2 0.5份 "Cab-0-Sil"3 0.1份 (1)石夕酸納為玻璃態產物，具有石夕石對氧化納之重量比為2 (可 10 市購得自PQ公司）。（2) "ΙοηοΓ為2,6-二-第 三-丁基-4-曱基酚（可 市購得自Uniroyal化學公司）。（3) "Cab-0-Sil"為煙霧狀矽石（可市 購得自Cabot公司）。 實例A-2 亞硝酸鋼 2.5份 15 石夕酸鈉 0.2份 "Cobratec TT-85"4 0.5份 \ 'ΊοηοΓ 0.5份 "Cab-O-Sil" 〇_1份 (4) "Cobratec TT-85"為曱苯基三唑鈉 ，一種可市購得自 20 Sherwin-Williams公司之腐1虫抑制劑。 實例A-3 亞石肖酸納 2.5份 石夕酸鈉 0.2份 "ΙοηοΓ 0.5份 47 200909611 "Cobratec TT-85" 0.5份 氧化鋅 1.0份 "Cab-0-Sil" 0.1份 ~~~制配方：_ 5 如上述，於—項具體實施例中，本發明係關於可於其中含有 至少一種銹晦抑制配方之系統，其包含以下之混合物：（4a)至少 一種強，性化合物；與(4b)至少一種會產生不溶性硫化物之化合 物此合物可進一步包含一或多種其他添加劑，譬如抗氧化 劑、腐蝕抑制劑等。 10 ^—豈驗金跑丄 可將任何適當第丨或2族矽酸鹽或氧化物使用於被包含在本發 明中之至少—種銹晦抑制配方内，作為成份(4a)，該至少一種強 鹼性化合物。舉例之矽酸鹽包括但不限於矽酸鋰、矽酸鈉、矽 西文卸，石夕酸鎖。關於本發明中所使用之矽酸鹽，鹼金屬或鹼土 I5金屬氧化物對矽酸鹽之重量比可以改變。於一項具體實施例 中，此金屬氧化物對矽酸鹽之比例為約5:1至約1:5。於另一項具 '體貝施例中’金屬氧化物對矽酸鹽之比例為約2.5:1至約1:2.5。 於另項具體貫施例中，可將一或多種矽酸鹽之混合物使用 於被已g在本發明中之至少—種銹晦抑制配方内 。於又另一項 2〇具體貫施例中’一或多種石夕酸鹽可呈玻璃態或結晶狀態。 ^於又另-項具體實施例中，可將至少—韻金屬或臉土金屬 氧化物使用於被包含在本發明中之至少一種錢晦抑制配方内， 而非-或多_酸鹽。舉例之驗土金屬氧化物包括但不限於氧 化鎂氧化甸、氧化銘及氧化鎖。於另一項具體實施例中，可 48 200909611 在本發=金屬或驗土金屬氧化物之混合物使用於被包含 、^之至少一種銹晦抑制配方内。 合::::2任一理論所束縛，但咸信該-或多種強驗性化 反應環境中之任何硫化氫_)及/或任何酸化合物 基質，該；人^種化合物及/或酸類通過聚合體物件之聚合體 _己方^體物件純情驗其中含有根據本糾之錄晦抑 性化合物之化合^ 約^^^容^料譬如當叫存在時為硫蝴溶解度低於 明任㈣#化合物，可钱祕經包含在本發 PM V 每抑制配方内，作為成份（4b)，會產生不、、容性 ==t物。舉例之化合物包括但不限於含有鐵、二 15 20 於經明r或他種化合物之混合物亦顺 仏、、工匕3在本發明中之至少一種銹晦 份=之化合物之適當陰離子包括氧化物錢氧化物。；艮據成 舉例之化合物包括但不限於氧化鋅、 化亞鐵與氧化鐵兩者）、氣氧化鐵(]7早' '載乳化物(氧 物⑽刪叫啊扑二:)^ 化物（氧化亞銅與氧化銅兩者)及工 鎳(Π)、鋼氧 物之混合物村作城份(4b)：^w兩種❹種上述化合 1揮發性腐蝕抑制，： 於-項具體實施例中，被包含在本發明中 進-步包含任何適當揮發性腐飿抑制，⑦抑制配方係 些適當揮發性腐蝕抑制劑係揭亍=相腐蝕抑制劑）。一 不於關專利案號4 12. 49 200909611 5,320,778 ;及5,855,975中’其全部均以全文關於此種抑制劑之 陳述内容併於本文供參考。例如’可使用之氣相或揮發性腐蝕 抑制劑包括但不限於三唑類及/或無機亞硝酸鹽（例如亞硝酸 鹽）。 5 舉例之热機亞硝酸鹽包括但不限於金屬亞硝酸鹽，譬如亞硝 酉文鈉^亞硝酸鉀及亞硝酸鋇。於另一項具體實施例中，可將任 何適§第1族或第2族亞硝酸鹽（新符號表示法系統)使用於被包 έ在本發明中之一或多種錄晦抑制配方内。 、於另項具體實施例中，若存在時，被包含在本發明中之一 1〇或多種銹晦抑制配方可視情況包含—或多種選自三錢之氣相 或，發性腐蝕抑制劑。舉例之三唑類包括但不限於苯并三唑、 甲苯基三唑及/或甲苯基三唑鈉。 於又另一項具體實施例中，本發明中所使用之選用氣相 發性腐姓抑制劑可為兩種或多種上文所提及揮發性腐 15之任何適當混合物。 邶制劑 氣化舞丨 d· 若而要，則任何適當抗氧化劑可被使用於本發明之 刀中。舉例之抗氧化劑包括但不限於經三取代之紛类員，母P制 4及6位置上被—或多個烧基、舰基、 2、 20代，具有下文所示之通式。 W从场基取 50 200909611

OH

於一項具體實施例中，存在於取代基⑴、…及尺3中之碳原子 總和係在3至約36之範圍内，或甚至在3至約18之範圍内。 於另-項具體實施例中，兩種或多種上文所提及抗氧化劑之 混合物可被使用於本發明之銹晦抑制部份中。 e. 其他添加劑： 除了成份(4a)與(4b)以外，視情況被包含在本發明中之錄晦抑 ^配方亦可含有其他添加劑，譬如、抗 菌劑等。 A机每 配方係不;例:合 :’=:r靖本發明防版方之最^ 15 於另一項具體實施例中，根據本發明之 況含有氣味㈣化合物。此種化合物㈣1f係視情 化亞鐵與氧化鐵兩者）、氧化鈷、 ρ於鐵氧化物（氧 氧化銅兩者）、氧化鋅、氧化鎂及氧化辦。5乳化物(氧化亞鋼與 £：一.實例、 非另有^出。下讀例並非意t胃限制，而是 51 20 200909611 其係為本發明範圍内之僅一項具體實施例之說明例。 實例B-1 (a)將下列化合物混合，以形成銹晦抑制配方。此銹晦抑制配 方係藉下述實例說明，其中"份數'’一詞係指重量份數，除非另有 5 指出。 矽酸鈉 25份 氧化鋅 25份 3. 其他防腐I虫酉己方與4匕合物： 於又另一項具體實施例中，本發明係關於於其中含有至少一 ίο 種防腐蝕配方之系統，其包含以下之混合物：（3a)無機亞硝酸 鹽，（3b)經三取代之酚，及(3c)煙霧狀矽石。 可使用之無機亞硝酸鹽包括金屬亞硝酸鹽（譬如第I與II族金 屬亞硝酸鹽），包括亞硝酸鉀、亞硝酸鈉及亞硝酸鈣。於一項具 體實施例中，亞硝酸鹽為亞硝酸鈉。 15 可使用之經三取代之酚類係在2、4及6位置上被烷基、羥烷 基、芳基、烯基或羥烯基取代。於一項具體實施例中，酚為2,6-二-第三-丁基-4-曱基酚。 可利用任何適當煙霧狀矽石。舉例之煙霧狀矽石可以商標名 "Cab-0-Sir市購得自Cabot公司。 20 此防腐蝕配方係進一步藉由下述實例說明，其中”份數” 一詞係 指重量份數，除非另有指出。下述實例並非意謂限制，而是其 係為本發明範圍内之僅一項具體實施例之說明例。 52 200909611

tMCA 3份 2份 0.1份 3份 亞硝酸鈉 "Ionol" "Cab-O-Sii" 5 15 20 油醇 如上述’於本發明中係利用三成份 知 封閉物或半密閉或密閉系、統之底部或錐1以對槽桶、容器、 在一種情況中，本發明伤_ 又 &邻提供腐钮保護。 有雙重底部之地面於地面上物t，且_是關於具 面對此種槽桶、客哭 素包括但不限於大氣問題(大或； 桶、容器、封閉物或半密 ：、又，皿度#)，於此種槽 上變化之程度與頻率(意即充諸::::之含量 ;系====或多個可腐咖接觸: 素濃度、PH、溫度等可包括但不限於其中之腐飯十生元 -PB )，在此種槽桶、容器、封閉物或半密閉戋 :==中任何蒸氣空間之量與延續· 易見的是，在閱^某些具體實施例加以言正實與描述，但顯而 將對其他麟㈣本翻朗讀，相#之改變與修正 各種功能，用以^發生。特別是關於藉由上述組份所進行之 稱），除非另有护t^逑此種組份之術語（包栝對’，設置，，之任何指 能之任何組份(二相係意欲相應於進行所述組份之所指定功 於進行此處所說明°，其係為功能上相當），即使不於結構上相當 本發明列舉具體實施例中尤功能所揭示之結 53 200909611 例ίΐ卜右雖然本發明之一種特定特徵可能已針對數項具 【圖式簡單說明】 其中此 種本:明—項具體實施例m统之圖解 種糸、、先係被應用於具有雙重底部之儲存槽； 圖2A至2D為雙重底部儲存槽一 保護地面上儲存槽之雙重底部；例’其係經設計以 槽 體實施例’其係經設計 15 20 協Γ腐Ai 叫寫圖解，其舰日嫌據本發明之 槽之底部之一項具體實施例，其係經設計以保護儲存 +A 至^為儲存槽之—組特寫圖解，其係說明根據本發明之 存槽::::統之另一項具體實施例’其係經設計以保護儲 圖至10為„兒明本發明之協同優點對僅僅使用 劃，以防止儲存槽雙重底部或底部中之腐I虫之圖表；也十 =兒錄據本發明—部份之許多具體實施例 :腐二:被放置在槽桶中’以對储存槽之其他部份提供増Γ 54 200909611 圖12A、12B、12C、12C'及12D為橫截面圖，其係說明根據本 發明另一種類型之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之四項不同具 體實施例，與本發明之協同系統合併使用； 圖13A、13B、13C、13D及13E為橫截面圖，其係說明根據本 5 發明又另一種類型之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之五項不同 具體實施例，與本發明之協同系統合併使用； 圖14A、14B及14C為橫截面圖，其係說明根據本發明又另一 種類型之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之三項不同具體實施 例，與本發明之協同系統合併使用； 1〇 圖15A、15B及15C為橫截面圖，其係說明根據本發明又另一 種類型之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之三項不同具體實施 例，與本發明之協同系統合併使用； 圖16A、16B及16C為橫截面圖，其係說明根據本發明又另一 種類型之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之三項不同具體實施 15 例，與本發明之協同系統合併使用； 圖17A與17B為橫截面圖，其係說明根據本發明又另一種類型 '之揮發性或氣相腐蝕抑制劑系統之兩項不同具體實施例，與本 發明之協同系統合併使用； 【主要元件符號說明】 2〇 100 儲存槽 102 儲存區域 104 頂部表面 106 底部表面 108 雙重底部區域 55 200909611 110 服務系統或陽極 112 蒼考電極 116 服務模組 120 不規則處及/或氣洞 5 140 液位 160 絕緣内襯 200 槽桶 202 儲存區域 204 槽桶底部 10 208 區域 212 陽極 220 不規則處及/或氣洞 228 基礎材料 230 重量支承載體 15 240 液位 260 絕緣内襯 280 淺盤 300 槽桶 302 罩蓋裝置 20 304 自由漂浮裝置 306 自由漂浮裝置 308 外頂部及/或内頂部裝置 310 裝置 400 裝置 56 200909611 400a 裝置 400b 裝置 400c 裝置 402 膠囊 5 404 揮發性或氣相腐餘抑制劑 406 開孔 406a 隔膜閥 408 可降解柱塞或罩蓋 408a 柱塞或罩蓋 10 410 開孔 412 閥 414 可降解覆蓋層 420 開孔 422 可密封單向通氣孔或閥 15 430 隔膜閥 432 通氣孔 434 聯管節插管 500a 裝置 500a' 裝置 20 500b 裝置 500c 裝置 500d 裝置 502 膠囊 504 揮發性或氣相腐蚀抑制劑 57 200909611 506 磁石 508 隔膜閥 510 閥 520 單向乳頭狀突起閥 5 600a 裝置 600b 裝置 600c 裝置 602 膠囊 604 揮發性或氣相腐蝕抑制劑 10 606 可降解柱塞 608 開孔 610 閥 612 隔膜閥 614 磁石 15 700a 裝置 700b 裝置 700c 裝置 702 膠囊 704 可降解聚合體層 20 706 可降解聚合體層 708 多孔性或半滲透性薄膜 710 覆蓋層 720 可降解柱塞或罩蓋 722 可降解薄膜 58 200909611 10 724 閥 800a 裝置 800b 裝置 800c 裝置 802 聚合體層 804 聚合體層 806 罩蓋 808 外層 1100a 裝置 1100b 裝置 1102 膠囊 1104 發泡體 1106 通氣部份

Claims (1)

1. 200909611 十、申睛專利範圍： 封閉物或各◎之-部份之協同系統，此 1. 一種用於保護槽桶 系統包括： 5 10 15 揮發)性^，揮發性或氣相腐蝕抑制劑，其中該至少一種 皁七性次瑕^目腐蝕抑制劑係 桶、封閉物或容n之底㈣^’以防止或降低位於槽 氣空間中之-或多種腐細心區域内至少-個蒸 腐雜腐㈣卩㈣，其巾該至少—種可溶性 性腐蝕抑含在適當溶劑内，且其中該至少-種可溶 封=!動、經選擇，以防止或降低被包含在位於槽桶、 或合盗之底部或雙重底部下方區域内之至少一種液體 中一或多種腐|虫性化合物之量；及 (iii)至少一種陰極為基礎之腐餘防護或緩和系統，其中該 至少一種陰極為基礎之腐蝕防護或緩和系統係經設計了以= 止或降低發生在槽桶、封閉物或容器之至少一個金屬底部或 雙重底層部份中之腐钱量。 _〆 2·如請求項1之協同系統，其中該至少—種揮發性或氣相腐蝕抑 制劑係選自苯并三唑’胺鹽之苯甲酸鹽與苯并三唾之混人 物’胺鹽之硝酸鹽’ CuH26〇2N、吡啶、二氫咪唑類、:: 類、胺類(環己胺碳酸鹽、苄胺等）、膦酸鹽、亞罐酸鹽(納、 二環己基胺），或其兩種或多種之適當混合物。 < "' 3.如請求項1之協同系統，其中該至少一種可溶性腐蝕抑制劑係 選自ZnS〇4與NaHJO4之混合物、有機亞硝酸鹽及右 —” ’機:胺基 亞磷酸鹽。 20 200909611 4.如明求項3之協同系統，其中該至少一種可溶性 在與適當溶劑合併之前，係呈粉末形式。 A抑制劑’ 5_如凊求項3之協同系統，其中該至少一種可溶性腐 5 在與適當溶劑合併之前，係呈毫微尺寸之粉末形4 1弹’ 6. 如請求項5之協_統，其中毫微尺寸之粒子料實 形，且具有平均直徑小於約2500毫微米。 、、上未 7. 如睛求項5之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實 形，且具有平均直徑小於約1〇〇〇毫微米。 ' ’ 8·如请求項5之協同系統’其中毫微尺寸之粒子係為實 形，且具有平均直徑小於約5〇〇毫微米。 、: 9.如請求項5之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實質 形，且具有平均直徑小於約25〇毫微米。 、： 15 1 〇·如請求項1之協同系統，其中溶劑係選自Na2 M〇〇4、z 、 Na3P^、N^H2Pq4、犯叫、n以叫膦酸詞（ ==、。料（嘛响之樹，榻種或多種 極為 f:，防 乂夕檀化電（galvanic)或外加電流 (impressed current)系統或其组合。 20 12.如請求項11之協同“’其中該種陰極為基礎之腐钱 防護或緩和糸統係選自一或多種利用犧牲性陽極之化電系 一或多種利用陽極之外加電流系統、-或多種利用外加 電&之陰極減、—❹種利轉考電極之陰㈣統，或豆 兩種或多種之組合。 〃 61 5 15 20 200909611 13.如請求則之協同系統，其中系統進—步包括至小 桶二封閉物或容器之底部或雙重底部下方區域中二槽 閉物或容器之底部; ㈣系統，其進—步包括至少 桶、封閉物或容器之非底部 =二十以對槽 及/或緩和之其他裝置。 供腐钱保護 16. 如請求項15之協同系 桶、封_或㈡二種其崎置係位在槽 17. 如請求項15之協同系 1 桶、封閉物或容器之外頂部上^广種其他裝置係位在槽 认如請求項15之協同系統，、 桶、封閉物或容器之液體儲存區勒。-他裝置係位於槽 糊___ w崎統，此 揎ϋ至少—種揮發性或氣相腐简制劑，至小插 桶、封閉物或容器之底以防止或降低位於槽 孔工間中之一或多種腐飿性化合物之量；個条 (b)至少—種可溶性腐蝕抑 苴 腐韻抑_係被包含在適當溶 ^ 種可溶性 性腐蝕抑制劑俜且/、中该至少一種可溶 容器之底 次又重底打方區域内至少一種液射之—或多 62 200909611 種腐#性化合物之量；及 ⑷至少-種電解質為基礎之陰極额防護或缓和系統， 其中β亥至 >、種電解質為基礎之陰極腐餘防護或緩和系統之 電解質亦充作該至少-種可雜雜抑㈣之溶劑，且其中 5該至卜種電解質為基叙陰極雜防護級和线係經設 計，以防止紐低發生在才曹桶、爿閉物或容器之至少一個金 屬底部或雙重底層部份中之腐姓量。 ,20.如請求項19之協同系統，其中該至少—種揮發性或氣相腐姓 抑制劑係選自苯并三唆（benzotriazole)，胺鹽（aminesalts) ίο 之苯曱酸鹽（benz〇ateS)與苯并三唑之混合物，胺鹽之硝酸 鹽（nitrates)，C13H2602N、吡啶（pyridine)、二氫咪唑類 (imidazolines)、味唑類（imidaz〇les)、胺類（環己胺碳酸鹽 (cyclohexylamine carbonate)、苄胺（benzylamine)等）'膦 酸鹽（phosphonates)、亞硝酸鹽（nitrites)(鈉、二環己基胺 15 (dicyclohexylamine))，或其兩種或多種之適當混合物。 21. 如請求項19之協同系統，其中該至少一種可溶性腐蝕抑制劑 v 係選自ZnS〇4與NaH2P〇4之混合物、有機亞確酸鹽及有機胺 基亞墙酸鹽（aminophosphites )。 22. 如請求項21之協同系統’其中該至少一種可溶性腐餘抑制 20 劑，在與適當溶劑合併之前，係呈粉末形式。 23. 如請求項21之協同系統，其中該至少一種可溶性腐餘抑制 劑，在與適當溶劑合併之前，係呈毫微尺寸之粉末形式。 24. 如請求項23之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實質上球 形，且具有平均直徑小於約2500毫微米。 ’ 63 200909611 25. 如請求項23之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實質上球 形，且具有平均直徑小於約1000毫微米。 26. 如請求項23之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實質上球 形，且具有平均直徑小於約500毫微米。 5 27.如請求項23之協同系統，其中毫微尺寸之粒子係為實質上球 形，且具有平均直徑小於約250毫微米。 28.如請求項19之協同系統，其中該至少一種電解質為基礎之陰 極為基礎之腐蝕防護或緩和系統係選自一或多種化電或外加 電流系統或其組合。 ίο 29.如請求項28之協同系統，其中該至少一種電解質為基礎之陰 極為基礎之腐蝕防護或缓和系統係選自一或多種利用犧牲性 陽極之化電系統、一或多種利用陽極之外加電流系統、一或 多種利用外加電流之陰極系統、一或多種利用參考電極之陰 極系統，或其兩種或多種之組合。 15 30.如請求項19之協同系統，其中系統進一步包括至少一個置於槽 桶、封閉物或容器之底部或雙重底部下方區域中之絕緣 k ( insulating )内襯。 31. 如請求項19之協同系統，其中該至少一種揮發性腐蝕抑制劑 係被包含在一或多個盤内，其中該一或多個盤係位於槽桶、 20 封閉物或容器之底部或雙重底部下方之區域中。 32. 如請求項19之協同系統，其進一步包括至少一種經設計以對 槽桶、封閉物或容器之非底部或非雙重底層部份提供腐蝕保 護及/或緩和之其他裝置。 33. 如請求項32之協同系統，其中該至少一種其他裝置係位在槽 64 5 200909611 桶、封閉物或容器之内部漂浮頂部上 34. 如請求項32之協同系統，其中該至少 桶、封閉物或容器之外頂部上。 35. 如請求項32之協同系統，其中該至少 桶、封閉物或容器之液體健存區域内 種其他裝置係位在槽 種其他裝置係位於槽 65