TW200903626A - Edge electrodes with variable power - Google Patents

Description

200903626 九、發明說明： 【優先權主張】 膜的除晶圓之斜角邊緣與背側上之薄 本申請案錄優先權=礎係名I 罩邊緣_」之美國臨時中請案第_93,〇74號 申請)及名稱為「具有可變功率之邊、_極」

之美國£a日寸申叫案第60/893,069號(於2007年3月5 1卢申t主）。A 了所有用途將上述巾請案於此併人其全文作為參考。；υ ’、、' 【相關申請案的交叉參考】 由&^請案侧於：⑴與本申請案在姻日期提出之美國專利 曱印案第--代理人案號LAM2P592),發明名稱為「且 2電，蓋之邊緣電極」；及(2) 2〇〇7年2月8號提出之美^專^ 申凊案第11/704,870號’發明名稱為「在處理室中用來對正電極 以保護晶圓之邊緣外圍部内的禁止處理區之方法與設備 者皆在此併入作為參考。 " 々本申請案亦關於：（3)2007年2月2號提出之美國專利申請案 第11/701,854號，發明名稱為「用以界定處理室中之禁止處理月區、 ，執，處理區的設備」；及(4) 2007年4月6號提出之美國專利； 請案第11/697,695號，發明名稱為「用以分佈氣體予斜角邊緣钱 刻機之方法與系統」。上述兩者皆在此併入作為參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上係關於基板製造技術，尤有關於自基板之斜角 邊緣移除蝕刻副產物的設備及方法。 【先前技術】 在基板之處理中’例如，半導體基板(或晶圓），或玻璃板，例 200903626 將美板中之―者，通¥使用賴。在基板處理中， 割成複數個正方形或矩形形狀的晶粒。複數個晶 ^中的母—者皆會變成—積體電路。接著，以—連串 ς板’其中會選擇性地移除(或侧)及沉積材料。由於只要 奈米’就有可能會直接影響到該些裝置的操作速度 鍵嫩恤纖秦的電_極之關 如光置前tt基板上塗佈一層硬化的感光乳劑薄膜(例 罩。接者’選擇性地移除硬化的感光乳劑的區域，使底 刀暴露出來。接著將基板放置到電漿處理室中的基板士 後將—組適當的電漿氣體導入處理室中，並產生it 蝕刻基板的暴露區域。 座王电水Μ 的上顧’經常會在接祕板邊峨斜缘)之處 所f成㈣⑲。_賴妓正常妓槪*板之邊緣 Κι，基Ϊ斜角邊緣之上表面及下表面之聚合物副產物的 然而’由於數次不同的綱處理相繼地 ^產物t合物層沉積在斜角邊緣的上表面及下表面，正 ‘固亦會逐漸地在接續的處理步驟中減弱。接 其4 乂成；#近基板邊緣之上表面及下表面的聚合物層通常會在 二板傳送编剝離或剝落到另—片基 ： =質，的容器(一般稱為晶舟細二== 位置的基板重新放置於容器中時，副產物粒子(或薄 曰卓洛到具有晶粒的較下層基板上，潛在地影響裝置良率。 邊緣/包:极金屬膜(如A1及Cu)亦會沉積在斜角 合乂拉强了表面)上，且不會在蝕刻處理期間被移除。該些膜亦 ，藉此影魏肢率。‘ 至之内刊如月工至壁)亦會累積钱刻副產物聚合物，其需要定期 200903626 地加以移除以防止副產物累積及腔室粒子的問題。 —有鑑於前述問題，則有能夠提供移除接近基板斜角邊緣、及 腔室内部之蝕刻副產物、介電膜及金屬膜的改善之機構的設備及 方法，以避免聚合物副產物及沉積薄膜的累積並改善製程良率。 【發明内容】 總括而言，所揭露之實施例可藉由提供移除靠近基板斜角邊 緣、及腔室内部之蝕刻副產物、介電膜及金屬膜的構造及機構而 此需要，以避免聚合物副產物及沉積薄膜的累積並改善製程 义率:應注意：本發明可利用各種不同方式實現，包含製程、設 備或系統。以下將闡述本發明之數個創造性實施例。 計在Γ實施例中’提供一 _以清理基板之斜角邊緣的電漿處 雷浆處理室包含一下電極’用以安置該基板，其中該下 電和係麵5至一射頻(RF)電源。該f漿處理室亦包含一上邊緣 對該τ電極的—絕雜。該上邊緣電極係為電性接地。 更包含一下邊緣電極’圍繞該下電極。該下邊緣電 該上邊緣電極。該上邊緣電極、配置_1^極 ΐ邊極制以產生—清理電漿以清理該基板的該i 織通舰置㈣下電極上賴基板 '該 卜遠緣电極與該上邊緣電極之間的RF電流量。 的方Ϊί供—種在處理室中清理基板之斜角邊緣 中，，下基板於該處理室中的—下電極上，其 I體電源。該方法亦包含令一清理 理電將以、、電*接地，而在該基板之該斜角邊緣附近產生-清 電極Li™絕緣板。該上邊緣電極係為電性接地。-下邊缘 電極_該下電極並面對該上邊緣電極。該上邊緣電極了g 200903626 ί該該基^反、及該下邊緣電極係用以產生該清理電 ί 虽及訂電極係經由—奸電路而彼此電性耦合， 该RF電路為可調以調整通過配置於該 = 緣電極與該上邊緣電極之間的RF電流量。的祕板該下邊 走田ί另幻&例中’提供—_以清理基板之斜角邊緣的電襞 電理室包含一下電極’用以安置該板。該下‘ =1複數之升_來抬升錄板，且該下電極_合至-射ί 一 ϋϊι該？漿處理室亦包含—下邊緣電極，圍繞該下電極。 Ά將遠下邊緣電極與該下電極彼此電性隔離，該下 盘St17電路電性輕合至該下電極。該处電路在該下電極 巧J邊緣電極之間包含—電阻器及—可猶容器，該電阻器的 W糸位於該下邊緣電極與該可調電容器之間，而該電阻哭 -^系為接地。該賴處理室更包含—上邊緣電極，圍繞 _板。該上_電_為電性接地。該上邊緣“ /、該下邊緣電極彼此相對。該上邊緣電極、該下電極、及誃 緣電極係巧產生-清理錢以清理該基板的該斜角邊緣：

在又一實施例中，提供一種用以清理基板之斜角邊緣的電渡 处理室。該電漿處理室包含一下電極，用以安置該基板。該下 極係耦合至一射頻(RF)電源。該電漿處理室亦包含一上邊緣電 圍繞面職下電極的-絕緣板。該上絲電極係為電性接地。 該電_理室更包含-下雜雜，眺該下雜。該下邊 極面對該上邊緣電極。該下邊緣電極具有一£形橫剖面，當中 接近該下電極之該下邊緣電極的一端較一相反端薄。該上^緣^ =、配置於該下電極上的該基板、及該下邊緣電極係用以產生一 理電漿以清理該基板的該斜角邊緣。該下邊緣電極及該下電極 係經由一 RF電路而彼此電性耦合，該即電路為可調以調整 配置於該下電極上的該基板、該下邊緣電極與該上邊緣 的郎電流量。 J 從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解 200903626

說，本發明之優點當可更加清楚。 f實施方式J 提f緣、及腔室内部之 ^技ΐίίίίί 之累積並改善製練率。熟悉此 =:者應瞭解在沒有此處提出之部分或全部細節下仍可實施本 圖1Α為根據本發明之—每太匕义、_ i亦tr，)電源123所供電的電極。基板支持 mB 1； ；B t150 科製成，例如鋁(A1)、雷铲鈕、 ，、」田¥電材 為銘或電鑛_話，可在;塗佈2氧^^^Sf)。假若材料 钱刻化學作用所偷。受侵钱的铭會曰被 ，㈣與下邊輪120之間，;;==；^下 120 1210 介電環121及下絕緣環125可由的表面延伸。下 _2〇3)。下邊緣電極120可如陶兗或氧化 下邊緣電極及下電極係、二及環124。 此’ RF電請為可調以調整通過配置於下電^^的於^反 200903626 150、下邊緣電極120與上邊緣電極u〇 實施例中，下聚焦環124電性齡於 電流量。在- 下聚焦環！24電性及實際上藉由絕緣^^〇用_電源！23。 絕緣環122由介電材料組成，例 ^電^^分開。 係為接地。接地與聚焦環m之間存在=焦環以 本發明之另一實施例，如圖1A彳 電尸态152。又，根據 之間，設有-可調電容器⑸。在一實的電源 及電阻器152構成RF電路。又，可 電谷盗151 153的電阻器154構成财電路。”電谷-151及具有電容器 下電極140輕合於能將下電極組 13〇；Tf 下絕緣環125及絕緣環122。 ^3^121' m圍Λίί板163者為對立於下輕雜12Q的上邊緣電極 ϋ、ίϊ iq可由導電材料製成，例如_)、電ii、 ii5,上^緣ϋ。^上邊緣電極11G之外，設有上絕緣環 no 氣體流至 ’且介於增環111與上“=:: ^，上邊緣電極110與上介電環m之間。接近開口 165之通 f 164的-部份係位於圓圈A中，將其加以放大於圖1C中。蛵 =口 165或經由上中心氣體饋入件⑹以及介於絕緣板163與 土板150之間的空間’可將處理氣體饋入斜角邊緣區域。此外， 腔室壁Π0係為接地。上電極、上邊緣電極11〇、上介電環出、 上絕緣環115、及絕緣板163形成上電極組件。 在斜角邊緣清理期間，上邊緣電極11〇係經由上電極16〇而 11 200903626 接地。下電極140纟RP電源123所供電。如上 ==下f焦物，下聚焦請_阻;= J调冤151。如上所述，以並聯耦合於電容器153的 154取代電阻器152 ’如圖所示。在一實施例中，電阻哭& ^電二係介於約1。歐姆與約綱,_歐姆之間。在—實施ϋ， 二阻盎154的電阻係介於約1〇歐姆與約1〇 〇 容器153的電容係介於、約_至約i 二而電 151調整到低數值(低電容)，例如約職微法g ，100奸之間’則下邊緣電極係為接地。下電極14〇提供^ 生電·。15°與絕緣板163之間的空間 ΐΐ5-理钭ίί給如圖1Ε所示’可在靠近基板150之邊緣產生 極⑽線接地的下邊緣電極-及接地的上邊緣電 轉施^中，將^電路調整到接近处電源之共振頻率的 極騎魅之处功軸—部份通往下邊緣電 t 功率透過即電路所供電，即功率提 極作為i:::的基板及提供至下邊緣電極’且令上邊緣電 的^^實=巾,將即電路調整到雜好1源之共振頻率 頻率，以使下邊緣電極變得接近於接地。所產生 上、套= 率所供電’即功率提供至配置於下電極上的基板，且^ 上邊緣電極及下親電簡為躺。 &敬且與 ^然位於不同相位(通常與主处功率分開小於 =1F所示，電容器151調整到高數值(高電容）^如約而 功率至 之間’則提供來自处電源123之部分_ 容考κΐΐί電極。如上所述，f阻器152可由並聯輕合於一電 ill的電阻器154所取代’如圖！A_1中所示。在此情、又下 邊緣電極120及晶圓150 f透過下電極提供即功率以產生電 12 200903626 所7^ ’上邊緣電極u〇提供電裝的回線。藉由調整可 ;;茲;5==:=，提供之“率^ 在基板斜角邊^^斜==3室==調節器。 上絕緣環115、下介雷浐1?1 丁、*上逯緣電極110、 限制清理 12G及下、鴨環125來 青理氣體至開口165。清理氣體亦可經由氣 =入=⑹及氣體通道164兩者而提供。例如，經由 氣體。If 體’而經由㈣通道164提供另一類i的 經由氣體通道164提供剩餘 2通過配置於處理室削中之其他部分的氣體饋入件提供清理 如〇為在了清聚合物，清理㈣可包含含氧氣體，例 1 :添加些許量_ 包“一 理= 物。應注意：亦可將含氮氣體(如n2) 氮氣體可協助含氧氣體的分解。亦可 ==如A严)’以稀釋氣體及/或維持·。為； =人 =|]如SiN伽2)，可使用含氟氣體 例如’ A1或Cu)，可使用含氣氣體(如邙或 ^實施例中，相較於下邊緣電極12〇或上邊緣電極ιι〇之 最近接地端(Dw)的距離來說’上邊緣電極11〇與下邊緣電〇 之間的間隙DEE是相當小的。在—實施例中，間㈣㈤係介於約 13 200903626 〇.5cm至約2.5cm之間。在一實施例中比率係大於約4: 卜其確保電漿限制。在一實施例中，Dw是從下邊緣電極120到 靠近接地腔室壁170的距離。在斜角邊緣清理過程中’將處理室 壓力維持在l〇〇mTorr至約2Torr之間。在一實施例中，絕緣板M3 與基板150之間的間隙ds小於約1.0mm，以確保在斜角邊緣清理 過程中不會有電漿在上電極160與基板15〇之間形成。在另一實 施例中，Ds小於約〇.4_。 、 產生於圖1E及1G中的電漿是電容耦合清理電漿。或者，下 邊緣電極120可由埋入介電材料中的感應線圈所取代。於此實施 例中將電谷盗151設定在高數值並提供处功率至感應線圈。所產 生用來清理斜角邊緣之電漿為電容耦合電漿(由下電極14〇產生） =感耗合電漿(由下親電極12Q產生)的混合物。電餘合電黎 一般具有高於電容耦合電漿的密度，且可有效地清理斜角邊緣。 在基板邊緣附近以及上邊緣電極110與下邊緣電極120之間 電漿清理基板之基板斜肖邊緣。清理有助於減少累積在 邊緣的聚合物，如此減少或齡粒子賴影響裝置良率 理产ί 2顯ί符合本發明之—實施例之清理基板斜鎌緣的處 理1於處理室中放置基板於下電極上的步驟201 進又接f，在步驟202中，透過氣體饋入件流入清理氣體 理室iiiΐϊ饋^可提供清理氣體至處理室的中央或至處 利用κρί原ίί至203中’在靠近基板之斜角邊緣藉由 產生清理電f 及把上雜雜及下邊緣電極接地而 調電容器係奴來說，下魏雜與下電極之間的可 -處例之清理基板斜植緣的另 體進•室。===== 14 200903626 圓的邊緣。接著，在步驟253中，i 甘A, a 用RF電源供電至下電極及下邊板之斜角邊緣藉由利 生清理電H。就此實施例來說，下H及把f聽電極接地而產 電容器係設定在高數值。。獅，、下邊緣電極之間的可調 如前於圖1E中所诚，"RT7兩、、E ， 的RF功率，以利用接地的123提供經由基板150所傳輸 生清理電漿。清電極u〇及下邊緣電極120來產 直产繞於斜角邊緣並清理斜角邊緣。由於 ί ：T/^ Dc^ 150 Μ表面上亦具有ί。11:立圖1G所示的實施例在靠近斜角邊緣的 F官示的結構亦可用於產生電漿以清理腔室内部。在 程中’自處理室100中移除基板15〇。因此，此 Ξ壓自動清理(WAC)。在-實施例中，將處理室 之自下動， 緣;i '、、、曰曰固自動h理(或稱為腔室内部清理)來說，絕 之間的距離Ds不再必須要在少於約^❶麵。

Ξί^ΐΐ；^ i2〇^f^m^^DEE 要pf制至約2.5cm之間。腔室内部清理電裝不需 極110與下邊緣電極120之間，或是在上絕緣 ^底清^緣每125之間。清理㈣需要擴散通過腔室内部以 雷朽=ci或月ί室内部清理)中，於一實施例裡提供处功率至下 ίίΓ周整可調電容器151至低數值。上邊緣電極no及下 120㊉者皆為接地。在另一實施例中，可調電容器可設 南數值以容許來自耶電源123之心力率的一部份通往下邊 、:☆極’以產生在處理室之邊_近具錄高密度的清理電裂， 谷許腔室壁或靠近腔室壁之元件的清理更有效率。 15 200903626 如上所述，為了要清理斜角邊緣，所使用之RF功率的頻率 在約2MHz至約6〇MHz之間、或混合頻率。為了要清理腔室内部， RF功率的頻率在約2MHz至約6〇MHz之間、或混合頻率。用於 清理，室内部的電漿通常比用於清理斜角邊緣的電漿具有較高的 電漿密度，因此，用以清理腔室内部的处功率比用以清理斜角邊 緣的处功率具有較高的頻率。在一實施例中，RF電源123為雙 頻功率產生器。 取決於累積在腔室内部中的殘餘物，可施加不同的化學物質 以施行WAC。累積的殘餘物可為光阻、介電材料(如氧化物及氮化

物導電材料(如鈕、氮化鈕、鋁、矽或銅）。在此提及之材料 僅為範例。亦可施加創造性之概念於其他適合之介電材料或導 材料。 、 圖jC顯示符合本發明之一實施例之清理基板之斜角邊緣的 处理飢私270。處理開始於視情況的步驟271，若處理室中有基板， 則^處理室中移除基板。若處理室中沒有基板(或晶圓），仍可開始 腔至内部清理(或WAC) ’在此情況下’不需要步驟271。接著， 在步驟272中，透過氣體饋入件流入清理氣體進入處理室。氣體 ，入件可提供清理氣體至處理室的中央或至處理室的邊緣。接 者’在步驟273中’在處理室内藉由使用处電源供電至下電極、 巴上邊緣電極及下邊緣電極接地而產生清理電漿。就此實施例 ，下邊緣，極與下電極之間的可調電容器係設定在低數值。 ，2D顯示符合本發明之一實施例之清理基板之斜角邊緣的 f二處理流程290。處理開始於視情況的步驟291，若處理室中有 則？4理室巾移除基板。若處理室巾沒有基板(或晶圓）， 竭/腔室内部清理(或WAC)，在此情況下，不需要步驟291。 棘在步驟292中’透過㈣饋入件流入清理氣體進入處理室。 ^體f入件可提供清理氣體至晶圓的中央或至晶圓的邊緣。接 下邊緣’在處理室内藉由利用处電源供電至下電極及 緣電極、及把上邊緣電極接地而產生清理電漿。就此實施例 16 200903626 來說，下電極與下邊緣電極之間的可調電容器係設定在高數值。 說明於圖1Α及1D-1G中的實施例使晶圓150支撐在下電極 140上。或者，如圖3Α所示，下電極中可具有將基板15〇抬升離 開下電極140的升降銷145。在一實施例中，基板150與下電極 140之間的距離係介於約〇 〇5顏至約〇 95mm之間。將基板15〇 與絕緣板163之間的距離保持狹小(如小於約1〇_)，以防止電漿 形成於基板150的表面與絕緣板163之間。在一較佳實施例中， 將距離保持在小於〇·4_。由於基板15〇不再與下電極14〇接觸， RF電源不用經過基板150以產生電漿。將rf電路調整到容許处 功率^部伤通往下邊緣電極12〇，而在斜角邊緣附近產生電漿。 在一實施例中，將可調電容器設定在高數值，以容許处功率的一 刀通往下邊緣電極120，而在斜角邊緣附近產生電漿。 圖3Β顯不符合本發明之一實施例之清理電漿的電子流。由 極140與晶圓的底部之間的間隙微小(〈約1〇mm)，所以在 ^月侧無電篥形成。所產生的電漿位於下邊緣電2〇 肺η圖，=下邊緣電極12〇,的另一實施例，其中將下邊緣電

K 邑緣環125設計成更接近上邊緣電極110及 120 ^罪k基板150之邊緣，利用接地的下邊緣電極 下‘電極極110而產生電聚以清理斜角邊緣’接地的 接也的上邊緣電極no提供相似於圖ιέ所示之 上省性回線。然而’在此料中的賴限制將會更好。 =緣電極削與下邊緣電極之短於 =的幫助限_。在， 形時，下ΐί 120呈i ’ t圖4Β所示’當上邊緣電極110’為「L」 绦雷抵Τοΐ極1 ”有—平坦頂面，以使上邊緣電極110,與下邊 中ί圖咖’小到更佳限制電漿。在又一實施例 不邊緣電極則，及下邊緣電極120,為「L」形， 17 200903626 之間的距離Deeii’小到更佳 以使上邊緣電極110,與下邊緣電極120, 限制電漿。 用以清理斜角邊緣及腔室内部一 及沉積膜在基板或腔室内部上的非所欲累積，’並“了穿: 明，^楚瞭，之目的觀某些細節來_前述之發 修正7 i t卜在巧之中請專利範圍的範嘴内可施行某些改變及 ί限於此；實施，應視為例示性而非限制性，a本發明並 效物中進i修=之細即，可在隨附之中請專利範圍的範嘴與等 【圖式簡單說明】 類似的藉參由4面字 = 的隨:造圖^將可輕易地瞭解本發明’且 極之：==二-實施例’顯示具有-對上下邊緣電 一杳ϋΑ_1為根據本發明之—實施例，顯示取代電阻H 152的另 一貫把例。 圖1Β為根據本發明之一實施例，顯示圖1Α的放大區域Β。 圖ic為根據本發明之一實施例，顯示圖1Α的放大區域a。 為根據本發明之一實施例，顯示當可調電容器調整到 低數值時下邊緣電極被接地。 圖1E為根據本發明之一實施例，顯示由RF供電之基板及接 =的上邊緣f極與接地的下邊緣電極職生的斜肖邊 漿。 ，1F為根據本發明之一實施例’顯示當可調電容器調整到高 數值日寸，供至下電極的处功率之一部份被提供至下邊緣電極。 圖1G為根據本發明之一實施例，顯示由pjp供電之基板及下 邊緣電極與接地的上邊緣電極所產生的斜角邊緣清理電漿。 18 200903626 圖2A為根據本發明之一實施例，顯示產生斜角邊緣 漿的處理流程。 ” 圖2B為根據本發明之一實施例，顯示產生斜角邊緣 漿的另一處理流程。 一 圖2C為根據本發明之一實施例，顯示產生腔室内 漿的處理流程。 丨月里玉 聚的本發明之—實施例，_產生腔如部清理電 圖3A為根據本發明之一實施例，顯示具— 極之基板姓刻系統的略圖。 、 f上下邊緣電 圖3B為根據本發明之一實施例，顯示由财 下邊緣電極與接地社魏雜所纽 緣):電極 圖4A為根據本發明之一實施例，顯示里電聚。 角邊緣之處理室的—部份。 、圖戌之清理斜 圖4B為根據本發明之一實施例，顯示 、 角邊緣之處理室的一部份。 ；^清理钭 &、喜J 5為根據本發明之一實施例，顯示相似於’ 角邊、'彖之處理室的—部份。 、圖1这之垮理钭

【主要元件符號說明】 100 處理室 110 110, 111 115 117 120 120, 121 上邊緣電極 上邊緣電極 上介電環 上絕緣環 斜角邊緣 下邊緣電極 下邊緣電極 下介電環 19 200903626 122 絕緣環 123 RF電源 124 下聚焦環 125 下絕緣環 130 移動機構 140 下電極 145 升降銷 150 基板 151 可調電容器 152 電阻器 153 電容器 154 電阻器 155 RF電路 160 上電極 161 氣體饋入件 163 絕緣板 164 通道 165 開口 170 腔室壁 200 處理流程 201 步驟 202 步驟 203 步驟 250 處理流程 251 步驟 252 步驟 253 步驟 270 處理流程 271 步驟 200903626 272 步驟 273 步驟 290 處理流程 291 步驟 292 步驟 293 步驟

Claims (1)

1. 200903626 十、申請專利範圍： 置=理=板之斜角邊緣，包含： (RF)電源； / 土反/、中D亥下電極係耦合至一射頻 極係為一極及賊㈣該下電極的—絕緣板，該上邊緣電 該基板=邊i 合，該RF 該電極係經由一 W電路而彼此電性耦 ' - 整到懷财1項之電裝處理室，其中該即電路係調 機肅地驗下m 率’經由㈣電路所供電，且令該上邊緣電極作緣為電^接 3.如申請專利範圍第丨項之電漿處理室，豆中該即 間包含一電阻器及」可調電容器，S 器^另-端極與該可調電容器之間’而該電阻 „ 4.如申請專利範圍第3項之電漿處理室，苴中，該 =^i=00pF至約10,000pF之間的相對高值，而該電阻器 ^值係介於約10歐姆至約戰⑻㈣姆之間，以調整該虾 近該RF電源之-共振頻率的一共振頻率，俾令該卯電^原 ΐίϊ之一即功率的一部份通往該下邊緣電極，所產生之該清理 極二t以供應至配置於該下雜上的職板及供應下邊緣電 極的RF功率，經由該RF電路所供電，且令該上邊緣電極作為一 22 200903626 接地回線。 5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理室，其中該Rp電路係古周 整至遠離該RF電源之一共振頻率的一共振頻率，以使該下邊緣^ 極成為近乎接地’所產生之該清理電漿由供應至配置於該下電極 上的該基板之該RP功率所供電，且同時接地於該上邊緣電 下邊緣電極。 μ 6. 如申請專利範圍第3項之電漿處理室，其中該可調電容哭 係設定在約l〇pF至約l〇〇pF之間的相對低值，而該電阻器的數^: 係介於約10歐姆至約100,000歐姆之間，以調整該即^路至1 離該RF電源之一共振頻率的一共振頻率，俾使該下邊緣電極1 近乎接地，所產生之該清理電漿係由供應至配置於該下電極上的、 该基板之該RF功率所供電’且同時接地於該上邊緣電極及該下邊 緣電極。 災 7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理室，更包含： 一上絕緣環，圍繞並耦合至該上邊緣電極，其中，面對該 板之該上絕緣環的一表面對準面對該基板之該上邊緣電極=^ 面；及 』衣 一下絕緣環’圍繞並耦合至該下邊緣電極，i中，面 絕緣環之該下絕緣環的一表面對準面對該上邊緣電極下^ 電極的表面。 '瓊緣 兮下ίίί請專利觀第7項之賴處理室，其巾該上絕緣環及 該下絕緣％協助限制該清理電漿。 及 m 申請專利範圍帛1項之電衆處理室，其中，該下邊緣雷 極至一最近接地端間之距離相對於該上邊緣電 該下邊緣電極間之距離的比率係大於約4 : 1。 10.如申請專利範圍第1項之電漿處理室，更包含. -氣體饋人件，埋置於該絕緣板中以提供 3氣 該基板的該斜肖絲。 & 理 η.如申請專利範圍第1項之電漿處理室，更包含： 23 200903626 複數之氣體通道，埋置於包含該絕緣板及 緣俾供應處理氣體至靠近該基板之邊緣以以 12. 如申請專利範圍第丨項之電漿處理 的頻率係介於約2MHz至約60MHz之間。八中該即功率 13. 如申請專利範圍第丨項之電漿處理室，i 該基板的輯魏緣板之絲關麟制緣板與 極盥申Λ專利範圍第1項之電漿處理室，其中，該下邊缘電 極與該下電極由—下介電環加以互相紐隔離。 卜違緣電 基板&邊朗雜綠，肋在，料中清理 耗合至置㈣―下雜上，其中，該下電極係 令一清理氣體流入該處理室；及 方^ 電賴f給該下雜且令—上邊緣電極接地之 角雜；緣附近產生-清理以清理該斜 帝托邊緣電極，圍繞著面對該下電極的—絕緣板，該上邊缓 、ί電繞著該下電極’該下邊 .,^每·緣電極’其中’該上邊緣電極、配置於該下雷 ί板的及該下邊緣電極係用以產生一清理漿以清理該 緣;其中’該下邊緣電極及該下電極係經由-处 托μ m2 ^•電性耦合’該卵電路為可調以調整通過配置於該下電 "^ 土巧、該下邊緣電極與該上邊緣電極之間的RF電流量。 甘巾凊專利範㈣15項之基板之斜角邊緣的清理方法’ 2 Γ入π電路係調整到接近該即電源之一共振頻率的一共振頻 ^，:以即電源所產生之一 Rp功率的一部份通往該下邊緣電 生之該清理電聚係以供應至配置於該下電極上的該基板 ，、…'至該下邊緣電極的RF功率，經由該RF電路所供電，且令 24 200903626 該上邊緣電極作為一接地回線。 豆中圍第15項之基板之斜角邊緣的清理方法， ，、中該RF电路係凋整至遠離該卵 α至配置於該下龟極上的該基板之該RF功率所#雷，且 於該上邊緣電極及該下邊緣電極。力羊所i'電，且叫接地 更包i8.如申請專利範圍第15項之基板之斜角邊緣的清理方法， 在小於1 板之—表®與概板之間的距離保持 ii聰俾防止在該絕緣板與該基板之一前表面之間形成 漿ί，’用以清理—基板之斜角邊緣，包含： 銷來抬升f板^之升降 -τ；«Τίί«ί#®ί™ 鋰入石兩Λ 田離5亥下邊緣電極經由一 RF雪政雷妯 耦合至該下電極;其中，該RF電路在該下雷朽：二ί路電性 間包含一電阻器及-可調電容器，該電；與f下邊緣電極之 緣電極與該可調電容器之間，而該電阻位於該下邊 -上邊緣電極，圍繞輯該下電極的及 極係為電性接地，該上邊緣電 ^ ’ 一上邊緣電 ^ . AmTmiZtf^T 漿以清理該基板的該斜角邊緣。 轉用以產生-清理電 20.如申請專利範圍第17項之電 谷器係設定在約_pF至約1G，_pF ^ ^中’該可調電 器的數值係介於約1G歐姆至約雇，_ϋ^值’而該電阻 電路到接近該RF電源之—共·，以調整該RF 源所產生之RF功率的一部份通往該下’俾令該RF電 電漿由經該RF電路供應至該下邊緣電極所產生之該清理 J琢RP功率所供電，且 25 200903626 令該上邊緣電極作為—接地回線。 部的清理方法，包含： 令一清理氣體流入該處理室； 室内功率供電給—下電極而產生—清理電漿以清理該腔 一下邊緣電極圍繞該下電極， 下介電環扣彼此雜隔離，該下電極與該下電極由-電性耦合至該下電極，該下邊緩=緣電極係經由一可調電容器 地端；且-上邊緣電極圍繞面對該合至-接 電極係為電性接地，該上邊緣電極上邊緣 中，該上邊緣電極、該下雷梅、ς該下邊緣電極彼此相對；其 理電漿。 h下邊緣電極係用以產生該清 2一室，用以清理-基板之斜驗緣，包含： ㈣電源 用以安置絲板，其中該下電極_合至—射頻 極係為一贼珊灯電㈣—麟板，該上邊緣電 抑J邊Ϊ電極’陳該下電極’該下邊緣電極面對該上邊緣 邊緣電極具有一匕形橫剖面，當中較接近該下= ίΙίϊ”的"^較—相反端薄；其中’該上邊緣電極配置 於^下笔極上的該基板以及該下邊緣電極係用以產生一清理 基板的該斜紐緣；其中’該下邊緣電極及該下電H 'it 而彼此電性搞合’該卵電路為可調以調整通過配 ^於ϋ電極上㈣基板、該下魏電極與該上邊緣電極之間的 十一、圖式： 26