TW200837145A

TW200837145A - Dual curing polymers and methods for their preparation and use

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Publication number: TW200837145A
Application number: TW96144586A
Authority: TW
Inventors: Khristopher Edward Alvarez; Nick Evan Shephard; James Tonge
Original assignee: Dow Corning
Priority date: 2006-12-21
Filing date: 2007-11-23
Publication date: 2008-09-16
Also published as: CN101578324A; US20100092690A1; WO2008076184A1; US8618233B2; KR20090093999A; EP2094766A1; EP2094766B1; JP5350267B2; JP2010513661A; CN101578324B; TWI432524B

Description

200837145 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】雙重固化聚矽氧聚合物具有藉由2種不同固化機制固化之官能基。無論使用哪種固化機制，含有本文所述聚合物之組合物固化以形成具有相應結構及強度之產物（網狀物）。該等聚合物及組合物適用於電子應用，例如用作保形塗層、密封劑及黏著劑。【先前技術】

輻射（例如紫外線，uv)可固化塗層依賴視線輻射實現固化。UV固化為低溫、快速、指令化固化方法，其可使製造者在小空間内以高產量產生大量固化物質。此使得1;乂固化對於電子電路板製造商而言成為一項具有吸引力之技術。然而，裝載電路板之組件的複雜架構由於在組件下之 “陰影面積”使得其不為uv固化之理想候選者。兩種化學物質廣泛應用於uv可固化塗層中；一者為丙烯酸酯另一者為環氧樹脂。基於丙烯酸酯之系統由光生由基物質觸發。光引發及聚合中之自由基的半衰期相對短以致僅當產生有效輻射時發生聚合。基於環氧樹脂之系統經由陽離子機制固化，其中通常呈鑌鹽形式之潛在酸藉由 UV輻射分裂以得到強酸，其隨後起始環氧基之自身加成以形成醚鍵。反應性陽離子中心具有相對長之半衰期以致視固化基質之性質而定聚合可持續若干天。在剛性系統中，陽離子中心被截留於基質中，且可使用後烘焙以增加基質之流動性從而固化。在可撓性聚秒氧環氧樹脂中聚合 126747.doc 200837145 可在室温下持續。已提出解決陰影固化問題之若干種方法。一個實例為烘焙塗層。在uv輻射後之電路板之後烘焙為高成本之第二步驟，其消除之前使用UV之意義。此外，加熱可引發= 鹽分解以便固化陽離子物質。類似地，加熱可分解諸如過氧化物或超過氧化物的用於固化基於丙烯酸酯之系統之自由基產生物質。

用以解決陰影固化問題之一替代方法為所謂雙重固化物質。用於該等物質之習知途徑為經由用厭氧自由基引發劑系統作為二次機制的uv觸發之自由基引發丙烯酸醋官能性矽氧烷，或反之經由水分引發之聚矽氧室溫固化（RTV) 化學物質，諸如如下所示之曱氧基矽烷官能性物質： ?CH3 CH, 、力\ I - Γ 〇CH, CH,

CHJ · sr I CR 9Ha 〇ch3 久L〇、f f CH, 〇CH，

O

此家族中之聚矽氧丙烯酸酯聚合物通常藉由用三甲氧基丙稀醯基我封端直鏈㈣醇官能性聚二甲基梦氧烧流體來獲得。雖然丙稀酸s旨聚石夕氧可獲得，但其遭受υ難以經由傳統氫我化途徑製備，及2)在合成期間丙烯酸醋基團易於熱聚合之缺點。此途徑亦受限於可獲得之聚合物架構，僅存在有限量之錢醇聚合物；通常僅直鏈碎烧醇封端：合物。當將石夕烷上烷氧基中之-者與僅留有2個可用 ;縮口之烧氧基之；5夕貌醇流體縮合時，其降低二次固化速 126747.doc 200837145 度。在諸如以上所說明之聚合物中，僅有之設計變數為聚合度（DP)，由下標z表示。由於由縮合催化劑引起之分子内反咬反應（backbiting reaction)，故經由此途徑製得之聚矽氧聚合物亦具有分裂之趨勢。【發明内容】本發1之聚合物每分子平均包含一個以上式⑴基團：

I —ΓΕ f ⑴ ，其中2係選自由一個矽原子及間隔基組成之群’其中E、A及R可與該間隔基之同—原子或不同原子鍵結；其中： R2m 基團A在末端包含式Xt~Si-R 單元· R23.s 基團E在末端包含式Js—Si-R1—單元；各基團R係獨立地選自r1、r2、e、A及共價鍵；且其中各Rl獨立地為氧原子或二價烴基；各R2獨立地為單 ϋ :烴基；各Χ獨立地為單價可水解基團；各J獨立地為單價 %氧基官能性有機基團；各下標s獨立地具有丨、2或3之值；且各下標t獨立地具有工、2或3之值。在該聚合物中， -平均各基團E極接近於基團A中之一或多者，且平均各義 •團A極接近於基團E中之-或多者。為達成此應用^ 的，‘極接近，意謂基團彼此足夠充分靠近以充當—個交聯單元。【實施方式】本文所述之聚合物可具有下式之單元： 126747.doc 200837145

2 、 (R22Si02/2)b 、 (R^〇3/2)e、（Si〇4/2)d、（Rl’)^(R23si〇i^。二物中所有單元之總和可在5G至25GG，或者5G至1000 之耗圍内。下標b與數量(a + b + c + d + e + f + g)之比率 "在至0·999之範圍内。或者，此比率可在〇 93至〇 98之範圍内。各聚合物气可平均具有至少一個式基 R 3 s 團及至少一個式Js—S卜Ri—基團。在上式中’各R獨立地為氧原子或諸如二價烴基之二價有機基團。或者，肴各R為二價烴基。各Rl，為二價烴基。合適二價烴基之實例包括伸烷基，諸如伸乙基、伸丙基、伸. :伸己基、伸辛基及或者為伸乙基；及伸芳基，諸如伸苯基，或烷基伸芳基，諸如： H2 H2 I ' h2 ηΓηΓ - z “2 或一、者，各R:及各Ri，可為伸燒基，諸如伸乙基。。或 ^ 式中各R獨立地為不含末端脂族不飽和性（不經 :、元化作用反應）之單價有機基團。合適r2基團之實例包括經取代及未經取代之單價烴基。合適的未經取代之單價煙基包括：烧基，諸如甲基、乙基、丙基、戊基、己 126747.doc 200837145 基、庚基、辛基、十一基、十八基、甲基乙基、曱基丙基、2-甲基丙基、二甲基乙基、卜甲基丁基、^乙基丙基、2-甲基丁基、3_甲基丁基、it二曱基丙基及2,2_二甲基丙基；環烷基，諸如環戊基、環己基及甲基環己基；及芳基’諸如苯基' 甲苯基、二甲苯基、苄基及2-苯基乙基° R2之單價經取代烴基之實例包括（但不限於）單價鹵化煙基··諸如由氯甲基及氣丙基例示之氯化烷基；氟化烷基’諸如氟甲基、2 -氟丙基、3，3,3_三氟丙基、4,4，4·三氟丁基、4,4,4,3,3·五氟丁基、5,5,5,4,4,3,3_ 七氟戊基、 6,6,6,5,5,4,4,3,3-九氟己基及8,8,8,7,7_五氟辛基；氯化環烷基，諸如2,2-二氯環丙基、2,3_二氯環戊基；及氟化環烷基，諸如2,2·二氟環丙基、2,3_二氟環丁基、3,4_二氟環己基及3,4-二氟甲基環庚基。R2之單價經取代烴基之實例包括（但不限於）經氧原子取代之烴基，諸如縮水甘油氧基烷基；及經氮原子取代之烴基，諸如胺基烷基；及經氰 I 基官能基取代之烴基，諸如氰基乙基及氰基丙基。或者，各R2可為烷基，諸如甲基。在上式中，各X獨立地為單價可水解基團。合適的單價，可水解基團包括醯氧基、烯氧基、烷氧基、烷氧基烷氧 .基、羥基、酮基或其組合。合適的醯氧基係由乙醯氧基、辛酿基氧基及苯甲醯基氧基例示。合適的稀氧基係由異丙烯基氧基及i-乙基-2-甲基乙烯基氧基、異丙稀基氧基及卜乙基-2-甲基乙烯基氧基例示。合適的燒氧基係由甲氧基、乙氧基、丙氧基及丁氧基，或者甲氧基例示。合適的燒氧 126747.doc -11 - 200837145 基烧氧基係由甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基及甲氧基丙氧基例示。在上式中，各j獨立地為單價環氧基官能基。合適的環氧基官能基之實例包括3,4_環氧基環己基；環氧基乙基（環氧乙基）；環氧基甲基；縮水甘油氧基；縮水甘油氧基烧基，諸如縮水甘油惫|^ 油虱基甲基、2-縮水甘油氧基乙基、3_縮水甘油氧基丙基及4 -输4+ ^ 細水甘油虱基丁基；環氧基環己基烷 Γ 基’諸如4_甲基_3,4-環氧基環己基、2-(3,4·環氧基環己基）乙基3 (3,4-%氧基環己基）丙基、3,4_環氧基甲基環己基、2,3-環氧基環戊基及（2,3_環氧基環戊基）甲基；及環氧乙基烧基，諸如4_環氧乙基丁基及8_環氧乙基辛基。 ^者香各J可為環脂族環氧基官能基。環脂族環氧基官月匕基之實例包括：

/、βϋΐ芏：)範圍内之值。聚口物每/刀子平均包含一個以上式⑴之基團 ⑴ 使式（I)之基團在聚合物中相互隔開以使得當含有該聚合 126747.doc 200837145 物之組合物經由輻射固化、縮合固化或其組合固化時形成聚合網狀物。不希望受理論束缚，認為由於式⑴基團之存在，故無論使用哪種固化機制來固化組合物，經固化之產物均具有類似之整體結構及強度。不希望受理論束缚，認為1)基團A及E彼此極其接近及2)式⑴基團之間的距離之組合提供此益處。或者，在聚合物中式⑴基團可與所有其他式（I)基團隔開至少30個單元，及戎去姑士 γ 0曰^ 丨口平八*汉取肴彼此隔開50至1〇〇〇個 22 一早兀。

隹桊又所述貝負上所有基團X及基團J均處於式⑴中。‘實質上所有基團x及基團J均處於式⑴中，意謂 ⑴在聚合物中所有基㈣及所有基團均；鍵結至作為式⑴之部分之基團或⑻在聚合物中鍵結至不為式⑴之部分之基團的基團X及/或基紙量無論使用哪種固化機雜射或縮合）來固化含有該平人从聚口物之組合物均不影響整體結構及強度。 z係選自由一個石夕肩+ 、于及間隔基組成之群，其中E、A及 ^可與關隔基之同-原子或不同原子鍵結。R係選自由 R、R、a、E或共價鍵組成之群。或者，R可為A或卜 R23_t 基團人在一末端包含式Xr^i-R1— 飞之單元且可進一步包含 1至1〇個其他單元〇复仞w - ς.η 〇2 ” 他早 70 可包含R22Si〇2/2、R2si〇3/2、

Si〇4/2、R23Si〇1/2、甘 / R2^ ，、組合。或者，基團A可在一末端 | 3-t 之軍疋且在另一末端包含式R1，之單元包含式 126747.doc 200837145 3-t

—J 其中單元1 及單元R1由其他單元分離。或者，基 f R2 R23_t —Si—(-O-Si-^Ri—Si-Xt 團A可具有式（II) r2 R2 ，其中下標χ 具有1或1以上，或者1至10之值。或者，下標x可具有在} 至5範圍内之值。在該等式中，R1、R2、χ及下標t係如上所述。 r23s 丨1 基團E在一末端包含式Js一 Si - R—之單元且可進一步包含 1至10個其他單元。其他單元可包含R22Si〇2/2、R2si〇3/2、

Si04〈2、R23Si〇1/2、Ri及其組合。基團E可在一末端包含式 R2, 丨％

Js~Si-R-— 口口 2之早元且在另一末端包含式R1，之單元，其中單 R 0 70 及單元R1’由其他單元分離。 R2 r23.s 、 —R^Si—0-)ySi-Js 或者，基團E可具有式（III) R2 ，其中下標 y^、有1或1以上，或者丨至1〇之值。或者，下標y可具有在1 至5範圍内之值。在該等式中，R1、R2、J及下標s係如上所述。基團R可選自由A及E組成之群。當z為一個石夕原子且汉為

R

I E—Si— A或E時’基團⑴為式i之單價基團。或者，z可為間隔基。合適間隔基之實例包括具有3至υ 個石夕原子之聚有機石夕氧烧基團。基團可與該間隔基 126747.doc -14- 200837145 之同一矽原子或不同矽原子鍵結。當z為間隔基時，合適的式⑴基團可包含單元]^28丨〇2/2、R2Si〇3/2、si〇4/2、Rl.、 R 3S1O1/2 ^ (R22)ESi〇1/2 > (R22)ASi01/2 ^ (R2)(E)(A)Si〇i/2 ^ (R )ESi02/2、（A)ESi〇2/2、（R2)ASi〇2/2、ESi〇3 2 及 ASi〇3/2

中之兩個或兩個以上，其限制條件為該間隔基具有至少一個含有基團A之單元及至少一個含有基團E之單元，其中基團A及基團E可與該間隔基之同一矽原子或不同矽原子鍵結。在該等式中，Rl，、R2、E&A係如上所述。本文所述聚合物之一實例具有式（IV): (IV)

R R I ! I 0—Si~R—Si-E • 2 I R A 其中R1、R2、

A、E及R係如上所述，且下標h具有在5〇至1〇〇〇範圍内，或者150至1〇00範圍内之值。在式（IV)中，各尺可選自由a 及E組成之群。在式（IV)中，各Rl可為伸烷基，諸如伸乙基。在式（IV)中，各R2可為烷基，諸如甲基。熟習此項技術者將認識到除式（IV)之聚合物外或替代式（I v)之聚合物’亦可使用式（IV)之衍生物。在式（IV)衍生物之一實例中’ h個式尺^…的單元可經包含以^丨心^ 、 (R2Si〇3/2)e·、（Si〇4/2)d，、（Rr)f，、（R23Si01/2)g·及其組合之單兀置換’其中量0，+(^，+(1，+£,)可在5〇至1〇〇〇之範圍内，且^ 具有0或0以上之值。本文所述聚合物之一替代實例具有式（V): 126747.doc -15- 200837145 R2 -Si-〇

-Si- ~〇-Si- R2 'Si—f—〇—Si R2 R2 -0—Si-R1 R2 七 R2 -〇-Si- 9 甘中r 1、p 2 A E、R及下標h係如上所述，且各下標i具範圍内之值。在式（v)中’各選自由组 ^之群。在式2(v)中，各R1可為伸烧基，諸如伸乙基。在」（、）中各R可為烷基，諸如甲基。熟習此項技術者將〜哉到除式（v)之聚合物外或替代式（V)之聚合物，亦可使 2弋（V)之衍生物。在式（v)衍生物之一實例中，h個式 R 2Sl〇2/2 單元可經包含（R22si〇2/2)b，.、（R2si〇3/2)c,,、 (Si04/2)d"、（R1 )Γ|、（R23Si〇m)g，，及其組合之單元置換，其中里（b + c + d’’ + f’’）= 50至1000，且g，，具有〇或〇以上之值。在式（V)衍生物之一替代實例中，丨個式rWOw單元可經包含（R22Si〇2/2)b，,f、（R2Si03/2)ci，，、（Si〇4/2)d·’’、 (R )Γ’·、及其組合之單元置換，其中量（bM，+ c + d +广’）=1至25，且g…具有〇或〇以上之值。在式⑺ 之一替代衍生物中，h個式R22Si〇2/2之單元及H固式 R 2Si〇2/2之單元可如上所述經置換。本文所述聚合物之一替代實例具有式: (VI) 126747.doc A、 R2 /:s卜0 ? R2 二 rL^ R2 \R2 R/u 0—Si R2/h .0—Si-

AR2 X -R1-Si 〇i. skRE sSi-〇\ E

2R u 16- 200837145 其中 Κ、Κ^、Κ2、Α；9ρ 竹，及下標h係如上所述。在式（VI)

C 可選自由㈣組成之群。在式⑽中，各R1可為伸燒基，諸如伸乙基。在式（VI)中，各r2可輕基，諸如甲基。在式㈤中’下標,可具有在0至22,或者0至5範圍内之值°熟習此項技術者將認識到除式（VI)之聚合物外或替代式（VI)之聚合物，亦可使用式（VI)之衍生物。在式 (VI)衍生物之一實例中，若u大於〇，則基團A及基團E所鍵結之矽原子無需在環中相鄰。在式（VI)之一替代衍生物中，使基團A及E與環中同一石夕原子鍵結，且環中之其餘矽鍵結基團為R2。在式（VI)之一替代衍生物中，h個式 R22Si02/2 單元可經包含（R22Si〇2/2)b，，.，、（R2Si〇3/2)c"·.、 (Si04/2)d’’’，、（r1 )f""、（R23Si〇1/2)g"，，及其組合之單元置換，其中量（b，，，，+ c，，，，+ d，，，，+ f，，，，）具有在50至1000範圍内之值，且gMM具有〇或0以上之值。本文所述聚合物之實例包括以下結構。在該等結構中， h係如上所述，‘Me’表示甲基，‘Et’表示伸乙基，且 ‘Epchex’表示環氧基環己基乙基。 OMe Me I I MeO Si-Et—SiO一Si-OMe Me Me

Epchex Me Me—Si-〇—si-Et

〇~Si-Et—Si~

Ye Me OMe -Et-Si—O-Si—Et-Si-OMe Me Me OMe

Et-Si-O-Si-Me Me Epchex 126747.doc -17. 200837145 _ OMe Me Me 一 Me 1 /Me、 \ Me Me OMe MeO Si-Et—SiO—Si_Et_ —S卜 —O-Si- j—0—Si-Et—Si_ —Et~Si—0~Si— -Et~Si_0Me 1 1 1 OMe Me Me 1 1 J Me 2 \ /h ^ 1 Me Me OMe

Me

Me—Si-O—Si-Et Epchex Me

Me Me

Et-Si—O-Si-Me I I

Me Epchex OMeI MeO Si-Et—SiO——Si~Et I I I OMe Me Me OMe I Et-Si—Ο-Si一Et-Si-OMe I I I Me Me OMe OMe Me Me Me I I I I MeO-Si-Et-Si-O-Si-Et-SiO-I I I I OMe Me Me Me

Me Me / Me\ Me Me I I / I \ I I -Si-〇-Si-Et-Si^〇-Si4〇-Sffit-Si〇-Si- Me Me\ Me A Me Me

Me Me Me I I I -Ο-Si—Et-Si—O—Si—Me I I I Me Me Epchex 2

Epchex Me 1 / Me 1 \ Ye Me Me Me—Si-〇—Si~Et— Si-Et-Si— 丁 —0一 Si— 丁十0〒卜Et Et-Si- •0—S 卜 Me | Me Me 2 Me ^ Me /h Me \ Me Epchex

Me Me

Me Me Me I I I Me—Si-O—Si-Et-Si-0 Epchex Me Me

Me Me Me OMe

I I I. I 〇-SiEtSiO_Si-Et-SiOMe

Me Me Me OMe

Me Me Me I I I Me—έ卜 O—Si-Et-&i-〇-I I I Epchex Me Me

Me Me / Me\ Me Me -Si-〇-Si-Et-Si-h〇-Si4〇-SiEt-Sr〇-Si-

I

Me/h Me Me

Me Me Me I I I -0 - Si-Et-Si—O—Si—Me I I I Me Me Epchex 2 OMe Me Me Me till Me〇-Si-Et-Si-〇-Si*Et*SiO OMe Me Me Me

Me Me Me OMe I I I I O-Si-EtSi-O-Si-Et—SiOMe I I I I Me Me Me OMe OMe Me Me Me I I I I MeO-Si - Et-Si-O-Si.EtSiO-I I I I OMe Me Me Me

Me\ Me Me -Si-O-Si-Et-Si-hO-Si—O-Si-Et-SrO-Si

Me

I

Me/h

Me Me

Me Me Me OMe I I I I O-Si-EtSi-O-Si-Et-SiOMe III! Me Me Me OMe

Me Me Me I I I Ο-Si-Et-Si—0—S 卜 Me I I I Me Me Epchex -18-

Me Me Me

I I I

Me—Si~0—Si-Et-SiO

Epchex Me Me 126747.doc 200837145

Me Me OMe Et-Si—OSi—Et~Si-OMe 'I I I Me Me OMe

Me Me ?Μ6

Me、：Si-0

Me

Me、？ Me’f1-/ O-Si

Me

Me—Si-O—Si-Et I I Epchex Me -Et-Si

Me

Et—Si—0~Si一Et—Si—OMe Me OMe y Me Me Et——Si—0—Si-Me Me Epchex

Me—Si-O——Si——Et I I Epchex Me

Me Me Et——Si—0—Si-Me I I Me Epchex

Me Me Me一Si-〇—Si-Et λ/ίοI 1、/ f / r 一——Et-〇 Me \ Me/ O-Si

Epchex Me OMe Me I I Me〇Si-Et一SiO—Si-Et

Messi/、:rl

Me I OMe Me

Me OMe Me Me MeOSi-Et—SiO—Si-Et OMe I I I, I OMe Me Me Et-Si—Ο-Si—Et-SiOMe

Me Me

Me Me I OMe

Me π—ς;

Me Me OMe Et-Si—0~Si—Et-SiOMe

Me Me Et—Si—O—Si-Me ' I Epchex

Me I OMe

Si- 0—Si

Me Me Et—Si—O—Si - Me Me Epchex

Me I Me—Si-O—Si——Et I I Epchex Me

Me Me OMe . . I Et-Si—0~Si—Et-Si~OMe I I I Me OMe 其中hM具有在25至250範圍内之值。製備聚合物之方法上述聚合物可藉由組合成份來製備，該等成份包含： 126747.doc -19- 200837145 解有1個錢結氫原衫1請末端可水團係=有=:……鍵結氫原子及可水解基七氧夕氧燒之不同矽原子鍵結； JB)每分子平均具有1個石夕鍵結氫原子及丨至3個末端可輻、固化基團之聚有機氫矽氧烷，纟中矽鍵結氫原子及可輻射固化基團係盥蝥右撼_ * 于/、來有桟虱矽虱烷之不同矽原子鍵結；及

(c)每刀子平均具有至少4個末端脂族不飽和有機基團之有機官能性聚合物；及 (D)氫矽烷化催化劑。用於製備聚合物之成份及所得聚合物本身可不具有含胺胺、丙烯酸酯及肟之基團。不希望受理論束缚，認為4等含胺、醯胺、丙烯酸酯及肟之基團可使得聚合物難以由此方法製備，在此方法期間丙烯酸酯基可傾向於聚 ^ 或兩者。“不具有含胺、醯胺、丙稀酸酯及两之基團” 意謂該等成份不具有或具有極低量之含有胺、醯胺、丙稀酉文S曰及將g能基的有機基團以便利用本文所述方法形成聚合物。具有末端可水解基困之成份（A)聚有機氫矽氧烷

j2: L 成份（A)在一末端包含式Xt—Sl_R—之單元且在另一末

L 包含矽鍵結氳原子。單元Xt Sl R 及氫原子可由1至1 〇個 R23t 」·: L_ 其他單元分離。分離Xt SiR 及氫原子之其他單元可包含 R 2Si〇2/2、R2Si〇3/2、Si〇4/2、R 3Si〇i/2、R1 或其組合。 126747.doc -20- 200837145 或者’成份（A)可具有式（νπ): R2 H-Si- R2\

IT 3-t -o—Si-j—R—Si-Xt，R2/x ) ，其中Rl、R1、R2、X及下標 t及讀如上所述。成份⑷的添加量可在每莫耳成份（c)中之基團R3對應0.05莫耳至〇.5莫耳之範圍内。成份㈧及其製備方法在此項技術中已知。舉例而t，K1〇s〇wski等人之吳國專利4,772,675揭示成份（A)及其製備方法之實例。(然而，美國專利4,772,675未揭示本文所述之聚合物）。簡言之，該方法包含使具有3個可水解基團之烯基官能性矽烷與以矽鍵結氫原子為末端之聚有機矽氧烷反應。諸如以下所述’使超過2莫耳之聚有機石夕氧烧與1莫耳石夕烧及氫石夕烧化催化劑組合。隨後可視情況蒸餾所得產物。具有可輻射固化基團之成份（B)聚有機氫矽氧烷成份（B)在一末端包含式 R I -Si-R1 3-s 之單元且在另一末端 3-s 包含矽鍵結氫原子，其中單元一 Si—R—及氫原子可由1至 3-s -Si-R1 10個其他單元分離。分離單元' 及氫原子之其他單元可包含 R22Si02/2、R2Si03/2、Si04/2、R23Si01/2、R1·或其組合。或者，成份（B)可具有式（VIII): 126747.doc -21 - 200837145 Η·

Ιΐ IT- Si—〇4~Si·-J R2. (VIII) 廿 u ’其中R、J及下標s及y係如上所述。所添加之成份（B)的量可在每莫耳成份中之基團y 對應0.05莫耳至〇.95莫耳之範圍内。添加至級合物中之成份（B)與成份（A)之相對莫耳量可在（8〇):(2〇)至（5〇以5〇)之範圍内。成份⑻及其製備方法在此項技術中已知。舉例而言，cdvell0之美國專利5,484,95〇揭*成份⑻及其製備方法。（然而，美國專利5,484,95()未揭示本文所述之聚合物簡言之，美國專利5,484,95G之方法包含使二氯石夕氧烧具有可輪射固化基團（諸如環氧基官能基）之稀煙及氯石夕烧化催化劑在溶财組合且加熱。此後，使催化劑聽且將所得混合物蒸鶴。具有多個脂族不飽和基團之成份（c)有機官能性聚合物成伤（C)可為有機聚合物、聚有機矽氧烷或矽氧烷有機共聚物。或者，成份（C)可為聚有機矽氧烷。成份（C)可具有式（IX) ··

R R3 I , I , 〇-Si~R-Si-R3 其衍生物，其 (IX) 中R1、R2及下標h係如上所述，且各R3獨立地為具有末端脂族不飽和性之有機基團。r3由丙烯酸酉旨官能基；甲基丙烯酸_宫能基；烯基’諸如乙烯基、稀丙基、丙烯基及丁 126747.doc -22- 200837145 :基諸炔基’諸如乙快基、丙炔基及丁炔基；及本乙歸基例示。或者，各r3可為稀基，諸如乙稀 :催二(二)之化合物可由此項技術中已知之方法在氫矽烷催化鬆在下藉由使綠聚有錢錢㈣四乙烯基石夕烷反應來製備。或者，成份（C)可具有式（X) ·· Γ

R2 I -S十〇i4-rL^十卜斗!卜◦十si_ 及其衍生物，发φρί T> 2 /、中R 、R、R3、下標h及下標i係如上所述。式（X)可藉由在氫矽烷化催化劑存在下使二氫矽氧烷（在各末碥具有一個氫原子之聚二有機矽氧烷）與式（XI)之樹脂反應來製備： (XI) R1、R: J4 ，其中 R及下標i係如上所述。或者，成份（C)可具有式（XII)： (XII) r2\? R3 一

R / | Si, /) Ο-Si 2/l R2 R u R2 R2 ^ 0—Si R2 /h R2 p2 /^R2 I R\ /0—Si、 Ό一Si—R--Si 0 、Si - 〇\

Sic 、R2 u 或 126747.doc -23- 200837145 其何生物，其中R1、R2、R3、下標h及下標u係如上所述。熟習此項技術者將認識到可使用式（XII)之衍生物，例如，若U大於0，則R3基團所鍵結之矽原子無需在環中相鄰。在式（ΧΠ)之一替代衍生物中，2個R3基團與環之同一矽原子鍵結，且環巾之其餘石夕鍵結基團為r2。^(χιι)可由在此項技術中已知之方法，諸如在氫矽烷化催化劑存在下使聚有故氫石夕氧燒與甲基乙稀基環狀;^氧燒反應來製備。

成份（D)氫矽烷化催化劑至200 ppm，或者5至15〇成份（D)。成份⑼為氫錢化催化劑。以所組合之成份⑷、⑼及之重量計’以^至则PPm，或者U5〇〇ppm，或者2

Ppm鉑族金屬之範圍内之量添加合適的氫錢化絲劑在此項技術巾心且可 :可八包含選自翻、姥、釘、免、鐵或銥金屬或其有機至化口物或其組合之銘族金屬。成份⑼由以下各物例 =:;Γ酸、六水合氯鈾酸、二氯化翻之化合物及該二子量有機聚嫩之錯合物，或以基質或 h又型結構U囊封之純合物。翻與 1 ㈣合物包一乙稀基切〜基二= 銘之錯合物。或者，催化劑可包含^ 二四甲基二矽氧烷與鉑之錯合物。本 ’U’3- 有機精院之錯合物時，催化：之量與低分子量合物之重量計可在〇細至㈣之^圍：；可固化聚石夕氧組成份⑼之合適的氫钱化催化劑描述於（例如）美國專利 126747.doc -24- 200837145 3,1 59,601 ； 3,220,972 ； 3,296,291 ； 3,419,593 ； 3,5 16,946 ; 3,814,730 ; 3,989,668 ; 4,784,879 ; 5,036，117 及 5，175,325及 ΕΡ 0 347 895 Β 中。聚合物之用途可將上述聚合物調配為組合物。該組合物包含： (a)上述聚合物，及 (b)光引發劑。 Ο

光引發劑可為此項技術中已知用於可輻射固化之聚石夕氧組合物的任何習知光引發劑，諸如揭示於Crivell〇之美國專利4,310,469及Koshar等人之美國專利4,3 13,988及歐洲專利申請案第EP 0 562 922號中之彼等光引發劑。光引發劑可包含陽離子型光引發劑。陽離子型光引發劑可為能夠在曝露於波長在150至800 nm範圍内之輻射下後起始聚合物之固化（交聯）的任何陽離子型光引發劑。陽離子型光引發劑之實例包括（但不限於）鏽鹽。合適鏽鹽包括具有選自以下之式的鹽·· R 3 S MGW.、r43 se+ MGW·、R44 p+ mGw·及 R44 N+ MGw-，其中各R4獨立地為具有13G個碳原子之經取代或未經取代之單j貝經基’· M為選自過渡金屬、稀土金屬、鑭系金屬、非金屬、磷及硫之元素；G為鹵基(例如，氯、溴、碘）且评具有使得评與⑷之電荷+ Μ之氧化數）之乘積=2之值。烴基上取代基之實例包括（但不限於）cm成氧美、基m、漠、氛基、羧基、窥基及：環矢土 U如口比口定基、嗟吩基及派口南基）。由乂表示之金屬 126747.doc -25- 200837145 的實例包括（但不限於）過渡金屬，諸如Fe、Ti、Zr、Sc、 V、Cr及Μη ;鑭系金屬，諸如Pr及Nd ;其他金屬，諸如 Cs、Sb、Sn、Bi、Al、Ga 及 In ;非金屬，諸如 B 及 As;及 P。式MG:表示非鹼性非親核性陰離子。具有式MGW-之陰離子的實例包括（但不限於）BF4·、PF6·、AsF6·、SbF6·、 SbCV及 SnCl6·。鑌鹽之實例包括（但不限於）：雙二芳基錤鹽，諸如由六氟砷酸雙（十二烷基苯基）錤及六氟銻酸雙（十二烷基苯基）鎖例示之雙（十二烧基苯基）鎖鹽；烧基苯基鐵鹽，諸如六氟銻酸烷基苯基錤；磺酸之二芳基鏘鹽，磺酸之三芳基銕鹽，_酸之二芳基錤鹽及_酸之三芳基銃鹽。磺酸二芳基鏘鹽之實例包括（但不限於）：全氟烷基磺酸之二芳基鍈鹽，諸如全氟丁烷磺酸之二芳基鏘鹽、全氟乙烷磺酸之二芳基錤鹽、全氟辛烷磺酸之二芳基錤鹽及三氟甲烷磺酸之二芳基錤鹽；及芳基磺酸之二芳基錤鹽，諸如對甲苯磺酸之二芳基錤鹽、十二烷基苯磺酸之二芳基錤鹽、苯磺酸之二芳基錤鹽及3-硝基苯磺酸之二芳基鐫鹽。磺酸三芳基銕鹽之實例包括（但不限於）：全氟烷基磺酸之三芳基锍鹽，諸如全氟丁烷磺酸之三芳基銃鹽、全氟乙烷磺酸之三芳基銃鹽、全氟辛烷磺酸之三芳基錶鹽及三氟甲烷磺酸之三芳基銃鹽；及芳基磺酸之三芳基錶鹽，諸如對甲苯磺酸之三芳基銕鹽、十二烷基苯磺酸之三芳基銕鹽、苯磺酸之三芳基銕鹽及3-硝基苯磺酸之三芳基銕鹽。 _酸二芳基鎭鹽之實例包括（但不限於）全鹵芳基_酸之 126747.doc -26- 200837145 二芳基鐵鹽。蝴酸三芳基錄鹽芳基_酸之三芳基鎮鹽。之實例包括（但不限於）全鹵陽離子型光引發劑可為i _也 ;、、、早一 1¼離子型光引發劑或包含兩種或兩種以上各自如上所4 上所迷之不同陽離子型光引發劑之組合。陽離子型光引發劑之、、g # 知d 辰度以組合物之重量計可在 0.01% 至 15%，或者 0 $《0/ 有.1/〇至5%，且或者0.1%至2%之範圍内0 f、其他成份組合物可視情況進一步包含-或多種其他成份。其他成伤之只例包括（c)填充劑、⑷填充劑處理劑、⑷溶劑、⑴ 縮合反應催化劑、（g)黏著促進劑、⑻著色劑（例如，染料或顏料）、⑴反應性稀釋劑（亦即，與成份（a)上之官能基反應的溶劑’諸如醇、環氧樹脂、乙烯基峻、肝或環二丙院）、⑴自由基產生劑（例#，過氧化物）、⑴存放期增長劑、⑴抗氧化劑、（m)交聯劑、⑻腐餘抑制劑或其組合。 C 成份⑷為可視情況以組合物之重量計以0.1%至2_圍内之量添加至組合物中之填充劑。合適的補強及增容填充 hJ之Λ例包括煙務狀二氧化矽、沈澱二氧化矽、石英、研 .磨碳酸舞、沈殿碳酸舞、碳酸鎮、氧化鐵、二氧化欽、矽 .藻土、氧化鋁、氫氧化鋁、氧化鋅、碳酸鋅。填充劑可視情況經成份⑷表面處王里劑處理，諸如由甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、正辛基烷：正：基三乙氧基矽烷及其組合例示之有機烷氧基矽烷，由三曱基氯石夕烧例示之有機_化石夕烷；有機石夕氮烷， 126747.doc -27- 200837145 諸如六甲基二矽氮烷；有機矽氧烷寡聚物，諸如羥基封端二甲基矽氧烷寡聚物、羥基封端甲基苯基矽氧烷寡聚物、經基封端甲基乙烯基矽氧烷募聚物及其組合。可（例如）藉由在將填充劑與組合物之其他成份混合之前或之後將處理劑與填充劑混合來先驗或當場處理填充劑。成份（d)之量以組合物之重量計可在0.001%至2%之範圍内。組合物可視情況進一步包含成份（e)溶劑。合適的溶劑由有機溶劑，諸如甲苯、二甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷、庚烷及其組合；及不可交聯聚矽氧溶劑，諸如三甲基矽烷氧基封端聚二甲基矽氧烷、三甲基矽烧乳基封端聚甲基苯基石夕氧烧及其組合來例示。成份（e)之量以組合物之重量計可在0·001%至90%之範圍内。組合物可視情況進一步包含成份（f)縮合反應催化劑。縮合反應催化劑可為路易斯酸（Lewis acid)，一級有機胺、二級有機胺或三級有機胺，金屬氧化物，鈦化合物，錫化合物，锆化合物或其組合。成份（f)可包含包括於金屬之電動序中之鉛至錳範圍内之金屬的羧酸鹽。或者，成份（f)可包含螯合之鈦化合物、諸如四烷氧基鈦酸鹽之鈦酸鹽或其組合。合適的鈦化合物之實例包括（但不限於）雙（乙醯乙酸乙酯）二異丙氧基鈦、四丁氧基鈦酸鹽、四丁基鈦酸鹽、四異丙基鈦酸鹽及雙（乙氧基乙醯丙酮酸鹽）二異丙氧基鈦 (IV)及其組合。或者，成份（f)可包含錫化合物，諸如二乙酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、氧化二丁基錫、辛酸亞錫、氧化錫或其組合。 126747.doc -28- 200837145 縮合反應催化劑之實例於此項技術中已知且揭示於美國專利4,962,076;5,051，455;5,053,442;4,753,977 第4行第 35列至第5行第57列；及4，143,〇88第7行第I5列至第1〇行第 35列中。成份⑴之量視包括所選催化劑之類型及組合物中其餘成份之選擇的各種因素而定，然而成份（f)之量以組人物之重量計可在〇·〇〇1%至5%之範圍内。成份（g)為黏著促進劑。合適黏著促進劑之實例包括： Ο 烷氧基矽烷，諸如環氧基官能性烷氧基矽烷或巯基官能性化合物；烷氧基矽烷與羥基官能性聚有機矽氧烷之組合；毓基官能性化合物；不飽和化合物；環氧基官能性矽烷； %氧基b能性石夕氧烧；諸如環氧基官能性石夕院或環氧基官能性石夕氧烧與經基官能性聚有機石夕氧烧之反應產物組合；或其組合。組合物中之黏著促進劑添加量視包括所選：定黏著促進劑、組合物之其他成份及組合物之最終用途的各種因素而定，然而，該添加量可占組合物重量之至 5 %範圍内。成份（g)可為不飽和或環氧基官能性化合物。合適環氧基官能性化合物係此項技術中已知且可賭得，參見(：: ^^^ 4,087,585； 5,194,649； 5,248,71 5 ^ 5,744,507 f

W行。成份(g)可包含不飽和或環氧基官能性燒氧基石夕炫°舉例而言’官能性絲基錢可具有式⑽，其中下標j為1、2或3，或者j為1。 J 各汉5獨立地為單價有機基團，其限制條件為至少一個R5 為不飽和有機基團或環氧基官能性有機基團W之環氧基 126747.doc -29- 200837145 官能性有機基團實例為3_縮水甘油氧基丙基及（環氧基環己基）乙基。R5之不飽和有機基團實例為3_甲基丙烯醯基丙基、3-丙烯醯基氧基丙基及不飽和單價烴基（諸如乙^ 基、烯丙基、己烯基、十一烯基各R6獨立地為具有至少丨個碳原子之未經取代之飽和烴基。R6可具有至多4個碳原子，或者至多2個碳原子。R6^ 例為甲基、乙基、丙基及丁基。 ' 合適環氧基官能性烧氧基錢之實例包括3_縮水甘油氧基丙基二甲氧基矽烷、3·縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽燒、（環氧基環己基）乙基二甲氧基石夕烧、（環氧基環己土基）乙基二乙氧基矽烷及其組合。合適不飽和烷氧基矽烷之實例包括乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、己烯基三甲氧基矽烷、十一烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯基氧基丙基三乙氧基矽烷、3_丙烯醯基氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯基氧基丙基三乙氧基矽烷及其組合。或者’合適黏著促進劑之實例包括縮水甘油氧基丙基二甲氧基矽烷及縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷與鋁螯合劑或錯螯合劑之組合。成份（g)可包含環氧基官能性矽氧烷，諸如如上所述之羥基封端聚有機矽氧烷與環氧基官能性烷氧基矽烷之反應產物，或羥基封端聚有機矽氧烷與環氧基官能性烷氧基矽烧之物理掺合物。成份（g)可包含環氧基官能性絲基石夕烧與環氧基官能性⑨氧烧之組合。舉例而言，成份（§)實例為 126747.doc -30- 200837145 3 -細水甘油氧基丙基三〜 ^ T虱基矽烷及經基封端甲基乙烯基石夕氧烧與3-縮水甘油氧基二丙基二甲虱基矽烷之反應產物的 2物’或3·縮水甘油氧基丙基三甲氧基錢錢基封端細基嫩之混合物，或3-縮水甘油氧基丙基三甲乳基錢與經基封端甲基乙縣錢烧/經基封端二甲基聚物之混合物。當以物理摻合物形式使用而非以 ^义產物开y式使用日守’該等組份可以多組份套組形式單獨儲存。

合適输基官能性化合物包括有機硫醇、含疏基石夕烧或其級合。合適含Μ基钱包括3_M基丙基三甲氧基㈣。合適知基g能性化合物揭示於美國專利4,962,〇76中。成份（h)為著色劑（例如，染料或顏料）。合適著色劑之實例包括碳黑及 stan-T〇ne 50SP01 Green(其可自 p〇iy〇n^^ 得）。著色劑之實例於此項技術中已知且揭示於美國專利 4,962,076 ; 5，G51，455及5，G53,442中。添加至組合物中之著色劑的量視包括組合物之其他成份的各種因素而定，然而，該量以組合物之重量計可在〇〇〇1%至2〇%之範圍内。成份⑴為自由基產生劑。合適自由基產生劑之實例包括過氧化物。添加至組合物中之自由基產生劑的量視包括組合物之其他成份的各種因素而定，然而，該量以組合物之重量計可在0.1%至10%之範圍内。成份⑴為反應性稀釋劑。成份⑴可為與成份⑷上之官能基反應的溶劑，諸如丙烯酸酯、醇、酐（諸如順丁烯二酸酐）、環氧脂（諸如單官能性環氧樹脂化合物）、環氧丙 126747.doc -31 - 200837145 烷乙®文乙烯酯、乙烯基酯、乙烯基醚、氟烷基乙烯基 m乙烯吡咯啶_ (諸如N乙烯吡咯啶酮）、苯乙烯或其組合0

一口適醇之實例包括乙醇、丁醇、己醇、癸醇及其組合。合$環氧樹脂化合物之實例包括：縮水甘油基醚，諸如丁土縮X甘’由基_、甲苯盼基縮水甘油基醚、脂族縮水甘油 " 乙基己基縮水甘油基醚及環己烧二甲醇之縮水甘土峻，及基於新戊1醇及Μ丁 =醇之二縮纟甘油基鱗之雙B %性反應性稀釋劑。該等環氧樹脂化合物於此項技術中已知且可以商品名EPODIL® 741、742、746、747、 7 8 749、750、751、757及 759 自 Air Products購得。適用作反應性稀釋劑之其他環氧樹脂化合物可以商品名 He1〇Xy Mo缝ers 7、8、61 及 ιΐ6 自 Η_η ⑽响

Che_als，Inc· (H_t〇n，丁伽，usa)購得。合適乙稀基社實例包括(但不限於)丁二醇二乙稀基縫、環己烧二甲醇一乙烯基醚、％己烷二甲醇單乙烯基醚、環己基乙烯基秘、-乙二醇二乙烯基鱗、二乙二醇單乙烯基醚、十二烧基乙烯基喊、乙基乙烯基_、經基丁基乙稀基鱗、異丁基乙烯醚、|丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、正丙基乙烯基醚、十八燒基乙烯基醚、三乙二醇二乙綱及其組合。乙烯基_於此項技術中已知且可自“Μ AG(Oermanym# 〇 ^ ^ 0)^ * ^ # ^ ^ # 釋d之各種因素而疋’但該量以組合物之重量計可在〇·5% 至50%之範圍内。 126747.doc -32- 200837145 成份⑷為腐餘抑制劑。合適腐钮抑制劑之實例包括苯幷一坐现基苯幷二唑及市售腐蝕抑制劑，諸如來自R τ vanderbilt(Norwalk，C0騰cticm，U S A)之 2 5 二魏基 1，3,4-噻二唑衍生物（CUVA_ 826)及烷基噻二唑 (CUVAN® 484)。忐 /八 / 、七曰成伤（η)之篁以組合物之重量計可在 0.05%至0.5%之範圍内。該組合物可藉由在周圍溫度下以較比例將聚合物及光引發劑’及任何其他成份組合來製備。組合可藉由以此項技術中已知之任何技術（諸如研磨、摻合及授拌）以分批或連續方法混合來進行。特定裝置係由成份之黏度及欲製備之組合物的黏度來確定。該組合物可用以（例如）製備基板上之塗層。或者，該組合物可用作（例如）用於填充基板上之間隙的密封劑:或者，該組合物可用作（例如）用以將基板黏著於一起之黏著劑。可使用邊組合物將第一基板（諸如電子裝置）黏著至第二基板（諸如電路板）。使用上述組合物之方法包含： (i) 將組合物塗覆於基板，及 (ii) 固化該組合物。基板可為具有平坦、複雜或不規則輪廓之任何剛性或可撓性材料。基板對於電磁波譜之可見光區（4〇〇至7〇〇中之光可透明或不透明。基板亦可為電導體、半導體或非導體。此外，基板可為電子裝置，諸如離散襞置或積體電路。基板之實例包括（但不限於）：半導體，諸如碎、具有二 126747.doc •33- 200837145 氧化矽表層之矽、碳化矽、磷化銦及砷化鎵；石英；熔融石英；氧化鋁；陶瓷；玻璃；金屬箔；聚烯烴，諸如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚對苯二曱酸乙二醇酯（PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯；氟碳聚合物，諸如聚四氟乙烯及聚氟乙烯；聚醯胺，諸如耐綸（Nylon);聚醯亞胺；聚酯，諸如聚（甲基丙烯酸甲酯）；環氧樹脂；聚醚；聚碳酸酯；聚礙；及聚醚砜。離散裝置之實例包括（但不限於）：二極體，諸如PIN二極體、電壓參考二極體、變容二極體、突崩二極體、 DIAC、甘恩二極體（Gunn diode)、突返二極體（Snap diode)、IMPATT二極體、穿隧二極體、曾納二極體（Zener diode)、正常（p-n)二極體及邵其二極體（Shottky diode);電晶體，諸如雙極電晶體（包括絕緣閘雙極電晶體（IGBT)及達林頓電晶體（Darlington transistor))及場效應電晶體 (FET)，包括金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET)、接面場效應電晶體（JFET)、金屬半導體場效應電晶體 (MESFET)、有機場效應電晶體、高電子遷移率電晶體 (HEMT))及薄膜電晶體（TFT)，包括有機場效應電晶體；閘流體，例如DIAC、TRIAC及矽控整流器（SCR)、分布式緩衝閘斷開（DB_GTO)閘流體、閘斷開（GT0)閘流體、 MOFSET控閘流體（MCT)、改良陽極閘斷開（MA-GT0)閘流體、靜電感應閘流體（SITh)及場控閘流體（FCTh);變阻器；電阻器；冷凝器；電容器；熱敏電阻；及光電子裝置，諸如光電二極體、太陽電池（例如CIGS太陽電池及有 126747.doc -34- 200837145 機光電電池）、光電晶體、光電倍增器、積體光學電路 (IOC)元件、光倚電阻器、雷射二極體、發光二極體（led) 及有機發光二極體（OLED)(包括小分子OLED(SM-OLED)及聚合物發光二極體（PLED))。積體電路之實例包括（但不限於）：單片積體電路，諸如包括RAM(隨機存取記憶體）（包括dram及SRAM)及 ROM(只讀記憶體）之記憶體IC ;邏輯電路；類比積體電

路；拼合積體電路，包括薄膜拼合1(:及厚膜拼合IC;薄膜電池組；及燃料電池。將組合物塗覆於基板之至少—部分上。組合物可為於基板之一部分上的連續塗層、整體基板上之連續塗層或不連續塗層。此外’不連續塗層可於基板上形成規㈣不規則圖案。一 •八一吻寸乃沄a枯 mm㈣；及印刷’諸如絲網印刷及模版印刷。舉例而言，聚矽氧組合物可藉由在2〇〇至5，_㈣範圍内之速度下旋塗5至鄉來塗覆。可調節旋轉速度、方疋轉次數及組合物之黏度以便厚度。所侍塗層具有所要由將::物曝露於紫外線輻射或大氣濕氣丄1 V驟（11)可猎由將組合物眼雹於加熱或大氣濕氣或兩者下來進行。物+路於將組合物曝露於紫外線輕射可藉由任何習諸如使用由超高壓汞燈、方法進订， -屋-燈、低壓汞燈、氣汞燈或 126747.doc 35 200837145 金屬“㈣例示之光源°所用條件可為使得254 nm輕射之量在0.01至H) W範圍内之條件。或者，組合物可藉由曝露於足以固化（交聯）聚人私七十丨曰y 曰 1卩σ物之劑量的波長在150至800 或者250至400 _範圍π之輕射固化。輻射之劑量可在 50至！，_ mjW’或者_至5⑼錢^之範圍内。在光源上可視情況安裝濾'光器(用於指定波長下之紫外線輕射曝露）。因為上述化學式中之J為環氧衣虱基g犯基，尤其當J為環脂族環氧基時，聚合物可以陽Μ 1 J场離子方式固化作為初始紫外線固化機制。不希望受理兔φ綠、 , 明束縳，認為因為陽離子型環氧樹脂不受氧抑制，亦因為由於在周圍溫度及高温下陽離子型固化持續至未經輻射部分使得陽離子型系統具有固有二次固化機制，故此可提供改良加工需求之益處。在該固有周圍二次固化太緩慢以致不能. +此在商業上實際使用先前技術组合物之某些應用中，本文所&人斤述之聚合物可允許精調Uv& 濕固化速度（彼此獨立地）以及物理特性。實例包括此等實例以斜—私社+ a 一對奴技術者證實本發明。然而，根據本揭示案，在不丨孛離申請裒刹^ T明辱利耗圍中所闡述之本發明精及範_之情沉下，孰習工5 4+ 4 …白此項技術者應瞭解在所揭示之實施例中可進行許多改變且又儿W擭侍類似或相似結果。另外指出，否則所有量、屮f ” 1 3里比率及百分比均以重量計。灵例1 -聚合物之製備

藉由混合以下成份製備聚合物。在該等式中，Me、EtA 126747.doc • 36 - 200837145

Epchex係如上文所定義’且Vi表示乙烯基。 Me Me 〇MeΗ-甲i—O—E卜冬卜0Me成份（Al)為 Me Me 〇Me 。成份（Bl)為

Me Me H—Si—O—Si Epchex Me Me

Vi Me Vi—Si-Et-Si-

Me\

Me Vi

Vi I Me |—〇—si~Et-Si~Vi Me/108 Me ^ 成份（Cl)為成份（D 1 )為鉑催化劑。在此實例中，每莫耳成份（c丨）使用4莫耳成份（A1)及2莫耳成份（B1)。使用催化量（{)?111級）之成份（D1)。實例2 -聚合物之製備藉由混合以下成份製備聚合物。在該等式中，Me、Et及 EpH係如上文所定義，且vi表示乙烯基。成份（A1)為

Me Me H—Si—Ο—Si-Me Me OMe I ，Et - Si—〇Me I OMe 成份（B1)為

Me Me H—Si—O—Si-Me Me -Epchex 126747.doc -37- 200837145

Vl~Si-Et-Si> Vi λ/f

Me -0—Si-

Me Vi , ~〇—Si-Et~Si-Vi Me/2〇〇 Me Vi 成份（C2)為成伤（、)為鉑催化劑。在此實例中，每莫耳成份(C2)使用4莫耳成& _及2莫耳成份⑻）。使用催化量（㈣級）之成份（D1)。貫例3 -聚合物之製備

藉由此"如以上於實例1中所述之4莫耳成份（A1)、2莫耳成份（Β1)、催化量（Ppm)之成份（叫及1莫耳成份（C3)製備聚合物，其具有下式··

其中各1具有平均為1之值且h具有200之值。工業適用性

上述雙重固化聚矽氧組合物提供優於先前所揭示之雙重固化系統之若干優勢。當組合物經由輻射固化、縮合固化或其組合固化時，形成聚合網狀物。不希望受理論束缚，認為由於式⑴基團之存在，故無論使用哪種固化機制固化組合物，所固化之產物均具有類似之整體結構及強度。此不同於先前所揭示之雙重固化系統，其與本文所揭示之組合物相比具有較少可固化官能基且其通常在線性聚合物末端具有不同官能基（亦即，聚合物在一端具有單一可輻射固化基團且在另一端具有一或多個可濕固化基團）。 126747.doc •38- 200837145 在其中藉由陽離子機制⑷為環氧基官能基時）進行之固有周圍二次固化過於緩慢之應用中，聚合物可允許精調 uv及濕固化速度以及物理特性。在製備上述聚合物之方法I可易㈣成份⑷及（B)添加至成& (C)中以传到聚合物，其經由^及濕氣途徑迅速固化，具有優於簡單線性封端類似物（諸如以上在第五段中所示之彼等物質）之改良的黏著及物理特性。由於最少3 個可水解基團（諸如聚合物末端上之甲氧基）之存在，在二 -人固化令该等聚合物亦展現優於描述於段落嶋]中之彼等聚合物之顯著固化速度優勢。在末端具有多個官能基允許優化濕固化以及輻射固化而不改變Dp。Dp可影響機械特性以及黏度，其可最小化以使得填充劑在包含該聚合物之組合物中易於分配及存在較高填充劑含量之可能性。 126747.doc 39-

Claims

200837145 、申請專利範圍：一種聚合物，其每分子平均包含兩個或兩個以上式⑴基團： R I —Ζ—Ε I (I) Α ，其中Z係選自由一個矽原子及間隔基組成 Γ 之群，在該間隔基中E、人及R可與該間隔基之同一原子或不同原子鍵結；其中 R23t 1 ' 基團A在末端包含式ΧΓ -Si - rL 之單元； R23 I ' 基團Ε在末端包含式Js*~ - Si - rL 之單元；各R係獨立地選自由Ri 、R2、Ε、A及共群；且共價鍵組成之彼此隔其中該等兩個或兩個以上式⑴基團在聚合物中開；且各R1獨立地為氧原子或二價烴基；各R獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機基團；各X獨立地為單價可水解基團；各J獨立地為單價環氧基功能性有機基團；各下標s獨立地具有1、2或3之值；且各下標1獨立地具有1、2或3之值；其限制條件為實質上所有基團乂及基圏；均冑於 2·如％求項1之聚合物，其中基團A具有式⑴）： 126747.doc 200837145 R2 (ID i〆。-|T^rL4。以上之值。，其中下標x具有1或1 3. 月长項1之聚合物，其中基團E具有式（III): Γ (ΙΙΙ) '4Ά 值 ’其中下標y具有1或1以上之 4· 士明求項1之聚合物，其中該聚合物具有式（IV):

或其衍生物，其中各R係獨立地選自由丑及A組成之群，且下標h具有在50至 1〇〇〇範圍内之值。

5·如明求項1之聚合物，其中該聚合物具有式（V):

或其衍生物，其中各R係獨立地選自由E及A組成之群，下標h具有在5〇至1〇〇〇範圍内之值，且各下標丨具有在1至10範圍内之值。 6·如請求項【之聚合物，其中該聚合物具有式（VI): 126747.doc 200837145

，或其衍生物，其中下標h具有在50至1000範圍内之值，各下標u獨立地具有在〇至22範圍内之值。

一種製備如請求項1之聚合物之方法，其包含：將包含下列各物之成份組合： (A) 每分子平均具有1個矽鍵結氫原子及1至3個末端可水解基團之聚有機氫石夕氧烧； (B) 每分子平均具有1個矽鍵結氫原子及1至3個末端環氧基官能性有機基團之聚有機氫矽氧烧；及 (C) 每分子平均具有至少4個脂族不飽和有機基團之聚合物；及 (D)氫矽烷化催化劑。 8·如請求項7之方法，其中成份（A)在一末端包含式 R%t 丨3-t Xt~Si~R-— 口口之早元’在另一末端包含矽鍵結氫原子，其 R23.t 中該單元Xr^i—R1- 及該氫原子係由1至1 0個選自由 R22Si〇2/2 > R2Si〇3/2 > si〇4/2 R 3SiOj/2 R1,及其組合組成之群的其他單元分離；其中各R1獨立地為氧原子或二價烴基； 126747.doc 200837145 各R1獨立地為二價烴基，各R2獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機基團，各X獨立地為單價可水解基團，下標t具有1、2或3之值。 9·如請求項7之方法，其中成份（A)具有式（νπ):

_· I A f Η-?;十〇—甲 (VII) \ Κ/χ ，其中下標X具有1或1以上之值。丨， S 卜 Ri &求項7之方法，其中成份（β)在一末端包含式 3-s 之元’在另一末端包含石夕鍵結氫原子，其中 R，該單元 R1- γ 及该虱原子係由1至10個選自由 R 、R2Si〇32、Si〇w、R23Si〇"2、Rl’及其組合組成之群的其他單元分離；其中各R1’獨立地為二價烴基，各R獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機夷團；、土】為單價環氧基官能性有機基團，且下標s具有1、2或3之值。 11·如請求項7之方法，其中成份（B)具有式（vm): 126747.doc 200837145

下標y具有1或1以上之值。 12·如明求項7至11中任一項之方法，其中成份（〇具有式 (IX)： f (IX) 物，

•Ο一Si~R—Si^R

或其衍生其中下標h具有在50至1000範圍内之值，各R1獨立地為氧原子或二價烴基，各R2獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機基團，各R獨立地為具有末端脂族不飽和性之有機基團。 13·如請求項7至丨丨中任一項之方法，其中成份（c)具有式 (X):

或其衍生物，其中下標i具有在1至1〇範圍内之值，下標h具有在5〇至1000範圍内之值，各Rl獨立地為氧原子或二價烴基； 126747.doc 200837145 各R2獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機基團，各R3獨立地為具有末端脂族不飽和性之有機基團。 14_如請求項7至u中任一項之方法，其中成份（c)具有式 (XII)：

下標h具有在50至1〇〇〇範圍内之值，各下標u具有在0至22範圍内之值，各R1獨立地為氧原子或二價烴基，各R獨立地為不具有末端脂族不飽和性之單價有機基團，各R3獨立地為具有末端脂族不飽和性之有機基團。 1 5 · —種組合物，其包含： 0)如請求項1至6中任一項之聚合物，及 (b)光引發劑。 16 · —種方法，其包含： ⑴將如請求項15之組合物塗覆於基板上，及 (ii)使該組合物曝露於紫外線鮭射 +路π糸汗踝軺射或大氣濕氣或兩中。 17· —種方法，其包含： 126747.doc 200837145 (Ο將如請求項15之組合物塗覆於基板上，及 (11)使該組合物曝露於熱或大氣濕氣或兩者中。 18. 如请求項16或17之方法及電路板組成之群。其中該基板係選自由電子装置 19· 一種如請求項15之組合物的用途，其係用作黏著劑、密封劑或塗層。 # '

20.如請求項15之組合物，其進一步包含一或多種選自由以下各物組成之群的其他成份：（c)填充劑、（d)填充劑處理藥劑、（e)溶劑、（f)縮合反應催化劑、（g)黏著促進劑、 (h)著色劑、（i)反應性稀釋劑' (j)自由基產生劑、（k)存放期增長劑、（1)抗氧化劑、（m)交聯劑、（n)腐蝕抑制劑’及其組合。 126747.doc 200837145 七、指定代表圖·· (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

0—Si.

R R / I 1 I E—Si~R—Si一一 I 12 A R \ R R I ! I 0—Si-R—Si-E l2 I R A

R\4R2 Si O ^ I l/R “ 0 SiCr

126747.doc -6- VI