TW200835796A - Vapor-deposition apparatus - Google Patents

Description

200835796 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於藉由蒸鍍對被處理體施予成膜處理之蒸 鍍裝置。 【先前技術】 近年來，開發利用電激發光（EL :

Electroluminescence)之有機EL元件。有機EL元件因幾 乎不會發出熱，故比起布朗管等消耗電力小，再者，因爲 自發光，故比起液晶顯示器（LCD)有視角佳之優點，期待 著今後之發展。 該有機EL元件之基本構造爲在玻璃基板上重疊陽極 層、發光層及陰極層而形成之三明治構造。爲了將發光層 之光取出至外部，玻璃基板上之陽極使用由ITO(Indium Tin Oxide)所構成之透明電極。如此之有機EL元件一般 是藉由在表面事先形成有ITO層（陽極層）之玻璃基板上， 順序形成發光層和陽極層而製造出。 以形成上述般之有機EL元件之發光層的裝置而言， 所知的有例如專利文獻1所示之真空蒸鍍裝置。 [專利文獻1]日本特開2000_2822 1 9號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是，在形成有機EL元件之發光層的工程中，將處 -5- 200835796 理容器內減壓至特定壓力。該理由是如上述般於形成有機 EL元件之發光層之時，自蒸鍍頭供給成爲200°C〜500°C 左右之高溫之成膜材料之蒸氣，使基板表面蒸鍍成膜材 料，但是假設當在大氣中施予成膜處理時，氣化後之成膜 材料之蒸氣熱傳達至處理容器內之空氣，依此配置在處理 室內之各種感測器等之零件變成高溫，使該些零件之特性 惡化，有導致零件本身破損之故。在此，使有機E L元件 之發光層成膜之工程是將處理容器內減壓至特定壓力，維 持成膜材料之蒸氣之熱不逃散（真空隔熱）。 另外，使成膜材料蒸發之蒸發產生部、將在蒸氣產生 部產生之成膜材料之蒸氣發送至蒸鍍頭之配管，或控制成 膜材料之蒸氣的控制閥等，是由成膜材料之補充、維修等 之理由，被放置在處理容器之外部爲一般。但是，假設將 該些蒸氣產生部、配管、控制閥等配置在大氣壓下之時， 藉由通過空氣中散熱，將在蒸氣產生部產生之成膜材料之 蒸氣發送至蒸鍍頭爲止之期間，產生難以保持在所欲之溫 度的問題。例如，在發送至蒸鍍頭爲止之期間，當成膜材 料之蒸氣成爲設定溫度以下時，成膜材料則在配管中沉 積，無法充分送至蒸鍍頭。因此，來自蒸鍍頭之蒸氣的供 給量減少，蒸鍍速度下降。再者，爲了防止如此溫度下 降，必須設置載體氣體之預加熱或加熱配管等之加熱器， 裝置成本、運轉成本上昇，裝置也成爲大型。 因此，本發明之目的是提供不會使在蒸氣產生部產生 之成膜材料之蒸氣溫度下降，而可以送至蒸鍍頭之蒸鍍裝 200835796

[用以解決課題之手段] 若藉由本發明，則提供一種蒸鍍裝置，爲藉由蒸鍍對 被處理體施予成膜處理的蒸鍍裝置，其特徵爲：使對被處 理體施予成膜處理之處理室’和使成膜材料蒸發之蒸發產 生室鄰接配置，設置使上述處理室之內部和上述蒸氣產生 室之內部減壓之排氣機構，在上述處理室配置使成膜材料 之蒸氣噴出之蒸氣噴出口，在上述蒸氣產生室配置使成膜 材料蒸發之蒸氣產生部，和控制成膜材料之蒸氣供給的控 制閥，設置使在上述蒸發產生部所產生之成膜材料之蒸氣 不散出至上述處理室和上述蒸氣產生室之外部而供給至上 述蒸氣噴出口的流路。 即使具有上述蒸氣噴出口形成於任意面的蒸鍍頭，以 使形成有上述蒸鍍頭之上述蒸氣噴出口之面露於出上述處 理室之姿勢，將上述蒸鍍頭支撐於區隔上述處理室和上述 蒸氣產生室之隔牆亦可。此時，將上述隔牆之至少一部份 設爲隔熱材即可。再者，即使使上述蒸氣產生部和上述控 制閥支撐於上述蒸鍍頭亦可。 再者，即使具有載體氣體供給配管，係將用以使在上 述蒸氣產生部所蒸發之成膜材料之蒸氣供給至上述蒸氣噴 出口之載體氣體，供給至上述蒸氣產生機構之載體氣體供 給配管亦可。此時，即使上述蒸發產生部具有能夠一體性 加熱全部之加熱塊，在上述加熱塊之內部配置可塡充成膜 200835796 材料之材料容器，和使自上述載體氣體供給配管所供給之 載體氣體通往上述材料容器之載體氣體路徑亦可。 上述成膜材料爲有機EL元件之發光層之成膜材料。 再者，上述控制閥爲波紋管閥或是隔膜閥。 [發明之效果] 若藉由本發明，不使在蒸氣產生部所產生之成膜材料 之蒸氣散出至處理室和蒸氣產生室之外部，供給至蒸氣噴 出口，依此可以在真空隔熱之狀態下使成膜材料之蒸氣不 會溫度下降，而送至蒸鍍頭。 因此，可以防止配管中等之成膜材料之沉積，安定來 自蒸鍍頭之蒸氣的供給量，迴避蒸鍍速度下降。再者，也 可以省略加熱配管等之加熱器，可以降低裝置成本、運轉 成本，裝置也可以小型化。 再者，若設爲使蒸氣產生部和控制閥支撐於蒸鍍頭之 一體構造時，蒸鍍單元成爲小型，藉由處理室和蒸氣產生 室之內部之真空隔熱，提升蒸鍍單元全體之溫度控制性、 溫度均勻性。藉由使蒸氣產生部和開關部與蒸鍍頭一體 化，可以消除各部件之接縫，緩和溫度下降。再者，藉由 一體取出蒸鍍單元，也容易維修。並且，作爲可一體性加 熱蒸氣產生部之加熱塊，若在該加熱塊之內部配置材料容 器和載體氣體路徑時，則可以省略載體氣體之預加熱用的 加熱器，以謀求全體之省空間化。 200835796 【實施方式】 以下，參照圖面，說明本發明之實施形態。以下之實 施形態中，作爲蒸鍍處理之一例，是以在當作被處理體之 玻璃基板G上形成陽極層1、發光層3及陰極層2而製造 有機EL元件A之處理系統10爲例予以具體說明。並 且，在本說明書及圖面中，針對具有實質性相同功能構成 之構成要素，賦予相同符號，省略說明。 首先，第1圖爲在本發明之實施形態中所製造出之有 機EL元件A之說明圖。有機EL元件A之基本構造爲在 陽極1和陰極2之間挾持發光層3之三明治構造。陽極1 是形成在玻璃基板G上。陽極1是使用可透過發光層3 之光之例如由ITO (Indium Tin Oxide)所形成之透明電極。 屬於發光層3之有機層爲一層至多層，在第1圖中爲 疊層第1層al〜第6層a6之6層構成。第1層al爲電 洞輸送層，第2層a2爲非發光層（電子區塊層），第3層 a3爲藍發光層，第4層a4爲紅發光層，第5層a5爲綠 發光層，第6層a6爲電子輸送層。如此之有機£1^元件八 是如後述般，在玻璃基板G表面之陽極1上，順序形成 發光層3(第1層al〜第6層a6)，於使公函數調整層（無 圖式）介在之後，形成Ag、Mg/Ag合金等之陰極2，最後 以氮化膜（無圖式）密封全體，而製造出。 第2圖爲用以製造有機EL元件A之成膜系統1〇〇之 說明圖。該成膜系統1 〇是沿著基板G之搬運方向（第2圖 中向右），串聯順序排列裝載機1 1、轉移腔室1 2、發光層 -9 - 200835796 3之蒸鍍裝置1 3、轉移腔室1 4、功函數調整層之成膜裝 置15、轉移腔室16、飩刻裝置17、轉移腔室18、濺鍍裝 置19、轉移腔室20、CVD裝置21、轉移腔室22、卸載 機23之構成。裝載機U爲用以將基板〇搬入至成膜系 統10內之裝置。轉移腔室12、14、16、18、20、22爲用 以在各處理裝置間交接基板G之裝置。卸載機2 3爲用以 將基板G搬出至成膜系統丨〇外。 在此’針對本發明之實施形態所涉及之蒸鍍裝置 1 3，更詳細說明。第3圖爲槪略性表示蒸鍍裝置1 3之構 成的剖面圖，第4圖爲蒸鍍裝置13所具備之蒸鍍單元 5 5(56、57、58、59、60)之斜視圖，第5圖爲蒸鍍單元 55(56、57、58、59、6 0)之電路圖，第6圖爲蒸氣產生部 70、71、72之斜視圖，第7圖爲洗淨氣體產生部86之構 造圖。 該蒸鍍裝置13爲在內部使用以對基板G施予成膜處 理之處理室30，和使成膜材料之蒸氣產生室31上下鄰接 而配置之構成。該些處理室30和蒸氣產生室31形成在由 鋁、不鏽鋼等所構成之容器本體32之內部，處理室30和 蒸氣產生室31之間是藉由由隔熱材所構成之隔牆33被區 隔。 在處理室3 0之底面開口排氣孔3 5 ’排氣孔3 5經排 氣管37連接有配置在容器本體32外部之排氣機構的真空 泵36。藉由該真空泵36之運轉，處理室3〇之內部被減 壓至特定壓力。 -10- 200835796 同樣，在蒸氣產生室31之底面。開口排氣孔40 氣孔40經排氣管42連接有配置在容器本體32之外 排氣機構的真空泵41。藉由該真空泵41之運轉，蒸 生室31之內部被減壓成特定壓力。 在處理室30之上方設置有導引構件45，和沿著 引構件45藉由適當驅動源（無圖式）移動之支撐構件 在支撐構件46安裝有靜電夾具等之基板保持部47, 成膜對象之基板G被水平保持於基板保持部47之下3 在處理室3 0之側面形成有搬入口 5 0和搬出口 該蒸鍍裝置13是在基板保持部47保持自搬入口 50 入之基板G，在處理室30內中被搬運至第3圖中 方，自搬出口 51被搬出。 區隔處理室3 0和蒸氣產生室3 1之間的隔牆3 3 著基板G之搬運方向而設置供給成膜材料之蒸氣之 蒸鍍單元 55、56、57、58、59、60。該些蒸鍍單元 60是由使電洞輸送層蒸鍍之第1蒸鍍單元55、使非 層蒸鍍之第2蒸鍍單元56、使藍發光層蒸鍍之第3 單元57、使紅發光層蒸鍍之第4蒸鍍單元58、使綠 層蒸鍍之第5蒸鍍單元59、使電子輸送層蒸鍍之蒸 元60所構成，一面藉由基板保持部47保持，一面對 運之基板G之下面順序使成膜材料之蒸氣予以成膜 者，在各蒸鍍單元55〜60之間配置蒸鍍區隔牆61。 相混合自各蒸鍍單元5 5〜6 0所供給之成膜材料之蒸 順序成膜在基板G之下面。 ，排 部之 氣產 該導 46 ° 屬於 Π ° 51 ° 所搬 之右 是沿 6個 55〜 發光 蒸鍍 發光 鍍單 被搬 〇再 不互 氣， -11 - 200835796 以 ， 送 部 光 氣 成 白 面 下 於 室 3 1 和 閥 氣 供 77 〇 各 各蒸鍍單元50〜60因任一者皆具有相同構成，故 代表針對第1蒸鍍單元5 5予以說明。如第4圖所示般 蒸鍍單兀5 5是在蒸鍍頭65之下方安裝配管箱（輸 路）66，在該配管箱66之兩側面安裝3個蒸氣產生 70、71、72，和3個該控制閥75、76、77之構成。 在蒸鍍頭65之上面形成有使有機EL元件A之發 層3之成膜材料之蒸氣予以噴出之蒸氣噴出口 80。蒸 噴出口 80是沿著與基板G之搬送方向正交之方向配置 縫隙形狀，具有僅與基板G之寬度相同之長度。一面 該縫隙形狀之蒸氣噴出口 80噴出成膜材料之蒸氣，一 藉由上述基板保持部47搬運基板G，依此在基板G之 面全體成膜。 蒸鍍頭6 5是以使形成有蒸氣噴出口 8 0之上面露出 處理室3 0內之姿勢，支撐於區隔處理室3 0和蒸氣產生 31之隔牆33。蒸鍍頭65之下面露出於蒸氣產生室 內，安裝於該蒸鍍頭65之下面的配管箱（輸送路）66’ 安裝於配管箱66之蒸氣產生部7(3、71、72及控制 75、 76、77中之任一者被配置在蒸氣產生室內。 3個蒸氣產生部70、71、72，和3個控制閥75 76、 77爲互相對應之關係，控制閥75是控制供給在蒸 產生部70所產生之成膜材料之蒸氣’控制閥76是控制1 給在蒸氣產生部7 1所產生之成膜材料之蒸氣’控制閥 是控制供給在蒸氣產生部72所產生之成膜材料之蒸氣 在配管箱66之內部設置有連接各蒸氣產生部70〜72和 -12- 200835796 控制閥75〜77之支配管81、82' 83，和自各蒸氣產生部 70〜72經各控制閥75〜77所供給之成膜材料之蒸氣予以 合流而供給至蒸鍍頭之合流配管8 5。 各蒸氣產生部70〜72皆具有相同構成，如第6圖所 不般，蒸氣產生部70〜72具有在側面安裝多數加熱器 9 0，可將全體一體性加熱之加熱塊9 1。加熱塊9 1全體是 藉由加熱器90加熱至可以使成膜材料蒸發之溫度。 在加熱塊91之內部中央配置可塡充有機El元件a 之發光層3之成膜材料（蒸鍍材料）的材料容器92，藉由加 熱器91之熱，使被塡充於該材料容器92之成膜材料蒸 發。再者，在加熱塊91之側面連接有供給Ar等之載體氣 體之載體氣體供給配管93。在加熱塊9 1之內部形成有載 體氣體路徑94，該載體氣體路徑94是用以使自該載體氣 體供給配管93所供給之載體氣體在加熱塊9 1內部迂迴， 通過充分距離之後，供給至材料容器92。因此，從載體 氣體供給配管93所供給之載體氣體是藉由通過載體路徑 94，由於升溫至幾乎與加熱塊91相同溫度，故被供給至 材料容器92。並且，於塡充成膜材料之時，經形成於容 器本體32之下部之閘閥（無圖式）暫時將蒸氣產生室31內 予以大氣開放，對各蒸氣產生部70〜72之材料容器92執 行成膜材料之補充。但是，處理室3 0和蒸氣產生室3 1因 藉由上述隔牆33區隔，故即使在如此之成膜材料之塡充 時，處理室3 0內被減壓，維持真空隔熱狀態。 各控制閥75〜77藉由執行開關操作，可適當切換在 -13- 200835796 各蒸氣產生部70〜72蒸發而與載體氣體一起經各支配管 81〜83而被供給之成膜材料之蒸氣供給至合流配管85側 之狀態’和不供給之狀態。控制閥75〜77可以使用波紋 管閥、隔膜閥等。藉由該控制閥75〜77之開關操作，在 各蒸职^產生部70〜72蒸發之成膜材料之蒸氣，是以任意 組合在合流配管8 5合流。然後，如此在合流配管8 5合流 之成膜材料之蒸氣不會散出至處理室30和蒸氣產生室31 之外部，直接自蒸鍍頭65上面之蒸氣噴出口 80噴出。並 且’雖然以第1蒸鍍單元5 5爲代表予以說明，但是其他 蒸鍍單元5 6〜6 0也爲相同構成。 其他，第2圖所示之功函數調整層之成膜裝置15是 構成藉由蒸鍍對基板G表面形成功函數調整層。蝕刻裝 置17是構成蝕刻成膜所形成之各層等。濺鍍裝置19是濺 鍍Ag等之電極材料，以形成陰極之方式予以構成。Cvd 裝置21爲藉由CVD等形成由氮化膜等所構成之密封膜， 藉由CVD等成膜，執行有機EL元件A之密封。 並且，在如上述般構成之成膜系統1 〇中，經裝載機 11而被搬入之基板G，是藉由轉移腔室12。首先被搬入 至蒸鍍裝置1 3。此時，在基板G之表面，以特定模式事 先形成例如由ITO所構成之陽極1。 然後，蒸鍍裝置13是以將表面（成膜面）朝下之姿勢 以基板保持部47保持基板G。並且，於如此基板G被搬 入至蒸鍍裝置13之前，蒸鍍裝置13之處理室30和蒸氣 產生室31之內部藉由真空泵36、41之運轉，任一者皆被 -14- 200835796 減壓至事先特定之壓力。 然後，在減壓之蒸氣產生室31內，在各蒸氣產生部 70〜72所蒸發之成膜材料之蒸氣，藉由控制閥75〜77之 開關操作，適當通過蒸氣供給配管81〜83內’以任意組 合在合流配管85合流，不會散出至蒸氣產生室31之外 部，直接供給至蒸鍍頭65。如此一來，被供給至蒸鍍頭 65之成膜材料之蒸氣在處理室30內，自蒸鍍頭65上面 之蒸氣噴出口 80噴出。 再者，另外在被減壓之處理室30內，在基板保持部 47所保持之基板G，朝第3圖中之右方搬運。然後，在 移動中，成膜材料之蒸氣自蒸鍍頭65上面被供給，在基 板G之表面形成疊層發光層3。 然後，在蒸鍍裝置13形成發光層3之基板G，是藉 由轉移腔室1 4，接著被搬入至成膜裝置1 5。如此一來， 成膜裝置15在基板G表面形成功函數調整層。 接著，藉由轉移腔室16，基板G被搬入至蝕刻裝置 17，調整各成膜之形狀等。接著，藉由轉移腔室18，基 板G被搬入至濺鍍裝置19，形成陰極2。接著，藉由轉 移腔室20，基板G被搬入至CVD裝置21，執行有機EL 元件A之密封。如此一來所製造出之有機El元件a經轉 移腔室22、卸載機23，被搬出至成膜系統1〇外。 以上之成膜系統10是在蒸鍍裝置13中，可以不使在 蒸氣產生部7 0〜7 2所產生之成膜材料之蒸氣散出至處理 室3 0和蒸氣產生室3 1之外部，供給至蒸氣噴出口 go， -15- 200835796 可以維持真空隔熱之狀態不會溫度降低，將成膜材料之蒸 氣發送蒸鍍頭65。因此，可以防止支配管81、82、83或 各控制閥7 5〜7 7、合流配管8 5等中之成膜材料之沉積， 安定來自蒸鍍頭65之蒸氣之供給量，迴避蒸鍍速度之下 降。再者，藉由一體性加熱配管箱66，可以省略加熱支 配管81、82、83或各控制閥75〜77、合流配管85等之 加熱器，可以降低裝置成本、運轉成本，亦可以使裝置小 型化。 再者，如圖式般若採用將配管箱66、蒸氣產生部70 〜72、控制閥75、76、77 —體安裝於蒸鍍頭65下方之蒸 鍍單元55〜60時，亦可以將各蒸鍍單元55〜60構成小型 化。再者，由於將各蒸鍍單元55〜60各予以一體性取 出，也容易維修。 再者，如第6圖所示般，以可一體性加熱蒸氣產生部 7〇、71、72之加熱塊91而言，若在該加熱器91之內部 配置材料容器92和載體氣體路徑94時，則可以省略用以 將載體氣體預加熱之加熱器，以謀求省空間化。 以上，雖然說明本發明之最佳實施形態之一例，但是 本發明並不限定於圖式之形態。若爲該項技藝者亦可從申 請專利範圍所記載之思想範疇內，想到取得各種變更例或 修正例，針對該些便當然也屬於本發明之技術性範圍。例 如’雖然根據有機EL元件A之發光層3之蒸鍍裝置13 予以說明’但是本發明可以適用於該其他各種電子裝置等 之處理所利用之蒸鍍裝置。 -16- 200835796 成爲處理對象之基板G可以適用於玻璃基板、矽基 板、角形、圓形等之基板等種基板。再者，亦可以適用於 基板以外之被處理體。 第2圖是表示沿著基板g之搬運方向，串聯順序排 列裝載機1 1、轉移腔室1 4、功函數調整層之成膜裝置 15、轉移腔室16、蝕刻裝置17、轉移腔室18、濺鍍裝置 19、轉移腔室20、CVD裝置21、轉移腔室22、卸載機 2 3之構成的成膜系統〗〇。但是，如第8圖所示般，即使 爲在轉移腔室100之周圍，配置有例如基板裝載隔絕裝置 1 〇 1、濺鍍蒸鍍成膜裝置1 2、對準裝置1 0 3、蝕刻裝置 104、光罩裝載隔絕裝置105、CVD裝置106、基板反轉 裝置107、蒸鍍成膜裝置108之構成的成膜系統1〇9亦 可。各處理裝置之台數、配置爲可任意變更。 例如’第8圖所示般，在轉移腔室no之周圍設置6 台處理裝置1 1 1〜1 1 6之處理系統1 1 7中，亦可適用本發 明。並且’該第8圖所示之處理系統117是自搬入搬出部 118經兩個負載鎖定室119，使基板g搬入搬出至轉移腔 室110’藉由轉移腔室110，對各處理裝置111〜116搬入 搬出基板G。 再者’例如第9圖所示般，構成自搬入搬出部120經 負載鎖定室121，對各處理裝置122、122直接（不經轉移 腔室）使基板G搬入搬出之處理系統123中，亦可適用本 發明。如此一來，設置於處理系統之處理裝置之台數、配 置爲任意。 -17- 200835796 再者，在蒸鍍裝置13內，從搬入口 50搬入至處理室 3 〇內之基板G，表示處理後自搬出口 5 1所搬出之例。但 是，即使設置兼用搬入口和搬出口之搬入搬出口，自搬入 出口被搬入至處理室30內之基板G，於處理後，再次自 搬入搬出口被搬出亦可。並且，處理後儘可能以短時間自 處理室3 0內搬出的搬運路徑爲佳。 並且，自各蒸鍍單元55〜60之蒸鍍頭65噴出之材料 即使爲相同或不同意可。再者，蒸鍍單元之連數並不限定 於6個，爲任意。再者，被設置在蒸鍍單元之蒸氣產生部 或控制閥之數量也爲任意。 [產業上之利用可行性] 本發明可以適用於例如有機EL元件之製造領域。 【圖式簡單說明】 第1圖爲有機EL元件之說明圖。 第2圖爲成膜系統之說明圖。 第3圖爲槪略性表示本發明之實施形態所涉及之蒸鍍 裝置之構成的剖面圖。 第4圖爲蒸鍍單元之斜視圖。 第5圖爲蒸鍍單元之電路圖。 第6圖爲蒸氣產生部之斜視圖。 第7圖爲在轉移腔室之周圍配置各處理裝置之成膜系 統之說明圖。 -18 - 200835796 第8圖爲在轉移腔室；^ 裝置之說明圖。 第9圖爲構成將基板自 搬入之處理系統的說明圖。 周圍配置6台處理裝置之處理 搬入搬出部對各處理裝置直接 【主要元件符號說明】

A :有機EL元件 G :玻璃基板 I 0 :處理系統 II :裝載機 2 2 :轉移腔室 膜裝置 12、 14、 16、 18、 20、 13:發光層之蒸鍍裝· 1 5 :功函數調整層之尽 1 7 :飩刻裝置 1 9 :濺鍍裝置 21 : CVD裝置 23 :卸載機 3 0 :處理室 31 :蒸氣產生室 32 :容器本體 3 3 :隔牆 35、40 :排氣孔 3 6、41 :真空泵 45 :導引構件 19 - 200835796

47: 55、 65 ： 66 ： 7 0— 75 - 8 0 ： 8 5 ： 90 : 91 ： 92 ： 93 : 94 ： 基板保持部 60 :蒸鍍元件 蒸鍍頭 配管箱 72 :蒸氣產生部 77 :控制閥 蒸氣噴出口 83 :支配管 合流配管 加熱器 加熱塊 材料容器 載體氣體供給配管 載體氣體路徑

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Claims (1)

1. 200835796 十、申請專利範圍 1·一種蒸鍍裝置，係藉由蒸鍍對被處理體施予成膜胃 理，其特徵爲： 使對被處理體施予成膜處理之處理室，和使成膜材米斗 蒸發之蒸發產生室鄰接配置， 設置使上述處理室之內部和上述蒸氣產生室之內部|咸 壓之排氣機構， 在上述處理室配置使成膜材料之蒸氣噴出之蒸氣噴出 □， 在上述蒸氣產生室配置使成膜材料蒸發之蒸氣產生 部，和控制成膜材料之蒸氣供給的控制閥， 設置使在上述蒸發產生部所產生之成膜材料之蒸氣不 散出至上述處理室和上述蒸氣產生室之外部而供給至上述 蒸氣噴出口的流路。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置，其中， 具有上述蒸氣噴出口形成於任意面的蒸鍍頭，以使形成有 上述蒸鍍頭之上述蒸氣噴出口之面露於出上述處理室之姿 勢’將上述蒸鍍頭支撐於區隔上述處理室和上述蒸氣產生 室之隔牆。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍裝置，其中， 將上述隔牆之至少一部份設爲隔熱材。 4.如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍裝置，其中， 使上述蒸氣產生部和上述控制閥支撐於上述蒸鍍頭。 5 .如申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置，其中， -21 - 200835796 具有載體氣體供給配管，係將用以使在上述蒸氣產生部所 蒸發之成膜材料之蒸氣供給至上述蒸氣噴出口之載體氣 體，供給至上述蒸氣產生機構之載體氣體供給配管。 6.如申請專利範圍第5項所記載之蒸鍍裝置，其中’ 上述蒸發產生部具有能夠一體性加熱全部之加熱塊，在上 述加熱塊之內部配置可塡充成膜材料之材料容器，和使自 上述載體氣體供給配管所供給之載體氣體通往上述材料容 器之載體氣體路徑。 7·如申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置，其中， 上述成膜材料爲有機EL元件之發光層之成膜材料。 8·如申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍裝置，其中， 上述控制閥爲波紋管閥或是隔膜閥。

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