TW200834519A - Active matrix display device - Google Patents

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TW200834519A
TW200834519A TW096144597A TW96144597A TW200834519A TW 200834519 A TW200834519 A TW 200834519A TW 096144597 A TW096144597 A TW 096144597A TW 96144597 A TW96144597 A TW 96144597A TW 200834519 A TW200834519 A TW 200834519A
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TW
Taiwan
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transistor
charge
voltage
discharge
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TW096144597A
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David Andrew Fish
Steven Charles Deane
Nicola Bramante
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Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

200834519 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於主動矩陣顯示裝置，尤其但不專指具有與 各像素相關聯之薄膜切換電晶體的主動矩陣電致發光顯示 【先前技術】
使用電致發光顯示元件之矩陣顯示裝置係為人已知的。 顯不7G件可能包括有機薄膜電致發光元件（例如使用聚合 物材料)，或使用習知第m_v族半導體化合物之其它發： -極體（LED)。最近開發的有機電致發光材料（特別係聚合 物材料)已經證實可實際用於視訊顯示裝置中。該些材料 一般包括夹放於-對電極之間的—或多半導體共輛聚合物 層，該對電極之-者為透明，該對電極之另一者則係由適 合將電洞或電子注入該聚合物層之中的材料所製成。 聚合物材料可以使用CVD程序製造；或簡單地使用可溶 化的共軛聚合物之溶液，藉由旋塗技術製造。也可使用喷 墨式印刷。有機電致發光材料可被配置成呈現類二極體[· V特！·生使付其等咸提供顯示功能及切換功能二者，且因 此可用於被動式顯示器。或者，此等材料可用於主動矩陣 顯不衣置’而各像素均包括一顯示元件及一用於控制通過 該顯不元件之電流的切換裝置。 此類型的顯示裝置具有電流定址顯示元件’因此一習 知、類比驅動方案便合法芬说處 更a涉及供應一可控制電流至該顯示元 牛 的係提供—電流源電晶體作為該像素組態的部 126587.doc 200834519 分，其中供應至該電流源電晶體之閘極電壓便決定了通過 該顯示元件的電流。在定址階段後，—儲存電容器 該閘極電壓。 i 、 圖1顯示-主動矩陣定址電致發光顯示裝置的佈局。該 顯示裝置包括一面才反’其具有&則間隔之像素(以方塊# 示）所組成的列行矩陣陣列，且包括與相關切換構件結合 之電致發光顯示元件2，其係位於交越的列（選擇）位址導體 4組及行（資料）位址導體6組間之交點處。為求簡化，圖！中 只顯示少數像素。實際上’可以有數百行及列的像素。像 素1係藉由被連接至個別導體組之末端，包括列、掃描' 驅動器電路8及行、資料、驅動器電路9之周邊驅動電路， 而經由列位址導體組及行位址導體組來定址。 電致發光顯示元件2包括一有機發光二極體，在此表示 為一極體元件（LED)，且包括一對電極，其間夾置有機電 致發光材料之一或多個主動層。該陣列之顯示元件係連同 相關主動矩陣電路被承载在一絕緣支撐體的一側上。顯示 元件的陰極或陽極係由透明導電材料形成。該支撐體為透 月材料，例如玻璃’而最靠近該基板的該等顯示元件2的 電極則係由一透明導電材料（如ITO)所構成，致使由該電 致發光層產生的光會穿透該些電極與該支撐體，使得位於 該支撐體另一側的觀看者可以看見。一般來說，該有機電 致發光材料層的厚度係在100 nm及200 rim之間。可用於該 等το件的適合有機電致發光材料的典型範例係為人已知， 且於ΕΡ-Α-0 717446之中作過說明。也可使用W096/36959 126587.doc 200834519 中所述的共軛聚合物材料。 最基本的像素電路具有—定址電 之列位址脈衝開啟。當兮 "/、_被列導體上 -驅動電晶體與一儲存電：:::被:啟時：… 一電壓來驅動一電流源。 ；用4仃導體上的 於以多晶石夕為主的像素電路中，由 s、、、
多晶矽粒種的統計性分佈的等：g晶體通道中 會產生變化。⑼，多電晶體的臨界電壓 ig ^ n 曰曰體在電流及電壓應力下係 相“…因此臨界電壓實質上會保持不變。 非晶石夕電晶體的臨界電壓變 岡+ [I化小，至少在基板上的短範 圍内’但臨界電壓對電壓應力卻非f敏感。施加高於該驅 動電晶體之臨界電壓所雲夕古φ蹄人 电i所而之ν電壓會使得臨界電壓產生極 大的變化’該等變化會取決於所顯示之影像的資訊内容。 所以，非晶矽電晶體的臨界電壓總是與結晶矽之臨界電壓 相比較，差異很大。這種差別老化對由非晶_電晶體來驅 動的LED顯示器係一項嚴重問題。 除電晶體特徵變異外，LED本身也有差'別老化。此係由 於發光材料在電流應力後的效率降低的關係。在許多情況 下，通過LED之電流及電荷愈多，效率就愈低。 已經確認的係，電流定址像素（而非電壓定址像素）能夠 降低或消除橫跨該基板上的電晶體變異效應。舉例來說， 電流定址像素能使用一電流鏡來取樣在一用以驅動所需之 像素驅動電流所流經的取樣電晶體上的閘極-源極電壓。 已取樣的閘極-源極電壓係用以定址該驅動電晶體。這會 126587.doc 200834519 P伤減Ik裝置均勻度的問題，因為取樣電晶體及驅動電晶 ，在基板上彼此㈣，且因而能更準確地彼此匹配。雖然 要額外的f：aB體及^^線’不過’其它電流取樣電路會 使用相同電晶體來取樣及驅動，以致不需要電晶體匹配。 f曰提出補償LED材料老化之電壓定址像素電路。舉例 " 已曰提出其中像素包括一光感應元件的各種像素電 :。此元件會回應顯示元件的光輸出，且用作在儲存電容 器上之浪漏儲存電荷以回應該光輸出，以便奴址週期中 控制顯示器的積分光輸出。 圖2顯不為達此目的的像素佈局的一個範例。每一個像 素1均包括EL顯示元件2及相關驅動器電路。該驅動器電路 具有—^址電晶體16，其係由列導體4上的-列位址脈衝 Λ 1啟田疋址電晶體16被開啟時，行導體6上的電壓可 $至其餘像素。明確地說，供應行導體電壓至電流源2〇的 定址電晶體16包括驅動電晶體22及儲存電容器24。行電壓 會被供應至驅動電晶體22的閘極，且既使在行位址脈衝結 束後閘極仍可藉由儲存電容器24而被維持在此電壓處。 一光二極體27會放電儲存在電容器24上的閘極電壓。當 該驅動電晶體22上的閘極電壓抵達該臨界電壓時，該£1^貝 不π件2便不再會發光，接著該儲存電容器24便會停止放 電。從光二極體27洩漏的電荷之速率係顯示元件輸出的函 數，因此光二極體27作用為—光敏回授裝置。考量光二極 體27的效應之後可以顯示出積分光輸出如下： 尽⑼-M [1]
VpD 126587.doc -10- 200834519 於此等式中，nPD係該二 ^ ^ * · 位體的效率，其在該顯示器上 會非韦均勻，cs係儲存電宏 # ’ v(〇)係該驅動電晶體 閘極-源極電壓；而v係 μ刀始 τ係該驅動電晶體的臨界電壓。 以，光輸出會獨立於Εϊ 一 - t ^ 、 L顯不兀件效率且從而提供老化補 償。不過，VT橫跨該顯干哭欠 ”肩不器部會改變，所以，其 定的不均勻性。 另一項問題係’因為維持閘極-源極電壓的電容器係放 電’所以，顯示元件的驅動電流會逐漸降低。因此，亮度
會變小。這會產生一較低的平均光強度。 X 該些問題在經過修正之後已獲解決，其中，該驅動電晶 體會受控用以提供從該顯示元件輪出的恆定光輸出。請參 考WO 04/084168。為達老化補償目的，會利用光學回授來 變更一放電電晶體的運作（尤其係開啟）的時序，其接著會 運作以快速地關閉該驅動電晶體。這可被視為係，，快速： 閉（snap-off)”光學回授系統。該放電電晶體的運作時序可 能還會取決於被施加至該像素的資料電壓。依此方式，該 平均光輸出便可能會高於回應於光輸“較緩㈣閉該驅 動電晶體的方案。因此，該顯示元件的運作可更有效。 再者，該驅動電晶體的任何臨界電壓漂移均會造成該顯 示元件本身的（恆定）亮度改變。因此，該光學回授電路還 可補领因LED老化與該驅動電晶體臨界電壓變異兩者所造 成的輸出亮度變異。 本發明還關於此類型的”快速關閉”光學回授像素。此像 素會對顯示元件老化提供良妤的補償，並且還能夠補償橫 126587.doc
II 200834519 跨該基板上驅動電晶體臨界電壓變異。不過，明確地說， 非晶石夕電晶體的電壓誘發臨界電壓變異仍會限制該顯示器 的壽命，因為該光學回授系統僅能耐受特定上限的臨界電 壓變異。超過此臨界電壓變異上限，該像素電路便無法在 . 整個驅動週期中提供足夠電流給該顯示元件，以達所需意 度輸出。 而儿 已經"忍定的係，希望提供較佳的臨界電壓補償，且 2005/022498揭不一種具有光學回授以及額外的臨界電懲 ⑩變異補償的配置’其係、使用該等像素驅動信號的外部= 正。不過，仍需要提供該電路對電路組件老化有更高的、 受性，其包含該驅動電晶體的臨界電壓變異以及該顯示一 件的老化與該電路中其它組件的特徵變化。 ' 疋 【發明内容】 根據本發明，提供一主動矩陣顯示裝置，其包括一 像素陣列，各像素包括： .'、、示 _ ' 一電流驅動發光顯示元件； 一驅動電晶體，其用以驅動通過該顯示元 流； 的電 ‘ · 一儲存電容器，其用以儲存用於定址該驅動雷曰 . 的電壓； Μ晶體 放電電晶體，其用以放電該儲存電容器，從 閉該驅動電晶體； 關 、 放電電容器，其係位於該放電電晶體的閘極迤 源極之間；以及 *、其 126587.doc -12- 200834519 ^光相依裝置，其藉由取決於該顯示元件之光輸出 來充電與玫電該放電電容器以控制該放電電晶體的運作時 序， 其中，該裝置進一步包括： 項取電路，其用以監視該放電電容器上的電荷；以及 資料修正構件，其用以回應該等讀取電路測量值來 修正要被施加至該像素的像素資料。 月確地5兒，本配置中的光學回授係用來達到該顯示元件 的老化補償目的，並且會用來變更一放電電晶體的運作 (尤其疋開啟）的時序，其接著會運作以快速地關閉該驅動 電曰曰體。此時序還會取決於被施加至該像素的資料電壓。 依此方式，該平均光輸出便可能會高於回應於光輸出而較 緩慢關閉該驅動電晶體的方案。因此，該顯示元件的運作 可更有效。 該驅動電晶體的臨界電壓補償不精確性均會造成該顯示 =件本身的（恆定）亮度改變。因此，該光學回授電路會補 償因L E D老化與該驅動電晶體臨界電壓變異兩者所造成的 輸出亮度變異。 除了此雙級補償之外，還有外部資料修正，其會使用該 放電电谷器所儲存或從該放電電容器流出的電荷的測量 值。依此方式，已提供用在該像素内光學回授之中像素電 路的一部分便會被用來提供對任何其餘老化效應作進一步 測量。這便不需要額外的像素電路來提供第三級補償。 這會讓該光學回授功能可有效率在較長的時間中用來補 126587.doc -13· 200834519 犒臨界電壓變異，從而提高使用該像素電路的顯示器的喜 命。 σ 、可 該光相依裝置可能會被調適成用以在定址週期期間來充 電或放電該放電電容器，而該讀取電路則會被調適成用以 在利用已知資料定址該像素之後於該定址週期之中的預定 時間處實施至少兩次電荷感測作業。此等兩次測量可用^ 獨立地決定任何剩餘的LED老化效應以及驅動電晶體 電壓變異。
該等電荷感測作業可以在該顚示裝置的開機及/或 期間來施行。 於另一範例中，該光相依裝置可能會被調適成用以在定 址週期期間來充電或放電該放電電容器，而該讀取電路則 會被調適成用以在該放電電晶體已經被開啟之後於該定址 週期的結束處來實施電荷測量。此會測量在該定址週期的 結被儲存在該放電電容器之上的電荷。因為已掌握初 始私何（其可能取決於該像素資料），所以，便可利用此電 何測ϊ值作為總光輸出的指示器，並且從而納人所有老化 效應。 電荷測里可針對所有的像素行來平行實施，且該裝置可 還進v包括一 #號處理器，用以回應於該電荷測量來 修正輸入資料。 乂或者’該裝置可能還進一步包括··—多工器，其用以對 來自不同像素行的電荷測量信號進行多工處理；一記憮 體其用以儲存電荷測量信號；以及一信號處理器，其用 126587.doc •14- 200834519 以回應於該電荷測量來修正輸入資料。該多工器較佳的係 與該像素陣列整合在一起。 可以利用一電流源電晶體來驅動一預定電流流過該驅動 電晶體，而該儲存電容器則會被調適成用以儲存一所生成 的驅動電晶體閘極-源極電壓，該電壓為該驅動電晶體之 臨界電壓的函數。這會提供另一等級的臨界電壓修正。 每一個像素較佳的係進一步包括一旁通電晶體，其會被 連接在該驅動電晶體的源極與一旁通線之間。這會作為一 電流源電路，用以驅動一已知電流流過該驅動電晶體，並 且從而讓該儲存電容器儲存一電壓，該電壓為該驅動電晶 體之臨界電壓的函數。 每一個像素可能還進一步包括一定址電晶體，其會被連 接在一資料信號線與該像素的一輸入之間。該資料信號線 上的資料信號可由該定址電晶體被提供給該放電電晶體的 閘極。該放電電晶體在使用中會被偏壓，因而會讓該放電 電晶體被關閉，直到該放電電容器被充電或放電一取決於 該資料電壓的數額為止。 每一個像素較佳的係還進一步包括一充電電晶體，其會 被連接在一充電線路與該驅動電晶體的閘極之間。這係用 來將该儲存電容器充電至一對應於該驅動電晶體之完全開 啟狀態的電壓處，並且對具有共同陰極顯示器組態的n型 驅動電晶體來說係必要的。 該電流驅動發光顯示元件較佳的係包括一電致發光顯示 元件。 126587.doc -15- 200834519 本發明還提供一種驅動主動矩陣顯示裝置的方法，該主 動矩陣顯示裝置包括一顯示像素陣列，每一個顯示像素均 包括一驅動電晶體與一電流驅動發光顯示元件，且對該像 素的每一次定址來說，該方法包括： - 施加一像素驅動電壓至該像素的輸入； " 將一從該像素驅動電壓處所衍生的電壓儲存在一放 電電容器之上； " 將一儲存電容器充電至一驅動電壓處，並且藉由將 該儲存電容器電壓施加至該驅動電晶體來驅動一電流流過 該顯示元件，從而照明該顯示元件； - 利用流過被該顯示元件之光輸出照明的一光相依裝 置的電何流來開啟一放電電晶體，該電荷流會充電或放電 該放電電容器；以及 利用遠放電電晶體來放電該儲存電容器，從而關閉 该驅動電晶體， - 其中，該方法還進一步包括監視該放電電容器之上 的電荷並且回應於該電荷監視結果來修正被施加至該像素 的像素資料。 【實施方式】 圖3示意性顯示係一”快速關閉"像素之範例，其係揭示 在 WO 04/084168之中。 圖中會使用相同的元件符號來表示和圖2相同的組件， 且該像素電路係用在圖1中所示的顯示器之中。圖3的電路 適合利用非晶矽η型電晶體來施行。 126587.doc -16 - 200834519 2動電晶體22的閘極.源極電壓會再次被保留在儲存電 令益30之上。此電谷器會透過一充電電晶體μ⑽經由充 電線路32被充電至—固定電壓。因此，當該顯示元件欲被 照明時’該驅動電晶體22會被驅動至一怪定位準，該位準 與該像素的資料輸人無關。亮度係藉由改變責任循環（明 確地說，係改變該驅動電晶體關閉的時間）來控制。 驅動電晶體22係藉由-放電電晶體36關閉，其會放電該 儲存電谷益30。當驅動電晶體36被開啟時，電容器％會迅 速放電且驅動電晶體會關閉。 當閘極電壓達到一足夠電壓時’該放電電晶體便會被開 啟。光感測器38(圖中顯示為一光二極體）會被顯示元件㈣ 明並且產生一與顯示元件2的光輸出相依之光電流。此光 電流會充電-放電電容器40,且在某一時間點，橫跨電容 器40的電壓將達到放電電晶體4〇的臨界電壓並且從而使其 開啟。此時間會取決於初㈣存在電容器4()之上的電荷以 及光電流，其接著會取決於該顯示元件的光輸出。 因此，提供至資料線路6之上的像素的資料信號係由定 址電晶體16 (T1)來供應並且會被儲存在放電電容器利之 中。高資料信號係代表低亮度（所以電晶體36僅需要少量 的額外電荷來開啟），而低資料信號係代表高亮度（所以電 晶體3 6需要大量的額外電荷來開啟）。 因此，此電路具有光學回授來補償該顯示元件的老化， 亚且具有該驅動電晶體22的臨界補償作用，因為驅動電晶 體特徵變異同樣會造成該顯示元件輸出差異，其同樣係藉 126587.doc -17· 200834519 由該光學回授來補偵。對電晶體36來說，臨界電壓以上的 閘極電壓會保持非常小，所以，臨界電壓變異比較不明 顯。 如圖3中所示，每一個像素還具有一旁通電晶體芯 (T3)，其會被連接在該驅動電晶體22的源極與一旁通線路 44之間。此旁通線路44可為所有像素共用。這係用來確保 在該儲存電容器30被充電時在該驅動電晶體之源極處會有 恆定電壓。因Λ ’該源極電壓便不會取決於和電流流動具 有函數關係之橫跨該顯示元件的電壓降。因此，一固定的 閘極-源極電壓會被儲存在該電容器3〇之中，且當一資料 電壓被儲存在該像素之中時該顯示元件便會被關閉。 應該注意的係，該放電電晶體並非係該電路之運作的必 要元件。 圖4顯示圖3之電路運作的時序圖並且係用來進一步詳細 解釋該電路運作。 在電源供應線之上會被施加一切換電壓。關係圖5〇顯示 此私壓。在將資料寫入該像素期間，電源供應線26會被切 換為低，所以，驅動電晶體22會被關閉。這會讓旁通電晶 體42提供一良好的接地參考電壓。 三個電晶體Τ1、丁2、Τ3的控制線路會被連接在一起， 且‘ δ亥電源供應線為低時’該等三個電晶體便全部會被開 啟。此分旱的控制線路信號係顯示為關係圖5 2。 開啟Τ1具有將放電電晶體40充電至該資料電壓之效應。 開啟Τ2具有將儲存電容器3〇充電至來自充電線路32的恆定 126587.doc -18 - 200834519 充龟電壓之效應’而開啟T3具有旁通該顯示元件2並且會 固定該驅動電晶體22的源極電壓之效應。如關係圖54中所 示’資料（斜線區）會在此時間中被施加至該像素。 為達不必進行電力線切換的目的，可以使用圖5中所示 的配置。相同的組件會使用相同的元件符號，且圖中再次 所示的電路同樣僅利用η型電晶體來施行，所以，適合利 用非晶矽電晶體來施行。於此電路中並不會切換電源供應 線26上的電壓。該顯示元件的陽極不再被連接至該放電電 容器40的下方端子，並且這會讓該旁通線路上的電壓與該 像素其餘部份的低電壓線路無關。 圖6顯示此電路的已知時序圖。關係圖52顯示出，當全 部二個電晶體T1、Τ2、Τ3均被開啟時，資料便會被儲存 在該像素之中。 於此電路中，被施加至旁通線路44的電壓會被選為低於 該顯示元件2的臨界電壓，所以該顯示元件會在像素程式 化期間被關閉，而不必切換該電源供應線26之上的電壓。 不必進行電力線切換可能該驅動電路的施行方式比較不會 複雜。 此方式的其中一項問題係，該電路僅能對驅動電晶體的 臨界電壓變異提供有限的補償。於非晶矽驅動電晶體的情 況中，該些變異會比因該顯示元件的老化所造成的像素特 徵變異更為嚴重。 本案申請人所提出的解決此問題的其中一種方式係對該 驅動電晶體的臨界電壓提供額外補償，且利用該旁通線路 126587.doc -19- 200834519 與旁通電晶體作為-電流源、來驅動一已知f流流過該驅動 電晶體22便可達成此目的。因此，電晶體42可操作為一電 流控制裝置，其會掌控被吸取流過驅動電晶體22的電流。 這可用來取樣該驅動電晶體臨界電壓，而使得被儲存在電 容器30上的初始電壓不再是恆定電壓，而會具有一取決於 該等驅動電晶體特徵的變動分量。 即使利用此額外的電流感測步驟，對可利用該電路所施 行的修正作進一步改良仍會延長該電路的壽命。 本發明提供一種額外或替代的技術來改良該電路的修正 能力。 圖7中所示的便係其中一種必要的電路範例，且從圖中 可以看見，該電路對應於圖6，不過新增了 一和每一行相 關聯的電荷感測配置7〇。 在本發明的第一範例中，會於已定義的間隔處來實施一 電荷感測步驟。當放電電晶體36關閉時，可以利用放電電 谷器40 (CD、定址電晶體16 (T1)、以及光二極體或光電晶 體38的組合作為一電荷儲存單元。 石夕1C(舉例來坑，作為平面X射線偵測器之類型）可透 過切換器Si被連接至該顯示器的各行，用以在已定義的間 隔處讀出電容器40的電荷。 在放電電晶體36開啟之前，電容器4〇上的電荷變化僅會 又控於該光學回授系統。因此，被儲存在電容器4〇之上的 電荷將會代表驅動TFT漂移以&LED衰降。倘若已經利用 一電流程式化級來取樣該驅動TFT臨界電壓的話（如上所 126587.doc -20- 200834519 述)’那麼該電荷便代表該電流程式化級所遺留的殘差。 必須對一像素進行兩次測量以便修正該像素中的兩種衰 降機制（也就是，0LED老化及TFT臨界電壓漂移）。充電線 路27可在兩個場中的兩個不同數值之間被調變，以提供該 LED的不同驅動條件。 在母個場中於相同的時間處，在發光中止之前取得電 荷讀數便可達成該等兩次必要的測量。探討該像素的一簡 單模型便可以看出何以需要兩次測量。由驅動TFT所產生 的光度為： 工=W(FC崎一 Fj/2 其中，n〇LED為OLED效率，β為該驅動TFT的跨導，％為該 驅動TFT的臨界電壓，Vcharge為該驅動TFT的閘極_源極電 壓。此等式會將驅動TFT輸出電流映射至光度位準。接 著’被儲存在電容器C2上的電荷如下： Q=t—jAvcharge—ντγ / 2 [3] 其中’ TF為場時間而ηρ8為光感測器效率。此等式代表在 場週期期間從等式[2]中因光度L所產生的電荷流。必須進 行兩次測量來決定該等兩個參數，也就是，％與 TFnPSTl〇LEDP/2。該些參數可以利用下面的公式來計瞀。亦 可以算出該驅動TFT的閘極源極電壓vGS的新數值。q丁代 表輸入資料： 126587.doc -21 - [4] 200834519 ^q2-^Q\ a 二 TfTJpsnOLEDfi - 一 Υτ
Vr 可以在該顯示器的開機或關機期間(於此期間可能會顯 示-固定的簡單場影像（測試影像））來進行前述兩次測量。 可以顯示該些測試影像數十個毫秒。 在線路27(充電線路）之上的電壓合改 m 胃改變，因為此電壓會 指定該驅動TFT的閘極-源極電壓，所 电坚所U，便會指定光度以 及儲存電容器40的充電速率。所以， 稽由對該電荷積分一 固定時間間隔’便可取得兩個不同充電電麼的兩個，果 (也就是，對應於充電電壓vlMwQmQ2)m 等式[4]，並且具有簡單的電路時序。 圖8說明本發明此範例的驅動方案。 該顯示器的每一條線路會依庠 曰伙斤破疋址，不過在每一 入事件之間均會有一線時間办 ]王白。圖8顯示依序針對备一 條疋址線1至Ν+1的定址時間。 插^ 間於一合宜的積分週期80之後 忭菜因為该讀取作業使用和寫入作紫相 同的行導體，所以，可^人作業相 .^父錯進行讀取作業與寫入作筆， 中#定# 彳有的像素均會在相同的積分週期 甲被疋址，該週期非登 貝77 啟，’ 且，俾使該放電電晶體36不會開 啟且該頃出階段將會快逮地完成。 曰開 此程序可以實施兩次， y多主+ + + W的充電線路電壓會您怠 像素處來進行^ 以^母一個 且所耗費的時間可能約為其五個 126587.doc • 22 - 200834519 場週期。在進行該等兩次 六+ 一 ]里中母一者之後便會重置該杜 存電容器4〇,且該積分週期可能約為5ms。 ， 亦可在該顯示器正常運轉時來進行該等測量。 :，從該電容器4。處被讀出的資訊必須被立即寫回去= 程序。藉由對該電荷放大器之替 出上的電壓進行绣徐叙 輸 — 緩衝^放並且將此電壓切換至該顯示哭 2上便可達成此目的。# '然，相較於使用該顯示
機或關機週期，這會比較複雜且係較不樂見的。的開 …電荷感測的好處係，還可以找出放電電晶體％的臨 壓。此作法的優點在於此裝置中會影響該顯示器之，里位 的漂移數額會很小。倘若在關閉光度(也就是，放電電曰 體36開啟）之後來感測該電容器4〇(電容C2)上的電荷的話日，9 那麽f谷為4〇上的電荷便會係Μ几。追縱此電荷的變 化便可利用信號處理來修正資料。舉例來說’可以在該顯 示器的開機或關機階段中於另外兩個場週期中來施行此作 業0 該方案可能還會考量該光敏裝置中暗電流的效應。這會 加入該像素的電荷讀出之中。 為考量暗電流，可以在該〇LED關閉之前進行三次測 量，並且可利用減法來推算變化數值（而非使用絕對數 值）。這會移除暗電流的某些效應。倘若開機時的條件在 該顯示器的使用週期中保持相同的話（舉例來說，溫度保 持相同）這便會相當有效。 上面所述的計算與測量可以預測該驅動TFT的必要閑極 126587.doc •23- 200834519 源極電壓數值以及放電電晶體36的臨界電壓變異。 、▲:枓讀出必須以逐個像素的方式來調變該充電線路27β 乂 $要求該充電線路27變 線路（而非⑽一# _ 耦合至該行驅動器的資料 器的標準資早料行、，線路)’所以，其會平行運行於該顯示 在该驅動電晶體係被電壓程式化的電路中(舉例， 圖3的電路，但未使用電晶體42來進行電流程式 _ 該充電線路27將會罝有接徂一 ）
所需效廡。 /、有棱么、一不同的驅動TFT輸出電流的 由電流取樣技術來取得該驅動電 ，那麼，調變該充電線路電壓將 電流。於此情況中，必須改變電 不過，如上述，倘若藉 晶體閘極-源極電壓的話 不會改變該驅動TFT輸出 流取樣步驟。該電流如下
Iz=:Qt~ a >因此’必須知道該驅動TFT的跨導，並且可以輕易地計 算此跨導。接著，該電晶體42可以受控以供應該所需電 流。該TFT 42的參數為已知，以便能夠計算 ： 源極電壓。於此情況巾，料44必料行運行料 為一弟·一貢料線路。 於所有情況，中，均可能會算出該驅動TFT的必要閘極源 極電壓的平均數值，ϋ且接著可以控制該充電線路U或共 同線路44以代表該平均效應，且該光學回授系統能夠修： 該等差異。於此情況中，該等線路27或44並不必係資料線 路，不過卻可能係所有像素或是像素子群的共同線路。— 126587.doc -24 - 200834519 藉由正確地偏移標準資料數值以移除橫跨該陣列上的變 /、放應便可解決預測放電電晶體3 6的臨界電壓的問題。 亦可不進行電荷感測，而實施光電流感測來取代。於此 情況中，電荷感測配置70將會以電流至電壓轉換器/放大 器的形式被配置成一電流感測配置。此情況中的感測作業 同樣可在該顯示器的開機或關機時來實施。顯示器的每一 列均會將一恆定資料數值寫入該像素之中，且接著，定址 电晶體16與切換器s 1的控制線路會依序被保持在高位準 處，以便讓光電流能夠趨穩。接著，該放大器便會提供一 代表該OLED與驅動TFT衰降（或是電流程式化誤差）的輸出 電壓。同樣地，可以採取和用於電荷感測雷同的步驟來進 行修正。 於此版本中，會回應於該充電線路中的變異來感測兩個 不同電流。此程序將無法預測該放電電晶體臨界電壓。 上面所述的方式會在光學回授循環期間使用多次測量， 以便進行額外臨界電壓與LED老化補償計算。 上面所解釋的修正方案還假設儲存電容器4〇上的最終像 素電壓Vpix等於放電TFT 36的臨界電壓，且在該像素電壓 之中沒有和該驅動TFT之臨界電壓及OLED衰降有關的任 何資訊。事實上，放電TFT 36並非係完全的切換器，而其 結果係最終像素電壓Vpix可能會回應於驅動TFT及LED衰 降而改變。因此’可以利用該最終像素電壓來修正該些參 數。 因此，一不同且較簡單的方式便係以下面的事實為主·· 126587.doc -25- 200834519 在該電路關閉LED之後，被儲存在該儲存電容器扣之上的 電荷係代表該顯示器所發出的光並且可用來解釋驅動打了 及OLED衰降。明確地說，初始電壓與電荷係已知的，而 結束電壓則會基於該光學回授作業所產生的電荷變化。因 此，可以將所發出的光與所需要的發光作比較，並且對資 料電壓作簡單的改變便可達到修正的目的。 電路中必須被修正的殘餘效應同樣係放電電晶體％的任 何臨界電壓漂移以及因該快速關閉TFT非無限開啟速率所 造成的驅動TFT及OLED光度衰降的臨界電壓修正誤差。 在低灰階時，該些誤差會變得特別嚴重。 在關閉之後從圖7中的電荷放大器中被讀出的電壓會等 於： 胃 c V 一 _ t STORE rrr τ,、 ⑻τ — —-ΚΤριχ -^ref) rci
^AMP U 其中’ CST0RE係儲存電容器數值，而（^嫩係該電荷放大器 的回授電谷器71。VREF係該放大器的的參考電壓。這可能 係在場週期VDATA或恆定參考電壓起始處被寫入該像素之 中的初始電壓。VPIX為場週期結束時電容器4〇之上該像素 中的電壓。這係要被測量的重要數值，因為其係代表該放 電電晶體之臨界電壓變化以及驅動TFT及〇led的修正誤 差。 ' 該像素所發出的平均光度為Lave。由光感測器38儲存在 儲存電容器40之上的電荷則為： t=Tp
Qpix = CST〇RE(VPIX -VDATA) = ηρ〇 ^L{t)dt = η?Ό1ΑΥΕΊ¥ [6] 126587.doc -26· 200834519 於Vref = Vdata的情況中’ V-二- — L- [7]
Lamp 或者’倘若VreF為一恒定參考電壓的話’ VOUT 廳一 Vdata)；Lave [8]
^AMP ^ AMP 因此，即使係利用一恆定的電荷放大器參考電壓，仍會 在輸出電壓之中達到已知的偏移量，且仍可利用v0UT來代 表該平均光度。 當出現衰降時，V out變化為： AV〇ut = - (Cstore/Camp).AVpIX [9] 因此，可以從輸出電壓之中推知像素電壓的變化。所 以，為進行修正，必須在VDATA之中加入數值 (CAmp/Cstore).AVpix。假設Cstore = Camp，那麼修正便非 常簡早’也就是 ’ VDATA(new) = Vdata + AVpix。 從上面還會發現，最終像素電壓Vpix會取決於初始像素 電壓，也就是，資料VDATA —開始便會被寫入該像素之 中。本發明已經發現，倘若在該修正演算法中針對對應於 高灰階的資料電壓來選擇最終電壓Vpix的話，那麼該修正 的功用會特別良好。其同樣適用於在該顯示器運作期間任 何灰階處的修正。 圖9顯示修正電壓和資料電壓VDATA的相依性。如圖所 不，最終像素電壓VpIX會相對於Vdata的關係曲線在對應 於低灰階的較高數值VDATA處會向上彎曲。 曲線80的衰降形式在高VDATA處會收斂至未衰降曲線 82 ’所以’ AVpix會隨著 Vdata 而 下降。不過，模擬結果已 126587.doc -27- 200834519
經顯示出，在修正演算法之中並不必考量此現象。取而代 之的係，在修正演算法之中僅需要用到對應於低數值 VDATA的AVPIX數值。此為與大部*Vdata數值的Δν?ιχ數值 無關’並且這會用來修正所有的vdata數值。 上面所提出的演算法假設一種理想情況，其中，該光感 測器係一完美的電流源；沒有任何寄生電容且沒有任何暗 洩漏電流。 造成誤差的其中一種特殊效應係光感測器並非係一完美 的電流源且具有有限的輸出阻抗。不過，卻可以下面所式 的方式來補償此現象。 該光感測器的輸出阻抗可以藉由假定其光轉換效率巧取 決於電壓來模型化。 圖1〇顯示該電路中光學回授部分的光感測器38與儲存電 容器40。
電容器40的充電方式如下 C^ = 7J(V)Linst 其會變成
dV
LaveTf 其中，TF為框時間 依性： 假設光轉換效率η具有下面的電壓相 W) = rj〇(^^aV) 那麼 便可輕易地估算出積分結果
L
'AVE
C 126587.doc •28· 200834519 士為進行修正，應該注意的係，Vf (最終v)會隨著顯示器 *命而t、變H要二Γ1(初始V)來進行修正。接著： 一7l〇TF -观 W- p (r) = log fl + aVf(〇) 1 + αϊ^(〇) T^aVjr) 其中，τ為時間變數，其大小與該顯示器的壽命p。對 進行修正，在時間零處的平均光度必須等於時間τ處的平
均光度。所以，經發現，可用以進行修正的資料電壓 如下： 1 如上，用於％(〇)與心⑴的數值係％的低數值，也就 是’圖9中所示之曲線之處係平坦。α的數值會非常明確地 知悉’不過，亦可在製造該顯示器時於時間零處來測量。 必須施加兩個光度數值至具有兩個不同初始電壓Vi(A)與 的顯示器。最終f壓Μ會相等（倘錢等初始電壓 兩者係取自圖9中曲線的平坦部分的話）。 a __exp(/?AZ 观)_
Vt (A) - V{ (Β) οχρ(βΔΧΑνΕ ) 其中，alave係經測量的光度差異，且β =〜Tf/c。此常數 係已知的。 更一般言之，還可以考量η的電壓相依性以及電容C的任
何電壓相依性。 dV
C^)~-W)LmT 接著：
m)-m)=LAVETF 126587.doc -29- 200834519 其中，f係該積分的通解（general solution)。下面提早詳述 該程序·· /(^(0))-/(^(0)) = ^(0)^
KVf{r))-f{VXz))^LA^{r)TF 接著，ίΑνΕ(τ)必須等於lave(0) ’俾使修正電壓會變 • 成： . 咖=广(/(*)) 一 Z歲(0)rF) 函數f及其反函數必須為已知，並且可在製造該顯示器 φ 時於時間零處測量該顯示器伽瑪曲線（即，LAVE vs V〇來取 得此資訊。接著此資訊便會被儲存成查找表之形式並且在 該顯示器的壽命中用來處理與修正被施加至該顯示器的資 料。 、 從上面可以看出，用於更新該顯示器資料的修正電壓可 考量該像素電路中額外的不理想效能特徵，尤其是該光學 回授7L件，其會進一步改良延長該回授與修正電路所提供 給該顯示器的壽命。 八 • 4回參考等式[9]所解釋的較簡單的方案，從該處可以 看見輸出電壓係用纟針對給定的像素驅動條件於定址循環 • 結束處來追蹤該像素電壓隨著時間的變化。最終像素電壓 . +的該些變化反映出相同驅動條件中該顯示器的變動光學 輸出，並且從而併入該像素内會影響輸出亮度的所有老化 效應。 為進仃修正，必需館存Vplx的原始數值（理想上，此數值 會橫跨該陣列保持怪定，所以需要一個數值，不過，亦可 M儲存多個數值以表示橫跨該陣列的變異）。接著便會儲 126587.doc •30- 200834519 存從該等6讀取數值V()uTt所算 每次修正-個訊框的像素的話1^的新數值。揭若 之vPIX的數值來計算_經修正的^可立刻使用已算出 被修正的速度比較緩慢的話，那麼便：：。偏若該等像素 存該等Vpix數值。這會在硬體施行;^用到5己憶體來健 的取捨交換’舉例來說，框率修正將L ¥致需要作特定 器並且每一行均 /將會需要用到電荷放大 須先將-出"二至數位轉換器，而且必
仏唬處理方塊之中來計算該 修正_貝料以便使用該資料來定址該顯示写。 … 端中1若每㈣時間讀出—個像素或每個場 項出—個像素並且儲存所有、數值的話，那麼便可 以在該顯示H的所有行之間儲存—電荷放A||與類比至數 位轉換器。於此情況中，雖然已經減少該系統中的類比 1C，不過，記憶體的需求卻會增加。 圖11與12所示的便係前述兩種可能的方式。 圖11顯示平行讀出與即時修正，其中，會在方塊9〇之中 進行即時信號處理，且此處理會提供一誤差數值用以在送 至行驅動器9之前先在加法器92處加入進入資料之中。 圖12顯示的係一具有慢速修正的序列讀出方案。在該像 素陣列以及該等電荷放大器102與類比至數位轉換器1〇4之 間會提供一多工器1〇〇。記憶體1〇6會儲存該讀出資料，用 以在處理器108之中致能序列信號處理。 由於大量電荷放大器與轉換器的關係，圖11中的硬體需 求會比較高。不過，圖12則需要一場記憶體。該即時修正 -31- 126587.doc 200834519 2必要的作業，因為該像素電路本身便會實施修正。該 二的效能_會非f緩慢’所以，圖12的方法係較佳的 、、亚且在ic需求方面會比較便宜。 圖12的多m同樣可施行在非^之中，所以，基本上 成本為零。
圖u顯示如何施行多工電路1〇〇。為每一列讀取一個 象素僅而要二個電荷感測運算放大器丨丨0及一移位 暫存= 112來定址正確的行多工切換器114。倘若施行方式 Y t曰曰矽的話，那麼該電路可能會因為該等TFT中的臨界 電=~移而有失效的風險。不過’列驅動器的移位暫存器 通=係利用非晶♦來施行’戶斤以’其會使用具有特定爪 補偵开> 式的低阻抗與高阻抗驅動方案。於此情況中便可以 ^仃該些方案，因為利用一僅需要運轉在線速率處的移位 暫存器便可以設計該多工器。 另外，該4多工器切換器僅會在每個場中運作一次並且 具有和像素切換器雷同的穩定性，所以，不會有任何衰降 問題。 將多工器電路整合在顯示器基板上所指的係可以實質減 少外部電子元件，從而提供明顯的成本優勢。該多工器系 、、先的疋址作業必須謹慎地考量，以確保該陣列中的所有像 素均會被讀取。 大部分的陣列均具有偶數行與列，所以，該多工器的移 位暫存器可以讓一半的陣列不會被讀取。其中一範例顯示 於圖14中。 126587.doc -32- 200834519 /14顯示—6X4顯示器的讀取作業，其中，讀取移位暫 子益的運作時脈頻率和列移位暫存器相同。i代表從該讀 取移位暫存s之第-完整循環中所讀取的像素。 於：顯示器的最後—列之後’下—個像素讀取便 顯不恣的第一列處進行。2冲 代表該碩取移位暫存器的第二 備％。該讀取移位暫存哭的筮 第 、， 仔的弟3循銥會重疊已經被讀出的 弟1循裱，亚且會遺失該陣列中的一半像素。 ^止發生此情形’該讀取移位暫存器可能會在該顯示 \白週期内具備-外部時脈脈衝，以確保 場中偏移—個位置。於此情況中，該讀： 如圖1 5中所示。 圖1 5 A顯示一 6x4顯示哭& 铲 _ 15的像素頃取的讀取位移循環編 I 1 5B顯不列位移循環編號。 在圖1 5A中可以砉g .. 看見，於已經定址所有列的顯示器空白 週期期間，該讀取循環奋略 白 的其中—者之中甘^曰略過一個位置，所以，在該等行 者之中亚不會有任何讀出。舉 取位移循環會跳過扞s 弟個5貝 存器循产夕“ 所示，5個讀取移位暫 衣 έ有6個列移位暫存器循環。 ==轉列的所有像素均會在對應於六個列移位 的五個讀取移位暫存器循環内被讀取。當然，這會 t應於六個場遇如 個場來妹山 所以，一 WXGA顯示器將會需要128〇 只 而峰將會有768 + 1個讀取移位暫存器循環。 HZ的場速率巾，讀出將會發生在約20秒之中。 亦可以设計出其它讀出方案，舉例來說，使用三個以上 126587.doc -33 - 200834519 的運算放大器（舉例來說，6 個線時間會讀取2個、3個：3更多個），其中’每 器的長度會因而縮短。或:更 的長度且有多個進位脈衝被送入移:：存^亦可維持相同 讀出的範例序列如圖㈣所示。Μ。母個線時間2像素 如圖所示，在相同的時間處备 ^ χ 处㈢在母條列進行兩次測量。 牛例來呪，在相同的時間處 砧垆叫本 仃，則1 la與lb，並且在相同 Φ 的W間處進行測量2a與2b。 此配置會在2.5個場之中淮 率，值# — / 進仃碩出。亦可降低讀出速 T俾使母個二❹條線才讀取—個像素。接著 移位暫存器的時脈速率便會成 嗔取 曰成為該列移位暫存器的一半或 更多。 在本發明中可以看見，除 除了像素中補償以外，電荷感測 通有各種可能的讀出技術可促成外部資料修正。 上面的範例顯示出一共同陰極施行方式，其中，該LED 顯Μ件的陽極侧會被圖案化’而所有㈣元件的陰極侧 則分旱-共同的未圖案化電極。因為製造該等㈣顯示元 件陣列中所使用的材料與程序的關係，這係目前較佳的施 行方式。不過’亦有人採用圖案化陰極設計，且此作法能 夠簡化像素電路。 在W0 04/084168之中已經討論過共同陽極像素組態並且 提出範例’且可以利用相同的方式以共同陽極像素組態來 施行本發明。 該電路係僅有η型的配置，所以，其適合用於非晶石夕施 126587.doc -34- 200834519 行方式。 本發明還可用於低溫多晶㈣序的施行方式，於 中，一η型與p型電路可能係較佳的方式。 彳 2上面的範例中’該光相依元件係一光二極體 -路仍可以使用光電晶體或光電阻器來設計。 ，、 上面已經提出數種電晶體半導體技術。亦可 ρ
變化技術’舉例來說’結晶矽、氫化非晶石夕，多二 至係半導體聚合物。此等變化技術全部包含在本文所 的本發明範疇内。該等顯示裝置可為聚合物咖裝' 機LED裝置，含磷材料及其它發光結構。 有替代方式可以防止該顯示元件在像素程式化階段期間 發光。士面的範例係使用一旁通電晶體來提供一陽極電 其亚不會開啟該顯示元件。不過，亦可以在該驅動電 曰曰體與該顯示元件之間提供一絕緣電晶體。這可以配合本 發明的電流取樣技術來使用。 σ 本發明在顯示器的1〇 Khr壽命中針對驅動117 丁與〇led的 極端衰降提供-第二或第三修正線。本文雖然係參考單_ 像素電路來說明本發明，，亦可以使用所謂的"快速 關閉”像素電路等其它版本。 热習本技術的人士在實行本文所主張的發明時，從圖 式、揭示内容、及隨附的申請專利範圍的研討中便會瞭解 且實現本文所揭實施例的其它變化例。在申請專利範圍 中，’’包括”一詞並未排除其它元件或步驟；而不定冠詞”一,， 亦不排除複數意義。在互相不同的附屬項中引用特定措施 126587.doc -35- 200834519 不表示不能有利地使用該等措施之組合。申請專利範圍中 的任何參考記號都不應該視為限制其範脅。 【圖式簡單說明】 現將參考附圖舉例說明本發明，其中： 圖1顯示一已知EL顯示裝置； 圖2顯示一補償差別老化的一已知像素設計； 圖3顯示一第二已知像素電路；
圖4係一用於解釋圖3之電路運作的時序圖，· 圖5顯示一第三已知像素電路； 圖6係一用於解釋圖5之電路運作的時序圖； 圖r顯示本發明的像素電路與相關聯的外部電路； 圖8係—用於解釋圖7之電路的已知運作的時序圖； 圖9顯示修正電壓和初始資料電壓的相依性； 圖10係顯示圖7之像紊雷敗士 m α 〈保常電路中用卩模型化該光學回授元 件之行為的部分；
圖11顯 路； 示施行用以提供外部資料修 正的第一種方式的電 圖12顯示施行用以提供外部 路； 資料修正的第 二種方式的電 工器； 讀取信號的第一種方法 圖13顯示用在圖12之電路中的多 圖Μ為顯示依序從該像素陣列中 的表格； 陣列中讀取信號的第 圖與15Β為顯示依序從該像素 二種方法的表格；以及 ” 126587.doc -36 - 200834519 圖為顯不依序從該像素陣列中讀取信號的第三種方法 的表格。 一應名’主思的係，該些圖式僅為示意圖且未依比例繪製。 該等圖式中為清楚與方便起見，該些圖式中的部件的相對 維度與比例已經在尺寸方面加以放大或縮小。 【主要元件符號說明】
1 像素 2 致發光顯示元件 4 列（選擇）位址導體 6 行（資料）位址導體 8 列驅動器電路 9 行驅動器電路 16 電晶體 20 電流源 22 電晶體 24 電容器 26 電源供應線 27 光一極體 30 電容器 32 線路 34 電晶體 36 電晶體 38 光感測器 40 電容器 126587.doc -37- 200834519 42 電晶體 44 線路 70 電荷感測配置 71 電容器 90 信號處理方塊 92 加法器 100 多工器 102 電荷放大 104 類比至數位轉換器 106 記憶體 108 處理器 110 運算放大器 112 移位暫存器 114 切換器 Si 切換器 ❿ 126587.doc -38 -

Claims (1)

  1. 200834519 十、申請專利範圍： 1’ 種包括一顯示像素陣列的主動矩陣顯示裝置，每一個 像素均包括： • 一電流驅動發光顯示元件（2); . 驅動電晶體（22)，其用以驅動電流流經該顯示 元件（2); 儲存電容器（30)，其用以儲存用於定址該驅動 電晶體的電壓； • &電電晶體(36)，其用以放電該儲存電容器 (30)，從而關閉該驅動電晶體(22); 放電電容器（40)，其係位於該放電電晶體的閘 極與其源極之間；以及 、 光相依裳置（38)，其藉由取決於該顯示元件（2) 光輪出來充電與放電該放電電容器以控制該放電電晶 體（36)的運作時序， 春 其中，該裝置進一步包括： 項取電路（70)，其用以監視該放電電容器（40)上 的電荷；以及 * 旦 貝料修正構件（90)，其用以回應該等讀取電路測 2如^來修正要被施加至該像素的像素資料。 以3求項1的裝置，其中該光相依裝置（38)會被調適成用 其定址週期期間來充電或放電該放電電容器（40)，且 像，該㈤取電路會被調適成用以在利用已知資料定址該 、後於^亥疋址週期之中的預定時間處實施至少兩次 126587.doc 200834519 電荷感测作業（READ)。 3·如δ青求項2的裝置，其中該等電荷感測作業係在該顯示 裝置的開機及/或關機期間來實行。 4.如明求項1的裝置，其中該光相依裝置（38)會被調適成用 疋址週期期間來充電或放電該放電電容器（40)，且 '、中°亥頃取電路會被調適成用以在該放電電晶體（36)已 、、皮開啟之後於該定址週期的結束處來實施電荷測量。 如明求項4的裝置，其中會針對所有像素行來平行實施 9 “育則畺，且其中，該裝置進一步包括一信號處理器 (90)其用以回應該電荷測量來修正輸入資料。 6·如請求項4的裝置，其中該^進 (1〇〇) ’其用以對來自不同像素行的電荷測量信號進行多 工處理· 7 。，一記憶體，其用以儲存電荷測量信號以及一信 Ί理器’其用以回應於該電荷測量來修正輸入資料。 7. 項6的裝置，其中該多工器（1〇〇)會與該像素陣列 正士在一起。 8. 如請求項7的裝置，其 利用非晶石夕所形成。 (動像素陣列係 9·如任何前述請求項的裝置，其進一步包括 體（42)，盆用以随& 電洲· /原電晶 ⑽，其中該儲存電動電-體 a A- ^ ）曰被5周適成用以儲存—斛 成的驅動電晶體閘極-源極電壓 體之臨界電壓的函數。 電H亥驅動電晶 10.如任何前述請求項的 ，、τ母個像素進一步包括 126587.doc 200834519 方通電晶體（42) ’其會被連接在該驅動電晶體（22)的 源極與一旁通線路（44)之間。 11.如任何前述請求項的裝置，其中該儲存電容器（30)係連 接在該驅動電晶體（22)之閘極及源極間。 12·如任何前述請求項的裝置，其中該光相依裝置（38)會控 制该放電電晶體（36)從關閉到開啟狀態之切換時序。 13·如：何前述請求項的裝置，其中每一個像素進一步包括 又址電晶體(16) ’其係連接在一資料信號線⑹及該像 素的輸入間。 14·如任何前述請求項的裝置，其中該驅動電晶體（22)係連 接在电源供應線（26)與該顯示元件（2)之間。 15·如任何前述請求項的裝置，其中每-個像素進-步包括 ~充電電晶體（34) ’其會被連接在—充電線路（27)與該 驅動電晶體（22)的閘極之間。 任何月;述明求項的裝置，其中該電流驅動發光顯示元 件（2)包括一電致發光顯示元件。 種驅動主動矩陣顯示裝置的方法，該主動矩陣顯示裝 置=括-顯示像㈣列，每—個顯示像素均包括一驅動 電曰曰體（22)與-電流驅動|光顯示元件⑺，1對該像素 的每一次定址來說，該方法包括： ' 施加一像素驅動電壓至該像素的輸入； 將一從該像素驅動電壓處所衍生的電壓儲存在一 放電電容器（40)之上； • 將一儲存電容器（30)充電至一驅動電壓處，並且 126587.doc 200834519 藉由將該儲存電容器電壓施加至該驅動電晶體（22)來驅 動一電流流過該顯示元件，從而照明該顯示元件（2); - 利用流過被該顯示元件（2)之光輸出照明的一光相 依裝置（38)的電荷流來開啟一放電電晶體（36)，該電荷 _ 流會充電或放電該放電電容器（40);以及 ' 利用該放電電晶體（36)來放電該儲存電容器 (3〇) ’從而關閉該驅動電晶體， • 其中該方法還進一步包括監視該放電電容器（4〇)之上的 ~ 電荷並且回應於該電荷監視結果來修正被施加至該像素 的像素資料。 18. 如請求項17的方法，其中該光相依裝置（38)會在定址週 期期間來充電或放電該放電電容器（4〇)，且其中該電荷 監視包括I利用6知資料定址該像素之後於該定址週期 之中的預定時間處實施至少兩次電荷感測作業。 19. 如請求項18的方法’其中’該等電荷感測作業係在該顯
    示裝置的開機及/或關機期間來實行。 如請求項17的方法，其中該光相依裝置（38)會在定址週 期期間來充電或放電該放電電容器（4〇)，且其中該電荷 監視包括在該放電電晶體（36)已經被開啟之後於該定址 週期的結束處來實施電荷測量。 21. 如請求項20的方法，其中會針對所有像素行來平行實施 該電荷測量，並且會回應該電荷測量來修正輸入資料。 22. 如請求項2〇的方法，其進一步包括對來自不同像素行的 電荷測量信號進行多工處理；並且將電荷測量信號儲存 126587.doc 200834519 在一記憶體（106)之中；回應於該電荷測量來修正輸入資 料0
    126587.doc
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