TW200831173A - Column for chromatography and its manufacturing method - Google Patents

Description

200831173 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用於層析法之管柱及其製造方法。 【先前技術】

基被修飾之多孔性之微粒子之管心試樣被導入管柱。 而’藉由輸送作為載體之液體，―面使試樣與固體表面相 互作用，一面被擠出管柱外。 以往’作&分析試樣内所含之物質之手段，通常使用液 體層析法。液體層析法一般係利用溶解於溶液之試樣、與 被固體表面修飾之官能基之相互作用之分離方法。液體層 析法係利用細徑之不錄鋼管（sus管）、玻璃管等裝入官能 又’除了將微粒子填充於sus管等方法以外’尚有藉银 刻基板而形成流路，以形成管柱之方法。例如，在專利文 獻1中’揭示藉蝕刻而形成具有折流板支流路之構成。 又’揭不在形成於矽基板上之流路内填充鋁，利用陽極氧 化而形成多孔質狀之氧化lg之構成。另外，揭示再流路内 填充多孔質狀之氧化矽（si02)之構成等。 [專利文獻1 ]日本特開平2_3 i 0467號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] ^但，以往之填充管柱填充著具有粒子徑分佈之粒子，在 管柱内有不同之粒子形之粒子相鄰在一起，故粒子間距離 不均勻’分離對象試樣不均勻地被稀釋，且在管柱内之移 動速度也相異。因此，在先前技術下，職料在管枉内 123638.doc 200831173 擴散時’會導致峰值宽 ^ 見戾之增大，降低分離性能。雖也有 人•試以單分散粒子在管柱内而利用在管柱内之最密填 、成μ 路。但’此均句流路之形成難以做到最 密填充。 古又’分離性能可藉與分離對象物質之相互作用進一步提 b為了獲知更好的分離性能，需使用對分離對象 :質之有效表面積較大之載體。但在專利文獻1所揭示之

机路上形成遮蔽板之構成難以獲得與分離對象物質充分相 互作用之表面積。 又，使鋁陽極氧化之方法在陽極氧化後，難以僅選擇地 ，去未被氧化而殘存於基板上之銘n其在流路太過 Μ、、田日寸’不忐良好地在流路内形成鋁。因&，可能產生不 能形成氧化鋁之流路。 又填充多孔質狀之Si〇2之方法有必要在形成多孔質狀 之Si〇2後，在基板之接合面施以平坦化蝕刻。因此，製程 較為複雜。 如此，要求良好地抑制亂流之發生，且在流路内具有充 分之表面積（修飾面積）之管柱、及以簡易之方法形成此種 管柱之製造方法。 本發明係鑑於上述情況而完成者，其目的在於提供具備 良好之解析能力之層析法用管柱及其製造方法。 為了達成上述目的，本發明之第丨觀點之層析法用管柱 之特徵在於包含： 第1基板，其係包含形成於一主面之複數柱狀物；及 123638.doc 200831173 第2基板，其係接合於前述第丨基板之一主面上，與形成 於前述第1基板之前述複數柱狀物共同構成流路； 前述複數柱狀物之至少表面形成多孔質狀。 前述複數柱狀物也可形成在形成於前述第〗基板之溝 内； 前述第2基板也可形成平板狀，且被接合成覆蓋形成在 前述第1基板之前述複數柱狀物。 刖述複數柱狀物也可形成在形成於前述第丨基板之溝 内； 也可在前述第2基板形成有對應於形成於前述第1基板之 前述溝與前述複數柱狀物之溝、及複數柱狀物。 也可在W述第2基板形成有對應於前述複數柱狀物之 溝。 W述柱狀物也可由表面至中心形成多孔質狀，前述柱狀 物全體也可形成多孔質狀。 4述複數柱狀物也可在流路内分別與相鄰之柱狀物相隔 大致等距離。 别述柱狀物也可在前述流路内之各區域中，相隔之距離 及/或柱狀物之直徑相異。 前述第1基板也可包含矽基板。 為了達成上述目的，本發明之第2觀點之層析法用管柱 之製造方法之特徵在於包含·· 遮罩形成步驟，其係在第1基板之一主面上形成包含對 應於柱狀物之圖案之遮罩； 123638.doc 200831173 基 柱狀物形成步驟，其係透過前述遮罩餘 板，形成前述桎狀物； 乐1 面形成多孔 多孔質化步驟，其係將前述柱狀物之至少表 質狀； & 上之前述 遮罩除去步驟，其係除去形成在前述第1基板 遮罩；及 基板接合㈣，錢使第2基板與前述第1基板接合。

也可在前述多孔質化步驟中’制陽極氧化法將前述柱 狀物之至少表面形成多孔質狀。 也可在前述多孔質化步驟中，利用陽極氧化法將前述柱 狀物之全體形成多孔質狀。 也可在刖述多孔質化步驟中，使形成在前述第i基板上 之則述柱狀物本身多孔質化，並將前述柱狀物之至少表面 形成多孔質狀。 在前述柱狀物形成步驟中，將前述柱狀物形成為分別與 相鄰之前述柱狀物相隔大致均等之距離。 二也可在前述柱狀物形成步驟中，將前述柱狀物形成為在 則述流路内之各區域中，相隔之距離及/或柱狀物之直徑 相異。 如述第1基板也可包含石夕基板。 [發明之效果] 依據本發明，由於包含配置成大致等距離之柱狀物，藉 均勻之流動抑制在分離對象物質之流路内之擴散，並在利 用蝕刻形成柱狀物後，至少使柱狀物之表面多孔質化，故 12363g.doc 200831173 可提供具備良好分離效能之層析法用管柱及其製造方法。 【實施方式】 以下，參照圖式說明有關本發明之實施型態之層析法用 管柱及其製造方法。 層析法用管柱10如平面圖之圖i及圖iiA-A線剖面圖之 圖2所示。本實施型態之層析法用管柱1〇例如係使用於液 體層析法。又，為使溝21與柱狀物22之說明更為容易，在 圖1中省略第2基板12。 本實施型態之管柱10如圖i及圖2所示，係由第丨基板u 與第2基板12所構成。在第丨基板，形成溝以、與複數 柱狀物22。在第2基板12，如圖2所示，形成導入試樣用之 導入口 12a、與排出試樣用之導出口 nb。又，由溝21、柱 狀物22、導入口 12a、與導出口 12b構成流路13。具體上， 如圖1及圖2所示，試樣由導入口 12a被導入，通過柱狀物 22間，由導出口 i2b被導出。 第1基板11例如由矽構成之基板所構成。在第1基板丨丨之 上面，形成溝21、與柱狀物22。在第i基板u之形成溝21 與柱狀物22之面上’利用陽極接合氣密地接合第2基板 12 ° 溝21如圖1及圖2所示，係形成剖面形狀大致呈方形平面 形狀兩端係形成為形成梯形狀之方形。溝2 i之寬度例如為 50 μπι〜2000 μπι，最好形成3〇〇 μπι〜5〇〇 μ|η左右。溝21之 長度例如為10 mm〜1 m，最好形成3〇 mm〜500 mm左右。在 溝21之兩端之上面形成導入試樣之導入口 12a、導出試樣 123638.doc -10- 200831173 之導出口 12b。因此，為使試樣能圓滑流動，將溝21之兩 端形成向溝21中心擴大之梯形狀。又，溝21如圖$所示， 在底面具有與柱狀物22之表面同樣形成多孔質狀之多孔質 層21a。又，溝21之平面形狀不限定為方形，例如既可形 成旋涡狀’也可形成曲折狀。此第1基板〗〗之大小可由需 要之流路13之長度等適宜地加以調整。 複數柱狀物22例如形成圓柱狀。柱狀物22如後所述，係 藉蝕刻第1基板11所形成。各柱狀物22係與相鄰之各柱狀 物22大致等間隔地分離。各柱狀物22係以形成希望壓力方 式相隔適當距離而形成。例如，柱狀物22之徑為！ μηι〜1〇 μιη，最好形成4 μιη〜7 μηι左右。柱狀物22之高度例如為1〇 μπι〜300 μπι，最好形成40 μηι〜6〇 μιη左右。又，相鄰之各 柱狀物22為1 μηι〜1〇 μηι，最好相隔15 μιη〜3 左右形 成。如此，使柱狀物22大致均等地相隔適當距離時，可使 試樣之流動圓滑，可良好地抑制在流路13内所發生之亂 流。又，與在以往之不銹鋼管等填充微粒子之管柱相比， 可減輕導入試樣之際之壓力。又，在柱狀物22之表面，如 後所示，形成有利用陽極氧化法形成多孔質狀之多孔質層 22a。又，為便於說明，如後所述，形成於溝以之底面及 側面之多孔質層21a、與柱狀物22之多孔質層22a係利用同 一步驟如圖2所示，形成為一體，但為便於說明，附上個 別之引用符號。 也可在溝21之多孔質層21a、與柱狀物22之多孔質層 導入官能基。所導人之官能基可藉分析之試樣予以適當選 123638.doc 200831173

^ °被選擇之官能基例如可使用離子交換基、疏水性基、 二X !·生基、或親和性基等使用於液體層析法用填充劑之官 =°作為破選擇之離子官能基’可列舉氨基、1置換氨 置換氨基、3置換氨基所代表之陰離子交換基、缓 基、續基所代表之陽離子交換基。又，作為疏水性基，可 J牛丁基辛基、十人烧基等所代表之脂肪鏈化合物、苯 基、，基等所代表之芳香族化合物。作為親水性基，可列 舉(聚)乙—醇及甘油等多元醇類、葡萄糖等醣類等。又， 作為親和性基’可列舉對抗體具有親和力之蛋白質A、或 對凝血因子具有親和力之肝素等對特定物質具有親和力之 化合物。如此，將官能基導入柱狀物22之表面時，可良好 地分離分離對象物質。 例如，在流過管柱10之試樣中具有形成具有小於分離分

離對象物質A之分子大小之細孔徑且大於分離對象物質B 之分子大小之細孔徑之多孔質柱狀物支流路中，物質A不 能進入質柱形22之孔，比其他物質更快流過流路而由排出 口被排出。 另一方面，物質B —面重複進入質柱形22之孔，一面流 過流路，故比粒徑較大之物質A花費更長時間才被排出。 如此，通過流路之時間因粒徑而異，故可良好地分離試樣 所含之物質。 苐2基板12例如係由玻璃基板所構成。在對應於流路i 3 之兩端（溝21之兩端）之位置分別具有導入口12&、導出口 12b。第2基板12係利用陽極接合氣密地被接合於第1基板 123638.doc -12- 200831173 11，而構成流路13。 試樣以特定壓力由導入口 12 a被導入上述管柱1〇時，分 離對象物質例如在導入柱狀物表面之上述官能基例如為離 子交換基時，會一面施行在導入之離子與具有正對之離子 之分離對象物質之間之離子的相互作用，一面在流路内流 動。此際，離子的相互作用若因分離對象物質之性狀而異 時，則在流路内之移動速度也會相異。因此，向狀不同之 各分離對象物質會以不同之時間通過流路13，由導出口 12b被導出。通過流路13之物質被特定之檢測器以電氣或 光學方式檢測。 如上所述，本實施型態之管柱1〇係將柱狀物22彼此規則 地配置。因此，異於以往在不銹鋼等填充微粒子之構成， 可以低壓力導入試樣。又，如後所述，管柱10係藉蝕刻矽 基板而形成溝21及柱狀物22。因此，可細緻密地配置柱狀 物22 ’使管柱1〇之標度之細密化更為容易。如此，既可容 易細緻密地配置柱狀物22，且柱狀物22間之間隙之控制也 較為容易，故也可防止在管柱10内發生亂流。另外，不僅 在流路13中形成複數柱狀物22，且在溝21之側面及底面與 柱狀物22形成多孔質狀，故可確保充分之表面積，管柱1〇 具備充分之解析能力。如此，本實施型態之管柱i 〇可良好 地抑制亂流之發生，具備更充分之表面積（修飾面積），故 具備良好之解析能力。 其次’利用圖式說明本實施型態之管柱1〇之製造方法。 首先’如圖3(a)所示，準備矽形成之基板51。 123638.doc -13- 200831173 其次，在基板51上，形成具備有充分超過後述陽極氧化 時之HF(氟化氫）之蝕刻量之膜厚之例如Si〇2構成之遮罩 52 ° 其次，如圖3(b)所示，以使遮罩52殘留於形成柱狀物22 之區域以及殘留於除了形成溝21之區域以外之區域之方 式，利用光微影法等施行圖案化。 又，如圖3(a)所示，在基板51之下主面（與形成柱狀物” 之面對向之面），利用濺射法等形成導電體膜，例如形成 A1膜53，以便將其使用作為陽極氧化柱狀物22之際之電 極0 其次，利用反應性離子蝕刻法（RIE)，如圖3(c)所示，以 遮罩52作為遮罩，將基板5 1蝕刻至特定深度。藉此，形成 溝21及柱狀物22。 接著，如圖4(d)所示，以遮罩52作為遮罩，在HF、乙醇 此a液中對基板5 1施加電場，將形成柱狀物22之基板5 J陽 極氧化。此際，未被遮罩52覆蓋之區域，也就是說，僅有 柱狀物22之表面、與基板51之底面會被陽極氧化處理。因 此，會進行此等區域之表面之多孔質化。藉此，形成多孔 質層 21a、22a。 其次’如圖4(e)所示，除去遮罩52與A1膜53。 接著’如圖4(f)所示，利用陽極接合將預先形成導入口 12a及導出口 12b之第2基板12接合於第}基板u之上面。藉 此，利用形成於第1基板11之溝21與柱狀物22及第2基板12 形成流路1 3。 123638.doc •14- 200831173 利用以上之步驟如圖4(f)所示，形成管柱〗〇。 在本實施型態之層析法用管柱之製造方法中，利用蝕刻 法形成溝21及柱狀物22。因此，可容易施行柱狀物22之 徑、配置、間隔等之控制，另外，細密地形成柱狀物22也 相當容易。如此，依據本實施型態之製造方法，管柱1〇之 ‘度之細密化相當容易。又，相鄰之柱狀物22彼此分離之 距離之調整相當容易，故與以往管中填充微粒子之構成相 比’可降低试樣導入流路13之際之壓力，更可防止管柱1 〇 内之亂流之發生。 又，藉由陽極氧化形成溝21及柱狀物22之基板51本身陽 極氧化，以形成多孔質層21a及22a。因此，異於如先前技 術般在流路内形成鋁膜後再使其陽極氧化而多孔質化之構 成，即使將溝2 1及柱狀物22微細化，也可容易形成多孔質 層21 a及22a。更由於可省略上述鋁膜等織成膜步驟，故步 驟較為簡易，可謀求製造效率之提高、成本之降低。 如此’可容易施行柱狀物22之徑、配置、間隔等之控 制，且即使將柱狀物22之徑、間隔等微細化，也可容易使 溝2 1之底面及柱狀物22之表面多孔質化。因此，依據本實 施型態之製造方法，可形成具有充分之表面積（修飾面積） 之管柱10。 如此，依據本實施型態之製造方法，由於可良好地抑制 亂流之發生’且可確保充分之表面積，故可製造具備良好 分性能之管柱。 本發明並不限定於上述之實施型態，可做各種修正及應 123638.doc 15 200831173 用。例如，在上述之實施型態中，雖列舉僅將柱狀物之表 面多孔質化之情形為例加以說明。當然，欲由柱狀物之表 面至中心施行多孔質化至何種程度，可依管柱被要求之性 能、試樣之性質等予以適當地變更。此情形，使柱狀物22 多孔質化之程度，可依陽極氧化之時間、溶液等加以調 整。例如，既可由柱狀物22之表面至中心施行多孔質化j 〇 %左右，更可施行多孔質化25%左右、5〇%左右、75%左 右。甚至於可施行多孔質化1〇〇%，即可將柱狀物22全部 形成多孔質化。如此形成柱狀物22，可增加多孔質化之區 域’更可增加表面積，提高解析能力。 在上述之實施型態中，雖列舉在第丨基板丨丨形成溝21及 柱狀物22，將平板狀之第2基板12接合成覆蓋溝21之構成 為例加以說明。當然，不限定於此。例如，也可如圖5所 示之管柱30般，在第1基板31形成溝34及柱狀物35，在第2 基板32形成溝36及柱狀物37。而，可藉由接合第1基板31 與第2基板32而構成流路33。又，柱狀物35之表面例如利 用陽極氧化法形成有形成多孔質狀之多孔質層35a。同樣 地，也可在柱狀物37之表面形成多孔質層37a。 又，在圖5所示之實施型態中，第j基板3丨之複數柱狀物 35之前端與第2基板32之複數柱狀物37之前端一致。當 然，不限定於此種實施型態。也可將第1基板3丨之複數柱 狀物3 5配置於第2基板3 2之複數柱狀物3 7之間隙，而，將 第2基板32之複數柱狀物37配置於第i基板31之複數柱狀物 35之間隙。而，在柱狀物35之表面形成多孔質層35a，且 123638.doc -16 - 200831173 在柱狀物37之表面形成多孔質層37a。 又，也可將第1基板31之複數柱狀物35配置於第2基板32 之複數柱狀物37之間隙，而，將第2基板32之複數柱狀物 37配置於第1基板31之複數柱狀物35之間隙，並另外，將 複數柱狀物35間之距離d6與複數柱狀物37間之距離d7設定 成各異。例如，既可設定為d6 < d7，也可設定為d6 > d7。

另外’也可將複數柱狀物35之徑與複數柱狀物37之徑設 定成各異。例如，既可使複數柱狀物35之徑大於複數柱狀 物3 7之控’也可使複數柱狀物3 5之徑小於複數柱狀物3 7之 徑。 再者’也可將複數柱狀物35間之距離d6及徑與複數柱狀 物37間之距離d7及徑設定成各異。 又，如圖6(a)所示之管柱40般，在第i基板41形成溝44及 柱狀物45，在第2基板42形成對應於柱狀物45之高度之溝 46。而，也可如圖6(b)所示，藉由組合第i基板41與第2基 板42而構成流路43。又，柱狀物45之表面形成有形成多孔 質狀之多孔質層45a。在圖6(a)及（b)所示之管柱4〇中，列 舉溝46之深度與柱狀物45之高度大致相同之情形為例。當 然，既可形成比柱狀物45之高度更深或更淺。又，也可在 第1基板不形成溝而僅形成柱狀物，在第2基板形成對應於 柱狀物之溝，藉以構成流路。 又，在上述之實施型態中，列舉在流路全體中柱狀物22 具有大致相同之徑，且以均等之間隔分離形成之情形為 例。當然，不限定於此。例如也可藉改變柱狀物之徑，並 123638.doc -17- 200831173 改變分離之距離而改變柱狀物22之配置密度。 例如，如圖7所示之管柱70般，也可將形成於第1基板71 之柱狀物72之徑在流路73之全體中形成相同，並改變柱狀 物72之分離距離。如圖所示，柱狀物72在試樣之導入侧， 以距離d 1分別以等間隔分離形成，在導出側，則以距離 d2(dl>d2)分別以等間隔分離形成。 又，如圖8所示之管柱80般，也可在流路83内形成徑相 異之柱狀物82a與柱狀物82b，將相鄰之柱狀物82a之分離 距離、與相鄰之柱狀物82b之分離距離形成相同。如圖所 示’將柱狀物82a之徑形成小於柱狀物82b。但，柱狀物 82a係以與相鄰之柱狀物82a等間隔地分離距離d3而形成， 柱狀物82b係以與相鄰之柱狀物82b等間隔地分離距離d3而 形成。 又，如圖9所示之管柱90般，也可在流路93内形成具有 相異徑之柱狀物92a與柱狀物92b，且進一步改變柱狀物 92a之分離距離、與柱狀物92b之分離距離。如圖所示，形 成於試樣之導入側之柱狀物92a之徑係形成小於形成於試 樣之導出側之柱狀物92b之徑。另外，相鄰之柱狀物92a與 柱狀物92b係分別等間隔地分離形成，相鄰之柱狀物92&之 分離之距離d4係形成大於相鄰之柱狀物92b之分離之距離 d5(d4>d5)° 又，在圖7至圖9中，均列舉與試樣之導入側相比，將在 试樣之導出側之柱狀物配置成較密之構成為例。當然，也 可採用在試樣之導入口附近較密，隨著接近於導出口而徐 123638.doc -18- 200831173 徐變疏之構成。又，也可採用交互設置密度較高區域與較 低區域之構成等，使密度多階段地變化之構成等種種之組 合。 如此，藉由改變柱狀物分離之距離、徑等，可製造對應 於試樣之性質、所要求之分析精度等之解析能力之管柱。 又，藉由改變柱狀物之徑、分離之距離，也可使柱狀物之 配置密度呈多階段之變化，且可使其呈週期性之變化，此 等並可任意予以組合。

又，在上述實施型態中，列舉柱狀物之平面形狀為圓形 之情形為例加以說明。當然，柱狀物之平面形狀並不限定 為圓形，也可為橢圓形、方形、多角形等。 本申請案係以先前於2006年8月14曰提出之日本發明專 利申請案特願2006-220908號為基礎。在本專利說明書 中，參照並採用其專利說明書、申請專利範圍、圖式之全 部。 [產業上之可利用性] 本發明可利用於用來分析資料内所含之物質之裝置。 又，可利用於製成該種裝置之方法。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施型態之管柱之構成 圖。 4 < T田 圖2係圖1所示之管柱之A_A線剖面圖。 圖3(a)〜(c)係表示本發明之實施型態之管杈之製i方去 123638.doc -19- 200831173 圖4(d)~(f)係表示本發 之剖面圖。 明之實施型態之管柱之製造方 圖 圖5係表示本發明之實施型態之管柱之變形例之剖 圖6(a)、（b)係表示本發明之實施型態之管織/ 剖面圖。 、欠形例 圖 圖 圖7係表示本發明之實施型態之管柱之變形例 〇 圖8係表示本發明之實施型態之管柱之變形例 〇 圖9係表示本發明之實施型態之管柱之變形例 之剖 之剖 之剖 法 面 之 面 面 面 【主要元件符號說明】 10 管柱 11 第1基板 12 第2基板 12a 導入口 12b 導出口 13 流路 21 溝 21a - 22a 多孔質層 22 柱狀物 123638.doc -20-

Claims (1)

1. 200831173 十、申請專利範圍： 1· 一種層析法用管柱（10)，其特徵在於包含： 第1基板（11)，其包含形成於一主面之複數柱狀物 (22);及 第2基板（12)，其接合於前述第1基板（u)之一主面 上，與形成於前述第1基板（11)之前述複數柱狀物（22)共 同構成流路（13 );且 前述複數柱狀物（22)之至少表面形成為多孔質狀。 2·如請求項1之層析法用管柱（1〇)，其中 岫述複數柱狀物（22)係形成於在前述第丨基板（n)所形 成之溝（21)内； 岫述第2基板（12)形成為平板狀，且被接合成覆蓋形成 在前述第1基板（11)之前述複數柱狀物（22)。 3.如請求項1之層析法用管柱（3〇)，其中 珂述複數柱狀物（35)係形成於在前述第i基板（3 1}所形 成之溝（34)内； 在則述第2基板（32)形成有對應於形成於前述第i基板 (31)之前述溝（34)與前述複數柱狀物（35)之溝（36)及複數 柱狀物（37)。 4·如請求項1之層析法用管柱（4〇)，其中在前述第2基板（42) 开> 成有對應於如述複數柱狀物（45)之溝（46)。 5·如請求項！之層析法用管柱〇〇)，其中前述柱狀物（22)係 由表面至中心形成為多孔質狀，前述柱狀物(22)全體係 形成為多孔質狀。 123638.doc 200831173 6·如清求項1之層析法用管柱（1〇)，其中前述複數柱狀物 (22)在流路内分別與相鄰之柱狀物（22)相隔大致等距離。 7.如請求項1之層析法用管柱（7〇、8〇、9〇)，其中前述柱狀 物（72、82、92)在前述流路（73、83、93)内之各區域中， 相隔之距離及/或柱狀物（72、82、92)之直徑相異。 8·如明求項1之層析法用管柱，其中前述第丨基板（u)包 含矽基板。

   9. -種層析法用管柱㈤)之製造方法，其特徵在於包含： 遮罩$成步驟’其係在第1基板（11)之-主面上形成包 含對應於柱狀物（22)之圖案之遮罩（52); 柱狀物形成步驟’其係透過前述遮罩（52)鍅刻前述第！ 基板（11)，形成前述柱狀物（22); 、、S化步驟，其係將前述柱狀物（22)之至少表面形 成為多孔質狀； 前==驟及其係除去形成在前述第1基板⑴)上之 板= 合合步驟’其係使前述第2基板（12)與前述第1基 層析法用管柱⑽之製造方法，其中在前 之至少表㈣㈣陽極氧化法將前述柱狀物（22) 面形成多孔質狀。 I;::二層::用管柱⑽之製造方法，其中在前 之全體形成多Γ質狀利用陽極氧化法將前述柱狀物⑼ 123638.doc 200831173 12·如請求項9之層姑 析法用管柱（ίο)之製造方法，其中在前 迹夕孔質化舟驟+ 、、 、乂驛中，使形成在前述第1基板（11)上之前 乂才狀物（22)本身多孔質化，並將前述柱狀物（22)之至 少表面形成多孔質狀。 13·如5月求項9之層析法用管柱(10)之製造方法，其中在前 述柱狀物形成步驟中，將前述柱狀物(22)形成為分別與 相鄰之刚述柱狀物（22)相隔大致均等之距離。 14_如明求項9之層析法用管柱（70、80、90)之製造方法， 〃中在七述柱狀物形成步驟中，將前述柱狀物（72、 82 92)形成為在前述流路（73、、93)内之各區域中， 相隔之距離及/或柱狀物（72、82、92)之直徑相異。 15·如請求項9之層析法用管柱（1〇)之製造方法，其中前述 第1基板（11)包含矽基板。

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