200822556 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於半導體積體電路 導體積體電路的旋轉率控制電路。㈣是有關於半 【先前技術】 r 一半導體裝置的輸出緩衝器藉由 的信號，輪出緩衝器的旋轉率代表驅動内部 以多快的i穿至^ 次d 輸出^號的準位可 夕厌的速率從一育料狀態改 的速率便定義為一輸出緩衝器的旋轉率怨，電壓改變 驅動器的旋轉率通常可藉由, 來杵制，兮1々而 精由调2一孤級驅動電路 木匕制，“級驅動電路為核 电給 器之間的電路並可以調整卿：：；i終輪出緩衝 叙处士 冬輸入輸出級的時序以及驄 動此力，使得可以符合輸入/輸出的規柊，一 — 驅動電路可以減少資料從該]#連的所級 的傳遞日卑me人姦4* 日日片核、到该輸出驅動電路 日J1寻遞日守間但會產生一銳利命 同時進行切換時，該電流突波會：二電、η綾衝器 之間取得平衡。 辑㈣率以及傳遞延遲 第1Α與1Β圖所示分別為—傳統可具有可控 率之輸出緩衝器的電路圖以及节 + 一立 α Μ及该緩衝輸出器的切換特性 之不忍圖，於第1Α圖中，輸出緩衝哭100 佳 路w以及一耦接至一輸出節 二匕括-上拉網 训ffi即”、、占〇的下拉網路NN， 拉網路NP包括耦接於一供岸雷 °"上 仏應屯屋Vcc與該輸出節點〇 〇758-A32680TWF;MTKI-06-433 ;jasonwu 200822556 之間的P型金氧半電晶體ΜΡΙ〇ι、ΜΡΙ02以及Mpi〇3，p 型金氧半電晶體ΜΡΙ〇ι的閘極接收一資料信號Dp 4透 過一電容CP耦接至一接地端，一第一電阻電容延遲哭 DPI耦接於該P型金氧半電晶體MHOi與MPI〇 的 2 才亟 之間，一第二電阻電容延遲器DP2耦接於該p型金氧 電晶體MPI〇2與MPI〇3的閘極之間，該下拉網路勺 括耦接於-接地端GND與該輸出節點〇之間的n型上 氧半電晶體ΜΝΙΟι、MNI〇2以及MNIO3，n型金氧半带 晶體Μ NIΟ!的閘極接收一資料信號D N並透過一至電乳/電 轉接至-接地端，-第三電阻電容延遲器DN N型金氧半電晶體MNIOl與MNI02的閘極之間，一第該 電阻電容延❹觀純於㈣型金氧半電晶體議二 與画〇3的問極之間，如第1B圖所示，由於該上拉與 下拉網路的開啟與關閉是漸進的，在N型與？型金氧半 電晶體都部份導通時會有些重疊，第lc圖所示為第ia 圖之傳統輸出緩衝器的詳細電路圖，於第ic圖中，金氧 半元件被用作電容，而傳輪閘被用作電阻。口 、’ 第2圖所示為如何藉由控制前級驅動電路輸出端之 負載=調整旋轉於第2圖中，—前級驅動器驅動， 驅動器的P型金氧半電晶體刪與N型金氧半電晶體 MN1的閘極，#複數個電容可藉由複數個開關被選擇性地 連接至p齡氧半電晶體咖與㈣金氧半電晶體MN1 的閘極’前級驅動電路輪出端之負载可藉由控制該等開 關進行調整。 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 200822556 虽然第1圖與第2圖所示之傳統輪出 率可以被控制’但由於需要被動電阻與電容=:轉 大量的面積，於是，積體電路的晶片成本亦隨之^加需要 【發明内容】 依據本發明之—實施例的— 出緩衝器包括一有一資料鈐入〜““疋轉率的輪 义姐s去 貝科輸入即點與一資料輪出節點的 ='·及驅動電路以及-域至該前級驅㈣路之輪 2動電路’該前級驅動電路包括—耦接於該資料輪入 =出節點之間的緩衝器以及—麵接於該資料輸入與輸 出卽點之間並受一旋轉率押制 - /、 礼以紅制的H緩衝器， 4動电路被翁級驅動電路的_輸出信號所驅動。 依據本發明之-實施例的—種旋轉率控制電路包括 二有-上拉網路與_τ拉網路，該上拉網路包括第—與 弟Ρ型金氧半電晶體，該第_ ρ型金氧半電晶體有一 耦接至該旋轉率控制電路之一資料輸入端的閘極、一源 。、反汲極，忒第—ρ型金氧半電晶體有一透過一第 旋轉，控制器麵接至該資料輸入端的間極以及分別耦 接至忒第ρ型金氧半電晶體之該源極與汲極的源極與 及，17亥下拉網路包括第一與第二Ν型金氧半電晶體， 省第Ν型金氧半電晶體有一耦接至該資料輸入端的閘 極、、-：極以及一汲極，該第二Ν型金氧半電晶體有一 透過第一旋轉率控制器耦接至該資料輸入端的閘極以 &刀別-接至該第—Ν型金氧半電晶體之該源極與沒極 0758-A32680TWF；MTKl-06-433；jasonwu 7 200822556 的源極與汲極，可藉由該等旋 控制信號將該等第二P胸旋轉率 關閉。 金乳+電晶體選擇性地 依據本發明之-實施例的—種有可控制旋轉 出緩衝器包括一有—資料於Λ々々 、砌 、 貝枓輸入即點與一資料輸出節點的 刚、…。迅路以及_耦接至該前級驅動 =一電路，輸及驅動電路包括複數個並：的出= :一反相為有-麵接至該資料輪人節點的輪入端以 及-麵接至該資料輸出節點的輪出端，其中至少一反相 器可藉由-旋轉率重器以—旋轉率控制信號將其選擇性 地關閉’ 5亥驅動電路被該前級驅動電路的—輸出信號所 驅動。 【實施方式】 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 月顯易1，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 第3A圖為依據本發明一實施例之有可控制旋轉率 的輸出緩衝益之方塊圖，於第3A圖中，該有可控制旋轉 率的輸出緩衝器300包括一前級驅動電路31〇、一驅動電 路320以及一焊墊330，該前級驅動電路310接收一輸入 貝料k 5虎、上拉旋轉率控制信號pSLEW<〇，m>a及下拉 旋轉率控制彳§號NSLEW<〇，m>，該驅動電路320耦接至 該前級驅動電路310並被其一輸出信號所驅動，該焊墊 〇758-A32680TWF;MTKl.〇6.433;jas〇nwu 200822556 • 330耦接至該驅動電路320並被其一輸出信號所驅動，該 前級驅動電路3 10依據該等上拉旋轉率控制信號 PSLEW<0，m：^下拉旋轉率控制信號NSLEW<0，m>調整 該驅動電路320之輸出信號的旋轉率，第3B與3C圖所 示分別為一電壓模式驅動器與一電流模式驅動器的電路 圖，於第3B圖中，該電壓模式驅動器包括一連接於一供 應電壓VDDIO與一焊墊PAD之間的上拉網路ΖΦ_h以及 一耦接於該焊墊PAD與一接地端GND之間的下拉網路 ΖΦ_1，該上拉網路ΖΦ_Ιι包括複數個P型金氧半電晶體， 每一 Ρ型金氧半電晶體有一連接至該供應電壓VDDIO的 源極與一連接至該焊墊PAD的汲極，該下拉網路ΖΦ_1 包括複數個Ν型金氧半電晶體，每一 Ν型金氧半電晶體 有一連接至該接地端GND的源極與一連接至該焊墊PAD 的汲極，P型與N型金氧半電晶體的閘極為第3A圖所示 之前級驅動電路所驅動，於第3C圖中，該電流模式驅動 器包括一對N型金氧半電晶體，其具有共同連接的源 極、透過負載元件R _接至一供應電壓VDDIO的没極以 及為第3 A圖所示之前級驅動電路所驅動的閘極，該電流 模式驅動器還包括一耦接於該等源極與一接地端之間的 電流源。 第4圖所示為依據本發明一實施例之有可控制旋轉 率的輸出緩衝器之詳細方塊圖，該前級驅動電路310包 括複數個上拉前級驅動單元400與下拉前級驅動單元 400’，每一上拉前級驅動單元400有一資料輸入節點401 075 8-A32680TWF;MTKI-06-43 3 ;j asonwu 9 200822556 • 以及一資料輸出節點403，並接收一輸入資料信號 DATA，此外，每一上拉前級驅動單元400包括一缓衝器 405與複數個三態緩衝器407，其皆耦接於該資料輸入節 點401與該資料輸出節點403之間，每一三態緩衝器407 可由上拉旋轉率控制信號PSLEW<0，m>(亦即SLEW0、 SLEW1 > ^ 動單元400’與上拉前級驅動單元400有相同的元件，且 差異僅在於下拉前級驅動單元400’是接收下拉旋轉率控 制信號NSLEW<0，m>而非上拉旋轉率控制信號 PSLEW<0，m>，每一上拉前級驅動單元400與下拉前級驅 動單元400’提供一輸出信號DATAb，該驅動電路320包 括複數個反相器410,每一反相器410包括一 P型金氧半 電晶體TP與N型金氧半電晶體TN串聯於一供應電壓 VDDIO與一接地端GND之間，該等P型金氧半電晶體 TP的每一閘極耦接至一對應的上拉前級驅動單元400的 資料輸出節點403,且該等N型金氧半電晶體TN的每一 閘極耦接至一對應的下拉前級驅動單元400’的資料輸出 節點，該等P型金氧半電晶體TP與該等N型金氧半電 晶體TN的汲極共同耦接至該焊墊330。 第5A圖所示為第4圖之前級驅動單元的電路圖， 該前級驅動單元包括一耦接於供應電壓VDDIO與該資料 輸出節點403之間的上拉網路NUP以及耦接於該資料輸 出節點403與一接地端之間的下拉網路NDN，上拉網路 NUP包括P型金氧半電晶體Mpb、MpO、Mpl、…以及 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 10 200822556 〜連接至該供應電壓 ▲ Mpm，每一 P型金氧半電晶體都有_
403的汲極，P型金氧半電晶 '至該貧料輪出節點403的汲 型金氧半電晶體Mnb、MnO、 N型金氧半電晶體都有一連接 以及一連接至該資料輸出節點 k晶體Mpb與N型金氧半電晶 體Mnb的閘極連接至該資料輪入節點4〇ι，p型金氧半 電晶體MP〇與N型金氧半電晶體Mn()的閘極分別透過旋 轉率控制器SCpO與SCnO耦接至該資料輸入節點4〇1，p 型金氧半電晶體型金氧半電晶體Mnl的問極分 別透過旋轉率控制器SCpl與SCnl耦接至該資料輸入節 點401 ,並以此類推，上拉網路NUp的每一旋轉率控制 為SCpO、SCpl、…與SCpm包括一 |焉接於一對應的p型 金氧半電晶體（MpO、Mpl、…Mpm)之閘極與一電源之 間的第一 P型金氧半電晶體TP1以及耦接於該輸入節點 401與該第一 P型金氧半電晶體TP1的汲極之間的第二p 型金氧半電晶體TP2 ’每一該第一 P型金氧半電晶體TP 1 與第二P型金氧半電晶體TP2分別為互補旋轉率控制信 號(SLEWOb、SLEWlb、…、SLEWmb)與旋轉率控制信號 (SLEW0、SLEW1、…、SLEWm)所控制，相似地，該下 拉網路NDN的每一旋轉率控制器SCn0、SCnl、…與SCnm 包括一耦接於一對應的N型金氧半電晶體（MnO、 Mnl、…Mnm)之閘極與一接地端GND之間的第一 N型 金氧半電晶體TN1以及耦接於該輸入節點401與該第一 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 11 200822556 N型金氧半電晶體TN1的汲極之間的第二N型金氧半電
晶體TN2，每一該第一 N型金氧半電晶體TN1與第二N 型金氧半電晶體TN2分別為旋轉率控制信號（SLEW0、 SLEW1、…、SLEWm)與互補旋轉率控制信號（SLEWOb、 SLEWlb、…、SLEWmb)所控制，第5B圖所示為產生互 補旋轉率控制信號SLEWb<0，m>的信號產生器之示意 圖，更明確地說，該信號產生器為一反相器410,該反相 器410接收該旋轉率控制信號SLEW<0，m>，並產生互補 旋轉率控制信號SLEWb<0，m>。 第5C圖所示為第5 A圖之前及驅動單元的輸出波形 之示意圖，當旋轉率控制信號SLEW<0，m>全被設為〇， 亦即<0,0，···，0>共m+1個位元時，所有的旋轉率控制哭 皆關閉，所有的P型金氧半電晶體Mpb、Mp〇、Mpl、 與Mpm以及N型金氧半電晶體Mnb、MnO、Mnl、 與
Mnm為一對該資料輸入信號DATA反應的反相器，此設 定會產生最高的旋轉率，因為所有的P型金氧半電晶體 被用來拉往供應電壓VDDIO,而所有的N型金氧半電曰 體被用來拉往該接地端GND，相反地，當旋轉率抑制^ 號SLEW<0，m>全被設為1，亦即<；[j 1>J£ ° 开m+l個位 兀時，所有的旋轉率控制器皆開啟，只有p型金氧半>、 晶體Mpb與N型金氧半電晶體Mnb分別被用來拉^供電 電壓VDDIO與接地端GND，此外關閉的p型金氧^應 晶體MpO'Mpl、···與Mpm以及N型金氧丰恭曰遍^ 電 电日日體]V[n〇、
Mnl、…與Mnm可被用來當作額外的負載， m^疋轉率也 0758-A32680TWF;MTKI-06-433；jasonwu 12 200822556 • 就因此降低。 第6圖所示為第4圖之前級驅動單元的另一電路 圖，其包括一反相器610與複數個三態緩衝器620，其皆 耦接於該資料輸入節點401與該資料輸出節點403之 間，該反相器包括串聯於一供應電壓VDDIO與接地端之 間的P型金氧半電晶體611與N型金氧半電晶體613，P 型金氧半電晶體611與N型金氧半電晶體613的閘極與 汲極分別連接至該資料輸入節點401與該資料輸出節點 f 403，每一三態緩衝器620包括一具有上拉電晶體621與 下拉電晶體623的反相器、一反及閘625以及一反或閘 627，上拉電晶體621與下拉電晶體623的汲極連接至該 資料輸出節點403,該反及閘625有一耦接至該資料輸入 節點401的第一輸入端631、一第二輸入端633以及一耦 接至該上拉電晶體621之閘極的輸出端635，該反或閘 627有一耦接至該資料輸入節點401的第一輸入端641、 一第二輸入端643以及一耦接至該下拉電晶體623之閘 極的輸出端645,該反或閘627的該第二輸入端643接收 旋轉率控制信號SLEW<0，m>之一，且一反相器耦接於該 反或閘627與該反及閘625的該等第二輸入端之間。 第7A與7B圖分別為依據本發明一實施例之有可控 制旋轉率之反或閘的示意圖與電路圖，該有可控制旋轉 率之反或閘包括一上拉網路710以及一下拉網路760,該 上拉網路710包括串聯於一供應電壓VDDIO與一輸出節 點Z之間的P型金氧半電晶體群組720與P型金氧半電 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 13 200822556 晶體740，該P型金氧半電晶體群組720包括一第一 P 型金氧半電晶體721以及一第二P型金氧半電晶體731， 該第一 P型金氧半電晶體721有一耦接至一資料輸入端A 的閘極723、一耦接至該供應電壓VDDIO的源極725以 及一汲極727,該第二P型金氧半電晶體731有一透過一 第一旋轉率控制器SCI耦接至該資料輸入端A的閘極 733以及分別耦接至該第一 P型金氧半電晶體721之源極 725與汲極727的源極735與汲極737，每一第一旋轉率 控制器SCI包括一耦接於該第二P型金氧半電晶體731 之閘極與一第一電源VDDIO之間的P型金氧半電晶體 TP1以及耦接於該資料輸入節點401與該第一 P型金氧 半電晶體TP1的汲極之間的P型金氧半電晶體TP2，每 一該P型金氧半電晶體TP1與P型金氧半電晶體TP2分 別為互補旋轉率控制信號（SLEWOb、SLEWlb、…、 SLEWmb)與旋轉率控制信號（SLEW0、SLEW1、…、 SLEWm)所控制，相似地，該下拉網路760包括並聯於一 接地端GND與一輸出節點Z之間的N型金氧半電晶體群 組770與N型金氧半電晶體790，該N型金氧半電晶體 群組770包括一第一 N型金氧半電晶體771以及一第二 N型金氧半電晶體781，該第一 N型金氧半電晶體771 有一耦接至一資料輸入端A的閘極773、一耦接至該接 地端GND的源極775以及一汲極777，該第二N型金氧 半電晶體781有一透過一第二旋轉率控制器SC2耦接至 該資料輸入端A的閘極783以及分別耦接至該第一 N型 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 14 200822556 金氧半電晶體771之源極775與汲極777的源極785與 汲極787,每一旋轉率控制器SC2包括一耦接於該第二N 型金氧半電晶體783之閘極與一接地端GND之間的N型 金氧半電晶體TN1以及耦接於該輸入節點401與該N型 金氧半電晶體TN1的汲極之間的N型金氧半電晶體 TN2，每一該N型金氧半電晶體TN1與N型金氧半電晶 體TN2分別為旋轉率控制信號（SLEW0、SLEW1、...、 SLEWm)與互補旋轉率控制信號（SLEWOb、SLEWlb、...、 SLEWmb)所控制，第7C圖所示為產生互補旋轉率控制信 號SLEWb<0，m>的信號產生器之示意圖，更明確地說， 該信號產生器為一反相器750,該反相器750接收該旋轉 率控制信號SLEW<0，m>，並產生互補旋轉率控制信號 SLEWb<0，m>。 第8A與8B圖分別為依據本發明一實施例之有可控 制旋轉率之反及閘的示意圖與電路圖，該有可控制旋轉 率之反及閘包括一上拉網路810以及一下拉網路860,該 上拉網路810包括並聯於一供應電壓VDDIO與一輸出節 點Z之間的P型金氧半電晶體群組820與P型金氧半電 晶體840，該P型金氧半電晶體群組820包括一第一 P 型金氧半電晶體821以及一第二P型金氧半電晶體831， 該第一 P型金氧半電晶體821有一耦接至一資料輸入端A 的閘極823、一耦接至該供應電壓VDDIO的源極825以 及一汲極827,該第二p型金氧半電晶體831有一透過一 第一旋轉率控制器SCI耦接至該資料輸入端A的閘極 0758-A32680TWF;MTKI-06-433；jas〇] 15 200822556 833以及分別耦接至該第一 P型金氧半電晶體821之源極 825與汲極827的源極835與汲極837，每一第一旋轉率 控制器SCI包括一耦接於該第二P型金氧半電晶體831 之閘極與一第一電源VDDIO之間的P型金氧半電晶體 TP1以及耦接於該資料輸入節點401與該第一 P型金氧 半電晶體TP1的汲極之間的P型金氧半電晶體TP2，每 一該P型金氧半電晶體TP1與P型金氧半電晶體TP2分 別為互補旋轉率控制信號（SLEWOb、SLEWlb、…、 SLEWmb)與旋轉率控制信號（SLEW0、SLEW1、…、 SLEWm)所控制，相似地，該下拉網路860包括串聯於一 接地端GND與一輸出節點Z之間的N型金氧半電晶體群 組870與N型金氧半電晶體890，該N型金氧半電晶體 群組870包括一第一 N型金氧半電晶體871以及一第二 N型金氧半電晶體881，該第一 N型金氧半電晶體871 有一耦接至一資料輸入端A的閘極873、一耦接至該接 地端GND的源極875以及一汲極877,該第二N型金氧 半電晶體881有一透過一第二旋轉率控制器SC2耦接至 該資料輸入端A的閘極883以及分別耦接至該第一 N型 金氧半電晶體871之源極875與汲極877的源極885與 汲極887,每一旋轉率控制器SC2包括一耦接於該第二N 型金氧半電晶體883之閘極與一接地端GND之間的N型 金氧半電晶體TN1以及耦接於該輸入節點401與該N型 金氧半電晶體TN1的汲極之間的N型金氧半電晶體 TN2，每一該N型金氧半電晶體TN1與N型金氧半電晶 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 16 200822556 • 體TN2分別為旋轉率控制信號（SLEWO、SLEWl、…、 SLEWm)與互補旋轉率控制信號（SLEWOb、SLEWlb、…、 SLEWmb)所控制，第8C圖所示為產生互補旋轉率控制信 號SLEWb<0，m>的信號產生器之示意圖，更明確地說， 該信號產生器為一反相器850,該反相器850接收該旋轉 率控制信號SLEW<0，m>，並產生互補旋轉率控制信號 SLEWb<0，m>。 f 【圖式簡單說明】 第1A與1B圖所示分別為一傳統可具有可控制旋轉 率之輸出緩衝器的電路圖以及該緩衝輸出器的切換特性 之示意圖。 第1C圖所示為第1A圖之傳統輸出缓衝器的詳細電 路圖。 第2圖所示為如何藉由控制前級驅動電路輸出端之 負載以調整旋轉率。 【 第3A圖為依據本發明一實施例之有可控制旋轉率 的輸出缓衝器之方塊圖。 第3B與3C圖所示分別為一電壓模式驅動器與一電 流模式驅動器的電路圖。 第4圖所示為依據本發明一實施例之有可控制旋轉 率的輸出缓衝器之詳細方塊圖。 第5A圖所示為第4圖之前級驅動單元的另一電路 圖。 第5B圖所示為產生互補旋轉率控制信號 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 17 200822556 .SLEWb<0,m>的信號產生器之示意圖。 第5C圖所示為第5A圖之前及驅動單元的輸出波形 之示意圖。 第6圖所示為第4圖之前級驅動單元的另一電路圖。 第7A與7B圖分別為依據本發明一實施例之有可控 制旋轉率之反或閘的示意圖與電路圖。 第7C圖所示為產生互補旋轉率控制信號 SLEWb<0，m>的信號產生器之示意圖。 f 第8A與8B圖分別為依據本發明一實施例之有可控 制旋轉率之反及閘的示意圖與電路圖。 第8C圖所示為產生互補旋轉率控制信號 SLEWb<0，m>的信號產生器之示意圖。 【主要元件符號說明】 100〜輸出緩衝器； NP〜上拉網路； NN〜下拉網路； 0〜輸出節點；
Vcc〜供應電壓； MPIOi、mpio2、mpio3〜P型金氧半電晶體； DP、DN〜資料信號； CP、CN〜電容； DPI〜第一電阻電容延遲器； DP2〜第二電阻電容延遲器； GND〜接地端； MNICh、MNI02、MNI〇3〜N型金氧半電晶體； DN 1〜第三電阻電容延遲器； 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 18 200822556 . DN2〜第四電阻電容延遲器； MP1〜P型金氧半電晶體； MN1〜N型金氧半電晶體； 300〜有可控制旋轉率的輸出緩衝器； 310〜前級驅動電路； 320〜驅動電路； 330〜焊墊； PSLEW<0，m>〜上拉旋轉率控制信號； NSLEW<0，m>〜下拉旋轉率控制信號； ^ VDDIO〜供應電壓； PAD〜焊墊； ΖΦ_1ι〜上拉網路； ΖΦ__1〜下拉網路； R〜負載元件； 400〜上拉前級驅動單元； 400’〜下拉前級驅動單元； 401〜資料輸入節點； 403〜資料輸出節點； DATA〜輸入資料信號；405〜緩衝器； 407〜三態緩衝器； DATAb〜輸出信號； 410〜反相器； / TP、TP1、TP2〜P型金氧半電晶體； TN、TNI、TN2〜N型金氧半電晶體； NUP〜上拉網路； NDN〜下拉網路；
Mpb、MpO、Mpl、…、Mpm〜P型金氧半電晶體； Mnb、MnO、Mnl、…、Mnm〜N型金氧半電晶體； SCpO、SCp卜…、SCpm & SCnO、SCnl、…、SCnm 〜旋轉率控制器； SLEW0、SLEW卜…、SLEWm〜旋轉率控制信號； 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 19 200822556 SLEWb<0，m>、SLEWOb、SLEWlb、…、SLEWmb 互補旋轉率控制信號； 610〜反相器； 620〜三態緩衝器； 611〜P型金氧半電晶體； 613〜N型金氧半電晶體； 621〜上拉電晶體； 623〜下拉電晶體； 625〜反及閘； 627〜反或閘； 631、641〜第一輸入端；633、643〜第二輸入端； 63 5、645〜輸出端； 710、810〜上拉網路； 760、860〜下拉網路； Z〜輸出節點； 720、 820〜P型金氧半電晶體群組； 740、840〜P型金氧半電晶體； 770、 870〜N型金氧半電晶體群組； 790、890〜N型金氧半電晶體； 721、 821〜第一 P型金氧半電晶體； 73 1、831〜第二P型金氧半電晶體； 771、 871〜第一 N型金氧半電晶體； 781、881〜第二N型金氧半電晶體； A〜貧料輸入端， 723、733、823、833〜閘極； 725、735、825、835〜源極； 727、737、827、837〜汲極； SCI〜第一旋轉率控制器； SC2〜第二旋轉率控制器； 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 20 200822556 • 773、783、873、883〜閘極； 775、785、875、885〜源極； 777、787、877、887〜汲極 ° 0758-A32680TWF;MTKI-06-433;jasonwu 21