TW200814871A - Substrate for high-speed circuit - Google Patents

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Tzong-Lin Wu
Sin-Ting Chen
Ting-Kuang Wang
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Univ Nat Taiwan
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Description

200814871 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電路基板,並且係特別關於一種應用於高 速電路之基板。 "' 【先前技術】 由於數位電路的工作頻率愈來愈高’許多被動結構造成的寄 生效應益發嚴重。電路中的寄生電容與寄生電感皆會使訊號品質
變差,並造成電磁輻射干擾(electromagnetic interference,EMI)的問 以多層印刷電路板為例,當電路的電位狀態快速切換時,寄 生元件會使電源供應平面之間產生暫態壓降。這種暫態壓降亦稱 為接地彈跳雜訊(ground bounce noise,GBN)或暫態切換雜部 (simultaneously switching noise,SSN),並且可能會導致電路中^ 邏輯判斷發生錯誤。在印刷電路板中,電源供應平面可被視為平 行板波導結構。電源供應平面之間的接地彈跳雜訊會使 征 平面共振,進而造成電磁輻射。在共振頻率附近,接地 對信號品質的影響尤其嚴重。為避免電磁輻射干擾,如何抑制 地彈跳雜成為南速電路之印刷電路板及其封裝產業中的重要 題。 艰 習知技藝中用以抑制接地彈跳雜訊的技術之一,是 周圍加上去齡電容(d_pling eapadtoi·),以提供雜訊接地的^ Ξ效Ϊίίΐ電容本身具有寄生電感,絲合電容抑制高頻雜訊 5 200814871 而,為了使狹缝内外的電源供應平面為等電位,狹縫内外之電源 供應平面間必須存在一連接彼此的通道,因而大幅降低抑制 的效果。
此外’電磁能隙結構(electr〇magnetic band_gapstmcture EB
,可用以抑制接地彈跳雜訊。在電源供應平面之金屬層設計電磁 能隙結構可翻寬_雜抑做果,更可取代絲合電容以 低成本。但是,由於電源供應平面係信號層之電流的返回路押, 位於電源供應平面之電磁能隙結構破壞了返回路徑的完整 能會因此影響信號傳輸的品質。 J 【發明内容】 問題,本發明提供一種新的電磁能隙結構。根據 (dieLtric ;:雰此;:供信號層之電流良好的應 禾L、而額外的絲合電容,可降低製作電路基板的成本。 該第-介電層中‘數個第二m 二介電體之介電常數不同。 到進點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附 之介電常數絲細面!_。該第—介電層 圖式得 6 200814871
象 X 【實施方式】 一根據本發明之一較佳具體實一 ―:圖-係繪示該電路基板10之亍i; 路基板。請參閱圖 則能為-電源平面,而該第;二= 於實際應用中,該複數個第二 • 12 壓平面12與該第二參考電壓平面14電曰1^位於該第-參考電 的兩端各自與第一參考電壓平面12及第-^^第二介電體18 =於實際翻中,該等第二介電體f8—面Η ;; 金屬,例如銀。 』田每『犯鍍有一導電 體18之介電常數係高於該第—介電層16之“常= 電ί ^電常數約略等於2。在根據本發明之4 體實關中’该複數個帛二介電體18介 ς 數個第二介賴18的半彳_於2咖。巧_於搬,該複 由於該第-介電層16之介電常數與該複數個第二介電體Μ 之介電常數不同,第-介電層16與該等第二介電體1S對於電磁 波傳遞過程中形成一寬頻的截止帶(st〇p band)。因此在此截止帶 中雜訊不易向外傳播。藉由適當設計該第一介電層16與該等第 二介電體18之介電常數,即可決定該截止帶的頻段和頻寬,進 200814871 而能達到抑制雜訊的效果。相關原理請參考發明人於压
Tmn「saetiGns ⑽ Miercwave The〇ly — Tedmiques (2〇〇6)中所發表 ^ r A Photonic Crystal Power/Ground Layer for Eliminating imultaneously Switching Noise in High-Speed Circuit j 〇 請參閱圖二,圖二係繪示採用根據本發明之 圖:所不’在2.6〜5,2 GHZ間與5.8〜7J 〇ΗΖ間分別存在 60ηΪ 平均而言’ 2.6〜5.2砸間的截止帶可將雜訊衰減 , ’ 5·8〜7] GHz間的截止帶可將雜訊衰減25dB左右。 制ϋ見,根據本發明之電磁能隙結構具有寬頻且良好的雜訊抑 於圖請圖t,圖三(Α)與圖三⑻為第—介電層16之透視圖。 置於[一二丨轉二介· 18 _週雛轉列方式嵌 ίΐίΛΙΐ 8 5 ^ 宁兩弟一介電體18之間的距離等於125 圖*中’該複數個第二介電體18中兩第二介電體18 二(A)盘1Q 《明’該複數個第二介電體18的外型可如圖 :Λ二()所不之圓柱體,亦可如圖四所示之不規則』 個第二介雜18料型也可《為其㈣ 因此於路基板10可能為-多層印刷電路板。 屢平面12 ΐ上的第—rd不’進-步包含位於第一參考電 以固=日114】。日信號層20與第二信號層22通常係用 疋IC日日片24及晶片電阻、電容,並提供各晶>1 24彼此之 200814871 間或晶片與其他接頭之間的信號連線。第—信 2q 號層22之間則需以連接柱_ 26相連接。根據本 26可如圖五所转過第二介· 18,柯獨立於第二介 ΐ夫Ιί壓應平面間(即第一參考電壓平面12及 第ΓίΪ Ϊ )中’除了原本之第一介電層W外,還可 以包§其他介電層或信號層。 ,參閱,六。圖六⑷絲雜縣發明之電絲板所模 的眼圖(eye diagram);圖六(B)則為採用一未包含等第二 電路出的眼圖。圖六(A)中的最大眼高(臟1111聰哪 =,ME2絲域寬(maximum eye w馳碰w)分勒 24二 1 圖六⑻中的最大眼高與最大眼寬則分別為i92mv盎 72ps。由此可見,相較於未包含該等第二介 據本發明之電路基板大幅降低雜訊,並因而改善信號品質土。乂 面門根據本發明之電磁能隙結構係位於兩電源供應平 32 士並沒有破壞電源供應平面本身之金屬層,因此 rtm 良好的返回路徑,進而改善信號傳輸品質。 ΐ隹而ϊΐΐ電磁能隙結構具有寬頻的雜訊抑制效果,亦 可進而避免尚頻電路中的電磁干擾問題。 發明?具體實施例之詳述,係希望能更加清楚描述本 :發明ΐί::二;Ξ並述所揭露的較佳具體實施例來對 月且㈣ti力限制。相反地’其目的是希望能涵蓋各種改變 及,、相荨性的女排於本發明所欲申請之專利範圍的範鳴内。 9 200814871 【圖式簡單說明】 意圖 圖一係繪示根據本發明之一較佳具 體實施例的電路基板之示 電路基板來模擬與實際測量所 圖一係緣示採用根據本發明之 得到的資料。 圖。圖三⑷與圖三(B)鱗示根據本發明之第—介電層的透視 圖四係緣示外型為不規則柱狀體之第二介電體。 圖五係緣示根據本發明的多層印刷電路板之實施例。 纖職臟眼圖;圖六 禾匕3#弟二介電體之電路基板所模擬出的眼圖。 【主要元件符號說明】 10 :電路基板 14 :第二參考電壓平面 18 :第二介電體 22 :第二信號層 26 :連接柱 12 :第一參考電壓平面 16 :第一介電層 20 :第一信號層 24 ·· 1C晶片

Claims (1)

  1. 200814871 十、申請專利範圍·· 1、 一種電路基板,包含: 一第一參考電壓平面; 弟—參考電堡平面; 介電層(dielectric layer),該第一介電層係位於該第一參 山考電壓平面與該第二參考電壓平面之間;以及 歲^於該第-介電層巾的複數個第二介紐,該複數個第二 巧體中的每-個第二介電體各自包含一第一端點與一第 二&點’該等第-端點係與該第-參考電壓平面相接觸, 甘击^^該轉二端點雜該第二參考賴平面相接觸; ?弟一介電層之介電常數與該複數個第二介電體之介電常數 圍第1項所述之電路基板’其中該複數個第二介電 體之7丨電吊數係尚於談第一介電層之介電常數。 第1項所述之電路基板’其中該複數個第二介電 ===項所述之電路基板’其中該複數個第二介電 專利範圍第1項所述之電路基板,其中該複數個人喷 體的外型為不規則之柱狀。 弟一;I電 如申請專利範圍第i項所述之電路基板,其中該複數 體係以週期性的排列方式嵌置於該第一介電層中。 一’1電 如申請專利範圍第丨項所述之電路基板,其中該複數 體中兩第二介電體之間的距離係逐漸遞增。 一介電 如申請專利範圍第i項所述之電路基板,其中該第—表去 面係平行於該第二參考電壓平面。 > 考電壓平 如申請專利範圍第i項所述之電路基板,其中該第一表 面與該第二參考電壓平面為金屬平面。 > 電壓平 10、如申請專利範圍第1項所述之電路基板,該電路基极谁 含: 喷一步包 2、 3、 4、 5、 6、 1、 9、 11 200814871 複數個連接柱(via),該複數個連接柱中之至少— 柱係嵌置於一個該第二介電體中。 連接 11、 13、
    如申請專利範圍第10項所述之電路基板,其中一 :該4—層參之考上電壓平面之上’並且至少一㈣
    如申請專利範圍第11項所述之電路基板,其中該第一遠 連接至該冑奸件。 逆接往係 如申請專利範圍第1項所述之電路基板,其中該等第一端點與該 荨苐一端點分別艘有一導電金屬與該第一參专電壓平面^該第 二參考電壓平面接觸。 Μ 如申請專利範圍第13項所述之電路基板,其中該導電金屬為 銀。 ”、 12
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